特開 2023-780 プラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023000780

(43)【公開日】2023-01-04

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20221222BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20221222BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20221222BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/68 R

H01L21/302 101C

H01L21/302 101D

H01L21/31 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021101788

(22)【出願日】2021-06-18

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100096389

【弁理士】

【氏名又は名称】金本 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100101557

【弁理士】

【氏名又は名称】萩原 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100167634

【弁理士】

【氏名又は名称】扇田 尚紀

(74)【代理人】

【識別番号】100187849

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 隆史

(74)【代理人】

【識別番号】100212059

【弁理士】

【氏名又は名称】三根 卓也

(72)【発明者】

【氏名】パク ギョンミン

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 信峰

【テーマコード（参考）】

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA16

5F004BA04

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB29

5F004CA05

5F004CA06

5F045AA08

5F045DP03

5F045EF05

5F045EM02

5F045EM05

5F045EM09

5F131AA02

5F131BA19

5F131CA33

5F131CA42

5F131EA03

5F131EA23

5F131EB11

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB79

(57)【要約】      （修正有）

【課題】プラズマ処理に用いられるリングアセンブリを適切に昇降可能であるリフトピン機構を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部１１と、を備える。基板支持部は、導電性基台１１２と、基板支持面を有する静電チャック１１３と、基板支持面上の基板を囲むように配置されるエッジリング１２２と、エッジリングの下方に配置され複数の貫通孔を有するカバーリング１２１と、複数のリフトピン１３１と、複数のリフトピンのうち少なくとも１つに固定され、上側部分１３１ａを囲むように下側部分１３１ｂ上に配置され、カバーリングを支持する少なくとも１つのスペーサ１３３と、複数のリフトピンを縦方向に移動させる少なくとも１つのアクチュエータ１３２と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、を備え、
前記基板支持部は、
基台と、
前記基台の上方に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、
前記基板支持面上の基板を囲むように配置される第１環状部材と、
前記第１環状部材の下方に配置され、複数の貫通孔を有する第２環状部材と、
前記複数の貫通孔のそれぞれに対応して配置される複数のリフトピンであり、各リフトピンは、第１の幅を有する上側部分と、前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する下側部分とを有し、前記上側部分は、前記第２環状部材の対応する前記貫通孔を介して前記第１環状部材を支持するように構成される、複数のリフトピンと、
前記複数のリフトピンのうち少なくとも１つに固定される少なくとも１つのスペーサであり、前記スペーサは、前記上側部分を囲むように前記下側部分上に配置され、前記スペーサは、前記第２環状部材を支持するように構成される、少なくとも１つのスペーサと、
前記複数のリフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記スペーサが絶縁材料により構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記スペーサが導電性材料により構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記スペーサは、複数の層を有する積層体により構成され、前記複数の層の各々は、絶縁材料又は導電性材料を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記絶縁材料はＱｚ、ＳＡ、Ｙ_２Ｏ_３、ＰＴＦＥ又はＰＣＴＦＥを有する、請求項２又は４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記導電性材料はＳｉ又はＳｉＣを有する、請求項３又は４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記上側部分と前記スペーサとの間に配置され、ＦＦＫＭ系ゴム材料により構成される脱落防止部材を更に有する、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

前記スペーサは螺合内周面を有し、前記上側部分は螺合外周面を有し、前記螺合内周面及び前記螺合外周面は互いに螺合する、請求項１～６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記スペーサは、前記第２環状部材を支持するための支持面を有し、前記支持面は、内側から外側に向けて下方に傾斜している、請求項１～８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記支持面は、テーパ形状又はラウンド形状を有する、請求項９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

前記基板支持部は、前記第１環状部材と前記第２環状部材の間に配置される第３環状部材をさらに含み、
前記第３環状部材は、前記第２環状部材の前記複数の貫通孔に対応して形成される複数の他の貫通孔を有し、
前記リフトピンの前記上側部分は、前記第２環状部材の対応する貫通孔及び前記第３環状部材の対応する他の貫通孔を介して前記第１環状部材を支持するように構成され、
前記スペーサは、第３の幅を有する下側スペーサ部分と、前記第３の幅よりも小さい第４の幅を有する上側スペーサ部分と、を有し、前記上側スペーサ部分は、前記第２環状部材の対応する貫通孔を介して前記第３環状部材を支持するように構成され、前記下側スペーサ部分は、前記第２環状部材を支持するように構成される、請求項１～１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項12】

前記基板支持部は、前記少なくとも１つのアクチュエータに固定される固定部材を更に含み、
前記リフトピンは、前記固定部材によって支持され、
前記スペーサは、
高比重部材と、
前記高比重部材の表面を覆うように形成されるコーティング層と、を有する、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項13】

前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記複数のリフトピンを第１上昇位置、第２上昇位置及び下降位置の間で縦方向に移動させるように構成され、前記第１上昇位置において前記第１環状部材が第１の高さに配置され、前記第２上昇位置において前記第２環状部材が前記第１の高さに配置され、
前記スペーサは、前記第１上昇位置における前記下側部分と前記第２環状部材との間の距離に基づき決定される縦方向寸法を有する、請求項１～１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、リング載置面上に載置された第１リング及び第２リングを下方から支持して昇降するためのリフタピンを備える載置台が開示されている。第２リングにはリフタピンが挿通する貫通孔が形成されている。そして特許文献１の記載のリフタピンは、貫通孔よりも小径を有し貫通孔を挿通して第１リングを支持する第１保持部と、貫通孔よりも大径を有し第１保持部の外周から突出する突出部により第２リングを支持する第２保持部と、が軸方向に連接して構成される。

【0003】

また特許文献２には、基板処理システムにおいてトップリング及びミドルリングの置換時に使用されるリフトピン機構が開示されている。特許文献２に記載のリフトピン機構は、下部電極に形成された貫通孔を挿通してトップリングの下面に係合するように構成される上部部材と、前記貫通孔の下面に係合するように構成される下部部材とを有する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１３０６０３号公報

【特許文献2】国際公開第２０２０／２３１６１１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示にかかる技術は、プラズマ処理に用いられるリングアセンブリを適切に昇降可能であるリフトピン機構を備えたプラズマ処理装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様は、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部と、を備え、前記基板支持部は、基台と、前記基台の上方に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、前記基板支持面上の基板を囲むように配置される第１環状部材と、前記第１環状部材の下方に配置され、複数の貫通孔を有する第２環状部材と、前記複数の貫通孔のそれぞれに対応して配置される複数のリフトピンであり、各リフトピンは、第１の幅を有する上側部分と、前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する下側部分とを有し、前記上側部分は、前記第２環状部材の対応する前記貫通孔を介して前記第１環状部材を支持するように構成される、複数のリフトピンと、前記複数のリフトピンのうち少なくとも１つに固定される少なくとも１つのスペーサであり、前記スペーサは、前記上側部分を囲むように前記下側部分上に配置され、前記スペーサは、前記第２環状部材を支持するように構成される、少なくとも１つのスペーサと、前記複数のリフトピンを縦方向に移動させるように構成される少なくとも１つのアクチュエータと、を含む、プラズマ処理装置。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、プラズマ処理に用いられるリングアセンブリを適切に昇降可能であるリフトピン機構を備えたプラズマ処理装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成例を示す概略図である。

【図2】実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成例を示す縦断面図である。

【図3】実施形態にかかる基板支持部の構成例を示す概略図である。

【図4A】エッジリングのリフトアップ時の様子を示す説明図である。

【図4B】カバーリングのリフトアップ時の様子を示す説明図である。

【図5A】スペーサの固定例を示す縦断面図である。

【図5B】スペーサの固定例を示す縦断面図である。

【図5C】スペーサの固定例を示す縦断面図である。

【図5D】スペーサの固定例を示す縦断面図である。

【図6】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図7A】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図7B】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図8A】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図8B】第３環状部材のリフトアップ時の様子を示す説明図である。

【図9】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図10A】リフトピンの他の構成例を示す縦断面図である。

【図10B】リフトピンの可動部が上方に取り残された状態の説明図である。

【図11】スペーサの他の構成例を示す縦断面図である。

【図12A】スペーサの厚み決定の一連の流れを示す説明図である。

【図12B】スペーサの厚み決定の一連の流れを示す説明図である。

【図13】スペーサの厚み決定の一連の流れを示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

半導体デバイスの製造工程では、チャンバ中に供給された処理ガスを励起させてプラズマを生成することで、基板支持部に支持された半導体基板（以下、単に「基板」という。）に対して、エッチング処理、成膜処理、拡散処理などの各種プラズマ処理が行われる。当該プラズマ処理においては、基板支持部に支持された基板を取り囲むように、例えばエッジリングやカバーリング等の複数の環状部材（以下、複数の環状部材を総称して「リングアセンブリ」という。）が配置される。

【0010】

ところで、基板支持部に対するリングアセンブリの搬入出に際しては、軸方向に１段以上の段差部を有するリフトピンを用いて、複数の環状部材のそれぞれが、搬送アームとの間で受渡しが行われる規定高さまで昇降される。しかしながら、このように同一のリフトピンを用いて複数の環状部材の昇降を行う場合、一の環状部材の昇降位置にリフトピンの位置を調整すると、かかる調整量や積み上げ公差に起因して、他の環状部材を適切に規定高さまで昇降できなくなるおそれや、リングアセンブリの搬送効率が低下するおそれがある。

【0011】

それぞれの環状部材を適切に昇降させるためには、リフトピンが有する段差部の高さ（形成位置）を、複数の環状部材のそれぞれに対応させて個別に調整することが必要になる。しかしながら、このように段差部の高さを個別に調整することには困難性があり、この点、特許文献１や特許文献２には記載も示唆もされていない。

【0012】

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理に用いられるリングアセンブリを適切に昇降可能であるリフトピン機構を備えたプラズマ処理装置を提供する。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置を備えるプラズマ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0013】

＜プラズマ処理システム＞
一実施形態において、プラズマ処理システムは、図１に示すようにプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0014】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ
Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ
Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ
Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、２００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0015】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0016】

＜プラズマ処理装置＞
続いて、上述したプラズマ処理装置１の一例として、容量結合型のプラズマ処理装置１の構成例について説明する。図２はプラズマ処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。

【0017】

プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０の内部には、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓが形成される。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０とは電気的に絶縁される。

【0018】

基板支持部１１は、本体部１１０、リングアセンブリ１２０及びリフター１３０（図３を参照）を含む。本体部１１０の上面は、基板（ウェハ）Ｗを支持するための中央領域１１０ａ（基板支持面）と、リングアセンブリ１２０を支持するための環状領域１１０ｂ（リング支持面）とを有する。環状領域１１０ｂは、平面視で中央領域１１０ａを囲んでいる。基板Ｗは、中央領域１１０ａ上に配置され、リングアセンブリ１２０は、中央領域１１０ａ上の基板Ｗを囲むように環状領域１１０ｂ上に配置される。リフター１３０は、後述するようにリングアセンブリ１２０を縦方向に移動させ、プラズマ処理装置１の外部に設けられた搬送アーム（図示せず）との間でリングアセンブリ１２０の受け渡しを行う。

【0019】

図３に示すように、一実施形態において本体部１１０は、金属プレート１１１、導電性基台１１２及び静電チャック１１３を含む。金属プレート１１１、導電性基台１１２及び静電チャック１１３は、プラズマ処理チャンバ１０の床面側からこの順に積層して配置される。静電チャック１１３は、前述の基板支持面を有する。

【0020】

金属プレート１１１はプラズマ処理チャンバ１０の床面に固定して配置され、導電性基台１１２及び静電チャック１１３の支持体として機能する。また金属プレート１１１には、厚み方向に貫通する複数、本実施形態においては３つの貫通孔１１１ａが形成されている。貫通孔１１１ａには、図３に示すように後述するリフトピン１３１が挿通される。

【0021】

基台としての導電性基台１１２は、例えばＡｌ合金等の非磁性の導電性部材により構成される。導電性基台１１２の導電性部材は下部電極として機能する。導電性基台１１２の上面における径方向内側には後述の静電チャック１１３が配置され、上面における静電チャック１１３の径方向外側は前述の環状領域１１０ｂ（リング支持面）を構成する。換言すれば、リングアセンブリ１２０は静電チャック１１３を囲むように導電性基台１１２上に配置される。

【0022】

また導電性基台１１２には、厚み方向に貫通する複数、本実施形態においては３つの貫通孔１１２ａが形成されている。貫通孔１１２ａは金属プレート１１１に形成された貫通孔１１１ａと対応する位置に形成され、図３に示すように後述するリフトピン１３１が挿通される。なお貫通孔１１２ａは、例えば貫通孔１１１ａと同一径を有する。

【0023】

静電チャック１１３の上面は前述の中央領域１１０ａ（基板支持面）を構成する。静電チャック１１３の内部には、基板Ｗを中央領域１１０ａに吸着保持するための吸着用電極（図示せず）が設けられている。静電チャック１１３は、例えばセラミックス等の非磁性の誘電体からなる一対の誘電膜の間に吸着用電極を挟んで構成される。

【0024】

また、静電チャック１１３の上面外周端部には切欠き部１１３ａが形成されている。切欠き部１１３ａには、図３に示すようにエッジリング１２２の少なくとも一部が支持される。

【0025】

リングアセンブリ１２０は複数の環状部材を含む。図３に一例として示すように、リングアセンブリ１２０は、複数の環状部材としてカバーリング１２１及びエッジリング１２２を含む。カバーリング１２１及びエッジリング１２２は、この順に積層して環状領域１１０ｂ（リング支持面）に支持される。また、リングアセンブリ１２０は後述のリフター１３０の動作により環状領域１１０ｂ（リング支持面）からリフトアップされ、これによりプラズマ処理装置１の外部に配置された搬送アーム（図示せず）との間での受け渡しが可能に構成されている。

【0026】

第２環状部材としてのカバーリング１２１は、例えば石英等の絶縁体により構成される。カバーリング１２１はその上部に段差が形成されており、外周部の上面が内周部の上面より高く形成されている。カバーリング１２１の内周部の上面は、エッジリング１２２の支持面を構成している。またカバーリング１２１の内周部には、厚み方向に貫通する複数、本実施形態においては例えば３つの貫通孔１２１ａが形成されている。貫通孔１２１ａは導電性基台１１２に形成された貫通孔１１２ａと対応する位置に形成され、図３に示すように後述するリフトピン１３１の第１ピン部分１３１ａが挿通される。貫通孔１２１ａは、少なくとも貫通孔１１２ａよりも小径を有する。

【0027】

第１環状部材としてのエッジリング１２２はフォーカスリングと呼ばれる場合もあり、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング１２２は、シリコン、炭化シリコン又は石英等から形成され得る。一実施形態において、第１環状部材１２２は、基板支持面上の基板を囲むように配置され、第２環状部材１２１は、第１環状部材１２２の下方に配置される。一実施形態において、第１環状部材１２２は、第２環状部材１２１により支持される。

【0028】

図３に示すように、一実施形態においてリフター１３０は、リフトピン１３１、アクチュエータ１３２及びスペーサ１３３（シム）を含む。リフトピン１３１は、カバーリング１２１に形成された貫通孔１２１ａに対応して複数、本実施形態においては例えば３つ設けられる。またリフトピン１３１は、径が異なる複数のピン部分を含む。図３に一例として示すように、リフトピン１３１は、複数のピン部分として第１ピン部分１３１ａ及び第２ピン部分１３１ｂを含む。第１ピン部分１３１ａ及び第２ピン部分１３１ｂは一体に構成されている。

【0029】

上側部分としての第１ピン部分１３１ａは少なくともカバーリング１２１に形成された貫通孔１２１ａよりも小径（図３の第１の幅Ｗ１）を有する。第１ピン部分１３１ａは後述の第２ピン部分１３１ｂの上面から軸方向に連接され、アクチュエータ１３２の動作により第２ピン部分１３１ｂと一体に縦方向（軸方向）に移動する。そして第１ピン部分１３１ａは、貫通孔１２１ａを介してカバーリング１２１の内周部の上面から突没自在に構成され、これにより図４Ａに示すようにカバーリング１２１の上面に支持されたエッジリング１２２の下面を支持して縦方向に移動（リフトアップ）させる。

【0030】

下側部分としての第２ピン部分１３１ｂは少なくともカバーリング１２１に形成された貫通孔１２１ａよりも大径（図３の第２の幅Ｗ２）を有する。すなわち第２ピン部分１３１ｂは、第１ピン部分１３１ａの外周から径方向外側に突出する段差部Ｓを上面に有している。そして第２ピン部分１３１ｂは、貫通孔１２１ａの下面（カバーリング１２１の下面）を段差部Ｓにより支持可能に構成され、これにより図４Ｂに示すようにカバーリング１２１の下面を支持して縦方向に移動（リフトアップ）させる。一実施形態において、複数のリフトピン１３１は、第２環状部材１２１の複数の貫通孔１２１ａのそれぞれに対応して配置される。各リフトピン１３１は、第１の幅Ｗ１を有する上側部分１３１ａと、第１の幅Ｗ１よりも大きい第２の幅Ｗ２を有する下側部分１３１ｂとを有する。上側部分１３１ａは、第２環状部材１２１の対応する貫通孔１２１ａを介して第１環状部材１２２を支持するように構成される。従って、上側部分１３１ａは、第１環状部材１２２の下面を支持するための頂部を有する。一実施形態において、複数のリフトピン１３１は、第１のリフトピン、第２のリフトピン及び第３のリフトピンを有する。複数の貫通孔１２１ａは、第１の貫通孔、第２の貫通孔及び第３の貫通孔を有する。第１のリフトピンの上側部分は、第２環状部材１２１の第１の貫通孔を介して第１環状部材１２２を支持するように構成される。第２のリフトピンの上側部分は、第２環状部材１２１の第２の貫通孔を介して第１環状部材１２２を支持するように構成される。第３のリフトピンの上側部分は、第２環状部材１２１の第３の貫通孔を介して第１環状部材１２２を支持するように構成される。

【0031】

アクチュエータ１３２はリフトピン１３１を縦方向（軸方向）に沿って移動させ、導電性基台１１２上でリングアセンブリ１２０（カバーリング１２１及びエッジリング１２２）の昇降を行う。これによりリングアセンブリ１２０を前述の搬送アーム（図示せず）との間での受け渡しが行われる規定高さ（以下、単に「規定高さ」という。）に移動させる。アクチュエータの一例は、電気式アクチュエータやエアシリンダ、モータ等を含む。

【0032】

なお、リフター１３０に配置されるアクチュエータ１３２の数は特に限定されるものではない。すなわち、例えば複数のリフトピン１３１を１つのアクチュエータ１３２により一体に縦方向に移動させてもよい。また例えば、リフトピン１３１のそれぞれに対応して複数のアクチュエータ１３２を配置し、それぞれのリフトピン１３１を独立して縦方向に移動させてもよい。従って、少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、複数のリフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。一実施形態において、単一のアクチュエータ１３２は、複数のリフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。一実施形態において、少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、複数のリフトピン１３１にそれぞれ対応する複数のアクチュエータを有し、各アクチュエータが対応するリフトピン１３１を縦方向に移動させるように構成される。即ち、少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、第１のアクチュエータ、第２のアクチュエータ及び第３のアクチュエータを有してもよい。第１のアクチュエータは、第１のリフトピンを縦方向に移動させるように構成される。第２のアクチュエータは、第２のリフトピンを縦方向に移動させるように構成される。第３のアクチュエータは、第３のリフトピンを縦方向に移動させるように構成される。

【0033】

スペーサ１３３は、第１ピン部分１３１ａを囲むように第２ピン部分１３１ｂの上面に形成された段差部Ｓ上に固定される。スペーサ１３３は、図４Ａに示すように第１ピン部分１３１ａによりエッジリング１２２を規定高さ（第１の高さＨ１）までリフトアップした際におけるカバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間の離隔距離Ｄと略一致する厚みＨを有する。そしてスペーサ１３３は、このように第２ピン部分１３１ｂの上面（段差部Ｓ上）に配置されることで、第２ピン部分１３１ｂの上面に代わって貫通孔１２１ａの下面（カバーリング１２１の下面）を支持し、これによりカバーリング１２１を縦方向に移動（リフトアップ）させる。

【0034】

なお、スペーサ１３３はリフター１３０が有する複数のリフトピン１３１の全てに固定される必要はなく、複数のリフトピン１３１のうちの少なくとも１つに設けられればよい。具体的には、エッジリング１２２のリフトアップ時においてカバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間に形成される隙間（離隔距離Ｄ）は、積み上げ公差や機差に起因して、複数のリフトピン１３１のそれぞれで異なる場合がある。このためスペーサ１３３は、少なくともこのようにカバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間に隙間（離隔距離Ｄ）が生じるリフトピン１３１のみに配置されればよい。従って、少なくとも１つのスペーサ１３３は、複数のリフトピン１３１のうち少なくとも１つに固定される。スペーサ１３３は、対応するリフトピン１３１の上側部分１３１ａを囲むように，対応するリフトピン１３１の下側部分１３１ｂ上又はその上方に配置される。スペーサ１３３は、第２環状部材１２１を支持するように構成される。従って、スペーサ１３３は、第２環状部材１２１を支持するための環状支持面を有する。一実施形態において、スペーサ１３３は、第３の幅Ｗ３（図４Ａ参照）を有してもよい。一実施形態において、第３の幅Ｗ３は、第２の幅Ｗ２と略同一である。なお、第３の幅Ｗ３は、第２環状部材１２１を支持可能な範囲で任意に設計可能である。一実施形態において、少なくとも１つのスペーサ１３３は、第１のリフトピンに固定される第１のスペーサを有する。一実施形態において、少なくとも１つのスペーサ１３３は、第１のスペーサ、第２のスペーサ及び第３のスペーサを有する。第１のスペーサは、第１のリフトピンに固定される。第２のスペーサは、第２のリフトピンに固定される。第３のスペーサは、第３のリフトピンに固定される。一実施形態において、第１のスペーサ、第２のスペーサ及び第３のスペーサは、同一の材質、厚さ及び／又は形状で構成される。一実施形態において、第１のスペーサ、第２のスペーサ及び第３のスペーサは、互いに異なる材質、厚さ及び／又は形状で構成される。

【0035】

また、スペーサ１３３を構成する材料も特に限定されるものではなく、Ｓｉ又はＳｉＣ等の導電性材料、又は、ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥ、クオーツ（Ｑｚ）、ＳＡ又はＹ_２Ｏ_３等の絶縁材料から選択される少なくともいずれか１つの材料により構成できる。
但し、スペーサ１３３はリングアセンブリ１２０のリフトアップ時においてプラズマ雰囲気に暴露されるおそれがある。このため、スペーサ１３３は少なくとも耐ラジカル性を有する材料により構成されることが望ましい。

【0036】

また更に、リフトピン１３１に対するスペーサ１３３の固定方法も特に限定されるものではない。具体的には、例えばスペーサ１３３は、図５Ａに示すように第１ピン部分１３１ａに対してスペーサ１３３をはめあいにより固定してもよい。この時、第１ピン部分１３１ａ及びスペーサ１３３の下部には、図５Ｂに示すようにテーパが形成されていてもよい。例えば図５Ｃに示すように第１ピン部分１３１ａ下部の外周面、及びスペーサ１３３の内周面にネジ部１３３ａを形成し、第１ピン部分１３１ａに対してスペーサ１３３を螺合して固定してもよい。一実施形態において、スペーサ１３３は螺合内周面を有し、リフトピン１３１の上側部分１３１ａは螺合外周面を有し、螺合内周面及び螺合外周面は互いに螺合する。このようにネジ部を形成してスペーサ１３３を固定することで、当該スペーサ１３３が第１ピン部分１３１ａから脱落することを適切に抑制できる。例えば図５Ｄに示すように、スペーサ１３３の径方向内側に環状の脱落防止部材としての弾性部材１３３ｂ（例えばＦＦＫＭ系ゴム）を配置し、当該弾性部材１３３ｂにより第１ピン部分１３１ａにスペーサ１３３を固定してもよい。このように弾性部材１３３ｂによりスペーサ１３３を固定することで、当該スペーサ１３３が第１ピン部分１３１ａから脱落することを抑制できるとともに、リフトピン１３１とカバーリング１２１との間における異常放電の発生を抑制できる。

【0037】

なお、図示は省略するが、基板支持部１１は、リングアセンブリ１２０、静電チャック１１３及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と静電チャック１１３の上面との間に伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0038】

図２の説明に戻る。
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給部２０からガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓに導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる、１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0039】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0040】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材（下部電極）及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材（上部電極）に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0041】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して下部電極及び／又は上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、下部電極及び／又は上部電極に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0042】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、下部電極に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック１１３内の吸着用電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、上部電極に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0043】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0044】

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0045】

以上のように構成されたプラズマ処理装置１においては、リフター１３０に設けられたスペーサ１３３の厚みＨが、第１ピン部分１３１ａによりエッジリング１２２を規定高さ（第１の高さＨ１）までリフトアップした際におけるカバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間の離隔距離Ｄと略一致する厚みＨに設定される。換言すれば、スペーサ１３３は、エッジリング１２２を適切に搬送するために設定されたリフトピン１３１の高さ位置の調整量やリフター１３０の構成部材の積み上げ公差に起因して発生する前述の離隔距離Ｄを補正できる厚みＨで構成される。これにより本実施形態にかかる基板支持部１１においては、第１ピン部分１３１ａによるエッジリング１２２の搬送後、離隔距離Ｄを補正するためのリフトピン１３１の縦方向の移動を伴うことなく、効率的にカバーリング１２１のリフトアップを開始できる。

【0046】

また、このようにスペーサ１３３を配置してカバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間の離隔距離Ｄ（隙間）を最小化することで、残留電荷等に起因するリングアセンブリ１２０の搬送時の放電リスクを低減できる。

【0047】

ここで本発明者らは、このようにリフター１３０にスペーサ１３３を配置する場合、当該スペーサ１３３の形状や材質等を最適化することによって、上述の離隔距離Ｄ（積み上げ公差）の補正機能に加えて他の機能を付加できる可能性を見出した。そこで、以下、他の実施形態にかかるスペーサ１３３の構成について、図面を参照しながら説明する。

【0048】

＜第２の実施形態にかかるスペーサ＞
先ず、上記実施形態においてはスペーサ１３３を一の部材により構成したが、スペーサは複数の部材により構成されていてもよい。具体的には、図６に示すように、スペーサ２００は厚み方向（リフトピン１３１の軸方向）に積層して配置される複数の部材２０１（図示の例においては２つの部材２０１ａ、２０１ｂ）を有していてもよい。この時、部材２０１ａ、２０１ｂはそれぞれ同一の材料により構成されていてもよいし、異なる材料により構成されていてもよい。この時、複数の部材２０１それぞれの構成材料は特に限定されるものではないが、最も上方（カバーリング１２１側）に配置される部材２０１（図示の例では部材２０１ａ）は、少なくとも耐ラジカル性を有する材料により構成されることが望ましい。一実施形態において、スペーサ２００は、複数の層２０１ａ、２０１ｂを有する積層体により構成され、複数の層２０１ａ、２０１ｂの各々は、絶縁材料又は導電性材料を有する。

【0049】

なお、上述したようにリフター１３０に設けられる複数のリフトピン１３１のそれぞれにおいて、カバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間に形成される隙間（離隔距離Ｄ）の大きさが、積み上げ公差等に起因して異なるおそれがある。かかる場合、形成される隙間（離隔距離Ｄ）の大きさに合わせて、段差部Ｓ上に配置される部材２０１の数を調整してもよい。換言すれば、リフトピン１３１毎にスペーサ２００を構成する部材２０１の数が異なっていてもよい。

【0050】

本実施形態によれば、このようにスペーサ２００を複数の部材２０１により構成することで、カバーリング１２１の下面と段差部Ｓとの間に形成される隙間（離隔距離Ｄ）に合わせて適切に積み上げ公差を補正することができる。またこの時、厚みの小さい部材２０１を規格品として製造し、隙間（離隔距離Ｄ）の大きさに合わせてその積層数を調整することで、隙間（離隔距離Ｄ）の大きさに合わせて異なる厚みを有するスペーサを逐次製造する場合と比較してコストを大幅に低減できる。

【0051】

また、プラズマ処理装置１の内部に配置されるスペーサは、例えばプラズマ処理や経年劣化等の影響により消耗することが考えられる。本実施形態によれば、このようにスペーサ２００を複数の部材２０１で構成することにより、このようにスペーサ２００が消耗した場合であっても、スペーサ２００の全体ではなく消耗した部材２０１のみを交換すればよい。かかる観点からも、プラズマ処理装置１にかかるコストを低減できる。

【0052】

＜第３の実施形態にかかるスペーサ＞
続いて、以上の実施形態においてはスペーサを断面視が単純矩形形状を有する環状部材により構成したが、スペーサの断面視形状はこれに限定されるものではない。具体的には、図７Ａ又は図７Ｂに示すように、スペーサ２１０の厚みが径方向内側から外側に向けて小さくなるように、上面（先端形状）にテーパ加工やラウンド加工が施されていてもよい。従って、スペーサ２１０は、第２環状部材１２１を支持するための環状支持面を有する。環状支持面は、内周（内側）から外周（外側）に向けて下方に傾斜している。環状支持面、即ち、スペーサ２１０の上部は、テーパ形状又はラウンド形状を有する。

【0053】

本実施形態によれば、このようにスペーサ２１０の上面にテーパ加工やラウンド加工を施すことにより、カバーリング１２１に形成された貫通孔１２１ａの下面を当該テーパ部（ラウンド部）に接触させることで、環状領域１１０ｂ（リング支持面）上におけるカバーリング１２１の位置決めを行うことができ、プラズマ処理装置１における生産性を向上できる。また、このようにスペーサ２１０によりカバーリング１２１の位置決めを行うことができることで、リフトピン１３１に位置決め機能を付与する必要がない。すなわち、リフトピン１３１を単純形状で構成することができ、これによりプラズマ処理装置１の製造に係るコストを低減できる。

【0054】

なお、このようにスペーサ２１０にテーパ部（ラウンド部）を形成する場合、カバーリング１２１の下面（貫通孔１２１ａの下部）を、当該テーパ部（ラウンド部）と嵌合する形状で形成してもよい。この場合、カバーリング１２１の位置決め効果を更に向上させることができる。

【0055】

なお、上述の第２の実施形態に示したようにスペーサを複数の部材により構成する場合においては、最も上方（カバーリング１２１側）に配置される部材にのみ、傾斜面（テーパ形状、ラウンド形状）を形成すればよい。

【0056】

＜第４の実施形態にかかるスペーサ＞
なお、上記第３の実施形態においてはスペーサの断面視形状をスペーサ２１０の厚みが径方向内側から外側に向けて低くなるように構成したが、図８Ａに示すスペーサ２２０のように、その上面に段差部Ｓ２を形成し、内周部の上面が外周部の上面より高く形成されてもよい。

【0057】

実施の形態にかかるプラズマ処理装置１においては、図３に示したようにリフトピン１３１に段差部Ｓを形成することにより、エッジリング１２２及びカバーリング１２１をそれぞれ独立してリフトアップ可能に構成した。この時、例えばリングアセンブリ１２０がカバーリング１２１及びエッジリング１２２に加えて第３環状部材を備える場合においては、リフトピン１３１に新たな段差部を形成し、当該新たな段差部により第３環状部材のリフトアップを行う必要がある。すなわち、リフトピン１３１に設計変更を行う必要があり、当該設計変更や部材交換に際して時間やコストを要する。

【0058】

この点本実施形態によれば、このようにスペーサ２２０の上面に段差部Ｓ２を形成することにより、当該段差部Ｓ２を利用して、図８Ｂに示すように第３環状部材１２３をリフトアップできる。すなわち、リングアセンブリ１２０に新たな環状部材を設ける必要が生じた場合であっても、リフトピン１３１の設計変更を伴うことなくスペーサ２２０の設置のみによって第３環状部材１２３をリフトアップできる。これにより、リフトピン１３１の設計変更を行う場合と比較して時間やコストを大幅に低減できる。一実施形態において、基板支持部１１は、第１環状部材１２２と第２環状部材１２１の間に配置される第３環状部材１２３をさらに含む。第３環状部材１２３は、第２環状部材１２１の複数の貫通孔１２１ａに対応して形成される複数の他の貫通孔１２３ａを有する。リフトピン１３１の上側部分１３１ａは、第２環状部材１２１の対応する貫通孔１２１ａ及び第３環状部材１２３の対応する他の貫通孔１２３ａを介して第１環状部材１２２を支持するように構成される。スペーサ２２０は、第３の幅Ｗ３を有する下側スペーサ部分２２０ａと、第３の幅Ｗ３よりも小さい第４の幅Ｗ４を有する上側スペーサ部分２２０ｂとを有する（図８Ａを参照）。上側スペーサ部分２２０ｂは、第２環状部材１２１の対応する貫通孔１２１ａを介して第３環状部材１２３を支持するように構成される。従って、上側スペーサ部分２２０ｂは、第３環状部材１２３を支持するための環状支持面を有する。下側スペーサ部分２２０ａは、第２環状部材１２１を支持するように構成される。従って、下側スペーサ部分２２０ａは、第２環状部材１２１を支持するための環状支持面を有する。

【0059】

＜第５の実施形態にかかるスペーサ＞
以上の実施形態においては、スペーサを例えばＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥ、Ｑｚ又はＳＡ等から選択される少なくともいずれかの材料により構成したが、図９に示すように、スペーサ２３０と第１ピン部分１３１ａの間には、脱落防止部材としての弾性部材２３１（例えばＦＦＫＭ系ゴム等）を設けてもよい（図５Ｄも参照）。

【0060】

本実施形態によれば、このように弾性部材２３１をスペーサ２３０と第１ピン部分１３１ａとの間に配置することで、当該弾性部材２３１の弾性力により第１ピン部分１３１ａに対してスペーサ２３０を固定して適切に脱落を抑制できる。また、例えばスペーサ２３０が絶縁性を有する場合においては、弾性部材２３１の設置に伴う耐圧向上により、第１ピン部分１３１ａとカバーリング１２１の間における異常放電を抑制できる。また、例えばスペーサ２３０が導電性を有する場合においては、スペーサ２３０の設置により第１ピン部分１３１ａに導電性が付与され、これにより第１ピン部分１３１ａへの帯電を防止して異常放電を抑制できる。

【0061】

＜第６の実施形態にかかるスペーサ＞
図３でも示したように、基板支持部１１は、複数の部材（図示の例においては金属プレート１１１、導電性基台１１２及び静電チャック１１３）を積層して構成する場合がある。この場合、各部材の温度差や熱膨張率の違い等により各部材に形成された貫通孔（図示の例では貫通孔１１１ａ、１１２ａ）の位置にズレが生じるおそれがある。この時、上述したようにリフトピン１３１の第１ピン部分１３１ａと第２ピン部分１３１ｂが一体に構成されていると、貫通孔の位置ズレによりリングアセンブリ１２０を適切にリフトアップできなくなるおそれや、当該リフトピン１３１が損傷を被るおそれがある。このため、リフター１３０に設けられるリフトピン１３１は、図１０Ａに示すように、アクチュエータ１３２に接続される固定部２４０と、貫通孔の位置にズレに追従して水平方向に移動する可動部２４１と、が独立して構成される分割ピン構造を有する場合がある。

【0062】

しかしながら、このようにリフトピン１３１が分割ピン構造を有する場合、リングアセンブリ１２０のリフトアップ後に固定部２４０のみが降下し、図１０Ｂに示すように可動部２４１が上方に取り残されてしまうことが懸念される。

【0063】

そこで第６の実施形態にかかるスペーサ２５０では、このようにリフトピン１３１が分割ピン構造を有する場合において可動部２４１が上方に残留してしまうことを抑制する。具体的には、図１１に示すようにスペーサ２５０を高比重部材２５１（例えばチタンやタングステン等）により構成し、さらに当該高比重部材２５１をラジカル等から保護するため、表面を覆うようにコーティング層２５２（例えばＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥ等）を形成する。

【0064】

なお、以上の説明においては、図１０Ａ、図１０Ｂに示したように固定部２４０が分割ピン構造を有するリフトピン１３１の一部であるものとみなして説明を行ったが、固定部２４０は、アクチュエータ１３２に固定される基板支持部１１とみなすことも可能である。かかる場合、図１０に示した可動部２４１、及びスペーサ２５０が本開示の技術に係るリフトピン１３１を構成し、固定部２４０は基板支持部１１の一部を構成する。換言すれば、リフトピン１３１としての可動部２４１は、固定部材２４０によって下方から支持され、当該固定部材２４０を介してアクチュエータ１３２に接続される。一実施形態において、基板支持部１１は、少なくとも１つのアクチュエータ１３２に固定される固定部材２４０を更に含み、リフトピン１３１は、固定部材２４０によって支持される。スペーサ２５０は、高比重部材２５１と、高比重部材２５１の表面を覆うように形成されるコーティング層２５２とを有する。

【0065】

これにより、可動部２４１の重量をスペーサ２５０により増加させ、リングアセンブリ１２０のリフトアップ後に可動部２４１が上方に残留してしまった場合であっても、可動部２４１を自重により待機位置まで降下させることができる。

【0066】

以上、種々の実施形態について説明してきたが、スペーサに付与される付加される効果は上述した例示的実施形態に限定されることない。また、以上の第１～第６の実施形態のそれぞれの要素を組み合わせて他の実施形態を形成することも可能である。例えば、上述したようにスペーサを複数の部材により構成（第２の実施形態）し、更に、最も上方（カバーリング１２１側）に配置される部材に、テーパ部（ラウンド部）を形成（第３の実施形態）してもよい。また例えば、スペーサに段差部Ｓ２を形成（第４の実施形態）し、更に、当該スペーサの径方向内側に弾性部材を配置（第５の実施形態）してもよい。

【0067】

＜スペーサの設計方法＞
続いて、以上のように構成されたスペーサの設計方法、より具体的には、スペーサの厚みＨの決定方法について図面を参照しながら説明する。なお、以下に示すスペーサの厚みＨの決定手法は、プラズマ処理装置１のスタートアップ時やリングアセンブリ１２０の交換直後、すなわちリングアセンブリ１２０に対するリフター１３０の初期設定時に行われる。

【0068】

先ず、図１２Ａ（ａ）に示すように、カバーリング１２１の上面にエッジリング１２２が支持されていない状態で、リフター１３０を待機位置（第１ピン部分１３１ａの先端部がカバーリング１２１の内周部の上面から突出しない位置）に移動させる（図１３のステップＰ１）。次に、リフター１３０が待機位置に配置された状態において、リフトピン１３１の先端部とカバーリング１２１の内周部の上面との距離（深さ）Ｄ１（図１２Ａ（ａ）を参照）を測定する（図１３のステップＰ２）。

【0069】

なお、ステップＰ２における距離（深さ）Ｄ１の測定方法は特に限定されるものではなく、例えばダイヤルゲージ等を用いて手動で測定されてもよいし、レーザ変位計等を用いて自動で測定されてもよい。

【0070】

続いて、ステップＰ２で測定された距離（深さ）Ｄ１をアクチュエータ１３２により補正し、図１２Ａ（ｂ）に示すようにリフトピン１３１の先端部の高さ位置とカバーリング１２１の内周部の上面の高さ位置とを略一致させる（図１３のステップＰ３）。なお、リフトピン１３１の先端部の位置が補正された後のリフター１３０の高さ位置は、エッジリング１２２と第１ピン部分１３１ａの接触位置（第１の接触位置）として制御部２に出力される。

【0071】

続いて、リフター１３０の位置が第１の接触位置に維持された状態で、図１２Ａ（ｃ）に示すようにカバーリング１２１を導電性基台１１２の環状領域１１０ｂ（リング支持面）上から取り外す（図１３のステップＰ４）。

【0072】

続いて図１２Ａ（ｄ）に示すように、リフター１３０を、エッジリング１２２と第１ピン部分１３１ａの接触位置からエッジリング１２２の搬送位置（第１ピン部分１３１ａの先端部に支持されたエッジリング１２２が規定高さに達する位置）に移動させる（図１３のステップＰ５）。次に、リフター１３０がエッジリング１２２の搬送位置に配置された状態において、リフトピン１３１の段差部Ｓ（第２ピン部分１３１ｂの上面）と導電性基台１１２の上面（カバーリング１２１の支持面）との距離（深さ）Ｄ２（図１２Ａ（ｄ）を参照）を測定する（図１３のステップＰ６）。

【0073】

なお、ステップＰ６における距離（深さ）Ｄ２の測定方法は特に限定されるものではなく、例えばダイヤルゲージ等を用いて手動で測定されてもよいし、レーザ変位計等を用いて自動で測定されてもよい。

【0074】

続いて、ステップＰ６で測定された距離（深さ）Ｄ２が最小となるようにスペーサ１３３の厚みＨを決定（図１３のステップＰ７）する。次に、図１２Ｂ（ａ）に示すように、リフトピン１３１の段差部Ｓ（第２ピン部分１３１ｂの上面）にステップＰ７で決定された厚みＨを有するスペーサ１３３を設置する（図１３のステップＰ８）。

【0075】

なお、リフトピン１３１の段差部Ｓに設置されるスペーサは上述のスペーサ１３３（第１の実施形態）に限定されるものではなく、第２～第６の実施形態にかかるスペーサ２００、２１０、２２０、２３０、２５０を適宜選択できる。

【0076】

続いて、段差部Ｓにスペーサ１３３が設置された状態において、スペーサ１３３の上面と導電性基台１１２の上面（カバーリング１２１の支持面）との距離（深さ）Ｄ３（図１２Ｂ（ａ）を参照）を測定する（図１３のステップＰ９）。

【0077】

なお、ステップＰ９における距離（深さ）Ｄ３の測定方法は特に限定されるものではなく、例えばダイヤルゲージ等を用いて手動で測定されてもよいし、レーザ変位計等を用いて自動で測定されてもよい。

【0078】

続いて、ステップＰ９で測定された距離（深さ）Ｄ３をアクチュエータ１３２により補正し、図１２Ｂ（ｂ）に示すようにスペーサ１３３の上面の高さ位置と導電性基台１１２の上面（カバーリング１２１の支持面）の高さ位置とを略一致させる（図１３のステップＰ１０）。なお、スペーサ１３３の上面の位置が補正された後のリフター１３０の高さ位置は、カバーリング１２１とスペーサ１３３の接触位置（第２の接触位置）として制御部２に出力される。

【0079】

その後、図１２Ｂ（ｃ）に示すようにリフター１３０を待機位置に移動させ（図１３のステップＰ１１）、更に図１２Ｂ（ｄ）に示すように環状領域１１０ｂ（リング支持面）にカバーリング１２１及びエッジリング１２２を順次載置（図１３のステップＰ１２）させると、一連のスペーサの厚みＨの決定手法が終了する。

【0080】

本実施形態によれば、このようにスペーサの厚みＨをリフトピン１３１の段差部Ｓと導電性基台１１２の上面）との距離（深さ）Ｄ２に基づいて適宜決定することにより、リフター１３０の各部材、ユニットの積み上げ公差を適切に緩和することができる。

【0081】

またこの時、上述した各種実施形態にかかるスペーサ２００、２１０、２２０、２３０、２５０を適宜選択することにより、積み上げ公差の緩和の加えて、第２～第６の実施形態に示した各種機能をスペーサ（リフトピン１３１）に付加することができる。従って、少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、複数のリフトピン１３１を第１上昇位置（図４Ａ参照）、第２上昇位置（図４Ｂ参照）及び下降位置（図３参照）の間で縦方向に移動させるように構成される。第１上昇位置、即ち第１環状部材１２２の搬送位置において第１環状部材１２２が第１の高さＨ１（図４Ａ参照）に配置される。第２上昇位置、即ち第２環状部材１２１の搬送位置において第２環状部材１２１が第１の高さＨ１（図４Ｂ参照）に配置される。なお、プラズマ処理は、複数のリフトピン１３１が下降位置にあるとき、即ち、複数のリフトピン１３１が収納されているとき（図３参照）に行われる。なお、図８Ｂの例では、少なくとも１つのアクチュエータ１３２は、複数のリフトピン１３１を、第１上昇位置、第２上昇位置、第３上昇位置及び下降位置の間で縦方向に移動させるように構成される。第１上昇位置、第２上昇位置及び下降位置は上記と同様である。第３上昇位置は第１上昇位置と第２上昇位置との間の状態である。この場合、第３上昇位置、即ち第３環状部材１２３の搬送位置において第３環状部材１２３が第１の高さＨ１に配置される。そして、スペーサ１３３は、第１上昇位置における下側部分１３１ｂの上面（又は上部）と第２環状部材１２１の下面との間の距離に基づき決定される縦方向寸法Ｄを有する。

【0082】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0083】

１ プラズマ処理装置
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１２ プラズマ生成部
１１２ 導電性基台
１１３ 静電チャック
１２０ リングアセンブリ
１２１ カバーリング
１２１ａ 貫通孔
１２２ エッジリング
１３０ リフター
１３１ リフトピン
１３１ａ 第１ピン部分
１３１ｂ 第２ピン部分
１３２ アクチュエータ
１３３ スペーサ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図11】

【図12A】

【図12B】

【図13】