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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023048650
(43)【公開日】2023-04-07
(54)【発明の名称】検査装置及び検査方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/66 20060101AFI20230331BHJP
G01R 31/28 20060101ALI20230331BHJP
【ＦＩ】
H01L21/66 B
G01R31/28 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021158082
(22)【出願日】2021-09-28
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】小西 顕太朗
【テーマコード（参考）】
2G132
4M106
【Ｆターム（参考）】
2G132AA00
2G132AE02
2G132AE22
2G132AF02
2G132AF06
2G132AL03
4M106AA01
4M106BA01
4M106DD10
4M106DD13
4M106DD23
4M106DJ04
4M106DJ05
4M106DJ07
(57)【要約】 （修正有）
【課題】基板電極とプローブとの位置合わせをより正確に行う検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】方法は、プローブカード１００に第１ターゲット１０３が複数設けられ、載置部材に第２ターゲット７１が第１ターゲット１０３と同数設けられ、検出部をさらに備え、制御部は、第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置を取得する工程と、保持部に保持されたプローブカードと平面視では重ならない領域に位置する第２取得部の下方の領域に載置部材を移動させ、第２取得部を用いて、電極基準位置に対する電極の代表位置を取得する工程と、全ての第１ターゲットが同時に第１ターゲットに対応する第２ターゲット７１と平面視で所定の位置関係となる合致位置を取得する工程と、プローブ１０２の代表位置と電極の代表位置とに基づいて、プローブと電極とを接触させるときの接触位置を取得し、合致位置に基づき接触位置を補正する。
【選択図】図４
【解決手段】方法は、プローブカード１００に第１ターゲット１０３が複数設けられ、載置部材に第２ターゲット７１が第１ターゲット１０３と同数設けられ、検出部をさらに備え、制御部は、第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置を取得する工程と、保持部に保持されたプローブカードと平面視では重ならない領域に位置する第２取得部の下方の領域に載置部材を移動させ、第２取得部を用いて、電極基準位置に対する電極の代表位置を取得する工程と、全ての第１ターゲットが同時に第１ターゲットに対応する第２ターゲット７１と平面視で所定の位置関係となる合致位置を取得する工程と、プローブ１０２の代表位置と電極の代表位置とに基づいて、プローブと電極とを接触させるときの接触位置を取得し、合致位置に基づき接触位置を補正する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を検査する検査装置であって、
基板が載置される載置部材と、
基板上の電極に接触するプローブを有するプローブカードを保持する保持部と、
前記載置部材を保持し水平方向及び上下方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構に固定され、前記プローブの位置を取得するための第１取得部と、
前記載置部材に載置された基板上の前記電極の位置を取得するための第２取得部と、
制御部と、を備え、
前記プローブカードまたは前記保持部の少なくともいずれか一方に、第１ターゲットが複数設けられており、
前記載置部材に、第２ターゲットが前記第１ターゲットと同数設けられており、
前記第１ターゲットと、当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットとを同時に検出するための検出部をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対する前記プローブの代表位置を取得する工程と、
前記保持部に保持された前記プローブカードと平面視では重ならない領域に位置する、前記第２取得部の下方の領域に、前記載置部材を移動させ、前記第２取得部を用いて、電極基準位置に対する前記電極の代表位置を取得する工程と、
前記検出部を用いて、全ての前記第１ターゲットが同時に当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットと平面視で所定の位置関係となる、合致位置を取得する工程と、
前記プローブの代表位置と前記電極の代表位置とに基づいて、前記プローブと前記電極とを接触させるときの前記載置部材の位置である接触位置を取得し、前記合致位置に基づき前記接触位置を補正する工程と、を実行するように構成されている、検査装置。
基板が載置される載置部材と、
基板上の電極に接触するプローブを有するプローブカードを保持する保持部と、
前記載置部材を保持し水平方向及び上下方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構に固定され、前記プローブの位置を取得するための第１取得部と、
前記載置部材に載置された基板上の前記電極の位置を取得するための第２取得部と、
制御部と、を備え、
前記プローブカードまたは前記保持部の少なくともいずれか一方に、第１ターゲットが複数設けられており、
前記載置部材に、第２ターゲットが前記第１ターゲットと同数設けられており、
前記第１ターゲットと、当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットとを同時に検出するための検出部をさらに備え、
前記制御部は、
前記第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対する前記プローブの代表位置を取得する工程と、
前記保持部に保持された前記プローブカードと平面視では重ならない領域に位置する、前記第２取得部の下方の領域に、前記載置部材を移動させ、前記第２取得部を用いて、電極基準位置に対する前記電極の代表位置を取得する工程と、
前記検出部を用いて、全ての前記第１ターゲットが同時に当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットと平面視で所定の位置関係となる、合致位置を取得する工程と、
前記プローブの代表位置と前記電極の代表位置とに基づいて、前記プローブと前記電極とを接触させるときの前記載置部材の位置である接触位置を取得し、前記合致位置に基づき前記接触位置を補正する工程と、を実行するように構成されている、検査装置。
【請求項2】
前記プローブの代表位置を取得する工程は、前記第１取得部を用いて、前記プローブ基準位置として、前記第１ターゲットの代表位置を取得する工程を含む、請求項１に記載の検査装置。
【請求項3】
前記基板の代表位置を取得する工程は、前記第２取得部を用いて、前記電極基準位置として、前記第２ターゲットの代表位置を取得する工程を含む、請求項１または２に記載の検査装置。
【請求項4】
前記補正する工程は、接触基準位置からの前記合致位置の位置ずれに基づいて、前記接触位置を補正する、請求項１～３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項5】
前記補正する工程は、接触基準位置からの前記合致位置の位置ずれに基づいて、前記接触位置を補正し、
前記接触基準位置は、前記プローブ基準位置及び前記電極基準位置に基づいて取得される、請求項２または３に記載の検査装置。
前記接触基準位置は、前記プローブ基準位置及び前記電極基準位置に基づいて取得される、請求項２または３に記載の検査装置。
【請求項6】
前記制御部は、
補正された前記接触位置に前記載置部材を移動させた後、当該載置部材を上昇させる工程をさらに実行する、請求項１～５のいずれか１項に記載の検査装置。
補正された前記接触位置に前記載置部材を移動させた後、当該載置部材を上昇させる工程をさらに実行する、請求項１～５のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項7】
前記載置部材を上昇させる工程は、前記検出部を用いて、上昇中における、前記プローブカードに対する前記第２ターゲットの水平方向の位置変化、または、上昇中における、前記基板に対する前記第１ターゲットの水平方向の位置変化を取得し、取得結果に基づいて、前記接触位置を修正する工程を含む、請求項６に記載の検査装置。
【請求項8】
前記第１取得部は、上方を撮像する第１撮像部である、請求項１～７のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項9】
前記第２取得部は、下方を撮像する第２撮像部である、請求項１～８のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項10】
前記検出部は、前記移動機構における、前記第２ターゲットの下方に設けられ、上方を撮像する第３撮像部である、請求項１～９のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項11】
前記載置部材は、
上下方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔を塞ぐ、透明な材料で形成された窓部材と、有し、
前記第２ターゲットは、前記窓部材に設けられ、
前記第３撮像部は、前記貫通孔を介して前記第１ターゲット及び前記第２ターゲットを撮像する、請求項１０に記載の検査装置。
上下方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔を塞ぐ、透明な材料で形成された窓部材と、有し、
前記第２ターゲットは、前記窓部材に設けられ、
前記第３撮像部は、前記貫通孔を介して前記第１ターゲット及び前記第２ターゲットを撮像する、請求項１０に記載の検査装置。
【請求項12】
前記検出部は、前記第１ターゲットの上方に設けられ、下方を撮像する第３撮像部である、請求項１～９のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項13】
検査装置により基板を検査する方法であって、
前記検査装置は、
基板が載置される載置部材と、
基板上の電極に接触するプローブを有するプローブカードを保持する保持部と、
前記載置部材を保持し水平方向及び上下方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構に固定され、前記プローブカードの位置を取得するための第１取得部と、
前記載置部材に載置された基板上の前記電極の位置を取得するための第２取得部と、を備え、
前記プローブカードまたは前記保持部の少なくともいずれか一方に、第１ターゲットが複数設けられており、
前記載置部材に、前記第１ターゲットに対応する第２ターゲットが複数設けられており、
前記第１ターゲットと、当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットとを同時に検出するための検出部をさらに備え、
前記第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対する前記プローブの代表位置を取得する工程と前記保持部に保持された前記プローブカードと平面視では重ならない領域に位置する、前記第２取得部の下方の領域に、前記載置部材を移動させ、前記第２取得部を用いて、電極基準位置に対する前記電極の代表位置を取得する工程と、
前記検出部を用いて、全ての前記第１ターゲットが同時に当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットと平面視で所定の位置関係となる、合致位置を取得する工程と、
前記プローブの代表位置と前記電極の代表位置とに基づいて、前記プローブと前記電極とを接触させるときの前記載置部材の位置である接触位置を取得し、前記合致位置に基づき前記接触位置を補正する工程と、を含む、検査方法。
前記検査装置は、
基板が載置される載置部材と、
基板上の電極に接触するプローブを有するプローブカードを保持する保持部と、
前記載置部材を保持し水平方向及び上下方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構に固定され、前記プローブカードの位置を取得するための第１取得部と、
前記載置部材に載置された基板上の前記電極の位置を取得するための第２取得部と、を備え、
前記プローブカードまたは前記保持部の少なくともいずれか一方に、第１ターゲットが複数設けられており、
前記載置部材に、前記第１ターゲットに対応する第２ターゲットが複数設けられており、
前記第１ターゲットと、当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットとを同時に検出するための検出部をさらに備え、
前記第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対する前記プローブの代表位置を取得する工程と前記保持部に保持された前記プローブカードと平面視では重ならない領域に位置する、前記第２取得部の下方の領域に、前記載置部材を移動させ、前記第２取得部を用いて、電極基準位置に対する前記電極の代表位置を取得する工程と、
前記検出部を用いて、全ての前記第１ターゲットが同時に当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットと平面視で所定の位置関係となる、合致位置を取得する工程と、
前記プローブの代表位置と前記電極の代表位置とに基づいて、前記プローブと前記電極とを接触させるときの前記載置部材の位置である接触位置を取得し、前記合致位置に基づき前記接触位置を補正する工程と、を含む、検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、半導体ウェハの電気的特性検査を行う検査室に即して形成され且つプローブカードを所定位置に位置決めして着脱可能に装着される支持体を有するプローブ検出室を備えるプローブカード検出装置が開示されている。この装置は、上記支持体の上記所定位置に対して第１の保持体を介して位置決めして装着されるプローブカードと、上記プローブ検出室内に移動可能に設けられ且つ上記プローブカードの少なくとも２つのプローブの針先を検出する第１の撮像装置と、をさらに備える。また、上記プローブカード検出装置は、上記プローブカードに代えて上記支持体の上記所定位置に対して第２の保持体を介して位置決めして着脱可能に装着され且つ上記少なくとも２つのプローブに対応する少なくとも２つのターゲットを有するプローブ補正カードと、を備える。上記プローブ検出室内で、上記少なくとも２つのプローブの針先の水平位置と上記少なくとも２つのターゲットの水平位置との差が、上記第１の撮像装置で検出される。上記差は、上記検査室における上記プローブカードの少なくとも２つのプローブと上記半導体ウェハの少なくとも２つの電極パッドの位置合わせを行うための補正値として検出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１４－７５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、基板を検査する検査装置において、基板に設けられた電極とプローブカードのプローブとの位置合わせをより正確に行う。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、基板を検査する検査装置であって、基板が載置される載置部材と、基板上の電極に接触するプローブを有するプローブカードを保持する保持部と、前記載置部材を保持し水平方向及び上下方向に移動させる移動機構と、前記移動機構に固定され、前記プローブの位置を取得するための第１取得部と、前記載置部材に載置された基板上の前記電極の位置を取得するための第２取得部と、制御部と、を備え、前記プローブカードまたは前記保持部の少なくともいずれか一方に、第１ターゲットが複数設けられており、前記載置部材に、第２ターゲットが前記第１ターゲットと同数設けられており、前記第１ターゲットと、当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットとを同時に検出するための検出部をさらに備え、前記制御部は、前記第１取得部を用いて、プローブ基準位置に対する前記プローブの代表位置を取得する工程と、前記保持部に保持された前記プローブカードと平面視では重ならない領域に位置する、前記第２取得部の下方の領域に、前記載置部材を移動させ、前記第２取得部を用いて、電極基準位置に対する前記電極の代表位置を取得する工程と、前記検出部を用いて、全ての前記第１ターゲットが同時に当該第１ターゲットに対応する前記第２ターゲットと平面視で所定の位置関係となる、合致位置を取得する工程と、前記プローブの代表位置と前記電極の代表位置とに基づいて、前記プローブと前記電極とを接触させるときの前記載置部材の位置である接触位置を取得し、前記合致位置に基づき前記接触位置を補正する工程と、を実行するように構成されている。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板を検査する検査装置において、基板に設けられた電極とプローブカードのプローブとの位置合わせをより正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図2】本実施形態にかかる検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図3】検査領域の側断面図である。
【図4】ポゴフレームの周辺の断面図である。
【図5】プローブカードの下面図である。
【図6】チャックトップ７０の上面図である。
【図7】比較の形態にかかる接触位置の決定方法を説明するための図である。
【図8】本実施の形態にかかる、接触位置の決定処理を伴う検査処理を説明するための図である。
【図9】本実施の形態にかかる、接触位置の決定処理を伴う検査処理を説明するための図である。
【図10】本実施の形態にかかる、接触位置の決定処理を伴う検査処理を説明するための図である。
【図11】本実施の形態にかかる、接触位置の決定処理を伴う検査処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定の回路パターンを持つ多数の半導体デバイスが形成される。形成された半導体デバイスは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。半導体デバイスの検査は、例えば、各半導体デバイスに分割される前のウェハの状態で、検査装置を用いて行われる。
【0009】
検査装置には、多数の針状の接触端子であるプローブを多数有するプローブカードが設けられている。電気的特性の検査の際はまず、ウェハとプローブカードとが近づけられ、ウェハに形成されている半導体デバイスの各電極にプローブカードのプローブが接触する。この状態で、プローブカードの上方に設けられたテスタから各プローブを介して半導体デバイスに電気信号が供給される。そして、各プローブを介して半導体デバイスからテスタが受信した電気信号に基づいて、当該半導体デバイスが不良品か否か判別される。
【0010】
このような電気的特性検査が適切に行われるよう、検査装置では、プローブカードとウェハとの位置合わせ、具体的には、プローブとウェハ上の電極との位置合わせが行われている。近年では、電子デバイスのさらなる集積化により小電極化が図られていること等から、上述の位置合わせをより正確に行うことが求められてきている。
【0011】
本開示にかかる技術は、基板上の電極とプローブカードのプローブとの位置合わせをより正確に行うことが可能な、基板の検査装置を提供する。
【0012】
以下、本実施形態にかかる検査装置及び検査方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0013】
【0014】
図１及び図２の検査装置１は、基板としてのウェハＷを検査するものであり、具体的には、ウェハＷに形成された検査対象デバイスとしての半導体デバイスの電気的特性検査を行うものである。検査装置１は、筐体１０を有し、該筐体１０には、搬入出領域１１、搬送領域１２、検査領域１３が設けられている。搬入出領域１１は、検査装置１に対してウェハＷの搬入出が行われる領域である。搬送領域１２は、搬入出領域１１と検査領域１３とを接続する領域である。また、検査領域１３は、ウェハＷに形成された半導体デバイスの電気的特性検査が行われる領域である。
【0015】
搬入出領域１１には、複数のウェハＷを収容したカセットＣを受け入れるポート２０、後述のプローブカードを収容するローダ２１、検査装置１の各構成要素の制御等を行う制御部２２が設けられている。制御部２２は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータにより構成され、各種情報を記憶する記憶部（図示せず）を有している。記憶部には、例えば、検査処理等を実現するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から上記制御部２２にインストールされたものであってもよい。上記記憶媒体は一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。なお、プログラムの一部または全ては専用ハードウェア（回路基板）で実現してもよい。また、上記記憶部は、例えばＨＤＤ等のストレージデバイス、プログラムの演算に係る一時的に必要な情報を記憶するＲＡＭ等のメモリ、またはこれらの組み合わせである。
【0016】
搬送領域１２には、ウェハＷ等を保持した状態で自在に移動可能な搬送装置３０が配置されている。この搬送装置３０は、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣと、検査領域１３との間でウェハＷの搬送を行う。また、搬送装置３０は、検査領域１３内の後述のポゴフレームに固定されたプローブカードのうちメンテナンスを必要とするものを搬入出領域１１のローダ２１へ搬送する。さらに、搬送装置３０は、新規な又はメンテナンス済みのプローブカードをローダ２１から検査領域１３内へ搬送する。
【0017】
検査領域１３は、テスタ４０が複数設けられている。具体的には、検査領域１３は、例えば、図２に示すように、鉛直方向に３つに分割され、各分割領域１３ａには、水平方向（図のＸ方向）に配列された４つのテスタ４０からなるテスタ列が設けられている。また、各分割領域１３ａには、１つの移動機構としてのアライナ５０と、１つの上カメラ６０が設けられている。なお、テスタ４０、アライナ５０、上カメラ６０の数や配置は任意に選択できる。
【0018】
テスタ４０は、電気的特性検査用の電気信号をウェハＷとの間で送受するものである。
アライナ５０は、後述のチャックトップ７０を保持して、水平方向（図１のＸ方向及びＹ方向、図のＺ軸を中心としたθ方向）及び上下方向（図のＺ方向）に移動させることが可能に構成されている。また、このアライナ５０は、チャックトップ７０に載置されたウェハＷと後述のプローブカードのプローブとの位置合わせに用いられる。
アライナ５０は、後述のチャックトップ７０を保持して、水平方向（図１のＸ方向及びＹ方向、図のＺ軸を中心としたθ方向）及び上下方向（図のＺ方向）に移動させることが可能に構成されている。また、このアライナ５０は、チャックトップ７０に載置されたウェハＷと後述のプローブカードのプローブとの位置合わせに用いられる。
【0019】
上カメラ６０は、下方を撮像するように設けられている。一実施形態において、上カメラ６０は、水平に移動自在に構成されている。上カメラ６０は、例えば、当該上カメラ６０が設けられた検査内の各テスタ４０の前の領域であって、後述のポゴフレームに保持されたプローブカードと平面視では重ならない領域に位置して、アライナ５０上のチャックトップ７０に載置されたウェハＷを撮像する。
なお、上カメラ６０は、制御部２２により制御される。また、上カメラ６０による撮像結果は制御部２２に出力される。
なお、上カメラ６０は、制御部２２により制御される。また、上カメラ６０による撮像結果は制御部２２に出力される。
【0020】
チャックトップ７０は、載置部材の一例であり、ウェハＷが載置される。チャックトップ７０は、例えば、載置されたウェハＷを吸着等により保持することができる。
【0021】
この検査装置１では、搬送装置３０が一のテスタ４０へ向けてウェハＷを搬送している間に、他のテスタ４０は他のウェハＷに形成された電子デバイスの電気的特性の検査を行うことができる。
【0022】
＜検査領域＞
続いて、図３～図６を用いて、検査領域１３のより詳細な構成について説明する。図３は、検査領域１３の側断面図である。図４は、後述のポゴフレームの周辺の断面図である。図５は、後述のプローブカードの下面図である。図５では、後述のプローブの図示は省略している。図６は、チャックトップ７０の上面図である。
続いて、図３～図６を用いて、検査領域１３のより詳細な構成について説明する。図３は、検査領域１３の側断面図である。図４は、後述のポゴフレームの周辺の断面図である。図５は、後述のプローブカードの下面図である。図５では、後述のプローブの図示は省略している。図６は、チャックトップ７０の上面図である。
【0023】
検査領域１３の各分割領域１３ａには、前述のように、アライナ５０及び上カメラ６０が設けられている。また、図３に示すように、各分割領域１３ａには、後述の下カメラ８０、ポゴフレーム９０及びプローブカード１００が設けられている。
【0024】
アライナ５０は、例えばＸステージ５１、Ｙステージ５２及びＺステージ５３を有する。
【0025】
Ｘステージ５１は、アライナ５０による移動平面（ＸＹ平面）の座標系を構成するＸ軸方向に、ガイドレール５１ａに沿って移動する。このＸステージ５１に対しては、Ｘステージ５１のＸ方向にかかる位置、すなわちチャックトップ７０のＸ軸方向にかかる位置を検出する位置検出機構（図示せず）が設けられている。上記位置検出機構は、例えばリニアエンコーダである。
【0026】
Ｙステージ５２は、Ｘステージ５１上を移動する。具体的には、アライナ５０による移動平面（ＸＹ平面）の座標系を構成するＹ軸方向に、ガイドレール５２ａに沿って移動する。このＹステージ５２に対しては、Ｙステージ５２のＹ軸方向にかかる位置、すなわちチャックトップ７０のＹ軸方向にかかる位置を検出する位置検出機構（図示せず）が設けられている。上記位置検出機構は、例えばリニアエンコーダである。
【0027】
Ｚステージ５３は、アライナ５０による移動平面（ＸＹ平面）と直交する高さ方向（Ｚ方向）に伸縮自在な伸縮軸５３ａにより、上記高さ方向（Ｚ方向）に移動する。このＺステージ５３に対しては、Ｚステージ５３のＺ方向にかかる位置、すなわちチャックトップ７０のＺ方向にかかる位置を検出する位置検出機構（図示せず）が設けられている。上記位置検出機構は、例えばリニアエンコーダである。
また、Ｚステージ５３上にチャックトップ７０が着脱自在に吸着保持される。Ｚステージ５３によるチャックトップ７０の吸着保持は、吸着保持機構（図示せず）による真空吸着等により行われる。
また、Ｚステージ５３上にチャックトップ７０が着脱自在に吸着保持される。Ｚステージ５３によるチャックトップ７０の吸着保持は、吸着保持機構（図示せず）による真空吸着等により行われる。
【0028】
下カメラ８０は、第１取得部の一例であり、プローブカード１００に設けられた後述のプローブの代表位置等を取得するためのものである。また、下カメラ８０は、第１撮像部の一例であり、上方を撮像する。なお、前述の上カメラ６０は、第２取得部の一例であり、アライナ５０上のチャックトップ７０に載置されたウェハＷの代表位置等を取得するためのものである。また、上カメラ６０は、第２撮像部の一例であり、前述のように下方を撮像する。
【0029】
下カメラ８０は、アライナ５０に固定されている。具体的には、下カメラ８０は、アライナ５０のＺステージ５３に固定されている。このように固定されているため、下カメラ８０は、アライナ５０により、チャックトップ７０と共に移動可能である。
下カメラ８０は、例えば、ポゴフレーム９０に固定されたプローブカード１００の下方の領域に位置して、当該プローブカード１００を撮像する。
下カメラ８０は、例えば、ポゴフレーム９０に固定されたプローブカード１００の下方の領域に位置して、当該プローブカード１００を撮像する。
【0030】
なお、アライナ５０や下カメラ８０は、制御部２２により制御される。また、下カメラ８０による撮像結果と、Ｘステージ５１、Ｙステージ５２及びＺステージ５３に設けられた位置検出機構による位置検出結果とは、制御部２２に出力される。
【0031】
テスタ４０は、図４に示すように、テスタマザーボード４１を底部に有する。テスタマザーボード４１には、複数の検査回路基板（図示せず）が立設状態で装着されている。また、テスタマザーボード４１の底面には複数の電極（図示せず）が設けられている。
さらに、テスタ４０の下方には、ポゴフレーム９０が設けられている。
さらに、テスタ４０の下方には、ポゴフレーム９０が設けられている。
【0032】
ポゴフレーム９０は、保持部の一例であり、プローブカード１００を保持する。また、ポゴフレーム９０は、プローブカード１００とテスタ４０とを電気的に接続する。このポゴフレーム９０は、上述の電気的な接続のために、ポゴピン９１を有し、具体的には、多数のポゴピン９１を保持するポゴブロック９２を有する。
ポゴフレーム９０の下面には、プローブカード１００が、所定の位置に位置合わせされた状態で固定される。
ポゴフレーム９０の下面には、プローブカード１００が、所定の位置に位置合わせされた状態で固定される。
【0033】
なお、排気機構（図示せず）によって、テスタマザーボード４１はポゴフレーム９０に真空吸着され、プローブカード１００は、ポゴフレーム９０に真空吸着される。これら真空吸着を行うための真空吸引力により、ポゴフレーム９０の各ポゴピン９１の下端は、プローブカード１００の後述のカード本体１０１の上面における、対応する電極に接触し、各ポゴピン９１の上端は、テスタマザーボード４１の下面の対応する電極に押し付けられる。
【0034】
プローブカード１００は、複数の電極が上面に設けられた円板状のカード本体１０１を有する。カード本体１０１の下面には、下方へ向けて延びる針状の接触端子であるプローブ１０２が複数設けられている。
カード本体１０１の上面に設けられた上述の複数の電極はそれぞれ対応するプローブ１０２と電気的に接続されている。また、検査時には、プローブ１０２はそれぞれ、ウェハＷに形成された半導体デバイスの電極Ｐ（図６参照）と接触する。したがって、電気的特性検査時には、ポゴピン９１、カード本体１０１の上面に設けられた電極及びプローブ１０２を介して、テスタマザーボード４１とウェハＷ上の半導体デバイスとの間で、検査にかかる電気信号が送受される。
カード本体１０１の上面に設けられた上述の複数の電極はそれぞれ対応するプローブ１０２と電気的に接続されている。また、検査時には、プローブ１０２はそれぞれ、ウェハＷに形成された半導体デバイスの電極Ｐ（図６参照）と接触する。したがって、電気的特性検査時には、ポゴピン９１、カード本体１０１の上面に設けられた電極及びプローブ１０２を介して、テスタマザーボード４１とウェハＷ上の半導体デバイスとの間で、検査にかかる電気信号が送受される。
【0035】
なお、検査装置１は、ウェハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査を一括で行うために、プローブ１０２は、カード本体１０１の下面略全体を覆うように多数設けられている。
【0036】
また、ポゴフレーム９０の下面には、ベローズ９３が取り付けられている。ベローズ９３は、プローブカード１００を囲繞するように垂下する筒状の伸縮自在な部材である。また、ベローズ９３は、図４において点線で示すように、プローブカード１００の下方の位置にチャックトップ７０を吸着保持する。
【0037】
また、ベローズ９３は、チャックトップ７０を吸着保持することにより、プローブカード１００を含むポゴフレーム９０、ベローズ９３及びチャックトップ７０で囲まれる密閉空間Ｓを形成する。密閉空間Ｓを減圧機構（図示せず）により減圧することで、ウェハＷとプローブ１０２との接触状態を維持することができる。
【0038】
さらに、本実施形態では、プローブカード１００のカード本体１０１の下面に、プローブ１０２の他、図４及び図５に示すように、第１ターゲット１０３が複数設けられている。第１ターゲット１０３は、ウェハＷとプローブカード１００との位置合わせを行うためのマークである。各第１ターゲット１０３の平面視における形状は例えば円形状である。また、各第１ターゲット１０３は、例えば、プローブ１０２が形成されている領域Ｒ１の外側を囲う領域Ｒ２に、プローブカード１００の中心を中心とした同一円周上に等間隔で設けられている。
第１ターゲット１０３の数、形状及び配置は、第１ターゲット１０３を設けた目的を達成することが可能な範囲で任意である。
第１ターゲット１０３の数、形状及び配置は、第１ターゲット１０３を設けた目的を達成することが可能な範囲で任意である。
【0039】
また、本実施形態では、図６に示すように、チャックトップ７０の上面に、第２ターゲット７１が第１ターゲット１０３と同数設けられている。第２ターゲット７１は、第１ターゲット１０３と同様、ウェハＷとプローブカード１００との位置合わせを行うためのマークである。各第２ターゲット７１の平面視における形状は例えば円形状である。また、各第２ターゲット７１は、例えば、ウェハＷが載置される領域Ｒ１１の外側を囲う領域Ｒ１２に、チャックトップ７０の中心を中心とした同一円周上に等間隔で設けられている。
第２ターゲットの数、形状及び配置は、第２ターゲットを設けた目的を達成することが可能な範囲で任意である。
第２ターゲットの数、形状及び配置は、第２ターゲットを設けた目的を達成することが可能な範囲で任意である。
【0040】
また、第１ターゲット１０３及び第２ターゲット７１は以下のように設けられている。すなわち、全ての第１ターゲット１０３が同時に、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１と、平面視で所定の位置関係となり得るように、第１ターゲット１０３及び第２ターゲット７１は設けられている。具体的には、例えば、全ての第１ターゲット１０３が同時に、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１と、平面視で重なり得るように（より具体的には、互いの中心が一致し得るように）、第１ターゲット１０３及び第２ターゲット７１は設けられている。
【0041】
さらに、本実施形態では、図４に示すように、第２ターゲット７１毎すなわち第１ターゲット１０３毎に、基準合わせカメラ１１０が設けられている。
基準合わせカメラ１１０は、検出部の一例であり、対応する第１ターゲット１０３と、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１とを同時に検出するためのものである。また、基準合わせカメラ１１０は、第３撮像部の一例であり、アライナ５０における、第２ターゲット７１の下方となる位置に設けられ、上方を撮像する。
基準合わせカメラ１１０は、検出部の一例であり、対応する第１ターゲット１０３と、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１とを同時に検出するためのものである。また、基準合わせカメラ１１０は、第３撮像部の一例であり、アライナ５０における、第２ターゲット７１の下方となる位置に設けられ、上方を撮像する。
【0042】
基準合わせカメラ１１０による第１ターゲット１０３と第２ターゲット７１との同時撮影を可能にし、且つ、密閉空間Ｓの密閉が維持可能なように、第１ターゲット１０３及び基準合わせカメラ１１０は以下のように設けられている。
【0043】
すなわち、チャックトップ７０には、上下方向に貫通する貫通孔７２が形成されている。貫通孔７２は、基準合わせカメラ１１０の撮像に用いられる光に対し透明な材料で形成された窓部材７３で、塞がれている。この窓部材７３に、第２ターゲット７１は設けられ、基準合わせカメラ１１０は、貫通孔７２を介して、第２ターゲット７１及び第１ターゲット１０３を撮像する。一実施形態において、基準合わせカメラ１１０が、第２ターゲット７１越しに第１ターゲット１０３を撮像可能なように、第２ターゲット７１は第１ターゲット１０３より小さく形成される。また、一実施形態において、第２ターゲット７１を平面視で中央に孔を有する環状に形成し、基準合わせカメラ１１０が、上記孔越しに、第１ターゲット１０３を撮像してもよい。
【0044】
＜比較の形態にかかる接触位置の決定方法＞
続いて、本実施形態にかかる接触位置の決定方法の説明を行う前に、本実施の形態とは異なる形態（以下、「比較の形態」という。）にかかる接触位置の決定方法について、図７を用いて説明する。接触位置とは、チャックトップ７０に支持されたウェハＷの電極Ｐとプローブ１０２とを接触させる時のチャックトップ７０の位置である。
続いて、本実施形態にかかる接触位置の決定方法の説明を行う前に、本実施の形態とは異なる形態（以下、「比較の形態」という。）にかかる接触位置の決定方法について、図７を用いて説明する。接触位置とは、チャックトップ７０に支持されたウェハＷの電極Ｐとプローブ１０２とを接触させる時のチャックトップ７０の位置である。
【0045】
比較の形態にかかる接触位置の補正方法では、下カメラ８０を用いて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置が取得される。プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置とは、言い換えると、下カメラ８０による撮像に基づく座標系における、プローブ１０２の代表位置である。
【0046】
また、ポゴフレーム９０に保持されたプローブカード１００と平面視では重ならない領域に位置する上カメラ６０を用いて、電極基準位置に対する、チャックトップ７０に載置されたウェハＷ上の電極Ｐの代表位置が取得される。電極基準位置に対する上記電極Ｐの代表位置とは、言い換えると、上カメラ６０による撮像に基づく座標系における、上記電極Ｐの代表位置である。
【0047】
さらに、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報、すなわち、下カメラ８０による撮像に基づく座標系と上カメラ６０による撮像に基づく座標系とを対応付けるための情報が取得される。具体的には、図７に示すように、ポゴフレーム９０に保持されたプローブカード１００と平面視では重ならない領域に位置する、上カメラ６０の下方の領域（以下、「アライメント領域」という。）Ａに、下カメラ８０が移動される。また、上カメラ６０と下カメラ８０とで同じターゲット５００が撮像され、その時のＺステージ５３の位置の情報が、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報として、取得される。
【0048】
そして、取得された、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置、電極基準位置に対する上記電極Ｐの代表位置、及び、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報に基づいて、接触位置が決定される。
【0049】
しかし、アライナ５０が設置される筐体１０は、当該筐体１０の温度変化による膨張または収縮や、当該筐体１０内における複数のアライナ５０の重心変化等により、μｍオーダーの歪みが生じる。また、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報を取得した時すなわちアライメント領域Ａに下カメラ８０が位置する時のチャックトップ７０と、ポゴフレーム９０に保持されたプローブカード１００の直下のチャックトップ７０とでは、距離がある。そのため、上述のような歪みがあると、比較の形態にかかる方法で決定した接触位置では、プローブ１０２と電極Ｐとを適切に接触させることができない場合がある。
【0050】
【0051】
（Ｓ１：搬入）
まず、所望の分割領域１３ａへの検査対象のウェハＷの搬入が行われる。
具体的には、搬送装置３０等が制御部２２により制御され、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣからウェハＷが取り出されて、例えば中段の分割領域１３ａ内に搬入され、アライナ５０に吸着保持されたチャックトップ７０上に載置される。
まず、所望の分割領域１３ａへの検査対象のウェハＷの搬入が行われる。
具体的には、搬送装置３０等が制御部２２により制御され、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣからウェハＷが取り出されて、例えば中段の分割領域１３ａ内に搬入され、アライナ５０に吸着保持されたチャックトップ７０上に載置される。
【0052】
（Ｓ２：接触位置の決定）
次いで、制御部２２により、接触位置が決定される。
次いで、制御部２２により、接触位置が決定される。
【0053】
（Ｓ２ａ：プローブの代表位置の取得）
接触位置の決定の際には、制御部２２により、下カメラ８０を用いて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置が取得される。具体的には、制御部２２の制御により、図８に示すように、プローブカード１００の下方の領域に下カメラ８０が位置するよう、チャックトップ７０がアライナ５０によって移動され、下カメラ８０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置が取得される。
接触位置の決定の際には、制御部２２により、下カメラ８０を用いて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置が取得される。具体的には、制御部２２の制御により、図８に示すように、プローブカード１００の下方の領域に下カメラ８０が位置するよう、チャックトップ７０がアライナ５０によって移動され、下カメラ８０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置が取得される。
【0054】
プローブ１０２の代表位置とは、例えば予め定められた複数箇所のプローブ１０２の重心位置である。各プローブ１０２の位置（具体的には位置座標）は、下カメラ８０により得られた画像の中心に当該プローブ１０２の先端が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
【0055】
また、プローブ基準位置は、予め定められていてもよく、例えば、プローブカード１００の中心の設計位置であってもよい。
一実施形態では、ステップＳ２ａにおいて、制御部２２により、下カメラ８０を用いて、プローブ基準位置として、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置が取得される。
第１ターゲット１０３の代表位置とは、例えば、複数の第１ターゲット１０３の重心位置である。各第１ターゲット１０３の位置は、例えば、下カメラ８０により得られた画像の中心に当該第１ターゲット１０３の中心が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
一実施形態では、ステップＳ２ａにおいて、制御部２２により、下カメラ８０を用いて、プローブ基準位置として、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置が取得される。
第１ターゲット１０３の代表位置とは、例えば、複数の第１ターゲット１０３の重心位置である。各第１ターゲット１０３の位置は、例えば、下カメラ８０により得られた画像の中心に当該第１ターゲット１０３の中心が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
【0056】
なお、以上では、「○○位置が取得される」等と記載しているが、実際に「○○位置」が取得されていなくてもよく、「○○」位置を取得するために必要な情報が取得されていればよい。以下でも同様である。
【0057】
（Ｓ２ｂ：電極の代表位置の取得）
接触位置の決定の際には、さらに、制御部２２により、図９に示すように、アライメント領域Ａに、チャックトップ７０が移動され、上カメラ６０を用いて、電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置が取得される。電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置は、具体的には、上カメラ６０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて取得される。
接触位置の決定の際には、さらに、制御部２２により、図９に示すように、アライメント領域Ａに、チャックトップ７０が移動され、上カメラ６０を用いて、電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置が取得される。電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置は、具体的には、上カメラ６０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて取得される。
【0058】
電極Ｐの代表位置とは、例えば予め定められた複数箇所の電極Ｐの重心位置である。各電極Ｐの位置（具体的には位置座標）は、上カメラ６０により得られた画像の中心に当該電極Ｐの中心が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
【0059】
また、電極基準位置は、予め定められていてもよく、例えば、チャックトップ７０の中心の設計位置であってもよい。
一実施形態では、ステップＳ２ｂにおいて、制御部２２により、上カメラ６０を用いて、電極基準位置として、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置が取得される。
第２ターゲット７１の代表位置とは、例えば、複数の第２ターゲット７１の重心位置である。各第２ターゲット７１の位置は、例えば、上カメラ６０により得られた画像の中心に当該第２ターゲット７１の中心が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
一実施形態では、ステップＳ２ｂにおいて、制御部２２により、上カメラ６０を用いて、電極基準位置として、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置が取得される。
第２ターゲット７１の代表位置とは、例えば、複数の第２ターゲット７１の重心位置である。各第２ターゲット７１の位置は、例えば、上カメラ６０により得られた画像の中心に当該第２ターゲット７１の中心が位置する時の、アライナ５０の位置検出機構からの出力に基づいて、取得することができる。
【0060】
（Ｓ２ｃ：合致位置の取得）
接触位置の決定の際には、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて、合致位置が取得される。合致位置とは、全ての第１ターゲット１０３が同時に当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１と平面視で所定の位置関係となるときのチャックトップ７０の位置である。「平面視で所定の位置関係」とは、例えば、第１ターゲット１０３の中心が、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１の中心と平面視で重なる位置関係をいう。
このステップＳ２ｃでは、制御部２２の制御により、図１０に示すように、チャックトップ７０が、プローブカード１００の下方の領域に位置するよう、アライナ５０によって移動され、基準合わせカメラ１１０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて、合致位置が取得される。
接触位置の決定の際には、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて、合致位置が取得される。合致位置とは、全ての第１ターゲット１０３が同時に当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１と平面視で所定の位置関係となるときのチャックトップ７０の位置である。「平面視で所定の位置関係」とは、例えば、第１ターゲット１０３の中心が、当該第１ターゲット１０３に対応する第２ターゲット７１の中心と平面視で重なる位置関係をいう。
このステップＳ２ｃでは、制御部２２の制御により、図１０に示すように、チャックトップ７０が、プローブカード１００の下方の領域に位置するよう、アライナ５０によって移動され、基準合わせカメラ１１０の撮像結果とアライナ５０の位置検出機構の検出結果とに基づいて、合致位置が取得される。
【0061】
（Ｓ２ｄ：仮の接触位置の取得及び補正）
そして、制御部２２により、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置と電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置とに基づいて接触位置が取得され、ステップＳ２ｃで取得された合致位置に基づいて上記接触位置が補正される。すなわち、制御部２２により、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置と電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置とに基づいて、仮の接触位置が取得され、仮の接触位置が、ステップＳ２ｃで取得された合致位置に基づいて補正され、補正後の仮の接触位置が、接触位置に決定される。合致位置に基づいて仮の接触位置が補正される、ということは、言い換えると、プローブ基準位置と電極基準位置とが対応づけられる、ということである。また、合致位置の情報は、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報である。
そして、制御部２２により、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置と電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置とに基づいて接触位置が取得され、ステップＳ２ｃで取得された合致位置に基づいて上記接触位置が補正される。すなわち、制御部２２により、プローブ基準位置に対するプローブ１０２の代表位置と電極基準位置に対する電極Ｐの代表位置とに基づいて、仮の接触位置が取得され、仮の接触位置が、ステップＳ２ｃで取得された合致位置に基づいて補正され、補正後の仮の接触位置が、接触位置に決定される。合致位置に基づいて仮の接触位置が補正される、ということは、言い換えると、プローブ基準位置と電極基準位置とが対応づけられる、ということである。また、合致位置の情報は、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応付けるための情報である。
【0062】
本ステップＳ２ｄでは、具体的には、制御部２２により、図１１に示すように、接触基準位置Ｂ１からの合致位置Ｂ２の位置ずれＤに基づいて、仮の接触位置Ｂ３が補正され、補正後の仮の接触位置が、接触位置Ｂ４に決定される。
【0063】
接触基準位置Ｂ１は、例えば予め定められる。
また、接触基準位置Ｂ１は、制御部２２により、
（１）プローブ基準位置としての、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置と、予め定められた電極基準位置とに基づいて、取得されてもよいし、
（２）予め定められたプローブ基準位置と、電極基準位置としての、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置とに基づいて取得されてもよいし、
（３）プローブ基準位置としての、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置と、電極基準位置としての、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置とに基づいて取得されてもよい。
また、接触基準位置Ｂ１は、制御部２２により、
（１）プローブ基準位置としての、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置と、予め定められた電極基準位置とに基づいて、取得されてもよいし、
（２）予め定められたプローブ基準位置と、電極基準位置としての、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置とに基づいて取得されてもよいし、
（３）プローブ基準位置としての、プローブカード１００の第１ターゲット１０３の代表位置と、電極基準位置としての、チャックトップ７０の第２ターゲット７１の代表位置とに基づいて取得されてもよい。
【0064】
（Ｓ３：チャックトップ７０の移動及び上昇、）
接触位置が決定されると、制御部２２により、チャックトップ７０が、接触位置に移動され、その後、チャックトップ７０が上昇される。上昇は、プローブ１０２と電極Ｐとが接触するまで行われる。
接触位置が決定されると、制御部２２により、チャックトップ７０が、接触位置に移動され、その後、チャックトップ７０が上昇される。上昇は、プローブ１０２と電極Ｐとが接触するまで行われる。
【0065】
一実施形態では、上昇中、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて、プローブカード１００に対する第２ターゲット７１の水平方向の位置変化が取得され、取得結果に基づいて、チャックトップ７０の位置が修正される。具体的には、上昇中、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて上記水平方向の位置変化が取得され、この位置変化がキャンセルされるよう、チャックトップ７０の位置が接触位置から修正される。
プローブカード１００に対する第２ターゲット７１の水平方向の位置変化が容易に取得可能なように、例えば、プローブカード１００における第１ターゲット１０３の周囲に、升目模様等の模様を設けてもよい。
プローブカード１００に対する第２ターゲット７１の水平方向の位置変化が容易に取得可能なように、例えば、プローブカード１００における第１ターゲット１０３の周囲に、升目模様等の模様を設けてもよい。
【0066】
（ステップＳ４：チャックトップ７０の吸着）
その後、制御部２２の制御の下、チャックトップ７０がポゴフレーム９０に吸着される。
具体的には、電極Ｐとプローブ１０２とが接触している状態で、減圧機構（図示せず）等が制御されると共にアライナ５０のＺステージ５３が下降され、これにより、チャックトップ７０が、アライナ５０から分離されポゴフレーム９０に吸着される。
その後、制御部２２の制御の下、チャックトップ７０がポゴフレーム９０に吸着される。
具体的には、電極Ｐとプローブ１０２とが接触している状態で、減圧機構（図示せず）等が制御されると共にアライナ５０のＺステージ５３が下降され、これにより、チャックトップ７０が、アライナ５０から分離されポゴフレーム９０に吸着される。
【0067】
（ステップＳ５：検査）
チャックトップ７０とアライナ５０との切り離し後、ウェハＷに形成された電子デバイスの電気的特性検査が行われる。
電気的特性検査用の電気信号は、テスタ４０からポゴピン９１やプローブ１０２等を介して電子デバイスに入力される。
チャックトップ７０とアライナ５０との切り離し後、ウェハＷに形成された電子デバイスの電気的特性検査が行われる。
電気的特性検査用の電気信号は、テスタ４０からポゴピン９１やプローブ１０２等を介して電子デバイスに入力される。
【0068】
（Ｓ６．搬出）
その後、検査後のウェハＷが搬出される。
具体的には、ポゴフレーム９０に吸着されていたチャックトップ７０がアライナ５０に受け渡され保持される。また、アライナ５０に保持されたチャックトップ７０上の検査後のウェハＷが、搬送装置３０によって、検査領域１３から搬出され、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣに戻される。
なお、一のテスタ４０での検査中、アライナ５０によって、他のテスタ４０への検査対象のウェハＷの搬送や他のテスタ４０からの検査後のウェハＷの回収が行われる。
その後、検査後のウェハＷが搬出される。
具体的には、ポゴフレーム９０に吸着されていたチャックトップ７０がアライナ５０に受け渡され保持される。また、アライナ５０に保持されたチャックトップ７０上の検査後のウェハＷが、搬送装置３０によって、検査領域１３から搬出され、搬入出領域１１のポート２０内のカセットＣに戻される。
なお、一のテスタ４０での検査中、アライナ５０によって、他のテスタ４０への検査対象のウェハＷの搬送や他のテスタ４０からの検査後のウェハＷの回収が行われる。
【0069】
＜本実施形態の主な効果＞
本実施形態では、比較の形態に比べて、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応づけるための情報を取得した位置から、接触位置までの移動距離が短い。したがって、前述のように筐体１０に歪みが生じていたとしても、プローブ１０２と電極Ｐとをより適切に接触させることができる。
本実施形態では、比較の形態に比べて、プローブ基準位置と電極基準位置とを対応づけるための情報を取得した位置から、接触位置までの移動距離が短い。したがって、前述のように筐体１０に歪みが生じていたとしても、プローブ１０２と電極Ｐとをより適切に接触させることができる。
【0070】
また、前述のように、第１ターゲット１０３の代表位置を、プローブ基準位置としてもよい。これにより、プローブカード１００の状態によらず、プローブ１０２と電極Ｐとをより適切に接触させることができる。例えば、プローブカード１００の温度変化による当該プローブカード１００の膨張または収縮が生じている場合でも、プローブ１０２と電極Ｐとを適切に接触させることができる。
【0071】
さらに、前述のように、第２ターゲット７１の代表位置を、電極基準位置としてもよい。これにより、チャックトップ７０の状態によらず、プローブ１０２と電極Ｐとをより適切に接触させることができる。例えば、チャックトップ７０の温度変化による当該チャックトップ７０の膨張または収縮が生じている場合でも、プローブ１０２と電極Ｐとを適切に接触させることができる。
【0072】
また、前述のように、チャックトップ７０の上昇中、基準合わせカメラ１１０を用いて、プローブカード１００に対する第２ターゲット７１の水平方向の位置変化が取得され、取得結果に基づいて、チャックトップ７０の位置が修正されてもよい。これにより、チャックトップ７０の上昇中に上記位置変化が生じていても、プローブ１０２と電極Ｐとを適切に接触させることができる。
【0073】
＜変形例＞
以上の例では、第１ターゲット１０３をプローブカード１００に設けていたが、第１ターゲットは、ポゴフレーム９０に設けてもよい。具体的には、第１ターゲットは、ポゴフレーム９０の下面におけるベローズ９３に囲まれた領域内に設けられていてもよい。
以上の例では、第１ターゲット１０３をプローブカード１００に設けていたが、第１ターゲットは、ポゴフレーム９０に設けてもよい。具体的には、第１ターゲットは、ポゴフレーム９０の下面におけるベローズ９３に囲まれた領域内に設けられていてもよい。
【0074】
また、以上の例では、第１ターゲット１０３と第２ターゲット７１とを同時に検出するための基準合わせカメラ１１０をアライナ５０に設けており、第２ターゲット７１越しに第１ターゲット１０３を撮像していた。しかし、上記同時検出のための基準合わせカメラは、ポゴフレーム９０に設けられていてもよい。
この場合、ステップＳ３において、チャックトップ７０の上昇中に、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて、チャックトップ７０に対する第１ターゲット１０３の水平方向の位置変化が取得され、取得結果に基づいて、チャックトップ７０の位置が修正されてもよい。
この場合、ステップＳ３において、チャックトップ７０の上昇中に、制御部２２により、基準合わせカメラ１１０を用いて、チャックトップ７０に対する第１ターゲット１０３の水平方向の位置変化が取得され、取得結果に基づいて、チャックトップ７０の位置が修正されてもよい。
【0075】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0076】
１ 検査装置
２２ 制御部
５０ アライナ
６０ 上カメラ
７０ チャックトップ
７１ 第２ターゲット
８０ 下カメラ
９０ ポゴフレーム
１００ プローブカード
１０２ プローブ
１０３ 第１ターゲット
１１０ 基準合わせカメラ
Ｂ２ 合致位置
Ｂ３ 接触位置
Ｂ４ 接触位置
Ｐ 電極
Ｗ ウェハ
２２ 制御部
５０ アライナ
６０ 上カメラ
７０ チャックトップ
７１ 第２ターゲット
８０ 下カメラ
９０ ポゴフレーム
１００ プローブカード
１０２ プローブ
１０３ 第１ターゲット
１１０ 基準合わせカメラ
Ｂ２ 合致位置
Ｂ３ 接触位置
Ｂ４ 接触位置
Ｐ 電極
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】