特開 2023-67260 配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023067260

(43)【公開日】2023-05-16

(54)【発明の名称】配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/12 20060101AFI20230509BHJP

   H01L 21/60 20060101ALI20230509BHJP

   H05K 3/28 20060101ALI20230509BHJP

【ＦＩ】

H01L23/12 F

H01L21/60 311S

H05K3/28 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021178332

(22)【出願日】2021-10-29

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田中 輝

(72)【発明者】

【氏名】木曽 貴彦

(72)【発明者】

【氏名】間島 彩

【テーマコード（参考）】

5E314

5F044

【Ｆターム（参考）】

5E314AA27

5E314AA32

5E314AA33

5E314AA36

5E314BB02

5E314BB07

5E314BB09

5E314CC15

5E314FF05

5E314GG26

5F044KK07

5F044LL01

5F044RR18

5F044RR19

(57)【要約】

【課題】ボイドを抑制できる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板は、基板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された矩形枠状のダム部材と、を有する。前記ダム部材のコーナー部は、前記絶縁層表面と接触する下部において、内側壁面から前記絶縁層表面へと下り傾斜する傾斜部と、前記絶縁層表面から離れた上部において、前記絶縁層表面に対して垂直な垂直部と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された矩形枠状のダム部材と、
を有し、
前記ダム部材のコーナー部は、
前記絶縁層表面と接触する下部において、内側壁面から前記絶縁層表面へと下り傾斜する傾斜部と、
前記絶縁層表面から離れた上部において、前記絶縁層表面に対して垂直な垂直部と、
を備えることを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記ダム部材の直線部の内側壁面に形成され、前記絶縁層表面と接触する前記内側壁面の下部が窪む窪み部を、さらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記ダム部材のコーナー部の外側壁面に形成され、前記絶縁層表面と接触する前記外側壁面の下部が窪む窪み部を、さらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。

【請求項4】

前記傾斜部と前記絶縁層との間の最大の高さ寸法は、
前記ダム部材の上面と前記絶縁層との間の最大の高さ寸法の２０％以内であることを特徴とする請求項１～３の何れか一つに記載の配線基板。

【請求項5】

前記ダム部材は、
前記絶縁層と同一材料で形成されることを特徴とする請求項１～４の何れか一つに記載の配線基板。

【請求項6】

配線層を有する基板と、
前記配線層を被覆し、前記基板上に積層された絶縁層と、
前記絶縁層を貫通し、前記配線層上に形成された接続バンプと、
前記接続バンプと電気的に接続するよう載置された電子部品と、
前記電子部品が載置された実装エリアの周囲に配置された矩形枠状のダム部材と、
前記実装エリアに充填されるアンダーフィルと、を有し、
前記ダム部材のコーナー部は、
前記絶縁層表面と接触する下部において、前記内側壁面から前記絶縁層表面へと下り傾斜する傾斜部と、
前記絶縁層表面から離れた上部において、前記絶縁層表面に対して垂直な垂直部と、
を備えることを特徴とする半導体装置。

【請求項7】

基板上に第１のソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記第１のソルダーレジスト層上に第２のソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記第２のソルダーレジスト層を露光及び現像することで矩形枠状のダム部材を形成する工程と、を有し、
前記ダム部材を形成する工程は、
前記ダム部材のコーナー部の内側壁面を第１の露光量で露光し、
前記ダム部材のコーナー部の外側壁面を前記第１の露光量に比較して小さい第２の露光量で露光することで、
前記ダム部材のコーナー部の内側壁面から前記第１のソルダーレジスト層表面に下り傾斜する傾斜部を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置では、例えば、配線基板の実装エリアにＳｉインターポーザやダイ等の電子部品を実装することで形成する。電子部品と実装エリアとの間の中間部には、例えば、アンダーフィルと呼ばれる接続信頼性を高めるために使われる封止樹脂を流し込み、電子部品と実装エリアとの間を電気的に接続する接続端子部を保護することになる。しかしながら、中間部にアンダーフィルを流し込む際、中間部から不要な部分へアンダーフィルが流れ出すブリードアウトが起こる場合がある。そこで、アンダーフィルのブリードアウトを回避するために、実装エリアの周囲を絶縁層で囲むように、ソルダーレジスト層の表面上に形成するダム部材が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－０１００７３号公報

【特許文献2】特開２０１７－１５７７０１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、従来のダム部材では、例えば、ダム部材の各コーナー部の内側壁面の設置角度がソルダーレジスト層表面から見て直角若しくは鋭角の場合に、実装エリアに流し込むアンダーフィルが十分にコーナー部に行き渡らず、アンダーフィル内にボイドが生じる。また、前述したダム部材の形状の影響により、アンダーフィル内にボイドが滞留しやすい。更に、発生したボイドが熱膨張することにより、ソルダーレジスト層や樹脂材料で形成したダム部材等の近傍にクラックが生じることも考えられる。

【0005】

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、ボイドを抑制できる配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本願が開示する配線基板は、１つの態様において、基板上に積層された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された矩形枠状のダム部材と、を有する。前記ダム部材のコーナー部は、前記絶縁層表面と接触する下部において、内側壁面から前記絶縁層表面へと下り傾斜する傾斜部と、前記絶縁層表面から離れた上部において、前記絶縁層表面に対して垂直な垂直部と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本願が開示する配線基板の１つの態様によれば、例えば、実装エリアに流し込むアンダーフィルが傾斜部に沿ってコーナー部に行き渡るため、ボイドの発生が抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本実施例の半導体装置の一例を示す説明図である。

【図2】図２は、配線基板内のダム部材の一例を示す説明図である。

【図3】図３は、ダム部材の一例を示す平面模式図である。

【図4】図４は、ダム部材のコーナー部の一例を示すＡ－Ａ線断面模式図である。

【図5】図５は、ダム部材の直線部の一例を示すＢ－Ｂ線断面模式図である。

【図6】図６は、半導体装置の製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。

【図7】図７は、配線層形成工程の一例を示す説明図である。

【図8】図８は、第１のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。

【図9】図９は、開口形成工程の一例を示す説明図である。

【図10】図１０は、第２のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。

【図11】図１１は、ダム形成工程の一例を示す説明図である。

【図12】図１２は、バリア層形成工程の一例を示す説明図である。

【図13】図１３は、バンプ形成工程の一例を示す説明図である。

【図14】図１４は、実装工程の一例を示す説明図である。

【図15】図１５は、半導体装置の一例を示す説明図である。

【図16】図１６は、比較例の半導体装置の一例を示す説明図である。

【図17】図１７は、比較例の半導体装置の一例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本願が開示する配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

【実施例0010】

図１は、本実施例の半導体装置１Ａの一例を示す説明図である。図１に示す半導体装置１Ａは、配線基板１と、電子部品５とを有する。配線基板１は、例えば、ビルドアップ基板である。配線基板１は、樹脂基板２と、配線層３と、第１のソルダーレジスト（ＳＲ）層４と、ダム部材６とを有する。そして、以下においては、図１に示すように、樹脂基板２が最下層であり、第１のＳＲ層４が最上層であるものとして説明するが、配線基板１は、例えば、上下反転して用いられても良く、任意の姿勢で用いられて良い。尚、配線層３は、樹脂基板２上の所定位置に保持されるものである。樹脂基板２及び配線層３は、第１のＳＲ層４によって被覆される。

【0011】

第１のＳＲ層４は、樹脂基板２の表面に配置された配線層３を被覆し、配線層３を保護する層である。尚、第１のＳＲ層４は、絶縁層の一種である。電子部品５が搭載される実装エリア４Ｂには、第１のＳＲ層４に開口部４Ａが設けられ、開口部４Ａ内の接続バンプ８で配線層３と電子部品５との間を電気的に接続する。電子部品５は、Ｓｉインターポーザ５Ａと、Ｓｉインターポーザ５Ａ上に搭載した半導体チップ等のダイ５Ｂとを有する。

【0012】

図２は、配線基板１内のダム部材６の一例を示す説明図、図３は、ダム部材６の一例を示す平面模式図である。ダム部材６は、第１のＳＲ層４の電子部品５を実装する矩形状の実装エリア４Ｂの周囲を囲み、電子部品５の実装時に実装エリア４Ｂに充填されるアンダーフィル７を堰き止める矩形枠状のダム部材である。ダム部材６は、実装エリア４Ｂ側のダム本体の壁面である内側壁面６Ａと、実装エリア４Ｂと反対側のダム本体の壁面である外側壁面６Ｂと、ダム本体の上面６Ｃとを有する。ダム部材６は、矩形枠状であるため、４辺の直線部６Ｅと、４角のコーナー部６Ｄとを有する。

【0013】

図４は、ダム部材６のコーナー部６Ｄの一例を示すＡ－Ａ線断面模式図である。図４に示す各コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａには、第１のＳＲ層４の表面から離れた上部において、第１のＳＲ層４の表面に対して垂直な垂直部１４と、第１のＳＲ層４の表面と接触する下部において、実装エリア４Ｂに向かって内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面へ下り傾斜する裾引き形状の傾斜部１１とを有する。傾斜部１１は、内側壁面６Ａの一端から実装エリア４Ｂに向かって下り傾斜であるため、コーナー部６Ｄの角にも充填されるアンダーフィル７が行き渡ることになる。傾斜部１１と第１のＳＲ層４の表面との間の最大の高さ寸法Ｂは、上面６Ｃと第１のＳＲ層４の表面との間の最大の高さ寸法Ａの２０％以内とする。第１のＳＲ層４の表面に対する傾斜部１１の設置角度は、例えば、２０度以内である。垂直部１４の高さ寸法は、例えば、（高さ寸法Ａ－高さ寸法Ｂ）の差分である。コーナー部６Ｄの外側壁面６Ｂには、第１のＳＲ層４の表面と接触する外側壁面６Ｂの下部に形成されたアンダーカット形状の窪み部１２を有する。窪み部１２は、外側壁面６Ｂの内側に窪むため、例えば、配線基板１を封止する際に充填される封止樹脂が窪み部１２内に流れ込むことにより、十分なアンカー効果が得られる。

【0014】

図５は、ダム部材６の直線部６Ｅの一例を示すＢ－Ｂ線断面模式図である。図５に示す直線部６Ｅの内側壁面６Ａには、第１のＳＲ層４の表面と接触する内側壁面６Ａの下部に形成されたアンダーカット形状の窪み部１３を有する。窪み部１３は、内側壁面６Ａの内側に窪むため、充填されるアンダーフィル７が窪み部１３内に流れ込むことにより、十分なアンカー効果が得られる。

【0015】

次に半導体装置１Ａの製造工程について説明する。図６は、半導体装置１Ａの製造工程の手順の一例を示すフローチャートである。図６において配線基板１の製造工程としては、樹脂基板２上に配線層３を形成する配線層形成工程を実行する（ステップＳ１１）。製造工程としては、配線層形成工程を実行した後、樹脂基板２及び配線層３上に第１のＳＲ層４を形成する第１のＳＲ形成工程を実行する（ステップＳ１２）。

【0016】

更に、製造工程としては、第１のＳＲ形成工程を実行した後、第１のＳＲ層４上の実装エリア４Ｂに開口部４Ａを形成する開口形成工程を実行する（ステップＳ１３）。尚、開口部４Ａは、例えば、配線層３と接続するためのビアを形成するための開口部である。製造工程としては、開口形成工程を実行した後、第１のＳＲ層４上に第２のＳＲ層２１を形成する第２のＳＲ層形成工程を実行する（ステップＳ１４）。

【0017】

更に、製造工程としては、第２のＳＲ層形成工程を実行した後、第１のＳＲ層４上の実装エリア４Ｂの周囲に第２のＳＲ層２１でダム部材６を形成するためのダム形成工程を実行する（ステップＳ１５）。製造工程としては、ダム形成工程を実行した後、第１のＳＲ層４の開口部４Ａから露出した配線層３にバリア層３Ａを形成するバリア層形成工程を実行する（ステップＳ１６）。

【0018】

製造工程としては、バリア層形成工程を実行した後、第１のＳＲ層４の開口部４Ａのバリア層３Ａに接続バンプ８を形成するバンプ形成工程を実行する（ステップＳ１７）。更に、製造工程としては、バンプ形成工程を実行した後、実装エリア４Ｂ内の接続バンプ８上に電子部品５を実装し、実装エリア４Ｂ内にアンダーフィル７を流し込む。そして、アンダーフィル７を流し込むことで、第１のＳＲ層４の実装エリア４Ｂに電子部品５を実装する実装工程を実行する（ステップＳ１８）。尚、実装エリア４Ｂ内にアンダーフィル７を流し込んだとしても、ダム部材６では、コーナー部６Ｄの傾斜部１１によってコーナー部６Ｄにアンダーフィル７が行き渡るため、ボイドの発生を抑制しながら、ブリードアウトを防止できる。

【0019】

図７は、配線層形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１１の配線層形成工程では、図７に示すように、例えば、樹脂基板２上に配線層３を形成する。具体的には、樹脂基板２上に感光性樹脂層を形成し、露光・現像する。これにより、樹脂基板２上にメッキレジストパターンを形成する。更に、メッキレジストパターン形成後の樹脂基板２上に電解銅メッキ処理を実行することで、メッキレジストパターンから露出する樹脂基板２上に銅メッキ層を形成する。そして、樹脂基板２からメッキレジスタパターンを除去することで、樹脂基板２上に、例えば、配線層３を形成することになる。

【0020】

図８は、第１のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１２の第１のＳＲ形成工程では、図８に示すように、配線層３が形成された樹脂基板２上に第１のＳＲ層４を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂をラミネートして樹脂基板２上に積層することで、樹脂基板２上に第１のＳＲ層４を形成することになる。第１のＳＲ層４の厚み寸法は、例えば、１０μｍ～３０μｍの範囲内である。尚、第１のＳＲ層４は、絶縁性の感光性樹脂を例示したが、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性の非感光性樹脂を用いて形成されても良い。

【0021】

図９は、開口形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１３の開口形成工程では、図９に示すように、第１のＳＲ層４に開口部４Ａを形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂の硬化後、第１のＳＲ層４上の所定の位置にレーザ加工又はフォトリソグラフィで開口部４Ａを形成することになる。第１のＳＲ層４上に形成された開口部４Ａは下層の配線層３の一部を露出することになる。尚、開口部４Ａの口径寸法は、例えば、１０μｍ～１００μｍの範囲内である。

【0022】

図１０は、配線基板１の第２のＳＲ形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１４の第２のＳＲ形成工程では、図１０に示すように、開口部４Ａが形成された第１のＳＲ層４上に第２のＳＲ層２１を形成する。具体的には、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂をラミネートして第１のＳＲ層４上に積層することで、第１のＳＲ層４上に第２のＳＲ層２１を形成することになる。第２のＳＲ層２１の厚み寸法は、例えば、１０μｍ～３０μｍの範囲内である。尚、第２のＳＲ層２１は、例えば、エポキシ樹脂等の絶縁性の非感光性樹脂を用いて形成されても良い。

【0023】

図１１は、ダム形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１５のダム形成工程では、図１１に示すように、第２のＳＲ層２１を用いて、第１のＳＲ層４内の実装エリア４Ｂを囲うように第１のＳＲ層４上にダム部材６を形成することになる。具体的には、例えば、露光、現像、アクリル樹脂等の硬化プロセスを経て第２のＳＲ層２１を用いて第１のＳＲ層４上にダム部材６を形成する。ダム部材６のコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａの第１の露光量が、直線部６Ｅの第２の露光量に比較して大きくなるよう調整し、第１の露光量で露光することで、コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに傾斜部１１を形成することになる。また、コーナー部６Ｄの外側壁面６Ｂの第２の露光量は、第１の露光量に比較して低くなるよう調整し、第２の露光量で露光することで、外側壁面６Ｂの下部に窪み部１２を形成することになる。その結果、ダム部材６の内側壁面６Ａには、第１のＳＲ層４の表面に対する傾斜角度が２０度以内の下り傾斜の傾斜部１１が形成されることになる。尚、ダム部材６の上面６Ｃの幅寸法は、例えば、１００μｍ～１０００μｍ、傾斜部１１の長さ寸法は、例えば、３０μｍ以内、窪み部１２の深さ寸法（アンダーカット長）は、例えば、３０μｍ以内である。また、実装エリア４Ｂの端から傾斜部１１までの距離寸法は、例えば、５０μｍ～５ｍｍの範囲内とする。

【0024】

図１２は、バリア層形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１６のバリア層形成工程では、図１２に示すように、実装エリア４Ｂ内の各開口部４Ａで露出する配線層３上にバリア層３Ａを形成することになる。具体的には、酸化防止のための有機被膜の形成若しくは無電解ＮｉＰｄＡｕめっき等でバリア層３Ａを形成することになる。

【0025】

図１３は、バンプ形成工程の一例を示す説明図である。ステップＳ１７のバンプ形成工程では、バリア層形成工程を実行した後、図１３に示すように、第１のＳＲ層４内の開口部４Ａに接続バンプ８を形成する。尚、接続バンプ８は、例えば、配線層３と同様の製造方法で形成するものとする。

【0026】

図１４は、実装工程の一例を示す説明図である。図１４に示す配線基板１上に電子部品５を搭載することで半導体装置１Ａを構成する。電子部品５下面の電極は、半田等で接続バンプ８に接合されることになる。更に、実装エリア４Ｂ内の電子部品５の電極と配線基板１上の接続バンプ８との接合部は、アンダーフィル７によって封止され、配線基板１に電子部品５が実装されることになる。ダム部材６は、実装エリア４Ｂ内にアンダーフィル７を流し込んだ場合でもアンダーフィル７を堰き止めることになる。実装エリア４ＢとＳｉインターポーザ５Ａとの間の中間部にアンダーフィル７を流し込むことで、接続バンプ８を保護できる。この時、ダム部材６のコーナー部６Ｄに傾斜部１１があるために、アンダーフィル７がコーナー部４Ｄ隅々まで十分に行き渡るため、ボイドの発生を抑制できる。尚、ここで使用するアンダーフィル材は一般的な液状硬化性樹脂（主剤としてエポキシ樹脂）である。

【0027】

図１５は、半導体装置１Ａの一例を示す説明図である。図１４に示す半導体装置１Ａの下部にある樹脂基板２の下面側のパッドＰに、外部接続端子３１及び絶縁層３２が設けられた構造である。絶縁層３２は、第１のＳＲ層４を形成するのと同じタイミングで樹脂基板２の下面側に積層して形成し、樹脂基板２の下面側のパッドＰが露出するよう絶縁層３２に開口部を設け、はんだボール等を用いて外部接続端子３１を形成することで、図１５に示す半導体装置１Ａを形成することになる。

【0028】

図１６は、比較例の半導体装置１００の一例を示す説明図である。尚、比較例の半導体装置１００の配線基板と実施例の半導体装置１Ａの配線基板１とが異なるところは、例えば、ダム部材１１１のコーナー部の内側壁面１１１Ａの第１のＳＲ層４の表面に対する設置角度が直角である点である。図１６に示す比較例の半導体装置１００の配線基板は、第１のＳＲ層４の表面に対する内側壁面１１１Ａの設置角度が直角であるため、内側壁面１１１Ａのコーナー部にはアンダーフィル７が行き渡らずにボイドが発生する場合が考えられる。これに対して、本実施例の配線基板１では、実装エリア４Ｂの周囲を囲うダム部材６のコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面へ下り傾斜する傾斜部１１を有する。その結果、内側壁面６Ａのコーナー部６Ｄにアンダーフィル７が十分行き渡るため、ボイド発生を防止できる。

【0029】

図１７は、比較例の半導体装置１００Ａの一例を示す説明図である。尚、比較例の半導体装置１００Ａの配線基板と実施例の半導体装置１Ａの配線基板１とが異なるところは、例えば、ダム部材１２１のコーナー部の内側壁面１２１Ａの第１のＳＲ層４の表面に対する設置角度が鋭角である点である。図１７に示す比較例の半導体装置１００Ａの配線基板は、第１のＳＲ層４の表面に対する内側壁面１２１Ａの設置角度が鋭角であるため、内側壁面１２１Ａのコーナー部にはアンダーフィル７が行き渡らずにボイドが発生する場合が考えられる。これに対して、本実施例の配線基板１では、実装エリア４Ｂの周囲を囲うダム部材６のコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面へ下り傾斜する傾斜部１１を有する。その結果、内側壁面６Ａのコーナー部６Ｄにアンダーフィル７が十分に行き渡るため、ボイド発生を防止できる。

【0030】

また、実装エリアの周囲を囲うダム部材としては、実装エリアから見て内側壁面の設置角度が９０度を超えるテーパ形状にした場合でも、ダム部材の内側壁面のコーナー部にはアンダーフィルが行き渡らずにボイドが発生する場合が考えられる。これに対して、本実施例の配線基板１では、実装エリア４Ｂの周囲を囲うダム部材６のコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面へ下り傾斜する傾斜部１１を有する。その結果、内側壁面６Ａのコーナー部６Ｄにアンダーフィル７が十分に行き渡るため、ボイド発生を防止できる。

【0031】

本実施例の配線基板１では、ダム部材６の各コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに、実装エリア４Ｂに向かって内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面に下り傾斜する傾斜部１１を有する。コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに傾斜部１１を形成することで、実装エリア４Ｂに流し込むアンダーフィル７が傾斜部１１に沿って各コーナー部６Ｄに行き渡る。その結果、ボイドの発生を抑制できる。

【0032】

ダム部材６の直線部６Ｅの内側壁面６Ａには、第１のＳＲ層４の表面と接触する内側壁面６Ａの下部に形成された窪み部１３を有する。その結果、充填されるアンダーフィル７が窪み部１３内に流れ込むため、十分なアンカー効果が得られることになる。しかも、発生する気泡はコーナー部６Ｄへと流れるためボイドが滞留する懸念も少なくなる。

【0033】

ダム部材６の各コーナー部６Ｄの外側壁面６Ｂには、第１のＳＲ層４の表面と接触する外側壁面６Ｂの下部に形成された窪み部１２を有する。その結果、例えば、配線基板１を封止する際に充填される封止樹脂が窪み部１２内に流れ込むため、十分なアンカー効果が得られることになる。

【0034】

傾斜部１１と第１のＳＲ層４の表面との間の最大の高さ寸法Ｂは、ダム部材６の上面６Ｃと第１のＳＲ層４の表面との間の最大の高さ寸法Ａの２０％以内である。その結果、コーナー部６Ｄ内にアンダーフィル７が行き渡るように内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４の表面への下り傾斜の傾斜部１１を形成できる。

【0035】

ダム部材６は、第１のＳＲ層４と同一材料で形成される。その結果、ダム部材６と第１のＳＲ層４との間の結合力を向上させるため、第１のＳＲ層４とダム部材６との間でのクラック発生を抑制できる。

【0036】

ダム部材６の内側壁面６Ａの下部分は湾曲状の傾斜部１１になっているため、内側壁面６Ａがストレートや逆テーパ状の場合に比較して空気が抜けやすくなる。つまり、本願のように第１のＳＲ層４の表面に対するダム部材６の内側壁面６Ａの設置角度が小さくすることで、空気が抜けやすくなりボイド抑制の効果が高まる。

【0037】

ダム部材６を形成するダム形成工程では、第２のＳＲ層２１を用いて内側壁面６Ａ及び外側壁面６Ｂを形成する。更に、ダム形成工程では、第２のＳＲ層２１を用いて、実装エリア４Ｂに向かって、ダム部材６の各コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａから第１のＳＲ層４表面に下り傾斜する傾斜部１１を各コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに形成する。その結果、第１のＳＲ層４と同一の材料の第２のＳＲ層２１を用いてダム部材６と第１のＳＲ層４の表面との間の結合力が向上できる。

【0038】

ダム形成工程では、コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに対する第１の露光量で傾斜部１１を形成し、外側壁面６Ｂに対して第１の露光量に比較して小さい第２の露光量で、第１のＳＲ層４と接触する外側壁面６Ｂの下部に窪み部１２を形成する。露光量を変えることで、傾斜部１１及び窪み部１２を形成できる。

【0039】

電子部品５を搭載する実装エリア４Ｂの開口部４Ａとダム部材６との間にマージンを設ける必要があるが、ダム部材の内側壁面及び外側壁面両方をテーパ形状にした場合に、開口部４Ａとダム部材との間のマージンが狭くなってしまいデザインが制約されてしまう。これに対して、本実施例のダム部材６では、コーナー部６Ｄのみに傾斜部１１を設けた構造としたので、開口部４Ａとダム部材６との間のマージンを確保でき、デザインの制約が少ない。

【0040】

尚、説明の便宜上、ダム部材６の形成材料は、ＳＲ材料で形成する場合を例示したが、例えば、カバーレイ材（接着性のあるフィルム材）や、液状の絶縁材料(粘度の高い材料)等もある。カバーレイ材ではパンチングで開口させた材料を基板上に材料を位置合わせして貼るようにしても良い。液状の絶縁材料では、例えば、数百ｍｍ～数ｍｍの幅/高さのダム形状に塗布形成しても良い。尚、ＳＲ材料で形成する場合には、傾斜部１１の位置合わせの位置精度が良く、ダム部材６の寸法精度が高くなる。

【0041】

また、ダム部材６として各コーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに傾斜部１１を備える構造を例示したが、必ずしも全てのコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに傾斜部１１を備えている必要はない。例えば、アンダーフィル７を注入する方向や流れによっては、少なくとも１つのコーナー部６Ｄの内側壁面６Ａに傾斜部１１があることで、アンダーフィル７内のボイドを抑制することも可能である。

【0042】

電子部品５としては、Ｓｉインターポーザ５Ａとダイ５Ｂとを有する場合を例示したが、ダイ５Ｂを実装エリア４Ｂに実装しても良く、適宜変更可能である。

【符号の説明】

【0043】

１ 配線基板
１Ａ 半導体装置
２ 樹脂基板
３ 配線層
４ 第１のＳＲ層
４Ｂ 実装エリア
５ 電子部品
６ ダム部材
６Ａ 内側壁面
６Ｂ 外側壁面
６Ｄ コーナー部
６Ｅ 直線部
８ 接続バンプ
１１ 傾斜部
１２ 窪み部
１３ 窪み部
１４ 垂直部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】