特開 2023-61258 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023061258

(43)【公開日】2023-05-01

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20230424BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20230424BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 B

H05K3/46 N

H01L23/12 Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021171147

(22)【出願日】2021-10-19

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】田中 輝

(72)【発明者】

【氏名】春日 崇志

(72)【発明者】

【氏名】下平 朋幸

(72)【発明者】

【氏名】近藤 人資

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA15

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC09

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC54

5E316DD24

5E316DD32

5E316DD33

5E316EE33

5E316FF07

5E316FF14

5E316GG17

5E316GG22

5E316HH01

(57)【要約】

【課題】外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板の提供。
【解決手段】本配線基板は、外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、前記パッドの上面は、絶縁層の上面よりも低い位置にあり、前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、
前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、
前記パッドの上面は、絶縁層の上面よりも低い位置にあり、
前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられている、配線基板。

【請求項2】

溝の底面は、前記パッドの下面と同じ位置にあるか、前記パッドの下面よりも低い位置にある、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記パッドの側面は、前記絶縁層から露出している、請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記絶縁層は、平面視で、前記パッドの側面と前記溝の底面との間に、前記パッドの側面全体を被覆する被覆部を有している、請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項5】

前記パッドは、積層構造であり、
前記絶縁層と接する最下層は銅層であり、最上層は金層である、請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項6】

前記パッドは、銅層の単層構造であり、
前記パッドの前記絶縁層から露出する面に有機被膜が形成されている、請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項7】

前記絶縁層の前記パッドの下面を被覆する面は、平面視で、前記パッドの側面と前記溝の底面との間に延伸する延伸部を有している、請求項６に記載の配線基板。

【請求項8】

複数のパッドを有し、
各々のパッドの周囲に溝があり、
隣接するパッドの周囲の溝同士が連通する、請求項１乃至７の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項9】

前記絶縁層の下面側に形成された配線層を有し、
前記配線層は、前記絶縁層を貫通して前記パッドの下面と接するビア配線を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の配線基板。

【請求項10】

支持体の上面の所定位置に、犠牲層、及び外部接続用のパッドを順次積層する工程と、
前記支持体の上面に、第１面が前記支持体の上面と接し、かつ前記犠牲層及び前記パッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記支持体及び前記犠牲層を除去する工程と、
前記絶縁層に、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の第１面側に開口する溝を形成する工程と、を有する、配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

配線基板は、例えば、最外層に配置された絶縁層から露出するパッドを有する。このパッドは、例えば、マザーボード等と電気的に接続するための外部接続用のパッドとなる。この配線基板の製造工程は、例えば、支持体の上面に外部接続用のパッドを形成する工程と、支持体の上面に外部接続用のパッドを被覆する絶縁層を形成する工程と、支持体を除去する工程とを含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－１４１０７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、パッドの上面の面積が大きいと、静電容量が大きくなって電気信号が劣化する場合がある。そこで、近年では、静電容量を低減するために、パッドの上面の面積を小さくしたいという要求がある。一方、配線基板との接続に用いるソケット等に関して従来の配線基板との互換性を確保する観点から、パッドは小型化しても、パッドの周囲の絶縁層の開口の大きさは変えたくないという要求がある。

【0005】

これらの要求に答えるためには、平面視で、パッドの周囲の絶縁層の開口部の外縁は移動させずに、パッドの外縁を絶縁層の開口部の外縁よりも内側に移動させる必要がある。しかし、上記の配線基板では、パッドの外縁のみを絶縁層の開口部の外縁よりも内側に移動させることは困難である。

【0006】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板の提供を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本配線基板は、外部接続用のパッドと、絶縁層と、を有し、前記パッドの下面の一部は、前記絶縁層に被覆され、前記パッドの上面は、絶縁層の上面よりも低い位置にあり、前記絶縁層には、平面視で前記パッドの周囲に位置し、前記絶縁層の上面側に開口する溝が設けられている。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、外部接続用のパッドの外縁が平面視で絶縁層の開口部の外縁よりも内側に位置する配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する図である。

【図6】第２実施形態に係る配線基板を例示する図である。

【図7】第３実施形態に係る配線基板を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0011】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する図であり、図１（ａ）は部分平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ－Ａ線に沿う部分断面図である。

【0012】

図１を参照すると、配線基板１は、パッド１０と、絶縁層２０と、配線層３０と、絶縁層４０と、配線層５０とを有している。配線基板１において、さらに多数の絶縁層及び配線層が積層されてもよい。

【0013】

なお、本実施形態では、便宜上、図１（ｂ）における配線基板１の絶縁層２０側を上側又は一方の側、絶縁層４０側を下側又は他方の側とする。また、各部位の絶縁層２０側の面を上面又は一方の面、絶縁層４０側の面を下面又は他方の面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物を絶縁層２０の上面２０ａの法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を絶縁層２０の上面２０ａの法線方向から視た形状を指すものとする。

【0014】

パッド１０は、外部接続用のパッドである。パッド１０は、例えば、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続するために使用できる。パッド１０は積層構造である。例えば、絶縁層２０と接する最下層である金属層１３は銅層（Ｃｕ層）であり、最上層である金属層１２は金層（Ａｕ層）である。金属層１３の厚さは、例えば、１０～３０μｍ程度である。

【0015】

なお、金属層１２は、最上層をＡｕ層とする積層構造であってもよい。金属層１２は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層（金属層１３上にＮｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（金属層１３上にＮｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等とすることができる。金属層１２がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ層である場合、例えば、Ｎｉ層の厚さは５～１０μｍ程度であり、Ｐｄ層の厚さは０．０１５～０．０６５μｍ程度であり、Ａｕ層の厚さは０．０３０～０．０９０μｍ程度である。

【0016】

パッド１０の平面形状は、例えば、直径が６００μｍ～８００μｍ程度の円形である。ただし、パッド１０の平面形状は、楕円形や矩形、その他の任意の形状であってもよい。

【0017】

パッド１０は、絶縁層２０の上面２０ａ側に露出している。絶縁層２０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層２０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層２０の厚さは、例えば、１０～７０μｍ程度とすることができる。

【0018】

パッド１０の下面の一部（ビア配線と接続される部分を除く部分）は、絶縁層２０に被覆されている。また、パッド１０の上面１０ａは、絶縁層２０の上面２０ａよりも低い位置にある。パッド１０の上面１０ａと絶縁層２０の上面２０ａとの距離は、例えば、５～２０μｍ程度である。絶縁層２０には、平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇが設けられている。パッド１０の平面形状が円形である場合、溝２０ｇは、例えば、平面視において、内縁及び外縁が径の異なる円形となるようにリング状に形成することができる。溝２０ｇの幅は、例えば、８０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。

【0019】

溝２０ｇの底面は、例えば、パッド１０の下面（金属層１３の下面）よりも深い位置にある。ただし、溝２０ｇの底面は、パッド１０の下面（金属層１３の下面）と同じ位置にあってもよいし、パッド１０の下面（金属層１３の下面）よりも浅い位置にあってもよい。溝２０ｇの底面は、例えば、パッド１０の下面（金属層１３の下面）に対して±３０μｍの位置にある。すなわち、パッド１０の側面は絶縁層２０から露出しているが、パッド１０の側面全体が絶縁層２０から露出する場合と、パッド１０の側面の上面１０ａに近い側が露出し下面に近い側が絶縁層２０に被覆される場合とがある。

【0020】

配線層３０は、絶縁層２０の他方の側に形成されている。配線層３０は、例えば、絶縁層２０を貫通しパッド１０の下面を露出するビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層２０の下面に形成されたビア受けパッド、及び配線パターンを含んで構成されている。ビア配線は、絶縁層２０を貫通してパッド１０の下面と接する。ビアホール２０ｘは、絶縁層４０側に開口されている開口部の径がパッド１０の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層３０の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。配線層３０を構成するビア受けパッド、及び配線パターンの厚さは、例えば、１０～３０μｍ程度とすることができる。

【0021】

絶縁層４０は、絶縁層２０の下面に配線層３０を覆うように形成されている。絶縁層４０の材料や厚さは、例えば、絶縁層２０と同様とすることができる。絶縁層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0022】

配線層５０は、絶縁層４０の他方の側に形成されている。配線層５０は、例えば、絶縁層４０を貫通し配線層３０のビア受けパッドの下面を露出するビアホール４０ｘ内に充填されたビア配線、絶縁層４０の下面に形成されたパッド、及び配線パターンを含んで構成されている。ビアホール４０ｘは、絶縁層４０の下面側に開口されている開口部の径が配線層３０のビア受けパッドの下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。配線層５０の材料や配線層５０を構成するビア受けパッド、及び配線パターンの厚さは、例えば、配線層３０と同様とすることができる。

【0023】

このように、配線基板１において、絶縁層２０には、平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇが設けられている。これにより、パッド１０の外縁が平面視で絶縁層２０の開口部の外縁（溝２０ｇの外縁）よりも内側に位置することが可能となるため、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくできる。パッド１０の上面１０ａの面積を小さくすることで、パッド１０の静電容量を低減することが可能となり、パッド１０を通過する電気信号の劣化を抑制できる。

【0024】

また、仮に、溝２０ｇを設けないとすると、パッド１０の上面１０ａを露出する絶縁層２０の開口部の位置は、後述の図４（ａ）のようになる。つまり、平面視で、開口部の外縁とパッド１０の外縁とが同じ位置になる。この場合、パッド１０の上面１０ａの面積を従来より小さくすると、開口部の大きさも小さくなってしまい、従来の配線基板との互換性を確保できなくなる。

【0025】

すなわち、パッド１０をマザーボード等の実装基板に接続する際にソケットが使用されるが、パッド１０の上面１０ａを露出する絶縁層２０の開口部は、ソケットが絶縁層２０に接触しない大きさとされている。したがって、従来の配線基板との互換性を確保しながらパッド１０の静電容量を低減するためには、絶縁層２０の開口部の大きさを変えることなく、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくする必要がある。平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇを設けることで、従来の配線基板との互換性を確保しつつ、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくすることが可能となる。

【0026】

また、パッド１０とマザーボード等の実装基板とを、はんだを介して接続する場合には、余剰のはんだがパッド１０の上面１０ａから溝２０ｇ内に流れ込むため、隣接するパッド同士の短絡を抑制できる。また、はんだが溝２０ｇ内に入り込むことで、パッド１０の上面１０ａ及び側面がはんだと３次元的に接合されるため、パッド１０とはんだとの接合強度を向上できる。また、配線基板１では、パッド１０の上面１０ａが絶縁層２０の上面２０ａよりも低い位置にあるため、はんだ全体の重心が配線基板１の中心側に位置するようになるため、パッド１０とはんだとの接続の安定性を向上できる。特に、配線基板１の水平方向（上面１０ａと平行な方向）にかかる力に対するはんだの耐久性を大幅に向上できる。はんだとの接合に関するこれらの効果は、溝２０ｇの底面がパッド１０の下面と同じ位置にあるか、パッド１０の下面よりも低い位置にある場合に大きくなる。

【0027】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図４は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。なお、本実施形態では、単品の配線基板を形成する工程を示すが、配線基板となる複数の部分を作製後、個片化して各配線基板とする工程としてもよい。

【0028】

まず、図２（ａ）に示す工程では、上面が平坦面である支持体３００を準備する。支持体３００としては、金属板や金属箔等を用いることができるが、本実施形態では、支持体３００として銅箔を用いる例を示す。支持体３００の厚さは、例えば１８～１００μｍ程度とすることができる。

【0029】

次に、支持体３００の上面の所定位置に、パッド１０を形成する部分に開口部４００ｘを備えたレジスト層４００（例えば、ドライフィルムレジスト等）を形成する。そして、支持体３００をめっき給電層に利用する電解めっき法等により、レジスト層４００の開口部４００ｘ内に露出する支持体３００の上面に、犠牲層１１及び外部接続用のパッド１０を順次積層する。その後、レジスト層４００を除去する。

【0030】

パッド１０は、例えば、犠牲層１１側から金属層１２及び金属層１３が順次積層した積層構造とすることができる。金属層１２自体が積層構造であってもよい。ここでは、一例として、犠牲層１１及び金属層１３は銅層とする。また、金属層１２は、犠牲層１１側から、金層、ニッケル層、パラジウム層の積層構造とする。各金属層の厚さについては、前述のとおりである。なお、犠牲層１１は、最終的にエッチングにより除去される金属層である。

【0031】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、支持体３００の上面に、下面が支持体３００の上面と接し、かつ犠牲層１１の側面、及びパッド１０の上面と側面を被覆するように半硬化状態のフィルム状のエポキシ系樹脂等をラミネートし、硬化させて絶縁層２０を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等を塗布後、硬化させて絶縁層２０を形成してもよい。絶縁層２０の厚さ等は、前述のとおりである。

【0032】

次に、図３（ａ）に示す工程では、絶縁層２０に、絶縁層２０を貫通しパッド１０の上面を露出させるビアホール２０ｘを形成する。ビアホール２０ｘは、例えばＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。その後、デスミア処理を行い、ビアホール２０ｘの底部に露出するパッド１０の上面に付着した樹脂残渣を除去してもよい。

【0033】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０上に配線層３０を形成する。配線層３０は、例えば、ビアホール２０ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２０上に形成されたビア受けパッド、及び配線パターンを含んで構成される。配線層３０は、ビアホール２０ｘの底部に露出したパッド１０と電気的に接続される。配線層３０の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層３０は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線層形成方法を用いて形成できる。

【0034】

次に、図３（ｃ）に示す工程では、図２（ｂ）～図３（ｂ）と同様の工程を繰り返し、配線層３０上に絶縁層４０を形成し、絶縁層４０に配線層３０のビア受けパッドの上面を露出するビアホール４０ｘを形成し、さらに配線層５０を形成する。絶縁層４０の材料や厚さは、例えば、絶縁層２０の材料や厚さと同様とすることができる。配線層５０の材料や厚さは、例えば、配線層３０の材料や厚さと同様とすることができる。

【0035】

次に、図４（ａ）に示す工程では、支持体３００を除去する。銅箔からなる支持体３００は、例えば、過酸化水素／硫酸系水溶液や、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより除去できる。犠牲層１１も銅層であるため、支持体３００の除去と同時に犠牲層１１も除去される。

【0036】

一方、金属層１２の再表面は金層であるため、銅層を除去するエッチング液では除去されず、エッチングストッパ層となる。パッド１０の上面１０ａ（金属層１２の上面）は、絶縁層２０の上面２０ａから窪んだ位置に露出する。なお、図４（ａ）は、図３（ｃ）等とは上下を反転させた状態で描かれている。後述の、図４（ｂ）についても同様である。

【0037】

次に、図４（ｂ）に示す工程では、絶縁層２０に、平面視でパッド１０の周囲に位置し、絶縁層２０の上面２０ａ側に開口する溝２０ｇを形成する。溝２０ｇは、例えば、レーザ加工法により形成できる。溝２０ｇは、例えば、平面視において、内縁及び外縁が径の異なる円形となるようにリング状に形成される。溝２０ｇの底面は、例えば、パッド１０の下面（金属層１３の下面）よりも深い位置に形成される。ただし、溝２０ｇの底面は、パッド１０の下面（金属層１３の下面）と同じ位置に形成されてもよいし、パッド１０の下面（金属層１３の下面）よりも浅い位置に形成されてもよい。溝２０ｇの底面の位置は、レーザのパワーによって調整可能であり、例えば、パッド１０の下面（金属層１３の下面）に対して上下方向に±３０μｍの範囲内で形成される。これにより、配線基板１が完成する。

【0038】

〈第１実施形態の変形例１〉
第１実施形態の変形例１では、絶縁層がパッドの側面を被覆する例を示す。なお、第１実施形態の変形例１において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0039】

図５は、第１実施形態の変形例１に係る配線基板を例示する図であり、図５（ａ）は部分平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ－Ｂ線に沿う部分断面図である。

【0040】

図５を参照すると、配線基板１Ａは、パッド１０の側面全体が絶縁層２０に被覆されている点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。つまり、絶縁層２０は、平面視で、パッド１０の側面と溝２０ｇの底面との間に、パッド１０の側面全体を被覆するリング状の被覆部２０ｒを有している。被覆部２０ｒの幅は、例えば、０．１～２μｍ程度である。被覆部２０ｒは、溝２０ｇを形成する際に絶縁層２０にレーザ光を照射する位置を調整することで形成できる。

【0041】

このように、パッド１０の側面は必ずしも絶縁層２０から露出していなくてもよい。このような構造でも、従来の配線基板との互換性を確保しつつ、パッド１０の上面１０ａの面積を小さくしてパッド１０の静電容量を低減することが可能となる。

【0042】

〈第２実施形態〉
第２実施形態では、パッドの層構造が異なる配線基板の例を示す。なお、第２実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0043】

図６は、第２実施形態に係る配線基板を例示する図であり、図６（ａ）は部分平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ－Ｃ線に沿う部分断面図である。

【0044】

図６を参照すると、配線基板２は、パッド１０が単層構造である点が、配線基板１（図１等参照）と相違する。パッド１０は、例えば、銅層である。絶縁層２０のパッド１０の下面を被覆する面は、例えば、平面視で、パッド１０の側面と溝２０ｇの底面との間にリング状に延伸する延伸部２０ｓを有している。延伸部２０ｓの幅は、例えば、０．５～３μｍ程度である。パッド１０の上面１０ａには、例えば、有機被膜（図示せず）が形成されている。有機被膜は、パッド１０の側面を被覆してもよい。有機被膜は、例えば、アゾール化合物やイミダゾール化合物等を含む。

【0045】

図６に示すパッド１０及び絶縁層２０の構造は、例えば、以下のようにして形成できる。まず、図２（ａ）の工程で、犠牲層１１を銅層、金属層１２をニッケル層とする。この場合、金属層１２も犠牲層となる。そして、図２（ｂ）～図３（ｃ）の工程を実行後、図４（ａ）の工程で支持体３００及び犠牲層１１を除去後、ニッケルをエッチング可能で銅はエッチングされないエッチング液で、犠牲層である金属層１２を除去する。

【0046】

そして、図４（ｂ）と同様に、溝２０ｇを形成する。この時点では、平面視で、溝２０ｇの内縁とパッド１０の外縁は同じ位置にある。次に、パッド１０の上面１０ａ及び側面に形成された酸化膜を除去するために、パッド１０の上面１０ａ及び側面を２～３μｍ程度エッチングする。これにより、絶縁層２０のパッド１０の下面を被覆する面が、平面視で、パッド１０の側面と溝２０ｇの底面との間にリング状に延伸する延伸部２０ｓを有する構造となる。その後、パッド１０に対して、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理を施して有機被膜を形成する。

【0047】

なお、パッド１０が単層構造であって有機被膜を形成しない場合には、酸化膜を除去するためのエッチング工程は不要である。この場合は、平面視で、溝２０ｇの内縁とパッド１０の外縁は同じ位置となり、延伸部２０ｓは形成されない。

【0048】

また、第２実施形態と第１実施形態の変形例１とを組み合わせることも可能である。この形態では、単層構造のパッドの１０の側面は絶縁層２０で被覆される。そのため、有機被膜を形成する場合には、パッド１０の上面１０ａのみに形成される。

【0049】

〈第３実施形態〉
第３実施形態では、複数のパッドを有する配線基板の例を示す。なお、第３実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0050】

図７は、第３実施形態に係る配線基板を例示する図であり、図７（ａ）は部分平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ－Ｄ線に沿う部分断面図である。

【0051】

図７を参照すると、配線基板３は、複数のパッド１０を有している。図７では、複数のパッドうち、隣接する２つのパッド１０を示している。各々のパッド１０の周囲に溝２０ｇがあり、隣接するパッド１０の周囲の溝２０ｇ同士が連通している。

【0052】

このように、隣接する溝２０ｇが連通してもよい。隣接するパッド１０の間隔が狭い場合に有効である。隣接するパッド１０は、同じ電位のパッドであってもよい。例えば、隣接するパッド１０は、ＧＮＤであってもよい。この場合、はんだが隣接する溝２０ｇに流れ込んで隣接するパッド１０同士が導通しても問題はない。なお、隣接するパッド１０が異なる電位である場合は、例えば、各々のパッド１０の上面１０ａのみにはんだを形成すればよい。

【0053】

なお、第３実施形態と第１実施形態の変形例１及び／又は第２実施形態とを組み合わせることも可能である。

【0054】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0055】

１，１Ａ，２，３ 配線基板
１０ パッド
１１ 犠牲層
１２，１３ 金属層
１０ａ，２０ａ 上面
２０，４０ 絶縁層
２０ｇ 溝
２０ｒ 被覆部
２０ｓ 延伸部
２０ｘ，４０ｘ ビアホール
３０，５０ 配線層
３００ 支持体
４００ レジスト層
４００ｘ 開口部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】