特開 2023-70364 基板処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023070364

(43)【公開日】2023-05-19

(54)【発明の名称】基板処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20230512BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021182487

(22)【出願日】2021-11-09

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】喜多川 大

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA01

5F131BA19

5F131CA39

5F131DB03

5F131DB52

5F131DB62

5F131DB72

5F131DB76

5F131DB87

5F131EA03

5F131GA14

5F131GB13

5F131HA09

5F131HA12

5F131HA35

5F131JA09

5F131JA12

(57)【要約】

【課題】基板処理システムの設置面積を削減する。
【解決手段】基板処理システムは、１つまたは複数のプロセスモジュールと、真空搬送モジュールとを備える。少なくとも１つのプロセスモジュールと真空搬送モジュールとは、上面視で、プロセスモジュールの少なくとも一部と真空搬送モジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の処理を行う１つまたは複数のプロセスモジュールと、
前記プロセスモジュール内に前記基板を搬送可能な真空搬送モジュールと
を備え、
少なくとも１つの前記プロセスモジュールと前記真空搬送モジュールとは、
上面視で、前記プロセスモジュールの少なくとも一部と前記真空搬送モジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている基板処理システム。

【請求項2】

前記真空搬送モジュールは、少なくとも１つの前記プロセスモジュールの上または下に配置されている請求項１に記載の基板処理システム。

【請求項3】

前記真空搬送モジュールに接続されたロードロックモジュールをさらに備える請求項１または２に記載の基板処理システム。

【請求項4】

少なくとも１つの前記プロセスモジュールと前記ロードロックモジュールとは、
上面視で、前記プロセスモジュールの少なくとも一部と前記ロードロックモジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている請求項３に記載の基板処理システム。

【請求項5】

前記真空搬送モジュールの少なくとも一部は、
少なくとも１つの前記プロセスモジュールと前記ロードロックモジュールとの間に配置されており、
少なくとも１つの前記プロセスモジュールと前記真空搬送モジュールと前記ロードロックモジュールとは、
上面視で、前記プロセスモジュールの少なくとも一部と前記真空搬送モジュールの少なくとも一部と前記ロードロックモジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている請求項３または４に記載の基板処理システム。

【請求項6】

前記ロードロックモジュールは、前記真空搬送モジュールの上または下に配置されている請求項３から５のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項7】

前記ロードロックモジュールに接続された大気搬送モジュールをさらに備える請求項３から６のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項8】

前記大気搬送モジュールは、
上面視で、前記大気搬送モジュールの少なくとも一部と前記真空搬送モジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている請求項７に記載の基板処理システム。

【請求項9】

前記大気搬送モジュールは、前記真空搬送モジュールの上または下に配置されている請求項７または８に記載の基板処理システム。

【請求項10】

前記大気搬送モジュールに接続された１または複数のロードポートをさらに備える請求項７から９のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項11】

少なくとも１つの前記ロードポートは、
上面視で、前記ロードポートの少なくとも一部と前記ロードロックモジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている請求項１０に記載の基板処理システム。

【請求項12】

複数の前記プロセスモジュールは、鉛直方向に重ねて配置されている請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【請求項13】

前記真空搬送モジュール内に設けられ、前記真空搬送モジュールと前記プロセスモジュールとの間で前記基板を搬送する搬送ロボットを備え、
前記搬送ロボットは、
前記基板が載せられる載置部と、
前記載置部を鉛直方向に移動させるアーム部と
を有し、
前記アーム部は、
軸が鉛直方向となるように配置された第１の筒体と、
前記第１の筒体内に収容可能であり、前記第１の筒体と同軸となるように配置された第２の筒体と
を含み、
前記アーム部は、
前記第１の筒体に対して前記第２の筒体を摺動させることにより、前記第１の筒体の軸に沿って伸縮し、前記載置部を鉛直方向に移動させる請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の種々の側面および実施形態は、基板処理システムに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、「各処理ツール２００は、ロードロック２０８の少なくとも一部を収容するように構成された改良装置フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）２０４を備える」なる記載がある。また、特許文献１には、「ロードロック２０８は、ＥＦＥＭ２０４と真空搬送モジュール（ＶＴＭ）２１２との間の隙間でＥＦＥＭ２０４の外側に位置するのではなく、ＥＦＥＭ２０４の内部に延びる」なる記載がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－５１０３１０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる基板処理システムを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一側面は、基板処理システムであって、１つまたは複数のプロセスモジュールと、真空搬送モジュールとを備える。少なくとも１つのプロセスモジュールと真空搬送モジュールとは、上面視で、プロセスモジュールの少なくとも一部と真空搬送モジュールの少なくとも一部とが重なるように配置されている。

【発明の効果】

【0006】

本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板処理システムの設置面積を削減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態における基板処理システムの一例を示す平面図である。

【図2】図２は、図１の矢印Ｃの方向から見た基板処理システムの一例を示す側面図である。

【図3】図３は、図１の矢印Ｄの方向から見た基板処理システムの一例を示す側面図である。

【図4】図４は、図１の矢印Ｅの方向から見た基板処理システムの一例を示す側面図である。

【図5】図５は、図１に示された基板処理システムの裏面の一例を示す図である。

【図6】図６は、図１および図５に例示された基板処理システムのＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。

【図7】図７は、図１および図５に例示された基板処理システムのＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。

【図8】図８は、ＰＭの一例を示す概略断面図である。

【図9】図９は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図10】図１０は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図11】図１１は、基板の受け渡しの過程の一例を示す図である。

【図12】図１２は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図13】図１３は、基板の受け渡しの過程の一例を示す図である。

【図14】図１４は、載置部とアーム部との位置関係の一例を示す図である。

【図15】図１５は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図16】図１６は、基板の受け渡しの過程の一例を示す図である。

【図17】図１７は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図18】図１８は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図19】図１９は、基板の受け渡しの過程の一例を示す図である。

【図20】図２０は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図21】図２１は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図22】図２２は、基板の搬送過程の一例を示す図である。

【図23】図２３は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【図24】図２４は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【図25】図２５は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【図26】図２６は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【図27】図２７は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【図28】図２８は、基板処理システムの他の例を示す概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、基板処理システムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板処理システムが限定されるものではない。

【0009】

ところで、単位時間あたりに処理可能な基板の数を増やすためには、基板に対する処理を行う処理モジュールを増やすことが考えられる。処理モジュールが増えると、複数の処理モジュール、真空搬送モジュール、ロードロックモジュール、および大気搬送モジュール等を含む基板処理システムが大型化する。基板処理システムが大型化すると、クリーンルーム等の設備内での基板処理システムの設置面積（フットプリント）が大きくなり、複数の基板処理システムを配置することが難しくなる。そのため、基板処理システムの設置面積の削減が求められている。

【0010】

そこで、本開示は、基板処理システムの設置面積を削減することができる技術を提供する。

【0011】

［基板処理システム１０の構成］
図１は、一実施形態における基板処理システム１０の一例を示す平面図である。図２は、図１の矢印Ｃの方向から見た基板処理システム１０の一例を示す側面図である。図３は、図１の矢印Ｄの方向から見た基板処理システム１０の一例を示す側面図である。図４は、図１の矢印Ｅの方向から見た基板処理システム１０の一例を示す側面図である。図５は、図１に示された基板処理システム１０の裏面の一例を示す図である。図１では、基板処理システム１０と共に、基板処理システム１０全体を制御する制御装置１２が例示されている。

【0012】

基板処理システム１０は、ＶＴＭ（Vacuum transfer module）２０と、複数のＰＭ（Process Module）３０と、ＬＬＭ（Load Lock Module）４０と、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）５０と、複数のＬＰ（load Port）６０とを備える。

【0013】

ＶＴＭ２０は、真空雰囲気において基板Ｗを搬送するように構成されている。なお、本明細書における「真空」は、大気圧よりも低い圧力を意味している。ＶＴＭ２０は、真空雰囲気において、ＰＭ３０とＬＬＭ４０との間、または、複数のＰＭ３０間で基板Ｗを搬送するように構成されている。本実施形態において、少なくとも１つのＰＭ３０とＶＴＭ２０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＶＴＭ２０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。本実施形態において、上面視とは、上面を鉛直方向から見ることである。図１～図５の例では、上面視で、ＶＴＭ２０は、少なくとも１つのＰＭ３０の上に配置されている。なお、図１～図５の例では、基板処理システム１０は、１台のＶＴＭ２０を備えるが、開示の技術はこれに限られず、基板処理システム１０が備えるＶＴＭ２０の台数は、１台より多くてもよい。

【0014】

それぞれのＰＭ３０は、基板Ｗに対して、エッチングや成膜等の処理（例えばプラズマ処理等）を実行する。それぞれのＰＭ３０は、製造工程の中で同一の工程を実行してもよく、異なる工程を実行してもよい。図１～図５の例では、基板処理システム１０は、８台のＶＴＭ２０を備えるが、開示の技術はこれに限られず、基板処理システム１０が備えるＰＭ３０の台数は、８台より少なくてもよく、８台より多くてもよい。

【0015】

なお、図１～図５に示された例において、上面視におけるそれぞれのＰＭ３０の形状は、正方形であるが、開示の技術はこれに限られない。上面視におけるそれぞれのＰＭ３０の形状は、例えば、多角形（三角形、四角形（長方形、ひし形、台形等）、五角形、六角形、八角形を含む）、円形、または楕円形等であってもよい。

【0016】

ＬＬＭ４０は、内部の圧力を真空雰囲気および大気圧雰囲気に切り替えることができる。ＬＬＭ４０と少なくとも１つのＰＭ３０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。また、本実施形態において、ＶＴＭ２０の少なくとも一部は、少なくとも１つのＰＭ３０とＬＬＭ４０との間に配置されている。また、本実施形態において、ＶＴＭ２０、少なくとも１つのＰＭ３０、およびＬＬＭ４０は、上面視で、ＶＴＭ２０の少なくとも一部と、ＰＭ３０の少なくとも一部と、ＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。図１～図５の例では、ＬＬＭ４０は、ＶＴＭ２０の上に配置されている。なお、図１～図５の例では、基板処理システム１０は、１台のＬＬＭ４０を備えるが、開示の技術はこれに限られず、基板処理システム１０が備えるＬＬＭ４０の台数は、１台より多くてもよい。

【0017】

ＥＦＥＭ５０は、大気圧雰囲気において基板Ｗを搬送するように構成されている。ＥＦＥＭ５０は、大気搬送モジュールの一例である。ＥＦＥＭ５０の側壁には、複数のＬＰ６０が設けられている。それぞれのＬＰ６０に対応するＥＦＥＭ５０の側壁には、例えば図４に示されるように、ゲートバルブ５１が設けられている。ＥＦＥＭ５０は、大気圧雰囲気において、それぞれのＬＰ６０に設置されたＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）とＬＬＭ４０との間で基板Ｗを搬送するように構成されている。図１～図５の例では、基板処理システム１０は、１台のＥＦＥＭ５０を備えるが、開示の技術はこれに限られず、基板処理システム１０が備えるＥＦＥＭ５０の台数は、１台より多くてもよい。また、図１～図５の例では、基板処理システム１０は、３台のＬＰ６０を備えるが、開示の技術はこれに限られず、基板処理システム１０が備えるＬＰ６０の台数は、３台より少なくてもよく、３台より多くてもよい。

【0018】

なお、基板処理システム１０には、基板Ｗの位置および向きを調整するアラインメントモジュールが設けられてもよい。アラインメントモジュールが設けられる装置は特に限定されないが、アラインメントモジュールは、例えばＶＴＭ２０内、ＥＦＥＭ５０内、またはＬＬＭ４０内に設けられてもよい。

【0019】

制御装置１２は、本開示において述べられる種々の工程を基板処理システム１０に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置１２は、ここで述べられる種々の工程を実行するように基板処理システム１０の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置１２の一部または全てが基板処理システム１０に含まれてもよい。制御装置１２は、例えば、処理部１２ａ１、記憶部１２ａ２、および通信インターフェイス１２ａ３を含むコンピュータ１２ａにより実現される。処理部１２ａ１は、記憶部１２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部１２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部１２ａ２に格納され、処理部１２ａ１によって記憶部１２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ１２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェイス１２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部１２ａ１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）であってもよい。記憶部１２ａ２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェイス１２ａ３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介して基板処理システム１０との間で通信してもよい。

【0020】

図６は、図１および図５に例示された基板処理システム１０のＡ－Ａ断面の一例を示す概略断面図である。図７は、図１および図５に例示された基板処理システム１０のＢ－Ｂ断面の一例を示す概略断面図である。

【0021】

ＥＦＥＭ５０内には、搬送ロボット５２が設けられている。搬送ロボット５２は、ＬＰ６０に設置されたＦＯＵＰとＬＬＭ４０との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボット５２は、ＥＦＥＭ５０内において、例えば図１の矢印Ｃに沿う方向に移動可能である。搬送ロボット５２は、基板Ｗが載せられる載置部５２０と、載置部５２０を移動させるアーム部５２１とを有する。アーム部５２１は、筒体５２１ａおよび筒体５２１ｂを有する。筒体５２１ａは、軸が鉛直方向となるようにＥＦＥＭ５０内に配置されている。筒体５２１ｂは、筒体５２１ａ内に収容可能であり、筒体５２１ａと同軸となるようにＥＦＥＭ５０内に配置されている。アーム部５２１は、筒体５２１ａに対して筒体５２１ｂを摺動させることにより、筒体５２１ａの軸に沿って鉛直方向に伸縮し、載置部５２０を鉛直方向に移動させる。これにより、搬送ロボット５２の設置面積を小さくすることができる。

【0022】

ＥＦＥＭ５０とＬＬＭ４０との間には、ゲートバルブ４２が設けられている。また、ＬＬＭ４０とＶＴＭ２０との間には、ゲートバルブ４３が設けられている。ＬＬＭ４０内には、搬送ロボット４１が設けられている。搬送ロボット４１は、基板Ｗが載せられる載置部４１０を有する。

【0023】

ＶＴＭ２０内において、ＰＭ３０の上方には搬送ロボット２１が設けられている。搬送ロボット２１は、基板Ｗが載せられる載置部２１０を有する。また、隣り合うＰＭ３０に挟まれたＶＴＭ２０の部分には、搬送ロボット２２および搬送ロボット２３が配置されている。搬送ロボット２２は、基板Ｗが載せられる載置部２２０を有する。搬送ロボット２３は、基板Ｗが載せられる載置部２３０を有する。ＶＴＭ２０とＰＭ３０との間には、例えば図７に示されるようにゲートバルブ３１が設けられている。

【0024】

［ＰＭ３０の構成］
図８は、ＰＭ３０の一例を示す概略断面図である。本実施形態において、ＰＭ３０は、例えば容量結合型のプラズマ処理装置である。ＰＭ３０は、プラズマ処理チャンバ３１０、ガス供給部３２０、電源３３０、および排気システム３４０を含む。また、ＰＭ３０は、基板支持部３１１およびガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ３１０内に導入するように構成されている。ガス導入部は、シャワーヘッド３１３を含む。基板支持部３１１は、プラズマ処理チャンバ３１０内に配置されている。シャワーヘッド３１３は、基板支持部３１１の上方に配置されている。一実施形態において、シャワーヘッド３１３は、プラズマ処理チャンバ３１０の天部（Ceiling）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ３１０は、シャワーヘッド３１３、プラズマ処理チャンバ３１０の側壁３１０ａ、および基板支持部３１１により規定されたプラズマ処理空間３１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ３１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間３１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間３１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ３１０は接地されている。シャワーヘッド３１３および基板支持部３１１は、プラズマ処理チャンバ３１０の筐体とは電気的に絶縁されている。プラズマ処理チャンバ３１０の側壁３１０ａには、基板Ｗの搬入および搬出を行うための開口部３２が形成されている。開口部３２は、ゲートバルブ３１によって開閉される。

【0025】

基板支持部３１１は、本体部３１１１およびリングアセンブリ３１１２を含む。本体部３１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域３１１１ａと、リングアセンブリ３１１２を支持するための環状領域３１１１ｂとを有する。ウェハは、基板Ｗの一例である。本体部３１１１の環状領域３１１１ｂは、平面視で本体部３１１１の中央領域３１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部３１１１の中央領域３１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ３１１２は、本体部３１１１の中央領域３１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部３１１１の環状領域３１１１ｂ上に配置されている。中央領域３１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域３１１１ｂは、リングアセンブリ３１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0026】

一実施形態において、本体部３１１１は、基台３１１１０および静電チャック３１１１１を含む。基台３１１１０は、導電性部材を含む。基台３１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック３１１１１は、基台３１１１０の上に配置されている。静電チャック３１１１１は、セラミック部材３１１１１ａとセラミック部材３１１１１ａ内に配置される静電電極３１１１１ｂとを含む。セラミック部材３１１１１ａは、中央領域３１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材３１１１１ａは、環状領域３１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック３１１１１を囲む他の部材が環状領域３１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ３１１２は、環状静電チャックまたは環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック３１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Radio Frequency）電源３３１および／またはＤＣ（Direct Current）電源３３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材３１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号および／またはＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台３１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極３１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。基板支持部３１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0027】

リングアセンブリ３１１２は、１または複数の環状部材を含む。一実施形態において、１または複数の環状部材は、１または複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料または絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0028】

また、基板支持部３１１は、静電チャック３１１１１、リングアセンブリ３１１２、および基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路３１１１０ａ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。流路３１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路３１１１０ａが基台３１１１０内に形成され、１または複数のヒータが静電チャック３１１１１のセラミック部材３１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部３１１は、基板Ｗの裏面と中央領域３１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0029】

シャワーヘッド３１３は、ガス供給部３２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間３１０ｓ内に導入するように構成されている。シャワーヘッド３１３は、少なくとも１つのガス供給口３１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室３１３ｂ、および複数のガス導入口３１３ｃを有する。ガス供給口３１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室３１３ｂを通過して複数のガス導入口３１３ｃからプラズマ処理空間３１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド３１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド３１３に加えて、側壁３１０ａに形成された１または複数の開口部に取り付けられる１または複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Side Gas Injector）を含んでもよい。

【0030】

ガス供給部３２０は、少なくとも１つのガスソース３２１および少なくとも１つの流量制御器３２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部３２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース３２１からそれぞれに対応の流量制御器３２２を介してシャワーヘッド３１３に供給するように構成されている。各流量制御器３２２は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部３２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調またはパルス化する１またはそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0031】

電源３３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ３１０に結合されるＲＦ電源３３１を含む。ＲＦ電源３３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間３１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３３１は、プラズマ処理チャンバ３１０において１またはそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0032】

一実施形態において、ＲＦ電源３３１は、第１のＲＦ生成部３３１ａおよび第２のＲＦ生成部３３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0033】

第２のＲＦ生成部３３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであってもよく、異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１または複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号およびバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0034】

また、電源３３０は、プラズマ処理チャンバ３１０に結合されるＤＣ電源３３２を含んでもよい。ＤＣ電源３３２は、第１のＤＣ生成部３３２ａおよび第２のＤＣ生成部３３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0035】

種々の実施形態において、第１および第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極および／または少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形、またはこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３３２ａおよび波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３３２ｂおよび波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１または複数の正極性電圧パルスと１または複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１のＤＣ生成部３３２ａおよび第２のＤＣ生成部３３２ｂは、ＲＦ電源３３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３３２ａが第２のＲＦ生成部３３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0036】

排気システム３４０は、例えばプラズマ処理チャンバ３１０の底部に設けられたガス排出口３１０ｅに接続され得る。排気システム３４０は、圧力調整弁および真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間３１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ、またはこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0037】

［基板Ｗの搬送手順］
以下、図９～図２２を参照しながら、基板処理システム１０における基板Ｗの搬送手順の一例について説明する。

【0038】

まず、基板Ｗを収容したＦＯＵＰ６１がＬＰ６０に設置され、ゲートバルブ５１が開かれる。そして、搬送ロボット５２の載置部５２０がＦＯＵＰ６１内に挿入され、基板Ｗが載置部５２０上に載せられる。そして、例えば図９に示されるように、基板ＷがＦＯＵＰ６１から搬出される。

【0039】

次に、例えば図１０に示されるように、載置部５２０に載せられた基板Ｗの高さがゲートバルブ４２の位置となるように、アーム部５２１が伸長する。そして、ＬＬＭ４０内が大気圧雰囲気の状態でゲートバルブ４２が開けられる。そして、例えば図１０に示されるように、基板Ｗが載せられた載置部５２０がＬＬＭ４０内に挿入され、基板Ｗが、搬送ロボット５２の載置部５２０から搬送ロボット４１の載置部４１０に受け渡される。

【0040】

ここで、基板Ｗの受け渡しが行われる際、搬送ロボット４１の載置部４１０と、搬送ロボット５２の載置部５２０とは、例えば図１１に示されるような位置関係となる。図１１は、基板Ｗの受け渡しの過程の一例を示す図である。これにより、搬送ロボット４１の載置部４１０と、搬送ロボット５２の載置部５２０とは、互いに干渉することなく基板Ｗを受け渡すことができる。

【0041】

次に、例えば図１２に示されるように、搬送ロボット５２の載置部５２０がＬＬＭ４０内から退避し、ゲートバルブ４２が閉じられる。そして、ＬＬＭ４０内の圧力が、大気圧雰囲気から真空雰囲気まで下げられる。そして、基板Ｗが載せられた載置部４１０がゲートバルブ４３の上方に移動し、ゲートバルブ４３が開けられる。そして、例えば図１２に示されるように、ゲートバルブ４３の下方に配置された搬送ロボット２２が延伸し、搬送ロボット２２の載置部２２０がＬＬＭ４０内に挿入される。そして、搬送ロボット２２の載置部２２０によって、搬送ロボット４１の載置部４１０の載せられた基板Ｗが持ち上げられ、搬送ロボット４１の載置部４１０がゲートバルブ４３の上方から退避する。これにより、基板Ｗが搬送ロボット４１の載置部４１０から搬送ロボット２２の載置部２２０に受け渡される。

【0042】

本実施形態において、搬送ロボット２２は、基板Ｗが載せられる載置部２２０と、載置部２２０を鉛直方向に移動させるアーム部２２１とを有する。アーム部２２１は、筒体２２１ａおよび筒体２２１ｂを有する。筒体２２１ａは、軸が鉛直方向となるようにＶＴＭ２０内に配置されている。筒体２２１ｂは、筒体２２１ａ内に収容可能であり、筒体２２１ａと同軸となるようにＶＴＭ２０内に配置されている。アーム部２２１は、筒体２２１ａに対して筒体２２１ｂを摺動させることにより、筒体２２１ａの軸に沿って鉛直方向に伸縮し、載置部２２０を鉛直方向に移動させる。これにより、搬送ロボット２２の設置面積を小さくすることができる。筒体２２１ａは第１の筒体の一例であり、筒体２２１ｂは第２の筒体の一例である。

【0043】

ここで、基板Ｗの受け渡しが行われる際、搬送ロボット４１の載置部４１０と、搬送ロボット２２の載置部２２０とは、例えば図１３に示されるような位置関係となる。図１３は、基板Ｗの受け渡しの過程の一例を示す図である。これにより、搬送ロボット４１の載置部４１０と、搬送ロボット２２の載置部２２０とは、互いに干渉することなく基板Ｗを受け渡すことができる。なお、搬送ロボット４１の載置部４１０から搬送ロボット２２の載置部２２０に基板Ｗが受け渡される際、アーム部２２１の筒体２２１ａは、例えば図１４に示されるように、搬送ロボット２３の載置部２３０の間を通過する。そのため、アーム部２２１の筒体２２１ａと、搬送ロボット２３の載置部２３０とは干渉しない。

【0044】

次に、搬送ロボット２２のアーム部２２１が収縮し、例えば図１５に示されるように、基板Ｗが搬送ロボット２２の載置部２２０から搬送ロボット２３の載置部２３０に受け渡される。この際の搬送ロボット２２の載置部２２０と搬送ロボット２３の載置部２３０との位置関係は、例えば図１６のようになる。これにより、搬送ロボット２２の載置部２２０と搬送ロボット２３の載置部２３０とは、互いに干渉することなく基板Ｗを受け渡すことができる。そして、ＰＭ３０のゲートバルブ３１が開けられ、例えば図１７に示されるように、基板Ｗが載せられた載置部２３０がＰＭ３０内に挿入され、基板ＷがＰＭ３０内に搬入される。

【0045】

ＰＭ３０から基板Ｗが搬出される場合は、ＰＭ３０内の基板Ｗが搬送ロボット２３の載置部２３０に載せられ、ＰＭ３０内から搬出される。そして、基板Ｗが搬送ロボット２３の載置部２３０から搬送ロボット２２の載置部２２０に受け渡され、ゲートバルブ４３が開けられる。そして、搬送ロボット２２のアーム部２２１が伸長し、基板Ｗが載せられた載置部２２０がＬＬＭ４０内に挿入される。そして、搬送ロボット４１の載置部４１０が搬送ロボット２２の載置部２２０の下に挿入される。そして、搬送ロボット２２のアーム部２２１が収縮することにより、基板Ｗが搬送ロボット２２の載置部２２０から搬送ロボット４１の載置部４１０に受け渡される。そして、ゲートバルブ４３が閉じられ、ＬＬＭ４０内の圧力が真空雰囲気から大気圧雰囲気まで上げられる。そして、ゲートバルブ４２が開けられ、搬送ロボット５２の載置部５２０がＬＬＭ４０内に挿入され、基板Ｗが搬送ロボット４１の載置部４１０から搬送ロボット５２の載置部５２０に受け渡される。そして、搬送ロボット５２のアーム部５２１が収縮し、基板Ｗが載せられた載置部５２０がＦＯＵＰ６１内に挿入され、基板ＷがＦＯＵＰ６１内に収容される。

【0046】

なお、他のＰＭ３０に基板Ｗが搬入される場合、搬送ロボット２２によってＬＬＭ４０内から搬出された基板Ｗは、例えば図１８に示されるように、搬送ロボット２１の載置部２１０に受け渡される。この際の搬送ロボット２２の載置部２２０と搬送ロボット２１の載置部２１０との位置関係は、例えば図１９のようになる。これにより、搬送ロボット２２の載置部２２０と搬送ロボット２１の載置部２１０とは、互いに干渉することなく基板Ｗを受け渡すことができる。

【0047】

次に、搬送ロボット２１は、基板Ｗを他のＰＭ３０の近傍に配置された搬送ロボット２２の上方に移動させる。そして、例えば図２０に示されるように、他のＰＭ３０の近傍に配置された搬送ロボット２２のアーム部２２１が伸長し、基板Ｗが搬送ロボット２２の２２０によって搬送ロボット２１の載置部２１０から持ち上げられる。これにより、基板Ｗが搬送ロボット２１の載置部２１０から搬送ロボット２２の載置部２２０に受け渡される。そして、搬送ロボット２１の載置部２１０が、搬送ロボット２２の載置部２２０の下方から退避する。

【0048】

次に、搬送ロボット２２のアーム部２２１が収縮し、例えば図２１に示されるように、基板Ｗが搬送ロボット２２の載置部２２０から搬送ロボット２３の載置部２３０に受け渡される。そして、ＰＭ３０のゲートバルブ３１が開けられ、例えば図２２に示されるように、基板Ｗが載せられた載置部２３０がＰＭ３０内に挿入され、基板ＷがＰＭ３０内に搬入される。

【0049】

以上、一実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における基板処理システム１０は、１つまたは複数のＰＭ３０と、ＶＴＭ２０とを備える。少なくとも１つのＰＭ３０とＶＴＭ２０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＶＴＭ２０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。これにより、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0050】

ここで、基板処理システム１０によってもたらされる経済的な価値は、例えばＷＰＰＳ（Wafer price per space）と言われる指標で評価することができる。ＷＰＰＳは、例えば下記の式（１）によって算出される。
ＷＰＰＳ＝（ＷＰＤ×稼働率×歩留まり）／設置面積×装置価格 ・・・（１）
上記式（１）において、ＷＰＤ（Wafer Per day）は、一日に処理可能な基板Ｗの枚数を表す。

【0051】

本実施形態では、上記式（１）に含まれる「設置面積」を削減することができるため、ＷＰＰＳの値を増加させることができ、基板処理システム１０の経済的な価値を高めることができる。

【0052】

また、上記した実施形態において、ＶＴＭ２０は、少なくとも１つのＰＭ３０の上に配置されている。これにより、基板処理システム１０を容易に構成することができる。

【0053】

また、上記した実施形態において、基板処理システム１０は、ＶＴＭ２０に接続されたＬＬＭ４０をさらに備える。また、少なくとも１つのＰＭ３０とＬＬＭ４０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。これにより、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0054】

また、上記した実施形態において、ＶＴＭ２０の少なくとも一部は、少なくとも１つのＰＭ３０とＬＬＭ４０との間に配置されている。また、少なくとも１つのＰＭ３０とＶＴＭ２０とＬＬＭ４０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＶＴＭ２０の少なくとも一部とＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。これにより、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0055】

また、上記した実施形態において、ＬＬＭ４０は、ＶＴＭ２０の上に配置されている。これにより、基板処理システム１０を容易に構成することができる。

【0056】

また、上記した実施形態において、基板処理システム１０は、ＶＴＭ２０内に設けられ、ＶＴＭ２０とＰＭ３０との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボット２２を備える。搬送ロボット２２は、基板Ｗが載せられる載置部２２０と、載置部２２０を鉛直方向に移動させるアーム部２２１とを有する。アーム部２２１は、軸が鉛直方向となるように配置された筒体２２１ａと、筒体２２１ａ内に収容可能であり、筒体２２１ａと同軸となるように配置された筒体２２１ｂと含む。アーム部２２１は、筒体２２１ａに対して筒体２２１ｂを摺動させることにより、筒体２２１ａの軸に沿って伸縮し、載置部２２０を鉛直方向に移動させる。これにより、搬送ロボット２２の設置面積を削減することができる。

【0057】

［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。

【0058】

例えば、上記した実施形態では、ＬＬＭ４０がＶＴＭ２０の上に配置されているが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、ＬＬＭ４０は、ＶＴＭ２０の横に配置されていてもよい。この場合であっても、少なくとも１つのＰＭ３０とＶＴＭ２０とは、上面視で、ＰＭ３０の少なくとも一部とＶＴＭ２０の少なくとも一部とが重なるように配置されている。そのため、ＶＴＭ２０、ＰＭ３０、ＬＬＭ４０、およびＥＦＥＭ５０の全てが横に並べて配置される場合に比べて、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0059】

また、ＬＬＭ４０がＶＴＭ２０の横に配置される場合であっても、例えば図２３に示されるように、ＰＭ３０の少なくとも一部とＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されることが好ましい。図２３は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。ＶＴＭ２０、ＰＭ３０、およびＬＬＭ４０をこのような配置にすることによっても、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0060】

また、上記した実施形態では、ＶＴＭ２０の一部がＰＭ３０の上に配置され、ＬＬＭ４０がＶＴＭ２０の上に配置されるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、例えば図２４に示されるように、ＬＬＭ４０の上にＶＴＭ２０が配置され、ＶＴＭ２０の一部の上にＰＭ３０が配置されてもよい。図２４は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。図２４の例では、ＶＴＭ２０内の搬送ロボット２２のアーム部２２１は、ＶＴＭ２０の上方から鉛直方向に伸縮することにより、載置部２２０を移動させる。このような形態の基板処理システム１０においても、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0061】

また、上記した実施形態では、複数のＰＭ３０が横に並べて配置されるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、複数のＰＭ３０は、例えば図２５に示されるように、上下に並べて配置されてもよい。図２５は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。図２５の例では、複数のＰＭ３０が上下に２つずつ隣接して配置されている。また、図２５の例では、搬送ロボット２３のアーム部２３１は鉛直方向に伸縮可能であり、上段のＰＭ３０への基板Ｗの搬入および搬出と、下段のＰＭ３０への基板Ｗの搬入および搬出とが可能である。これにより、多数のＰＭ３０を備える基板処理システム１０においても、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。なお、図２５の例では、鉛直方向に配置されるＰＭ３０の台数は２台であるが、鉛直方向に配置されるＰＭ３０の台数は２台より多くてもよい。

【0062】

また、上記した実施形態では、ＥＦＥＭ５０は、ＶＴＭ２０の側方に配置されるが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、ＥＦＥＭ５０は、上面視で、ＥＦＥＭ５０の少なくとも一部とＶＴＭ２０の少なくとも一部とが重なるように配置されていてもよい。また、少なくとも１つのＬＰ６０は、上面視で、ＬＰ６０の少なくとも一部とＬＬＭ４０の少なくとも一部とが重なるように配置されていてもよい。図２６は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。図２６の例では、ＥＦＥＭ５０がＶＴＭ２０の上に配置されており、複数のＬＰ６０がＬＬＭ４０の上に配置されている。また、図２６の例では、ＥＦＥＭ５０内の搬送ロボット５２のアーム部５２１は、ＥＦＥＭ５０の上方から鉛直方向に伸縮することにより、載置部５２０を鉛直方向に移動させる。このような形態の基板処理システム１０においても、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0063】

また、図２６に例示された基板処理システム１０では、ＥＦＥＭ５０の横に複数のＬＬＭ４０が配置されるが、開示の技術はこれに限られない。さらに他の形態として、ＬＬＭ４０は、例えば図２７に示されるように、ＥＦＥＭ５０の下に配置されてもよい。図２７は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。図２７の例では、ＬＬＭ４０内の搬送ロボット４１に受け渡された基板Ｗは、ゲートバルブ４３を介して、搬送ロボット２２の載置部２２０に受け渡される。そのため、図２７の例では、ＶＴＭ２０内に搬送ロボット２１は設けられていない。なお、図２７の例では、ＬＬＭ４０内に搬送ロボット４１が２台設けられているが、ＬＬＭ４０内に設けられる搬送ロボット４１の台数は１台であってもよい。

【0064】

また、図２６に例示された基板処理システム１０では、複数のＰＭ３０が横に並べて配置されるが、開示の技術はこれに限られない。さらに他の形態として、複数のＰＭ３０は、例えば図２８に示されるように、上下に並べて配置されてもよい。図２８は、基板処理システム１０の他の例を示す概略断面図である。図２８の例では、鉛直方向に配置されるＰＭ３０の台数は２台であるが、鉛直方向に配置されるＰＭ３０の台数は２台より多くてもよい。これにより、多数のＰＭ３０を備える基板処理システム１０においても、基板処理システム１０の設置面積を削減することができる。

【0065】

また、上記した実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を用いて処理を行うＰＭ３０を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。

【0066】

また、上記した実施形態におけるＰＭ３０は、プラズマを用いて基板Ｗの処理を行うが、開示の技術はこれに限られない。ＰＭ３０は、基板Ｗに対する処理を行う装置であれば、熱処理やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等、プラズマを用いない処理を行う装置であってもよい。

【0067】

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0068】

Ｗ 基板
１０ 基板処理システム
１２ 制御装置
１２ａ コンピュータ
１２ａ１ 処理部
１２ａ２ 記憶部
１２ａ３ 通信インターフェイス
２０ ＶＴＭ
２１ 搬送ロボット
２１０ 載置部
２２ 搬送ロボット
２２０ 載置部
２２１ アーム部
２２１ａ 筒体
２２１ｂ 筒体
２３ 搬送ロボット
２３０ 載置部
２３１ アーム部
３０ ＰＭ
３１ ゲートバルブ
３２ 開口部
３１０ プラズマ処理チャンバ
３１０ａ 側壁
３１０ｅ ガス排出口
３１０ｓ プラズマ処理空間
３１１ 基板支持部
３１１１ 本体部
３１１１０ 基台
３１１１１ 静電チャック
３１１２ リングアセンブリ
３１３ シャワーヘッド
３２０ ガス供給部
３２１ ガスソース
３２２ 流量制御器
３３０ 電源
３３１ ＲＦ電源
３３２ ＤＣ電源
３４０ 排気システム
４０ ＬＬＭ
４１ 搬送ロボット
４１０ 載置部
４２ ゲートバルブ
４３ ゲートバルブ
５０ ＥＦＥＭ
５１ ゲートバルブ
５２ 搬送ロボット
５２０ 載置部
５２１ アーム部
５２１ａ 筒体
５２１ｂ 筒体
６０ ＬＰ
６１ ＦＯＵＰ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】