特開 2023-57055 組成物及びインク組成物

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023057055

(43)【公開日】2023-04-20

(54)【発明の名称】組成物及びインク組成物

(51)【国際特許分類】

   H10K 30/60 20230101AFI20230413BHJP

   C08G 61/12 20060101ALI20230413BHJP

【ＦＩ】

H01L31/08 T

C08G61/12

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022161562

(22)【出願日】2022-10-06

(31)【優先権主張番号】P 2021166474

(32)【優先日】2021-10-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000002093

【氏名又は名称】住友化学株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】矢野 綾香

(72)【発明者】

【氏名】石野 雄太

(72)【発明者】

【氏名】猪口 大輔

【テーマコード（参考）】

4J032

5F849

【Ｆターム（参考）】

4J032BA04

4J032BA20

4J032BB05

4J032CG01

5F849AA03

5F849AB11

5F849BA10

5F849BA28

5F849BB03

5F849CB05

5F849DA30

5F849FA02

5F849FA03

5F849FA04

5F849FA05

5F849GA02

5F849GA04

5F849HA12

5F849LA01

5F849LA07

5F849XA02

5F849XA35

5F849XA39

5F849XA40

(57)【要約】      （修正有）

【課題】インク組成物における経時的な粘度増大抑制。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物であって、式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物をさらに含み、式（ＩＩ）で表される末端構造と相補的な水素結合を２組以上形成することができる添加剤及び芳香族炭化水素を含む溶媒をさらに含む、高分子組成物及び活性層に含む光電変換素子。

（Ａ、Ｂ及びＹ構造は、明細書に別途式定義される。）
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物であって、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含み、かつ下記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物をさらに含む前記高分子化合物と、
前記不純物高分子化合物のうちの下記式（ＩＩ）で表される末端構造と相補的な水素結合を２組以上形成することができる添加剤と、
芳香族炭化水素を含む溶媒と
を含む、組成物。

【化1】

（式（Ｉ）中、
Ａは、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、
Ｂは、チアジアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、又はトリアゾール骨格を含む環構造を表し、
Ｙは、－ＣＨ－で表される基又は窒素原子を表す。）

【化2】

（式（ＩＩ）中、
Ｂ及びＹは、前記定義のとおりである。）

【請求項2】

前記Ａが、下記式（ＩＶ）で表される２価の有機基である、請求項１に記載の組成物。

【化3】

（式（ＩＶ）中、
Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、
Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。）

【化4】

（式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアルケニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
置換基を有していてもよいアルキニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよい１価の複素環基、
置換基を有していてもよい置換アミノ基、
置換基を有していてもよいイミン残基、
置換基を有していてもよいアミド基、
置換基を有していてもよい酸イミド基、
置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
シアノ基、
ニトロ基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒｃで表される基、又は
－ＳＯ_２－Ｒｄで表される基を表し、
Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立して、
水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。）

【請求項3】

前記添加剤がアミド構造を含む、請求項１又は２に記載の組成物。

【請求項4】

赤外分光法により測定したときの前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク強度に対する前記式（ＩＩ）で表される末端構造に由来するピーク強度の割合が８％以上である、請求項１又は２に記載の組成物。

【請求項5】

前記Ｂがチアジアゾール骨格を含む、請求項１又は２に記載の組成物。

【請求項6】

前記Ａがチオフェン骨格を含む、請求項１又は２に記載の組成物。

【請求項7】

前記添加剤が、４－メチルカルボスチリル、プロピオンアミド、又はピリジノールである、請求項１又は２に記載の組成物。

【請求項8】

請求項１又は２に記載の組成物と、ｎ型半導体材料とを含有するインク組成物。

【請求項9】

前記ｎ型半導体材料が、フラーレン化合物又は非フラーレン化合物である、請求項８に記載のインク組成物。

【請求項10】

請求項８に記載のインク組成物を固化した固化膜。

【請求項11】

請求項１０に記載の固化膜を活性層として含む、光電変換素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、組成物、さらには光電変換素子の機能層を形成するためのインク組成物に関する。

【背景技術】

【0002】

光電変換素子は、例えば、省エネルギー、二酸化炭素の排出量の低減の観点から極めて有用なデバイスであり、注目されている。

【0003】

光電変換素子、例えば光検出素子（ＯＰＤ）の製造にあたっては、インク組成物を塗布対象に塗工する塗布法により、活性層、電子輸送層、正孔輸送層などの機能層を形成する製造方法が適用されることが知られている（非特許文献１参照。）。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0004】

【非特許文献1】Ｓｔｒｏｂｅｌ ２０１９ Ｆｌｅｘ． Ｐｒｉｎｔ． Ｅｌｅｃｔｒｏｎ． ４ ０４３００１

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上記のような光電変換素子の製造方法においては、例えば、同一の塗工条件でインク組成物を塗布した場合でも、インク組成物の粘度が変化すると、形成される機能層の厚さが均一ではなくなってしまい、製造される光電変換素子の特性にばらつきが生じたり、所望の特性が得られなくなってしまう場合がある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を進めたところ、インク組成物に含まれる高分子化合物の末端構造に着目して、当該末端構造に結合しうる所定の添加剤を用いることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、下記［１］～［１１］を提供する。
［１］ 下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物であって、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含み、かつ下記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物をさらに含む前記高分子化合物と、
前記不純物高分子化合物のうちの下記式（ＩＩ）で表される末端構造と相補的な水素結合を２組以上形成することができる添加剤と、
芳香族炭化水素を含む溶媒と
を含む、組成物。

【化1】

（式（Ｉ）中、
Ａは、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、
Ｂは、チアジアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、又はトリアゾール骨格を含む環構造を表し、
Ｙは、－ＣＨ－で表される基又は窒素原子を表す。）

【化2】

（式（ＩＩ）中、
Ｂ及びＹは、前記定義のとおりである。）
［２］ 前記Ａが、下記式（ＩＶ）で表される２価の有機基である、［１］に記載の組成物。

【化3】

（式（ＩＶ）中、
Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、
Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。）

【化4】

（式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアルケニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
置換基を有していてもよいアルキニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよい１価の複素環基、
置換基を有していてもよい置換アミノ基、
置換基を有していてもよいイミン残基、
置換基を有していてもよいアミド基、
置換基を有していてもよい酸イミド基、
置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
シアノ基、
ニトロ基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^ｃで表される基、又は
－ＳＯ_２－Ｒ^ｄで表される基を表し、
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、
水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。）
［３］ 前記添加剤がアミド構造を含む、［１］又は［２］に記載の組成物。
［４］ 赤外分光法により測定したときの前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク強度に対する前記式（ＩＩ）で表される末端構造に由来するピーク強度の割合が８％以上である、［１］～［３］のいずれか１つに記載の組成物。
［５］ 前記Ｂがチアジアゾール骨格を含む、［１］～［４］のいずれか１つに記載の組成物。
［６］ 前記Ａがチオフェン骨格を含む、［１］～［５］のいずれか１つに記載の組成物。
［７］ 前記添加剤が、４－メチルカルボスチリル、プロピオンアミド、又はピリジノールである、［１］～［６］のいずれか１つに記載の組成物。
［８］ ［１］～［７］のいずれか１つに記載の組成物と、ｎ型半導体材料とを含有するインク組成物。
［９］ 前記ｎ型半導体材料が、フラーレン化合物又は非フラーレン化合物である、［８］に記載のインク組成物。
［１０］ ［８］又は［９］に記載のインク組成物を固化した固化膜。
［１１］ ［１０］に記載の固化膜を活性層として含む、光電変換素子。

【発明の効果】

【0007】

本発明の組成物によれば、特に光電変換素子の機能層を形成するためのインク組成物における経時的な粘度の増大を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、光電変換素子の構成例を模式的に示す図である。

【図2】図２は、イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【図3】図３は、指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。

【図4】図４は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【図5】図５は、静脈認証装置用の静脈検出部の構成例を模式的に示す図である。

【図6】図６は、間接方式のＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置で使用されるとは限らない。

【0010】

１．共通する用語の説明
本明細書において、「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３以上１×１０^８以下である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。

【0011】

本明細書において、「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位であって単量体化合物（モノマー）に由来する単位を意味する。

【0012】

本明細書において、「水素原子」は、軽水素原子であっても、重水素原子であってもよい。

【0013】

本明細書において、「ハロゲン原子」の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

【0014】

「置換基を有していてもよい」態様には、化合物又は基を構成するすべての水素原子が無置換の場合、及び１個以上の水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の両方の態様が含まれる。

【0015】

置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、アルキルスルホニル基、及びニトロ基が挙げられる。

【0016】

本明細書において、「アルキル基」は置換基を有していてもよい。「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～２０である。分岐状又は環状であるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。

【0017】

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－ｎ－プロピルヘプチル基、アダマンチル基、ｎ－デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ｎ－ヘキシル－デシル基、ｎ－ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジ－ｎ－ヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基等の置換アルキル基が挙げられる。

【0018】

「シクロアルキル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

【0019】

シクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基などの、置換基を有さないアルキル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0020】

置換基を有するシクロアルキル基の具体例としては、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基が挙げられる。

【0021】

「アルケニル基」は、直鎖状でもあってもよく、分岐状であってもよい。アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは２～２０である。

【0022】

アルケニル基の例としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基などの、置換基を有しないアルケニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0023】

「シクロアルケニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

【0024】

シクロアルケニル基の例としては、シクロヘキセニル基などの、置換基を有さないシクロアルケニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0025】

置換基を有するシクロアルケニル基の例としては、メチルシクロヘキセニル基、及びエチルシクロヘキセニル基が挙げられる。

【0026】

「アルキニル基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは２～２０である。

【0027】

アルキニル基の例としては、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、５－ヘキシニル基などの、置換基を有しないアルキニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0028】

「シクロアルキニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは４～２０である。

【0029】

シクロアルキニル基の例としては、シクロヘキシニル基などの置換基を有しないシクロアルキニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0030】

置換基を有するシクロアルキニル基の例としては、メチルシクロヘキシニル基、及びエチルシクロヘキシニル基が挙げられる。

【0031】

「アルキルオキシ基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０であり、好ましくは１～２０である。

【0032】

アルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、３－ヘプチルドデシルオキシ基、ラウリルオキシ基などの、置換基を有しないアルキルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子等の置換基で置換された基が挙げられる。

【0033】

「シクロアルキルオキシ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

【0034】

シクロアルキルオキシ基の例としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基などの、置換基を有しないシクロアルキルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、フッ素原子、アルキル基などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0035】

「アルキルチオ基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０であり、好ましくは１～２０である。

【0036】

置換基を有していてもよいアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、ｎ－ヘキシルチオ基、ｎ－ヘプチルチオ基、ｎ－オクチルチオ基、２－エチルヘキシルチオ基、ｎ－ノニルチオ基、ｎ－デシルチオ基、３，７－ジメチルオクチルチオ基、３－ヘプチルドデシルチオ基、ラウリルチオ基、及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

【0037】

「シクロアルキルチオ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

【0038】

置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基の例としては、シクロヘキシルチオ基が挙げられる。

【0039】

「ｐ価の芳香族炭素環基」とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の芳香族炭素環基は、置換基をさらに有していてもよい。

【0040】

「アリール基」は、１価の芳香族炭素環基を意味する。アリール基は置換基を有していてもよい。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

【0041】

アリール基の例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基などの、置換基を有しないアリール基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0042】

「アリールオキシ基」は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

【0043】

アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基などの置換基を有しないアリールオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0044】

「アリールチオ基」は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

【0045】

置換基を有していてもよいアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１－ナフチルチオ基、２－ナフチルチオ基、及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。「Ｃ１～Ｃ１２」は、その直後に記載された基の炭素原子数が１～１２であることを表す。さらに、「Ｃｍ～Ｃｎ」は、その直後に記載された基の炭素原子数がｍ～ｎであることを表す。以下同様である。

【0046】

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）は、置換基を有していてもよい複素環式化合物から環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。「ｐ価の複素環基」には、「ｐ価の芳香族複素環基」が含まれる。「ｐ価の芳香族複素環基」は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。

【0047】

芳香族複素環式化合物には、複素環自体が芳香族性を示す化合物に加えて、複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環している化合物が包含される。

【0048】

芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示す化合物の具体例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、及びジベンゾホスホールが挙げられる。

【0049】

芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示さず、複素環に芳香環が縮環している化合物の具体例としては、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、及びベンゾピランが挙げられる。

【0050】

ｐ価の複素環基は、置換基を有していてもよい。ｐ価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは２～２０である。

【0051】

１価の複素環基の例としては、１価の芳香族複素環基（例、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基）、１価の非芳香族複素環基（例、ピペリジル基、ピペラジル基）、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

【0052】

「置換アミノ基」は、置換基を有するアミノ基を意味する。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、アリール基、及び１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０である。

【0053】

置換アミノ基の例としては、ジアルキルアミノ基（例、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基）、ジアリールアミノ基（例、ジフェニルアミノ基、ビス（４－メチルフェニル）アミノ基、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基）が挙げられる。

【0054】

「アシル基」は、置換基を有していてもよい。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～２０であり、好ましくは２～１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

【0055】

「イミン残基」とは、イミン化合物から、炭素原子－窒素原子二重結合を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。「イミン化合物」とは、分子内に、炭素原子－窒素原子二重結合を有する有機化合物を意味する。イミン化合物の例としては、アルジミン、ケチミン、及びアルジミン中の炭素原子－窒素原子二重結合を構成する窒素原子に結合している水素原子が、アルキル基などの置換基で置換された化合物が挙げられる。

【0056】

イミン残基の炭素原子数は、通常２～２０であり、好ましくは２～１８である。イミン残基の例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。

【0057】

【化5】

【0058】

「アミド基」とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常１～２０程度であり、好ましくは１～１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

【0059】

「酸イミド基」とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常４～２０である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。

【0060】

【化6】

【0061】

「置換オキシカルボニル基」とは、Ｒ’－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－で表される基を意味する。ここで、Ｒ’は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、又は１価の複素環基を表す。
置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常２～６０であり、好ましくは炭素原子数が２～４８である。

【0062】

置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２－エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７－ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、及びピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。

【0063】

「アルキルスルホニル基」は、直鎖状でもあってもよく、分岐状であってもよい。アルキルスルホニル基は、置換基を有していてもよい。アルキルスルホニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０である。アルキルスルホニル基の具体例としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、及びドデシルスルホニル基が挙げられる。

【0064】

「２価の有機基」は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよい。２価の有機基としては、例えば、２価の直鎖状脂肪族炭化水素基、２価の分岐状脂肪族炭化水素基、２価の環状炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、２価の複素環基、２価の芳香族複素環基が挙げられる。「２価の有機基」が環状の構造を含む場合には、「２価の有機基」は縮環構造、橋かけ構造を含んでいてもよい。

【0065】

化学式に付される「＊」は、結合手を表す。

【0066】

「π共役系」とは、π電子が複数の結合にわたって非局在化している系を意味する。

【0067】

「（メタ）アクリル」には、アクリル、メタクリル、及びこれらの組み合わせが含まれる。

【0068】

本実施形態において、「インク組成物」は、塗布法に用いられる液状の組成物を意味し、着色した液に限定されない。また、「塗布法」は、インク組成物に代表される液状物質を用いて膜を形成する方法を意味している。

【0069】

本実施形態において、「組成物」及び「インク組成物」は、溶液であってもよく、分散液、エマルション（乳濁液）、サスペンション（懸濁液）等の分散液であってもよい。

【0070】

２．組成物
本実施形態の組成物は、式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物であって、式（Ｉ）で表される構成単位を含み、かつ式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物をさらに含む高分子化合物を含有している。組成物に含まれうる高分子化合物は、通常、ｐ型半導体材料である。本実施形態の組成物は、芳香族炭化水素を含む溶媒をさらに含む。本実施形態の組成物に含まれうる高分子化合物及び溶媒の詳細については後述する。

【0071】

３．インク組成物
本実施形態のインク組成物は、既に説明した「組成物」に加えて、ｎ型半導体材料をさらに含みうる。すなわち、本実施形態のインク組成物は、ｐ型半導体材料である２種以上の高分子化合物と、有機溶媒と、ｎ型半導体材料とを含むことが好ましい。

【0072】

本実施形態のインク組成物は、光電変換素子製造用のインク組成物であって、好ましくは機能層である活性層を形成するためのインク組成物であることが想定されている。

【0073】

以下、本実施形態の「組成物」及び「インク組成物」に含まれうる成分について具体的に説明する。

【0074】

本実施形態において、ｐ型半導体材料は、２種以上の電子供与性の高分子化合物を含み、ｎ型半導体材料は、少なくとも１種の電子受容性化合物を含みうる。

【0075】

インク組成物に含まれる半導体材料が、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料のうちのいずれとして機能するかは、選択された化合物のＨＯＭＯエネルギーレベルの値又はＬＵＭＯエネルギーレベルの値から相対的に決定しうる。

【0076】

ｐ型半導体材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯのエネルギーレベルの値と、ｎ型半導体材料のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯのエネルギーレベルの値との関係は、インク組成物から形成される（固化）膜が、光電変換機能、光検出機能といった所定の機能を発揮する範囲に適宜設定することができる

【0077】

（１）ｐ型半導体材料
本実施形態において、ｐ型半導体材料は、高分子化合物である。具体的には、本実施形態のインク組成物が含みうるｐ型半導体材料は、ドナー構成単位（Ｄ構成単位ともいう。）とアクセプター構成単位（Ａ構成単位ともいう。）とを含むドナー・アクセプター構造を有するπ共役系の高分子化合物（Ｄ－Ａ型共役高分子化合物ともいう。）を含む。

【0078】

ここで、ドナー構成単位はπ電子が過剰である構成単位であり、アクセプター構成単位はπ電子が欠乏している構成単位である。

【0079】

本実施形態において、ｐ型半導体材料を構成し得る構成単位には、ドナー構成単位とアクセプター構成単位とが直接的に結合した構成単位、さらにはドナー構成単位とアクセプター構成単位とが、任意好適なスペーサー（基又は構成単位）を介して結合した構成単位も含まれる。

【0080】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を含むポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。

【0081】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、チアジアゾール骨格を含む構成単位及び／又はチオフェン骨格を有する構成単位を含むことが好ましい。

【0082】

本実施形態において、組成物に含まれるｐ型半導体材料である高分子化合物は、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物であって、下記式（Ｉ）で表される構成単位を含み、かつ下記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物をさらに含む高分子化合物である。

【0083】

【化7】

【0084】

式（Ｉ）中、
Ａは、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、
Ｂは、チアジアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、又はトリアゾール骨格を含む環構造を表し、
Ｙは、－ＣＨ－で表される基又は窒素原子を表す。

【0085】

【化8】

【0086】

式（ＩＩ）中、
Ｂは、チアジアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、又はトリアゾール骨格を含む環構造を表し、
Ｙは、－ＣＨ－で表される基又は窒素原子を表す。

【0087】

本実施形態において、上記のとおり、式（Ｉ）で表される構成単位は、Ａで表される構造（構成単位）と、Ｂで表される環構造を含む構造（構成単位）とを含んでいる。

【0088】

本実施形態においては、Ａはドナー構成単位（Ｄ構成単位）であり、Ｂを含む環構造はアクセプター構成単位（Ａ構成単位）である。

【0089】

上記のとおり、本実施形態の高分子化合物は、不純物として不純物高分子化合物を含む。ここで、不純物高分子化合物としては、上記式（Ｉ）で表される構成単位を含み、かつ上記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する高分子化合物が想定されている。

【0090】

式（ＩＩ）で表される末端基は、上記のとおり、アミド構造を含む末端構造を有しており、通常、高分子化合物の合成に用いられる原料である単量体に由来する。上記式（ＩＩ）で表される末端基には、例えばケト互変異性化により合成後に生成した基が含まれる。

【0091】

よって、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、当初から不純物高分子化合物を含んでいる場合があり、さらには当初は不純物高分子化合物を含んでいなかったとしても、例えばケト互変異性化により事後的に、高分子化合物が不純物高分子化合物を含むこととなってしまう場合もありうる。

【0092】

式（Ｉ）中、Ａは、下記式（ＩＩＩ）で表される構造（構成単位）であることが好ましい。

【0093】

【化9】

【0094】

式（ＩＩＩ）中、Ａｒ^１は、２価の芳香族複素環基又はアリーレン基を表す。

【0095】

式（ＩＩＩ）中、Ａｒ^１で表される２価の芳香族複素環基（構成単位）の炭素原子数は、通常２～６０であり、好ましくは４～６０であり、より好ましくは４～２０である。Ａｒ^１で表される２価の芳香族複素環基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^１で表される２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。Ａｒ^１（Ａ）は、チオフェン骨格を含むことが好ましい。

【0096】

Ａｒ^１で表される２価の芳香族複素環基の例としては、下記式（１０１）～式（１９０）で表される基が挙げられる（なお、式（１４６）、（１４８）、（１５０）及び（１５４）は欠番である。）。

【0097】

【化10】

【0098】

【化11】

【0099】

【化12】

【0100】

【化13】

【0101】

式（１０１）～式（１９０）中、Ｒは前記と同じ意味を表す。Ｒが複数存在する場合、複数のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0102】

Ａｒ^１で表される２価の芳香族複素環基（構成単位）としては、下記式（ＩＩＩ－１）～式（ＩＩＩ－６）で表される２価の基（構成単位）が好ましい。

【0103】

【化14】

【0104】

式（ＩＩＩ－１）～式（ＩＩＩ－６）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒは上記と同じ意味を表す。Ｒが複数存在する場合、複数のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0105】

原料化合物（単量体）の入手性の観点から、式（ＩＩＩ－１）～式（ＩＩＩ－６）中のＸ^１及びＸ^２は、いずれも硫黄原子であることが好ましい。

【0106】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、２種以上の式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含んでいてもよい。

【0107】

Ａｒ^１で表されるアリーレン基とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から、水素原子２つを除いた残りの原子団を意味する。芳香族炭化水素には、縮合環を有する化合物、独立したベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２つ以上が、直接又はビニレン等の２価の基を介して結合した化合物も含まれる。

【0108】

芳香族炭化水素が有していてもよい置換基の例としては、複素環式化合物が有していてもよい置換基として挙げた上記例と同様の置換基が挙げられる。

【0109】

Ａｒ^１で表されるアリーレン基における、置換基を除いた部分の炭素原子数は、通常６～６０であり、好ましくは６～２０である。置換基を含めたアリーレン基の炭素原子数は、通常６～１００である。

【0110】

Ａｒ¹で表されるアリーレン基の例としては、フェニレン基（例えば、下記式１～式３）、ナフタレン－ジイル基（例えば、下記式４～式１３）、アントラセン－ジイル基（例えば、下記式１４～式１９）、ビフェニル－ジイル基（例えば、下記式２０～式２５）、ターフェニル－ジイル基（例えば、下記式２６～式２８）、縮合環化合物基（例えば、下記式２９～式３５）、フルオレン－ジイル基（例えば、下記式３６～式３８）、及びベンゾフルオレン－ジイル基（例えば、下記式３９～式４６）が挙げられる。

【0111】

【化15】

【0112】

【化16】

【0113】

【化17】

【0114】

【化18】

【0115】

【化19】

【0116】

【化20】

【0117】

【化21】

【0118】

【化22】

【0119】

式１～式４６中、Ｒは前記と同義である。Ｒが複数ある場合、複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0120】

式（Ｉ）中、Ａは、下記式（ＩＶ）で表される構造（構成単位）であることがより好ましい。

【0121】

【化23】

【0122】

式（ＩＶ）中、
Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、
Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。

【0123】

【化24】

【0124】

式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアルケニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
置換基を有していてもよいアルキニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよい１価の複素環基、
置換基を有していてもよい置換アミノ基、
置換基を有していてもよいイミン残基、
置換基を有していてもよいアミド基、
置換基を有していてもよい酸イミド基、
置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
シアノ基、
ニトロ基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^ｃで表される基、又は
－ＳＯ_２－Ｒ^ｄで表される基を表し、
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、
水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。

【0125】

式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中のＲは、好ましくは水素原子、アルキル基、又はアリール基であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、さらに好ましくは、水素原子又は炭素原子数１～４０のアルキル基であり、より好ましくは水素原子又は炭素原子数１～３０のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子又は炭素原子数１～２０のアルキル基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。Ｒが複数存在する場合、複数存在するＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0126】

式（ＩＶ）で表される構造（構成単位）は、下記式（ＩＶ－１）で表される構造（構成単位）であることが好ましい。

【0127】

【化25】

【0128】

式（ＩＶ－１）中、Ｚは前記と同様の意味を表す。

【0129】

式（ＩＶ－１）で表される構造（構成単位）の好ましい例としては、下記式（５０１）～式（５０５）で表されるチオフェン骨格を含む構造（構成単位）が挙げられる。

【0130】

【化26】

【0131】

上記式（５０１）～式（５０５）中、Ｒは前記と同様の意味を表す。Ｒが２つ存在する場合、２つのＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0132】

本実施形態において、上記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物の例としては、式（Ｉ）で表される構成単位中のＡであって、高分子化合物の少なくとも一端側に位置しているＡに、末端基としてハロゲン原子が結合した高分子化合物が挙げられる。

【0133】

本実施形態のｐ型半導体材料である高分子化合物に含まれる式（Ｉ）で表される構成単位は、上記Ａで表される構造（式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される構造（構成単位））に加えて、下記式（Ｖ）で表される構造（Ｂで表される環構造を含む構造（構成単位））を含む。

【0134】

【化27】

【0135】

前記式（Ｖ）中、Ｂは、チアジアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、又はトリアゾール骨格を含む環構造を表し、Ｙは、－ＣＨ－で表される基又は窒素原子を表す。Ｂは、チアジアゾール骨格を含むことが好ましい。

【0136】

前記式（Ｖ）で表される構造（構成単位）の炭素原子数は、通常２～２０であり、好ましくは４～２０であり、より好ましくは４～１０である。

【0137】

下記式（Ｖ）で表される構造（構成単位）は、置換基をさらに有していてもよい。置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、及びニトロ基が挙げられる。

【0138】

式（Ｖ）で表される構造（構成単位）の好ましい例としては、下記式（Ｖ－１）～式（Ｖ－３）で表される２価の基が挙げられる。

【0139】

【化28】

【0140】

式（Ｖ－１）～式（Ｖ－３）中、Ｒは前記と同じ意味を表す。Ｒが複数存在する場合、複数のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0141】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、２種以上のＡで表される構造（式（ＩＩＩ）又は（ＩＶ）で表される構造（構成単位）を含んでいてもよく、２種以上の式（Ｖ）で表される構造（構成単位）を含んでいてもよい。

【0142】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物、さらには不純物高分子化合物は、その主鎖が既に説明した式（Ｉ）で表される構成単位のみから構成されているＤ－Ａ型共役高分子化合物であってよく、さらに他の構成単位を含むＤ－Ａ型共役高分子化合物であってもよい。

【0143】

既に説明した式（Ｉ）で表される構成単位を含むｐ型半導体材料である高分子化合物において、式（Ｉ）で表される構成単位の合計量は、高分子化合物が含むすべての構成単位の量を１００モル％としたときに、通常２０～１００モル％であり、ｐ型半導体材料としての電荷輸送性を向上させる観点から、好ましくは４０～１００モル％であり、より好ましくは５０～１００モル％である。

【0144】

ｐ型半導体材料である高分子化合物の好適な具体例としては、下記式Ｐ－１で表される高分子化合物が挙げられる。

【0145】

【化29】

【0146】

本実施形態において、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、所定のポリスチレン換算の重量平均分子量を有することが好ましい。

【0147】

ここで、ポリスチレン換算の重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出した重量平均分子量を意味する。

【0148】

ｐ型半導体材料である高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、特に溶媒に対する溶解性を向上させる観点から、３０００以上５０００００以下であることが好ましい。

【0149】

アミド構造である前記式（ＩＩ）で表される末端構造の割合の測定は、例えば、従来公知の任意好適な測定装置（例えば、ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ社製Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０ ＦＴ－ＩＲ）を用いる常法に従う赤外分光法により行うことができる。

【0150】

具体的には、本実施形態の高分子化合物にさらに含まれる不純物高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピーク（１７００ｃｍ^－１）強度を、式（Ｉ）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク（９５４ｃｍ^－１）強度で除算し、さらに１００を乗じた値を、不純物高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造の割合（％）とすればよい。

【0151】

なお、赤外分光法において、１５００ｃｍ^－１以上の波長領域には官能基に由来する特定の波長領域の吸収（特性吸収帯ともいう。）が観測され、１５００ｃｍ^－１以下の波長領域（指紋領域ともいう）には、官能基に由来する吸収と分子構造に由来する吸収が観測される。しかしながら、観測される吸収ピークは、赤外吸収スペクトルのピーク形状、ピーク強度又はベースライン形状などの影響により、上記の波数から±１０ｃｍ^－１の範囲でシフトすることがある。

【0152】

また、不純物高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピーク及び式（１）で表される構成単位を含む主鎖由来の吸収ピークの波数は、式（１）又は式（２）に含まれるＡ、Ｂ及びＹのそれぞれの構造により、±５０ｃｍ^－１の範囲でシフトする場合がある。

【0153】

本実施例において、不純物高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピーク強度及び式（１）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク強度は、それぞれ１７００ｃｍ^－１及び９５４ｃｍ^－１であるか又は上記の範囲でシフトしているピークであって、不純物高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピーク及び式（１）で表される構成単位を含む主鎖由来のピークとして同定した波数における数値を使用している。吸収ピークがシフトしている場合は、上記のシフト範囲及び公知文献に記載の吸収波長の領域を参考にして吸収ピークを特定し、上記割合を算出すればよい。

【0154】

（ｐ型半導体材料である高分子化合物の製造方法）
本実施形態において、既に説明したｐ型半導体材料である高分子化合物は、従来公知の任意好適な製造方法（例えば国際公開第２０１３／０５１６７６号、国際公開第２０１１／０５２７０９号、国際公開第２０１８／２２０７８５号に記載の方法）に従って製造することができる。

【0155】

本実施形態において、既に説明したｐ型半導体材料である高分子化合物は、従来公知の任意好適な溶媒を重合溶媒として用いる重合工程（反応工程）を含む方法により製造することができる。

【0156】

本実施形態の高分子化合物の製造方法に好適に適用できる重合溶媒としては、例えば、炭化水素溶媒、ケトン溶媒、アルコール溶媒、エーテル溶媒、フェノール類溶媒、及びカルボン酸エステル溶媒が挙げられる。本実施形態において、重合溶媒としては、アルコール溶媒を用いることが好ましい。

【0157】

本実施形態において、重合溶媒は、少なくとも１種の炭化水素溶媒である第１の溶媒、少なくとも１個の炭素原子、少なくとも１個の水素原子、及び少なくとも１個の酸素原子のみからなる少なくとも１種の有機溶媒である第２の溶媒、及び水を含みうる。

【0158】

重合溶媒は、第１の溶媒、第２の溶媒、及び水以外の任意の溶媒を含んでいてもよい。任意の溶媒としては、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、モノクロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンが挙げられる。任意の溶媒の体積比率は、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対して、好ましくは５０体積％以下であり、より好ましくは２５体積％以下であり、さらに好ましくは１０体積％以下である。反応溶媒は、好ましくは実質的に前記第１の溶媒、前記第２の溶媒、及び水のみからなる。

【0159】

第１の溶媒としては、例えば、脂肪族炭化水素溶媒、脂環式炭化水素溶媒、及び芳香族炭化水素溶媒が挙げられる。

【0160】

脂肪族炭化水素溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカンが挙げられる。

【0161】

脂環式炭化水素溶媒としては、例えば、シクロヘキサン、デカリンが挙げられる。
芳香族炭化水素溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン（オルトキシレン）、トリメチルベンゼン（例、メシチレン）、テトラリン、インダン、ナフタレン、メチルナフタレンが挙げられる。

【0162】

第１の溶媒は、１種単独の炭化水素溶媒であっても、２種以上の炭化水素溶媒の組み合わせであってもよい。

【0163】

第１の溶媒は、好ましくはトルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、デカリン、テトラリン、インダン、ナフタレン、及びメチルナフタレンからなる群から選択される１種以上であり、より好ましくは、トルエン、メシチレン、及びテトラリンからなる群から選択される１種以上であり、さらに好ましくは、トルエン、メシチレン、又はテトラリンである。

【0164】

第２の溶媒としての有機溶媒は、ヒドロキシ基、オキソ基、オキシカルボニル基（－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－で表される基）、エーテル結合（－Ｏ－で表される基）等の、酸素原子を含む基を、１つのみ有していてもよいし、２つ以上有していてもよい。

【0165】

また、第２の溶媒としての有機溶媒は、酸素原子を含む基を、１種のみ有していてもよいし、２種以上有していてもよい。

【0166】

第２の溶媒としては、例えば、アルコール溶媒、エーテル溶媒、ケトン溶媒、フェノール溶媒、及びカルボン酸エステル溶媒が挙げられる。

【0167】

アルコール溶媒としては、例えば、第１級アルコール（例、メタノール、エタノール、２－フェニルエタノール、ｎ－プロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、３－メチル－１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、２－エチル－１－ヘキサノール、１－オクタノール、ベンジルアルコール）、第２級アルコール（例、イソプロピルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、２－オクタノール、３－ペンタノール、シクロヘキサノール）、第３級アルコール（例、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、１－メチルシクロヘキサノール、１－エチルシクロヘキサノール、１－メチルシクロペンタノール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、２－フェニル－２－プロパノール、２－メチル－１－フェニル－２－プロパノール、２－メチル－２－ペンタノール、３－エチル－３－ペンタノール）が挙げられる。

【0168】

エーテル溶媒としては、アニソール、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２－メチルテトラヒドロフラン、１，４－ジオキサンが挙げられる。

【0169】

ケトン溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンが挙げられる。

【0170】

フェノール類溶媒としては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾールが挙げられる。

【0171】

カルボン酸エステル溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、γ―ブチルラクトンが挙げられる。

【0172】

第２の溶媒は、１種単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。

【0173】

第２の溶媒は、好ましくはアルコール溶媒、エーテル溶媒、及びケトン溶媒からなる群から選択される１種以上である。

【0174】

第２の溶媒は、水と混和しない溶媒であってもよい。ある溶媒が「水と混和しない」とは、当該溶媒に対して５質量％以上の水を当該溶媒に添加して得られた液、及び、水に対して５質量％以上の当該溶媒を水に添加して得られた液が、透明な１相の溶液を形成しないことをいう。

【0175】

第２の溶媒として用いられうる、水と混和しない溶媒としては、例えば、２－フェニルエタノール、３－メチル－１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、２－エチル－１－ヘキサノール、１－オクタノール、ベンジルアルコール、２－オクタノール、シクロヘキサノール、１－メチルシクロヘキサノール、１－エチルシクロヘキサノール、１－メチルシクロペンタノール、２－フェニル－２－プロパノール、２－メチル－１－フェニル－２－プロパノール、２－メチル－２－ペンタノール、３－エチル－３－ペンタノール、シクロペンチルメチルエーテル、ｔｅｒｔ－ブチルメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルイソブチルケトン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチルが挙げられる。

【0176】

ある溶媒が「水と混和する」とは、当該溶媒に対して５質量％以上の水を当該溶媒に添加して得られた液、及び、水に対して５質量％以上の当該溶媒を水に添加して得られた液が、両方にて透明な１相の溶液を形成することをいう。

【0177】

第２の溶媒は、水と混和する溶媒であってもよい。第２の溶媒として用いられうる、水と混和する溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロピルアルコール、ｎ－ブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｓｅｃ－ブチルアルコール、３－ペンタノール、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール、ｔｅｒｔ－アミルアルコール、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２－メチルテトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、フェノール、酢酸エチル、γ―ブチルラクトンが挙げられ、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２－メチルテトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンからなる群から選択される１種以上が好ましく、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２－メチルテトラヒドロフランからなる群から選択される１種以上がより好ましい。

【0178】

第１の溶媒と第２の溶媒との組み合わせとしては、例えば、第１の溶媒として挙げられた上記例と、第２の溶媒として挙げられた上記例とのすべての組み合わせが挙げられる。第１の溶媒と第２の溶媒との組み合わせは、特に限定されない。

【0179】

第１の溶媒、第２の溶媒、及び水は、体積比ａ：ｂ：ｃで混合される。ここで、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００であり、ｃは１０を超え１００未満である。すなわち、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１０体積％を超え１００体積％未満である。

【0180】

水の体積比率は、反応溶媒を調製するために用いられた第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積に基づいて決定される。

【0181】

第２の溶媒が水と混和する場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１０体積％を超え、好ましくは２５体積％以上であり、より好ましくは２５体積％を超え、さらに好ましくは３５体積％以上であり、さらに好ましくは３５体積％を超え、さらに好ましくは４５体積％以上であり、さらに好ましくは４５体積％を超え、さらに好ましくは５０体積％以上であり、特に好ましくは５０体積％を超える。

【0182】

第２の溶媒は水と混和する場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１００体積％未満であり、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは９０体積％未満であり、さらに好ましくは８０体積％以下であり、さらに好ましくは８０体積％未満であり、さらに好ましくは７０体積％以下であり、さらに好ましくは７０体積％未満であり、さらに好ましくは６５体積％以下であり、特に好ましくは６５体積％未満である。

【0183】

第２の溶媒が水と混和する場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１０体積％を超え１００体積％未満であり、好ましくは２５体積％以上９０体積％以下であり、より好ましくは２５体積％を超え９０体積％未満であり、さらに好ましくは３５体積％以上８０体積％以下であり、さらに好ましくは３５体積％を超え８０体積％未満であり、さらに好ましくは４５体積％以上７０体積％以下であり、さらに好ましくは４５体積％を超え７０体積％未満であり、さらに好ましくは５０体積％以上６５体積％以下であり、特に好ましくは５０体積％を超え６５体積％未満である。

【0184】

第２の溶媒が水と混和しない場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１０体積％を超え、好ましくは２０体積％以上であり、より好ましくは２０体積％を超え、さらに好ましくは２５体積％以上であり、さらに好ましくは２５体積％を超え、さらに好ましくは３５体積％以上であり、さらに好ましくは３５体積％を超え、さらに好ましくは４５体積％以上であり、さらに好ましくは４５体積％を超え、さらに好ましくは５０体積％以上であり、特に好ましくは５０体積％を超える。

【0185】

第２の溶媒が水と混和しない場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１００体積％未満であり、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは９０体積％未満であり、さらに好ましくは８０体積％以下であり、さらに好ましくは８０体積％未満であり、さらに好ましくは７０体積％以下であり、さらに好ましくは７０体積％未満であり、さらに好ましくは６５体積％以下であり、特に好ましくは６５体積％未満である。

【0186】

第２の溶媒が水と混和しない場合、第１の溶媒の体積、第２の溶媒の体積、及び水の体積の合計に対する水の体積比率ｃ（％）は、１０体積％を超え１００体積％未満であり、好ましくは２０体積％以上９０体積％以下であり、より好ましくは２０体積％を超え９０体積％未満であり、さらに好ましくは２５体積％以上９０体積％以下であり、さらに好ましくは２５体積％を超え９０体積％未満であり、さらに好ましくは３５体積％以上８０体積％以下であり、さらに好ましくは３５体積％を超え８０体積％未満であり、さらに好ましくは４５体積％以上７０体積％以下であり、さらに好ましくは４５体積％を超え７０体積％未満であり、さらに好ましくは５０体積％以上６５体積％以下であり、特に好ましくは５０体積％を超え６５体積％未満である。

【0187】

第１の溶媒と第２の溶媒の混合体積比ａ：ｂは１：９～９：１の範囲が好ましく、３：７～７：３の範囲がより好ましい。

【0188】

（２）添加剤
本実施形態の組成物は、既に説明した式（ＩＩ）で表されるアミド構造を含む末端構造（末端基）と相補的な水素結合を２組以上形成することができる添加剤（化合物）を含む。

【0189】

本実施形態において好適に用いることができる添加剤としては、例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。本実施形態においては、添加剤として、１種又は２種以上の後述する化合物を組み合わせて用いることができる。

【0190】

【化30】

【0191】

【化31】

【0192】

【化32】

【0193】

【化33】

【0194】

前記式中、Ａは、酸素原子、硫黄原子またはＮＨ基を表し、好ましくは酸素原子またはＮＨ基である。複数あるＡは同一であっても異なっていてもよい。前記式中、複数あるＲは、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアリールアルキル基、置換基を有していてもよいアリールアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアミノ基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアミド基、置換基を有していてもよいアリールアルケニル基、置換基を有していてもよいアリールアルキニル基、臭素原子、フッ素原子、ヨウ素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基を表す。

【0195】

前記式で表される添加物である化合物の具体例としては、下記式（ａ）～（ｉ）で表される化合物が挙げられる。

【0196】

【化34】

【0197】

本実施形態において、添加剤の好適な具体例としては、上記例示の鎖状アミド構造を有する添加剤及び芳香族性を示す環状アミド構造を有する添加剤が挙げられる。

【0198】

また、具体的な添加剤の例としては、前記式（ａ）で表される４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）、前記式（ｄ）で表されるプロピオンアミド、前記式（ｂ）で表される２－ピリジノールが挙げられる。

【0199】

本実施形態において、不純物高分子化合物のアミド構造と相互作用させ、組成物（インク組成物）の経時的な増粘率を抑制する観点から、芳香族性を示す環状アミド構造を有する添加剤を使用することが好ましい。すなわち、本実施形態においては、上記例示の具体的な添加剤のうち、前記式（ａ）で表される４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）及び前記式（ｂ）で表される２－ピリジノールを採用することが好ましい。

【0200】

本実施形態において、添加剤の含有量（添加量）は、組成物（インク組成物）の特性及び作用効果を損なわないことを条件として特に限定されない。添加剤の添加量は、組成物中に含まれるｐ型半導体材料である高分子化合物に含まれる不純物高分子化合物のアミド構造を含む末端構造に結合して、不純物高分子化合物同士の結合を抑制して、組成物（インク組成物）の経時的な増粘率を抑制する観点から、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の物質量と等量とすればよく、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の物質量に対して（若干の）過剰量とすることが好ましい。

【0201】

より具体的には、本実施形態の組成物において、添加剤の添加量は、溶媒に対する添加剤の溶解度を超えない濃度となる量とすることができる。

【0202】

本実施形態の組成物において、添加剤の添加量は、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の物質量と添加剤の物質量が等量以上となる量とすることが好ましく、添加剤の添加量が、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の物質量と前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物の物質量との総量と等量以上となる量であることがより好ましい。

【0203】

添加剤同士の会合を抑制し、かつ前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の当該末端構造と添加剤との間に水素結合を生成させることにより効果的に結合させる観点から、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物の物質量と前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物の物質量との総量に対する添加剤の物質量が１００００倍以下となる量とすることがより好ましい。

【0204】

本実施形態の組成物において、例えば、不純物高分子化合物の分子量が添加剤の分子量の１０００倍である場合、前記式（ＩＩ）で表される末端構造を有する不純物高分子化合物と前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む高分子化合物との合計の濃度が６ｍｇ／ｍＬである場合には、添加剤は０．００６ｍｇ／ｍＬ以上６０ｍｇ／ｍＬ以下の濃度となるように添加することが好ましい。

【0205】

組成物（インク組成物）の調製にあたり、添加剤の添加のタイミングは、高分子化合物と溶媒との溶液の加熱した後、降温させ、溶液が常温にまで戻ったタイミングで添加することが好ましい。

【0206】

添加剤を添加する方法は、特に限定されない。添加剤は、組成物（インク組成物）の調製にあたり、従来公知の任意好適な手順に従って添加することができる。

【0207】

具体的には、添加剤は、組成物（インク組成物）の調製にあたり、他の成分（ｐ型半導体である高分子化合物、ｎ型半導体材料及び溶媒）と混合する態様としてもよく、例えば、予め、ｐ型半導体材料のみ、又はｐ型半導体材料及び溶媒と混合しておき、さらにｎ型半導体材料、又はｎ型半導体材料及び溶媒と混合する態様としてもよい。

【0208】

本実施形態によれば、上記化合物を添加剤として用いることにより、赤外分光法により測定したときの前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク強度に対する前記（ＩＩ）で表される末端構造に由来するピーク強度の割合が、例えば、６％以上、さらには８％以上であったとしても、通常、２％、さらには３％を超えると粘度が経時的に増大してしまう傾向があるところ、当該末端構造に添加剤である上記化合物が水素結合を形成してキャッピングすることにより、ｐ型半導体材料である高分子化合物同士の結合を効果的に抑制することができる。そのため、組成物、さらには特に光電変換素子の機能層を形成するためのインク組成物における経時的な粘度の増大を抑制することができる。組成物において経時的な粘度が増加すると、形成される膜（固化膜）の厚さが不均一となり、その結果インク組成物から形成される固化膜を含む光電変換素子では、その特性にばらつきが生じたり、所望の特性が得られなくなるおそれがある。したがって、本実施形態によれば、製造される光電変換素子の特性におけるばらつきの発生を抑制することができる。

【0209】

すなわち、既に説明した添加剤を用いる本実施形態の態様は、赤外分光法により測定したときの前記式（Ｉ）で表される構成単位を含む主鎖由来のピーク強度に対する前記式（ＩＩ）で表される末端構造に由来するピーク強度の割合が好ましくは８％以上、より好ましくは６．４％以上、さらには６％以上である場合において特に好ましく適用することができる。

【0210】

（３）ｎ型半導体材料
本実施形態のインク組成物が含みうるｎ型半導体材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。

【0211】

低分子化合物であるｎ型半導体材料（電子受容性化合物）の例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８－ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、Ｃ_６０フラーレン等のフラーレン及びその誘導体であるフラーレン誘導体（以下、フラーレン化合物という場合がある。）、並びに、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体が挙げられる。

【0212】

高分子化合物であるｎ型半導体材料の例としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びに、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。

【0213】

ｎ型半導体材料としては、フラーレン及びフラーレン誘導体から選ばれる１種以上が好ましく、フラーレン誘導体がより好ましい。

【0214】

フラーレンの例としては、Ｃ_６０フラーレン、Ｃ_７０フラーレン、Ｃ_７６フラーレン、Ｃ_７８フラーレン、及びＣ_８４フラーレンが挙げられる。フラーレン誘導体の例としては、これらのフラーレンの誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体とは、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を意味する。

【0215】

フラーレン誘導体の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0216】

【化35】

【0217】

式中、
Ｒ^ａは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、又はエステル構造を有する基を表す。複数あるＲ^ａは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^ｂは、アルキル基、又はアリール基を表す。複数あるＲ^ｂは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0218】

Ｒ^ａで表されるエステル構造を有する基の例としては、下記式で表される基が挙げられる。

【0219】

【化36】

【0220】

式（１９）中、ｕ１は、１～６の整数を表す。ｕ２は、０～６の整数を表す。Ｒ^ｅは、アルキル基、アリール基、又は１価の複素環基を表す。

【0221】

Ｃ_６０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。

【0222】

【化37】

【0223】

Ｃ_７０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。

【0224】

【化38】

【0225】

フラーレン誘導体の具体例としては、［６，６］－フェニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６］－フェニル－Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ７１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６」－フェニル－Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ８５ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、及び［６，６］－チエニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］－Ｔｈｉｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

【0226】

本実施形態のインク組成物に含まれうるｎ型半導体材料には、フラーレン化合物ではない化合物が含まれる。本明細書において、フラーレン化合物ではないｎ型半導体材料を、「非フラーレン化合物」という。非フラーレン化合物としては、多種の化合物が公知であり、従来公知の任意好適な非フラーレン化合物を本実施形態においてｎ型半導体材料として用いることができる。

【0227】

本実施形態にかかるインク組成物は、ｎ型半導体材料である化合物を、１種のみ含んでいてもよく、複数種類含んでいてもよい。

【0228】

本実施形態において、ｎ型半導体材料である非フラーレン化合物は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む化合物であることが好ましい。非フラーレン化合物であるペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む化合物の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0229】

【化39】

【0230】

【化40】

【0231】

【化41】

【0232】

【化42】

【0233】

式中、Ｒは、前記定義のとおりである。複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0234】

本実施形態において、ｎ型半導体材料は、好ましくは、下記式（ＶＩ）で表される化合物を含む。下記式（ＶＩ）で表される化合物は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む非フラーレン化合物である。

【0235】

【化43】

【0236】

前記式（ＶＩ）中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。複数あるＲ^１は互いに同一であっても異なっていてもよい。

【0237】

好ましくは、複数あるＲ^１は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基である。

【0238】

Ｒ^２は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。複数あるＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。

【0239】

式（ＶＩ）で表される化合物の好ましい例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0240】

【化44】

【0241】

本実施形態において、ｎ型半導体材料は、下記式（ＶＩＩ）で表される化合物を含むことが好ましい。

Ａ^１－Ｂ^１０－Ａ^２ （ＶＩＩ）

【0242】

式（ＶＩＩ）中、
Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、電子求引性の基を表し、Ｂ^１０は、π共役系を含む基を表す。

【0243】

Ａ^１及びＡ^２である電子求引性の基の例としては、－ＣＨ＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基、及び下記式（ａ－１）～式（ａ－９）で表される基が挙げられる。

【0244】

【化45】

【0245】

式（ａ－１）～式（ａ－７）中、
Ｔは、置換基を有していてもよい炭素環、又は置換基を有していてもよい複素環を表す。炭素環及び複素環は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。これらの環が置換基を複数有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

【0246】

Ｔである置換基を有していてもよい炭素環の例としては、芳香族炭素環が挙げられる。Ｔである置換基を有していてもよい炭素環は、好ましくは芳香族炭素環である。Ｔである置換基を有していてもよい炭素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、及びフェナントレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、及びフェナントレン環であり、より好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、さらに好ましくはベンゼン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。

【0247】

Ｔである置換基を有していてもよい複素環の例としては、芳香族複素環が挙げられ、好ましくは芳香族複素環である。Ｔである置換基を有していてもよい複素環の具体例としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環が挙げられ、好ましくはチオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環であり、より好ましくはチオフェン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。

【0248】

Ｔである炭素環又は複素環が有し得る置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、及び１価の複素環基が挙げられ、好ましくはフッ素原子、及び／又は炭素原子数１～６のアルキル基である。

【0249】

Ｘ^４、Ｘ^５、及びＸ^６は、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、アルキリデン基、又は＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基を表し、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、又は＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基である。

【0250】

Ｘ^７は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表す。

【0251】

Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２、Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、及びＲ^ａ５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表し、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。

【0252】

【化46】

【0253】

式（ａ－８）及び式（ａ－９）中、Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい１価の芳香族炭素環基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表し、複数あるＲ^ａ６及びＲ^ａ７は、同一であっても異なっていてもよい。

【0254】

Ａ^１及びＡ^２である電子求引性の基としては、下記の式（ａ－１－１）～式（ａ－１－４）並びに式（ａ－６－１）及び式（ａ－７－１）のいずれかで表される基が好ましく、式（ａ－１－１）で表される基がより好ましい。ここで、複数あるＲ^ａ１０は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、及びＲ^ａ５は、それぞれ独立して、前記と同義であり、好ましくはそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。

【0255】

【化47】

【0256】

Ｂ^１０であるπ共役系を含む基の例としては、後述する式（ＶＩＩＩ）で表される化合物における、－（Ｓ^１）_ｎ１－Ｂ^１１－（Ｓ^２）_ｎ２－で表される基が挙げられる。

【0257】

本実施形態において、ｎ型半導体材料は、下記式（ＶＩＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

Ａ^１－（Ｓ^１）_ｎ１－Ｂ^１１－（Ｓ^２）_ｎ２－Ａ^２ （ＶＩＩＩ）

【0258】

式（ＶＩＩＩ）中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、電子求引性の基を表す。Ａ^１及びＡ^２の例及び好ましい例は、前記式（ＶＩＩ）におけるＡ^１及びＡ^２について説明した例及び好ましい例と同様である。

【0259】

Ｓ^１及びＳ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素環基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、－Ｃ（Ｒ^ｓ１）＝Ｃ（Ｒ^ｓ２）－で表される基（ここで、Ｒ^ｓ１及びＲ^ｓ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基（好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。）、又は－Ｃ≡Ｃ－で表される基を表す。

【0260】

Ｓ^１及びＳ^２で表される、置換基を有していてもよい２価の炭素環基及び置換基を有していてもよい２価の複素環基は、縮合環であってもよい。２価の炭素環基又は２価の複素環基が、複数の置換基を有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

【0261】

式（ＶＩＩＩ）中、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、好ましくはそれぞれ独立に、０又は１を表し、より好ましくは、いずれも０又は１を表す。

【0262】

２価の炭素環基の例としては、２価の芳香族炭素環基が挙げられる。
２価の複素環基の例としては、２価の芳香族複素環基が挙げられる。
２価の芳香族炭素環基又は２価の芳香族複素環基が縮合環である場合、縮合環を構成する環の全部が芳香族性を有する縮合環であってもよく、一部のみが芳香族性を有する縮合環であってもよい。

【0263】

Ｓ^１及びＳ^２の例としては、既に説明したＡｒ^３で表される２価の芳香族複素環基の例として挙げられた式（１０１）～（１９０）のいずれかで表される基、及びこれらの基における水素原子が置換基で置換された基が挙げられる。

【0264】

Ｓ^１及びＳ^２は、好ましくは、それぞれ独立に、下記式（ｓ－１）又は（ｓ－２）で表される基を表す。

【0265】

【化48】

【0266】

式（ｓ－１）及び（ｓ－２）中、
Ｘ^３は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^ａ１０は、前記定義のとおりである。

【0267】

Ｓ^１及びＳ^２は、好ましくは、それぞれ独立に、式（１４２）、式（１４８）、若しくは式（１８４）で表される基、又はこれらの基における水素原子が置換基で置換された基であり、より好ましくは、前記式（１４２）若しくは式（１８４）で表される基、又は式（１８４）で表される基における１つの水素原子が、アルキルオキシ基で置換された基である。

【0268】

Ｂ^１１は、炭素環構造及び複素環構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であり、かつオルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基を表す。

【0269】

Ｂ^１１で表される縮合環基は、互いに同一である２以上の構造を縮合した構造を含んでいてもよい。

【0270】

Ｂ^１１で表される縮合環基が複数の置換基を有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

【0271】

Ｂ^１１で表される縮合環基を構成し得る炭素環構造の例としては、下記式（Ｃｙ１）又は式（Ｃｙ２）で表される環構造が挙げられる。

【0272】

【化49】

【0273】

Ｂ^１１で表される縮合環基を構成し得る複素環構造の例としては、下記式（Ｃｙ３）～式（Ｃｙ１０）のいずれかで表される環構造が挙げられる。

【0274】

【化50】

【0275】

式（ＶＩＩＩ）中、Ｂ^１１は、好ましくは、前記式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ１０）で表される構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であって、オルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基である。Ｂ^１１は、式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ１０）で表される構造のうち、２以上の同一の構造が縮合した構造を含んでいてもよい。

【0276】

Ｂ^１１は、より好ましくは、式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ６）及び式（Ｃｙ８）で表される構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であって、オルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基である。

【0277】

Ｂ^１１である縮合環基が有していてもよい置換基は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、及び置換基を有していてもよい１価の複素環基である。Ｂ^１１で表される縮合環基が有していてもよいアリール基は、例えば、アルキル基により置換されていてもよい。

【0278】

Ｂ^１１である縮合環基の例としては、下記式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）で表される基、及びこれらの基における水素原子が、置換基（好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基）で置換された基が挙げられる。Ｂ^１１である縮合環基としては、下記式（ｂ－２）又は（ｂ－３）で表される基、又はこれらの基における水素原子が、置換基（好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基）で置換された基が好ましく、下記式（ｂ－２）又は（ｂ－３）で表される基がより好ましい。

【0279】

【化51】

【0280】

【化52】

【0281】

式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）中、
Ｒ^ａ１０は、前記定義のとおりである。
式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）中、複数あるＲ^a１０は、それぞれ独立して、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基である。

【0282】

式（ＶＩＩ）又は式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0283】

【化53】

【0284】

上記式中、Ｒは、前記定義のとおりであり、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
上記式中、Ｒは、好ましくは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキルオキシ基である。

【0285】

式（ＶＩＩ）又は（ＶＩＩＩ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0286】

【化54】

【0287】

本実施形態のインク組成物おいて、ｎ型半導体材料は、上記非フラーレン化合物に加えて、さらに既に説明したフラーレン及びフラーレン誘導体（フラーレン化合物）を組み合わせて含んでいてもよい。

【0288】

本実施形態におけるｎ型半導体材料の好適な具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

【0289】

【化55】

【0290】

【化56】

【0291】

【化57】

【0292】

（４）溶媒
本実施形態の組成物、及びインク組成物は、溶媒として、芳香族炭化水素を含む溶媒を含みうる。当該芳香族炭化水素は置換基を有していてもよい。芳香族炭化水素としては、特に既に説明したｐ型半導体材料である高分子化合物を溶解させることができる化合物であることが好ましい。

【0293】

本実施形態において、溶媒に含まれうる芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン（例、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン）、トリメチルベンゼン（例、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン（プソイドクメン））、ブチルベンゼン（例、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン）、メチルナフタレン（例、１－メチルナフタレン）、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、インダン、１－クロロナフタレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン（１，２－ジクロロベンゼン）が挙げられる。

【0294】

本実施形態において、溶媒は、１種のみの芳香族炭化水素を含んでいても、２種以上の芳香族炭化水素を含んでいてもよい。

【0295】

溶媒に含まれうる芳香族炭化水素は、好ましくは、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、１－クロロナフタレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン（１，２－ジクロロベンゼン）からなる群から選択される１種以上であり、より好ましくはトルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、インダン、１－クロロナフタレン、クロロベンゼン又はジクロロベンゼン（ｏ－ジクロロベンゼン）である。

【0296】

本実施形態の組成物及びインク組成物においては、上記例示の芳香族炭化水素に加えて、さらなる溶媒を組み合わせて用いてもよい。

【0297】

本実施形態において、さらなる溶媒の例としては、ハロゲン化アルキル、芳香族カルボニル化合物、芳香族エステル化合物及び含窒素複素環式化合物が挙げられる。

【0298】

ハロゲン化アルキルとしては、例えば、クロロホルムが挙げられる。
芳香族カルボニル化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいアセトフェノン、置換基を有していてもよいプロピオフェノン、置換基を有していてもよいブチロフェノン、置換基を有していてもよいシクロへキシルフェノン、置換基を有していてもよいベンゾフェノンが挙げられる。

【0299】

芳香族エステル化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいメチルベンゾエート（安息香酸メチル）、置換基を有していてもよい安息香酸エチル、置換基を有していてもよい安息香酸プロピル、置換基を有していてもよい安息香酸ブチル、置換基を有していてもよい安息香酸イソプロピル、置換基を有していてもよい安息香酸ベンジル、置換基を有していてもよい安息香酸シクロへキシル、置換基を有していてもよい安息香酸フェニルが挙げられる。

【0300】

含窒素複素環式化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいピリジン、置換基を有していてもよいキノリン、置換基を有していてもよいキノキサリン、置換基を有していてもよい１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、置換基を有していてもよいピリミジン、置換基を有していてもよいピラジン、及び置換基を有していてもよいキナゾリンが挙げられる。

【0301】

含窒素複素環式化合物は、環構造に直接的に結合する置換基を有していてもよい。
含窒素複素環式化合物の環構造（例、キノリン環構造、１，２，３，４－テトラヒドロキノリン環構造、キノキサリン環構造）が有していてもよい置換基としては、例えば、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、ハロゲン基、及びアルキルチオ基が挙げられる。

【0302】

ピリジン環構造を含む含窒素複素環式化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいピリジン、置換基を有していてもよいキノリン、及び置換基を有していてもよいイソキノリンが挙げられる。

【0303】

ピラジン環構造を含む含窒素環式化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいピラジン、置換基を有していてもよいキノキサリンが挙げられる。

【0304】

テトラヒドロピリジン環構造を含む含窒素環式化合物としては、例えば、置換基を有していてもよい１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、及び置換基を有していてもよい１，２，３，４－テトラヒドロイソキノリンが挙げられる。

【0305】

ピリミジン環構造を含む含窒素環式化合物としては、例えば、置換基を有していてもよいピリミジン、及び置換基を有していてもよいキナゾリンが挙げられる。

【0306】

本実施形態において、溶媒は、さらなる有機溶媒として、ハロゲン化アルキル、芳香族カルボニル化合物、芳香族エステル化合物又は含窒素複素環式化合物をさらに１種のみを含んでいても、これらから選択される２種以上をさらに含んでいてもよい。

【0307】

本実施形態においては、特に環境保全の観点から、ハロゲンを含まない溶媒を使用することが好ましい。

【0308】

（溶媒及びさらなる溶媒の重量比）
本実施形態の組成物及びインク組成物が、上記溶媒及び上記さらなる溶媒を含む場合、溶媒のさらなる溶媒に対する重量比（溶媒／さらなる溶媒）は、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の溶解性をより向上させる観点から、８０／２０～９９．９／０．１の範囲とすることが好ましい。

【0309】

（組成物及びインク組成物における溶媒の重量百分率）
本実施形態の組成物及びインク組成物に含まれる溶媒の総重量は、組成物又はインク組成物の全重量を１００質量％としたときに、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の溶解性をより向上させる観点から、好ましくは９０質量％以上であり、より好ましくは９２質量％以上であり、さらに好ましくは９５質量％以上であり、組成物又はインク組成物中のｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の濃度をより高くして一定の厚さ以上の層を形成し易くする観点から、好ましくは９９．９質量％以下である。

【0310】

本実施形態の組成物及びインク組成物は、既に説明した溶媒及びさらなる溶媒に加えて、任意の溶媒をさらに含んでいてもよい。組成物又はインク組成物に含まれる全溶媒の合計重量を１００質量％とした場合に、任意の有機溶媒の含有率は、好ましくは１０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下であり、さらに好ましくは３重量％以下である。任意の溶媒としては、さらなる溶媒よりも沸点が高い溶媒を用いることが好ましい。

【0311】

（インク組成物におけるｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の濃度）
インク組成物における、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の合計の濃度は、必要とされる機能層（活性層）の厚さ、所望の特性等に応じて、任意好適な濃度とすることができる。ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料の合計の濃度は、好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下であり、さらに好ましくは０．０１質量％以上２０質量％以下であり、特に好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下であり、さらに特に好ましくは０．０１質量％以上５質量％以下であり、とりわけ好ましくは０．１質量％以上５質量％以下である。

【0312】

インク組成物中、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料は溶解していても分散していてもよい。インク組成物中、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料は、少なくとも一部が溶解していることが好ましく、全部が溶解していることがより好ましい。

【0313】

（ｐ型半導体材料のｎ型半導体材料に対する重量比（ｐ／ｎ比））
インク組成物中のｐ型半導体材料のｎ型半導体材料に対する重量比（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料）は、好ましくは１／９以上であり、より好ましくは１／５以上であり、さらに好ましくは１／３以上であり、好ましくは９／１以下であり、より好ましくは５／１以下であり、さらに好ましくは３／１以下である。

【0314】

４．インク組成物の製造方法
本実施形態において、インク組成物は、従来公知の任意好適な方法により製造することができる。

【0315】

インク組成物は、ｎ型半導体材料を含まない、既に説明した「組成物」を用いて調製することができる。

【0316】

インク組成物において、特に２種以上の溶媒が用いられる場合には、例えば、既に説明した溶媒及びさらなる溶媒を混合して混合溶媒を調製した後、混合溶媒にｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を添加して製造する方法、さらには溶媒にｐ型半導体材料を添加した（第１）組成物を調製し、これとは別に、さらなる溶媒にｎ型半導体材料を添加した（第２）組成物を調製し、得られた２種以上の組成物を混合して調製（製造）する方法、換言すると、組成物を調製する工程が、２種以上の組成物を調製する工程を含み、インク組成物を調製する工程が、２種以上の組成物を混合する工程を含む製造方法などにより、製造することができる。

【0317】

インク組成物を調製するにあたり、溶媒（及びさらなる溶媒）とｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料とを、溶媒の沸点以下の温度まで加温して混合してもよい。

【0318】

本実施形態において、インク組成物を調製する工程は、０℃以上２００℃以下の条件下で行われることが好ましく、０℃以上１００℃以下での条件下で行われることが好ましい。

【0319】

本実施形態において、上述のとおり調製されたインク組成物はろ過してもよい。インク組成物のろ過は、具体的には、インク組成物を調製（製造）するにあたり、溶媒（及びさらなる溶媒）とｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料とを混合した後、得られた混合物（インク組成物）を、所定の孔径を有するフィルターを用いて常法に従ってろ過すればよい。

【0320】

本実施形態において、ろ過に用いられうるフィルターとしては、例えば、セルロースアセテート、ガラス繊維、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）といったフッ素樹脂で形成されたフィルターが挙げられる。

【0321】

５．組成物及びインク組成物の用途
本実施形態の組成物は、成分、すなわちｐ型半導体材料である高分子化合物の分析等に用いることができ、さらにはインク組成物の原料として用いることができる。

【0322】

本実施形態のインク組成物は、通常、ｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を含む膜（固化膜）を形成するために用いられる。

【0323】

本実施形態のインク組成物は、光電変換素子に含まれる機能層である活性層を形成するために好適に用いられる。特に、本実施形態のインク組成物は、使用時において逆バイアス電圧が印加される光電変換素子である光検出素子に含まれる活性層を形成するために特に好適に用いることができる。

【0324】

６．インク組成物の固化膜
本実施形態のインク組成物を用いて膜（塗工された塗膜）を形成した後、膜から溶媒を除去して膜を固化させることによりインク組成物の固化膜を形成することができる。インク組成物の固化膜は光電変換素子（光検出素子）に含まれる機能層、特に活性層を形成するために好適に用いることができる。インク組成物の固化膜は、従来公知の任意好適な製造方法により製造することができる。

【0325】

本実施形態において、インク組成物の固化膜の製造方法は、インク組成物を塗布対象に塗布（塗工）して塗膜を得る工程（ｉ）、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）を含む。以下、工程（ｉ）及び工程（ｉｉ）について説明する。

【0326】

［工程（ｉ）］
工程（ｉ）において、インク組成物を塗布対象に塗布する方法としては、既に説明した従来公知の任意の塗布法を用いることができる。本実施形態において、塗布法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、インクジェットコート法、ノズルコート法、又はキャピラリーコート法が好ましく、スリットコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法、又はバーコート法がより好ましく、スリットコート法又はスピンコート法がさらに好ましい。

【0327】

工程（ｉ）において、インク組成物は、任意の塗布対象に塗布される。インク組成物は、光電変換素子の製造工程において、例えば、電極（陽極又は陰極）、電子輸送層、又は正孔輸送層などの光電変換素子が含みうる機能層に塗布されうる。

【0328】

［工程（ｉｉ）］
工程（ｉｉ）において、工程（ｉ）により形成されたインク組成物の塗膜から、溶媒を除去する方法としては、任意好適な方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。

【0329】

７．光電変換素子
（１）光電変換素子の構成
本実施形態にかかる光電変換素子は、第１電極と、第２の電極と、該第１電極及び第２の電極の間に設けられている活性層とを含み、該活性層が既に説明した固化膜である。
以下、図面を参照して本実施形態の光電変換素子の構成例について具体的に説明する。

【0330】

図１は、光電変換素子の構成例を模式的に示す図である。

【0331】

図１に示されるように、光電変換素子１０は、支持基板１１に設けられている。光電変換素子１０は、支持基板１１に接するように設けられている第１の電極１２と、第１の電極１２に接するように設けられている電子輸送層１３と、電子輸送層１３に接するように設けられている活性層１４と、活性層１４に接するように設けられている正孔輸送層１５と、正孔輸送層１５に接するように設けられている第２の電極１６とを備えている。この構成例では、第１の電極１６に接するように封止部材１７がさらに設けられている。
以下、本実施形態の光電変換素子に含まれ得る構成要素について具体的に説明する。

【0332】

（基板）
光電変換素子は、通常、基板（支持基板）上に形成される。また、さらに基板（封止基板）により封止される場合もある。基板には、通常、第１の電極及び第２の電極からなる一対の電極のうちの一方が形成される。基板の材料は、特に有機化合物を含む層を形成する際に化学的に変化しない材料であれば特に限定されない。

【0333】

基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板が用いられる場合には、不透明な基板側に設けられる電極とは反対側の電極（換言すると、不透明な基板から遠い側の電極）が透明又は半透明の電極とされることが好ましい。

【0334】

（電極）
光電変換素子は、一対の電極である第１の電極及び第２の電極を含んでいる。第１の電極及び第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、光を入射させるために、透明又は半透明の電極とすることが好ましい。

【0335】

透明又は半透明の電極の材料の例としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ＮＥＳＡ等の導電性材料、金、白金、銀、銅が挙げられる。透明又は半透明である電極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。また、電極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの有機化合物が材料として用いられる透明導電膜を用いてもよい。透明又は半透明の電極は、第１の電極であっても第２の電極であってもよい。

【0336】

一対の電極のうちの一方の電極が透明又は半透明であれば、他方の電極は光透過性の低い電極であってもよい。光透過性の低い電極の材料の例としては、金属、及び導電性高分子が挙げられる。光透過性の低い電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びこれらのうちの２種以上の合金、又は、これらのうちの１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、及びカルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。

【0337】

（活性層）
本実施形態の光電変換素子は、活性層として、既に説明したインク組成物の固化膜を含む。本実施形態の活性層は、バルクヘテロジャンクション型の構造を有している。

【0338】

本実施形態において、活性層の厚さは、特に限定されない。活性層の厚さは、例えば、暗電流の抑制と生じた光電流の取り出しとのバランスを考慮して、任意好適な厚さとすることができる。活性層の厚さは、特に暗電流をより低減する観点から、好ましくは１００ｎｍ以上であり、より好ましくは１００ｎｍ以上であり、さらに好ましくは２００ｎｍ以上である。また、活性層の厚さは、好ましくは５μｍ以下であり、より好ましくは１μｍ以下であり、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。

【0339】

（中間層）
図１に示されるとおり、本実施形態の光電変換素子は、光電変換効率などの特性を向上させるための構成要素として、例えば、電荷輸送層（電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層）などの中間層（バッファー層）を備えていることが好ましい。

【0340】

また、中間層に用いられる材料の例としては、カルシウムなどの金属、酸化モリブデン、酸化亜鉛などの無機酸化物半導体、及びＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（４－スチレンスルホネート））との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられる。

【0341】

中間層は、従来公知の任意好適な形成方法により形成することができる。中間層は、真空蒸着法や活性層の形成方法と同様の塗布法により形成することができる。

【0342】

図１に示されるように、本実施形態の光電変換素子は、第１の電極と活性層との間に、電子輸送層を備えることが好ましい。電子輸送層は、活性層から電極へと電子を輸送する機能を有する。
別の実施形態では、光電変換素子は、電子輸送層を備えていなくてもよい。

【0343】

第１の電極に接して設けられる電子輸送層を、特に電子注入層という場合がある。第１の電極に接して設けられる電子輸送層（電子注入層）は、第１の電極への電子の注入を促進する機能を有する。電子輸送層（電子注入層）は、活性層に接していてもよい。

【0344】

電子輸送層は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料の例としては、ポリアルキレンイミン及びその誘導体、フルオレン構造を含む高分子化合物、カルシウムなどの金属、金属酸化物が挙げられる。

【0345】

ポリアルキレンイミン及びその誘導体の例としては、エチレンイミン、プロピレンイミン、ブチレンイミン、ジメチルエチレンイミン、ペンチレンイミン、ヘキシレンイミン、ヘプチレンイミン、オクチレンイミンといった炭素原子数２～８のアルキレンイミン、特に炭素原子数２～４のアルキレンイミンの１種又は２種以上を常法により重合して得られるポリマー、並びにそれらを種々の化合物と反応させて化学的に変性させたポリマーが挙げられる。ポリアルキレンイミン及びその誘導体としては、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）及びエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が好ましい。

【0346】

フルオレン構造を含む高分子化合物の例としては、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－オルト－２，７－（９，９’－ジオクチルフルオレン）］（ＰＦＮ）及びＰＦＮ－Ｐ２が挙げられる。

【0347】

金属酸化物の例としては、酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ニオブが挙げられる。金属酸化物としては、亜鉛を含む金属酸化物が好ましく、中でも酸化亜鉛が好ましい。

【0348】

その他の電子輸送性材料の例としては、ポリ（４－ビニルフェノール）、ペリレンジイミドが挙げられる。

【0349】

本実施形態にかかる光電変換素子は、中間層が電子輸送層であって、基板（支持基板）、第１の電極、電子輸送層、活性層、正孔輸送層、第２の電極がこの順に互いに接するように積層された構成を有することが好ましい。

【0350】

図１に示されるように、本実施形態の光電変換素子は、第２の電極と活性層との間に、中間層として正孔輸送層を備えていることが好ましい。正孔輸送層は、活性層から第２の電極へと正孔を輸送する機能を有する。正孔輸送層は、第２の電極に接していてもよい。正孔輸送層は活性層に接していてもよい。
別の実施形態では、光電変換素子は、正孔輸送層を備えていなくてもよい。

【0351】

第２の電極に接して設けられる正孔輸送層を、特に正孔注入層という場合がある。第２の電極に接して設けられる正孔輸送層（正孔注入層）は、活性層で発生した正孔の第２の電極への注入を促進する機能を有する。

【0352】

正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料の例としては、ポリチオフェン及びその誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン残基を有する構成単位を含む高分子化合物、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＮｉＯ、酸化タングステン（ＷＯ_３）及び酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）が挙げられる。

【0353】

（封止部材）
本実施形態の光電変換素子は、封止部材をさらに含み、かかる封止部材により封止された封止体とすることが好ましい。
封止部材は任意好適な従来公知の部材を用いることができる。封止部材の例としては、基板（封止基板）であるガラス基板とＵＶ硬化性樹脂などの封止材（接着剤）との組合せが挙げられる。

【0354】

封止部材は、１層以上の層構造である封止層であってもよい。封止層を構成する層の例としては、ガスバリア層、ガスバリア性フィルムが挙げられる。

【0355】

封止層は、水分を遮断する性質（水蒸気バリア性）又は酸素を遮断する性質（酸素バリア性）を有する材料により形成することが好ましい。封止層の材料として好適な材料の例としては、三フッ化ポリエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、脂環式ポリオレフィン、エチレン－ビニルアルコール共重合体などの有機材料、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボンなどの無機材料などが挙げられる。

【0356】

封止部材は、通常、光電変換素子が適用される、例えば後述する適用例のデバイスに組み込まれる際において実施され得る加熱処理に耐えうる材料により構成される。

【0357】

（２）光電変換素子の製造方法
本実施形態の光電変換素子は、従来公知の任意好適な製造方法により製造しうる。本実施形態の光電変換素子は、構成要素を形成するにあたり選択された材料に好適な工程を組み合わせて製造すればよい。

【0358】

以下、本発明の実施形態として、基板（支持基板）、第１の電極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層、第２の電極がこの順に互いに接する構成を有する光電変換素子の製造方法を説明する。

【0359】

（基板を用意する工程）
本工程では、例えば第１の電極が設けられた支持基板を用意する。また、既に説明した電極の材料により形成された導電性の薄膜が設けられた基板を市場より入手し、必要に応じて、導電性の薄膜をパターニングして第１の電極を形成することにより、第１の電極が設けられた支持基板を用意することができる。

【0360】

本実施形態にかかる光電変換素子の製造方法において、支持基板上に第１の電極を形成する場合の第１の電極の形成方法は特に限定されない。第１の電極は、既に説明した材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法、塗布法などの従来公知の任意好適な方法によって、第１の電極を形成すべき構成（例、支持基板、活性層、正孔輸送層）上に形成することができる。

【0361】

（正孔輸送層の形成工程）
光電変換素子の製造方法は、活性層と第１の電極との間に設けられる正孔輸送層（正孔注入層）を形成する工程を含んでいてもよい。

【0362】

正孔輸送層の形成方法は特に限定されない。正孔輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な塗布法によって正孔輸送層を形成することが好ましい。正孔輸送層は、例えば、既に説明した正孔輸送層を構成しうる材料と溶媒とを含む塗布液を用いる塗布法や真空蒸着法により形成することができる。

【0363】

（活性層の形成工程）
本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、正孔輸送層上に活性層が形成される。活性層は、任意好適な従来公知の形成工程により形成することができる。本実施形態において、活性層は、既に説明したインク組成物を用いる塗布法により製造することができる。

【0364】

活性層は、既に説明した「固化膜」と同様にして形成することができる。本実施形態では、ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料と、溶媒とを含むインク組成物を、正孔輸送層上に塗布して塗膜を形成する工程、次いで、前記塗膜を乾燥させる工程を含む工程により、活性層を形成することができる。

【0365】

（電子輸送層の形成工程）
本実施形態の光電変換素子の製造方法は、活性層に接するように設けられた電子輸送層（電子注入層）を形成する工程を含みうる。

【0366】

電子輸送層の形成方法は特に限定されない。電子輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な真空蒸着法によって電子輸送層を形成することが好ましい。

【0367】

（第２の電極の形成工程）
第２の電極の形成方法は特に限定されない。第２の電極は、例えば、上記例示の電極の材料を、塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法など従来公知の任意好適な方法によって形成することができる。以上の工程により、本実施形態の光電変換素子が製造される。

【0368】

（封止体の形成工程）
封止体の形成にあたり、本実施形態では、従来公知の任意好適な封止材（接着剤）及び基板（封止基板）を用いる。具体的には、製造された光電変換素子の周辺を囲むように、支持基板上に、例えばＵＶ硬化性樹脂などの封止材を塗布した後、封止材により隙間なく貼り合わせた後、選択された封止材に好適な、ＵＶ光の照射などの方法を用いて支持基板と封止基板との間隙に光電変換素子を封止することにより、光電変換素子の封止体を得ることができる。

【0369】

（３）光電変換素子の用途
本実施形態の光電変換素子の用途としては、光検出素子、太陽電池が挙げられる。
より具体的には、本実施形態の光電変換素子は、電極間に電圧（逆バイアス電圧）を印加した状態で、透明又は半透明の電極側から光を照射することにより、光電流を流すことができ、光検出素子（光センサー）として動作させることができる。また、光検出素子を複数集積することによりイメージセンサーとして用いることもできる。本実施形態の光電変換素子は、特に光検出素子として好適に用いることができる。

【0370】

また、本実施形態の光電変換素子は、光が照射されることにより、電極間に光起電力を発生させることができ、太陽電池として動作させることができる。光電変換素子を複数集積することにより太陽電池モジュールとすることもできる。

【0371】

（４）光電変換素子の適用例
本実施形態にかかる光電変換素子は、光検出素子として、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、入退室管理システム、デジタルカメラ、及び医療機器などの種々の電子装置が備える検出部に好適に適用することができる。

【0372】

本実施形態の光電変換素子は、上記例示の電子装置が備える、例えば、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（例えば、Ｘ線センサーなどのイメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する生体情報認証装置の検出部（例えば、近赤外線センサー）、パルスオキシメータなどの光学バイオセンサーの検出部などに好適に適用することができる。

【0373】

本実施形態の光電変換素子は、固体撮像装置用のイメージ検出部として、さらにはＴｉｍｅ－ｏｆ－ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）型距離測定装置（ＴＯＦ型測距装置）に好適に適用することもできる。

【0374】

ＴＯＦ型測距装置では、光源からの放射光が測定対象物において反射された反射光を光電変換素子で受光させることにより距離を測定する。具体的には、光源から放射された照射光が測定対象物で反射して反射光として戻るまでの飛行時間を検出して測定対象物までの距離を求める。ＴＯＦ型には、直接ＴＯＦ方式と間接ＴＯＦ方式とが存在する。直接ＴＯＦ方式では光源から光を照射した時刻と反射光を光電変換素子で受光した時刻との差を直接計測し、間接ＴＯＦ方式では飛行時間に依存した電荷蓄積量の変化を時間変化に換算することで距離を計測する。間接ＴＯＦ方式で用いられる電荷蓄積により飛行時間を得る測距原理には、光源からの放射光と測定対象で反射される反射光との位相から飛行時間を求める連続波（特に正弦波）変調方式とパルス変調方式とがある。

【0375】

以下、本実施形態にかかる光電変換素子が好適に適用され得る検出部のうち、固体撮像装置用のイメージ検出部及びＸ線撮像装置用のイメージ検出部、生体認証装置（例えば指紋認証装置や静脈認証装置など）のための指紋検出部及び静脈検出部、並びにＴＯＦ型測距装置（間接ＴＯＦ方式）のイメージ検出部の構成例について、図面を参照して説明する。

【0376】

（固体撮像装置用のイメージ検出部）
図２は、固体撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【0377】

イメージ検出部１は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、層間絶縁膜３０を貫通するように設けられており、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と光電変換素子１０とを電気的に接続する層間配線部３２と、光電変換素子１０を覆うように設けられている封止層４０と、封止層４０上に設けられているカラーフィルター５０とを備えている。

【0378】

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、従来公知の任意好適な構成を設計に応じた態様で備えている。

【0379】

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、基板の厚さ内に形成されたトランジスタ、コンデンサなどを含み、種々の機能を実現するためのＣＭＯＳトランジスタ回路（ＭＯＳトランジスタ回路）などの機能素子を備えている。

【0380】

機能素子としては、例えば、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、出力トランジスタ、選択トランジスタが挙げられる。

【0381】

このような機能素子、配線などにより、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０には、信号読み出し回路などが作り込まれている。

【0382】

層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。

【0383】

封止層４０は、光電変換素子１０を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。封止層４０は、既に説明した封止部材１７と同様の構成とすることができる。

【0384】

カラーフィルター５０としては、従来公知の任意好適な材料により構成され、かつイメージ検出部１の設計に対応した例えば原色カラーフィルターを用いることができる。また、カラーフィルター５０としては、原色カラーフィルターと比較して、厚さを薄くすることができる補色カラーフィルターを用いることもできる。補色カラーフィルターとしては、例えば（イエロー、シアン、マゼンタ）の３種類、（イエロー、シアン、透明）の３種類、（イエロー、透明、マゼンタ）の３種類、及び（透明、シアン、マゼンタ）の３種類が組み合わされたカラーフィルターを用いることができる。これらは、カラー画像データを生成できることを条件として、光電変換素子１０及びＣＭＯＳトランジスタ基板２０の設計に対応した任意好適な配置とすることができる。

【0385】

カラーフィルター５０を介して光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像対象に対応する電気信号として出力される。

【0386】

次いで、光電変換素子１０から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、撮像対象に基づく画像情報が生成される。

【0387】

（指紋検出部）
図３は、表示装置に一体的に構成される指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。

【0388】

携帯情報端末の表示装置２は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を主たる構成要素として含む指紋検出部１００と、当該指紋検出部１００上に設けられ、所定の画像を表示する表示パネル部２００とを備えている。

【0389】

この構成例では、表示パネル部２００の表示領域２００ａと一致する領域に指紋検出部１００が設けられている。換言すると、指紋検出部１００の上方に、表示パネル部２００が一体的に積層されている。

【0390】

表示領域２００ａのうちの一部の領域においてのみ指紋検出を行う場合には、当該一部の領域のみに対応させて指紋検出部１００を設ければよい。

【0391】

指紋検出部１００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。指紋検出部１００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）、支持基板、封止基板、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、赤外線カットフィルムなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。指紋検出部１００には、既に説明したイメージ検出部の構成を採用することもできる。

【0392】

光電変換素子１０は、表示領域２００ａ内において、任意の態様で含まれ得る。例えば、複数の光電変換素子１０が、マトリクス状に配置されていてもよい。

【0393】

光電変換素子１０は、既に説明したとおり、支持基板１１に設けられており、支持基板１１には、例えばマトリクス状に電極（第一の電極又は第二の電極）が設けられている。

【0394】

光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像された指紋に対応する電気信号として出力される。

【0395】

表示パネル部２００は、この構成例では、タッチセンサーパネルを含む有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）として構成されている。表示パネル部２００は、例えば有機ＥＬ表示パネルの代わりに、バックライトなどの光源を含む液晶表示パネルなどの任意好適な従来公知の構成を有する表示パネルにより構成されていてもよい。

【0396】

表示パネル部２００は、既に説明した指紋検出部１００上に設けられている。表示パネル部２００は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）２２０を本質的な機能を奏する機能部として含む。表示パネル部２００は、さらに任意好適な従来公知のガラス基板といった基板（支持基板２１０又は封止基板２４０）、封止部材、バリアフィルム、円偏光板などの偏光板、タッチセンサーパネル２３０などの任意好適な従来公知の部材を所望の特性に対応した態様で備え得る。

【0397】

以上説明した構成例において、有機ＥＬ素子２２０は、表示領域２００ａにおける画素の光源として用いられるとともに、指紋検出部１００における指紋の撮像のための光源としても用いられる。

【0398】

ここで、指紋検出部１００の動作について簡単に説明する。
指紋認証の実行時には、表示パネル部２００の有機ＥＬ素子２２０から放射される光を用いて指紋検出部１００が指紋を検出する。具体的には、有機ＥＬ素子２２０から放射された光は、有機ＥＬ素子２２０と指紋検出部１００の光電変換素子１０との間に存在する構成要素を透過して、表示領域２００ａ内である表示パネル部２００の表面に接するように載置された手指の指先の皮膚（指表面）によって反射される。指表面によって反射された光のうちの少なくとも一部は、間に存在する構成要素を透過して光電変換素子１０によって受光され、光電変換素子１０の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、指表面の指紋についての画像情報が構成される。

【0399】

表示装置２を備える携帯情報端末は、従来公知の任意好適なステップにより、得られた画像情報と、予め記録されていた指紋認証用の指紋データとを比較して、指紋認証を行う。

【0400】

（Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部）
図４は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【0401】

Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部１は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、層間絶縁膜３０を貫通するように設けられており、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と光電変換素子１０とを電気的に接続する層間配線部３２と、光電変換素子１０を覆うように設けられている封止層４０と、封止層４０上に設けられているシンチレータ４２とシンチレータ４２を覆うように設けられている反射層４４と、反射層４４を覆うように設けられている保護層４６とを備えている。

【0402】

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、従来公知の任意好適な構成を設計に応じた態様で備えている。

【0403】

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、基板の厚さ内に形成されたトランジスタ、コンデンサなどを含み、種々の機能を実現するためのＣＭＯＳトランジスタ回路（ＭＯＳトランジスタ回路）などの機能素子を備えている。

【0404】

機能素子としては、例えば、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、出力トランジスタ、選択トランジスタが挙げられる。

【0405】

このような機能素子、配線などにより、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０には、信号読み出し回路などが作り込まれている。

【0406】

層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。

【0407】

封止層４０は、光電変換素子１０を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。封止層４０は、既に説明した封止部材１７と同様の構成とすることができる。

【0408】

シンチレータ４２は、Ｘ線撮像装置用のイメージ検出部１の設計に対応した従来公知の任意好適な材料により構成することができる。シンチレータ４２の好適な材料の例としては、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）やＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＧＯＳ（酸硫化ガドリニウム）、ＧＳＯ（ケイ酸ガドリニウム）といった無機材料の無機結晶や、アントラセン、ナフタレン、スチルベンといった有機材料の有機結晶や、トルエン、キシレン、ジオキサンといった有機溶媒にジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ）やテルフェニル（ＴＰ）などの有機材料を溶解させた有機液体、キセノンやヘリウムといった気体、プラスチックなどを用いることができる。

【0409】

上記の構成要素は、シンチレータ４２が入射したＸ線を可視領域を中心とした波長を有する光に変換して画像データを生成できることを条件として、光電変換素子１０及びＣＭＯＳトランジスタ基板２０の設計に対応した任意好適な配置とすることができる。

【0410】

反射層４４は、シンチレータ４２で変換された光を反射する。反射層４４は、変換された光の損失を低減し、検出感度を増大させることができる。また、反射層４４は、外部から直接的に入射する光を遮断することもできる。

【0411】

保護層４６は、シンチレータ４２を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止又は抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。

【0412】

ここで、上記の構成を有するＸ線撮像装置用のイメージ検出部１の動作について簡単に説明する。

【0413】

Ｘ線やγ線といった放射線エネルギーがシンチレータ４２に入射すると、シンチレータ４２は放射線エネルギーを吸収し、可視領域を中心とした紫外から赤外領域の波長の光（蛍光）に変換する。そして、シンチレータ４２によって変換された光は、光電変換素子１０によって受光される。

【0414】

このように、シンチレータ４２を介して光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像対象に対応する電気信号として出力される。検出対象である放射線エネルギー（Ｘ線）は、シンチレータ４２側、光電変換素子１０側のいずれから入射させてもよい。

【0415】

次いで、光電変換素子１０から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、撮像対象に基づく画像情報が生成される。

【0416】

（静脈検出部）
図５は、静脈認証装置用の静脈検出部の構成例を模式的に示す図である。
静脈認証装置用の静脈検出部３００は、測定時において測定対象である手指（例、１以上の手指の指先、手指及び掌）が挿入される挿入部３１０を画成するカバー部３０６と、カバー部３０６に設けられており、測定対象に光を照射する光源部３０４と、光源部３０４から照射された光を測定対象を介して受光する光電変換素子１０と、光電変換素子１０を支持する支持基板１１と、支持基板１１と光電変換素子１０を挟んで対向するように配置されており、所定の距離でカバー部３０６から離間して、カバー部３０６とともに挿入部３１０を画成するガラス基板３０２から構成されている。

【0417】

この構成例では、光源部３０４は、光電変換素子１０とは、使用時において測定対象を挟んで離間するように、カバー部３０６と一体的に構成されている透過型撮影方式を示しているが、光源部３０４は必ずしもカバー部３０６側に位置させる必要はない。

【0418】

光源部３０４からの光を、測定対象に効率的に照射できることを条件として、例えば、光電変換素子１０側から測定対象を照射する反射型撮影方式としてもよい。

【0419】

静脈検出部３００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。静脈検出部３００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、近赤外線透過フィルター、可視光カットフィルム、指置きガイドなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。静脈検出部３００には、既に説明したイメージ検出部１の構成を採用することもできる。

【0420】

光電変換素子１０は、任意の態様で含まれ得る。例えば、複数の光電変換素子１０が、マトリクス状に配置されていてもよい。

【0421】

光電変換素子１０は、既に説明したとおり、支持基板１１に設けられており、支持基板１１には、例えばマトリクス状に電極（第一の電極又は第二の電極）が設けられている。

【0422】

光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像された静脈に対応する電気信号として出力される。

【0423】

静脈検出時（使用時）において、測定対象は、光電変換素子１０側のガラス基板３０２に接触していても、接触していなくてもよい。

【0424】

ここで、静脈検出部３００の動作について簡単に説明する。
静脈検出時には、光源部３０４から放射される光を用いて静脈検出部３００が測定対象の静脈パターンを検出する。具体的には、光源部３０４から放射された光は、測定対象を透過して光電変換素子１０の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、測定対象の静脈パターンの画像情報が構成される。

【0425】

静脈認証装置では、従来公知の任意好適なステップにより、得られた画像情報と、予め記録されていた静脈認証用の静脈データとを比較して、静脈認証が行われる。

【0426】

（ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部）
図６は、間接方式のＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

【0427】

ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、光電変換素子１０を挟むように離間して配置されている２つの浮遊拡散層４０２と、光電変換素子１０と浮遊拡散層４０２を覆うように設けられている絶縁層４０１と、絶縁層４０１上に設けられており、互いに離間して配置されている２つのフォトゲート４０４とを備えている。

【0428】

離間した２つのフォトゲート４０４の間隙からは絶縁層４０１の一部分が露出しており、残余の領域は遮光部４０６により遮光されている。ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と浮遊拡散層４０２とは層間絶縁膜３０を貫通するように設けられている層間配線部３２によって電気的に接続されている。

【0429】

層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。

【0430】

絶縁層４０１は、この構成例では、酸化シリコンにより構成されるフィールド酸化膜などの従来公知の任意好適な構成とすることができる。

【0431】

フォトゲート４０４は、例えばポリシリコンなどの従来公知の任意好適な材料により構成することができる。

【0432】

ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）、支持基板、封止基板、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、赤外線カットフィルムなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。

【0433】

ここで、ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部４００の動作について簡単に説明する。

【0434】

光源から光が照射され、光源からの光が測定対象より反射され、反射光を光電変換素子１０で受光する。光電変換素子１０と浮遊拡散層４０２との間には２つのフォトゲート４０４が設けられており、交互にパルスを加えることによって、光電変換素子１０によって発生した信号電荷を２つの浮遊拡散層４０２のいずれかに転送し、浮遊拡散層４０２に電荷が蓄積される。２つのフォトゲート４０４を開くタイミングに対して、光パルスが等分にまたがるように到来すると、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量は等量になる。一方のフォトゲート４０４に光パルスが到達するタイミングに対して、他方のフォトゲート４０４に光パルスが遅れて到来すると、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量に差が生じる。

【0435】

浮遊拡散層４０２に蓄積された電荷量の差は、光パルスの遅延時間に依存する。測定対象までの距離Ｌは、光の往復時間ｔｄと光の速度ｃを用いてＬ＝（１／２）ｃｔｄの関係にあるので、遅延時間が２つの浮遊拡散層４０２の電荷量の差から推定できれば、測定対象までの距離を求めることができる。

【0436】

光電変換素子１０が受光した光の受光量は、２つの浮遊拡散層４０２に蓄積される電荷量の差として電気信号に変換され、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち測定対象に対応する電気信号として出力される。

【0437】

次いで、浮遊拡散層４０２から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、測定対象に基づく距離情報が生成される。

【0438】

８．光検出素子
前記のとおり、本実施形態の光電変換素子は、照射された光を、受光量に応じた電気信号に変換し、電極を介して外部回路に出力しうる光検出機能を有しうる。よって、本発明の実施形態の光電変換素子は、光検出機能を有する光検出素子として特に好適に適用されうる。ここで、本実施形態の光検出素子は、光電変換素子そのものであってもよく、光電変換素子に加えて、電圧制御のためなどの機能素子をさらに含んでいてもよい。

【実施例0439】

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す。本発明は下記の実施例に限定されない。

【0440】

下記スキームに示されるとおり、化合物１、２及び３を用いて、高分子化合物Ｐ－１、Ｐ－２、Ｐ－５、Ｐ－６、Ｐ－８及びＰ－９を合成した。

【0441】

【化58】

【0442】

（実施例１）
＜高分子化合物Ｐ－１の合成＞
まず、化合物１及び化合物２は、国際公開第２０１４／１１２６５６号に記載の方法により合成した。
次いで、常温で冷却装置を備えたガラス製反応容器に、化合物１（８．８２ｍｍｏｌ）、化合物２（８．８２ｍｍｏｌ）、化合物３（１８ｍｍｏｌ）、水（５４０ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（６０ｍＬ）、テトラリン（３００ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（３００ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．２２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0443】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0444】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－１を得た。

【0445】

＜ＧＰＣ測定用試料の調製＞
溶媒としてテトラリンを用い、当該溶媒に、既に説明した高分子化合物Ｐ－１を６ｍｇ／ｍＬの濃度で溶解させ、８０℃で３時間加熱を行って溶解液を得た。

【0446】

次いで、得られた溶解液の温度を常温にまで戻した後、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を１０ｍｇ／ｍＬの濃度になるように加え、２時間静置した。

【0447】

溶解液中における添加剤の不溶解成分をメルク社製ミリポア ０．４５μｍＰＶＤＦフィルター（型番：ＳＬＨＶ０３３ＮＢ）で濾過して除去し、ＧＰＣ測定用試料を得た。

【0448】

＜ＧＰＣ測定＞
ＲＩ検出器とＵＶ－Ｖｉｓ検出器とを備えたゲル浸透クロマトグラフィー装置を用い、下記の分析条件により測定され、算出された値を分子量とした。上記のとおり調製したＧＰＣ測定用試料を用いて、調製当日に測定した値（Ｉｎｉｔ）、調製後７日間、常温で保管した後に測定した値（７日後）を得た。結果を下記表１に示した。

【0449】

［分析条件］
加熱装置：ＩＫＡ社製 Ｄｒｙ Ｂｌｏｃｋ Ｈｅａｔｅｒ ４
加熱条件：内温８０℃
装置：島津製作所社製 Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ ２０Ａシリーズ
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－８０６Ｍ ＫＤ－Ｇ ４Ａ（ガードカラム）
移動相：富士フイルム和光純薬社製 オルト－ジクロロベンゼン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
温度：６０℃
検出波長：６００ｎｍ
標準品：アジレント社製 ポリマーラボラトリーズ 標準ポリスチレン

【0450】

＜赤外分光法によるアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
乳鉢と乳棒とを用いて、既に説明した高分子化合物Ｐ－１を細かくなるまですりつぶし、臭化カリウムと高分子化合物Ｐ－１とを５質量％の濃度となるように、色が均一になるまで混合して試料を調製した。

【0451】

得られた試料を錠剤形成器に入れて錠剤を形成し、下記の測定条件で、赤外分光法（透過法）により高分子化合物のアミド構造を含む末端構造の割合の測定を行った。なお、臭化カリウムのみで形成した錠剤をブランクとして用いた。
［測定条件］
測定法：赤外分光法（透過法）
装置：ＴｈｅｒｍｏＦｉｓｈｅｒ社製 Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０ ＦＴ－ＩＲ
積算回数：３２回
含有量：高分子化合物１０ｍｇ、ＫＢｒ２００ｍｇ

【0452】

一部の高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピーク強度を、全ての高分子化合物に含まれる主鎖由来のピーク強度で除算し、さらに１００を乗じた値をアミド構造を含む末端構造の割合（％）とした。結果を下記表１に示した。

【0453】

ここで、一部の高分子化合物に含まれるアミド構造を含む末端構造に由来するＣ＝Ｏ伸縮ピークとしては、１７００ｃｍ^－１であるか、又はピークがシフトしている場合には±１０ｃｍ^－１の範囲でシフトしているピークであって、当該高分子化合物に含まれる上記Ｃ＝Ｏ伸縮ピークとして同定した波数における強度を採用した。

【0454】

また、全ての高分子化合物に含まれる主鎖由来のピークとしては、９５４ｃｍ^－１であるか、又はピークがシフトしている場合には±１０ｃｍ^－１の範囲でシフトしているピークであって、高分子化合物に含まれる主鎖由来のピークとして同定した波数における強度を採用した。

【0455】

（実施例２）
＜高分子化合物Ｐ－２の合成＞
まず、化合物１及び化合物２を、国際公開第２０１４／１１２６５６号に記載の方法により合成した。
次いで、常温で冷却装置を備えたガラス製反応容器に、化合物１（１３．０２ｍｍｏｌ）、化合物２（１３．０２ｍｍｏｌ）、化合物３（２６．５ｍｍｏｌ）、水（７９４．９ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（８８．４ｍＬ）、テトラリン（４４１．７ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（４４１．７ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．３２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0456】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0457】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより、高分子化合物Ｐ－２を得た。

【0458】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－２を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表１に示した。

【0459】

（比較例１）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表１に示した。

【0460】

（比較例２）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例２と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表１に示した。

【0461】

＜化合物９の合成＞
以下の手順のとおり化合物９の合成を行った。

【0462】

まず、下記のスキームのとおり化合物４を合成した。

【0463】

【化59】

【0464】

窒素ガスで内部の雰囲気を置換したフラスコにマグネシウム（６５．２ｇ、２．６８ｍｏｌ）、ＴＨＦ（２７５ｍＬ）、ヨウ素（２粒）を加えて、撹拌した。ヨウ素の紫色が消えた後に、１－Ｂｒｏｍｏ－３－ｈｅｘｙｌｂｅｎｚｅｎｅ（６１２．９ｇ、２．５４ｍｏｌ）のＴＨＦ（４７３０ｍＬ）溶液を滴下し、グリニャール試薬を発生させた。

【0465】

次に、別のフラスコに１，３－Ｄｉｂｒｏｍｏｂｅｎｚｅｎｅ（５５０ｇ、２．３３ｍｏｌ）、ＴＨＦ（２７８３ｍＬ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２（７．６２ｇ、９．３３ｍｍｏｌ）を加え、撹拌して１０℃まで冷却した。このフラスコに調製済みのグリニャール試薬を内温が１０℃を超えないように滴下し、反応液を得た。その後１時間撹拌し、反応液に水を注いで反応を停止させ、分液して有機層を得た。

【0466】

得られた有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、硫酸マグネシウムをろ過によって除去した後、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。

【0467】

濃縮されたろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン溶媒）で精製することで化合物４を５３２．２ｇ（１．６８ｍｏｌ、収率６７％）得た。

【0468】

化合物４の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は下記のとおりである。
δ（ｐｐｍ）：７．７３ （ｔ， １Ｈ）， ７．５２－７．５０ （ｄｔ， １Ｈ）， ７．４８－７．４５ （ｄｑ， １Ｈ）， ７．３８－７．２８ （ｍ， ４Ｈ）， ７．２１－７．１８ （ｍ， １Ｈ）， ２．６７ （ｔ， ２Ｈ）， １．６９－１．５８ （ｍ， ２Ｈ）， １．４０－１．２８ （ｍ， ６Ｈ）， ０．８９ （ｔ， ３Ｈ）

【0469】

次に、下記のスキームのとおり化合物６を合成した。

【0470】

【化60】

【0471】

窒素ガスで内部の雰囲気を置換した容量１Ｌの四つ口フラスコにマグネシウム（１．６１ｇ，０．０６６ｍｏｌ）、ＴＨＦ（４７ｇ）、ヨウ素（３２ｍｇ）を加え、撹拌した。ヨウ素の紫色が消えた後に、化合物４（１９．８ｇ、０．０６３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（３６ｇ）溶液を滴下し、グリニャール試薬を発生させた。

【0472】

国際公開第２０１１／１３６３１１号に記載の方法で合成した化合物５（５．２１ｇ、０．０２５ｍｏｌ）及びＴＨＦ（１０７ｇ）を含む溶液を内温が４０℃を超えないように四つ口フラスコに滴下し、反応液を得た。その後１時間撹拌し、反応液に塩化アンモニウム水溶液を注いで反応を停止させ、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、硫酸マグネシウムをろ過によって除去した後、得られたろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。

【0473】

展開溶媒としてヘキサン及び酢酸エチルを使用するシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで、化合物６を１４．２１ｇ（２０．７ｍｍｏｌ、収率８３％）得た。

【0474】

化合物６の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は下記のとおりである。
δ（ｐｐｍ）：７．８２－７．７６ （ｍ， １Ｈ）， ７．６４ （ｓ， ２Ｈ）， ７．４３ （ｍ， ２Ｈ）， ７．３１ （ｍ， １０Ｈ）， ７．２５ （ｍ， ２Ｈ）， ７．２１ （ｍ， １Ｈ）， ７．１３ （ｍ， ２Ｈ）， ６．９１ （ｄ， １Ｈ）， ６．６４ （ｄ， １Ｈ）， ６．４３ （ｄ， １Ｈ）， ３．７２－３．６４ （ｍ， １Ｈ）， ２．６３ （ｔ， ４Ｈ）， １．６１ （ｍ， ４Ｈ）， １．２２－１．３４ （ｍ， １２Ｈ）， ０．８６ （ｔ， ６Ｈ）

【0475】

次いで、下記のスキームのとおり化合物７を合成した。

【0476】

【化61】

【0477】

容量５００ｍＬの四つ口フラスコに化合物６（１４．２１ｇ、０．０２０８ｍｍｏｌ）、ヘプタン（１３０ｇ）を仕込み、反応容器内の雰囲気を窒素ガスで置換した後にトリフルオロ酢酸（０．４０９ｇ、０．００３６ｍｍｏｌ）を仕込み、６０℃に昇温して３０分間撹拌した後に、常温まで冷却して反応溶液を得た。

【0478】

反応溶液を水で２回洗浄した後、有機層を硫酸マグネシウムで脱水し、シリカゲルを充填した桐山ロートに通液させ、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮することで化合物７を１３．３７ｇ（収率９６．６％）得た。

【0479】

得られた化合物７の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は下記のとおりである。
δ（ｐｐｍ）：７．７３ （ｓ， ２Ｈ）， ７．６４ （ｓ， ２Ｈ）， ７．４５－７．４３ （ｍ， ７Ｈ）， ７．３３－７．３１ （ｍ， ２Ｈ）， ７．２６ （ｓ， ２Ｈ）， ７．２２ （ｓ， １Ｈ）， ７．１６－７．１３ （ｍ， １Ｈ）， ６．９３ （ｄ， １Ｈ）， ６．６５ （ｄ， １Ｈ）， ６．４４ （ｄ， １Ｈ）， ２．６４ （ｔ， ４Ｈ）， １．６７－１．５８ （ｍ， ４Ｈ）， １．３４－１．２６ （ｍ， １２Ｈ）， ０．８６ （ｔ， ６Ｈ）

【0480】

下記のスキームのとおり化合物８を合成した。

【0481】

【化62】

【0482】

アルゴンガスで内部の雰囲気を置換したフラスコに化合物７（２５．０ｇ）、テトラエチルエチレンジアミンを（５．６ｍＬ）、脱水テトラヒドロフラン（４３６ｍＬ）を入れ、攪拌して溶解させた。次いで溶液をドライアイス及びアセトンを含む冷却槽で－６５℃まで冷却した後、１．６ｍｏｌ／ＬのｎＢｕＬｉヘキサン溶液（５８．９ｍＬ）をフラスコに滴下し、－６５℃で２時間攪拌した。－６５℃を維持したまま、トリイソプロポキシボラン（１９．７４ｇ）をＴＨＦ４０ｍＬに溶解させた溶液をフラスコに滴下し、－６５℃でさらに１時間攪拌した後、常温まで昇温させて反応液を得た。

【0483】

次に、得られた反応液に濃度２％の塩酸を２９０ｍＬ入れ、分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムとトリメチロールエタン（１３．５ｇ）を加えて１時間常温で攪拌した。濾過によって硫酸マグネシウムを除き、ろ液を得た。得られたろ液について減圧下で溶媒を留去し、トルエン（７００ｍＬ）を加えて析出した固体をろ過によって除去した後、ヘキサンを加えて上澄みを除いた後、減圧下で溶媒を除去することで化合物８を３７．７ｇ（収率１０９％）得た。

【0484】

（実施例３）
下記のスキームのとおり、高分子化合物Ｐ－３及びＰ－４を合成した。

【0485】

【化63】

【0486】

冷却装置を備えたガラス製反応容器に、常温で、原料として化合物１（１．０５ｍｍｏｌ）、化合物８（１．０５ｍｍｏｌ）、化合物３（２．１ｍｍｏｌ）、水（６２．５ｇ）、濃度４０質量％のリン酸カリウム水溶液（７．６ｍＬ）、ＴＨＦ（４９ｍＬ）、テトラリン（２１ｍＬ）、及びビス（トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン）パラジウム（０）（０．０２ｍｍｏｌ）を加えて６５℃で１時間攪拌した。さらに反応容器に原料としてフェニルホウ酸（２．１ｍｍｏｌ）及び濃度４０質量％のリン酸カリウム水溶液（１１．０ｍＬ）の混合溶液を加えて、６５℃で１時間攪拌した。生じた有機層をジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液、酢酸水、及び水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0487】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－３を得た。

【0488】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－３を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表１に示した。

【0489】

（比較例３）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例３と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表１に示した。

【0490】

（実施例４）
加えた原料を、化合物３（２．１ｍｍｏｌ）、化合物８（１．０６１ｍｍｏｌ）及び化合物１（１．０６１ｍｍｏｌ）とした以外は、高分子化合物Ｐ－３と同様にして高分子化合物Ｐ－４を合成した。

【0491】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－４を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表１に示した。

【0492】

（比較例４）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例４と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表１に示した。

【0493】

（比較例５）
まず、化合物１及び化合物２を、国際公開第２０１４／１１２６５６号に記載の方法により合成した。

【0494】

次いで、常温で冷却装置を備えたガラス製反応容器に、化合物１（１２．９５ｍｍｏｌ）、化合物２（１２．９５ｍｍｏｌ）、化合物３（２６．５ｍｍｏｌ）、水（７８９．８ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（９３．５ｍＬ）、オルトキシレン（４４１ｍＬ）、シクロヘキサノン（４４１ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．３２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0495】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0496】

得られた粗ポリマーをオルトキシレンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－５を得た。

【0497】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－５を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表２に示した。
なお、表２中、「Ｎ．Ｄ．」はＣ＝Ｏ伸縮ピーク強度が検出限界値以下であったためアミド構造を含む末端構造の割合が算出できなかったことを示している。

【0498】

（比較例６）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は比較例５と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表２に示した。

【0499】

（比較例７）
まず、化合物１及び化合物２を、国際公開第２０１４／１１２６５６号に記載の方法により合成した。

【0500】

次いで、冷却装置を備えたガラス製反応容器に、常温で、化合物１（８．９２ｍｍｏｌ）、化合物２（８．９２ｍｍｏｌ）、化合物３（１８ｍｍｏｌ）、水（５４０ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（６０ｍＬ）、テトラリン（３００ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（３００ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．２２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0501】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0502】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－６を得た。

【0503】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－６を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表２に示した。

【0504】

（比較例８）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は比較例７と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表２に示した。

【0505】

（実施例５）
下記のスキームのとおり、高分子化合物Ｐ－７を合成した。

【0506】

【化64】

【0507】

冷却装置を備えたガラス製反応容器に、常温で、化合物１（２．５４ｍｍｏｌ）、化合物３（２．５０ｍｍｏｌ）、水（７５．５ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（１３．８ｍＬ）、テトラリン（４２．３ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（４０．１ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．０１６ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0508】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0509】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより、高分子化合物Ｐ－７を得た。

【0510】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－７を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0511】

(実施例６)
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－７を用い、添加剤として２－ピリジノールを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である２－ピリジノールを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0512】

(実施例７)
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－７を用い、添加剤としてプロピオンアミドを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤であるプロピオンアミドを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0513】

（比較例９）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例５と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表３に示した。

【0514】

（実施例８）
冷却装置を備えたガラス製反応容器に、常温で、化合物１（８．８２ｍｍｏｌ）、化合物２（８．８２ｍｍｏｌ）、化合物３（１８．０００ｍｍｏｌ）、水（５４０ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（８９．４ｍＬ）、テトラリン（３００ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（３００ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．２２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0515】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0516】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－８を得た。

【0517】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－８を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0518】

（実施例９）
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－８を用い、添加剤として２－ピリジノールを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である２－ピリジノールを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0519】

（実施例１０）
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－８を用い、添加剤としてプロピオンアミドを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤であるプロピオンアミドを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0520】

（比較例１０）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例８と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表３に示した。

【0521】

（実施例１１）
常温で冷却装置を備えたガラス製反応容器に、化合物１（１３．０２４ｍｍｏｌ）、化合物２（１３．０２４ｍｍｏｌ）、化合物３（２６．５００ｍｍｏｌ）、水（７９４ｍＬ）、４０質量％リン酸カリウム水溶液（８．４ｍＬ）、テトラリン（４４１．７ｍＬ）、１－メチルシクロヘキサノール（４４１．７ｍＬ）、及びクロリド（メタニド）｛ビス（１，１－ジメチルエチル）［３，５－ビス（１，１－ジメチルエチル）フェニル］ホスファン｝パラジウム（０．３２ｍｍｏｌ）を加えて混合した。

【0522】

得られた混合物を６５℃で２時間攪拌した。生じた有機層を水、酢酸水で洗浄した後、洗浄済みの有機層をメタノールに加えて析出した固体を濾過することによって粗ポリマーとして回収した。

【0523】

得られた粗ポリマーをテトラリンに溶解させて、５Ｂ（ＪＩＳ Ｐ ３８０１：５種Ｂ）濾紙に通液させた後、再度メタノールに加えて析出した固体を濾過によって回収することにより高分子化合物Ｐ－９を得た。

【0524】

＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－９を用い、添加剤として４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0525】

（実施例１２）
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－９を用い、添加剤として２－ピリジノールを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤である２－ピリジノールを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0526】

（実施例１３）
＜ＧＰＣ測定及びアミド構造を含む末端構造の割合の測定＞
高分子化合物Ｐ－９を用い、添加剤としてプロピオンアミドを添加した以外は実施例１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。なお、赤外分光法による測定は、添加剤であるプロピオンアミドを添加せずに実施した。結果を下記表３に示した。

【0527】

（比較例１１）
４－メチルカルボスチリル（４ＭＣＳ）を用いなかった以外は実施例１１と同様にして、ＧＰＣ測定を行った。結果を下記表３に示した。

【0528】

【表1】

【0529】

【表2】

【0530】

【表3】

【符号の説明】

【0531】

１ イメージ検出部
２ 表示装置
１０ 光電変換素子
１１、２１０ 支持基板
１２ 第１の電極
１３ 電子輸送層
１４ 活性層
１５ 正孔輸送層
１６ 第２の電極
１７ 封止部材
２０ ＣＭＯＳトランジスタ基板
３０ 層間絶縁膜
３２ 層間配線部
４０ 封止層
４２ シンチレータ
４４ 反射層
４６ 保護層
５０ カラーフィルター
１００ 指紋検出部
２００ 表示パネル部
２００ａ 表示領域
２２０ 有機ＥＬ素子
２３０ タッチセンサーパネル
２４０ 封止基板
３００ 静脈検出部
３０２ ガラス基板
３０４ 光源部
３０６ カバー部
３１０ 挿入部
４００ ＴＯＦ型測距装置用イメージ検出部
４０１ 絶縁層
４０２ 浮遊拡散層
４０４ フォトゲート
４０６ 遮光部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】