特開 2023-92742 基板処理装置、及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023092742

(43)【公開日】2023-07-04

(54)【発明の名称】基板処理装置、及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230627BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20230627BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 601Z

H01L21/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021207932

(22)【出願日】2021-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】片岡 正道

【テーマコード（参考）】

5F057

【Ｆターム（参考）】

5F057AA05

5F057AA14

5F057BA20

5F057BB03

5F057BB05

5F057BB11

5F057CA16

5F057DA19

5F057DA22

5F057EB26

(57)【要約】

【課題】基板の周縁部を除去する際に欠陥の発生を抑制する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、保持部と、接触部と、移動部と、力印加部と、を備える。前記保持部は、重合基板を保持する。前記重合基板は、第１基板と前記第１基板に接合された第２基板とを有し、前記第１基板を中央部と周縁部とに分割する予定の第１分割ラインに改質層を有する。前記接触部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触する。前記移動部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記接触部を相対的に接離させる。前記力印加部は、前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記第１分割ラインの外側に向かう力を印加する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１基板と前記第１基板に接合された第２基板とを有し、前記第１基板を中央部と周縁部とに分割する予定の第１分割ラインに改質層を有する、重合基板を保持する保持部と、
前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触する接触部と、
前記第１基板の前記周縁部に対して前記接触部を相対的に接離させる移動部と、
前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記第１分割ラインの外側に向かう力を印加する力印加部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記接触部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触する回転ローラを含む、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記力印加部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する方向に、前記回転ローラを回転させる回転部を含む、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記力印加部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する方向に、前記接触部を移動させる第２移動部を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記保持部を回転させることで前記重合基板を回転させる第２回転部と、前記移動部と前記力印加部と前記第２回転部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部から離間させた状態で前記第２回転部によって前記重合基板を回転させる制御を行うことと、前記第２回転部による前記重合基板の回転を停止させ且つ前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で前記力印加部によって前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する制御を行うことと、を所望の順番で繰り返し行う、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記保持部を回転させることで前記重合基板を回転させる第２回転部と、前記移動部と前記力印加部と前記第２回転部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記力印加部によって前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加しながら、前記第２回転部によって前記重合基板を回転させる制御を行う、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記重合基板は、前記第１基板の前記周縁部を周方向に複数の破片に分割する予定の第２分割ラインに改質層を有し、
前記制御部は、前記移動部によって前記接触部を前記第２分割ラインに押し付けた状態で、前記力印加部によって前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する制御を行う、請求項５又は６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記接触部は複数であって、複数の前記接触部は前記第１基板の前記周縁部の異なる複数箇所に同時に押し付けられ、
前記力印加部は、複数の前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部の異なる複数箇所に対して前記力を同時に印加する、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１基板の前記中央部と前記第１基板の前記周縁部の少なくとも一部とが分割されたか否かを監視する監視部を備える、請求項１～８のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記監視部は、前記接触部である回転ローラの回転トルクを検出するトルク検出部を含む、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記監視部は、前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付ける荷重を検出する荷重検出部を含む、請求項９又は１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

第１基板と前記第１基板に接合された第２基板とを有し、前記第１基板を中央部と周縁部とに分割する予定の第１分割ラインに改質層を有する、重合基板を準備することと、
前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触部を接触させることと、
前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記第１分割ラインの外側に向かう力を印加することと、
を有する、基板処理方法。

【請求項13】

前記接触部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触する回転ローラを含み、
前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する方向に、前記回転ローラを回転させることを有する、請求項１２に記載の基板処理方法。

【請求項14】

前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加する方向に、前記接触部を移動させることを有する、請求項１２又は１３に記載の基板処理方法。

【請求項15】

前記接触部を前記第１基板の前記周縁部から離間させた状態で前記重合基板を回転させることと、前記重合基板の回転を停止させ且つ前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加することと、を所望の順番で繰り返し行う、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加しながら、前記重合基板を回転させることを行う、請求項１２～１４のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項17】

前記重合基板は、前記第１基板の前記周縁部を周方向に複数の破片に分割する予定の第２分割ラインに改質層を有し、
前記接触部を前記第２分割ラインに押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記力を印加することを行う、請求項１２～１６のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項18】

前記接触部は複数であって、複数の前記接触部は前記第１基板の前記周縁部の異なる複数箇所に同時に押し付けられ、
複数の前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部の異なる複数箇所に対して前記力を同時に印加することを有する、請求項１２～１７のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項19】

前記第１基板の前記中央部と前記第１基板の前記周縁部の少なくとも一部とが分割されたか否かを監視することを有する、請求項１２～１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。

【請求項20】

前記接触部である回転ローラの回転トルクを検出することで、または、前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付ける荷重を検出することで、前記第１基板の前記中央部と前記第１基板の前記周縁部の少なくとも一部とが分割されたか否かを監視することを有する、請求項１８に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載の基板処理システムは、被処理基板と支持基板が接合された重合基板において被処理基板の周縁部の除去処理を行う周縁除去部と、周縁除去部で周縁部が除去された被処理基板の露出した面を研削する研削部と、を備える。特許文献２にも、周縁除去部について記載がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０１９／０１３０４２号

【特許文献2】国際公開第２０２０／１０５４８３号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一態様は、基板の周縁部を除去する際に欠陥の発生を抑制する、技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、接触部と、移動部と、力印加部と、を備える。前記保持部は、重合基板を保持する。前記重合基板は、第１基板と前記第１基板に接合された第２基板とを有し、前記第１基板を中央部と周縁部とに分割する予定の第１分割ラインに改質層を有する。前記接触部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記第２基板とは反対側から接触する。前記移動部は、前記第１基板の前記周縁部に対して前記接触部を相対的に接離させる。前記力印加部は、前記移動部によって前記接触部を前記第１基板の前記周縁部に押し付けた状態で、前記接触部を介して前記第１基板の前記周縁部に対して前記第１分割ラインの外側に向かう力を印加する。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一態様によれば、基板の周縁部を除去する際に欠陥の発生を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態に係る基板処理装置で処理される重合基板を示す平面図である。

【図2】図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。

【図3】図３は、一実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図4】図４は、回転部の動作の一例を示す断面図である。

【図5】図５は、第２移動部の動作の一例を示す断面図である。

【図6】図６は、無端ベルトの動作の一例を示す断面図である。

【図7】図７は、回転ローラの第１例を示す平面図である。

【図8】図８は、回転ローラの第２例を示す平面図である。

【図9】図９は、図８の矢印ＩＸ方向から見た断面図である。

【図10】図１０は、回転ローラの第３例を示す平面図である。

【図11】図１１は、回転ローラの第４例を示す平面図である。

【図12】図１２は、接触パッドの一例を示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。

【0009】

先ず、図１および図２を参照して、一実施形態に係る基板処理装置で処理される重合基板Ｔについて説明する。重合基板Ｔは、図２に示すように、第１基板Ｗ１と、第１基板Ｗ１に接合された第２基板Ｗ２と、を有する。第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、例えばシリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、またはガラス基板である。

【0010】

第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２と対向する対向面Ｗ１ａと、対向面Ｗ１ａとは反対向きの反対面Ｗ１ｂと、を有する。第１基板Ｗ１の対向面Ｗ１ａには、例えば、第１デバイス層Ｄ１と、第１接合層Ｆ１とがこの順番で形成される。第１デバイス層Ｄ１は、電子回路を含む。第１接合層Ｆ１は、例えば酸化層であり、好ましくは酸化シリコン層である。

【0011】

酸化層は、熱酸化法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｏｎ）法、又はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などで形成される。ＣＶＤ法で酸化シリコン層を形成する場合、酸化シリコン層の原料としてＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｏｘｙ Ｓｉｌａｎｅ）などが用いられる。

【0012】

第２基板Ｗ２は、第１基板Ｗ１と対向する対向面Ｗ２ａと、対向面Ｗ２ａとは反対向きの反対面Ｗ２ｂと、を有する。第２基板Ｗ２の対向面Ｗ２ａには、例えば、第２デバイス層Ｄ２と、第２接合層Ｆ２とがこの順番で形成される。第２デバイス層Ｄ２は、電子回路を含む。第２接合層Ｆ２は、例えば酸化層であり、好ましくは酸化シリコン層である。

【0013】

重合基板Ｔは、例えば、第１基板Ｗ１と、第１デバイス層Ｄ１と、第１接合層Ｆ１と、第２接合層Ｆ２と、第２デバイス層Ｄ２と、第２基板Ｗ２と、をこの順番で有する。なお、重合基板Ｔは、少なくとも第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを有していればよい。例えば、重合基板Ｔは、第２デバイス層Ｄ２を有していなくてもよい。

【0014】

ところで、半導体デバイスの薄化を目的として、シリコンウェハなどの基板の薄化が行われることがある。基板がその周縁部にベベルを有した状態で基板が薄化されると、基板の周縁部がナイフエッジと呼ばれる形状になり、基板の周縁部が欠けやすくなってしまう。そこで、基板の薄化前に、基板の周縁部を除去する技術が検討されている。

【0015】

重合基板Ｔは、図１に示すように、第１基板Ｗ１を中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２とに分割する予定の第１分割ラインＬ１に改質層Ｗ１３（図２参照）を有する。周縁部Ｗ１２は、ベベルを有している。周縁部Ｗ１２は、平面視で環状である。平面視で周縁部Ｗ１２の幅（外周と内周の距離）は、例えば０．５ｍｍ～３ｍｍである。

【0016】

改質層Ｗ１３（図２参照）は、例えば第１基板Ｗ１に対してレーザー光線を照射することで形成される。レーザー光線は、例えばＹＡＧレーザーによって形成する。改質層Ｗ１３は、第１基板Ｗ１の板厚方向と周方向に間隔をおいて複数形成される。隣り合う改質層Ｗ１３は、レーザー光線の照射時に形成されるクラックでつながっていてもよい。

【0017】

詳しくは後述するが、図５に示すように第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に力Ｆを印可することで、改質層Ｗ１３を起点にクラックが広がり、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１が分割され、周縁部Ｗ１２が除去される。第１基板Ｗ１の中央部Ｗ１１は第２基板Ｗ２に接合されたままである。

【0018】

重合基板Ｔは、図２に示すように、剥離層Ｗ１４を有してもよい。剥離層Ｗ１４は、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２と第２基板Ｗ２の接合強度を、第１基板Ｗ１の中央部Ｗ１１と第２基板Ｗ２の接合強度よりも低下させる。剥離層Ｗ１４は、レーザー光線の照射によって形成される。レーザー光線は、例えばＣＯ_２レーザーによって形成する。剥離層Ｗ１４を形成することで、周縁部Ｗ１２を容易に除去できる。

【0019】

剥離層Ｗ１４は、例えば、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２と第１デバイス層Ｄ１の界面に、環状に形成される。なお、剥離層Ｗ１４は、重合基板Ｔの内部に形成されればよく、例えば第２基板Ｗ２と第２デバイス層Ｄ２の界面、または第１接合層Ｆ１と第２接合層Ｆ２の界面に形成されてもよい。

【0020】

重合基板Ｔは、図１に示すように、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２を周方向に複数の破片に分割する予定の複数の第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈに改質層Ｗ１３（図２参照）を有してもよい。複数の第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈは、放射状に設定される。第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈの数は、本実施形態では８つであるが、２つ以上であればよく、特に限定されない。

【0021】

環状の周縁部Ｗ１２を周方向に複数の破片に分割することで、複数の破片を第１基板Ｗ１の径方向外方に取り外すことができる。環状の周縁部Ｗ１２を周方向に複数の破片に分割することなく第１基板Ｗ１の板厚方向に抜き取る場合に比べて、周縁部Ｗ１２の除去が容易である。

【0022】

次に、主に図３および図４を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、図３に示すように、保持部１０と、接触部２０と、移動部３０と、力印加部４０と、を備える。保持部１０は、重合基板Ｔを保持する。例えば、保持部１０は、第１基板Ｗ１を上に向けて第２基板Ｗ２を下方から水平に保持する。

【0023】

接触部２０は、重合基板Ｔを基準として保持部１０とは反対側に配置され、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して第２基板Ｗ２とは反対側から接触する。例えば、接触部２０は、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して上方から接触する。接触部２０は、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１を引き裂くべく、周縁部Ｗ１２のみに接触し、中央部Ｗ１１には接触しない方が好ましい。

【0024】

接触部２０は、例えば、回転ローラ２１を含む。回転ローラ２１は、その外周面にて第１基板Ｗ１に接触する。回転ローラ２１と第１基板Ｗ１の摩擦力を高めるべく、回転ローラ２１の外周面の材質は、ゴムまたは樹脂であってもよい。回転ローラ２１の外周面は、回転角による摩擦力の変動を低減すべく、円周面であってよい。回転ローラ２１の回転軸２２は、第１基板Ｗ１の反対面Ｗ１ｂに対して平行に配置される。

【0025】

移動部３０は、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して接触部２０を相対的に接離させる。移動部３０は、例えば接触部２０を昇降させるが、保持部１０を昇降させてもよい。移動部３０は、例えば、図示しないモータと、モータの回転運動を直線運動に変換するボールねじとを、を含む。移動部３０は、空気圧シリンダを含んでもよい。

【0026】

力印加部４０は、移動部３０によって接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に押し付けた状態で、接触部２０を介して周縁部Ｗ１２に対して第１分割ラインＬ１の外側に向かう力Ｆ（図４参照）を印加する。接触部２０を周縁部Ｗ１２に押し付けることで、摩擦力を増大でき、分割に十分な力Ｆを印可できる。

【0027】

力Ｆは、第１分割ラインＬ１の外側に向かう方向に作用し、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１とを引き裂く。周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１の分割面同士を引き離す方向に力Ｆが作用する。分割面同士を引き離すことで、分割面同士が擦れ合うのを抑制でき、欠陥の発生を抑制できる。欠陥は、チッピングまたはシェルクラックなどである。

【0028】

力印加部４０は、例えば、回転部４１と第２移動部４２の少なくとも１つを含む。回転部４１は、図４に示すように、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印加する方向（図４では反時計回りの方向）に、回転ローラ２１を回転させる。回転ローラ２１の回転トルクによって、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１とを引き裂くことができる。

【0029】

第２移動部４２は、図５に示すように、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印加する方向（図５では右方向）に、接触部２０を移動させる。接触部２０の移動によって、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１とを引き裂くことができる。なお、力印加部４０は、例えば、回転部４１と第２移動部４２の両方を含んでもよい。なお、力印加部４０は、回転部４１と第２移動部４２の少なくとも１つを含めばよく、両方を含まなくてもよい。

【0030】

図６に示すように、接触部２０は、一対の回転ローラ２１と、一対の回転ローラ２１に掛け回される無端ベルト２３と、を含んでもよい。無端ベルト２３が、第１基板Ｗ１に押し付けられる。無端ベルト２３の材質は、例えば樹脂またはゴムである。回転部４１は、少なくとも１つの回転ローラ２１を回転させることで、無端ベルト２３を循環させ、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印加する。

【0031】

基板処理装置１は、図３に示すように、監視部５０を備えてもよい。監視部５０は、第１基板Ｗ１の中央部Ｗ１１と第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２の少なくとも一部とが分割されたか否かを監視する。周縁部Ｗ１２を複数の破片に分割して除去する場合、一の破片の除去を確認した後に別の破片の除去を実施することで、全ての破片を確実に除去できる。制御部９０は、監視部５０の監視結果を作業者に対して報知してもよい。なお、監視部５０は、基板処理装置１の消耗部品の交換タイミングを検出する交換タイミング検出部として用いることも可能である。

【0032】

監視部５０は、例えば回転部４１による回転ローラ２１の回転トルクを検出するトルク検出部５１を含む。中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２が未分割であれば、中央部Ｗ１１が回転ローラ２１の回転に逆らって周縁部Ｗ１２をつなぎとめようとするので、回転ローラ２１のトルクが閾値以上になる。中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２が分割済みであれば、中央部Ｗ１１が周縁部Ｗ１２をつなぎとめることがなく、回転ローラ２１の回転トルクが閾値未満になる。なお、回転ローラ２１の摩耗が進むと、中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２が未分割であっても、周縁部Ｗ１２上で回転ローラ２１が滑ってしまうので、回転トルクが予め設定した下限値を下回る。交換タイミング検出部は、回転トルクが下限値を下回ることを検出することで、回転ローラ２１の交換タイミングを検出してもよい。

【0033】

監視部５０は、移動部３０によって接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に押し付ける荷重を検出する荷重検出部５２を含んでもよい。荷重検出部５２は、例えば荷重によって生じる歪を検出する。中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２が未分割であれば、接触部２０が周縁部Ｗ１２に当接しており、周縁部Ｗ１２が接触部２０を押し返すので、荷重が閾値以上になる。中央部Ｗ１１と周縁部Ｗ１２が分割済みであれば、接触部２０が周縁部Ｗ１２に当接しておらず、周縁部Ｗ１２が接触部２０を押し返さないので、回転ローラ２１の回転トルクが閾値未満になる。なお、回転ローラ２１の摩耗が進むと、周縁部Ｗ１２が回転ローラ２１を押し返したとしても、荷重が予め設定した下限値を下回るか上限値を上回る。交換タイミング検出部は、荷重が予め設定した下限値を下回るか上限値を上回ることを検出することで、回転ローラ２１の交換タイミングを検出してもよい。

【0034】

基板処理装置１は、第２回転部６０を備えてもよい。第２回転部６０は、保持部１０を回転させることで重合基板Ｔを回転させる。重合基板Ｔは、重合基板Ｔの中心を中心に回転させられる。重合基板Ｔを回転させることで、周縁部Ｗ１２における接触部２０の接触位置を変更できる。接触部２０の数が少ない場合に有効である。

【0035】

周縁部Ｗ１２における接触部２０の接触位置を変更させるべく、接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に沿って移動させてもよい。但し、接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に沿って移動させるよりも、重合基板Ｔを回転させる方が、周縁部Ｗ１２における接触部２０の接触位置を容易に変更できる。

【0036】

基板処理装置１は、制御部９０を備えてもよい。制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。制御部９０は、例えば、移動部３０と力印加部４０と第２回転部６０を制御する。

【0037】

例えば、制御部９０は、下記（Ａ）と（Ｂ）の制御を所望の順番で繰り返し行う。（Ａ）移動部３０によって接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２から離間させた状態で第２回転部６０によって重合基板Ｔを回転させる。（Ｂ）第２回転部６０による重合基板Ｔの回転を停止させ且つ移動部３０によって接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に押し付けた状態で、力印加部４０によって第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印加する。

【0038】

制御部９０は、上記（Ａ）の制御を行うことで、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２における接触部２０の接触位置を変更する。その接触位置は、例えば、図７に示すように、各第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈである。制御部９０は、移動部３０によって接触部２０を各第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈに押し付けた状態で、上記（Ｂ）の制御を行う。これにより、各第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈと第１分割ラインＬ１で、周縁部Ｗ１２と中央部Ｗ１１を分割できる。

【0039】

制御部９０が上記（Ａ）と（Ｂ）の制御を所望の順番で繰り返し行う場合、重合基板Ｔの回転と、回転ローラ２１の回転（力Ｆの印可）とは同時には行われない。この場合、図７に示すように、回転ローラ２１の回転軸２２は、第１基板Ｗ１の径方向に対して直交するように配置されてもよい。第１分割ラインＬ１と直交する方向に第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印可できる。

【0040】

制御部９０は、上記（Ａ）と（Ｂ）の制御を行う代わりに、下記（Ｃ）の制御を行ってもよい。（Ｃ）移動部３０によって接触部２０を第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に押し付けた状態で、力印加部４０によって第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２に対して力Ｆを印加しながら、第２回転部６０によって重合基板Ｔを回転させる。周縁部Ｗ１２の周方向全体（各第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈを含む）に亘って接触部２０を接触でき、周縁部Ｗ１２の周方向全体に力Ｆを印可できる。

【0041】

制御部９０が上記（Ｃ）の制御を行う場合、重合基板Ｔの回転と、回転ローラ２１の回転（力Ｆの印可）とが同時に行われる。この場合、図８に示すように、回転ローラ２１の回転軸２２は、第１基板Ｗ１の径方向に対して斜めに配置されてもよい。重合基板Ｔの回転と回転ローラ２１の回転とを滑らかに実施できる。

【0042】

重合基板Ｔの回転と、回転ローラ２１の回転（力Ｆの印可）とが同時に行われる場合、図９に示すように、回転軸２２の軸方向から見たときに、回転ローラ２１の重合基板Ｔとの接触位置における回転方向（矢印Ａ１方向）と、重合基板Ｔの回転方向（矢印Ａ２方向）とが逆方向であってよい。重合基板Ｔの回転に逆らって回転ローラ２１を回転させることで、力Ｆを増大できる。

【0043】

図１０に示すように、複数の接触部２０が、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２の異なる複数箇所に同時に押し付けられてもよい。例えば、複数の接触部２０が、第１基板Ｗ１の周方向に間隔をおいて配置されてもよい。複数の接触部２０を用いて、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２の複数箇所に同時に力Ｆを印可できる。例えば接触部２０の数は第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈの数と同数であってよく、全ての第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈに同時に力Ｆが印可されてもよい。この場合、重合基板Ｔの回転は不要であり、第２回転部６０は不要である。

【0044】

図１１に示すように、一対の接触部２０が、第１基板Ｗ１の中心を中心に点対称に配置されてもよい。一対の接触部２０を用いて、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２の２箇所に同時に力Ｆを印可できる。接触部２０の数が第２分割ラインＬ２ａ～Ｌ２ｈの数よりも少ない場合、重合基板Ｔを回転させることで、第１基板Ｗ１の周縁部Ｗ１２における接触部２０の接触位置を変更すればよい。なお、重合基板Ｔを回転させる代わりに、一対の接触部２０を第１基板Ｗ１の中心を中心に回転させてもよい。

【0045】

図１２に示すように、接触部２０は円弧状のパッド２４を複数（例えば一対）含んでもよい。一対のパッド２４は、第１分割ラインＬ１の外側に第１分割ラインＬ１に沿って配置される。パッド２４の材質は、例えばゴムまたは樹脂である。一対のパッド２４は、第１基板Ｗ１の中心を中心に対称に配置され、第１基板Ｗ１の中心から遠ざかる方向に移動させられる。これにより、力Ｆを印可できる。なお、パッド２４の数は、２つには限定されず、３つ以上でもよい。

【0046】

接触部２０は、図示しないが複数層構造であってもよく、パッド２４を補強する補強板を更に含んでもよい。複数のパッドに対応して複数の補強板が用いられる。パッド２４が第１基板Ｗ１に接触するのに対し、補強板は第１基板Ｗ１に接触しない。それゆえ、上方から見たときに、補強板は、パッド２４とは異なり、第１基板Ｗ１の中央部Ｗ１１に重なっていてもよい。

【0047】

以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0048】

１ 基板処理装置
１０ 保持部
２０ 接触部
３０ 移動部
４０ 力印加部
Ｌ１ 第１分割ライン
Ｔ 重合基板
Ｗ１ 第１基板
Ｗ１１ 中央部
Ｗ１２ 周縁部
Ｗ１３ 改質層
Ｗ２ 第２基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】