(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023047186
(43)【公開日】2023-04-05
(54)【発明の名称】システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20230329BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20230329BHJP
F04B 37/16 20060101ALI20230329BHJP
F04C 25/02 20060101ALI20230329BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 B
C23C16/44 J
F04B37/16 Z
F04C25/02 K
【審査請求】有
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021156139
(22)【出願日】2021-09-24
(71)【出願人】
【識別番号】318009126
【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高橋 良輔
(72)【発明者】
【氏名】坂田 雅和
(72)【発明者】
【氏名】谷内 正導
(72)【発明者】
【氏名】坂下 政道
【テーマコード（参考）】
3H076
3H129
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
3H076AA16
3H076AA21
3H076AA38
3H076BB03
3H076BB13
3H076CC46
3H076CC81
3H076CC91
3H076CC98
3H129AA02
3H129AA03
3H129AA06
3H129AA10
3H129AB06
3H129BB13
3H129BB36
3H129CC05
3H129CC22
3H129CC46
3H129CC56
4K030AA06
4K030AA09
4K030AA14
4K030BA44
4K030EA04
4K030EA11
4K030FA10
4K030GA06
4K030JA10
4K030KA22
4K030KA28
4K030KA39
4K030KA41
4K030LA15
5F045AA06
5F045AB32
5F045AB33
5F045AB34
5F045AB40
5F045AC01
5F045AC03
5F045AC05
5F045AC07
5F045AC11
5F045AC12
5F045AC14
5F045AC15
5F045AC16
5F045AC17
5F045AD07
5F045AD08
5F045AD09
5F045AD10
5F045AD11
5F045AE15
5F045AE17
5F045AE19
5F045AE21
5F045AE23
5F045BB08
5F045DP19
5F045DP28
5F045DQ05
5F045EE14
5F045EF03
5F045EF09
5F045EG04
5F045EG06
(57)【要約】
【課題】ポンプ内部の副生成物の付着を抑制する。
【解決手段】ガスで処理対象を処理する処理室と、ロータを内部に設けたケーシングを備え、処理室で使用したガスを排気する排気装置と、処理室を経由せずに排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、処理対象を処理した後、ガス供給部を制御して所定量の不活性ガスをケーシング内に供給し、ロータの温度を目標温度以上にする制御部と、を備えた構成が提供される
【選択図】図３
【解決手段】ガスで処理対象を処理する処理室と、ロータを内部に設けたケーシングを備え、処理室で使用したガスを排気する排気装置と、処理室を経由せずに排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、処理対象を処理した後、ガス供給部を制御して所定量の不活性ガスをケーシング内に供給し、ロータの温度を目標温度以上にする制御部と、を備えた構成が提供される
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガスで処理対象を処理する処理室と、
ロータを内部に設けたケーシングを備え、前記処理室で使用したガスを排気する排気装置と、
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理対象を処理した後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするように前記ガス供給部を制御可能に構成された制御部と、
を備えたシステム。
ロータを内部に設けたケーシングを備え、前記処理室で使用したガスを排気する排気装置と、
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理対象を処理した後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするように前記ガス供給部を制御可能に構成された制御部と、
を備えたシステム。
【請求項2】
前記制御部で制御され、前記ケーシングを加熱するヒータを有している、
請求項１に記載のシステム。
請求項１に記載のシステム。
【請求項3】
前記処理室と前記排気装置との間に、前記処理室の圧力を調整する圧力調整用バルブを有し、
前記制御部は、前記圧力調整用バルブが開状態の場合に、前記不活性ガスの供給を停止するように前記ガス供給部を制御する、
請求項１に記載のシステム。
前記制御部は、前記圧力調整用バルブが開状態の場合に、前記不活性ガスの供給を停止するように前記ガス供給部を制御する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項4】
ガスで基板を処理する処理室と、
ロータを内部に設けたケーシングを備え、前記処理室で使用したガスを排気する排気装置と、
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記基板を処理した後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするように前記ガス供給部を制御可能に構成された制御部と、
を備えた基板処理装置。
ロータを内部に設けたケーシングを備え、前記処理室で使用したガスを排気する排気装置と、
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記基板を処理した後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするように前記ガス供給部を制御可能に構成された制御部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項5】
処理室で、ガスを用いて基板を処理しつつ、ロータを内部に設けたケーシングを備えた排気装置を用い、前記処理室で使用したガスを排気する処理工程と、
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部により、前記処理工程後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするガス流量制御工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部により、前記処理工程後、所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にするガス流量制御工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の基板処理装置の成膜プロセスにおける原料ガスの使用量増加に伴い、ポンプ内部のガス曝露量の増加によって副生成物の付着が顕著となっており、ポンプ内部を反応が起きない温度に制御する必要がある。基板処理装置が待機状態になるとポンプに流入するガス流量が少なくなり、ポンプ内部の温度が下がるため、次のプロセス開始前にポンプ内部の温度を上げるための暖機運転が必要となることがある。
【0003】
成膜プロセスを行う基板処理装置としては、特許文献１に開示の基板処理装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８－０８５４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、ポンプ内部の副生成物の付着を抑制することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様によれば、ガスで処理対象を処理する処理室と、ロータを内部に設けたケーシングを備え、前記処理室で使用したガスを排気する排気装置と、前記処理室を経由せずに前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理対象を処理した後、前記ガス供給部を制御して所定量の前記不活性ガスを前記ケーシング内に供給し、前記ロータの温度を目標温度以上にする制御部と、を備える構成が提供される。
【発明の効果】
【0007】
本開示の構成によれば、ポンプ内部の副生成物の付着を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す上面図である。
【図2】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す正面側から見た縦断面図である。
【図3】（Ａ）は本開示の一実施形態に係る処理炉の一例を示す縦断面図であり、（Ｂ）は、ガス供給部の一部を示す図である。
【図4】本開示の一実施形態に係るブースタポンプの一例を示す縦断面図である。
【図5】本開示の一実施形態に係る基板処理装置のプロセスと時間との関係を示すグラフである。
【図6】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の温度制御動作の概念を説明する概略図である。
【図7】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の、ガスの供給量とロータ温度と関係を示すグラフである。
【図8】ブースタポンプに供給するガスの流量とロータ温度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の一実施形態に係るシステムの一例としての基板処理装置１について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
以下、本開示の限定的でない例示の実施例を説明する。全図面中、同一又は対応する構成については、同一又は対応する符号を付し、重複する説明を省略する。又、後述する収納室１３側を正面側（前側）、後述する第１のユーティリティ系５４Ａ、第２のユーティリティ系５４Ｂ側を背面側（後側）とする。更に、後述する第１の処理モジュール２Ａ、第２の処理モジュール２Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。
以下、本開示の限定的でない例示の実施例を説明する。全図面中、同一又は対応する構成については、同一又は対応する符号を付し、重複する説明を省略する。又、後述する収納室１３側を正面側（前側）、後述する第１のユーティリティ系５４Ａ、第２のユーティリティ系５４Ｂ側を背面側（後側）とする。更に、後述する第１の処理モジュール２Ａ、第２の処理モジュール２Ｂの境界線（隣接面）に向う側を内側、境界線から離れる側を外側とする。
【0010】
本実施例に於いて、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法に於ける製造工程の一工程として、熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、基板 処理装置と称する）１として構成されている。
【0011】
図１、図２に示される様に、基板処理装置１は、第１の処理モジュール２Ａと、第２の処理モジュール２Ｂとを備えている。処理モジュール２Ａ及び２Ｂは、おおよそ直方体の輪郭を有する筐体又は躯体を有し、それぞれの一側面が互いに平行に密着又は隣接して配置されている。処理モジュール２Ａは、第１の処理炉４Ａ（処理炉４Ａ）と第１の搬送室５Ａ（搬送室５Ａ）により構成される。処理モジュール２Ｂは、第２の処理炉４Ｂ（処理炉４Ｂ）と第２の搬送室５Ｂ（搬送室５Ｂ）により構成される。
【0012】
処理炉４Ａと処理炉４Ｂの下方には、搬送室５Ａと搬送室５Ｂがそれぞれ配置されている。搬送室５Ａと搬送室５Ｂの正面側に隣接して、移載室１１が配置されている。移載室１１は、おおよそ直方体の外形の筐体を有し、ウェーハ８を移載する移載機９が備えられる。移載室１１の正面側には、ウェーハ８を複数枚収納するポッド（フープ）１２を収納する収納室１３が連結されている。収納室１３、処理モジュール２Ａ、２Ｂ、移載室１１は、互いに直交する面からなる多面体を基調とした外径を有し、それぞれ着脱可能に構成され、その接続部は適切な気密性を有する。収納室１３の前面には、Ｉ／Ｏポート１４が設置され、Ｉ／Ｏポート１４を介して基板処理装置１の内外にポッド１２が搬入出される。
【0013】
搬送室５Ａ、５Ｂと移載室１１との境界壁（隣接面）には、両者の間で基板を搬入する為の第１のゲートバルブ１５Ａ（ゲートバルブ１５Ａ）と第２のゲートバルブ１５Ｂ（ゲートバルブ１５Ｂ）がそれぞれ設置される。移載室１１の天井部には、移載室１１にクリーンエアを供給するクリーンユニット１７が設置されており、移載室１１にクリーンエアとして、例えば不活性ガスを循環させる様に構成されている。移載室１１を不活性ガスにて循環パージすることにより、移載室１１を清浄な雰囲気とすることができる。
【0014】
処理モジュール２Ａと処理モジュール２Ｂは細部を除き略同一（面対称）の構成を備える為、以下に於いては、代表して処理モジュール２Ａについてのみ説明する。
【0015】
図３（Ａ），（Ｂ）に示される様に、処理炉４Ａは、円筒形状の第１の処理容器１８Ａ（反応管１８Ａ）と、反応管１８Ａの外周に設置された加熱手段（加熱機構）としての第１のヒータ１９Ａ（ヒータ１９Ａとを備える。反応管１８Ａは、例えば石英（Ｓｉ）やシリコンカーバイド（ＳｉＣ）によって形成される。反応管１８Ａの内部には、基板としてのウェーハ８を処理する第１の処理室２１Ａ（処理室２１Ａ）が形成される。又、反応管１８Ａには、温度検出器としての第１の温度検出部２２Ａが反応管１８Ａの内壁に沿って立設されている。
【0016】
基板処理に使用されるガスは、ガス供給系としての第１のガス供給機構２３Ａによって処理室２１Ａに供給される。ガス供給機構２３Ａが供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構２３Ａは、原料ガス供給部、反応ガス供給部、及び不活性ガス供給部を含む。ガス供給機構２３Ａは、後述する第１の供給ボックス２４Ａ（ガスボックス）に収納されている。
【0017】
原料ガス供給部は、原料ガスタンク２５Ａを備え、原料ガスタンク２５Ａにはガス供給管２５ａが接続されている。ガス供給管２５ａは切換えバルブ２８ｇを介して第１ガス供給管２５ａａ、及び第２ガス供給管２５ａｂが接続されている。
【0018】
第１ガス供給管２５ａａには、上流方向から順次、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２６ａ及び開閉弁であるバルブ２８ａが設けられている。第１ガス供給管２５ａａは第１のマニホールド２７Ａ（マニホールド２７Ａ）の側壁を貫通するノズル２９ａに接続されている。ノズル２９ａは、反応管１８Ａ内に上下方向に沿って立設し、第１のボート３１Ａ（ボート３１Ａ）に保持されるウェーハ８に向って開口する複数の供給孔が形成されている。ノズル２９ａの供給孔を通してウェーハ８に対して原料ガスが供給される。
【0019】
第２ガス供給管２５ａｂには、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２６ｆ、及び開閉弁であるバルブ２８ｆが設けられている。第２ガス供給管２５ａｂは、後述する第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａと第１のブースタポンプ３８Ａとの間の排気管３４Ａに接続されている。
【0020】
以下、同様の構成にて、反応ガス供給部は、反応ガスタンク２５Ｂを備え、反応ガスタンク２５Ｂからは、ガス供給管２５ｂ、ＭＦＣ２６ｂ、バルブ２８ｂ及びノズル２９ｂを介して、反応ガスがウェーハ８に対して供給される。不活性ガス供給部は、不活性ガスタンク２５Ｃを備え、不活性ガスタンク２５Ｃからは、ガス供給管２５ｃ，２５ｄ、ＭＦＣ２６ｃ，２６ｄ、バルブ２８ｃ，２８ｄ、及びノズル２９ａ，２９ｂを介して、ウェーハ８に対して不活性ガスが供給される。
【0021】
また、不活性ガスタンク２５Ｃからは、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して、後述する排気管３４Ａに対して不活性ガスを供給することができる。
【0022】
反応管１８Ａの下端開口部には、円筒形のマニホールド２７Ａが、Ｏリング等のシール部材を介して連結され、反応管１８Ａの下端を支持している。マニホールド２７Ａの下端開口部は、搬送室５Ａの天井に対応して配置されており、円盤状の第１の蓋部３２Ａ（蓋部３２Ａ）によって開閉される。蓋部３２Ａの上面にはＯリング等のシール部材が設置されており、これにより反応管１８Ａと外気とが気密にシールされる。蓋部３２Ａ上には、第１の断熱部３３Ａ（断熱部３３Ａ）が載置される。
【0023】
マニホールド２７Ａには、軸心に対して直交する方向、即ち反応管１８Ａの管軸に対して直交する方向に延出する第１の排気ポート３０Ａ（排気ポート３０Ａ）が形成され、排気ポート３０Ａを介して第１の排気管３４Ａが取付けられている。
【0024】
排気管３４Ａには、処理室２１Ａの圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての第１の圧力センサ３５Ａ（圧力センサ３５Ａ）と、圧力調整用バルブ（圧力調整部）としての第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａを介して、排気装置の一例としての第１のブースタポンプ３８Ａが接続されている。なお、第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａを調整することで、処理室２１Ａから排出されるガスの流量を調整することができる。
【0025】
排気管３４Ａには、第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａと第１のブースタポンプ３８Ａとの間に、不活性ガス供給部からの不活性ガスを供給するガス供給管２５ｅが接続されている。
【0026】
第１のブースタポンプ３８Ａには、排気方向下流側にメインポンプ７０Ａが接続されている。メインポンプ７０Ａには、ドライポンプ等の真空ポンプが用いられている。
【0027】
又、ブースタポンプ３８Ａは、メインポンプ７０Ａの排気速度が減少する圧力領域（例えば、１Ｐａ～１ｋＰａ）に於いて、排気速度を向上させる。その排気速度は、到達真空度付近を除き、回転体としてのロータの回転速度により決まるので、メインポンプ７０Ａのみ用いた場合に比べて排気速度のばらつきも軽減される。尚ブースタポンプ３８Ａとして、ルーツ型の他、回転翼型（軸流型）、スクリュー型、スクロール型等の各種のメカニカルブースタポンプが使用でき、更にはターボ分子ポンプ、イジェクタ等の圧縮作用を有するあらゆる種類のポンプが使用されうる。
【0028】
尚、コンダクタンス可変バルブ３６Ａは、圧力調整用のＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブを含む構成となっている。主に、排気管３４Ａ、圧力センサ３５Ａ、コンダクタンス可変バルブ３６Ａにより、第１の排気系としての排気系３９Ａが構成される。排気系３９Ａは、後述する第１の排気ボックス４０Ａ（排気ボックス４０Ａ）に収納されうる。
【0029】
処理室２１Ａは、複数枚、例えば１０～１５０枚のウェーハ８を垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート３１Ａを内部に収納する。ボート３１Ａは、蓋部３２Ａ及び断熱部３３Ａを貫通する第１の回転軸４１Ａ（回転軸４１Ａ）により、断熱部３３Ａの上方に支持される。回転軸４１Ａは、蓋部３２Ａの下方に設置された第１の回転機構４２Ａ（回転機構４２Ａ）に接続されており、回転軸４１Ａは反応管１８Ａの内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部３２Ａは、昇降機構としての第１のボートエレベータ４３Ａ（ボートエレベータ４３Ａ）により上下方向に駆動される。これにより、ボート３１Ａ及び蓋部３２Ａが一体的に昇降され、反応管１８Ａに対してボート３１Ａが搬入 出される。
【0030】
図３（Ａ）に示すように、基板処理装置１は、コントローラ４６を備えている。図３（Ａ）に示す回転機構４２Ａ、ボートエレベータ４３Ａ、ＭＦＣ２６ａ～２６ｆ、バルブ２８ａ～２８ｆ、切替えバルブ２８ｇ、コンダクタンス可変バルブ３６Ａ、圧力センサ３５Ａ、第１のポンプコントローラ６３Ａ（図１参照）等は、これらを制御するコントローラ４６に接続されている。
【0031】
（コントローラ）
コントローラ４６は、例えばＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理モジュール２Ａ、２Ｂの動作を制御可能とする様に構成される。コントローラ４６には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４７が接続されている。コントローラ４６は、処理モジュール２Ａと処理モジュール２Ｂとでそれぞれに１つずつ設置されてもよいし、共通して１つ設置されてもよい。
コントローラ４６は、例えばＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理モジュール２Ａ、２Ｂの動作を制御可能とする様に構成される。コントローラ４６には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４７が接続されている。コントローラ４６は、処理モジュール２Ａと処理モジュール２Ｂとでそれぞれに１つずつ設置されてもよいし、共通して１つ設置されてもよい。
【0032】
コントローラ４６には記憶媒体としての記憶部４８が接続されている。記憶部４８には、基板処理装置１の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成部に処理を実行させる為のプログラム（レシピとも言う）が、読出し可能に格納される。
【0033】
記憶部４８は、コントローラ４６に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記憶装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。又、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットの専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置４７からの指示等にて記憶部４８から読出され、読出されたレシピに従った処理をコントローラ４６が実行することで、基板処理装置１はコントローラ４６の制御のもと、所望の処理を実行する。コントローラ４６は、基板処理装置１の任意の場所に設けたコントロールボックス（図示せず）に収納される。
【0034】
次に、基板処理装置１の背面構成について説明する。
【0035】
（ユーティリティ系）
処理モジュール２Ａ、２Ｂの背面に近接して、後方に伸びる第１のユーティリティ系５４Ａ（ユーティリティ系５４Ａ）及び第２のユーティリティ系５４Ｂ（ユーティリティ系５４Ｂ）が設置されている。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、メンテナンスエリアを介在して対向して面対称に配置される。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、供給ボックス２４Ａ、２４Ｂ、排気ボックス４０Ａ、４０Ｂ、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂを有する。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの各ボックスのメンテナンス口は、それぞれ内側（メンテナンスエリア側）に形成されている。
処理モジュール２Ａ、２Ｂの背面に近接して、後方に伸びる第１のユーティリティ系５４Ａ（ユーティリティ系５４Ａ）及び第２のユーティリティ系５４Ｂ（ユーティリティ系５４Ｂ）が設置されている。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、メンテナンスエリアを介在して対向して面対称に配置される。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、供給ボックス２４Ａ、２４Ｂ、排気ボックス４０Ａ、４０Ｂ、ブースタポンプ３８Ａ、３８Ｂを有する。ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂの各ボックスのメンテナンス口は、それぞれ内側（メンテナンスエリア側）に形成されている。
【0036】
ユーティリティ系５４Ａ、５４Ｂは、細部を除き略同一の構成を備える為、以下に於いては、代表してユーティリティ系５４Ａについてのみ説明する。供給ボックス２４Ａは、搬送室５Ａの背面の外側寄りの部分に隣接して配置される。排気ボックス４０Ａは、処理炉４Ａの背面の外側寄りの部分に隣接して配置される。
【0037】
（ブースタポンプ３８Ａ）
次に、図４にしたがって、ブースタポンプ３８Ａについて説明する。本実施例に於けるブースタポンプ３８Ａは、縦置きに設置する様に構成されている。縦置きに設置することで、フットプリント（設置面積）を小さくしている。なお、ブースタポンプ３８Ｂもブースタポンプ３８Ａと同様である。
次に、図４にしたがって、ブースタポンプ３８Ａについて説明する。本実施例に於けるブースタポンプ３８Ａは、縦置きに設置する様に構成されている。縦置きに設置することで、フットプリント（設置面積）を小さくしている。なお、ブースタポンプ３８Ｂもブースタポンプ３８Ａと同様である。
【0038】
ブースタポンプ３８Ａは、内部に空間（ロータ室）を有する本体（ケーシング）６１Ａと、本体６１Ａ内で回転する１乃至複数のロータ５９Ａと、排気管３４Ａと接続され本体６１Ａの上部側面に設けられた吸気口５６Ａと、本体６１Ａの側面下部に設けられ、ガスを排気する第１の排気口６２Ａと、ロータ５９Ａの回転軸５７Ａを回転するモータ５８Ａと、モータ５８Ａを制御する第１のポンプコントローラ６３Ａと、バラストガスや冷却水等を供給する為の付属設備（不図示）とから構成されている。なお、第１のポンプコントローラ６３Ａは、コントローラ４６（図３（Ａ）参照）に接続されている。
【0039】
ブースタポンプ３８Ａの内部には、吸気口５６Ａ内、排気口６２Ａ内、及び本体６１Ａとロータ５９Ａとの間の移動する中間室によって、第１のガス流路６５Ａ（ガス流路６５Ａ）が形成されている。
【0040】
吸気口５６Ａから導入されたガスは、ガス流路６５Ａを流通して排気口６２Ａから排出される様に構成されている。吸気口５６Ａは、ロータ室を直接臨む様に回転軸５７Ａと直交して開口し、排気口６２Ａは、吸気口５６Ａと同じ若しくは反対側の側面に開口し、配管（図４では不図示。図３参照。）を介してメインポンプ７０Ａ（図４では不図示。図３参照。）の吸気口に接続される。
【0041】
回転軸５７Ａが上下方向に延伸して配置されている為、本体６１Ａは縦長である。本体６１Ａは鋳鉄製であり、大きな重量を有する。モータ５８Ａを本体６１Ａの上に設けたことにより、ブースタポンプ３８Ａの重心を極力低くでき、ブースタポンプ３８Ａを安定して設置できる様構成されている。
【0042】
図４に示すように、ブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａの外面には、本体６１Ａを加熱する電気ヒータ７２と、本体６１Ａの温度を検出する温度センサ７４が設けられている。一例として、電気ヒータ７２は、本体６１Ａの外周面を覆うように設けられており、本体６１Ａを介してロータ５９Ａを間接的に加熱可能としている。これら電気ヒータ７２、及び温度センサ７４は、コントローラ４６に接続されている。
【0043】
回転軸５７Ａで駆動されるロータ５９Ａは、複数のロータ、例えば２つのロータからなる２段ルーツ式となっている。排気管３４Ａを介して吸気口５６Ａから吸引されるガスは、ロータ５９Ａの回転と共にガス流路６５Ａ内を回転しながら排気口６２Ａに導入される。
【0044】
ここで、吸気口５６Ａが本体６１Ａの上部側面に設けられ、排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａは、同一又は略同一高さとなっている。従って、排気管３４Ａの形状を直線状とし、且つ水平に配置することができるので、排気ポート３０Ａと吸気口５６Ａとの距離を最短とすることができ、ブースタポンプ３８Ａの排気能力を最大限に活かすことができる。
【0045】
一方で排気口６２Ａを本体６１Ａの下部に設けることで、例えば、下のフロアに設置されたメインポンプ７０Ａ迄の配管（図示せず）の引回しを短くすることができる。
【0046】
次に、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）の概略について説明する。ここでは、ウェーハ８に対して、原料ガスと、反応ガスとを供給することで、ウェーハ８上に膜を形成する例について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置１を構成する各部の動作は、プロセスレシピを実行させるためのプログラムに基づき、コントローラ４６により制御される。
【0047】
（ウェーハチャージ及びボートロード）
ゲートバルブ１５Ａを開き、ボート３１Ａに対してウェーハ８を搬送する。複数枚のウェーハ８がボート３１Ａに装填（ウェーハチャージ）されると、ゲートバルブ１５Ａが閉じられる。ボート３１Ａは、ボートエレベータ４３Ａによって処理室２１Ａに搬入（ボートロード）され、反応管１８Ａの下部開口は蓋部３２Ａによって気密に閉塞（シール） された状態となる。
ゲートバルブ１５Ａを開き、ボート３１Ａに対してウェーハ８を搬送する。複数枚のウェーハ８がボート３１Ａに装填（ウェーハチャージ）されると、ゲートバルブ１５Ａが閉じられる。ボート３１Ａは、ボートエレベータ４３Ａによって処理室２１Ａに搬入（ボートロード）され、反応管１８Ａの下部開口は蓋部３２Ａによって気密に閉塞（シール） された状態となる。
【0048】
（圧力調整及び温度調整）
処理室２１Ａが所定の圧力（真空度）となる様に、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室２１Ａの雰囲気（空気）は、排気管３４内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ，及びメインポンプ７０Ａ内を通って排気される。処理室２１Ａの圧力は、圧力センサ３５Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づき、コンダクタンス可変バルブ３６Ａがフィードバック制御される。又、処理室２１Ａのウェーハ８が所定の温度となる様に、ヒータ１９Ａによって反応管１８Ａが加熱される。この際、処理室２１Ａが所定の温度分布となる様に、温度検出部２２Ａが検出した温度情報に基づき、ヒータ１９Ａへの通電具合がフィードバック制御される。又、回転機構４２Ａによるボート３１Ａ及びウェーハ８の回転を開始する。
処理室２１Ａが所定の圧力（真空度）となる様に、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａによって真空排気（減圧排気）される。処理室２１Ａの雰囲気（空気）は、排気管３４内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ，及びメインポンプ７０Ａ内を通って排気される。処理室２１Ａの圧力は、圧力センサ３５Ａで測定され、この測定された圧力情報に基づき、コンダクタンス可変バルブ３６Ａがフィードバック制御される。又、処理室２１Ａのウェーハ８が所定の温度となる様に、ヒータ１９Ａによって反応管１８Ａが加熱される。この際、処理室２１Ａが所定の温度分布となる様に、温度検出部２２Ａが検出した温度情報に基づき、ヒータ１９Ａへの通電具合がフィードバック制御される。又、回転機構４２Ａによるボート３１Ａ及びウェーハ８の回転を開始する。
【0049】
（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
処理室２１Ａの温度が予め設定された処理温度（一例として、後述する図５で示すＢ℃）に安定すると、処理室２１Ａのウェーハ８に対して原料ガスを供給する。原料ガスは、ＭＦＣ２６ａにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ａ、第１ガス供給管２５ａａ、及びノズル２９ａを介して処理室２１Ａに供給される。
［原料ガス供給工程］
処理室２１Ａの温度が予め設定された処理温度（一例として、後述する図５で示すＢ℃）に安定すると、処理室２１Ａのウェーハ８に対して原料ガスを供給する。原料ガスは、ＭＦＣ２６ａにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ａ、第１ガス供給管２５ａａ、及びノズル２９ａを介して処理室２１Ａに供給される。
【0050】
原料ガスとしては、例えば、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃ２：ジクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス、ＨＣＤ（Ｓｉ２ Ｃ１６ ：ヘキサクロロジシラン）ガス、等の無機系ハロシラン原料ガスや、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２ ］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２ ［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２ ：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６ ：ジシラン）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。
【0051】
［原料ガス排気工程］
次に、原料ガスの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａにより処理室２１Ａを真空排気する。処理室２１Ａの原料ガスは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスを処理室２１Ａに供給してもよい（不活性ガスパージ）。
次に、原料ガスの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａにより処理室２１Ａを真空排気する。処理室２１Ａの原料ガスは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスを処理室２１Ａに供給してもよい（不活性ガスパージ）。
【0052】
不活性ガスとしては、例えば、 窒素（Ｎ２）ガスや、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。不活性ガスとしては、これらのうち１以上を用いることができる。この点は、後述する各工程（ステップ）においても同様である。
【0053】
［反応ガス供給工程］
次に、処理室２１Ａのウェーハ８に対して反応ガスを供給する。反応ガスは、ＭＦＣ２６ｂにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ｂ及びノズル２９ｂを介して処理室２１Ａに供給される。
次に、処理室２１Ａのウェーハ８に対して反応ガスを供給する。反応ガスは、ＭＦＣ２６ｂにて所望の流量となる様に制御され、ガス供給管２５ｂ及びノズル２９ｂを介して処理室２１Ａに供給される。
【0054】
反応ガスとしては、例えば酸化ガスを用いることができる。酸化ガスとしては、例えば、酸素（Ｏ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、プラズマ励起されたＯ２（Ｏ２＊）ガス、Ｏ２ガス＋水素（Ｈ２）ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス等の酸素（Ｏ）含有ガス等を用いることができる。酸化ガスとしては、これらのうち１以上を用いることができる。
【0055】
［反応ガス排気工程］
次に、反応ガスの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａにより処理室２１Ａを真空排気する。処理室２１Ａの反応ガスは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスを処理室２１Ａに供給してもよい（不活性ガスパージ）。
次に、反応ガスの供給を停止し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａにより処理室２１Ａを真空排気する。処理室２１Ａの反応ガスは、排気管３４Ａ内を直線状又は略直線状に流通し、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを介して排気される。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスを処理室２１Ａに供給してもよい（不活性ガスパージ）。
【0056】
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウェーハ８上に、所定組成及び所定の膜を形成することができる。
【0057】
（ボートアンロード及びウェーハディスチャージ）
ウェーハ８に対して所定の膜を形成した後、不活性ガス供給部から不活性ガスが供給され、処理室２１Ａが不活性ガスで置換されると共に、処理室２１Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ４３Ａにより蓋部３２Ａが降下され、ボート３１Ａが反応管１８Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウェーハ８は、ボート３１Ａより取出される（ウェーハディスチャージ）。
ウェーハ８に対して所定の膜を形成した後、不活性ガス供給部から不活性ガスが供給され、処理室２１Ａが不活性ガスで置換されると共に、処理室２１Ａの圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ４３Ａにより蓋部３２Ａが降下され、ボート３１Ａが反応管１８Ａから搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウェーハ８は、ボート３１Ａより取出される（ウェーハディスチャージ）。
【0058】
その後、ウェーハ８はポッド１２に収納され、基板処理装置１外に搬出されてもよいし、処理炉４Ｂへ搬送され、例えばアニール等の基板処理が連続して行われてもよい。処理炉４Ａでのウェーハ８の処理後に連続して処理炉４Ｂでウェーハ８の処理を行う場合、ゲートバルブ１５Ａ及び第２のゲートバルブ１５Ｂを開とし、ボート３１Ａから第２のボート３１Ｂ（ボート３１Ｂ）へウェーハ８が直接搬送される。その後の処理炉４Ｂ内へのウェーハ８の搬入出は、上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順で行われる。又、処理炉４Ｂでの基板処理は、例えば上述の処理炉４Ａによる基板処理と同様の手順にて行われる。
【0059】
ウェーハ８に膜を形成する際の処理条件としては、例えば下記が例示される。処理温度（ウェーハ温度）：３００℃～７００℃、 処理圧力（処理室の圧力）：１Ｐａ～４０００Ｐａ、原料ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、反応ガス(酸化ガス)：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、不活性ガス：１００ｓｃｃｍ～１００００ｓｃｃｍ、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることができる。
【0060】
（ブースタポンプの暖機運転）
ところで、ブースタポンプ３８Ａを駆動し、ブースタポンプ３８Ａにガスが導入されると、ブースタポンプ３８Ａ内でガスが圧縮されて圧縮熱が生成され、ブースタポンプ３８Ａの温度が上昇する。
一方、メンテナンスで、ブースタポンプ３８Ａを長時間停止しているだけでなく、ブースタポンプ３８Ａを駆動していても、流れるガスの流量が少なければ、圧縮熱が生成されないため、ポンプ内の温度は低下する。ポンプの温度が低下した場合、ブースタポンプ３８Ａの暖機運転を行うが、暖機運転は時間がかかるため、装置稼働率の低下の要因の一つとなっていた。
ところで、ブースタポンプ３８Ａを駆動し、ブースタポンプ３８Ａにガスが導入されると、ブースタポンプ３８Ａ内でガスが圧縮されて圧縮熱が生成され、ブースタポンプ３８Ａの温度が上昇する。
一方、メンテナンスで、ブースタポンプ３８Ａを長時間停止しているだけでなく、ブースタポンプ３８Ａを駆動していても、流れるガスの流量が少なければ、圧縮熱が生成されないため、ポンプ内の温度は低下する。ポンプの温度が低下した場合、ブースタポンプ３８Ａの暖機運転を行うが、暖機運転は時間がかかるため、装置稼働率の低下の要因の一つとなっていた。
【0061】
また、温度が低下したまま、ブースタポンプ３８Ａで処理ガス（一例として、原料ガス、反応ガス）の排気を行うと、冷えたロータ５９Ａ（場合によっては処理ガスが接する本体６１Ａ内部）に副生成物（一例としてＳｉＯ膜）が付着してしまい、ブースタポンプ３８Ａの駆動に支障が生ずる場合、言い換えれば、ブースタポンプ３８Ａの所定の性能が発揮できなくなったり、ブースタポンプ３８Ａが閉塞してしまう場合がある。
【0062】
そこで、本実施形態の基板処理装置１では、メンテナンス等により温度低下したロータ５９Ａに副生成物が付着しないように以下のような対策を行っている。
【0063】
図５に示すグラフでは、ブースタポンプ３８Ａ等の装置の駆動状況と時間との関係が示されている。
【0064】
（１）ブースタポンプ１次暖機運転
基板処理装置１を、メンテナンス後に最初に起動して、最初のウェーハ８を処理する前に、電気ヒータ７２によるブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａの加熱が開始されるとともに、不活性ガスタンク２５Ｃの不活性ガスを、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して排気管３４Ａに供給しながらブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを駆動し、ブースタポンプ３８Ａの１次暖機運転を行う。なお、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して排気管３４Ａに不活性ガスを供給する際に、コンダクタンス可変バルブ３６Ａは閉止する。
基板処理装置１を、メンテナンス後に最初に起動して、最初のウェーハ８を処理する前に、電気ヒータ７２によるブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａの加熱が開始されるとともに、不活性ガスタンク２５Ｃの不活性ガスを、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して排気管３４Ａに供給しながらブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａを駆動し、ブースタポンプ３８Ａの１次暖機運転を行う。なお、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して排気管３４Ａに不活性ガスを供給する際に、コンダクタンス可変バルブ３６Ａは閉止する。
【0065】
１次暖機運転では、ブースタポンプ３８Ａで不活性ガスを圧縮してメインポンプ７０Ａへ排気することで圧縮熱が生成される。ここで、ブースタポンプ３８Ａは、吸引したガスを圧縮して排気するため、ロータを回転させると、ガスが圧縮され圧縮熱が生成される。そのため、ガスを圧縮して生成された圧縮熱でロータを加熱することができる。なお、処理室２１Ａを経由しないでブースタポンプ３８Ａに導入されるガスは、処理室２１Ａで処理対象を処理するガスと同種のガスであってもよく、異なるガスであってもよい。一例として、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度が目標温度（Ａ℃）よりも若干低い温度（Ｄ℃）を保持されている場合について以下説明する。この場合、図５に示すように、不活性ガスの圧縮熱による温度上昇が不足しているので、目標温度（Ａ℃）と低い温度（Ｄ℃）の差(℃)が算出され、この差分の温度上昇を行えるように不活性ガスの流量が更に多く設定される。なお、ここで説明する目標温度（Ａ℃）とは、副生成物がロータ５９Ａに付着しないロータ５９Ａの温度のことである。
【0066】
圧縮熱の発熱量は、ブースタポンプ３８Ａに供給する不活性ガスの供給量をＭＦＣ２６ｅで調整することで増減させることができる。不活性ガスの供給量は、コントローラ４６でＭＦＣ２６ｅを制御することで調整される。例えば、ブースタポンプ３８Ａに供給する不活性ガスの供給量が多くなると圧縮熱の発熱量は増え、供給量が少なくなると発熱量は減少する。
【0067】
この１次暖機運転では、一般的には、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量を、ウェーハ８の成膜中の基板の処理に寄与するガスの定常状態の供給量と同じに設定しているが、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量は、必要に応じて増減可能である。
【0068】
（３）ブースタポンプ２次暖機運転
２次暖機運転では、算出された目標温度（Ａ℃）と低い温度（Ｄ℃）との温度差以上の温度上昇を行えるよう不活性ガスの流量がブースタポンプ３８Ａへ供給される。この不活性ガスの圧縮熱による加熱により、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させることができる。このように、２次暖機運転では、コントローラ４６は、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させることができる。
暖機運転において、電気ヒータ７２の加熱だけでなく、不活性ガスの圧縮熱によるアシストによりロータ６９Ａの温度を上昇させているものの、不活性ガスの流量を一度に供給できる流量が限られているため、上述のようにウェーハ８の成膜中の基板の処理に寄与するガスの定常状態の供給量に合わせている。従い、この定常状態の供給量での圧縮熱による温度上昇のアシストで、目標温度（Ａ℃）(好ましくは温度(Ｂ℃))に達する場合は、本実施形態のように２段階の暖機運転にする必要はない。
なお、ＭＦＣ２６ｅを制御して不活性ガスの供給量を調整し、温度（Ｂ℃）に到達後、ＭＦＣ２６ｆを制御して原料ガスを供給するようにしてもよい。例えば、ガス供給管２５ｅのバルブ２８ｅを閉じられ、排気管３４Ａへの不活性ガスの供給を停止される。続いて、原料ガスタンク２５Ａの原料ガスを、ガス供給管２５ａ、切換えバルブ２８ｇ、第２ガス供給管２５ａｂ、ＭＦＣ２６ｆ、及びバルブ２８ｆを介して排気管３４Ａへ供給され、ブースタポンプ３８Ａは、原料ガスを圧縮し、ブースタポンプ３８Ａは原料ガスの圧縮熱で加熱される。よって、ロータ５９Ａが高い温度(Ｂ℃)が維持される。
２次暖機運転では、算出された目標温度（Ａ℃）と低い温度（Ｄ℃）との温度差以上の温度上昇を行えるよう不活性ガスの流量がブースタポンプ３８Ａへ供給される。この不活性ガスの圧縮熱による加熱により、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させることができる。このように、２次暖機運転では、コントローラ４６は、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させることができる。
暖機運転において、電気ヒータ７２の加熱だけでなく、不活性ガスの圧縮熱によるアシストによりロータ６９Ａの温度を上昇させているものの、不活性ガスの流量を一度に供給できる流量が限られているため、上述のようにウェーハ８の成膜中の基板の処理に寄与するガスの定常状態の供給量に合わせている。従い、この定常状態の供給量での圧縮熱による温度上昇のアシストで、目標温度（Ａ℃）(好ましくは温度(Ｂ℃))に達する場合は、本実施形態のように２段階の暖機運転にする必要はない。
なお、ＭＦＣ２６ｅを制御して不活性ガスの供給量を調整し、温度（Ｂ℃）に到達後、ＭＦＣ２６ｆを制御して原料ガスを供給するようにしてもよい。例えば、ガス供給管２５ｅのバルブ２８ｅを閉じられ、排気管３４Ａへの不活性ガスの供給を停止される。続いて、原料ガスタンク２５Ａの原料ガスを、ガス供給管２５ａ、切換えバルブ２８ｇ、第２ガス供給管２５ａｂ、ＭＦＣ２６ｆ、及びバルブ２８ｆを介して排気管３４Ａへ供給され、ブースタポンプ３８Ａは、原料ガスを圧縮し、ブースタポンプ３８Ａは原料ガスの圧縮熱で加熱される。よって、ロータ５９Ａが高い温度(Ｂ℃)が維持される。
【0069】
（４）プロセス（基板の処理）状態
２次暖機運転で、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させているので、ブースタポンプ３８Ａは、ロータ５９Ａに副生成物が付着しないように、基板処理時の原料ガスの受け入れ態勢ができている。したがって、切換えバルブ２８ｇを切り替え、処理室２１Ａのウェーハ８に対して原料ガスを供給して前述した原料ガス供給工程を行うことができる。
２次暖機運転で、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）に到達させているので、ブースタポンプ３８Ａは、ロータ５９Ａに副生成物が付着しないように、基板処理時の原料ガスの受け入れ態勢ができている。したがって、切換えバルブ２８ｇを切り替え、処理室２１Ａのウェーハ８に対して原料ガスを供給して前述した原料ガス供給工程を行うことができる。
【0070】
なお、処理室２１Ａでは、反応ガス供給工程、及び反応ガス排気工程が引き続き行われ、それぞれの工程で基板の処理に寄与するガスの流量が制御される。例えば、処理室２１Ａでウェーハ８を処理した後の原料ガスは、開状態とされたコンダクタンス可変バルブ３６Ａを介して、ブースタポンプ３８Ａ、及びメインポンプ７０Ａに排気される。
【0071】
ここでは、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、目標温度（Ａ℃）よりも高い温度（Ｂ℃）で保持される。例えば、コントローラ４６がＭＦＣ２６ａ、及び第１のコンダクタンス可変バルブ３６Ａを制御してブースタポンプ３８Ａへの原料ガスを含むそれぞれの工程で基板の処理に寄与するガスの供給量を調整する。
【0072】
なお、処理室２１Ａで、原料ガス供給工程、反応ガス供給工程、及び反応ガス排気工程が行われている間、コントローラ４６により電気ヒータ７２は制御されている。
【0073】
（５）ブースタポンプ３次暖機運転
ウェーハ８の処理（プロセス）が終了した後、処理室２１Ａから処理済みのウェーハ８を取り出して、次の未処理のウェーハ８を処理室２１Ａへ搬入するまでの待機状態では、処理室２１Ａからのガスはブースタポンプ３８Ａに導入されなくなる。
ウェーハ８の処理（プロセス）が終了した後、処理室２１Ａから処理済みのウェーハ８を取り出して、次の未処理のウェーハ８を処理室２１Ａへ搬入するまでの待機状態では、処理室２１Ａからのガスはブースタポンプ３８Ａに導入されなくなる。
【0074】
このような待機状態では、排気されるガスの流量が少なくなり、圧縮熱が生成されにくく、ブースタポンプ３８Ａの温度が徐々に低下する。次の未処理のウェーハ８の処理が始まるまでの時間が長いと、ロータ５９Ａの温度が目標温度（Ａ℃）よりも低下する場合があり、次のウェーハ８の処理の前で前述した暖機運転を行わなければならない。
【0075】
そのため、本実施形態では、コントローラ４６が、ロータ５９Ａの温度が目標温度（Ａ℃）まで低下する時点を予測し、ロータ５９Ａが、目標温度（Ａ℃）よりも若干高い温度（一例としてＣ℃＜ Ｂ℃）となるように各部を制御し、不活性ガスタンク２５Ｃの不活性ガスを、ガス供給管２５ｅ、ＭＦＣ２６ｅ、及びバルブ２８ｅを介して排気管３４Ａへ供給し、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を、待機状態中であっても目標温度（Ａ℃）よりも若干高い温度（Ｃ℃）で維持する。
【0076】
図６には、ロータ５９Ａの温度が目標温度以下となる時間を予測する概念が示されている。
図６に示すように、ウェーハ８の処理（成膜のプロセス）が終了し、装置が待機状態となった時点から、排気装置は運転しているが排気されるガスが減少し圧縮熱が生じなくなるため、ロータ５９Ａの温度が徐々に低下する。予め、ロータ５９Ａの温度と経過時間との関係を実験等で測定し、コントローラ４６には、実験等で得られた温度と時間との関係（テーブル）が予め記憶されているため、コントローラ４６は、ロータ５９Ａが、目標温度（Ａ℃）よりも若干高い温度（一例としてＣ℃＜ Ｂ℃）となるように各部を制御することができる。コントローラ４６には、Ｂ℃も予め記憶されている。
図６に示すように、ウェーハ８の処理（成膜のプロセス）が終了し、装置が待機状態となった時点から、排気装置は運転しているが排気されるガスが減少し圧縮熱が生じなくなるため、ロータ５９Ａの温度が徐々に低下する。予め、ロータ５９Ａの温度と経過時間との関係を実験等で測定し、コントローラ４６には、実験等で得られた温度と時間との関係（テーブル）が予め記憶されているため、コントローラ４６は、ロータ５９Ａが、目標温度（Ａ℃）よりも若干高い温度（一例としてＣ℃＜ Ｂ℃）となるように各部を制御することができる。コントローラ４６には、Ｂ℃も予め記憶されている。
【0077】
以上のようにしてコントローラ４６でロータ５９Ａの温度を制御しているので、次のウェーハ８の処理、及びそれ以降のウェーハ８の処理についても、初回のウェーハ８の処理時と同様に、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａに、副生成物が付着することを抑制できる。
【0078】
原料ガスの変更による副生成物付着防止の目標温度の変更や、ブースタポンプ３８Ａの変更による耐熱温度の変更が必要になった場合、待機時間とロータ温度の関係のテーブルから参照する値を変更することで、各種の変更に柔軟に対応することができる。
【0079】
なお、上記実施形態では、メンテナンス後の１次暖機運転時において、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量を、ウェーハ８の成膜中の原料ガスの定常状態の供給量と同じに設定していたが、１次暖機運転時において、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量を、ウェーハ８の成膜中の原料ガスの定常状態の供給量よりも増量することもできる。
【0080】
図７には、１次暖機運転時において、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量を、ウェーハ８の成膜中の定常状態の供給量と同じに設定していた場合と、増量した場合とのロータ温度を比較したグラフが示されている。図７において、縦軸はブースタポンプ３８Ａに供給する不活性ガスの流量を示し、横軸は時間を示している。
【0081】
図７に示すように、１次暖機運転時において、ブースタポンプ３８Ａへの不活性ガスの供給量をウェーハ８の成膜中の定常状態の供給量よりも増量することで、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの温度を迅速に昇温できることが分かる。
【0082】
なお、ブースタポンプ３８Ａに対して不活性ガスを過剰に供給すると、ロータ５９Ａを回転させるモータ５８Ａに大きな負荷が掛かり、ロータ５９Ａの回転数が低下して好ましくない。図７中の※１の一点鎖線は、ブースタポンプ３８Ａのロータ５９Ａの回転数が低下しない流量（供給量）の上限を示しており、定常状態よりも不活性ガスの供給量を増量する場合、一点鎖線で示す上限未満となるようにブースタポンプ３８Ａへ供給する不活性ガスの供給量を設定することが好ましい。
【0083】
（電気ヒータによるブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａの加熱）
本実施形態の基板処理装置１では、ブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａを電気ヒータ７２で加熱することができる。本体６１Ａを加熱することで、本体６１Ａの熱を本体６１Ａの内部に設けられたロータ５９Ａに付与し、ロータ５９Ａの温度を昇温させることができる。
本実施形態の基板処理装置１では、ブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａを電気ヒータ７２で加熱することができる。本体６１Ａを加熱することで、本体６１Ａの熱を本体６１Ａの内部に設けられたロータ５９Ａに付与し、ロータ５９Ａの温度を昇温させることができる。
【0084】
コントローラ４６は、電気ヒータ７２の設定温度と、本体６１Ａの温度を測定する温度センサ７４からの温度検出値と、ロータ５９Ａの温度と時間との関係に基づいて、ロータ５９Ａの温度の低下を予測することができる。
【0085】
そのため、コントローラ４６は、ロータ５９Ａの温度低下の予測に基いて電気ヒータ７２の温度を制御し、ロータ５９Ａに副生成物が付着しないようにロータ５９Ａを加熱することができる。
【0086】
本実施形態の基板処理装置１では、電気ヒータ７２でロータ５９Ａを加熱することができるため、圧縮熱だけでロータ５９Ａを加熱する場合に比較して、迅速にロータ５９Ａを加熱することができ、暖機運転に要する時間を短縮することができる。
【0087】
なお、図８に示すグラフは、電気ヒータ７２の設定温度、ロータ５９Ａの温度、及びメインポンプ７０Ａの排気速度との関係を示したものである。図８において、縦軸はロータ５９Ａの温度を示し、横軸はブースタポンプ３８Ａに供給するガスの流量を示している。また、実線で示すグラフ線は、電気ヒータ７２の設定温度をｂ℃に設定し、メインポンプ７０Ａの排気速度を小に設定したときのものであり、点線で示すグラフ線は、電気ヒータ７２の設定温度をｂ℃に設定し、メインポンプ７０Ａの排気速度を大に設定したときのものである。
【0088】
図８から、ブースタポンプ３８Ａの本体６１Ａを電気ヒータ７２でｂ℃に加熱しても、ブースタポンプ３８Ａを駆動してもブースタポンプ３８Ａへ供給するガスの供給量が零である場合、ロータ５９Ａの温度は、ｂ℃よりも低いａ℃までしか昇温できないことが分かる。これは、図４に示すように、本体６１Ａとロータ５９Ａとの間に隙間があり、ブースタポンプ３８Ａの構造上、電気ヒータ等で直接的にロータ５９Ａを加熱できないためである。
【0089】
また、図８から、本体６１Ａを電気ヒータ７２で加熱し、ブースタポンプ３８Ａにガスを供給してブースタポンプ３８Ａを駆動すると、圧縮熱が生成され、ロータ温度が上昇することが分かり、さらに、ブースタポンプ３８Ａに供給するガスの流量を増やすことで、ロータ温度が高くなることが分かる。
【0090】
なお、ブースタポンプ３８Ａを駆動する際に、メインポンプ７０Ａも駆動するが、メインポンプ７０Ａの排気速度が小の場合（実線で示すグラフ線）と、大の場合（点線で示すグラフ線）とを比較すると、排気速度が大の方が排気速度が小よりもロータ温度は低くなっている。これは、ブースタポンプ３８Ａの排気側にあるメインポンプ７０Ａの排気速度が大きくなると、ブースタポンプ３８Ａのガスの圧縮量が減少して圧縮熱の生成量が減少するためである。したがって、ロータ温度が高くなるように、ブースタポンプ３８Ａとメインポンプ７０Ａとの能力のバランスを取ることが好ましい。
【0091】
本実施形態によれば、以下の一つまたは複数の効果が得られる。
【0092】
（１）制御部は、処理対象を処理した後、電気ヒータを駆動しつつ、ガス供給部を制御して所定量のガスをケーシング内に供給し、ロータの温度を目標温度以上とすることができる。よって、ロータに副生成物が付着しないようにすることができる。従い、副生成物がロータに付着することを抑制できるので、排気装置の閉塞を抑制でき、排気装置のメンテナンス周期を長くすることができる。
【0093】
（２）メンテナンス後や処理対象の処理の待機中に、処理室を経由しないガスを排気装置に供給しながら排気装置を暖機運転することができる。
【0094】
（３）処理室と排気装置との間に、処理室の圧力を調整する圧力調整用の可変バルブを有し、制御部は、可変バルブが開状態の場合に、処理室を経由しないガスの供給を停止するようにガス供給部を制御することができる。処理室で使用されたガスを排気する際に、該ガスは、圧力調整用の可変バルブを通過して排気装置で排気される。排気装置を駆動してガスを排気している間は、圧縮熱が生成されてロータは加熱されているため、処理室を経由しないガスを排気装置に供給する必要はない。
【0095】
（４）ガスで基板を処理する処理室と、ロータを内部に設けたケーシングを備え、処理室で使用したガスを排気する排気装置と、処理室を経由せずに排気装置にガスを供給するガス供給部と、基板を処理した後、電気ヒータを駆動しつつ、前記ガス供給部を制御して所定量のガスをケーシング内に供給し、ロータの温度を目標温度以上にする制御部と、を有する。排気装置に吸引されたガスが圧縮されて排気されるため、ロータを回転させると、ガスが圧縮され圧縮熱が生成される。従い、ガスを圧縮して生成された圧縮熱でロータを加熱することができる。
【0096】
これにより、制御部は、電気ヒータを駆動しつつ、ガス供給部を制御して所定量のガスをケーシング内に供給するので、ロータの温度を目標温度以上とすることができる。従い、ロータに副生成物が付着しないようにすることができる。副生成物がロータに付着することを抑制できるので、排気装置の閉塞を抑制でき、排気装置のメンテナンス周期を長くすることができる。
【0097】
（５）制御部は、排気装置とガス供給部とを備え、ロータの温度を目標温度以上とするように、ガス供給部を制御して処理室を経由しないで所定流量のガスを排気装置のケーシング内に供給することができる。これにより、長時間の待機状態であり、処理室に基板が無い状態で処理ガスを供給することが無い場合であっても、予め必要なガスの圧縮熱を予測してガス(例えば、不活性ガス)を供給することができる。これにより、ロータの温度が低下し、ロータに副生成物が付着することを防止することができる。
【0098】
このようにして、処理室を経由しないガス(例えば、不活性ガス)を供給しつつ排気装置を運転することができるので、副生成物がロータに付着することを抑制できるので、排気装置の閉塞等を抑制できる。結果として、排気装置のメンテナンス周期を長くすることができる。
【0099】
［その他の実施形態］
以上、本開示の実施例を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
以上、本開示の実施例を具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【0100】
本開示は、この様な態様に限定されず、ウェーハ８上に形成される膜の種類は限定されない。ウェーハ８上に形成される膜としては、一例として、ＳｉＯ膜を挙げることができる。これらの他、若しくは、これらに 加え、アンモニア（ＮＨ３）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢ Ｎ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合に於いても、上述の実施例と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【0101】
又例えば、本開示は、ウェーハ８上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する 場合に於いても、好適に適用可能である。
【0102】
上述の実施形態では、ウェーハ８上に膜を堆積させる例について説明したが、本開示は、この様な態様に限定されない。例えば、ウェーハ８やウェーハ８上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【0103】
さらに、本開示は、処理装置として、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。また、成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、またはその両方を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等を含む。更に、処理としては、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理でも構わない。
【0104】
又、本開示は以下の態様を含む。
（付記１）
本開示の一態様によれば、
ロータ（回転体）を内部に設けるケーシング（外枠）を備えた排気装置と、
処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定することが可能なように構成された制御部と、
を少なくとも備えたシステムが提供される。
（付記１）
本開示の一態様によれば、
ロータ（回転体）を内部に設けるケーシング（外枠）を備えた排気装置と、
処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定することが可能なように構成された制御部と、
を少なくとも備えたシステムが提供される。
【0105】
（付記２）
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態において前記処理室に供給されたガスの流量に応じて前記不活性ガスの流量を決定する、
（付記１）のシステム。
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態において前記処理室に供給されたガスの流量に応じて前記不活性ガスの流量を決定する、
（付記１）のシステム。
【0106】
（付記３）
更に、前記ロータが内部に設けられるケーシングを外部から加熱するヒータを有し、
前記制御部は、前記ヒータの設定温度と、前記ケーシング内に設けられた温度センサからの温度検出値と、前記ロータの温度と時間との関係（テーブル）に基づいて、前記ロータの温度の低下を予測することが可能なよう構成されている、
（付記１）のシステム。
更に、前記ロータが内部に設けられるケーシングを外部から加熱するヒータを有し、
前記制御部は、前記ヒータの設定温度と、前記ケーシング内に設けられた温度センサからの温度検出値と、前記ロータの温度と時間との関係（テーブル）に基づいて、前記ロータの温度の低下を予測することが可能なよう構成されている、
（付記１）のシステム。
【0107】
（付記４）
前記ロータの温度と時間との関係（テーブル）は、前記ヒータの設定温度に応じて保持される、
（付記３）のシステム。
前記ロータの温度と時間との関係（テーブル）は、前記ヒータの設定温度に応じて保持される、
（付記３）のシステム。
【0108】
（付記５）
更に、前記処理室の圧力を調整する圧力調整用バルブを有し、
前記制御部は、前記圧力調整用バルブが稼働しているとき、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１）のシステム。
更に、前記処理室の圧力を調整する圧力調整用バルブを有し、
前記制御部は、前記圧力調整用バルブが稼働しているとき、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１）のシステム。
【0109】
（付記６）
更に、前記処理室から排気されるガスを排気する排気管を有し、
前記ガス供給部は、前記圧力調整用バルブの下流の前記排気管に接続される、
（付記１）のシステム。
更に、前記処理室から排気されるガスを排気する排気管を有し、
前記ガス供給部は、前記圧力調整用バルブの下流の前記排気管に接続される、
（付記１）のシステム。
【0110】
（付記７）
前記ガス供給部は、加熱された前記不活性ガスを供給するよう構成されている、
（付記１）のシステム。
前記ガス供給部は、加熱された前記不活性ガスを供給するよう構成されている、
（付記１）のシステム。
【0111】
（付記８）
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態では、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１）のシステム。
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態では、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１）のシステム。
【0112】
（付記９）
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態になるときの前記ロータの（予測）温度と指定温度（閾値）を比較し、指定温度（閾値）以上であれば前記不活性ガスを供給しないように構成され、指定温度（閾値）未満であれば前記不活性ガスを供給するように構成されている、
（付記３）のシステム。
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態になるときの前記ロータの（予測）温度と指定温度（閾値）を比較し、指定温度（閾値）以上であれば前記不活性ガスを供給しないように構成され、指定温度（閾値）未満であれば前記不活性ガスを供給するように構成されている、
（付記３）のシステム。
【0113】
（付記１０）
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態になるときの前記ロータの（予測）温度が、指定温度（閾値）以上になるように前記不活性ガスを供給するように構成されている、
（付記９）のシステム。
前記制御部は、前記処理室で基板を処理している状態になるときの前記ロータの（予測）温度が、指定温度（閾値）以上になるように前記不活性ガスを供給するように構成されている、
（付記９）のシステム。
【0114】
（付記１１）
前記不活性ガスは、窒素（Ｎ２）ガス、または、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスである（付記１）、(付記５)、(付記７)乃至（付記１０）のいずれか一つのシステム。
前記不活性ガスは、窒素（Ｎ２）ガス、または、アルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスである（付記１）、(付記５)、(付記７)乃至（付記１０）のいずれか一つのシステム。
【0115】
（付記１２）
本開示の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定することが可能なように構成された制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
本開示の他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定することが可能なように構成された制御部と、
を少なくとも備えた基板処理装置が提供される。
【0116】
（付記１３）
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する工程と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、を少なくとも備えたシステムにより、前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する工程と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、を少なくとも備えたシステムにより、前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【0117】
（付記１４）
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、を少なくとも備えた基板処理装置により実行されるプログラムであって、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、を少なくとも備えた基板処理装置により実行されるプログラムであって、
前記処理室で基板が処理されていない状態において、予め予想される前記ロータの温度低下に基づき、前記不活性ガスの流量を決定する手順を前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
【0118】
（付記１５）
本開示の更に他の態様によれば、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部を備え、
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる、
システムが提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部を備え、
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる、
システムが提供される。
【0119】
（付記１６）
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高い場合、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１５）のシステム。
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高い場合、前記不活性ガスの供給を停止する、
（付記１５）のシステム。
【0120】
（付記１７）
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高く、温度が下降状態のときに、前記不活性ガスを供給する、
（付記１５）のシステム。
前記制御部は、前記ロータの温度が所定温度より高く、温度が下降状態のときに、前記不活性ガスを供給する、
（付記１５）のシステム。
【0121】
（付記１８）
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、前記ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部と、を備えたシステムにより、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、前記ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部と、を備えたシステムにより、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【0122】
（付記１９）
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、前記ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部と、
を備えた基板処理装置により実行されるプログラムであって、
前記制御部に、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる手順を実行させるプログラムが提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
ロータを内部に設けるケーシングを備えた排気装置と、
前記処理室を介すことなく前記排気装置に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、前記ロータに供給される前記不活性ガスの流量を調整する制御部と、
を備えた基板処理装置により実行されるプログラムであって、
前記制御部に、前記ロータの温度が所定温度より高くなるよう、前記処理室で基板を処理している状態のガスの流量に応じた前記不活性ガスを導入させる手順を実行させるプログラムが提供される。
【0123】
（付記２０）
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
少なくとも前記処理室で使用したガスを排気するメインポンプと、
前記処理室と前記メインポンプとの間に配置され、ロータを内部に設けたケーシングを備え、少なくとも前記処理室で使用した前記ガスを前記メインポンプに向けて排気するブースタポンプと、
前記処理室を経由せずに前記ブースタポンプに不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、予想される前記ロータの温度低下および前記メインポンプの排気速度に基づき、前記ガス供給部を制御して前記不活性ガスの供給量を制御する制御部と、
を備えたシステムが提供される。
本開示の更に他の態様によれば、
基板を処理する処理室と、
少なくとも前記処理室で使用したガスを排気するメインポンプと、
前記処理室と前記メインポンプとの間に配置され、ロータを内部に設けたケーシングを備え、少なくとも前記処理室で使用した前記ガスを前記メインポンプに向けて排気するブースタポンプと、
前記処理室を経由せずに前記ブースタポンプに不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室で基板が処理されていない状態のときに、予想される前記ロータの温度低下および前記メインポンプの排気速度に基づき、前記ガス供給部を制御して前記不活性ガスの供給量を制御する制御部と、
を備えたシステムが提供される。
【符号の説明】
【0124】
１ 基板処理装置（システム）
２１ 処理室
２５Ｃ 不活性ガスタンク（ガス供給部）
２５ｅ ガス供給管（ガス供給部）
３８ ブースタポンプ（排気装置）
４６ コントローラ（制御部）
２１ 処理室
２５Ｃ 不活性ガスタンク（ガス供給部）
２５ｅ ガス供給管（ガス供給部）
３８ ブースタポンプ（排気装置）
４６ コントローラ（制御部）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
