▶ 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社の特許一覧 ▶ 日本碍子株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023089928
(43)【公開日】2023-06-28
(54)【発明の名称】パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/02 20060101AFI20230621BHJP
H01L 25/04 20230101ALI20230621BHJP
H01L 23/40 20060101ALI20230621BHJP
【ＦＩ】
H01L23/02 H
H01L25/04 Z
H01L23/40 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】7
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022176186
(22)【出願日】2022-11-02
(31)【優先権主張番号】P 2021204430
(32)【優先日】2021-12-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】391039896
【氏名又は名称】ＮＧＫエレクトロデバイス株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】000004064
【氏名又は名称】日本碍子株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100134991
【弁理士】
【氏名又は名称】中尾 和樹
(74)【代理人】
【識別番号】100148507
【弁理士】
【氏名又は名称】喜多 弘行
(72)【発明者】
【氏名】河村 卓
(72)【発明者】
【氏名】山口 哲平
(72)【発明者】
【氏名】半田 真規
【テーマコード（参考）】
5F136
【Ｆターム（参考）】
5F136BA30
5F136BB18
5F136DA31
5F136EA13
5F136FA01
5F136FA02
5F136FA03
5F136FA52
5F136FA53
(57)【要約】
【課題】枠体と放熱板の支持面との間の接合の信頼性を高めることができるパッケージを提供する。
【解決手段】パッケージ５０は、蓋体８０によって封止されることになるキャビティＣＶを有している。パッケージ５０は、枠体２０と、放熱板１０と、接合材２１とを含む。枠体２０は、絶縁体からなり、平面視においてキャビティＣＶを囲んでいる。放熱板１０は、枠体２０を支持する支持面Ｈ１と、平面視に垂直な厚み方向において支持面Ｈ１と反対の底面Ｈ２と、支持面Ｈ１と底面Ｈ２とを互いにつなぐ側面Ｈ３と、を有している。接合材２１は、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１とを互いに接合している。厚み方向に垂直な水平方向において、放熱板１０の支持面Ｈ１は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ放熱板１０の側面Ｈ３は表面粗さＲａ２Ｈを有している。Ｒａ１Ｈ×１０≧Ｒａ２Ｈが満たされている。
【選択図】図２
【解決手段】パッケージ５０は、蓋体８０によって封止されることになるキャビティＣＶを有している。パッケージ５０は、枠体２０と、放熱板１０と、接合材２１とを含む。枠体２０は、絶縁体からなり、平面視においてキャビティＣＶを囲んでいる。放熱板１０は、枠体２０を支持する支持面Ｈ１と、平面視に垂直な厚み方向において支持面Ｈ１と反対の底面Ｈ２と、支持面Ｈ１と底面Ｈ２とを互いにつなぐ側面Ｈ３と、を有している。接合材２１は、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１とを互いに接合している。厚み方向に垂直な水平方向において、放熱板１０の支持面Ｈ１は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ放熱板１０の側面Ｈ３は表面粗さＲａ２Ｈを有している。Ｒａ１Ｈ×１０≧Ｒａ２Ｈが満たされている。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
蓋体によって封止されることになるキャビティを有するパッケージであって、
絶縁体からなり、平面視において前記キャビティを囲む枠体と、
前記枠体を支持する支持面と、前記平面視に垂直な厚み方向において前記支持面と反対の底面と、前記支持面と前記底面とを互いにつなぐ側面と、を有する放熱板と、
前記枠体と前記放熱板の前記支持面とを互いに接合する接合材と、
を備え、
前記厚み方向に垂直な水平方向において、前記放熱板の前記支持面は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｈを有しており、
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
絶縁体からなり、平面視において前記キャビティを囲む枠体と、
前記枠体を支持する支持面と、前記平面視に垂直な厚み方向において前記支持面と反対の底面と、前記支持面と前記底面とを互いにつなぐ側面と、を有する放熱板と、
前記枠体と前記放熱板の前記支持面とを互いに接合する接合材と、
を備え、
前記厚み方向に垂直な水平方向において、前記放熱板の前記支持面は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｈを有しており、
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
【請求項2】
請求項１に記載のパッケージであって、
前記接合材は金属ろう材または樹脂材である、パッケージ。
前記接合材は金属ろう材または樹脂材である、パッケージ。
【請求項3】
請求項１または２に記載のパッケージであって、
前記厚み方向において、前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｔを有しており、
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
前記厚み方向において、前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｔを有しており、
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
【請求項4】
請求項１または２に記載のパッケージであって、
前記放熱板は、前記厚み方向において、第１の材料からなる第１の層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の層と、を含む積層構造を有しており、
前記放熱板の前記支持面は前記第１の層からなり、前記放熱板の前記側面は、前記第１の層からなる部分と、前記第２の層からなる部分とを含む、パッケージ。
前記放熱板は、前記厚み方向において、第１の材料からなる第１の層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の層と、を含む積層構造を有しており、
前記放熱板の前記支持面は前記第１の層からなり、前記放熱板の前記側面は、前記第１の層からなる部分と、前記第２の層からなる部分とを含む、パッケージ。
【請求項5】
請求項１または２に記載のパッケージであって、
前記放熱板は非積層材料からなる、パッケージ。
前記放熱板は非積層材料からなる、パッケージ。
【請求項6】
請求項１または２に記載のパッケージであって、
Ｒａ２Ｈは、２μｍ以下である、パッケージ。
Ｒａ２Ｈは、２μｍ以下である、パッケージ。
【請求項7】
請求項１または２に記載のパッケージであって、
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている、パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、パッケージに関し、特に、蓋体によって封止されることになるキャビティを有するパッケージに関するものである。
【背景技術】
【0002】
電力用半導体素子などの電子部品を収納するために、キャビティを有するパッケージがしばしば用いられる。パッケージのキャビティ中へ電子部品が搭載された後、パッケージに蓋体が接合されることによって、キャビティが気密に封止される。これにより、外部環境から保護された電子部品を有する電子装置が得られる。電力半導体素子用のパッケージは、多くの場合、放熱板（ヒートシンク）を有している。ヒートシンクの底面（電子部品が搭載された面と反対の面）は、通常、それを支持する支持部材へ取り付けられることになる。支持部材は、例えば、実装ボードまたは放熱部材である。支持部材は、ヒートシンクの底面へ熱的に接触させられる。ヒートシンクを介することによって電子部品からの熱が効率的にパッケージの外部へ（典型的には支持部材へ）と排出される。これにより、電子部品の温度上昇が、例えば１５０℃程度までに抑えられる。
【0003】
特開２００３－２８２７５１号公報（特許文献１）に開示された技術によれば、ヒートシンクとしてＣｕ（銅）またはＣｕ系金属板が用いられる。Ｃｕは、安価でありながら、３００Ｗ／ｍ・Ｋを超える高い熱伝導率を有している。よって、ヒートシンクの材料コストを抑えつつ、ヒートシンクの放熱性能を高めることができる。この技術によれば、まず、ヒートシンク上に半導体素子が、ろう付けによって実装される。次に、予め外部接続端子が接合されている枠体がヒートシンク上に、半導体素子を囲むように接合される。この接合に低融点接合材を用いることによって、半導体素子のろう付け温度未満の温度で枠体が接合される。次に、枠体の上面側に蓋体が接合されることによって、キャビティが封止される。これにより電子装置が得られる。
【0004】
特開２００５－１５０１３３号公報（特許文献２）は、基体（パッケージ）および蓋体で構成された半導体素子収納用容器を開示している。基体は、ヒートシンク板（放熱板）と、セラミック枠体と、外部接続端子とを有している。ヒートシンク板には、放熱特性と、セラミックとの熱膨張係数の近似性と、が求められる。そこでヒートシンク板には、複合金属板が用いられる。複合金属板は、例えば、銅タングステン（Ｃｕ－Ｗ）系、銅モリブデン（Ｃｕ－Ｍｏ）系、または、Ｃｕと他の金属とのクラッドである。クラッドは、例えば、Ｃｕ－Ｍｏ系の合金金属板の両面にＣｕ板を貼り合わせることによって形成される。セラミック枠体の、ヒートシンク板および金属接続端子に面する面には、メタライズパターンが形成されている。ヒートシンク板には、通常、セラミック枠体のろう付け接合時にろうが半導体素子接合面へ流れ過ぎることを防止するために、Ｃｕめっき被膜が施されている。メタライズパターンを有するセラミック枠体と、ヒートシンク板およびセラミック枠体の各々とは、ろう付け接合される。ろう付けは、例えば、Ａｇ－Ｃｕ（銀－銅）などのろう材を約７８０℃～９００℃の高温に加熱することによって行われる。これによって得られた接合体の全金属表面上には、Ｎｉ（ニッケル）めっき被膜と、Ａｕ（金）めっき被膜とが施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００３－２８２７５１号公報
【特許文献2】特開２００５－１５０１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
パッケージの製造における枠体と放熱板（ヒートシンク板）との接合工程において、接合材がろう材の場合、加熱によって枠体と放熱板との間で接合材が液相化される。この際に、接合材の液体の一部は、枠体と放熱板との間から放熱板の側面へ向かって流れ出す。この流出が過大であると、枠体と放熱板との間に接合材のボイドが形成されやすく、その結果、枠体と放熱板との間の接合の信頼性が低くなってしまう。接合材が樹脂材の場合、接合工程において、液状の樹脂材（接合材）の硬化が行われる。硬化前に、液状の接合材の一部は、枠体と放熱板との間から放熱板の側面へ向かって流れ出す。この流出が過大であると、枠体と放熱板との間に接合材のボイドが形成されやすく、その結果、枠体と放熱板との間の接合の信頼性が低くなってしまう。
【0007】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、枠体と放熱板の支持面との間の接合の信頼性を高めることができるパッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
態様１は、蓋体によって封止されることになるキャビティを有するパッケージであって、
絶縁体からなり、平面視において前記キャビティを囲む枠体と、
前記枠体を支持する支持面と、前記平面視に垂直な厚み方向において前記支持面と反対の底面と、前記支持面と前記底面とを互いにつなぐ側面と、を有する放熱板と、
前記枠体と前記放熱板の前記支持面とを互いに接合する接合材と、
を備え、
前記厚み方向に垂直な水平方向において、前記放熱板の前記支持面は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｈを有しており、
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
絶縁体からなり、平面視において前記キャビティを囲む枠体と、
前記枠体を支持する支持面と、前記平面視に垂直な厚み方向において前記支持面と反対の底面と、前記支持面と前記底面とを互いにつなぐ側面と、を有する放熱板と、
前記枠体と前記放熱板の前記支持面とを互いに接合する接合材と、
を備え、
前記厚み方向に垂直な水平方向において、前記放熱板の前記支持面は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｈを有しており、
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
【0009】
態様２は、態様１に記載のパッケージであって、前記接合材は金属ろう材または樹脂材である。
【0010】
態様３は、態様１または２に記載のパッケージであって、前記厚み方向において、前記放熱板の前記側面は表面粗さＲａ２Ｔを有しており、
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
【0011】
態様４は、態様１から３のいずれか１項に記載のパッケージであって、前記放熱板は、前記厚み方向において、第１の材料からなる第１の層と、前記第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の層と、を含む積層構造を有しており、前記放熱板の前記支持面は前記第１の層からなり、前記放熱板の前記側面は、前記第１の層からなる部分と、前記第２の層からなる部分とを含む。
【0012】
態様５は、態様１から３のいずれか１項に記載のパッケージであって、前記放熱板は非積層材料からなる。
【0013】
態様６は、態様１から５のいずれか１項に記載のパッケージであって、Ｒａ２Ｈは、２μｍ以下である。
【0014】
態様７は、態様１から６のいずれか１項に記載のパッケージであって、
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
【発明の効果】
【0015】
態様１によれば、表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。これにより、パッケージの製造における枠体と放熱板との接合工程において、加熱によって枠体と放熱板との間で接合材が液相化された際に、放熱板の側面が、放熱板の支持面に比して、接合材の液体に対して過度に濡れやすいことが避けられる。よって、接合材の液体が枠体と放熱板の支持面との間から放熱板の側面へと流れ出す量が抑えられる。よって、枠体と放熱板の支持面との間に接合材のボイドが形成されにくい。よって、枠体と放熱板の支持面との間の接合の信頼性を高めることができる。
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。これにより、パッケージの製造における枠体と放熱板との接合工程において、加熱によって枠体と放熱板との間で接合材が液相化された際に、放熱板の側面が、放熱板の支持面に比して、接合材の液体に対して過度に濡れやすいことが避けられる。よって、接合材の液体が枠体と放熱板の支持面との間から放熱板の側面へと流れ出す量が抑えられる。よって、枠体と放熱板の支持面との間に接合材のボイドが形成されにくい。よって、枠体と放熱板の支持面との間の接合の信頼性を高めることができる。
【0016】
態様２によれば、接合材は金属ろう材または樹脂材である。この場合、枠体と放熱板の支持面との間のろう付け接合または樹脂接合の信頼性を高めることができる。
【0017】
態様３によれば、表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。この場合、本発明者の検討によれば、接合材の液体の厚み方向における流れが抑制される。これにより、枠体と放熱板の支持面との間において、接合材のボイドを、より形成されにくくすることができる。
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。この場合、本発明者の検討によれば、接合材の液体の厚み方向における流れが抑制される。これにより、枠体と放熱板の支持面との間において、接合材のボイドを、より形成されにくくすることができる。
【0018】
態様４によれば、放熱板は、厚み方向において、第１の材料からなる第１の層と、第１の材料とは異なる第２の材料からなる第２の層と、を含む積層構造を有している。放熱板の支持面は第１の層からなり、放熱板の側面は、第１の層からなる部分と、第２の層からなる部分とを含む。この場合、枠体と、積層構造を有する放熱板の支持面と、の間において、接合材のボイドを形成されにくくすることができる。
【0019】
態様５によれば、放熱板は非積層材料からなる。この場合、枠体と、非積層材料からなる放熱板の支持面と、の間において、接合材のボイドを形成されにくくすることができる。
【0020】
態様６によれば、表面粗さＲａ２Ｈは、２μｍ以下である。この場合、枠体と放熱板の支持面との間において、接合材のボイドを、より確実に、形成されにくくすることができる。
【0021】
態様７によれば、表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。この場合、パッケージの製造における枠体と放熱板との接合工程において、表面粗さの観点で、放熱板の側面が、放熱板の支持面に比して、接合材の液体に対して濡れにくい。これにより、接合材の液体が枠体と放熱板の支持面との間から放熱板の側面へと流れ出す量を、より抑えることができる。
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。この場合、パッケージの製造における枠体と放熱板との接合工程において、表面粗さの観点で、放熱板の側面が、放熱板の支持面に比して、接合材の液体に対して濡れにくい。これにより、接合材の液体が枠体と放熱板の支持面との間から放熱板の側面へと流れ出す量を、より抑えることができる。
【0022】
この発明の目的、特徴、態様、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【0023】
【図1】実施の形態１に係る電子装置の構成を、キャビティ内部が見えるようにその一部の図示を省略して示す概略斜視図である。
【図3】実施の形態１に係るパッケージの構成を示す概略断面図である。
【図4】放熱板の側面の形成方法の例を概略的に示す部分断面図である。
【図5】実施の形態２に係るパッケージの構成を示す概略断面図である。
【図6】実施の形態３に係るパッケージの構成を示す概略断面図である。
【図7】実施の形態４に係るパッケージの構成を示す概略断面図である。
【図8】比較例のパッケージにおけるヒートシンクの側面上での接合材の流れを示す顕微鏡写真である。
【図9】実施例のパッケージにおけるヒートシンクの側面上での接合材の流れを示す顕微鏡写真である。
【図10】実施例のパッケージにおける放熱板の側面上の筋模様を示す顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。図面間での方向関係を理解しやすくするために、いくつかの図にはｘｙｚ直交座標が示されている。本明細書において、平面視は、厚み方向に垂直な平面への射影を意味する。言い換えれば、厚み方向は、平面視に垂直な方向である。上記ｘｙｚ座標系によれば、厚み方向はｚ方向に対応し、厚み方向に垂直な平面はｘｙ平面に対応する。金属は、特段の記載がない限り、純金属および合金のいずれをも意味し得る。表面粗さは、特段の記載がない限り、日本産業規格（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ：ＪＩＳ）におけるＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１で定義される算術平均粗さ（Ｒａ）を意味する。
【0025】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１に係る電子装置９０の構成を示す概略斜視図である。図２は、図１の電子装置９０の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略断面図である。電子装置９０は、パッケージ５０と、蓋体８０と、電子部品８とを有している。また電子装置９０は接着層７０を有していてよい。また電子装置９０は、ワイヤ９（配線部材）を有していてよい。なお図１においては、パッケージ５０が有するキャビティＣＶの内部が部分的に見えるように、蓋体８０および接着層７０の図示が部分的に省略されている。電子部品８はパワー半導体素子であってよく、この場合、電子装置９０はパワーモジュールである。パワー半導体素子は高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用であってよく、この場合、電子装置９０はＲＦパワーモジュールである。なお、図１および図２においては１つの電子部品８が図示されているが、パッケージ５０へは複数の電子部品８が搭載されていてよい。
図１は、実施の形態１に係る電子装置９０の構成を示す概略斜視図である。図２は、図１の電子装置９０の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略断面図である。電子装置９０は、パッケージ５０と、蓋体８０と、電子部品８とを有している。また電子装置９０は接着層７０を有していてよい。また電子装置９０は、ワイヤ９（配線部材）を有していてよい。なお図１においては、パッケージ５０が有するキャビティＣＶの内部が部分的に見えるように、蓋体８０および接着層７０の図示が部分的に省略されている。電子部品８はパワー半導体素子であってよく、この場合、電子装置９０はパワーモジュールである。パワー半導体素子は高周波（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）用であってよく、この場合、電子装置９０はＲＦパワーモジュールである。なお、図１および図２においては１つの電子部品８が図示されているが、パッケージ５０へは複数の電子部品８が搭載されていてよい。
【0026】
図３は、電子装置９０（図２）の部品としての、本実施の形態１のパッケージ５０の構成を示す概略断面図である。電子装置９０の製造のためにパッケージ５０が準備された時点では、図３に示されているように、電子部品８は未だ実装されていない。パッケージ５０は、蓋体８０（図２）によって封止されることになるキャビティＣＶを有している。パッケージ５０は、枠体２０と、放熱板１０と、接合材２１とを含む。またパッケージ５０は、金属リード３０（金属端子）と、接合材２２とをさらに含む。
【0027】
枠体２０は、平面視においてキャビティＣＶを囲んでいる。枠体２０の外縁は、図１に示されているように矩形形状を有していてよく、その各辺の大きさは、例えば、１０ｍｍ以上、４０ｍｍ以下である。枠体２０の厚みは、例えば、０．２５ｍｍ以上、１．２５ｍｍ以下である。枠体２０の厚みが０．２５ｍｍ未満であると、キャビティＣＶの高さが不足する可能性が高い。枠体２０の厚みが１．２５ｍｍより大きいと、枠体２０上の金属リード３０への接続が必要なワイヤ９（図２）の長さも大きくなり、その結果、ワイヤ９のインダクタンスも大きくなる。ワイヤ９のインダクタンスの増大は、電気特性上、通常は望まれないことである。
【0028】
枠体２０は、絶縁体からなる。この絶縁体は、具体的にはセラミック絶縁体であり、例えば、実質的にアルミナである。枠体２０の表面の、接合材２１および接合材２２に面する部分には、接合材２１および接合材２２との接合を容易とするために、メタライズ膜（図示せず）が設けられていてよい。メタライズ膜は、例えば、タングステン（Ｗ）層またはモリブデン（Ｍｏ）層と、それを覆うニッケル（Ｎｉ）めっき層とによって構成されている。その場合、枠体２０のうち接合材２１および接合材２２に直接接するのは、メタライズ膜である。
【0029】
放熱板１０は、枠体２０を支持する支持面Ｈ１と、厚み方向において支持面Ｈ１と反対の底面Ｈ２と、支持面Ｈ１と底面Ｈ２とを互いにつなぐ側面Ｈ３と、を有している。支持面Ｈ１は、キャビティ部分Ｈ１Ｃと、枠体部分Ｈ１Ｓとを有している。キャビティ部分Ｈ１Ｃは、厚み方向においてキャビティＣＶに面している。枠体部分Ｈ１Ｓは、厚み方向において枠体２０に面しており、接合材２１によって枠体２０に接合されている。キャビティ部分Ｈ１Ｃは枠体部分Ｈ１Ｓに囲まれている。支持面Ｈ１はさらに、枠体部分Ｈ１Ｓの外側に外周部分Ｈ１Ｐを有していてよい。支持面Ｈ１は、おおよそ平坦面であってよく、側面Ｈ３はこの平坦面におおよそ垂直な面であってよい。放熱板１０は、金属を含有する材料からなり、典型的には金属からなる。放熱板１０の厚みは、例えば、０．１ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下である。
【0030】
厚み方向に垂直な水平方向において、放熱板１０の支持面Ｈ１は表面粗さＲａ１Ｈを有しており、かつ放熱板１０の側面Ｈ３は表面粗さＲａ２Ｈを有している。なお、水平方向における表面粗さは、水平方向に沿った走査によって得られる表面粗さを意味する。この走査の長さ、すなわち基準長さは、例えば、０．１８ｍｍである。また厚み方向において、放熱板１０の側面Ｈ３は表面粗さＲａ２Ｔを有している。厚み方向における表面粗さは、厚み方向に沿った走査によって得られる表面粗さを意味する。厚み方向に沿った走査は、厚み方向において側面Ｈ３の両端を含まないように行われる。よってこの走査の長さ、すなわち基準長さは、放熱板１０の厚みよりも小さい。放熱板１０の厚みが０．１８ｍｍよりも大きい場合、この基準長さは、例えば、０．１８ｍｍである。放熱板１０の厚みが０．１８ｍｍ以下の場合、この基準長さは、放熱板１０の上端および下端が走査されないようにするために、０．１８ｍｍよりも若干小さくてよい。表面粗さは、触針式の表面粗さ計によって測定される。表面粗さは、触針式の表面粗さ計に代わって、例えば、レーザー顕微鏡（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製レーザーマイクロスコープＶＫ－Ｘ１０００）によって測定されてもよい。
【0031】
表面粗さに関して、Ｒａ１ＨおよびＲａ２Ｈの間で、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされており、好ましくは、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×５ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされており、より好ましくは、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされており、好ましくは、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×５ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされており、より好ましくは、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。
【0032】
また好ましくは、表面粗さに関して、Ｒａ２ＴおよびＲａ２Ｈの間で、下記の関係式
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。表面粗さＲａ２Ｈは、２μｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａ２Ｈは、実質的にゼロであってよい。
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。表面粗さＲａ２Ｈは、２μｍ以下であることが好ましい。表面粗さＲａ２Ｈは、実質的にゼロであってよい。
【0033】
接合材２１は、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１（具体的には枠体部分Ｈ１Ｓ）とを互いに接合している。接合材２１は合金からなっていてよい。接合材２１は、銀ろう材、アルミニウムろう材、銅ろう材、金ろう材、ニッケルろう材などの金属ろう材であってよい。銀ろう材は、銀（Ａｇ）を含有したろう材であり、Ａｇに加えてさらにＣｕを含有していてよい。銀ろう材の融点は、例えば、６５０℃以上、９５０℃以下である。典型的には、７２ｗｔ％のＡｇと２８ｗｔ％のＣｕとの共晶組成を有する銀ろう材が用いられ、その融点は７８０℃である。接合材２１の厚みは、枠体２０および放熱板１０の各々の厚みよりも小さくてよい。
【0034】
また、接合材２１は樹脂材であってもよい。樹脂材は、主成分として樹脂を含む。樹脂材は、主成分としての樹脂に加えて、樹脂ではない残部を含んでよい。樹脂は、具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）樹脂の少なくともいずれかを主成分として含んでいてよい。特にエポキシ樹脂は、耐熱性、機械的強度および耐薬品性をバランスよく備えている点で好ましい。残部は、硬化剤、無機フィラー、カップリング剤、触媒、低応力剤などの副成分からなってよい。
【0035】
放熱板１０は、厚み方向において、第１の材料からなる金属層１２ａ（第１の層）と、第１の材料とは異なる第２の材料からなる金属層１１ａ（第２の層）と、を含む積層構造を有している。放熱板１０の支持面Ｈ１は第１の層１２ａからなる。放熱板１０の側面Ｈ３は、第１の層１２ａからなる部分と、第２の層１１ａからなる部分とを含む。本実施の形態においては、放熱板１０は、支持面Ｈ１から底面Ｈ２に向かって順に、金属層１２ａと、金属層１１ａと、金属層１２ｂと、金属層１１ｂと、金属層１２ｃとを有している。金属層１２ａ～１２ｃは第１の材料からなり、金属層１１ａ，１１ｂは第２の材料からなる。放熱板１０は、クラッド板であってよく、本実施の形態においては、５層構造を有するクラッド材からなる。なおクラッド材の層数は、５層に限定されるものではなく、熱応力のバランスを確保する観点では３層以上が好ましい。第１の材料は、第２の材料の熱伝導率よりも大きな熱伝導率を有していることが好ましい。第２の材料は、第１の材料の熱膨張率よりも小さな熱膨率を有していることが好ましい。第１の材料は、例えば、Ｃｕである。第２の材料は、例えば、Ｍｏである。金属層１１ａの厚みは、金属層１２ａの厚みより小さくてよい。本実施の形態においては、金属層１１ａの厚みは、金属層１２ａ～１２ｃの各々の厚みよりも小さい。放熱板１０がクラッド材の場合、側面Ｈ３の表面粗さＲａ２Ｈ、Ｒａ２Ｔの測定は、最上層、すなわち支持面Ｈ１を有する層、の側面で行うことが望ましい。
【0036】
金属リード３０は、キャビティＣＶの内部と外部との間での電気的接続を得るためのものである。金属リード３０は枠体２０に支持されている。金属リード３０の材料は、例えば、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｃｕ、またはＣｕ合金である。Ｆｅ－Ｎｉ合金は、例えば、４２アロイである。４２アロイは、主成分としてＦｅ原子を含有しており、かつ約４２％のＮｉ原子を含有している。
【0037】
接合材２２は枠体２０と金属リード３０とを互いに接合している。接合材２２の材料の例は、接合材２１の材料について前述した例と同様である。接合材２２の材料は、銀ろう材、アルミニウムろう材、銅ろう材、金ろう材、ニッケルろう材などの金属ろう材であってよい。銀ろう材は、銀（Ａｇ）を含有したろう材であり、Ａｇに加えてさらにＣｕを含有していてよい。銀ろう材の融点は、例えば、６５０℃以上、９５０℃以下である。典型的には、７２ｗｔ％のＡｇと２８ｗｔ％のＣｕとの共晶組成を有する銀ろう材が用いられ、その融点は７８０℃である。接合材２２の厚みは、枠体２０および金属リード３０の各々の厚みよりも小さくてよい。
【0038】
なお、パッケージ５０の表面のうち、金属からなる部分の上には、めっき被膜（図示せず）が設けられていてよい。パッケージ５０の製造において、このめっき被膜は、接合材２１を用いた接合工程の後に形成される。よって接合材２１と放熱板１０とは、このめっき被膜を介することなく直接的に接合される。めっき被膜は、典型的には、Ｎｉめっき膜と、その上に配置された貴金属めっき膜とを有している。貴金属めっき膜は、例えば、Ａｕめっき膜である。めっき被膜の厚みは合計で５μｍ以下である。放熱板１０に５μｍ程度のめっき被膜を設ける場合、めっき膜を設ける前に放熱板１０の支持面Ｈ１もしくは側面Ｈ３で測定した表面粗さと、めっき被膜を設けた後に放熱板１０の同じ個所で測定した表面粗さとでは、表面粗さの数値はほとんど変わらない。従って、めっき被膜の厚さが５μｍ以下の場合には、めっき被膜上で表面粗さを測定してもよい。
【0039】
図４は、放熱板１０の側面Ｈ３の形成方法の例を概略的に示す部分断面図である。まず、放熱板１０（図３）の材料としてのクラッド材１０Ｐ（図４）が形成される。放熱板１０は、二点鎖線（図４）で示すようにクラッド材１０Ｐから切り出されることによって形成される。よって、ｘｙ面内方向（厚み方向に垂直な面内方向）において、クラッド材１０Ｐのサイズは放熱板１０よりも大きい。クラッド材１０Ｐが十分に大きい場合、１つのクラッド材１０Ｐから複数の放熱板１０を切り出すことができる。
【0040】
クラッド材１０Ｐを、二点鎖線（図４）に沿って切断する際に、切断方法を適宜選択することによって、表面粗さに関して前述した関係式を満たすことができる。これらの関係をより容易に満たすことができる切断方法としては、ワイヤーソー加工よりも、ダイシング加工が適している。ダイシング加工は、高速回転する回転刃を押し付けることによる切断方法である。ダイシング加工において、回転刃の形状、材料、回転数などの加工条件が適宜調整されることによって、切断後に特段の仕上げ加工を行わなくても、前述した関係式を満たすことができる。
【0041】
これに対して、ワイヤーソー加工の場合、表面粗さＲａ２Ｈが過大になりやすい。また、側面Ｈ３の表面プロファイルが２次元的にランダムに形成されることから、表面プロファイルに対して、有意な異方性を与えにくい。よって表面粗さＲａ２Ｔと表面粗さＲａ２Ｈとの間に有意な差異を与えにくい。
【0042】
表面粗さＲａ２Ｔと表面粗さＲａ２Ｈとの間の前述した関係式がダイシング加工によって実現された場合、側面Ｈ３の光学顕微鏡写真には、側面Ｈ３の表面プロファイルを反映しての多数の筋模様が観察される。この筋模様の延在方向は、実質的に、厚み方向に垂直な水平方向に沿っている。ここで、放熱板１０の積層構造の界面は、上記の筋模様とはみなさない。
【0043】
なお、上記のように最適化されたダイシング加工を行う代わりに、任意の切断方法が行われ、そしてその後に、側面Ｈ３に対して研磨が行われてよい。この研磨は、例えば、グラインダーを用いて行われる。側面Ｈ３上でのグラインダーの運動方向は、少なくとも研磨の最終仕上げにおいては、実質的に水平方向に沿っていることが好ましい。
【0044】
次に、電子装置９０（図２）の製造方法の例について、以下に説明する。
【0045】
パッケージ５０（図３）が準備される。パッケージ５０の放熱板１０の支持面Ｈ１上に電子部品８が搭載される。この搭載は、はんだ付けによって行われてよい。言い換えれば、電子部品８の搭載のための実装材として、はんだ材が用いられてよい。次に、電子部品８が金属リード３０に、ワイヤ９によって電気的に接続される。ワイヤ９はワイヤボンディングによって形成されてよい。
【0046】
蓋体８０（図１および図２）が準備される。蓋体８０は、セラミック材料からなっていてよく、このセラミック材料は主成分としてアルミナを含んでいてよく、例えば、実質的にアルミナである。あるいは、蓋体８０は樹脂を含んでいてよい。樹脂は、例えば、液晶ポリマーである。なお当該樹脂中に無機フィラーが分散されていてもよく、無機材フィラーは、例えばシリカ粒である。樹脂中に無機フィラーが分散されていることによって、蓋体８０の強度および耐久性を高めることができる。
【0047】
次に、金属リード３０が設けられた枠体２０上に、蓋体８０が接着層７０を介して載置される。接着層７０は、本例においては熱硬化性樹脂を含み、当該載置の時点では半硬化状態にある。接着層７０は、枠体２０上にキャビティＣＶを囲むように設けられる。接着層７０は、図２に示されているように、枠体２０上に金属リード３０を介して設けられる部分を有していてよい。接着層７０の、蓋体８０とパッケージ５０との間での厚みは、例えば、１００μｍ以上、３６０μｍ以下である。蓋体８０（図２）は、キャビティＣＶに面する内面８１ｉと、その反対の外面８１ｏとを有していてよく、また典型的には、内面８１ｉ上には、枠体２０の枠形状におおよそ対応した枠形状を有する突起である枠部８１ｐが設けられている。この場合、接着層７０は枠部８１ｐに接する。
【0048】
次に、蓋体８０が枠体２０へ所定の荷重で押し付けられる。適切な荷重は、パッケージ５０の寸法設計に依存するが、例えば５００ｇ以上、１ｋｇ以下程度である。荷重での押し付けが行われながら、接着層７０が加熱される。加熱された接着層７０は、まず軟化状態へと変化する。これにより接着層７０の粘度が低下する。その結果、接着層７０が濡れ広がる。その後、加熱による硬化反応の進行にともなって、接着層７０は硬化状態へと変化し、その結果、接着層７０は蓋体８０と枠体２０とを互いに接着する。
【0049】
接着層７０は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂およびシリコーン(silicone)樹脂の少なくともいずれかを主成分として含んでいてよい。特にエポキシ樹脂は、耐熱性、機械的強度および耐薬品性をバランス良く備えている点で好ましい。これら特性を好適に有するためには、主成分としてのエポキシ樹脂の含有量が２０～４０ｗｔ％であることが好ましく、残部は硬化剤などの副成分からなってよい。具体的には、この副成分は、例えば、１～１０ｗｔ％の硬化剤と、５０～７０ｗｔ％の無機フィラーと、０．５～２ｗｔ％のカップリング剤と、０．５～２ｗｔ％の触媒と、０．１～５ｗｔ％の低応力剤とであってよい。硬化剤としてはフェノキシ樹脂化合物が用いられてよい。無機フィラーとしてはシリカが用いられてよい。触媒としては有機リンまたはホウ素塩が用いられてよい。低応力剤としてはシリコーンが用いられてよい。接着層７０は、蓋体８０の曲げ弾性率よりも小さな曲げ弾性率を有していてよい。
【0050】
以上により、図１および図２に示されているように、蓋体８０がキャビティＣＶを封止する構成が得られる。言い換えれば、電子装置９０（図１および図２）が得られる。なお、電子装置９０の放熱板１０の底面Ｈ２（図２）は、支持部材（図示せず）に取り付けられることになる。支持部材は、例えば、実装ボードまたは放熱部材である。放熱板１０は、支持部材への取り付けのための固定具（例えば、ねじ）が通る貫通部（図示せず）を有していてよい。
【0051】
本実施の形態によれば、表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。これにより、パッケージ５０の製造における枠体２０と放熱板１０との接合工程において、加熱によって枠体２０と放熱板１０との間で接合材２１が液相化された際に、放熱板１０の側面Ｈ３が、放熱板１０の支持面Ｈ１に比して、接合材２１の液体に対して過度に濡れやすいことが避けられる。よって、接合材２１の液体が枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間から放熱板１０の側面Ｈ３へと流れ出す量が抑えられる。よって、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間に接合材２１のボイドが形成されにくい。よって、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間の接合の信頼性を高めることができる。具体的には、第１に、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間の接合強度を高めることができる。第２に、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間での気体のリークを防止することができる。リークの防止は、電子部品８を封止することを目的とするパッケージ５０にとって重要である。
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされている。これにより、パッケージ５０の製造における枠体２０と放熱板１０との接合工程において、加熱によって枠体２０と放熱板１０との間で接合材２１が液相化された際に、放熱板１０の側面Ｈ３が、放熱板１０の支持面Ｈ１に比して、接合材２１の液体に対して過度に濡れやすいことが避けられる。よって、接合材２１の液体が枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間から放熱板１０の側面Ｈ３へと流れ出す量が抑えられる。よって、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間に接合材２１のボイドが形成されにくい。よって、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間の接合の信頼性を高めることができる。具体的には、第１に、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間の接合強度を高めることができる。第２に、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間での気体のリークを防止することができる。リークの防止は、電子部品８を封止することを目的とするパッケージ５０にとって重要である。
【0052】
接合材２１は銀ろう材であってよい。この場合、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間のろう付け接合の信頼性を高めることができる。
【0053】
表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていることが好ましい。この場合、本発明者の検討によれば、接合材２１の液体の厚み方向における流れが抑制される。これにより、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間において、接合材２１のボイドを、より形成されにくくすることができる。
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていることが好ましい。この場合、本発明者の検討によれば、接合材２１の液体の厚み方向における流れが抑制される。これにより、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間において、接合材２１のボイドを、より形成されにくくすることができる。
【0054】
放熱板１０は積層構造を有している。よって、枠体２０と、積層構造を有する放熱板１０の支持面Ｈ１と、の間において、接合材２１のボイドを形成されにくくすることができる。
【0055】
表面粗さＲａ２Ｈは２μｍ以下であることが好ましい。この場合、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間において、接合材２１のボイドを、より確実に、形成されにくくすることができる。
【0056】
表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていることが好ましい。この場合、パッケージ５０の製造における枠体２０と放熱板１０との接合工程において、表面粗さの観点で、放熱板１０の側面Ｈ３が、放熱板１０の支持面Ｈ１に比して、接合材２１の液体に対して濡れにくい。これにより、接合材２１の液体が枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間から放熱板１０の側面Ｈ３へと流れ出す量を、より抑えることができる。
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていることが好ましい。この場合、パッケージ５０の製造における枠体２０と放熱板１０との接合工程において、表面粗さの観点で、放熱板１０の側面Ｈ３が、放熱板１０の支持面Ｈ１に比して、接合材２１の液体に対して濡れにくい。これにより、接合材２１の液体が枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間から放熱板１０の側面Ｈ３へと流れ出す量を、より抑えることができる。
【0057】
＜実施の形態２＞
図５は、実施の形態２に係るパッケージ５０Ａの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ａ（図５）は、パッケージ５０（図３：実施の形態１）における放熱板１０が放熱板１０Ａに置換された構成を有している。放熱板１０Ａは、非積層材料からなり、例えば、ＣｕまたはＣｕ系合金からなる。
図５は、実施の形態２に係るパッケージ５０Ａの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ａ（図５）は、パッケージ５０（図３：実施の形態１）における放熱板１０が放熱板１０Ａに置換された構成を有している。放熱板１０Ａは、非積層材料からなり、例えば、ＣｕまたはＣｕ系合金からなる。
【0058】
なお、パッケージ５０の場合と同様、パッケージ５０Ａの表面のうち、金属からなる部分の上には、めっき被膜（図示せず）が、接合材２１を用いた接合工程の後に形成されていてよい。
【0059】
本実施の形態によれば、枠体２０と、非積層材料からなる放熱板１０の支持面Ｈ１と、の間において、接合材２１のボイドを形成されにくくすることができる。
【0060】
＜実施の形態３＞
図６は、実施の形態３に係るパッケージ５０Ｂの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ｂは、パッケージ５０（図３：実施の形態１）における放熱板１０が放熱板１０Ｂに置換された構成を有している。放熱板１０Ｂは、実施の形態１において説明された放熱板１０と、その表面に設けられためっき膜１８と、を有している。めっき膜１８は、放熱板１０Ｂの支持面Ｈ１および側面Ｈ３にわたって延在している。言い換えれば、放熱板１０Ｂの支持面Ｈ１および側面Ｈ３は、めっき膜１８からなる。パッケージ５０Ｂの製造において、めっき膜１８は、接合材２１を用いた接合工程の前に形成される。よって本実施の形態２においては、実施の形態１とは異なり、接合材２１と放熱板１０とは、めっき膜１８を介して間接的に接合される。めっき膜１８は、例えば、Ｎｉめっき膜である。
図６は、実施の形態３に係るパッケージ５０Ｂの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ｂは、パッケージ５０（図３：実施の形態１）における放熱板１０が放熱板１０Ｂに置換された構成を有している。放熱板１０Ｂは、実施の形態１において説明された放熱板１０と、その表面に設けられためっき膜１８と、を有している。めっき膜１８は、放熱板１０Ｂの支持面Ｈ１および側面Ｈ３にわたって延在している。言い換えれば、放熱板１０Ｂの支持面Ｈ１および側面Ｈ３は、めっき膜１８からなる。パッケージ５０Ｂの製造において、めっき膜１８は、接合材２１を用いた接合工程の前に形成される。よって本実施の形態２においては、実施の形態１とは異なり、接合材２１と放熱板１０とは、めっき膜１８を介して間接的に接合される。めっき膜１８は、例えば、Ｎｉめっき膜である。
【0061】
なお、パッケージ５０の場合と同様、パッケージ５０Ｂの表面のうち、金属からなる部分の上には、めっき被膜（図示せず）が、接合材２１を用いた接合工程の後に形成されていてよい。
【0062】
本実施の形態によれば、枠体２０と、めっき膜１８を有する放熱板１０Ｂの支持面Ｈ１と、の間において、接合材２１のボイドを形成されにくくすることができる。
【0063】
＜実施の形態４＞
図７は、実施の形態４に係るパッケージ５０Ｃの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ｃ（図７）は、パッケージ５０Ｂ（図６：実施の形態３）における放熱板１０が放熱板１０Ａに置換された構成を有している。
図７は、実施の形態４に係るパッケージ５０Ｃの構成を示す概略断面図である。パッケージ５０Ｃ（図７）は、パッケージ５０Ｂ（図６：実施の形態３）における放熱板１０が放熱板１０Ａに置換された構成を有している。
【0064】
なお、パッケージ５０の場合と同様、パッケージ５０Ｃの表面のうち、金属からなる部分の上には、めっき被膜（図示せず）が、接合材２１を用いた接合工程の後に形成されていてよい。
【0065】
＜検討＞
図３に示されたパッケージ５０の構成として、比較例の試料Ａと、実施の形態１の実施例としての試料Ｂ～Ｄとが形成された。試料Ａ～Ｄに共通して、接合材２１および接合材２２としては、銀ろう材が用いられた。試料Ａの形成においては、接合材２１によって接合されることになる放熱板１０として、クラッド材１０Ｐ（図４）からワイヤーソーによって切り出された板が用いられた。よって試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３は、ワイヤーソーによる切断面そのままであった。一方、試料Ｂ～Ｄの形成においては、接合材２１によって接合されることになる放熱板１０は、上記のようにクラッド材からワイヤーソーによって切り出された板の側面Ｈ３をグラインダーによって研磨することによって準備された。
図３に示されたパッケージ５０の構成として、比較例の試料Ａと、実施の形態１の実施例としての試料Ｂ～Ｄとが形成された。試料Ａ～Ｄに共通して、接合材２１および接合材２２としては、銀ろう材が用いられた。試料Ａの形成においては、接合材２１によって接合されることになる放熱板１０として、クラッド材１０Ｐ（図４）からワイヤーソーによって切り出された板が用いられた。よって試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３は、ワイヤーソーによる切断面そのままであった。一方、試料Ｂ～Ｄの形成においては、接合材２１によって接合されることになる放熱板１０は、上記のようにクラッド材からワイヤーソーによって切り出された板の側面Ｈ３をグラインダーによって研磨することによって準備された。
【0066】
試料Ａは、図３に示されたパッケージ５０の構成を有しているものの、実施の形態１とは異なり、表面粗さに関して、下記の関係式
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされていなかった。また、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３の微細な表面形状を観察したところ、細かな凹凸が２次元的にランダムに形成されていた。言い換えれば、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３に関しては、厚み方向に沿った表面プロファイルと、水平方向に沿った表面プロファイルとで、特段の差異が観察されなかった。また、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３の光学顕微鏡写真には、実施の形態１において説明したような筋模様は観察されなかった。
Ｒａ１Ｈ×１０ ≧ Ｒａ２Ｈ
が満たされていなかった。また、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３の微細な表面形状を観察したところ、細かな凹凸が２次元的にランダムに形成されていた。言い換えれば、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３に関しては、厚み方向に沿った表面プロファイルと、水平方向に沿った表面プロファイルとで、特段の差異が観察されなかった。また、試料Ａの放熱板１０の側面Ｈ３の光学顕微鏡写真には、実施の形態１において説明したような筋模様は観察されなかった。
【0067】
一方、試料Ａと異なり、試料Ｂ～Ｄは、詳しくは後述するように、表面粗さについての上記の関係式を満たしていた。また、試料Ｂ～Ｄの放熱板１０の側面Ｈ３の微細な表面形状を観察したところ、厚み方向に沿った表面プロファイルと、水平方向に沿った表面プロファイルとで、差異が観察された。また、試料Ｂ～Ｄの放熱板１０の側面Ｈ３の光学顕微鏡写真には、前述したような筋模様が観察された。図１０は、試料Ｄの筋模様を示す顕微鏡写真である。
【0068】
上記の試料Ａ～Ｄの各々の形成において、加熱によって枠体２０と放熱板１０との間で接合材２１（ろう材）が液相化された際に、それによって形成された液体の一部が、枠体２０と放熱板１０の支持面Ｈ１との間から放熱板１０の側面Ｈ３へと流れ出した。この流出によって厚み方向において接合材２１（ろう材）が側面Ｈ３上を進行した寸法割合が、光学顕微鏡を用いて観察された。
【0069】
図８は、試料Ａにおける放熱板１０の側面Ｈ３上での接合材２１（ろう材）の流れを示す顕微鏡写真である。また図９は、試料Ｄにおける放熱板１０の側面Ｈ３上での接合材２１（ろう材）の流れを示す顕微鏡写真である。図中の矢印は、厚み方向において、放熱板１０の支持面Ｈ１（図中の上面）から底面Ｈ２（図中の下面）の方に向かって側面Ｈ３（図中に示された面）上をろう材が進行した範囲を示す。
【0070】
以上の検討結果を、下記の表１にまとめる。
【0071】
【表1】
【0072】
上記の表１における「ろう材の流れ」は、放熱板１０の厚みに対して、ろう材が進行した範囲が占める割合を示している。また上記の表１における「表面粗さ」は、単位μｍにおける小数点以下第２位で四捨五入された値を示している。
【0073】
試料Ｂにおいては、表面粗さに関して、Ｒａ１ＨおよびＲａ２Ｈの間で、
Ｒａ１Ｈ×１０ ＝ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｂでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、おおよそ１／２に低減された。
Ｒａ１Ｈ×１０ ＝ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｂでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、おおよそ１／２に低減された。
【0074】
試料Ｃにおいては、表面粗さに関して、Ｒａ１ＨおよびＲａ２Ｈの間で、
Ｒａ１Ｈ×５ ＝ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｃでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、おおよそ１／４に低減された。
Ｒａ１Ｈ×５ ＝ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｃでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、おおよそ１／４に低減された。
【0075】
試料Ｄにおいては、表面粗さに関して、Ｒａ１ＨおよびＲａ２Ｈの間で、
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｄでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、顕著に低減された。
Ｒａ１Ｈ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。試料Ｄでは、試料Ａに比して、ろう材の流れが、顕著に低減された。
【0076】
また試料Ｄの表面粗さＲａ２ＨおよびＲａ２Ｔを、単位μｍにおける小数点以下第３位で四捨五入して示すと、
Ｒａ２Ｈ ＝ ０．０５ ［μｍ］
Ｒａ２Ｔ ＝ ０．０８ ［μｍ］
であった。よって、単位μｍにおける小数点以下第３位で四捨五入されて比較された場合において、Ｒａ２ＨおよびＲａ２Ｔの間で、
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。
Ｒａ２Ｈ ＝ ０．０５ ［μｍ］
Ｒａ２Ｔ ＝ ０．０８ ［μｍ］
であった。よって、単位μｍにおける小数点以下第３位で四捨五入されて比較された場合において、Ｒａ２ＨおよびＲａ２Ｔの間で、
Ｒａ２Ｔ ＞ Ｒａ２Ｈ
が満たされていた。
【符号の説明】
【0077】
１０，１０Ａ～１０Ｃ：放熱板
１１ａ ：金属層（第２の層）
１１ｂ ：金属層
１２ａ ：金属層（第１の層）
１２ｂ，１２ｃ ：金属層
１８ ：めっき膜
２０ ：枠体
２１ ：接合材
５０，５０Ａ～５０Ｃ：パッケージ
ＣＶ ：キャビティ
１１ａ ：金属層（第２の層）
１１ｂ ：金属層
１２ａ ：金属層（第１の層）
１２ｂ，１２ｃ ：金属層
１８ ：めっき膜
２０ ：枠体
２１ ：接合材
５０，５０Ａ～５０Ｃ：パッケージ
ＣＶ ：キャビティ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
