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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023091943
(43)【公開日】2023-07-03
(54)【発明の名称】積層部材
(51)【国際特許分類】
C04B 35/84 20060101AFI20230626BHJP
B32B 3/30 20060101ALI20230626BHJP
B32B 18/00 20060101ALI20230626BHJP
C04B 37/02 20060101ALI20230626BHJP
【ＦＩ】
C04B35/84
B32B3/30
B32B18/00 A
C04B37/02 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021206834
(22)【出願日】2021-12-21
(71)【出願人】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】391040711
【氏名又は名称】ＡＧＣセラミックス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100168985
【弁理士】
【氏名又は名称】蜂谷 浩久
(74)【代理人】
【識別番号】100148080
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 史生
(74)【代理人】
【識別番号】100149401
【弁理士】
【氏名又は名称】上西 浩史
(72)【発明者】
【氏名】林 瑠衣
(72)【発明者】
【氏名】小川 修平
(72)【発明者】
【氏名】田中 公貴
(72)【発明者】
【氏名】山本 宏行
(72)【発明者】
【氏名】神田 幸一
(72)【発明者】
【氏名】神山 敏久
【テーマコード（参考）】
4F100
4G026
【Ｆターム（参考）】
4F100AB01B
4F100AB11A
4F100AB11C
4F100AB21B
4F100AD00A
4F100AD00C
4F100AD08A
4F100AD08C
4F100AR00B
4F100BA03
4F100BA10A
4F100BA10C
4F100DD05A
4F100DD05C
4F100DD07A
4F100DD07C
4F100DJ01B
4F100EH462
4F100EH46B
4F100EJ172
4F100EJ261
4F100EJ341
4F100EJ422
4F100JA02A
4F100JA02C
4F100JJ01
4F100JJ01A
4F100JJ01C
4F100JK01
4F100YY00
4F100YY00A
4F100YY00B
4F100YY00C
4G026BA14
4G026BB14
4G026BE01
4G026BF12
4G026BF13
4G026BG02
4G026BH13
(57)【要約】
【課題】従来には無い新規な積層部材を提供する。
【解決手段】本発明の積層部材は、第１セラミックス部材と、中間層と、第２セラミックス部材とをこの順に有する積層部材であって、前記積層部材の厚みは１ｍｍ～１５ｍｍであり、前記積層部材の最大長さは１０ｃｍ～４５ｃｍであり、前記積層部材の形状は平面視で円形、楕円形、多角形、またはこれらが組み合わされた形状であり、前記第１セラミックス部材は、前記中間層側の第１内側主面と、前記第１内側主面と反対向きの第１外側主面を有し、前記第２セラミックス部材は、前記中間層側の第２内側主面と、前記第２内側主面と反対向きの第２外側主面とを有し、以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも一方を満たす。
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
【選択図】図１
【解決手段】本発明の積層部材は、第１セラミックス部材と、中間層と、第２セラミックス部材とをこの順に有する積層部材であって、前記積層部材の厚みは１ｍｍ～１５ｍｍであり、前記積層部材の最大長さは１０ｃｍ～４５ｃｍであり、前記積層部材の形状は平面視で円形、楕円形、多角形、またはこれらが組み合わされた形状であり、前記第１セラミックス部材は、前記中間層側の第１内側主面と、前記第１内側主面と反対向きの第１外側主面を有し、前記第２セラミックス部材は、前記中間層側の第２内側主面と、前記第２内側主面と反対向きの第２外側主面とを有し、以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも一方を満たす。
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１セラミックス部材と、中間層と、第２セラミックス部材とをこの順に有する積層部材であって、
前記積層部材の厚みは１ｍｍ～１５ｍｍであり、
前記積層部材の最大長さは１０ｃｍ～４５ｃｍであり、
前記積層部材の形状は平面視で円形、楕円形、多角形またはこれらが組み合わされた形状であり、
前記第１セラミックス部材は、前記中間層側の第１内側主面と、前記第１内側主面と反対向きの第１外側主面を有し、
前記第２セラミックス部材は、前記中間層側の第２内側主面と、前記第２内側主面と反対向きの第２外側主面とを有し、
以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも一方を満たす、積層部材。
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
前記積層部材の厚みは１ｍｍ～１５ｍｍであり、
前記積層部材の最大長さは１０ｃｍ～４５ｃｍであり、
前記積層部材の形状は平面視で円形、楕円形、多角形またはこれらが組み合わされた形状であり、
前記第１セラミックス部材は、前記中間層側の第１内側主面と、前記第１内側主面と反対向きの第１外側主面を有し、
前記第２セラミックス部材は、前記中間層側の第２内側主面と、前記第２内側主面と反対向きの第２外側主面とを有し、
以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも一方を満たす、積層部材。
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
【請求項2】
前記第１外側主面の表面粗さは０．１μｍ～１０μｍであり、
前記第２外側主面の表面粗さは０．００１～０．２μｍである、請求項１に記載の積層部材。
前記第２外側主面の表面粗さは０．００１～０．２μｍである、請求項１に記載の積層部材。
【請求項3】
前記第１内側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つが有する溝部により、少なくとも１つの長孔が形成された、請求項１または２に記載の積層部材。
【請求項4】
前記長孔の断面積は０．１６～８．０ｍｍ２であり、
前記長孔の長さは１０ｃｍ以上である、請求項３に記載の積層部材。
前記長孔の長さは１０ｃｍ以上である、請求項３に記載の積層部材。
【請求項5】
前記第１セラミックス部材および前記第２セラミックス部材の熱伝導率は、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）～３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）である、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項6】
前記第１セラミックス部材および前記第２セラミックス部材はいずれもＳｉＳｉＣから成る、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項7】
前記中間層の厚みは０．００４ｍｍ～０．６ｍｍである、請求項１～６のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項8】
前記中間層は、接合部を含み、
前記接合部は、ＳｎおよびＩｎから選択される少なくとも１種の元素を９０質量％以上含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の積層部材。
前記接合部は、ＳｎおよびＩｎから選択される少なくとも１種の元素を９０質量％以上含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項9】
前記中間層は、更に少なくとも１つの小部材を含み、
前記中間層の厚みから前記小部材の厚みを除した値は０．５ｍｍ以下である、請求項８記載の積層部材。
前記中間層の厚みから前記小部材の厚みを除した値は０．５ｍｍ以下である、請求項８記載の積層部材。
【請求項10】
前記接合部は、Ｓｎを９０質量％以上含む、請求項８または９に記載の積層部材。
【請求項11】
前記接合部は少なくとも１つの気泡を含有し、
前記接合部と前記第１セラミックス部材との界面、または前記接合部と前記第２セラミックス部材との界面において前記気泡を測定したときに、
前記気泡の平均断面積は４ｃｍ２以下であり、
前記気泡のうち断面積が０．５ｃｍ２以上であるものの個数は１個／ｃｍ２以下である、請求項８～１０のいずれか１項に記載の積層部材。
前記接合部と前記第１セラミックス部材との界面、または前記接合部と前記第２セラミックス部材との界面において前記気泡を測定したときに、
前記気泡の平均断面積は４ｃｍ２以下であり、
前記気泡のうち断面積が０．５ｃｍ２以上であるものの個数は１個／ｃｍ２以下である、請求項８～１０のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項12】
前記積層部材の厚み方向に対して測定した熱伝導率は１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である、請求項１～１１のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項13】
せん断強度は１０ＭＰａ以上である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の積層部材。
【請求項14】
前記第１セラミックス部材および前記第２セラミックス部材の２０℃～２００℃における平均線膨張率係数は２．４ｐｐｍ／℃～４．０ｐｐｍ／℃である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の積層部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層部材に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、薄板形状のセラミックス部材について、両主面の表面粗さが異なることや、長孔や溝部を有することが求められている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００４－２９６２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところが、そのような薄板形状のセラミックス部材を得るための加工を行うと、セラミックス部材において反りや歪みが発生しやすく、これを抑制することは困難であった。
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、従来には無い新規な積層部材を提供することを目的とする。
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、従来には無い新規な積層部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態に係る積層部材は、第１セラミックス部材と、中間層と、第２セラミックス部材とをこの順に有する積層部材であって、前記積層部材の厚みは１ｍｍ～１５ｍｍであり、前記積層部材の最大長さは１０ｃｍ～４５ｃｍであり、前記積層部材の形状は平面視で円形、楕円形、多角形、またはこれらが組み合わされた形状であり、前記第１セラミックス部材は、前記中間層側の第１内側主面と、前記第１内側主面と反対向きの第１外側主面を有し、前記第２セラミックス部材は、前記中間層側の第２内側主面と、前記第２内側主面と反対向きの第２外側主面とを有し、以下の（ａ）および（ｂ）の少なくとも一方を満たす。
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
（ａ）前記第１外側主面の表面粗さと前記第２外側主面の表面粗さが異なる
（ｂ）前記第１外側主面、前記第１内側主面、前記第２外側主面および前記第２内側主面の少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部が形成されている
【発明の効果】
【0006】
本発明の一実施形態によれば、従来には無い新規な積層部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】一実施形態に係る積層部材１を模式的に示す断面図である。
【図2】積層部材１に含まれる第１セラミックス部材１１の第１外側主面１１ａの一例を模式的に示す平面図である。
【図3】積層部材１に含まれる第１セラミックス部材１１の一例を模式的に示す斜視図である。
【図4】積層部材１の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して実施形態の具体的な構成例を説明する。
以下の説明において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。前記下限値および前記上限値は、四捨五入の範囲を含む。
また、図面中、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
以下の説明において、「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。前記下限値および前記上限値は、四捨五入の範囲を含む。
また、図面中、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【0009】
図１は、一実施形態に係る積層部材１を模式的に示す断面図である。積層部材１は、第１セラミックス部材１１と、中間層１３と、第２セラミックス部材１２とが、この順で積層された積層構造を有する。
中間層１３は、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に形成される層であり、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材の少なくとも一方が反りや歪みを有していた場合に、その反りや歪みを吸収し、積層部材１の反りや歪みを解消することができる。
積層部材１は、中間層１３により反りや歪みが抑制されており、また、後述するように熱伝導性、機械特性などに優れることから、例えばＩＨ（誘導加熱）調理器などの加熱調理器のトッププレートとして好適に用いられる。加熱調理器のトッププレートとは、鍋などの調理器具が載置される部材である。
加熱調理機器のトッププレートの材料としては、従来からセラミックス等が用いられている。ところが、トッププレートの材料としてセラミックスを用いると、例えば以下のような問題が生じる。
（ア）トッププレートの両主面が異なる表面粗さを有するように、トッププレートの両主面をそれぞれ加工すると、その加工の過程で反りや歪みが生じ、結果として、調理器具を安定に載置できない等の問題が生じる。なお、明細書中、「主面」とは、部材（この場合は、トッププレート）の厚み方向と直交する面である。
（イ）トッププレートに、加熱ヒーター（例えば、ニクロム線加熱ヒーター）を埋め込むことや、滑り止めの機能を得ることを目的として、トッププレートの主面に溝部を形成するための加工を行うと、その加工の過程で反りや歪みが生じ、結果として、調理器具を安定に載置できない等の問題が生じる。
（ウ）トッププレートに、トッププレートおよび調理器具の温度を把握および制御するための熱電対等の棒状部材を差し込むことを目的として、ドリル加工等の通常の穴あけ加工により長孔を形成しようとすると、セラミックスは極めて高硬度であるため、加工工具が破損する、十分な断面積や長さを有する長孔が得られない等の問題が生じる。
他方、トッププレートとして積層部材１を用いれば、積層部材１は、中間層１３により反りや歪みが抑制されているので、上記（ア）または（イ）のような問題が発生する恐れがない。
また、トッププレートとして後述する内側溝部１４ｂに由来する長孔を有する積層部材１を用いれば、内側溝部１４ｂの製法は後述するが、ドリル加工等の穴あけ加工をする場合に比べて、上記（ウ）のような問題が発生する恐れがない。
なお、デザイン性や防汚性の向上のために、積層部材１に、他の部材（ガラス部材、セラミックス部材、金属部材など）を接合してもよい。ガラス部材を接合する場合は、積層部材１とガラス部材とを、接合材により接合してもよい。この場合、接合材としては樹脂が好ましく、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が用いられる。ガラス部材を接合した積層部材１は、例えば、システムキッチンのワークトップの一部を構成するトッププレートとして用いられる。
以上、積層部材１の用途について述べたが、積層部材１の用途は加熱調理器のトッププレートに限定されず、その他に、加熱実験用電気炉のヒーター部材、半導体デバイス製造装置用部材等が挙げられる。
中間層１３は、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に形成される層であり、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材の少なくとも一方が反りや歪みを有していた場合に、その反りや歪みを吸収し、積層部材１の反りや歪みを解消することができる。
積層部材１は、中間層１３により反りや歪みが抑制されており、また、後述するように熱伝導性、機械特性などに優れることから、例えばＩＨ（誘導加熱）調理器などの加熱調理器のトッププレートとして好適に用いられる。加熱調理器のトッププレートとは、鍋などの調理器具が載置される部材である。
加熱調理機器のトッププレートの材料としては、従来からセラミックス等が用いられている。ところが、トッププレートの材料としてセラミックスを用いると、例えば以下のような問題が生じる。
（ア）トッププレートの両主面が異なる表面粗さを有するように、トッププレートの両主面をそれぞれ加工すると、その加工の過程で反りや歪みが生じ、結果として、調理器具を安定に載置できない等の問題が生じる。なお、明細書中、「主面」とは、部材（この場合は、トッププレート）の厚み方向と直交する面である。
（イ）トッププレートに、加熱ヒーター（例えば、ニクロム線加熱ヒーター）を埋め込むことや、滑り止めの機能を得ることを目的として、トッププレートの主面に溝部を形成するための加工を行うと、その加工の過程で反りや歪みが生じ、結果として、調理器具を安定に載置できない等の問題が生じる。
（ウ）トッププレートに、トッププレートおよび調理器具の温度を把握および制御するための熱電対等の棒状部材を差し込むことを目的として、ドリル加工等の通常の穴あけ加工により長孔を形成しようとすると、セラミックスは極めて高硬度であるため、加工工具が破損する、十分な断面積や長さを有する長孔が得られない等の問題が生じる。
他方、トッププレートとして積層部材１を用いれば、積層部材１は、中間層１３により反りや歪みが抑制されているので、上記（ア）または（イ）のような問題が発生する恐れがない。
また、トッププレートとして後述する内側溝部１４ｂに由来する長孔を有する積層部材１を用いれば、内側溝部１４ｂの製法は後述するが、ドリル加工等の穴あけ加工をする場合に比べて、上記（ウ）のような問題が発生する恐れがない。
なお、デザイン性や防汚性の向上のために、積層部材１に、他の部材（ガラス部材、セラミックス部材、金属部材など）を接合してもよい。ガラス部材を接合する場合は、積層部材１とガラス部材とを、接合材により接合してもよい。この場合、接合材としては樹脂が好ましく、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が用いられる。ガラス部材を接合した積層部材１は、例えば、システムキッチンのワークトップの一部を構成するトッププレートとして用いられる。
以上、積層部材１の用途について述べたが、積層部材１の用途は加熱調理器のトッププレートに限定されず、その他に、加熱実験用電気炉のヒーター部材、半導体デバイス製造装置用部材等が挙げられる。
【0010】
＜セラミックス部材＞
第１セラミックス部材１１は、中間層１３側の面である第１内側主面１１ｂと、第１内側主面１１ｂと対向する面である第１外側主面１１ａとを有する。
第２セラミックス部材１２は、中間層１３側の面である第２内側主面１２ｂと、第２内側主面１２ｂと対向する面である第２外側主面１２ａとを有する。
以下、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２に共通する特徴については、特に断りのない限り、「セラミックス部材」の特徴として説明する。第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２は、以下に記載する「セラミックス部材」の特徴を満たしていれば、同一のものであってもよく、異なるものであってもよい。
第１セラミックス部材１１は、中間層１３側の面である第１内側主面１１ｂと、第１内側主面１１ｂと対向する面である第１外側主面１１ａとを有する。
第２セラミックス部材１２は、中間層１３側の面である第２内側主面１２ｂと、第２内側主面１２ｂと対向する面である第２外側主面１２ａとを有する。
以下、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２に共通する特徴については、特に断りのない限り、「セラミックス部材」の特徴として説明する。第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２は、以下に記載する「セラミックス部材」の特徴を満たしていれば、同一のものであってもよく、異なるものであってもよい。
【0011】
（材料）
セラミックス部材は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはＳｉとＳｉＣの複合材料（ＳｉＳｉＣ）から成る。
セラミックス部材は、熱伝導性、機械特性などに優れることから、ＳｉＣまたはＳｉＳｉＣから成ることが好ましく、ＳｉＳｉＣから成ることがより好ましい。
セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合、セラミックス部材は、セラミックス部材の全質量に対して、４０質量％～９２質量％のＳｉＣと、Ｓｉを８質量％～６０質量％と含むセラミックスであるのが好ましく、５０質量％～８７質量％のＳｉＣと、１３質量％～５０質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのがより好ましく、５５質量％～８２質量％のＳｉＣと、１８質量％～４５質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが更に好ましく、６０質量％～７７質量％のＳｉＣと、２３質量％～４０質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが特に好ましく、６５質量％～７２質量％のＳｉＣと、２８質量％～３５質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが最も好ましい。
セラミックス部材におけるＳｉＣおよびＳｉの含有量が上記範囲内であれば、セラミックス部材は、熱的特性と機械的特性のバランスが優れる。
セラミックス部材は、焼結助剤を由来とする成分や微量の不純物等を含んでいてもよい。不純物は、特に限定されないが、例えば鉄（Ｆｅ）である。焼結助剤は、特に限定されないが、例えば酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。
セラミックス部材の組成は、重量法やＩＣＰ発行分光分析により測定できる。
セラミックス部材は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはＳｉとＳｉＣの複合材料（ＳｉＳｉＣ）から成る。
セラミックス部材は、熱伝導性、機械特性などに優れることから、ＳｉＣまたはＳｉＳｉＣから成ることが好ましく、ＳｉＳｉＣから成ることがより好ましい。
セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合、セラミックス部材は、セラミックス部材の全質量に対して、４０質量％～９２質量％のＳｉＣと、Ｓｉを８質量％～６０質量％と含むセラミックスであるのが好ましく、５０質量％～８７質量％のＳｉＣと、１３質量％～５０質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのがより好ましく、５５質量％～８２質量％のＳｉＣと、１８質量％～４５質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが更に好ましく、６０質量％～７７質量％のＳｉＣと、２３質量％～４０質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが特に好ましく、６５質量％～７２質量％のＳｉＣと、２８質量％～３５質量％のＳｉとを含むセラミックスであるのが最も好ましい。
セラミックス部材におけるＳｉＣおよびＳｉの含有量が上記範囲内であれば、セラミックス部材は、熱的特性と機械的特性のバランスが優れる。
セラミックス部材は、焼結助剤を由来とする成分や微量の不純物等を含んでいてもよい。不純物は、特に限定されないが、例えば鉄（Ｆｅ）である。焼結助剤は、特に限定されないが、例えば酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、アルミニウム（Ａｌ）が挙げられる。
セラミックス部材の組成は、重量法やＩＣＰ発行分光分析により測定できる。
【0012】
（平均線膨張係数）
セラミックス部材の２０℃～２００℃における平均線膨張率係数（以下、単に「平均線膨張係数」とも呼ぶ。）は、２．４ｐｐｍ／℃以上が好ましく、２．６ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、２．８ｐｐｍ／℃以上が更に好ましく、３．０ｐｐｍ／℃以上が特に好ましい。
セラミックス部材の平均線膨張率係数は、４．０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．７ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、３．４ｐｐｍ／℃以下が更に好ましく、３．２ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。
セラミックス部材の平均線膨張率係数が上記範囲内であれば、温度変化による積層部材１の変形を十分に抑制することができる。また、システムキッチンのワークトップの一部を構成するトッププレートとして、ガラス部材を接合した積層部材１を用いる場合に、ガラスと積層部材１との平均線膨張係数の差を小さくすることができ、平均線熱膨張係数の違いに起因する反りや歪みの発生を抑制することができる。
平均線膨張係数は、測定する温度範囲を－５０℃～２００℃とした熱膨張計（Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）や、熱機械分析装置（ＴＭＡ）により測定できる。
セラミックス部材の平均線膨張係数を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲内に調節する方法が挙げられる。
セラミックス部材の２０℃～２００℃における平均線膨張率係数（以下、単に「平均線膨張係数」とも呼ぶ。）は、２．４ｐｐｍ／℃以上が好ましく、２．６ｐｐｍ／℃以上がより好ましく、２．８ｐｐｍ／℃以上が更に好ましく、３．０ｐｐｍ／℃以上が特に好ましい。
セラミックス部材の平均線膨張率係数は、４．０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、３．７ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、３．４ｐｐｍ／℃以下が更に好ましく、３．２ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。
セラミックス部材の平均線膨張率係数が上記範囲内であれば、温度変化による積層部材１の変形を十分に抑制することができる。また、システムキッチンのワークトップの一部を構成するトッププレートとして、ガラス部材を接合した積層部材１を用いる場合に、ガラスと積層部材１との平均線膨張係数の差を小さくすることができ、平均線熱膨張係数の違いに起因する反りや歪みの発生を抑制することができる。
平均線膨張係数は、測定する温度範囲を－５０℃～２００℃とした熱膨張計（Ｄｉｌａｔｏｍｅｔｅｒ）や、熱機械分析装置（ＴＭＡ）により測定できる。
セラミックス部材の平均線膨張係数を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲内に調節する方法が挙げられる。
【0013】
（熱伝導率）
セラミックス部材の２０℃における熱伝導率は、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が好ましく、１６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより好ましく、１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が更に好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより更に好ましく、２２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が特に好ましい。
セラミックス部材の熱伝導率は、３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が好ましく、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下がより好ましく、２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が更に好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が特に好ましい。
セラミックス部材の熱伝導率が上記範囲内であれば、加熱部材として均熱性が向上する。また、セラミックス部材の熱伝導率が上記範囲内であれば、セラミックス部材の製造時に熱伝導率がばらつくことによる歩留まりの低下を防ぐことができ、セラミックス部材の品質を安定させやすい。
セラミックス部材の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法により求めることができる。具体的には、例えば、セラミックス部材から任意の１０箇所を切り出して小片を得た後、 それぞれの小片に対しレーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定し、最低値をセラミックス部材の熱伝導率とする。
セラミックス部材の熱伝導率を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
セラミックス部材の２０℃における熱伝導率は、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が好ましく、１６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより好ましく、１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が更に好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより更に好ましく、２２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が特に好ましい。
セラミックス部材の熱伝導率は、３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が好ましく、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下がより好ましく、２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が更に好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が特に好ましい。
セラミックス部材の熱伝導率が上記範囲内であれば、加熱部材として均熱性が向上する。また、セラミックス部材の熱伝導率が上記範囲内であれば、セラミックス部材の製造時に熱伝導率がばらつくことによる歩留まりの低下を防ぐことができ、セラミックス部材の品質を安定させやすい。
セラミックス部材の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法により求めることができる。具体的には、例えば、セラミックス部材から任意の１０箇所を切り出して小片を得た後、 それぞれの小片に対しレーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定し、最低値をセラミックス部材の熱伝導率とする。
セラミックス部材の熱伝導率を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
【0014】
（ヤング率）
セラミックス部材のヤング率は、３００ＧＰａ以上が好ましく、３２０ＧＰａ以上がより好ましく、３５０ＧＰａ以上が更に好ましく、３７０ＧＰａ以上が特に好ましい。セラミックス部材のヤング率が３００ＧＰａ以上であれば、積層部材１が耐衝撃性に優れる。
セラミックス部材のヤング率は、４２０Ｇｐａ以下が好ましく、４１０ＧＰａ以下がより好ましく、４００ＧＰａ以下が更に好ましく、３９０ＧＰａ以下が特に好ましい。セラミックス部材のヤング率が４２０ＧＰａ以下であれば、中間層１３がセラミックス部材の反りや歪みを吸収しやすくなり、結果として積層部材１の平面度が向上する。
一般に、ヤング率が低いほど耐熱衝撃性は高く、セラミックス部材は、他の炭化ケイ素質のセラミックスに比べヤング率が低くなる傾向にある。
セラミックス部材のヤング率は、日本工業規格（ＪＩＳ Ｒ１６０２：１９９５）に記載された弾性率試験方法（超音波パルス法：動的弾性率）により２０℃で測定できる。
セラミックス部材のヤング率を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
セラミックス部材のヤング率は、３００ＧＰａ以上が好ましく、３２０ＧＰａ以上がより好ましく、３５０ＧＰａ以上が更に好ましく、３７０ＧＰａ以上が特に好ましい。セラミックス部材のヤング率が３００ＧＰａ以上であれば、積層部材１が耐衝撃性に優れる。
セラミックス部材のヤング率は、４２０Ｇｐａ以下が好ましく、４１０ＧＰａ以下がより好ましく、４００ＧＰａ以下が更に好ましく、３９０ＧＰａ以下が特に好ましい。セラミックス部材のヤング率が４２０ＧＰａ以下であれば、中間層１３がセラミックス部材の反りや歪みを吸収しやすくなり、結果として積層部材１の平面度が向上する。
一般に、ヤング率が低いほど耐熱衝撃性は高く、セラミックス部材は、他の炭化ケイ素質のセラミックスに比べヤング率が低くなる傾向にある。
セラミックス部材のヤング率は、日本工業規格（ＪＩＳ Ｒ１６０２：１９９５）に記載された弾性率試験方法（超音波パルス法：動的弾性率）により２０℃で測定できる。
セラミックス部材のヤング率を上記範囲にする方法としては、ＳｉＣとＳｉとの含有量を上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
【0015】
（曲げ強度）
セラミックス部材の曲げ強度は、１３０ＭＰａ以上が好ましく、２００ＭＰａ以上がより好ましく、２２０ＭＰａ以上が更に好ましく、２３０ＭＰａ以上が特に好ましい。
セラミックス部材の曲げ強度は、３００ＭＰａ以下が好ましく、２６０ＭＰａ以下がより好ましく、２５０ＭＰａ以下が更に好ましく、２４０ＭＰａ以下が特に好ましい。
セラミックス部材の曲げ強度が上記範囲内であれば、落下物によるセラミックス部材ひいては積層部材１の割れを防止でき、耐衝撃性を高めることができる。
セラミックス部材の曲げ強度は、日本工業規格（ＪＩＳ Ｒ１６０１：２００８）に記載された曲げ強さ試験方法（４点曲げ強さ）により２０℃で測定できる。
セラミックス部材の曲げ強度は、１３０ＭＰａ以上が好ましく、２００ＭＰａ以上がより好ましく、２２０ＭＰａ以上が更に好ましく、２３０ＭＰａ以上が特に好ましい。
セラミックス部材の曲げ強度は、３００ＭＰａ以下が好ましく、２６０ＭＰａ以下がより好ましく、２５０ＭＰａ以下が更に好ましく、２４０ＭＰａ以下が特に好ましい。
セラミックス部材の曲げ強度が上記範囲内であれば、落下物によるセラミックス部材ひいては積層部材１の割れを防止でき、耐衝撃性を高めることができる。
セラミックス部材の曲げ強度は、日本工業規格（ＪＩＳ Ｒ１６０１：２００８）に記載された曲げ強さ試験方法（４点曲げ強さ）により２０℃で測定できる。
【0016】
（ビッカース硬さ）
セラミックス部材のビッカース硬さ（Ｈｖ）は、２０ＧＰａ以上が好ましく、２１ＧＰａ以上がより好ましく、２２ＧＰａ以上が更に好ましく、２３ＧＰａ以上が特に好ましい。
セラミックス部材のビッカース硬さは、２７ＧＰａ以下が好ましく、２６ＧＰａ以下がより好ましく、２５ＧＰａ以下が更に好ましく、２４ＧＰａ以下が特に好ましい。
セラミックス部材のビッカース硬さが上記範囲内であれば、セラミックス部材ひいては積層部材１の耐擦傷性が向上する。
セラミックス部材のビッカース硬さは、ビッカース硬さ計システムにより２０℃で測定できる。
セラミックス部材のビッカース硬さ（Ｈｖ）は、２０ＧＰａ以上が好ましく、２１ＧＰａ以上がより好ましく、２２ＧＰａ以上が更に好ましく、２３ＧＰａ以上が特に好ましい。
セラミックス部材のビッカース硬さは、２７ＧＰａ以下が好ましく、２６ＧＰａ以下がより好ましく、２５ＧＰａ以下が更に好ましく、２４ＧＰａ以下が特に好ましい。
セラミックス部材のビッカース硬さが上記範囲内であれば、セラミックス部材ひいては積層部材１の耐擦傷性が向上する。
セラミックス部材のビッカース硬さは、ビッカース硬さ計システムにより２０℃で測定できる。
【0017】
（形状）
セラミックス部材の形状は、平面視で円形、楕円形、多角形、またはこれらが組み合わされた形状である。セラミックス部材を加熱調理機器のトッププレートとして用いる場合は、円形を含む形状であることが好ましい。
セラミックス部材の最大長さは、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、２０ｃｍ以上が更に好ましく、２５ｃｍ以上が特に好ましい。
セラミックス部材の最大長さは、４５ｃｍ以下が好ましく、３９ｃｍ以下がより好ましく、３７ｃｍ以下が更に好ましく、３５ｃｍ以下が特に好ましい。
セラミックス部材の最大長さが上記範囲内であれば、積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に好適である。
なお、明細書中、「最大長さ」とは、部材の有する最大の長さを意味する。具体的には、例えば、セラミックス部材が平面視で円形である場合はその直径であり、平面視で四角形である場合は最大の対角線の長さであり、平面視で円形と四角形とを組み合わせた形状である場合は当該円形の直径および当該四角形の最大の対角線の長さのうちの長い方である。
セラミックス部材の厚みは、０．５ｍｍ以上が好ましく、１ｍｍ以上がより好ましく、２ｍｍ以上が更に好ましく、２．５ｍｍ以上が特に好ましい。セラミックス部材の厚みが０．５ｍｍ以上であれば、セラミックス部材が耐衝撃性に優れ、また、後述の溝部１４を好適に形成することができる。また、セラミックス部材の厚みが０．５ｍｍ以上であれば、後述する加工の工程（ステップＳ４４）の際に、セラミックス部材に反りや歪みが発生するのを抑制することができる。
セラミックス部材の厚みは、１２ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、８ｍｍ以下が更に好ましく、７ｍｍ以下が特に好ましい。セラミックス部材の厚みが１５ｍｍ以下であれば、セラミックス部材が放熱性および均熱性に優れる。
セラミックス部材の最大長さおよび厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
セラミックス部材の形状は、平面視で円形、楕円形、多角形、またはこれらが組み合わされた形状である。セラミックス部材を加熱調理機器のトッププレートとして用いる場合は、円形を含む形状であることが好ましい。
セラミックス部材の最大長さは、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、２０ｃｍ以上が更に好ましく、２５ｃｍ以上が特に好ましい。
セラミックス部材の最大長さは、４５ｃｍ以下が好ましく、３９ｃｍ以下がより好ましく、３７ｃｍ以下が更に好ましく、３５ｃｍ以下が特に好ましい。
セラミックス部材の最大長さが上記範囲内であれば、積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に好適である。
なお、明細書中、「最大長さ」とは、部材の有する最大の長さを意味する。具体的には、例えば、セラミックス部材が平面視で円形である場合はその直径であり、平面視で四角形である場合は最大の対角線の長さであり、平面視で円形と四角形とを組み合わせた形状である場合は当該円形の直径および当該四角形の最大の対角線の長さのうちの長い方である。
セラミックス部材の厚みは、０．５ｍｍ以上が好ましく、１ｍｍ以上がより好ましく、２ｍｍ以上が更に好ましく、２．５ｍｍ以上が特に好ましい。セラミックス部材の厚みが０．５ｍｍ以上であれば、セラミックス部材が耐衝撃性に優れ、また、後述の溝部１４を好適に形成することができる。また、セラミックス部材の厚みが０．５ｍｍ以上であれば、後述する加工の工程（ステップＳ４４）の際に、セラミックス部材に反りや歪みが発生するのを抑制することができる。
セラミックス部材の厚みは、１２ｍｍ以下が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、８ｍｍ以下が更に好ましく、７ｍｍ以下が特に好ましい。セラミックス部材の厚みが１５ｍｍ以下であれば、セラミックス部材が放熱性および均熱性に優れる。
セラミックス部材の最大長さおよび厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
【0018】
（表面粗さ）
第１外側主面１１ａの表面粗さＲａ１は、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、０．８μｍ以上が更に好ましく、１．０μｍ以上が特に好ましい。
表面粗さＲａ１は、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましく、３μｍ以下が特に好ましい。
表面粗さＲａ１が上記範囲内であれば、第１外側主面１１ａ側に、ガラス部材等の他の部材を接合させる場合に、第１外側主面１１ａと接合材との接触面積が十分大きいため、高い接合強度を得ることが出来る。
他方、第２外側主面１２ａの表面粗さＲａ２は、０．００１μｍ以上が好ましく、０．００５μｍ以上がより好ましく、０．００８μｍ以上が更に好ましく、０．０１μｍ以上が特に好ましい。
表面粗さＲａ２は、０．２μｍ以下が好ましく、０．１５μｍ以下がより好ましく、０．１２μｍ以下が更に好ましく、０．１μｍ以下が特に好ましい。
表面粗さＲａ２が上記範囲内であれば、例えば第２外側主面１２ａ上に調理器具を載置した場合に、第２外側主面１２ａと調理器具との密着性がよいため、効率的にヒーターの熱を調理器具に伝達することができる。
表面粗さＲａ１および表面粗さＲａ２は、触診式表面粗さ測定器やレーザー顕微鏡、もしくは原子間力顕微鏡により測定できる。
第１外側主面１１ａの表面粗さＲａ１は、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、０．８μｍ以上が更に好ましく、１．０μｍ以上が特に好ましい。
表面粗さＲａ１は、１０μｍ以下が好ましく、７μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下が更に好ましく、３μｍ以下が特に好ましい。
表面粗さＲａ１が上記範囲内であれば、第１外側主面１１ａ側に、ガラス部材等の他の部材を接合させる場合に、第１外側主面１１ａと接合材との接触面積が十分大きいため、高い接合強度を得ることが出来る。
他方、第２外側主面１２ａの表面粗さＲａ２は、０．００１μｍ以上が好ましく、０．００５μｍ以上がより好ましく、０．００８μｍ以上が更に好ましく、０．０１μｍ以上が特に好ましい。
表面粗さＲａ２は、０．２μｍ以下が好ましく、０．１５μｍ以下がより好ましく、０．１２μｍ以下が更に好ましく、０．１μｍ以下が特に好ましい。
表面粗さＲａ２が上記範囲内であれば、例えば第２外側主面１２ａ上に調理器具を載置した場合に、第２外側主面１２ａと調理器具との密着性がよいため、効率的にヒーターの熱を調理器具に伝達することができる。
表面粗さＲａ１および表面粗さＲａ２は、触診式表面粗さ測定器やレーザー顕微鏡、もしくは原子間力顕微鏡により測定できる。
【0019】
（金属層）
図示しないが、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方は、金属層を有していてもよい。
金属層は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも１種の元素（以下、単に「元素Ａ」とも呼ぶ。）を主成分とする層である。
金属層における元素Ａの含有量は、金属層の全質量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が更に好ましい。
金属層の厚みは、０．０１μｍ～１００μｍが好ましく、０．１μｍ～２５μｍがより好ましく、１μｍ～１５μｍが更に好ましい。
第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方が上記のような金属層を有することにより、金属層を有する第１内側主面１１ｂまたは第２内側主面１２ｂと中間層１３との接合強度を向上させることができる。
図示しないが、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方は、金属層を有していてもよい。
金属層は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）から選択される少なくとも１種の元素（以下、単に「元素Ａ」とも呼ぶ。）を主成分とする層である。
金属層における元素Ａの含有量は、金属層の全質量に対して、９０質量％以上が好ましく、９５質量％以上がより好ましく、９９質量％以上が更に好ましい。
金属層の厚みは、０．０１μｍ～１００μｍが好ましく、０．１μｍ～２５μｍがより好ましく、１μｍ～１５μｍが更に好ましい。
第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方が上記のような金属層を有することにより、金属層を有する第１内側主面１１ｂまたは第２内側主面１２ｂと中間層１３との接合強度を向上させることができる。
【0020】
（溝部）
第１外側主面１１ａ、第１内側主面１１ｂ、第２外側主面１２ａおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部１４が形成されていてもよい。
溝部１４は、第１外側主面１１ａおよび第２外側主面１２ａの少なくとも一方に形成された外側溝部１４ａと、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方に形成された内側溝部１４ｂを含む。図１では、一例として、外側溝部１４ａは第１外側主面１１ａのみに、内側溝部１４ｂは第１内側主面１１ｂのみに形成されている場合を示している。
以下、図１～図３を用いて、溝部１４の特徴について説明する。なお、方向の説明のために、図１～図３に共通するｘ、ｙ、ｚ方向をそれぞれ定義して説明する場合がある。
第１外側主面１１ａ、第１内側主面１１ｂ、第２外側主面１２ａおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも１つに、少なくとも１つの溝部１４が形成されていてもよい。
溝部１４は、第１外側主面１１ａおよび第２外側主面１２ａの少なくとも一方に形成された外側溝部１４ａと、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方に形成された内側溝部１４ｂを含む。図１では、一例として、外側溝部１４ａは第１外側主面１１ａのみに、内側溝部１４ｂは第１内側主面１１ｂのみに形成されている場合を示している。
以下、図１～図３を用いて、溝部１４の特徴について説明する。なお、方向の説明のために、図１～図３に共通するｘ、ｙ、ｚ方向をそれぞれ定義して説明する場合がある。
【0021】
《外側溝部》
図２は、第１外側主面１１ａの一例を模式的に示す平面図である。図２では、第１外側主面１１ａが渦巻状の外側溝部１４ａを有する場合を示している。
外側溝部１４ａの形状（ｘｙ平面における形状）は、図２では渦巻状であるが、特に限定されず、例えば格子状や縞模様状であってもよく、複数の溝部が交差していてもよい。
外側溝部１４ａの断面形状（ｙｚ平面における断面の形状）は、特に限定されず、例えば矩形状や、矩形状の角部が曲線状となった形状（いわゆるＵ字型）であってもよい。
外側溝部１４ａの幅（ｘｙ平面における幅）は、１～２０ｍｍが好ましく、３～１５ｍｍがさらに好ましく、５～１２ｍｍが特に好ましい。
外側溝部１４ａの深さ（ｚ方向の深さ）は、セラミックス部材の厚み等によって適宜選択されるが、例えば１～１２ｍｍが好ましく、２～１０ｍｍがさらに好ましく、３～６ｍｍが特に好ましい。
外側溝部１４ａが上記のような形状、幅、深さを有していれば、第１セラミックス部材１１に加熱ヒーター（例えば、ニクロム線加熱ヒーター）を埋め込むことや、滑り止めの機能を得ることが可能となる。
図２は、第１外側主面１１ａの一例を模式的に示す平面図である。図２では、第１外側主面１１ａが渦巻状の外側溝部１４ａを有する場合を示している。
外側溝部１４ａの形状（ｘｙ平面における形状）は、図２では渦巻状であるが、特に限定されず、例えば格子状や縞模様状であってもよく、複数の溝部が交差していてもよい。
外側溝部１４ａの断面形状（ｙｚ平面における断面の形状）は、特に限定されず、例えば矩形状や、矩形状の角部が曲線状となった形状（いわゆるＵ字型）であってもよい。
外側溝部１４ａの幅（ｘｙ平面における幅）は、１～２０ｍｍが好ましく、３～１５ｍｍがさらに好ましく、５～１２ｍｍが特に好ましい。
外側溝部１４ａの深さ（ｚ方向の深さ）は、セラミックス部材の厚み等によって適宜選択されるが、例えば１～１２ｍｍが好ましく、２～１０ｍｍがさらに好ましく、３～６ｍｍが特に好ましい。
外側溝部１４ａが上記のような形状、幅、深さを有していれば、第１セラミックス部材１１に加熱ヒーター（例えば、ニクロム線加熱ヒーター）を埋め込むことや、滑り止めの機能を得ることが可能となる。
【0022】
《内側溝部》
図３は、第１セラミックス部材１１の一例を模式的に示す斜視図である。図３では、第１内側主面１１ｂが直線状の内側溝部１４ｂを有する場合を示している。
内側溝部１４ｂの形状（ｘｙ平面における形状）は、図３では直線状であるが、特に限定されず、例えば曲線状、渦巻状であってもよい。
内側溝部１４ｂの断面形状（ｙｚ平面における断面の形状）は、図３では矩形状であるが、特に限定されず、例えば矩形状の角部が曲線状となった形状（いわゆるＵ字型）であってもよい。
内側溝部１４ｂの幅ｗ（ｙ方向の幅）は、０．４ｍｍ以上が好ましく、０．７ｍｍ以上がより好ましく、１．０ｍｍ以上が更に好ましく、１．２ｍｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの幅ｗは、４．０ｍｍ以下が好ましく、３．０ｍｍ以下がより好ましく、２．０ｍｍ以下が更に好ましく、１．６ｍｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの幅は、デプスマイクロメータや三次元測定機により測定できる。
内側溝部１４ｂの深さｄ（ｚ方向の深さ）は、０．４ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましく、０．６ｍｍ以上が更に好ましく、０．７ｍｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの深さｄは、２．０ｍｍ以下が好ましく、１．８ｍｍ以下がより好ましく、１．７ｍｍ以下が更に好ましく、１．６ｍｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの深さｄは、デプスマイクロメータや三次元測定機により測定できる。
内側溝部１４ｂの長さｌ（内側溝部１４ｂの幅ｗの中心を結んで得られる中心線の長さ）は、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、１８ｃｍ以上が更に好ましく、２０ｃｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの長さｌは、４０ｃｍ以下が好ましく、３８ｃｍ以下が好ましく、３５ｃｍ以下が更に好ましく、３２ｃｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの長さｌは、ノギスやデジタルメジャーにより測定するか、内側溝部１４ｂが曲線状や渦巻状であるときは、画像解析により測定できる。
内側溝部１４ｂの最大変位量α（内側溝部１４ｂの幅ｗの中心を結んで得られる中心線ｋの、ｙ方向へ変位量の最大値）は、０．３ｍｍ以下が好ましい。内側溝部１４ｂの最大変位量αは、０．２５ｍｍ以下がより好ましく、０．２ｍｍ以下が更に好ましく、０．１５ｍｍ以下が特に好ましい。
内側溝部１４ｂの最大変位量αは、Ｘ線ＣＴ測定により求めることができる。具体的には、積層部材１に対し高精度μフォーカスエックス線ＣＴ装置（東芝ＩＴコントロールシステム株式会社製：ＴＯＳＣＡＮＥＲ－３００００μＣＭ）を用いて得られたＸ線ＣＴ像から解析することができる。
内側溝部１４ｂが上記のような形状、幅、深さ、長さ、および最大変位量を有していれば、積層部材１に、内側溝部１４ｂに由来する長孔が形成され、当該長孔に熱電対などの棒状部材を差し込み、積層部材１の温度を厳密に制御することが可能となる。
図３は、第１セラミックス部材１１の一例を模式的に示す斜視図である。図３では、第１内側主面１１ｂが直線状の内側溝部１４ｂを有する場合を示している。
内側溝部１４ｂの形状（ｘｙ平面における形状）は、図３では直線状であるが、特に限定されず、例えば曲線状、渦巻状であってもよい。
内側溝部１４ｂの断面形状（ｙｚ平面における断面の形状）は、図３では矩形状であるが、特に限定されず、例えば矩形状の角部が曲線状となった形状（いわゆるＵ字型）であってもよい。
内側溝部１４ｂの幅ｗ（ｙ方向の幅）は、０．４ｍｍ以上が好ましく、０．７ｍｍ以上がより好ましく、１．０ｍｍ以上が更に好ましく、１．２ｍｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの幅ｗは、４．０ｍｍ以下が好ましく、３．０ｍｍ以下がより好ましく、２．０ｍｍ以下が更に好ましく、１．６ｍｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの幅は、デプスマイクロメータや三次元測定機により測定できる。
内側溝部１４ｂの深さｄ（ｚ方向の深さ）は、０．４ｍｍ以上が好ましく、０．５ｍｍ以上がより好ましく、０．６ｍｍ以上が更に好ましく、０．７ｍｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの深さｄは、２．０ｍｍ以下が好ましく、１．８ｍｍ以下がより好ましく、１．７ｍｍ以下が更に好ましく、１．６ｍｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの深さｄは、デプスマイクロメータや三次元測定機により測定できる。
内側溝部１４ｂの長さｌ（内側溝部１４ｂの幅ｗの中心を結んで得られる中心線の長さ）は、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、１８ｃｍ以上が更に好ましく、２０ｃｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの長さｌは、４０ｃｍ以下が好ましく、３８ｃｍ以下が好ましく、３５ｃｍ以下が更に好ましく、３２ｃｍ以下が特に好ましい。なお、内側溝部１４ｂの長さｌは、ノギスやデジタルメジャーにより測定するか、内側溝部１４ｂが曲線状や渦巻状であるときは、画像解析により測定できる。
内側溝部１４ｂの最大変位量α（内側溝部１４ｂの幅ｗの中心を結んで得られる中心線ｋの、ｙ方向へ変位量の最大値）は、０．３ｍｍ以下が好ましい。内側溝部１４ｂの最大変位量αは、０．２５ｍｍ以下がより好ましく、０．２ｍｍ以下が更に好ましく、０．１５ｍｍ以下が特に好ましい。
内側溝部１４ｂの最大変位量αは、Ｘ線ＣＴ測定により求めることができる。具体的には、積層部材１に対し高精度μフォーカスエックス線ＣＴ装置（東芝ＩＴコントロールシステム株式会社製：ＴＯＳＣＡＮＥＲ－３００００μＣＭ）を用いて得られたＸ線ＣＴ像から解析することができる。
内側溝部１４ｂが上記のような形状、幅、深さ、長さ、および最大変位量を有していれば、積層部材１に、内側溝部１４ｂに由来する長孔が形成され、当該長孔に熱電対などの棒状部材を差し込み、積層部材１の温度を厳密に制御することが可能となる。
【0023】
＜中間層＞
中間層１３は、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に形成さる層であり、セラミックス部材が反りや歪みを有していた場合に、その反りや歪みを吸収し、積層部材１の反りや歪みを解消することができる。従って、積層部材１は、セラミックス部材を単体で用いる場合に比べて反りや歪みが抑制される。
中間層１３は、接合部１３１を有し、接合部１３１とは別に、小部材１３２を更に有していてもよい。また、接合部１３１は、気泡１３３を含有していてもよい。なお、図１では図示しないが、中間層１３は、必要に応じて、接合部１３１と小部材１３２以外にも、他の部分や部材を更に有してもよい。
中間層１３は、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に形成さる層であり、セラミックス部材が反りや歪みを有していた場合に、その反りや歪みを吸収し、積層部材１の反りや歪みを解消することができる。従って、積層部材１は、セラミックス部材を単体で用いる場合に比べて反りや歪みが抑制される。
中間層１３は、接合部１３１を有し、接合部１３１とは別に、小部材１３２を更に有していてもよい。また、接合部１３１は、気泡１３３を含有していてもよい。なお、図１では図示しないが、中間層１３は、必要に応じて、接合部１３１と小部材１３２以外にも、他の部分や部材を更に有してもよい。
【0024】
（厚み）
中間層１３の厚みは、０．００４ｍｍ以上が好ましく、０．０１ｍｍ以上がより好ましく、０．０５ｍｍ以上が更に好ましく、０．１ｍｍ以上が特に好ましい。中間層１３の厚みが０．００４ｍｍ以上であれば、中間層１３の作製時に、接合部１３１に過度に気泡１３３が混入することを防ぐことができる。また、セラミックス部材同士を十分な強度で接合させることができ、積層部材１の耐衝撃性が優れる。
中間層１３の厚みは、０．６ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以下がより好ましく、０．４ｍｍ以下が更に好ましく、０．３５ｍｍ以下が特に好ましい。中間層１３の厚みが０．６ｍｍ以下であれば、中間層１３に含まれる材料の延性により、セラミックス部材同士を接合させる際にズレが生じる恐れがない。
中間層１３の厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
中間層１３の厚みは、０．００４ｍｍ以上が好ましく、０．０１ｍｍ以上がより好ましく、０．０５ｍｍ以上が更に好ましく、０．１ｍｍ以上が特に好ましい。中間層１３の厚みが０．００４ｍｍ以上であれば、中間層１３の作製時に、接合部１３１に過度に気泡１３３が混入することを防ぐことができる。また、セラミックス部材同士を十分な強度で接合させることができ、積層部材１の耐衝撃性が優れる。
中間層１３の厚みは、０．６ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以下がより好ましく、０．４ｍｍ以下が更に好ましく、０．３５ｍｍ以下が特に好ましい。中間層１３の厚みが０．６ｍｍ以下であれば、中間層１３に含まれる材料の延性により、セラミックス部材同士を接合させる際にズレが生じる恐れがない。
中間層１３の厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
【0025】
（接合部）
接合部１３１は、中間層１３において、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２とを接合させる機能を担う部分である。
接合部１３１は、中間層１３において、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２とを接合させる機能を担う部分である。
【0026】
《材料》
接合部１３１は、スズ（Ｓｎ）およびインジウム（Ｉｎ）から選択される少なくとも１種の元素（以下、単に「元素Ｂ」とも呼ぶ。）を主成分とする部分である。
セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合、接合部１３１が元素Ｂを主成分とすることで、元素Ｂは、一般的な接合材料である銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）に比べてＳｉＳｉＣとの濡れ性に優れるので、セラミックス部材同士を十分な接合強度で接合させることができる。また、ＳｉＳｉＣとの濡れ性に優れる他の元素としてはＳｉがあるが、Ｓｉの融点（約１４００℃）に比べて元素Ｂの融点は低い（Ｓｎ：約２３２℃、Ｉｎ：約１５６℃）ため、後述する積層部材１を得るための冷却工程において、反りや歪みを抑制することができる。
なお、元素Ｂとしては、接合部１３１が高い耐熱性を要する場合は、より高い融点を有するＳｎが好ましい。一方で、接合部１３１が高い耐熱性を要さない場合は、融点が低く扱いやすいため、Ｉｎが好ましい。
接合部１３１における元素Ｂの含有量は、接合部１３１の全質量に対して、９０質量％以上が好ましく、９２質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましく、９８質量％以上が特に好ましい。
接合部１３１における元素Ｂの含有量は、９９．９９９９質量％以下が好ましく、９９．９９９質量％以下がより好ましい。
接合部１３１の組成は、元素Ｂを含んでいれば特に限定されず、微量の不純物等を含んでいてもよい。不純物は、特に限定されないが、例えば鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、Ａｌ、チタン（Ｔｉ）、Ｓｉ、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｆｅ、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、クロム（Ｃｒ）および炭素（Ｃ）から選択される少なくとも１種である。
接合部１３１における不純物の含有量は、０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％がより好ましい。
接合部１３１における不純物の含有量は、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、２質量％以下が特に好ましい。
接合部１３１における元素Ｂおよび不純物の含有量が上記範囲内であれば、１００℃以上の環境下であっても、接合部１３１が融解せず、－３０℃以下の環境下であっても、元素Ｂの相転移による接合部１３１の体積変化が抑制され、結果として接合部１３１による接合強度を保持することができる。
接合部１３１の組成は、エネルギー分散型Ｘ線分光や誘導結合プラズマ質量分析法により測定できる。
また、接合部１３１の融点は、４００℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましい。接合部１３１の融点が４００℃以下であれば、上述のように後述する積層部材１を得るための冷却工程において、反りや歪みを抑制することができる。
接合部１３１は、スズ（Ｓｎ）およびインジウム（Ｉｎ）から選択される少なくとも１種の元素（以下、単に「元素Ｂ」とも呼ぶ。）を主成分とする部分である。
セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合、接合部１３１が元素Ｂを主成分とすることで、元素Ｂは、一般的な接合材料である銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）に比べてＳｉＳｉＣとの濡れ性に優れるので、セラミックス部材同士を十分な接合強度で接合させることができる。また、ＳｉＳｉＣとの濡れ性に優れる他の元素としてはＳｉがあるが、Ｓｉの融点（約１４００℃）に比べて元素Ｂの融点は低い（Ｓｎ：約２３２℃、Ｉｎ：約１５６℃）ため、後述する積層部材１を得るための冷却工程において、反りや歪みを抑制することができる。
なお、元素Ｂとしては、接合部１３１が高い耐熱性を要する場合は、より高い融点を有するＳｎが好ましい。一方で、接合部１３１が高い耐熱性を要さない場合は、融点が低く扱いやすいため、Ｉｎが好ましい。
接合部１３１における元素Ｂの含有量は、接合部１３１の全質量に対して、９０質量％以上が好ましく、９２質量％以上がより好ましく、９５質量％以上が更に好ましく、９８質量％以上が特に好ましい。
接合部１３１における元素Ｂの含有量は、９９．９９９９質量％以下が好ましく、９９．９９９質量％以下がより好ましい。
接合部１３１の組成は、元素Ｂを含んでいれば特に限定されず、微量の不純物等を含んでいてもよい。不純物は、特に限定されないが、例えば鉛（Ｐｂ）、亜鉛（Ｚｎ）、Ａｌ、チタン（Ｔｉ）、Ｓｉ、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｆｅ、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）、クロム（Ｃｒ）および炭素（Ｃ）から選択される少なくとも１種である。
接合部１３１における不純物の含有量は、０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％がより好ましい。
接合部１３１における不純物の含有量は、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましく、２質量％以下が特に好ましい。
接合部１３１における元素Ｂおよび不純物の含有量が上記範囲内であれば、１００℃以上の環境下であっても、接合部１３１が融解せず、－３０℃以下の環境下であっても、元素Ｂの相転移による接合部１３１の体積変化が抑制され、結果として接合部１３１による接合強度を保持することができる。
接合部１３１の組成は、エネルギー分散型Ｘ線分光や誘導結合プラズマ質量分析法により測定できる。
また、接合部１３１の融点は、４００℃以下が好ましく、３００℃以下がより好ましい。接合部１３１の融点が４００℃以下であれば、上述のように後述する積層部材１を得るための冷却工程において、反りや歪みを抑制することができる。
【0027】
《気泡》
接合部１３１は、少なくとも１つの気泡１３３を含有していてもよい。なお、明細書中、「気泡」とは、接合部１３１の内部に形成された、気体を含む領域を意味する。
気泡１３３の平均断面積は、４ｃｍ２以下が好ましく、３．５ｃｍ２以下がより好ましく、３ｃｍ２以下が更に好ましく、２．５ｃｍ２以下が特に好ましい。
断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の個数は、１個／ｃｍ２以下が好ましく、０．５個／ｃｍ２以下がより好ましく、０．１個／ｃｍ２以下が更に好ましい。
気泡１３３の平均断面積および個数が上記範囲内であれば、接合部１３１の熱伝導率が均一となり、また、セラミックス部材同士を十分な接合強度で接合させることができる。
気泡１３３の平均断面積および個数は、接合部１３１のＸ線ＣＴ測定や超音波探傷測定などにより求めることができる。
超音波探傷測定の場合、具体的には、まず、超音波映像装置（株式会社日立パワーソリューションズ製：Ｆｉｎｅ ＳＡＴ Ｖ）を用いて、第１セラミックス部材１１と中間層１３との界面、または第２セラミックス部材１２と中間層１３との界面に焦点を合わせて、３００μｍピッチで界面画像を取得する。得られた界面画像において、空包として映った部分を気泡１３３とみなし、気泡が真円状であると仮定したときの直径を求め、断面積を算出する。これを全ての気泡１３３に対して算出することで、平均断面積を求めることができる。また、断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の個数は、界面画像に含まれていた断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の総数を、前記界面の総面積で割ることにより得られる。
接合部１３１は、少なくとも１つの気泡１３３を含有していてもよい。なお、明細書中、「気泡」とは、接合部１３１の内部に形成された、気体を含む領域を意味する。
気泡１３３の平均断面積は、４ｃｍ２以下が好ましく、３．５ｃｍ２以下がより好ましく、３ｃｍ２以下が更に好ましく、２．５ｃｍ２以下が特に好ましい。
断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の個数は、１個／ｃｍ２以下が好ましく、０．５個／ｃｍ２以下がより好ましく、０．１個／ｃｍ２以下が更に好ましい。
気泡１３３の平均断面積および個数が上記範囲内であれば、接合部１３１の熱伝導率が均一となり、また、セラミックス部材同士を十分な接合強度で接合させることができる。
気泡１３３の平均断面積および個数は、接合部１３１のＸ線ＣＴ測定や超音波探傷測定などにより求めることができる。
超音波探傷測定の場合、具体的には、まず、超音波映像装置（株式会社日立パワーソリューションズ製：Ｆｉｎｅ ＳＡＴ Ｖ）を用いて、第１セラミックス部材１１と中間層１３との界面、または第２セラミックス部材１２と中間層１３との界面に焦点を合わせて、３００μｍピッチで界面画像を取得する。得られた界面画像において、空包として映った部分を気泡１３３とみなし、気泡が真円状であると仮定したときの直径を求め、断面積を算出する。これを全ての気泡１３３に対して算出することで、平均断面積を求めることができる。また、断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の個数は、界面画像に含まれていた断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡１３３の総数を、前記界面の総面積で割ることにより得られる。
【0028】
（小部材）
中間層１３は、接合部１３１とは別に、少なくとも１つの小部材１３２を更に有していてもよい。小部材１３２は、積層部材１の製造時に、中間層１３の厚みを所望の値にするために用いられる部材である。
中間層１３は、接合部１３１とは別に、少なくとも１つの小部材１３２を更に有していてもよい。小部材１３２は、積層部材１の製造時に、中間層１３の厚みを所望の値にするために用いられる部材である。
【0029】
《材料》
小部材１３２の材料は、特に限定されないが、ステンレスや超硬合金等の金属から形成されてもよい。
小部材１３２の材料は、特に限定されないが、ステンレスや超硬合金等の金属から形成されてもよい。
【0030】
《形状》
小部材１３２の形状は、特に限定されないが、円柱状、直方体状またはワイヤ状であってもよい。
また、中間層１３の厚みから小部材１３２の厚み（ｘ方向の厚み）を減じた値（以下、単に「厚み差分」とも呼ぶ。）は、５０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下が更に好ましく、０μｍが最も好ましい。
厚み差分が上記範囲内であれば、中間層１３の厚みを任意の厚みに調整することが簡便となり、歩留まりが向上する。
厚み差分は、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
小部材１３２の形状は、特に限定されないが、円柱状、直方体状またはワイヤ状であってもよい。
また、中間層１３の厚みから小部材１３２の厚み（ｘ方向の厚み）を減じた値（以下、単に「厚み差分」とも呼ぶ。）は、５０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下が更に好ましく、０μｍが最も好ましい。
厚み差分が上記範囲内であれば、中間層１３の厚みを任意の厚みに調整することが簡便となり、歩留まりが向上する。
厚み差分は、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
【0031】
《熱伝導率》
小部材１３２の２０℃における熱伝導率は、接合部１３１の２０℃における熱伝導率よりも大きいことが好ましい。この場合、積層部材１を均一に加熱することが可能となる。
小部材１３２および接合部１３１の２０℃における熱伝導率は、いずれもレーザーフラッシュ法により測定できる。
小部材１３２の２０℃における熱伝導率は、接合部１３１の２０℃における熱伝導率よりも大きいことが好ましい。この場合、積層部材１を均一に加熱することが可能となる。
小部材１３２および接合部１３１の２０℃における熱伝導率は、いずれもレーザーフラッシュ法により測定できる。
【0032】
＜積層部材の物性等＞
（形状）
積層部材１の最大長さは、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、２０ｃｍ以上が更に好ましく、２５ｃｍ以上が特に好ましい。
積層部材１の最大長さは、４５ｃｍ以下が好ましく、３９ｃｍ以下がより好ましく、３７ｃｍ以下が更に好ましく、３５ｃｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の最大長さが上記範囲内であれば、積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に好適である。
積層部材１の厚みは、１ｍｍ以上が好ましく、３ｍｍ以上がより好ましく、５ｍｍ以上が更に好ましく、６ｍｍ以上が特に好ましい。
積層部材１の厚みは、１５ｍｍ以下が好ましく、１３ｍｍ以下がより好ましく、１１ｍｍ以下が更に好ましく、９ｍｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の厚みが上記範囲内であれば、積層部材１が耐衝撃性と放熱性に優れる。
積層部材１の最大長さおよび厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
（形状）
積層部材１の最大長さは、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、２０ｃｍ以上が更に好ましく、２５ｃｍ以上が特に好ましい。
積層部材１の最大長さは、４５ｃｍ以下が好ましく、３９ｃｍ以下がより好ましく、３７ｃｍ以下が更に好ましく、３５ｃｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の最大長さが上記範囲内であれば、積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に好適である。
積層部材１の厚みは、１ｍｍ以上が好ましく、３ｍｍ以上がより好ましく、５ｍｍ以上が更に好ましく、６ｍｍ以上が特に好ましい。
積層部材１の厚みは、１５ｍｍ以下が好ましく、１３ｍｍ以下がより好ましく、１１ｍｍ以下が更に好ましく、９ｍｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の厚みが上記範囲内であれば、積層部材１が耐衝撃性と放熱性に優れる。
積層部材１の最大長さおよび厚みは、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
【0033】
（平面度）
積層部材１の平面度は、０．２５ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましく、０．１ｍｍ以下が更に好ましく、０．０５ｍｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の平面度が上記範囲内であれば、以下のような点で好適である。
ａ）積層部材１内に応力が発生した場合に、特定の箇所へ応力が集中することを防ぐことができるため、耐割れ性に優れる；
ｂ）積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に、積層部材１上に調理器具を安定に載置することができ、また、調理器具との密着性が高いので熱効率に優れる；
ｃ）積層部材１に他の部材（ガラス部材、セラミックス部材、金属部材など）を接合する場合に、接合強度に優れる；
ｄ）積層部材１にガラス部材を接合して用いた場合に、映り込みが低減される。
積層部材１の平面度は、例えば、非接触の三次元形状測定装置（三鷹光機株式会社製、ＮＨ－５Ｎｓ）により測定できる。
積層部材１の平面度は、０．２５ｍｍ以下が好ましく、０．２ｍｍ以下がより好ましく、０．１ｍｍ以下が更に好ましく、０．０５ｍｍ以下が特に好ましい。
積層部材１の平面度が上記範囲内であれば、以下のような点で好適である。
ａ）積層部材１内に応力が発生した場合に、特定の箇所へ応力が集中することを防ぐことができるため、耐割れ性に優れる；
ｂ）積層部材１を加熱調理機器のトッププレートとして用いた場合に、積層部材１上に調理器具を安定に載置することができ、また、調理器具との密着性が高いので熱効率に優れる；
ｃ）積層部材１に他の部材（ガラス部材、セラミックス部材、金属部材など）を接合する場合に、接合強度に優れる；
ｄ）積層部材１にガラス部材を接合して用いた場合に、映り込みが低減される。
積層部材１の平面度は、例えば、非接触の三次元形状測定装置（三鷹光機株式会社製、ＮＨ－５Ｎｓ）により測定できる。
【0034】
（長孔の断面積）
第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方に内側溝部１４ｂが形成されているとき、積層部材１は内側溝部１４ｂに由来する長孔を有する。
長孔の寸法は内側溝部１４ｂの寸法に依存するが、後述する積層部材の製造方法により、内側溝部１４ｂより小さくなる場合がある。
長孔の断面積（図１のｙｚ平面における断面積）は、０．１６ｍｍ２以上が好ましく、０．３５ｍｍ２以上がより好ましく、０．６ｍｍ２以上が更に好ましく、０．８４ｍｍ２以上が特に好ましい。
長孔の断面積は、８．０ｍｍ２以下が好ましく、５．４ｍｍ２以下がより好ましく、３．４ｍｍ２以下が更に好ましく、２．５６ｍｍ２以下が特に好ましい。
長孔の断面積は、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
長孔の長さ（長孔の始点から終点までのｘ方向の距離）は、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、１８ｃｍ以上が更に好ましく、２０ｃｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの長さｌは、４０ｃｍ以下が好ましく、３８ｃｍ以下が好ましく、３５ｃｍ以下が更に好ましく、３２ｃｍ以下が特に好ましい。
長孔の長さは、内側溝部１４ｂの長さに一致する。
第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方に内側溝部１４ｂが形成されているとき、積層部材１は内側溝部１４ｂに由来する長孔を有する。
長孔の寸法は内側溝部１４ｂの寸法に依存するが、後述する積層部材の製造方法により、内側溝部１４ｂより小さくなる場合がある。
長孔の断面積（図１のｙｚ平面における断面積）は、０．１６ｍｍ２以上が好ましく、０．３５ｍｍ２以上がより好ましく、０．６ｍｍ２以上が更に好ましく、０．８４ｍｍ２以上が特に好ましい。
長孔の断面積は、８．０ｍｍ２以下が好ましく、５．４ｍｍ２以下がより好ましく、３．４ｍｍ２以下が更に好ましく、２．５６ｍｍ２以下が特に好ましい。
長孔の断面積は、ノギスやデジタルメジャーにより測定できる。
長孔の長さ（長孔の始点から終点までのｘ方向の距離）は、１０ｃｍ以上が好ましく、１５ｃｍ以上がより好ましく、１８ｃｍ以上が更に好ましく、２０ｃｍ以上が特に好ましい。また、内側溝部１４ｂの長さｌは、４０ｃｍ以下が好ましく、３８ｃｍ以下が好ましく、３５ｃｍ以下が更に好ましく、３２ｃｍ以下が特に好ましい。
長孔の長さは、内側溝部１４ｂの長さに一致する。
【0035】
（熱伝導率）
積層部材１の厚み方向（ｘ方向）に対して測定した熱伝導率Κ（以下、単に「熱伝導率Κ」とも呼ぶ。）は、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が好ましく、１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより好ましく、１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が更に好ましく、１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより更に好ましく、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が特に好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより特に好ましく、２２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が最も好ましい。
熱伝導率Κは、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が好ましく、２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下がより好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が更に好ましい。
熱伝導率Κが上記範囲内であれば、積層部材１が均熱性に優れる。
熱伝導率Κは、レーザーフラッシュ法により測定できる。
具体的には、例えば、積層部材１から１０個の円柱状のサンプル（直径１２ｍｍ×積層部材１の厚み）を切り出た後、それぞれのサンプルに対し、中間層１３を残すように上下面を研削し、セラミックス部材、中間層１３、セラミックス部材をこの順に有する１０個の試験片（直径１２ｍｍ×厚さ４ｍｍ）を作製する。次に、各試験片に対しレーザーフラッシュ法により熱伝導率の測定を行い、最も低かった値を積層部材１の熱伝導率とする。なお、積層部材１の厚みが４ｍｍに満たない場合は、試験片の厚みを適宜調整して測定することができる。
熱伝導率Κを上記範囲内にする方法としては、第１セラミックス部材１１、第２セラミックス部材１２、および中間層１３（接合部１３１、小部材１３２等）の熱伝導率を、上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
積層部材１の厚み方向（ｘ方向）に対して測定した熱伝導率Κ（以下、単に「熱伝導率Κ」とも呼ぶ。）は、１３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が好ましく、１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより好ましく、１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が更に好ましく、１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより更に好ましく、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が特に好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上がより特に好ましく、２２０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上が最も好ましい。
熱伝導率Κは、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が好ましく、２６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下がより好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下が更に好ましい。
熱伝導率Κが上記範囲内であれば、積層部材１が均熱性に優れる。
熱伝導率Κは、レーザーフラッシュ法により測定できる。
具体的には、例えば、積層部材１から１０個の円柱状のサンプル（直径１２ｍｍ×積層部材１の厚み）を切り出た後、それぞれのサンプルに対し、中間層１３を残すように上下面を研削し、セラミックス部材、中間層１３、セラミックス部材をこの順に有する１０個の試験片（直径１２ｍｍ×厚さ４ｍｍ）を作製する。次に、各試験片に対しレーザーフラッシュ法により熱伝導率の測定を行い、最も低かった値を積層部材１の熱伝導率とする。なお、積層部材１の厚みが４ｍｍに満たない場合は、試験片の厚みを適宜調整して測定することができる。
熱伝導率Κを上記範囲内にする方法としては、第１セラミックス部材１１、第２セラミックス部材１２、および中間層１３（接合部１３１、小部材１３２等）の熱伝導率を、上述の範囲に調節する方法が挙げられる。
【0036】
（せん断強度）
積層部材１の、２５℃におけるせん断強度（以下、単に「せん断強度」とも呼ぶ。）は、１０ＭＰａ以上が好まく、１２ＭＰａ以上がより好ましく、１５ＭＰａ以上が更に好ましく、２０ＭＰａ以上が特に好ましい。
せん断強度が上記範囲内であれば、積層部材１が耐熱衝撃性に優れる。
せん断強度は、ＪＩＳＣ６２１３７－１－２を参考に求めることができる。
具体的には、例えば、第１セラミックス部材１１から切り出した直方体状（１５ｍｍ×７０ｍｍ×５ｍｍ）の第１試験片部材と、第２セラミックス部材１２から切り出した直方体状（１５ｍｍ×５ｍｍ×５ｍｍ）の第２試験片部材とを、接合部１３１（１５ｍｍ×５ｍｍ×任意の厚み）のみにより接合し、せん断強度試験片を作成する。次に、得られたせん断強度試験片を、精密万能試験機オートグラフＡＧ―ＩＳ（株式会社島津製作所製）に取り付け、第１試験片部材を固定した状態で、第２試験片部材を速度１ｍｍ／ｍｉｎで上方に引き上げる。このとき、第２試験片部材が第１試験片部材から剥離するために必要な荷重から、せん断強度を求めることができる。
積層部材１の、２５℃におけるせん断強度（以下、単に「せん断強度」とも呼ぶ。）は、１０ＭＰａ以上が好まく、１２ＭＰａ以上がより好ましく、１５ＭＰａ以上が更に好ましく、２０ＭＰａ以上が特に好ましい。
せん断強度が上記範囲内であれば、積層部材１が耐熱衝撃性に優れる。
せん断強度は、ＪＩＳＣ６２１３７－１－２を参考に求めることができる。
具体的には、例えば、第１セラミックス部材１１から切り出した直方体状（１５ｍｍ×７０ｍｍ×５ｍｍ）の第１試験片部材と、第２セラミックス部材１２から切り出した直方体状（１５ｍｍ×５ｍｍ×５ｍｍ）の第２試験片部材とを、接合部１３１（１５ｍｍ×５ｍｍ×任意の厚み）のみにより接合し、せん断強度試験片を作成する。次に、得られたせん断強度試験片を、精密万能試験機オートグラフＡＧ―ＩＳ（株式会社島津製作所製）に取り付け、第１試験片部材を固定した状態で、第２試験片部材を速度１ｍｍ／ｍｉｎで上方に引き上げる。このとき、第２試験片部材が第１試験片部材から剥離するために必要な荷重から、せん断強度を求めることができる。
【0037】
＜積層部材の製造方法＞
積層部材１の製造方法について、図４を用いて説明する。
図４は、積層部材１の製造方法の一例を示すフローチャートである。積層部材１の製造方法は、ステップＳ４１～Ｓ３５をこの順に有する。
なお、図４では、セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合について説明するが、ＳｉＳｉＣ以外から成る場合は、公知の方法を適用して、適宜変更することができる。
積層部材１の製造方法について、図４を用いて説明する。
図４は、積層部材１の製造方法の一例を示すフローチャートである。積層部材１の製造方法は、ステップＳ４１～Ｓ３５をこの順に有する。
なお、図４では、セラミックス部材がＳｉＳｉＣから成る場合について説明するが、ＳｉＳｉＣ以外から成る場合は、公知の方法を適用して、適宜変更することができる。
【0038】
（原料選定）
ステップＳ４１では、ＳｉＣ成形体原料を選定する。
ＳｉＣ成形体原料は、少なくともＳｉＣ粒子と、バインダとを含む。
ステップＳ４１では、ＳｉＣ成形体原料を選定する。
ＳｉＣ成形体原料は、少なくともＳｉＣ粒子と、バインダとを含む。
【0039】
《ＳｉＣ粒子》
ＳｉＣ粒子は、α－ＳｉＣ粒子またはβ－ＳｉＣ粒子であり、コストの観点からα－ＳｉＣ粒子が好ましい。
ＳｉＣ粒子は、例えば、アチソン法によって合成したＳｉＣ粒子を、粉砕して分級し、所望の粒径とした後に、フッ酸と硝酸との混酸および純水を用いて洗浄することによって得られる。このような洗浄により、ＳｉＣ粒子中に不純物（Ｆｅ等）の濃度を５質量ｐｐｍ以下に抑制することができる。
ＳｉＣ粒子の平均粒径は、２μｍ以上が好ましく、３μｍ以上がより好ましい。ＳｉＣ粒子の平均粒子径が２μｍ以上であれば、過度な粉砕による不純物の混入を抑制することができ、洗浄が容易となり、また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体が十分な空隙率を有する。
ＳｉＣ粒子の平均粒子径は、２５μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましい。ＳｉＣ粒子の平均粒子径が２５μｍ以下であれば、上記分級において、篩を通過しない粒子が多く生ずることを防ぐことができる。また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体の平滑性が良好となり、結果として、ステップＳ４３で得られるセラミックス部材が十分な機械特性（曲げ強度等）を有する。
ＳｉＣ粒子の粒度分布の幅は、広い方が、成形性が良好となり、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体の密度も高くできるので、好ましい。
ＳｉＣ粒子は、α－ＳｉＣ粒子またはβ－ＳｉＣ粒子であり、コストの観点からα－ＳｉＣ粒子が好ましい。
ＳｉＣ粒子は、例えば、アチソン法によって合成したＳｉＣ粒子を、粉砕して分級し、所望の粒径とした後に、フッ酸と硝酸との混酸および純水を用いて洗浄することによって得られる。このような洗浄により、ＳｉＣ粒子中に不純物（Ｆｅ等）の濃度を５質量ｐｐｍ以下に抑制することができる。
ＳｉＣ粒子の平均粒径は、２μｍ以上が好ましく、３μｍ以上がより好ましい。ＳｉＣ粒子の平均粒子径が２μｍ以上であれば、過度な粉砕による不純物の混入を抑制することができ、洗浄が容易となり、また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体が十分な空隙率を有する。
ＳｉＣ粒子の平均粒子径は、２５μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましい。ＳｉＣ粒子の平均粒子径が２５μｍ以下であれば、上記分級において、篩を通過しない粒子が多く生ずることを防ぐことができる。また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体の平滑性が良好となり、結果として、ステップＳ４３で得られるセラミックス部材が十分な機械特性（曲げ強度等）を有する。
ＳｉＣ粒子の粒度分布の幅は、広い方が、成形性が良好となり、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体の密度も高くできるので、好ましい。
【0040】
《バインダ》
バインダは、ＳｉＣ粒子同士を結合させることができるものであれば特に限定されないが、例えば、有機質の結合剤である。
有機質の結合剤としては、フェノール樹脂、ポリ酢酸ビニルエマルジョン、アクリル樹脂エマルジョンなどが好ましい。
フェノール樹脂を結合剤として用いた場合、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体中にカーボンが残留する。このカーボンは、ステップＳ４３（Ｓｉ含浸）において溶融したＳｉ単体と反応してβ－ＳｉＣとなり、ＳｉＳｉＣ体の密度を向上させる。これにより、ＳｉＳｉＣ体の機械特性も良好となるので、上記結合剤の中では、フェノール樹脂がより好ましい。
バインダは、ＳｉＣ粒子同士を結合させることができるものであれば特に限定されないが、例えば、有機質の結合剤である。
有機質の結合剤としては、フェノール樹脂、ポリ酢酸ビニルエマルジョン、アクリル樹脂エマルジョンなどが好ましい。
フェノール樹脂を結合剤として用いた場合、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体中にカーボンが残留する。このカーボンは、ステップＳ４３（Ｓｉ含浸）において溶融したＳｉ単体と反応してβ－ＳｉＣとなり、ＳｉＳｉＣ体の密度を向上させる。これにより、ＳｉＳｉＣ体の機械特性も良好となるので、上記結合剤の中では、フェノール樹脂がより好ましい。
【0041】
（ＳｉＣ成形体の作製）
ステップＳ４２では、セラミックス部材の元となるＳｉＣ成形体を作製する。
ＳｉＣ成形体を作製する方法としては、特に限定されないが、例えば、排泥鋳込成形法、アイソスタチックプレス法、押出成形法、射出成形法が挙げられる。他の方法としては、３Ｄ（３次元）印刷法（レーザー照射造形法、バインダジェット造形法など）が挙げられる。
排泥鋳込成形法、アイソスタチックプレス法または押出成形法の場合は、例えば特開平５－３２４５８号公報に記載の方法に準じて作製すればよい。具体的には、上記ＳｉＣ成形体原料を型に流し込み、乾燥させることにより、ＳｉＣ成形体を作製する。このとき、ＳｉＣ成形体原料の固形分濃度は、例えば、５～１００質量％の範囲で適宜変更できる。
ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体は、ＳｉＣ粒子を含有する成形体であり、多数の細孔を有する多孔質体でもある。
ＳｉＣ成形体の空隙率は、１０体積％～６０体積％が好ましく、１２体積％～５０体積％がより好ましく、１４体積％～４０体積％が更に好ましく、１６体積％～３０体積％が特に好ましく、１８体積％～２５体積％が最も好ましい。ＳｉＣ成形体の空隙率がこの範囲内であれば、ステップＳ４３（Ｓｉ含浸）を容易に行うことができる。なお、ＳｉＣ成形体の空隙率は、アルキメデス法によって求めることができる。
ＳｉＣ成形体の寸法および形状は、特に限定されず、ステップＳ４５で得られる積層部材１の寸法および形状に応じて、適宜加工してよい。
また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体は、溝部を有していても良い。ＳｉＣ成形体における溝部は、後に溝部１４となり得る。
ステップＳ４２では、セラミックス部材の元となるＳｉＣ成形体を作製する。
ＳｉＣ成形体を作製する方法としては、特に限定されないが、例えば、排泥鋳込成形法、アイソスタチックプレス法、押出成形法、射出成形法が挙げられる。他の方法としては、３Ｄ（３次元）印刷法（レーザー照射造形法、バインダジェット造形法など）が挙げられる。
排泥鋳込成形法、アイソスタチックプレス法または押出成形法の場合は、例えば特開平５－３２４５８号公報に記載の方法に準じて作製すればよい。具体的には、上記ＳｉＣ成形体原料を型に流し込み、乾燥させることにより、ＳｉＣ成形体を作製する。このとき、ＳｉＣ成形体原料の固形分濃度は、例えば、５～１００質量％の範囲で適宜変更できる。
ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体は、ＳｉＣ粒子を含有する成形体であり、多数の細孔を有する多孔質体でもある。
ＳｉＣ成形体の空隙率は、１０体積％～６０体積％が好ましく、１２体積％～５０体積％がより好ましく、１４体積％～４０体積％が更に好ましく、１６体積％～３０体積％が特に好ましく、１８体積％～２５体積％が最も好ましい。ＳｉＣ成形体の空隙率がこの範囲内であれば、ステップＳ４３（Ｓｉ含浸）を容易に行うことができる。なお、ＳｉＣ成形体の空隙率は、アルキメデス法によって求めることができる。
ＳｉＣ成形体の寸法および形状は、特に限定されず、ステップＳ４５で得られる積層部材１の寸法および形状に応じて、適宜加工してよい。
また、ステップＳ４２で得られるＳｉＣ成形体は、溝部を有していても良い。ＳｉＣ成形体における溝部は、後に溝部１４となり得る。
【0042】
また、図示しないが、ステップＳ４２で得られたＳｉＣ成形体を、乾燥後、不活性雰囲気で加熱することにより、焼結させてもよい。
焼結時の加熱温度は、１５００℃以上が好ましい。焼結時の加熱温度が１５００℃以上であれば、ＳｉＣ成形体を緻密化させ、強度を十分に向上させることができるだけでなく、加熱により不純物を揮発させ、純度を向上させることができる。なお、バインダとして、ＳｉＣ成形体中にカーボンが残留するフェノール樹脂などを使用する場合は、加熱温度を１０００℃程度にすることもできる。
焼結時の加熱温度は、２３００℃以下が好ましく、２１００℃以下がより好ましい。焼結時の加熱温度が２３００℃以下であれば、再結晶と呼ばれる結晶成長が進行してＳｉＣ成形体の組織が変化すると同時に、ＳｉＣが揮発してＳｉＣ成形体が減量し、強度や破壊靭性が低下する恐れがない。
焼結時の加熱温度は、１５００℃以上が好ましい。焼結時の加熱温度が１５００℃以上であれば、ＳｉＣ成形体を緻密化させ、強度を十分に向上させることができるだけでなく、加熱により不純物を揮発させ、純度を向上させることができる。なお、バインダとして、ＳｉＣ成形体中にカーボンが残留するフェノール樹脂などを使用する場合は、加熱温度を１０００℃程度にすることもできる。
焼結時の加熱温度は、２３００℃以下が好ましく、２１００℃以下がより好ましい。焼結時の加熱温度が２３００℃以下であれば、再結晶と呼ばれる結晶成長が進行してＳｉＣ成形体の組織が変化すると同時に、ＳｉＣが揮発してＳｉＣ成形体が減量し、強度や破壊靭性が低下する恐れがない。
【0043】
（Ｓｉ含浸）
ステップＳ４３では、ＳｉＣ成形体にＳｉを含浸させる（以下、これを「Ｓｉ含浸」ともいう。）。ＳｉＣ成形体にＳｉ含浸を行うことにより、ＳｉＳｉＣ体が得られる。
Ｓｉ含浸は、例えば、ＳｉＣ成形体とＳｉ単体とを相互に接触させた状態で、これら（ＳｉＣ成形体およびＳｉ単体）を加熱して、Ｓｉ単体を溶融させることにより行われる。これにより、溶融したＳｉ単体が、毛細管現象により、多孔質体であるＳｉＣ成形体に含浸される。
上記の方法において、Ｓｉ単体をＳｉＣ成形体の上面に配置した状態で溶融させた方が、重力により溶融したＳｉ単体をＳｉＣ成形体により含浸させやすくなるので好ましい。また、Ｓｉ単体を溶融させる環境は、減圧環境が好ましい。
Ｓｉ含浸における加熱温度は、Ｓｉの融点以上であればよく、１４３０～１８００℃が好ましい。Ｓｉの融点は、測定方法により若干異なるが、概ね１４１０～１４１４℃である。
ステップＳ４３で得られたＳｉＳｉＣ体は、ＳｉＳｉＣ体の全質量に対して、７質量％～３５質量％のＳｉを含有することが好ましく、７質量％～２５質量％のＳｉを含有することがより好ましい。
ＳｉＳｉＣ体におけるＳｉ含有量が上記範囲内であれば、ステップＳ４４で得られるＳｉＳｉＣ部材が熱伝導率、ヤング率、曲げ強度、熱膨張率などに優れる。
また、ステップＳ４３で得られるＳｉＳｉＣ体は、Ｓｉ単体を溶融させる際の加熱によって焼結されている。すなわち、ＳｉＣ（新たに生成したＳｉＣを含む）同士、および、ＳｉＣとＳｉとが結合した、緻密な焼結体である。従って、得られたＳｉＳｉＣ体は、ＳｉＣとＳｉとを含有する複合材料であり、かつ、焼結体でもある。
ステップＳ４３では、ＳｉＣ成形体にＳｉを含浸させる（以下、これを「Ｓｉ含浸」ともいう。）。ＳｉＣ成形体にＳｉ含浸を行うことにより、ＳｉＳｉＣ体が得られる。
Ｓｉ含浸は、例えば、ＳｉＣ成形体とＳｉ単体とを相互に接触させた状態で、これら（ＳｉＣ成形体およびＳｉ単体）を加熱して、Ｓｉ単体を溶融させることにより行われる。これにより、溶融したＳｉ単体が、毛細管現象により、多孔質体であるＳｉＣ成形体に含浸される。
上記の方法において、Ｓｉ単体をＳｉＣ成形体の上面に配置した状態で溶融させた方が、重力により溶融したＳｉ単体をＳｉＣ成形体により含浸させやすくなるので好ましい。また、Ｓｉ単体を溶融させる環境は、減圧環境が好ましい。
Ｓｉ含浸における加熱温度は、Ｓｉの融点以上であればよく、１４３０～１８００℃が好ましい。Ｓｉの融点は、測定方法により若干異なるが、概ね１４１０～１４１４℃である。
ステップＳ４３で得られたＳｉＳｉＣ体は、ＳｉＳｉＣ体の全質量に対して、７質量％～３５質量％のＳｉを含有することが好ましく、７質量％～２５質量％のＳｉを含有することがより好ましい。
ＳｉＳｉＣ体におけるＳｉ含有量が上記範囲内であれば、ステップＳ４４で得られるＳｉＳｉＣ部材が熱伝導率、ヤング率、曲げ強度、熱膨張率などに優れる。
また、ステップＳ４３で得られるＳｉＳｉＣ体は、Ｓｉ単体を溶融させる際の加熱によって焼結されている。すなわち、ＳｉＣ（新たに生成したＳｉＣを含む）同士、および、ＳｉＣとＳｉとが結合した、緻密な焼結体である。従って、得られたＳｉＳｉＣ体は、ＳｉＣとＳｉとを含有する複合材料であり、かつ、焼結体でもある。
【0044】
（加工）
ステップＳ４４では、ＳｉＳｉＣ体を任意の寸法および形状に加工し、セラミックス部材を得る。
セラミックス部材の表面粗さを上記範囲内にするために、ＳｉＳｉＣ体の表面を、横軸研削盤、ロータリー研削盤、精密平面研削盤、ポリッシング機などを用いて研削および研磨してもよい。また、研削盤を用いて表面を平滑にした後に、ブラスト機を用いて表面を梨地状にしてもよい。
このとき、セラミックス部材の少なくとも一方の主面の表面粗さが０．１μｍ～１０μｍであるものを第１セラミックス部材１１、０．００１μｍ～０．２μｍであるものを第２セラミックス部材１２として用いることができる。
ＳｉＳｉＣ体に対し溝部を形成することで、溝部１４を有するセラミックス部材を得てもよい。溝部１４の特徴としては、上述の通りである。
ＳｉＳｉＣ体に対し溝部を形成する方法としては、例えば、ステップＳ４２において、ＳｉＣ成形体原料を流し込む型として、溝部を有する形状を採用する方法がある。他の方法としては、ＮＣ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ）フライス盤、放電加工機、レーザー加工機などの公知の加工機を用いて、ＳｉＳｉＣ体に溝部を後から形成する方法が挙げられる。ＳｉＳｉＣ体に溝部を形成した後、更に加熱し、溝部を有するＳｉＳｉＣ体を焼結させてもよい。
ステップＳ４４で得られるセラミックス部材において、上記のような機械加工を行った際に残留応力が発生し、反りや歪みが生じる場合がある。このような反りや歪みを抑制するには、通常、両主面に対し同様の加工を行うが、両主面の表面粗さが異なる場合や、一方の主面にのみ溝部を形成する場合は、反りや歪みを抑制することが困難である。この傾向は、セラミックス部材の厚みが薄いほど顕著となる。
ステップＳ４４では、ＳｉＳｉＣ体を任意の寸法および形状に加工し、セラミックス部材を得る。
セラミックス部材の表面粗さを上記範囲内にするために、ＳｉＳｉＣ体の表面を、横軸研削盤、ロータリー研削盤、精密平面研削盤、ポリッシング機などを用いて研削および研磨してもよい。また、研削盤を用いて表面を平滑にした後に、ブラスト機を用いて表面を梨地状にしてもよい。
このとき、セラミックス部材の少なくとも一方の主面の表面粗さが０．１μｍ～１０μｍであるものを第１セラミックス部材１１、０．００１μｍ～０．２μｍであるものを第２セラミックス部材１２として用いることができる。
ＳｉＳｉＣ体に対し溝部を形成することで、溝部１４を有するセラミックス部材を得てもよい。溝部１４の特徴としては、上述の通りである。
ＳｉＳｉＣ体に対し溝部を形成する方法としては、例えば、ステップＳ４２において、ＳｉＣ成形体原料を流し込む型として、溝部を有する形状を採用する方法がある。他の方法としては、ＮＣ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ）フライス盤、放電加工機、レーザー加工機などの公知の加工機を用いて、ＳｉＳｉＣ体に溝部を後から形成する方法が挙げられる。ＳｉＳｉＣ体に溝部を形成した後、更に加熱し、溝部を有するＳｉＳｉＣ体を焼結させてもよい。
ステップＳ４４で得られるセラミックス部材において、上記のような機械加工を行った際に残留応力が発生し、反りや歪みが生じる場合がある。このような反りや歪みを抑制するには、通常、両主面に対し同様の加工を行うが、両主面の表面粗さが異なる場合や、一方の主面にのみ溝部を形成する場合は、反りや歪みを抑制することが困難である。この傾向は、セラミックス部材の厚みが薄いほど顕著となる。
【0045】
（接合）
ステップＳ４５では、ステップ３４で得られた第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に、中間層を形成し接合させることで、積層部材１を得る。
具体的には、まず、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２を加熱した後、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂに、元素Ｂを主成分とする接合部１３１の原料を塗布する。このとき、加熱温度は、接合部１３１の原料が溶融する温度よりも高温であれば、特に限定されない。
次に、第１セラミックス部材１１の上に第２セラミックス部材１２を配置し、または第２セラミックス部材１２の上に第１セラミックス部材１１を配置し、更にその上に重しを載せた後、冷却する。これにより、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２とが、中間層１３を介して接合され、積層部材１が得られる。なお、冷却過程において、接合部１３１内に気泡１３３が形成される場合がある。このときの気泡１３３の特徴は、上述の通りである。
積層部材１を得る際の冷却速度は、１０℃／ｈ～３００℃／ｈが好ましく、２０℃／ｈ～２００℃／ｈがより好ましく、３０℃／ｈ～１００℃／ｈが更に好ましい。冷却速度がこの範囲内であれば、冷却時にセラミックス部材にかかる残留応力が低減され、セラミックス部材が耐衝撃性に優れる。
ステップＳ４５では、ステップ３４で得られた第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２との間に、中間層を形成し接合させることで、積層部材１を得る。
具体的には、まず、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２を加熱した後、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂに、元素Ｂを主成分とする接合部１３１の原料を塗布する。このとき、加熱温度は、接合部１３１の原料が溶融する温度よりも高温であれば、特に限定されない。
次に、第１セラミックス部材１１の上に第２セラミックス部材１２を配置し、または第２セラミックス部材１２の上に第１セラミックス部材１１を配置し、更にその上に重しを載せた後、冷却する。これにより、第１セラミックス部材１１と第２セラミックス部材１２とが、中間層１３を介して接合され、積層部材１が得られる。なお、冷却過程において、接合部１３１内に気泡１３３が形成される場合がある。このときの気泡１３３の特徴は、上述の通りである。
積層部材１を得る際の冷却速度は、１０℃／ｈ～３００℃／ｈが好ましく、２０℃／ｈ～２００℃／ｈがより好ましく、３０℃／ｈ～１００℃／ｈが更に好ましい。冷却速度がこの範囲内であれば、冷却時にセラミックス部材にかかる残留応力が低減され、セラミックス部材が耐衝撃性に優れる。
【0046】
なお、接合部１３１の原料を塗布した後に、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方の上に、小部材１３２を配置してもよい。このとき、小部材１３２の配置および個数は特に限定されないが、例えば、図１のように第１内側主面１１ｂの周縁部に１つずつ配置してもよい。小部材１３２を配置することで、中間層１３の厚みを制御しやすく、所望の寸法の積層部材１を得ることが容易となる。
【0047】
また、図示しないが、接合部１３１の原料を塗布する前に、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂの少なくとも一方に、元素Ａを主成分とする金属層を形成してもよい。なお、セラミックス部材が溝部１４を有する場合は、溝部１４の中まで金属層が形成される。
【0048】
また、図示しないが、セラミックス部材が内側溝部１４ｂを有する場合、接合部１３１の原料を塗布する前に、内側溝部１４ｂに、内側溝部１４ｂの寸法よりも小さなパイプ状部材を設置し、その後接合を行っても良い。
ステップＳ４５において、内側溝部１４ｂに接合部１３１の原料が入り込み、内側溝部１４ｂにより積層部材１に形成される長孔の一部が塞がってしまい、熱電対などの棒状部材を差し込むための空間を確保できなくなる場合がある。これを回避するために、接合時に重しを載せる前に、内側溝部１４ｂを有するセラミックス部材の方が上になるように配置することが好ましい。この方法をしてもなお内側溝部１４ｂに入り込んだ接合部１３１があった場合は、これを除去するための加工を行ってよい。
他方、内側溝部１４ｂに予めパイプ状部材を設置しておけば、そのような恐れがない。また、パイプ状部材により積層部材１に長孔が形成されるので、熱電対などの棒状部材を差し込む空間を確保するためには、パイプ状部材を用いた方が、コスト等の観点から好適となる場合がある。
パイプ状部材の材料は特に限定されず、例えば銅（Ｃｕ）、カーボン（Ｃ）、ステンレス鋼である。
ステップＳ４５において、内側溝部１４ｂに接合部１３１の原料が入り込み、内側溝部１４ｂにより積層部材１に形成される長孔の一部が塞がってしまい、熱電対などの棒状部材を差し込むための空間を確保できなくなる場合がある。これを回避するために、接合時に重しを載せる前に、内側溝部１４ｂを有するセラミックス部材の方が上になるように配置することが好ましい。この方法をしてもなお内側溝部１４ｂに入り込んだ接合部１３１があった場合は、これを除去するための加工を行ってよい。
他方、内側溝部１４ｂに予めパイプ状部材を設置しておけば、そのような恐れがない。また、パイプ状部材により積層部材１に長孔が形成されるので、熱電対などの棒状部材を差し込む空間を確保するためには、パイプ状部材を用いた方が、コスト等の観点から好適となる場合がある。
パイプ状部材の材料は特に限定されず、例えば銅（Ｃｕ）、カーボン（Ｃ）、ステンレス鋼である。
【実施例0049】
次に、表を参照して、下記の手順で作製した例１～例２２に係る積層部材について説明する。なお、以下の説明において、例１～例２２に係る各パラメータは、上述した測定方法によりそれぞれ得た。
【0050】
表１は、例１～例２０の積層部材の各パラメータをまとめたものである。表１中、例１～例１７、例１９および例２０が実施例であり、例１８が比較例である。また、表１には示さないが、後述する例２１および例２２も比較例である。
【0051】
＜製造方法＞
（例１）
《原料選定》
ＳｉＣ成形体原料として、α－ＳｉＣ粒子と、フェノール樹脂を準備した。
なお、α－ＳｉＣ粒子は、３２５メッシュの篩で分球され、最大粒子径は４４μｍ、平均粒子径は８μｍであった。
（例１）
《原料選定》
ＳｉＣ成形体原料として、α－ＳｉＣ粒子と、フェノール樹脂を準備した。
なお、α－ＳｉＣ粒子は、３２５メッシュの篩で分球され、最大粒子径は４４μｍ、平均粒子径は８μｍであった。
【0052】
《ＳｉＣ成形体の作製》
上記ＳｉＣ成形体原料を純水に加えて混合し、これを石膏型に流し込んで着肉させた後、石膏型の内部に残留しているセラミックス成形体原料（泥漿）を排出し（排泥鋳込成形法）、更に乾燥させて、平面視で長方形のＳｉＣ成形体を得た。
次に、このＳｉＣ成形体を、表１に記載の積層部材１の寸法が得られるように適宜加工した。更に、これらを電気炉内に設置し、不活性雰囲気下、１８００℃にて５時間加熱した。
上記ＳｉＣ成形体原料を純水に加えて混合し、これを石膏型に流し込んで着肉させた後、石膏型の内部に残留しているセラミックス成形体原料（泥漿）を排出し（排泥鋳込成形法）、更に乾燥させて、平面視で長方形のＳｉＣ成形体を得た。
次に、このＳｉＣ成形体を、表１に記載の積層部材１の寸法が得られるように適宜加工した。更に、これらを電気炉内に設置し、不活性雰囲気下、１８００℃にて５時間加熱した。
【0053】
《Ｓｉ含浸》
得られたＳｉＣ成形体を反応炉内に設置し、更にその上にＳｉ単体を配置し、減圧環境下、１４５０℃まで加熱した。これにより、Ｓｉ単体が溶融し、ＳｉＣ成形体中に含浸された。このとき、ＳｉＣ成形体中において、略全ての細孔がＳｉで満たされ、また、フェノール樹脂に由来するβ－ＳｉＣが生成された。このようにして、ＳｉＳｉＣ体を得た。
得られたＳｉＣ成形体を反応炉内に設置し、更にその上にＳｉ単体を配置し、減圧環境下、１４５０℃まで加熱した。これにより、Ｓｉ単体が溶融し、ＳｉＣ成形体中に含浸された。このとき、ＳｉＣ成形体中において、略全ての細孔がＳｉで満たされ、また、フェノール樹脂に由来するβ－ＳｉＣが生成された。このようにして、ＳｉＳｉＣ体を得た。
【0054】
《加工》
上記ＳｉＳｉＣ体を横軸研削機により研削し、両主面の表面粗さを０．５μｍとした。このように両主面を研削したＳｉＳｉＣ体を２つ作製した。
次に、上記２つのＳｉＳｉＣ体から、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材を得た。
第１セラミックス部材１１を得る際には、研削したＳｉＳｉＣ体の一方の主面に対し、ＳｉＣ砥粒を用いたサンドブラスト機によりブラスト加工を実施し、表面粗さを０．１μｍ～１０μｍとすることで、第１外側主面１１ａを得た。このとき、ＳｉＣ砥粒の粒径は、目的の表面粗さに応じて適宜調整した。
他方、第２セラミックス部材１２を得る際には、研削したＳｉＳｉＣ体の一方の主面に対し、ラッピングマシンにより粗研磨加工を実施した後、ポリッシングマシンにより精密研磨加工を実施して、表面粗さを０．００１μｍ～０．２μｍとすることで、第２外側主面１２ａを得た。
このようにして得られた第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２の平均線膨張係数は３．１ｐｐｍ／℃、熱伝導率は３３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ヤング率は３８０ＧＰａ、曲げ強度は２３２ＭＰａ、ビッカース硬さは２３．４ＧＰａであった。これらのパラメータは、後に得られる積層部材においても同様であった。
上記ＳｉＳｉＣ体を横軸研削機により研削し、両主面の表面粗さを０．５μｍとした。このように両主面を研削したＳｉＳｉＣ体を２つ作製した。
次に、上記２つのＳｉＳｉＣ体から、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材を得た。
第１セラミックス部材１１を得る際には、研削したＳｉＳｉＣ体の一方の主面に対し、ＳｉＣ砥粒を用いたサンドブラスト機によりブラスト加工を実施し、表面粗さを０．１μｍ～１０μｍとすることで、第１外側主面１１ａを得た。このとき、ＳｉＣ砥粒の粒径は、目的の表面粗さに応じて適宜調整した。
他方、第２セラミックス部材１２を得る際には、研削したＳｉＳｉＣ体の一方の主面に対し、ラッピングマシンにより粗研磨加工を実施した後、ポリッシングマシンにより精密研磨加工を実施して、表面粗さを０．００１μｍ～０．２μｍとすることで、第２外側主面１２ａを得た。
このようにして得られた第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２の平均線膨張係数は３．１ｐｐｍ／℃、熱伝導率は３３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ヤング率は３８０ＧＰａ、曲げ強度は２３２ＭＰａ、ビッカース硬さは２３．４ＧＰａであった。これらのパラメータは、後に得られる積層部材においても同様であった。
【0055】
《接合》
上記第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２を加熱した後、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂに、Ｓｎを９９．９質量％含有する接合部１３１の原料を塗布した。このとき、加熱温度は２７０℃とした。
次に、第１セラミックス部材１１の上に第２セラミックス部材１２を配置し、更にその上に重しを載せた後、１００℃／ｈで冷却することで、表１に示す各パラメータを有する、平面視で長方形の積層部材１を得た。
上記第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２を加熱した後、第１内側主面１１ｂおよび第２内側主面１２ｂに、Ｓｎを９９．９質量％含有する接合部１３１の原料を塗布した。このとき、加熱温度は２７０℃とした。
次に、第１セラミックス部材１１の上に第２セラミックス部材１２を配置し、更にその上に重しを載せた後、１００℃／ｈで冷却することで、表１に示す各パラメータを有する、平面視で長方形の積層部材１を得た。
【0056】
（例２）
接合部１３１の原料として、Ｓｎを９０質量％含有するものを用いたこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
接合部１３１の原料として、Ｓｎを９０質量％含有するものを用いたこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
【0057】
（例３）
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９０質量％含有するものを用いたこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９０質量％含有するものを用いたこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
【0058】
（例４～例６）
接合部１３１の原料を塗布した後に、第１セラミックス部材１１の上の任意の８箇所に、それぞれが十分に離れるように、直方体状の小部材１３２を配置したこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。
接合部１３１の原料を塗布した後に、第１セラミックス部材１１の上の任意の８箇所に、それぞれが十分に離れるように、直方体状の小部材１３２を配置したこと以外は、例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。
【0059】
（例７）
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと以外は、例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと以外は、例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
【0060】
（例８）
例８では、セラミックス部材として、ＳｉＣを用いた。
まず、ＳｉＣ成形体原料として、α－ＳｉＣ粒子、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）粒子、フェノール樹脂を準備した。
なお、α－ＳｉＣ粒子は、３２５メッシュの篩で分球され、最大粒子径は４４μｍ、平均粒子径は８μｍであった。また、Ｂ４Ｃ粒子としては、平均粒子径２．５μｍのものを用いた。
次に、α－ＳｉＣ粒子９２．８重量％、Ｂ４Ｃ粒子０．２重量％、フェノール樹脂７．０重量％およびエチルアルコール適量を２４時間にわたり湿式粉砕混合してスラリーを調整し、このスラリーをスプレードライヤーによって造粒した。
次に、得られた造粒粉を所定の金型に充填し、３０ＭＰａの成形圧で一次成形した後、更に１９６ＭＰａの成形圧でＣＩＰ（Ｃｏｌｄ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）成形することで、平面視で長方形のＳｉＣ成形体を得た。
次に、得られたＳｉＣ成形体を電気炉内に設置し、アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、２０００℃にて１時間加熱した。このようにして、ＳｉＣ焼結体を得た。
次に、上記ＳｉＣ焼結体を横軸研削機により研削し、両主面の表面粗さを０．５μｍとした。このように両主面を研削したＳｉＣ焼結体を２つ作製した。
その後は、例１と同様の方法により、第１外側主面１１ａおよび第２外側主面１２ａの表面粗さを調整した後に、接合することで、表１に示すパラメータを有する、平面視で長方形の積層部材１を得た。
例８では、セラミックス部材として、ＳｉＣを用いた。
まず、ＳｉＣ成形体原料として、α－ＳｉＣ粒子、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）粒子、フェノール樹脂を準備した。
なお、α－ＳｉＣ粒子は、３２５メッシュの篩で分球され、最大粒子径は４４μｍ、平均粒子径は８μｍであった。また、Ｂ４Ｃ粒子としては、平均粒子径２．５μｍのものを用いた。
次に、α－ＳｉＣ粒子９２．８重量％、Ｂ４Ｃ粒子０．２重量％、フェノール樹脂７．０重量％およびエチルアルコール適量を２４時間にわたり湿式粉砕混合してスラリーを調整し、このスラリーをスプレードライヤーによって造粒した。
次に、得られた造粒粉を所定の金型に充填し、３０ＭＰａの成形圧で一次成形した後、更に１９６ＭＰａの成形圧でＣＩＰ（Ｃｏｌｄ Ｉｓｏｓｔａｔｉｃ Ｐｒｅｓｓｉｎｇ）成形することで、平面視で長方形のＳｉＣ成形体を得た。
次に、得られたＳｉＣ成形体を電気炉内に設置し、アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、２０００℃にて１時間加熱した。このようにして、ＳｉＣ焼結体を得た。
次に、上記ＳｉＣ焼結体を横軸研削機により研削し、両主面の表面粗さを０．５μｍとした。このように両主面を研削したＳｉＣ焼結体を２つ作製した。
その後は、例１と同様の方法により、第１外側主面１１ａおよび第２外側主面１２ａの表面粗さを調整した後に、接合することで、表１に示すパラメータを有する、平面視で長方形の積層部材１を得た。
【0061】
（例９～例１０）
加工の工程において、第１セラミックス部材１１の第１内側主面１１ｂに、平面視で直線状であり、断面形状が矩形状である内側溝部１４ｂを形成したこと、および、接合の工程において、第２セラミックス部材１２の上に第１セラミックス部材１１を配置してから重しを載せたこと以外は、例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。例９～例１０の積層部材１は、内側溝部１４ｂに由来する四角柱状の長孔を有していた。
加工の工程において、第１セラミックス部材１１の第１内側主面１１ｂに、平面視で直線状であり、断面形状が矩形状である内側溝部１４ｂを形成したこと、および、接合の工程において、第２セラミックス部材１２の上に第１セラミックス部材１１を配置してから重しを載せたこと以外は、例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。例９～例１０の積層部材１は、内側溝部１４ｂに由来する四角柱状の長孔を有していた。
【0062】
（例１１）
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと以外は、例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
接合部１３１の原料として、Ｉｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと以外は、例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。
【0063】
（例１２～例１４）
内側溝部１４ｂを形成した後に、内側溝部１４ｂに外径１．５ｍｍ、内径１．０ｍｍ、長さ２５ｃｍであるステンレス鋼製のパイプ状部材を設置し、その後接合を行ったこと以外は、例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。なお、接合において、内側溝部１４ｂとパイプ状部材との隙間は、接合部１３１で満たされていた。
内側溝部１４ｂを形成した後に、内側溝部１４ｂに外径１．５ｍｍ、内径１．０ｍｍ、長さ２５ｃｍであるステンレス鋼製のパイプ状部材を設置し、その後接合を行ったこと以外は、例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。なお、接合において、内側溝部１４ｂとパイプ状部材との隙間は、接合部１３１で満たされていた。
【0064】
（例１５）
接合部１３１の原料としてＩｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと、および、内側溝部１４ｂを形成した後に、内側溝部１４ｂに外径０．９５ｍｍ、内径０．８ｍｍ、長さ２５ｃｍであるステンレス鋼製のパイプ状部材を設置し、その後接合を行ったこと以外は、例１２～例１４と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。なお、接合において、内側溝部１４ｂとパイプ状部材との隙間は、接合部１３１で満たされていた。
接合部１３１の原料としてＩｎを９９．９質量％含有するものを用いたこと、および、内側溝部１４ｂを形成した後に、内側溝部１４ｂに外径０．９５ｍｍ、内径０．８ｍｍ、長さ２５ｃｍであるステンレス鋼製のパイプ状部材を設置し、その後接合を行ったこと以外は、例１２～例１４と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１をそれぞれ得た。なお、接合において、内側溝部１４ｂとパイプ状部材との隙間は、接合部１３１で満たされていた。
【0065】
（例１６）
例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、中間層の厚みは０．００３ｍｍとした。
例１と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、中間層の厚みは０．００３ｍｍとした。
【0066】
（例１７）
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、中間層の厚みは０．８１ｍｍ、小部材の厚みは０．８ｍｍとした。
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、中間層の厚みは０．８１ｍｍ、小部材の厚みは０．８ｍｍとした。
【0067】
（例１８）
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材を得た。ただし、第１セラミックス部材１１の厚みは０．４ｍｍ、第２セラミックス部材１２の厚みは０．４ｍｍ、中間層の厚みは０．１５ｍｍとした。
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材を得た。ただし、第１セラミックス部材１１の厚みは０．４ｍｍ、第２セラミックス部材１２の厚みは０．４ｍｍ、中間層の厚みは０．１５ｍｍとした。
【0068】
（例１９）
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、気泡の平均断面積は４．９ｃｍ２とした。
例４～例６と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、気泡の平均断面積は４．９ｃｍ２とした。
【0069】
（例２０）
例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、内側溝部の深さは５ｍｍ、長さは２５ｃｍ、幅は５ｍｍとした。
例９～例１０と同様の方法により、表１に示す各パラメータを有する積層部材１を得た。ただし、内側溝部の深さは５ｍｍ、長さは２５ｃｍ、幅は５ｍｍとした。
【0070】
（例２１）
例１と同様の方法により、厚みが９．３ｍｍ、最大長さが３０ｃｍ、一方の主面の表面粗さが３．５μｍ、他方の主面の表面粗さが０．１２μｍであるセラミックス部材を得た。
ただし、このように得たセラミックス部材は、他のＳｉＣｉＣ部材と接合させなかった。
例１と同様の方法により、厚みが９．３ｍｍ、最大長さが３０ｃｍ、一方の主面の表面粗さが３．５μｍ、他方の主面の表面粗さが０．１２μｍであるセラミックス部材を得た。
ただし、このように得たセラミックス部材は、他のＳｉＣｉＣ部材と接合させなかった。
【0071】
（例２２）
例１と同様の方法により、厚みが９．３ｍｍ、最大長さが１２ｃｍ、一方の主面の表面粗さが３．５μｍ、他方の主面の表面粗さが０．１２μｍであるセラミックス部材を得た。
次に、セラミックス部材に対し、ドリル加工により、直径が２ｍｍ、長さ１０ｃｍの円柱状の長孔を形成した。
ただし、このように得たセラミックス部材は、他のＳｉＣｉＣ部材と接合させなかった。
例１と同様の方法により、厚みが９．３ｍｍ、最大長さが１２ｃｍ、一方の主面の表面粗さが３．５μｍ、他方の主面の表面粗さが０．１２μｍであるセラミックス部材を得た。
次に、セラミックス部材に対し、ドリル加工により、直径が２ｍｍ、長さ１０ｃｍの円柱状の長孔を形成した。
ただし、このように得たセラミックス部材は、他のＳｉＣｉＣ部材と接合させなかった。
【0072】
＜評価＞
まず、例１～例２０の積層部材について、断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡の個数を求めたところ、いずれも０．２個／ｃｍ２以下であった。
そして、表１の評価結果から明らかなように、例１～例１７、例１９および例２０の積層部材１は、中間層１３を有するため、平面度はいずれも０．２５ｍｍ以下と良好であり、反りや歪みを有さなかった。
例９～例１５の積層部材１は、内側溝部１４ｂまたはパイプ状部材に由来する長孔が形成されており、一般的な熱電対（例えば、直径０．７ｍｍのもの）を好適に差し込むことができた。従って、例９～例１５の積層部材１は、温度を厳密に制御することが可能であった。
他方、例１６の積層部材は、中間層の厚みが０．００３μｍと不十分であったため、セラミックス部材同士を十分な強度で接合させることができず、結果として積層部材１のせん断強度は５．３ＭＰａと低い値となった。
また、例１７の積層部材１は、中間層の厚みが０．８１μｍと過剰であったため、中間層に含まれるＳｎの延性により、積層部材１のせん断強度は９ＭＰａと低い値となった。
また、例１８の積層部材は、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２の厚みが不十分であり、積層部材の厚みが０．９５ｍｍと薄かったので、平面度が１．１４ｍｍと高い値となった。
また、例１９の積層部材１は、気泡の断面積が４．９ｃｍ２と過剰であったため、積層部材１の熱伝導率は１２８Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低い値となり、かつ、せん断強度も８．７ＭＰａと低い値となった。
また、例２０の積層部材１は、内側溝部の深さが５ｍｍ、幅が５ｍｍと過剰であったため、積層部材１の熱伝導率は１１６Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低い値となった。
また、例２１のセラミックス部材は、中間層を介して他のセラミックス部材と接合していないので、平面度が０．２８ｍｍと高い値を示しており、反りや歪みが顕著であった。
また、例２２のセラミックス部材は、ドリル加工により長孔を形成する際に、最大変位量が０．４５ｍｍと高い値となった。すなわち、セラミックスが非常に硬いため、セラミックス部材内部の目的の位置に届く長孔を形成することが困難であり、熱電対を差し込んだ場合に、目的の位置における温度を把握することが困難であった。
まず、例１～例２０の積層部材について、断面積が０．５ｃｍ２以上である気泡の個数を求めたところ、いずれも０．２個／ｃｍ２以下であった。
そして、表１の評価結果から明らかなように、例１～例１７、例１９および例２０の積層部材１は、中間層１３を有するため、平面度はいずれも０．２５ｍｍ以下と良好であり、反りや歪みを有さなかった。
例９～例１５の積層部材１は、内側溝部１４ｂまたはパイプ状部材に由来する長孔が形成されており、一般的な熱電対（例えば、直径０．７ｍｍのもの）を好適に差し込むことができた。従って、例９～例１５の積層部材１は、温度を厳密に制御することが可能であった。
他方、例１６の積層部材は、中間層の厚みが０．００３μｍと不十分であったため、セラミックス部材同士を十分な強度で接合させることができず、結果として積層部材１のせん断強度は５．３ＭＰａと低い値となった。
また、例１７の積層部材１は、中間層の厚みが０．８１μｍと過剰であったため、中間層に含まれるＳｎの延性により、積層部材１のせん断強度は９ＭＰａと低い値となった。
また、例１８の積層部材は、第１セラミックス部材１１および第２セラミックス部材１２の厚みが不十分であり、積層部材の厚みが０．９５ｍｍと薄かったので、平面度が１．１４ｍｍと高い値となった。
また、例１９の積層部材１は、気泡の断面積が４．９ｃｍ２と過剰であったため、積層部材１の熱伝導率は１２８Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低い値となり、かつ、せん断強度も８．７ＭＰａと低い値となった。
また、例２０の積層部材１は、内側溝部の深さが５ｍｍ、幅が５ｍｍと過剰であったため、積層部材１の熱伝導率は１１６Ｗ／（ｍ・Ｋ）と低い値となった。
また、例２１のセラミックス部材は、中間層を介して他のセラミックス部材と接合していないので、平面度が０．２８ｍｍと高い値を示しており、反りや歪みが顕著であった。
また、例２２のセラミックス部材は、ドリル加工により長孔を形成する際に、最大変位量が０．４５ｍｍと高い値となった。すなわち、セラミックスが非常に硬いため、セラミックス部材内部の目的の位置に届く長孔を形成することが困難であり、熱電対を差し込んだ場合に、目的の位置における温度を把握することが困難であった。
【0073】
【表1】
【0074】
以上、本発明に係る積層部材およびその製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範囲内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本発明の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【0075】
１ 積層部材
１１ 第１セラミックス部材
１１ａ 第１外側主面
１１ｂ 第１内側主面
１２ 第２セラミックス部材
１２ａ 第２外側主面
１２ｂ 第２内側主面
１３ 中間層
１３１ 接合部
１３２ 小部材
１３３ 気泡
１４ 溝部
１４ａ 外側溝部
１４ｂ 内側溝部
１１ 第１セラミックス部材
１１ａ 第１外側主面
１１ｂ 第１内側主面
１２ 第２セラミックス部材
１２ａ 第２外側主面
１２ｂ 第２内側主面
１３ 中間層
１３１ 接合部
１３２ 小部材
１３３ 気泡
１４ 溝部
１４ａ 外側溝部
１４ｂ 内側溝部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
