特開 2023-75018 熱処理装置、及び熱処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023075018

(43)【公開日】2023-05-30

(54)【発明の名称】熱処理装置、及び熱処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20230523BHJP

   B05C 9/14 20060101ALI20230523BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 567

B05C9/14

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022129731

(22)【出願日】2022-08-16

(31)【優先権主張番号】P 2021188088

(32)【優先日】2021-11-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100212026

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 真生

(72)【発明者】

【氏名】久我 恭弘

(72)【発明者】

【氏名】大島 和彦

【テーマコード（参考）】

4F042

5F146

【Ｆターム（参考）】

4F042AA07

4F042AB00

4F042DB04

4F042DB17

4F042DB39

4F042DF29

4F042DF34

5F146KA04

5F146KA10

(57)【要約】

【課題】昇華物の効率的な回収と膜厚分布への影響の低減との両立を図る。
【解決手段】熱処理装置は、加熱部と、チャンバと、排気部と、仕切り部と、切替部と、を備える。加熱部は、処理液の膜が形成された基板を支持して加熱する。チャンバは、加熱部に支持された基板を囲むように配置される。排気部は、加熱部の周囲に位置する排出口を介して、チャンバ内の空間からガスを排出する。仕切り部は、チャンバ内の空間を、加熱部上の基板が露出する第１空間と、第１空間の上方に位置する第２空間とに隔てる。切替部は、排気部により第１空間を介してガスが排出される第１状態と、排気部により第２空間を介してガスが排出される第２状態とを切り替える。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理液の膜が形成された基板を支持して加熱する加熱部と、
前記加熱部に支持された前記基板を囲むように配置されるチャンバと、
前記加熱部の周囲に位置する排出口を介して、前記チャンバ内の空間からガスを排出する排気部と、
前記チャンバ内の空間を、前記加熱部上の前記基板が露出する第１空間と、前記第１空間の上方に位置する第２空間とに隔てる仕切り部と、
前記排気部により前記第１空間を介してガスが排出される第１状態と、前記排気部により前記第２空間を介してガスが排出される第２状態とを切り替える切替部と、を備える熱処理装置。

【請求項2】

前記加熱部による前記基板の加熱の実行中に、前記第２状態から前記第１状態に切り替えるように前記切替部を制御する制御部を更に備える、請求項１に記載の熱処理装置。

【請求項3】

前記排出口は、前記第１空間に開口した第１排出口と、前記第２空間に開口した第２排出口とを含み、
前記切替部は、前記第１状態において前記第１排出口に接続された第１流路を開放し、且つ前記第２排出口に接続された第２流路を閉塞するように構成され、前記第２状態において前記第１流路を閉塞し、且つ前記第２流路を開放するように構成された閉塞部材を有する、請求項１又は２に記載の熱処理装置。

【請求項4】

前記第１空間の前記加熱部の周囲に配置され、前記第１空間を、前記加熱部を含む収容空間と、前記排出口を含む調整空間とに隔てる内壁を有する流路調整部を更に備え、
前記内壁には、前記収容空間と前記調整空間とを接続し、前記内壁が延在する方向に沿って並ぶ複数の排出孔が形成されている、請求項１又は２に記載の熱処理装置。

【請求項5】

前記流路調整部は、前記調整空間を、前記内壁を含むバッファ空間と前記排出口を含む排出空間とに隔てる第２内壁を更に有し、
前記第２内壁には、前記バッファ空間と前記排出空間とを接続し、前記第２内壁が延在する方向に沿って並ぶ複数の第２排出孔が形成されている、請求項４に記載の熱処理装置。

【請求項6】

前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、前記内壁の長さは、前記加熱部上の前記基板の長さよりも大きい、請求項４に記載の熱処理装置。

【請求項7】

前記加熱部を上方から見たときに、前記複数の排出孔それぞれが、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向に沿って、前記内壁を貫通するように形成されている、請求項４に記載の熱処理装置。

【請求項8】

前記加熱部を上方から見たときに、前記内壁が、前記加熱部の中心まわりの周方向に沿って延びるように形成されている、請求項４に記載の熱処理装置。

【請求項9】

前記排出口は、前記第１空間に開口した第１排出口と、前記第２空間に開口した第２排出口とを含み、
前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記第２排出口の中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、前記第２排出口の長さは、前記加熱部の長さよりも小さく、
前記第２空間は、前記第１空間との接続口を含む第１流路と、前記幅方向における大きさが前記第１流路よりも小さい第２流路とを含み、
前記第２流路の少なくとも一部は、前記加熱部と重なる位置に設けられている、請求項１又は２に記載の熱処理装置。

【請求項10】

前記チャンバの側壁には、前記基板の搬入出口が設けられており、
前記熱処理装置は、前記側壁との間に隙間を設けて配置され、前記搬入出口を側方から覆う閉状態と前記搬入出口を開放する開状態とを切り替えるシャッター部材を更に備え、
前記閉状態において、前記側壁と前記シャッター部材との間の隙間は、前記シャッター部材の下方に形成されている隙間よりも大きい、請求項１又は２に記載の熱処理装置。

【請求項11】

前記チャンバは、前記加熱部に支持された前記基板の周囲において、前記加熱部との間に隙間を設けて配置される底壁を有し、
前記底壁には、前記加熱部に支持された前記基板の周囲に並ぶように、前記第１空間と前記チャンバの外とを接続する複数の導入孔が形成されている、請求項１又は２に記載の熱処理装置。

【請求項12】

前記複数の導入孔は、第１領域における開口面積の合計が、第２領域に比較して小さくなるように前記底壁に形成されており、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向において、前記加熱部の中心を境界にして前記第１空間を２つに分割して得られる仮想的な一対の領域であり、
前記加熱部を上方から見たときに、前記第１空間と前記第２空間との接続口が、前記第１領域と重なっている、請求項１１に記載の熱処理装置。

【請求項13】

基板を支持して加熱する加熱部と、前記加熱部に支持された前記基板を囲むように配置されるチャンバと、前記加熱部の周囲に位置する排出口を介して、前記チャンバ内の空間からガスを排出する排気部と、前記チャンバ内の空間を、前記加熱部上の前記基板が露出する第１空間と、前記第１空間の上方に位置する第２空間とに隔てる仕切り部と、を備える熱処理装置を用いた熱処理方法であって、
処理液が供給された状態の前記基板を前記加熱部により加熱することと、
前記排気部により前記第１空間を介してガスが排出される第１状態と、前記排気部により前記第２空間を介してガスが排出される第２状態とを切り替えることと、を含む熱処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、熱処理装置、及び熱処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、気体を導入するための導入部から排出部へ向かう気流が熱板の上空において熱板の表面に沿って一方向に生じるように構成された加熱処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００１－１８５４７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、昇華物の効率的な回収と膜厚分布への影響の低減との両立に有用な熱処理装置、及び熱処理方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一側面に係る熱処理装置は、加熱部と、チャンバと、排気部と、仕切り部と、切替部と、を備える。加熱部は、処理液の膜が形成された基板を支持して加熱する。チャンバは、加熱部に支持された基板を囲むように配置される。排気部は、加熱部の周囲に位置する排出口を介して、チャンバ内の空間からガスを排出する。仕切り部は、チャンバ内の空間を、加熱部上の基板が露出する第１空間と、第１空間の上方に位置する第２空間とに隔てる。切替部は、排気部により第１空間を介してガスが排出される第１状態と、排気部により第２空間を介してガスが排出される第２状態とを切り替える。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、昇華物の効率的な回収と膜厚分布への影響の低減との両立に有用な熱処理装置、及び熱処理方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。

【図3】図３は、熱処理ユニットの一例を模式的に示す側面図である。

【図4】図４は、チャンバ及び排気部の一例を模式的に示す上面図である。

【図5】図５は、チャンバ及び排気部の一例を模式的に示す下面図である。

【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、チャンバの一例を模式的に示す側面図である。

【図7】図７は、チャンバ内部の一例を模式的に示す上面図である。

【図8】図８は、流路調整部の一例を模式的に示す斜視図である。

【図9】図９は、チャンバ内部の一例を模式的に示す上面図である。

【図10】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、シャッター部の一例を模式的に示す側面図である。

【図11】シャッター部と周囲の部材との一例を模式的に示す側面図である。

【図12】図１２は、排気部内部の一例を模式的に示す斜視図である。

【図13】図１３は、チャンバが取り付けられた状態の一例を模式的に示す斜視図である。

【図14】図１４は、チャンバを取り外す際の様子の一例を模式的に示す斜視図である。

【図15】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、チャンバの着脱動作の一例を模式的に示す側面図である。

【図16】図１６は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。

【図17】図１７は、熱処理において実行される一連の処理の一例を示すフローチャートである。

【図18】図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、熱処理の様子の一例を示す模式図である。

【図19】図１９は、熱処理の様子の一例を示す模式図である。

【図20】図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、チャンバの取り外しの様子の一例を示す模式図である。

【図21】図２１は、チャンバ内部の一例を模式的に示す上面図である。

【図22】図２２（ａ）は、導入孔がない場合の熱処理の様子の一例を示す模式図である。図２２（ｂ）は、導入孔が設けられた場合の熱処理の様子の一例を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して一実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。一部の図面にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸により規定される直交座標系が示される。以下の実施形態では、Ｚ軸が上下方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。

【0009】

図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。

【0010】

図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、露光装置３と、を備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。

【0011】

［塗布現像装置］
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。塗布現像装置２（熱処理装置）は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００と、を備える。

【0012】

キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。

【0013】

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１１において、複数の熱処理ユニットＵ２が積層されていてもよい。

【0014】

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１２において、複数の熱処理ユニットＵ２が積層されていてもよい。

【0015】

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。処理モジュール１３において、複数の熱処理ユニットＵ２が積層されていてもよい。

【0016】

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を供給した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジストパターンを形成する（レジスト膜の現像処理を行う）。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。処理モジュール１４において、複数の熱処理ユニットＵ２が積層されていてもよい。

【0017】

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。

【0018】

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

【0019】

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。

【0020】

制御装置１００（制御部）は、塗布現像装置２に含まれる各種装置を制御するように構成されている。制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２の各種装置を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0021】

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0022】

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。

【0023】

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。

【0024】

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後、制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。

【0025】

次に、制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後、制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。

【0026】

以上により１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２の各種装置を制御する。なお、塗布現像装置２の具体的な構成は、以上に例示した構成に限られない。塗布現像装置２は、熱処理を行うユニットを備えていればどのようなものであってもよい。

【0027】

［熱処理ユニット］
続いて、図３～図１５を参照しながら、熱処理ユニットＵ２の一例について詳細に説明する。熱処理ユニットＵ２（熱処理装置）は、少なくともワークＷに対する加熱処理を施すように構成されている。図３に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、例えば、筐体２０と、搬送部３０と、加熱処理部４０と、を備える。

【0028】

（筐体）
筐体２０は、熱処理ユニットＵ２が有する部材の一部を収容する。筐体２０は、水平な一方向（例えば、図示のＸ軸方向）に沿って延びるように形成されていてもよい。筐体２０によって形成される内部空間は、直方体状であってもよい。筐体２０の長手方向における一方の側壁には、ワークＷを筐体２０内に搬入するための搬入口２１が設けられている。以下の説明では、筐体２０の長手方向を「前後方向」とし、筐体２０の長手方向に直交する水平な方向（例えば、図示のＹ軸方向）を「左右方向」とする。前後方向において、搬入口２１、搬送部３０、及び加熱処理部４０が、この順に配置されている。

【0029】

（搬送部）
搬送部３０は、ワークＷの搬送を行うと共に、ワークＷに対する冷却を行う。搬送部３０は、例えば、冷却プレート３１と、連結部３２と、駆動部３３と、ガイドレール３４とを有する。冷却プレート３１は、ワークＷを支持して冷却する。冷却プレート３１の内部には、冷却用の冷媒が流通する冷媒流路（不図示）が形成されている。連結部３２は、冷却プレート３１に連結されている。連結部３２は、筐体２０内を前後方向に沿って移動可能である。筐体２０には、その内部空間を上下に仕切る基台２４が設けられてもよい。冷却プレート３１は、基台２４の上方に配置されており、連結部３２は、基台２４を上下に貫通するように設けられている。

【0030】

駆動部３３は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでおり、前後方向に延びるガイドレール３４に沿って連結部３２を移動させる。連結部３２の移動により、冷却プレート３１が前後方向に沿って移動する。駆動部３３は、加熱処理部４０においてワークＷの加熱が行われる加熱位置と、加熱位置と搬入口２１との間の待機位置との間で、冷却プレート３１が往復移動するように連結部３２を駆動する。搬送部３０（冷却プレート３１）は、待機位置においてワークＷの冷却を行う。

【0031】

（加熱処理部）
加熱処理部４０は、上記加熱位置においてワークＷに対する加熱を行う。加熱処理部４０は、加熱部４２と、昇降部４４と、チャンバ５０と、仕切り部６０と、シャッター部７０と、排気部８０と、切替部９０と、を備える。最初に、加熱処理部４０の概要について説明する。加熱部４２は、処理液の膜が形成されたワークＷを支持して加熱する。昇降部４４は、搬送部３０の冷却プレート３１との間でワークＷの受け渡しを行う。

【0032】

チャンバ５０は、加熱部４２に支持されたワークＷを囲むように配置される。チャンバ５０は、筐体であり、ワークＷに対する加熱を行うための空間（以下、「内部空間Ｓ」という。）を形成する。仕切り部６０は、チャンバ５０内の内部空間Ｓを、加熱部４２上のワークＷが露出する処理空間Ｓ１（第１空間）と、処理空間Ｓ１の上方に位置する退避空間Ｓ２（第２空間）とに隔てる。シャッター部７０は、チャンバ５０の側壁に設けられたワークＷの搬入出口５７を開閉する部材である。シャッター部７０が搬入出口５７を閉じることで上記内部空間Ｓが形成され、内部空間Ｓが形成された状態でワークＷに対する加熱が行われる。

【0033】

排気部８０は、加熱部４２の周囲に位置する排出口５８を介して、チャンバ５０内の内部空間Ｓからガスを排出する。ワークＷの加熱中において、ワークＷの表面に形成された処理液の膜から昇華物が発生する。排気部８０によるガスの排出（排気）によって、内部空間Ｓ内に発生した昇華物が回収される。排出口５８は、処理空間Ｓ１に開口する第１排出口５８ａと、退避空間Ｓ２に開口する第２排出口５８ｂとを含む。

【0034】

切替部９０は、排気部８０により処理空間Ｓ１を介してガスが排出される状態（以下、「第１排気状態」という。）と、排気部８０により退避空間Ｓ２を介してガスが排出される状態（以下、「第２排気状態」という。）とを切り替える。第１排気状態（第１状態）では、排気部８０が、第１排出口５８ａを介して処理空間Ｓ１からガスを排出し、第２排出口５８ｂを介して退避空間Ｓ２からガスを排出しない。第２排気状態（第２状態）では、排気部８０が、第２排出口５８ｂを介して退避空間Ｓ２からガスを排出し、第１排出口５８ａを介して処理空間Ｓ１からガスを排出しない。

【0035】

上記前後方向において、冷却プレート３１がワークＷの冷却を行う待機位置、シャッター部７０、チャンバ５０（加熱部４２）、及び排気部８０が、この順に配置されている。排気部８０は、その大部分が筐体２０から外に張り出すように配置されていてもよい。以下、加熱処理部４０に含まれる各部材の一例について詳細に説明する。

【0036】

＜加熱部＞
加熱部４２は、筐体２０内において所定の位置に固定されている。加熱部４２は、例えば、基台２５に支持されている。基台２５は、筐体２０の底壁又は側壁に固定されている。基台２５は、基台２４に接続されていてもよい。加熱部４２は、円板状に形成された熱板４３を有する。熱板４３の内部には、ヒータが設けられている。熱板４３の直径は、ワークＷの直径よりも大きくてもよい。熱板４３の上面においてワークＷが支持され、熱板４３の温度が上昇することでワークＷが加熱される。

【0037】

＜昇降部＞
昇降部４４は、熱板４３の上方においてワークＷを昇降させる。昇降部４４は、例えば、加熱部４２にワークＷが支持（載置）される処理高さと、加熱部４２から離れた上方において搬送部３０との間でワークＷの受け渡しを行う受渡高さと、の間でワークＷを昇降させる。昇降部４４は、複数の昇降ピン４５と、昇降駆動部４６とを有する。昇降ピン４５は、ワークＷを下方から支持するピンであり、加熱部４２を上下方向において貫通している。昇降駆動部４６は、電動モータ又はシリンダ等の動力源を含み、昇降ピン４５を上下方向に沿って移動させる。

【0038】

＜チャンバ＞
チャンバ５０は、加熱部４２に支持されたワークＷを覆うことで、シャッター部７０と共に上記内部空間Ｓを形成する。内部空間Ｓは、ワークＷに形成されている処理液の膜を十分に加熱できる程度に閉じられた空間である。チャンバ５０は、図４又は図５に示されるように、平面視（上方から見ること）において、前後方向に延びるように形成されている。チャンバ５０の外縁は、上記待機位置寄りの部分において一辺が欠けた四角形に形成され、待機位置から離れた部分において円弧状に形成されてもよい。チャンバ５０の外縁では、四角形において一辺が円弧状に変形されており、その円弧状の一辺が外方に向かって突出するように形成されている。

【0039】

チャンバ５０は、天板５１と、底壁５６と、側壁５２と、側壁５３と、側壁５４と、側壁５５と、を有する。天板５１は、加熱部４２及び底壁５６を覆う板状の部材である。平面視において、天板５１の外縁が加熱部４２（熱板４３）の外縁を囲っており、天板５１の面積は加熱部４２の面積よりも大きい。天板５１の外縁が、チャンバ５０の外縁を形成している。天板５１によって内部空間Ｓの上面が規定される。

【0040】

底壁５６は、加熱部４２に支持されたワークＷを囲む。平面視において、底壁５６の外縁が加熱部４２（熱板４３）の外縁を囲っており、底壁５６の外縁が囲む領域の面積は、加熱部４２の面積よりも大きい。図５に示されるように、底壁５６には、加熱部４２を露出させるための露出孔５６ａが形成されている（図７も参照）。露出孔５６ａは、加熱部４２の外縁よりも小さくてもよい。底壁５６は、加熱部４２に支持されたワークＷの周囲に配置される。底壁５６の少なくとも一部は、加熱部４２（熱板４３）の側方、及び、加熱部４２上のワークＷの側方の少なくとも一方を囲っていてもよい。平面視において、底壁５６の一部が加熱部４２の周縁部を覆っていてもよい（図１１も参照）。上下方向において、底壁５６の下部が、加熱部４２の上部と同じ高さ位置に配置されていてもよい。底壁５６は、加熱部４２との間に隙間を設けて配置される。図１１に示される例では、底壁５６の一部が、加熱部４２の周縁部を上方から覆っており（上方から見て重なっており）、底壁５６のうちの加熱部４２の周縁部を上方から覆う部分と、加熱部４２との間には隙間が形成されている。加熱部４２と底壁５６との隙間の一端は、加熱部４２の中心を向くように処理空間Ｓ１に開口していてもよい。本開示において、底壁５６と加熱部４２との位置関係は、底壁５６と熱板４３との位置関係に相当する。また、後述するようにチャンバ５０が着脱自在である場合、以上に説明した、底壁５６と加熱部４２との間の種々の位置関係は、チャンバ５０が取り付けられた状態での関係を意味する。底壁５６及び加熱部４２によって内部空間Ｓの下面が規定される。

【0041】

天板５１と底壁５６との間には、側壁５２、側壁５３、側壁５４、及び側壁５５が設けられる。側壁５２、側壁５３、側壁５４、及び側壁５５それぞれは、天板５１の周縁部から下方に向かって延びるように形成されている。側壁５２、側壁５３、側壁５４、及び側壁５５によって、内部空間Ｓの側面の一部が規定される。側壁５２及び側壁５３は、加熱部４２を間に挟んで、前後方向に並ぶように配置されている。側壁５４及び側壁５５は、加熱部４２を間に挟んで、左右方向に並ぶように配置されている。側壁５２は、側壁５３に比べてシャッター部７０（又は上記待機位置）寄りに配置されている。この場合、前後方向において、シャッター部７０、側壁５２、及び側壁５３が、この順に並んでいる。

【0042】

側壁５２は、左右方向に沿って延びるように形成されている。側壁５２の左右方向における一端には側壁５４が接続されており、側壁５２の左右方向における他端には側壁５５が接続されている。側壁５４及び側壁５５それぞれは、前後方向に沿って延びるように形成されている。前後方向において、側壁５４の長さは、側壁５５の長さに略一致していてもよい。

【0043】

側壁５３は、その一端が側壁５４に接続され、その他端が側壁５５に接続されており、平面視において円弧状に形成されている。左右方向において、側壁５３の長さは、側壁５２の長さに略一致していてもよい。平面視において、側壁５３は、加熱部４２の中心（又は熱板４３の中心）まわりの周方向に沿って延びていてもよい。側壁５３の左右方向の中央部分において、前後方向における厚さが、他の部分よりも大きくてもよい。側壁５３の左右方向における中央部分が、シャッター部７０から離れる方向に突出していてもよい。側壁５３の左右方向における中央部分の突出する部分が、筐体２０の搬入口２１が設けられる側壁とは反対側の側壁によって囲まれてもよい。

【0044】

図６（ａ）に示されるように、側壁５２には、ワークＷの搬入出口５７が形成されている。搬入出口５７は、ワークＷの搬入出を行うための開口である。搬入出口５７を介してチャンバ５０内にワークＷが搬入され、搬入出口５７を介してチャンバ５０内からワークＷが搬出される。搬入出口５７は、ワークＷを支持した冷却プレート３１が通過可能となるように形成されている。搬入出口５７は、左右方向に沿って延びるように形成されており、その横幅は、ワークＷの直径よりも大きい。搬入出口５７の上下方向における長さは、チャンバ５０の上下方向における長さの半分程度であってもよい。

【0045】

図６（ｂ）に示されるように、側壁５３には、第１排出口５８ａ及び第２排出口５８ｂを含む排出口５８が形成されている。排出口５８は、チャンバ５０内の内部空間Ｓからガスを排出するための開口である。第１排出口５８ａ及び第２排出口５８ｂ（排出口５８）は、側壁５３の左右方向における中央部分に形成されている。第１排出口５８ａ及び第２排出口５８ｂの左右方向における長さは、搬入出口５７の左右方向における長さよりも小さい。第１排出口５８ａ及び第２排出口５８ｂは上下方向に並んでおり、第２排出口５８ｂは、第１排出口５８ａよりも上方に位置する。前後方向において、搬入出口５７と排出口５８（第１排出口５８ａ及び第２排出口５８ｂ）とは、加熱部４２を間に挟んでいる。

【0046】

＜仕切り部・流路調整部＞
図３に示されるように、チャンバ５０内の内部空間Ｓは、仕切り部６０によって処理空間Ｓ１と退避空間Ｓ２とに区画されている。処理空間Ｓ１は、加熱部４２によって支持されたワークＷが露出する空間であり、退避空間Ｓ２は、処理空間Ｓ１の上方に位置する空間である。仕切り部６０は、例えば、板状に形成されており、加熱部４２の全域と底壁５６の一部を覆っていてもよい。仕切り部６０の内部には、ヒータが設けられていてもよい。仕切り部６０がヒータにより加熱されることで、仕切り部６０及び仕切り部６０に接続された部材の温度が上昇し、これらの部材に昇華物が付着し難くなる。図７には、図３におけるＡ－Ａ線での断面が示されており、Ａ－Ａ線は処理空間Ｓ１を通っている。

【0047】

処理空間Ｓ１は、側壁５３、側壁５４、側壁５５、底壁５６、加熱部４２、シャッター部７０、及び仕切り部６０の下面によって区画される。第１排出口５８ａは、側壁５３のうちの処理空間Ｓ１を区画する部分に形成されている。平面視において（加熱部４２を上方から見て）、加熱部４２の中心と、第１排出口５８ａの中心とを結ぶ方向は、上記前後方向に相当する。平面視において、加熱部４２の中心（熱板４３の中心）と第１排出口５８ａの中心とを結ぶ方向に直交する方向は、上記の左右方向（幅方向）に相当する。第１排出口５８ａは、処理空間Ｓ１からガスを排出するための開口である。第１排出口５８ａは、処理空間Ｓ１に開口している。処理空間Ｓ１からガスが排出される際に、処理空間Ｓ１において第１排出口５８ａに向かってガスが流れる。左右方向において、第１排出口５８ａの長さは加熱部４２の長さよりも小さい。

【0048】

加熱処理部４０は、流路調整部６２を有してもよい。流路調整部６２は、側壁５３との間で第１排出口５８ａに向かうガスの流路を形成する。流路調整部６２が形成されることで、処理空間Ｓ１内のガスが第１排出口５８ａに向かって流れやすくなる。流路調整部６２は、平面視において、加熱部４２と側壁５３との間に配置されている。流路調整部６２は、例えば、内壁６３と、内壁６４とを有する。

【0049】

内壁６３は、処理空間Ｓ１において加熱部４２の周囲に配置されている。内壁６３は、処理空間Ｓ１を、加熱部４２を含む収容空間Ｓ１１と、第１排出口５８ａを含む調整空間Ｓ１２とに隔てるように形成されている。内壁６３は、図８にも示されるように、上下方向において底壁５６と仕切り部６０との間に延びている。内壁６３の上端は仕切り部６０の下面に接続され、内壁６３の下端は底壁５６の上面に接続されている。内壁６３の左右方向における一端は側壁５４に接続されており、内壁６３の左右方向における他端は側壁５５に接続されている。平面視において、内壁６３は、加熱部４２の中心まわりの周方向に沿って延びるように円弧状に形成されていてもよい。左右方向において、内壁６３の長さは、加熱部４２上のワークＷの長さよりも大きくてもよい。

【0050】

内壁６３には、当該内壁６３の延在方向に沿って並ぶ複数の排出孔６３ａが形成されている。複数の排出孔６３ａそれぞれは、収容空間Ｓ１１と調整空間Ｓ１２とを接続する開口である。収容空間Ｓ１１内のガスは、複数の排出孔６３ａを介して調整空間Ｓ１２に導入される。複数の排出孔６３ａそれぞれは、前後方向に沿って内壁６３を貫通するように形成されている。内壁６３を前後方向に沿って貫通するとは、貫通した孔（開口）を形成する内壁が前後方向に沿って延びるように内壁６３を貫通していることを意味する。

【0051】

内壁６３に形成された複数の排出孔６３ａは、左右方向において点在している。左右方向において、内壁６３における複数の排出孔６３ａが形成されている領域の端部同士の間の距離は、ワークＷの直径の９０％よりも大きくてもよく、ワークＷの直径よりも大きくてもよい。排出孔６３ａが形成されている領域の端部同士の距離は、最も右端に位置する排出孔６３ａの右側の端部と、最も左端に位置する排出孔６３ａの左側の端部との間の左右方向における最短距離で定義される。

【0052】

内壁６４（第２内壁）は、内壁６３と側壁５３との間に配置されている。内壁６４は、調整空間Ｓ１２を、内壁６３を含むバッファ空間と第１排出口５８ａを含む排出空間とに隔てるように形成されている。内壁６４は、図８にも示されるように、上下方向において底壁５６と仕切り部６０との間に延びている。内壁６４の上端は仕切り部６０の下面に接続され、内壁６４の下端は底壁５６の上面に接続されている。内壁６４の左右方向における一端は側壁５４に接続されており、内壁６４の左右方向における他端は側壁５５に接続されている。内壁６４は、加熱部４２（熱板４３）の中心まわりの周方向に沿って延びるように円弧状に形成されていてもよい。左右方向において、内壁６４の長さは、内壁６３の長さに略一致していてもよい。

【0053】

内壁６４には、当該内壁６４が延在する方向に沿って並ぶ複数の排出孔６４ａ（複数の第２排出孔）が形成されている。複数の排出孔６４ａそれぞれは、上記バッファ空間と上記排出空間とを接続する開口である。収容空間Ｓ１１内のガスは、内側の内壁６３に形成された複数の排出孔６３ａを介してバッファ空間に導入された後に、外側の内壁６４に形成された複数の排出孔６４ａを介して排出空間に導入される。複数の排出孔６４ａそれぞれは、前後方向に沿って内壁６４を貫通するように形成されている。

【0054】

内壁６４に形成された複数の排出孔６４ａは、左右方向において点在している。複数の排出孔６４ａは、第１排出口５８ａによる排気によって、内壁６３に形成された複数の排出孔６３ａを流れるガスの流量が分散されるように（左右方向での偏りが低減されるように）形成されている。第１排出口５８ａは、処理空間Ｓ１での左右方向の中央に位置している。そのため、仮に内壁６４（複数の排出孔６４ａ）がなく、内壁６３において複数の排出孔６３ａが略等間隔で形成されていると仮定すると、左右方向の中央に位置するいくつかの排出孔６３ａでは、他の部分に比べて、ガスの流量が多くなってしまう。この場合、加熱部４２上のワークＷの左右方向における中央部分の上方において、ガスの流れが他の部分に比べて強くなってしまう。

【0055】

内壁６３における複数の排出孔６３ａの配列状態と、内壁６４における複数の排出孔６４ａの配列状態とは、互いに異なっている。例えば、複数の排出孔６３ａの個数と、複数の排出孔６４ａの個数とは互いに異なっており、互いに隣り合う排出孔同士の間隔の変更の仕方が互いに異なっている。複数の排出孔６４ａの一部において、前後方向から見て、排出孔６４ａの少なくとも一部が複数の排出孔６３ａとは重なっていない。

【0056】

図９には、図３におけるＢ－Ｂ線での断面が示されており、Ｂ－Ｂ線は退避空間Ｓ２を通っている。仕切り部６０は、側壁５４、側壁５５、及び側壁５３に固定されている。仕切り部６０は、チャンバ５０と一体に形成されていてもよい。退避空間Ｓ２は、仕切り部６０の上面、側壁５２、側壁５３、側壁５４、側壁５５、及び天板５１の下面によって区画される。

【0057】

第２排出口５８ｂは、側壁５３のうちの退避空間Ｓ２を区画する部分に形成されている。平面視において、第２排出口５８ｂの中心（左右方向における中央）は、第１排出口５８ａの中心（左右方向における中央）と略一致していてもよい。第２排出口５８ｂは、退避空間Ｓ２からガスを排出するための開口である。第２排出口５８ｂは、退避空間Ｓ２に開口している。退避空間Ｓ２からガスが排出される際に、退避空間Ｓ２において第２排出口５８ｂに向かってガスが流れる。左右方向において、第２排出口５８ｂの長さは加熱部４２の長さよりも小さい。

【0058】

退避空間Ｓ２と処理空間Ｓ１とは、接続口６９を介して互いに接続されている。接続口６９は、仕切り部６０と側壁５２との間に形成されている。接続口６９は、前後方向において、側壁５２と加熱部４２（加熱部４２上のワークＷ）との間に位置する。接続口６９は、側壁５２に沿って延びているように開口している。接続口６９の左右方向における長さは、加熱部４２のワークＷの直径よりも大きくてもよい。左右方向において、接続口６９の長さは、第２排出口５８ｂの長さよりも大きい。退避空間Ｓ２は、接続口６９を含む流路Ｓ２１（第１流路）と、その流路Ｓ２１よりも左右方向における幅が小さい流路Ｓ２２（第２流路）を含んでもよい。

【0059】

加熱処理部４０は、流路形成部材６６と、流路形成部材６７とを有してもよい。流路形成部材６６及び流路形成部材６７は、退避空間Ｓ２において、第２排出口５８ｂに向かってガスが流れる領域と、ガスが流れない領域とに区画する部材である。流路形成部材６６及び流路形成部材６７は、平面視にて、チャンバ５０の左右方向における中央を通り、且つ前後方向に延びる仮想線に関して線対称である。流路形成部材６６及び流路形成部材６７は、仕切り部６０の上面と天板５１の下面との間に延びる内壁である。流路形成部材６６の上端及び流路形成部材６７の上端は天板５１の下面に接続されており、流路形成部材６６の下端及び流路形成部材６７の下端は仕切り部６０の上面に接続されている。流路形成部材６６は、内壁６６ａと内壁６６ｂとを含み、流路形成部材６７は、内壁６７ａと内壁６７ｂとを含む。

【0060】

内壁６６ａの一端は、側壁５４のうちの接続口６９寄りの部分に接続されており、内壁６６ａは、左右方向及び前後方向の双方に対して傾斜した状態で延びている。内壁６６ａの他端の左右方向における位置は、第２排出口５８ｂの側壁５４に近い端部の位置に略一致する。内壁６６ａの他端には、内壁６６ｂの一端が接続されている。内壁６６ｂは、前後方向に沿って側壁５３まで延びている。

【0061】

内壁６７ａの一端は、側壁５５のうちの接続口６９寄りの部分に接続されており、内壁６７ａは、左右方向及び前後方向の双方に対して傾斜した状態で延びている。内壁６７ａの他端の左右方向における位置は、第２排出口５８ｂの側壁５５に近い端部の位置に略一致する。内壁６７ａの他端には、内壁６７ｂの一端が接続されている。内壁６７ｂは、前後方向に沿って側壁５３まで延びている。

【0062】

内壁６６ａと内壁６７ａとの左右方向での互いに間隔は、第２排出口５８ｂに近づくにつれて小さくなる。内壁６６ｂと内壁６７ｂとの左右方向での互いに間隔は、前後方向の位置が変わっても略一定である。以上の構成により、退避空間Ｓ２には、流路Ｓ２１と、流路Ｓ２２と、ガスが流れない２つの領域とが形成される。流路Ｓ２１は、退避空間Ｓ２のうちの、側壁５２と、内壁６６ａの内壁６６ｂとの接続部分と内壁６７ａの内壁６７ｂとの接続部分とを結ぶ仮想平面との間の領域である。流路Ｓ２２は、退避空間Ｓ２のうちの、上記仮想平面と第２排出口５８ｂとの間の領域である。ガスが流れない２つの領域は、退避空間Ｓ２のうちの、流路Ｓ２１及び流路Ｓ２２以外の領域である。

【0063】

平面視において、流路Ｓ２２の少なくとも一部は、加熱部４２と重なる位置に設けられている。平面視において、流路Ｓ２１と流路Ｓ２２との境界部分は、加熱部４２と重なっている。処理空間Ｓ１では、加熱部４２の周囲の第１排出口５８ａ寄りの領域で流路が狭くなっているのに対して、退避空間Ｓ２では、加熱部４２と重なる位置において流路が狭くなっている。退避空間Ｓ２のガスが流れない領域には、配線及びセンサ等が設けられてもよい。

【0064】

＜シャッター部＞
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）には、シャッター部７０の動作が例示されている。シャッター部７０は、側壁５２に形成された搬入出口５７を側方から覆うことができる位置に配置されている。シャッター部７０は、基台２４に設けられていてもよい。シャッター部７０は、例えば、シャッター部材７２と、駆動部７４とを有する。

【0065】

シャッター部材７２は、搬入出口５７を側方から覆う部材である。シャッター部材７２は、板状に形成されており、前後方向に交差する平面（図のＹ－Ｚ平面）に沿って延びている。前後方向から見て、シャッター部材７２の大きさは、搬入出口５７よりも大きい。駆動部７４は、電動モータ又はシリンダ等の駆動源を含み、シャッター部材７２を上下方向に沿って移動させる。駆動部７４によってシャッター部材７２が駆動することで搬入出口５７が側方から覆われる閉状態と搬入出口５７が開放される開状態とが切り替えられる。

【0066】

駆動部７４によりシャッター部材７２が基台２４に最も近接する位置に配置された際に、側方から見て、シャッター部材７２が搬入出口５７の全域を覆い、搬入出口５７が閉状態となる。この際、チャンバ５０の内部では、シャッター部材７２の内壁と、チャンバ５０とによって内部空間Ｓが形成される。駆動部７４によりシャッター部材７２が基台２４から最も離れた位置に配置された際に、側方から見て、シャッター部材７２が搬入出口５７と重ならずに、搬入出口５７が開状態となる。このように、シャッター部材７２は、搬入出口５７を側方から覆う閉状態と搬入出口５７を開放する開状態とを切り替える。

【0067】

図１１には、シャッター部材７２及びチャンバ５０の一部の側面が模式的に示されている。シャッター部材７２は、駆動部７４との接続部分を除いて、他の部材に接触しないように基台２４に設けられていてもよい。シャッター部材７２は、チャンバ５０の側壁５２との間に隙間ｇ１を設けて配置されている。シャッター部材７２と底壁５６との間にも隙間が設けられている。シャッター部材７２は、閉状態と開状態とのいずれの状態においても、チャンバ５０と接触していない。

【0068】

シャッター部材７２は、閉状態において（基台２４に最も近接する状態において）、基台２４との間に隙間ｇ２を空けて配置される。隙間ｇ２は、シャッター部材７２の下方に形成されている。隙間ｇ１は、隙間ｇ２よりも大きくてもよい。一例では、隙間ｇ１（隙間ｇ１の大きさ）は、０．８ｍｍ～１．６ｍｍ程度であり、隙間ｇ２（隙間ｇ２の大きさ）は、０．２ｍｍ～０．７ｍｍ程度である。なお、基台２４には、シャッター部材７２の下面の一部分を支える支持部が設けられてもよく、この場合、隙間ｇ２は、シャッター部材７２の下面と基台２４との間の上記支持部を除いた空間に相当する。

【0069】

＜排気部＞
図１２には、排気部８０の内部の一例と、切替部９０の一例とが模式的に示されている。排気部８０は、処理空間Ｓ１及び退避空間Ｓ２のそれぞれからガスを排出可能となるように構成されている。排気部８０は、配管８２と、配管８４とを有する。配管８２は、流路Ｃ１と流路Ｃ２とを形成する部材である。流路Ｃ１（第１流路）は処理空間Ｓ１に開口した第１排出口５８ａに接続されおり、流路Ｃ１には処理空間Ｓ１から排出される排ガスが流れる。流路Ｃ２（第２流路）は退避空間Ｓ２に開口した第２排出口５８ｂに接続されており、流路Ｃ２には退避空間Ｓ２から排出される排ガスが流れる。

【0070】

配管８２は、例えば、前後方向に延びるように形成されている。流路Ｃ１及び流路Ｃ２は上下方向に並ぶように形成されている。流路Ｃ１の上流に位置する端部には、第１排出口５８ａと接続される接続口８１ａが設けられ、流路Ｃ２の上流に位置する端部には、第２排出口５８ｂと接続される接続口８１ｂが設けられる。本開示では、ガスの流れを基準に「上流」及び「下流」の用語を使用する。排気部８０による排気によって、チャンバ５０内及び排気部８０内において、ガスが上流から下流に向かって流れる。

【0071】

配管８４は、流路Ｃ１及び流路Ｃ２それぞれに接続された共通流路Ｃ３を形成する部材である。共通流路Ｃ３は、流路Ｃ１の下流側の端部に設けられる接続口８７ａを介して流路Ｃ１と接続され、且つ、流路Ｃ２の下流側の端部に設けられる接続口８７ｂを介して流路Ｃ２と接続される。接続口８７ａは前後方向に内壁を貫通して形成された開口であってもよく、接続口８７ｂは上下方向に内壁を貫通して形成された開口であってもよい。接続口８７ｂは、前後方向において接続口８７ａよりも下流に位置しており、接続口８７ａよりも高い位置に設けられている。

【0072】

共通流路Ｃ３において、流路Ｃ１又は流路Ｃ２から導入された排ガスは、下向きに流れてもよい。共通流路Ｃ３の下流側の端部（配管８４の下端部に形成された排出口８１ｃ）は、他の排気用の配管に接続される。他の排気用の配管には、複数の熱処理ユニットＵ２における排気部の配管が接続されていてもよい。塗布現像装置２の稼働中において、他の排気用の配管から、排出口８１ｃ及び共通流路Ｃ３を介した排気が継続される。

【0073】

排気部８０（配管８２）は、固定部材を介してチャンバ５０の側壁５３に取り付けられている。排気部８０は、チャンバ５０に対して着脱自在である。言い換えると、排気部８０は、チャンバ５０に対して取り外し可能な状態で取り付けられている。図４又は図５に示されるように、排気部８０は、フランジ８３と、一対の取付部８８とを有する。フランジ８３は、配管８２の上流に位置する端部において、配管８２の外壁から外方に向かって延びるように形成されている。前後方向から見て、フランジ８３の外縁は四角形であってもよい（図１２も参照）。

【0074】

一対の取付部８８は、フランジ８３の左右方向の両端部から下流に向かって延びるよう形成されている。一対の取付部８８それぞれは、配管８２から外方に離れた位置に設けられている。取付部８８は、配管８２との間に左右方向において間隔を空けて配置されている。一対の取付部８８それぞれには、チャンバ５０と排気部８０とを固定する固定部材８９が取り付けられる。固定部材８９は、チャンバ５０と排気部８０とを固定することが可能であれば、どのような部材であってもよい。

【0075】

固定部材８９は、例えば、フック部を含み、チャンバ５０の側壁５３における突出部分の側方に形成された受け部にフック部が嵌合することで、チャンバ５０と排気部８０とを互いに固定する。チャンバ５０と排気部８０とを固定する際に、作業者の操作によって、固定部材８９が固定状態に切り替えられてもよい。チャンバ５０と排気部８０との固定を解除する際に、作業者の操作によって、固定部材８９が解除状態に切り替えられてもよい。以上の例とは異なり、排気部８０がチャンバ５０と一体に形成されていてもよい。

【0076】

＜切替部＞
図１２に戻り、排気部８０の内部には切替部９０が設けられる。切替部９０は、退避空間Ｓ２からガスを排出せずに、処理空間Ｓ１を介してガスを排出する上記第１排気状態において、流路Ｃ１と共通流路Ｃ３とを接続する。共通流路Ｃ３からの排気が継続されており、切替部９０が流路Ｃ１を開放し、且つ流路Ｃ２を閉塞することで、退避空間Ｓ２からガスが排出されずに処理空間Ｓ１からガスが排出される。切替部９０は、処理空間Ｓ１からガスを排出さずに、退避空間Ｓ２を介してガスを排出する上記第２排気状態において、流路Ｃ２と共通流路Ｃ３とを接続する。共通流路Ｃ３からの排気が継続されており、切替部９０が流路Ｃ２を開放し、且つ流路Ｃ１を閉塞することで、処理空間Ｓ１からガスが排出されずに退避空間Ｓ２からガスが排出される。

【0077】

切替部９０は、例えば、閉塞部材９２と、軸部材９４と、駆動部９６とを有する。閉塞部材９２は、流路Ｃ１と共通流路Ｃ３との接続口８７ａと、流路Ｃ２と共通流路Ｃ３との接続口８７ｂとのそれぞれを（いずれか一方を）閉塞するように構成された部材である。閉塞部材９２は、軸部材９４に接続されている。軸部材９４は、左右方向に延びるように形成されており、その中心軸線まわりに回転可能に設けられている。

【0078】

駆動部９６は、電動モータ等の駆動源を含み、軸部材９４を上記軸線まわりに回転させる。軸部材９４の回転に伴って、閉塞部材９２が上記中心軸線まわりに回転する。閉塞部材９２は、接続口８７ｂを塞ぐ第１位置と、接続口８７ａを塞ぐ第２位置との間で上記中心軸線まわりに回転する。

【0079】

閉塞部材９２が接続口８７ｂを塞ぐ第１位置に配置されたときに、流路Ｃ１と共通流路Ｃ３との間が開放（接続）され、流路Ｃ２が閉塞される。これにより、第２排出口５８ｂ及び流路Ｃ２を介して退避空間Ｓ２からガスが排出されずに、第１排出口５８ａ及び流路Ｃ１を介して処理空間Ｓ１からガスが排出される第１排気状態となる。

【0080】

閉塞部材９２が接続口８７ａを塞ぐ第２位置に配置されたときに、流路Ｃ２と共通流路Ｃ３との間が開放（接続）され、流路Ｃ１が閉塞される。これにより、第１排出口５８ａ及び流路Ｃ１を介して処理空間Ｓ１からガスが排出されずに、第２排出口５８ｂ及び流路Ｃ２を介して退避空間Ｓ２からガス排出される第２排気状態となる。以上のように、切替部９０の閉塞部材９２の位置の切替によって、第１排気状態と第２排気状態との切替が行われる。閉塞部材９２は、第１排気状態において流路Ｃ１を開放し、且つ流路Ｃ２を閉塞するように構成され、第２排気状態において流路Ｃ１を閉塞し、且つ流路Ｃ２を開放するように構成されている。

【0081】

（チャンバの着脱）
図１３、図１４、図１５（ａ）及び図１５（ｂ）には、チャンバ５０の着脱の様子が例示されている。チャンバ５０は、熱処理ユニットＵ２のベース部に対して着脱自在に構成されている。熱処理ユニットＵ２のベース部は、熱処理ユニットＵ２において各種部材を所定の位置に固定又は支持する部材である。熱処理ユニットＵ２において、加熱部４２は、ベース部に設けられており、シャッター部７０（シャッター部材７２）は、ベース部に設けられている。熱処理ユニットＵ２のベース部は、例えば、筐体２０、基台２４、及び基台２５を含む。チャンバ５０は、熱処理ユニットＵ２のベース部に対して取り外しが可能状態で取り付けられる。チャンバ５０が取り外された状態において、加熱部４２及びシャッター部７０はベース部に残る。

【0082】

チャンバ５０は、その天板５１、側壁５２，５３，５４，５５、及び底壁５６が一体となって（一体的に）、ベース部から取り外しが可能であり、ベース部に対して取り付けが可能である。つまり、天板５１、側壁５２～５５、及び底壁５６が互いに接続されている状態で、チャンバ５０全体がベース部から取り外し可能であり、ベース部に対して取り付け可能である。仕切り部６０がチャンバ５０に固定されている場合、仕切り部６０は、ベース部に対してチャンバ５０と共に移動可能である。すなわち、チャンバ５０の取り外しと共に仕切り部６０も一緒に取り外され、チャンバ５０の取り付けと共に仕切り部６０も一緒に取り付けられる。

【0083】

チャンバ５０が熱処理ユニットＵ２において装着位置に配置されて、ボルト等の固定部材を介してチャンバ５０がベース部に固定されることで、チャンバ５０がベース部に取り付けられてもよい。チャンバ５０が装着位置に配置されるときに、チャンバ５０内の空間が加熱部４２（加熱部４２上のワークＷ）を囲み、上述した内部空間Ｓが形成され得る。固定部材による固定が解除されて、上記装着位置からチャンバ５０を移動させる（例えば、筐体２０の外に移動させる）ことで、チャンバ５０がベース部から取り外されてもよい。チャンバ５０の取り付け及び取り外しは、作業者が治具を用いて行ってもよい。

【0084】

熱処理ユニットＵ２は、ガイド部２１０を有する。ガイド部２１０は、加熱部４２の上面（又は、熱板４３の上面）に沿った所定の方向に沿って、チャンバ５０の移動をガイドする部材である。ガイド部２１０によってチャンバ５０がガイドされる方向（以下、「可動方向」という。）は、前後方向であってもよい。この場合、チャンバ５０の取り外しにおいて、チャンバ５０が前後方向にスライドしながらベース部から取り外されてもよく、チャンバ５０の取り付けにおいて、チャンバ５０が前後方向にスライドしながらベース部に配置されてもよい。上記可動方向が前後方向である場合、排気部８０は、可動方向に沿って一方側に向かってガスが流れるように、チャンバ５０内の内部空間Ｓからガスを排出する。

【0085】

ガイド部２１０は、チャンバ５０を取り付ける際には、上記装着位置に向かうチャンバ５０の移動をガイドする。チャンバ５０の取り付けでは、加熱部４２からシャッター部７０に向かう方向にチャンバ５０がスライドして、上記装着位置にチャンバ５０が配置される。ガイド部２１０は、チャンバ５０を取り外す際には、上記装着位置からのチャンバ５０の移動をガイドする。チャンバ５０の取り外しでは、シャッター部７０から加熱部４２に向かう方向にチャンバ５０がスライドして、筐体２０の外にチャンバ５０が取り出される。

【0086】

ガイド部２１０は、レール部材２１２と、固定部材２１４，２１４とを含む。レール部材２１２は、上記可動方向に沿って延びるように形成されている。レール部材２１２は、前後方向に沿って延びていてもよい。レール部材２１２は、左右方向において、チャンバ５０よりも外方に配置されている。図１３に示されるように、レール部材２１２は、チャンバ５０が装着位置に配置されているときに、チャンバ５０の左右方向における一方の側壁（例えば、側壁５５）に対向するように設けられている。レール部材２１２の前後方向における長さが、チャンバ５０の側壁５５の長さと同程度であってもよい。

【0087】

固定部材２１４，２１４は、レール部材２１２をベース部に固定する部材である。レール部材２１２は、固定部材２１４，２１４によって支持されることで、筐体２０内において所定の位置に固定される。熱処理ユニットＵ２は、別のガイド部２１０を有してもよく、一対のガイド部２１０が、左右方向において加熱部４２及びチャンバ５０を間に挟むように設けられてもよい。

【0088】

チャンバ５０の左右方向における外壁（例えば、側壁５５の外面）には、張出部２４２と、ローラ２４４とが設けられている。張出部２４２は、チャンバ５０の側壁から外方に張り出すように形成され、上記可動方向に沿って延びるように形成されている。ローラ２４４は、チャンバ５０に対して回転自在な部材である。ローラ２４４は、張出部２４２と可動方向に並ぶように配置され、張出部２４２よりもシャッター部７０（搬入出口５７が形成される側壁５２）寄りに位置する。すなわち、チャンバ５０が装着位置に配置された状態で、前後方向において、シャッター部７０（又は、側壁５２）、ローラ２４４、及び張出部２４２がこの順に並ぶ。

【0089】

レール部材２１２は、レール本体２１２ａと、レール本体２１２ａの上面よりも下方に凹む凹部２１２ｂとを含む。凹部２１２ｂは、レール部材２１２（レール本体２１２ａ）において、シャッター部７０に近い端部に形成されている。図１３又は図１５（ａ）には、チャンバ５０が装着位置に配置されている状態が例示されている。チャンバ５０が装着位置に配置されている状態において、張出部２４２の下面はレール本体２１２ａによって支持され、チャンバ５０に設けられたローラ２４４が、凹部２１２ｂに収容される。

【0090】

ガイド部２１０は、ローラ２１８を有してもよい。ローラ２１８は、レール本体２１２ａの内面（チャンバ５０の側壁に対向する面）に設けられている。ローラ２１８は、レール部材２１２に対して回転自在である。ローラ２１８は、可動方向において凹部２１２ｂとは異なる位置に設けられている。チャンバ５０に設けられた張出部２４２には、チャンバ５０が装着位置に配置された際に、ローラ２１８が収容される収容部２４２ａが形成されている。以上の構成により、チャンバ５０が装着位置に配置された際に、チャンバ５０に設けられたローラ２４４がレール部材２１２の凹部２１２ｂに収容される。また、レール部材２１２に設けられたローラ２１８が、チャンバ５０に設けられた張出部２４２の収容部２４２ａに収容される。

【0091】

図１４又は図１５（ｂ）には、チャンバ５０が装着位置から取り外される際、又はチャンバ５０が装着位置に取り付けられる際の様子が例示されている。チャンバ５０が可動方向に沿って移動する際には、チャンバ５０に設けられたローラ２４４がレール本体２１２ａを走行する（回転しながら移動する）。チャンバ５０の側面には、張出部２４２の下に張出部２４３が設けられている。張出部２４３のチャンバ５０の側面からの突出量は、張出部２４２の突出量よりも小さい。

【0092】

チャンバ５０が移動する際には、ローラ２４４の走行と共に、張出部２４３がガイド部２１０のローラ２１８によって支持されて、可動方向に沿ってガイドされる。作業者がチャンバ５０の一端を保持した状態で可動方向に力を加えることで、チャンバ５０の可動方向に沿った移動が行われてもよい。チャンバ５０の着脱（取り付け及び取り外し）において、筐体２０の排気部８０が位置する側壁が開放されてもよい。

【0093】

（制御装置）
制御装置１００は、１つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。制御装置１００は、少なくとも、加熱部４２によるワークＷの加熱の実行中に、上記第２排気状態（退避空間Ｓ２を介した排気）から上記第１排気状態（処理空間Ｓ１を介した排気）に切り替えるように切替部９０を制御することを実行する。

【0094】

制御装置１００は、例えば、図１６に示される回路１２０を有する。回路１２０は、１つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８と、タイマ１３２とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。

【0095】

メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１３２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。

【0096】

［基板処理方法］
続いて、基板処理方法（熱処理方法）の一例として、ワークＷに対する熱処理において制御装置１００が実行する一連の処理について説明する。この一連の処理は、排気部８０による排気が継続され、加熱部４２でのヒータによる熱板４３の加熱が継続されている状態で実行される。図１７は、１枚のワークＷについての熱処理において制御装置１００が実行する一連の処理を示すフローチャートである。

【0097】

制御装置１００は、排気部８０が第１排気状態で排気可能な状態であり、且つ、搬送部３０の冷却プレート３１に処理液の膜が形成されたワークＷが支持された状態において、最初にステップＳ９１を実行する。ステップＳ９１では、例えば、制御装置１００が、駆動部７４によりシャッター部材７２を上昇させて、チャンバ５０内へのワークＷの搬入出口５７が閉じられた閉状態から、搬入出口５７が開放される開状態に切り替える。

【0098】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９２を実行する。ステップＳ９２では、例えば、制御装置１００が、冷却プレート３１からチャンバ５０内にワークＷが搬入され、冷却プレート３１から加熱部４２にワークＷが受け渡されるように、搬送部３０及び昇降部４４を制御する。図１８（ａ）には、チャンバ５０内へのワークＷの搬入の様子が例示されている。加熱部４２にワークＷが受け渡された状態において、加熱部４２の中心（熱板４３の中心）とワークＷの中心とが略一致するように、加熱部４２上にワークＷが配置されてもよい。

【0099】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９３を実行する。ステップＳ９３では、例えば、制御装置１００が、排気部８０が第２排気状態で排気可能となるように切替部９０を制御する。一例では、制御装置１００は、処理空間Ｓ１及び第１排出口５８ａに接続される流路Ｃ１を閉塞し、退避空間Ｓ２及び第２排出口５８ｂに接続される流路Ｃ２が共通流路Ｃ３に開放されるように、駆動部９６により閉塞部材９２を駆動させる。これにより、排気部８０は、退避空間Ｓ２からの排気が可能な状態となる。

【0100】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９４を実行する。ステップＳ９４では、例えば、制御装置１００が、搬入出口５７が側方から覆われた閉状態となるようにシャッター部７０を制御する。制御装置１００は、シャッター部材７２を下方に移動させるように駆動部７４を制御してもよい。シャッター部材７２が搬入出口５７を覆うと、シャッター部材７２、加熱部４２、及びチャンバ５０により、ワークＷを加熱するための内部空間Ｓが形成され、ワークＷに対する加熱が開始される。

【0101】

シャッター部材７２が閉じる前に、排気部８０が第２排気状態で排気できる状態となっているので、内部空間Ｓが形成されると、図１８（ｂ）に示されるように、排気部８０は、退避空間Ｓ２からガスを排出する。シャッター部材７２と側壁５２との間には隙間ｇ１が形成されており、隙間ｇ１から内部空間Ｓにガスが導入される。隙間ｇ１から内部空間Ｓに導入されたガスは、接続口６９、退避空間Ｓ２（流路Ｓ２１，Ｓ２２）、排気部８０の流路Ｃ２、及び共通流路Ｃ３を通って流れる。これにより、ワークＷに対する加熱の初期段階において、処理空間Ｓ１での気流の発生を低減することができる。

【0102】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９５を実行する。ステップＳ９５では、例えば、制御装置１００が、ステップＳ９４の終了時点（加熱の開始タイミング）から所定の切替時間が経過するまで待機する。切替時間は、予め定められており、例えば、処理対象のワークＷにおける処理液の膜が、ある程度固化される程度に設定される。切替時間は、数十秒程度に設定されてもよい。

【0103】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９６を実行する。ステップＳ９６では、例えば、制御装置１００が、第２排気状態から第１排気状態に切り替わるように切替部９０を制御する。一例では、制御装置１００は、処理空間Ｓ１及び第１排出口５８ａに接続される流路Ｃ１が共通流路Ｃ３に開放され、退避空間Ｓ２及び第２排出口５８ｂに接続される流路Ｃ２が閉塞されるように、駆動部９６により閉塞部材９２を駆動させる。これにより、ワークＷの加熱中において、排気部８０による排気が、第２排気状態から第１排気状態に切り替わる。第１排気状態への切替により、図１９に示されるように、処理空間Ｓ１内のガスが、第１排出口５８ａ及び流路Ｃ１を介して排出される。これにより、ワークＷの加熱中に処理空間Ｓ１に発生した昇華物をチャンバ５０外に排出することができる。

【0104】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９７を実行する。ステップＳ９７では、例えば、制御装置１００が、ステップＳ９４の終了時点（加熱の開始タイミング）から所定の加熱時間が経過するまで待機する。加熱時間は、予め定められており、上記切替時間の１．５倍～５．０倍程度であってもよい。

【0105】

次に、制御装置１００は、ステップＳ９８，Ｓ９９を実行する。ステップＳ９８では、例えば、制御装置１００が、ワークＷの搬入出口５７が開放されて、チャンバ５０内の空間が開放されるようにシャッター部７０を制御する（駆動部７４によりシャッター部材７２を上昇させる）。ステップＳ９９では、例えば、制御装置１００が、加熱処理部４０から搬送部３０の冷却プレート３１にワークＷが受け渡され、チャンバ５０内からワークＷが搬出されるように、搬送部３０及び昇降部４４を制御する。

【0106】

以上により、１枚のワークＷに対する加熱処理において、制御装置１００が実行する一連の処理が終了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷそれぞれについて、ステップＳ９１～Ｓ９９の一連の処理を繰り返し実行してもよい。上述の一連の処理は一例であり、適宜変更可能である。上記一連の処理において、制御装置１００は、一のステップと次のステップとを並列に実行してもよく、上述した例とは異なる順序で各ステップを実行してもよい。制御装置１００は、各ステップにおいて上述の例とは異なる処理を実行してもよい。

【0107】

［メンテナンス方法］
熱処理ユニットＵ２での加熱処理を繰り返すと、チャンバ５０及び仕切り部６０の処理空間Ｓ１を区画する部分に昇華物が付着してしまう。そのため、チャンバ５０及び仕切り部６０の清掃を含むメンテナンスを定期的に行う必要がある。以下のメンテナンス方法は、塗布現像装置２（基板処理システム１）が稼働していないときに、作業者によって実行される。

【0108】

作業者は、最初に、排気部８０をチャンバ５０から取り外す工程を行う。作業者は、例えば、排気部８０の取付部８８に取り付けられた固定部材８９のロック状態を解除した後に、排気部８０をチャンバ５０から取り外す。作業者は、排気部８０の共通流路Ｃ３が接続される他の配管（例えば、複数の熱処理ユニットＵ２からの排気が合流する配管）からも排気部８０を取り外してもよい。図２０（ａ）には、排気部８０をチャンバ５０から取り外す様子が例示されている。

【0109】

次に、作業者は、チャンバ５０を熱処理ユニットＵ２のベース部から取り外す工程を行う。チャンバ５０の取り外しによって、仕切り部６０、流路調整部６２、及び流路形成部材６６，６７もチャンバ５０と共に取り外される。作業者は、例えば、チャンバ５０とベース部とを固定しているボルト等の固定部材によるロック状態を解除する。これにより、チャンバ５０がベース部に対して移動可能な状態となる。

【0110】

そして、作業者は、装着位置のチャンバ５０を上方に持ち上げつつ、シャッター部７０から離れる方向にチャンバ５０をスライドさせる。作業者は、レール部材２１２の凹部２１２ｂに収容されているローラ２４４がレール部材２１２のレール本体２１２ａに載置され、張出部２４３がローラ２１８に載置される程度にチャンバ５０を持ち上げる。その後、作業者は、ガイド部２１０に沿ってチャンバ５０を前後方向にスライドさせて、熱処理ユニットＵ２の内部から取り出す。図２０（ｂ）には、チャンバ５０を、一度上昇させたうえで、前後方向にスライドさせて取り外す様子が例示されている。

【0111】

次に、作業者は、チャンバ５０等の内部に付着した昇華物を除去するために、チャンバ５０等の内部を清掃する工程を行う。清掃後、作業者は、チャンバ５０を熱処理ユニットＵ２内に装着する（取り付ける）工程を行う。チャンバ５０の取り付け作業は、チャンバ５０の取り外し作業と反対の手順で実行される。作業者は、ローラ２４４が凹部２１２ｂに収容され、ローラ２１８が収容部２４２ａに収容されるまで、チャンバ５０をガイド部２１０に沿ってシャッター部７０に向かってスライドさせる。これにより、チャンバ５０が装着位置に配置される。そして、作業者は、ボルト等の固定部材により、チャンバ５０を熱処理ユニットＵ２のベース部に固定する。

【0112】

次に、作業者は、排気部８０をチャンバ５０に取り付けると共に、排気部８０の共通流路Ｃ３を他の配管に取り付ける。以上により、１台の熱処理ユニットＵ２におけるメンテナンス作業が終了する。

【0113】

［チャンバの別の例］
チャンバ５０を構成する底壁５６において、チャンバ５０内の処理空間Ｓ１と、チャンバ５０の外とを接続する複数の導入孔が形成されてもよい。図２１には、図７と同様に、図３におけるＡ－Ａ線での断面が示されている。図２１に示されるように、底壁５６には、加熱部４２（熱板４３）に支持されたワークＷの周囲に並ぶように、複数の導入孔３００が形成されてもよい。複数の導入孔３００それぞれは、底壁５６に交差する方向（例えば、上下方向）において底壁５６を貫通している。複数の導入孔３００それぞれが、底壁５６を貫通することで、複数の導入孔３００を介して、チャンバ５０の外の空間から、チャンバ５０内の処理空間Ｓ１へのガスの導入が可能となっている。複数の導入孔３００それぞれの形状（上方から見たときの形状）は、円形であってもよく、円形以外の楕円形、又は多角形であってもよい。

【0114】

複数の導入孔３００の少なくとも一部は、加熱部４２の中心まわりの周方向において互いに異なる位置に配置されている。複数の導入孔３００の少なくとも一部は、加熱部４２の中心まわりの円周上に並んでいてもよい。上記円周上に並ぶ複数の導入孔３００（複数の導入孔３００の一部）が、互いに等間隔に配置されてもよい。複数の導入孔３００の一部の間において、加熱部４２の中心からの距離が互いに異なっていてもよい。上方から加熱部４２を見て、複数の導入孔３００は、加熱部４２上に支持された状態のワークＷの周縁よりも外に位置する。上方から加熱部４２を見て、複数の導入孔３００は、加熱部４２と底壁５６との間の隙間の処理空間Ｓ１における開口部分よりも外に位置する。複数の導入孔３００は、加熱部４２の周縁部（周縁とその近傍）と重なるように形成されてもよく、加熱部４２の周縁よりも外に位置してもよい。

【0115】

複数の導入孔３００は、互いに同じ大きさの開口面積を有してもよい。導入孔３００の開口面積とは、底壁５６の上面における導入孔３００の開口縁によって区画される領域の面積である。複数の導入孔３００それぞれの径は、底壁５６と加熱部４２との間に形成される隙間ｇ３（図２２（ｂ）を参照）の大きさよりも大きくてもよい。隙間ｇ３の大きさは、底壁５６と加熱部４２との間の最短距離で定義される。

【0116】

ここで、第１領域及び第２領域を下記のように定義された仮想的な一対の領域したときに、複数の導入孔３００は、第１領域における開口面積の合計（合計値）が、第２領域に比較して小さくなるように底壁５６に形成されていてもよい。第１領域及び第２領域は、加熱部４２を上方から見たときに、加熱部４２の中心と排出口５８の中心とを結ぶ方向において、加熱部４２の中心を境界にして処理空間Ｓ１を２つに分割して得られる一対の仮想的な領域である。図２１では、加熱部４２を上方から見たときに、加熱部４２と排出口５８との中心を結ぶ仮想な線（仮想線）が「ＩＬ１」で示されている。また、加熱部４２の中心を通り、且つ、仮想線ＩＬ１に対して直交する仮想的な線（仮想線）が「ＩＬ２」で示されている。仮想線ＩＬ１と仮想線ＩＬ２との交点が、加熱部４２の中心に一致する。

【0117】

加熱部４２を上方から見たときに、第１領域は、処理空間Ｓ１のうちの仮想線ＩＬ２を境界にして２つに分割した一対の領域のうちのシャッター部７０（搬入出口５７）寄りの領域である。第２領域は、上記一対の領域のうちの排出口５８（排気部８０）寄りの領域である。前後方向（仮想線ＩＬ１が延びる方向）において、シャッター部７０、第１領域、第２領域、及び、排出口５８（排気部８０）が、この順に並んでいる。加熱部４２を上方から見たときに、処理空間Ｓ１と退避空間Ｓ２とを接続する接続口６９が、第１領域と重なっている。図２１において、上方から見た場合の接続口６９の位置が、シャッター部材７２の近傍において破線で示されている。

【0118】

第１領域及び第２領域それぞれには、２個以上の導入孔３００が形成されている。第２領域に存在する複数の導入孔３００の開口面積の合計は、第１領域に存在する複数の導入孔３００の開口面積の合計よりも大きい。仮想線ＩＬ２に重なる導入孔３００が存在する場合、その導入孔３００の第１領域に存在する部分が、第１領域での開口面積の合計に加算され、その導入孔３００の第２領域に存在する部分が、第２領域での開口面積の合計に加算される。

【0119】

複数の導入孔３００が同じ開口面積を有する場合において、第２領域に形成された複数の導入孔３００の個数が、第１領域に形成された複数の導入孔３００の個数よりも多くてもよい。第１領域及び第２領域それぞれでの複数の導入孔３００の個数が同じである場合において、第２領域に位置する各導入孔３００の開口面積が、第１領域に位置する各導入孔３００の開口面積よりも大きくてもよい。第１領域及び第２領域との間での開口面積の合計が上記関係を満たすように、導入孔３００の個数と、各導入孔３００の開口面積との両方が調節されてもよい。

【0120】

図２１に示される例では、第１領域において複数の導入孔３０２が形成されており、第２領域において複数の導入孔３０４ａ及び複数の導入孔３０４ｂが形成されている。複数の導入孔３０２及び複数の導入孔３０４ａは、加熱部４２の中心まわりの１つの円周上に並んでいる。複数の導入孔３０２の個数と、複数の導入孔３０４ａの個数とは、互いに同じである。複数の導入孔３０２それぞれは同じ開口面積を有し、複数の導入孔３０４ａそれぞれは同じ開口面積を有する。各導入孔３０２の開口面積と、各導入孔３０４ａの開口面積とは、互いに同じである。

【0121】

複数の導入孔３０４ｂは、複数の導入孔３０４ａが並ぶ円周よりも外側に配置されている。複数の導入孔３０４ｂそれぞれは同じ開口面積を有し、各導入孔３０４ｂの開口面積は、各導入孔３０４ａの開口面積と一致する。以上の図２１に示される構成では、複数の導入孔３０４ａの開口面積の合計と、複数の導入孔３０４ｂの開口面積の合計とを加算して得られる値が、複数の導入孔３０２の開口面積の合計よりも大きい。底壁５６に複数の導入孔３００が形成されたチャンバ５０が備えられる場合においても、制御装置１００は、図１７に示される一連の処理を実行してもよい。

【0122】

図２２（ａ）には、複数の導入孔３００が形成されていないチャンバ５０が用いられ、上記第２排気状態において退避空間Ｓ２を介してガスが排出されているときのチャンバ５０内の様子が例示されている。上述したように、加熱部４２（例えば、加熱部４２の周縁部の上面）と、底壁５６（例えば、加熱部４２の周縁部を上方から覆う部分の下面）との間に隙間ｇ３が形成されている。第２排気状態では、処理空間Ｓ１内のガスが接続口６９を介して、退避空間Ｓ２に導かれる。このとき、隙間ｇ３を介して、チャンバ５０の外から、処理空間Ｓ１内にガスが導入され、処理空間Ｓ１内において、加熱部４２上のワークＷの周縁部に影響を与える程度の気流が発生し得る。この気流により、ワークＷ上に形成される処理液の膜における膜厚分布（膜厚分布の外周部）に影響を及ぼす可能性がある。

【0123】

図２２（ｂ）には、複数の導入孔３００が形成されたチャンバ５０が用いられ、上記第２排気状態において退避空間Ｓ２を介してガスが排出されているときのチャンバ５０内の様子が例示されている。複数の導入孔３００が形成されていることで、図２２（ａ）に示される例とは異なり、隙間ｇ３から処理空間Ｓ１に流れようするガスの少なくとも一部が、複数の導入孔３００を介して、処理空間Ｓ１に導入される。その結果、隙間ｇ３を介して、処理空間Ｓ１内に導入されるガスの量が減少し、加熱部４２上のワークＷの周縁部に影響を与える程度の気流が発生し難くなるか、又は、その気流による影響の程度が減少する。

【0124】

図２２（ａ）に示されるように、接続口６９は、シャッター部７０寄りに形成されている。この場合、第２排気状態において、上記第１領域において隙間ｇ３を介して処理空間Ｓ１に導入されるガスの流量が、上記第２領域において隙間ｇ３を介して処理空間Ｓ１に導入されるガスの流量よりも大きくなる。一方、図２２（ｂ）に示される例では、第２領域での複数の導入孔３００の開口面積の合計が、第１領域での複数の導入孔３００の開口面積の合計よりも大きい。これにより、第２領域において複数の導入孔３００を介して処理空間Ｓ１に導入されるガスの流量と、第１領域において複数の導入孔３００を介して処理空間Ｓ１に導入されるガスの流量との差分が縮小する。そのため、複数の導入孔３００を介して処理空間Ｓ１に導入されるガスに起因して、加熱部４２上のワークＷにおける膜厚分布の外周部に多少の影響が出ても、前後方向での影響の差を小さくすることができる。

【0125】

図２１及び図２２（ｂ）に示される例とは異なり、第１領域での複数の導入孔３００の開口面積の合計が、第２領域での複数の導入孔３００の開口面積の合計と略一致していてもよい。例えば、第１領域において複数の導入孔３０２が形成されており、第２領域において、複数の導入孔３０４ａが形成され、複数の導入孔３０４ｂが形成されていなくてもよい。

【0126】

［実施形態の効果］
以上に説明した塗布現像装置２は、加熱部４２と、チャンバ５０と、排気部８０と、仕切り部６０と、切替部９０とを備える。加熱部４２は、処理液の膜が形成されたワークＷを支持して加熱する。チャンバ５０は、加熱部４２に支持されたワークＷを囲むように配置される。排気部８０は、加熱部４２の周囲に位置する排出口５８を介して、チャンバ５０内の空間（内部空間Ｓ）からガスを排出する。仕切り部６０は、チャンバ５０内の空間を、加熱部４２上のワークＷが露出する処理空間Ｓ１と、処理空間Ｓ１の上方に位置する退避空間Ｓ２とに隔てる。切替部９０は、排気部８０により処理空間Ｓ１を介してガスが排出される第１排気状態と、排気部８０により退避空間Ｓ２を介してガスが排出される第２排気状態とを切り替える。

【0127】

ワークＷの加熱中に、ワークＷが露出する空間には処理液から昇華物が発生する。昇華物を回収するために、ワークＷが露出する空間からガスを排出すると、ガスの排出に伴いワークＷの上方に気流が発生し、加熱処理後の処理液の膜厚分布に影響が生じ得る。これに対して、上記熱処理ユニットＵ２では、処理空間Ｓ１を介してガスが排出される排気状態と、退避空間Ｓ２を介してガスが排出される排気状態とが切り替わる。そのため、処理対象のワークＷの加熱中において、気流が膜厚分布に与える影響が大きい時間帯では退避空間Ｓ２を介してガスを排出し、気流が膜厚分布に与える影響が小さい時間帯では処理空間Ｓ１を介してガスを排出することができる。従って、昇華物の効率的な回収と膜厚分布への影響の低減との両立に有用である。

【0128】

以上に説明した塗布現像装置２は、加熱部４２によるワークＷの加熱の実行中に、第２排気状態から第１排気状態に切り替えるように切替部９０を制御する制御装置１００を更に備えてもよい。処理対象のワークＷに対する加熱の前段では、処理液の膜が十分に固化しておらず、処理空間Ｓ１に発生する気流による膜厚分布への影響が大きい。一方、ワークＷに対する加熱の後段では、処理液の膜の固化が進行しており、処理空間Ｓ１に発生する気流による膜厚分布への影響が小さい。上記構成では、ワークＷに対する加熱の前段において第２排気状態でガスの排出を行い、ワークＷに対する加熱の後段において第１排気状態でガスの排出を行うことができる。従って、昇華物を効率的に回収しつつ、膜厚分布への影響を低減させること（例えば、膜厚の均一性を向上させること）が可能となる。

【0129】

以上に説明した塗布現像装置２において、排出口５８は、処理空間Ｓ１に開口した第１排出口５８ａと、退避空間Ｓ２に開口した第２排出口５８ｂとを含んでもよい。切替部９０は、閉塞部材９２を有してもよい。閉塞部材９２は、第１排気状態において第１排出口５８ａに接続された流路Ｃ１を開放し、且つ第２排出口５８ｂに接続された流路Ｃ２を閉塞するように構成され、第２排気状態において流路Ｃ１を閉塞し、且つ流路Ｃ２を開放するように構成されている。この場合、閉塞部材９２を駆動することで、第１排気状態と第２排気状態とを切り替えることができる。従って、排気部８０による排気状態を切り替えるための装置構成の簡素化することが可能となる。

【0130】

以上に説明した塗布現像装置２は、流路調整部６２を更に備えてもよい。流路調整部６２は、処理空間Ｓ１の加熱部４２の周囲に配置され、処理空間Ｓ１を、加熱部４２を含む収容空間Ｓ１１と、排出口５８（第１排出口５８ａ）を含む調整空間Ｓ１２とに隔てる内壁６３を有してもよい。内壁６３には、収容空間Ｓ１１と調整空間Ｓ１２とを接続し、内壁６３が延在する方向に沿って並ぶ複数の排出孔６３ａが形成されていてもよい。この場合、加熱部４２上のワークＷを含む収容空間Ｓ１１と、排出口５８までガスを導く調整空間Ｓ１２とにおいて、それぞれの目的に応じてガスの流れを調整することが可能となる。

【0131】

以上に説明した塗布現像装置２において、流路調整部６２は、調整空間Ｓ１２を、内壁６３を含むバッファ空間と排出口５８（第１排出口５８ａ）を含む排出空間とに隔てる内壁６４を更に有してもよい。内壁６４には、バッファ空間と排出空間とを接続し、内壁６４が延在する方向に沿って並ぶ複数の排出孔６４ａが形成されていてもよい。この場合、内壁６４の内側に配置される内壁６３における複数の排出孔６３ａでのガスの流量を調整することができる。複数の排出孔６３ａでのガスの流量を調整することで、例えば、加熱部４２上のワークＷの上方における気流の強さを均すことができる。従って、ワークＷの面内における膜厚均一性を向上させることが可能となる。

【0132】

以上に説明した塗布現像装置２において、加熱部４２を上方から見たときに、加熱部４２の中心と排出口５８（第１排出口５８ａ）との中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、内壁６３の長さは、加熱部４２上のワークＷの長さよりも大きい。この場合、上記幅方向の中央部分とそれ以外の部分において、ワークＷの上方における気流の強さの差を縮小することができる。従って、排気部８０によるガスの排出に伴う膜厚分布への影響を低減することが可能となる。

【0133】

以上に説明した塗布現像装置２において、加熱部４２を上方から見たときに、複数の排出孔６３ａそれぞれが、加熱部４２の中心と排出口５８（第１排出口５８ａ）の中心とを結ぶ方向に沿って、内壁６３を貫通するように形成されていてもよい。この場合、加熱部４２の上方において、加熱部４２の中心から径方向に向かう気流が発生し難い。従って、排気部８０によるガスの排出に伴う膜厚分布への影響を低減することが可能となる。

【0134】

以上に説明した塗布現像装置２において、加熱部４２を上方から見たときに、内壁６３が、加熱部４２の中心まわりの周方向に沿って延びるように形成されていてもよい。複数の排出孔６３ａが形成された内壁６３が直線状に延びると、処理空間Ｓ１の下流側の端部に角部が形成され、その角部に昇華物が蓄積されるおそれがある。また、その角部において、処理空間Ｓ１からのガスの排出時に、ガスが滞留してしまうおそれがある。ガスが滞留してしまうと、加熱部４２上のワークＷの上方に発生する気流において、左右方向での気流条件（気流の強さ、向き等）の差が発生し得る。上記構成では、周方向に延びる内壁６３によって角部が形成されないので、処理空間Ｓ１での昇華物の蓄積の可能性、及び、気流の滞留が発生する可能性が低減される。従って、昇華物を効率的に回収しつつ、排気に伴う膜厚分布への影響を低減することが可能となる。

【0135】

以上に説明した塗布現像装置２において、加熱部４２を上方から見たときに、加熱部４２の中心と第２排出口５８ｂの中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、第２排出口５８ｂの長さは、加熱部４２の長さよりも小さくてもよい。退避空間Ｓ２は、処理空間Ｓ１との接続口６９を含む流路Ｓ２１と、幅方向における大きさが流路Ｓ２１よりも小さい流路Ｓ２２とを含んでもよい。流路Ｓ２２の少なくとも一部は、加熱部４２と重なる位置に設けられていてもよい。第２排出口５８ｂに向かってガスがスムーズに流れるようにするためには、退避空間Ｓ２での流路において、第２排出口５８ｂに向かうにつれて流路を小さくする必要がある。流路Ｓ２２の少なくとも一部が加熱部４２と重なる位置に設けられることで、退避空間Ｓ２でのガスの流れをスムーズにしつつ、退避空間Ｓ２のスペースを有効に利用することが可能となる。

【0136】

以上に説明した塗布現像装置２において、チャンバ５０の側壁５２には、ワークＷの搬入出口５７が設けられていてもよい。塗布現像装置２は、側壁５２との間に隙間ｇ１を設けて配置され、搬入出口５７を側方から覆う閉状態と搬入出口５７を開放する開状態とを切り替えるシャッター部材７２を更に備えてもよい。上記閉状態において、側壁５２とシャッター部材７２との間の隙間ｇ１は、シャッター部材７２の下方に形成されている隙間ｇ２よりも大きくてもよい。シャッター部材７２の下方の隙間ｇ２から内部空間Ｓに導入されるガスに比べて、シャッター部材７２の側方の隙間ｇ１から内部空間Ｓに導入されるガスの方が、退避空間Ｓ２に導くのが容易である。上記構成では、隙間ｇ２が隙間ｇ１よりも小さく、搬入出口５７を覆うシャッター部材７２の隙間から内部空間Ｓに導入されるガスを退避空間Ｓ２に導きやすい。そのため、内部空間Ｓに導入されたガスが、処理空間Ｓ１に流れ難い。従って、排気部８０によるガスの排出に伴う膜厚分布への影響を低減することが可能である。

【0137】

以上に説明した塗布現像装置２において、チャンバ５０は、加熱部４２に支持されたワークＷの周囲において、加熱部４２との間に隙間を設けて配置される側壁５３を有してもよい。側壁５３には、加熱部４２に支持されたワークＷの周囲に並ぶように、処理空間Ｓ１とチャンバ５０の外とを接続する複数の導入孔３００が形成されていてもよい。排気部８０から排気時に、底壁５６と加熱部４２との隙間から処理空間Ｓ１内に導入されるガスによる気流によって、ワークＷに形成される処理液の膜における膜厚部分の外周部が影響を受け得る。上記構成では、導入孔３００が形成されることで、上記隙間から導入され得るガスの少なくとも一部が導入孔３００を介して処理空間Ｓ１に導入される。そのため、底壁５６と加熱部４２との隙間から導入されるガスによる影響が低減される。従って、排気部８０によるガスの排出に伴う膜厚分布への影響を低減することが可能である。

【0138】

以上に説明した塗布現像装置２において、複数の導入孔３００は、第１領域における開口面積の合計が、第２領域に比較して小さくなるように底壁５６に形成されていてもよい。第１領域及び第２領域は、加熱部４２を上方から見たときに、加熱部４２の中心と排出口５８の中心とを結ぶ方向において、加熱部４２の中心を境界にして処理空間Ｓ１を２つに分割して得られる仮想的な一対の領域である。加熱部４２を上方から見たときに、処理空間Ｓ１と退避空間Ｓ２との接続口６９が、第１領域と重なっていてもよい。退避空間Ｓ２を介して排気を行う場合に、第１領域と重なる位置に形成された接続口６９によって、第２領域に比較して、第１領域での導入孔３００から導入されるガスの流量が多くなり得る。上記構成では、第１領域における開口面積の合計が第２領域に比較して小さいので、導入孔３００から導入されるガスの流量の差が縮小される。これにより、複数の導入孔３００を介したガスの導入による膜厚分布への影響の差を、第１領域と第２領域との間で縮小できる。従って、排気部８０によるガスの排出に伴う膜厚分布への影響の偏りを低減することが可能である。

【0139】

［付記］
本開示は、次の付記１～１２に記載の構成を含んでいる。
＜付記１＞
処理液の膜が形成された基板を支持して加熱する加熱部と、
前記加熱部に支持された前記基板を囲むように配置されるチャンバと、
前記加熱部の周囲に位置する排出口を介して、前記チャンバ内の空間からガスを排出する排気部と、
前記チャンバ内の空間を、前記加熱部上の前記基板が露出する第１空間と、前記第１空間の上方に位置する第２空間とに隔てる仕切り部と、
前記排気部により前記第１空間を介してガスが排出される第１状態と、前記排気部により前記第２空間を介してガスが排出される第２状態とを切り替える切替部と、を備える熱処理装置。
＜付記２＞
前記加熱部による前記基板の加熱の実行中に、前記第２状態から前記第１状態に切り替えるように前記切替部を制御する制御部を更に備える、付記１に記載の熱処理装置。
＜付記３＞
前記排出口は、前記第１空間に開口した第１排出口と、前記第２空間に開口した第２排出口とを含み、
前記切替部は、前記第１状態において前記第１排出口に接続された第１流路を開放し、且つ前記第２排出口に接続された第２流路を閉塞するように構成され、前記第２状態において前記第１流路を閉塞し、且つ前記第２流路を開放するように構成された閉塞部材を有する、付記１又は２に記載の熱処理装置。
＜付記４＞
前記第１空間の前記加熱部の周囲に配置され、前記第１空間を、前記加熱部を含む収容空間と、前記排出口を含む調整空間とに隔てる内壁を有する流路調整部を更に備え、
前記内壁には、前記収容空間と前記調整空間とを接続し、前記内壁が延在する方向に沿って並ぶ複数の排出孔が形成されている、付記１～３のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記５＞
前記流路調整部は、前記調整空間を、前記内壁を含むバッファ空間と前記排出口を含む排出空間とに隔てる第２内壁を更に有し、
前記第２内壁には、前記バッファ空間と前記排出空間とを接続し、前記第２内壁が延在する方向に沿って並ぶ複数の第２排出孔が形成されている、付記４に記載の熱処理装置。
＜付記６＞
前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、前記内壁の長さは、前記加熱部上の前記基板の長さよりも大きい、付記４又は５に記載の熱処理装置。
＜付記７＞
前記加熱部を上方から見たときに、前記複数の排出孔それぞれが、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向に沿って、前記内壁を貫通するように形成されている、付記４～６のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記８＞
前記加熱部を上方から見たときに、前記内壁が、前記加熱部の中心まわりの周方向に沿って延びるように形成されている、付記４～７のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記９＞
前記排出口は、前記第１空間に開口した第１排出口と、前記第２空間に開口した第２排出口とを含み、
前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記第２排出口の中心とを結ぶ方向に直交する幅方向において、前記第２排出口の長さは、前記加熱部の長さよりも小さく、
前記第２空間は、前記第１空間との接続口を含む第１流路と、前記幅方向における大きさが前記第１流路よりも小さい第２流路とを含み、
前記第２流路の少なくとも一部は、前記加熱部と重なる位置に設けられている、付記１～８のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記１０＞
前記チャンバの側壁には、前記基板の搬入出口が設けられており、
前記熱処理装置は、前記側壁との間に隙間を設けて配置され、前記搬入出口を側方から覆う閉状態と前記搬入出口を開放する開状態とを切り替えるシャッター部材を更に備え、
前記閉状態において、前記側壁と前記シャッター部材との間の隙間は、前記シャッター部材の下方に形成されている隙間よりも大きい、付記１～９のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記１１＞
前記チャンバは、前記加熱部に支持された前記基板の周囲において、前記加熱部との間に隙間を設けて配置される底壁を有し、
前記底壁には、前記加熱部に支持された前記基板の周囲に並ぶように、前記第１空間と前記チャンバの外とを接続する複数の導入孔が形成されている、付記１～１０のいずれか１つに記載の熱処理装置。
＜付記１２＞
前記複数の導入孔は、第１領域における開口面積の合計が、第２領域に比較して小さくなるように前記底壁に形成されており、
前記第１領域及び前記第２領域は、前記加熱部を上方から見たときに、前記加熱部の中心と前記排出口の中心とを結ぶ方向において、前記加熱部の中心を境界にして前記第１空間を２つに分割して得られる仮想的な一対の領域であり、
前記加熱部を上方から見たときに、前記第１空間と前記第２空間との接続口が、前記第１領域と重なっている、付記１１に記載の熱処理装置。

【符号の説明】

【0140】

２…塗布現像装置、Ｗ…ワーク、Ｕ２…熱処理ユニット、４２…加熱部、５０…チャンバ、５１…天板、５２～５５…側壁、５６…底壁、５７…搬入出口、５８…排出口、５８ａ…第１排出口、５８ｂ…第２排出口、Ｓ…内部空間、６０…仕切り部、Ｓ１…処理空間、Ｓ１１…収容空間、Ｓ１２…調整空間、Ｓ２…退避空間、Ｓ２１，Ｓ２２…流路、６２…流路調整部、６３…内壁、６３ａ…排出孔、６４…内壁、６４ａ…排出孔、７２…シャッター部材、ｇ１，ｇ２…隙間、８０…排気部、Ｃ１，Ｃ２…流路、９０…切替部、９２…閉塞部材、１００…制御装置、２１０…ガイド部、２１２…レール部材、２１２ａ…レール本体、２１２ｂ…凹部、２４４…ローラ、３００，３０２，３０４ａ，３０４ｂ…導入孔。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】