特開 2023-75656 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023075656

(43)【公開日】2023-05-31

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20230524BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20230524BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALN20230524BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H02N13/00 D

H01L21/302 101G

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021188695

(22)【出願日】2021-11-19

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100096389

【弁理士】

【氏名又は名称】金本 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100101557

【弁理士】

【氏名又は名称】萩原 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100167634

【弁理士】

【氏名又は名称】扇田 尚紀

(74)【代理人】

【識別番号】100187849

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 隆史

(74)【代理人】

【識別番号】100212059

【弁理士】

【氏名又は名称】三根 卓也

(72)【発明者】

【氏名】小岩 真悟

【テーマコード（参考）】

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004BA04

5F004BB22

5F004BB26

5F004BD03

5F131AA02

5F131BA19

5F131CA02

5F131CA06

5F131EA03

5F131EB13

5F131EB14

5F131EB15

5F131EB16

5F131EB24

5F131EB26

5F131EB27

5F131EB28

5F131EB81

(57)【要約】

【課題】高温に制御された静電チャックに対して安定した基板の吸脱着を行う。
【解決手段】基板をチャックする静電チャックであり、誘電体と、前記誘電体の内部に前記基板を吸着するための吸着電極と、を有している静電チャックと、前記基板を加熱するためのヒータ電極と、前記吸着電極に、前記基板を吸着するための吸着電圧を印加するための吸着用電源と、前記ヒータ電極に、前記基板を加熱するためのヒータ電圧を印加するためのヒータ用電源と、を備え、前記吸着用電源は、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさを制御する。
【選択図】図３Ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を吸着する静電チャックであり、誘電体と、前記誘電体の内部に基板を吸着するための吸着電極と、を含む静電チャックと、
前記基板を加熱するためのヒータ電極と、
前記吸着電極に、前記基板を吸着するための吸着電圧を印加するための吸着用電源と、
前記ヒータ電極に、前記基板を加熱するためのヒータ電圧を印加するためのヒータ用電源と、を備え、
前記吸着用電源は、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさを制御する、基板支持体。

【請求項2】

前記静電チャックは複数の温調領域を有し、
前記静電チャックは、複数の前記温調領域ごとに、前記吸着電極及び前記ヒータ電極を備える、請求項１に記載の基板支持体。

【請求項3】

前記吸着用電源は、複数の前記温調領域ごとに、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項２に記載の基板支持体。

【請求項4】

前記吸着用電源は、複数の前記温調領域において、前記基板と前記吸着電極との間における電荷の移動量が、前記静電チャックに対して前記基板が残留吸着するリスクのある閾値よりも低くなるように、前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項２又は３に記載の基板支持体。

【請求項5】

前記吸着用電源は、複数の前記温調領域において、前記電荷の移動量が一定となるように、前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項４に記載の基板支持体。

【請求項6】

前記静電チャックは、基台の上に接合されており、
前記ヒータ電極は、前記誘電体の内部であって、前記吸着電極よりも基台側に配置される、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板支持体。

【請求項7】

前記吸着電極は、第１の吸着電極及び第２の吸着電極を含み、
前記吸着用電源が、前記第１の吸着電極及び前記第２の吸着電極のそれぞれに印加する吸着電圧の大きさは、それぞれ周期的に変化し、かつ、前記第１の吸着電極に印加する吸着電圧の位相は、前記第２の吸着電極に印加する吸着電圧の位相と異なる、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板支持体。

【請求項8】

前記第１の吸着電極と前記第２の吸着電極に印加する吸着電圧の位相差は、０°を超え、１８０°未満である、請求項７に記載の基板支持体。

【請求項9】

前記第１の吸着電極と前記第２の吸着電極に印加する吸着電圧の位相差は、３０°以上１５０°以下である、請求項７又は８に記載の基板支持体。

【請求項10】

前記静電チャックは、複数の吸着電極を含み、
前記吸着用電源が複数の前記吸着電極に印加する吸着電圧の大きさは、それぞれ周期的に変化し、かつ、複数の前記吸着電極のそれぞれに印加する吸着電圧の位相はそれぞれ異なる、請求項１～６のいずれか一項に記載の基板支持体。

【請求項11】

複数の前記吸着電極に印加する吸着電圧のうち、いずれか２つの吸着電圧の位相差は、０°を超え、１８０°未満である、請求項１０に記載の基板支持体。

【請求項12】

前記吸着電圧の波形は、正弦波又は矩形波である、請求項７～１１のいずれか一項に記載の基板支持体。

【請求項13】

チャンバと、
前記チャンバ内に配置される請求項１～１２のいずれか一項に記載の基板支持体と、
制御部と、
を含む、基板処理装置。

【請求項14】

基板を吸着する静電チャックであり、誘電体と、前記誘電体の内部に前記基板を吸着するための吸着電極と、を含む静電チャックと、
前記基板を加熱するためのヒータ電極と、
前記吸着電極に、前記基板を吸着するための吸着電圧を印加するための吸着用電源と、
前記ヒータ電極に、前記基板を加熱するためのヒータ電圧を印加するためのヒータ用電源と、
を備える基板支持体を含む基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記基板を前記静電チャック上に提供する工程と、
前記ヒータ電極に前記ヒータ電圧を印加して前記基板を加熱する工程と、
前記基板を加熱した状態で、前記基板を処理する工程と、
前記基板の処理中に、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて、前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさを制御する工程と、
を含む、基板処理方法。

【請求項15】

前記静電チャックは複数の温調領域を有し、
前記静電チャックは、複数の前記温調領域ごとに、前記吸着電極及び前記ヒータ電極を備え、
前記吸着電圧の大きさを制御する工程においては、複数の前記温調領域ごとに、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項１４に記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記吸着電圧の大きさを制御する工程は、複数の前記温調領域において、前記基板と前記吸着電極との間における電荷の移動量が、前記静電チャックに対して前記基板が残留吸着するリスクのある閾値よりも低くなるように、前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項17】

前記吸着電圧の大きさを制御する工程は、複数の前記温調領域において、前記電荷の移動量が一定となるように、前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさをそれぞれ制御する、請求項１６に記載の基板処理方法。

【請求項18】

前記静電チャックは、複数の吸着電極を含み、
前記吸着電圧の大きさを制御する工程は、前記吸着用電源が複数の前記吸着電極に印加する吸着電圧の大きさを、それぞれ周期的に変化させ、かつ、複数の前記吸着電極のそれぞれに異なる位相の吸着電圧を印加する、請求項１４～１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。

【請求項19】

複数の前記吸着電極に印加する吸着電圧のうち、いずれか２つの吸着電圧の位相差は、０°を超え、１８０°未満である、請求項１８に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、被処理基板を吸着する誘電体層と断熱プレートとが積層されてなり、前記断熱プレートの前記誘電体層側上面と側面とが帯電電荷逃避用導体膜で覆われてなる静電チャックが開示されている。特許文献１に開示の静電チャックによれば、前記誘電体層は、静電力を利用して前記被処理基板を吸着させるためのアルミナセラミック等からなる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－０１６５５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示にかかる技術は、高温に制御された静電チャックに対して安定した基板の吸脱着を行う。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様は、基板を吸着する静電チャックであり、誘電体と、前記誘電体の内部に前記基板を吸着するための吸着電極と、を有している静電チャックと、前記基板を加熱するためのヒータ電極と、前記吸着電極に、前記基板を吸着するための吸着電圧を印加するための吸着用電源と、前記ヒータ電極に、前記基板を加熱するためのヒータ電圧を印加するためのヒータ用電源と、を備え、前記吸着用電源は、前記ヒータ電圧の大きさに基づいて前記吸着電極に印加する前記吸着電圧の大きさを制御する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、高温に制御された静電チャックに対して安定した基板の吸脱着を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1A】静電チャックを常温に制御した場合における、基板の吸着時間と電荷移動量の関係を説明するグラフである。

【図1B】静電チャックを高温に制御した場合における、基板の吸着時間と電荷移動量の関係を説明するグラフである。

【図2】本開示にかかるプラズマ処理システムの構成例を示す縦断面図である。

【図3A】第１の実施形態にかかる基板支持体の構成の概略を示す縦断面図である。

【図3B】第１の実施形態にかかる基板支持体の構成の概略を示す横断面図である。

【図4A】静電チャックの径方向において、吸着電圧を一定にした場合の静電チャックの温度と電荷の移動量との関係を説明するグラフである。

【図4B】静電チャックの径方向において、吸着電圧を変化させた場合の静電チャックの温度と電荷の移動量との関係を説明するグラフである。

【図5】他の実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成例を示す説明図である。

【図6A】第２の実施形態にかかる基板支持体の構成の概略を示す縦断面図である。

【図6B】第２の実施形態にかかる基板支持体の構成の概略を示す横断面図である。

【図6C】静電チャックの吸着電極に直流電圧を印加した場合と、交流電圧を印加した場合における吸着時間と電荷の移動量との関係を示す説明図である。

【図7A】第２の実施形態の基板支持体において、各吸着電極に印加する吸着電圧の位相差が０°である場合の時間と吸着電圧との関係を示すグラフである。

【図7B】第２の実施形態の基板支持体において、各吸着電極に印加する吸着電圧の位相差が３０°である場合の時間と吸着電圧との関係を示すグラフである。

【図7C】第２の実施形態の基板支持体において、各吸着電極に印加する吸着電圧の位相差が６０°である場合の時間と吸着電圧との関係を示すグラフである。

【図7D】第２の実施形態の基板支持体において、各吸着電極に印加する吸着電圧の位相差が９０°である場合の時間と吸着電圧との関係を示すグラフである。

【図7E】第２の実施形態の基板支持体において、各吸着電極に印加する吸着電圧の位相差が１８０°である場合の時間と吸着電圧との関係を示すグラフである。

【図8】第２の実施形態にかかるプラズマ処理システムの変形例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

半導体デバイスの製造工程では、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の表面に積層して形成されたエッチング対象層（例えばシリコン含有膜）に対して、予めパターンが形成されたマスク層（例えばレジスト膜）をマスクとしたエッチング処理が行われている。このエッチング処理は、一般的に静電力を利用して基板を吸着保持する静電チャックを備えるプラズマ処理装置において行われる。

【0009】

前述の静電チャックとしては、特許文献１にも開示されるように、クーロンタイプの静電チャックが用いられる場合がある。通常、クーロンタイプの静電チャックには直流電圧が印加され、安定的な基板の吸脱着を実現するため、当該静電チャックの体積抵抗率を所望の値以上、例えば１ｅ＋１５ｃｍΩ以上に維持することが求められる。

【0010】

近年、マスク層の材料変更により、静電チャックを高温に制御して基板処理を行う要求が高まっている。ここで、図１Ａに示すように、常温時においては静電チャックの体積抵抗率が高いため、吸着時間に対する電荷の移動量が緩やかになり、基板と静電チャックとの分極が適切に維持される。これに対して、図１Ｂに示すように、高温時においては静電チャックの体積抵抗率が下がるため、吸着時間に対する電荷の移動量が急峻になる。この結果、基板と静電チャックとの間での分極を適切に維持できず、残留電荷の影響により安定した吸脱着が困難となる場合がある。このような残留電荷の影響は、一例として静電チャックの温度が２００℃付近になると現れはじめ、２５０℃を超えると顕著になる。

【0011】

高温対応が可能な静電チャックとしては、ＪＲ（Ｊｏｈｎｓｏｎ－Ｒａｈｂｅｋ）タイプの静電チャックがあるが、ＪＲタイプの静電チャックは残留吸着の制御が困難であり、また、体積抵抗率が温度により大きく変化するため、常温処理と高温処理とを連続して行うことができない。すなわち、従来の静電チャックには改善の余地があり、高温下においても安定的に基板の吸脱着を可能に静電チャックの制御を行うことが求められる。

【0012】

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高温に制御された静電チャックにおいて安定した基板の吸脱着を行う。以下、本開示にかかるプラズマ処理システム及びプラズマ処理方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0013】

＜プラズマ処理装置＞
先ず、本開示にかかるプラズマ処理システムについて説明する。図２は本開示にかかるプラズマ処理システムの一例を示すの概略断面図である。

【0014】

プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持体１１及びガス導入部を含む。基板支持体１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。シャワーヘッド１３は、基板支持体１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０の内部には、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持体１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓが形成される。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。側壁１０ａを含め、プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持体１１は、プラズマ処理チャンバ１０とは電気的に絶縁される。

【0015】

基板支持体１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板（ウェハ）Ｗを支持するための基板支持面１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面１１１ｂとを有する。本体部１１１のリング支持面１１１ｂは、平面視で本体部１１１の基板支持面１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の基板支持面１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の基板支持面１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１のリング支持面１１１ｂ上に配置される。本体部１１１は、基台１１３及び静電チャック１１４を含む。基台１１３は、導電性部材を含む。基台１１３の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャック１１４は、セラミックス等の誘電体と、誘電体内に配置された吸着電極とを含む。静電チャック１１４は、基台１１３の上に配置される。静電チャック１１４の上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持体１１は、静電チャック１１４、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含む。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体及び流路を含む。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持体１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0016】

なお、実施の形態に係る基板支持体１１の詳細な構成については後述する。

【0017】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給部２０からガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる、１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0018】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0019】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持体１１の導電性部材（下部電極）及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材（上部電極）に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0020】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して下部電極及び／又は上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、下部電極及び／又は上部電極に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0021】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、下部電極に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、上部電極に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0022】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0023】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0024】

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0025】

＜第１の実施形態にかかる基板支持体＞
以下、第１の実施形態にかかる基板支持体の構成について説明する。図３Ａは、第１の実施形態にかかる基板支持体１１の構成を示す縦断面図である。また、図３Ｂは、図３ＡにおけるＡ－Ａ断面を示す横断面図である。

【0026】

静電チャック１１４の内部には、少なくとも静電チャック１１４をターゲット温度に調節するように構成される中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂが設けられている。また、静電チャック１１４の内部には、基板Ｗを基板支持面１１１ａに吸着保持するための中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂが、中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂよりも上面側（基板Ｗ側）に設けられている。静電チャック１１４は、誘電体の間に中央ヒータ電極１１５ａ、周縁ヒータ電極１１５ｂ、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂ、を挟んだ、クーロンタイプの静電チャックとして構成される。

【0027】

図３Ｂに示すように、平面視において静電チャック１１４の基板支持面１１１ａは、径方向内側に形成された第１の温調領域Ｚ１と、第１の温調領域Ｚ１を囲むように形成された第２の温調領域Ｚ２を含む。

【0028】

中央ヒータ電極１１５ａは、中央吸着電極１１６ａ（Ａ－Ａ断面）の下方（基台１１３側）であって、第１の温調領域Ｚ１に対応した位置に設けられている。また、周縁ヒータ電極１１５ｂは、周縁吸着電極１１６ｂ（Ａ－Ａ断面）の下方であって、第２の温調領域Ｚ２に対応した位置に設けられている。すなわち、第１の実施形態の静電チャック１１４は、複数の温調領域Ｚごと（図３Ａに示す例では２つの温調領域Ｚごと）に独立して基板Ｗの温度調節を可能に構成されている。

【0029】

一例では、中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂには、ヒータ用電源（図示せず）がそれぞれ接続され、各ヒータ電源から各ヒータ電極にヒータ電圧がそれぞれ印加される。他の例では、中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂには、単一のヒータ用電源が接続され、当該ヒータ電源から各ヒータ電極にヒータ電圧がそれぞれ印加される。いずれの場合も、ヒータ用電源から中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂに印加するヒータ電圧は、それぞれ独立して制御可能に構成される。そして、ヒータ用電源からのヒータ電圧の印加により中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂが加熱され、これにより静電チャック１１４、及び基板支持面１１１ａに保持された基板Ｗを加熱する。

【0030】

中央吸着電極１１６ａは、第１の温調領域Ｚ１と対応して設けられている。また、周縁吸着電極１１６ｂは、第２の温調領域Ｚ２と対応して設けられている。すなわち、第１の実施形態の静電チャック１１４は、複数の温調領域Ｚごと（図３Ａ及び図３Ｂに示す例では２つの温調領域Ｚごと）に独立して基板Ｗの吸着電圧を印加可能に構成されている。

【0031】

一例では、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂには、吸着用電源１１７がそれぞれ接続され、各吸着用電源から各吸着電極に吸着電圧がそれぞれ印加される。他の例では、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂには、単一の吸着用電源１１７が接続され、当該吸着用電源１１７から各吸着電極に吸着電圧がそれぞれ印加される。いずれの場合も、吸着用電源１１７から中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧は、それぞれ独立して制御可能に構成される。そして、吸着用電源１１７からの吸着電圧の印加により生じる静電気力により、基板支持面１１１ａに基板Ｗが吸着保持される。

【0032】

＜プラズマ処理装置による基板の処理方法＞
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１における基板Ｗの処理方法の一例について説明する。なお、プラズマ処理装置１においては、基板Ｗに対して、例えば予めパターンが形成されたマスク層をマスクとしたエッチング処理が行われる。なお、本実施形態においては、静電チャック１１４の温度が、基板Ｗの載置前、又は載置後にターゲット温度（例えば２００℃以上）まで昇温される。

【0033】

先ず、プラズマ処理チャンバ１０の内部に基板Ｗが搬入され、基板支持体１１の静電チャック１１４上に基板Ｗが載置される。次に、静電チャック１１４の中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに交流電圧が印加され、これにより生じる静電力によって基板Ｗが静電チャック１１４に吸着保持される。なお、静電チャック１１４による基板Ｗの保持方法の詳細は後述する。

【0034】

静電チャック１１４に基板Ｗが吸着保持されると、プラズマ処理チャンバ１０の内部が所定の真空度まで減圧される。次に、ガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してプラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが供給される。また、第１のＲＦ生成部３１ａからプラズマ生成用のソースＲＦ電力が基板支持体１１の導電性部材に供給され、これにより、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、第２のＲＦ生成部３１ｂからバイアスＲＦ電力が供給されてもよい。そして、プラズマ処理空間１０ｓにおいて、生成されたプラズマの作用によって、基板Ｗにエッチング処理が施される。

【0035】

プラズマ処理を終了する際には、第１のＲＦ生成部３１ａからのソースＲＦ電力の供給及びガス供給部２０からの処理ガスの供給が停止される。プラズマ処理中にバイアスＲＦ電力を供給していた場合には、当該バイアスＲＦ電力の供給も停止される。

【0036】

次いで、静電チャック１１４による基板Ｗの吸着保持が停止され、プラズマ処理後の基板Ｗ、及び静電チャック１１４の除電が行われる。その後、基板Ｗを静電チャック１１４から脱着し、プラズマ処理装置１から基板Ｗを搬出する。こうして一連のプラズマ処理が終了する。

【0037】

＜第１の実施形態の基板支持体による基板の保持方法＞
プラズマ処理装置１においては、以上のようにして基板Ｗにプラズマ処理が行われる。次に、上述の静電チャック１１４による基板Ｗの保持方法の詳細について説明する。

【0038】

本実施形態にかかる基板支持体１１では、上述のように静電チャック１１４の２つの温調領域Ｚ１、Ｚ２の温度をそれぞれ独立して制御する。この際、静電チャック１１４の温度を高温にすると、上述したように当該静電チャック１１４の体積抵抗率が低下する。このため、図４Ａに示すように、静電チャック１１４の温度の高い領域（図示の例においては基板Ｗの周縁部）における電荷の移動量が、温度の低い領域（図示の例においては基板Ｗの中央部）における電荷の移動量と比較して増加する。この結果、安定した基板Ｗの吸脱着ができなくなる場合がある。

【0039】

このような問題に対して、本実施形態では、静電チャック１１４の温度に応じて中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧を調節することで、静電チャック１１４における電荷の移動量を制御する。例えば、図４Ｂに示すように、静電チャック１１４の温度が高い第２の温調領域Ｚ２における周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧を、中央吸着電極１１６ａに印加する吸着電圧と比較して下げることで、電荷の移動量を略一定に保ち、残留吸着の発生を抑制する。
なお、上述したように静電チャック１１４の温度は、ヒータ用電源から中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂに印加するヒータ電圧によって制御される。このため、静電チャック１１４の温度に代えて、中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂに印加する電圧に応じて中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する電圧を調整してもよい。

【0040】

また、静電チャック１１４の温度と中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧との相関関係を予め取得し、その相関関係に基づいて、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧を制御するように構成してもよい。また例えば、プラズマ処理中に静電チャック１１４の温度を経時的に測定し、その測定温度に応じて、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧をフィードバック制御してもよい。

【0041】

＜第１の実施形態にかかる技術の作用効果＞
以上の第１の実施形態にかかるプラズマ処理装置１においては、基板支持体１１における静電チャック１１４の温度に応じて吸着用電源１１７から中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに印加する吸着電圧を制御する。これにより、静電チャック１１４の温度の上昇に起因して電荷の移動量が増加することを抑制し、当該電荷の移動量を残留吸着の発生リスクのある閾値よりも下げる。
この際、基板Ｗと中央吸着電極１１６ａ又は周縁吸着電極１１６ｂとの間における電荷の移動量が、静電チャック１１４（基板Ｗ）の面内全体で残留吸着の発生リスクのある閾値よりも低く、且つ均一（一定）になるように制御を行うことで、基板Ｗの吸脱着をより安定して行うことができる。なお、残留吸着の発生リスクのある閾値は、予め実験的に求めてよく、シミュレーション等により求めてもよい。

【0042】

また本実施形態によれば、図３に示したように、中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂのそれぞれに対して、独立して吸着電圧を印加することができる。これにより、静電チャック１１４の温調領域の各々の温度に応じて吸着電圧を印加することができ、残留吸着の発生リスクを下げて基板Ｗの吸脱着をより安定して行うことができる。

【0043】

なお、以上の実施形態においては平面視において静電チャック１１４を２つの温調領域Ｚに分割する場合を例に説明を行ったが、温調領域Ｚの分割数はこれに限定されるものではなく、３つ以上の温調領域に分割されていてもよい。この場合、吸着電極は温調領域Ｚごとに配置されてよい。

【0044】

なお、以上の実施形態においては、吸着用電源１１７から中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに交流電圧を印加する場合を例に説明したが、これに代えて、図５に示すように、ＤＣ電源３２から中央吸着電極１１６ａ及び周縁吸着電極１１６ｂに直流電圧を印加してもよい。

【0045】

＜第２の実施形態にかかる基板支持体＞
続いて、第２の実施形態にかかる基板支持体の構成について図面を参照しながら説明する。なお、第２の実施形態にかかる基板支持体において、図３Ａ、図３Ｂに示した基板支持体１１と実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより説明を簡略ないしは省略する。

【0046】

図６Ａは、第２の実施形態にかかる基板支持体２００の構成を示す縦断面図である。基板支持体２００は、本体部２１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部２１１の上面は、基板Ｗを支持するための基板支持面２１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面２１１ｂとを有する。リング支持面２１１ｂは、平面視で基板支持面２１１ａを囲んでいる。本体部２１１は、基台１１３及び静電チャック２１４を含む。静電チャック２１４は、基台１１３の上に配置される。静電チャック２１４の上面は基板支持面２１１ａ及びリング支持面２１１ｂを有する。静電チャック２１４の内部には、少なくとも当該静電チャック２１４をターゲット温度に調節するように構成される中央ヒータ電極１１５ａ及び周縁ヒータ電極１１５ｂが設けられている。また、静電チャック１１４の内部には、基板Ｗを基板支持面２１１ａに吸着保持するための中央吸着電極２１６ａ、及びリングアセンブリ１１２をリング支持面２１１ｂに吸着保持するための周縁吸着電極２１６ｂが設けられている。

【0047】

図６Ｂは、図６ＡにおけるＢ－Ｂ断面を示す横断面図である。一例では、中央吸着電極２１６ａは、第１の温調領域Ｚ１において互い違いに配置される第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２を有している。また、周縁吸着電極２１６ｂは、第２の温調領域Ｚ２において互い違いに配置される第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２を有している。すなわち、第２の実施形態における静電チャック２１４は、平面視において複数、図６Ａ及び図６Ｂの例においては２つの温調領域Ｚ毎に独立して基板Ｗを吸着可能に構成されたクーロンタイプの双極型静電チャックとして構成される。

【0048】

第１の中央吸着電極２１６ａ１、第２の中央吸着電極２１６ａ２、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２には、基板Ｗの吸着用電源２１７ａ、２１７ｂから吸着電圧がそれぞれ印加される。一例では、吸着用電源２１７ａ、２１７ｂは交流電源である。吸着用電源２１７ａ、２１７ｂから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加される電圧の波形は、正弦波又は矩形波であってよく、これら以外の波形であってもよい。吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する吸着電圧は、それぞれ独立して制御可能に構成されている。また、吸着用電源２１７ｂから第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に印加する吸着電圧は、それぞれ独立して制御可能に構成されている。そして静電チャック２１４においては、吸着用電源２１７からの吸着電圧の印加により生じる静電力によって、基板支持面２１１ａに基板Ｗが吸着保持される。

【0049】

なお、本実施形態においては、上述のように第１の中央吸着電極２１６ａ１、第２の中央吸着電極２１６ａ２、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２のそれぞれに対して吸着用電源２１７ａ、２１７ｂを接続し、それぞれの電極に対して吸着電圧を独立制御して印加したが、プラズマ処理装置１に設けられる吸着用電源２１７の数はこれに限定されるものではない。例えば、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２をそれぞれ同一の吸着用電源２１７ａに接続してもよく、また第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２をそれぞれ同一の吸着用電源２１７ｂにそれぞれ接続してもよい。また例えば、第１の中央吸着電極２１６ａ１、第２の中央吸着電極２１６ａ２、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２をそれぞれ同一の吸着用電源に接続してもよい。

【0050】

本実施形態にかかる基板支持体２００では、吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する吸着電圧の大きさは、それぞれ周期的に変化し、かつ、第１の中央吸着電極２１６ａ１に印加する吸着電圧の位相は、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する吸着電圧の位相と異なる。また、吸着用電源２１７ｂから第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に印加する吸着電圧の大きさは、それぞれ周期的に変化し、かつ、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１に印加する吸着電圧の位相は、第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に印加する吸着電圧の位相と異なる。吸着用電源２１７ａ、２１７ｂからの吸着電圧の印加は、制御部２により制御される。なお、以下の説明においては、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第１の周縁吸着電極２１６ｂ１が本開示の技術にかかる「第１の吸着電極」、第２の中央吸着電極２１６ａ２及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２が本開示の技術にかかる「第２の吸着電極」にそれぞれ相当する。

【0051】

また、以下の説明においては吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に対して交流電圧を印加する場合を例に説明するが、吸着用電源２１７ｂから第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に対して交流電圧を印加する場合も同様に行うことができる。

【0052】

図６Ｃは、静電チャック２１４を高温に制御した場合における、吸着時間（横軸）と電荷の移動量（縦軸）との関係を示すグラフである。図６Ｃ中、実線は、静電チャック２１４の第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に交流電圧を印加した場合における吸着時間と電荷の移動量との関係を示す。また、図６Ｃ中、点線は、静電チャック２１４の第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に直流電圧を印加した場合における吸着時間と電荷の移動量との関係を示す。

【0053】

上述したように、静電チャック２１４を高温制御した場合、静電チャック２１４の体積抵抗率は低下する。このため、静電チャック２１４の第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に直流電圧を印加すると、経時的に電荷の移動量が増加し、基板Ｗの吸着保持ができなくなる場合がある。これに対して、静電チャック２１４の第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に交流電圧を印加すると、吸着電圧の極性が周期的に変化するため、その都度、電荷の移動量がリセットされる。この結果、電荷の移動量の増加に起因して基板Ｗの吸着保持が不安定になることを抑制できる。

【0054】

ここで、図７Ａに示すように、第１の中央吸着電極２１６ａ１に印加する交流電圧Ａが、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂと同位相（位相差０°）である場合、２つの吸着電極に印加される合計電圧が０Ｖになるタイミングがあり、このタイミングで基板Ｗが静電チャック２１４から脱離するおそれがある。このため、第２の実施形態では、第１の中央吸着電極２１６ａ１に、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂの位相と異なる位相を有する交流電圧Ａを印加することで、静電チャック２１４からの基板Ｗの脱離を抑制する。

【0055】

図７Ｂ～図７Ｅは、第１の中央吸着電極２１６ａ１に、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂとの位相差が３０°、６０°、９０°又は１８０°である交流電圧Ａを印加した場合における時間（横軸）と電圧（縦軸）との関係をそれぞれ示すグラフである。

【0056】

図７Ｂ～図７Ｄに示すように、第１の中央吸着電極２１６ａ１に、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂの位相と異なる位相を有する交流電圧Ａを印加した場合、２つの吸着電極から基板Ｗに印加される合計電圧が０Ｖになるタイミングがない。このため、基板Ｗが静電チャック２１４から脱離することを抑制できる。

【0057】

特に、図７Ｄに示すように、第１の中央吸着電極２１６ａ１に、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂとの位相差が９０°である交流電圧Ａを印加した場合、基板Ｗにかかる合計電圧の平均値が最も高くなり、また合計電圧の変動幅を最も小さくすることができる。

【0058】

一方、図７Ｅに示すように、第１の中央吸着電極２１６ａ１に、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧Ｂとの位相差が１８０°である交流電圧Ａを印加した場合、図７Ａに示した場合と同様に、２つの吸着電極に印加される合計電圧が０Ｖになるタイミングがある。

【0059】

以上より、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２のそれぞれに印加する交流電圧の位相差は、０°を超え１８０°未満とすることが好ましく、３０°～１５０°とすることがより好ましい。また、この位相差を９０°又はその近傍、例えば７０°～１１０°又は８０°～１００°とすることで、静電チャック２１４による基板Ｗの保持をより安定させることができる。

【0060】

＜第２の実施形態にかかる技術の作用効果＞
第２の実施形態にかかる基板支持体２００においては、吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に対して、それぞれ位相が異なる交流電圧が印加される。

【0061】

第２の実施形態によれば、吸着電圧の極性が周期的に変化するため、極性の変化時に電荷の移動量がリセットされる。したがって、静電チャック２１４を高温（例えば２００℃以上）に制御し、その体積抵抗率が低下した場合であっても、電荷の移動量の増加が抑制され、残留電荷等の影響で基板Ｗの吸着保持が不安定になることを抑制できる。

【0062】

また第２の実施形態によれば、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に対して、それぞれ位相が異なる交流電圧が印加されることにより、２つの吸着電極に印加される合計電圧が０Ｖになることがなく、プラズマ処理に際して基板Ｗが静電チャック２１４から脱離することを抑制できる。

【0063】

具体的には、上述のように、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２のそれぞれに印加される交流電圧の位相差を、０°を超え１８０°未満、又は３０°～１５０°とすることで、静電チャック２１４からの基板Ｗの脱離を抑制できる。

【0064】

また本実施形態によれば、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に、それぞれ位相が異なる交流電圧を印加すること加え、第１の実施形態に示したように静電チャック２１４の温度に応じて吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する交流電圧の大きさを制御することで、静電チャック２１４の高温制御時における基板Ｗの吸脱着をより安定して行うことができる。

【0065】

なお、以上の実施形態においては吸着用電源２１７ａから第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に対して交流電圧を印加する場合を例に説明したが、上述したように、吸着用電源２１７ｂから第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に対する交流電圧の印加も同様に行うことができる。

【0066】

また、以上の実施形態においては、吸着用電源２１７から第１の中央吸着電極２１６ａ１、第２の中央吸着電極２１６ａ２、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に交流電圧を印加する場合を例に説明をしたが、これらの吸着電極に印加する電圧は交流電圧に限定されるものではない。

【0067】

例えば、各吸着電極に印加される吸着電圧は、大きさが周期的に変化する直流電圧であってもよい。具体的には、図８に示すように、吸着用電源２１７ａ、２１７ｂとしてスイッチング式の直流電源を用いて、各吸着電極に印加される電圧の大きさが、第１の電圧値と、第１の電圧値と極性の異なる第２の電圧値との間で周期的に入れ替わるように構成してもよい。この場合、各吸着電極に印加される吸着電圧の極性が周期的に入れ替わる度に、電荷の移動量をリセットすることができる。したがって、静電チャック２１４を高温に制御して体積抵抗率が低下した場合であっても、基板Ｗの吸脱着を安定して行うことができる。

【0068】

この場合、第１の中央吸着電極２１６ａ１に印加する吸着電圧Ａの位相は、第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加する吸着電圧Ｂの位相と異なってもよい。また、第１の周縁吸着電極２１６ｂ１に印加する吸着電圧Ａ´の位相は、第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に印加する吸着電圧Ｂ´の位相と異なってもよい。これにより、第１の中央吸着電極２１６ａ１及び第２の中央吸着電極２１６ａ２に印加される合計電圧、又は第１の周縁吸着電極２１６ｂ１及び第２の周縁吸着電極２１６ｂ２に印加される合計電圧が０Ｖになることが抑制されるため、プラズマ処理中に基板Ｗが静電チャック２１４から脱離することを抑制できる。

【0069】

なお、以上の実施形態においては基板支持体２００がクーロンタイプの双極型静電チャック２１４を備える場合を例に説明を行ったが、基板支持体２００は、静電チャック２１４の温調領域Ｚごとに３つ以上の吸着電極を備えてもよい。この場合であっても、各吸着電極に対して、周期的に大きさが変化する吸着電圧を印加することにより、静電チャック２１４に対する基板Ｗの吸脱着を安定化させることができる。また、各吸着電極に対して、異なる位相の吸着電圧を印加するにことで、プラズマ処理中に基板Ｗが静電チャック２１４から脱離することを抑制できる。

【0070】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0071】

１ プラズマ処理装置
１１４ 静電チャック
１１５ａ 中央ヒータ電極
１１５ｂ 周縁ヒータ電極
１１６ａ 中央吸着電極
１１６ｂ 周縁吸着電極
１１７ 吸着用電源
Ｗ 基板

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4A】

【図4B】

【図5】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図8】