ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023008390
(43)【公開日】2023-01-19
(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20230112BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021111926
(22)【出願日】2021-07-06
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】樋口 倫太郎
(72)【発明者】
【氏名】立花 康三
(72)【発明者】
【氏名】中森 光則
【テーマコード（参考）】
5F043
【Ｆターム（参考）】
5F043AA26
5F043BB15
5F043DD10
5F043DD13
5F043DD14
5F043DD25
5F043EE07
5F043EE08
(57)【要約】
【課題】基板上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、処理液供給部と、陽極および陰極と、制御部と、を備える。基板保持部は、基板を保持する。処理液供給部は、基板保持部に保持される基板に処理液を供給する。陽極および陰極は、処理液供給部から供給される処理液に電圧を印加する。制御部は、各部を制御する。処理液供給部は、基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に処理液を吐出可能である。陽極は、１つの箇所の処理液と接触するように配置されている。陰極は、別の箇所の処理液と接触するように配置されている。制御部は、陽極と陰極との間を流れる電流値に基づいて、陽極と陰極との間の電圧値を制御する。
【選択図】図３
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、処理液供給部と、陽極および陰極と、制御部と、を備える。基板保持部は、基板を保持する。処理液供給部は、基板保持部に保持される基板に処理液を供給する。陽極および陰極は、処理液供給部から供給される処理液に電圧を印加する。制御部は、各部を制御する。処理液供給部は、基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に処理液を吐出可能である。陽極は、１つの箇所の処理液と接触するように配置されている。陰極は、別の箇所の処理液と接触するように配置されている。制御部は、陽極と陰極との間を流れる電流値に基づいて、陽極と陰極との間の電圧値を制御する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部から供給される前記処理液に電圧を印加する陽極および陰極と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記処理液供給部は、前記基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に前記処理液を吐出可能であり、
前記陽極は、１つの前記箇所の前記処理液と接触するように配置されており、
前記陰極は、別の前記箇所の前記処理液と接触するように配置されており、
前記制御部は、前記陽極と前記陰極との間を流れる電流値に基づいて、前記陽極と前記陰極との間の電圧値を制御する
基板処理装置。
前記基板保持部に保持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部から供給される前記処理液に電圧を印加する陽極および陰極と、
各部を制御する制御部と、
を備え、
前記処理液供給部は、前記基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に前記処理液を吐出可能であり、
前記陽極は、１つの前記箇所の前記処理液と接触するように配置されており、
前記陰極は、別の前記箇所の前記処理液と接触するように配置されており、
前記制御部は、前記陽極と前記陰極との間を流れる電流値に基づいて、前記陽極と前記陰極との間の電圧値を制御する
基板処理装置。
【請求項2】
前記制御部は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、前記電流値が処理開始時の電流値よりも低い所与の第１しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、前記電流値が処理開始時の電流値よりも高い所与の第２しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記制御部は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、前記電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値よりも低い所与の第３しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１または２に記載の基板処理装置。
請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記制御部は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、前記電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値よりも高い所与の第４しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１または３に記載の基板処理装置。
請求項１または３に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記基板保持部は、保持された前記基板を回転させる基板回転機構を有し、
前記制御部は、前記基板回転機構により前記基板を回転させながら、複数の前記箇所が前記基板の周縁部となるよう前記処理液の吐出位置を制御する
請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記基板回転機構により前記基板を回転させながら、複数の前記箇所が前記基板の周縁部となるよう前記処理液の吐出位置を制御する
請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記基板保持部に保持される前記基板上に形成される膜の膜厚を測定可能である光学測定器、をさらに備え、
前記制御部は、前記光学測定器で測定される前記膜の膜厚に基づいて、前記基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記光学測定器で測定される前記膜の膜厚に基づいて、前記基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する
請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記基板保持部に保持される前記基板上に形成される膜を撮像可能である撮像装置、をさらに備え、
前記制御部は、前記撮像装置で撮像される前記膜の画像から求められる前記膜の膜厚に基づいて、前記基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する
請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記撮像装置で撮像される前記膜の画像から求められる前記膜の膜厚に基づいて、前記基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する
請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記処理液供給部は、
前記陽極に接続される前記処理液を前記基板上に吐出する第１ノズルと、
前記陰極に接続される前記処理液を前記基板上に吐出する第２ノズルと、
前記第１ノズルから吐出される前記処理液と前記第２ノズルから吐出される前記処理液との間を絶縁する絶縁流体を前記基板上に吐出する第３ノズルと、を有する
請求項１～８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
前記陽極に接続される前記処理液を前記基板上に吐出する第１ノズルと、
前記陰極に接続される前記処理液を前記基板上に吐出する第２ノズルと、
前記第１ノズルから吐出される前記処理液と前記第２ノズルから吐出される前記処理液との間を絶縁する絶縁流体を前記基板上に吐出する第３ノズルと、を有する
請求項１～８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項10】
基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に処理液を吐出する工程と、
前記基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に吐出される前記処理液同士の間に陽極および陰極で電圧を印加する工程と、
前記陽極と前記陰極との間を流れる電流値を測定する工程と、
前記電流値に基づいて、前記陽極と前記陰極との間の電圧値を制御する工程と、
を含む基板処理方法。
前記基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に吐出される前記処理液同士の間に陽極および陰極で電圧を印加する工程と、
前記陽極と前記陰極との間を流れる電流値を測定する工程と、
前記電流値に基づいて、前記陽極と前記陰極との間の電圧値を制御する工程と、
を含む基板処理方法。
【請求項11】
前記制御する工程は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、前記電流値が処理開始時の電流値よりも低い所与の第１しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１０に記載の基板処理方法。
請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項12】
前記制御する工程は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、前記電流値が処理開始時の電流値よりも高い所与の第２しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１０に記載の基板処理方法。
請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項13】
前記制御する工程は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、前記電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値よりも低い所与の第３しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１０または１１に記載の基板処理方法。
請求項１０または１１に記載の基板処理方法。
【請求項14】
前記制御する工程は、前記基板上に形成され処理液に接触する膜の抵抗値が、前記膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、前記電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値よりも高い所与の第４しきい値となったときに、前記電圧値を低下させる
請求項１０または１２に記載の基板処理方法。
請求項１０または１２に記載の基板処理方法。
【請求項15】
前記制御する工程は、前記基板上に形成される膜を撮像可能である撮像装置で撮像される前記膜の画像から求められる前記膜の膜厚に基づいて、前記基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する
請求項１０～１４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
請求項１０～１４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）膜などの貴金属膜をエッチングする技術が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１６／０６８１８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による基板処理装置は、基板保持部と、処理液供給部と、陽極および陰極と、制御部と、を備える。基板保持部は、基板を保持する。処理液供給部は、前記基板保持部に保持される前記基板に処理液を供給する。陽極および陰極は、前記処理液供給部から供給される前記処理液に電圧を印加する。制御部は、各部を制御する。前記処理液供給部は、前記基板上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に前記処理液を吐出可能である。前記陽極は、１つの前記箇所の前記処理液と接触するように配置されている。前記陰極は、別の前記箇所の前記処理液と接触するように配置されている。前記制御部は、前記陽極と前記陰極との間を流れる電流値に基づいて、前記陽極と前記陰極との間の電圧値を制御する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【0009】
従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板上に形成されたルテニウム（Ｒｕ）膜などの貴金属膜をエッチングする技術が知られている。しかしながら、従来技術には、基板上に形成された貴金属膜のみを精度よくエッチングするうえで更なる改善の余地があった。
【0010】
そこで、上述の問題点を克服し、基板上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる技術の実現が期待されている。
【0011】
＜基板処理システムの概要＞
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【0012】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【0013】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【0014】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【0015】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【0016】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【0017】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【0018】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【0019】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【0020】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【0021】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【0022】
＜処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持部３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。また、詳細は後述するが、処理ユニット１６は、さらに電圧印加部６０（図３参照）を備える。
次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持部３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。また、詳細は後述するが、処理ユニット１６は、さらに電圧印加部６０（図３参照）を備える。
【0023】
チャンバ２０は、基板保持部３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【0024】
基板保持部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、ウェハＷを保持して回転させる。駆動部３３は、基板回転機構の一例である。保持部３１は、ウェハＷの底面を吸着して、かかるウェハＷを水平に保持する。
【0025】
支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
【0026】
かかる基板保持部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
【0027】
処理液供給部４０は、ウェハＷの周縁部Ｗａなどに対して処理液Ｌ（図３参照）を供給する。処理液供給部４０は、複数（ここでは２つ）のノズル４１ａ、４１ｂと、かかるノズル４１ａ、４１ｂをそれぞれ水平に支持するアーム４２ａ、４２ｂと、アーム４２ａ、４２ｂをそれぞれ旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａ、４３ｂとを備える。
【0028】
ノズル４１ａは、第１ノズルの一例であり、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して処理液供給源４６に接続される。また、ノズル４１ｂは、第２ノズルの一例であり、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介して処理液供給源４６に接続される。
【0029】
処理液供給源４６から供給される処理液Ｌは、酸性水溶液、中性水溶液またはアルカリ性水溶液である。この処理液Ｌとして用いられる酸性水溶液は、塩酸（ＨＣｌ）や硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）などである。また、処理液Ｌとして用いられる中性水溶液は、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）水溶液や塩化カリウム（ＫＣｌ）水溶液などである。
【0030】
また、処理液Ｌとして用いられるアルカリ性水溶液は、ＴＭＡＨ（TetraMethylAmmonium Hydroxide）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、アンモニア（ＮＨ３）水溶液などである。
【0031】
なお、処理液Ｌは、電解質を含む有機溶媒（たとえば、アルコールや炭化水素などの有機溶媒に過塩素酸塩などの塩が含有した液体）であってもよい。
【0032】
ノズル４１ａおよびノズル４１ｂは、処理液供給源４６より供給される処理液ＬをウェハＷの周縁部Ｗａにおける所定の箇所に個別に吐出する。
【0033】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液Ｌを捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液Ｌは、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【0034】
＜処理液供給部および電圧印加部の構成＞
次に、実施形態に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成について、図３～図１０を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
次に、実施形態に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成について、図３～図１０を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
【0035】
制御部１８（図１参照）は、図３に示すように、処理液供給部４０のノズル４１ａおよびノズル４１ｂを用いて、回転中のウェハＷの周縁部Ｗａにおいてそれぞれ位置が異なる箇所に処理液Ｌを吐出する。実施形態では、ノズル４１ａおよびノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌが、ウェハＷの周縁部Ｗａまで途切れることなく吐出される。
【0036】
また、実施形態に係る処理ユニット１６は、ウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに電圧を印加する電圧印加部６０を備える。かかる電圧印加部６０は、陽極６１と、陰極６２と、可変直流電源６３と、スイッチ６４と、電流計６５と、電圧計６６とを有する。
【0037】
陽極６１は、ノズル４１ａの内部に設けられ、ノズル４１ａ内を通流する処理液Ｌに所定の正電圧を印加する。陰極６２は、ノズル４１ｂの内部に設けられ、ノズル４１ｂ内を通流する処理液Ｌに所定の負電圧を印加する。
【0038】
また、陽極６１は可変直流電源６３の正極側に接続され、陰極６２は可変直流電源６３の負極側にスイッチ６４を介して接続される。制御部１８は、かかるスイッチ６４をオン状態に制御することにより、陽極６１に所定の正電圧を印加することができるとともに、陰極６２に所定の負電圧を印加することができる。
【0039】
電流計６５は、たとえば、陽極６１と可変直流電源６３との間に設けられ、陽極６１と陰極６２との間に流れる電流値を測定する。電圧計６６は、可変直流電源６３の正極と負極との間に印加される電圧を測定する。
【0040】
そして、実施形態では、ノズル４１ａから吐出される処理液ＬがウェハＷの周縁部Ｗａまで途切れることなく吐出されることから、処理液Ｌを介してウェハＷの周縁部Ｗａまで所定の正電圧が印加される。
【0041】
同様に、実施形態では、ノズル４１ｂから吐出される処理液ＬがウェハＷの周縁部Ｗａまで途切れることなく吐出されることから、処理液Ｌを介してウェハＷの周縁部Ｗａまで所定の負電圧が印加される。
【0042】
ここで、実施形態では、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌと、ノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとが、回転中のウェハＷの周縁部Ｗａにおいてそれぞれ位置が異なる箇所に配置される。すなわち、回転中のウェハＷの周縁部Ｗａにおいて、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌと、ノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間には、ギャップＧが設けられる。
【0043】
かかるギャップＧの効果について、図４および図５を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係るエッチング処理のメカニズムを説明するための図である。なお、図４の例では、処理液Ｌに塩酸を用いるとともに、ウェハＷの表面にルテニウム膜が形成されている場合について示す。
【0044】
図４に示すように、可変直流電源６３の負極から陰極６２に供給される電子によって、陰極６２と処理液Ｌとの界面では処理液Ｌ中の水素イオン（Ｈ＋）の還元反応が生じる。
【0045】
また、陰極６２に接する処理液ＬとウェハＷとの界面では、陽極酸化によりルテニウムがイオン化して、かかるイオン化したルテニウム（Ｒｕ３＋）が処理液Ｌに溶出する。これにより、ウェハＷの表面に形成されるルテニウム膜が電気化学的にエッチングされることから、かかるルテニウム膜を効率よくエッチングすることができる。
【0046】
なお、かかる陽極酸化によって生じた電子は、ウェハＷを介して陽極６１と接する処理液Ｌに供給される。そして、かかる電子によって、ウェハＷと陽極６１に接する処理液Ｌとの界面では処理液Ｌ中の水素イオン（Ｈ＋）の還元反応が生じる。
【0047】
また、陽極６１と処理液Ｌとの界面では、処理液Ｌ中の塩素イオン（Ｃｌ－）の酸化反応が生じる。そして、かかる酸化反応によって生じた電子は、陽極６１および可変直流電源６３を介して陰極６２に供給され、ここまで説明した各種の反応が繰り返される。
【0048】
ここで、もし仮に、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌとノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間にギャップＧが形成されていない場合、陰極６２と接する処理液Ｌ内で生じた電子は、ウェハＷよりもむしろ処理液Ｌを介して陽極６１に供給される。
【0049】
なぜなら、ウェハＷに形成されるルテニウム膜は膜厚が比較的薄い（数十ｎｍ程度）ことから、電気抵抗がかなり大きいため、処理液Ｌのほうが電子が流れやすいためである。
【0050】
これにより、陰極６２に接する処理液ＬとウェハＷとの界面において、ルテニウムが陽極酸化される割合が低くなる。すなわち、ギャップＧが形成されていない場合、ルテニウム膜のエッチングレートを向上させることが困難である。
【0051】
しかしながら、実施形態では、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌとノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間にギャップＧが形成されることから、陰極６２と処理液Ｌとの界面で生じた電子がウェハＷを介して陽極６１に供給される。これにより、ウェハＷ表面のルテニウムが陽極酸化される割合を高くすることができる。
【0052】
したがって、実施形態によれば、ギャップＧを設けることにより、図５に示すように、ウェハＷ上の貴金属膜（ここではルテニウム膜）を効率よくエッチングすることができる。図５は、実施形態に係るエッチング処理の良否について示す図である。
【0053】
なお、上記の実施形態では、ルテニウム膜を塩酸で電気化学的にエッチングした例について示したが、実施形態に係るエッチング処理を施す貴金属膜はルテニウム膜に限られず、また用いられる処理液Ｌは塩酸に限られない。
【0054】
また、実施形態では、制御部１８が、電圧印加部６０を流れる電流値に基づいて、可変直流電源６３の電圧値を制御する。かかる制御の詳細について、図６を参照しながら説明する。
【0055】
図６は、実施形態に係るエッチング処理における電圧値および電流値の推移の一例を示す図である。なお、図６の例は、エッチング処理の対象となる貴金属膜の抵抗値が、かかる貴金属膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合の例である。
【0056】
図６に示すように、実施形態では、制御部１８（図１参照）が、時間Ｔ０から、所与の電圧値Ｖ１を陽極６１（図３参照）と陰極６２（図３参照）との間に印加して、ウェハＷ（図３参照）上の貴金属膜のエッチング処理を開始する。
【0057】
なお、この電圧値Ｖ１は、貴金属膜に対する十分なエッチングレートを確保することができる電圧値である。また、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に所与の電圧値Ｖ１で電圧を印加するため、電圧計６６で測定される電圧値に基づいて可変直流電源６３の出力をフィードバック制御する。
【0058】
そして、時間Ｔ０から電圧値Ｖ１で電圧を印加すると、陽極６１と陰極６２との間には、電流値Ｉ１で電流が流れ始める。一方で、ウェハＷ上の貴金属膜はエッチング処理で徐々に膜厚が薄くなることから、ウェハＷ表面の抵抗値が徐々に大きくなるため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は電流値Ｉ１から徐々に小さくなる。
【0059】
そして、時間Ｔ１付近でウェハＷ上の貴金属膜が連続膜から島状膜に変化すると、ウェハＷ表面の抵抗値が急激に増加するため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は急激に減少する。
【0060】
そして、陽極６１と陰極６２との間の電流値が時間Ｔ２で処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の電流値Ｉ２になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を、電圧値Ｖ１よりも低い電圧値Ｖ２に変更する。電流値Ｉ２は、第１しきい値の一例であり、たとえば、初期値である電流値Ｉ１の５０％の値である。
【0061】
【0062】
図７に示すように、実施形態に係るエッチング処理において、電流値と電圧値とはすべての範囲で線型ではなく、特定のしきい電圧以上から急激に電流値が増加する。すなわち、実施形態に係るエッチング処理では、かかるしきい電圧よりも高い電圧を印加すると、エッチングレートが急激に増加するため、貴金属膜を効率よくエッチングすることができる。
【0063】
一方で、実施形態に係るエッチング処理では、このしきい電圧よりも高い電圧を印加すると、貴金属膜の直下に存在する下地層または基板層が誤ってエッチングされる恐れがある。
【0064】
そこで、実施形態では、あらかじめ図７のようにエッチング処理の初期段階における電圧値と電流値との関係をプロットし、電流値が立ち上がるしきい電圧を変更後の電圧値Ｖ２として設定する。
【0065】
これにより、島状膜となった貴金属膜が高いエッチングレートで過剰にエッチングされ、下地層または基板層までエッチングされることを抑制することができる。さらに、実施形態では、島状膜となった貴金属膜を適度なエッチングレートでエッチングすることができることから、島状膜となった貴金属膜を過不足なくエッチング処理することができる。
【0066】
すなわち、実施形態では、電圧印加部６０を流れる電流値に基づいて、可変直流電源６３の電圧値を制御することにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0067】
また、実施形態では、陽極６１と陰極６２との間の電流値が処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の電流値Ｉ２となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２に低下させる。
【0068】
これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができるとともに、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0069】
図６の説明に戻る。時間Ｔ２以降も下がり続けた陽極６１と陰極６２との間の電流値は、時間Ｔ３付近で減少率が減少し、その後の電流値は徐々に減少する。
【0070】
そして、陽極６１と陰極６２との間の電流値が時間Ｔ４で処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の電流値Ｉ３になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値をゼロに変更する。電流値Ｉ３は、たとえば、初期値である電流値Ｉ１の５％の値である。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜が除去され、実施形態に係るエッチング処理が終了する。
【0071】
このように、実施形態では、陽極６１と陰極６２との間の電流値が処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の電流値Ｉ３となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ２からゼロに低下させる。これにより、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0072】
また、実施形態では、制御部１８が駆動部３３によりウェハＷを回転させながら、処理液Ｌの吐出位置がウェハＷの周縁部Ｗａとなるよう処理液供給部４０を制御するとよい。これにより、ウェハＷをベベルエッチングすることができる。
【0073】
図８は、実施形態に係るエッチング処理の電圧値および電流値の推移の別の一例を示す図である。この図８の例は、エッチング処理の対象となる貴金属膜の抵抗値が、かかる貴金属膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合の例である。
【0074】
図８に示すように、実施形態では、制御部１８（図１参照）が、時間Ｔ１０から、所与の電圧値Ｖ１を陽極６１（図３参照）と陰極６２（図３参照）との間に印加して、ウェハＷ（図３参照）上の貴金属膜のエッチング処理を開始する。
【0075】
そして、時間Ｔ１０から電圧値Ｖ１で電圧を印加すると、陽極６１と陰極６２との間には、電流値Ｉ４で電流が流れ始める。一方で、ウェハＷ上の貴金属膜はエッチング処理で徐々に膜厚が薄くなることから、ウェハＷ表面の抵抗値が徐々に小さくなるため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は電流値Ｉ４から徐々に大きくなる。
【0076】
そして、時間Ｔ１１付近でウェハＷ上の貴金属膜が連続膜から島状膜に変化すると、ウェハＷ表面の抵抗値が急激に減少するため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は急激に増加する。
【0077】
そして、陽極６１と陰極６２との間の電流値が時間Ｔ１２で処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の電流値Ｉ５になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を、電圧値Ｖ１よりも低い電圧値Ｖ２に変更する。電流値Ｉ５は、第２しきい値の一例であり、たとえば、初期値である電流値Ｉ４の２倍の値である。
【0078】
これにより、島状膜となった貴金属膜が高いエッチングレートで過剰にエッチングされ、下地層または基板層までエッチングされることを抑制することができる。さらに、図８の例では、島状膜となった貴金属膜を適度なエッチングレートでエッチングすることができることから、島状膜となった貴金属膜を過不足なくエッチング処理することができる。
【0079】
すなわち、図８の例では、電圧印加部６０を流れる電流値に基づいて、可変直流電源６３の電圧値を制御することにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0080】
また、図８の例では、陽極６１と陰極６２との間の電流値が処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の電流値Ｉ５となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２に低下させる。
【0081】
これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができるとともに、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0082】
そして、時間Ｔ１２以降も上がり続けた陽極６１と陰極６２との間の電流値は、時間Ｔ１３付近で増加率が減少し、その後の電流値は徐々に増加する。
【0083】
そして、陽極６１と陰極６２との間の電流値が時間Ｔ１４で処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の電流値Ｉ６になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値をゼロに変更する。電流値Ｉ６は、たとえば、初期値である電流値Ｉ１の３倍の値である。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜が除去され、実施形態に係るエッチング処理が終了する。
【0084】
このように、図８の例では、陽極６１と陰極６２との間の電流値が処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の電流値Ｉ６となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ２からゼロに低下させる。これにより、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0085】
なお、ここまで示した例では、陽極６１と陰極６２との間の電流値が所与のしきい値以上またはしきい値以下になった場合に、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を制御する例について示したが、本開示はかかる例に限られない。
【0086】
図９は、実施形態に係るエッチング処理の電圧値、電流値および電流値の時間微分値の推移の一例を示す図である。この図９の例は、エッチング処理の対象となる貴金属膜の抵抗値が、かかる貴金属膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合の例である。
【0087】
図９に示すように、実施形態では、制御部１８（図１参照）が、時間Ｔ２０から、所与の電圧値Ｖ１を陽極６１（図３参照）と陰極６２（図３参照）との間に印加して、ウェハＷ（図３参照）上の貴金属膜のエッチング処理を開始する。
【0088】
そして、時間Ｔ２０から電圧値Ｖ１で電圧を印加すると、陽極６１と陰極６２との間には、電流値Ｉ７で電流が流れ始める。一方で、ウェハＷ上の貴金属膜はエッチング処理で徐々に膜厚が薄くなることから、ウェハＷ表面の抵抗値が徐々に大きくなるため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は電流値Ｉ７から徐々に小さくなる。
【0089】
そのため、図９に示すように、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値は、負の時間微分値―ｄ１でほぼ一定となる。
【0090】
そして、時間Ｔ２１付近でウェハＷ上の貴金属膜が連続膜から島状膜に変化すると、ウェハＷ表面の抵抗値が急激に増加するため、陽極６１と陰極６２との間の電流値、および陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値は急激に減少する。
【0091】
そして、陽極６１と陰極６２との間の電流値の時間微分値が時間Ｔ２２で処理開始時の時間微分値－ｄ１よりも低い所与の時間微分値－ｄ２になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を、電圧値Ｖ１よりも低い電圧値Ｖ２に変更する。時間微分値－ｄ２は、第３しきい値の一例であり、たとえば、－５０（ｍＡ／ｓ）程度である。
【0092】
これにより、島状膜となった貴金属膜が高いエッチングレートで過剰にエッチングされ、下地層または基板層までエッチングされることを抑制することができる。さらに、図９の例では、島状膜となった貴金属膜を適度なエッチングレートでエッチングすることができることから、島状膜となった貴金属膜を過不足なくエッチング処理することができる。
【0093】
すなわち、図９の例では、電圧印加部６０を流れる電流値の時間微分値に基づいて、可変直流電源６３の電圧値を制御することにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0094】
また、図９の例では、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値－ｄ１よりも低い所与の時間微分値－ｄ２となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２に低下させる。
【0095】
これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができるとともに、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0096】
そして、時間Ｔ２２以降も下がり続けた陽極６１と陰極６２との間の時間微分値は、時間Ｔ２３付近で極小値に達し、その後の時間微分値は徐々に増加する。
【0097】
そして、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値が時間Ｔ２４でゼロになると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値をゼロに変更する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜が除去され、実施形態に係るエッチング処理が終了する。
【0098】
このように、図９の例では、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値がゼロとなった場合に、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ２からゼロに低下させる。これにより、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0099】
図１０は、実施形態に係るエッチング処理の電圧値、電流値および電流値の時間微分値の推移の別の一例を示す図である。この図１０の例は、エッチング処理の対象となる貴金属膜の抵抗値が、かかる貴金属膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合の例である。
【0100】
図１０に示すように、実施形態では、制御部１８（図１参照）が、時間Ｔ３０から、所与の電圧値Ｖ１を陽極６１（図３参照）と陰極６２（図３参照）との間に印加して、ウェハＷ（図３参照）上の貴金属膜のエッチング処理を開始する。
【0101】
そして、時間Ｔ３０から電圧値Ｖ１で電圧を印加すると、陽極６１と陰極６２との間には、電流値Ｉ８で電流が流れ始める。一方で、ウェハＷ上の貴金属膜はエッチング処理で徐々に膜厚が薄くなることから、ウェハＷ表面の抵抗値が徐々に小さくなるため、陽極６１と陰極６２との間の電流値は電流値Ｉ７から徐々に大きくなる。
【0102】
そのため、図１０に示すように、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値は、正の時間微分値ｄ３でほぼ一定となる。
【0103】
そして、時間Ｔ３１付近でウェハＷ上の貴金属膜が連続膜から島状膜に変化すると、ウェハＷ表面の抵抗値が急激に減少するため、陽極６１と陰極６２との間の電流値、および陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値は急激に増加する。
【0104】
そして、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値が時間Ｔ３２で処理開始時の時間微分値ｄ３よりも高い所与の時間微分値ｄ４になると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を、電圧値Ｖ１よりも低い電圧値Ｖ２に変更する。時間微分値ｄ４は、第４しきい値の一例であり、たとえば、５０（ｍＡ／ｓ）程度である。
【0105】
これにより、島状膜となった貴金属膜が高いエッチングレートで過剰にエッチングされ、下地層または基板層までエッチングされることを抑制することができる。さらに、図１０の例では、島状膜となった貴金属膜を適度なエッチングレートでエッチングすることができることから、島状膜となった貴金属膜を過不足なくエッチング処理することができる。
【0106】
すなわち、図１０の例では、電圧印加部６０を流れる電流値の時間微分値に基づいて、可変直流電源６３の電圧値を制御することにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0107】
また、図１０の例では、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値ｄ３よりも高い所与の時間微分値ｄ４となったときに、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ１から電圧値Ｖ２に低下させる。
【0108】
これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができるとともに、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0109】
そして、時間Ｔ３２以降も下がり続けた陽極６１と陰極６２との間の時間微分値は、時間Ｔ３３付近で極大値に達し、その後の時間微分値は徐々に減少する。
【0110】
そして、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値が時間Ｔ３４でゼロになると、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値をゼロに変更する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜が除去され、実施形態に係るエッチング処理が終了する。
【0111】
このように、図１０の例では、陽極６１と陰極６２との間における電流値の時間微分値がゼロとなった場合に、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値を電圧値Ｖ２からゼロに低下させる。これにより、貴金属膜の直下に存在する下地層等が誤ってエッチングされることを抑制することができる。
【0112】
＜変形例１＞
つづいて、実施形態の各種変形例について、図１１～図２３を参照しながら説明する。なお、以下の各種変形例において、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
つづいて、実施形態の各種変形例について、図１１～図２３を参照しながら説明する。なお、以下の各種変形例において、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
【0113】
図１１は、実施形態の変形例１に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１１に示すように、変形例１では、処理ユニット１６に光学測定器７０が別途設けられる点が実施形態と異なる。かかる光学測定器７０は、ウェハＷ上に形成される膜の膜厚を測定可能であり、たとえば、エリプソメータである。
【0114】
光学測定器７０は、たとえば、発光部７１および受光部７２を有し、発光部７１からの出射光と、かかる出射光がウェハＷの表面で反射し、受光部７２で受光された反射光との偏光の変化量を波長ごとに計測することで、ウェハＷ上の貴金属膜の膜厚を計測する。
【0115】
そして、変形例１では、制御部１８が、光学測定器７０で測定される貴金属膜の膜厚に基づいて、ウェハＷに対する処理が正常に行われているか否かを判定するとよい。たとえば、制御部１８は、図６で示した例において、陽極６１と陰極６２との間の電流値が電流値Ｉ３になった際に、光学測定器７０によって測定された膜厚がゼロになっている場合には、電圧値をゼロにするとよい。
【0116】
一方で、制御部１８は、図６で示した例において、陽極６１と陰極６２との間の電流値が電流値Ｉ３になった際に、光学測定器７０によって測定された膜厚がゼロになっていない場合には、電圧値を電圧値Ｖ２で維持し、エッチング処理を継続するとよい。
【0117】
さらにこの場合、制御部１８は、光学測定器７０によって測定された膜厚がゼロになったタイミングで、電圧値をゼロにするとよい。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0118】
また、変形例１では、処理液Ｌが吐出される部位から離れた部位（たとえば、処理液Ｌが吐出される部位の反対側）を光学測定器７０で測定するとよい。これにより、処理液ＬがウェハＷ表面に付着していることに起因する貴金属膜の膜厚計側の誤差を低減することができることから、貴金属膜の膜厚を精度よく測定することができる。
【0119】
したがって、変形例１によれば、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。なお、この変形例１において、光学測定器７０はエリプソメータに限られず、各種の膜厚測定器を用いることができる。
【0120】
＜変形例２＞
図１２は、実施形態の変形例２に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１２に示すように、変形例２では、処理ユニット１６に撮像装置７５が別途設けられる点が実施形態と異なる。かかる撮像装置７５は、ウェハＷ上に形成される膜を撮像可能である。
図１２は、実施形態の変形例２に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１２に示すように、変形例２では、処理ユニット１６に撮像装置７５が別途設けられる点が実施形態と異なる。かかる撮像装置７５は、ウェハＷ上に形成される膜を撮像可能である。
【0121】
また、変形例２では、制御部１８が、撮像装置７５で撮像される貴金属膜の画像に基づいて、かかる貴金属膜の膜厚を求めることができる。
【0122】
そして、変形例２では、制御部１８が、貴金属膜の画像に基づいて求められる貴金属膜の膜厚に基づいて、ウェハＷに対する処理が正常に行われているか否かを判定するとよい。たとえば、制御部１８は、図６で示した例において、陽極６１と陰極６２との間の電流値が電流値Ｉ３になった際に、貴金属膜の画像に基づいて求められる膜厚がゼロになっている場合には、電圧値をゼロにするとよい。
【0123】
一方で、制御部１８は、図６で示した例において、陽極６１と陰極６２との間の電流値が電流値Ｉ３になった際に、貴金属膜の画像に基づいて求められる膜厚がゼロになっていない場合には、電圧値を電圧値Ｖ２で維持し、エッチング処理を継続するとよい。
【0124】
さらにこの場合、制御部１８は、貴金属膜の画像に基づいて求められる膜厚がゼロになったタイミングで、電圧値をゼロにするとよい。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0125】
また、変形例２では、処理液Ｌが吐出される部位から離れた部位（たとえば、処理液Ｌが吐出される部位の反対側）を撮像装置７５で撮像するとよい。これにより、処理液ＬがウェハＷ表面に付着していることに起因する貴金属膜の膜厚計側の誤差を低減することができることから、貴金属膜の膜厚を精度よく測定することができる。
【0126】
したがって、変形例２によれば、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0127】
＜変形例３＞
図１３は、実施形態の変形例３に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。なお、以降の図面では、電圧印加部６０の可変直流電源６３やスイッチ６４、電流計６５、電圧計６６の図示を省略する場合がある。
図１３は、実施形態の変形例３に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。なお、以降の図面では、電圧印加部６０の可変直流電源６３やスイッチ６４、電流計６５、電圧計６６の図示を省略する場合がある。
【0128】
図１３に示すように、変形例３では、処理ユニット１６にノズル８０が別途設けられる点が実施形態と異なる。かかるノズル８０は、第３ノズルの一例であり、ＤＩＷ（脱イオン水）や酢酸ブチルなどの電気抵抗の高い絶縁流体Ｌｘを、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌと、ノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間に吐出する。
【0129】
変形例３では、このノズル８０によって、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌとノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間の絶縁状態を良好に維持することができる。したがって、変形例３によれば、ウェハＷ上の貴金属膜を効率よくエッチングすることができる。
【0130】
＜変形例４、５＞
図１４は、実施形態の変形例４に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１４に示すように、変形例４では、処理ユニット１６にガスノズル９０が別途設けられる点が実施形態と異なる。
図１４は、実施形態の変形例４に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１４に示すように、変形例４では、処理ユニット１６にガスノズル９０が別途設けられる点が実施形態と異なる。
【0131】
かかるガスノズル９０は、空気や窒素などのガスを、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌと、ノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間に吐出する。
【0132】
変形例４では、このガスノズル９０によって、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌとノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間にギャップＧをより確実に形成することができる。したがって、変形例４によれば、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに効率よくエッチングすることができる。
【0133】
なお、図１４の例では、ガスノズル９０がノズル４１ａやノズル４１ｂと別体で設けられる例について示したが、ガスノズル９０の構成はこの例に限られない。図１５は、実施形態の変形例５に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
【0134】
図１５に示すように、ガスノズル９０は、ノズル４１ａやノズル４１ｂと一体で設けられてもよい。これにより、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌとノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間に、ガスをより確実に吐出することができる。
【0135】
＜変形例６、７＞
図１６は、実施形態の変形例６に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１６に示すように、それぞれに陰極６２が設けられるノズル４１ｂを処理ユニット１６内に複数（図では５つ）配置して、かかる複数のノズル４１ｂから個別に処理液ＬをウェハＷの周縁部Ｗａに吐出してもよい。
図１６は、実施形態の変形例６に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１６に示すように、それぞれに陰極６２が設けられるノズル４１ｂを処理ユニット１６内に複数（図では５つ）配置して、かかる複数のノズル４１ｂから個別に処理液ＬをウェハＷの周縁部Ｗａに吐出してもよい。
【0136】
このような場合であっても、ノズル４１ａから吐出される処理液Ｌと、ノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌとの間にギャップＧを設けることにより、ウェハＷ上の貴金属膜を効率よくエッチングすることができる。
【0137】
また、変形例６では、貴金属膜が電気化学的にエッチングされる箇所（すなわち、ノズル４１ｂから処理液Ｌが吐出される箇所）を増やすことができることから、ウェハＷ上の貴金属膜をより効率よくエッチングすることができる。
【0138】
なお、図１６の例では、隣接するノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌ同士が離間して配置される例について示しているが、隣接するノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌ同士は必ずしも離間しなくともよい。
【0139】
たとえば、隣接するノズル４１ｂから吐出される処理液Ｌ同士を互いに接触させることにより、かかる接触した処理液Ｌ内において、貴金属膜を均等にエッチングすることができる。
【0140】
また、図１６の例では、複数のノズル４１ｂを用いて複数の箇所に処理液Ｌを吐出する例について示したが、ノズル４１ｂの構成はこの例に限られない。図１７は、実施形態の変形例７に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
【0141】
図１７に示すように、陰極６２が設けられる１つのノズル４１ｂに複数（図では５つ）の吐出口を設け、かかる複数の吐出口から個別に処理液ＬをウェハＷの周縁部Ｗａに吐出してもよい。これによっても、貴金属膜が電気化学的にエッチングされる箇所を増やすことができることから、ウェハＷ上の貴金属膜をより効率よくエッチングすることができる。
【0142】
＜変形例８＞
ここまで説明した例では、ノズル４１ａおよびノズル４１ｂの内部にそれぞれ陽極６１および陰極６２が配置された例について示したが、陽極６１および陰極６２の配置はこの例に限られない。
ここまで説明した例では、ノズル４１ａおよびノズル４１ｂの内部にそれぞれ陽極６１および陰極６２が配置された例について示したが、陽極６１および陰極６２の配置はこの例に限られない。
【0143】
図１８は、実施形態の変形例８に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。なお、図１８～図２３では、ノズル４１ａにおける陽極６１の配置と、ノズル４１ｂにおける陰極６２の配置とを同じ図面で示す。
【0144】
【0145】
図１８に示すように、陽極６１は、ノズル４１ａに処理液Ｌを供給する導電性配管４７に設けられてもよい。これによっても、導電性配管４７およびノズル４１ａ内を通流する処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。
【0146】
したがって、変形例８によれば、ノズル４１ａからウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。なお、導電性配管４７としては、たとえば、樹脂材料にカーボンなどの導電性粉末を添加することで導電性が付与された配管を用いることができる。
【0147】
＜変形例９＞
図１９は、実施形態の変形例９に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１９に示すように、陽極６１は、ノズル４１ａからウェハＷの周縁部Ｗａに吐出された後の処理液Ｌに直接接触するように配置されてもよい。
図１９は、実施形態の変形例９に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図１９に示すように、陽極６１は、ノズル４１ａからウェハＷの周縁部Ｗａに吐出された後の処理液Ｌに直接接触するように配置されてもよい。
【0148】
これによっても、ノズル４１ａからウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。なお、周縁部Ｗａに吐出された後の処理液Ｌに直接接触するように陽極６１を配置する場合、かかる陽極６１の側面を覆うようにカバー６７を設けるとよい。
【0149】
ここまで説明した例では、ノズル４１ａからウェハＷの周縁部Ｗａに処理液Ｌが直接吐出された例について示したが、処理液Ｌをいったん液保持部材で保持し、この保持された状態の処理液ＬをウェハＷの周縁部Ｗａに接触させてもよい。
【0150】
＜変形例１０＞
図２０は、実施形態の変形例１０に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図２０では、処理液Ｌを保持可能に構成される液保持部材の一例として、多孔質体６８を用いた例について示している。かかる多孔質体６８は、たとえば、スポンジであり、陽極６１の側面に巻かれるように配置される。
図２０は、実施形態の変形例１０に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図２０では、処理液Ｌを保持可能に構成される液保持部材の一例として、多孔質体６８を用いた例について示している。かかる多孔質体６８は、たとえば、スポンジであり、陽極６１の側面に巻かれるように配置される。
【0151】
そして、変形例１０では、ノズル４１ａから処理液Ｌを多孔質体６８に吐出して、かかる多孔質体６８で処理液Ｌを保持する。さらに、処理液Ｌが保持された多孔質体６８をウェハＷの周縁部Ｗａに接触させることにより、ウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。
【0152】
また、変形例１０では、多孔質体６８に保持された処理液Ｌで周縁部Ｗａのエッチング処理を行うことができることから、処理液Ｌの使用量を削減することができる。
【0153】
＜変形例１１＞
図２１は、実施形態の変形例１１に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図２１に示すように、多孔質体６８の大部分をカバー６９で覆い、このカバー６９と多孔質体６８との間に陽極６１を配置してもよい。
図２１は、実施形態の変形例１１に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。図２１に示すように、多孔質体６８の大部分をカバー６９で覆い、このカバー６９と多孔質体６８との間に陽極６１を配置してもよい。
【0154】
これによっても、処理液Ｌが保持された多孔質体６８の露出した部分をウェハＷの周縁部Ｗａに接触させることにより、ウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。
【0155】
また、変形例１１では、多孔質体６８に保持された処理液Ｌで周縁部Ｗａのエッチング処理を行うことができることから、処理液Ｌの使用量を削減することができる。
【0156】
＜変形例１２＞
なお、図２０および図２１の例では、液保持部材として多孔質体６８を用いた例について示したが、実施形態に係る液保持部材は多孔質体６８に限られない。図２２は、実施形態の変形例１２に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
なお、図２０および図２１の例では、液保持部材として多孔質体６８を用いた例について示したが、実施形態に係る液保持部材は多孔質体６８に限られない。図２２は、実施形態の変形例１２に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
【0157】
図２２に示すように、変形例１２では、ノズル４１ａの吐出口に液保持部４１ｃが設けられている。この液保持部４１ｃは、液保持部材の別の一例であり、断面視で略Ｃ字形状を有する。液保持部４１ｃでは、処理液Ｌの表面張力を利用することにより、処理液Ｌを凹部４１ｃａの内部に保持することができる。
【0158】
また、変形例１２では、陽極６１がノズル４１ａに処理液Ｌを供給する導電性配管４７に設けられる。すなわち、変形例１２では、液保持部４１ｃに保持される処理液Ｌに陽極６１が間接的に接触する。
【0159】
そして、図２２に示すように、液保持部４１ｃの凹部４１ｃａにウェハＷの周縁部Ｗａを挿入することにより、ウェハＷの周縁部Ｗａに保持される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。
【0160】
また、変形例１２では、液保持部４１ｃに保持された処理液Ｌで周縁部Ｗａのエッチング処理を行うことができることから、処理液Ｌの使用量を削減することができる。
【0161】
＜変形例１３＞
なお、図２２の例では、陽極６１が導電性配管４７に設けられる例について示したが、陽極６１の配置はこの例に限られない。図２３は、実施形態の変形例１３に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
なお、図２２の例では、陽極６１が導電性配管４７に設けられる例について示したが、陽極６１の配置はこの例に限られない。図２３は、実施形態の変形例１３に係る処理ユニット１６内の処理液供給部４０および電圧印加部６０の構成を示す図である。
【0162】
図２３に示すように、変形例１３では、液保持部４１ｃに形成される凹部４１ｃａの内側に陽極６１が設けられる。これによっても、凹部４１ｃａの内部にウェハＷの周縁部Ｗａを挿入することにより、ウェハＷの周縁部Ｗａに供給される処理液Ｌに所定の正電圧を印加することができる。
【0163】
また、変形例１３では、液保持部４１ｃに保持された処理液Ｌで周縁部Ｗａのエッチング処理を行うことができることから、処理液Ｌの使用量を削減することができる。
【0164】
実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板保持部３０と、処理液供給部４０と、陽極６１および陰極６２と、制御部１８と、を備える。基板保持部３０は、基板（ウェハＷ）を保持する。処理液供給部４０は、基板保持部３０に保持される基板（ウェハＷ）に処理液Ｌを供給する。陽極６１および陰極６２は、処理液供給部４０から供給される処理液Ｌに電圧を印加する。制御部１８は、各部を制御する。処理液供給部４０は、基板（ウェハＷ）上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に処理液Ｌを吐出可能である。陽極６１は、１つの箇所の処理液Ｌと接触するように配置されている。陰極６２は、別の箇所の処理液Ｌと接触するように配置されている。制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間を流れる電流値に基づいて、陽極６１と陰極６２との間の電圧値を制御する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0165】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、電流値が処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の第１しきい値（電流値Ｉ２）となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0166】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、電流値が処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の第２しきい値（電流値Ｉ５）となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0167】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値－ｄ１よりも低い所与の第３しきい値（時間微分値－ｄ２））となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0168】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、制御部１８は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値ｄ２よりも高い所与の第４しきい値（時間微分値ｄ４））となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0169】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、基板保持部３０は、保持された基板（ウェハＷ）を回転させる基板回転機構（駆動部３３）を有する。また、制御部１８は、基板回転機構（駆動部３３）により基板（ウェハＷ）を回転させながら、複数の箇所が基板（ウェハＷ）の周縁部Ｗａとなるよう処理液Ｌの吐出位置を制御する。これにより、ウェハＷをベベルエッチングすることができる。
【0170】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板保持部３０に保持される基板（ウェハＷ）上に形成される膜の膜厚を測定可能である光学測定器７０、をさらに備える。また、制御部１８は、光学測定器７０で測定される膜の膜厚に基づいて、基板（ウェハＷ）に対する処理が正常に行われているか否かを判定する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0171】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板保持部３０に保持される基板（ウェハＷ）上に形成される膜を撮像可能である撮像装置７５、をさらに備える。また、制御部１８は、撮像装置７５で撮像される膜の画像から求められる膜の膜厚に基づいて、基板（ウェハＷ）に対する処理が正常に行われているか否かを判定する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0172】
また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）において、処理液供給部４０は、第１ノズル（ノズル４１ａ）と、第２ノズル（ノズル４１ｂ）と、第３ノズル（ノズル８０）と、を有する。第１ノズル（ノズル４１ａ）は、陽極６１に接続される処理液Ｌを基板（ウェハＷ）上に吐出する。第２ノズル（ノズル４１ｂ）は、陰極６２に接続される処理液Ｌを基板（ウェハＷ）上に吐出する。第３ノズル（ノズル８０）は、第１ノズル（ノズル４１ａ）から吐出される処理液Ｌと第２ノズル（ノズル４１ｂ）から吐出される処理液Ｌとの間を絶縁する絶縁流体Ｌｘを基板（ウェハＷ）上に吐出する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を効率よくエッチングすることができる。
【0173】
【0174】
最初に、制御部１８は、処理ユニット１６などを制御して、基板保持部３０でウェハＷを保持して回転させる（ステップＳ１０１）。そして、制御部１８は、処理液供給部４０などを制御して、ウェハＷの周縁部Ｗａにおける複数の箇所に処理液Ｌを吐出する（ステップＳ１０２）。
【0175】
次に、制御部１８は、電圧印加部６０などを制御して、ウェハＷにおいて複数の箇所に吐出される処理液Ｌ同士の間に、陽極６１および陰極６２で電圧を印加する（ステップＳ１０３）。そして、制御部１８は、電流計６５を用いて、陽極６１と陰極６２との間に流れる電流値を測定する（ステップＳ１０４）。
【0176】
次に、制御部１８は、陽極６１と陰極６２との間に流れる電流値に基づいて、陽極６１と陰極６２との間の電圧値を制御し（ステップＳ１０５）、一連の基板処理を完了する。
【0177】
実施形態に係る基板処理方法は、吐出する工程（ステップＳ１０２）と、印加する工程（ステップＳ１０３）と、測定する工程（ステップＳ１０４）と、制御する工程（ステップＳ１０５）とを含む。吐出する工程（ステップＳ１０２）は、基板（ウェハＷ）上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に処理液Ｌを吐出する。印加する工程（ステップＳ１０３）は、基板（ウェハＷ）上でそれぞれ位置が異なる複数の箇所に吐出される処理液Ｌ同士の間に陽極６１および陰極６２で電圧を印加する。測定する工程（ステップＳ１０４）は、陽極６１と陰極６２との間を流れる電流値を測定する。制御する工程（ステップＳ１０５）は、電流値に基づいて、陽極６１と陰極６２との間の電圧値を制御する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0178】
また、実施形態に係る基板処理方法において、制御する工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、電流値が処理開始時の電流値Ｉ１よりも低い所与の第１しきい値（電流値Ｉ２）となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0179】
また、実施形態に係る基板処理方法において、制御する工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、電流値が処理開始時の電流値Ｉ４よりも高い所与の第２しきい値（電流値Ｉ５）となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0180】
また、実施形態に係る基板処理方法において、制御する工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも低い場合、電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値－ｄ１よりも低い所与の第３しきい値（時間微分値－ｄ２））となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0181】
また、実施形態に係る基板処理方法において、制御する工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）上に形成され処理液Ｌに接触する膜の抵抗値が、膜の直下に存在する下地層または基板層の抵抗値よりも高い場合、電流値の時間微分値が処理開始時の時間微分値ｄ３よりも高い所与の第４しきい値（時間微分値ｄ４））となったときに、電圧値を低下させる。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜を精度よくエッチングすることができる。
【0182】
また、実施形態に係る基板処理方法において、制御する工程（ステップＳ１０５）は、基板上に形成される膜を撮像可能である撮像装置７５で撮像される膜の画像から求められる膜の膜厚に基づいて、基板に対する処理が正常に行われているか否かを判定する。これにより、ウェハＷ上の貴金属膜をさらに精度よくエッチングすることができる。
【0183】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上記の実施形態では、陽極６１と陰極６２との間に印加される電圧値をゼロにすることでエッチング処理を終了する例について示したが、本開示はかかる例に限られず、たとえば、処理液Ｌの吐出を停止することでエッチング処理を終了してもよい。
【0184】
また、上記の実施形態では、エッチング処理の際の電圧値を２段階（電圧値Ｖ１、Ｖ２）に制御する例について示したが、制御される電圧値は２段階に限られず、３段階以上に制御してもよい。
【0185】
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0186】
Ｗ ウェハ
Ｗａ 周縁部
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持部
４０ 処理液供給部
４１ａ ノズル（第１ノズルの一例）
４１ｂ ノズル（第２ノズルの一例）
６０ 電圧印加部
６１ 陽極
６２ 陰極
７０ 光学測定器
７５ 撮像装置
８０ ノズル（第３ノズルの一例）
Ｌ 処理液
Ｌｘ 絶縁流体
Ｗａ 周縁部
１ 基板処理システム（基板処理装置の一例）
１６ 処理ユニット
１８ 制御部
３０ 基板保持部
４０ 処理液供給部
４１ａ ノズル（第１ノズルの一例）
４１ｂ ノズル（第２ノズルの一例）
６０ 電圧印加部
６１ 陽極
６２ 陰極
７０ 光学測定器
７５ 撮像装置
８０ ノズル（第３ノズルの一例）
Ｌ 処理液
Ｌｘ 絶縁流体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】