特開 2023-4738 基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023004738

(43)【公開日】2023-01-17

(54)【発明の名称】基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20230110BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20230110BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20230110BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H02N13/00 D

C23C16/44 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021106624

(22)【出願日】2021-06-28

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】斉藤 秀翔

【テーマコード（参考）】

4K030

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030GA02

5F131AA02

5F131CA06

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB01

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EB82

(57)【要約】

【課題】接着層の膜厚を管理すること。
【解決手段】静電チャック部材は、基板を静電吸着可能とされている。ベース部材は、静電チャック部材を支持する。接着層は、静電チャック部材及びベース部材を接着する。そして、ベース部材及び静電チャック部材の少なくとも一方は、接着された接着面に一体にスペーサ部が形成されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を静電吸着可能な静電チャック部材と、
静電チャック部材を支持するベース部材と、
前記静電チャック部材及び前記ベース部材を接着する接着層と、
を有し、
前記ベース部材及び前記静電チャック部材の少なくとも一方は、接着された接着面に一体にスペーサ部が形成された
基板載置台。

【請求項2】

静電チャック部材は、セラミックスにより形成され、
前記ベース部材は、金属により形成された、
請求項１に記載の基板載置台。

【請求項3】

前記スペーサ部は、前記接着層による前記静電チャック部材と前記ベース部材を接着可能な強度を得つつ、前記接着面での伝熱特性の分布が均一となるように前記接着面に形成された
請求項１又は２に記載の基板載置台。

【請求項4】

前記スペーサ部は、前記接着面の面積の０．３％以下に形成された
請求項１～３の何れか１つに記載の基板載置台。

【請求項5】

前記ベース部材は、内部に温調媒体を流すための流路が形成された
請求項１～４の何れか１つに記載の基板載置台。

【請求項6】

請求項１～５の何れか１項に記載の基板載置台を有する基板処理装置。

【請求項7】

基板を静電吸着可能な静電チャック部材の第１の面、及び、前記静電チャック部材を支持するベース部材の第２の面の少なくとも一方に、一体にスペーサ部を形成する工程と、
前記静電チャック部材の第１の面と前記ベース部材の第２の面を接着剤により接着する工程と、
を有する基板載置台の製造方法。

【請求項8】

前記スペーサ部を形成する工程は、ブラスト加工、エッチング、グリーンシート、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）何れかでスペーサ部を形成する
請求項７に記載の基板載置台の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基台と静電チャックを接着剤により接着した構成の載置台を開示する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－２７６０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、接着層の膜厚を管理する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板載置台は、静電チャック部材と、ベース部材と、接着層とを有する。静電チャック部材は、基板を静電吸着可能とされている。ベース部材は、静電チャック部材を支持する。接着層は、静電チャック部材及びベース部材を接着する。そして、ベース部材及び静電チャック部材の少なくとも一方は、接着された接着面に一体にスペーサ部が形成されている。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、接着層の膜厚を管理できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の概略的な構成の一例を示す図である。

【図2】図２は、実施形態に係る基板支持部の概略的な構成の一例を示す図である。

【図3】図３は、従来の基台と静電チャックの接着の一例を説明する図である。

【図4】図４は、実施形態に係る基台と静電チャックの接着の一例を示す図である。

【図5】図５は、従来の基台と静電チャックを接着した状態の一例を示す図である。

【図6】図６は、本実施形態に係る基台と静電チャックを接着した状態の一例を示す図である。

【図7】図７は、実施形態に係るスペーサ部をブラスト加工により形成する流れの一例を説明する図である。

【図8】図８は、実施形態に係るスペーサ部をグリーンシートにより形成する流れの一例を説明する図である。

【図9】図９は、実施形態に係る製造方法の処理順序の一例を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本願の開示する基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板載置台、基板処理装置及び基板載置台の製造方法が限定されるものではない。

【0009】

基板処理装置では、基板を安定して保持するため、基板を支持する基板載置台に静電チャックが設けられる。基板載置台は、基台と静電チャックとが接着剤により接着して構成される。接着剤を用いて基台と静電チャックを接着する際には、接着剤による接着層の膜厚管理のために、基台と静電チャックの間にスペーサと呼ばれる支柱が配置される。従来、このスペーサは、樹脂で形成されている。基台と静電チャックを接着剤により接着する際、荷重が加えられるが、スペーサが、この接着時の荷重によってつぶれてしまう。スペーサのつぶれ方は、常に変動するため、実質的には接着層の膜厚を管理できない。この結果、接着層の膜厚にばらつきが発生する。

【0010】

そこで、接着層の膜厚を管理する技術が期待されている。

【0011】

［実施形態］
［装置構成］
本開示の基板処理装置の一例について説明する。実施形態では、本開示の基板処理装置を、プラズマ処理を実施するプラズマ処理装置とした場合を例に説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置１の概略的な構成の一例を示す図である。

【0012】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合プラズマ処理装置の構成例について説明する。容量結合プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０筐体とは電気的に絶縁される。

【0013】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板（ウェハ）Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、本体部１１１は、基台及び静電チャックを含む。基台は、導電性部材を含む。基台の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャックは、基台の上に配置される。静電チャックの上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。例えば、基板支持部１１は、内部に温調媒体を流すための流路１１１ｃが本体部１１１に形成されている。流路１１１ｃは、基板Ｗが載置される中央領域１１１ａに対応して、中央領域１１１ａの全面に形成されている。流路１１１ｃには、冷媒、熱媒のような温調媒体が流れる。例えば、流路１１１ｃは、配管１１３を介してチラーユニット１１４と接続されている。チラーユニット１１４は、供給する冷媒の温度を制御可能とされている。プラズマ処理装置１は、チラーユニット１１４から温度を制御した冷媒（例えば冷却水）を流路１１１ｃに循環させることによって、基板支持部１１の温度を制御可能な構成とされている。

【0014】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0015】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0016】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0017】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0018】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0019】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0020】

次に、実施形態に係る基板支持部１１の構成について説明する。図２は、実施形態に係る基板支持部１１の概略的な構成の一例を示す図である。

【0021】

基板支持部１１は、基板Ｗを支持可能に構成されている。例えば、上述のように、基板支持部１１の本体部１１１は、基板Ｗを支持するための基板支持面１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面１１１ｂとを有する。基板Ｗは、本体部１１１の基板支持面１１１ａに載置される。実施形態では、本体部１１１が、本開示の基板載置台に対応する。

【0022】

本体部１１１は、基台１２０及び静電チャック１２１を含む。基台１２０は、導電性部材を含む。例えば、基台１２０は、例えば、アルミニウムなどの導電性の金属により形成されている。基台１２０は、基板支持面１１１ａの下方となる内部に流路１１１ｃが形成されている。

【0023】

静電チャック１２１は、例えば、セラミックなどの絶縁層と、当該絶縁層内に設けられた膜状の電極とを有している。静電チャック１２１は、内部に設けられた電極に不図示の電源から直流電圧が印加されことで静電引力を発生して、基板Ｗを引き付けて保持する。静電チャック１２１は、基台１２０に接着剤により接着されている。静電チャック１２１と基台１２０の間には、接着剤による接着層１２２が形成されている。

【0024】

このように、基板支持部１１の本体部１１１は、基台１２０と静電チャック１２１とが接着剤により接着して構成される。

【0025】

ところで、従来、基台１２０と静電チャック１２１を接着する際には、接着層１２２の膜厚管理のために、樹脂で形成されたスペーサを支柱として設けていた。例えば、従来の基板載置台は、基台１２０又は静電チャック１２１の接着する接着面の中心位置や中心から同心円状の位置に複数のスペーサを配置し、接着面に接着剤を所定の厚さで塗布して基台１２０と静電チャック１２１を接着して製造する。図３は、従来の基台１２０と静電チャック１２１の接着の一例を説明する図である。基台１２０と静電チャック１２１の間には、スペーサ１２３が配置され、接着剤により接着されている。基台１２０と静電チャック１２１の間には、スペーサ１２３の周囲に接着剤による接着層１２２が示されている。スペーサ１２３は、ポリイミドなどの樹脂で形成されている。基台１２０と静電チャック１２１を接着剤により接着する際、荷重が加えられるが、スペーサ１２３が、この接着時の荷重によってつぶれてしまう。スペーサ１２３のつぶれ方は、常に変動するため、接着層１２２の膜厚を管理できない。例えば、スペーサ１２３の厚さを１５０μｍに形成して接着層１２２の厚さを１５０μｍとしようとしても、接着する際の荷重でスペーサ１２３がつぶれて接着層１２２の厚さが１３５μｍから１４０μｍとなってしまう。この結果、接着層１２２の膜厚にばらつきが発生し、接着層１２２の膜厚の均一性が低くなる。基板支持部１１は、接着層１２２の膜厚の均一性が低いと、接着層１２２の伝熱特性の均一性が低下し、基板支持面１１１ａの温度分布のばらつきが大きくなる。これにより、基板支持部１１の基板支持面１１１ａに載置した基板Ｗに基板処理を実施した場合に、温度分布のばらつきにより、基板Ｗの面内での基板処理結果の均一性が低下する場合がある。

【0026】

そこで、本実施形態では、基台１２０と静電チャック１２１の少なくとも一方に一体的にスペーサ部を形成する。以下では、静電チャック１２１に一体的にスペーサ部を形成する場合を例に説明する。

【0027】

図４は、実施形態に係る基台１２０と静電チャック１２１の接着の一例を示す図である。例えば、静電チャック１２１の基台１２０と接着する接着面１２１ａに一体的にスペーサ部１２１ｂを形成する。本実施形態に係る本体部１１１は、スペーサ部１２１ｂの厚さによって、接着層１２２の膜厚を管理する。スペーサ部１２１ｂの厚さは、狙いたい接着層１２２の厚さに成形する。静電チャック１２１は、例えば、セラミックにより形成されている。スペーサ部１２１ｂは、静電チャック１２１を加工して一体的に形成するため、静電チャック１２１と同質、例えば、セラミックなどの剛性の高い素材で形成される。これにより、基台１２０と静電チャック１２１を接着剤により接着する際、荷重が加えられてもスペーサ部１２１ｂがつぶれることない。これにより、接着層１２２の膜厚を管理できる。この結果、基板支持部１１は、接着層１２２の膜厚の均一性を高くでき、基板支持面１１１ａの温度分布のばらつきを小さくできる。これにより、基板支持部１１の基板支持面１１１ａに載置した基板Ｗに基板処理を実施した場合に、基板Ｗの面内での基板処理結果の均一性の低下を抑制できる。

【0028】

実施形態に係る本体部１１１は、製造する場合、基台１２０又は静電チャック１２１の接着する接着面１２１ａの中心位置や中心から同心円状の位置に複数のスペーサ部１２１ｂを形成する。そして、静電チャック１２１の接着面１２１ａに接着剤を所定の厚さで塗布する。そして、基台１２０の静電チャック１２１と接着する接着面１２０ａと静電チャック１２１の接着面１２１ａを接着する。スペーサ部１２１ｂは、スペーサ１２３の場合と同じような配置で静電チャック１２１に形成することで、基台１２０と静電チャック１２１を安定して接着できる。また、スペーサ部１２１ｂは、剛性が高いため、スペーサ１２３の場合よりも、数を減らしても静電チャック１２１を安定して支持できる。

【0029】

ここで、従来のスペーサ１２３は、製造誤差等により厚さにばらつきが発生する場合があり、一部のスペーサ１２３が支柱として機能しない状態となる場合がある。図５は、従来の基台１２０と静電チャック１２１を接着した状態の一例を示す図である。図５では、基台１２０と静電チャック１２１の間に３つのスペーサ１２３ａ～１２３ｃが示されている。スペーサ１２３ｂは、スペーサ１２３ａ、１２３ｃよりも厚さが小さく、下面が基台１２０に接触しておらず、支柱として機能しない状態となっている。この場合、静電チャック１２１は、スペーサ１２３ａ、１２３ｃで支えられた状態となり、スペーサ１２３ａ、１２３ｃの間の部分に荷重がかかると撓みやすくなる。

【0030】

一方、本実施形態に係るスペーサ部１２１ｂは、高い精度で形成できる。例えば、ブラスト加工では、高さが１．５μｍ程度の誤差でスペーサ部１２１ｂを形成できる。図６は、本実施形態に係る基台１２０と静電チャック１２１を接着した状態の一例を示す図である。図６では、静電チャック１２１の接着面１２１ａに３つのスペーサ部１２１ｂが示されている。３つのスペーサ部１２１ｂは、高い精度で同様の厚さに形成できるため、何れも下面が基台１２０に接触して支柱として機能する。これにより、３つのスペーサ部１２１ｂは、静電チャック１２１に荷重がかかった場合でも撓みを抑えて支持できる。

【0031】

また、スペーサ部１２１ｂは、剛性が高いため、スペーサ１２３の場合よりも、細くできる。例えば、従来、スペーサ１２３は、静電チャック１２１を支持するため、２ｍｍ程度の円柱形状とされる。一方、本実施形態では、スペーサ部１２１ｂを０．１ｍｍ程度の円柱形状としても静電チャック１２１を支持でできる。例えば、スペーサ部１２１ｂは、直径０．１ｍｍ～２．０ｍｍの円柱形状に形成する。

【0032】

ところで、スペーサ１２３やスペーサ部１２１ｂは、接着層１２２と伝熱特性が異なる。このため、基板支持部１１では、スペーサ１２３やスペーサ部１２１ｂの位置が基板支持面１１１ａにおいて温度分布の特異点となりやすい。実施形態に係る本体部１１１では、スペーサ部１２１ｂを小さく形成できるため、スペーサ部１２１ｂが温度分布の特異点となることを抑制できる。

【0033】

スペーサ部１２１ｂは、接着層１２２による静電チャック１２１と基台１２０を接着可能な強度を得つつ、接着面での伝熱特性の分布が均一となるように接着面に形成する。基板支持面１１１ａの温度分布の均一性を高めるには、静電チャック１２１の接着面１２１ａ内でのスペーサ部１２１ｂの面積の比率を大きくするか、又は小さくすることが好ましい。しかし、スペーサ部１２１ｂの面積の比率が大きくすると、接着層１２２の面積の比率が小さくなり、安定して接着できない場合がある。よって、静電チャック１２１の接着面１２１ａ内でのスペーサ部１２１ｂの面積の比率は、静電チャック１２１を安定して支持可能な範囲で小さくすることが好ましい。例えば、静電チャック１２１の接着面１２１ａ内でスペーサ部１２１ｂを形成する面積は、０．３％以下とすることが好ましい。これにより、基板支持面１１１ａの温度分布の均一性を高めることができる。

【0034】

次に、スペーサ部１２１ｂを形成する加工方法について説明する。スペーサ部１２１ｂは、ブラスト加工、エッチング、グリーンシート、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などのより形成できる。

【0035】

図７は、実施形態に係るスペーサ部１２１ｂをブラスト加工により形成する流れの一例を説明する図である。図７の（Ａ）～（Ｃ）は、スペーサ部１２１ｂをブラスト加工により形成する流れを模式的に示している。例えば、静電チャック１２１の基台１２０と接着する接着面１２１ａのスペーサ部１２１ｂを設ける位置に、マスク１２４を施工する。次に、静電チャック１２１の接着面１２１ａにブラスト加工を行う。これにより、接着面１２１ａは、マスク１２４以外の部分が削られて凹み、マスク１２４の部分が残る。ブラスト完了後、マスク１２４を除去する。これにより、接着面１２１ａには、凸状のスペーサ部１２１ｂが形成される。例えば、ブラスト加工では、高さが１．５μｍ程度の誤差でスペーサ部１２１ｂを形成できる。エッチングの場合は、ブラスト加工と同様に、スペーサ部１２１ｂを設ける位置にマスク１２４を施工してエッチングを行った後、マスク１２４を除去することでスペーサ部１２１ｂを形成できる。

【0036】

また、スペーサ部１２１ｂは、セラミック材料をシート状に形成したグリーンシートを積層した後、焼結することでも形成できる。図８は、実施形態に係るスペーサ部１２１ｂをグリーンシートにより形成する流れの一例を説明する図である。図８の（Ａ）～（Ｃ）は、スペーサ部１２１ｂをグリーンシートにより形成する流れを模式的に示している。静電チャック１２１の接着面１２１ａのスペーサ部１２１ｂを設ける位置に、グリーンシート１２５を必要な高さに対応して積層して設け、焼結する。これにより、接着面１２１ａには、セラミックによる凸状のスペーサ部１２１ｂが形成される。ＣＶＤの場合は、スペーサ部１２１ｂを設ける位置以外にマスクを施工してＣＶＤで成膜を行った後、マスクを除去することでスペーサ部１２１ｂを形成できる。

【0037】

基板支持部１１の本体部１１１は、製造する工程において、ブラスト加工、エッチング、グリーンシート、ＣＶＤなどの工程が実施される場合がある。例えば、静電チャック１２１は、基板Ｗが載置される基板支持面１１１ａにドットのパターンがブラスト加工により形成される。例えば、ドットのパターンを形成する製造工程を利用して、静電チャック１２１の接着面１２１ａにスペーサ部１２１ｂを形成することで、新たに別な工程を追加することなく、スペーサ部１２１ｂを形成できる。

【0038】

なお、上述した実施形態では、静電チャック１２１の接着面１２１ａにスペーサ部１２１ｂを形成する場合を例に説明した。しかし、これに限定されるものではない。基台１２０の接着面１２０ａにスペーサ部を形成してもよい。この場合も、接着層１２２の膜厚を管理できる。

【0039】

次に、本体部１１１の製造方法について説明する。図９は、実施形態に係る製造方法の処理順序の一例を説明する図である。実施形態に係る製造方法では、最初に、静電チャック１２１の第１の面（接着面１２１ａ）、及び、基台１２０の第２の面（接着面１２０ａ）の少なくとも一方に、一体にスペーサ部を形成する（ステップＳ１０）。例えば、静電チャック１２１の基台１２０と接着する接着面１２１ａに、ブラスト加工、エッチング、グリーンシート、ＣＶＤなどのよりスペーサ部１２１ｂを形成する。

【0040】

実施形態に係る製造方法では、次に、静電チャック１２１の第１の面と基台１２０の第２の面を接着剤により接着し（ステップＳ１０）、処理を終了する。例えば、静電チャック１２１の接着面１２１ａに接着剤を所定の厚さで塗布する。そして、基台１２０の接着面１２０ａと静電チャック１２１の接着面１２１ａを接着する。

【0041】

実施形態に係る製造方法によれば、接着層１２２の膜厚を管理できる。

【0042】

以上のように、実施形態に係る基板載置台（本体部１１１）は、静電チャック部材（静電チャック１２１）と、ベース部材（基台１２０）と、接着層１２２とを有する。静電チャック部材は、基板Ｗを静電吸着可能とされている。ベース部材は、静電チャック部材を支持する。接着層１２２は、静電チャック部材及びベース部材を接着する。そして、ベース部材及び静電チャック部材の少なくとも一方は、接着された接着面（接着面１２０ａ、接着面１２１ａ）に一体にスペーサ部（スペーサ部１２１ｂ）が形成されている。これにより、基板載置台は、荷重が加えられても、スペーサ部がつぶれることを抑制できるため、接着層１２２の膜厚を管理できる。この結果、基板載置台は、接着層１２２の膜厚の均一性を高くでき、温度分布のばらつきを小さくできる。

【0043】

また、静電チャック部材は、セラミックスにより形成されている。ベース部材は、金属により形成されている。これにより、基板載置台は、セラミックス又は金属によりスペーサ部を高剛性に形成でき、荷重が加えられても、スペーサ部がつぶれることを抑制できる。

【0044】

また、スペーサ部は、接着層による前記静電チャック部材と前記ベース部材を接着可能な強度を得つつ、前記接着面での伝熱特性の分布が均一となるように前記接着面に形成されている。これにより、基板載置台は、接着層１２２により静電チャック部材と、ベース部材を安定して接着しつつ、温度分布のばらつきを小さくできる。

【0045】

また、スペーサ部は、接着面の面積の７５～９２．４％に形成されている。これにより、基板載置台は、静電チャック部材とベース部材を安定して接着しつつ、接着面での温度分布の均一性を高めることができる。

【0046】

また、基板処理装置（プラズマ処理装置１）は、基板載置台（本体部１１１）を有する。これにより、基板処理装置は、基板載置台に載置した基板Ｗに基板処理（プラズマ処理）を実施した場合に、基板Ｗの面内での基板処理結果の均一性の低下を抑制できる。

【0047】

以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上述した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上述した実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0048】

例えば、上記の実施形態では、基板Ｗとして半導体ウェハにプラズマ処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗは、何れであってもよい。

【0049】

また、本開示に係る基板載置台は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）装置だけでなく、その他の基板処理装置にも適用可能である。その他の基板処理装置としては、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）処理装置、ラジアルラインスロットアンテナを用いたプラズマ処理装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance Plasma）装置等であってもよい。また、本開示に係る基板載置台は、プラズマ処理装置以外に、成膜装置や熱処理装置などの各種の基板処理装置に適用してもよい。

【0050】

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0051】

１ プラズマ処理装置
１１ 基板支持部
１１１ 本体部
１１２ リングアセンブリ
１２０ 基台
１２０ａ 接着面
１２１ 静電チャック
１２１ａ 接着面
１２１ｂ スペーサ部
１２２ 接着層
１２３ スペーサ
１２４ マスク
１２５ グリーンシート

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】