特開 2023-6205 プラズマ処理装置及びライナアセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023006205

(43)【公開日】2023-01-18

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びライナアセンブリ

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20230111BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20230111BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/302 101G

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021108683

(22)【出願日】2021-06-30

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100096389

【弁理士】

【氏名又は名称】金本 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100101557

【弁理士】

【氏名又は名称】萩原 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100167634

【弁理士】

【氏名又は名称】扇田 尚紀

(74)【代理人】

【識別番号】100187849

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 隆史

(74)【代理人】

【識別番号】100212059

【弁理士】

【氏名又は名称】三根 卓也

(72)【発明者】

【氏名】阿部 涼也

(72)【発明者】

【氏名】桑原 有生

(72)【発明者】

【氏名】李 黎夫

(72)【発明者】

【氏名】荒巻 昂

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA04

2G084AA05

2G084BB21

2G084CC04

2G084CC05

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD24

2G084DD37

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF03

2G084FF04

2G084FF15

2G084FF23

5F004AA15

5F004AA16

5F004BA09

5F004BA14

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004BC02

5F004BC03

5F004BC08

5F004BD04

5F004CA06

(57)【要約】

【課題】プラズマ処理装置において自由度の高い導電性ライナを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理空間を有し、グランド電位に接続される導電性チャンバと、プラズマ処理空間内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、プラズマ処理空間から分離した状態で導電性チャンバに取り付けられ、導電性チャンバを介してグランド電位に接続される導電性リングと、導電性リングに取り付けられ、プラズマ処理空間において導電性リングの周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と第１の面と反対側の第２の面とを有し、第１の面は、プラズマに曝され、第２の面は、導電性チャンバの側壁と対向し、複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

プラズマ処理空間を有し、グランド電位に接続される導電性チャンバと、
前記プラズマ処理空間内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記プラズマ処理空間から分離した状態で前記導電性チャンバに取り付けられ、前記導電性チャンバを介してグランド電位に接続される導電性リングと、
前記導電性リングに取り付けられ、前記プラズマ処理空間において前記導電性リングの周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記プラズマに曝され、前記第２の面は、前記導電性チャンバの側壁と対向し、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、を有する、プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記複数の導電性ライナは、前記導電性チャンバの側壁から離間している、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記導電性ライナはＳｉ又はＳｉＣで形成される、請求項１～４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記複数の導電性ライナの数は２～１０である、請求項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記複数の導電性ライナの数は４～６である、請求項１～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

複数のクランプ部材を更に有し、
各クランプ部材は、隣り合う２つの導電性ライナを前記導電性リングに固定するように構成される、請求項１～７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

複数の樹脂製プラグを更に有し、
各樹脂製プラグは、第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部は、前記クランプ部材に形成された凹部内に配置され、前記第２の端部は、前記クランプ部材より内側に突出する、請求項８に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

複数の位置決めピンを更に有し、
各位置決めピンは、第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部は、前記導電性ライナの上面に形成された凹部内に配置され、前記第２の端部は、前記導電性リングの下面に形成された凹部内に配置される、請求項１～９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

前記複数の位置決めピンは樹脂製である、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。

【請求項12】

プラズマ処理装置で用いるライナアセンブリであって、
導電性リングと、
前記導電性リングに取り付けられ、前記導電性リングの周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されてる、複数の導電性ライナと、を有する、ライナアセンブリ。

【請求項13】

前記間隙は、径方向に対して斜めに形成されている、請求項１２に記載のライナアセンブリ。

【請求項14】

前記間隙は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造を有する、請求項１２に記載のライナアセンブリ。

【請求項15】

前記導電性ライナはＳｉ又はＳｉＣで形成される、請求項１２～１４のいずれか一項に記載のライナアセンブリ。

【請求項16】

複数のクランプ部材を更に有し、
各クランプ部材は、隣り合う２つの導電性ライナを前記導電性リングに固定するように構成される、請求項１２～１５のいずれか一項に記載のライナアセンブリ。

【請求項17】

複数の位置決めピンを更に有し、
各位置決めピンは、第１の端部及び第２の端部を有し、前記第１の端部は、前記導電性ライナの上面に形成された凹部内に配置され、前記第２の端部は、前記導電性リングの下面に形成された凹部内に配置される、請求項１２～１６のいずれか一項に記載のライナアセンブリ。

【請求項18】

前記複数の位置決めピンは樹脂製である、請求項１７に記載のライナアセンブリ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置及びライナアセンブリに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板処理システムに設けられた閉じ込めリングが開示されている。閉じ込めリングは、プラズマ領域内にプラズマを閉じ込めるために設けられる。閉じ込めリングは、環状の下壁、外壁及び上壁を含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０２０／００７５２９５号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置において自由度の高い導電性ライナを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様プラズマ処理装置は、プラズマ処理空間を有し、グランド電位に接続される導電性チャンバと、前記プラズマ処理空間内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、前記プラズマ処理空間から分離した状態で前記導電性チャンバに取り付けられ、前記導電性チャンバを介してグランド電位に接続される導電性リングと、前記導電性リングに取り付けられ、前記プラズマ処理空間において前記導電性リングの周方向に並べて配置される複数の導電性ライナであり、各導電性ライナは、第１の面と前記第１の面と反対側の第２の面とを有し、前記第１の面は、前記プラズマに曝され、前記第２の面は、前記導電性チャンバの側壁と対向し、前記複数の導電性ライナのうち２つの隣り合う導電性ライナの間には間隙が形成されている、複数の導電性ライナと、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、プラズマ処理装置において自由度の高い導電性ライナを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成を模式的に示す説明図である。

【図2】プラズマ処理装置の構成の概略を示す断面図である。

【図3】プラズマ処理装置の内部構成の概略を示す断面図である。

【図4】ライナアセンブリの構成の概略を示す斜視図（一部分解図）である。

【図5】ライナアセンブリの構成の概略を示す上方から見た平面図である。

【図6】ライナアセンブリの構成の概略を示す下方から見た平面図である。

【図7】ライナアセンブリの構成の概略を示す側面図である。

【図8】ライナアセンブリのクランプ構造の概略を示す断面図である。

【図9】ライナアセンブリの間隙構造の概略を示す平面図である。

【図10】他の実施形態にかかるライナアセンブリの間隙構造の概略を示す平面図である。

【図11】ライナアセンブリの位置決め構造の概略を示す断面図である。

【図12】シャッタアセンブリの構成の概略を示す斜視図（分解図）である。

【図13】シャッタアセンブリの構成の概略を示す平面図である。

【図14】シャッタアセンブリの構成の概略を示す側面図である。

【図15】シャッタアセンブリのクランプ構造の概略を示す断面図である。

【図16】シャッタアセンブリの間隙構造の概略を示す平面図である。

【図17】バッフルアセンブリの構成の概略を示す斜視図（一部分解図）である。

【図18】バッフルアセンブリの構成の概略を示す平面図である。

【図19】導電性バッフルプレートの構成の概略を示す平面図である。

【図20】バッフルアセンブリの位置決め構造の概略を示す断面図である。

【図21】バッフルアセンブリのクランプ構造の概略を示す断面図である。

【図22】バッフルアセンブリのクランプ構造の概略を示す断面図である。

【図23】他の実施形態にかかる導電性バッフルプレートの構成の概略を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

半導体デバイスの製造工程では、プラズマ処理装置において、半導体基板（以下、「基板」という。）に対してエッチングや成膜処理等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって基板を処理する。

【0009】

プラズマ処理装置は、チャンバの内部に形成されたプラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処装置には、プラズマ処理空間にプラズマを閉じ込めるためのライナが設けられる。上述した特許文献１における閉じ込めリングの外壁は、このライナに相当する。

【0010】

従来、特許文献１に記載されたようにライナ（閉じ込めリングの外壁）は、一体に設けられる。かかる場合、例えばライナの一部が消耗すると、プラズマ処理空間に生成されるプラズマに影響があり、プラズマ処理に変動が生じるため、ライナ全体を交換する必要がある。

【0011】

また、ライナの材料にはＳｉが例えば用いられるが、Ｓｉが脆性材であるが故に、一体構造のライナは単純な形状でしか作製が困難である。すなわち、一体構造のライナが複雑な形状である場合、割れ等の問題が生じるおそれがある。したがって、従来のライナの構造には改善の余地がある。

【0012】

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理装置において自由度の高い導電性ライナを提供する。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置及びライナアセンブリについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0013】

＜プラズマ処理システム＞
先ず、一実施形態にかかるプラズマ処理システムについて、図１を用いて説明する。図１は、プラズマ処理システムの構成を模式的に示す説明図である。

【0014】

一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理装置１は、導電性チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。導電性チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、導電性チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0015】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、２００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0016】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0017】

＜プラズマ処理装置＞
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合プラズマ処理装置の構成例について、図２を用いて説明する。図２は、プラズマ処理装置１の構成の概略を示す断面図である。本実施形態のプラズマ処理装置１では基板（ウェハ）Ｗにプラズマ処理を行うが、プラズマ処理対象の基板Ｗはウェハに限定されるものではない。

【0018】

容量結合プラズマ処理装置１は、導電性チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスを導電性チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、導電性チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、導電性チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。また。シャワーヘッド１３は、絶縁性遮蔽部材１４を介して、導電性チャンバ１０の側壁１０ａに支持されている。導電性チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、絶縁性遮蔽部材１４、導電性チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。導電性チャンバはグランド電位に接続される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、導電性チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0019】

更に、プラズマ処理装置１は、ライナアセンブリ１５及びバッフルアセンブリ１６を含む。ライナアセンブリ１５は、導電性チャンバ１０の側壁１０ａに沿って環状に設けられる。ライナアセンブリ１５は、プラズマ処理空間１０ｓの内部にプラズマを閉じ込めるために設けられる。バッフルアセンブリ１６は、基板支持部１１とライナアセンブリ１５との間において環状に設けられる。バッフルアセンブリ１６は、プラズマ処理空間１０ｓの内部のガスを排出するために設けられる。

【0020】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。

【0021】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１３及び静電チャック１１４を含む。基台１１３は、導電性部材を含む。基台１１３の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャック１１４は、基台１１３の上に配置される。静電チャック１１４の上面は、基板支持面１１１ａを有する。なお、一実施形態において、静電チャック１１４の上面は、リング支持面１１１ｂを有していてもよい。

【0022】

一実施形態において、リングアセンブリ１１２は、フォーカスリング１１５及びカバーリング１１６を含む。フォーカスリング１１５は、静電チャック１１４に支持された基板Ｗを囲むように環状に設けられる。カバーリング１１６は、フォーカスリング１１５を囲むように環状に設けられる。

【0023】

また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック１１４、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0024】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0025】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0026】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して導電性チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0027】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0028】

また、電源３０は、導電性チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0029】

排気システム４０は、例えば導電性チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0030】

＜ライナアセンブリとバッフルアセンブリの配置＞
次に、上述したライナアセンブリ１５とバッフルアセンブリ１６の配置について説明する。図３は、プラズマ処理装置の内部構成の概略を示す断面図である。

【0031】

ライナアセンブリ１５は、導電性チャンバ１０の側壁（内壁）１０ａに沿って環状に設けられる。ライナアセンブリ１５は、絶縁性遮蔽部材１４の下面に設けられた導電性上壁１７に連結される。導電性上壁１７は、導電性材料である例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。

【0032】

バッフルアセンブリ１６は、基板支持部１１の外周に沿って設けられたＳｉリング１８と、ライナアセンブリ１５との間において環状に設けられる。バッフルアセンブリ１６は、プラズマ処理空間１０ｓの内部のガスを排出するために設けられる。

【0033】

本実施形態では、ライナアセンブリ１５の後述する導電性ライナ２０１とバッフルアセンブリ１６の後述する導電性バッフルプレート３００との間には、間隙が形成される。導電性ライナ２０１の外径と導電性バッフルプレート３００の外径が同じで、導電性ライナ２０１の下面と導電性バッフルプレート３００の上面との間に間隙が形成されていてもよい。或いは、導電性ライナ２０１の内径が導電性バッフルプレート３００の外径より大きく、導電性ライナ２０１の内側面と導電性バッフルプレート３００の外側面との間に間隙が形成されていてもよい。なお、他の実施形態では、導電性ライナ２０１と導電性バッフルプレート３００は接触してもよい。

【0034】

＜ライナアセンブリ＞
次に、上述したライナアセンブリ１５の構成について説明する。図４は、ライナアセンブリ１５の構成の概略を示す斜視図（一部分解図）である。図５は、ライナアセンブリ１５の構成の概略を示す上方から見た平面図である。図６は、ライナアセンブリ１５の構成の概略を示す下方から見た平面図である。図７は、ライナアセンブリ１５の構成の概略を示す側面図である。

【0035】

ライナアセンブリ１５は、導電性リング２００、複数の導電性ライナ２０１及び複数のクランプ部材２０２を有する。導電性リング２００は、導電性材料である例えばＡｌで形成される。導電性リング２００は、導電性材料である例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。クランプ部材２０２は、特に限定されるものではないが、例えばＡｌで形成される。

【0036】

導電性リング２００は、平面視において環状形状を有する。図８に示すように導電性リング２００の径方向内側の上面には段部２００ａが形成され、径方向外側の下面には段部２００ｂが形成される。段部２００ａには、導電性上壁１７が設けられる。段部２００ｂには、クランプ部材２０２が設けられる。

【0037】

図３に示すように導電性リング２００は、導電性チャンバ１０に取り付けられる。また、導電性リング２００はプラズマ処理空間１０ｓに露出しないように配置される。すなわち、導電性リング２００は、プラズマ処理空間１０ｓから分離した状態で導電性チャンバ１０に取り付けられる。これにより、導電性リング２００がＡｌで形成されても、当該導電性リング２００が損傷を被るのを抑制することができる。導電性リング２００は、導電性チャンバ１０を介してグランド電位に接続される。

【0038】

複数の導電性ライナ２０１は、導電性リング２００に取り付けられ、当該導電性リング２００から下方に延伸して設けられる。複数の導電性ライナ２０１は、導電性リング２００及び導電性チャンバ１０を介してグランド電位に接続される。

【0039】

各導電性ライナ２０１は、円筒が分割された板形状を有する。また、複数の導電性ライナ２０１は、平面視で全体として環状形状を有し、導電性リング２００の周方向に並べて配置される。本実施形態では、導電性ライナ２０１の数（分割数）は５個であり、各導電性ライナ２０１はほぼ均等に分割されている。すなわち、導電性ライナ２０１の平面視における寸法はほぼ同じである。なお、導電性ライナ２０１の数は任意である。導電性ライナ２０１の数は例えば２～１０個であり、より好ましくは４～６個である。

【0040】

なお、５個の導電性ライナ２０１のうち、４個の導電性ライナ２０１Ａの高さ方向の長さは同じであるが、１個の導電性ライナ２０１Ｂの高さ方向の長さは導電性ライナ２０１Ａの長さより小さい。導電性ライナ２０１Ｂは、導電性チャンバ１０の側壁１０ａに形成された基板Ｗの搬入出口に対向して設けられ、当該導電性ライナ２０１Ｂの下方には、後述するシャッタアセンブリ２１０が設けられる。

【0041】

図３に示すように複数の導電性ライナ２０１は、導電性チャンバ１０の内部において、当該導電性チャンバ１０の側壁１０ａに沿って環状に設けられる。また、複数の導電性ライナ２０１は側壁１０ａから離間して配置される。導電性ライナ２０１の第１の面（内側面）２０１ａは、プラズマ処理空間１０ｓに露出する。従って、第１の面２０１ａは、プラズマ処理空間１０ｓ内で生成されたプラズマに曝される。導電性ライナ２０１の第１の面２０１ａと反対側の第２の面（外側面）２０１ｂは、側壁（内壁）１０ａと対向する。

【0042】

複数の導電性ライナ２０１のうち２つの隣り合う導電性ライナ２０１の間には、間隙２０３が形成される。本実施形態では５個の導電性ライナ２０１に対して、間隙２０３が５箇所に形成される。この間隙２０３により、２つの隣り合う導電性ライナ２０１が熱膨張しても、当該導電性ライナ２０１が干渉するのを抑制することができる。

【0043】

ここで、間隙２０３が径方向、すなわち放射状に形成される場合、導電性ライナ２０１の外側がプラズマに暴露するおそれがある。この点、本実施形態では図９に示すように、間隙２０３は径方向対して斜めに形成される。かかる場合、導電性ライナ２０１の外側はプラズマ処理空間１０ｓに露出せず、プラズマに暴露することを抑制できる。そして、導電性チャンバ１０にプラズマが到達するのを抑制することができる。

【0044】

なお、間隙２０３の構成は本実施形態に限定されない。例えば図１０に示すように、間隙２０３は、複数の折り返し部分を有するラビリンス状の構造（ラビリンス構造）を有していてもよい。ラビリンス構造は任意に設計されるが、例えば導電性ライナ２０１の側面に凹凸を形成する。かかる場合、導電性ライナ２０１の外側空間がプラズマに暴露することを更に抑制することができる。

【0045】

複数のクランプ部材２０２は、導電性リング２００と複数の導電性ライナ２０１を固定する。具体的に各クランプ部材２０２は、隣り合う２つの導電性ライナ２０１を間隙２０３が形成された状態で導電性リング２００に固定する。クランプ部材２０２は、導電性ライナ２０１の第２の面において間隙２０３を跨いで設けられる。クランプ部材２０２の数は導電性ライナ２０１（間隙２０３）の数に適合し、本実施形態では５個である。

【0046】

図８に示すようにクランプ部材２０２は、断面視で略Ｌ字形状を有する。クランプ部材２０２の上部２０２ａは、導電性リング２００の段部２００ｂに配置される。クランプ部材２０２の下部２０２ｂは、導電性ライナ２０１の第２の面２０１ｂに形成された凹部に差し込まれて配置される。そしてクランプ部材２０２は、プラズマ処理空間１０ｓに露出せず、プラズマに暴露しない。

【0047】

クランプ部材２０２の上部２０２ａには、例えば導電性リング２００の上面から挿通してネジが取り付けられる。このネジでクランプ部材２０２を導電性リング２００側に固定している。

【0048】

クランプ部材２０２の上部２０２ａの上面（導電性リング２００側の面）には凹部が形成され、当該凹部には導電性弾性部材が設けられる。また、クランプ部材２０２の下部２０２ｂの上面（導電性ライナ２０１側の面）には凹部が形成され、当該凹部には導電性弾性部材が設けられる。これら導電性弾性部材の反力によって、導電性ライナ２０１を導電性リング２００に押圧して接触させる。

【0049】

クランプ部材２０２の上部２０２ａの内側面には凹部が形成され、当該凹部には樹脂製プラグ２０７が設けられる。樹脂製プラグ２０７は、上部２０２ａの内側面より内側に突出して、導電性ライナ２０１に接触する。ここで、クランプ部材２０２はＡｌで形成され、導電性ライナ２０１はＳｉで形成されるため、これらクランプ部材２０２と導電性ライナ２０１が接触すると割れ等が生じるおそれがある。そこで、樹脂製プラグ２０７を設けることで、クランプ部材２０２と導電性ライナ２０１の間に微小な間隙を形成し、直接接触することを回避している。なお、樹脂製プラグ２０７の数は任意であるが、本実施形態では図９に示すように１個のクランプ部材２０２に対して２個の樹脂製プラグ２０７が設けられる。一実施形態において、複数の樹脂製プラグ２０７の各々は、第１の端部及び第２の端部を有する。樹脂製プラグ２０７の第１の端部は、クランプ部材２０２に形成された凹部内に配置され、樹脂製プラグ２０７の第２の端部は、クランプ部材２０２より内側に突出している。

【0050】

図１１に示すように導電性リング２００と導電性ライナ２０１の間には、位置決めピン２０８が設けられる。位置決めピン２０８は、導電性ライナ２０１の上面に形成された凹部と導電性リング２００の下面に形成された凹部のそれぞれに挿入されて配置される。位置決めピン２０８は、周方向に複数設けられる。従って、複数の位置決めピン２０８の各々は、第１の端部及び第２の端部を有する。位置決めピン２０８の第１の端部は、導電性ライナ２０１の上面に形成された凹部内に配置され、位置決めピン２０８の第２の端部は、導電性リング２００の下面に形成された凹部内に配置される。これら複数の位置決めピン２０８によって、導電性リング２００の中心位置と複数の導電性ライナ２０１の中心位置が調整され、すなわち導電性リング２００と複数の導電性ライナ２０１がセンタリングされる。

【0051】

位置決めピン２０８は、例えば樹脂製である。かかる場合、位置決めピン２０８の熱膨張を抑制して、導電性ライナ２０１と干渉するのを抑制することができる。

【0052】

以上のライナアセンブリ１５によれば、導電性ライナが分割されて複数の導電性ライナ２０１を有するので、例えば一の導電性ライナ２０１のメンテナンスが必要になった場合でも、当該一の導電性ライナ２０１のみを交換すればよい。換言すれば、プロセス変動を及す導電性ライナ２０１のみを交換すればよい。従って、従来の一体型のライナのようにライナ全体を交換する必要がなく、作業性を向上させることができる。

【0053】

また、導電性ライナ２０１に脆性材（靭性材）であるＳｉ又はＳｉＣを用いた場合でも、複数の導電性ライナ２０１を組み合わることで、複雑な形状であっても疑似的に作製することができる。更に、複数の導電性ライナ２０１で構成されるレイアウトを変更することができるので、プロセス状況に応じて想定されるさまざまなプロセス条件に対応することが可能となる。

【0054】

また、従来の一体型のライナは体積が大きいため、当該ライナを切り出すＳｉインゴットのサイズも大きくなる。これに対し、本実施形態では複数の導電性ライナ２０１に分割されるため、各導電性ライナ２０１の体積が小さくなり、導電性ライナ２０１を切り出すＳｉインゴットのサイズも小さくなる。このため、Ｓｉインゴットの無駄を最小化し、材料コストを低減することができる。

【0055】

また、Ａｌの導電性リング２００の熱膨張係数と、Ｓｉ又はＳｉＣの導電性ライナ２０１の熱膨張係数には差がある。具体的には、導電性リング２００の熱膨張係数は、導電性ライナ２０１の熱膨張係数より大きい。このため、従来の一体型のライナを用いた場合、リングとライナを接触又は固定することで熱応力が発生する。これに対し、本実施形態では複数の導電性ライナ２０１に分割され、隣り合う２つの導電性ライナ２０１の間には間隙２０３が形成されるので、導電性リング２００に対して各導電性ライナ２０１が追従し、熱応力を低減させることができる。そしてその結果、熱応力による導電性ライナ２０１の割れを抑制でき、導電性ライナ２０１をグランド電位へのパスとして機能させることが可能となる。

【0056】

導電性ライナ２０１はＳｉ又はＳｉＣで形成されるため、各導電性ライナ２０１の抵抗値を変更することができ、当該導電性ライナ２０１の温度を変更することができる。かかる場合、複数の導電性ライナ２０１において、部分的に温度を変更することも可能であり、導電性ライナ２０１に付着する付着物（デポ）の量を調整することができる。

【0057】

＜シャッタアセンブリ＞
図３に示すように５個の導電性ライナ２０１のうち、１個の導電性ライナ２０１Ｂの下方にはシャッタアセンブリ２１０が設けられる。導電性ライナ２０１Ｂとシャッタアセンブリ２１０は、導電性チャンバ１０の側壁１０ａに形成された基板Ｗの搬入出口に対向して設けられる。

【0058】

図１２は、シャッタアセンブリ２１０の構成の概略を示す斜視図（分解図）である。図１３は、シャッタアセンブリ２１０の構成の概略を示す平面図である。図１４は、シャッタアセンブリ２１０の構成の概略を示す側面図である。

【0059】

シャッタアセンブリ２１０は、導電性シャッタ２１１、弁体２１２及びクランプ部材２１３を有する。導電性シャッタ２１１は、導電性材料である例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。弁体２１２及びクランプ部材２１３はそれぞれ、導電性材料である例えばＡｌで形成される。

【0060】

シャッタアセンブリ２１０は、昇降機構（図示せず）によって昇降自在に構成されている。そして、導電性チャンバ１０に対して基板Ｗを搬入出する際には、シャッタアセンブリ２１０は下降し、シャッタアセンブリ２１０は開放される。一方、例えば基板Ｗのプラズマ処理時などには、シャッタアセンブリ２１０は上昇し、シャッタアセンブリ２１０は閉じられる。

【0061】

導電性シャッタ２１１は、平面視において少なくとも導電性ライナ２０１Ｂと略同一形状を有し、当該導電性ライナ２０１Ｂから下方に延伸して設けられる。そして、シャッタアセンブリ２１０を閉じる際には、導電性シャッタ２１１は導電性ライナ２０１Ｂと接触する。かかる場合、導電性シャッタ２１１の外側の弁体２１２は、プラズマ処理空間１０ｓに露出せず、プラズマに暴露することを抑制できる。

【0062】

弁体２１２は、導電性シャッタ２１１の外側に設けられる。また、弁体２１２の下部には段部２１２ａが形成され、当該段部２１２ａに導電性シャッタ２１１が支持される。

【0063】

図１５に示すようにクランプ部材２１３は、導電性シャッタ２１１と弁体２１２の上面側に設けられ、当該導電性シャッタ２１１と弁体２１２を固定する。クランプ部材２１３と弁体２１２は、導電性シャッタ２１１の外側において、例えば複数のネジによって固定される。

【0064】

クランプ部材２１３の下面（導電性シャッタ２１１側の面）には凹部が形成され、当該凹部には導電性弾性部材が設けられる。導電性弾性部材の反力によって、導電性シャッタ２１１をクランプ部材２１３に押圧して接触させる。

【0065】

導電性シャッタ２１１と弁体２１２の間には、位置決めピンが設けられる。位置決めピンは、導電性シャッタ２１１の下面に形成された凹部と弁体２１２の上面に形成された凹部のそれぞれに挿入されて配置される。位置決めピンは、周方向に複数設けられる。これら複数の位置決めピンによって、導電性シャッタ２１１と弁体２１２（及びクランプ部材２１３）との相対位置が調整される。

【0066】

位置決めピンは、例えば樹脂製である。かかる場合、位置決めピンの熱膨張を抑制して、導電性シャッタ２１１と干渉するのを抑制することができる。

【0067】

図１６に示すように弁体２１２の内側面には凹部が形成され、当該凹部には樹脂製プラグ２１７が設けられる。樹脂製プラグ２１７は、弁体２１２の内側面より内側に突出して、導電性シャッタ２１１に接触する。この樹脂製プラグ２１７を設けることで、導電性シャッタ２１１と弁体２１２の間に微小な間隙を形成し、直接接触することを回避している。なお、樹脂製プラグ２１７の数は任意であるが、本実施形態では２個の樹脂製プラグ２１７が設けられる。

【0068】

＜バッフルアセンブリ＞
次に、上述したバッフルアセンブリ１６の構成について説明する。図１７は、バッフルアセンブリ１６の構成の概略を示す斜視図（一部分解図）である。図１８は、バッフルアセンブリ１６の構成の概略を示す平面図である。

【0069】

バッフルアセンブリ１６は、複数の導電性バッフルプレート３００及び複数のクランプ部材３０１を有する。バッフルアセンブリ１６は、複数のバッフル支持部３０２に支持される。導電性バッフルプレート３００は、導電性材料である例えばＳｉ又はＳｉＣで形成される。クランプ部材３０１は、特に限定されるものではないが、例えばＡｌで形成される。バッフル支持部３０２は、導電性材料である例えばＡｌで形成される。

【0070】

複数の導電性バッフルプレート３００は、複数のバッフル支持部３０２上に配置され、Ｓｉリング１８と複数の導電性ライナ２０１（導電性シャッタ２１１）との間に設けられる。複数の導電性バッフルプレート３００は、バッフル支持部３０２及び導電性チャンバ１０を介してグランド電位に接続される。

【0071】

図１９に示すように各導電性バッフルプレート３００は、リング平板が分割された円弧状の板形状を有する。導電性バッフルプレート３００には、複数の開口（スリット）３０３が形成される。これら複数の開口３０３を介して、プラズマ処理空間１０ｓのガスが整流されて排出される。なお、開口３０３の寸法は任意に設定できる。

【0072】

複数の導電性バッフルプレート３００は、平面視で全体として環状形状を有し、基板支持部１１の外周に沿って周方向に並べて配置される。すなわち、複数の導電性バッフルプレート３００は、基板支持部１１を囲むように少なくとも１つのバッフル支持部３０２上に配置され、基板支持部１１の周方向に沿って配列される。本実施形態では、導電性バッフルプレート３００の数（分割数）は５個であり、各導電性バッフルプレート３００ほぼ均等に分割される。すなわち、導電性バッフルプレート３００の平面視における寸法はほぼ同じである。なお、導電性バッフルプレート３００の数は任意である。導電性バッフルプレート３００の数は例えば２～１０個であり、より好ましくは４～６個である。

【0073】

隣り合う２つの導電性バッフルプレート３００の間には、間隙３０４が形成される。本実施形態では５個の導電性バッフルプレート３００に対して、間隙３０４が５箇所に形成される。この間隙３０４により、隣り合う２つの導電性バッフルプレート３００が熱膨張しても、当該導電性バッフルプレート３００が干渉するのを抑制することができる。

【0074】

複数のバッフル支持部３０２は、基板支持部１１の外周に沿って設けられる。すなわち、少なくとも１つのバッフル支持部３０２は、基板支持部１１を囲むように配置される。各バッフル支持部３０２は、略矩形状を有し、基板支持部１１と導電性チャンバ１０に取り付けられる。バッフル支持部３０２は、導電性チャンバ１０を介してグランド電位に接続される。なお、バッフル支持部３０２の数は任意であるが、複数のバッフル支持部３０２は周方向に略等間隔で配置される。

【0075】

なお、本実施形態では、バッフル支持部３０２はＡｌで形成され、バッフル支持部３０２が本開示における導電性部分を構成する。他の実施形態では、バッフル支持部３０２は、導電性部分と絶縁体部分との複合構造を有していてもよい。かかる場合、クランプ部材３０１は、隣り合う２つの導電性バッフルプレート３００をバッフル支持部３０２の導電性性部分に固定する。従って、少なくとも１つのバッフル支持部３０２は、導電性チャンバ１０に接続される少なくとも１つの導電性部分を含む。

【0076】

図２０に示すように導電性バッフルプレート３００とバッフル支持部３０２の間には、位置決めピン３０５が設けられる。位置決めピン３０５は、バッフル支持部３０２の上面に形成された凹部と導電性バッフルプレート３００の下面に形成された凹部のそれぞれに挿入されて配置される。従って、位置決めピン３０５は、第１の端部及び第２の端部を有する。位置決めピン３０５の第１の端部は、バッフル支持部３０２の導電性部分の上面に形成された凹部内に配置され、位置決めピン３０５の第２の端部は、導電性バッフルプレート３００の下面に形成された凹部内に配置される。なお、導電性バッフルプレート３００の割れを抑制するため、当該導電性バッフルプレート３００の凹部は位置決めピン３０５より若干大きい径を有していてもよい。

【0077】

位置決めピン３０５は、例えば２箇所に設けられる。なお、位置決めピン３０５の数は任意であり、１以上であればよい。そして位置決めピン３０５によって、複数の導電性バッフルプレート３００とバッフル支持部３０２との相対位置が調整される。

【0078】

位置決めピン３０５は、例えば樹脂製である。かかる場合、位置決めピン３０５の熱膨張を抑制して、導電性バッフルプレート３００と干渉するのを抑制することができる。

【0079】

複数のクランプ部材３０１は、複数の導電性バッフルプレート３００と複数のバッフル支持部３０２を固定する。具体的に各クランプ部材３０１は、複数の導電性バッフルプレート３００のうち２つの隣り合う導電性バッフルプレート３００を間隙３０４が形成された状態でバッフル支持部３０２に固定する。すなわち、２つの隣り合う導電性バッフルプレート３００は、間隙３０４を維持した状態でバッフル支持部３０２に固定される。クランプ部材３０１の数は導電性バッフルプレート３００（間隙３０４）の数に適合し、本実施形態では５個である。

【0080】

本実施形態ではクランプ部材３０１はＡｌで形成され、プラズマに暴露するのを抑制するため、クランプ部材３０１の露出面には保護部材３０６が設けられる。保護部材３０６は、例えば石英で形成される。クランプ部材３０１の露出面は上面及び側面であり、図２１に示すように保護部材３０６はこれら露出面を覆うように、断面視で門型形状を有する。保護部材３０６は、複数のクランプ部材３０１に対してそれぞれ設けられ、その数は５個である。

【0081】

図２１及び図２２に示すようにクランプ部材３０１は、断面視で略Ｔ字形状を有する。クランプ部材３０１の上部３０１ａは、間隙３０４より大きく、導電性バッフルプレート３００に係止される。クランプ部材３０１の下部３０１ｂは、間隙３０４に嵌め込まれる。クランプ部材３０１は、例えばネジによってバッフル支持部３０２に固定される。ネジの数は任意であるが、例えば２個である。

【0082】

クランプ部材３０１の上部３０１ａの下面（導電性バッフルプレート３００側の面）と導電性バッフルプレート３００との間には導電性弾性部材が設けられる。また、クランプ部材３０１の下部３０１ｂの下面（バッフル支持部３０２側の面）には凹部が形成され、当該凹部には導電性弾性部材が設けられる。これら導電性弾性部材の反力によって、導電性バッフルプレート３００をバッフル支持部３０２に押圧して接触させる。

【0083】

以上のバッフルアセンブリ１６によれば、導電性バッフルプレートが分割されて複数の導電性バッフルプレート３００を有するので、例えば一の導電性バッフルプレート３００のメンテナンスが必要になった場合でも、当該一の導電性バッフルプレート３００のみを交換すればよい。換言すれば、プロセス変動を及す導電性バッフルプレート３００のみを交換すればよい。従って、従来の一体型のバッフルプレートのようにバッフルプレート全体を交換する必要がなく、作業性を向上させることができる。

【0084】

また、導電性バッフルプレート３００に脆性材（靭性材）であるＳｉ又はＳｉＣを用いた場合でも、複数の導電性バッフルプレート３００を組み合わることで、複雑な形状であっても疑似的に作製することができる。更に、複数の導電性バッフルプレート３００で構成されるレイアウトを変更することができるので、プロセス状況に応じて想定されるさまざまなプロセス条件に対応することが可能となる。

【0085】

また、従来の一体型のバッフルプレートは体積が大きいため、当該バッフルプレートを切り出すＳｉインゴットのサイズも大きくなる。これに対し、本実施形態では複数の導電性バッフルプレート３００に分割されるため、各導電性バッフルプレート３００の体積が小さくなり、導電性バッフルプレート３００を切り出すＳｉインゴットのサイズも小さくなる。このため、Ｓｉインゴットの無駄を最小化し、材料コストを低減することができる。

【0086】

また、Ａｌのバッフル支持部３０２の熱膨張係数と、Ｓｉ又はＳｉＣの導電性バッフルプレート３００の熱膨張係数には差がある。具体的には、バッフル支持部３０２の熱膨張係数は、導電性バッフルプレート３００の熱膨張係数より大きい。このため、従来の一体型のバッフルプレートを用いた場合、バッフルプレートと支持部を接触又は固定することで熱応力が発生する。これに対し、本実施形態では複数の導電性バッフルプレート３００に分割され、隣り合う２つの導電性バッフルプレート３００の間には間隙３０４が形成されるので、バッフル支持部３０２に対して各導電性バッフルプレート３００が追従し、熱応力を低減させることができる。そしてその結果、熱応力による導電性バッフルプレート３００の割れを抑制でき、導電性バッフルプレート３００をグランド電位へのパスとして機能させることが可能となる。

【0087】

導電性バッフルプレート３００はＳｉ又はＳｉＣで形成されるため、各導電性バッフルプレート３００の抵抗値を変更することができ、当該導電性バッフルプレート３００の温度を変更することができる。かかる場合、複数の導電性バッフルプレート３００において、部分的に温度を変更することも可能であり、導電性バッフルプレート３００に付着する付着物（デポ）の量を調整することができる。

【0088】

また、導電性ライナ２０１と導電性バッフルプレート３００との温度の差を設けるため、導電性ライナ２０１又は導電性バッフルプレート３００の一部の抵抗値を変更して、部分的に温度を変更することも可能である。

【0089】

導電性バッフルプレート３００に形成する開口３０３の寸法や数を任意に変更できるので、プラズマ処理空間１０ｓのガスを排出する際の排気コンダクタンスを制御することができる。例えば図２３に示すように、導電性バッフルプレート３００には、複数の第１の開口３０３ａと複数の第２の開口３０３ｂが形成される。第１の開口３０３ａの寸法と第２の開口３０３ｂの寸法が異なるようにすることで、排気コンダクタンスを制御することができる。また、第１の開口３０３ａの数と第２の開口３０３ｂの数が異なるようにすることでも、排気コンダクタンスを制御することができる。

【0090】

また、排気コンダクタンスの制御は、複数の導電性バッフルプレート３００の厚みを変更することでも可能である。例えば第１の導電性バッフルプレート３００の第１の厚みと、第２の導電性バッフルプレート３００の第２の厚みが異なるようにすることで、排気コンダクタンスを制御することができる。なお、隣り合う２つの導電性バッフルプレート３００の厚みが異なる場合、クランプ部材３０１は適宜設計変更する。

【0091】

以上のように導電性バッフルプレート３００の開口３０３の寸法や数、或いは厚みを変更することで、部分的に排気コンダクタンスを制御することができる。

【0092】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0093】

例えば、以上の実施形態では、導電性ライナ２０１、導電性シャッタ２１１及び導電性バッフルプレート３００はそれぞれ、Ｓｉ又はＳｉＣで形成されたが、絶縁材料である石英で形成されてもよい。

【符号の説明】

【0094】

１ プラズマ処理装置
１０ 導電性チャンバ
１０ａ 側壁
１０ｓ プラズマ処理空間
１２ プラズマ生成部
２００ 導電性リング
２０１ 導電性ライナ
２０１ａ 第１の面
２０１ｂ 第２の面
２０３ 間隙
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】