特開 2023-72556 基板搬送装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023072556

(43)【公開日】2023-05-24

(54)【発明の名称】基板搬送装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20230517BHJP

   B25J 19/00 20060101ALI20230517BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

B25J19/00 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021185189

(22)【出願日】2021-11-12

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】新藤 健弘

(72)【発明者】

【氏名】李 東偉

(72)【発明者】

【氏名】蒋 凌欣

【テーマコード（参考）】

3C707

5F131

【Ｆターム（参考）】

3C707AS05

3C707CS08

3C707CY36

3C707HS26

3C707NS13

5F131AA02

5F131BA01

5F131BA15

5F131BA17

5F131BA24

5F131BB03

5F131BB13

5F131BB22

5F131CA32

5F131CA39

5F131DB03

5F131DB52

5F131DB76

5F131DB82

5F131DC18

5F131HA09

5F131HA12

5F131JA08

5F131JA09

5F131JA12

(57)【要約】

【課題】省スペースで高速搬送可能な基板搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送室に設けられ、配列されたコイルを有する平面モータと、永久磁石を有し、前記平面モータ上を移動して基板を搬送する複数の搬送ユニットと、前記搬送室内に設けられる第１通路及び前記第１通路と隣接する第２通路と、前記第１通路に設けられ、前記第１通路と前記第２通路との間の磁場を遮蔽する磁気シールドと、を備える、基板搬送装置。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

搬送室に設けられ、配列されたコイルを有する平面モータと、
永久磁石を有し、前記平面モータ上を移動して基板を搬送する複数の搬送ユニットと、
前記搬送室内に設けられる第１通路及び前記第１通路と隣接する第２通路と、
前記第１通路に設けられ、前記第１通路と前記第２通路との間の磁場を遮蔽する磁気シールドと、を備える、基板搬送装置。

【請求項2】

前記コイルの通電を制御することにより前記搬送ユニットの動作を制御する制御部を備え、
前記制御部は、
第１の搬送ユニットが前記第１通路を通過し、第２の搬送ユニットが前記第２通路を通過する際、前記磁気シールドですれ違う、
請求項１に記載の基板搬送装置。

【請求項3】

前記磁気シールドは、前記第１通路と前記第２通路との間の側壁に段部を有する、
請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。

【請求項4】

前記搬送ユニットの浮上量を制御して、前記搬送ユニットに支持された基板を搬送する、
請求項３に記載の基板搬送装置。

【請求項5】

前記搬送ユニットは、前記基板の支持高さが異なる第１の搬送ユニットおよび第２の搬送ユニットを有する、
請求項３に記載の基板搬送装置。

【請求項6】

前記搬送ユニットの浮上量を制御して、前記搬送ユニットの進行方向を回転軸とする傾きを制御して、前記搬送ユニットに支持された前記基板を搬送する、
請求項３に記載の基板搬送装置。

【請求項7】

前記磁気シールドは、前記第１通路と前記第２通路との間の側壁が開閉可能に設けられる、
請求項１または請求項２に記載の基板搬送装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板搬送装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、搬送室内に設けられた平面モータ上で磁気浮上し、基板を搬送する搬送ユニットを備える基板搬送装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－８６９８６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、基板搬送装置は、装置の小型化及び搬送時間の短縮（高速搬送）が求められている。

【0005】

上記課題に対して、一側面では、省スペースで高速搬送可能な基板搬送装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、一の態様によれば、搬送室に設けられ、配列されたコイルを有する平面モータと、永久磁石を有し、前記平面モータ上を移動して基板を搬送する複数の搬送ユニットと、前記搬送室内に設けられる第１通路及び前記第１通路と隣接する第２通路と、前記第１通路に設けられ、前記第１通路と前記第２通路との間の磁場を遮蔽する磁気シールドと、を備える、基板搬送装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

一の側面によれば、省スペースで高速搬送可能な基板搬送装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】一実施形態に係る基板処理システムの一例の構成を示す平面図。

【図2】一実施形態に係る搬送ユニットの一例を示す斜視図。

【図3】基板搬送装置の駆動原理を説明する斜視図。

【図4】搬送ユニットが処理室に基板Ｗを搬送する動作の一例を示す平面図。

【図5】ムーバー内に配列される永久磁石の配置を示す断面図の一例。

【図6】搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。

【図7】搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。

【図8】搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。

【図9】搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。

【図10】他の搬送ユニットの側面図の一例。

【図11】真空搬送室の平面図の他の一例。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

＜基板処理システム１００＞
一実施形態に係る基板処理システム１００の全体構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システム１００の一例の構成を示す平面図である。

【0011】

図１に示す基板処理システム１００は、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）のシステムである。基板処理システム１００は、複数の処理室１１０と、真空搬送室１２０と、ロードロック室１３０と、大気搬送室１４０と、ロードポート１５０と、制御部１６０と、を備えている。なお、図１において、真空搬送室１２０の長手方向をＸ方向とし、真空搬送室１２０の短手方向（幅方向）をＹ方向とし、真空搬送室１２０の高さ方向をＺ方向として説明する。

【0012】

処理室１１０は、所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にて半導体ウェハ（以下、「基板Ｗ」ともいう。）に所望の処理（エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等）を施す。処理室１１０は、真空搬送室１２０に隣接して配置される。処理室１１０と真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１１２の開閉により連通する。処理室１１０は、基板Ｗを載置する載置台１１１を有する。なお、処理室１１０における処理のための各部の動作は、制御部１６０によって制御される。

【0013】

真空搬送室１２０は、ゲートバルブ１１２，１３２を介して、複数の室（処理室１１０、ロードロック室１３０）と連結され、所定の真空雰囲気に減圧されている。また、真空搬送室１２０の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送装置１２５が設けられている。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な複数の搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）と、を有する。搬送ユニット３０は、平面モータ１０上を移動可能なムーバー３１と、基板Ｗを保持することが可能に構成されたアーム３２と、を有する。基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１１２の開閉に応じて、処理室１１０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。また、基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１３２の開閉に応じて、ロードロック室１３０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、基板搬送装置１２５の動作、ゲートバルブ１１２，１３２の開閉は、制御部１６０によって制御される。なお、基板搬送装置１２５（平面モータ１０、搬送ユニット３０）については、図２から図４を用いて後述する。

【0014】

また、真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に伸びる第１通路１２１及び第２通路１２２が設けられている。第１通路１２１と第２通路１２２とは、隣接して並行に設けられている。また、第１通路１２１には、トンネル状の磁気シールド２００が設けられている。即ち、真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向に伸びるトンネル状の磁気シールド２００が設けられ、磁気シールド２００の内側に搬送ユニット３０が通行可能な第１通路１２１と、磁気シールド２００の外側に搬送ユニット３０が通行可能な第２通路１２２と、が設けられる。

【0015】

ロードロック室１３０は、真空搬送室１２０と大気搬送室１４０との間に設けられている。ロードロック室１３０は、基板Ｗを載置する載置台１３１を有する。ロードロック室１３０は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるようになっている。ロードロック室１３０と真空雰囲気の真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１３２の開閉により連通する。ロードロック室１３０と大気雰囲気の大気搬送室１４０とは、ドアバルブ１３３の開閉により連通する。なお、ロードロック室１３０内の真空雰囲気または大気雰囲気の切り替えは、制御部１６０によって制御される。

【0016】

大気搬送室１４０は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。また、大気搬送室１４０の内部には、基板Ｗを搬送する搬送装置（図示せず）が設けられている。搬送装置（図示せず）は、ドアバルブ１３３の開閉に応じて、ロードロック室１３０と大気搬送室１４０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、搬送装置（図示せず）の動作、ドアバルブ１３３の開閉は、制御部１６０によって制御される。

【0017】

また、大気搬送室１４０の壁面には、ロードポート１５０が設けられている。ロードポート１５０は、基板Ｗが収容されたキャリア（図示せず）又は空のキャリアが取り付けられる。キャリアとしては、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等を用いることができる。

【0018】

搬送装置（図示せず）は、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを取り出して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置することができる。また、搬送装置（図示せず）は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出して、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容することができる。

【0019】

制御部１６０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）を有する。制御部１６０は、ＨＤＤに限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。ＨＤＤ、ＲＡＭ等の記憶領域には、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件が設定されたレシピが格納されている。

【0020】

ＣＰＵは、レシピに従って各処理室１１０における基板Ｗの処理を制御し、基板Ｗの搬送を制御する。ＨＤＤやＲＡＭには、各処理室１１０における基板Ｗの処理や基板Ｗの搬送を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。プログラムは、記憶媒体に格納して提供されてもよいし、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。

【0021】

次に、基板処理システム１００の動作の一例について説明する。ここでは、基板処理システム１００の動作の一例として、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを処理室１１０で処理を施し、ロードポート１５０に取り付けられた空のキャリアに収容する動作に沿って説明する。なお、動作の開始時点において、ゲートバルブ１１２，１３２、ドアバルブ１３３は閉じており、ロードロック室１３０内は大気雰囲気となっている。

【0022】

制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、大気搬送室１４０内の搬送装置を制御して、ロードポート１５０のキャリアから基板Ｗを取り出し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１に載置され、搬送装置がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。

【0023】

制御部１６０は、ロードロック室１３０の排気装置（図示せず）を制御して室内の空気を排気し、ロードロック室１３０を大気雰囲気から真空雰囲気へと切り替える。

【0024】

次に、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを、処理室１１０に搬送して、載置台１１１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、後述する基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。

【0025】

制御部１６０は、搬送先の処理室１１０のゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、保持している基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に載置する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。

【0026】

制御部１６０は、処理室１１０を制御して、基板Ｗに所望の処理を施す。

【0027】

基板Ｗの処理が終了すると、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを、ロードロック室１３０に搬送して、載置台１３１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。

【0028】

制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、保持している基板Ｗをロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。

【0029】

制御部１６０は、ロードロック室１３０のガス供給装置（図示せず）を制御して室内に例えば清浄空気を供給し、ロードロック室１３０を真空雰囲気から大気雰囲気へと切り替える。

【0030】

制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、搬送装置（図示せず）を制御して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出し、ロードポート１５０のキャリアに収容する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１から取り出され、搬送装置（図示せず）がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。

【0031】

なお、基板処理システム１００において、基板搬送装置１２５は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に搬送し、処理済の基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１からロードロック室１３０の載置台１３１に搬送する構成を例に説明したが、これに限られるものではない。基板搬送装置１２５は、一の処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを他の処理室１１０の載置台１１１に搬送する構成であってもよい。

【0032】

＜基板搬送装置１２５＞
次に、基板搬送装置１２５について、更に説明する。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な搬送ユニット３０と、を有する。

【0033】

図２は、一実施形態に係る搬送ユニット３０の一例を示す斜視図である。搬送ユニット３０は、ムーバー３１と、アーム３２とを有する。ムーバー３１は、平面モータ１０上を磁気浮上して移動することが可能に構成されている。アーム３２は、一端側がムーバー３１に固定され、他端側に基板Ｗを保持することが可能に構成されている。また、搬送ユニット３０は、真空搬送室１２０内に複数台設けられていてもよい。

【0034】

平面モータ１０及び搬送ユニット３０のムーバー３１について、図３を用いて更に説明する。図３は、基板搬送装置１２５の駆動原理を説明する斜視図である。

【0035】

平面モータ１０は、複数のコイル１５が配列されている。コイル１５は、電流が供給されることにより、磁場を発生する。制御部１６０（図１参照）は、各コイル１５に通電する電流値を個別に制御可能に構成されている。

【0036】

ムーバー３１は、複数の永久磁石３５が配列されている。コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、平面モータ１０上で磁気浮上することができる。また、コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、平面モータ１０上を移動することができる。

【0037】

この様な構成により、制御部１６０（図１参照）は、平面モータ１０の各コイル１５の電流値を制御することで、ムーバー３１の位置、向き、傾き、浮上量を制御することができるように構成されている。

【0038】

また、平面モータ１０には、ムーバー３１の位置等を検出するセンサが設けられている。センサは、平面モータ１０内に設けられ、ムーバー３１の永久磁石３５の磁場を検出する磁場センサであってもよい。これにより、制御部１６０（図１参照）は、センサの検出値に基づいて、ムーバー３１の位置等を検出することができる。

【0039】

図４は、搬送ユニット３０が処理室１１０に基板Ｗを搬送する動作の一例を示す平面図である。図４（ａ）に示すように、搬送ユニット３０は、平面モータ１０上を自由に移動することができる。これにより、破線で図示するように搬送ユニット３０は、アーム３２の向きを真空搬送室１２０の長手方向に対して傾け、搬送ユニット３０を回転させながら真空搬送室１２０の長手方向に移動する。これにより、実線で図示するように搬送ユニット３０は、基板Ｗを保持したアーム３２をゲートバルブ１１２から処理室１１０内に挿入することができる。そして、搬送ユニット３０を回転させながら移動することにより、基板Ｗを載置台１１１に受け渡す位置まで移動することができる。このように、搬送ユニット３０（ムーバー３１）の位置、向きを制御することにより、アーム３２で保持した基板Ｗを真空搬送室１２０と処理室１１０の間で搬送（搬入、搬出）することができる。

【0040】

また、図４（ｂ）に示すように、真空搬送室１２０には、第１通路１２１を有するトンネル状の磁気シールド２００が設けられている。磁気シールド２００は、搬送ユニット３０が処理室１１０へ基板Ｗを搬送（搬入、搬出）する際の妨げとならない位置に設けられている。具体的には、磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向において隣接する２つのゲートバルブ１１２の間に配置されている。これにより、破線で図示するように、搬送ユニット３０は、アーム３２の向きを真空搬送室１２０の長手方向に向けて第２通路１２２を移動し、搬送ユニット３０を回転させながら真空搬送室１２０の長手方向に移動する。これにより、実線で図示するように、基板Ｗを保持したアーム３２をゲートバルブ１１２から処理室１１０内に挿入することができる。そして、搬送ユニット３０を回転させながら移動することにより、基板Ｗを載置台１１１に受け渡す位置まで移動することができる。

【0041】

図５は、ムーバー３１内に配列される永久磁石３５の配置を示す断面図の一例である。なお、図５において、磁束を矢印で示す。図５に示すように、永久磁石３５は、永久磁石３５のＮ極３５Ｎ及びＳ極３５Ｓの向きを変えて複数配列するハルバッハ配列で配置されている。これにより、平面モータ１０と対向する面の側であるムーバー３１の下面側領域４１に磁界を集中させ、ムーバー３１と平面モータ１０との間に強い磁場を形成することができる。また、ムーバー３１の上面側領域４２における磁場を弱くすることができる。

【0042】

ここで、図５に示すように、ムーバー３１の側面側領域４３において、漏れ磁束が生じている。このため、一の搬送ユニット３０Ａと他の搬送ユニット３０Ｂとが逆向きに高速移動して近傍ですれ違う際、一の搬送ユニット３０Ａによって搬送される基板Ｗは、他の搬送ユニット３０Ｂの側面側領域４３を通過する。このため、搬送ユニット３０Ａによって搬送される基板Ｗにおいて磁場が変化することにより、基板Ｗ内に形成された素子に誘導起電力が生じるおそれがある。同様に、搬送ユニット３０Ｂによって搬送される基板Ｗにおいて磁場が変化することにより、基板Ｗ内に形成された素子に誘導起電力が生じるおそれがある。

【0043】

また、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の距離が近いほど誘導起電力が大きくなる。また、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力は、すれ違う搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの相対速度が速いほど誘導起電力が大きくなる。

【0044】

このため、真空搬送室１２０のＹ方向の幅を狭くして小型化するほど、２つの搬送ユニット３０がすれ違う際の距離が近くなり、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力が大きくなる。また、搬送ユニット３０の移動速度を速くするほど、２つの搬送ユニット３０がすれ違う際の相対速度が速くなり、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力が大きくなる。

【0045】

これらの課題に対し、図１に示すように、本実施形態の基板処理システム１００は、磁気シールド２００を有している。

【0046】

磁気シールド２００は、例えばＦｅ系の強磁性体材料で形成されてもよい。また、磁気シールド２００は、Ａｌ系の反強磁性体材料で形成されてもよい。また、磁気シールド２００は、強磁性体のシールドと反強磁性体のシールドの二重シールド構造であってもよい。磁気シールド２００の材料は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の基板Ｗに生じる磁場変化の周波数特性に応じて、好適に磁気を遮蔽する材料を適宜選択してもよい。換言すれば、磁気シールド２００の材料は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の相対速度に基づいて、好適に磁気を遮蔽する材料を適宜選択してもよい。

【0047】

図６は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。図１及び図６に示すように、真空搬送室１２０には、搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）が通行可能な第１通路１２１及び第２通路１２２が形成されている。また、第１通路１２１は、トンネル状の磁気シールド２００で覆われている。第１通路１２１と第２通路１２２との間には、磁気シールド２００の側壁２１０が配置されている。制御部１６０は、互いに逆向きに移動する２つの搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）が真空搬送室１２０内ですれ違う際、一方の搬送ユニット３０Ｂが磁気シールド２００で覆われた第１通路１２１を通過中に、他方の搬送ユニット３０Ａが第２通路１２２を通過するように制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂの側面側の漏れ磁場は、磁気シールド２００によって遮蔽され、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａに保持される基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。また、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの側面側の漏れ磁場は、磁気シールド２００によって遮蔽され、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに保持される基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。

【0048】

これにより、真空搬送室１２０に形成される第１通路１２１及び第２通路１２２を近づけることができる。即ち、真空搬送室１２０の幅を狭くして小型化することができ、基板処理システム１００を小型化することができる。また、２つの搬送ユニット３０が真空搬送室１２０内ですれ違う際の速度を高くすることができる。これにより、基板搬送装置１２５の搬送時間を短縮し、基板処理システム１００の生産性を向上させることができる。

【0049】

また、磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向において、中間領域に設けることが好ましい。真空搬送室１２０の長手方向の端に近い領域において、搬送ユニット３０は停止状態からの加速開始または停止するための減速をしており、移動速度は、抑えられている。これに対し、真空搬送室１２０の長手方向の中間領域において、搬送ユニット３０の移動速度が最大となる。このため、すれ違う搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの相対速度が高くなる真空搬送室１２０の長手方向の中間領域に磁気シールド２００を設けることにより、大きな誘導起電力の発生を防止することができる。

【0050】

なお、磁気シールド２００の形状は、これに限られるものではない。第１通路１２１と第２通路１２２との間に配置される磁気シールド２００の側壁２１０は、矩形に屈曲していてもよい。

【0051】

図７は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、段部２１１を有している。これにより、第１通路１２１は、上側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ａが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ａよりも下側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ａが形成される。突出空間１２１ａと突出空間１２２ａとは、上下に重なって形成される。

【0052】

制御部１６０は、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂの浮上量を増加させるように制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ａを通過する。また、制御部１６０は、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの浮上量を減少させるように制御する。これにより、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２２ａを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。

【0053】

図８は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、段部２１２を有している。これにより、第１通路１２１は、下側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ｂが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ｂよりも上側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ｂが形成される。突出空間１２１ｂと突出空間１２２ｂとは、上下に重なって形成される。

【0054】

また、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂと第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａとで、基板Ｗを保持する高さが異なっている。即ち、搬送ユニット３０Ａと搬送ユニット３０Ｂは、アーム３２の構造・取付位置が異なっている。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｂを通過する。また、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２２ｂを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。

【0055】

図９は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、傾斜する段部２１３を有している。これにより、第１通路１２１は、下側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ｃが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ｃよりも上側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ｃが形成される。突出空間１２１ｃと突出空間１２２ｃとは、上下に重なって形成される。

【0056】

制御部１６０は、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂ及び第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの左右の浮上量を調整して搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂを傾斜させる。即ち、制御部１６０は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの進行方向（Ｘ方向）を回転軸とする搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの傾きを制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｃを通過する。一方、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｃの上方に配置される突出空間１２２ｃを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。

【0057】

なお、突出空間１２１ａと突出空間１２２ａとの上下関係、突出空間１２１ｂと突出空間１２２ｂとの上下関係、突出空間１２１ｃと突出空間１２２ｃとの上下関係は、図７から図９に示す関係に限られるものではなく、逆であってもよい。

【0058】

また、第１通路１２１と第２通路１２２との間に配置される磁気シールド２００の側壁２１０は、開閉可能に構成されていてもよい。例えば、側壁２１０を昇降する機構を有していてもよい。処理室１１０に基板Ｗを搬送する際は、側壁２１０を真空搬送室１２０内から退避させる。これにより、側壁２１０と搬送ユニット３０との干渉を防ぐことができる。また、２つの搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際は、側壁２１０を真空搬送室１２０内に配置する。これにより、第１通路１２１に磁気シールド２００を形成して、基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。

【0059】

また、搬送ユニット３０は、ムーバー３１とアーム３２とを備え、アーム３２で基板Ｗを支持するものとして説明したが、これに限られるものではない。図１０は、他の搬送ユニット３０Ｃの側面図の一例である。図１１は、真空搬送室１２０の平面図の他の一例である。

【0060】

搬送ユニット３０Ｃは、ムーバー３１の上に基板Ｗを載置して搬送する構成であってもよい。真空搬送室１２０には、平面モータ１０と、搬送ユニット３０Ｃと、搬送アーム１２５Ａと、を備える。搬送アーム１２５Ａは、搬送ユニット３０Ｃの上に基板Ｗを受け渡す、及び、搬送ユニット３０Ｃの上に載置された基板Ｗを受け取ることができるように構成されている。また、搬送アーム１２５Ａは、処理室１１０の載置台１１１、ロードロック室１３０の載置台１３１に基板Ｗを受け渡す、載置台１１１、載置台１３１から基板Ｗを受け取ることができるように構成されている。そして、搬送ユニット３０Ｃは、基板Ｗを載置して真空搬送室１２０内を移動することができる。これにより、搬送ユニット３０Ｃは、真空搬送室１２０内を長手方向に移動して、他の搬送アームまで基板Ｗを搬送することができる。

【0061】

真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に伸びる第１通路１２１及び第２通路１２２が設けられている。第１通路１２１と第２通路１２２とは、隣接して並行に設けられている。また、第１通路１２１には、トンネル状の磁気シールド２００が設けられている。磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に開口するように設けられている。搬送ユニット３０Ｃは、実線矢印で示すように、基板Ｗを載せた状態で磁気シールド２００内を長手方向（Ｘ方向）に移動することができる。また、搬送アーム１２５Ａは、二点鎖線で示すように、磁気シールド２００の開口から磁気シールド２００内にアクセスすることにより、磁気シールド２００内の搬送ユニット３０Ｃに基板Ｗを受け渡す、磁気シールド２００内の搬送ユニット３０Ｃから基板Ｗを受け取ることができる。

【0062】

以上、基板処理システム１００について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

【符号の説明】

【0063】

１０ 平面モータ
１５ コイル
３０，３０Ａ～３０Ｃ 搬送ユニット
３１ ムーバー
３２ アーム
３５ 永久磁石
１００ 基板処理システム
１１０ 処理室
１２０ 真空搬送室
１２１ 第１通路
１２２ 第２通路
１３０ ロードロック室
１４０ 大気搬送室
１５０ ロードポート
１６０ 制御部
２００ 磁気シールド
２１０ 側壁
２１１～２１３ 段部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】