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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023094256
(43)【公開日】2023-07-05
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びガス供給方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20230628BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20230628BHJP
H05H 1/46 20060101ALN20230628BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/205
H05H1/46 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021209634
(22)【出願日】2021-12-23
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】四本松 康太
(72)【発明者】
【氏名】荒巻 昂
(72)【発明者】
【氏名】李 黎夫
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
5F045
【Ｆターム（参考）】
2G084BB14
2G084CC04
2G084CC05
2G084CC12
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD23
2G084DD24
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF13
2G084FF15
5F004AA16
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB28
5F004CA03
5F004CA06
5F004DA00
5F004DA01
5F004DA03
5F004DA04
5F004DA15
5F004DA16
5F004DA17
5F004DA23
5F004DA25
5F004DA26
5F045AA08
5F045DP03
5F045EF05
5F045EF09
5F045EH13
5F045EH20
5F045EM05
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理の面内均一性を制御するプラズマ処理装置及びガス供給方法を提供する。
【解決手段】基板を支持するように構成される基板支持部を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、少なくとも前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、を備え、前記ガス供給部は、複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給するように構成されるガスユニットと、複数の前記ガス導入部のうち選択された前記ガス導入部に注入ガスを供給するように構成されるインジェクションユニットと、を有し、前記制御部は、２種類以上の前記注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給するように前記インジェクションユニットを制御する、プラズマ処理装置。
【選択図】図２
【解決手段】基板を支持するように構成される基板支持部を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、少なくとも前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、を備え、前記ガス供給部は、複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給するように構成されるガスユニットと、複数の前記ガス導入部のうち選択された前記ガス導入部に注入ガスを供給するように構成されるインジェクションユニットと、を有し、前記制御部は、２種類以上の前記注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給するように前記インジェクションユニットを制御する、プラズマ処理装置。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を支持するように構成される基板支持部を有するプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、
複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、
前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
少なくとも前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、を備え、
前記ガス供給部は、
複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給するように構成されるガスユニットと、
複数の前記ガス導入部のうち選択された前記ガス導入部に注入ガスを供給するように構成されるインジェクションユニットと、を有し、
前記制御部は、
２種類以上の前記注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給するように前記インジェクションユニットを制御する、
プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、
複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、
前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
少なくとも前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、を備え、
前記ガス供給部は、
複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給するように構成されるガスユニットと、
複数の前記ガス導入部のうち選択された前記ガス導入部に注入ガスを供給するように構成されるインジェクションユニットと、を有し、
前記制御部は、
２種類以上の前記注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給するように前記インジェクションユニットを制御する、
プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記インジェクションユニットは、前記ガス導入部ごとに前記注入ガスのガス種を選択可能に構成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記インジェクションユニットは、前記ガス導入部ごとに前記注入ガスの流量を調整可能に構成される、
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記制御部は、
第１ステップと、第２ステップと、を繰り返して前記基板にプラズマ処理を施し、
前記第１ステップと前記第２ステップで前記ガス導入部ごとに供給される前記注入ガスのガス種、流量のうち少なくとも一方を切り替える、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
第１ステップと、第２ステップと、を繰り返して前記基板にプラズマ処理を施し、
前記第１ステップと前記第２ステップで前記ガス導入部ごとに供給される前記注入ガスのガス種、流量のうち少なくとも一方を切り替える、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記ガス供給部は、前記ガスユニットから供給される前記共通ガスを分配して複数の前記ガス導入部に供給するように構成されるフロースプリッタを備え、
前記インジェクションユニットは、前記フロースプリッタの下流であって、前記シャワーヘッドの複数のガス導入部のそれぞれに対応して設けられたガス流路に接続され、前記フロースプリッタで分配された前記共通ガスに前記注入ガスを注入するように構成される、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
前記インジェクションユニットは、前記フロースプリッタの下流であって、前記シャワーヘッドの複数のガス導入部のそれぞれに対応して設けられたガス流路に接続され、前記フロースプリッタで分配された前記共通ガスに前記注入ガスを注入するように構成される、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
基板を支持するように構成される基板支持部を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、を備えるプラズマ処理装置のガス供給方法であって、
複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給し、
２種類以上の注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給する、
ガス供給方法。
複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給し、
２種類以上の注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給する、
ガス供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマ処理装置及びガス供給方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、チャンバ内のセンター領域にガスを導入する第１ガス導入部と、チャンバ内のエッジ領域にガスを導入する第２ガス導入部と、第２ガス導入部よりも外側領域にガスを導入する第３ガス導入部と、を有するシャワーヘッドを備えた基板処理装置が開示されている。また、第１ガス導入部及び第２ガス導入部は、処理ガスをチャンバ内に導入することが開示されている。また、第３ガス導入部は、切換バルブによって、処理ガスまたは付加ガスを切り換えてチャンバ内に導入することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００９－１１７４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
一の側面では、本開示は、プラズマ処理の面内均一性を制御するプラズマ処理装置及びガス供給方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板を支持するように構成される基板支持部を有するプラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内の各領域にそれぞれガスを導入するように構成される複数のガス導入部を有するシャワーヘッドと、複数の前記ガス導入部にガスを供給するように構成されるガス供給部と、前記ガスのプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、少なくとも前記ガス供給部を制御するように構成される制御部と、を備え、前記ガス供給部は、複数の前記ガス導入部に共通ガスを供給するように構成されるガスユニットと、複数の前記ガス導入部のうち選択された前記ガス導入部に注入ガスを供給するように構成されるインジェクションユニットと、を有し、前記制御部は、２種類以上の前記注入ガスを２つの異なる前記ガス導入部に供給するように前記インジェクションユニットを制御する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【0006】
一の側面によれば、プラズマ処理の面内均一性を制御するプラズマ処理装置及びガス供給方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。
【図2】ガス供給部の構成図の一例。
【図3】ガス供給部を有するプラズマ処理装置を用いた基板処理結果の一例を示す図。
【図4】基板処理結果の一例を示す図。
【図5】正規化されたエッチングレートのグラフの一例。
【図6】エッチングプロセスを説明するタイムチャートの模式図の一例。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【0009】
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例である。
【0010】
プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
【0011】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0012】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0013】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0014】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0015】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ（１３ａ１～１３ａ３）、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ（１３ｂ１～１３ｂ３）、及び複数のガス導入口１３ｃ（１３ｃ１～１３ｃ３）を有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。
【0016】
また、図１に示すシャワーヘッド１３は、ガス導入部５１と、ガス導入部５２と、ガス導入部５３と、を有する。ガス導入部５１は、プラズマ処理チャンバ１０内の基板Ｗの中心領域（センター領域）にガスを導入する。ガス導入部５２は、ガス導入部５１よりも外側領域（中間領域）にガスを導入する。ガス導入部５３は、ガス導入部５２よりも外側領域（エッジ領域）にガスを導入する。ガス導入部５１、ガス導入部５２及びガス導入部５３は、同心状に配置されている。
【0017】
ガス拡散室１３ｂは、ガス拡散室１３ｂ１と、ガス拡散室１３ｂ２と、ガス拡散室１３ｂ３と、を有する。
【0018】
ガス拡散室１３ｂ１には、ガス供給口１３ａ１及び複数のガス導入口１３ｃ１が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５１は、ガス供給口１３ａ１、ガス拡散室１３ｂ１、複数のガス導入口１３ｃ１を有して構成される。また、ガス拡散室１３ｂ２には、ガス供給口１３ａ２及び複数のガス導入口１３ｃ２が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５２は、ガス供給口１３ａ２、ガス拡散室１３ｂ２、複数のガス導入口１３ｃ２を有して構成される。また、ガス拡散室１３ｂ３には、ガス供給口１３ａ３及び複数のガス導入口１３ｃ３が、ガスが通流可能に接続される。ガス導入部５３は、ガス供給口１３ａ３、ガス拡散室１３ｂ３、複数のガス導入口１３ｃ３を有して構成される。
【0019】
また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0020】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
【0021】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0022】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0023】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0024】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0025】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0026】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0027】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0028】
【0029】
ガス供給部２０は、ガスソース２１と、流量制御器２２（２１３，２２３）を有するガスユニット２１０及びインジェクションユニット２２０と、フロースプリッタ２３０と、バルブ２４０と、を備える。
【0030】
ガスソース２１は、複数のガスソース２１ａ～２１ｅを有する。以下の説明において、プラズマ処理装置１は、基板Ｗに形成されたＳｉＯ２膜をエッチングするプラズマエッチング装置であって、ガスソース２１ａはＯ２ガスを供給し、ガスソース２１ｂはＮＦ３ガスを供給し、ガスソース２１ｃはＣＨ２Ｆ２ガスを供給し、ガスソース２１ｄはＣ４Ｆ８ガスを供給し、ガスソース２１ｄはＣ４Ｆ６ガスを供給するものとして説明する。
【0031】
ガスユニット２１０は、ガスソース２１（２１ａ～２１ｅ）から各ガスが供給され、フロースプリッタ２３０に供給するガスを選択し、選択したガスの流量を調整する。
【0032】
具体的には、ガスユニット２１０は、バルブ２１１と、バルブ２１２と、流量制御器２１３と、バルブ２１４と、ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）と、ガス流路３０２と、を備える。
【0033】
ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）は、ガスソース２１のガス種毎に設けられる。図２に示す例において、ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）は、ガスソース２１のガス種に対応して５系統設けられる。各ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）の上流側は、各ガスソース２１（２１ａ～２１ｅ）にそれぞれ接続される。ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）には、ガスソース２１の側から順番に、バルブ２１１、バルブ２１２、流量制御器２１３（２２）、バルブ２１４が設けられる。ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）の下流側は、合流してガス流路３０２に接続される。また、ガス流路３０２の下流側は、フロースプリッタ２３０に接続される。
【0034】
バルブ２１１は、ガス流路３０１を開閉するための開閉弁である。バルブ２１２，２１４は、フロースプリッタ２３０に供給するガスを選択する際に用いる開閉弁であり、バルブ２１２は流量制御器２１３の上流側に設けられ、バルブ２１４は流量制御器２１３の下流側に設けられる。流量制御器２１３は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を用いることができる。
【0035】
このような構成により、制御部２は、バルブ２１２及びバルブ２１４の開閉を制御することにより、フロースプリッタ２３０に供給するガスを選択することができる。また、制御部２は、流量制御器２１３を制御することにより、選択したガスの流量を調整することができる。そして、ガスユニット２１０で選択され流量が調整されたガス（複数のガスが選択された場合は混合ガス）は、フロースプリッタ２３０に供給される。なお、以下の説明において、ガスユニット２１０からフロースプリッタ２３０に供給されるガスを共通ガス（または、メインガス）ともいう。
【0036】
フロースプリッタ２３０は、ガスユニット２１０（ガス流路３０２）から供給された共通ガスをガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）に分配して供給する。
【0037】
ガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）は、シャワーヘッド１３の分割されたガス導入部毎に設けられる。図２に示す例において、シャワーヘッド１３は、３つに区画されたガス導入部（ガス導入部５１、ガス導入部５２、ガス導入部５３）を有しており、ガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）は、ガス導入部の数に対応して３系統設けられる。ガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）には、バルブ２４０が設けられる。バルブ２４０は、ガス流路３０３を開閉するための開閉弁である。また、ガス流路３０２の下流側は、シャワーヘッド１３のガス供給口１３ａに接続される。
【0038】
即ち、ガス流路３０３Ｃの下流側は、ガス供給口１３ａ１に接続される。ガス流路３０３Ｍの下流側は、ガス供給口１３ａ２に接続される。ガス流路３０３Ｅの下流側は、ガス供給口１３ａ３に接続される。
【0039】
このような構成により、フロースプリッタ２３０で分配された共通ガスは、ガス流路３０３を介して、シャワーヘッド１３のガス供給口１３ａ１～ガス供給口１３ａ３に供給される。
【0040】
したがって、ガスユニット２１０で選択され流量が調整された共通ガスは、ガス導入部５１、ガス導入部５２及びガス導入部５３からプラズマ処理チャンバ１０内のセンター領域、中間領域及びエッジ領域に導入される。
【0041】
インジェクションユニット２２０は、ガスソース２１（２１ａ～２１ｅ）から各ガスが供給され、ガス流路３０３Ｃ（ガス供給口１３ａ１）、ガス流路３０３Ｍ（ガス供給口１３ａ２）及びガス流路３０３Ｅ（ガス供給口１３ａ３）に供給するガス（注入ガス）をそれぞれ独立して選択し、選択したガスの流量を調整する。
【0042】
具体的には、インジェクションユニット２２０は、バルブ２２１と、バルブ２２２と、流量制御器２２３と、バルブ２２４と、ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）と、ガス流路３０５（３０５Ｃ，３０３５，３０５Ｅ）と、を備える。
【0043】
ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）は、ガスソース２１のガス種毎に設けられる。図２に示す例において、ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）は、ガスソース２１のガス種に対応して５系統設けられる。各ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）の上流側は、バルブ２１１とバルブ２１２との間の各ガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）にそれぞれ接続される。ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）には、バルブ２２１が設けられる。
【0044】
また、ガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）は、バルブ２２１よりも下流側において、ガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）の数（換言すれば、ガス導入部の区画された数）に対応して３つに分岐する。ガス流路３０４ａにおいて、ガス流路３０４ａＣ、ガス流路３０４ａＭ及びガス流路３０４ａＥに分岐する。分岐したガス流路３０４ａＣ，３０４ａＭ，３０４ａＥには、バルブ２２１の側から順番に、バルブ２２２、流量制御器２２３（２２）、バルブ２２４が設けられる。
【0045】
ガス流路３０４ｂ～３０４ｅにおいても同様に、バルブ２２１よりも下流側において３つに分岐し、分岐したガス流路のそれぞれにおいて、バルブ２２１の側から順番に、バルブ２２２、流量制御器２２３（２２）、バルブ２２４が設けられる。
【0046】
ガス流路３０４ａＣの下流側は、ガス流路３０４ｂから分岐したガス流路３０４ｂＣ、ガス流路３０４ｃから分岐したガス流路３０４ｃＣ、ガス流路３０４ｄから分岐したガス流路３０４ｄＣ、ガス流路３０４ｅから分岐したガス流路３０４ｅＣと合流してガス流路３０５Ｃに接続される。ガス流路３０５Ｃの下流側は、フロースプリッタ２３０とバルブ２４０との間のガス流路３０３Ｃに接続される。
【0047】
同様に、ガス流路３０４ａＭの下流側は、ガス流路３０４ｂから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｃから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｄから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｅから分岐したガスと合流してガス流路３０５Ｍに接続される。ガス流路３０５Ｍの下流側は、フロースプリッタ２３０とバルブ２４０との間のガス流路３０３Ｍに接続される。また、ガス流路３０４ａＥの下流側は、ガス流路３０４ｂから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｃから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｄから分岐したガス流路、ガス流路３０４ｅから分岐したガスと合流してガス流路３０５Ｅに接続される。ガス流路３０５Ｅの下流側は、フロースプリッタ２３０とバルブ２４０との間のガス流路３０３Ｅに接続される。
【0048】
バルブ２２１は、ガス流路３０４を開閉するための開閉弁である。バルブ２２２，２２４は、ガス流路３０３Ｃ（ガス供給口１３ａ１）、ガス流路３０３Ｍ（ガス供給口１３ａ２）及びガス流路３０３Ｅ（ガス供給口１３ａ３）に供給するガスをそれぞれ独立して選択する際に用いる開閉弁であり、バルブ２２２は流量制御器２２３の上流側に設けられ、バルブ２２４は流量制御器２２３の下流側に設けられる。流量制御器２２３は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を用いることができる。なお、流量制御器２２３は、インジェクションユニット２２０に供給されるガス種（図２では、５つ）と、ガス流路３０３の数（換言すれば、ガス導入部の区画された数。図２では、３つ）とを積算した数（図２では１５個）設けられている。
【0049】
このような構成により、制御部２は、バルブ２２２及びバルブ２２４の開閉を制御することにより、ガス流路３０３Ｃ（ガス供給口１３ａ１）、ガス流路３０３Ｍ（ガス供給口１３ａ２）及びガス流路３０３Ｅ（ガス供給口１３ａ３）に供給するガスをそれぞれ独立して選択することができる。また、制御部２は、流量制御器２２３を制御することにより、選択したガスの流量を調整することができる。そして、インジェクションユニット２２０で各ガス導入部５１～５３ごとに選択され流量が調整されたガス（複数のガスが選択された場合は混合ガス）は、各ガス導入部５１～５３に対応するガス流路３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅに供給される。即ち、ガス流路３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅを流れるガスに、個別にガスを注入することができる。なお、以下の説明において、インジェクションユニット２２０からガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）を流れる共通ガスに注入されるガスを注入ガスともいう。
【0050】
なお、図２に示すガス供給部２０において、ガスソース２１が供給するガス種は、５つ（ガスソース２１ａ～２１ｅ）であるものとして説明したが、これに限られるものではなく、２つ以上であってもよい。例えば、ＳｉＯ２膜をエッチングする場合、ガスソース２１が供給するガスとしては、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ８、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ａｒ、Ｋｒ等のガスのうちいずれかのガスを用いることができる。
【0051】
また、図１及び図２に示すシャワーヘッド１３のガス導入部は３つ（ガス導入部５１～５３）に区画されているものとして説明したが、これに限られるものではなく、２つ以上であってもよい。また、ガスユニット２１０におけるガス流路３０１（３０１ａ～３０１ｅ）の系統数（図２では５つ）とインジェクションユニット２２０におけるガス流路３０４（３０４ａ～３０４ｅ）の系統数（図２では５つ）とは、等しいものとして説明したが、これに限られるものではなく、異なっていてもよい。即ち、ガスソース２１がガスユニット２１０に供給するガス種のうち、一部のガス種がインジェクションユニット２２０に供給される構成であってもよい。即ち、インジェクションユニット２２０は、共通ガスとしてのみ用いられるガス種に対応するガス流路３０４が設けられていなくてもよい。これにより、流量制御器２２３等の部品点数を削減することができる。
【0052】
図３は、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１を用いた基板処理の面内均一制御を説明する模式図である。図３では、基板支持部１１に支持された基板Ｗを示し、基板Ｗに対向して配置されるシャワーヘッド１３のガス導入部５１～５３の位置を二点鎖線で示す。
【0053】
制御部２は、インジェクションユニット２２０を制御することにより、例えば、ガス導入部５１から第１の注入ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入し、ガス導入部５２から第２の注入ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入する。なお、図３に示す例では、ガス導入部５３からは注入ガスを導入しない。また、この制御では、ガスユニット２１０を制御することにより、ガス導入部５１～５３からプラズマ処理空間１０ｓ内に共通ガスが導入される。基板Ｗの表面における第１の注入ガスの分布の一例を実線で示す。また、基板Ｗの表面における第２の注入ガスの分布の一例を破線で示す。
【0054】
このように、ガス供給部２０は、任意のガスを、任意の場所（ガス導入部５１～５３）に、任意の量で、注入することができる。これにより、基板処理における面内均一性の制御性を拡大し、プロセスウィンドウを広げることができる。
【0055】
次に、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１を用いた基板処理結果の一例について、図４及び図５を用いて説明する。図４は、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１を用いた基板処理結果の一例を示す図である。ここでは、ガスソース２１はＯ２ガス、ＣＨ２Ｆ２ガス、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガスを供給し、プラズマ処理装置１は基板Ｗに形成されたＳｉＯ２膜に対してプラズマエッチング処理を施した。
【0056】
「Main CxHyFz」で示す行において、「On」は、ガスユニット２１０からフロースプリッタ２３０を介してガス導入部５１～５３にＣＨ２Ｆ２ガスを供給することを示す。「Main O2」で示す行において、「On」は、ガスユニット２１０からフロースプリッタ２３０を介してガス導入部５１～５３にＯ２ガスを供給することを示す。即ち、図４の（ａ）～（ｆ）は、共通ガスとしてＣＨ２Ｆ２ガス及びＯ２ガスを供給することを示す。
【0057】
「Inj. C4F8」で示す行において、インジェクションユニット２２０からガス導入部５１～５３のうち選択されたガス導入部にＣ４Ｆ８ガスを供給することを示す。「Inj. C4F6」で示す行において、インジェクションユニット２２０からガス導入部５１～５３のうち選択されたガス導入部にＣ４Ｆ６ガスを供給することを示す。また、「Ｃ」は、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に注入ガスを注入することを示す。「Ｍ」は、ガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に注入ガスを注入することを示す。「Ｅ」は、ガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に注入ガスを注入することを示す。即ち、図４の（ｂ）～（ｆ）は、注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガス及びＣ４Ｆ６ガスを供給することを示す。なお、図４の（ａ）は、注入ガスを用いず、共通ガスのみを供給することを示す。
【0058】
具体的には、（ｂ）では、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガス及びＣ４Ｆ６ガスを供給した。（ｃ）では、ガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガス及びＣ４Ｆ６ガスを供給した。（ｄ）では、ガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガス及びＣ４Ｆ６ガスを供給した。（ｅ）では、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガスを供給し、ガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ６ガスを供給した。（ｆ）では、ガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ８ガスを供給し、ガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に注入ガスとしてＣ４Ｆ６ガスを供給した。
【0059】
また、図４において、上下２段のグラフのうち上側のグラフは、エッチングレートを示す。なお、このグラフにおいて、横軸は、基板Ｗの径方向の位置［ｍｍ］を示し、０［ｍｍ］は基板Ｗの中心を示す。縦軸は、エッチングレートを示す。ここでは、上に向かうほどエッチングレートが高くなるものとして図示している。
【0060】
また、図４において、上下２段のグラフのうち下側のグラフは、注入ガスを用いない（ａ）のエッチングレートを１として正規化したエッチングレートを実線で示す。また、正規化された（ａ）の結果を破線で示す。即ち、下側のグラフは、注入ガスを用いない場合に対して注入ガスを用いたことによるエッチングレートの変化を示す。なお、このグラフにおいて、横軸は、基板Ｗの径方向位置を示し、０［ｍｍ］は基板Ｗの中心を示す。縦軸は、エッチングレートを示す。ここでは、上に向かうほどエッチングレートが高くなるものとして図示している。
【0061】
図５は、図４の（ｄ）～（ｆ）において、注入ガスを用いない図４（ａ）のエッチングレートを１として正規化されたエッチングレートのグラフ（下段のグラフ）を１つのグラフ上に重ねて縦軸を拡大したグラフの一例である。図４の（ｄ）を一点鎖線で示し、図４の（ｅ）を実線で示し、図４の（ｆ）を破線で示す。
【0062】
図４の（ｂ）～（ｄ）に示すように、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１は、２種類の注入ガス（Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス）を同一のガス導入部に供給することができる。また、図４の（ｅ）～（ｆ）に示すように、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１は、２種類の注入ガス（Ｃ４Ｆ８ガス、Ｃ４Ｆ６ガス）を異なるガス導入部に供給することができる。換言すれば、ガス導入部に供給される注入ガスの種類及び流量をガス導入部ごとに異ならせることができる。
【0063】
また、図４の（ｄ）～（ｆ）及び図５に示すように、Ｃ４Ｆ８ガスを供給するガス導入部を変更することで、正規化されたエッチングレートが低下する位置が異なる。Ｃ４Ｆ８ガスをガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給した際は、基板Ｗのセンター領域で正規化されたエッチングレートが低下する（図５の実線矢印参照）。Ｃ４Ｆ８ガスをガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給した際は、基板Ｗの中間領域で正規化されたエッチングレートが低下する（図５の破線矢印参照）。Ｃ４Ｆ８ガスをガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給した際は、基板Ｗのエッジ領域で正規化されたエッチングレートが低下する（図５の一点鎖線矢印参照）。
【0064】
このように、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１は、Ｃ４Ｆ８ガスを供給するガス導入部の位置を切り換えることができる。図５に示すように、Ｃ４Ｆ８ガスをガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給する状態（図４（ｄ）参照）からガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給する状態（図４（ｅ）参照）またはガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給する状態（図４（ｆ）参照）に変更する。これにより、エッチングレートの面内均一性又は制御性を微調整することができる。
【0065】
なお、図４及び図５に示すプラズマエッチング処理において、共通ガスとして供給されるＣＨ２Ｆ２ガスはエッチングに用いられ、注入ガスの一例をして用いられるＣ４Ｆ８ガスはエッチングレートを低下させる機能を果たす。このため、Ｃ４Ｆ８ガスは、基板Ｗにホール等の凹部のパターンを形成する際、凹部のボーイング（Bowing）を縮小させることができる。
【0066】
次に、プラズマエッチング処理において、２つ以上のステップを複数サイクル行うエッチングプロセスについて、説明する。図６は、エッチングプロセスを説明するタイムチャートの模式図の一例である。
【0067】
図６に示すエッチングプロセスでは、第１ステップＳ１（例えば保護膜堆積ステップ）と、第２ステップＳ２（例えばエッチングステップ）と、を複数サイクル繰り返す。
【0068】
第１ステップＳ１では、例えば、第１注入ガスをガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）及びガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給し、第２注入ガスをガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給する。また、ガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給される第１注入ガスの流量は、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給される第１注入ガスの流量よりも少なくしている。
【0069】
第２ステップＳ２では、例えば、第１注入ガスをガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）及びガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給し、第２注入ガスをガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）及びガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給する。また、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給される第１注入ガスの流量は、ガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給される第１注入ガスの流量よりも少なくしている。また、ガス導入部５２（ガス流路３０３Ｍ）に供給される第２注入ガスの流量は、ガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給される第２注入ガスの流量よりも少なくしている。
【0070】
このように、ガス供給部２０を有するプラズマ処理装置１は、インジェクションユニット２２０から各ガス導入部５１～５３に供給される注入ガスのガス種、流量をステップごとに切り換えて制御することができる。
【0071】
また、インジェクションユニット２２０は、共通ガスのフロースプリッタ２３０よりも下流側の、よりシャワーヘッド１３に近いガス流路３０３（３０３Ｃ，３０３Ｍ，３０３Ｅ）に注入ガスを供給する。これにより、ガス導入部５１～５３からプラズマ処理空間１０ｓ内に供給されるガスの切り替えの応答性を向上させることができる。
【0072】
例えば、図４（ｄ）に示すＣ４Ｆ８ガスをガス導入部５３（ガス流路３０３Ｅ）に供給するステップと、図４（ｅ）に示すＣ４Ｆ８ガスをガス導入部５１（ガス流路３０３Ｃ）に供給するステップと、を高速で切り替え、複数サイクル繰り返す。これにより、基板Ｗのエッジ領域に形成される凹部の形状を維持しつつ、基板Ｗのセンター領域に形成される凹部のボーイングを抑制することができる。
【0073】
以上、プラズマ処理システムの実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
【符号の説明】
【0074】
Ｗ 基板
１ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
２０ ガス供給部
２１ ガスソース
２１ａ～２１ｅ ガスソース
２２，２１３，２２３ 流量制御器
３０ 電源
４０ 排気システム
２１０ ガスユニット
２１１，２１２，２１４，２２１，２２２，２２４，２４０ バルブ
２２０ インジェクションユニット
２３０ フロースプリッタ
３０１～３０５ ガス流路
５１～５３ ガス導入部
１ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１３ シャワーヘッド
２０ ガス供給部
２１ ガスソース
２１ａ～２１ｅ ガスソース
２２，２１３，２２３ 流量制御器
３０ 電源
４０ 排気システム
２１０ ガスユニット
２１１，２１２，２１４，２２１，２２２，２２４，２４０ バルブ
２２０ インジェクションユニット
２３０ フロースプリッタ
３０１～３０５ ガス流路
５１～５３ ガス導入部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】