特開 2023-78894 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023078894

(43)【公開日】2023-06-07

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20230531BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20230531BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 P

H01L23/12 F

H01L23/12 Q

H05K1/02 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021192209

(22)【出願日】2021-11-26

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】千野 由香里

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 秀樹

【テーマコード（参考）】

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB63

5E338CC01

5E338CC06

5E338CD14

5E338EE11

(57)【要約】

【課題】インピーダンスのミスマッチングを低減すること。
【解決手段】配線基板は、絶縁性樹脂を用いて形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成される配線層とを有し、前記配線層は、配線が形成される第１の領域と、前記第１の領域に形成された配線が接続するパッドを備え前記第１の領域よりも配線幅が小さい第２の領域とを有し、前記絶縁層は、平面視で前記第２の領域と重なる範囲のみに導体を用いて形成され、前記絶縁性樹脂によって挟まれる導体部を有する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁性樹脂を用いて形成される絶縁層と、
前記絶縁層の表面に形成される配線層とを有し、
前記配線層は、
配線が形成される第１の領域と、前記第１の領域に形成された配線が接続するパッドを備え前記第１の領域よりも配線幅が小さい第２の領域とを有し、
前記絶縁層は、
平面視で前記第２の領域と重なる範囲のみに導体を用いて形成され、前記絶縁性樹脂によって挟まれる導体部を有する
ことを特徴とする配線基板。

【請求項2】

前記絶縁層の前記配線層が形成される面とは反対側の面を被覆し、平面視で前記第１の領域及び前記第２の領域と重なる範囲に形成される導体層
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。

【請求項3】

前記導体部は、
前記第２の領域のうち前記パッドを含む領域を除く領域と重なる範囲のみに形成される
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。

【請求項4】

前記導体部は、
前記パッドに対応する位置に貫通孔を有する
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。

【請求項5】

前記導体部は、
接地電源に接続される
ことを特徴とする請求項１記載の配線基板。

【請求項6】

前記配線層を被覆する他の絶縁層と、
前記他の絶縁層に積層される他の導体層と
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の配線基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

一般に、例えば半導体チップ等を搭載する配線基板には、半導体チップ等を接合するためのパッドが形成される。すなわち、例えばフリップチップ接続によって半導体チップを実装する場合、配線基板に形成された複数のパッド上にそれぞれバンプが形成され、バンプに半導体チップの複数の端子が接合される。

【0003】

配線基板のパッドは、半導体チップの端子の位置に合わせて密に形成されるため、パッド付近のファンアウト（Fan Out）エリアにおいては、パッドから引き出される配線を形成可能な領域が限られている。そこで、ファンアウトエリアにおいては、インピーダンスが最適化された配線幅を採用するグローバルエリアに比べて、配線幅を小さくすることがある。配線幅を小さくすることにより、ファンアウトエリアにおいても配線間及び配線とパッド間の距離を確保し、クロストークを低減することが可能となる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平９－１８０９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、上述した配線基板においては、インピーダンスのミスマッチングが発生することがあるという問題がある。具体的には、ファンアウトエリアにおいて配線幅を小さくすると、ファンアウトエリアにおける配線のインピーダンスが上昇する。一方、パッドから離れたグローバルエリアにおいては、配線幅を比較的自由に設定することが可能であるため、インピーダンスを最適化する配線幅で配線が形成される。

【0006】

この結果、ファンアウトエリアとグローバルエリアの境界では、配線幅が変化することとなり、インピーダンスのミスマッチングが発生する。このミスマッチングにおけるインピーダンスの差が大きいほど信号の反射が大きくなり、信号の通過特性が悪化する。ここで、通過特性の悪化とは、入力された信号の電圧が出力側で得られず、減衰する状態のことを指す。また、インピーダンスのミスマッチングは、反射ノイズの原因にもなる。

【0007】

開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、インピーダンスのミスマッチングを低減することができる配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本願が開示する配線基板は、１つの態様において、絶縁性樹脂を用いて形成される絶縁層と、前記絶縁層の表面に形成される配線層とを有し、前記配線層は、配線が形成される第１の領域と、前記第１の領域に形成された配線が接続するパッドを備え前記第１の領域よりも配線幅が小さい第２の領域とを有し、前記絶縁層は、平面視で前記第２の領域と重なる範囲のみに導体を用いて形成され、前記絶縁性樹脂によって挟まれる導体部を有する。

【発明の効果】

【0009】

本願が開示する配線基板の１つの態様によれば、インピーダンスのミスマッチングを低減することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、実施の形態１に係る配線基板の構成を示す部分平面図である。

【図2】図２は、実施の形態１に係るプレーン層の位置を説明する図である。

【図3】図３は、実施の形態１に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【図4】図４は、プレーン層形成工程の具体例を示す図である。

【図5】図５は、第２絶縁層形成工程の具体例を示す図である。

【図6】図６は、研磨工程の具体例を示す図である。

【図7】図７は、配線層形成工程の具体例を示す図である。

【図8】図８は、シミュレーション結果を示す図である。

【図9】図９は、実施の形態２に係るプレーン層の位置を説明する図である。

【図10】図１０は、実施の形態２に係る配線基板の構成を示す断面図である。

【図11】図１１は、配線基板の変形例を示す断面図である。

【図12】図１２は、シミュレーション結果を示す図である。

【図13】図１３は、配線基板の他の変形例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本願が開示する配線基板の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。

【0012】

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１に係る配線基板１００の構成を示す部分平面図である。配線基板１００は、例えば半導体チップなどの電子部品を搭載可能な配線基板であり、図１は、半導体チップを搭載する領域付近の部分平面図である。図１に示す配線基板１００は、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０を有する。

【0013】

ファンアウトエリア１１０は、半導体チップを実装するためのパッド１０１を有する領域である。ファンアウトエリア１１０においては、半導体チップの端子の位置に合わせて複数のパッド１０１が形成されており、それぞれのパッド１０１から配線１０２が引き出されている。配線１０２がパッド１０１間にも形成されるため、ファンアウトエリア１１０においては、配線１０２の配線幅が小さくなっている。具体的には、ファンアウトエリア１１０においては、例えばＬ／Ｓ＝９／１２μｍ程度とすることができる。ファンアウトエリア１１０の配線１０２の配線幅は、例えば５～２０μｍの範囲で変更されても良く、ファンアウトエリア１１０の配線１０２の配線間隔は、例えば５～２０μｍの範囲で変更されても良い。

【0014】

グローバルエリア１２０は、パッド１０１から離れており、比較的自由に配線１０２を引き回すことが可能な領域である。このため、グローバルエリア１２０においては、配線１０２の配線幅が調整されてインピーダンスが最適化されており、例えばファンアウトエリア１１０よりも配線１０２の配線幅が大きくなっている。具体的には、グローバルエリア１２０においては、例えばＬ／Ｓ＝２５／２５μｍ程度とすることができる。グローバルエリア１２０の配線１０２の配線幅は、例えば２０～４０μｍの範囲で変更されても良く、グローバルエリア１２０の配線１０２の配線間隔は、例えば２０～４０μｍの範囲で変更されても良い。したがって、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０の境界において、配線１０２の配線幅が変化している。

【0015】

また、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０には、図示しない接地電源に接続されたグランドパターン１０３が形成されている。パッド１０１、配線１０２及びグランドパターン１０３は、いずれも例えば銅又は銅合金などの導体を用いて形成されており、厚さを例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0016】

本実施の形態に係る配線基板１００では、ファンアウトエリア１１０の配線１０２の領域の内層に導体からなるプレーン層が形成されており、ファンアウトエリア１１０の配線１０２のインピーダンスが低下している。このため、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０の境界において配線１０２の配線幅が変化していても、この境界におけるインピーダンスのミスマッチングが低減される。

【0017】

図２は、配線基板１００のファンアウトエリア１１０付近を拡大して示す平面図である。図２に示すように、ファンアウトエリア１１０は、パッド１０１が形成されるパッド領域１１１と、パッド１０１から引き出された配線１０２の配線幅が小さい細線領域１１２とを有する。そして、図２中破線で囲まれた細線領域１１２の内層には、導体からなるプレーン層が形成されている。細線領域１１２の配線１０２とプレーン層とが対向することにより容量成分が発生し、配線１０２のインピーダンスが低下する。結果として、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０の境界におけるインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0018】

図３は、実施の形態１に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。すなわち、図３（ａ）は、図２のＩ－Ｉ線断面を示し、図３（ｂ）は、図２のII－II線断面を示す。図３に示すように、本実施の形態に係る配線基板１００は、マイクロストリップラインを有する。

【0019】

図３（ａ）に示すように、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２においては、導体層２０５を被覆する第１絶縁層２１０が形成され、第１絶縁層２１０の上面にプレーン層２１５が形成されている。そして、プレーン層２１５を被覆する第２絶縁層２２０が形成され、第２絶縁層２２０の上面に配線幅が小さい配線１０２ａが形成されている。

【0020】

導体層２０５は、例えば銅又は銅合金などの導体を用いて形成され、図示しない接地電源に接続されたグランドパターンである。導体層２０５の厚さは、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0021】

第１絶縁層２１０は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され、導体層２０５に積層される。第１絶縁層２１０の厚さは、例えば５～１５μｍ程度とすることができる。

【0022】

プレーン層２１５は、第１絶縁層２１０の上面を被覆するように例えば銅又は銅合金などの導体を用いて形成され、図示しない接地電源に接続されたグランドパターンである。プレーン層２１５は、平面視でファンアウトエリア１１０の細線領域１１２と重なる範囲のみに形成され、細線領域１１２の配線１０２ａとの間で容量成分を発生させる。これにより、配線１０２ａのインピーダンスが低下する。プレーン層２１５の厚さは、例えば５～２０μｍ程度とすることができる。

【0023】

プレーン層２１５と配線１０２ａの間で発生する容量成分の大きさは、プレーン層２１５と配線１０２ａの間の距離、配線１０２ａの表面積及び第２絶縁層２２０の誘電率に応じて決まる。このため、第２絶縁層２２０の厚さを調整することにより、プレーン層２１５と配線１０２ａの間に所望の容量成分を発生させ、配線１０２ａのインピーダンスを低下させることができる。具体的には、第２絶縁層２２０の厚さを薄くしてプレーン層２１５と配線１０２ａの間の距離を小さくするほど、発生する容量成分が大きくなり、配線１０２ａのインピーダンスが低下する。

【0024】

第２絶縁層２２０は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され、プレーン層２１５に積層される。第２絶縁層２２０の厚さは、例えば５～１０μｍ程度とすることができ、プレーン層２１５と配線１０２ａの間の所望の容量成分に応じて調整される。

【0025】

第２絶縁層２２０の上面には、配線幅が小さい配線１０２ａを含む配線層が形成される。細線領域１１２の配線層には、配線１０２ａの他にグランドパターン１０３が形成されても良い。

【0026】

一方、図３（ｂ）に示すように、グローバルエリア１２０においては、導体層２０５を第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０が一体になって被覆し、第２絶縁層２２０の上面に配線幅が大きい配線１０２ｂが形成されている。すなわち、グローバルエリア１２０においては、プレーン層２１５が形成されておらず、配線１０２ｂと導体層２０５の間に第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０からなる絶縁層が配置されたマイクロストリップラインが形成される。

【0027】

このように、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２にはプレーン層２１５が形成される一方、グローバルエリア１２０にはプレーン層２１５が形成されない。つまり、プレーン層２１５は、平面視で細線領域１１２と重なる範囲のみに形成され、第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０の絶縁性樹脂によって挟まれている。このため、プレーン層２１５と細線領域１１２の配線幅が小さい配線１０２ａとの間で容量成分が発生し、配線１０２ａのみのインピーダンスが低下する。結果として、配線幅が小さい配線１０２ａと配線幅が大きい配線１０２ｂとのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0028】

次に、上記のように構成される配線基板１００の製造方法について説明する。

【0029】

まず、導体層２０５に積層された第１絶縁層２１０の上面に例えば銅箔が形成される。銅箔の厚さは、例えば５～２０μｍ程度とすることができる。そして、不要な領域の銅箔が例えばエッチングにより除去されることにより、図４に示すように、プレーン層２１５が形成される。すなわち、ファンアウトエリア１１０のパッド領域１１１及びグローバルエリア１２０に対応する領域の銅箔が除去されることにより、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２のみの銅箔が残存し、プレーン層２１５が形成される。

【0030】

プレーン層２１５が形成されると、第１絶縁層２１０及びプレーン層２１５に第２絶縁層２２０が積層される。すなわち、例えば図５に示すように、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２においては、プレーン層２１５に第２絶縁層２２０が積層され、ファンアウトエリア１１０のパッド領域１１１及びグローバルエリア１２０においては、第１絶縁層２１０に第２絶縁層２２０が積層される。

【0031】

第２絶縁層２２０は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）又はブラストによって研磨され、配線幅が小さい配線１０２ａのインピーダンスを所望の値に低下させるための厚さに加工される。すなわち、例えば図６に示すように、第２絶縁層２２０の上面が研磨されることにより、プレーン層２１５と第２絶縁層２２０の上面との距離が調整される。この研磨により、第２絶縁層２２０の厚さは、例えば５～１０μｍ程度となる。

【0032】

そして、第２絶縁層２２０の上面に配線層が形成される。具体的には、パッド１０１、配線１０２及びグランドパターン１０３を有する配線層が第２絶縁層２２０の上面に形成される。配線層は、めっきを用いるセミアディティブ法で形成されても良いし、エッチングを用いるサブトラクティブ法で形成されても良い。このとき、例えば図７に示すように、ファンアウトエリア１１０においては、配線幅が小さい配線１０２ａが形成される。一方、グローバルエリア１２０においては、配線幅が大きい配線１０２ｂが形成される。ファンアウトエリア１１０の配線１０２ａの配線幅は、例えば１０～２０μｍ程度とすることができ、グローバルエリア１２０の配線１０２ｂの配線幅は、例えば２０～４０μｍ程度とすることができる。

【0033】

以上の工程により、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２のみにプレーン層２１５を有する配線基板１００を製造することができる。

【0034】

上記のように構成された配線基板１００の配線１０２におけるインピーダンスのシミュレーション結果を図８に示す。配線１０２は、図８（ａ）に示すマイクロストリップラインを形成する。図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ファンアウトエリア１１０の配線１０２ａの配線幅ｗを１３μｍとし、グローバルエリア１２０の配線１０２ｂの配線幅ｗを４０μｍとする。また、グローバルエリア１２０においては、配線１０２ｂから導体層２０５までの距離（すなわち、第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０の厚さの合計）ｈが２０μｍであり、ファンアウトエリア１１０においては、配線１０２ａからプレーン層２１５までの距離（すなわち、第２絶縁層２２０の厚さ）ｈが７μｍであるものとする。配線１０２ａ、１０２ｂの厚さｔは、いずれも１５μｍである。

【0035】

このような場合、グローバルエリア１２０における配線１０２ｂのインピーダンスは、５０Ω付近に最適化されている。そして、ファンアウトエリア１１０においては、プレーン層２１５が無い場合には配線１０２ａのインピーダンスが約８１Ωになるところ、プレーン層２１５が形成されることにより、配線１０２ａのインピーダンスが約５２Ωに低下する。つまり、プレーン層２１５が形成されることにより、グローバルエリア１２０とファンアウトエリア１１０の境界におけるインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0036】

以上のように、本実施の形態によれば、ファンアウトエリアの細線領域の内層にプレーン層を形成するため、細線領域の配線とプレーン層の間に容量成分が発生し、配線のインピーダンスが低下する。結果として、配線幅が大きいグローバルエリアの配線と配線幅が小さいファンアウトエリアの配線とのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0037】

（実施の形態２）
実施の形態２の特徴は、ファンアウトエリア全体に広がるプレーン層であって、パッドには重ならないプレーン層を設ける点である。

【0038】

実施の形態２に係る配線基板１００の平面図は、実施の形態１（図１）と同様であるため、その説明を省略する。

【0039】

図９は、実施の形態２に係る配線基板１００のファンアウトエリア１１０付近を拡大して示す平面図である。図９に示すように、ファンアウトエリア１１０は、パッド１０１が形成されるパッド領域１１１と、パッド１０１から引き出された配線１０２の配線幅が小さい細線領域１１２とを有する。そして、図９中破線で囲まれたファンアウトエリア１１０の内層には、導体からなるプレーン層２１５が形成されている。このプレーン層２１５は、平面視でパッド１０１と重なる位置に貫通孔を有し、パッド領域１１１及び細線領域１１２の配線１０２のみと対向する。ファンアウトエリア１１０の配線１０２とプレーン層２１５とが対向することにより容量成分が発生し、配線１０２のインピーダンスが低下する。結果として、ファンアウトエリア１１０及びグローバルエリア１２０の境界におけるインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0040】

図１０は、実施の形態２に係る配線基板１００の構成を示す断面図である。すなわち、図１０は、図９のIII－III線断面を示す断面図である。

【0041】

図１０に示すように、ファンアウトエリア１１０のパッド領域１１１においては、導体層２０５を被覆する第１絶縁層２１０が形成され、第１絶縁層２１０の上面にプレーン層２１５が形成されている。そして、プレーン層２１５を被覆する第２絶縁層２２０が形成され、第２絶縁層２２０の上面に配線幅が小さい配線１０２ａが形成されている。

【0042】

本実施の形態に係るプレーン層２１５は、配線幅が小さい配線１０２ａに対向する領域のみにおいて第１絶縁層２１０の上面を被覆し、パッド１０１と重なる領域には貫通孔２１５ａが形成された形状を有する。このため、パッド１０１には容量成分が発生せずに、パッド領域１１１においても配線１０２ａのみのインピーダンスを低下させることができる。結果として、ファンアウトエリア１１０全体の配線１０２ａのインピーダンスを低下させることができ、配線幅が大きいグローバルエリア１２０の配線１０２ｂとのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0043】

以上のように、本実施の形態によれば、ファンアウトエリアの内層に配線と対向するプレーン層を形成するため、ファンアウトエリアの配線とプレーン層の間に容量成分が発生し、配線のインピーダンスが低下する。結果として、配線幅が大きいグローバルエリアの配線と配線幅が小さいファンアウトエリアの配線とのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0044】

なお、上記実施の形態１、２においては、配線基板１００がマイクロストリップラインを有するものとしたが、配線基板１００がストリップラインを有する場合にも、プレーン層２１５を設けることでインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0045】

図１１は、配線基板１００の変形例を示す断面図である。すなわち、図１１（ａ）は、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２の断面を示し、図１１（ｂ）は、グローバルエリア１２０の断面を示す。図１１に示すように、この配線基板１００は、ストリップラインを有する。

【0046】

図１１（ａ）に示すように、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２においては、図３（ａ）に示した導体層２０５、第１絶縁層２１０、プレーン層２１５、第２絶縁層２２０及び配線１０２ａの上層に、第３絶縁層３１０及び導体層３１５が形成されている。

【0047】

第３絶縁層３１０は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され、配線１０２ａを有する配線層に積層される。第３絶縁層３１０の厚さは、例えば２０～４０μｍ程度とすることができる。

【0048】

導体層３１５は、第３絶縁層３１０の上面を被覆するように例えば銅又は銅合金などの導体を用いて形成され、図示しない接地電源に接続されたグランドパターンである。導体層３１５の厚さは、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。

【0049】

一方、図１１（ｂ）に示すように、グローバルエリア１２０においては、導体層２０５を第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０が一体になって被覆し、第２絶縁層２２０の上面に配線幅が大きい配線１０２ｂが形成されている。そして、配線１０２ｂの上層に、第３絶縁層３１０及び導体層３１５が形成されている。すなわち、グローバルエリア１２０においては、プレーン層２１５が形成されておらず、配線１０２ｂが第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０からなる絶縁層と第３絶縁層３１０とに挟まれ、これらの絶縁層に導体層２０５及び導体層３１５が積層されたストリップラインが形成される。

【0050】

このように配線基板１００がストリップラインを有する場合でも、ファンアウトエリア１１０の細線領域１１２のみにプレーン層２１５が形成されることにより、配線１０２ａのみのインピーダンスが低下し、配線１０２ｂとのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0051】

上記のように構成された配線基板１００の配線１０２におけるインピーダンスのシミュレーション結果を図１２に示す。配線１０２は、図１２（ａ）に示すストリップラインを形成する。図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、ファンアウトエリア１１０の配線１０２ａの配線幅ｗを１４μｍとし、グローバルエリア１２０の配線１０２ｂの配線幅ｗを２８μｍとする。また、グローバルエリア１２０においては、配線１０２ｂから導体層２０５までの距離（すなわち、第１絶縁層２１０及び第２絶縁層２２０の厚さの合計）ｈ１が３３μｍであり、ファンアウトエリア１１０においては、配線１０２ａからプレーン層２１５までの距離（すなわち、第２絶縁層２２０の厚さ）ｈ１が１４μｍであるものとする。配線１０２ａ、１０２ｂの厚さｔは、いずれも１５μｍであり、第３絶縁層３１０の厚さｈ２は３３μｍである。

【0052】

このような場合、グローバルエリア１２０における配線１０２ｂのインピーダンスは、５０Ω付近に最適化されている。そして、ファンアウトエリア１１０においては、プレーン層２１５が無い場合には配線１０２ａのインピーダンスが約６４Ωになるところ、プレーン層２１５が形成されることにより、配線１０２ａのインピーダンスが約５１Ωに低下する。つまり、プレーン層２１５が形成されることにより、グローバルエリア１２０とファンアウトエリア１１０の境界におけるインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0053】

また、配線基板１００がストリップラインを有する場合にも、上記実施の形態２と同様に、ファンアウトエリア全体に広がるとともにパッド１０１には重ならないプレーン層２１５を設けることが可能である。

【0054】

具体的に、図１３は、図９のIII－III線断面の変形例を示す断面図である。図１３において、図１０、１１と同じ部分には、同じ符号を付す。図１３に示すように、この配線基板１００は、ストリップラインを有する。すなわち、図１３に示すように、ファンアウトエリア１１０のパッド領域１１１においては、導体層２０５、第１絶縁層２１０、プレーン層２１５、第２絶縁層２２０及び配線１０２ａの上層に、第３絶縁層３１０及び導体層３１５が形成されている。

【0055】

このプレーン層２１５は、配線幅が小さい配線１０２ａに対向する領域のみにおいて第１絶縁層２１０の上面を被覆し、パッド１０１と重なる領域には貫通孔２１５ａが形成された形状を有する。このため、パッド１０１には容量成分が発生せずに、パッド領域１１１においても配線１０２ａのみのインピーダンスを低下させることができる。結果として、ファンアウトエリア１１０全体の配線１０２ａのインピーダンスを低下させることができ、配線幅が大きいグローバルエリア１２０の配線１０２ｂとのインピーダンスのミスマッチングを低減することができる。

【0056】

なお、上記各実施の形態においては、配線基板１００が１層の配線層に配線１０２を有するものとしたが、配線基板１００を多層基板とすることも可能である。すなわち、上記実施の形態１、２に係る配線基板１００の導体層２０５の下層に、１以上の絶縁層及び導体層が積層されるようにしても良い。

【符号の説明】

【0057】

１０１ パッド
１０２、１０２ａ、１０２ｂ 配線
１０３ グランドパターン
１１０ ファンアウトエリア
１１１ パッド領域
１１２ 細線領域
１２０ グローバルエリア
２０５、３１５ 導体層
２１０ 第１絶縁層
２１５ プレーン層
２１５ａ 貫通孔
２２０ 第２絶縁層
３１０ 第３絶縁層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】