特開 2023-64225 基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023064225

(43)【公開日】2023-05-11

(54)【発明の名称】基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20230501BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20230501BHJP

   H05H 1/46 20060101ALN20230501BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/302 105Z

H01L21/68 R

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021174363

(22)【出願日】2021-10-26

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山田 和人

(72)【発明者】

【氏名】羽生 和俊

(72)【発明者】

【氏名】関根 竜太

(72)【発明者】

【氏名】東海林 幹

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084BB05

2G084BB14

2G084CC12

2G084CC13

2G084CC14

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD37

2G084DD38

2G084FF15

2G084HH11

2G084HH37

2G084HH52

5F004AA16

5F004BA09

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB26

5F004BC02

5F004BC03

5F004BC06

5F004BC08

5F004CA03

5F004CA05

5F004CA06

5F004CB09

5F004EA37

5F131AA02

5F131BA19

5F131EB14

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB82

(57)【要約】

【課題】基板の端部におけるチルティングの発生を抑制することができる基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】基板支持部は、基台と、基台の上に配置され、基板支持面を備える静電チャックであって、基板支持面が内周部と外周部とに分割された静電チャックと、外周部を上下動させるリフターと、基板支持面を囲むように配置されたエッジリングと、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基台と、
前記基台の上に配置され、基板支持面を備える静電チャックであって、前記基板支持面が内周部と外周部とに分割された前記静電チャックと、
前記外周部を上下動させるリフターと、
前記基板支持面を囲むように配置されたエッジリングと、
を有する基板支持部。

【請求項2】

前記静電チャックは、前記内周部を構成する第１のセラミック部材と、前記外周部を構成する第２のセラミック部材とを備え、前記第１のセラミック部材の内部に第１の電極を備える、
請求項１に記載の基板支持部。

【請求項3】

前記静電チャックは、前記第２のセラミック部材の内部に、第２の電極を備える、
請求項２に記載の基板支持部。

【請求項4】

前記外周部は、径方向に複数の部材に分割され、分割された前記複数の部材それぞれに前記リフターが設けられている、
請求項１～３のいずれか１つに記載の基板支持部。

【請求項5】

前記外周部は、周方向に複数の部材に分割され、分割された前記複数の部材それぞれに前記リフターが設けられている、
請求項１～４のいずれか１つに記載の基板支持部。

【請求項6】

チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた、請求項１～５のいずれか１つに記載の基板支持部と、
を有するプラズマ処理装置。

【請求項7】

さらに、前記エッジリングの消耗量を取得する取得部、
を有する請求項６に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

さらに、前記エッジリングの消耗量に応じて、前記リフターの動作量を制御する制御部、
を有する請求項７に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記外周部は径方向に複数の部材に分割され、分割された前記複数の部材それぞれに前記リフターが設けられ、
前記制御部は、前記取得部で取得した前記消耗量に応じて、分割された前記複数の部材それぞれの下降量が異なるように、前記リフターの前記動作量を制御する、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記外周部は周方向に複数の部材に分割され、分割された前記複数の部材それぞれに前記リフターが設けられ、
前記制御部は、前記取得部で取得した前記消耗量に応じて、分割された前記複数の部材それぞれの下降量が異なるように、前記リフターの前記動作量を制御する、
請求項８又は９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

基板支持部の基板支持面を囲むように配置されたエッジリングを有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
ａ）第１の基板を前記基板支持面で支持し、第１のプラズマ処理を行う工程と、
ｂ）前記基板支持面の端部を下降させる工程と、
ｃ）第２の基板を前記基板支持面で支持し、第２のプラズマ処理を行う工程と、
を有するプラズマ処理方法。

【請求項12】

前記ｃ）の後に、
ｄ）前記エッジリングを交換する工程と、
ｅ）前記基板支持面の端部を上昇させる工程と、
を有する請求項１１に記載のプラズマ処理方法。

【請求項13】

前記ｅ）の後に、
ｆ）第３の基板を前記基板支持面で支持し、第３のプラズマ処理を行う工程、
を有する請求項１２に記載のプラズマ処理方法。

【請求項14】

前記ｂ）の前に、
ｇ）前記エッジリングの消耗量を取得する工程、を有し、
前記ｂ）は、前記ｇ）において得られた前記消耗量に応じて、前記基板支持面の端部を下降させる、
請求項１１～１３のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。

【請求項15】

前記ｇ）は、前記消耗量を測定し、測定した前記消耗量を取得する、
請求項１４に記載のプラズマ処理方法。

【請求項16】

前記ｇ）は、前記ａ）の処理時間に応じて前記消耗量を推定し、推定した前記消耗量を取得する、
請求項１４に記載のプラズマ処理方法。

【請求項17】

前記基板支持面の端部は周方向に複数の部材に分割され、
前記ｂ）は、前記ｇ）において得られた前記消耗量に応じて、少なくとも１つの前記部材の下降量が、他の前記部材の下降量と異なるように下降させる、
請求項１４～１６のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。

【請求項18】

前記基板支持面の端部は径方向に複数の部材に分割され、
前記ｂ）は、前記ｇ）において得られた前記消耗量に応じて、少なくとも１つの前記部材の下降量が、他の前記部材の下降量と異なるように下降させる、
請求項１４～１７のいずれか１つに記載のプラズマ処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

プラズマにより半導体ウエハ（以下、ウエハ又は基板と記載する）を処理するプラズマ処理装置では、チャンバの内部に配置された載置台（基板支持部とも呼ばれる）に基板が載置される。載置台には、載置面（基板支持面とも呼ばれる）に載置された基板を囲むように導電性の材料により構成されたエッジリング（フォーカスリングとも呼ばれる）が設けられている。基板の周囲にエッジリングが設けられることにより、基板の中心付近と基板のエッジ付近とのプラズマの分布の偏りが抑制され、基板に対する処理の均一性を向上させることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１５／１５５９７２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板の端部におけるチルティングの発生を抑制することができる基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板支持部は、基台と、基台の上に配置され、基板支持面を備える静電チャックであって、基板支持面が内周部と外周部とに分割された静電チャックと、外周部を上下動させるリフターと、基板支持面を囲むように配置されたエッジリングと、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板の端部におけるチルティングの発生を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。

【図2】図２は、第１実施形態における基板支持面の一例を示す上面図である。

【図3】図３は、エッジリングの状態とチルティングとの関係の一例を示す図である。

【図4】図４は、エッジリングの状態とチルティングとの関係の一例を示す図である。

【図5】図５は、エッジリングの状態とチルティングとの関係の一例を示す図である。

【図6】図６は、第１実施形態におけるエッジリングが新品状態である時の基板支持面の外周部の状態の一例を示す図である。

【図7】図７は、第１実施形態におけるエッジリングが消耗した状態である時の基板支持面の外周部の状態の一例を示す図である。

【図8】図８は、変形例１における基板支持面の一例を示す上面図である。

【図9】図９は、変形例２における基板支持面の一例を示す上面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態におけるプラズマ処理の一例を示すフローチャートである。

【図11】図１１は、第２実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。

【図12】図１２は、第２実施形態における基板支持面の一例を示す上面図である。

【図13】図１３は、変形例３における基板支持面の一例を示す上面図である。

【図14】図１４は、変形例４における基板支持面の一例を示す上面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、開示する基板支持部、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0009】

ところで、基板に対するプラズマ処理が繰り返されると、エッジリングが消耗する。エッジリングが消耗すると、エッジリングの上面の高さが低下し、エッジリングの上方に形成されるプラズマシースと、基板の上方に形成されるプラズマシースとの間の距離が変動する。これにより、基板のエッジ領域において、プラズマ中のイオンの基板への入射角度が変化する。

【0010】

エッジリングの消耗に伴って基板へのイオンの入射角度の変化が大きくなると、基板のエッジ付近においてイオンにより形成されるホールや溝が傾く形状異常が発生する場合がある。このような形状異常をチルティングという。チルティングの発生は、半導体チップの品質を悪化させ、生産性を低下させる要因となるおそれがある。そこで、基板の端部（エッジ）におけるチルティングの発生を抑制することが期待されている。

【0011】

（第１実施形態）
［プラズマ処理システムの構成］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。図１に示すように、プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0012】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0013】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、内周部のセラミック部材１１１１ａと、外周部のセラミック部材１１１１ｃとを含む。また、静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂを含む。静電電極１１１１ｂは、図示しない直流電源に接続されている。セラミック部材１１１１ａ，１１１１ｃは、中央領域１１１ａを有する。つまり、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１１１ａと、外周部のセラミック部材１１１１ｃとに分割されている。一実施形態において、基台１１１０は、セラミック部材１１１１ｃより外周部分において、環状領域１１１ｂを有する。この場合、リングアセンブリ１１２は、基台１１１０の環状領域１１１ｂ上に配置される。

【0014】

なお、静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ｃよりさらに外周側に配置されたセラミック部材が、環状領域１１１ｂを有するようにしてもよい。また、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、静電チャック１１１１のセラミック部材、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0015】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0016】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0017】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0018】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0019】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0020】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0021】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0022】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0023】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0024】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0025】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0026】

［基板支持部１１の詳細］
次に、図１及び図２を用いて基板支持部１１の詳細について説明する。図２は、第１実施形態における基板支持面の一例を示す上面図である。図１及び図２に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１１１ａと、外周部のセラミック部材１１１１ｃとに分割されている。セラミック部材１１１１ｃの下部には、リフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１１１ｃは、リフター１１３に接続され、駆動機構１１４により上下動される。つまり、セラミック部材１１１１ｃは、上面がセラミック部材１１１１ａの上面に対して、同じ高さの状態から、高い状態又は低い状態とすることができる。従って、中央領域１１１ａに載置された基板Ｗの端部は、セラミック部材１１１１ｃの高さに応じて、基板Ｗの中央部に対して上下に変形した状態となる。

【0027】

［チルティング］
次に図３から図５を用いてチルティングについて説明する。図３から図５は、エッジリングの状態とチルティングとの関係の一例を示す図である。図３では、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が新品である場合における基板Ｗの端部のチルティングについて表している。なお、図３から図５では、基板Ｗが載置される中央領域１１１ｃが分割されていない静電チャック１１１１の場合について説明する。図３に示すように、エッジリングが新品である場合、エッジリングの上面は、基板Ｗの上面よりも高い状態である。このとき、エッジリングの上方に形成されるプラズマシース６０の高さは、基板Ｗの上方に形成されるプラズマシース６０の高さよりも高くなる。この場合、基板Ｗの端部では、イオン６１が斜めに入射するため、形成されるホール６２にチルティングと呼ばれる形状異常が発生する。ホール６２は、基板Ｗの外周側に向かって傾いたチルト角６３を有する。なお、チルティングとは、ホールが斜めに形成される形状異常である。

【0028】

図４では、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が多少消耗した場合における基板Ｗの端部のチルティングについて表している。図４に示すように、エッジリングがある程度消耗し、エッジリングの上面の高さが基板Ｗの上面の高さと同じ高さとなると、基板Ｗ及びエッジリングの上方に形成されるプラズマシース６４の高さは、同じ高さとなる。この場合、基板Ｗの端部では、イオン６５が垂直に入射するため、形成されるホール６６にはチルティングが発生しない。

【0029】

図５では、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が消耗した場合における基板Ｗの端部のチルティングについて表している。図５に示すように、エッジリングが消耗した場合、エッジリングの上面は、基板Ｗの上面よりも低い状態である。このとき、エッジリングの上方に形成されるプラズマシース６７の高さは、基板Ｗの上方に形成されるプラズマシース６７の高さよりも低くなる。この場合、基板Ｗの端部では、イオン６８が斜めに入射するため、形成されるホール６９にチルティングと呼ばれる形状異常が発生する。ホール６９は、基板Ｗの中心側に向かって傾いたチルト角７０を有する。

【0030】

これに対し、本実施形態では、セラミック部材１１１１ｃを上下動させることで、プラズマシースの形状に沿うように基板Ｗの端部を変形させて、基板Ｗの端部におけるイオンの入射角度を調整し、基板Ｗの端部におけるチルティングの発生を抑制する。

【0031】

図６は、第１実施形態におけるエッジリングが新品状態である時の基板支持面の外周部の状態の一例を示す図である。図６に示すように、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が新品状態である場合、リフター１１３が駆動機構１１４によって駆動されてセラミック部材１１１１ｃを上昇させ、基板Ｗの端部８０を上昇させる。端部８０は、上面が基板支持面である中央領域１１１ａに対して中心側に向かって傾いた状態となる。すると、端部８０の上面は、端部８０の上方に形成されるプラズマシース７１と略平行となる。端部８０では、イオン７２が垂直に入射するので、形成されるホール８１におけるチルティングの発生を抑制することができる。なお、基板Ｗの中心部は、静電電極１１１１ｂによってセラミック部材１１１１ａに吸着されているので浮くことはない。その後、エッジリングの消耗量に応じてセラミック部材１１１１ｃを下降させることで、チルティングの発生を継続して抑制する。なお、基板Ｗは、薄いほど端部８０がセラミック部材１１１１ｃの動きに追従できるため、例えば１００μｍ以下といった薄い基板Ｗを用いることが好ましいが、これに限定されず、通常の厚さ（例えば数百μｍ）の基板Ｗを用いてもよい。

【0032】

図７は、第１実施形態におけるエッジリングが消耗した状態である時の基板支持面の外周部の状態の一例を示す図である。図７に示すように、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が消耗した状態である場合、リフター１１３が駆動機構１１４によって駆動されてセラミック部材１１１１ｃを下降させ、基板Ｗの端部８０を下降させる。端部８０は、上面が基板支持面である中央領域１１１ａに対して外周側に向かって傾いた状態となる。すると、端部８０の上面は、端部８０の上方に形成されるプラズマシース７３と略平行となる。端部８０では、イオン７４が垂直に入射するので、形成されるホール８２におけるチルティングの発生を抑制することができる。なお、基板Ｗの中心部は、静電電極１１１１ｂによってセラミック部材１１１１ａに吸着されているので浮くことはない。

【0033】

［変形例１］
上記の第１実施形態では、セラミック部材１１１１ｃが１つの部材として構成されたが、セラミック部材１１１１ｃは、周方向に複数の部材で構成され、それぞれリフター１１３によって上下動されるようにしてもよく、この場合の実施の形態につき変形例１として説明する。

【0034】

図８は、変形例１における基板支持面の一例を示す上面図である。図８に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１１１ａと、外周部のセラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６とに分割されている。セラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６の下部には、それぞれリフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６は、それぞれリフター１１３に接続され、各駆動機構１１４により個別に上下動される。つまり、セラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６の上面は、それぞれ異なる高さとすることができる。従って、中央領域１１１ａに載置された基板Ｗの端部は、セラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６それぞれの高さに応じて、基板Ｗの中央部に対して上又は下に変形した状態とすることができる。これにより、エッジリングの偏摩耗によるプラズマシースの高さの偏りに対応することができる。なお、セラミック部材１１１１ｃの周方向の分割数は、図８に示すような６つに限定されず、５つ以下や７つ以上に分割されてもよい。

【0035】

［変形例２］
上記の第１実施形態では、セラミック部材１１１１ｃが１つの部材として構成されたが、セラミック部材１１１１ｃは、経方向に複数の部材で構成され、それぞれリフター１１３によって上下動されるようにしてもよく、この場合の実施の形態につき変形例２として説明する。

【0036】

図９は、変形例２における基板支持面の一例を示す上面図である。図９に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１１１ａと、外周部のセラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８とに分割されている。セラミック部材１１１１ｃ７とセラミック部材１１１１ｃ８とは、同心円状に配置されている。セラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８の下部には、それぞれリフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８は、それぞれリフター１１３に接続され、各駆動機構１１４により個別に上下動される。つまり、セラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８の上面は、それぞれ異なる高さとすることができる。例えば、エッジリングが新品状態である場合、セラミック部材１１１１ａから外周側に向けて、セラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８を順番に高くすることで、基板Ｗの端部８０を上昇させる。これにより、基板Ｗの端部８０の傾斜をより細かく制御することができる。つまり、基板Ｗのたわみ具合を調整することができる。なお、セラミック部材１１１１ｃの経方向の分割数は、図９に示すような２つに限定されず、３つ以上に分割されてもよい。また、変形例１と組み合わせ、セラミック部材１１１１ｃを径方向に分割し、かつ径方向に分割されたセラミック部材１１１１ｃをさらに周方向に分割してもよい。

【0037】

［プラズマ処理方法］
続いて、第１実施形態におけるプラズマ処理について説明する。図１０は、第１実施形態におけるプラズマ処理の一例を示すフローチャートである。

【0038】

第１実施形態におけるプラズマ処理では、まず、プラズマ処理チャンバ１０内に基板Ｗが搬入され、静電チャック１１１１の中央領域１１１ａに載置される。制御部２は、プラズマ処理チャンバ１０内で、基板支持面である中央領域１１１ａで支持される基板Ｗに対するプラズマ処理を実行するように制御する（ステップＳ１）。プラズマ処理が実行されることにより、エッジリング（リングアセンブリ１１２）が消耗する。次に、プラズマ処理チャンバ１０から処理済みの基板Ｗが搬出される。なお、プラズマ処理で処理される基板Ｗの数は複数であってもよい。なお、セラミック部材１１１１ｃを一度も下降させていない場合のプラズマ処理は、第１の基板に対する第１のプラズマ処理の一例である。

【0039】

制御部２は、基板Ｗが搬出されると、エッジリングの消耗量を取得する（ステップＳ２）。エッジリングの消耗量は、例えば、図示しない搬送機構のフォークに設けられた距離センサによって測定された、エッジリングの上面までの距離に基づき消耗量を取得することができる。この場合、制御部２は、測定されたエッジリングの上面までの距離と、予め測定された新品状態におけるエッジリングの上面までの距離との差分に基づいて、エッジリングの消耗量を求めて取得する。また、例えば、制御部２は、記憶部２ａ２に記録された第１のプラズマ処理の処理時間（ＲＦ積算時間）に応じて消耗量を推定することで、エッジリングの消耗量を求めて取得してもよい。

【0040】

制御部２は、取得した消耗量がセラミック部材１１１１ｃを下降させるか否かを判定するための第１の閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ３）。制御部２は、取得した消耗量が第１の閾値未満であると判定した場合（ステップＳ３：Ｎｏ）、セラミック部材１１１１ｃを下降させないと決定し、ステップＳ１に戻る。制御部２は、取得した消耗量が第１の閾値以上であると判定した場合（ステップＳ３：Ｙｅｓ）、取得した消耗量がエッジリングを交換する必要があるか否かを判定するための第２の閾値以上であるか否かを判定する（ステップＳ４）。

【0041】

制御部２は、取得した消耗量が第２の閾値未満であると判定した場合（ステップＳ４：Ｎｏ）、セラミック部材１１１１ｃを下降させるリフター１１３の動作量（下降量）を決定する。リフター１１３の下降量は、例えば、求めた消耗量に対応する基板Ｗの端部８０の移動量に基づいて決定される。制御部２は、決定した下降量に基づいてリフター１１３を制御し、基板支持面の端部であるセラミック部材１１１１ｃを下降させ（ステップＳ５）、ステップＳ１に戻る。なお、セラミック部材１１１１ｃを下降させた後のプラズマ処理は、第２の基板に対する第２のプラズマ処理の一例である。

【0042】

制御部２は、取得した消耗量が第２の閾値以上であると判定した場合（ステップＳ４：Ｙｅｓ）、エッジリングを交換する（ステップＳ６）。エッジリングの交換は、例えば、制御部２が図示しない搬送機構のフォークを制御して交換してもよいし、プラズマ処理チャンバ１０を開放して手作業で交換するようにしてもよい。制御部２は、エッジリングの交換が完了すると、リフター１１３を制御し、基板支持面の端部であるセラミック部材１１１１ｃを初期位置まで上昇させる（ステップＳ７）。なお、ステップＳ６とステップＳ７とは入れ替えてもよい。また、エッジリングの交換と、セラミック部材１１１１ｃの初期位置まで上昇とを行った後に、ステップＳ１に戻ってプラズマ処理を行う場合、当該プラズマ処理は、第３の基板に対する第３のプラズマ処理の一例である。このように、エッジリングの消耗量に応じてセラミック部材１１１１ｃを下降させるので、基板Ｗの端部におけるチルティングの発生を抑制することができる。

【0043】

（第２実施形態）
上記の第１実施形態では、外周部のセラミック部材１１１１ｃ内に静電電極を設けなかったが、セラミック部材１１１１ｃ内に静電電極を設けてもよく、この場合の実施の形態につき第２実施形態として説明する。なお、第２実施形態におけるプラズマ処理システムの構成の一部は上述の第１実施形態と同様であるので、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

【0044】

図１１は、第２実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。図１１に示すように、第２実施形態のプラズマ処理装置１ａの基板支持部１１は、第１実施形態のプラズマ処理装置１の基板支持部１１の本体部１１１に代えて、本体部１１５を有する。

【0045】

本体部１１５は、基台１１５０及び静電チャック１１５１を含む。基台１１５０は、導電性部材を含む。基台１１５０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１５１は、基台１１５０の上に配置される。静電チャック１１５１は、内周部のセラミック部材１１５１ａと、外周部のセラミック部材１１５１ｃとを含む。また、静電チャック１１５１は、セラミック部材１１５１ａ内に配置される静電電極１１５１ｂ１と、セラミック部材１１５１ｃ内に配置される静電電極１１５１ｂ２とを含む。静電電極１１５１ｂ１及び静電電極１１５１ｂ２は、図示しない直流電源に接続されている。セラミック部材１１５１ａ，１１５１ｃは、中央領域１１１ａを有する。つまり、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１５１ａと、外周部のセラミック部材１１５１ｃとに分割されている。一実施形態において、基台１１５０は、セラミック部材１１５１ｃより外周部分において、環状領域１１１ｂを有する。この場合、エッジリング（リングアセンブリ１１２）は、基台１１５０の環状領域１１１ｂ上に配置される。なお、第１実施形態と同様に、静電チャック１１５１のセラミック部材１１５１ｃよりさらに外周側に配置されたセラミック部材が、環状領域１１１ｂを有するようにしてもよい。

【0046】

図１２は、第２実施形態における基板支持面の一例を示す上面図である。図１１及び図１２に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１５１ａと、外周部のセラミック部材１１５１ｃとに分割されている。セラミック部材１１５１ｃの下部には、リフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１５１ｃは、リフター１１３に接続され、駆動機構１１４により上下動される。つまり、セラミック部材１１５１ｃは、上面がセラミック部材１１５１ａの上面に対して、同じ高さの状態から、高い状態又は低い状態とすることができる。従って、中央領域１１１ａに載置された基板Ｗの端部は、セラミック部材１１５１ｃの高さに応じて、基板Ｗの中央部に対して上下に変形した状態となる。

【0047】

静電チャック１１５１では、セラミック部材１１５１ｃ内にも静電電極１１５１ｂ２が設けられているので、基板Ｗの端部を吸着することができる。例えば、セラミック部材１１５１ｃの上面の高さを、セラミック部材１１５１ａの上面の高さよりも低くする場合、基板Ｗの端部が基板支持面から浮いてしまうことを抑制することができる。

【0048】

［変形例３］
上記の第２実施形態では、セラミック部材１１５１ｃが１つの部材として構成されたが、セラミック部材１１５１ｃは、周方向に複数の部材で構成され、それぞれリフター１１３によって上下動されるようにしてもよく、この場合の実施の形態につき変形例３として説明する。

【0049】

図１３は、変形例３における基板支持面の一例を示す上面図である。図１３に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１５１ａと、外周部のセラミック部材１１５１ｃ１～１１５１ｃ６とに分割されている。セラミック部材１１５１ｃ１～１１５１ｃ６の下部には、それぞれリフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１５１ｃ１～１１５１ｃ６は、それぞれリフター１１３に接続され、各駆動機構１１４により個別に上下動される。つまり、セラミック部材１１５１ｃ１～１１５１ｃ６の上面は、それぞれ異なる高さとすることができる。従って、中央領域１１１ａに載置された基板Ｗの端部は、セラミック部材１１５１ｃ１～１１５１ｃ６それぞれの高さに応じて、基板Ｗの中央部に対して上又は下に変形した状態とすることができる。これにより、エッジリングの偏摩耗によるプラズマシースの高さの偏りに対応することができる。なお、セラミック部材１１５１ｃの周方向の分割数は、図１３に示すような６つに限定されず、５つ以下や７つ以上に分割されてもよい。

【0050】

［変形例４］
上記の第２実施形態では、セラミック部材１１５１ｃが１つの部材として構成されたが、セラミック部材１１５１ｃは、経方向に複数の部材で構成され、それぞれリフター１１３によって上下動されるようにしてもよく、この場合の実施の形態につき変形例４として説明する。

【0051】

図１４は、変形例４における基板支持面の一例を示す上面図である。図１４に示すように、基板支持面である中央領域１１１ａは、内周部のセラミック部材１１５１ａと、外周部のセラミック部材１１５１ｃ７，１１５１ｃ８とに分割されている。セラミック部材１１５１ｃ７とセラミック部材１１５１ｃ８とは、同心円状に配置されている。セラミック部材１１５１ｃ７，１１５１ｃ８の下部には、それぞれリフター１１３及び駆動機構１１４が設けられている。セラミック部材１１５１ｃ７，１１５１ｃ８は、それぞれリフター１１３に接続され、各駆動機構１１４により個別に上下動される。つまり、セラミック部材１１５１ｃ７，１１５１ｃ８の上面は、それぞれ異なる高さとすることができる。例えば、エッジリングが新品状態である場合、セラミック部材１１５１ａから外周側に向けて、セラミック部材１１５１ｃ７，１１５１ｃ８を順番に高くすることで、基板Ｗの端部８０を上昇させる。これにより、基板Ｗの端部８０の傾斜をより細かく制御することができる。つまり、基板Ｗのたわみ具合を調整することができる。なお、セラミック部材１１５１ｃの経方向の分割数は、図１４に示すような２つに限定されず、３つ以上に分割されてもよい。また、変形例３と組み合わせ、セラミック部材１１５１ｃを径方向に分割し、かつ径方向に分割されたセラミック部材１１５１ｃをさらに周方向に分割してもよい。

【0052】

以上、各実施形態によれば、基板支持部１１は、基台（基台１１１０，１１５０）と、基台の上に配置され、基板支持面（中央領域１１１ａ）を備える静電チャック（静電チャック１１１１，１１５１）であって、基板支持面が内周部（セラミック部材１１１１ａ，１１５１ａ）と外周部（セラミック部材１１１１ｃ，１１５１ｃ）とに分割された静電チャックと、外周部を上下動させるリフター１１３と、基板支持面を囲むように配置されたエッジリング（リングアセンブリ１１２）と、を有する。その結果、基板Ｗの端部におけるチルティングの発生を抑制することができる。

【0053】

また、各実施形態によれば、静電チャックは、内周部を構成する第１のセラミック部材（セラミック部材１１１１ａ，１１５１ａ）と、外周部を構成する第２のセラミック部材（セラミック部材１１１１ｃ，１１５１ｃ）とを備え、第１のセラミック部材の内部に第１の電極（静電電極１１１１ｂ，１１５１ｂ１）を備える。

【0054】

また、第２実施形態によれば、静電チャック１１５１は、第２のセラミック部材（セラミック部材１１５１ｃ）の内部に、第２の電極（静電電極１１５１ｂ２）を備える。

【0055】

また、各実施形態によれば、外周部は、径方向に複数の部材（セラミック部材１１１１ｃ７，１１１１ｃ８，１１５１ｃ７，１１５１ｃ８）に分割され、分割された複数の部材それぞれにリフター１１３が設けられている。

【0056】

また、各実施形態によれば、外周部は、周方向に複数の部材（セラミック部材１１１１ｃ１～１１１１ｃ６，１１５１ｃ１～１１５１ｃ６）に分割され、分割された複数の部材それぞれにリフター１１３が設けられている。

【0057】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理装置（プラズマ処理装置１，１ａ）は、チャンバ（プラズマ処理チャンバ１０）と、チャンバ内に設けられた、上述の基板支持部１１とを有する。

【0058】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理装置は、さらに、エッジリングの消耗量を取得する取得部（制御部２）を有する。

【0059】

また、各実施形態によれば、さらに、エッジリングの消耗量に応じて、リフター１１３の動作量を制御する制御部２を有する。

【0060】

また、各実施形態によれば、外周部は径方向に複数の部材に分割され、分割された複数の部材それぞれにリフター１１３が設けられ、制御部２は、取得部で取得した消耗量に応じて、分割された複数の部材それぞれの下降量が異なるように、リフター１１３の動作量を制御する。

【0061】

また、各実施形態によれば、外周部は周方向に複数の部材に分割され、分割された複数の部材それぞれにリフター１１３が設けられ、制御部２は、取得部で取得した消耗量に応じて、分割された複数の部材それぞれの下降量が異なるように、リフター１１３の動作量を制御する。

【0062】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理方法は、基板支持部１１の基板支持面を囲むように配置されたエッジリングを有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、ａ）第１の基板（基板Ｗ）を基板支持面で支持し、第１のプラズマ処理を行う工程と、ｂ）基板支持面の端部（セラミック部材１１１１ｃ，１１５１ｃ）を下降させる工程と、ｃ）第２の基板（基板Ｗ）を基板支持面で支持し、第２のプラズマ処理を行う工程と、を有する。

【0063】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理方法は、ｃ）の後に、ｄ）エッジリングを交換する工程と、ｅ）基板支持面の端部を上昇させる工程と、を有する。

【0064】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理方法は、ｅ）の後に、ｆ）第３の基板（基板Ｗ）を基板支持面で支持し、第３のプラズマ処理を行う工程、を有する。

【0065】

また、各実施形態によれば、プラズマ処理方法は、ｂ）の前に、ｇ）エッジリングの消耗量を取得する工程、を有し、ｂ）は、ｇ）において得られた消耗量に応じて、基板支持面の端部を下降させる。

【0066】

また、各実施形態によれば、ｇ）は、消耗量を測定し、測定した消耗量を取得する。

【0067】

また、各実施形態によれば、ｇ）は、ａ）の処理時間に応じて消耗量を推定し、推定した消耗量を取得する。

【0068】

また、各実施形態によれば、基板支持面の端部は周方向に複数の部材に分割され、ｂ）は、ｇ）において得られた消耗量に応じて、少なくとも１つの部材の下降量が、他の部材の下降量と異なるように下降させる。

【0069】

また、各実施形態によれば、基板支持面の端部は径方向に複数の部材に分割され、ｂ）は、ｇ）において得られた消耗量に応じて、少なくとも１つの部材の下降量が、他の部材の下降量と異なるように下降させる。

【0070】

今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の各実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形体で省略、置換、変更されてもよい。

【0071】

例えば、上記した各実施形態では、静電チャックの外周部（セラミック部材１１１１ｃ，１１５１ｃ）の下部にリフター１１３を設けたが、これに限られない。静電チャックのみならず基台も分割し、分割した基台の下部にリフター１１３を設けて分割した基台ごと静電チャックの外周部を上下動させてもよい。

【0072】

また、上記した各実施形態では、プラズマ源として容量結合型プラズマを用いて基板Ｗに対してエッチング等の処理を行うプラズマ処理装置１，１ａを例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて基板Ｗに対して処理を行う装置であれば、プラズマ源は容量結合プラズマに限られず、例えば、誘導結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、マグネトロンプラズマ等、任意のプラズマ源を用いることができる。

【符号の説明】

【0073】

１，１ａ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１１１ 本体部
１１１ａ 中央領域
１１１ｂ 環状領域
１１２ リングアセンブリ（エッジリング）
１１３ リフター
１１１０，１１５０ 基台
１１１１，１１５１ 静電チャック
１１１１ａ，１１５１ａ セラミック部材（内周部）
１１１１ｂ，１１５１ｂ１ 静電電極（内周部）
１１１１ｃ，１１５１ｃ セラミック部材（外周部）
１１１１ｃ１～１１１１ｃ８，１１５１ｃ１～１１５１ｃ８ セラミック部材（外周部）
１１５１ｂ２ 静電電極（外周部）
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】