特開 2023-72167 乾燥装置、基板処理装置、および乾燥方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023072167

(43)【公開日】2023-05-24

(54)【発明の名称】乾燥装置、基板処理装置、および乾燥方法

(51)【国際特許分類】

   F26B 5/00 20060101AFI20230517BHJP

   F26B 15/00 20060101ALI20230517BHJP

   G02B 5/00 20060101ALN20230517BHJP

【ＦＩ】

F26B5/00

F26B15/00 Z

G02B5/00 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021184538

(22)【出願日】2021-11-12

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉本 治士

(72)【発明者】

【氏名】寺田 和雄

【テーマコード（参考）】

2H042

3L113

【Ｆターム（参考）】

2H042AA04

2H042AA26

3L113AA01

3L113AA03

3L113AB02

3L113AC44

3L113AC48

3L113AC49

3L113AC63

3L113AC69

3L113AC76

3L113BA32

3L113BA34

3L113DA10

(57)【要約】

【課題】基板に形成される塗布膜を速やかに乾燥させる技術を提供する。
【解決手段】実施形態に係る乾燥装置は、作動流体発生部と、乾燥部とを備える。作動流体発生部は、塗布膜が形成された基板上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる。乾燥部は、作動流体によって引き込まれる乾燥流体を供給し、塗布膜を乾燥させる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

塗布膜が形成された基板上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる作動流体発生部と、
前記作動流体によって引き込まれる前記乾燥流体を供給し、前記塗布膜を乾燥させる乾燥部と
を備える乾燥装置。

【請求項2】

前記作動流体発生部は、前記作動流体を前記基板の面方向に沿って導く誘導部
を備える請求項１に記載の乾燥装置。

【請求項3】

前記作動流体発生部は、
前記誘導部に向けて前記作動流体を供給する第１供給部と、
前記作動流体によって引き込まれた前記乾燥流体が、排気口から排出されるように排気流体を供給する第２供給部と
を備える、請求項２に記載の乾燥装置。

【請求項4】

前記作動流体発生部は、前記作動流体を前記誘導部まで誘導する湾曲流路を有する、
請求項３に記載の乾燥装置。

【請求項5】

前記第２供給部は、前記乾燥流体が前記基板から離れる方向に排出されるように前記排気流体を吐出する、
請求項３または４に記載の乾燥装置。

【請求項6】

前記作動流体発生部は、前記基板の搬送方向の下流側から上流側に向けて前記乾燥流体が流れるように前記作動流体を発生させる、
請求項１～５のいずれか１つに記載の乾燥装置。

【請求項7】

前記乾燥流体は、加熱された流体を含む、
請求項１～６のいずれか１つに記載の乾燥装置。

【請求項8】

前記乾燥流体は、除湿された流体を含む、
請求項１～７のいずれか１つに記載の乾燥装置。

【請求項9】

請求項１～８のいずれか１つに記載の乾燥装置と、
前記基板に前記塗布膜を形成する塗布装置と
を備える基板処理装置。

【請求項10】

前記乾燥装置は、前記塗布装置によって前記塗布膜が形成された後に、前記塗布膜における塗布液の状態が変わる前に前記塗布膜の乾燥が開始されるように設けられる、
請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

塗布膜が形成された基板上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる工程と、
前記作動流体によって引き込まれる前記乾燥流体を供給し、前記塗布膜を乾燥させる工程と、
を含む、乾燥方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、乾燥装置、基板処理装置、および乾燥方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ガラス基板に偏光膜用塗布液を塗布する基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１８－００４８６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板に形成される塗布膜を速やかに乾燥させる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による乾燥装置は、作動流体発生部と、乾燥部とを備える。作動流体発生部は、塗布膜が形成された基板上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる。乾燥部は、作動流体によって引き込まれる乾燥流体を供給し、塗布膜を乾燥させる。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板に形成される塗布膜を速やかに乾燥させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理装置の一部を示す模式図である。

【図2】図２は、塗布膜における液晶材料の分子の向きを説明する模式図である。

【図3】図３は、実施形態に係る乾燥装置における作動流体の流れ、排気流体の流れ、および乾燥流体の流れを説明する図である。

【図4】図４は、実施形態に係る基板処理を説明するフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、本開示による乾燥装置、基板処理装置、および乾燥方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による乾燥装置、基板処理装置、および乾燥方法が限定されるものではない。

【0009】

基板処理装置は、基板に塗布膜を形成する装置である。基板処理装置は、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）に用いられる円偏光板を作製する装置である。基板は、例えば、ガラス基板である。塗布膜は、例えば、直線偏光膜（直線偏光板）、およびλ／４波長膜（λ／４波長板）である。なお、ガラス基板には、複数の有機膜などが積層されている。なお、基板、および塗布膜は、これらに限定されるものではない。

【0010】

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸負方向を鉛直方向とする直交座標系を示す場合がある。Ｘ軸方向は、基板が搬送される方向に平行な方向である。基板は、Ｘ軸方向の負方向に搬送される。以下では、Ｚ軸正方向を「上方」とし、Ｚ軸負方向を「下方」として説明する。また、Ｘ軸正方向側を「上流」とし、Ｘ軸負方向側を「下流」として説明する。基板は、上流側から下流側に搬送される。Ｙ軸方向は、基板の幅方向である。

【0011】

図１は、実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す模式図である。基板処理装置１において、基板Ｗは、ステージ２に載置されて、ステージ２に保持される。ステージ２は、塗布膜が形成される基板Ｗの表面をＺ軸正方向として、基板Ｗの裏面を吸着することによって基板Ｗを保持する。ステージ２は、搬送機構によってＸ軸方向に沿って移動する。搬送機構は、レール、およびモータなどを含む。

【0012】

ステージ２は、Ｘ軸方向の両端に、整流板３ａ、３ｂを有する。整流板３ａは、Ｘ軸正方向におけるステージ２の端部からＸ軸正方向に延びる。整流板３ｂは、Ｘ軸負方向におけるステージ２の端部からＸ軸負方向に延びる。整流板３ａ、３ｂは、ステージ２の上方の端部に取り付けられる。整流板３ａ、３ｂのＸ軸方向における長さは、基板ＷのＸ軸方向の長さ以上である。

【0013】

基板処理装置１は、塗布装置４と、乾燥装置５と、制御装置６とを備える。塗布装置４は、基板Ｗに塗布膜を形成する。塗布装置４は、吐出部１０と、ブレード１１とを備える。

【0014】

吐出部１０は、塗布液を基板Ｗ上に吐出する。吐出部１０は、塗布液を吐出するノズル、および塗布液の流量を調整するバルブなどを含む。塗布液は、液晶性材料を含む。液晶性材料は、リオトロピック液晶を含む。

【0015】

ブレード１１は、吐出部１０よりも下流側に設けられる。ブレード１１は、Ｙ軸方向に延びる。ブレード１１は、基板Ｗ上に塗布膜を形成する。吐出部１０によって塗布液が吐出された基板Ｗが、Ｘ軸負方向に移動することによって、ブレード１１は、塗布液にせん断応力を加えながら基板Ｗ上に塗布液を広げる。これによって、基板Ｗ上に塗布膜が形成される。ブレード１１は、塗布液にＸ軸方向に沿ってせん断応力を加える。そのため、図２に示すように、ブレード１１よりも下流側の基板Ｗに形成される塗布膜では、液晶材料の分子Ｎが基板Ｗの搬送方向に沿って配向される。図２は、塗布膜における液晶材料の分子Ｎの向きを説明する模式図である。液晶材料の分子Ｎは、ブレード１１によるせん断応力によって、上方側が上流側に傾斜するように配向される。

【0016】

図１に戻り、乾燥装置５は、作動流体発生部２０と、乾燥部２１とを備える。作動流体発生部２０は、塗布膜が形成された基板Ｗ上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる。作動流体発生部２０は、コアンダ効果によって基板Ｗ上に乾燥流体を引き込ませる作動流体を発生させる。作動流体は、コアンダ効果によって随伴流を発生させて、乾燥気体を基板Ｗ上に引き込ませる。作動流体は、気体である。作動流体は、例えば、空気である。乾燥流体は、加熱された流体、および除湿された流体の少なくとも１つを含む。乾燥流体は、気体である。乾燥流体は、加熱された空気、加熱されたＮ２ガス、除湿された空気、除湿されたＮ２ガスの少なくとも１つを含む。

【0017】

作動流体発生部２０は、第１供給部２２と、第２供給部２３と、誘導部２４とを備える。第１供給部２２、第２供給部２３、および誘導部２４は、上流側から下流側にかけて、第２供給部２３、誘導部２４、および第１供給部２２の順に配置される。作動流体発生部２０は、基板Ｗの搬送方向の下流側から上流側に向けて乾燥流体が流れるように作動流体を発生させる。

【0018】

第１供給部２２は、誘導部２４に向けて作動流体を供給する。第１供給部２２は、第１エアポンプ３０を備える。第１供給部２２は、第１供給流路３１を有する。

【0019】

第１エアポンプ３０は、外部から取り込んだ空気を圧縮し、圧縮した空気を第１供給流路３１に吐出する。第１エアポンプ３０は、第１所定流量、および第１所定流速の空気を第１供給流路３１に吐出する。第１所定流量、および第１所定流速は、予めそれぞれ設定される。第１所定流量、および第１所定流速は、コアンダ効果によって基板Ｗ上に乾燥流体を引き込ませる作動流体を発生させる値である。

【0020】

第１供給流路３１は、本体部２５に形成される。第１供給流路３１は、第１湾曲流路３１ａを含む。第１湾曲流路３１ａ（湾曲流路の一例）は、作動流体を誘導部２４まで誘導する。第１湾曲流路３１ａは、下方側となるにつれて上流側を向くように湾曲して形成される。第１湾曲流路３１ａは、第１供給口３１ｂから誘導部２４に向けて作動流体を吐出する。第１供給口３１ｂは、スリット状に形成される。第１供給口３１ｂは、Ｙ軸方向、すなわち基板Ｗの幅方向に沿って延びる。本体部２５は、複数の部品によって構成されてもよい。

【0021】

第２供給部２３は、作動流体によって引き込まれた乾燥流体が、排気口５０ｃから排出されるように排気流体を供給する。第２供給部２３は、乾燥流体が基板Ｗから離れる方向に排出されるように排気流体を吐出する。排気流体は、空気である。第２供給部２３は、第２エアポンプ４０を備える。第２供給部２３は、第１排出流路４１を有する。

【0022】

第２エアポンプ４０は、外部から取り込んだ空気を圧縮し、圧縮した空気を第１排出流路４１に吐出する。第２エアポンプ４０は、第２所定流量、および第２所定流速の空気を第１排出流路４１に吐出する。第２所定流量、および第２所定流速は、予めそれぞれ設定される。第２所定流量、および第２所定流速は、乾燥流体を排気口５０ｃに向けて押し出し、上流側における乾燥流体の滞留を防止する値である。第２所定流量、および第２所定流速は、コアンダ効果によって後述する第２排出流路５０の気体を排気口５０ｃから排出させる値である。

【0023】

第１排出流路４１は、本体部２５に形成される。第１排出流路４１は、第２湾曲流路４１ａを含む。第２湾曲流路４１ａは、上流側となるにつれて上方側を向くように湾曲して形成される。第２湾曲流路４１ａは、第２供給口４１ｂから斜め上方に向けて排気流体を第２排出流路５０に吐出するように形成される。

【0024】

第２排出流路５０は、本体部２５に形成される。第２排出流路５０は、第３湾曲流路５０ａを含む。第３湾曲流路５０ａは、上流側となるにつれて上方側を向くように湾曲して形成される。第３湾曲流路５０ａの下端には、吸入口５０ｂが形成される。吸入口５０ｂは、スリット状に形成される。吸入口５０ｂは、Ｙ軸方向、すなわち基板Ｗの幅方向に沿って延びる。第２排出流路５０は、乾燥流体を上方に排出するように形成される。第２排出流路５０の上端には、排気口５０ｃが形成される。

【0025】

誘導部２４は、本体部２５に設けられる。誘導部２４は、本体部２５とは別に設けられてもよい。誘導部２４は、作動流体を基板Ｗの面方向に沿って導く。誘導部２４は、水平に設けられる板状の部材である。誘導部２４は、ステージ２によって搬送される基板Ｗの上方を覆う天板である。

【0026】

誘導部２４は、搬送される基板ＷとのＺ方向における距離が所定距離となるように設けられる。所定距離は、予め設定される距離である。所定距離は、作動流体によって、乾燥流体が誘導部２４と基板Ｗとの間に引き込まれ、乾燥流体によって基板Ｗが乾燥するように設定される。

【0027】

乾燥部２１は、作動流体によって引き込まれる乾燥流体を供給し、塗布膜を乾燥させる。乾燥部２１は、乾燥流体を貯留するタンクである。乾燥流体は、第２供給流路５１に向けて乾燥流体を供給する。第２供給流路５１は、本体部２５に形成される。第２供給流路５１は、第４湾曲流路５１ａを含む。乾燥部２１は、ブロアなどによって乾燥流体を吹き出してもよい。

【0028】

第４湾曲流路５１ａは、第１供給流路３１の第１湾曲流路３１ａよりも下流側に設けられる。第４湾曲流路５１ａは、下方側となるにつれて上流側を向くように湾曲して形成される。第４湾曲流路５１ａは、第３供給口５１ｂから上流側に向けて乾燥流体を供給する。第３供給口５１ｂは、第１供給口３１ｂよりも下流側に設けられる。第３供給口５１ｂは、スリット状である。第３供給口５１ｂは、Ｙ軸方向、すなわち基板Ｗの幅方向に沿って延びる。

【0029】

乾燥装置５は、塗布装置４によって塗布膜が形成された後に、塗布膜における塗布液の状態が変わる前に塗布膜の乾燥が開始されるように設けられる。例えば、乾燥装置５は、ブレード１１によって塗布膜が形成されてから、１～２秒後に乾燥流体による乾燥が開始されるように設けられる。また、乾燥装置５は、乾燥流体の熱によってブレード１１の変形しないように設けられる。

【0030】

塗布膜の乾燥が開始されるまでの時間が長くなると、塗布膜に含まれる液晶材料の分子Ｎの配向が乱れるおそれがある。乾燥装置５は、塗布膜に含まれる液晶材料の分子Ｎの配向が乱れる前に、塗布膜の乾燥が開始されるように設けられる。

【0031】

制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６ａと記憶部６ｂとを備える。記憶部６ｂには、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部６ａは、記憶部６ｂに記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。制御部６ａは、吐出部１０、第１エアポンプ３０、および第２エアポンプ４０の動作を制御する。制御部６ａは、ステージ２を移動させる搬送機構の動作を制御する。

【0032】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置６の記憶部６ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0033】

次に乾燥装置５における作動流体の流れ、排気流体の流れ、および乾燥流体の流れについて図３を参照し説明する。図３は、実施形態に係る乾燥装置５における作動流体の流れ、および乾燥流体の流れを説明する図である。図３においては、作動流体、および排気流体の流れが破線で示され、乾燥流体の流れが一点鎖線で示される。

【0034】

乾燥装置５では、第１エアポンプ３０によって空気が第１供給流路３１に吐出されることによって、作動流体が形成される。第１供給流路３１を流れる作動流体は、第１湾曲流路３１ａによって流れ方向が変更される。作動流体の流れ方向は、第１湾曲流路３１ａによって上流側に変更される。そして、作動流体は、第１供給口３１ｂから誘導部２４に沿って吐出される。

【0035】

作動流体は、周囲の気体を巻き込みつつ、誘導部２４に沿って上流側に流れる。そのため、基板Ｗの上方に下流側から上流側に向けた気体の流れが形成される。このような気体の流れが形成されることによって、第２供給流路５１の乾燥流体が引き込まれて、乾燥流体が下流側から上流側に向けて流れる。また、乾燥部２１の乾燥流体が第２供給流路５１を介して基板Ｗの上方に引き込まれて、乾燥流体が、基板Ｗの上方を、下流側から上流側に向けて流れる。乾燥流体が基板Ｗの上方を流れることで、基板Ｗ上の塗布膜が乾燥する。

【0036】

作動流体によって乾燥流体が基板Ｗの上方に引き込まれることで、乾燥流体の流れが乱れることが抑制される。作動流体、および乾燥流体は、誘導部２４に沿って、基板Ｗの上方を下流側から上流側に向けて流れる。そのため、基板Ｗの幅方向（Ｙ軸方向）への作動流体、および乾燥流体の漏れが抑制される。

【0037】

乾燥装置５は、基板Ｗの下流側から上流側に乾燥流体を流すことで、基板Ｗ上の塗布膜を乾燥させる。基板Ｗ上の塗布膜では、液晶材料の分子Ｎ（図２参照）の上方側が上流側に傾斜するように配向される。乾燥流体が下流側から上流側に向けて流れることによって、塗布膜の液晶材料の分子Ｎの配向の乱れが抑制される。

【0038】

また、乾燥装置５では、第２エアポンプ４０によって空気が第１排出流路４１に吐出されることによって、排気流体が形成される。第１排出流路４１を流れる排気流体は、第２湾曲流路４１ａによって流れ方向が変更される。排気流体の流れ方向は、第２湾曲流路４１ａによって上方側に変更される。そして、排気流体は、第２供給口４１ｂから第２排出流路５０に吐出される。排気流体は、第２排出流路５０を形成する壁面に沿って吐出される。

【0039】

排気流体は、周囲の気体を巻き込みつつ、排気口５０ｃから排出される。そのため、第２排出流路５０では、下方側から上方側に向けた気体の流れが形成される。このような気体の流れが形成されることによって、第２排気流路の吸入口５０ｂ付近の作動流体、および乾燥流体が第２排出流路５０に引き込まれて、作動流体、および乾燥流体が排気口５０ｃから排出される。従って、作動流体、および乾燥流体が、第２排出流路５０の吸入口５０ｂ付近、すなわち上流側の乾燥装置５に滞留することが抑制される。

【0040】

作動流体、および乾燥流体が、排気流体によって、排気口５０ｃから排出されるため、基板Ｗの上方において、下流側から上流側への作動流体の流れ、および下流側から上流側への乾燥流体の流れが促進される。

【0041】

なお、基板Ｗを搬送するステージ２には、整流板３ａ、３ｂが設けられる。そのため、基板Ｗが乾燥装置５の下方にない状態であっても、作動流体、および排気流体によって乾燥流体は、上記するように流れる。従って、基板Ｗ上の塗布膜の乾燥状態は、搬送方向において均一になり、乾燥むらの発生が抑制される。

【0042】

次に、実施形態に係る基板処理について、図４を参照し説明する。図４は、実施形態に係る基板処理を説明するフローチャートである。

【0043】

制御装置６は、塗布処理を行う（Ｓ１００）。制御装置６は、基板Ｗ上に塗布液を塗布させる。吐出部１０によって基板Ｗ上に吐出された塗布液は、基板Ｗの搬送に伴ってブレード１１によって広げられる。そして、基板Ｗ上に塗布膜が形成される。

【0044】

制御装置６は、乾燥処理を行う（Ｓ１０１）。制御装置６は、作動流体を発生させる。制御装置６は、第１エアポンプ３０によって空気を第１供給流路３１に吐出させて、作動流体を発生させる。また、制御装置６は、第２エアポンプ４０によって空気を第１排出流路４１に吐出させて、排気流体を発生させる。

【0045】

制御装置６は、作動流体を発生させることによって、基板Ｗの上方に乾燥流体を引き込み、基板Ｗを乾燥させる。また、制御装置６は、排気流体を発生させることによって、排気口５０ｃから、上流側まで流れた乾燥流体を排出させて、下流側における乾燥流体の引き込みを促進させる。

【0046】

基板処理装置１において、直線偏光膜、およびλ／４波長膜を作製する場合、基板Ｗの向きを変えて２回の処理が行われる。なお、直線偏光膜、およびλ／４波長膜の１つが、上記する乾燥装置５によって乾燥されて作製されてもよい。

【0047】

また、基板処理装置１において、塗布装置４と乾燥装置５とは、近接して配置されることが望ましい。例えば、塗布装置４のブレード１１と、乾燥装置５の吸入口５０ｂとの距離は、５００ｍｍ以下、好ましくは１００ｍｍ以下に設定されることが望ましい。

【0048】

乾燥装置５は、作動流体発生部２０と、乾燥部２１とを備える。作動流体発生部２０は、塗布膜が形成された基板Ｗ上に乾燥流体を引き込むための作動流体を発生させる。乾燥部２１は、作動流体によって引き込まれる乾燥流体を供給し、塗布膜を乾燥させる。

【0049】

これにより、乾燥装置５は、作動流体によって引き込まれる乾燥流体によって塗布膜を乾燥させることができるため、塗布膜を速やかに乾燥させることができる。そのため、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れる前に、塗布膜を乾燥させることができ、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。また、乾燥装置５は、乾燥流体の乱れを抑制することができる。そのため、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0050】

作動流体発生部２０は、作動流体を基板Ｗの面方向に沿って導くように形成される誘導部２４を備える。

【0051】

これにより、乾燥装置５は、作動流体によって生じるコアンダ効果によって、乾燥流体を引き込み、塗布膜を乾燥させることができる。そのため、乾燥装置５は、塗布膜を速やかに乾燥させることができる。また、乾燥装置５は、乾燥流体の乱れを抑制することができる。そのため、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。また、乾燥装置５は、作動流体、および乾燥流体を誘導部２４に沿って流すことができ、作動流体、および乾燥流体が基板Ｗの幅方向に漏れることを抑制することができる。そのため、乾燥装置５は、作動流体、および乾燥流体の漏れに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。

【0052】

作動流体発生部２０は、第１供給部２２と、第２供給部２３とを備える。第１供給部２２は、誘導部２４に向けて作動流体を供給する。第２供給部２３は、作動流体によって引き込まれた乾燥流体が、排気口５０ｃから排出されるように排気流体を供給する。

【0053】

これにより、乾燥装置５は、第２供給部２３から供給される排気流体によって乾燥流体を排気口５０ｃから排出させることで、作動流体の滞留、および乾燥流体の滞留を抑制することができる。そのため、乾燥装置５は、第１供給部２２によって供給される作動流体の流れを促進させて、乾燥流体の流れを促進させることができる。従って、乾燥装置５は、塗布膜を速やかに乾燥させることができ、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0054】

作動流体発生部２０は、作動流体を誘導部２４まで誘導する第１湾曲流路３１ａを有する。

【0055】

これにより、乾燥装置５は、作動流体が誘導部２４へ流れる時に、作動流体のベクトルの変化を小さくすることができる。そのため、乾燥装置５は、作動流体の乱れを抑制し、乾燥流体の乱れを抑制することができる。従って、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0056】

第２供給部２３は、乾燥流体が基板Ｗから離れる方向に排出されるように排気流体を吐出する。

【0057】

これにより、乾燥装置５は、乾燥流体を基板Ｗの上方から排出する場合に、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0058】

作動流体発生部２０は、基板Ｗの搬送方向の下流側から上流側に向けて乾燥流体が流れるように作動流体を発生させる。

【0059】

これにより、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向に合わせて乾燥流体を流すことができ、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制することができる。

【0060】

乾燥流体は、加熱された流体を含む。これにより、乾燥装置５は、塗布膜を速やかに乾燥させることができる。また、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0061】

乾燥流体は、除湿された流体を含む。これにより、乾燥装置５は、塗布膜を速やかに乾燥させることができる。また、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0062】

乾燥装置５は、塗布装置４によって塗布膜が形成された後に、塗布膜における塗布液の状態が変わる前に塗布膜の乾燥が開始されるように設けられる。

【0063】

これにより、乾燥装置５は、塗布膜に含まれる分子Ｎの配向が乱れることを抑制できる。

【0064】

変形例に係る乾燥装置５は、乾燥流体を生成する装置を有してもよい。変形例に係る乾燥装置５は、ヒータ、および除湿装置の少なくとも１つを含んでもよい。

【0065】

変形例に係る乾燥装置５は、作動流体を上流側から下流側に向けて流すように構成されてもよい。

【0066】

なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0067】

１ 基板処理装置
２ ステージ
３ａ、３ｂ 整流板
４ 塗布装置
５ 乾燥装置
６ 制御装置
１０ 吐出部
１１ ブレード
２０ 作動流体発生部
２１ 乾燥部
２２ 第１供給部
２３ 第２供給部
２４ 誘導部
３０ 第１エアポンプ
３１ 第１供給流路
３１ａ 第１湾曲流路（湾曲流路）
４０ 第２エアポンプ
４１ 第１排出流路
５０ 第２排出流路
５０ｃ 排気口

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】