特開 2023-69172 基板の搬送を行う装置、及び基板を搬送する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023069172

(43)【公開日】2023-05-18

(54)【発明の名称】基板の搬送を行う装置、及び基板を搬送する方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20230511BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021180835

(22)【出願日】2021-11-05

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002756

【氏名又は名称】弁理士法人弥生特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】松本 航

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BB05

5F131BB23

5F131CA12

5F131DB03

5F131DB52

5F131DB76

5F131DB82

5F131DC18

5F131GA14

5F131GA33

5F131HA09

5F131HA12

5F131JA09

5F131JA12

5F131JA24

5F131JA27

5F131KA02

5F131KA06

5F131KA12

5F131KA47

5F131KA55

5F131KA67

(57)【要約】

【課題】磁気浮上を利用して基板を搬送する基板搬送モジュールを清浄化する技術を提供する。
【解決手段】基板の処理が行われる基板処理室に対する基板の搬送を行う装置において、基板搬送室は、第１の磁石が設けられた床面部と、前記基板処理室が接続される開口部が形成された側壁部とを有する。基板搬送モジュールは、基板保持部と第２の磁石とを備え、第１の磁石との間に働く反発力を用いた磁気浮上により、基板搬送室内で移動可能に構成される。加熱部は、基板搬送モジュールの表面に付着した汚染物質を放出させるために、当該基板搬送モジュールを加熱する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の処理が行われる基板処理室に対する基板の搬送を行う装置であって、
第１の磁石が設けられた床面部と、前記基板処理室が接続され、当該基板処理室との間で基板の搬入出が行われる開口部が形成された側壁部とを有する基板搬送室と、
前記基板を保持する基板保持部と、前記第１の磁石との間に反発力が働く第２の磁石と、を備え、前記反発力を用いた磁気浮上により、前記基板搬送室内で移動可能に構成された基板搬送モジュールと、
前記基板搬送モジュールの表面に付着した汚染物質を放出させるために、当該基板搬送モジュールを加熱する加熱部をと、を備えた装置。

【請求項2】

前記加熱部は、前記基板搬送モジュールの表面に加熱光を照射する加熱用光源である、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記加熱部は、誘導加熱により、金属からなる前記基板搬送モジュールを加熱する誘導コイルである、請求項１に記載の装置。

【請求項4】

前記加熱部は、前記基板搬送モジュールと接触させる接触面と、前記接触面を構成する部材の内部に形成され、温調流体が流れる流路と、前記流路に温調流体である熱媒を供給する熱媒供給部と、を備えた熱交換機構である、請求項１に記載の装置。

【請求項5】

前記熱交換機構は、前記熱媒と切り替えて、前記加熱後の基板搬送モジュールを使用温度まで冷却する温調流体である冷媒を供給する冷媒供給部を備える、請求項４に記載の装置。

【請求項6】

前記加熱部は、前記基板搬送モジュールに設けられた抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に電力を供給する電力供給部と、を備えた内部加熱機構である、請求項１に記載の装置。

【請求項7】

前記加熱部により加熱された後の前記基板搬送モジュールを使用温度まで冷却する冷却部を備える、請求項１ないし３、または６のいずれか一つに記載の装置。

【請求項8】

前記冷却部は、前記基板搬送モジュールと接触させる接触面と、前記接触面を構成する部材の内部に形成され、温調流体が流れる流路と、前記流路に温調流体である冷媒を供給する冷媒供給部と、を備えた熱交換機構である、請求項７に記載の装置。

【請求項9】

前記加熱によって、前記基板搬送モジュールの表面から放出された汚染物質を除去する汚染物除去部を備える、請求項１ないし８のいずれか一つに記載の装置。

【請求項10】

前記汚染物除去部は、前記加熱部により前記基板搬送モジュールの加熱が行われる雰囲気の排気を行う排気部である、請求項９に記載の装置。

【請求項11】

前記汚染物除去部は、前記加熱部により加熱された前記基板搬送モジュールよりも低い温度に温調され、熱泳動により前記汚染物質を捕集する捕集面を備えた汚染物捕集部材である、請求項９に記載の装置。

【請求項12】

前記加熱部は、前記基板搬送室内で前記基板搬送モジュールの加熱を行うように構成された、請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の装置。

【請求項13】

前記基板搬送室と、前記基板搬送室とは圧力が異なる他の基板搬送室との間での基板の搬入出を行うために、圧力の切り替えを行うロードロック室を備え、
前記加熱部は、前記ロードロック室内で前記板搬送モジュールの加熱を行うように構成された、請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の装置。

【請求項14】

前記基板搬送室は、真空雰囲気で基板の搬送が行われる真空基板搬送室として構成され、
前記他の基板搬送室は、前記第１の磁石が設けられた床面部を備え、大気雰囲気下で前記基板の搬送が行われる大気搬送室である、請求項１３に記載の装置。

【請求項15】

前記基板搬送室は、真空雰囲気で基板の搬送が行われる第１の真空基板搬送室として構成され、
前記他の基板搬送室は、第１の磁石が設けられた床面部と、前記第１の真空基板搬送室に接続された前記基板処理室をとは異なる基板処理を行うための他の基板処理室が接続され、前記他の基板処理室との間で基板の搬入出が行われる開口部が形成された側壁部とを有すると共に、前記第１の真空基板搬送室とは真空度が異なる真空雰囲気下で基板の搬送が行われる第２の真空基板搬送室として構成された、請求項１３に記載の装置。

【請求項16】

前記第１の磁石と前記第２の磁石との反発力を変化させて前記基板搬送モジュールの移動制御を行う移動制御部と、
前記床面部上で移動する前記基板搬送モジュールの位置を検出する位置検出部と、
前記移動制御部を用いた移動制御により、目的位置まで前記基板搬送モジュールを移動させる際に、前記加熱部の加熱による前記第２の磁石の磁力の熱減磁に伴って生じる、前記目的位置と、前記位置検出部により検出された実際の基板搬送モジュールの位置との位置ずれ量を検出するずれ量検出部と、
前記ずれ量検出部により検出されたずれ量を相殺するように、前記移動制御部による前記反発力を補正する補正部と、を備える請求項１ないし１５のいずれか一つに記載の装置。

【請求項17】

基板処理室内で基板を搬送する方法であって、
第１の磁石が設けられた床面部と、前記基板処理室が接続され、当該基板処理室との間で基板の搬入出が行われる開口部が形成された側壁部とを有する基板搬送室内に収容され、前記基板が保持する基板保持部と、前記第１の磁石との間に反発力が働く第２の磁石と、を備え、前記反発力を用いた磁気浮上により、前記基板搬送室内で移動可能に構成された基板搬送モジュールを用い基板の搬送を行う工程と、
前記基板搬送モジュールの表面に付着した汚染物質を放出させるために、当該基板搬送モジュールを加熱する工程と、を含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板の搬送を行う装置、及び基板を搬送する方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、基板である半導体ウエハ（以下、「ウエハ」ともいう）に対する処理を実施する装置（ウエハ処理装置）においては、ウエハを収容したキャリアと、処理が実行されるウエハ処理室との間でウエハの搬送が行われる。ウエハの搬送にあたっては、種々の構成のウエハ搬送機構が利用される。
出願人は、磁気浮上を利用した基板搬送モジュールを利用して基板の搬送を行うウエハ処理装置の開発を進めている。

【0003】

一方、ウエハ処理装置内においてウエハの搬送が行われる空間には、ウエハと機器、または機器同士の接触によって発生するパーティクル、ウエハの処理の際に使用する化学物質など、種々の汚染物質が微量に存在する。これらの汚染物質が基板搬送モジュールに付着、蓄積すると、搬送対象のウエハを汚染する要因となる。

【0004】

例えば特許文献１には、減圧処理装置内において、被処理基板を載置するステージなどを構成する部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる技術が記載されている。一方で、特許文献１には、磁気浮上を利用した基板搬送モジュールの汚染についての対処法は記載されてない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００５－１０１５３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本開示は、磁気浮上を利用して基板を搬送する基板搬送モジュールを清浄化する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示は、基板の処理が行われる基板処理室に対する基板の搬送を行う装置であって、
第１の磁石が設けられた床面部と、前記基板処理室が接続され、当該基板処理室との間で基板の搬入出が行われる開口部が形成された側壁部とを有する基板搬送室と、
前記基板を保持する基板保持部と、前記第１の磁石との間に反発力が働く第２の磁石と、を備え、前記反発力を用いた磁気浮上により、前記基板搬送室内で移動可能に構成された基板搬送モジュールと、
前記基板搬送モジュールの表面に付着した汚染物質を放出させるために、当該基板搬送モジュールを加熱する加熱部と、を備えた装置である。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、磁気浮上を利用して基板を搬送する基板搬送モジュールを清浄化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】ウエハ処理システムの第１の構成例を示す平面図である。

【図2】搬送モジュールの第１の構成例を示す平面図である。

【図3】搬送モジュール及びタイルの構成例を示す透視斜視図である。

【図4】ウエハ処理システムの作用例を示す平面図である。

【図5A】加熱部の第１の構成例を示す第１の縦断側面図である。

【図5B】加熱部の第１の構成例を示す第２の縦断側面図である。

【図6】加熱部の第２の構成例を示す縦断側面図である。

【図7A】加熱部の第３の構成例を示す第１の縦断側面図である。

【図7B】加熱部の第３の構成例を示す第２の縦断側面図である。

【図8】加熱部の第４の構成例を示す縦断側面図である。

【図9】ウエハ処理システムの第２の構成例を示す平面図である。

【図10】搬送モジュールの第２の構成例を示す平面図である。

【図11】ウエハ処理システムの第３の構成例を示す平面図である。

【図12】搬送モジュールの加熱に伴う位置ずれの補正機構の構成例を示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

＜ウエハ処理システム＞
以下、図１を参照しながら、本開示の一実施形態に係る基板の搬送を行う装置の構成について説明する。当該基板の搬送を行う装置は、ウエハ処理システム１０１に設けられている。
図１には、ウエハＷを処理する基板処理室である複数のウエハ処理室１１０を備えたマルチチャンバタイプのウエハ処理システム１０１を示してある。図１に示すように、ウエハ処理システム１０１は、ロードポート１４１と、大気搬送室１４０と、ロードロック室１３０と、真空搬送室１６０と、複数のウエハ処理室１１０とを備えている。以下の説明では、ロードポート１４１が設けられている側を手前側とする。

【0011】

ウエハ処理システム１０１において、ロードポート１４１、大気搬送室１４０、ロードロック室１３０、真空搬送室１６０は、手前側から水平方向にこの順に配置されている。また複数のウエハ処理室１１０は、手前側から見て、真空搬送室１６０の左右に並べて設けられている。

【0012】

ロードポート１４１は、処理対象のウエハＷを収容するキャリアＣが載置される載置台として構成され、手前側から見て左右方向に４台並べて設置されている。キャリアＣとしては、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）などを用いることができる。

【0013】

大気搬送室１４０は、大気圧（常圧）雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。また、大気搬送室１４０の内部には、ウエハＷを搬送するウエハ搬送機構１４２が設けられている。大気搬送室１４０内のウエハ搬送機構１４２は、例えば多関節アームにより構成されている。このウエハ搬送機構１４２は、キャリアＣとロードロック室１３０との間でウエハＷの搬送を行う。また大気搬送室１４０の例えば左側面にはウエハＷのアライメントを行う不図示のアライメント室が設けられている。

【0014】

真空搬送室１６０と大気搬送室１４０との間には例えば２つのロードロック室１３０が左右に並べて設置されている。ロードロック室１３０は、搬入されたウエハＷを下方から突き上げて保持する昇降ピン１３１を有する。例えば昇降ピン１３１は、周方向に沿って等間隔に３本設けられ、昇降自在に構成されている。なお、後述の昇降ピン１１３、１４３についても同様に構成されている。

【0015】

ロードロック室１３０は、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるように構成されている。ロードロック室１３０と大気搬送室１４０とは、ゲートバルブ１３３を介して接続されている。またロードロック室１３０と真空搬送室１６０とは、ゲートバルブ１３２を介して接続されている。

【0016】

真空搬送室１６０は本開示の基板搬送室に相当している。図１に示すように、真空搬送室１６０は、前後方向に長い、平面視、矩形状の筐体により構成されている。真空搬送室１６０は、不図示の真空排気機構により、真空雰囲気に減圧されている。また、真空搬送室１６０には、不活性ガス（例えば窒素ガス）の供給を行う不図示の不活性ガス供給部を接続し、減圧されている真空搬送室１６０内に常時、不活性ガスを供給するように構成してもよい。図１に示す例のウエハ処理システム１０１において、真空搬送室１６０の左右の側壁部には、各々４基、合計８基のウエハ処理室１１０が、ゲートバルブ１１１を介して接続されている。ゲートバルブ１１１により開閉される開口部を介して、真空搬送室１６０とウエハ処理室１１０との間でのウエハＷの搬入出が行われる。

【0017】

各ウエハ処理室１１０は、不図示の真空排気機構により、真空雰囲気に減圧されている。各ウエハ処理室１１０の内部には、載置台１１２が設けられ、ウエハＷはこの載置台１１２に載置された状態で所定の処理が実施される。ウエハＷに対して実施する処理としては、エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理などを例示することができる。

【0018】

例えば、ウエハＷを加熱しながら処理を実施する場合には、載置台１１２には、ヒーターが設けられる。ウエハＷに対して実施する処理が処理ガスを利用するものである場合は、ウエハ処理室１１０には、シャワーヘッドなどにより構成される処理ガス供給部が設けられる。なお、これらヒーターや処理ガス供給部は、図示を省略してある。また載置台１１２には、搬入出されるウエハＷの受け渡しを行うための昇降ピン１１３が設けられている。ウエハ処理室１１０は本実施の形態の基板処理室に相当している。

【0019】

＜搬送モジュール３０＞
上述の構成を備える真空搬送室１６０においては、磁気浮上式の搬送モジュール（基板搬送モジュール）３０を用いてウエハＷの搬送が行われる。図２、図３に示す例の搬送モジュール３０は、平面視矩形状の本体部３１を備える。この本体部３１には、ウエハＷを水平に保持するアーム部３２が設けられている。アーム部３２は、本体部３１側の基端部から、水平方向に延在するように設けられている。アーム部３２の先端部には、３本の昇降ピン１３１、１１３が設けられた領域を左右から囲むように配置可能なフォークが設けられている。フォークは、搬送モジュール３０における基板保持部に相当する。

【0020】

アーム部３２は、本体部３１を真空搬送室１６０内に位置させたまま、ゲートバルブ１１１を開いてウエハ処理室１１０内に挿入することにより、載置台１１２にウエハＷを受け渡すことができる長さに構成されている。
また搬送モジュール３０の本体部３１の内部には、モジュール側磁石３３が設けられているが、その構成例については、図３を参照しながら後述する。

【0021】

＜磁気浮上機構＞
図３に模式的に示すように、真空搬送室１６０の床面部には複数のタイル（移動用タイル）１０が設けられている。これらタイル１０は、外部の大気搬送室１４０との間でのウエハＷの受け渡し位置（ロードロック室１３０に対向する位置）から、ウエハ処理室１１０の手前に至る、搬送モジュール３０の移動領域に設けられている。また、搬送モジュール３０がロードロック室１３０内やウエハ処理室１１０内にまで進入して移動するように搬送領域が設定されている場合には、これらロードロック室１３０やウエハ処理室１１０の床面部にもタイル１０が設けられる。

【0022】

タイル１０には、その内部に各々、複数の移動面側コイル１１が配列されている。移動面側コイル１１は、不図示の電力供給部から電力が供給されることにより磁場を発生する。移動面側コイル１１は、本開示の第１の磁石に相当する。

【0023】

一方、搬送モジュール３０の内部には、例えば永久磁石により構成される複数のモジュール側磁石３３が配列されている。モジュール側磁石３３に対しては、移動面側コイル１１によって生成される磁場との間に反発力（磁力）が働く。この作用によりタイル１０の上面側の移動面に対して搬送モジュール３０を磁気浮上させることができる。搬送モジュール３０に設けられたモジュール側磁石３３は、本開示の第２の磁石に相当する。

【0024】

また、タイル１０は、複数の移動面側コイル１１により、磁場を生成する位置や磁力の強さを調節し、磁界の状態を変化させることができる。この磁界の制御により、移動面上で搬送モジュール３０を所望の方向に移動させることや、移動面からの浮上距離の調節、搬送モジュール３０の向きの調節を行うことができる。タイル１０側の磁界の制御は、電力が供給される移動面側コイル１１の選択や、移動面側コイル１１に供給される電力の大きさを調節することにより実施される。

【0025】

なお、複数のモジュール側磁石３３は、搬送モジュール３０内に設けられたバッテリーより電力が供給され、電磁石として機能するコイルによって構成してもよい。また、永久磁石及びコイルの双方を設けてモジュール側磁石３３を構成してもよい。

【0026】

図１、図３に示す例において、平面視、矩形状の真空搬送室１６０の短辺方向の長さは、各々、ウエハＷを保持した２台の搬送モジュール３０が、左右に並んだ状態ですれ違うことができる程度の寸法となっている。またこの例の真空搬送室１６０の短辺方向の長さは、搬送モジュール３０がウエハＷを保持したときの本体部３１からウエハＷの先端までの長さ（ウエハＷを保持した状態の搬送モジュール３０の全長）よりも短い。この例では、真空搬送室１６０内に設けられた複数台の搬送モジュール３０を用いてウエハＷの搬送が行われる。
以上に説明した、搬送モジュール３０を備え、ウエハ処理室１１０が接続される真空搬送室１６０は、本開示の基板の搬送を行う装置に相当する。

【0027】

＜制御部５＞
ウエハ処理システム１０１は、制御部５を備える。制御部５は、ＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータにより構成され、ウエハ処理システム１０１の各部を制御するものである。記憶部には搬送モジュール３０の移動制御やウエハ処理室１１０の動作などを制御するためのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード、不揮発メモリなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。

【0028】

＜ウエハＷの搬送動作＞
次に、上述の構成を備えるウエハ処理システム１０１におけるウエハＷ搬送動作の一例について説明する。初めに、ロードポート１４１に対し、処理対象のウエハＷを収容したキャリアＣが載置されると、大気搬送室１４０内のウエハ搬送機構１４２によって、キャリアＣからウエハＷが取り出される。次いで、ウエハＷは、不図示のアライメント室に搬送されて、ウエハＷのアライメントが行われる。さらにウエハ搬送機構１４２によりウエハＷがアライメント室から取り出されると、ゲートバルブ１３３が開かれる。

【0029】

ウエハ搬送機構１４２がロードロック室１３０内に進入すると、昇降ピン１３１は、ウエハＷを突き上げて受け取る。しかる後、ウエハ搬送機構１４２がロードロック室１３０から退避すると、ゲートバルブ１３３が閉じられる。さらにロードロック室１３０内が大気圧雰囲気から真空雰囲気へと切り替えられる。

【0030】

ロードロック室１３０内が真空雰囲気となったら、ゲートバルブ１３２が開かれる。このとき真空搬送室１６０内では、ロードロック室１３０の接続位置の近傍にて、搬送モジュール３０がロードロック室１３０に正対した姿勢で待機している。そして、タイル１０に設けられている移動面側コイル１１によって生成した磁場を利用し、磁気浮上により搬送モジュール３０を上昇させる。

【0031】

そして図１に示すように当該搬送モジュール３０のアーム部３２をロードロック室１３０内に進入させ、昇降ピン１３１に支持されたウエハＷの下方に位置させる。さらに昇降ピン１３１を降下させて、アーム部３２のフォークにウエハＷを受け渡す。

【0032】

次いでウエハＷを保持したアーム部３２をロードロック室１３０から退出させ、ウエハＷの処理を実行するウエハ処理室１１０の側方位置まで搬送モジュール３０を後退させる。このとき当該搬送モジュール３０の本体部３１は、前記ゲートバルブ１１１の配置位置を通り過ぎて、奥手側まで移動する。この動作により、ウエハＷを保持したアーム部３２の先端側が、ゲートバルブ１１１の側方に配置される。

【0033】

こうして、アーム部３２の先端側がゲートバルブ１１１の側方に到達したら、後退動作に加えて、アーム部３２の先端側をゲートバルブ１１１に向けるように、回動する。続いてゲートバルブ１１１を開き、ウエハＷをウエハ処理室１１０内に挿入するように回動しながら、搬送モジュール３０の移動方向を前進に切り替える。

【0034】

既述のように、真空搬送室１６０の短辺方向の長さは、ウエハＷを保持した搬送モジュール３０の全長よりも短い。この場合であっても、回転動作を組み合わせながら搬送モジュール３０を前進／後退させる切り返し動作により、真空搬送室１６０内にてウエハ処理室１１０に対するウエハＷの搬入を実施することができる。

【0035】

しかる後、搬送モジュール３０がウエハ処理室１１０に正対する状態となったら、回転を停止しウエハＷが載置台１１２の上方に到達するまで直進する。しかる後、ウエハＷを載置台１１２に受け渡し、搬送モジュール３０をウエハ処理室１１０から退避させる。さらにゲートバルブ１１１を閉じた後、ウエハＷの処理を開始する。

【0036】

即ち、必要に応じて載置台１１２に載置されたウエハＷの加熱を行い、予め設定された温度に昇温すると共に、処理ガス供給部が設けられている場合には、ウエハ処理室１１０内に処理ガスを供給する。こうして、ウエハＷに対する所望の処理が実行される。

【0037】

予め設定した期間、ウエハＷの処理を実行したら、ウエハＷの加熱を停止すると共に、処理ガスの供給を停止する。また、必要に応じてウエハ処理室１１０内に冷却用ガスを供給し、ウエハＷの冷却を行ってもよい。しかる後、搬入時とは逆の手順でウエハＷを搬送して、ウエハ処理室１１０からロードロック室１３０にウエハＷを戻す。
さらに、ロードロック室１３０の雰囲気を常圧雰囲気に切り替えた後、大気搬送室１４０側のウエハ搬送機構１４２によりロードロック室１３０内のウエハＷを取り出し、所定のキャリアＣに戻す。

【0038】

＜汚染物質放出＞
以上に説明した構成を備えるウエハ処理システム１０１においては、例えばゲートバルブ１３２、１１１の開閉動作など、機器同士の接触により、パーティクルが発生する場合がある。また、ウエハ処理室１１０内で供給された処理ガスの分子が、ウエハＷに吸着した状態で真空搬送室１６０に持ち込まれた後、ウエハＷから放出されることもある。処理ガスの分子には、真空搬送室１６０内にわずかに存在し、または機器の表面に吸着している水分と反応してパーティクルや腐食性物質が形成される場合もある。

【0039】

後述するように、真空搬送室１６０の内部は、常時、真空排気が行われているので、これらのパーティクルや分子（化学物質）は、真空搬送室１６０の外部へ排出される。一方で、パーティクルや化学物質の一部は、真空搬送室１６０から排出される前に搬送モジュール３０の表面に付着してしまう場合もある。

【0040】

搬送モジュール３０の表面にてパーティクルや化学物質が付着、蓄積され、再飛散すると、ウエハＷを汚染する要因となる。また既述のように、機器の表面に吸着している水分が、化学物質と反応してパーティクルや腐食性物質を形成する要因ともなる。そこで本例のウエハ処理システム１０１は、搬送モジュール３０の表面に付着したパーティクル、化学物質や水分などの汚染物質を放出させる機構を備える。なお、本開示では、水分についても「汚染物質」の概念に含めている。

【0041】

図１、図３に例示するウエハ処理システム１０１において、汚染物質を放出させる機構は、真空搬送室１６０の後端部に設定されたクリーニング領域２０に設けられている。真空搬送室１６０の後端部は、ロードポート１４１から見て最後部側のウエハ処理室１１０に対しウエハＷを搬入、搬出させる際の切り返し動作を実施するにあたり、本体部３１を進入させるスペースにもなっている。
クリーニング領域２０には、搬送モジュール３０を加熱することにより、搬送モジュール３０の表面から汚染物質を放出させるための加熱部が設けられている。以下、図５Ａ～図８を参照しながら、加熱部の種々の構成例を説明する。

【0042】

＜加熱部構成例１：加熱用光源４１１＞
図５Ａ、図５Ｂは、図４のＡ-Ａ’位置における真空搬送室１６０の縦断側面図である（図６～図８において同じ）。
図５Ａに示すように、クリーニング領域２０における真空搬送室１６０の天井部には、本開示の加熱部の第１の構成例である加熱用光源４１１が設けられている。本例において、ウエハ処理システム１０１の天井部の上面側には、クリーニング領域２０へ向けて、搬送モジュール３０の表面を加熱するための加熱光を満遍なく照射できるように、複数の加熱用光源４１１が設けられている。また、不図示の電力供給部から電力が供給される対象の加熱用光源４１１を選択することにより、加熱光が照射される領域を調節することもできる。

【0043】

加熱用光源４１１には、ハロゲンランプなどの赤外線ランプや、赤外光を放射するＬＥＤ（Light Emitting Diode）ランプを用いる場合を例示できる。各加熱用光源４１１にはランプシェード４１２を設けて、加熱光の照射方向を制御してもよい。
複数の加熱用光源４１１は、カバー部４１４及び保持部４１３を介して真空搬送室１６０の天井部の上面側に配置されている。加熱用光源４１１が配置されている領域と、真空搬送室１６０内に設定されたクリーニング領域２０との間には、例えば石英ガラスからなり、加熱光を透過させる透過窓４１５が設けられている。

【0044】

さらに図５Ａ、図５Ｂには、加熱用光源４１１により加熱された後の搬送モジュール３０を使用温度まで冷却する冷却部を設けた例を示してある。本例において冷却部は、温調流体である冷媒が流れる流路（温調流体流路２１）をタイル１０内に形成した構成となっている。この場合、タイル１０の上面は、本体部３１と接触させる接触面となる。温調流体流路２１には、冷媒の供給、停止を行う冷媒供給部４３２が接続されている。

【0045】

上述の構成を備えるウエハ処理システム１０１にて、搬送モジュール３０の表面から汚染物質を放出させる加熱を行う動作について説明する。
搬送モジュール３０の加熱を行うタイミングとなったら、処理対象の本体部３１をクリーニング領域２０へ移動させ、加熱用光源４１１の下方側に本体部３１を配置する。図４、図５Ａ及び図５Ｂに示す例においては、１台の搬送モジュール３０を配置した例について示しているが、２台の搬送モジュール３０を配置してもよい。

【0046】

本体部３１の加熱は、前回の加熱から予め設定した時間の経過後や、予め設定した枚数のウエハＷを搬送した後のタイミングにて実施する場合を例示できる。
また、説明の便宜上、図４には、真空搬送室１６０内で他の搬送モジュール３０によるウエハＷの搬送を行っている動作と並行して、クリーニング領域２０に搬送モジュール３０を配置した状態を示している。この点について、実際には、真空搬送室１６０内でウエハＷの搬送を行っていない期間中に搬送モジュール３０の加熱を行うことが好ましい。ウエハＷの搬送を行っていない期間の例としては、ウエハ処理室１１０内でウエハＷの処理が実施されている期間中であって、十分な待ち時間がある場合や、すべてのウエハＷの処理が終了し真空搬送室１６０やウエハ処理システム１０１内にウエハＷが無い期間中を例示することができる。

【0047】

クリーニング領域２０に搬送モジュール３０（本体部３１）を配置したら、図５Ａに示すように搬送モジュール３０を浮上させた状態で、本体部３１に対向して配置された領域の加熱用光源４１１を点灯し、加熱光を照射する。加熱光の照射により、本体部３１の表面の温度は、常温の状態から急激に上昇する。このとき、本体部３１の表面を、７５～３００℃の範囲内の温度にまで加熱する場合を例示できる。

【0048】

本体部３１の構成部材や、その表面に付着しているパーティクルの温度が急激に上昇すると、急激な熱応力が加わり本体部３１の表面からパーティクルを剥離させる力が加わる。また、本体部３１の表面と、その周囲の雰囲気との間大きな温度勾配が形成されることに伴う熱泳動の影響によってもパーティクルを本体部３１の表面から剥離させる力が加わる。これらの力が加わることにより、ウエハＷの表面に付着したパーティクルが放出される。
また、ウエハＷの表面に付着している化学物質や水分についても、本体部３１の加熱により昇華・気化し、または分解してウエハＷの表面から放出される。

【0049】

また、加熱光が照射されていない本体部３１の下面側においても、上面側からの熱伝導により温度上昇が生じる。このとき、本体部３１が、真空搬送室１６０の床面部から浮上した状態にて加熱が行われることにより、当該下面側の本体部３１の表面からも、既述のメカニズムによりパーティクルや化学物質が放出される。

【0050】

さらには、本体部３１に接続されているアーム部３２の表面においても、熱伝導による温度上昇が発生し、その表面からパーティクルや化学物質が放出される。
なお、アーム部３２の上面にも加熱光を照射できるように加熱用光源４１１を配置したり、本体部３１の加熱を行った後、搬送モジュール３０を方向転換させてアーム部３２をクリーニング領域２０に進入させたりして、本体部３１を直接、加熱してもよい。

【0051】

ここで、図５Ａに示すように、クリーニング領域２０が設けられている領域の床面部には、真空搬送室１６０内の真空排気を行う排気部を構成する排気流路１６１の一端を開口させてもよい。真空搬送室１６０内にクリーニング領域２０が設定されている場合には、この排気流路１６１は、搬送モジュール３０の加熱が行われる雰囲気の排気を行う排気部を構成しているといえる。

【0052】

搬送モジュール３０の表面から放出されたパーティクルや化学物質（汚染物質）は、この排気流路１６１を介して真空搬送室１６０の外部へ排出される。この観点で、排気流路１６１は、搬送モジュール３０の表面から放出された汚染物質を除去する汚染物除去部の機能を兼ね備えている。
さらに既述のように、真空搬送室１６０内に常時、不活性ガスを供給場合には、搬送モジュール３０の加熱を行っている期間中に当該不活性ガスの供給流量を増やして排気を促進してもよい。この場合には、真空搬送室１６０内の圧力が上昇する場合もある。この点については、処理スケジュールや搬送スケジュールを調節し、ウエハＷの搬送を行っていない期間中に搬送モジュール３０の加熱を行うことで、圧力変動の影響を避けることができる。

【0053】

こうして予め設定した時間、搬送モジュール３０の加熱を行い、本体部３１の表面が清浄な状態となったら、加熱用光源４１１からの加熱光の照射を停止する。しかる後、冷媒供給部４３２から温調流体流路２１へ冷媒を供給すると共に、搬送モジュール３０を降下させて、当該搬送モジュール３０の下面と、冷媒が供給されている領域のタイル１０とを接触させる。冷却されたタイル１０の表面（接触面）に本体部３１の下面を接触させると、熱伝導により搬送モジュール３０の全体（本体部３１の下面、上面やアーム部３２）が冷却される。この動作により、真空排気されている真空搬送室１６０内においても、例えば常温まで搬送モジュール３０を迅速に冷却し、ウエハＷの搬送を再開することができる。

【0054】

なお、搬送モジュール３０の加熱中にも温調流体流路２１への冷媒の供給を行っていると、飛散した汚染物質が、冷却されたタイル１０の表面に熱泳動により引き寄せられて付着してしまうおそれがある。そこで搬送モジュール３０の加熱時には冷媒の供給を行わないことにより、タイル１０の汚染を避け、冷却時にタイル１０と接触させる搬送モジュール３０の再汚染を抑えている。

【0055】

＜加熱部構成例２：誘導コイル４２１＞
本開示の加熱部の第２の構成例として、図６には、真空搬送室１６０の天井部の上面側に誘導加熱用の誘導コイル４２１を設けた例を示している。誘導コイル４２１はカバー部４２２により覆われた状態となっている。誘導コイル４２１は不図示の電力供給部から電力が供給されることにより、真空搬送室１６０内の誘導コイル４２１の下方側の領域に磁界を発生させる。

【0056】

一方で、クリーニング領域２０に本体部３１を配置したとき、誘導コイル４２１と対向した状態となる本体部３１の上面側は金属により構成されている。そして、電力供給部から誘導コイル４２１に電力を供給し、真空搬送室１６０内に磁界が形成されると、誘導加熱により本体部３１の上面の温度が上昇する。本体部３１の加熱温度、及び搬送モジュール３０（本体部３１の上面、下面、アーム部３２）の表面から汚染物質（パーティクルや化学物質）が放出される作用については、図５Ａを用いて説明した例と同様である。また、排気流路１６１を介した汚染物質の排出や、汚染物質を放出した後、冷媒が通流するタイル１０との接触による搬送モジュール３０の冷却についても図５Ａ、図５Ｂにて説明した内容と同様なので、再度の記載を省略する。
なお、誘導コイル４２１による加熱中、搬送モジュール３０を浮上させることが困難な場合には、例えば複数の支持ピンにより搬送モジュール３０を支持した状態で加熱を行ってもよい。

【0057】

＜加熱部構成例３：熱交換機構＞
図７Ａは、加熱部としてタイル１０内に形成された温調流体流路２１に温調流体である熱媒を供給するための熱媒供給部４３１を設けた例である。この場合には、熱媒供給部４３１から熱媒が供給されている期間中に、本体部３１をタイル１０の上面（接触面）と接触させて熱伝導により搬送モジュール３０の表面を７５～３００℃の範囲内の温度に加熱する（図７Ａ）。温調流体流路２１が形成されたタイル１０や熱媒供給部４３１は、本例の熱交換機構に相当する。
そして予め設定した時間、搬送モジュール３０の加熱を行い、本体部３１の表面が清浄な状態となったら、熱媒と切り替えて冷媒供給部４３２から冷媒を供給して搬送モジュール３０を冷却する（図７Ｂ）。

【0058】

＜加熱部構成例４：抵抗発熱体３１３＞
図８に示す例においては、搬送モジュール３０内に加熱部である抵抗発熱体３１３を設けた例を示している。さらに搬送モジュール３０内には、抵抗発熱体３１３に電力を供給する電力供給部が設けられている。抵抗発熱体３１３は、二次電池により構成する場合を例示できる。この場合、本体部３１に対し外部の電源と接続するプラグを設け、当該プラグをコンセントに挿入して二次電池の充電を行ってもよい。また、ワイヤレス給電により二次電池の充電を行う構成としてもよい。

【0059】

このほか、本体部３１内には二次電池を設けず、プラグ－コンセント機構やワイヤレス給電により、直接、抵抗発熱体３１３に対して給電を行ってもよい。この場合には、プラグやワイヤレス給電の受電部が電力供給部３１４に相当する。
抵抗発熱体３１３及び電力供給部３１４は、本例の加熱部に相当する。

【0060】

上述の抵抗発熱体３１３により、搬送モジュール３０を７５～３００℃の範囲内の温度に加熱することによって、搬送モジュール３０の表面から汚染物質を放出させることができる。その後、冷媒が通流するタイル１０との接触により搬送モジュール３０を冷却については図５Ｂにて説明した例と同様である。

【0061】

さらに図８には、排気流路１６１を介した汚染物質の排出とは別の手法により、搬送モジュール３０から放出された汚染物質を除去する手法の例を示してある。即ち、本例の真空搬送室１６０の例えば天井部側には、内部に冷媒流路２２１が形成された汚染物捕集部材２２が設けられている。冷媒流路２２１には冷媒供給部２３が接続され、冷媒供給部２３に対して温調流体である冷媒を供給することができる。

【0062】

この冷媒により、汚染物捕集部材２２の表面は、抵抗発熱体３１３によって加熱された搬送モジュール３０よりも低い温度に温調される。搬送モジュール３０の表面から放出された汚染物質は、搬送モジュール３０の表面と汚染物捕集部材２２の表面との間に温度勾配が形成されることに伴う熱泳動により、汚染物捕集部材２２側へと移動し、汚染物捕集部材２２の表面に付着する。この作用により、搬送モジュール３０から放出された汚染物質を真空搬送室１６０内から除去することができる。汚染物捕集部材２２は、本例の汚染物除去部に相当する。

【0063】

ここで、図５Ａ～図７Ｂに示した排気流路１６１を利用した汚染物除去部と、図８に示した汚染物捕集部材２２を用いた汚染物除去部の構成は、必要に応じていずれか一方、またはその双方を選択して配置することができる。一方、図５Ａ、図５Ｂや図６に示す例では、加熱部（加熱用光源４１１、誘導コイル４２１）が真空搬送室１６０の天井部側に配置されている。この場合には、汚染物捕集部材２２は、例えば真空搬送室１６０の側壁部に配置してもよい。

【0064】

＜効果＞
本開示によるウエハ処理システム１０１によれば、以下の効果がある。磁気浮上を利用してウエハＷを搬送する搬送モジュール３０に対し、加熱部（加熱用光源４１１、誘導コイル４２１、冷媒供給部４３２と温調流体流路２１、または本体部３１内の抵抗発熱体３１３）により搬送モジュール３０の表面を加熱する。この加熱に伴う熱応力及び熱泳動の作用により、ウエハＷの表面に付着しているパーティクルを放出させることができる。また、ウエハＷの表面に付着している化学物質についても、本体部３１の加熱に伴う昇華、または分解により、ウエハＷの表面から放出させることができる。このように、表面に付着している汚染物質を放出させることにより、搬送モジュール３０を清浄化することができる。

【0065】

＜ウエハ処理システム１０１ａ＞
次いで、クリーニング領域２０を設ける領域、及び搬送モジュール３０ａの加熱を実施するタイミングのバリエーションについて、図９に示すウエハ処理システム１０１ａの例を参照しながら説明する。なお、以下に説明する図９～図１２において、図１～図８を用いて説明したウエハ処理システム１０１、搬送モジュール３０と共通の構成には、これらの図に付したものと共通の符号を付してある。

【0066】

図９に示すウエハ処理システム１０１ａは、真空搬送室１６０と大気搬送室１４０との間でウエハＷの搬入出を行うために、圧力の切り替えを行うロードロック室１３０内にクリーニング領域２０が設けられている。この点、真空搬送室１６０内にて搬送モジュール３０の加熱を行う図１、図３に示すウエハ処理システム１０１とは構成が異なる。

【0067】

また、ウエハ処理システム１０１ａにおいて、ウエハ処理室１１０、ロードロック室１３０及び大気搬送室１４０には、真空搬送室１６０とほぼ同じ高さ位置に床面部が設けられている。そして、これらの床面部にも移動面側コイル１１を備えたタイル１０が設けられている。従って搬送モジュール３０ａは、これらウエハ処理室１１０、ロードロック室１３０及び大気搬送室１４０内を磁気浮上により移動することができる。この点、ウエハ処理室１１０やロードロック室１３０内にアーム部３２を挿入してウエハＷの受け渡しを行う図１、図３に示すウエハ処理システム１０１とは構成が異なっている。

【0068】

さらに本例の大気搬送室１４０ａは、床面部に昇降ピン１４３が設けられており、当該昇降ピン１４３を介してウエハ搬送機構１４２との間でのウエハＷの受け渡しが行われる。大気搬送室１４０ａは、本例の「他の基板搬送室」に相当する。

【0069】

＜ロードロック室１３０内における加熱１＞
本例のウエハ処理システム１０１においては、ロードロック室１３０やウエハ処理室１１０内に進入しやすいように、アーム部３２を備えないタイプの搬送モジュール３０ａを用いてウエハＷの搬送を行う。図１０に示すように、搬送モジュール３０ａは、本体部３１の上面に直接、ウエハＷを保持する構成となっている。即ち、搬送モジュール３０ａの本体部３１は、ウエハＷが載置され、保持される基板保持部であるステージ３４となっている。例えばステージ３４は、扁平な角板状に形成される。

【0070】

搬送モジュール３０ａは、ウエハ処理室１１０や大気搬送室１４０内に進入し、昇降ピン１１３、１４３との間でウエハＷの受け渡しを行う。搬送モジュール３０ａには、昇降ピン１１３、１４３との干渉を避けつつウエハＷの受け渡しを行うためのスリット３４１が形成されている。スリット３４１は、昇降ピン１１３、１４３に保持されたウエハＷの下方位置にステージ３４を進入、退出させるにあたり、昇降ピン１１３、１４３が通過する軌道に沿って形成されている。またスリット３４１は、ウエハＷの下方位置への進入方向を１８０°反転させることも可能なように形成されている。これにより、搬送モジュール３０ａと昇降ピン１１３、１４３とが干渉せず、搬送モジュール３０ａとウエハＷとの中心が揃うように上下に配置することができる。

【0071】

上述の構成を備えた大気搬送室１４０においては、ロードロック室１３０を介して搬送モジュール３０ａが大気搬送室１４０ａ内に移動し、処理前のウエハＷを昇降ピン１４３から受け取り、処理後のウエハＷを昇降ピン１４３に受け渡す。一方、既述のように大気搬送室１４０ａ内には清浄空気のダウンフローが形成されているが、真空雰囲気である真空搬送室１６０内と比較すると、相対的に多くのパーティクルが存在する。また、大気搬送室１４０ａにおいては、搬送モジュール３０ａに水分が吸着しやすい。さらに、ウエハ処理室１１０内での処理に伴ってウエハＷに付着した化学物質が大気搬送室１４０ａ内に持ち出され、大気中の水分や搬送モジュール３０ａに吸着した水分と反応してパーティクルや腐食性の化学物質を生成する場合もある。

【0072】

このように、清浄度が異なる大気搬送室１４０ａと真空搬送室１６０との間を搬送モジュール３０ａが移動する場合には、搬送モジュール３０ａの移動に伴って、真空搬送室１６０やウエハ処理室１１０内に汚染物質や水分が持ち込まれてしまうおそれが生じる。そこで、搬送モジュール３０ａが大気搬送室１４０ａから真空搬送室１６０へと移動するタイミングにて、ロードロック室１３０内で搬送モジュール３０ａの加熱を行うことにより、汚染物質を放出させる。このとき、搬送モジュール３０ａは、ウエハＷの搬送を行っていない状態であることが好ましい。搬送モジュール３０ａの加熱により、表面が清浄化された後の搬送モジュール３０ａを真空搬送室１６０やウエハ処理室１１０内に進入させることができる。

【0073】

＜ロードロック室１３０内における加熱２＞
次いで図１１に示すウエハ処理システム１０１ｂは、互いに真空度が異なる真空搬送室１６０、１６０ａを、ロードロック室１３０を介して接続し、当該ロードロック室１３０にクリーニング領域２０を設けた例である。例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition)）による成膜を行うウエハ処理室１１０ａと、ＣＶＤによる成膜を行うウエハ処理室１１０とを比較するとPVD成膜の方がより高い真空度が必要となる。また例えば、ＣＶＤ成膜の後、ＰＶＤ成膜を連続して実施する場合もある。そこで図１１に示すウエハ処理システム１０１ｂでは、ＣＶＤ用のウエハ処理室１１０が接続された第１の真空搬送室１６０と、ＰＶＤ用のウエハ処理室１１０ａが接続された第２の真空搬送室１６０ａとを、ロードロック室１３０を介して繋げることにより、ＣＶＤとＰＶＤによる連続成膜を可能としている。

【0074】

一方で、高い真空度が要請されるＰＶＤ成膜が接続された第２の真空搬送室１６０ａ内においては、第１の真空搬送室１６０内よりも高い清浄度が求められることがある。そこで、本例のウエハ処理システム１０１ｂは、第１、第２の真空搬送室１６０、１６０ａの間に配置されたロードロック室１３０にクリーニング領域２０を設けている。この構成により、搬送モジュール３０ａが第１の真空搬送室１６０から第２の真空搬送室１６０ａへと移動するタイミングにて、ロードロック室１３０内で搬送モジュール３０ａを加熱し、汚染物質を放出させることができる。このとき、搬送モジュール３０ａは、ウエハＷの搬送を行っていない状態であることが好ましい。搬送モジュール３０ａの加熱により、表面が清浄化された後の搬送モジュール３０ａを第２の真空搬送室１６０ａや、ＰＶＤ成膜が行われるウエハ処理室１１０ａ内に進入させることができる。

【0075】

第１の真空搬送室１６０と第２の真空搬送室１６０ａとは、開口部に接続されるウエハ処理室１１０、１１０ａが相違する点を除いて、ほぼ同様に構成される。また、第１、第２の真空搬送室１６０、１６０ａに接続されたウエハ処理室１１０、１１０ａにて実施されるウエハＷの処理の種類は、ＰＶＤ成膜とＣＶＤ成膜との組み合わせに限定されない。例えば、真空度の高い第２の真空搬送室１６０ａに接続されたウエハ処理室１１０ａにてエッチング処理を行った後、真空度の低い第１の真空搬送室１６０に接続されたウエハ処理室１１０にてＣＶＤ成膜を行ってもよい。

【0076】

なお、図１１においては第１の真空搬送室１６０と大気搬送室１４０ａとの間に設けられているロードロック室１３０の図示を省略している。この点、当該ロードロック室１３０に対しても図９に示すウエハ処理システム１０１ａと同様にクリーニング領域２０を設け、搬送モジュール３０ａの加熱を行う構成としてもよい。
また、図１１において、第１の真空搬送室１６０に替えて、大気雰囲気の搬送室にウエハ処理室１１０を接続した構成としてもよい。この場合には、当該大気雰囲気の搬送室に対し、クリーニング領域２０が設けられたロードロック室１３０を介して、第２の真空搬送室１６０ａが接続される。

【0077】

図９、図１１の各例に係るウエハ処理システム１０１ａ、１０１ｂにおいて、クリーニング領域２０に設ける加熱部は、図５Ａ～図８を用いて説明した加熱用光源４１１、誘導コイル４２１、冷媒供給部４３２と温調流体流路２１、または本体部３１内の抵抗発熱体３１３のいずれであってもよい。またロードロック室１３０の床面部には、搬送モジュール３０ａの冷却部（冷媒供給部４３２及び温調流体流路２１など）を設けてもよい。さらに汚染物除去部として、ロードロック室１３０内の排気を行う排気部や、汚染物捕集部材２２を設けてもよい。排気部により汚染物除去部を構成する場合には、ロードロック室１３０内を真空雰囲気にするための真空排気路を用いることができる。

【0078】

そして、図９、図１１の各例に係るウエハ処理システム１０１ａ、１０１ｂにおいても、図２に示すアーム部３２を備えたタイプの搬送モジュール３０を用いてウエハＷの搬送を行ってもよい。この場合には、クリーニング領域２０を設けたロードロック室１３０は、アーム部３２を備えた搬送モジュール３０全体を収容することが可能な大きさに構成される。

【0079】

また、搬送モジュール３０、３０ａの加熱は、図１、図４に示す真空搬送室１６０内や、図９、図１１に示すロードロック室１３０内で実施する場合に限定されない。例えば真空搬送室１６０の後端部に、シャッターにより開閉可能な開口部を介し、搬送モジュール３０、３０ａの加熱を行う専用の処理室を接続し、当該処理室内にクリーニング領域２０を設定してもよい。

【0080】

＜移動制御補正＞
以上に説明したように、上述の各ウエハ処理システム１０１、１０１ａ、１０１ｂにおいては、加熱部（加熱用光源４１１、誘導コイル４２１、冷媒供給部４３２と温調流体流路２１、または本体部３１内の抵抗発熱体３１３）を用い、搬送モジュール３０、３０ａの加熱を行うことにより表面の汚染物質を放出させる。一方で、搬送モジュール３０、３０ａ内に設けられているモジュール側磁石３３は、加熱すると熱減磁により磁力が低下することが知られている。

【0081】

例えば図１２に示は、制御部５に設けられた移動制御部５０１の機能を用いて搬送モジュール３０、３０ａの移動制御を行う例を示してある。移動制御部５０１は、電力供給部５３から電力が供給される移動面側コイル１１の選択や、移動面側コイル１１に供給される電力の大きさを調節することにより、目的位置まで搬送モジュール３０、３０ａを移動させる。

【0082】

このとき、搬送モジュール３０、３０ａ内のモジュール側磁石３３の磁力が低下すると、移動面側コイル１１とモジュール側磁石３３との間に働く反発力が低下してしまう。この結果、例えばレシピに基づいて予め設定された順番で移動面側コイル１１を選択し、これらの移動面側コイル１１に、予め設定された大きさの電力を供給して移動制御を行っても、搬送モジュール３０、３０ａが目的位置に到達できないおそれが生じる。

【0083】

そこで、図１２に示すウエハ処理システム１０１ｃは、真空搬送室１６０内における搬送モジュール３０、３０ａの実際の位置を特定する位置検出部５２を備えている。真空搬送室１６０内には搬送モジュール３０、３０ａの位置を検出するセンサが設けられており、位置検出部５２は、このセンサから取得した情報に基づき、搬送モジュール３０、３０ａの位置を特定する。

【0084】

位置検出用のセンサとしては、タイル１０内の予め設定された位置に設けられた複数のホールセンサや、レーザー変位計、搬送モジュール３０、３０ａの位置を撮像するカメラを例示することができる。図１２には、タイル１０に複数のホールセンサ５１を設けた例を記載してある。

【0085】

制御部５は、ずれ量検出部５０３の機能を備え、位置検出部５２により検出された実際の搬送モジュール３０、３０ａの位置と、モジュール側磁石３３の熱減磁が発生していない場合に到達する目的位置のとの位置ずれ量を検出する。この位置ずれ量は、モジュール側磁石３３の磁力の熱減磁に伴って生じていると言えるので、制御部５に設けられた補正部５０２の機能を用い、当該位置ずれ量を相殺するように移動制御部５０１を用いて制御される移動面側コイル１１とモジュール側磁石３３との間の反発力を補正する。

【0086】

補正部５０２による反発力の補正は、線形補正を用いる場合を例示できる。例えば、搬送モジュール３０、３０ａの浮上高さ（図１に示すＺ方向の位置）を検出した結果、熱減磁により目標の８割まで浮上高さが低下していたとする。この場合には、補正部５０２は、電力供給部５３から移動面側コイル１１に供給する電力を１．２５倍に増加させるように、移動制御部５０１から出力される制御値の補正を行う。
また、熱源時の影響が大きくなり、補正を行っても位置ずれ量の低減が困難となった場合には、ウエハ処理システム１０１、１０１ａ～１０１ｃにてエラーを発報してもよい。エラーの発報を受けて、搬送モジュール３０、３０ａを取り出し、外部でモジュール側磁石３３の着磁作業を行うことにより、もとの磁力を取り戻すことができる。

【0087】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0088】

Ｗ ウエハ
１０ タイル
１１ 移動面側コイル
１０１、１０１ａ、１０１ｂ
ウエハ処理システム
１１０、１１０ａ
ウエハ処理室
１６０ 真空搬送室
２０ クリーニング領域
３０、３０ａ
搬送モジュール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】