特開2023-60555パッシベーション膜の製造方法、パッシベーション膜付半導体基板、及び半導体素子

発明の名称　パッシベーション膜の製造方法、パッシベーション膜付半導体基板、及び半導体素子

出願人　独立行政法人産業技術総合研究所　（識別番号 301021533）

　　　　特許公開件数ランキング 196 位（88件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 144 位（102件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2023-60555

公報発行日　2023年4月28

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-60555

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