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特開 2023-84658出願番号 特願 2022-152414
窒化物半導体レーザ素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 103位 246件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 128位 172件（※）
公報発行日 2023年6月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2023-84658 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】端面損傷の発生を抑制した窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型の第１窒化物半導体層と、該第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の第２窒化物半導体層と、前記第１窒化物半導体層と前記第２窒化物半導体層との間に配置される活性層と、該活性層の前記第２窒化物半導体層の側の面と交わる光出射側端面及び光反射側端面と、前記光出射側端面に設けられた保護膜とを備え、該保護膜は、前記光出射側端面の側から順に、アルミニウム及び／又はガリウムと酸素とを含む結晶性の第１膜と、窒化膜からなる結晶性の第２膜と、アルミニウムと酸素とを含む第３膜とを備える窒化物半導体レーザ素子。
【選択図】図１Ｃ
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一実施形態によれば、端面損傷の発生を抑制した窒化物半導体レーザ素子を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
選択図 図1C出願人が指定した本件の代表的な図
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