特開 2023-86535 導体パターンの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023086535

(43)【公開日】2023-06-22

(54)【発明の名称】導体パターンの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/08 20060101AFI20230615BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20230615BHJP

【ＦＩ】

H05K3/08 D

H01B13/00 503D

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021201116

(22)【出願日】2021-12-10

(71)【出願人】

【識別番号】000137694

【氏名又は名称】株式会社ミツトヨ

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(74)【代理人】

【識別番号】100134511

【弁理士】

【氏名又は名称】八田 俊之

(72)【発明者】

【氏名】三宅 耕作

【テーマコード（参考）】

5E339

5G323

【Ｆターム（参考）】

5E339AB02

5E339AB07

5E339AD01

5E339BC02

5E339BD05

5E339BE05

5E339BE13

5E339CC02

5E339CD01

5E339CE11

5E339CF16

5E339CF17

5E339DD03

5E339EE02

5G323CA04

(57)【要約】

【課題】 製造コストを抑制しつつ、導体パターンのエッジを高精度に形成することができる、導体パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】 導体パターンの製造方法は、一方の主面に導体が設けられた基板を用意する工程と、前記導体に対して、短パルスレーザによって、導体パターンの輪郭を形成する工程と、前記導体のうち、前記導体パターン以外の領域の少なくとも一部をエッチングによって除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【選択図】 図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

一方の主面に導体が設けられた基板を用意する工程と、
前記導体に対して、短パルスレーザによって、導体パターンの輪郭を形成する工程と、
前記導体のうち、前記導体パターン以外の領域の少なくとも一部をエッチングによって除去する工程と、を含むことを特徴とする導体パターンの製造方法。

【請求項2】

フォトリソグラフィにより前記導体上にレジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行ない、その後に前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成することを特徴とする請求項１に記載の導体パターンの製造方法。

【請求項3】

前記導体に対して、前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成した後に、前記導体パターンが覆われるようにレジストパターンを形成し、その後に、前記レジストパターンで覆われていない前記導体をエッチングによって除去することを特徴とする請求項１に記載の導体パターンの製造方法。

【請求項4】

互いに離間する複数の前記導体が並ぶように基板上に形成する工程を含み、
前記導体に対して、前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成した後に、前記導体パターンが覆われるようにレジストパターンを形成し、その後に、前記レジストパターンで覆われていない前記導体をエッチングによって除去することを特徴とする請求項１に記載の導体パターンの製造方法。

【請求項5】

互いに離間する複数の導体を基板上に形成する工程と、
前記導体に対して、短パルスレーザによって導体パターン以外の領域を除去する工程と、を含むことを特徴とする導体パターンの製造方法。

【請求項6】

前記導体を、印刷またはスタンプめっきによって前記基板上に形成することを特徴とする請求項５に記載の導体パターンの製造方法。

【請求項7】

前記短パルスレーザによって形成するレーザ加工溝の幅を３μｍ以上、１００μｍ以下とすることを特徴とする請求項１～６のいずれか一項に記載の導体パターンの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本件は、導体パターンの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

エンコーダなどに用いるためのスケールが開示されている。これらのスケールには、コイルや目盛格子などのスケールパターンが形成されている。このスケールパターンは、基板上の導体層を加工することによって形成されている（例えば、特許文献１～４参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－１６６８５３号公報

【特許文献2】特開２０１６－４４９６７号公報

【特許文献3】特開平１０－３３２３６０号公報

【特許文献4】特開２００８－１２６２３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１，２のようなエッチング技術を用いると、スケールパターンのエッジを高精度に形成することが困難である。特に厚膜導体からなるパターンの場合はエッジテーパ領域が高さ方向にも広がるため困難である。特許文献３のようなレーザ加工技術を用いても、スケールパターンのエッジを高精度に形成することが困難である。特許文献４のような短パルスレーザを用いると、スケールパターンのエッジを高精度に形成できるようになるが、加工時間が長くなって製造コストが増大してしまう。

【0005】

１つの側面では、本発明は、製造コストを抑制しつつ、導体パターンのエッジを高精度に形成することができる、導体パターンの製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

１つの態様では、本発明に係る導体パターンの製造方法は、一方の主面に導体が設けられた基板を用意する工程と、前記導体に対して、短パルスレーザによって、導体パターンの輪郭を形成する工程と、前記導体のうち、前記導体パターン以外の領域の少なくとも一部をエッチングによって除去する工程と、を含むことを特徴とする。

【0007】

上記導体パターンの製造方法において、フォトリソグラフィにより前記導体上にレジストパターンを形成した後に、前記レジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行ない、その後に前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成してもよい。

【0008】

上記導体パターンの製造方法において、前記導体に対して、前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成した後に、前記導体パターンが覆われるようにレジストパターンを形成し、その後に、前記レジストパターンで覆われていない前記導体をエッチングによって除去してもよい。

【0009】

上記導体パターンの製造方法において、互いに離間する複数の前記導体が並ぶように基板上に形成する工程を含み、前記導体に対して、前記短パルスレーザによって前記導体パターンの輪郭を形成した後に、前記導体パターンが覆われるようにレジストパターンを形成し、その後に、前記レジストパターンで覆われていない前記導体をエッチングによって除去してもよい。

【0010】

本発明に係る他の導体パターンの製造方法は、互いに離間する複数の導体を基板上に形成する工程と、前記導体に対して、短パルスレーザによって導体パターン以外の領域を除去する工程と、を含むことを特徴とする。

【0011】

上記導体パターンの製造方法において、前記導体を、印刷またはスタンプめっきによって前記基板上に形成してもよい。

【0012】

上記導体パターンの製造方法において、前記短パルスレーザによって形成するレーザ加工溝の幅を３μｍ以上、１００μｍ以下としてもよい。

【発明の効果】

【0013】

製造コストを抑制しつつ、導体パターンのエッジを高精度に形成することができる、導体パターンの製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】（ａ）はスケールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。

【図2】（ａ）～（ｃ）は第１実施形態に係るスケールの製造方法を例示する図である。

【図3】（ａ）～（ｃ）は第２実施形態に係るスケールの製造方法を例示する図である。

【図4】（ａ）および（ｂ）は第３実施形態に係るスケールの製造方法を例示する図である。

【図5】（ａ）～（ｄ）は第４実施形態に係るスケールの製造方法を例示する図である。

【図6】（ａ）はスケールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る製造方法によって製造されるスケール１００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。スケール１００は、一例として、電磁誘導式のスケールである。図１（ａ）および図１（ｂ）で例示するように、スケール１００は、基板１０上にスケールパターン２０（導体パターン）が配置された構造を有している。スケールパターン２０は、複数の格子が所定の間隔で配列された構造を有し、目盛格子を構成している。例えば、スケールパターン２０の各格子は、基板１０の一方の主面上において、各格子の配列方向と直交する方向に長さ方向を有している。各格子の配列方向をＸ軸とする。基板１０に対するスケールパターン２０の積層方向をＺ軸とする。各格子の長さ方向であって、Ｘ軸およびＺ軸と直交する方向をＹ軸とする。

【0016】

基板１０は、例えば、プリプレグ（強化プラスチック成形材料）、ポリイミド、ガラス、ＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリアセタール樹脂、エンジニアリングプラスチック、ステンレス、インバー合金、アルミニウム、アルミニウム合金などで構成されている。

【0017】

スケールパターン２０は、電磁誘導式の場合は銅、銀、金などの抵抗の低い金属導体からなる材料で形成されており、光電式の場合は銅、銀、金などの抵抗の低い金属導体で形成されており、または、クロム、チタン、チタンシリサイドなどの反射率の高い導体からなる材料で形成されている。スケールパターン２０の各格子のＸ軸方向の幅は、例えば、光電式ではＬ＆Ｓで２μｍ以上、５０μｍ以下、電磁誘導式では５００μｍ以上３０００μｍ以下である。各格子のＺ軸方向の厚さは、高周波による反磁界応答を十分に得るために、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。

【0018】

スケールパターン２０のエッジ位置がエンコーダ精度に最も影響するため、エッジ部分の位置のみならず、エッジ位置を不鮮明にさせるエッジテーパやエッジラフネスの無い加工精度の良い形状が求められている。

【0019】

例えば、特許文献１，２のように、導体膜の表面にレジスト層を形成した後に、露光、現像、エッチングといった工程を経て加工されたスケールパターンの場合、加工基材上の位置ごとに加工ばらつきが存在するため、工程ごとにエッジ粗さが増大する。また、エッチング工程では膜厚方向の上部が最もエッチングされて下部が残る傾向があるため、テーパ角度が６０度～７０度となり、テーパ領域が２～１５μｍ程度に不均質に広がり、エッジ位置の加工精度の向上を妨げる。

【0020】

また、特許文献３のように、レーザ加工を用いることで厚い金属に対して１つの工程によってパターンエッジを加工できるため、エッジラフネスを小さく、長尺基板のようにマスク露光が困難な異形基材でも加工することができる。しかしながら、従来のレーザ加工技術では、加工時の材料の飛散にともなう付着物の発生や熱による変形によって１μｍ以下のエッジラフネスといった精密加工が困難である。

【0021】

また、特許文献４のように、ピコ秒パルス、フェムト秒パルスレーザといった短パルスレーザを用いてガルバノスキャナや精密ステージによってワーク表面を走査することでエッジラフネスの小さな導体パターンを得ることができる。しかしながら、精密であるためにはレーザースポット径を細く絞る必要があり、スポットあたりの加工面積が微細化するため、基板の半分程度の面積を占める導体を除いた部分の面積を加工するためには、長い加工時間が必要であり、スループットが向上しない。したがって、製造コストが増大するという問題点がある。また、短パルスレーザは、単純に発振エネルギを増加させてもエネルギの一部が熱に変換されるため、加工レートが頭打ちとなり増加しないという問題点があり、出力の大きなレーザ発振器を用いてもスループットは改善しない。

【0022】

そこで、本実施形態においては、製造コストを抑制しつつ、スケールパターンのエッジを高精度に形成することができる、スケールの製造方法について説明する。

【0023】

図２（ａ）で例示するように、一方の主面にスケールパターン２０と同材料の導体層３０が箔のプレス成型、めっきなどにより成膜された基板１０を用意する。導体層３０の厚みは、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。この導体層３０に対して、フォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィによりレジストパターン４０を形成する。この場合において、後工程でレーザ加工による成形する量を考慮に入れて、Ｘ軸方向においてスケールパターン２０の各格子よりも一回り大きくなるように、レジストパターン４０を形成する。例えば、スケールパターン２０の各格子に対するレジストパターン４０の余剰分を、Ｘ軸方向における両端において、それぞれ１０μｍ以上２０μｍ以下程度とする。レジストパターン４０は、スケールパターン２０と同様に、複数の格子が所定の間隔で並ぶような形状を有している。

【0024】

次に、図２（ｂ）で例示するように、レジストパターン４０をマスクとして用いてエッチングする。それにより、導体層３０が部分的に除去され、レジストパターン４０と略同形状のパターン３０ａが形成される。パターン３０ａは、スケールパターン２０と同様に、複数の格子が所定の間隔で並ぶような形状を有している。

【0025】

エッチングの加工精度は高くないため、パターン３０ａの各格子部分は、略台形形状を有するようになる。例えば、パターン３０ａの各格子部分において、Ｘ軸方向の両端のエッジ部分が、ある範囲に分布することになる。本実施形態においては、エッチング加工精度は、低くてもよい。ただし、レーザ加工の範囲を超えない程度の精密さで加工することが求められる。すなわち、エッチング加工精度が高いと、次のレーザ加工工程で除去する面積が減少するため、レーザ加工時間を短くすることができる。エッジの粗さや位置精度によるばらつきは±１０μｍ程度のため、概ね２０μｍ～３０μm程度のレーザ加工幅が求められる。

【0026】

次に、図２（ｃ）で例示するように、レジストパターン４０を剥離した後に、短パルスレーザによって、パターン３０ａの各格子部分のエッジ部分を除去し、精密なエッジ端面を得る。短パルスレーザとは、パルス幅がフェムト秒～ピコ秒オーダーで０．１～１０Ｊ／ｃｍ^２のエネルギ密度のパルスを投入できるレーザと定義することができる。短パルスレーザとして、例えば、ピコ秒レーザ、フェムト秒レーザなどを用いることができる。短パルスレーザを１０ｋＨｚ～５ＭＨｚといった高速で繰り返し照射することで、Ｚ軸方向に沿って高い精度でパターン３０ａの傾斜部分を除去することができる。また、短パルスレーザを用いると、光のエネルギが吸収され熱に変換される時間（約1ナノ秒）よりも短いパルス幅を使用する為、レーザ照射部が溶融する事なく瞬時に昇華するため、熱影響が出にくく、バリやクラック、やけなどを低減したダメージの少ない高精度な微細加工が可能といった理由により、材料の飛散を抑制することができる。

【0027】

本実施形態に係る製造方法によれば、短パルスレーザによってパターン３０ａの各格子部分のエッジ部分を除去するため、高精度でスケールパターン２０のエッジを形成することができる。例えば、エッジラフネスを１μｍ以下とすることで、スケール１００を用いた測定精度を１μｍ以下とすることができる。また、エッチング加工によって低精度で導体パターンを形成した後に、短パルスレーザを用いるため、スポット径の小さい短パルスレーザだけで加工する場合と比較すると加工時間を短縮化することができる。それにより、製造コストを抑制することができる。以上のことから、製造コストを抑制しつつ、高精度にスケールパターンのエッジを形成することができる。また、短パルスレーザによる加工時間が短縮化されることで、温度ドリフトの影響を少なくすることができる。また、エッチング加工精度が低くてもよいため、高価な高精度リソグラフィ装置などを用いる必要がない。

【0028】

（第２実施形態）
図３（ａ）で例示するように、一方の主面にスケールパターン２０と同材料の導体層５０が箔のプレス成型、めっきなどにより成膜された基板１０を用意する。導体層５０の厚みは、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。短パルスレーザを用いて導体層５０を部分的に除去してレーザ加工溝を形成することで、スケールパターン２０と同形状の輪郭を形成する。この場合、導体層５０から、スケールパターン２０に対応するパターン５０ａと、パターン５０ａ間の残存部分５０ｂとが形成される。精細な加工が可能な短パルスレーザのスポット径は、例えば、３μｍ以上、１０μｍ以下である。スポット径と同じ幅で輪郭を加工すればよい。したがって、レーザ加工溝の幅も３μｍ以上、１０μｍ以下とすることができる。均質な膜を加工するため、レーザ加工条件がすべての場所で揃っており、均質な品質のエッジパターンが得られる。

【0029】

次に、図３（ｂ）で例示するように、パターン５０ａと残存部分５０ｂとを覆うようにフォトレジスト層を形成した後にフォトリソグラフィによりレジストパターン６０を形成する。この場合において、後工程でレーザ加工による成形する量を考慮に入れて、Ｘ軸方向においてスケールパターン２０の各格子よりも一回り大きくなるように、レジストパターン６０を形成する。ただし、レジストパターン６０は、残存部分５０ｂの表面には残らないようにする。例えば、レジストパターン６０の端面を、レーザ加工溝部分のＸ軸方向の中心付近となるようにする。

【0030】

次に、図３（ｃ）で例示するように、レジストパターン６０をマスクとして用いてエッチングすることによって、残存部分５０ｂを除去する。高精度に形成されているパターン５０ａがレジストパターン６０によって保護された状態でエッチングを行なうため、エッチング時間に対する制約が緩く、容易に欠陥なくエッチングすることが可能となる。

【0031】

本実施形態に係る製造方法によれば、短パルスレーザによって導体層５０にレーザ加工溝を形成するため、高精度でパターン５０ａを形成することができる。例えば、エッジラフネスを１μｍ以下とすることで、スケール１００を用いた測定精度を１μｍ以下とすることができる。また、残存部分５０ｂについてはエッチングによって除去するため、スポット径の小さい短パルスレーザだけで加工する場合と比較すると加工時間を短縮化することができる。それにより、製造コストを抑制することができる。以上のことから、製造コストを抑制しつつ、スケールパターン２０のエッジを高精度に形成することができる。また、短パルスレーザによる加工時間が短縮化されることで、温度ドリフトの影響を少なくすることができる。

【0032】

なお、この方法では、レーザ加工対象の面積を最も小さくすることができ、加工精度のばらつきも小さくなる。また、ウエットエッチング加工不良が生じにくい。また、レジストを永久レジストとすれば、保護膜として、精密に加工された導体パターン端面を保護することができるため、工程の削減も可能となる。従って、第１実施形態よりも生産性も高くなり、精細なスケールパターンの加工が可能である。

【0033】

（第３実施形態）
図４（ａ）で例示するように、基板１０の一方の主面に、スケールパターン２０と同材料を含む導体ペーストをインクとして用いて、スクリーン印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷などの印刷法で成膜して焼成、またはスタンプめっきなどによって導体７０を形成する。導体７０の厚みは、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。Ｘ軸方向においてスケールパターン２０の各格子よりも一回り大きくなるように、導体７０を形成する。導体７０は、スケールパターン２０と同様に、複数の格子が所定の間隔で並ぶような形状を有している。インクはなだらかに広がるため、導体７０の各格子部分は、略台形形状を有するようになる。例えば、導体７０の各格子部分において、Ｘ軸方向の両端のエッジ部分が、Ｚ軸方向に対して傾斜する傾斜部分を有するようになる。

【0034】

次に、図４（ｂ）で例示するように、短パルスレーザによって、スケールパターン２０の各格子の端面位置に合わせて、導体７０の各格子部分のエッジ部分を除去する。これによって、導体７０からスケールパターン２０を得ることができる。

【0035】

本実施形態に係る製造方法によれば、短パルスレーザによって導体７０の各格子部分のエッジ部分を除去するため、高精度でスケールパターン２０のエッジを形成することができる。例えば、エッジラフネスを１μｍ以下とすることで、スケール１００を用いた測定精度を１μｍ以下とすることができる。また、低精度で導体７０を形成した後に、短パルスレーザを用いるため、スポット径の小さい短パルスレーザだけで加工する場合と比較すると加工時間を短縮化することができる。それにより、製造コストを抑制することができる。以上のことから、製造コストを抑制しつつ、スケールパターン２０のエッジを高精度に形成することができる。また、短パルスレーザによる加工時間が短縮化されることで、温度ドリフトの影響を少なくすることができる。

【0036】

（第４実施形態）
図５（ａ）で例示するように、基板１０の一方の主面に、スケールパターン２０と同材料を含む導体ペーストをインクとして用いて、スクリーン印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷などの印刷法で成膜して焼成、またはスタンプめっきなどによって導体８０を形成する。導体８０の厚みは、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。Ｘ軸方向においてスケールパターン２０の各格子よりも一回り大きくなるように、導体８０を形成する。導体８０は、スケールパターン２０と同様に、複数の格子が所定の間隔で並ぶような形状を有している。インクはなだらかに広がるため、導体８０の各格子部分は、略台形形状を有するようになる。例えば、導体８０の各格子部分において、Ｘ軸方向の両端のエッジ部分が、Ｚ軸方向に対して傾斜する傾斜部分を有するようになる。

【0037】

次に、図５（ｂ）で例示するように、短パルスレーザを用いて導体８０を部分的に除去してレーザ加工溝を形成することで、スケールパターン２０と同形状の輪郭を形成する。この場合、導体８０から、スケールパターン２０と、残存部分８０ａとが形成される。精細な加工が可能な短パルスレーザのスポット径は、３μｍ～１０μｍ程度である。スポット径と同じ幅で輪郭を加工すればよい。均質な膜を加工するため、レーザ加工条件がすべての場所で揃っており、均質な品質のエッジパターンが得られる。

【0038】

次に、図５（ｃ）で例示するように、スケールパターン２０と残存部分８０ａとを覆うようにフォトレジスト層を形成した後にフォトリソグラフィによりレジストパターン９０を形成する。この場合において、後工程でレーザ加工による成形する量を考慮に入れて、Ｘ軸方向においてスケールパターン２０の各格子よりも一回り大きくなるように、レジストパターン９０を形成する。ただし、レジストパターン９０は、残存部分８０ａの表面には残らないようにする。例えば、レジストパターン９０の端面を、レーザ加工溝部分のＸ軸方向の中心付近となるようにする。

【0039】

次に、図５（ｄ）で例示するように、レジストパターン９０をマスクとして用いてエッチングすることによって、残存部分８０ａを除去する。高精度に形成されているスケールパターン２０がレジストパターン９０によって保護された状態でエッチングを行なうため、エッチング時間に対する制約が緩く、容易に欠陥なくエッチングすることが可能となる。

【0040】

本実施形態に係る製造方法によれば、短パルスレーザによって導体８０にレーザ加工溝を形成するため、高精度でスケールパターンのエッジを形成することができる。例えば、エッジラフネスを１μｍ以下とすることで、スケール１００を用いた測定精度を１μｍ以下とすることができる。また、残存部分８０ａについてはエッチングによって除去するため、スポット径の小さい短パルスレーザだけで加工する場合と比較すると加工時間を短縮化することができる。それにより、製造コストを抑制することができる。以上のことから、コストを抑制しつつ、加工精度を向上させることができる。また、短パルスレーザによる加工時間が短縮化されることで、温度ドリフトの影響を少なくすることができる。

【0041】

なお、この方法では、レーザ加工対象の面積を最も小さくすることができ、加工精度のばらつきも小さくなる。また、ウエットエッチング加工不良が生じにくい。また、レジストを永久レジストとすれば、保護膜として、精密に加工された導体パターン端面を保護することができるため、工程の削減も可能となる。従って、第１実施形態よりも生産性も高くなり、精細なスケールパターンの加工が可能である。

【0042】

なお、上記各実施形態では、スケールパターンが、複数の格子形状が並ぶ構造を有していたが、それに限られない。例えば、複数のコイルが所定の間隔でＸ軸方向に並ぶスケールパターンに、上記各実施形態を適用することができる。

【0043】

図６（ａ）は、複数のコイルが所定の間隔でＸ軸方向に並ぶスケールパターン２０ａを備えるスケール１００ａの平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。図６（ａ）および図６（ｂ）で例示するように、スケール１００ａは、基板１０上にスケールパターン２０ａが配置された構造を有している。スケールパターン２０ａは、複数のコイルが所定の間隔で配列された構造を有している。各コイルの配列方向をＸ軸とする。

【0044】

第１実施形態の製造方法をスケール１００ａに適用すると、例えば、コイルパターンのＬ＆Ｓが１０００μｍ／１０００μｍ程度であれば、パターン両端合わせて５０μｍ程度の幅の加工となるため、抜きパターン部分をすべてレーザ加工した場合と比較して、加工時間を１／２０に減じることが可能である。

【0045】

第２実施形態の製造方法をスケール１００ａに適用すると、例えば５μｍのスポット径のレーザを用いた場合、Ｌ＆Ｓが１０００μｍ／１０００μｍの加工であれば、両端合わせて１０μｍ幅となるため、加工時間を１／１００に減じることができる。

【0046】

第３実施形態の製造方法をスケール１００ａに適用すると、例えば、コイルパターンのＬ＆Ｓが１０００μｍ／１０００μｍ程度であれば、パターン両端合わせて５０μｍ程度の幅の加工となるため、抜きパターン部分をすべてレーザ加工した場合と比較して、加工時間を１／１０に減じることが可能である。

【0047】

第４実施形態の製造方法をスケール１００ａに適用すると、例えば、コイルパターンのＬ＆Ｓが１０００μｍ／１０００μｍ程度であれば、パターン両端合わせて１０μｍ程度の幅の加工となるため、抜きパターン部分をすべてレーザ加工した場合と比較して、加工時間を１／１００に減じることが可能である。

【0048】

上記各実施形態は、電磁誘導式のスケールに適用しているが、他のスケールに適用してもよい。例えば、上記各実施形態は、インジケータ、マイクロメータ、ノギス、ハイトゲージ、リニアエンコーダ、ロータリエンコーダ、温度安定性が得られるガラス基板やスピンドル部品に形成されたアンテナパターン、超高精度センサ、ガラスＭＥＭＳセンサなどが備える導体パターンに適用することもできる。

【0049】

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0050】

１０ 基板
２０，２０ａ スケールパターン
３０ 導体層
３０ａ パターン
４０ レジストパターン
５０ 導体層
５０ａ パターン
５０ｂ 残存部分
６０ レジストパターン
７０ 導体
８０ 導体
８０ａ 残存部分
９０ レジストパターン
１００，１００ａ スケール

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】