特開 2023-92969 リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023092969

(43)【公開日】2023-07-04

(54)【発明の名称】リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20230627BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 K

H01L23/50 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021208309

(22)【出願日】2021-12-22

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】林 真太郎

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA01

5F067AB04

5F067BA02

5F067DA17

5F067DC12

5F067DC13

5F067DC16

5F067DE01

5F067EA04

(57)【要約】

【課題】リードフレームの変形を抑制しながら半導体装置を薄型化することができるリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームは、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有するダイパッド部と、前記第１面と面一の第３面と、前記第３面とは反対側の第４面とを有するリード部と、前記ダイパッド部と前記リード部とを繋ぐ連結部と、を有し、前記連結部は、平面視で前記ダイパッド部と前記リード部との間で前記ダイパッド部を包囲する第１領域を有し、前記第１領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第５面と、前記第５面とは反対側の第６面とを有し、前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあり、前記第６面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にある。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有するダイパッド部と、
前記第１面と面一の第３面と、前記第３面とは反対側の第４面とを有するリード部と、
前記ダイパッド部と前記リード部とを繋ぐ連結部と、
を有し、
前記連結部は、平面視で前記ダイパッド部と前記リード部との間で前記ダイパッド部を包囲する第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第５面と、前記第５面とは反対側の第６面とを有し、
前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあり、
前記第６面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあることを特徴とするリードフレーム。

【請求項2】

前記リード部を複数有し、
前記連結部は、平面視で隣り合う２個の前記リード部の間に位置する第２領域を有し、
前記第２領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第７面と、前記第７面とは反対側の第８面とを有し、
前記第８面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

前記第４面に設けられためっき層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項4】

金属板の一方の面に第１レジストを設け、他方の面に第２レジストを設ける工程と、
前記第１レジストをパターニングして、前記第１レジストに被覆パターン、開口部及びダミーパターンを形成する工程と、
前記第１レジストを通じて前記金属板を前記一方の面側からハーフエッチングして、前記ダミーパターンの前記他方の面側にダイパッド部を形成し、前記被覆パターンの前記他方の面側にリード部を形成し、前記開口部の前記他方の面側に連結部を形成する工程と、
を有し、
前記ダイパッド部は、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有し、
前記リード部は、前記第１面と面一の第３面と、前記第３面とは反対側の第４面とを有し、
前記連結部は、前記ダイパッド部と前記リード部とを繋ぎ、
前記連結部は、平面視で前記ダイパッド部と前記リード部との間で前記ダイパッド部を包囲する第１領域を有し、
前記第１領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第５面と、前記第５面とは反対側の第６面とを有し、
前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあり、
前記第６面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあることを特徴とするリードフレームの製造方法。

【請求項5】

前記リード部を複数形成し、
前記連結部は、平面視で隣り合う２個の前記リード部の間に位置する第２領域を有し、
前記第２領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第７面と、前記第７面とは反対側の第８面とを有し、
前記第８面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあることを特徴とする請求項４に記載のリードフレームの製造方法。

【請求項6】

前記第４面にめっき層を形成する工程を有することを特徴とする請求項４又は５に記載のリードフレームの製造方法。

【請求項7】

第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有するダイパッド部と、
前記第１面と面一の第３面と、前記第３面とは反対側の第４面とを有するリード部と、
前記ダイパッド部に搭載され、電極を備えた半導体素子と、
前記リード部と前記電極とを接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤを封止し、前記第１面及び前記第３面と面一の第９面を有する封止樹脂と、
を有し、
前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面及び前記第３面側にあり、
前記ダイパッド部の側面及び前記リード部の側面は、前記第１面及び前記第３面に近づくほど前記ダイパッド部と前記リード部との間の距離が小さくなるように、前記第１面及び前記第３面に垂直な面から傾斜した部分を含むことを特徴とする半導体装置。

【請求項8】

請求項１乃至３のいずれか１項に記載のリードフレームを準備し、前記ダイパッド部に、電極を備えた半導体素子を搭載する工程と、
前記リード部と前記電極とをボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記第１面、前記第３面及び前記第５面を露出させながら、前記半導体素子及びボンディングワイヤを封止樹脂により封止する工程と、
前記連結部を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項9】

前記連結部を除去する工程は、前記リードフレームを前記第１面、前記第３面及び前記第５面側からエッチングする工程を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項10】

前記連結部を除去する工程の後に、前記封止樹脂の前記第１面及び前記第３面から突出する部分を除去する工程を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項11】

前記連結部を除去する工程は、前記リードフレーム及び前記封止樹脂を前記第１面、前記第３面及び前記第５面側から研削する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項12】

前記連結部を除去する工程の後に、前記第１面及び前記第３面に第２めっき層を形成する工程を有する請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、リードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

リードフレームを用いて製造される半導体装置に対して、薄型化の要請がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１２－６９８８６号公報

【特許文献2】特開２０１１－２９３３５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

リードフレームを薄型化することで半導体装置を薄型化することが考えられるが、リードフレームを薄型化した場合、半導体素子の搭載時や封止樹脂による封止時等にリードフレームが変形しやすくなる。

【0005】

本開示は、リードフレームの変形を抑制しながら半導体装置を薄型化することができるリードフレーム、リードフレームの製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを有するダイパッド部と、前記第１面と面一の第３面と、前記第３面とは反対側の第４面とを有するリード部と、前記ダイパッド部と前記リード部とを繋ぐ連結部と、を有し、前記連結部は、平面視で前記ダイパッド部と前記リード部との間で前記ダイパッド部を包囲する第１領域を有し、前記第１領域は、前記第１面及び前記第３面と面一の第５面と、前記第５面とは反対側の第６面とを有し、前記第２面は、前記第４面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあり、前記第６面は、前記第２面よりも前記第１面、前記第３面及び前記第５面側にあるリードフレームが提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、リードフレームの変形を抑制しながら半導体装置を薄型化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係るリードフレームの概要を示す図である。

【図2】図１中の一部を拡大して示す上面図である。

【図3】第１実施形態に係るリードフレームを示す断面図である。

【図4】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その１）である。

【図5】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その２）である。

【図6】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その３）である。

【図7】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その４）である。

【図8】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その５）である。

【図9】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その６）である。

【図10】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その７）である。

【図11】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その８）である。

【図12】第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その９）である。

【図13】ダミーパターンの一例を示す上面図である。

【図14】第１実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。

【図15】第１実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。

【図16】第１実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。

【図17】第２実施形態に係るリードフレームの一部を拡大して示す上面図である。

【図18】第２実施形態に係るリードフレームを示す断面図である。

【図19】第２実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その１）である。

【図20】第２実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図（その２）である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。本開示では、便宜上、リードフレームの半導体チップが搭載される側を一方の側又は上側、その反対側を他方の側又は下側とする。また、リードフレームの半導体チップが搭載される面を一方の面又は上面、その反対側の面を他方の面又は下面とする。但し、リードフレーム及び半導体装置は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物をリードフレームの一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をリードフレームの一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。

【0010】

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。

【0011】

［リードフレームの構造］
第１実施形態に係るリードフレームの構造について説明する。図１は、第１実施形態に係るリードフレームの概要を示す図である。図２は、図１中の一部を拡大して示す上面図である。図３は、第１実施形態に係るリードフレームを示す断面図である。図３（ａ）は、図２中のIIIa-IIIa線に沿った断面図に相当する。図３（ｂ）は、図２中のIIIb-IIIb線に沿った断面図に相当する。

【0012】

第１実施形態に係るリードフレーム１００は、一方の面に半導体チップが搭載され、封止樹脂により被覆されて半導体装置となるリードフレームである。リードフレーム１００は、複数の個片化領域１０１を有する。例えば、個片化領域１０１は矩形状の平面形状を有しており、１６個の個片化領域１０１が４行４列に配列して個片化領域群１０２が構成されている。リードフレーム１００は、例えば３個の個片化領域群１０２を有する。個片化領域群１０２は外枠部１５１を介して互いに連結されている。外枠部１５１は、各個片化領域群１０２の外側に設けられており、リードフレーム１００の外縁部に額縁状に形成された部分と、隣り合う個片化領域群１０２の間に直線状に形成された部分とを有する。

【0013】

各個片化領域群１０２は、隣り合う個片化領域１０１の間に設けられたセクションバー１５２を有する。セクションバー１５２は、平面視で井桁状に配置されている。セクションバーはダムバーとよばれることもある。

【0014】

各個片化領域１０１は、ダイパッド部１１と、リード部１２と、複数のめっき引出部１５３とを有する。リード部１２は、ダイパッド部１１の周囲に配置されている。めっき引出部１５３の一部は、セクションバー１５２とリード部１２とを互いに繋いでいる。めっき引出部１５３の他の一部は、セクションバー１５２とダイパッド部１１とを互いに繋いでいる。

【0015】

リードフレーム１００は、セクションバー１５２に囲まれた領域内に設けられた連結部２０を有する。連結部２０は、ダイパッド部１１と、リード部１２と、セクションバー１５２と、めっき引出部１５３とを互い連結する。連結部２０は、第１領域２１と、第２領域２２とを有する。第１領域２１は、平面視でダイパッド部１１と複数のリード部１２との間でダイパッド部１１を包囲する。第２領域２２は、平面視で隣り合う２個のリード部１２の間に位置する。

【0016】

ダイパッド部１１は、一方の面１１ａ（上面）と、一方の面１１ａとは反対側の他方の面１１ｂ（下面）とを有する。リード部１２は、一方の面１２ａ（上面）と、一方の面１２ａとは反対側の他方の面１２ｂ（下面）とを有する。セクションバー１５２は、一方の面１５２ａ（上面）と、一方の面１５２ａとは反対側の他方の面１５２ｂ（下面）とを有する。めっき引出部１５３は、一方の面１５３ａ（上面）と、一方の面１５３ａとは反対側の他方の面１５３ｂ（下面）とを有する。連結部２０は、一方の面２０ａ（上面）と、一方の面２０ａとは反対側の他方の面２０ｂ（下面）とを有する。

【0017】

ダイパッド部１１の他方の面１１ｂ、リード部１２の他方の面１２ｂ、セクションバー１５２の他方の面１５２ｂ、めっき引出部１５３の他方の面１５３ｂ及び連結部２０の他方の面２０ｂは、互いに面一である。ダイパッド部１１の他方の面１１ｂ、リード部１２の他方の面１２ｂ、セクションバー１５２の他方の面１５２ｂ、めっき引出部１５３の他方の面１５３ｂ及び連結部２０の他方の面２０ｂはリードフレーム１００の下面１００ｂに含まれる。

【0018】

ダイパッド部１１の一方の面１１ａ、リード部１２の一方の面１２ａ、セクションバー１５２の一方の面１５２ａ及びめっき引出部１５３の一方の面１５３ａは、リードフレーム１００の下面１００ｂに平行である。ダイパッド部１１の一方の面１１ａ、セクションバー１５２の一方の面１５２ａ及びめっき引出部１５３の一方の面１５３ａは、リード部１２の一方の面１２ａよりもリードフレーム１００の下面１００ｂ側にある。

【0019】

連結部２０の一方の面２０ａは、ダイパッド部１１の一方の面１１ａよりもリードフレーム１００の下面１００ｂ側にある。連結部２０の一方の面２０ａは、リードフレーム１００の下面１００ｂに平行な方向からの断面視で凹状に形成されていてもよく、リードフレーム１００の下面１００ｂに向かって凸になるように湾曲した曲面を含んでもよい。

【0020】

リードフレーム１００は、更に、リード部１２の一方の面１２ａに設けれられためっき層３１を有してもよい。めっき層３１は、例えば、リード部１２の一方の面１２ａ側から順に積層されたニッケル層、パラジウム層及び金層を含む。めっき層３１が銀層を含んでいてもよい。

【0021】

［リードフレームの製造方法］
次に、第１実施形態に係るリードフレーム１００の製造方法について説明する。図４～図１２は、第１実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図である。図４（ａ）～図１２（ａ）は上面図であり、図４（ｂ）～図１２（ｂ）は断面図である。図４～図１２は、個片化領域１０１の１つを示す。

【0022】

まず、図４に示すように、所定形状の金属製の金属板１０を準備する。金属板１０は、最終的に破線で示す切断ラインに沿って切断されて個片化領域１０１毎に個片化される部材である。金属板１０の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、４２アロイ等を用いることができる。金属板１０の厚さは、例えば、１００μｍ～３００ｍ程度とすることができる。図４（ｂ）は図４（ａ）中のIVb-IVb線に沿った断面図に相当する。

【0023】

次に、図５に示すように、金属板１０の上面に感光性のレジスト１６１を形成し、金属板１０の下面に感光性のレジスト１６２を形成する。レジスト１６１及び１６２は、例えばレジスト液の塗布及び乾燥により形成してもよく、レジストフィルムの貼り付けにより形成してもよい。レジスト１６１及び１６２としては、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等のドライフィルムレジストや電着レジスト等を用いることができる。図５（ｂ）は図５（ａ）中のVb-Vb線に沿った断面図に相当する。

【0024】

次に、図６に示すように、レジスト１６１の露光及び現像を行うことにより、レジスト１６１に被覆パターン１６１Ｓ、開口部１６１Ｔ及びダミーパターン１６１Ｕを形成する。被覆パターン１６１Ｓは、金属板１０にリード部１２を形成するための部分である。開口部１６１Ｔは、金属板１０に連結部２０を形成するための部分である。ダミーパターン１６１Ｕは、金属板１０にダイパッド部１１、外枠部１５１、セクションバー１５２及びめっき引出部１５３を形成するためのパターンである。図１３に示すように、ダミーパターン１６１Ｕは、開口部１６１Ｔよりも小さい複数の開口部１６１Ｚを含んでいる。開口部１６１Ｚは、例えば市松模様状に配列している。図１３は、ダミーパターン１６１Ｕの一例を示す上面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）中のVIb-VIb線に沿った断面図に相当する。なお、図１３に示すダミーパターン１６１Ｕは一例であって、開口部１６１Ｚの配列は市松模様状に限定されない。

【0025】

次に、図７に示すように、レジスト１６１及び１６２をエッチングマスクとして金属板１０のハーフエッチング（例えば、ウェットエッチング）を金属板１０の上面側から行う。金属板１０が銅である場合には、金属板１０のハーフエッチングには、例えば、塩化第二鉄又は塩化第二銅の水溶液を用いることができる。ハーフエッチングでは、開口部１６１Ｔが開口部１６１Ｚよりも大きいため、開口部１６１Ｔの下方において、開口部１６１Ｚの下方よりも優先的に金属板１０のエッチングが進行する。また、エッチングの進行に伴ってダミーパターン１６１Ｕが金属板１０から離れる。このハーフエッチングの結果、開口部１６１Ｔの下方では、ダミーパターン１６１Ｕの下方よりも深く金属板１０が除去される。図７（ｂ）は図７（ａ）中のVIIb-VIIb線に沿った断面図に相当する。

【0026】

このようにして、金属板１０に、ダイパッド部１１、リード部１２、外枠部１５１、セクションバー１５２、めっき引出部１５３及び連結部２０が形成される。

【0027】

次に、図８に示すように、レジスト１６１及び１６２を除去する。レジスト１６１及び１６２は、例えば剥離液により剥離することができる。このようにして、リードフレーム１００を製造することができる。リードフレーム１００は下面１００ｂを有する。下面１００ｂは、ダイパッド部１１の他方の面１１ｂ、リード部１２の他方の面１２ｂ、セクションバー１５２の他方の面１５２ｂ、めっき引出部１５３の他方の面１５３ｂ及び連結部２０の他方の面２０ｂを含む。図８（ｂ）は図８（ａ）中のVIIIb-VIIIb線に沿った断面図に相当する。

【0028】

その後、リードフレーム１００にめっき層３１を形成してもよい。めっき層３１を形成する場合、図９に示すように、金属板１０の上面に感光性のレジスト１６３を形成し、金属板１０の下面に感光性のレジスト１６４を形成する。レジスト１６３は、例えばレジスト液の塗布及び乾燥により形成する。金属板１０の上面に凹凸が存在するためである。レジスト１６４は、例えばレジスト液の塗布及び乾燥により形成してもよく、レジストフィルムの貼り付けにより形成してもよい。レジスト１６３としては、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の電着レジスト等を用いることができる。レジスト１６４としては、例えば、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂等のドライフィルムレジストや電着レジスト等を用いることができる。図９（ｂ）は図９（ａ）中のIXb-IXb線に沿った断面図に相当する。

【0029】

次に、図１０に示すように、レジスト１６３の露光及び現像を行うことにより、レジスト１６３に開口部１６３Ｘを形成する。開口部１６３Ｘは、めっき層３１を形成するための開口部であり、リード部１２の一方の面１２ａが開口部１６３Ｘから露出する。図１０（ｂ）は図１０（ａ）中のXb-Xb線に沿った断面図に相当する。

【0030】

次に、図１１に示すように、開口部１６３Ｘから露出するリード部１２の一方の面１２ａにめっき層３１を形成する。めっき層３１は、例えば、金属板１０を給電経路とする電解めっき法により形成できる。図１１（ｂ）は図１１（ａ）中のXIb-XIb線に沿った断面図に相当する。

【0031】

次に、図１２に示すように、レジスト１６３及び１６４を除去する。レジスト１６３及び１６４は、例えば剥離液により剥離することができる。図１２（ｂ）は図１２（ａ）中のXIIb-XIIb線に沿った断面図に相当する。

【0032】

このようにして、めっき層３１を有するリードフレーム１００を完成させることができる。

【0033】

［半導体装置の製造方法］
次に、第１実施形態に係るリードフレーム１００を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図１４～図１６は、第１実施形態に係るリードフレーム１００を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図である。

【0034】

まず、図１４（ａ）に示すように、第１実施形態に係るリードフレーム１００を準備し、ダイパッド部１１の一方の面１１ａの上に半導体素子４０を搭載する。半導体素子４０は上面に電極４１を有する。このとき、ダイパッド部１１の一方の面１１ａと半導体素子４０の下面とを接着剤５０により接合する。接着剤５０としては、ダイアタッチフィルム、Ａｇペースト等が用いられる。

【0035】

次に、図１４（ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ６０を用いてめっき層３１と電極４１とを電気的に接続する。

【0036】

次に、図１４（ｃ）に示すように、半導体素子４０及びボンディングワイヤ６０を封止樹脂７０により封止する。このとき、リードフレーム１００の上面も封止樹脂７０により封止される。一方、リードフレームの下面１００ｂは封止樹脂７０から露出させる。封止樹脂７０としては、例えば、エポキシ樹脂にフィラーを含有させた所謂モールド樹脂等を用いることができる。封止樹脂７０は、例えば、トランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成できる。

【0037】

次に、図１５（ａ）に示すように、リードフレーム１００のエッチバックを下面１００ｂ側から行い、連結部２０を除去する。この結果、ダイパッド部１１及びリード部１２が互いに電気的に分離される。また、リード部１２は、当該リード部１２に直接繋がるめっき引出部１５３を介してセクションバー１５２に電気的に接続されるが、複数のリード部１２の間では、セクションバー１５２を介してのみ互いに電気的に接続されるようになる。ダイパッド部１１は、当該ダイパッド部１１に直接繋がるめっき引出部１５３を介してセクションバー１５２に電気的に接続されるが、各リード部１２との間では、セクションバー１５２を介してのみ互いに電気的に接続されるようになる。また、リードフレーム１００の厚さが小さくなり、リードフレーム１００の下面１００ｂが上面側に移動する。この結果、封止樹脂７０の一部がリードフレーム１００の下面１００ｂよりも下側に突出するようになる。リードフレーム１００のエッチバックとしては、例えばウェットエッチングを行うことができる。

【0038】

次に、図１５（ｂ）に示すように、封止樹脂７０のリードフレーム１００の下面１００ｂよりも下側に突出する部分を除去し、封止樹脂７０の下面７０ｂをリードフレーム１００の下面１００ｂと面一にする。封止樹脂７０の除去は、例えば研削又はサンドブラストにより行うことができる。

【0039】

次に、図１５（ｃ）に示すように、ダイパッド部１１の他方の面１１ｂ、リード部１２の他方の面１２ｂ、セクションバー１５２の他方の面１５２ｂ及びめっき引出部１５３の他方の面１５３ｂ（図３（ｂ）参照）にめっき層３２を形成する。めっき層３２は、例えば、セクションバー１５２及びめっき引出部１５３を給電経路とする電解めっき法により形成できる。めっき層３２としては、例えば、はんだめっき層又は錫めっき層を形成する。

【0040】

次に、図１６（ａ）に示すように、隣り合う個片化領域１０１の間の領域を、例えばスライサーの回転刃８０を用いた切断等により除去する。この結果、セクションバー１５２が除去される。また、セクションバー１５２の除去に伴って、複数のリード部１２が互いに電気的に絶縁されるとともに、ダイパッド部１１が各リード部１２から電気的に絶縁される。

【0041】

このようにして、半導体装置１１０を製造することができる。

【0042】

図１６（ｂ）に示すように、半導体装置１１０は、ダイパッド部１１と、リード部１２と、電極４１を備えた半導体素子４０と、ボンディングワイヤ６０と、封止樹脂７０とを有する。半導体素子４０は、ダイパッド部１１に搭載されている。ボンディングワイヤ６０は、リード部１２と電極４１とを接続する。封止樹脂７０は、半導体素子４０及びボンディングワイヤ６０を封止する。また、封止樹脂７０は、リードフレーム１００の下面１００ｂと面一の下面７０ｂを有する。ダイパッド部１１の側面及びリード部１２の側面は、リードフレーム１００の下面１００ｂに近づくほどダイパッド部１１とリード部１２との間の距離が小さくなるように、下面１００ｂに垂直な面から傾斜した部分を含む。

【0043】

本実施形態では、リードフレーム１００が連結部２０を有する状態で半導体素子４０の搭載及び封止樹脂７０の形成を行うことができる。従って、半導体素子４０の搭載及び封止樹脂７０の形成の際のリードフレーム１００の変形を抑制することができる。また、半導体素子４０の搭載及び封止樹脂７０の形成後に、リードフレーム１００を下面１００ｂ側からエッチバックすることで、連結部２０を除去し、ダイパッド部１１とリード部１２とを電気的に絶縁することができる。また、このエッチバックにより、半導体装置１１０を薄型化することができる。

【0044】

なお、リードフレーム１００のエッチバックに代えて、リードフレーム１００を下面１００ｂ側から研削することによって連結部２０を除去してもよい。この場合、リードフレーム１００の研削の際に、封止樹脂７０の一部も研削され、封止樹脂７０の下面７０ｂがリードフレーム１００の下面１００ｂと面一になる。

【0045】

また、ダイパッド部１１の厚さの調整のために、ダイパッド部１１のハーフエッチングを行ってもよい。

【0046】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、セクションバーの構成の点で第１実施形態と相違する。

【0047】

［リードフレームの構造］
第２実施形態に係るリードフレームの構造について説明する。図１７は、第２実施形態に係るリードフレームの一部を拡大して示す上面図である。図１８は、第２実施形態に係るリードフレームを示す断面図である。図１８（ａ）は、図１７中のXVIIIa-XVIIIa線に沿った断面図に相当する。図１８（ｂ）は、図１７中のXVIIIb-XVIIIb線に沿った断面図に相当する。

【0048】

第２実施形態に係るリードフレーム２００では、セクションバー１５２の一方の面１５２ａ及びめっき引出部１５３の一方の面１５３ａがリード部１２の一方の面１２ａと面一になっている。

【0049】

ダイパッド部１１の他方の面１１ｂ、リード部１２の他方の面１２ｂ、セクションバー１５２の他方の面１５２ｂ、めっき引出部１５３の他方の面１５３ｂ及び連結部２０の他方の面２０ｂはリードフレーム２００の下面２００ｂに含まれる。

【0050】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0051】

［リードフレームの製造方法］
次に、第２実施形態に係るリードフレーム２００の製造方法について説明する。図１９～図２０は、第２実施形態に係るリードフレームの製造方法を示す図である。図１９（ａ）～図２０（ａ）は上面図であり、図１９（ｂ）～図２０（ｂ）は断面図である。図１９～図２０は、個片化領域１０１の１つを示す。

【0052】

まず、第１実施形態と同様に、レジスト１６１及び１６２の形成までの処理を行う（図４～図５参照）。次に、図１９に示すように、レジスト１６１の露光及び現像を行うことにより、レジスト１６１に被覆パターン１６１Ｓ、開口部１６１Ｔ及びダミーパターン１６１Ｕを形成する。被覆パターン１６１Ｓは、金属板１０にリード部１２、外枠部１５１、セクションバー１５２及びめっき引出部１５３を形成するための部分である。開口部１６１Ｔは、金属板１０に連結部２０を形成するための部分である。ダミーパターン１６１Ｕは、金属板１０にダイパッド部１１を形成するためのパターンである。図１９（ｂ）は図１９（ａ）中のXIXb-XIXb線に沿った断面図に相当する。

【0053】

次に、図２０に示すように、レジスト１６１及び１６２をエッチングマスクとして金属板１０のハーフエッチング（例えば、ウェットエッチング）を金属板１０の上面側から行う。ハーフエッチングは、第１実施形態と同様にして行うことができる。このハーフエッチングの結果、開口部１６１Ｔの下方では、ダミーパターン１６１Ｕの下方よりも深く金属板１０が除去される。図２０（ｂ）は図２０（ａ）中のXXb-XXb線に沿った断面図に相当する。

【0054】

このようにして、金属板１０に、ダイパッド部１１、リード部１２、外枠部１５１、セクションバー１５２、めっき引出部１５３及び連結部２０が形成される。

【0055】

その後、第１実施形態と同様にして、レジスト１６１及び１６２の除去以降の処理を行う（図８～図１２参照）。

【0056】

このようにして、リードフレーム２００を製造することができる。

【0057】

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。すなわち、半導体装置の製造過程において、半導体素子４０の搭載及び封止樹脂７０の形成の際のリードフレーム２００の変形を抑制することができる。また、半導体素子４０の搭載及び封止樹脂７０の形成後に、リードフレーム２００を下面２００ｂ側からエッチバックすることで、ダイパッド部１１とリード部１２とを電気的に絶縁することができる。また、このエッチバックにより、半導体装置１１０を薄型化することができる。

【0058】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0059】

１１ ダイパッド部
１２ リード部
２０ 連結部
２１ 第１領域
２２ 第２領域
３１、３２ めっき層
４０ 半導体素子
６０ ボンディングワイヤ
７０ 封止樹脂
７０ｂ 下面
１００、２００ リードフレーム
１００ｂ、２００ｂ 下面
１１０ 半導体装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】