特開 2023-94445 半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023094445

(43)【公開日】2023-07-05

(54)【発明の名称】半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20230628BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 647Z

H01L21/304 643A

H01L21/304 651B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2021209928

(22)【出願日】2021-12-23

(71)【出願人】

【識別番号】302006854

【氏名又は名称】株式会社ＳＵＭＣＯ

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100165696

【弁理士】

【氏名又は名称】川原 敬祐

(72)【発明者】

【氏名】芦馬 渓

(72)【発明者】

【氏名】大久保 知洋

(72)【発明者】

【氏名】久保田 真美

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA82

5F157AB02

5F157AB33

5F157AB90

5F157AC01

5F157AC26

5F157BD33

5F157BE12

5F157BE23

5F157BE33

5F157BE46

5F157CE07

5F157DB02

5F157DB03

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】半導体ウェーハの表面を従来よりも均一に洗浄することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提案する。
【解決手段】半導体ウェーハＷを回転させつつ、半導体ウェーハＷの表面に薬液を供給して上記表面を洗浄する半導体ウェーハＷの洗浄方法において、薬液の供給（図１（ｂ）および（ｃ））の前に、半導体ウェーハＷを回転させつつ、半導体ウェーハＷの表面の中心部に純水を供給し（図１（ａ））、上記表面の上に純水の膜を形成した状態で、純水の供給から薬液の供給に切り替えることを特徴とする。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体ウェーハを回転させつつ、前記半導体ウェーハの表面に薬液を供給して前記表面を洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法において、
前記薬液の供給の前に、前記半導体ウェーハを回転させつつ、前記半導体ウェーハの前記表面の中心部に純水を供給し、前記表面の上に前記純水の膜を形成した状態で、前記純水の供給から前記薬液の供給に切り替えることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

【請求項2】

前記純水の供給は、前記半導体ウェーハを１００ｒｐｍ以下の回転数で回転させた状態で行う、請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【請求項3】

前記純水の供給は、１．０Ｌ／分以下の流量で行う、請求項１または２に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【請求項4】

前記純水の供給は、前記半導体ウェーハの前記表面に垂直な方向に対して５°以内の角度で行う、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【請求項5】

前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【請求項6】

半導体インゴットに対してウェーハ加工処理を施して得られた半導体ウェーハに対して、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法によって前記半導体ウェーハの表面を洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウェーハの洗浄方法および半導体ウェーハの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハなどの半導体ウェーハが使用されている。半導体ウェーハは、チョクラルスキー（Czochralski、ＣＺ）法などによって育成した単結晶インゴットに対して、ウェーハ加工処理を施すことによって得られる。上記加工処理の際、半導体ウェーハの表面には、研磨粉などのパーティクルが付着するため、加工処理後に半導体ウェーハに対して洗浄処理を行ってパーティクルを除去している。

【0003】

半導体ウェーハの洗浄方法には、複数枚のウェーハを同時に洗浄するバッチ式のものと、ウェーハを一枚ずつ洗浄する枚葉式のものとに分けることができる。これらのうち、必要とする洗浄に必要な薬液の量が比較的少ないこと、ウェーハ間の相互汚染を回避することができること、大口径化により複数枚の半導体ウェーハを同時に処理するのが困難になってきていることなどから、近年では、枚葉式の洗浄方法が使用されるようになっている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－２９０１７０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、枚葉式の方法により半導体ウェーハを洗浄する際に、半導体ウェーハを回転させつつ半導体ウェーハの表面に薬液を供給すると、供給された薬液の干渉によって、薬液の液膜が厚い領域と薄い領域が生じる、いわゆる跳水現象が生じる場合がある。跳水現象が生じると、半導体ウェーハの中心からウェーハの半径Ｒの１／２付近の領域において薬液の乱流が生じ、半導体ウェーハの表面を均一に洗浄できない問題がある。

【0006】

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体ウェーハの表面を従来よりも均一に洗浄することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提案することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
［１］半導体ウェーハを回転させつつ、前記半導体ウェーハの表面に薬液を供給して前記表面を洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法において、
前記薬液の供給の前に、前記半導体ウェーハを回転させつつ、前記半導体ウェーハの前記表面の中心部に純水を供給し、前記表面の上に前記純水の膜を形成した状態で、前記純水の供給から前記薬液の供給に切り替えることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。

【0008】

［２］前記純水の供給は、前記半導体ウェーハを１００ｒｐｍ以下の回転数で回転させた状態で行う、前記［１］に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【0009】

［３］前記純水の供給は、１．０Ｌ／分以下の流量で行う、前記［１］または［２］に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【0010】

［４］前記純水の供給は、前記半導体ウェーハの前記表面に垂直な方向に対して５°以内の角度で行う、前記［１］～［３］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【0011】

［５］前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、前記［１］～［４］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。

【0012】

［６］半導体インゴットに対してウェーハ加工処理を施して得られた半導体ウェーハに対して、前記［１］～［５］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法によって前記半導体ウェーハの表面を洗浄することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、半導体ウェーハの表面を従来よりも均一に洗浄することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明による半導体ウェーハの洗浄方法のフローの要部を示す図である。

【図2】従来例および発明例１に対するＬＰＤの個数を示す図である。

【図3】ウェーハの垂直方向に対する純水の供給角度とＬＰＤの個数との関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

（半導体ウェーハの洗浄方法）
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本発明による半導体ウェーハの洗浄方法は、半導体ウェーハを回転させつつ、半導体ウェーハの表面に薬液を供給して上記表面を洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法である。ここで、上記薬液の供給の前に、半導体ウェーハを回転させつつ、半導体ウェーハの上記表面の中心部に純水を供給し、上記表面の上に純水の膜を形成した状態で、純水の供給から薬液の供給に切り替えることを特徴とする。

【0016】

上述のように、枚葉式の洗浄方法によって半導体ウェーハを洗浄すると、跳水現象によって薬液の乱流が生じ、半導体ウェーハの表面を均一に洗浄できない場合がある。表面検査装置（例えば、KLA-Tencor社製、Surfscan SP5以降の装置）によって薬液の乱流が生じた半導体ウェーハの表面を検査すると、上記乱流を反映した渦巻状の輝点欠陥（Light Point Defect、ＬＰＤ）のパターンが検出される。また、半導体ウェーハの表面を均一に洗浄できないことから、検出されるＬＰＤの個数が増加する。

【0017】

本発明者らは、上記課題を解決するために、様々な条件下で半導体ウェーハの洗浄を行い、ウェーハ表面に供給された薬液の挙動と、洗浄後の半導体ウェーハの表面に検出されるＬＰＤパターンとの関係を詳細に調査した。その結果、半導体ウェーハの表面を均一に洗浄するためには、洗浄初期の段階、すなわち、乾いた（ドライ）状態の半導体ウェーハの表面に薬液の供給を開始した直後の段階で、薬液の乱流を抑制することが極めて重要であるとの知見を得た。

【0018】

上記薬液の乱流の原因である跳水現象は、半導体ウェーハの回転数が高いほど生じやすい。そこで、本発明者らは、半導体ウェーハを従来よりも低い回転数で回転させつつ、半導体ウェーハの洗浄を行ってみた。その結果、洗浄に用いる薬液（オゾン水、フッ酸水溶液、ＳＣ－１洗浄液、アンモニア過水など）は半導体ウェーハとの高い反応性を有しているため、薬液が着液した領域にて欠陥が形成され、また薬液がウェーハ表面上で均一に拡散せず、形成された酸化膜の厚みムラやエッチングムラが生じ、半導体ウェーハを均一に洗浄できなかった。

【0019】

そこで、本発明者らは、薬液の供給前に、薬液よりも反応性の低い純水を半導体ウェーハの表面に供給することに想到した。そして、本発明者らは、半導体ウェーハの表面上に純水の膜を形成した状態で、純水の供給から薬液の供給に切り替えることによって、ウェーハ表面に存在する純水により薬液を薄めてその反応性を低下させ、これにより薬液の供給開始直後の段階での高濃度の薬液の乱流を抑制し、半導体ウェーハの表面全体に均一な濃度の薬液を供給して、半導体ウェーハの表面を従来よりも均一に洗浄できることを見出し、本発明を完成させたのである。

【0020】

以上の説明から明らかなように、本発明は、半導体ウェーハの表面に純水を供給して純水の膜を形成した状態で、純水の供給から薬液の供給に切り替えることに特徴を有するものであり、その他の工程については、従来公知の方法を適切に用いることができ、限定されない。以下、各工程について説明する。

【0021】

＜純水供給工程＞
まず、洗浄対象の半導体ウェーハを回転させつつ、半導体ウェーハの表面の中心部に純水を供給し、半導体ウェーハの表面の上に純水の膜を形成する（純水供給工程）。

【0022】

洗浄対象の半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ、ゲルマニウムウェーハ、ヒ化ガリウムウェーハなど、任意の半導体ウェーハとすることができるが、本発明により、特にシリコンウェーハを好適に洗浄することができる。また、半導体ウェーハは単結晶ウェーハ、多結晶ウェーハとすることができる。さらに、半導体ウェーハは、エピタキシャルウェーハやアニールウェーハとすることができる。半導体ウェーハの直径、導電型、抵抗率なども限定されない。

【0023】

半導体ウェーハの回転は、一般的な枚葉式の半導体ウェーハの洗浄装置の回転テーブルに半導体ウェーハを載置し、回転テーブルを回転させることによって行うことができる。半導体ウェーハの回転数は、回転テーブルの回転数を制御することによって調整することができる。

【0024】

純水の供給は、洗浄対象の半導体ウェーハの中心部に向かって行う。回転する半導体ウェーハの中心部に純水を供給することによって、遠心力により、純水が半導体ウェーハの中心部から外周部に向かってウェーハ全体に均一に拡散し、半導体ウェーハの表面の上に純水の膜を形成することができる。

【0025】

上記純水の供給は、図１（ａ）に模式的に示すように、半導体ウェーハＷの中心部の上方に配置された純水供給ノズル１から、半導体ウェーハＷの表面に純水を吐出することによって行うことができる。

【0026】

純水の供給は、少なくとも半導体ウェーハＷの表面全体に純水の膜が形成されるまで行う。純水の膜が形成される時間は、半導体ウェーハＷの直径や純水の流量、半導体ウェーハＷの回転数に依存するが、例えば半導体ウェーハＷがシリコンウェーハであり、その直径が３００ｍｍ、純水の流量が約０．５Ｌ／分、シリコンウェーハの回転数が２５ｒｐｍの場合、５秒程度である。なお、本発明では、後段の薬液供給工程において薬液の供給に切り替えるまで、半導体ウェーハＷの表面に純水を供給し続ける。

【0027】

半導体ウェーハＷの表面に供給する純水の純度は、製品品質を達成できる純度を有していれば特に限定されない。純水の純度は、いわゆる純水レベル（例えば、抵抗率：０．１～１５ＭΩ・ｃｍ）とすることができ、超純水レベル（例えば、抵抗率：１５ＭΩ・ｃｍ超え）とすることもできる。

【0028】

上記純水の供給は、半導体ウェーハＷを１００ｒｐｍ以下の回転数で回転させた状態で行うことが好ましい。これにより、跳水現象による純水の乱流が生じるのを防止することができ、後段の薬液供給工程において薬液を供給しても、薬液の乱流が生じるのを防止して、半導体ウェーハＷの表面をより均一に洗浄することができる。また、純水の供給は、半導体ウェーハＷを１０ｒｐｍ以上の回転数で回転させた状態で行うことが好ましく、２５ｒｐｍ以上の回転数で回転させた状態で行うことがより好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの表面に純水の膜を均一かつ効率的に形成することができる。

【0029】

また、純水の供給は、１．０Ｌ／分以下の流量で行うことが好ましい。これにより、純水がウェーハ表面上に着液した際に純水が液跳ねして滑るのを抑制し、純水の膜を半導体ウェーハＷの中心部から外周部に向かって徐々に形成して純水の乱流が生じるのを防止することができる。その結果、後段の薬液供給工程において薬液を供給しても、薬液の乱流が生じるのを防止して、半導体ウェーハＷの表面をより均一に洗浄することができる。また、純水の供給は、０．３Ｌ／分以上の流量で行うことが好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの表面に純水の膜を効率的に形成することができる。

【0030】

さらに、純水の供給は、半導体ウェーハＷの表面に垂直な方向に対して５°以内の角度（以下、「純水の供給角度」とも言う。）で行うことが好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの表面に着液した純水がウェーハ表面においてスリップを起こして液滴となって分断するのを防止して、半導体ウェーハＷの表面をより均一に洗浄することができる。この効果は、純水の供給を半導体ウェーハＷの表面に垂直な方向に対して０°の角度で行う場合、すなわち、純水を半導体ウェーハＷの表面に垂直な方向から行う場合にも得ることができる。

【0031】

＜薬液供給工程＞
次に、純水供給工程において純水の膜が形成された状態で、純水の供給を薬液の供給に切り替えて、半導体ウェーハの表面に薬液を供給する（薬液供給工程）。本薬液供給工程は、従来の洗浄方法において行っている薬液を用いた洗浄工程と同様に行うことができる。

【0032】

上記薬液としては、オゾン水、フッ酸水溶液、ＳＣ－１洗浄液、アンモニア過水など、目的に応じた適切なものを用いることができる。

【0033】

薬液供給工程は、例えば、薬液としてオゾン水を供給するオゾン水供給工程（図１（ｂ））と、薬液としてＨＦ水溶液を供給するフッ酸水溶液供給工程（図１（ｃ）とで構成することができる。図１（ｂ）に模式的に示すように、オゾン水供給工程では、オゾン水供給ノズル２から半導体ウェーハＷの表面にオゾン水を供給し、ウェーハ表面に付着した金属や有機物を酸化して除去するとともに、ウェーハ表面に付着したパーティクルの下方に酸化膜を形成する。

【0034】

また、図１（ｃ）に模式的に示すように、フッ酸水溶液供給工程では、フッ酸水溶液供給ノズル３から半導体ウェーハＷの表面にフッ酸水溶液を供給し、オゾン水供給工程において形成された酸化膜を除去して、ウェーハ表面に付着したパーティクルを除去することができる。

【0035】

薬液供給工程は、上記オゾン水供給工程およびフッ酸水溶液供給工程を所定の回数繰り返し、最後に再度オゾン水供給工程を行うように構成することができる。

【0036】

薬液の供給は、０．５Ｌ／分以上１．５Ｌ／分以下の流量で行うことが好ましく、０．８Ｌ／分以上１．３Ｌ／分以下の流量で行うことがより好ましい。これにより、半導体ウェーハＷの表面を良好に洗浄することができる。

【0037】

また、薬液の供給は、半導体ウェーハＷを１００ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の回転数で回転させた状態で行うことが好ましく、１００ｒｐｍ以上３００ｒｐｍ以下の回転数で回転させた状態で行うことがより好ましい。半導体ウェーハＷの回転数を上記範囲内の回転数とすることにより、半導体ウェーハＷ上に薬液をより均一に供給して、半導体ウェーハＷの表面をより均一に洗浄することができる。

【0038】

なお、薬液供給工程における半導体ウェーハＷの回転数が純水供給工程における半導体ウェーハＷの回転数よりも高い場合には、純水の供給から薬液の供給に切り替えた後、半導体ウェーハＷ上の純水が薬液に全て入れ替わった段階以降で、半導体ウェーハＷの回転数を上昇させることが好ましい。

【0039】

＜リンス工程＞
続いて、上記薬液供給を経た半導体ウェーハＷの表面に純水を供給して、半導体ウェーハＷの表面をリンスする。これは、純水供給工程において使用した純水供給ノズル１から半導体ウェーハＷの表面に純水を供給することによって行うことができる。リンス工程での純水の流量は、例えば０．３Ｌ／分以上１．５Ｌ／分以下とすることができる。また、半導体ウェーハＷの回転数は、例えば１００ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下とすることができる。

【0040】

＜乾燥工程＞
最後に、リンス工程を経た半導体ウェーハＷを高速で回転させて、半導体ウェーハＷを乾燥させる。乾燥工程での半導体ウェーハＷの回転数は、例えば１０００ｒｐｍ以上２０００ｒｐｍ以下とすることができる。

【0041】

こうして、半導体ウェーハＷの表面を従来よりも均一に洗浄することができる。

【0042】

（半導体ウェーハの製造方法）
本発明による半導体ウェーハの製造方法は、半導体インゴットに対してウェーハ加工処理を施して得られた半導体ウェーハに対して、上述した本発明による半導体ウェーハの洗浄方法によって上記半導体ウェーハの表面を洗浄することを特徴とする。

【0043】

上述のように、本発明による半導体ウェーハＷの洗浄方法では、薬液の供給の前に、半導体ウェーハＷの表面に純水を供給して純水の膜を形成し、その後純水の供給から薬液の供給に切り替えるように構成されている。これにより、半導体ウェーハＷの表面を従来よりも均一に洗浄できる。こうした本発明による半導体ウェーハＷの洗浄方法をウェーハ製造プロセスに適用することによって、付着型パーティクルや欠陥の少ない半導体ウェーハＷを製造することができる。

【0044】

半導体インゴットとしては、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウムなど、任意の半導体インゴットとすることができるが、本発明により、特にシリコンインゴットを好適に洗浄することができる。半導体インゴットは、単結晶インゴット、多結晶インゴットとすることができる。半導体インゴットの直径、導電型、抵抗率なども限定されない。

【0045】

ウェーハ加工処理は、スライス処理、面取り処理、ラップ処理、平面研削処理、両頭研削処理などの従来公知の処理の１つまたは複数の処理で適宜構成することができる。

【0046】

上記ウェーハ加工処理によって得られた半導体ウェーハＷの表面にエピタキシャル層を形成してエピタキシャルウェーハとしてもよく、また半導体ウェーハＷに対してアニール処理を施してアニールウェーハとしてもよい。

【0047】

こうして得られた半導体ウェーハＷに対して、上述した本発明による半導体ウェーハＷの洗浄方法によって半導体ウェーハＷの表面を洗浄することにより、付着型パーティクルや欠陥の少なく半導体ウェーハＷを製造することができる。

【実施例0048】

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。

【0049】

＜純水の供給の有無とＬＰＤの個数との関係＞
（従来例）
洗浄対象の半導体ウェーハとして、シリコンウェーハ（直径：３００ｍｍ）を１０枚用意し、各シリコンウェーハを以下のように洗浄した。まず、シリコンウェーハを回転数５００ｒｐｍで回転させつつ、シリコンウェーハの表面に２０ｍｇ／Ｌのオゾン水を流量１．５Ｌ／分、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して７０°の角度で１０秒間供給した。
次いで、シリコンウェーハの回転数を５００ｒｐｍに維持した状態で、シリコンウェーハの表面に、１ｗｔ％のフッ酸水溶液を流量１．０Ｌ／分、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して０～５°の角度で５秒間供給した。続いて、２０ｍｇ／Ｌのオゾン水を前回と同じ条件で供給した。上記フッ酸水溶液の供給およびオゾン水の供給を複数回繰り返した。
その後、シリコンウェーハの回転数を５００ｒｐｍに維持した状態で、シリコンウェーハの表面に、純水を流量１．０Ｌ／分、シリコンウェーハの表面の垂直な方向に対して０～５°の角度で３０秒間供給して、シリコンウェーハの表面をリンスした。
最後に、シリコンウェーハの回転数を１０００ｒｐｍに上昇させ、６０秒間維持してシリコンウェーハ乾燥させた。こうして、シリコンウェーハを洗浄した。

【0050】

（発明例１）
従来例と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、オゾン水を用いた１回目の洗浄の前に、シリコンウェーハを回転数１００ｒｐｍで回転させつつ、純水を流量１．０Ｌ／分、シリコンウェーハの表面に垂直な方向から５秒供給した。その他の条件は、従来例と全て同じである。

【0051】

従来例および発明例１について、洗浄した１０枚のシリコンウェーハのそれぞれについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製、Surfscan SP7）を用いて、シリコンウェーハの表面を検査した。その際、シリコンウェーハの表面に入射する入射光としては、斜め入射光（ウェーハ表面垂直方向に対して７０度の方向から入射）を用い、検出チャネルとしてはＤＣＯチャネルを用い、１５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤを検出した。

【0052】

図２は、従来例および発明例１について、検出されたＬＰＤの個数を示している。従来例については、検出されたＬＰＤの個数は、シリコンウェーハ１枚当たり３９．４個であった。これに対して、発明例１については、検出されたＬＰＤの個数は、シリコンウェーハ１枚当たり４．９個であり、従来例に比べて少なかった。また、従来例については、ＬＰＤの数のシリコンウェーハ間のばらつきが大きかったのに対して、発明例１については、シリコンウェーハ間のばらつきが小さかった。

【0053】

＜シリコンウェーハの回転数とＬＰＤの個数との関係＞
（発明例２）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水を供給する際のシリコンウェーハの回転数を５０ｒｐｍとした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。

【0054】

（比較例）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水を供給する際のシリコンウェーハの回転数を３００ｒｐｍとした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。

【0055】

従来例および発明例１と同様に、発明例２および比較例について、洗浄したシリコンウェーハ１０枚のそれぞれについて、シリコンウェーハの表面を検査した。その結果、発明例２については、シリコンウェーハ１枚当たり４．２個であったのに対して、比較例については８５．７個であった。上述のように、発明例１については、シリコンウェーハ１枚当たり４．９個であったことから、シリコンウェーハの回転数を１００ｒｐｍ以下とすることにより、ＬＰＤの個数を大きく低減できることが分かる。なお、比較例については、薬液の乱流に起因すると考えられる渦巻状のＬＰＤパターンが観察された。

【0056】

＜純水の流量とＬＰＤの個数との関係＞
（発明例３）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水を供給する際の純水の流量を０．５Ｌ／分とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。

【0057】

（発明例４）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水を供給する際の純水の流量を１．５Ｌ／分とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。

【0058】

従来例および発明例１と同様に、発明例３および発明例４について、洗浄したシリコンウェーハ１０枚のそれぞれについて、シリコンウェーハの表面を検査した。その結果、発明例３については、シリコンウェーハ１枚当たり５．２個であったのに対して、発明例４については１９．２個であった。上述のように、発明例１については、シリコンウェーハ１枚当たり４．９個であったことから、純水の流量を１．０Ｌ／分以下とすることにより、ＬＰＤの個数を大きく低減できることが分かる。

【0059】

＜純水の供給角度とＬＰＤの個数との関係＞
（発明例５）
発明例１と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水の供給は、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して３°の角度で行った。また、洗浄したシリコンウェーハの枚数を３枚とした。その他の条件は、発明例１と全て同じである。

【0060】

（発明例６）
発明例５と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水の供給は、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して５°の角度で行った。その他の条件は、発明例５と全て同じである。

【0061】

（発明例７）
発明例５と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水の供給は、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して８°の角度で行った。その他の条件は、発明例５と全て同じである。

【0062】

（発明例８）
発明例５と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水の供給は、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して１０°の角度で行った。その他の条件は、発明例５と全て同じである。

【0063】

（発明例９）
発明例５と同様に、シリコンウェーハを洗浄した。ただし、純水の供給は、シリコンウェーハの表面に垂直な方向に対して２０°の角度で行った。その他の条件は、発明例５と全て同じである。

【0064】

従来例および発明例１と同様に、発明例５～９について、洗浄したシリコンウェーハ３枚のそれぞれについて、表面検査装置（KLA-Tencor社製、SP-7）を用いて、シリコンウェーハの表面を検査した。

【0065】

図３は、ウェーハの垂直方向に対する純水の供給角度とＬＰＤの個数との関係を示している。なお、角度が０°の結果については、発明例１において洗浄した１０枚のシリコンウェーハから選択した３枚について示している。図３から明らかなように、シリコンウェーハに垂直な方向に対する純水の供給角度が大きくなるほど、ＬＰＤの個数が多くなることが分かる。しかし、純水の供給角度が５°以下であれば、シリコンウェーハ１枚当たりのＬＰＤの個数は５個以下であり、高い水準でシリコンウェーハの表面を洗浄できていることが分かる。

【産業上の利用可能性】

【0066】

本発明によれば、半導体ウェーハの表面を従来よりも均一に洗浄することができるため、半導体ウェーハ製造業において有用である。

【符号の説明】

【0067】

１ 純水供給ノズル
２ オゾン水供給ノズル
３ フッ酸水溶液供給ノズル
Ｗ 半導体ウェーハ

【図1】

【図2】

【図3】