特開2023-76998IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

レジスト組成物に関する。さらに詳しくは、電子線、極端紫外線のような放射線を用いたリソグラフィーに適するレジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】従来のEB、EUVのような放射線用のフォトレジスト組成物にはない、高い吸収感度を持つレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記成分(A)~(E)を含有する、レジスト組成物。(A)下記式(1)で表されるフェノール三核体モノマー(B)金属アルコキシド(C)光酸発生剤(D)多官能メチロール架橋剤(E)溶剤


【選択図】なし

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の目的は、従来のEB、EUVのような放射線用のフォトレジスト組成物にはない、高い吸収感度を持つレジスト組成物を提供することである。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、課題を解決するため鋭意検討した結果、カルボン酸含有三核体モノマーと金属アルコキシドから得られる金属錯体が、高いEB及びEUV吸収特性を持ち、また、効率良く光酸発生剤に電子を渡し、発生した酸が多官能メチロール架橋剤と三核体モノマーの架橋構造を形成することにより、高い放射線吸収感度を有するレジスト膜となることを見出し、本発明を完成させた。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、EB、EUVのような放射線に対し、高い吸収感度を持つレジスト組成物を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施例1で合成したフェノール三核体モノマー(A)のGPCチャートである。
【図2】 実施例1で合成したフェノール三核体モノマー(A)の13C-NMRチャートである。
【図3】 実施例1で調製した金属錯体溶液のFT-IRスペクトルである。

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