特開 2023-74620 基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023074620

(43)【公開日】2023-05-30

(54)【発明の名称】基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20230523BHJP

   B65G 49/07 20060101ALI20230523BHJP

   B65G 51/03 20060101ALI20230523BHJP

   B05C 13/02 20060101ALI20230523BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20230523BHJP

   B05C 5/00 20060101ALI20230523BHJP

   B05D 1/26 20060101ALI20230523BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20230523BHJP

   B05D 3/04 20060101ALI20230523BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

B65G49/07 J

B65G51/03 C

B05C13/02

B05C11/10

B05C5/00 101

B05D1/26 Z

B05D3/00 C

B05D3/00 D

B05D3/04 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021187633

(22)【出願日】2021-11-18

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】太田 義治

【テーマコード（参考）】

4D075

4F041

4F042

5F131

【Ｆターム（参考）】

4D075AC06

4D075AC09

4D075AC71

4D075AC78

4D075AC80

4D075AC88

4D075AC91

4D075AC93

4D075AC94

4D075AC95

4D075BB41Z

4D075BB57X

4D075BB57Y

4D075BB57Z

4D075BB66Z

4D075CA47

4D075CA48

4D075DA06

4D075EA05

4D075EA45

4F041AA02

4F041AB01

4F041BA01

4F041BA10

4F041BA13

4F041BA22

4F042AA02

4F042BA04

4F042BA06

4F042BA08

4F042BA12

4F042BA13

4F042BA19

4F042DF05

4F042DF10

4F042DF22

4F042DF25

4F042DF27

4F042DF29

4F042DF30

4F042DH09

5F131AA03

5F131AA32

5F131BA12

5F131CA03

5F131CA06

5F131DA02

5F131DA33

5F131DA42

5F131DC12

5F131DC15

5F131DC19

5F131DD33

5F131DD78

5F131EA06

5F131EA22

5F131EB41

(57)【要約】

【課題】基板に対する処理を適切に行う。
【解決手段】本開示による基板処理装置は、浮上ステージと、処理部と、第１保持部と、第１移動機構と、第２移動機構と、制御部とを備える。浮上ステージは、噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる。処理部は、浮上ステージよりも上方に配置される。第１保持部は、浮上ステージによって浮上した基板を保持する。第１移動機構は、浮上ステージを基板の搬送方向に沿って移動させる。第２移動機構は、第１保持部を搬送方向に沿って移動させる。制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、処理部よりも搬送方向上流の開始位置から搬送方向下流の終了位置まで第１保持部および浮上ステージを移動させつつ、処理部を制御して基板に対する処理を行う。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる浮上ステージと、
前記浮上ステージよりも上方に配置された処理部と、
前記浮上ステージによって浮上した前記基板を保持する第１保持部と、
前記浮上ステージを前記基板の搬送方向に沿って移動させる第１移動機構と、
前記第１保持部を前記搬送方向に沿って移動させる第２移動機構と、
前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記処理部よりも前記搬送方向上流の開始位置から前記搬送方向下流の終了位置まで前記第１保持部および前記浮上ステージを移動させつつ、前記処理部を制御して前記基板に対する処理を行う制御部と
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記浮上ステージは、前記開始位置において前記処理部よりも前記搬送方向上流に全体が位置する、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記浮上ステージは、前記終了位置において前記処理部よりも前記搬送方向下流に全体が位置する、請求項１または２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記浮上ステージよりも前記搬送方向上流に配置され、噴出する気体の圧力によって前記基板を浮上させる搬入ステージと、
前記搬入ステージによって浮上した前記基板を保持する第２保持部と、
前記搬入ステージを前記搬送方向に沿って移動させる第３移動機構と、
前記第２保持部を前記搬送方向に沿って移動させる第４移動機構と
を備える、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、
前記基板が前記搬入ステージによって浮上され、かつ、前記第２保持部によって保持された状態で、前記搬入ステージと前記浮上ステージとを近接させた後、前記第１移動機構を制御して前記浮上ステージを前記搬送方向上流に向けて移動させつつ、前記第３移動機構を制御して前記搬入ステージを前記搬送方向上流に向けて移動させることにより、前記基板を前記搬入ステージから前記浮上ステージに移し替える、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、
前記搬入ステージを制御して、前記基板を浮上させ、
その後、前記第２保持部を制御して、前記搬入ステージによって浮上した前記基板を保持し、
その後、前記第３移動機構および前記第４移動機構を制御して、前記搬入ステージおよび前記第２保持部を前記開始位置よりも前記搬送方向上流の搬入位置から移動させることにより、前記基板を前記開始位置に配置させ、
その後、前記第１移動機構を制御して、前記浮上ステージを前記終了位置から移動させて前記搬入ステージに近接させ、
その後、前記第１移動機構を制御して、前記浮上ステージを前記開始位置へ移動させつつ、前記第３移動機構を制御して、前記搬入ステージを前記搬入位置へ移動させることにより、前記基板を前記浮上ステージに移し替え、
その後、前記第２保持部を制御して、前記第２保持部による前記基板の保持を解除し、前記第１保持部を制御して、前記浮上ステージによって浮上した前記基板を保持し、
その後、前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記開始位置から前記終了位置まで前記第１保持部および前記浮上ステージを移動させつつ、前記処理部を制御して前記基板に対する処理を行う、請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部は、
前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記浮上ステージおよび前記第１保持部を前記終了位置から前記開始位置へ移動させる場合において、少なくとも前記浮上ステージが前記処理部の下方を通過する間、前記浮上ステージからの前記気体の噴出を停止する、請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記浮上ステージよりも前記搬送方向下流に配置され、噴出する気体の圧力によって前記基板を浮上させる搬出ステージと、
前記搬出ステージによって浮上した前記基板を保持する第３保持部と、
前記搬出ステージを前記搬送方向に沿って移動させる第５移動機構と、
前記第３保持部を前記搬送方向に沿って移動させる第６移動機構と
を備える、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記制御部は、
前記基板が前記浮上ステージによって浮上された状態で、前記浮上ステージと前記搬出ステージとを近接させた後、前記第３保持部を制御して前記基板を保持し、その後、前記第１移動機構を制御して前記浮上ステージを前記搬送方向上流に向けて移動させつつ、前記第５移動機構を制御して前記搬出ステージを前記搬送方向上流に向けて移動させることにより、前記基板を前記浮上ステージから前記搬出ステージに移し替える、請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記制御部は、
前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記開始位置から前記終了位置まで前記第１保持部および前記浮上ステージを移動させる際、前記第１保持部に対する前記浮上ステージの相対速度を変化させる、請求項１～９のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記制御部は、
前記相対速度を遅くする処理と前記相対速度を速くする処理とを交互に行う、請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記浮上ステージから噴出させる前記気体の温度を調整する温度調整部を備える、請求項１～１１のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記処理部は、前記基板に対して機能液の液滴を吐出する吐出ヘッドを有し、
前記浮上ステージの前記搬送方向における端部に設けられ、前記吐出ヘッドから吐出される前記機能液を受ける液受部を備える、請求項１～１２のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記浮上ステージは、
前記基板の下面と対向する載置面と、
前記載置面に設けられ、前記気体を噴出する複数の噴出口と、
前記載置面のうち、前記基板の前記搬送方向における端部の下方に位置する端部領域に設けられ、気体を吸引する複数の吸引口と
を備え、
前記制御部は、
前記複数の噴出口から前記気体を噴出させつつ前記複数の吸引口から気体を吸引することにより、前記基板の前記端部以外の領域を前記載置面から浮上させつつ前記基板の前記搬送方向における端部を前記載置面に吸着させる、請求項１～１３のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項15】

噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる浮上ステージと、
前記浮上ステージよりも上方に配置された処理部と、
前記浮上ステージによって浮上した前記基板を保持する第１保持部と、
前記浮上ステージを前記基板の搬送方向に沿って移動させる第１移動機構と、
前記第１保持部を前記搬送方向に沿って移動させる第２移動機構と
を備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記処理部よりも前記搬送方向上流の開始位置から前記搬送方向下流の終了位置まで前記第１保持部および前記浮上ステージを移動させる移動工程と、
前記移動工程と並行して、前記処理部を制御して前記基板に対する処理を行う処理工程と
を含む、基板処理方法。

【請求項16】

噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる浮上ステージと、
前記浮上ステージよりも上方に配置された処理部と、
前記浮上ステージによって浮上した前記基板を保持する第１保持部と、
前記浮上ステージを前記基板の搬送方向に沿って移動させる第１移動機構と、
前記第１保持部を前記搬送方向に沿って移動させる第２移動機構と
を備えた基板処理装置に対し、
前記第１移動機構および前記第２移動機構を制御して、前記処理部よりも前記搬送方向上流の開始位置から前記搬送方向下流の終了位置まで前記第１保持部および前記浮上ステージを移動させる移動手順と、
前記移動手順と並行して、前記処理部を制御して前記基板に対する処理を行う処理手順と
を実行させる、基板処理プログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、浮上ステージによって浮上させた基板を水平方向に搬送しながら、基板の上方に配置された処理部を用いて基板の処理を行う基板処理装置が知られている。

【0003】

この種の基板処理装置として、たとえば、搬送される基板に対して塗布液の液滴をインクジェット方式で塗布する塗布装置が知られている。

【0004】

特許文献１には、上方に向かって噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる浮上ステージと、浮上ステージから浮上した基板を搬送する搬送部と、搬送部によって搬送される基板の上方から機能液の液滴を滴下する塗布部とを備えた塗布装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０１８－１２６７１８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本開示は、基板に対する処理を適切に行うことができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の一態様による基板処理装置は、浮上ステージと、処理部と、第１保持部と、第１移動機構と、第２移動機構と、制御部とを備える。浮上ステージは、噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる。処理部は、浮上ステージよりも上方に配置される。第１保持部は、浮上ステージによって浮上した基板を保持する。第１移動機構は、浮上ステージを基板の搬送方向に沿って移動させる。第２移動機構は、第１保持部を搬送方向に沿って移動させる。制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、処理部よりも搬送方向上流の開始位置から搬送方向下流の終了位置まで第１保持部および浮上ステージを移動させつつ、処理部を制御して基板に対する処理を行う。

【発明の効果】

【0008】

本開示によれば、基板に対する処理を適切に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理装置の一部を示す模式的な平面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る第１移動機構および第２移動機構の構成を示す模式図である。

【図3】図３は、実施形態に係る第１移動機構および第２移動機構の構成を示す模式図である。

【図4】図４は、実施形態に係る搬入ステージおよび第２保持部の構成を示す模式図である。

【図5】図５は、実施形態に係る搬出ステージおよび第３保持部の構成を示す模式図である。

【図6】図６は、実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の手順を示すフローチャートである。

【図7】図７は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図8】図８は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図9】図９は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図10】図１０は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図11】図１１は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図12】図１２は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図13】図１３は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図14】図１４は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図15】図１５は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す模式図である。

【図16】図１６は、第１変形例に係る浮上ステージの模式的な平面図である。

【図17】図１７は、第１変形例に係る浮上ステージの模式的な側面図である。

【図18】図１８は、第２変形例に係る塗布処理における浮上ステージおよび第１保持部の移動速度の制御方法の説明図である。

【図19】図１９は、第２変形例に係る塗布処理における浮上ステージおよび第１保持部の移動速度の制御方法の説明図である。

【図20】図２０は、第２変形例に係る塗布処理における浮上ステージおよび第１保持部の移動速度の制御方法の説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に、本開示による基板処理装置、基板処理方法および基板処理プログラムを実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。

【0011】

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、たとえば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。

【0012】

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。

【0013】

特許文献１には、上方に向かって噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる浮上ステージと、浮上ステージから浮上した基板を搬送する搬送部と、搬送部によって搬送される基板の上方から機能液の液滴を滴下する塗布部とを備えた塗布装置が開示されている。

【0014】

この種の塗布装置には、塗布部の吐出ヘッドに溜まっている機能液が浮上ステージから噴出される気体によって乾燥することで、機能液の吐出不良が生じるおそれがある。

【0015】

かかる課題は、基板に対して機能液を吐出する場合に限らず、浮上ステージによって浮上した状態で搬送される基板に対し、基板の上方に配置された処理部を用いて基板の処理を行う基板処理装置に共通する課題である。塗布部以外の処理部としては、たとえば、基板の上方から基板に対して洗浄液を吐出して基板を洗浄する洗浄部、基板の上方から基板に対して現像液を吐出して基板上の露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する現像部などが挙げられる。

【0016】

そこで、この種の基板処理装置においては、基板に対する処理を適切に行うことができる技術が期待されている。具体的には、浮上ステージから噴出する気体の影響を受けることなく基板を処理することができる技術が期待されている。

【0017】

また、この種の基板処理装置においては、基板の移載を効率化することで、基板処理装置の生産性を向上させるという点でさらなる改善の余地がある。

【0018】

まず、実施形態に係る基板処理装置１の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の一部を示す模式的な平面図である。図２は、実施形態に係る第１移動機構および第２移動機構の構成を示す模式図である。図２は、第１移動機構および第２移動機構よりも搬送方向（ここでは、Ｙ軸方向）の上流側（すなわち、第１移動機構および第２移動機構のＹ軸負方向側）から第１移動機構および第２移動機構を見た模式図である。

【0019】

ここでは、本開示による基板処理装置の一態様として、基板Ｓを水平方向に搬送しながら機能液の液滴をインクジェット方式で基板Ｓに塗布する塗布装置を例に挙げて説明する。基板Ｓは、たとえば、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である。

【0020】

基板処理装置１は、浮上ステージ２と、複数（ここでは、４つ）の第１保持部３と、第１移動機構４と、第２移動機構５と、塗布部６とを備える。また、基板処理装置１は、搬入ステージ７と、第２保持部８と、搬出ステージ９と、第３保持部１０と、検査機構１１とを備える。

【0021】

かかる基板処理装置１では、搬入ステージ７において塗布処理前の基板Ｓを搬入する処理が行われる。つづいて、基板処理装置１では、浮上ステージ２において基板Ｓの塗布処理が行われる。そして、基板処理装置１では、搬出ステージ９において塗布処理後の基板Ｓを搬出する処理が行われる。また、基板処理装置１では、塗布処理前の基板Ｓを搬入ステージ７から浮上ステージ２へ移し替える処理および塗布処理後の基板Ｓを浮上ステージ２から搬出ステージ９へ移し替える処理が行われる。

【0022】

浮上ステージ２は、基板Ｓの下面と対向する載置面を有し、載置面から上方に向けて噴出する気体の圧力によって載置面に載置された基板を浮上させることができる。

【0023】

図２は、実施形態に係る浮上ステージ２の模式的な平面図である。図２に示すように、浮上ステージ２は、たとえばアルミニウム等の金属で形成される。アルミニウムで形成された浮上ステージ２は、軽量である。浮上ステージ２は、載置面２１に開口する複数の噴出口２２と複数の吸引口２３とを有する。

【0024】

複数の噴出口２２は、たとえば浮上ステージ２の内部に形成された第１内部空間を介して図示しない給気部に接続される。図示しない給気部は、圧縮された気体（たとえば、空気）を第１内部空間に供給する。第１内部空間に供給された気体は、複数の噴出口２２から上方に向かって噴出する。これにより、浮上ステージ２は、基板Ｓに浮上力を与えることができる。

【0025】

複数の吸引口２３は、たとえば浮上ステージ２の内部に形成された第２内部空間を介して図示しない吸引部に接続される。図示しない吸引部は、第２内部空間および複数の吸引口２３を介して載置面２１上方の気体を吸引する。これにより、浮上ステージ２は、基板Ｓに吸引力を与えることができる。

【0026】

このように、浮上ステージ２は、気体を噴出する噴出口２２に加えて、気体を吸引する吸引口２３を有しており、気体の吸引量と気体の噴出量とを調整することにより、基板Ｓの載置面２１からの浮上高さを高精度に制御することができる。

【0027】

複数の噴出口２２および複数の吸引口２３は、載置面２１に載置された基板Ｓの下面の略全面に配置される。複数の噴出口２２および複数の吸引口２３が形成されている領域（以下、「浮上領域２４」と記載する）のうち、基板Ｓの搬送方向（ここでは、Ｙ軸方向）における端部の下方に位置する領域を端部領域２４１と記載する。

【0028】

ここで、浮上領域２４のうち、端部領域２４１における噴出口２２に対する吸引口２３の割合は、浮上領域２４のうち端部領域２４１以外の領域２４２における噴出口２２に対する吸引口２３の割合より高くてもよい。たとえば、端部領域２４１以外の領域２４２に、噴出口２２と吸引口２３とが１対１の割合で設けられているとする。この場合、端部領域２４１には、噴出口２２と吸引口２３とが、たとえば１対２の割合で設けられていてもよい。

【0029】

基板Ｓは、反りを有する場合がある。塗布部６が有する複数の吐出ヘッドと基板Ｓとのギャップは、たとえば数１００μｍ程度と僅かであるため、基板Ｓに反りがあると基板Ｓと吐出ヘッドとが干渉してしまうおそれがある。ここで、基板Ｓの中央部の反りについては、気体の吸引力によってある程度矯正することが可能である。しかしながら、気体の吸引力は、基板Ｓの中央部と比べて基板Ｓの端部には働きにくい。このため、基板Ｓの端部の反りについては、十分に矯正されない可能性がある。

【0030】

これに対し、端部領域２４１における吸引口２３の割合を相対的に増やすことで、基板Ｓの搬送方向における端部に対する吸引力を、他の領域に対する吸引力と比べて相対的に強くすることができる。このため、実施形態に係る浮上ステージ２によれば、基板Ｓの反りを抑制することができる。基板Ｓの反りが抑制されることで、基板Ｓと塗布部６との干渉が抑制される。このため、実施形態に係る基板処理装置１は、反りのある基板を適切に搬送することができる。

【0031】

基板Ｓの搬送方向における端部の反りを抑制する手法は、上記の例に限定されない。たとえば、端部領域２４１には、吸引口２３のみが設けられてもよい。言い換えれば、複数の吸引口２３は、浮上領域２４全体に設けられるのに対し、複数の噴出口２２は、浮上領域２４のうち端部領域２４１以外の領域２４２にのみ設けられてもよい。このように構成した場合、基板Ｓの搬送方向における端部以外の領域を載置面２１から浮上させつつ、基板Ｓの搬送方向における端部を載置面２１に吸着させることができる。これにより、基板Ｓの反りを抑制することができる。

【0032】

浮上ステージ２は、基板Ｓの搬送方向における端部に、後述する第２保持部８を挿通可能な切り欠き２５を備える。基板Ｓの外周部の一部は、この切り欠き２５の上方に位置している。切り欠き２５は、基板Ｓの搬送方向における上流側の端部および下流側の端部にそれぞれ設けられている。

【0033】

複数の第１保持部３は、浮上ステージ２によって浮上した基板Ｓを保持する。具体的には、複数の第１保持部３は、基板Ｓの下方から基板Ｓの下面の四隅を吸着保持する。

【0034】

第１移動機構４は、浮上ステージ２を基板Ｓの搬送方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って移動させる。第２移動機構５は、複数の第１保持部３を搬送方向に沿って移動させる。

【0035】

ここで、第１移動機構４および第２移動機構５の構成について図３を参照して具体的に説明する。図３は、実施形態に係る第１移動機構４および第２移動機構５の構成を示す模式図である。

【0036】

図３に示すように、第１移動機構４および第２移動機構５は、ベース部４０の上部に設置される。第１移動機構４は、ガイドレール４１と、スライダ４２とを備える。ガイドレール４１は、搬送方向に沿って延在する部材である。ガイドレール４１は、後述する第２移動機構５が備える一対のガイドレール５１の間に配置される。スライダ４２は、ガイドレール４１上に配置され、ガイドレール４１に沿って移動可能である。スライダ４２は、駆動部４２５を備える。駆動部４２５は、スライダ４２を搬送方向に沿って移動させる。駆動部４２５は、たとえば、リニアモータである。

【0037】

第２移動機構５は、一対のガイドレール５１，５１と、一対のスライダ５２，５２とを備える。一対のガイドレール５１，５１は、搬送方向に沿って延在する部材であり、浮上ステージ２を挟むように浮上ステージ２の左右両側方（Ｘ軸正方向およびＸ軸負方向）に配置される。スライダ５２は、ガイドレール５１上に配置され、ガイドレール５１に沿って移動可能である。

【0038】

スライダ５２は、ガイドレール５１の側面と対向する側壁部５２１と、ガイドレール５１の上面と対向する上壁部５２２とを備える。また、スライダ５２は、側壁部５２１におけるガイドレール５１との対向面に第１浮上パッド５２３を備えるとともに、上壁部５２２におけるガイドレール５１との対向面に第２浮上パッド５２４を備える。

【0039】

第１浮上パッド５２３は、圧縮された気体（たとえば、空気）をガイドレール５１の側面に向けて噴射する。また、第２浮上パッド５２４は、圧縮された気体（たとえば、空気）をガイドレール５１の上面に向けて噴射する。これら第１浮上パッド５２３および第２浮上パッド５２４から噴射される気体により、スライダ５２は、ガイドレール５１に対して浮上することができる。

【0040】

また、スライダ５２は、駆動部５２５を備える。駆動部５２５は、第１浮上パッド５２３および第２浮上パッド５２４によってガイドレール５１から浮上したスライダ５２を搬送方向に沿って移動させる。駆動部５２５は、たとえば、リニアモータである。

【0041】

複数の第１保持部３は、スライダ５２上に配置される。図１に示すように、ここでは、１つのスライダ５２に対して２つの第１保持部３が設けられる場合の例を示しており、複数の第１保持部３は、基板Ｓの下方から基板Ｓの下面の四隅を吸着保持する。

【0042】

第１保持部３は、スライダ５２における上壁部５２２の上面に設けられる。第１保持部３は、吸着パッド３１と、Ｙ移動部３２と、Ｘ移動部３３とを備える。吸着パッド３１は、基板Ｓの下面を吸引することによって、基板Ｓを吸着する。Ｙ移動部３２は、吸着パッド３１の下方に設けられ、吸着パッド３１を基板Ｓの搬送方向であるＹ軸方向に沿って移動可能に支持する。Ｘ移動部３３は、Ｙ移動部３２の下方に設けられ、Ｙ移動部３２を基板Ｓの搬送方向と直交するＸ軸方向に沿って移動可能に支持する。Ｙ移動部３２に対する吸着パッド３１の移動およびＸ移動部３３に対するＹ移動部３２の移動は従動的である。なお、第１保持部３は、Ｙ移動部３２およびＸ移動部３３の他に、吸着パッド３１を鉛直軸周りに回転させる回転部を備えていてもよい。

【0043】

図１に戻り、塗布部６の構成について説明する。塗布部６は、搬送方向に沿って搬送される基板Ｓの上方から基板Ｓに対して機能液の液滴を吐出することによって、基板Ｓに機能液を塗布する。機能液は、たとえばインクである。

【0044】

具体的には、塗布部６は、複数の吐出ヘッドを備える。複数の吐出ヘッドは、基板Ｓの搬送方向（Ｙ軸方向）および搬送方向と直交する方向（Ｘ軸方向）にマトリクス状に配列されている。なお、複数の吐出ヘッドの数や配列は、図示の例に限定されない。

【0045】

各吐出ヘッドは、複数のノズルを下面に有しており、これら複数のノズルから機能液の液滴と下方に向けて吐出する。

【0046】

塗布部６は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に延在する一対のレール６５，６５に沿って移動可能である。一対のレール６５，６５は、搬送方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に延びるように設けられる。一対のレール６５，６５間には、図示しないメンテナンス部が設けられる。塗布部６は、メンテナンス部の上方となる位置と、基板Ｓに機能液を吐出する位置との間で移動可能である。

【0047】

搬入ステージ７は、浮上ステージ２よりも基板Ｓの搬送方向上流に配置される。搬入ステージ７は、噴出する気体の圧力によって基板Ｓを浮上させる。搬入ステージ７は、基板Ｓの搬送方向に沿って延在する複数のステージ部材７１を有しており、これら複数のステージ部材７１は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に互いに間隔をあけて並べられている。各ステージ部材７１は、気体を噴射する複数の噴出口を有しており、複数の噴出口から圧縮された気体（たとえば空気）を上方に向けて噴出することにより、基板Ｓを浮上させる。

【0048】

第２保持部８は、搬入ステージ７によって浮上した基板Ｓを保持する。第２保持部８は、基板Ｓの搬送方向上流の端部を下方から吸着保持する。第２保持部８は、搬入ステージ７が有する複数のステージ部材７１の間を挿通可能である。

【0049】

ここで、搬入ステージ７および第２保持部８の構成について図４を参照して説明する。図４は、実施形態に係る搬入ステージ７および第２保持部８の構成を示す模式図である。

【0050】

図４に示すように、搬入ステージ７は、ローラ７２を備える。ローラ７２は、ステージ部材７１の搬送方向下流側の端部に設けられる。ローラ７２は、搬送方向と直交する方向に延在する回転軸まわりに回転可能である。ローラ７２は、浮上ステージ２および搬入ステージ７間で基板Ｓの移し替えが行われる際に、基板Ｓの下面を支持しつつ回転する。このように、ローラ７２を備えることにより、浮上ステージ２と搬入ステージ７との干渉を抑制しつつ、浮上ステージ２および搬入ステージ７間における基板Ｓの移し替えを適切に行うことができる。

【0051】

搬入ステージ７は、給気部７５および第３移動機構７６に接続される。給気部７５は、各ステージ部材７１の内部空間に対して圧縮された気体を供給する。内部空間に供給された気体は、ステージ部材７１の上面に形成された複数の噴出口から上方に向かって噴出する。これにより、搬入ステージ７は、基板Ｓに浮上力を与えることができる。第３移動機構７６は、搬入ステージ７を搬送方向に沿って移動させる。第３移動機構７６は、複数のステージ部材７１を一体的に移動させる。

【0052】

第２保持部８は、ベース８１と、アーム８２と、吸着パッド８３とを備える。ベース８１は、たとえば鉛直方向に延在する支柱部材である。アーム８２は、たとえば水平方向に沿って延在する部材である。アーム８２の基端部は、ベース８１の上面に固定される。アーム８２の先端部は、アーム８２の基端部よりも搬送方向下流側に位置する。

【0053】

吸着パッド８３は、アーム８２の先端部に設けられる。吸着パッド８３は、真空ポンプなどの排気部８５に接続されている。第２保持部８は、排気部８５の吸気によって発生する負圧を利用して、基板Ｓの下面を吸着パッド８３に吸着させることにより、基板Ｓを保持する。

【0054】

ベース８１は、第４移動機構８６に接続される。第４移動機構８６は、ベース８１を搬送方向に沿って移動可能である。ベース８１上に設けられたアーム８２および吸着パッド８３は、第４移動機構８６により、搬送方向に沿って移動することができる。上述したように、第２保持部８は、搬入ステージ７が有する複数のステージ部材７１間の隙間を挿通可能である。このため、第２保持部８は、搬入ステージ７と干渉することなく、言い換えれば、搬入ステージ７とオーバーラップするように、搬送方向に沿って移動することができる。また、第２保持部８が備える吸着パッド８３は、浮上ステージ２の搬送方向上流側の端部に設けられた切り欠き２５を挿通可能である。これにより、吸着パッド８３は、浮上ステージ２上に位置する基板Ｓの下面を吸着保持することができる。

【0055】

搬出ステージ９は、浮上ステージ２よりも基板Ｓの搬送方向下流に配置される。搬出ステージ９は、噴出する気体の圧力によって基板Ｓを浮上させる。搬出ステージ９は、基板Ｓの搬送方向に沿って延在する複数のステージ部材９１を有しており、これら複数のステージ部材９１は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に互いに間隔をあけて並べられている。各ステージ部材９１は、気体を噴射する複数の噴出口を有しており、複数の噴出口から圧縮された気体（たとえば空気）を上方に向けて噴出することにより、基板Ｓを浮上させる。

【0056】

第３保持部１０は、搬出ステージ９によって浮上した基板Ｓを保持する。第３保持部１０は、基板Ｓの搬送方向下流の端部を下方から吸着保持する。第３保持部１０は、搬出ステージ９が有する複数のステージ部材９１の間を挿通可能である。

【0057】

ここで、搬出ステージ９および第３保持部１０の構成について図５を参照して説明する。図５は、実施形態に係る搬出ステージ９および第３保持部１０の構成を示す模式図である。

【0058】

図５に示すように、搬出ステージ９は、ローラ９２を備える。ローラ９２は、ステージ部材９１の搬送方向上流側の端部に設けられる。ローラ９２は、搬送方向と直交する方向に延在する回転軸まわりに回転可能である。ローラ９２は、浮上ステージ２および搬出ステージ９間で基板Ｓの移し替えが行われる際に、基板Ｓの下面を支持しつつ回転する。このように、ローラ９２を備えることにより、浮上ステージ２と搬出ステージ９との干渉を抑制しつつ、浮上ステージ２および搬出ステージ９間における基板Ｓの移し替えを適切に行うことができる。

【0059】

搬出ステージ９は、給気部９５および第５移動機構９６に接続される。給気部９５は、各ステージ部材９１の内部空間に対して圧縮された気体を供給する。内部空間に供給された気体は、ステージ部材９１の上面に形成された複数の噴出口から上方に向かって噴出する。これにより、搬出ステージ９は、基板Ｓに浮上力を与えることができる。第５移動機構９６は、搬出ステージ９を搬送方向に沿って移動させる。第５移動機構９６は、複数のステージ部材９１を一体的に移動させる。

【0060】

第３保持部１０は、ベース１０１と、アーム１０２と、吸着パッド１０３とを備える。ベース１０１は、たとえば鉛直方向に延在する支柱部材である。アーム１０２は、たとえば水平方向に沿って延在する部材である。アーム１０２の基端部は、ベース１０１の上面に固定される。アーム１０２の先端部は、アーム１０２の基端部よりも搬送方向上流側に位置する。

【0061】

吸着パッド１０３は、アーム１０２の先端部に設けられる。吸着パッド１０３は、真空ポンプなどの排気部１０５に接続されている。第３保持部１０は、排気部１０５の吸気によって発生する負圧を利用して、基板Ｓの下面を吸着パッド１０３に吸着させることにより、基板Ｓを保持する。

【0062】

また、ベース１０１は、第６移動機構１０６に接続される。第６移動機構１０６は、ベース１０１を搬送方向に沿って移動可能である。ベース１０１上に設けられたアーム１０２および吸着パッド１０３は、第６移動機構１０６により、搬送方向に沿って移動することができる。上述したように、第３保持部１０は、搬出ステージ９が有する複数のステージ部材９１間の隙間を挿通可能である。このため、第３保持部１０は、搬出ステージ９と干渉することなく、言い換えれば、搬出ステージ９とオーバーラップするように、搬送方向に沿って移動することができる。また、第３保持部１０が備える吸着パッド１０３は、浮上ステージ２の搬送方向下流側の端部に設けられた切り欠き２５を挿通可能である。これにより、吸着パッド１０３は、浮上ステージ２上に位置する基板Ｓの下面を吸着保持することができる。

【0063】

検査機構１１は、搬入ステージ７よりも搬送方向下流かつ搬出ステージ９よりも搬送方向上流に配置される。検査機構１１は、塗布部６の吐出ヘッドから吐出された機能液の液滴を検査フィルムによって受けて、液滴の吐出状態を撮像部によって撮像する。検査機構１１は、搬送方向に沿って移動可能である。具体的には、検査機構１１は、浮上ステージ２よりも高く、塗布部６よりも低い位置に配置されている。このように、検査機構１１は、浮上ステージ２と干渉しない高さに配置されている。このため、検査機構１１は、浮上ステージ２を超えて浮上ステージ２よりも搬送方向上流または搬送方向下流の位置へ移動することができる。

【0064】

なお、塗布部６は、昇降機構を備えていてもよい。この場合、基板処理装置１は、検査機構１１が塗布部６を通過する間、昇降機構を用いて塗布部６を上昇させておくことで、塗布部６と検査機構１１との干渉を抑制することができる。

【0065】

また、基板処理装置１は、制御装置１００を備える。制御装置１００は、たとえばコンピュータであり、制御部１１０と記憶部１２０とを備える。記憶部１２０には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラム（基板処理プログラムの一例）が格納される。制御部１１０は、記憶部１２０に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１の動作を制御する。

【0066】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、記憶媒体から制御装置１００の記憶部１２０にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0067】

実施形態に係る基板処理装置１は、制御装置１００の制御に従い、浮上ステージ２に載置された基板Ｓを第２移動機構５を用いて搬送方向下流に向かって移動させながら、塗布部６を用いて基板Ｓの上面に機能液の液滴を吐出する。これにより、基板処理装置１は、基板Ｓに対して描画を行う。また、基板処理装置１は、制御装置１００の制御に従い、塗布処理前の基板Ｓを搬入ステージ７から浮上ステージ２へ移し替える処理、および、塗布処理後の基板Ｓを浮上ステージ２から搬出ステージ９へ移し替える処理を行う。

【0068】

かかる基板処理装置１の動作について図６および図７～図１１を参照して具体的に説明する。図６は、実施形態に係る基板処理装置１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。また、図７～図１５は、実施形態に係る基板処理装置１の動作例を示す模式図である。なお、図６に示す各処理手順は、制御装置１００による制御に従って実行される。

【0069】

また、図７～図１５では、２つの基板Ｓ（以下、「第１基板Ｓ１」および「第２基板Ｓ２」と記載する）を示している。第１基板Ｓ１は、塗布処理後の基板Ｓである。また、第２基板Ｓ２は、図７～図１０においては塗布処理前の基板Ｓである。図６に示すフローチャートは、第２基板Ｓ２についての処理手順を示している。また、図７～図１１では、理解を容易にするために、塗布部６のみ側面視で図示している。

【0070】

図６に示すように、基板処理装置１では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。

【0071】

搬入処理の開始時において、搬入ステージ７は、基板Ｓの搬送経路の最上流である搬入位置に配置されている。なお、搬入位置は、塗布処理の開始位置よりもさらに搬送方向上流に位置する。

【0072】

搬入処理では、まず、搬送ロボット等の図示しない搬送手段によって第２基板Ｓ２が搬入ステージ７上に載置される（図７参照）。制御部１１０は、搬入ステージ７を制御して、搬入ステージ７から圧縮された気体を噴出することにより第２基板Ｓ２を浮上させる。また、制御部１１０は、第２保持部８を制御して、搬入ステージ７によって浮上した第２基板Ｓ２を吸着保持する。

【0073】

なお、図７に示すように、第２基板Ｓ２の搬入処理が行われているとき、浮上ステージ２上には第１基板Ｓ１が位置している。このとき、浮上ステージ２、第１保持部３および第１基板Ｓ１は、塗布部６よりも搬送方向下流側に位置しており、浮上ステージ２と搬出ステージ９とは近接した状態となっている。

【0074】

つづいて、基板処理装置１では、第２基板Ｓ２を搬入ステージ７から浮上ステージ２に移し替える第１移載処理が行われる（ステップＳ１０２）。

【0075】

具体的には、制御部１１０は、第３移動機構７６および第４移動機構８６（図４参照）を制御して、搬入ステージ７および第２保持部８を図７に示す搬入位置から移動させることにより、第２基板Ｓ２を塗布処理の開始位置に配置させる（図８参照）。

【0076】

また、この処理と並行して、制御部１１０は、第６移動機構１０６（図５参照）を制御して、第３保持部１０を搬送方向上流に向かって移動させることにより、第３保持部１０の吸着パッド１０３を第１基板Ｓ１の下面と対向する位置に配置させる。そして、制御部１１０は、排気部１０５を制御して、第１基板Ｓ１の下面を吸着パッド１０３に吸着させることにより、第１基板Ｓ１を第３保持部１０に保持させる。

【0077】

つづいて、制御部１１０は、第１移動機構４および第２移動機構５を制御して、浮上ステージ２および第２移動機構５を塗布処理の終了位置から搬送方向上流に向かって移動させることにより、浮上ステージ２を搬入ステージ７に近接させる（図９参照）。

【0078】

このとき、制御部１１０は、浮上ステージ２の上記移動に合わせて第５移動機構９６（図５参照）を制御して、搬出ステージ９を搬送方向上流に向かって移動させる。これにより、搬出ステージ９と浮上ステージ２とが近接した状態で、搬出ステージ９と浮上ステージ２とが搬送方向上流に向かって移動する。このとき、第１基板Ｓ１は第３保持部１０によって保持されている。また、第１保持部３による第１基板Ｓ１の保持は解除されている。このため、第１基板Ｓ１の位置は変化することなく、浮上ステージ２が第１基板Ｓ１の下方から退出していくとともに、搬出ステージ９が第１基板Ｓ１の下方に進入する。これにより、第１基板Ｓ１は、浮上ステージ２から搬出ステージ９へ移し替えられる（図１０参照）。

【0079】

つづいて、制御部１１０は、第１移動機構４（図３参照）を制御して、浮上ステージ２を塗布処理の開始位置へ移動させつつ、第３移動機構７６（図４参照）を制御して、搬入ステージ７を搬入位置へ移動させる。このとき、第２基板Ｓ２は、第２保持部８によって保持されている。このため、第２基板Ｓ２の位置は塗布処理の開始位置のまま、搬入ステージ７が第２基板Ｓ２の下方から退出していくとともに、浮上ステージ２が第２基板Ｓ２の下方に進入する。これにより、第２基板Ｓ２は、搬入ステージ７から浮上ステージ２へ移し替えられる（図１０参照）。

【0080】

つづいて、制御部１１０は、第２保持部８の排気部８５を制御して、第２保持部８による第２基板Ｓ２の保持を解除する。また、制御部１１０は、第１保持部３の第２移動機構５を制御して、浮上ステージ２によって浮上した第２基板Ｓ２を吸着保持する。

【0081】

第１移載処理において、浮上ステージ２および搬入ステージ７は、気体を噴出させた状態となっている。これにより、基板処理装置１は、第２基板Ｓ２を浮上させた状態で、搬入ステージ７から浮上ステージ２へ第２基板Ｓ２を移動させることができる。したがって、第２基板Ｓ２を搬入ステージ７から浮上ステージ２へ移動させる際に、第２基板Ｓ２に損傷を与えることを抑制することができる。

【0082】

第１移載処理の後、基板処理装置１では、塗布処理が行われる（ステップＳ１０３）。

【0083】

具体的には、制御部１１０は、第１移動機構４および第２移動機構５を制御して、塗布部６よりも搬送方向上流の開始位置から、塗布部６よりも搬送方向下流の終了位置まで、第１保持部３および浮上ステージ２を移動させる（図１１参照）。また、この処理と並行して、制御部１１０は、塗布部６を制御して、搬送される第２基板Ｓ２の上方から第２基板Ｓ２に対して機能液の液滴を吐出する。

【0084】

浮上ステージ２は、塗布処理の開始位置においては、塗布部６よりも搬送方向上流に全体が位置している。また、浮上ステージ２は、塗布処理の終了位置においては、塗布部６よりも搬送方向下流に全体が位置している。このため、浮上ステージ２は、第１移載処理（図９参照）において塗布処理の開始位置に戻るときと、塗布処理において開始位置から終了位置に移動するときを除き、塗布部６の下方には存在しない。このため、浮上ステージ２から噴出する気体によって塗布部６の吐出ヘッドに溜まっている機能液が乾燥する事態が生じにくい。これにより、機能液の吐出不良の発生が抑制される。したがって、実施形態に係る基板処理装置１によれば、基板Ｓに対する処理（ここでは、塗布処理）を適切に行うことができる。

【0085】

ところで、塗布処理において浮上ステージ２が開始位置から終了位置に移動するときは、浮上ステージ２上に第２基板Ｓ２が位置しているため、浮上ステージ２から噴出する気体が塗布部６の吐出ヘッドに当たることはない。しかしながら、第１移載処理（図９参照）において浮上ステージ２が塗布処理の開始位置に戻るときは、浮上ステージ２上に基板Ｓが位置していないため、浮上ステージ２から噴出する気体が塗布部６の吐出ヘッドに当たってしまう。

【0086】

そこで、制御部１１０は、浮上ステージ２および第１保持部３を塗布処理の終了位置から開始位置へ移動させる場合に、浮上ステージ２からの気体の噴出を停止してもよい。制御部１１０は、浮上ステージ２を終了位置から出発して開始位置へ戻るまでのすべての期間において、気体の噴出を停止してもよい。また、制御部１１０は、浮上ステージ２を終了位置から出発して開始位置へ戻るまでの期間のうち、浮上ステージ２が塗布部６の下方を通過する期間のみ、気体の噴出を停止してもよい。

【0087】

このように、制御部１１０は、浮上ステージ２および第１保持部３を塗布処理の終了位置から開始位置へ移動させる場合に、少なくとも浮上ステージ２が塗布部６の下方を通過する間、浮上ステージ２からの気体の噴出を停止してもよい。このようにすることで、浮上ステージ２から噴出する気体が塗布部６の吐出ヘッドに当たることをさらに抑制することができる。

【0088】

塗布処理が終了した後、基板処理装置１では、浮上ステージ２から搬出ステージ９へ第２基板Ｓ２を移し替える第２移載処理が行われる（ステップＳ１０４）。

【0089】

具体的には、制御部１１０は、第５移動機構９６（図５参照）を制御して、搬出ステージ９を搬送方向上流へ向けて移動させることにより、搬出ステージ９を浮上ステージ２に近接させる（図１２参照）。なお、この処理は、浮上ステージ２が塗布処理の終了位置に向けて移動している最中に行われてもよい。

【0090】

また、制御部１１０は、第６移動機構１０６（図５参照）を制御して、第３保持部１０を搬送方向上流へ向けて移動させることにより、第３保持部１０の吸着パッド１０３を浮上ステージ２上に位置する第２基板Ｓ２の下面と対向する位置に配置させる。その後、制御部１１０は、排気部１０５を制御して、第３保持部１０の吸着パッド１０３に第２基板Ｓ２の下面を吸着させる。また、制御部１１０は、第１保持部３を制御して、第１保持部３による第２基板Ｓ２の吸着保持を解除する。これにより、第２基板Ｓ２は、第３保持部１０によって保持された状態となる。

【0091】

つづいて、制御部１１０は、第１移動機構４（図３参照）を制御して浮上ステージ２を搬送方向上流に向けて移動させつつ、第５移動機構９６（図５参照）を制御して、搬出ステージ９を搬送方向上流に向かって移動させる（図１３参照）。これにより、搬出ステージ９と浮上ステージ２とが近接した状態で、搬出ステージ９と浮上ステージ２とが搬送方向上流に向かって移動する。このとき、第２基板Ｓ２は第３保持部１０によって保持されている。このため、第２基板Ｓ２の位置は塗布処理の終了位置のまま変化することなく、浮上ステージ２が第２基板Ｓ２の下方から退出し、搬出ステージ９が第２基板Ｓ２の下方に進入する。これにより、第２基板Ｓ２は、浮上ステージ２から搬出ステージ９へ移し替えられる（図１４参照）。

【0092】

その後、制御部１１０は、第５移動機構９６および第６移動機構１０６を制御して、搬出ステージ９および第３保持部１０を塗布処理の終了位置よりも搬送方向下流に位置する搬出位置へ移動させる（図１５参照）。

【0093】

第２移載処理において、浮上ステージ２および搬出ステージ９は、気体を噴出させた状態となっている。これにより、基板処理装置１は、第２基板Ｓ２を浮上させた状態で、浮上ステージ２から搬出ステージ９へ第２基板Ｓ２を移動させることができる。したがって、第２基板Ｓ２を浮上ステージ２から搬出ステージ９へ移動させる際に、第２基板Ｓ２に損傷を与えることを抑制することができる。

【0094】

第２移載処理が終了した後、基板処理装置１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０５）。

【0095】

具体的には、制御部１１０は、搬出ステージ９の噴出口からの気体の噴出を停止して、第２基板Ｓ２を搬出ステージ９上に載置させる。また、制御部１１０は、第３保持部１０による第２基板Ｓ２の吸着を解除する。そして、制御部１１０は、図示しないリフトピンを上昇させて、第２基板Ｓ２を搬出ステージ９の載置面から持ち上げる。その後、第２基板Ｓ２は、図示しない搬送ロボットにより搬出される。

【0096】

なお、制御部１１０は、基板Ｓに対する一連の処理と並行して、検査機構１１による検査処理を行う。

【0097】

具体的には、検査機構１１は、たとえば第１基板Ｓ１に対する塗布処理が開始される前において、塗布部６よりも搬送方向上流側の位置に配置されている。制御部１１０は、第１基板Ｓ１に対する塗布処理が終了した後、検査機構１１を制御して、検査機構１１を搬送方向下流へ向けて移動させることにより、検査機構１１を塗布部６の下方に配置させる。そして、制御部１１０は、第１基板Ｓ１に対する搬出処理ならびに第２基板Ｓ２に対する搬入処理および第１移載処理が行われている間、塗布部６および検査機構１１を制御して、検査処理を行う。具体的には、塗布部６は検査機構１１の検査フィルム上に機能液の液滴を吐出し、検査機構１１は、塗布部６の吐出ヘッドから吐出された機能液の液滴を検査フィルムによって受けて、液滴の吐出状態を撮像部によって撮像する。その後、制御部１１０は、検査機構１１を塗布部６よりも搬送方向上流に移動させる（図１０参照）。

【0098】

（第１変形例）
図１６は、第１変形例に係る浮上ステージの模式的な平面図である。また、図１７は、第１変形例に係る浮上ステージの模式的な側面図である。

【0099】

図１６に示すように、浮上ステージ２は、塗布部６の吐出ヘッドから吐出される機能液の液滴を受ける液受部２６を備えていてもよい。液受部２６は、浮上ステージ２の搬送方向における両端部、すなわち、Ｙ軸正方向側の端部およびＹ軸負方向側の端部にそれぞれ設けられる。

【0100】

図１７に示すように、液受部２６は、たとえば、搬出ステージ９および第３保持部１０と干渉しない高さに配置される。なお、浮上ステージ２は、搬出ステージ９および第３保持部１０と干渉しない高さである退避位置と、この退避位置よりも高い処理位置との間で液受部２６を移動させる昇降機構を備えていてもよい。ここで、「退避位置よりも高い処理位置」は、たとえば、浮上ステージ２によって浮上した基板Ｓの上面と同じ高さであってもよい。この場合、液受部２６は、基板Ｓが機能液の液滴を受けるときと同じ条件で機能液の液滴を受けることができる。なお、「退避位置よりも高い処理位置」は、浮上ステージ２によって浮上した基板Ｓの上面と概ね同じ高さであればよく、完全に同じ高さであることを要しない。ただし、塗布部６との干渉を抑制する観点から、「退避位置よりも高い処理位置」は、浮上ステージ２によって浮上した基板Ｓの上面の高さを超えない高さであることが好ましい。また、浮上ステージ２は、液受部２６の液受面が上方を向いた水平姿勢（図１７に示す姿勢）と、液受面が側方を向いた退避姿勢との間で液受部２６を揺動させる揺動機構を備えていてもよい。

【0101】

このように、浮上ステージ２は、液受部２６を備えていてもよい。基板処理装置１は、たとえば機能液の吐出を安定化させる観点から、基板Ｓが吐出ヘッドの直下に位置するタイミングよりも所定時間前から、機能液の液滴の吐出を開始する場合がある。このような場合に、基板Ｓが吐出ヘッドの直下に位置するタイミングよりも前に吐出された機能液の液滴を液受部２６にて受けることができる。

【0102】

また、基板処理装置１は、塗布処理において浮上ステージ２を開始位置および終了位置間で往復移動させる場合がある。このような場合には、復路においても、基板Ｓが吐出ヘッドの直下に位置するタイミングよりも前に吐出された機能液の液滴を液受部２６にて受けることができる。なお、液受部２６は、基板Ｓにおける少なくとも搬送方向下流側の端部に設けられていればよい。

【0103】

（第２変形例）
図１８～図２０は、第２変形例に係る塗布処理における浮上ステージ２および第１保持部３の移動速度の制御方法の説明図である。図１８～図２０には、横軸を浮上ステージ２および第１保持部３の位置とし、縦軸を浮上ステージ２および第１保持部３の移動速度とするグラフを示している。図１８～図２０では、浮上ステージ２の移動速度を実線で、第１保持部３の移動速度を破線で示している。

【0104】

仮に、基板Ｓと浮上ステージ２との位置関係が変化しない場合、基板Ｓの下面のうち、浮上ステージ２の噴出口２２の直上に位置する部分に常に気体が直接当たることになる。この場合、基板Ｓの下面のうち浮上ステージ２の噴出口２２の直上に位置する部分とそれ以外の部分とで温度ムラが発生するおそれがある。

【0105】

そこで、図１８～図２０に示すように、制御部１１０は、第１移動機構４および第２移動機構５を制御して、開始位置から終了位置まで第１保持部３および浮上ステージ２を移動させる際、第１保持部３に対する浮上ステージ２の相対速度を変化させてもよい。

【0106】

たとえば、図１８には、第１保持部３（つまり、基板Ｓ）を一定速度で移動させつつ、浮上ステージ２の移動速度を徐々に速くする場合の例を示している。一例として、開始位置からの移動を開始した直後において、第１保持部３の移動速度は、第１保持部３の移動速度よりも僅かに遅い。一方、終了領域に到達する直前において、第１保持部３の移動速度は、第１保持部３の移動速度よりも僅かに速い。なお、これに限らず、制御部１１０は、開始位置からの移動を開始した直後において、第１保持部３および浮上ステージ２を同じ速度で移動させ、その後、第１保持部３の移動速度を徐々に速くしてもよい。

【0107】

また、図１９には、第１保持部３を一定速度で移動させつつ、浮上ステージ２の移動速度を徐々に遅くする場合の例を示している。一例として、開始位置からの移動を開始した直後において、第１保持部３の移動速度は、第１保持部３の移動速度よりも僅かに速い。一方、終了領域に到達する直前において、第１保持部３の移動速度は、第１保持部３の移動速度よりも僅かに遅い。なお、これに限らず、制御部１１０は、開始位置からの移動を開始した直後において、第１保持部３および浮上ステージ２を同じ速度で移動させ、その後、第１保持部３の移動速度を徐々に遅くしてもよい。

【0108】

また、図２０には、第１保持部３を一定速度で移動させつつ、第１保持部３に対する浮上ステージ２の相対速度を遅くする処理と速くする処理とを交互に行ってもよい。

【0109】

このように、第１保持部３に対する浮上ステージ２の相対速度を変化させることで、基板Ｓの下面において、浮上ステージ２から噴出される気体が直接当たる位置をずらすことができるため、温度ムラの発生を抑制することができる。

【0110】

なお、基板Ｓの温度ムラを抑制する手法は、上記の例に限定されない。たとえば、基板処理装置１は、浮上ステージ２に対する気体の供給経路に温度調整部を備えていてもよい。この場合、制御部１１０は、温度調整部を制御して、浮上ステージ２から噴出する気体の温度をたとえば浮上ステージ２の温度に近づけるように調整してもよい。浮上ステージ２の温度は、たとえば、基板処理装置１の設置場所の環境温度と同一である。制御部１１０は、浮上ステージ２の温度（すなわち、環境温度）として予め決められた温度に気体の温度を調整してもよい。また、制御部１１０は、浮上ステージ２の温度（あるいは、環境温度）を測定する測定部の測定結果に応じて気体の温度を調整してもよい。

【0111】

このように、浮上ステージ２から噴出する気体の温度を調整することにより、基板Ｓの下面の温度ムラの発生を抑制することができる。

【0112】

また、第１移載処理によって基板Ｓが搬入ステージ７から浮上ステージ２に移し替えられた後、塗布処理が開始されるまでの間に、基板Ｓの温度が浮上ステージ２の温度に近付くように、ならし時間を設けてもよい。すなわち、制御部１１０は、第１移載処理後、塗布処理開始前の期間において、浮上ステージ２によって基板Ｓを浮上させた状態で予め決められた時間だけ基板Ｓを待機させてもよい。これにより、基板Ｓの温度が浮上ステージ２の温度に近付くことで基板Ｓの温度ムラの発生を抑制することができる。

【0113】

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１）は、浮上ステージ（一例として、浮上ステージ２）と、処理部（一例として、塗布部６）と、第１保持部（一例として、第１保持部３）と、第１移動機構（一例として、第１移動機構４）と、第２移動機構（一例として、第２移動機構５）と、制御部（一例として、制御部１１０）とを備える。浮上ステージは、噴出する気体の圧力によって基板（一例として、基板Ｓ）を浮上させる。処理部は、浮上ステージよりも上方に配置される。第１保持部は、浮上ステージによって浮上した基板を保持する。第１移動機構は、浮上ステージを基板の搬送方向に沿って移動させる。第２移動機構は、第１保持部を搬送方向に沿って移動させる。制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、処理部よりも搬送方向上流の開始位置から搬送方向下流の終了位置まで第１保持部および浮上ステージを移動させつつ、処理部を制御して基板に対する処理を行う。

【0114】

したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、開始位置、終了位置および処理部の下方を含む全域に位置する固定式の浮上ステージを用いる場合と比較して、浮上ステージ２から噴出する気体が塗布部６に当たりにくくなる。これにより、処理部は、浮上ステージから噴出する気体の影響を受けることなく基板を処理することが可能となる。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、基板の処理を適切に行うことができる。

【0115】

浮上ステージは、開始位置において処理部よりも搬送方向上流に全体が位置していてもよい。この場合、基板の処理が開始される前において、浮上ステージから噴出する気体が処理部に当たることを抑制することができる。

【0116】

浮上ステージは、終了位置において処理部よりも搬送方向下流に全体が位置していてもよい。この場合、基板の処理が終了した後において、浮上ステージから噴出する気体が処理部に当たることを抑制することができる。

【0117】

実施形態に係る基板処理装置は、搬入ステージ（一例として、搬入ステージ７）と、第２保持部（一例として、第２保持部８）と、第３移動機構（一例として、第３移動機構７６）と、第４移動機構（一例として、第４移動機構８６）とを備えていてもよい。搬入ステージは、浮上ステージよりも搬送方向上流に配置され、噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる。第２保持部は、搬入ステージによって浮上した基板を保持する。第３移動機構は、搬入ステージを搬送方向に沿って移動させる。第４移動機構は、第２保持部を搬送方向に沿って移動させる。

【0118】

この場合、制御部は、基板が搬入ステージによって浮上され、かつ、第２保持部によって保持された状態で、搬入ステージと浮上ステージとを近接させた後、第１移動機構を制御して浮上ステージを搬送方向上流に向けて移動させつつ、第３移動機構を制御して搬入ステージを搬送方向上流に向けて移動させることにより、基板を搬入ステージから浮上ステージに移し替えてもよい。

【0119】

具体的には、制御部は、搬入ステージを制御して、基板を浮上させる。その後、制御部は、第２保持部を制御して、搬入ステージによって浮上した基板を保持する。その後、制御部は、第３移動機構および第４移動機構を制御して、搬入ステージおよび第２保持部を開始位置よりも搬送方向上流の搬入位置から移動させることにより、基板を開始位置に配置させる。その後、制御部は、第１移動機構を制御して、浮上ステージを終了位置から移動させて搬入ステージに近接させる。その後、制御部は、第１移動機構を制御して、浮上ステージを開始位置へ移動させつつ、第３移動機構を制御して、搬入ステージを搬入位置へ移動させることにより、基板を浮上ステージに移し替える。その後、制御部は、第２保持部を制御して、第２保持部による基板の保持を解除し、第１保持部を制御して、浮上ステージによって浮上した基板を保持する。その後、制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、開始位置から終了位置まで第１保持部および浮上ステージを移動させつつ、処理部を制御して基板に対する処理を行う。

【0120】

かかる構成とすることにより、処理前の基板の搬送効率を高めることができる。

【0121】

制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、浮上ステージおよび第１保持部を終了位置から開始位置へ移動させる場合において、少なくとも浮上ステージが処理部の下方を通過する間、浮上ステージからの気体の噴出を停止してもよい。かかる構成とすることにより、浮上ステージから噴出する気体が処理部に当たることをさらに抑制することができる。

【0122】

実施形態に係る基板処理装置は、搬出ステージと、第３保持部と、第５移動機構と、第６移動機構とを備えていてもよい。搬出ステージは、浮上ステージよりも搬送方向下流に配置され、噴出する気体の圧力によって基板を浮上させる。第３保持部は、搬出ステージによって浮上した基板を保持する。第５移動機構は、搬出ステージを搬送方向に沿って移動させる。第６移動機構は、第３保持部を搬送方向に沿って移動させる。

【0123】

この場合、制御部は、基板が浮上ステージによって浮上された状態で、浮上ステージと搬出ステージとを近接させた後、第３保持部を制御して基板を保持し、その後、第１移動機構を制御して浮上ステージを搬送方向上流に向けて移動させつつ、第５移動機構を制御して搬出ステージを搬送方向上流に向けて移動させることにより、基板を浮上ステージから搬出ステージに移し替えてもよい。

【0124】

かかる構成とすることにより、処理後の基板の搬送効率を高めることができる。

【0125】

制御部は、第１移動機構および第２移動機構を制御して、開始位置から終了位置まで第１保持部および浮上ステージを移動させる際、第１保持部に対する浮上ステージの相対速度を変化させてもよい。たとえば、制御部は、相対速度を遅くする処理と相対速度を速くする処理とを交互に行ってもよい。

【0126】

このように、第１保持部に対する浮上ステージの相対速度を変化させることで、基板の下面において、浮上ステージから噴出される気体が直接当たる位置をずらすことができるため、基板の温度ムラの発生を抑制することができる。

【0127】

実施形態に係る基板処理装置は、浮上ステージから噴出させる気体の温度を調整する温度調整部を備えていてもよい。これにより、気体による基板の温度変化を抑制することができるため、基板の温度ムラの発生を抑制することができる。

【0128】

処理部は、基板に対して機能液の液滴を吐出する吐出ヘッドを有していてもよい。この場合、実施形態に係る基板処理装置は、浮上ステージの搬送方向における端部に設けられ、吐出ヘッドから吐出される機能液を受ける液受部を備えていてもよい。

【0129】

基板処理装置は、たとえば機能液の吐出を安定化させる観点から、基板が吐出ヘッドの直下に位置するタイミングよりも所定時間前から、機能液の液滴の吐出を開始する場合がある。このような場合に、基板が吐出ヘッドの直下に位置するタイミングよりも前に吐出された機能液の液滴を液受部にて受けることができる。

【0130】

浮上ステージは、基板の下面と対向する載置面（一例として、載置面２１）と、載置面に設けられ、気体を噴出する複数の噴出口（一例として、噴出口２２）と、載置面のうち、基板の搬送方向における端部の下方に位置する端部領域に設けられ、気体を吸引する複数の吸引口（一例として、吸引口２３）とを備えていてもよい。この場合、制御部は、複数の噴出口から気体を噴出させつつ複数の吸引口から気体を吸引することにより、基板の端部以外の領域を載置面から浮上させつつ基板の搬送方向における端部を載置面に吸着させてもよい。

【0131】

このように、基板の搬送方向における端部を載置面に吸着させることで、基板の反りを抑制することができる。

【0132】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0133】

１ 基板処理装置
２ 浮上ステージ
３ 第１保持部
４ 第１移動機構
５ 第２移動機構
６ 塗布部
７ 搬入ステージ
８ 第２保持部
９ 搬出ステージ
１０ 第３保持部
１１ 検査機構
２１ 載置面
２２ 噴出口
２３ 吸引口
２４ 浮上領域
２６ 液受部
４１ ガイドレール
５１ ガイドレール
５２ スライダ
７１ ステージ部材
８６ 第４移動機構
９１ ステージ部材
９６ 第５移動機構
１００ 制御装置
１０６ 第６移動機構
１１０ 制御部
１２０ 記憶部
Ｓ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】