特開 2023-53918 上部電極アセンブリ及びプラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023053918

(43)【公開日】2023-04-13

(54)【発明の名称】上部電極アセンブリ及びプラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20230406BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022155478

(22)【出願日】2022-09-28

(31)【優先権主張番号】63/261,955

(32)【優先日】2021-10-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】加藤 智也

(72)【発明者】

【氏名】李 超

【テーマコード（参考）】

2G084

【Ｆターム（参考）】

2G084BB23

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD15

2G084DD38

2G084DD55

2G084DD63

2G084DD64

2G084FF32

(57)【要約】

【課題】上部電極アセンブリが有する第１の部材と第２の部材との間において安定した電気的導通を実現する。
【解決手段】プラズマ処理装置の上部電極アセンブリであって、導電性材料から形成される第１の部材と、導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、上部電極アセンブリが提供される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

プラズマ処理装置の上部電極アセンブリであって、
導電性材料から形成される第１の部材と、
導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、
前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、上部電極アセンブリ。

【請求項2】

前記導通部材は、インコネル（登録商標）、またはハステロイ（登録商標）を含む、
請求項１に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項3】

前記導通部材は、インコネル（登録商標）６２５を含む、
請求項２に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項4】

前記表面処理は、プラズマ窒化処理、プラズマ炭化処理、熱処理、またはＣＶＤによる被膜形成である、
請求項１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項5】

前記導通部材は、窒素含有表面、または炭素含有表面を有する、
請求項４に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項6】

前記第１の部材はシリコンを含む導電性部材であり、前記第２の部材はアルミニウムを含む導電性部材である、
請求項１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項7】

前記第１の部材は上部電極であり、前記第２の部材はクーリングプレートである、
請求項１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項8】

前記第１の部材は上部電極の周縁に位置するグランドリングであり、前記第２の部材は前記上部電極の周縁に位置するヒータを有する環状部材である、
請求項１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項9】

前記第１の部材の電位及び前記第２の部材の電位は、フローティング電位、またはグラウンド電位である、
請求項１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。

【請求項10】

処理チャンバと、前記処理チャンバ内にて基板を支持する基板支持部と、前記処理チャンバ内の前記基板支持部の上方に前記基板支持部に対向して設けられる上部電極アセンブリと、を有し、
前記上部電極アセンブリは、
導電性材料から形成される第１の部材と、
導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、
前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、プラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、上部電極アセンブリ及びプラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

容量結合型のプラズマ処理装置がプラズマ処理装置の一種として用いられている。例えば、特許文献１は、容量結合型のプラズマ処理装置を開示している。容量結合型のプラズマ処理装置は、上部電極を備える。上部電極は、シャワープレートと、上部電極本体を含んでいる。シャワープレートと上部電極本体との間には、金属スパイラルチューブが設けられている。金属スパイラルチューブにより、シャワープレートと上部電極本体との間の導通が確保される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－３５６５０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、上部電極アセンブリが有する第１の部材と第２の部材との間において安定した電気的導通を実現可能なプラズマ処理装置の上部電極アセンブリ及びプラズマ処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一の態様によれば、プラズマ処理装置の上部電極アセンブリであって、導電性材料から形成される第１の部材と、導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、上部電極アセンブリが提供される。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、上部電極アセンブリが有する第１の部材と第２の部材との間において安定した電気的導通を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る上部電極アセンブリの一例を示す拡大図。

【図2】第２実施形態に係る上部電極アセンブリの一例を示す拡大図。

【図3】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0009】

［上部電極アセンブリ］
本開示の例示的実施形態は、上部電極アセンブリ及びプラズマ処理装置に関するものである。本開示における上部電極アセンブリ３（図３参照）は第１の部材と第２の部材とを有する。第１の部材は、導電性材料から形成される。第２の部材は、導電性材料から形成され、第１の部材の上に設けられる。

【0010】

上部電極アセンブリ３は、第１の部材と第２の部材との間に介在し、第１の部材と第２の部材とを互いに導通させる導通部材を有する。上部電極アセンブリ３は、第１の部材と第２の部材との間に、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている。

【0011】

第１実施形態では、上部電極アセンブリ３の第１の部材及び第２の部材の一例として、図１の上部電極３１及びクーリングプレート３２を例に挙げる。第２実施形態では、上部電極アセンブリ３の第１の部材及び第２の部材の一例として、図２のグランドリング３３及び第３環状部材３６を例に挙げる。

【0012】

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る上部電極アセンブリ３について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る上部電極アセンブリ３の一例を示す拡大図である。図１は、図３の上部電極アセンブリ３の外周側の一部を拡大している。

【0013】

上部電極アセンブリ３は、上部電極３１とクーリングプレート３２とを有する。上部電極３１は、第１の部材の一例である。クーリングプレート３２は、第２の部材の一例である。導通部材４１は、上部電極３１とクーリングプレート３２との間に介在し、上部電極３１とクーリングプレート３２とを互いに導通させる。例えば導通部材４１は、上部電極３１とクーリングプレート３２との間にて周方向に全周に亘って設けられている。導通部材４１は、例えば上部電極３１の周方向に全周に亘って設けられるスパイラルチューブである。

【0014】

上部電極３１及びクーリングプレート３２の外周には、第１環状部材３４と、第１環状部材３４の下部に設けられた第２環状部材３５と、第１環状部材３４の下部に設けられた第３環状部材３６とが設けられている。第１環状部材３４はクーリングプレート３２の周囲を囲む。第２環状部材３５は径方向の断面がＬ字状であり、上部電極３１とクーリングプレート３２とを締結する締結用ネジ部５２を介して上部電極３１の周囲を囲む。第３環状部材３６は、第２環状部材３５の外周にて第２環状部材３５に隣接し、第２環状部材３５の周囲を囲む。第２環状部材３５及び第３環状部材３６の下方にはグランドリング３３が設けられている。グランドリング３３は、上部電極３１の最外周の下面、第２環状部材３５及び第３環状部材３６の下面を覆うように設けられている。第３環状部材３６は、上部電極３１の周縁に位置するヒータ３６ａを有する環状部材の一例である。

【0015】

第１環状部材３４～第３環状部材３６及びグランドリング３３は、環状である。第１環状部材３４～第３環状部材３６は、石英等の絶縁部材により形成されている。第３環状部材３６の内部には、ヒータ３６ａが設けられている。ヒータ３６ａにより上部電極アセンブリ３を温調することができる。グランドリング３３は、シリコン等の導電性部材から形成され、グラウンドに接地されている。

【0016】

締結用ネジ部５２は、上部電極３１と第２環状部材３５との間に設けられたクランプ５１を貫通する。クランプ５１が上部電極３１の外周下面に係合し上部電極３１を釣り上げている状態で、締結用ネジ部５２の下部とクランプ５１とが係合する。締結用ネジ部５２の上部はクーリングプレート３２の凹部３２ａに挿入されてクーリングプレート３２に固定され、バネ５２ａにより締結用ネジ部５２を介してクランプ５１が押し上げられる。これにより、上部電極３１は締結用ネジ部５２によって固定され、クランプ５１を介して釣り上げられている。

【0017】

上部電極３１はシリコンを含む導電性部材であり、例えばシリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、又は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）から形成されている。クーリングプレート３２はアルミニウムを含む導電性部材であり、例えばアルミニウム（Ａｌ）、又はアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）から形成されている。

【0018】

このように上部電極３１とクーリングプレート３２とは異なる部材で形成され、熱膨張が異なる。このため、処理チャンバ内で生成されたプラズマやヒータ３６ａからの入熱により、上部電極３１とクーリングプレート３２との間に隙間が発生する。

【0019】

従来、上部電極３１とクーリングプレート３２との間に介在し、上部電極３１とクーリングプレート３２とを互いに導通させるためにＳＵＳスパイラル、つまり、スパイラル状のステンレス鋼が用いられてきた。従来のＳＵＳスパイラルは復元力が足りないため、上部電極３１とクーリングプレート３２との間でつぶれた際、上部電極３１とクーリングプレート３２との間で電気的導通が確保できない場合があった。

【0020】

これに対して本実施形態にかかる導通部材４１は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている。例えば、本実施形態にかかる導通部材４１は、インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ、いずれも登録商標）、またはハステロイ（ＨＡＳＴＥＬＬＯＹ、いずれも登録商標）を含んでもよい。

【0021】

例えば、一実施形態にかかる導通部材４１は、インコネル（登録商標）６２５（ＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）６２５）を含んでもよい。本実施形態では、インコネル（登録商標）６２５を含み、かつ表面に表面処理の一例であるプラズマ窒化処理を施した導通部材４１を上部電極３１とクーリングプレート３２との間に設置する。

【0022】

本実施形態の導通部材４１は、従来のＳＵＳスパイラルよりも硬く、「耐食性に強い」、「耐熱性が高い」、「強度が強い」という特徴を有する。このため、導通部材４１はプラズマ耐性に優れるため、導通部材４１が上部電極３１とクーリングプレート３２との間でつぶれても高い復元力を発揮する。したがって、この導通部材４１を用いることにより、上部電極３１とクーリングプレート３２との間において、従来のＳＵＳスパイラルよりも安定した電気的導通を確保することができる。

【0023】

さらに、本実施形態の導通部材４１の表面にはプラズマ窒化処理が施されている。このような導通部材４１の表面処理により、よりプラズマ耐性が高くなるため、導通部材４１がプラズマからダメージを受けることをより効果的に回避することができる。

【0024】

プラズマ窒化処理は、窒素を含むガスのプラズマに導通部材４１をさらすことにより、導通部材４１の表面を窒化させ、被膜を形成する処理である。ただし、プラズマ耐性を高くできれば、導通部材４１の表面処理はプラズマ窒化処理に限らない。例えば導通部材４１の表面処理は、プラズマ窒化処理、プラズマ炭化処理、熱処理、またはＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）による被膜形成であってもよい。導通部材４１は、窒素含有表面、または炭素含有表面を有してもよい。

【0025】

プラズマ炭化処理は、炭素を含むガスのプラズマに導通部材４１をさらすことにより、導通部材４１の表面を炭化させる処理である。熱処理は、導通部材４１を加熱することにより、導通部材４１の表面を加工する処理である。ＣＶＤ処理は、導通部材４１の表面に熱ＣＶＤ又はプラズマＣＶＤにより被膜を形成することにより、導通部材４１の表面を被覆する処理である。

【0026】

導通部材４１のスパイラルチューブの直径がより大きい導通部材４１を用いることにより、上部電極３１とクーリングプレート３２との間にさらに安定した電気的導通を確保することができる。導通部材４１の断面の直径は、１ｍｍ～５ｍｍ程度である。

【0027】

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る上部電極アセンブリ３について、図２を参照しながら説明する。図２は、第２実施形態に係る上部電極アセンブリ３の一例を示す拡大図である。図２は、図３の上部電極アセンブリ３の外周側の一部を拡大している。図２に示す第２実施形態に係る上部電極アセンブリ３では、図１に示す導通部材４１が設けられておらず導通部材４２が設けられている。その他の構成は、第１実施形態に係る上部電極アセンブリ３と同じであるため、以下では導通部材４２及びその周囲の構成について説明し、その他の構成の説明を省略する。

【0028】

導通部材４２は、グランドリング３３とヒータ３６ａを有する第３環状部材３６（環状部材）との間に介在し、グランドリング３３と第３環状部材３６とを互いに導通させる。グランドリング３３は第１の部材の一例である。第３環状部材３６は第２の部材の一例である。例えば導通部材４２は、グランドリング３３と第３環状部材３６との間にて周方向に全周に亘って設けられている。導通部材４２は、例えばグランドリング３３の周方向に全周に亘って設けられるスパイラルチューブである。
これによっても、グランドリング３３と第３環状部材３６との間において、従来のＳＵＳスパイラルよりも安定した電気的導通を確保することができる。

【0029】

グランドリング３３と第３環状部材３６との隙間にはプラズマが入り込む。そのため、従来のＳＵＳスパイラルでは、プラズマに暴露した際、ＳＵＳスパイラルの表面がダメージを受ける結果、グランドリング３３と第３環状部材３６との間で電気的導通が確保できない場合があった。

【0030】

第２実施形態では、インコネル（登録商標）６２５を含み、かつ表面に表面処理の一例であるプラズマ窒化処理を施した導通部材４２をグランドリング３３と第３環状部材３６との間に設置する。

【0031】

本実施形態の導通部材４２は、従来のＳＵＳスパイラルよりも硬く、「耐食性に強い」、「耐熱性が高い」、「強度が強い」という特徴を有する。このため、導通部材４２はプラズマ耐性に優れるため、導通部材４２がプロセス中にプラズマに暴露されてもグランドリング３３と第３環状部材３６との間で高い復元力を発揮する。したがって、この導通部材４２を用いることにより、グランドリング３３と第３環状部材３６との間において、従来のＳＵＳスパイラルよりも安定した電気的導通を確保することができる。

【0032】

なお、図２では、図１の導通部材４１は設けられていないが、導通部材４２に加えて上部電極３１とクーリングプレート３２との間に介在し、上部電極３１とクーリングプレート３２と、を互いに導通させる導通部材４１を配置してもよい。これによれば、グランドリング３３と第３環状部材３６との間、及び上部電極３１とクーリングプレート３２との間において、更に安定した電気的導通を確保することができる。

【0033】

第１及び第２実施形態において、第１の部材の電位及び第２の部材の電位は、フローティング電位またはグラウンド電位であってもよい。つまり、上部電極３１とクーリングプレート３２との電位は、フローティング電位またはグラウンド電位であってもよい。また、グランドリング３３と第３環状部材３６との電位は、フローティング電位またはグラウンド電位であってもよい。フローティング電位の場合、第１の部材と第２の部材とが同電位になる保証がないため、導通部材４１及び／又は導通部材４２を第１の部材と第２の部材との間に設けることにより、より安定して第１の部材と第２の部材との間の電気的導通を確保することができる。

【0034】

［プラズマ処理装置］
一実施形態に係る上部電極アセンブリ３を有するプラズマ処理装置１００の一例について、図３を参照しながら説明する。図３のプラズマ処理装置（平行平板型プラズマ処理装置）は、上部電極アセンブリ３として本開示にかかる上部電極アセンブリを含む。

【0035】

図３は、容量結合（ＣＣＰ：ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0036】

プラズマ処理装置１００は、処理チャンバ１と上部電極アセンブリ３と下部電極４とを有する。ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力は、ＲＦ電源６から上部電極アセンブリ３（上部電極３１（図１参照））に供給され、ＲＦ電源７から下部電極４に供給される。ＲＦ電源６及びＲＦ電源７は異なるＲＦ周波数のＲＦ電力を供給し得る。

【0037】

下部電極４は、処理チャンバ１内に配置される。下部電極４は、静電チャック（ＥＳＣ）５を含み、半導体ウェハを一例とする基板Ｗを吸着し、支持する。下部電極４は、基板支持部の一例である。上部電極アセンブリ３は、処理チャンバ１内の下部電極４の上方に下部電極４に対向して設けられる。

【0038】

下部電極４は、静電チャック５及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路が下部電極４内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック５内に配置される。また、下部電極４は、基板Ｗの裏面と静電チャック５との間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0039】

プラズマ処理装置１００は、ガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスを処理チャンバ１内に導入するように構成される。ガスソース源８はガス導入部に接続され、ガス導入部から処理ガスを処理チャンバ１内に供給する。なお、ガス導入部は、加えて、処理チャンバ１の側壁に形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0040】

ガスソース源８は、少なくとも１つの処理ガスを、流量制御器を介してプラズマ処理空間１０ｓに供給するように構成される。流量制御器は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、プラズマ処理装置１００は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0041】

処理チャンバ１は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。処理チャンバ１は接地される。

【0042】

排気装置９は、処理チャンバ１に接続され、処理チャンバ１内を排気する。排気装置９は、例えば処理チャンバ１の底部に設けられたガス排出口に接続され得る。排気装置９は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0043】

ＲＦ電力は上部電極３１と下部電極４との少なくともいずれか一つに供給され、プラズマ２は上部電極３１と下部電極４との間の基板Ｗの近傍に形成される。複数のＲＦ電源６及びＲＦ電源７は上部電極３１及び下部電極４のうち同一の電極に接続されてもよい。

【0044】

従って、ＲＦ電源６及びＲＦ電源７は、処理チャンバ１において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を下部電極４に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0045】

ＲＦ電源６は、インピーダンス整合回路を介して上部電極３１に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。ＲＦ電源６は、インピーダンス整合回路を介して下部電極４に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成されてもよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、ＲＦ電源６は、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、下部電極４及び／又は上部電極３１に供給される。

【0046】

ＲＦ電源７は、インピーダンス整合回路を介して下部電極４に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、ＲＦ電源７は、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、下部電極４に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0047】

更に、可変直流電流（ＤＣ）電源１０からＤＣ電圧（直流電圧）が上部電極アセンブリ３に供給されてもよい。種々の実施形態において、ＤＣ電圧がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが上部電極３１に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、可変直流電流（ＤＣ）電源１０からＤＣ電圧（直流電圧）が下部電極４に供給されてもよい。

【0048】

制御装置５０は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１００に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置５０は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１００の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置５０の一部又は全てがプラズマ処理装置１００に含まれてもよい。制御装置５０は、処理部、記憶部及び通信インターフェースを含んでもよい。制御装置５０は、例えばコンピュータにより実現される。処理部は、記憶部からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部に格納され、処理部によって記憶部から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェースに接続されている通信回線であってもよい。処理部は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェースは、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１００との間で通信してもよい。

【0049】

以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
プラズマ処理装置の上部電極アセンブリであって、
導電性材料から形成される第１の部材と、
導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、
前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、上部電極アセンブリ。
（付記２）
前記導通部材は、インコネル（ＩＮＣＯＮＥＬ、いずれも登録商標）、またはハステロイ（ＨＡＳＴＥＬＬＯＹ、いずれも登録商標）を含む、
付記１に記載の上部電極アセンブリ。
（付記３）
前記導通部材は、インコネル（登録商標）６２５（ＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）６２５）を含む、
付記２に記載の上部電極アセンブリ。
（付記４）
前記表面処理は、プラズマ窒化処理、プラズマ炭化処理、熱処理、またはＣＶＤによる被膜形成である、
付記１～３のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。
（付記５）
前記導通部材は、窒素含有表面、または炭素含有表面を有する、
付記４に記載の上部電極アセンブリ。
（付記６）
前記第１の部材はシリコンを含む導電性部材であり、前記第２の部材はアルミニウムを含む導電性部材である、
付記１～５のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。
（付記７）
前記第１の部材は上部電極であり、前記第２の部材はクーリングプレートである、
付記１～６のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。
（付記８）
前記第１の部材は上部電極の周縁に位置するグランドリングであり、前記第２の部材は前記上部電極の周縁に位置するヒータを有する環状部材である、
付記１～６のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。
（付記９）
前記第１の部材の電位及び前記第２の部材の電位は、フローティング電位、またはグラウンド電位である、
付記１～８のいずれか一項に記載の上部電極アセンブリ。
（付記１０）
処理チャンバと、前記処理チャンバ内にて基板を支持する基板支持部と、前記処理チャンバ内の前記基板支持部の上方に前記基板支持部に対向して設けられる上部電極アセンブリと、を有し、
前記上部電極アセンブリは、
導電性材料から形成される第１の部材と、
導電性材料から形成され、前記第１の部材の上に設けられた第２の部材と、
前記第１の部材と前記第２の部材との間に介在し、前記第１の部材と前記第２の部材とを互いに導通させる導通部材と、を備え、
前記導通部材は、ニッケル、クロム及びモリブデンを含有し、かつ表面処理が施されている、プラズマ処理装置。

【0050】

なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。また、複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【0051】

本開示のプラズマ処理装置は、一枚ずつ基板を処理する枚葉装置、複数枚の基板を一括処理するバッチ装置及びセミバッチ装置のいずれにも適用できる。

【0052】

本願は、米国特許庁に２０２１年１０月１日に出願された米国仮出願６３／２６１，９５５の優先権を主張するものであり、その全内容を参照によりここに援用する。

【符号の説明】

【0053】

３ 上部電極アセンブリ
３１ 上部電極
３２ クーリングプレート
３３ グランドリング
３４ 第１環状部材
３５ 第２環状部材
３６ 第３環状部材
３６ａ ヒータ
４１、４２ 導通部材
５０ 制御装置
１００ プラズマ処理装置

【図1】

【図2】

【図3】