特開 2023-50719 発光素子及び発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023050719

(43)【公開日】2023-04-11

(54)【発明の名称】発光素子及び発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/14 20100101AFI20230404BHJP

【ＦＩ】

H01L33/14

【審査請求】有

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021160974

(22)【出願日】2021-09-30

(71)【出願人】

【識別番号】000226057

【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100108062

【弁理士】

【氏名又は名称】日向寺 雅彦

(74)【代理人】

【識別番号】100168332

【弁理士】

【氏名又は名称】小崎 純一

(74)【代理人】

【識別番号】100172188

【弁理士】

【氏名又は名称】内田 敬人

(72)【発明者】

【氏名】片山 真弘

【テーマコード（参考）】

5F241

【Ｆターム（参考）】

5F241AA21

5F241CA04

5F241CA05

5F241CA40

5F241CA92

5F241CA93

5F241CB04

5F241CB15

5F241CB36

(57)【要約】

【課題】電流密度分布のばらつきを低減することができ、且つｐ側外部電極の樹脂部材による保護もしやすい発光素子及び発光装置を提供する。
【解決手段】ｐ側外部電極は、平面視において第１方向に延びる第１部分と、平面視において第１部分から第１辺に向けて延び、第１方向において互いに離れて位置する複数の第２部分とを有する。複数のｎ側開口部は、平面視において隣り合う第２部分の間に位置する少なくとも１つの第１開口部と、平面視においてｐ側外部電極よりもｎ側外部電極側に位置する少なくとも１つの第２開口部と、平面視において半導体構造体の第１辺とｐ側半導体層の外縁との間に位置する少なくとも１つの第３開口部とを含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に位置する活性層とを含み、平面視において第１方向に延びる第１辺を有する半導体構造体であって、前記ｎ側半導体層は前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する複数の接続面を有する前記半導体構造体と、
前記半導体構造体を覆う絶縁膜であって、前記複数の接続面の上方に位置し前記複数の接続面を露出させる複数のｎ側開口部と、前記ｐ側半導体層の上方に位置するｐ側開口部と、を有する前記絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配置され、前記ｎ側開口部を通じて前記複数の接続面に接続したｎ側配線電極と、
前記絶縁膜上に配置され、前記ｐ側開口部を通じて前記ｐ側半導体層と電気的に接続したｐ側配線電極と、
前記ｎ側配線電極上に配置されたｎ側外部電極と、
前記ｐ側配線電極上に配置され、平面視において前記ｎ側外部電極よりも前記第１辺側に位置するｐ側外部電極であって、平面視において前記第１方向に延びる第１部分と、平面視において前記第１部分から前記第１辺に向けて延び、前記第１方向において互いに離れて位置する複数の第２部分とを有する前記ｐ側外部電極と、
を備え、
前記複数のｎ側開口部は、平面視において隣り合う前記第２部分の間に位置する少なくとも１つの第１開口部と、平面視において前記ｐ側外部電極よりも前記ｎ側外部電極側に位置する少なくとも１つの第２開口部と、平面視において前記半導体構造体の前記第１辺と前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する少なくとも１つの第３開口部とを含む発光素子。

【請求項2】

平面視において、前記半導体構造体は、前記第１辺の反対側に位置し前記第１方向に延びる第２辺と、前記第１辺と前記第２辺とを繋ぎ前記第１方向に直交する第２方向に延びる第３辺と、前記第３辺の反対側に位置し前記第１辺と前記第２辺とを繋ぎ前記第２方向に延びる第４辺と、を有し、
前記複数のｎ側開口部は、平面視において、前記第２辺と前記ｐ側半導体層の外縁との間、前記第３辺と前記ｐ側半導体層の外縁との間、および、前記第４辺と前記ｐ側半導体層の外縁との間のそれぞれに位置する少なくとも１つの第４開口部を含む請求項１に記載の発光素子。

【請求項3】

前記半導体構造体は、平面視において、前記第２辺よりも前記第１辺に近い第１領域と、前記第１辺よりも前記第２辺に近い第２領域と、を有し、
前記ｐ側外部電極は、平面視において、前記第１領域と重なる位置であって、前記第２領域から離れた位置に位置し、
前記ｎ側外部電極は、平面視において、前記第２領域と重なる位置であって、前記第１領域から離れた位置に位置し、
前記第１領域に配置された前記複数のｎ側開口部間の前記第２方向における距離はそれぞれ第１距離であり、前記第２領域に配置された前記複数のｎ側開口部間の前記第２方向における距離はそれぞれ第２距離であり、
前記第１距離と前記第２距離とは異なる請求項２に記載の発光素子。

【請求項4】

前記第１方向に直交する第２方向における前記第１部分の幅は、前記第１方向における前記第２部分の幅よりも大きい請求項１～３のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項5】

前記第１開口部及び前記第３開口部は、前記第１方向に直交する第２方向と平行な直線上に位置する請求項１～４のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項6】

前記複数の第２部分のうち前記第１方向の両端に位置する前記第２部分の前記第１方向の幅は、前記複数の第２部分のうち前記第１方向の両端に位置する前記第２部分の間に位置する前記第２部分の前記第１方向の幅よりも大きい請求項１～５のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項7】

前記第１開口部のうち最も前記第１部分に近い前記第１開口部は、前記第１辺よりも前記第１部分に近い位置に位置する請求項１～６のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項8】

複数の前記第１開口部が、前記第１方向で隣り合う前記第２部分の間に配置されている請求項１～７のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項9】

前記第１開口部に露出する前記接続面の面積は、前記第２開口部に露出する前記接続面の面積よりも大きい請求項１～８のいずれか１つに記載の発光素子。

【請求項10】

請求項１～９のいずれか１つに記載の発光素子と、
前記ｎ側外部電極と前記ｐ側外部電極との間、及び前記複数の第２部分の間に配置され、前記活性層からの光に対して反射性を有する粒子を含む樹脂部材と、
を備える発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、発光素子及び発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

はんだ等により実装基板に接合される発光素子がある。その発光素子の実装面に配置されたｐ側外部電極の平面視における形状として、例えば特許文献１、２には櫛形形状が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－８２２３１号公報

【特許文献2】特表２０１７－５３５０５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明は、電流密度分布のばらつきを低減することができ、且つｐ側外部電極の樹脂部材による保護もしやすい発光素子及び発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様によれば、発光素子は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、前記ｎ側半導体層と前記ｐ側半導体層との間に位置する活性層とを含み、平面視において第１方向に延びる第１辺を有する半導体構造体であって、前記ｎ側半導体層は前記ｐ側半導体層及び前記活性層から露出する複数の接続面を有する前記半導体構造体と、前記半導体構造体を覆う絶縁膜であって、前記複数の接続面の上方に位置し前記複数の接続面を露出させる複数のｎ側開口部と、前記ｐ側半導体層の上方に位置するｐ側開口部と、を有する前記絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置され、前記ｎ側開口部を通じて前記複数の接続面に接続したｎ側配線電極と、前記絶縁膜上に配置され、前記ｐ側開口部を通じて前記ｐ側半導体層と電気的に接続したｐ側配線電極と、前記ｎ側配線電極上に配置されたｎ側外部電極と、前記ｐ側配線電極上に配置され、平面視において前記ｎ側外部電極よりも前記第１辺側に位置するｐ側外部電極であって、平面視において前記第１方向に延びる第１部分と、平面視において前記第１部分から前記第１辺に向けて延び、前記第１方向において互いに離れて位置する複数の第２部分とを有する前記ｐ側外部電極と、を備える。前記複数のｎ側開口部は、平面視において隣り合う前記第２部分の間に位置する少なくとも１つの第１開口部と、平面視において前記ｐ側外部電極よりも前記ｎ側外部電極側に位置する少なくとも１つの第２開口部と、平面視において前記半導体構造体の前記第１辺と前記ｐ側半導体層の外縁との間に位置する少なくとも１つの第３開口部とを含む。

【発明の効果】

【0006】

本発明によれば、電流密度分布のばらつきを低減することができ、且つｐ側外部電極の樹脂部材による保護もしやすい発光素子及び発光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の発光装置の斜視図である。

【図2】本発明の一実施形態の発光素子の平面図である。

【図3】図２のIII-III線における断面図である。

【図4】本発明の第１の変形例による発光素子の平面図である。

【図5】本発明の第２の変形例による発光素子の平面図である。

【図6】本発明の第３の変形例による発光素子の平面図である。

【図7】本発明の第４の変形例による発光素子の平面図である。

【図8】本発明の一実施形態の発光装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照し、実施形態について説明する。各図面中、同じ構成には同じ符号を付している。なお、各図面は、実施形態を模式的に示したものであるため、各部材のスケール、間隔若しくは位置関係などが誇張、又は部材の一部の図示を省略する場合がある。また、断面図として、切断面のみを示す端面図を示す場合がある。

【0009】

図１に示すように、本発明の一実施形態の発光装置１００は、発光素子１０１と樹脂部材９０とを備える。

【0010】

まず、発光素子１０１について説明する。
図２は、発光素子１０１の平面図である。図３は、図２のIII-III線における断面図である。

【0011】

図３に示すように、発光素子１０１は、基板１０と、基板１０上に配置された半導体構造体２０とを有する。基板１０の材料は、例えば、サファイア、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮなどである。基板１０により、半導体構造体２０を保護することができる。基板１０は無くてもよく、その場合、後述する活性層２２からの光を半導体構造体２０の外部へ取り出しやすくすることができる。

【0012】

半導体構造体２０は、窒化物半導体からなる複数の半導体層が積層された積層体である。窒化物半導体は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含み得る。

【0013】

図２に示すように、半導体構造体２０は、平面視において、第１方向ｄ１に延びる第１辺１と、第１辺１の反対側に位置し第１方向ｄ１に延びる第２辺２と、第１辺１と第２辺２とを繋ぎ第１方向ｄ１に直交する第２方向ｄ２に延びる第３辺３と、第３辺３の反対側に位置し第１辺１と第２辺２とを繋ぎ第２方向ｄ２に延びる第４辺４とを有する。第１辺１、第２辺２、第３辺３、及び第４辺４は、半導体構造体２０の外縁を構成する。半導体構造体２０の各辺の大きさは、例えば、それぞれ、１００μｍ以上２０００μｍ以下の範囲である。また、半導体構造体２０は、平面視において、第２辺２よりも第１辺１に近い第１領域Ａ１と、第１辺１よりも第２辺２に近い第２領域Ａ２とを有する。例えば、第１領域Ａ１は、平面視において、半導体構造体２０を第３辺３の垂直二等分線で二等分したときに画定する２つの領域のうち第２辺２よりも第１辺１に近い領域である。例えば、第２領域Ａ２は、平面視において、半導体構造体２０を第３辺３の垂直二等分線で二等分したときに画定する２つの領域のうちの第１辺１よりも第２辺２に近い領域である。

【0014】

図３に示すように、半導体構造体２０は、ｎ側半導体層２１と、ｐ側半導体層２３と、ｎ側半導体層２１とｐ側半導体層２３との間に位置する活性層２２とを含む。平面視において、半導体構造体２０の外縁は、ｎ側半導体層２１の外縁となる。従って、第１辺１、第２辺２、第３辺３、及び第４辺４は、ｎ側半導体層２１の外縁を構成する。

【0015】

ｎ側半導体層２１は、ｎ型不純物を含むｎ型層を有する。ｐ側半導体層２３は、ｐ型不純物を含むｐ型層を有する。ｎ側半導体層２１及びｐ側半導体層２３は、ｎ型不純物やｐ型不純物を意図的にドープしていないアンドープ層を含んでいてもよい。

【0016】

活性層２２は、例えば、複数の井戸層と複数の障壁層とを含む多重量子井戸構造を有する。複数の井戸層として、例えば、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮなどを用いることができる。複数の障壁層として、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどを用いることができる。活性層２２は、例えば、紫外光又は可視光を発光する。紫外光の発光ピーク波長は、例えば、４００ｎｍ以下である。活性層２２は、可視光としては、例えば、青色光、緑色光を発することができる。青色光の発光ピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下である。緑色光の発光ピーク波長は、例えば、５００ｎｍ以上５４０ｎｍ以下である。

【0017】

ｎ側半導体層２１は、基板１０側に位置する光取り出し面２１ａと、光取り出し面２１ａの反対側に位置する複数の接続面２１ｂ、２１ｃとを有する。接続面２１ｂ、２１ｃは、ｐ側半導体層２３及び活性層２２に覆われず、ｐ側半導体層２３及び活性層２２から露出している。

【0018】

図２に示すように、接続面は、内側接続面２１ｂと外側接続面２１ｃとを含む。平面視において、外側接続面２１ｃは、第１辺１とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間、第２辺２とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間、第３辺３とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間、及び第４辺４とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に位置する。平面視において、ｐ側半導体層２３の外縁２３ａよりも内側に、複数の内側接続面２１ｂが配置されている。平面視において、内側接続面２１ｂは、ｐ側半導体層２３に囲まれている。内側接続面２１ｂの平面視における形状は、例えば円形である。

【0019】

図３に示すように、発光素子１０１は、半導体構造体２０上に配置された配線部３０をさらに有する。配線部３０は、ｐ側電極４１と、カバー膜４５と、第１絶縁膜５１と、第２絶縁膜５２と、ｎ側配線電極６１と、ｐ側配線電極６２とを有する。

【0020】

ｐ側電極４１は、ｐ側半導体層２３の上面に配置され、ｐ側半導体層２３と電気的に接続されている。ｐ側電極４１は、活性層２２からの光に対する反射率が６０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは、活性層２２からの光に対する反射率が７０％以上であることが好ましい。ｐ側電極４１は、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む材料からなる。

【0021】

カバー膜４５は、ｐ側半導体層２３上に配置され、ｐ側電極４１の上面及び側面を覆っている。カバー膜４５を配置されることで、外部からｐ側電極４１に水分が侵入することを低減でき、ｐ側電極４１のマイグレーションを低減することができる。カバー膜４５は、絶縁膜であり、例えば、シリコン窒化膜にすることでｐ側電極４１に水分が侵入することを低減でき、ｐ側電極４１のマイグレーションを好適に低減することができる。

【0022】

第１絶縁膜５１は、半導体構造体２０及びカバー膜４５を覆っている。第１絶縁膜５１は、例えば、シリコン酸化膜である。第１絶縁膜５１は、複数の接続面２１ｂ、２１ｃの上方に位置し複数の接続面２１ｂ、２１ｃを露出させる複数のｎ側開口部５１ａ～５１ｅと、ｐ側半導体層２３の上方に位置するｐ側開口部５１ｆとを有する。ｐ側開口部５１ｆは、ｐ側半導体層２３上のｐ側電極４１を露出させる。

【0023】

ｎ側配線電極６１は、第１絶縁膜５１上に配置されている。ｎ側配線電極６１は、ｎ側開口部５１ａ～５１ｅを通じて複数の接続面２１ｂ、２１ｃに接続し、ｎ側半導体層２１と電気的に接続している。ｎ側配線電極６１の材料として、例えば、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、白金（Ｐｔ）などを用いることができる。

【0024】

ｐ側配線電極６２は、第１絶縁膜５１上に配置されている。ｐ側配線電極６２は、ｐ側開口部５１ｆを通じてｐ側電極４１に接続し、ｐ側半導体層２３と電気的に接続している。ｐ側配線電極６２が配置されていることにより、ｐ側電極４１と、後述するｐ側金属部材６４との電気的なコンタクトを良好にすることができる。ｐ側配線電極６２の材料として、例えば、ｎ側配線電極６１と同じ材料を用いることができる。例えば、ｐ側配線電極６２がチタン（Ｔｉ）を含むことで、ｐ側金属部材６４との電気的なコンタクトを良好にすることができる。ｐ側配線電極６２は、ｐ側開口部５１ｆを通じて、ｐ側電極４１に接続する。

【0025】

第２絶縁膜５２は、ｎ側配線電極６１、ｐ側配線電極６２、及び、第１絶縁膜５１を覆っている。第２絶縁膜５２は、例えば、シリコン酸化膜である。ｎ側配線電極６１の一部及びｐ側配線電極６２の一部は、第２絶縁膜５２から露出している。

【0026】

発光素子１０１は、配線部３０上に配置されたｎ側外部電極７１とｐ側外部電極７２をさらに有する。

【0027】

ｎ側外部電極７１は、ｎ側配線電極６１における第２絶縁膜５２から露出された部分の上に配置されている。ｎ側外部電極７１は、ｎ側金属部材６３を介して、ｎ側配線電極６１と電気的に接続されている。ｎ側金属部材６３は、ｎ側外部電極７１をめっき成長させて形成する場合、シード層として機能することができる。または、ｎ側外部電極７１は、ｎ側配線電極６１と直接接続されてもよい。ｎ側外部電極７１の材料として、例えば、銅（Ｃｕ）などを用いることができる。ｎ側金属部材６３の材料として、例えば、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などを用いることができる。

【0028】

ｐ側外部電極７２は、ｐ側配線電極６２における第２絶縁膜５２から露出された部分の上に配置されている。ｐ側外部電極７２は、ｐ側金属部材６４を介して、ｐ側配線電極６２と電気的に接続されている。ｐ側金属部材６４は、ｐ側外部電極７２をめっき成長させて形成する場合、シード層として機能することができる。または、ｐ側外部電極７２は、直接ｐ側配線電極６２と接続されてもよい。ｐ側外部電極７２の材料として、例えば、ｎ側外部電極７１と同じ材料を用いることができる。ｐ側金属部材６４の材料として、例えば、ｎ側金属部材６３と同じ材料を用いることができる。

【0029】

図２に示すように、ｎ側外部電極７１は、平面視において、ｐ側外部電極７２よりも第２辺２に近い側に位置する。ｎ側外部電極７１は、平面視において、第２領域Ａ２と重なる位置であって、第１領域Ａ１から離れた位置に位置する。

【0030】

ｐ側外部電極７２は、平面視において、ｎ側外部電極７１よりも第１辺１に近い側に位置する。ｐ側外部電極７２は、平面視において、第１領域Ａ１と重なる位置であって、第２領域Ａ２から離れた位置に位置する。

【0031】

ｐ側外部電極７２は、平面視において第１方向ｄ１に延びる第１部分７３と、平面視において第１部分７３から半導体構造体２０の第１辺１に向けて延び、第１方向ｄ１において互いに離れて位置する複数の第２部分７４とを有する。平面視において、複数の第２部分７４は、第１辺１と第１部分７３との間に位置する。第２部分７４の第２方向ｄ２における長さは、例えば、２０μｍ以上１０００μｍ以下であり、好ましくは、１００μｍ以上４００μｍ以下である。また、第１方向ｄ１において隣り合う第２部分７４の間の距離は、例えば、２０μｍ以上４００μｍ以下であり、好ましくは、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。第２部分７４の第２方向ｄ２における長さ、及び、第１方向ｄ１において隣り合う第２部分７４の間の距離をこの範囲にすることで、後述する第１開口５１ａを配置しやすくすることができる。

【0032】

図２に示すように、第１絶縁膜５１は、ｎ側半導体層２１の接続面２１ｂ、２１ｃを露出させる複数のｎ側開口部として、第１開口部５１ａと、第２開口部５１ｂと、第３開口部５１ｃとを含む。第１開口部５１ａ及び第２開口部５１ｂは、内側接続面２１ｂを露出させる。第３開口部５１ｃは、外側接続面２１ｃを露出させる。

【0033】

少なくとも１つの第１開口部５１ａが、平面視においてｐ側外部電極７２の隣り合う第２部分７４の間に位置する。図２に示す例では、第１方向ｄ１において隣り合う第２部分７４の間に１つの第１開口部５１ａが配置されている。隣り合う第２部分７４の間の領域は複数あるため、発光素子全体としては複数の第１開口部５１ａが配置されている。図２に示す例では、第２部分７４の間の領域のそれぞれに、第１開口部５１ａが配置されている。また、図２に示す例では、第２部分７４の数よりも１つ少ない複数の第１開口部５１ａが第１方向ｄ１に沿って配置されている。図２に示す例では、６つの第１開口部５１ａが第１方向ｄ１に沿って配置されている。図２に示す例では、第２部分７４の間に配置された複数の第１開口部５１ａのうち最も第１部分７３に近い第１開口部５１ａを、第１辺１よりも第１部分７３に近い位置に配置している。隣り合う第２部分７４の間の領域のうち第１部分７３に近い領域は、他の領域よりも電流密度が低くなる傾向がある。図２に示す例において、第２部分７４の間に配置された複数の第１開口部５１ａのうち最も第１部分７３に近い第１開口部５１ａを、第１辺１よりも第１部分７３に近い位置に配置する。これにより、隣り合う第２部分７４の間の第１部分７３に近い領域に第１開口部５１ａを配置し、第２部分７４の間において、電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0034】

少なくとも１つの第２開口部５１ｂが、平面視において、ｐ側外部電極７２よりもｎ側外部電極７１に近い側に位置する。図２に示す例では、第２領域Ａ２に第１開口部５１ａよりも多い複数の第２開口部５１ｂが、第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２に沿って配置されている。図２に示す例では、第２領域Ａ２に１８個の第２開口部５１ｂが配置されており、第１領域Ａ１に６個の第１開口部５１ａが配置されている。

【0035】

少なくとも１つの第３開口部５１ｃが、平面視において、半導体構造体２０の第１辺１とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に位置する。図２に示す例では、第１開口部５１ａと同じ数の複数の第３開口部５１ｃが、第１辺１とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に第１方向ｄ１に沿って配置されている。図２に示す例では、第１開口部５１ａと、第３開口部５１ｃの数はそれぞれ６つである。

【0036】

複数のｎ側開口部は、さらに第４開口部５１ｄを含む。第４開口部５１ｄは、平面視において、第２辺２とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間、第３辺３とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間、および、第４辺４とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間のそれぞれに位置する。第４開口部５１ｄは、外側接続面２１ｃを露出させる。図２に示す例では、第３開口部５１ｃと同じ数の複数の第４開口部５１ｄが第２辺２とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に配置される。また、図２に示す例では、第３開口部５１ｃと同じ数の複数の第４開口部５１ｄが第３辺３とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に配置される。同様に、図２に示す例では、第３開口部５１ｃと同じ数の複数の第４開口部５１ｄが第４辺４とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に配置されている。図２に示す例では、第３開口部５１ｃの数は６つである。図２に示す例では、第２辺２とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に配置される第４開口部５１ｄの数は６つである。図２に示す例では、第４辺４とｐ側半導体層２３の外縁２３ａとの間に配置される第４開口部５１ｄの数は６つである。

【0037】

複数のｎ側開口部は、さらに、第１領域Ａ１に配置された第５開口部５１ｅを含む。第５開口部５１ｅは、第２方向ｄ２において、第１開口部５１ａと第２開口部５１ｂとの間に位置する。第５開口部５１ｅは、平面視において、ｎ側外部電極７１よりもｐ側外部電極７２に近い側に位置する。図２に示す例では、第１開口部５１ａと同じ数の複数の第５開口部５１ｅが第１方向ｄ１に沿って配置されている。図２に示す例では、第１開口部５１ａと第５開口部５１ｅの数はそれぞれ６つである。第５開口部５１ｅは、内側接続面２１ｂを露出させる。

【0038】

第１開口部５１ａ、第２開口部５１ｂ、及び第５開口部５１ｅを通じて、ｎ側配線電極６１がｎ側半導体層２１の内側接続面２１ｂに接続する。第３開口部５１ｃ及び第４開口部５１ｄを通じて、ｎ側配線電極６１がｎ側半導体層２１の外側接続面２１ｃに接続する。

【0039】

図１及び図８に示すように、発光装置１００における樹脂部材９０は、配線部３０における第２絶縁膜５２の表面上に配置され、第２絶縁膜５２の表面を覆う。また、樹脂部材９０は、発光素子１０１の基板１０の側面及びｎ側半導体層２１の側面を覆う。

【0040】

図１に示すように、発光装置１００は、波長変換部材８０を備えている。例えば、波長変換部材８０は、樹脂部材９０及び基板１０に接して形成される。波長変換部材８０は、例えば、蛍光体が含まれた透光性樹脂を用いることができる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）、αサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２Ｓｉ_０．９９Ａｌ_０．０１Ｆ_５．９９：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ_２又はＡｇＩｎＳｅ_２）等を用いることができる。

【0041】

図１及び図８に示すように、樹脂部材９０は、ｎ側外部電極７１とｐ側外部電極７２との間に配置される。さらに、樹脂部材９０は、ｎ側外部電極７１の周り及びｐ側外部電極７２の周りを囲むように配置される。樹脂部材９０は、ｎ側外部電極７１の側面及びｐ側外部電極７２の側面を覆う。また、樹脂部材９０は、ｐ側外部電極７２の複数の第２部分７４の間に配置され、第２部分７４の側面を覆う。

【0042】

ｎ側外部電極７１におけるｎ側配線電極６１との接続面の反対側のｎ側実装面７１ａ、及びｐ側外部電極７２におけるｐ側配線電極６２との接続面の反対側のｐ側実装面７２ａは、樹脂部材９０から露出している。ｎ側実装面７１ａ及びｐ側実装面７２ａは、例えばはんだなどの接合部材を介して実装基板に接合される。

【0043】

樹脂部材９０は、活性層２２からの光に対して反射性を有する粒子を含む。活性層２２からの光に対して反射性を有する粒子を含んだ、樹脂部材９０の活性層２２からの光に対する反射率は、６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがさらに好ましい。樹脂部材９０の樹脂材料として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。反射性を有する粒子として、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化シリコン等の粒子を用いることができる。

【0044】

ｐ側外部電極７２からの電流は、ｐ側半導体層２３上に配置されたｐ側電極４１によってｐ側半導体層２３の面方向に拡散して供給される。ｎ側外部電極７１と電気的に接続されるｎ側半導体層２１の接続面２１ｂ、２１ｃは、平面視においてｐ側外部電極７２と重ならない位置に配置される。接続面２１ｂ、２１ｃを露出させるｎ側開口部５１ａ～５１ｅも、平面視においてｐ側外部電極７２と重ならない位置に配置される。

【0045】

実施形態によれば、ｐ側外部電極７２が第１部分７３と第２部分７４とを有し、複数の第２部分７４の間に第１開口部５１ａを配置している。これにより、ｐ側外部電極７２のｐ側実装面７２ａの面積を大きく確保して実装基板への接合強度を高めつつ、第１開口部５１ａをｐ側外部電極７２が配置された第１領域Ａ１にも配置することができるので、第１領域Ａ１に配置されるｎ側開口部の数を増やすことができる。これにより、電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0046】

また、ｐ側外部電極７２の複数の第２部分７４が、第１部分７３から半導体構造体２０の外縁を構成する第１辺１に向けて延びる。これにより、複数の第２部分７４が、第１部分７３からｎ側外部電極７１側に向けて延びる構成に比べて、図１に示す発光装置１００にしたときに第２部分７４の間に樹脂部材９０が回り込みやすい。第１辺１側、第２辺２側、第３辺３側、及び、第４辺４側から、樹脂部材９０が、ｐ側外部電極７２の側面に回り込むことで、樹脂部材９０が形成される。ｐ側外部電極７２の複数の第２部分７４が、第１部分７３から半導体構造体２０の外縁を構成する第１辺１に向けて延びる場合、第１辺１側からの樹脂部材９０が、複数の第２部分７４の間に回り込みやすい。すなわち、ｐ側外部電極７２の第２部分７４を樹脂部材９０によって保護しやすくなり、信頼性を高くできる。

【0047】

また、第１方向ｄ１において隣り合う第２部分７４の間の第１開口部５１ａの周りは、例えば、第２開口部５１ｂの周りと比べて電流が集中して強発光しやすい。強発光しやすい領域の第２部分７４の間の第１開口部５１ａ上に光反射性の樹脂部材９０が回り込みやすくなることで、樹脂部材９０による反射により光取り出し効率を向上させることができる。

【0048】

第１領域Ａ１に配置された複数のｎ側開口部間の第２方向ｄ２における距離はそれぞれ第１距離であり、第２領域Ａ２に配置された複数のｎ側開口部間の第２方向ｄ２における距離はそれぞれ第２距離である。図２に示す例では、第１領域Ａ１に配置された第１開口部５１ａ及び第５開口部５１ｅ間の第２方向ｄ２における距離はそれぞれ第１距離であり、第２領域Ａ２に配置された第２開口部５１ｂ間の第２方向ｄ２における距離はそれぞれ第２距離である。第１距離と第２距離とは異なる。

【0049】

ｎ側半導体層２１の接続面２１ｂを露出させるｎ側開口部は、平面視においてｐ側外部電極７２と離れた位置に配置される。このようなｎ側開口部の位置の制約上、ｐ側外部電極７２が位置する第１領域Ａ１に配置されたｎ側開口部（第１開口部５１ａ及び第５開口部５１ｅ）の数と、ｎ側外部電極７１が位置する第２領域Ａ２に配置されたｎ側開口部（第２開口部５１ｂ）の数とが異なる場合がある。この場合でも、第１領域Ａ１に配置された複数のｎ側開口部間の距離をそれぞれ第１距離（第１開口部５１ａと第５開口部５１ｅとの第２方向ｄ２における距離）とすることで、第１領域Ａ１において電流密度分布のばらつきを低減することができる。さらに、第２領域Ａ２に配置された複数のｎ側開口部間の距離をそれぞれ第２距離（第２開口部５１ｂ間の第２方向ｄ２における距離）とすることで、第２領域Ａ２において電流密度分布のばらつきを低減することができる。その結果、半導体構造体２０の電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0050】

図２に示す例では、第１領域Ａ１に配置されたｎ側開口部の数は、第２領域Ａ２に配置されたｎ側開口部の数よりも少ない。つまり、図２に示す例では、第１領域Ａ１に配置された第１開口部５１ａ及び第５開口部５１ｅの数は、第２領域Ａ２に配置された第２側開口部５１ｂの数よりも少ない。したがって、第１距離を第２距離よりも長くすることで、第１領域Ａ１における電流密度分布の偏りを低減して、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間の電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0051】

前述したように、ｐ側実装面７２ａは、例えばはんだなどの接合部材を介して実装基板に接合される。実装基板の反りなどによって、接合部材に亀裂が生じる可能性がある。ｐ側外部電極７２の第１部分７３の第２方向ｄ２における幅は、ｐ側外部電極７２の第２部分７４の第１方向ｄ１における幅よりも大きい。これにより、ｐ側実装面７２ａに接合される接合部材に生じ得る亀裂が、第１部分７３に重なる領域において、第２方向ｄ２における接合部材の一端から他端まで連続して形成されることが発生しにくくなる。その結果、発光素子１０１と実装基板との電気的な接続の不具合の発生を低減することができる。例えば、第１部分７３の第２方向ｄ２における幅は、ｐ側外部電極７２の第２部分７４の第１方向ｄ１における幅の１．５倍以上３倍以下とすることができる。また、前述したように、第１距離を第２距離より長くしつつ、ｐ側外部電極７２の第１部分７３の第２方向ｄ２における幅を、ｐ側外部電極７２の第２部分７４の第１方向ｄ１における幅よりも大きくすることが好ましい。これにより、第１領域Ａ１における電流密度分布の偏りを低減しつつ、発光素子１０１と実装基板との電気的な接続の不具合の発生を低減することができる。

【0052】

また、第１開口部５１ａ及び第３開口部５１ｃが、第２方向ｄ２と平行な直線上に位置する。これにより、隣り合う第２部分７４の間において、電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0053】

また、第２方向ｄ２において、第２部分７４と第１辺１の間に第３開口部５１ｃが位置しない。その結果、第２部分７４を第１辺１により近づけることができる。これにより、ｐ側外部電極７２の面積を大きくすることができる。従って、ｐ側実装面７２ａに接合される接合部材において、第２方向ｄ２における接合部材の一端から他端まで連続して形成されることが発生しにくくなる。

【0054】

図４は、本発明の第１の変形例を示す。本発明の第１の変形例は、図１～３で示す実施形態と、第１開口部５１ａの配置と、第１部分７３の第２方向ｄ２における幅が少なくとも異なる。図４に示すように、第１方向ｄ１で隣り合う第２部分７４の間に複数の第１開口部５１ａを配置することができる。これにより、電流密度分布のばらつきをより低減することができる。第２部分７４の間に配置された複数の第１開口部５１ａのうち最も第１部分７３に近い第１開口部５１ａは、第１辺１よりも第１部分７３に近い位置に配置することができる。隣り合う第２部分７４の間の領域のうち第１部分７３に近い領域は、他の領域よりも電流密度が低くなる傾向がある。第２部分７４の間に配置された複数の第１開口部５１ａのうち最も第１部分７３に近い第１開口部５１ａを、第１辺１よりも第１部分７３に近い位置に配置する。これにより、隣り合う第２部分７４の間の第１部分７３に近い領域に第１開口部５１ａを配置し、第２部分７４の間において、電流密度分布のばらつきを低減することができる。

【0055】

図５は、本発明の第２の変形例を示す。本発明の第２の変形例は、図１～３で示す実施形態及び本発明の第１の変形例と、平面視におけるｐ側外部電極７２の形状が少なくとも異なる。図５に示すように、複数の第２部分７４のうち第１方向ｄ１の両端に位置する第２部分７４の第１方向ｄ１の幅を、複数の第２部分７４のうち両端に位置する第２部分７４の間に位置する第２部分７４の第１方向ｄ１の幅よりも大きくすることができる。例えばはんだなどの接合部材に生じ得る亀裂は、発光素子１０１の角部において発生しやすい傾向がある。第２の変形例によれば、発光素子１０１の角部において、接合部材に生じ得る亀裂による発光素子１０１と実装基板との電気的な接続の不具合の発生を低減することができる。例えば、複数の第２部分７４のうち第１方向ｄ１の両端に位置する第２部分７４の第１方向ｄ１の幅は、複数の第２部分７４のうち両端に位置する第２部分７４の間に位置する第２部分７４の第１方向ｄ１の幅の２倍以上５倍以下とすることができる。また、例えば、複数の第２部分７４のうち第１方向ｄ１の両端に位置する第２部分７４の第１方向ｄ１の幅は、１００μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。

【0056】

図６は、本発明の第３の変形例を示す。本発明の第３の変形例は、図１～３で示す実施形態、本発明の第１の変形例、及び、本発明の第２の変形例と平面視におけるｐ側外部電極７２の形状が少なくとも異なる。図６に示すように、複数の第２部分７４のすべての第１方向ｄ１の幅を実施形態よりも大きくしてもよい。例えば、複数の第２部分７４のすべての第１方向ｄ１の幅を、第１部分７３の第２方向ｄ２の幅と同程度にすることができる。

【0057】

図７に示すように、隣り合う第２部分７４の第１方向ｄ１の距離に応じて、第１開口部５１ａに露出する内側接続面２１ｂの面積を、第２開口部５１ｂに露出する内側接続面２１ｂの面積よりも大きくすることができる。例えば、第１開口部５１ａに露出する内側接続面２１ｂの面積を、第２開口部５１ｂに露出する内側接続面２１ｂの面積の１．１倍以上２倍以下にすることができる。隣り合う第２部分７４の間の第１開口部５１ａの周りは、例えば、第２開口５１ｂの周りと比べて電流が集中しやすい。隣り合う第２部分７４の第１方向ｄ１の距離に応じて、第１開口部５１ａに露出する内側接続面２１ｂの面積を変えることにより、電流密度分布のばらつきをより低減することができる。

【0058】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の前述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0059】

１…第１辺、２…第２辺、３…第３辺、４…第４辺、１０…基板、２０…半導体構造体、２１…ｎ側半導体層、２１ｂ…接続面（内側接続面）、２１ｃ…接続面（外側接続面）、２２…活性層、２３…ｐ側半導体層、３０…配線部、４１…ｐ側電極、４５…カバー膜、５１…第１絶縁膜、５１ａ…ｎ側開口部（第１開口部）、５１ｂ…ｎ側開口部（第２開口部）、５１ｃ…ｎ側開口部（第３開口部）、５１ｄ…ｎ側開口部（第４開口部）、５１ｅ…ｎ側開口部（第５開口部）、５２…第２絶縁膜、６１…ｎ側配線電極、６２…ｐ側配線電極、７１…ｎ側外部電極、７２…ｐ側外部電極、７３…第１部分、７４…第２部分、８０…波長変換部材、９０…樹脂部材、１００…発光装置、１０１…発光素子、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】