特開2023-67009IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】レーザ光による半導体層の電気特性の悪化を低減しつつ、レーザ光照射後の意図しない割れを低減することができる発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】第２面側からサファイア基板の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程は、第２面に平行な第１方向に沿ってレーザ光を照射し、サファイア基板の厚さ方向において第２面からの距離が第１距離の位置に、複数の第１改質部を第１方向に沿って形成する第１照射工程と、第１方向に沿ってレーザ光を照射し、厚さ方向において第２面からの距離が第１距離よりも短い第２距離の位置に、複数の第１改質部と厚さ方向に並ぶ複数の第２改質部を第１方向に沿って形成する第２照射工程とを有する。第２照射工程において、第２改質部の厚さ方向における長さが、第１改質部の厚さ方向における長さよりも長くなるように、第２改質部を形成する。
【選択図】図４

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、レーザ光による半導体層の電気特性の悪化を低減しつつ、レーザ光照射後の意図しない割れを低減することができる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面とを有するサファイア基板と、前記第１面に配置された半導体層とを有するウェーハを準備する工程と、前記第２面側から前記サファイア基板の内部にレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、前記レーザ光照射工程の後に、前記ウェーハを複数の発光素子に分離する分離工程と、を備える。前記レーザ光照射工程は、前記第２面に平行な・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、レーザ光による半導体層の電気特性の悪化を低減しつつ、レーザ光照射後の意図しない割れを低減することができる発光素子の製造方法を提供できる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態のウェーハの平面図である。
【図2】 実施形態のウェーハの断面図である。
【図3】 第１実施形態の第１照射工程を説明する断面図である。
【図4】 第１実施形態の第２照射工程を説明する断面図である。
【図5】 第１実施形態の第３照射工程及び第４照射工程を説明する断面図である。
【図6】 第２実施形態のレーザ光照射工程を説明する断面図である。
【図7A】 実施形態の発光素子の製造方法における分離工程を説明する平面図である。
【図7B】 実施形態の発光素子の製造方法における分離工程を説明する平面図である。
【図8A】 収差補正なしの集光状態を説明する図である。
【図8B】 収差補正量が理想収差補正量よりも小さいことにより弱補正の集光状態となっていることを説明する図である。
【図8C】 理想集光状態を説明する図である。
【図9】 実施形態において改質部を形成するためのレーザ光のサファイア基板内における集光領域の形状の一例を示す断面図である。
【図10】 第１実施形態により製造された発光素子の断面図である。

選択図 図4出願人が指定した本件の代表的な図

１…発光素子、１０…サファイア基板、１１…第１面、１２…第２面、２０…半導体層、ｒ１…第１改質部、ｒ２…第２改質部、ｒ３…第３改質部、ｒ４…第４改質部、ｒ５…第５改質部、Ｗ…ウェーハ

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