特開 2023-95910 電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2023095910

(43)【公開日】2023-07-06

(54)【発明の名称】電子機器

(51)【国際特許分類】

   H04N 23/54 20230101AFI20230629BHJP

   H04N 23/611 20230101ALI20230629BHJP

   H04N 25/50 20230101ALI20230629BHJP

   H04N 25/40 20230101ALI20230629BHJP

   H04N 25/76 20230101ALI20230629BHJP

【ＦＩ】

H04N23/54

H04N23/611

H04N25/50

H04N25/40

H04N25/76

【審査請求】有

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023072922

(22)【出願日】2023-04-27

(62)【分割の表示】P 2018186170の分割

【原出願日】2018-09-28

(71)【出願人】

【識別番号】000004112

【氏名又は名称】株式会社ニコン

(74)【代理人】

【識別番号】110001678

【氏名又は名称】藤央弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 昌也

(57)【要約】

【課題】異なる被写体像が混在する撮像領域に適切な撮像条件に設定すること。
【解決手段】電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２撮像領域に第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件及び前記第２撮像条件の間の撮像条件を設定する設定部と、を有する。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、
前記複数の撮像領域のうち第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２撮像領域に第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件及び前記第２撮像条件の間の撮像条件を設定する設定部と、を有する電子機器。

【請求項2】

被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、
前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像及び前記第１被写体像と異なる第２被写体像が存在する撮像領域に、前記第１撮像条件と異なり、かつ、前記第１被写体像及び前記第２被写体像の画像信号が飽和しない第２撮像条件を設定する設定部と、
を有する電子機器。

【請求項3】

被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、
前記複数の撮像領域のうち第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２撮像領域に前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件により出力される画素信号と前記第２撮像条件により出力される画素信号との間の大きさの画素信号が出力される第３撮像条件を設定する設定部と、
を有する電子機器。

【請求項4】

被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、
前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２被写体像が存在する第２撮像領域に前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件により出力される画素信号と前記第２撮像条件により出力される画素信号との間の大きさの画素信号が出力される第３撮像条件を設定する設定部と、
を有する電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

画面の領域ごとに異なる撮像条件を設定可能な撮像素子を搭載した撮像装置が知られている（特許文献１参照）。しかしながら、撮像条件が異なる領域でそれぞれ生成された画像データを処理する場合に撮像条件については考慮されていない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００６－１９７１９２号公報

【発明の概要】

【0004】

本願において開示される電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２被写体像が存在する第２撮像領域に、前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１被写体像および前記第２被写体像が存在する第３撮像領域の第３撮像条件を前記第１撮像条件および前記第２撮像条件のうち少なくとも一方に基づいて設定する設定部と、を有する。

【0005】

本願において開示される電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２撮像領域に第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件及び前記第２撮像条件の間の撮像条件を設定する設定部と、を有する。

【0006】

本願において開示される電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像及び前記第１被写体像と異なる第２被写体像が存在する撮像領域に、前記第１撮像条件と異なり、かつ、前記第１被写体像及び前記第２被写体像の画像信号が飽和しない第２撮像条件を設定する設定部と、を有する。

【0007】

本願において開示される電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２撮像領域に前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件により出力される画素信号と前記第２撮像条件により出力される画素信号との間の大きさの画素信号が出力される第３撮像条件を設定する設定部と、を有する。

【0008】

本願において開示される電子機器は、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子と、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち第２被写体像が存在する第２撮像領域に前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定し、前記複数の撮像領域のうち前記第１撮像領域及び前記第２撮像領域に挟まれた第３撮像領域に、前記第１撮像条件により出力される画素信号と前記第２撮像条件により出力される画素信号との間の大きさの画素信号が出力される第３撮像条件を設定する設定部と、を有する。

【0009】

本願において開示される発明の一側面となる設定プログラムは、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能な撮像素子の設定制御をプロセッサに実行させる設定プログラムであって、前記プロセッサに、前記複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する第１撮像領域に第１撮像条件を設定させ、前記複数の撮像領域のうち第２被写体像が存在する第２撮像領域に、前記第１撮像条件と異なる第２撮像条件を設定させ、前記複数の撮像領域のうち前記第１被写体像および前記第２被写体像が存在する第３撮像領域の第３撮像条件を前記第１撮像条件および前記第２撮像条件のうち少なくとも一方に基づいて設定させる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、積層型撮像素子の断面図である。

【図2】図２は、撮像チップの画素配列を説明する図である。

【図3】図３は、撮像チップの回路図である。

【図4】図４は、撮像素子の構成例を示すブロック図である。

【図5】図５は、電子機器のブロック構成例を示す説明図である。

【図6】図６は、電子機器の撮像により生成された画像ファイルの構成例を示す説明図である。

【図7】図７は、撮像面と被写体像との関係を示す説明図である。

【図8】図８は、画像ファイルの具体的な構成例に示す説明図である。

【図9】図９は、電子機器の詳細なブロック構成例を示す説明図である。

【図10】図１０は、第３撮像条件の設定例１を示す説明図である。

【図11】図１１は、第３撮像条件の設定例２を示す説明図である。

【図12】図１２は、第３撮像条件の設定例３を示す説明図である。

【図13】図１３は、共存領域への影響度を示す説明図である。

【図14】図１４は、不定ブロックの設定単位例を示す説明図である。

【図15】図１５は、共存領域の境界長を示す説明図である。

【図16】図１６は、ハロの影響の低減化を示す説明図である。

【図17】図１７は、γ関数によるハロ発生予測例を示すグラフである。

【図18】図１８は、電子機器における撮像条件の設定処理手順例１を示すフローチャートである。

【図19】図１９は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。

【図20】図２０は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。

【図21】図２１は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－１を示すフローチャートである。

【図22】図２２は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－２を示すフローチャートである。

【図23】図２３は、図２２に示したハロ対策処理（ステップＳ２２０２）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。

【図24】図２４は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－３を示すフローチャートである。

【図25】図２５は、図１８に示した複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。

【図26】図２６は、図１８に示した複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。

【図27】図２７は、電子機器における撮像条件の設定処理手順例２を示すフローチャートである。

【図28】図２８は、図２２に示したハロ対策処理（ステップＳ２２０２）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。

【図29】図２９は、ハロ対策処理の詳細な処理手順例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【実施例0011】

＜撮像素子の構成例＞
本明細書の実施例に示す電子機器に搭載される撮像素子は積層型撮像素子である。この積層型撮像素子は、複数の異なる撮像領域ごとに異なる撮像条件が設定可能である。初めに、複数の異なる撮像領域ごとに異なる撮像条件が設定可能な積層型撮像素子の構造について説明する。なお、この積層型撮像素子は、本願出願人が先に出願した特願２０１２－１３９０２６号に記載されているものである。電子機器は、たとえば、デジタルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置である。

【0012】

図１は、積層型撮像素子１００の断面図である。積層型撮像素子（以下、単に、「撮像素子」）１００は、入射光に対応した画素信号を出力する裏面照射型撮像チップ（以下、単に、「撮像チップ」）１１３と、画素信号を処理する信号処理チップ１１１と、画素信号を記憶するメモリチップ１１２とを備える。これら撮像チップ１１３、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２は積層されており、Ｃｕなどの導電性を有するバンプ１０９により互いに電気的に接続される。

【0013】

なお、図１に示すように、入射光は主に白抜き矢印で示すＺ軸プラス方向へ向かって入射する。本実施形態においては、撮像チップ１１３において、入射光が入射する側の面を裏面と称する。また、座標軸１２０に示すように、Ｚ軸に直交する紙面左方向をＸ軸プラス方向、Ｚ軸およびＸ軸に直交する紙面手前方向をＹ軸プラス方向とする。以降のいくつかの図においては、図１の座標軸１２０を基準として、それぞれの図の向きがわかるように座標軸１２０を表示する。

【0014】

撮像チップ１１３の一例は、裏面照射型のＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサである。ＰＤ（フォトダイオード）層１０６は、配線層１０８の裏面側に配されている。ＰＤ層１０６は、二次元的に配され、入射光に応じた電荷を蓄積する複数のＰＤ１０４、および、ＰＤ１０４に対応して設けられたトランジスタ１０５を有する。

【0015】

ＰＤ層１０６における入射光の入射側にはパッシベーション膜１０３を介してカラーフィルタ１０２が設けられる。カラーフィルタ１０２は、互いに異なる波長領域を透過する複数の種類を有しており、ＰＤ１０４のそれぞれに対応して特定の配列を有している。カラーフィルタ１０２の配列については後述する。カラーフィルタ１０２、ＰＤ１０４およびトランジスタ１０５の組が、一つの画素を形成する。

【0016】

カラーフィルタ１０２における入射光の入射側には、それぞれの画素に対応して、マイクロレンズ１０１が設けられる。マイクロレンズ１０１は、対応するＰＤ１０４へ向けて入射光を集光する。

【0017】

配線層１０８は、ＰＤ層１０６からの画素信号を信号処理チップ１１１に伝送する配線１０７を有する。配線１０７は多層であってもよく、また、受動素子および能動素子が設けられてもよい。

【0018】

配線層１０８の表面には複数のバンプ１０９が配される。当該複数のバンプ１０９が信号処理チップ１１１の対向する面に設けられた複数のバンプ１０９と位置合わせされて、撮像チップ１１３と信号処理チップ１１１とが加圧などされることにより、位置合わせされたバンプ１０９同士が接合されて、電気的に接続される。

【0019】

同様に、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２の互いに対向する面には、複数のバンプ１０９が配される。これらのバンプ１０９が互いに位置合わせされて、信号処理チップ１１１とメモリチップ１１２とが加圧などされることにより、位置合わせされたバンプ１０９同士が接合されて、電気的に接続される。

【0020】

なお、バンプ１０９間の接合には、固相拡散によるＣｕバンプ接合に限らず、はんだ溶融によるマイクロバンプ結合を採用してもよい。また、バンプ１０９は、たとえば、後述する一つのブロックに対して一つ程度設ければよい。したがって、バンプ１０９の大きさは、ＰＤ１０４のピッチよりも大きくてもよい。また、画素が配列された画素領域以外の周辺領域において、画素領域に対応するバンプ１０９よりも大きなバンプを併せて設けてもよい。

【0021】

信号処理チップ１１１は、表裏面にそれぞれ設けられた回路を互いに接続するＴＳＶ（シリコン貫通電極）１１０を有する。ＴＳＶ１１０は、周辺領域に設けられることが好ましい。また、ＴＳＶ１１０は、撮像チップ１１３の周辺領域、メモリチップ１１２にも設けられてよい。

【0022】

図２は、撮像チップ１１３の画素配列を説明する図である。特に、撮像チップ１１３を裏面側から観察した様子を示す。（ａ）は、撮像チップ１１３の裏面である撮像面２００を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、撮像面２００の一部領域２００ａを拡大した平面図である。（ｂ）に示すように、撮像面２００には、画素２０１が二次元状に多数配列されている。

【0023】

画素２０１は、それぞれ不図示の色フィルタを有している。色フィルタは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３種類からなり、（ｂ）における「Ｒ」、「Ｇ」、および「Ｂ」という表記は、画素２０１が有する色フィルタの種類を表している。（ｂ）に示すように、撮像素子１００の撮像面２００には、このような各色フィルタを備えた画素２０１が、いわゆるベイヤー配列に従って配列されている。

【0024】

赤フィルタを有する画素２０１は、入射光のうち、赤色の波長帯の光を光電変換して受光信号（光電変換信号）を出力する。同様に、緑フィルタを有する画素２０１は、入射光のうち、緑色の波長帯の光を光電変換して受光信号を出力する。また、青フィルタを有する画素２０１は、入射光のうち、青色の波長帯の光を光電変換して受光信号を出力する。

【0025】

撮像素子１００は、隣接する２画素×２画素の計４つの画素２０１から成るブロック２０２ごとに、個別に制御可能に構成されている。たとえば、互いに異なる２つのブロック２０２について、同時に電荷蓄積を開始したときに、一方のブロック２０２では電荷蓄積開始から１／３０秒後に電荷の読み出し、すなわち受光信号の読み出しを行い、他方のブロック２０２では電荷蓄積開始から１／１５秒後に電荷の読み出しを行うことができる。換言すると、撮像素子１００は、１回の撮像において、ブロック２０２ごとに異なる露光時間（電荷蓄積時間であり、いわゆるシャッタースピード）を設定することができる。

【0026】

撮像素子１００は、上述した露光時間以外にも、撮像信号の増幅率（いわゆるＩＳＯ感度）をブロック２０２ごとに異ならせることが可能である。撮像素子１００は、電荷蓄積を開始するタイミングや受光信号を読み出すタイミングをブロック２０２ごとに変化させることができる。すなわち、撮像素子１００は、動画撮像時のフレームレートをブロック２０２ごとに変化させることができる。

【0027】

以上をまとめると、撮像素子１００は、ブロック２０２ごとに、露光時間、増幅率、フレームレートなどの撮像条件を異ならせることが可能に構成されている。たとえば、画素２０１が有する不図示の光電変換部から撮像信号を読み出すための不図示の読み出し線が、ブロック２０２ごとに設けられ、ブロック２０２ごとに独立して撮像信号を読み出し可能に構成すれば、ブロック２０２ごとに露光時間（シャッタースピード）を異ならせることができる。

【0028】

また、光電変換された電荷により生成された撮像信号を増幅する不図示の増幅回路をブロック２０２ごとに独立して設け、増幅回路による増幅率を増幅回路ごとに独立して制御可能に構成すれば、ブロック２０２ごとに信号の増幅率（ＩＳＯ感度）を異ならせることができる。

【0029】

また、ブロック２０２ごとに異ならせることが可能な撮像条件は、上述した撮像条件のほか、フレームレート、ゲイン、解像度（間引き率）、画素信号を加算する加算行数または加算列数、電荷の蓄積時間または蓄積回数、デジタル化のビット数などである。さらに、制御パラメータは、画素からの画像信号取得後の画像処理におけるパラメータであってもよい。

【0030】

また、撮像条件は、たとえば、ブロック２０２ごとに独立して制御可能な区画（１区画が１つのブロック２０２に対応する）を有する液晶パネルを撮像素子１００に設け、オンオフ可能な減光フィルタとして利用すれば、ブロック２０２ごとに明るさ（絞り値）を制御することが可能になる。

【0031】

なお、ブロック２０２を構成する画素２０１の数は、上述した２×２の４画素でなくてもよい。ブロック２０２は、少なくとも２個以上の画素２０１を有していればよいし、逆に、４個より多くの画素２０１を有していてもよい。

【0032】

図３は、撮像チップ１１３の回路図である。図３において、代表的に点線で囲む矩形が、１つの画素２０１に対応する回路を表す。また、一点鎖線で囲む矩形が１つのブロック２０２（２０２－１～２０２－４）に対応する。なお、以下に説明する各トランジスタの少なくとも一部は、図１のトランジスタ１０５に対応する。

【0033】

上述したように、画素２０１のリセットトランジスタ３０３は、ブロック２０２単位でオン／オフされる。また、画素２０１の転送トランジスタ３０２も、ブロック２０２単位でオン／オフされる。図３に示す例において、左上ブロック２０２－１に対応する４つのリセットトランジスタ３０３をオン／オフするためのリセット配線３００－１が設けられており、同ブロック２０２－１に対応する４つの転送トランジスタ３０２に転送パルスを供給するためのＴＸ配線３０７－１も設けられる。

【0034】

同様に、左下ブロック２０２－３に対応する４つのリセットトランジスタ３０３をオン／オフするためのリセット配線３００－３が、上記リセット配線３００－１とは別個に設けられる。また、同ブロック２０２－３に対応する４つの転送トランジスタ３０２に転送パルスを供給するためのＴＸ配線３０７－３が、上記ＴＸ配線３０７－１と別個に設けられる。

【0035】

右上ブロック２０２－２や右下ブロック２０２－４についても同様に、それぞれリセット配線３００－２とＴＸ配線３０７－２、およびリセット配線３００－４とＴＸ配線３０７－４が、それぞれのブロック２０２に設けられている。

【0036】

各画素２０１に対応する１６個のＰＤ１０４は、それぞれ対応する転送トランジスタ３０２に接続される。各転送トランジスタ３０２のゲートには、上記ブロック２０２ごとのＴＸ配線を介して転送パルスが供給される。各転送トランジスタ３０２のドレインは、対応するリセットトランジスタ３０３のソースに接続されるとともに、転送トランジスタ３０２のドレインとリセットトランジスタ３０３のソース間のいわゆるフローティングディフュージョンＦＤが、対応する増幅トランジスタ３０４のゲートに接続される。

【0037】

各リセットトランジスタ３０３のドレインは、電源電圧が供給されるＶｄｄ配線３１０に共通に接続される。各リセットトランジスタ３０３のゲートには、上記ブロック２０２ごとのリセット配線を介してリセットパルスが供給される。

【0038】

各増幅トランジスタ３０４のドレインは、電源電圧が供給されるＶｄｄ配線３１０に共通に接続される。また、各増幅トランジスタ３０４のソースは、対応する選択トランジスタ３０５のドレインに接続される。各選択トランジスタ３０５のゲートには、選択パルスが供給されるデコーダ配線３０８に接続される。デコーダ配線３０８は、１６個の選択トランジスタ３０５に対してそれぞれ独立に設けられる。

【0039】

そして、各々の選択トランジスタ３０５のソースは、共通の出力配線３０９に接続される。負荷電流源３１１は、出力配線３０９に電流を供給する。すなわち、選択トランジスタ３０５に対する出力配線３０９は、ソースフォロアにより形成される。なお、負荷電流源３１１は、撮像チップ１１３側に設けてもよいし、信号処理チップ１１１側に設けてもよい。

【0040】

ここで、電荷の蓄積開始から蓄積終了後の画素出力までの流れを説明する。上記ブロック２０２ごとのリセット配線を通じてリセットパルスがリセットトランジスタ３０３に印加され、同時に上記ブロック２０２（２０２－１～２０２－４）ごとのＴＸ配線を通じて転送パルスが転送トランジスタ３０２に印加されると、上記ブロック２０２ごとに、ＰＤ１０４およびフローティングディフュージョンＦＤの電位がリセットされる。

【0041】

各ＰＤ１０４は、転送パルスの印加が解除されると、受光する入射光を電荷に変換して蓄積する。その後、リセットパルスが印加されていない状態で再び転送パルスが印加されると、蓄積された電荷はフローティングディフュージョンＦＤへ転送され、フローティングディフュージョンＦＤの電位は、リセット電位から電荷蓄積後の信号電位になる。

【0042】

そして、デコーダ配線３０８を通じて選択パルスが選択トランジスタ３０５に印加されると、フローティングディフュージョンＦＤの信号電位の変動が、増幅トランジスタ３０４および選択トランジスタ３０５を介して出力配線３０９に伝わる。これにより、リセット電位と信号電位とに対応する画素信号は、単位画素から出力配線３０９に出力される。

【0043】

上述したように、ブロック２０２を形成する４画素に対して、リセット配線とＴＸ配線が共通である。すなわち、リセットパルスと転送パルスはそれぞれ、同ブロック２０２内の４画素に対して同時に印加される。したがって、あるブロック２０２を形成するすべての画素２０１は、同一のタイミングで電荷蓄積を開始し、同一のタイミングで電荷蓄積を終了する。ただし、蓄積された電荷に対応する画素信号は、それぞれの選択トランジスタ３０５に選択パルスが順次印加されることにより、選択的に出力配線３０９から出力される。

【0044】

このように、ブロック２０２ごとに電荷蓄積開始タイミングを制御することができる。換言すると、異なるブロック２０２間では、異なったタイミングで撮像することができる。

【0045】

図４は、撮像素子１００の構成例を示すブロック図である。アナログのマルチプレクサ４１１は、ブロック２０２を形成する１６個のＰＤ１０４を順番に選択して、それぞれの画素信号を当該ブロック２０２に対応して設けられた出力配線３０９へ出力させる。マルチプレクサ４１１は、ＰＤ１０４と共に、撮像チップ１１３に形成される。

【0046】

マルチプレクサ４１１を介して出力された画素信号は、信号処理チップ１１１に形成された、相関二重サンプリング（ＣＤＳ）やアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換を行う信号処理回路４１２により、ＣＤＳおよびＡ／Ｄ変換が行われる。Ａ／Ｄ変換された画素信号は、デマルチプレクサ４１３に引き渡され、それぞれの画素に対応する画素メモリ４１４に格納される。デマルチプレクサ４１３および画素メモリ４１４は、メモリチップ１１２に形成される。

【0047】

演算回路４１５は、画素メモリ４１４に格納された画素信号を処理して後段の画像処理部に引き渡す。演算回路４１５は、信号処理チップ１１１に設けられてもよいし、メモリチップ１１２に設けられてもよい。なお、図４では４つのブロック２０２の分の接続を示すが、実際にはこれらが４つのブロック２０２ごとに存在して、並列で動作する。

【0048】

ただし、演算回路４１５は４つのブロック２０２ごとに存在しなくてもよく、たとえば、一つの演算回路４１５がそれぞれの４つのブロック２０２に対応する画素メモリ４１４の値を順に参照しながらシーケンシャルに処理してもよい。

【0049】

上記の通り、ブロック２０２のそれぞれに対応して出力配線３０９が設けられている。撮像素子１００は撮像チップ１１３、信号処理チップ１１１およびメモリチップ１１２を積層しているので、これら出力配線３０９にバンプ１０９を用いたチップ間の電気的接続を用いることにより、各チップを面方向に大きくすることなく配線を引き回すことができる。

【0050】

＜電子機器のブロック構成例＞
図５は、電子機器のブロック構成例を示す説明図である。なお、ブロック構成例の詳細は後述（図９）する。電子機器５００は、たとえば、レンズ一体型のカメラである。電子機器５００は、撮像光学系５０１と、撮像素子１００と、制御部５０２と、液晶モニタ５０３と、メモリカード５０４と、操作部５０５と、ＤＲＡＭ５０６と、フラッシュメモリ５０７と、録音部５０８とを備える。制御部５０２は、後述するように手ブレや被写体ブレを検出する検出部を含む。

【0051】

撮像光学系５０１は、複数のレンズから構成され、撮像素子１００の撮像面２００に被写体像を結像させる。なお、図５では、便宜上、撮像光学系５０１を１枚のレンズとして図示している。

【0052】

撮像素子１００は、たとえば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）やＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子であり、撮像光学系５０１により結像された被写体像を撮像して撮像信号を出力する。制御部５０２は、電子機器５００の各部を制御する電子回路であり、プログラムを実行するプロセッサ、画像処理回路のような周辺回路、加速度センサのような各種センサを含む。

【0053】

不揮発性の記憶媒体であるフラッシュメモリ５０７には、予め所定の制御プログラムが書き込まれている。制御部５０２のプロセッサは、フラッシュメモリ５０７から制御プログラムを読み込んで実行することにより、各部の制御を行う。この制御プログラムは、揮発性の記憶媒体であるＤＲＡＭ５０６を作業用領域として使用する。

【0054】

液晶モニタ５０３は、液晶パネルを利用した表示装置である。制御部５０２は、所定周期（たとえば６０分の１秒）ごとに撮像素子１００に繰り返し被写体像を撮像させる。そして、撮像素子１００から出力された撮像信号に種々の画像処理を施していわゆるスルー画を作成し、液晶モニタ５０３に表示する。液晶モニタ５０３には、上記のスルー画以外に、たとえば撮像条件を設定する設定画面などが表示される。

【0055】

制御部５０２は、撮像素子１００から出力された撮像信号に基づき、後述する画像ファイルを作成し、可搬性の記録媒体であるメモリカード５０４に画像ファイルを記録する。操作部５０５は、プッシュボタンなどの種々の操作部材を有し、それら操作部材が操作されたことに応じて制御部５０２に操作信号を出力する。

【0056】

録音部５０８は、たとえば、マイクロフォンにより構成され、環境音を音声信号に変換して制御部５０２に入力する。なお、制御部５０２は、可搬性の記録媒体であるメモリカード５０４に動画ファイルを記録するのではなく、電子機器５００に内蔵されたＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）やハードディスクのような不図示の記録媒体に記録してもよい。

【0057】

＜画像ファイルの構成例＞
図６は、電子機器５００の撮像により生成された画像ファイルの構成例を示す説明図である。画像ファイル６００は、制御部５０２内の画像処理回路または画像処理プログラムで生成され、メモリカード５０４、ＤＲＡＭ５０６、またはフラッシュメモリ５０７に格納される。画像ファイル６００は、ヘッダ部６０１およびデータ部６０２の２つのブロックにより構成される。ヘッダ部６０１は、画像ファイル６００の先頭に位置するブロックである。ヘッダ部６０１には、ファイル基本情報領域６１１と、マスク領域６１２と、撮像情報領域６１３とが、以上に述べた順序で格納されている。

【0058】

ファイル基本情報領域６１１には、たとえば、画像ファイル６００内の各部（ヘッダ部６０１、データ部６０２、マスク領域６１２、撮像情報領域６１３など）のサイズやオフセットが記録される。マスク領域６１２には、後述する撮像条件情報やマスク情報などが記録される。撮像情報領域６１３には、たとえば電子機器５００の機種名や撮像光学系５０１の情報（たとえば収差などの光学特性に関する情報）など、撮像に関する情報が記録される。データ部６０２は、ヘッダ部６０１の後ろに位置するブロックであり、画像情報が記録される。

【0059】

＜撮像面２００と被写体像との関係＞
図７は、撮像面２００と被写体像との関係を示す説明図である。（ａ）は、撮像素子１００の撮像面２００（撮像範囲）での被写体像の撮像例を示す。（ｂ）は、（ａ）の撮像の際に設定されたマスク情報を示す。（ｃ）は、（ａ）から所定時間経過後における撮像素子１００の撮像面２００（撮像範囲）での被写体像の撮像例を示す。（ｄ）は、（ｃ）撮像の際に設定されたマスク情報を示す。

【0060】

（ａ）において、制御部５０２は、被写体を撮像する。（ａ）の撮像は、たとえばライブビュー画像（いわゆるスルー画）の作成のために行われる撮像でもよい。制御部５０２は、（ａ）の撮像により得られた被写体像に対して、所定の画像解析処理を実行する。画像解析処理は、たとえば周知の被写体検出技術（特徴量を演算して所定の被写体が存在する範囲を検出する技術）により、主要被写体を検出する。実施例１では、主要被写体以外は背景とする。

【0061】

検出された主要被写体の像（主要被写体像ＭＩ）のみが映っているブロック２０２が主要被写体ブロック２０２となる。主要被写体ブロック２０２の集合が主要被写体領域７０２となる。また、背景の像のみが映っているブロック２０２が背景ブロック２０２となる。背景ブロック２０２の集合が背景領域７０１となる。主要被写体像ＭＩと背景の像の両方が映っているブロック２０２を不定ブロック２０２と称する。不定ブロック２０２の集合を共存領域７０３と称する。

【0062】

（ａ）では、具体的には、たとえば、主要被写体領域７０２は、主要被写体像ＭＩの外形に沿った形状として設定される。制御部５０２は、主要被写体領域７０２内の各ブロック２０２と、背景領域７０１内の各ブロック２０２とで、異なる撮像条件を設定する。たとえば、前者の各ブロック２０２には、後者の各ブロック２０２に比べて高速なシャッタースピードを設定する。このようにすると、（ａ）の撮像の次に撮像される（ｃ）の撮像において、主要被写体領域７０２では像ぶれが発生しにくくなる。

【0063】

また、制御部５０２は、背景領域７０１に存在する太陽などの光源の影響で、主要被写体領域７０２が逆光状態となっている場合には、前者の各ブロック２０２に、相対的に高めのＩＳＯ感度を設定したり、低速なシャッタースピードを設定する。また、制御部５０２は、後者の各ブロック２０２に、相対的に低めのＩＳＯ感度を設定したり、高速なシャッタースピードを設定したりする。このようにすると、（ｃ）の撮像において、逆光状態の主要被写体領域７０２の黒つぶれや、光量の大きい背景領域７０１の白飛びを防止することができる。なお、共存領域７０３を構成するブロック２０２に対する設定については後述する。

【0064】

なお、画像解析処理は、上述した背景領域７０１と主要被写体領域７０２とを検出する処理とは異なる処理であってもよい。たとえば、撮像面２００全体のうち、明るさが一定以上の部分（明るすぎる部分）や明るさが一定未満の部分（暗すぎる部分）を検出する処理であってもよい。画像解析処理をこのような処理とした場合、制御部５０２は、前者の領域に含まれるブロック２０２について、露出値（Ｅｖ値）が他の領域に含まれるブロック２０２よりも低くなるように、シャッタースピードやＩＳＯ感度を設定する。

【0065】

また、制御部５０２は、後者の領域に含まれるブロック２０２については、露出値（Ｅｖ値）が他の領域に含まれるブロック２０２よりも高くなるように、シャッタースピードやＩＳＯ感度を設定する。このようにすることで、（ｃ）の撮像により得られる画像のダイナミックレンジを、撮像素子１００の本来のダイナミックレンジよりも広げることができる。

【0066】

図７の（ｂ）は、（ａ）に示した撮像面２００に対応するマスク情報７０４の一例を示す。背景領域７０１に属するブロック２０２の位置には「１」が、主要被写体領域７０２に属するブロック２０２の位置には「２」が、共存領域７０３に属するブロック２０２の位置には「０」がそれぞれ格納されている。

【0067】

ただし、共存領域７０３に属するブロック２０２の位置については、制御部５０２が、主要被写体領域７０２に属すべきと判断した場合には「２」、背景領域７０１に属すべきと判断した場合には「１」に更新してもよい。また、制御部５０２は、更新前の値「０」と更新後の値「１」または「２」とを保存してもよい。

【0068】

制御部５０２は、１フレーム目の画像データに対して、画像解析処理を実行し、背景領域７０１と主要被写体領域７０２と共存領域７０３とを検出する。これにより、（ａ）の撮像によるフレームは、（ｂ）に示すように、背景領域７０１と主要被写体領域７０２と共存領域７０３とに分割される。制御部５０２は、背景領域７０１内の各ブロック２０２と、主要被写体領域７０２内の各ブロック２０２とで、異なる撮像条件を設定して、（ｃ）の撮像を行い、画像データを作成する。このときのマスク情報７０４の例を、（ｄ）に示す。

【0069】

（ａ）の撮像の結果に対応する（ｂ）のマスク情報７０４と、（ｃ）の撮像の結果に対応する（ｄ）のマスク情報７０４とでは、異なる時刻に撮像を行っている（時間差がある）ため、たとえば、被写体が移動している場合や、ユーザが電子機器５００を動かした場合に、これら２つのマスク情報７０４が異なる内容になる。換言すると、マスク情報７０４は、時間経過に伴い変化する動的情報である。従って、あるブロック２０２において、フレームごとに異なる撮像条件が設定されることになる。

【0070】

＜画像ファイルの具体例＞
図８は、画像ファイル６００の具体的な構成例に示す説明図である。マスク領域６１２には、識別情報８０１と、撮像条件情報８０２と、マスク情報７０４が、以上に述べた順序で記録される。

【0071】

識別情報８０１は、この画像ファイル６００がマルチ撮像条件静止画撮像機能によって作成されたものである旨を表す。マルチ撮像条件静止画撮像機能とは、複数の異なる撮像条件（たとえば、長秒の露光時間と短秒の露光時間）が設定された撮像素子１００で静止画を撮影する機能である。たとえば、逆光時では、主要被写体を長秒、背景を短秒とする。長秒および短秒は相対的に決まる設定値である。

【0072】

撮像条件情報８０２は、ブロック２０２にどのような用途（目的、役割）が存在するかを表す情報である。たとえば、上述したように、撮像面２００（図７（ａ））を背景領域７０１と主要被写体領域７０２と共存領域７０３とに分割する場合、各々のブロック２０２は、共存領域７０３が不定のままであれば、背景領域７０１に属するか、主要被写体領域７０２に属するか、共存領域７０３に属するかのいずれかである。一方、各々のブロック２０２は、共存領域７０３が背景領域７０１と主要被写体領域７０２とのいずれかに決定されていれば、背景領域７０１に属するか、または、主要被写体領域７０２に属するかのいずれかである。

【0073】

つまり、撮像条件情報８０２は、この画像ファイル６００の作成に際し、ブロック２０２にたとえば「主要被写体領域を１／６０［ｓｅｃ］で静止画撮像する」（長秒）、「背景領域を１／１０００［ｓｅｃ］で静止画撮像する」（短秒）という２種類の撮像条件と、これらの撮像条件ごとに割り当てられた一意な番号を表す情報と、を含む。たとえば、「１」という番号が「背景領域を１／１０００［ｓｅｃ］で静止画撮像する」撮像条件を示す。「２」という番号が「主要被写体領域を１／６０［ｓｅｃ］で静止画撮像する」撮像条件を示す。「０」という番号が「共存領域を静止画撮像する露光時間は不定である」撮像条件を示す。

【0074】

ここでは、説明の容易化のため、撮像条件ごとに割り当てられた一意な番号として「１」、「２」としたが、３種類以上の露光時間を割り当てる場合もある。したがって、たとえば、露光時間を示す段数分の番号が割り当てられてもよい。

【0075】

マスク情報７０４は、各々のブロック２０２の用途（目的、役割）を表す情報である。図７で説明したように、マスク情報７０４は、「撮像条件情報８０２に割り当てられた番号を、ブロック２０２の位置に合わせて二次元マップの形で表現した情報」である。つまり、二次元状に配列されたブロック２０２を２つの整数ｘ、ｙによる二次元座標（ｘ、ｙ）で特定するとき、（ｘ、ｙ）の位置に存在するブロック２０２の用途は、マスク情報７０４の（ｘ、ｙ）の位置に存在する撮像番号により表現される。

【0076】

撮像番号「１」は背景の像が存在するブロック２０２に割り当てられた番号であり、撮像番号「２」は主要被写体像存在するブロック２０２に割り当てられた番号であり、撮像番号「０」は、背景の像および主要被写体像が存在するブロック２０２に割り当てられた番号である。たとえば、マスク情報７０４の座標（３，５）の位置に「２」という撮像番号が入っていた場合、座標（３，５）に位置するブロック２０２には、「主要被写体領域を１／６０［ｓｅｃ］で静止画撮像する」という撮像条件が与えられたことがわかる。換言すると、座標（３，５）に位置するブロック２０２は、主要被写体領域７０２に属することがわかる。

【0077】

データ部６０２は、画像情報８１１と、Ｔｖ値マップ８１２と、Ｓｖ値マップ８１３と、Ｂｖ値マップ８１４と、Ａｖ値情報８１５と、を含む。

【0078】

画像情報８１１は、図７の（ｂ）の撮像により撮像素子１００から出力された撮像信号を、種々の画像処理を施す前の形で記録した情報であり、いわゆるＲＡＷ画像データである。

【0079】

Ｔｖ値マップ８１２は、ブロック２０２ごとに設定されたシャッタースピードを表すＴｖ値を、ブロック２０２の位置に合わせて二次元マップの形で表現した情報である。たとえば座標（ｘ、ｙ）に位置するブロック２０２に設定されたシャッタースピードは、Ｔｖ値マップ８１２の座標（ｘ、ｙ）に格納されているＴｖ値を調べることで判別可能である。

【0080】

Ｓｖ値マップ８１３は、ブロック２０２ごとに設定されたＩＳＯ感度を表すＳｖ値を、Ｔｖ値マップ８１２と同様に二次元マップの形で表現した情報である。

【0081】

Ｂｖ値マップ８１４は、図７の（ｂ）の撮像に際してブロック２０２ごとに測定された被写体輝度、すなわち、各々のブロック２０２に入射した被写体光の輝度を表すＢｖ値を、Ｔｖ値マップ８１２と同様に二次元マップの形で表現した情報である。

【0082】

Ａｖ値情報８１５は、図７の（ｂ）の撮像時の絞り値を表す情報である。Ａｖ値は、Ｔｖ値、Ｓｖ値、Ｂｖ値とは異なり、ブロック２０２ごとに存在する値ではない。従って、Ｔｖ値、Ｓｖ値、Ｂｖ値とは違い、Ａｖ値は単一の値のみが格納され、複数の値を二次元状にマップした情報とはなっていない。

【0083】

以上のように、制御部５０２は、マルチ撮像条件静止画撮像機能による撮像を行うことにより、ブロック２０２ごとに異なる撮像条件が設定可能な撮像素子１００により生成された画像情報８１１と、ブロック２０２ごとの撮像条件に関するデータ（撮像条件情報８０２、マスク情報７０４、Ｔｖ値マップ８１２、Ｓｖ値マップ８１３、Ｂｖ値マップ８１４など）、Ａｖ値情報８１５とが関連付けられた画像ファイル６００を、メモリカード５０４に記録する。

【0084】

＜電子機器の詳細なブロック構成例＞
図９は、電子機器の詳細なブロック構成例を示す説明図である。電子機器５００は、撮像素子１００と、制御部５０２と、表示部９０１と、記録部９０２と、を有する。表示部９０１は、具体的には、たとえば、図５に示した液晶モニタ５０３やＥＶＦ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｖｉｅｗ Ｆｉｎｄｅｒ）に相当する。記録部９０２は、具体的には、たとえば、図５に示したメモリカード５０４、ＤＲＡＭ５０６、およびフラッシュメモリ５０７に相当する。

【0085】

撮像素子１００は、上述したように、被写体を撮像する複数の撮像領域の各々について異なる撮像条件が設定可能であり、撮像チップ１１３と信号処理チップ１１１とを有する。撮像領域とは、撮像面２００に存在するブロック２０２である。信号処理チップ１１１は、設定回路９１１を含む。設定回路９１１は、制御部５０２からの設定情報にしたがって、ブロック２０２ごとに撮像条件を設定する。

【0086】

制御部５０２は、画像処理部９１２と、設定部９１３と、を有する。画像処理部９１２は、画像処理回路またはプロセッサに実行される画像処理プログラムにより実現される。画像処理部９１２は、図７で説明したような画像解析処理を実行する。具体的には、たとえば、画像処理部９１２は、被写体検出、被写体像と背景の像とを判別して背景領域７０１、主要被写体領域７０２および共存領域７０３を特定する領域判別を実行する。

【0087】

設定部９１３は、複数の撮像領域のうち第１被写体像が存在する第１撮像領域に第１撮像条件を設定し、複数の撮像領域のうち第２被写体像が存在する第２撮像領域に第２撮像条件を設定し、複数の撮像領域のうち第１被写体像および第２被写体像が存在する第３撮像領域の第３撮像条件を第１撮像条件および第２撮像条件のうち少なくとも一方に基づいて設定する。

【0088】

具体的には、たとえば、設定部９１３は、撮像面２００を構成するブロック群のうち背景の像が存在するブロック２０２（マスク情報７０４の値が「１」）について、第１撮像条件として露光時間：短秒（たとえば、１／６０秒）を設定する。マスク情報７０４の値が「１」のブロック２０２を「背景ブロック２０２」と称す。

【0089】

また、設定部９１３は、撮像面２００を構成するブロック群のうち主要被写体像ＭＩが存在するブロック２０２（マスク情報７０４の値が「２」）について、第２撮像条件として露光時間：長秒（たとえば、１／１０００秒）を設定する。マスク情報７０４の値が「２」のブロック２０２を「主要被写体ブロック２０２」と称す。

【0090】

また、設定部９１３は、撮像面２００を構成するブロック群のうち主要被写体像ＭＩおよび背景の像が存在するブロック２０２（マスク情報７０４の値が「０」）の第３撮像条件については、背景ブロック２０２の輝度値と主要被写体ブロック２０２の輝度値に基づいて、以下の［１］，［２］のように設定する。なお、マスク情報７０４の値が「０」のブロック２０２を「不定ブロック２０２」と称す。

【0091】

［１．背景ブロック２０２（短秒）および主要被写体ブロック２０２（長秒）のうちいずれか一方］
設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件については、背景ブロック２０２の第１撮像条件および主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件のうち、いずれか一方の撮像条件に設定する。たとえば、背景ブロック２０２が白とびし、主要被写体ブロック２０２が黒つぶれしない場合、不定ブロック２０２に第２撮像条件を設定した場合に、不定ブロック２０２内の背景像部分の画像データが白とびする場合、設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、背景ブロック２０２の第１撮像条件（短秒）に設定する。

【0092】

また、不定ブロック２０２に第１撮像条件を設定した場合に不定ブロック２０２内の主要被写体部分が黒つぶれする場合、設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件（長秒）に設定する。また、不定ブロック２０２に第１撮像条件および第２撮像条件のいずれを設定しても、不定ブロック内で、白飛びせず、黒つぶれもしない場合、主要被写体を優先するため、設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件（長秒）に設定する。

【0093】

ここで、白とびする場合とは、不定ブロック２０２の輝度値が第１輝度値以上の場合である。第１輝度値とは、不定ブロック２０２を構成する画素群（光電変換部の集合）が飽和状態になる輝度値である。また、黒つぶれする場合とは、不定ブロック２０２の輝度値が第１輝度値よりも低い第２輝度値以下の場合である。第２輝度値とは、不定ブロック２０２を構成する画素群（光電変換部の集合）の輝度が不足する状態である。具体的には、輝度値が０の場合である。なお、第２輝度値は、０でなくてもよく、０よりも大きい値を第２輝度値を設定してもよい。

【0094】

なお、すべての不定ブロック２０２の背景像部分が白とびする必要はない。たとえば、不定ブロック２０２のうち一部の不定ブロック２０２の背景像部分が白とびする場合に、設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、背景ブロック２０２の第１撮像条件（短秒）に設定してもよい。同様に、すべての不定ブロック２０２の主要被写体像ＭＩ部分が黒つぶれする必要はない。たとえば、不定ブロック２０２のうち一部の不定ブロック２０２の主要被写体像ＭＩ部分が黒つぶれする場合に、設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件（長秒）に設定してもよい。

【0095】

［２．背景ブロック２０２（短秒）および主要被写体ブロック２０２（長秒）の間］
設定部９１３は、不定ブロック２０２の第３撮像条件については、背景ブロック２０２の第１撮像条件および主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件の間の撮像条件に設定する。たとえば、背景ブロック２０２の第１撮像条件である露光時間が１／１０００秒（短秒）で、主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件である露光時間が１／６０秒（長秒）である場合、第１撮像条件と第２撮像条件との間に３段分の露光時間（１／１２５秒、１／２５０秒、１／５００秒）がある。

【0096】

したがって、設定部９１３は、第３撮像条件をこれらの露光時間のうちいずれか１つに設定する。設定部９１３は、第３撮像条件を、第１撮像条件と第２撮像条件との中間の露光時間：１／２５０秒に設定してもよい。また、背景の明るさを抑制するような設定がされている場合、設定部９１３は、第３撮像条件を、第１撮像条件寄りの露光時間：１／５００秒に設定してもよい。また、主要被写体を優先するような設定がされている場合、設定部９１３は、第３撮像条件を、第２撮像条件寄りの露光時間：１／１２５秒に設定してもよい。

【0097】

このあと、設定部９１３は、設定結果となる設定情報を信号処理チップ１１１内の設定回路９１１に送信する。設定情報は、ブロック２０２を特定する座標値と、ブロック２０２ごとに設定された撮像条件を示す値と、を含む。撮像条件を示す値とは、たとえば、露光時間を示す番号である。

【0098】

信号処理チップ１１１内の設定回路９１１は、設定情報を受信すると、設定情報にしたがって、ブロック２０２単位で電荷蓄積開始から終了までの電荷蓄積時間、すなわち、露光時間を設定する。これにより、撮像素子１００は、設定情報にしたがって次フレームの画像データを取得することができる。

【0099】

また、制御部５０２内の画像処理部９１２は、調整部９２１を有する。調整部９２１は、設定部９１３からの設定情報にしたがって、不定ブロック２０２から出力される画像データの信号レベルを増幅または減幅するように調整する（いわゆる、デジタルゲイン調整）。具体的には、たとえば、調整部９２１は、下記［３］および［４］のようにゲイン調整する。

【0100】

［３．上記［１］の設定でのゲイン調整］
調整部９２１は、設定部９１３によって不定ブロック２０２の第３撮像条件が第１撮像条件（短秒）に設定された場合、不定ブロック２０２からの画像データのうち主要被写体に関する画像データが、第２撮像条件（長秒）が設定されている主要被写体ブロック２０２からの画像データに比べて暗くなる。これにより、主要被写体領域７０２内で、主要被写体ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。このため、画像処理部９１２は、領域判別により、不定ブロック２０２からの画像データのうち主要被写体に関する画像データを特定し、調整部９２１は、主要被写体に関する画像データの信号レベルが増幅するよう調整する。すなわち、調整部９２１は、主要被写体に関する画像データを構成する画素群の輝度値を一律に所定量増加させる。

【0101】

また、調整部９２１は、設定部９１３によって不定ブロック２０２の第３撮像条件が第２撮像条件（長秒）に設定された場合、不定ブロック２０２からの画像データのうち背景に関する画像データが、第１撮像条件（短秒）が設定されている背景ブロック２０２からの画像データに比べて明るくなる。これにより、背景領域７０１内で、背景ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。このため、画像処理部９１２は、領域判別により、不定ブロック２０２からの画像データのうち背景に関する画像データを特定し、調整部９２１は、背景に関する画像データの信号レベルが減幅するよう調整する。すなわち、調整部９２１は、背景に関する画像データを構成する画素群の輝度値を一律に所定量減少させる。

【0102】

［４．上記［２］の設定でのゲイン調整］
調整部９２１は、設定部９１３によって不定ブロック２０２の第３撮像条件が第１撮像条件（短秒）寄り（たとえば、１／５００秒）に設定された場合、不定ブロック２０２からの画像データのうち主要被写体に関する画像データが、第２撮像条件（長秒）が設定されている主要被写体ブロック２０２からの画像データに比べて暗くなる。これにより、主要被写体領域７０２内で、主要被写体ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。

【0103】

このため、画像処理部９１２は、領域判別により、不定ブロック２０２からの画像データのうち主要被写体に関する画像データを特定し、調整部９２１は、主要被写体に関する画像データの信号レベルが増幅するよう調整する。すなわち、調整部９２１は、主要被写体に関する画像データを構成する画素群の輝度値を一律に所定量増加させる。この場合の第３撮像条件は、第１撮像条件よりも露光時間が長いため、輝度値の増加量は、［３］の場合の増加量よりも低くてもよい。

【0104】

また、調整部９２１は、設定部９１３によって不定ブロック２０２の第３撮像条件が第２撮像条件（長秒）寄り（たとえば、１／１２５秒）に設定された場合、不定ブロック２０２からの画像データのうち背景に関する画像データが、第１撮像条件（短秒）が設定されている背景ブロック２０２からの画像データに比べて明るくなる。これにより、背景領域７０１内で、背景ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。

【0105】

このため、画像処理部９１２は、領域判別により、不定ブロック２０２からの画像データのうち背景に関する画像データを特定し、調整部９２１は、背景に関する画像データの信号レベルが減幅するよう調整する。すなわち、調整部９２１は、背景に関する画像データを構成する画素群の輝度値を一律に所定量減少させる。この場合の第３撮像条件は、第２撮像条件よりも露光時間が短いため、輝度値の減少量は、［３］の場合の減少量よりも低くてもよい。

【0106】

また、設定部９１３によって不定ブロック２０２の第３撮像条件が第１撮像条件と第２撮像条件の中間（たとえば、１／２５０秒）に設定された場合、上述した第１撮像条件（短秒）寄りおよび第２撮像条件（長秒）寄りの場合と同様、調整部９２１は、不定ブロック２０２について上述した主要被写体に関する画像データの信号レベルの増幅や、背景に関する画像データの信号レベルが減幅を実行してもよい。また、テクスチャが多いなど不定ブロック２０２内の画像構造が複雑であるため、当該不定ブロック２０２内で主要被写体像ＭＩ部分と背景像部分との領域分割が適切に実行されない場合がある。このような不定ブロック２０２に対しては、調整部９２１は、ゲイン調整を実行しないようにしてもよい。

【0107】

また、画像処理部９１２内の生成部９２２は、上述した画像ファイル６００を生成する。生成部９２２はたとえば、レリーズボタンの押下により被写体撮像がされた場合に、画像ファイル６００を生成する。画像ファイル６００では、背景領域７０１と背景領域７０１からの画像データと第１撮像条件（短秒）とが関連付けられる。

【0108】

また、画像ファイル６００では、主要被写体領域７０２と主要被写体領域７０２からの画像データと第２撮像条件（長秒）とが関連付けられる。また、画像ファイル６００では、共存領域７０３と共存領域７０３からの画像データと第３撮像条件とが関連付けられる。

【0109】

具体的には、たとえば、ブロック２０２ごとの被写体の種類は、マスク情報７０４に記録される。また、ブロック２０２ごとに設定された撮像条件は、上述したＴｖ値マップ８１２に記録される。また、ブロック２０２ごとの輝度値は、上述したＢｖ値マップ８１４に記録される。

【0110】

画像処理部９１２は、撮像素子１００からの出力により、逐次生成された画像（スルー画像）を逐次表示する場合には、間引き処理された画像データを表示部に出力して、表示部９０１にスルー画を逐次表示させる。レリーズボタンが押下された場合には、画像処理部９１２は、全画素出力された画像データを表示部９０１に出力する。また、生成部９２２は、生成した画像ファイル６００を記録部９０２に記録する。なお、予測部９２３および検出部９２４は、後述する実施例２の機能であるため、実施例１では説明を省略する。

【0111】

＜第３撮像条件の設定および調整例＞
図１０～図１２は、第３撮像条件の設定例１～３を示す説明図である。図１０～図１２において、（Ａ）は第３撮像条件の設定前の撮像面２００を示し、（Ｂ）は第３撮像条件の設定後の撮像面２００を示す。また、主要被写体像ＭＩを中央の女性とし、背景像ＢＩを主要被写体像ＭＩ以外とする。ここでは、逆光で被写体を撮像する例とする。

【0112】

また、細線の格子はブロック２０２であり、特に、背景像ＢＩのみの背景ブロック２０２の集合が背景領域７０１であり、第１撮像条件（短秒）が設定される。主要被写体像ＭＩのみの主要被写体ブロック２０２の集合が主要被写体領域７０２であり、第２撮像条件（長秒）が設定される。太線で囲まれた主要被写体像ＭＩおよび背景像ＢＩが存在する不定ブロック２０２の集合が共存領域７０３であり、設定部９１３により第３撮像条件が設定され、調整部９２１によりゲイン調整される。

【0113】

図１０は、不定ブロック２０２に主要被写体領域７０２と同じ第２撮像条件（長秒）を設定したことで不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分が白とびする場合に、不定ブロック２０２に背景像ＢＩと同じ第１撮像条件（短秒）に設定する例である。この場合、共存領域７０３内の主要被写体像ＭＩ部分の輝度値が主要被写体領域７０２よりも低くなる。これにより、主要被写体領域内で、主要被写体ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。そのため、調整部９２１は、共存領域７０３内の各不定ブロック２０２について主要被写体像ＭＩ部分の輝度値をゲインアップする。

【0114】

図１１は、不定ブロック２０２に背景領域７０１と同じ第１撮像条件（短秒）を設定したことで不定ブロック２０２内の主要被写体像ＭＩ部分が黒つぶれする場合に、不定ブロック２０２に主要被写体像ＭＩと同じ第２撮像条件（長秒）に設定する例である。なお、背景像ＢＩが白とびせず、かつ、主要被写体像ＭＩが黒つぶれしない場合、設定部９１３は主要被写体優先とするため、同様に、不定ブロック２０２を主要被写体像ＭＩと同じ第２撮像条件（長秒）に設定する。

【0115】

これらの場合、（Ｂ）に示したように、共存領域７０３も長秒となるため、共存領域７０３内の背景像ＢＩ部分の輝度値が背景領域７０１よりも高くなる。これにより、背景領域内で、背景ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。そのため、調整部９２１は、共存領域７０３内の各不定ブロック２０２について背景像ＢＩ部分の輝度値をゲインダウンする。

【0116】

図１２は、背景像ＢＩが白とびし、かつ、主要被写体像ＭＩが黒つぶれしたことで、不定ブロック２０２に第１撮像条件（短秒）および第２撮像条件（長秒）を設定した場合に、不定ブロック２０２の第３撮像条件を、第１撮像条件（短秒）および第２撮像条件（長秒）の間の撮像条件に設定する例である。この場合、（Ｂ）に示したように、共存領域７０３が短秒寄りであれば、共存領域７０３内の主要被写体像ＭＩ部分の輝度値が主要被写体領域７０２よりも低くなる。これにより、主要被写体領域７０２内で、主要被写体ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。

【0117】

そのため、調整部９２１は、共存領域７０３内の各不定ブロック２０２について主要被写体像ＭＩ部分の輝度値をゲインアップする。一方、共存領域７０３が長秒寄りであれば、共存領域７０３内の背景像ＢＩ部分の輝度値が背景領域７０１よりも高くなる。これにより、背景領域内で、背景ブロック２０２と不定ブロック２０２との境界部分が目立ってしまう。そのため、調整部９２１は、共存領域７０３内の各不定ブロック２０２について背景像ＢＩ部分の輝度値をゲインダウンする。

【0118】

なお、図１０～図１２では、逆光を例にして説明したが、順光の場合は、第１撮像条件を長秒、第２撮像条件を短秒として、設定部９１３による設定と調整部９２１による調整が実行される。また、この実施例１では、撮像条件として露光時間を例に挙げて説明したが、撮像条件はＩＳＯ感度でもよく、露出値でもよい。

【0119】

このように、実施例１によれば、第１被写体像（背景像ＢＩ）と第２被写体像（主要被写体像ＭＩ）との境界となる第３撮像領域の第３撮像条件は、第１撮像条件や第２撮像条件とは無関係な撮像条件にならない。したがって、違和感のない被写体画像を表示することができる。

【実施例0120】

つぎに、実施例２について説明する。実施例２では、実施例２に関する内容を中心に説明するため、実施例１と同一内容については同一符号を用いて説明を省略する。また、実施例２では、実施例１と同様、逆光時の撮影を例に挙げて説明（第１撮像条件が短秒で、第２撮像条件が長秒）するが、順光の場合（第１撮像条件が長秒で、第２撮像条件が短秒）にも適用可能である。また、この実施例２では、実施例１と同様、撮像条件として露光時間を例に挙げて説明するが、撮像条件はＩＳＯ感度でもよく、露出値でもよい。

【0121】

＜共存領域７０３への影響度＞
実施例２は、実施例１で説明した不定ブロック２０２で構成される共存領域７０３の第３撮像条件を、共存領域７０３から所定範囲内に存在する背景領域７０１および主要被写体領域７０２のうち少なくとも一方の撮像領域への影響度に基づいて設定する設定例を示す。

【0122】

図１３は、共存領域７０３への影響度を示す説明図である。所定範囲内に存在する背景領域７０１とは、不定ブロック２０２から所定数の背景ブロック２０２が連結されたブロック集合である。また、撮像面２００に存在する全背景ブロック２０２も、所定範囲内に存在する背景領域７０１となり得る。

【0123】

同様に、所定範囲内に存在する主要被写体領域７０２とは、不定ブロック２０２から所定数の主要被写体ブロック２０２が連結されたブロック集合である。また、撮像面２００に存在する全主要被写体ブロック２０２も、所定範囲内に存在する主要被写体領域７０２となり得る。どの程度までを所定範囲とするか（所定数をどの程度の値にするか）は、電子機器５００において事前設定される。

【0124】

影響度とは、その共存領域７０３が所定範囲内の背景領域７０１および主要被写体領域７０２からの画像に与える影響を示す指標値である。具体的には、たとえば、影響度は、不定ブロック２０２内での背景像ＢＩ部分と主要被写体像ＭＩ部分との面積に関する評価値の差や、不定ブロック２０２内での背景像ＢＩ部分と主要被写体像ＭＩ部分との画像の複雑さに関する評価値の差である。画像の複雑さに関する評価値とは、たとえば、画像の周波数成分の積分値である。詳細は後述する。

【0125】

不定ブロック２０２内での背景像ＢＩ部分の面積に関する評価値（以下、面積値Ｓ１）とは、たとえば、背景像ＢＩ部分の画素数である。不定ブロック２０２内での主要被写体像ＭＩ部分の面積に関する評価値（以下、面積値Ｓ２）とは、たとえば、主要被写体像ＭＩ部分の画素数である。面積が大きい方の像が存在するブロック２０２がその不定ブロック２０２の周囲に多く存在すると、画像処理の負担が軽減さえる。

【0126】

共存領域７０３内の不定ブロック２０２について、Ｓ１＞Ｓ２の場合、その不定ブロック２０２では主要被写体像ＭＩ部分よりも背景像ＢＩ部分の面積の方が大きい。したがって、設定部９１３は、当該不定ブロック２０２の第３撮像条件を、背景像ＢＩが存在する背景領域７０１の第１撮像条件（短秒）に設定する。これにより、当該不定ブロック２０２とこれに隣接する背景ブロック２０２とが同一撮像条件となって、画像処理の負担が軽減される。

【0127】

一方、Ｓ２＞Ｓ１の場合、その不定ブロック２０２では背景像ＢＩ部分よりも主要被写体像ＭＩ部分の面積の方が大きい。したがって、設定部９１３は、当該不定ブロック２０２の第３撮像条件を、主要被写体像ＭＩが存在する主要被写体領域７０２の第２撮像条件（長秒）に設定する。これにより、当該不定ブロック２０２とこれに隣接する主要被写体ブロック２０２とが同一撮像条件となって、画像処理の負担が軽減される。

【0128】

不定ブロック２０２内での背景像ＢＩ部分の画像の複雑さに関する評価値（以下、複雑度ｆ１）とは、たとえば、背景像ＢＩ部分の周波数成分の積分値である。不定ブロック２０２内での主要被写体像ＭＩ部分の画像の複雑さに関する評価値（以下、複雑度ｆ２）とは、たとえば、主要被写体像ＭＩ部分の周波数成分の積分値である。積分値が大きいほど、換言すれば、高周波であるほど、その被写体像から得られる画像の構造が複雑である。

【0129】

共存領域７０３内の不定ブロック２０２について、ｆ１＞ｆ２の場合、その不定ブロック２０２では主要被写体像ＭＩ部分よりも背景像ＢＩ部分の積分値が大きい。このため、背景像ＢＩ部分の画像の構造が複雑であることを示す。したがって、設定部９１３は、当該不定ブロック２０２の第３撮像条件を、背景像ＢＩが存在する背景領域７０１の第１撮像条件（短秒）に設定する。これにより、調整部９２１での調整対象は、背景像ＢＩ部分よりも画像の構造が単純な主要被写体像ＭＩ部分となるため、調整部９２１は、より単純な画像構造に対して調整処理を実行することができ、調整処理の容易化を図ることができる。

【0130】

一方、ｆ２＞ｆ１の場合、その不定ブロック２０２では背景像ＢＩ部分よりも主要被写体像ＭＩ部分の積分値の方が大きい。このため、主要被写体像ＭＩ部分の画像の構造が複雑であることを示す。したがって、設定部９１３は、当該不定ブロック２０２の第３撮像条件を、主要被写体像ＭＩが存在する主要被写体領域７０２の第２撮像条件（長秒）に設定する。これにより、調整部９２１での調整対象は、主要被写体像ＭＩ部分よりも画像の構造が単純な背景像ＢＩ部分となるため、調整部９２１は、より単純な画像構造に対して調整処理を行うことができ、調整処理の容易化を図ることができる。

【0131】

このように、面積を考慮することにより、画像処理の対象領域を小さくすることができる。また、画像処理を実行しない場合、共存領域７０３と背景領域７０１との境界、または、共存領域７０３と主要被写体領域７０２との境界が不連続となり、縦方向または横方向の境界線長が短くなる。これにより、当該画像において境界線が目立たなくなる。また、画像の複雑さを考慮することにより、調整部９２１による調整が容易となり、画質の向上を図ることができる。

【0132】

なお、上述した説明では、画像の複雑さについて複雑度が高い方の撮像条件を第３撮像条件に適用することとしたが、複雑度が低い方、すなわち、周波数成分が低い方の撮像条件を第３撮像条件に適用してもよい。この場合、面積を考慮した場合と同様、異なる撮像条件の境界は、より複雑な画像構造の被写体像が存在する撮像領域となる。たとえば、背景像ＢＩよりも主要被写体像ＭＩの方が複雑度が高い場合、不定ブロック２０２の第３撮像条件は、背景像ＢＩの第１撮像条件（長秒）となる。したがって、共存領域７０３と主要被写体領域７０２との間に異なる撮像条件の境界が存在することになる。しかし、主要被写体領域７０２の画像構造が複雑であるため、主要被写体領域７０２内に境界線ができても当該画像において境界線が目立ちにくくなる。

【0133】

＜設定単位例＞
図１４は、不定ブロック２０２の設定単位例を示す説明図である。設定単位とは、図１３に示した影響度を扱う一塊の不定ブロック２０２の数である。図１４において、太黒線のブロック２０２またはブロック集合が設定単位である。（Ａ）は、１ブロックを設定単位とする。（Ｂ）は、横方向および縦方向に連結するブロック集合を設定単位とする。設定部９１３は、たとえば、左上のブロック２０２から各行において順次左から右方向へのラスタスキャンにより設定単位を決める。したがって、横方向と縦方向とで重複するブロック２０２については、横方向のブロック集合に優先的に包含される。

【0134】

設定部９１３は、この設定単位で、上述した影響度に基づいて第３撮像条件を設定することができる。これにより、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分および主要被写体像ＭＩ部分の連続性を考慮することができる。たとえば、１個の不定ブロック２０２では、背景像ＢＩ部分の面積が主要被写体像ＭＩ部分よりも小さくても、複数の不定ブロック２０２で構成される設定単位でみれば、背景像ＢＩ部分の面積が主要被写体像ＭＩ部分よりも大きい場合がある。これにより、不定ブロック２０２の第３撮像条件を適切な撮像条件に設定することができる。

【0135】

＜共存領域７０３の境界長＞
図１５は、共存領域７０３の境界長を示す説明図である。図１５において、黒太線は、背景領域７０１と共存領域７０３との境界を示し、白太線は、主要被写体領域７０２と共存領域７０３との境界を示す。黒太線と白太線との間の領域が共存領域７０３である境界両側の背景ブロック２０２と不定ブロック２０２の撮像条件が異なると、ブロック２０２間の境界が目立つ。同様に、境界両側の主要被写体ブロック２０２と不定ブロック２０２の撮像条件が異なると、ブロック２０２間の境界が目立つ。目立つ境界の長さは、短い方が好ましい。

【0136】

したがって、設定部９１３は、背景領域７０１と共存領域７０３との境界（黒太線）の長さと、主要被写体領域７０２と共存領域７０３との境界（白太線）の長さと、を比較する。そして、設定部９１３は、長い方の境界両側で撮像条件が同一となるように（短い方の境界両側で撮像条件が異なるように）、第３撮像条件を第１撮像条件または第２撮像条件に設定する。これにより、両側で撮像条件が異なる境界を目立たなくすることができる。

【0137】

＜ハロ対策＞
図１６は、ハロの影響の低減化を示す説明図である。ハロ（現象）とは、被写体光がレンズを通過する際に被写体光の経路が歪んでしまった結果おこる収差である。たとえば、逆光撮影時において、ハロは、逆光で影となる主要被写体と明るい背景との境界で発生しやすい。（Ａ）は、ハロ１６００が発生した主要被写体像ＭＩを示し、（Ｂ）および（Ｃ）は、ある不定ブロック２０２ａの拡大図である。ハロ１６００は背景ブロック２０２に存在するが、被写体検出では、主要被写体像ＭＩを包含するハロ１６００の外縁（一点鎖線）までを主要被写体として検出される。

【0138】

（Ｂ）では、不定ブロック２０２ａの第３撮像条件が第１撮像条件（短秒）に設定されたとする。この場合、調整部９２１は、背景領域７０１（ハロ１６００は含まれない）からの画像データについてはゲイン調整しない。調整部９２１は、主要被写体領域７０２（ハロ１６００を含む）からの画像データについてはゲインアップ調整をする。この場合、調整部９２１は、ハロ１６００が予測された場合には、背景領域７０１からの画像データと同様、ハロ１６００の領域からの画像データについてゲイン調整をしない（ゲインダウンしてもよい）。したがって、被写体画像を表示する場合にハロ１６００を抑制した画像を表示することができる。

【0139】

（Ｃ）では、不定ブロック２０２ａの第３撮像条件が第１撮像条件（長秒）に設定されたとする。この場合、調整部９２１は、背景領域７０１（ハロ１６００は含まれない）からの画像データについてはゲインダウン調整する。調整部９２１は、主要被写体領域７０２（ハロ１６００を含む）からの画像データについてはゲイン調整をしない。この場合、調整部９２１は、ハロ１６００が予測された場合には、背景領域７０１からの画像データと同様、ハロ１６００の領域からの画像データについてゲインダウン調整する。したがって、被写体画像を表示する場合にハロ１６００を抑制した画像を表示することができる。

【0140】

ハロの予測は、図９に示した予測部９２３で実行される。具体的には、たとえば、予測部９２３は、第１撮像条件（短秒）と第２撮像条件（長秒）との段差が所定段差以上であれば、ハロが発生すると予測する。たとえば、背景ブロック２０２の第１撮像条件である露光時間が１／１０００秒（短秒）で、主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件である露光時間が１／６０秒（長秒）である場合、第１撮像条件と第２撮像条件との間に３段分の露光時間（１／１２５秒、１／２５０秒、１／５００秒）がある。ハロ発生予測のしきい値が２段以上とすると、３段の差があるため、予測部９２３は、ハロが発生すると予測する。また、予測部９２３は、撮像素子１００からの画像データに基づいて、ハロの発生を予測してもよい。

【0141】

図１７は、γ関数によるハロ発生予測例を示すグラフである。横軸は、撮像素子１００からのＲＡＷ画像データの出力値であり、縦軸は、画像処理部９１２でのγ補正後の出力値である。ｘ１は主要被写体像ＭＩ（ハロ以外の領域）の存在領域からの画像データの出力値であり、ｙ１はｘ１のγ補正後の出力値である。ｘ２は主要被写体像ＭＩ外縁（ハロ１６００）の存在領域からの画像データの出力値であり、ｙ２はｘ２のγ補正後の出力値である。

【0142】

予測部９２３は、ｙ１とｙ２の輝度差が所定値以上である場合、ハロ１６００が発生していると予測する。これにより、図１６に示したように、調整部９２１によるゲイン調整が実行される。

【0143】

なお、ユーザは電子機器５００で被写体を撮像する場合、上述した共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定、共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定、および、ハロ対策のための設定のうち少なくとも１つを適用可能である。

【0144】

また、これらのうち２以上の設定を適用する場合、たとえば、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定と共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定とを適用する場合には、電子機器５００は、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定を優先的に実行する。

【0145】

また、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定とハロ対策のための設定とを適用する場合には、電子機器５００は、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定を優先的に実行する。また、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定と共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定とハロ対策のための設定とを適用する場合には、電子機器５００は、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定、共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定、ハロ対策のための設定の順に実行する。

【0146】

また、共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定とハロ対策のための設定とを適用する場合には、電子機器５００は、共存領域７０３の境界長に基づく撮像条件の設定を優先的に実行する。

【0147】

ただし、電子機器５００が検出部９２４により手ブレや被写体ブレを検出した場合、主要被写体を優先した撮像条件の設定を実行する。主要被写体を優先した撮像条件の設定とは、主要被写体像ＭＩを含むブロック２０２を同一撮像条件にする設定であり、具体的には、たとえば、共存領域７０３を主要被写体領域７０２と同一撮像条件にする設定である。

【0148】

具体的には、たとえば、図１５において、設定部９１３は、共存領域７０３を主要被写体領域７０２と同じ撮像条件（長秒）に設定する。手ブレについては、たとえば、検出部９２４は、電子機器５００に内蔵されたジャイロセンサや加速度センサで所定量以上のブレを検出する。被写体ブレについては、たとえば、検出部９２４は、主要被写体が動く方向および動き量を示す動きベクトルを検出し、連続するフレーム間で主要被写体が動く方向への動き量が所定量以上であれば、被写体ブレとして検出される。

【0149】

また、共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定については、面積と画像の複雑さのうちいずれか一方が選択される。面積が選択されると共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定の高速化を図ることができる。一方、画像の複雑さが選択されると共存領域７０３への影響度に基づく撮像条件の設定の高精度化を図ることができる。

【0150】

＜設定処理手順例＞
図１８は、電子機器５００における撮像条件の設定処理手順例１を示すフローチャートである。電子機器５００は、ユーザの操作入力により初期設定を実行する（ステップＳ１８０１）。初期設定（ステップＳ１８０１）では、共存領域７０３への影響度（面積または複雑さ）、共存領域７０３の境界長、ハロ対策、設定単位に含まれるブロック数、白とび黒つぶれ回避設定処理について実行するかしないかの設定がされる。

【0151】

白とび黒つぶれ回避設定処理とは、図１０に示したように、設定部９１３により、不定ブロック２０２の第３撮像条件を第１撮像条件（短秒）または第２撮像条件（長秒）のいずれかに設定する処理である。具体的には、設定部９１３は、第１撮像条件および第２撮像条件のうち、不定ブロック２０２に、白飛びおよび黒つぶれが発生しない撮像条件を設定する。

【0152】

つぎに、電子機器５００は、撮像素子１００からのスルー画の取得を開始する（ステップＳ１８０２）。電子機器５００は、画像処理部９１２により、取得したスルー画の画像データについて画像解析を実行する（ステップＳ１８０３）。具体的には、たとえば、画像処理部９１２は、被写体検出により、主要被写体を検出し、主要被写体以外の背景とし、領域判別により、各ブロック２０２の領域種別（背景領域７０１、主要被写体領域７０２、共存領域７０３）を判別する。

【0153】

つぎに、電子機器５００は、初期設定（ステップＳ１８０１）により、共存領域７０３への影響度（面積または画像の複雑さ）の設定がされているか否かを判断する（ステップＳ１８０４）。共存領域７０３への影響度の設定がされていない場合（ステップＳ１８０４：Ｎｏ）、主要被写体優先モードとなるため、電子機器５００は、設定部９１３により、白とび黒つぶれ回避設定処理または主要被写体優先設定処理を実行し（ステップＳ１８０５）、ステップＳ１８１０に移行する。具体的には、たとえば、初期設定（ステップＳ１８０１）で白とび黒つぶれ回避設定処理を実行する設定とされている場合には、白とび黒つぶれ回避設定処理が実行され、そうでない場合には、主要被写体優先設定処理が実行される。なお、第１撮像条件および第２撮像条件のいずれを設定しても、白飛びおよび黒つぶれが発生しない場合は、主要被写体優先設定処理としてもよい。

【0154】

主要被写体優先設定処理（ステップＳ１８０５）とは、図１１に示したように、設定部９１３により、不定ブロック２０２の第３撮像条件を主要被写体像ＭＩと同じ第２撮像条件（長秒）に設定する処理である。この場合、図１１（Ｂ）に示したように、共存領域７０３も長秒となるため、共存領域７０３内の背景像ＢＩ部分の輝度値が背景領域７０１よりも高くなる。そのため、電子機器５００は、調整部９２１により、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）において、共存領域７０３内の各不定ブロック２０２について背景像ＢＩ部分の輝度値をゲインダウンする。

【0155】

ステップＳ１８０４において、共存領域７０３への影響度の設定がされている場合（ステップＳ１８０４：Ｙｅｓ）、手ブレまたは被写体検出ブレの検出フラグがＯＮであるかＯＦＦであるかを判断する（ステップＳ１８０６）。検出フラグがＯＮの場合（ステップＳ１８０６：ＯＮ）、手ブレまたは被写体検出ブレが検出中であることを示し、主要被写体優先設定処理（ステップＳ１８０５）に移行する。検出フラグがＯＦＦの場合（ステップＳ１８０６：ＯＦＦ）、手ブレまたは被写体検出ブレが検出されていないことを示し、ステップＳ１８０７に移行する。

【0156】

ステップＳ１８０７において、電子機器５００は、初期設定（ステップＳ１８０１）された共存領域７０３への影響度が面積であるか画像の複雑さであるかを判断する（ステップＳ１８０７）。面積である場合（ステップＳ１８０７：面積）、電子機器５００は、面積優先設定処理を実行して（ステップＳ１８０８）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細については、図１９または図２０で後述する。

【0157】

一方、画像の複雑さである場合（ステップＳ１８０７：複雑さ）、電子機器５００は、複雑さ優先設定処理を実行して（ステップＳ１８０９）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）の詳細については、図２５または図２６で後述する。

【0158】

ステップＳ１８１０において、電子機器５００は、調整部９２１によりゲイン調整処理を実行する（ステップＳ１８１０）。たとえば、調整部９２１は、不定ブロック２０２の第３撮像条件が背景ブロック２０２の第１撮像条件（短秒）に設定された場合、不定ブロック２０２内の主要被写体像ＭＩ部分からの画像データをゲインアップする。また、不定ブロック２０２の第３撮像条件が主要被写体ブロック２０２の第２撮像条件（長秒）に設定された場合、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分からの画像データをゲインダウンする。

【0159】

このあと、電子機器５００は、検出部９２４により手ブレまたは被写体ブレを検出する（ステップＳ１８１１）。手ブレまたは被写体ブレが検出された場合（ステップＳ１８１１：Ｙｅｓ）、検出フラグをＯＮに設定して（ステップＳ１８１２）、ステップＳ１８１４に移行する。一方、手ブレまたは被写体ブレが検出されていない場合（ステップＳ１８１１：Ｎｏ）、検出フラグをＯＦＦに設定して、ステップＳ１８１４に移行する。

【0160】

電子機器５００は、スルー画取得が終了するか否かを判断し（ステップＳ１８１１）、スルー画取得を終了しない場合（ステップＳ１８１４：Ｎｏ）、ステップＳ１８０３に戻る。一方、スルー画取得を終了する場合（ステップＳ１８１４：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、撮像条件の設定処理を終了する。なお、撮像条件の設定処理の実行中に、ユーザはどのタイミングでもレリーズボタンを押下して被写体を撮像することができる。この場合、撮像したタイミングで撮像素子１００からの全画素出力により画像データが生成され、画像ファイル６００が記録部に記録される。

【0161】

＜面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）＞
図１９は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。図１９の面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）は、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分および主要被写体像ＭＩ部分の面積の大小で第３撮像条件を設定する処理である。

【0162】

電子機器５００は、設定部９１３により、未選択の設定単位があるか否かを判断する（ステップＳ１９０１）。未選択の設定単位がある場合（ステップＳ１９０１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、未選択の設定単位を１つ選択する（ステップＳ１９０２）。そして、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位内の背景像ＢＩ部分の面積値Ｓ１と主要被写体像ＭＩ部分の面積値Ｓ２とを算出する（ステップＳ１９０３）。

【0163】

そして、電子機器５００は、設定部９１３により、面積値Ｓ１、Ｓ２を比較する（ステップＳ１９０４）。面積値Ｓ１の方が大きい場合（ステップＳ１９０４：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、背景領域７０１の第１撮像条件に設定して（ステップＳ１９０５）、ステップＳ１９０１に戻る。

【0164】

また、面積値Ｓ１の方が大きくない場合（ステップＳ１９０４：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、主要被写体領域７０２の第２撮像条件に設定して（ステップＳ１９０６）、ステップＳ１９０１に戻る。ステップＳ１９０１において、未選択の設定単位がない場合（ステップＳ１９０１：Ｎｏ）、電子機器５００は、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）を終了して、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0165】

図２０は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。図２０の面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）は、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分および主要被写体像ＭＩ部分の面積の大小で第３撮像条件を設定するとともに、面積差が許容範囲内であれば、面積では優劣がつかないため、共存領域７０３の境界長やハロ対策により第３撮像条件を設定する処理である。図１９と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。

【0166】

電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位内の背景像ＢＩ部分の面積値Ｓ１と主要被写体像ＭＩ部分の面積値Ｓ２とを算出する（ステップＳ１９０３）と、面積値Ｓ１，Ｓ２の差である面積差が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ２００１）。許容範囲内であれば（ステップＳ２００１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、不定カウントＣを１加算して（ステップＳ２００２）、ステップＳ１９０４に移行する。不定カウントＣとは、面積差が許容範囲となった回数である。不定カウントＣの初期値は０である。一方、面積差が許容範囲内でない場合（ステップＳ２００１：Ｎｏ）、ステップＳ１９０４に移行する。

【0167】

そして、面積値Ｓ１の方が大きい場合（ステップＳ１９０４：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、背景領域７０１の第１撮像条件に仮設定して（ステップＳ２００３）、ステップＳ１９０１に戻る。

【0168】

また、面積値Ｓ１の方が大きくない場合（ステップＳ１９０４：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、主要被写体領域７０２の第２撮像条件に仮設定して（ステップＳ２００４）、ステップＳ１９０１に戻る。ステップＳ１９０１において、未選択の設定単位がない場合（ステップＳ１９０１：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、不定カウントＣの割合が所定割合以上であるかいなかを判断する（ステップＳ２００５）。たとえば、設定単位数をＮ、所定割合を０．４とすると、Ｃ／Ｎが０．４以下であれば、ステップＳ２００６に移行する。

【0169】

所定割合以上である場合（ステップＳ２００５：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、ステップＳ２００３、Ｓ２００４で仮設定された各設定単位の第３撮像条件を確定させる（ステップＳ２００６）。すなわち、不定カウント数Ｃが小さいほど、画像全体でみたときに面積差は許容範囲外となるため、仮決定された第３撮像条件が反映される。そして、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）を終了して、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0170】

一方、ステップＳ２００５において、不定カウントＣの割合が所定割合以下でない場合（ステップＳ２００５：Ｎｏ）については、図２１～図２４で説明する。

【0171】

図２１は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－１を示すフローチャートである。図２１は、初期設定（ステップＳ１８０１）において、共存領域７０３の境界長の設定がＯＮである場合に、図２０のステップＳ２００５：Ｎｏから分岐され、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する処理である。

【0172】

電子機器５００は、設定部９１３により、共存領域７０３の背景側境界長Ｌ１と主要被写体側境界長Ｌ２とを算出する（ステップＳ２１０１）。たとえば、図１５において、背景側境界長Ｌ１は太黒線の全長であり、主要被写体側境界長Ｌ２の全長である。そして、電子機器５００は、設定部９１３により、境界長Ｌ１、Ｌ２を比較する（ステップＳ１９０４）。背景側境界長Ｌ１の方が長い場合（ステップＳ２１０２：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、共存領域の第３撮像条件を、主要被写体領域７０２の第１撮像条件に設定して（ステップＳ２１０３）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0173】

また、背景側境界長Ｌ１の方が大きくない場合（ステップＳ２１０２：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、共存領域７０３の第３撮像条件を、背景領域７０１の第２撮像条件に設定して（ステップＳ１９０６）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。これにより、共存領域７０３への影響度（面積）を優先しつつ、面積差の優劣がつかない場合には、共存領域７０３の境界長が短い方の撮像領域の撮像条件に設定することができる。

【0174】

図２２は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－２を示すフローチャートである。図２２は、初期設定（ステップＳ１８０１）において、共存領域７０３の境界長およびハロ対策の設定がＯＮである場合に、図２０のステップＳ２００５：Ｎｏから分岐され、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する処理である。図２１と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。

【0175】

ステップＳ２１０１のあと、電子機器５００は、設定部９１３により、境界長Ｌ１、Ｌ２の差（境界長差）が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ２２０１）。許容範囲内でない場合（ステップＳ２２０１：Ｎｏ）、ステップＳ２１０２に移行する。一方、境界長が許容範囲内である場合（ステップＳ２２０１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、ハロ対策処理を実行して（ステップＳ２２０２）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0176】

図２３は、図２２に示したハロ対策処理（ステップＳ２２０２）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。電子機器５００は、予測部９２３により、ハロの発生を予測する（ステップＳ２３０１）。たとえば、予測部９２３は、第１撮像条件と第２撮像条件との段差が所定段差以上であれば、ハロが発生すると予測して、ステップＳ２３０２に移行する。また、図１７に示したように、予測部９２３は、主要被写体像ＭＩの内部からの画像データの出力値ｘ１と外縁からの画像データの出力値ｘ２のγ補正値ｙ１、ｙ２の差が所定値以上であれば、ハロが発生すると予測して、ステップＳ２３０２に移行する。

【0177】

ハロが発生しないと予測した場合（ステップＳ２３０１：Ｎｏ）、ステップＳ２００３、Ｓ２００４の仮設定を確定させ（ステップＳ２３０２）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。一方、ハロが発生すると予測した場合（ステップＳ２３０１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、共存領域７０３の撮像条件を、背景像の第１撮像条件に設定して（ステップＳ２３０３）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。これにより、主要被写体像ＭＩの外縁に相当する共存領域７０３を背景像ＢＩの内部の第１撮像条件（短秒）と合わせることで、ハロの影響の低減化を図ることができる。

【0178】

このように、共存領域７０３への影響度（面積）を優先しつつ、面積差の優劣がつかない場合には、共存領域７０３の境界長が短い方の撮像領域の撮像条件に設定し、境界長差で優劣がつかない場合には、ハロ対策処理（ステップＳ２２０２）により共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0179】

図２４は、図１８に示した面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）の詳細な処理手順例２－３を示すフローチャートである。図２４は、初期設定（ステップＳ１８０１）において、共存領域７０３の境界長の設定がＯＦＦでかつハロ対策のための設定がＯＮである場合に、図２０のステップＳ２００５：Ｎｏから分岐され、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する処理である。図２３と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。

【0180】

図２４に示した処理により、主要被写体像ＭＩの外縁に相当する共存領域７０３を背景像ＢＩの内部の第１撮像条件（短秒）と合わせることで、ハロの影響の低減化を図ることができる。このように、共存領域７０３への影響度（面積）を優先しつつ、面積差の優劣がつかない場合には、ハロ対策処理（ステップＳ２２０２）により共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0181】

＜複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）＞
図２５は、図１８に示した複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）の詳細な処理手順例１を示すフローチャートである。図２５の複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）は、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分および主要被写体像ＭＩ部分の画像の複雑さの度合いで第３撮像条件を設定する処理である。

【0182】

電子機器５００は、設定部９１３により、未選択の設定単位があるか否かを判断する（ステップＳ２５０１）。未選択の設定単位がある場合（ステップＳ２５０１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、未選択の設定単位を１つ選択する（ステップＳ２５０２）。そして、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位内の背景像ＢＩ部分の複雑度ｆ１と主要被写体像ＭＩ部分の複雑度ｆ２とを算出する（ステップＳ２５０３）。

【0183】

そして、電子機器５００は、設定部９１３により、複雑度ｆ１、ｆ２を比較する（ステップＳ２５０４）。複雑度ｆ１の方が大きい場合（ステップＳ２５０４：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、背景領域７０１の第１撮像条件に設定して（ステップＳ２５０５）、ステップＳ２５０１に戻る。

【0184】

また、複雑度ｆ１の方が大きくない場合（ステップＳ２５０４：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、主要被写体領域７０２の第２撮像条件に設定して（ステップＳ２５０６）、ステップＳ２５０１に戻る。ステップＳ２５０１において、未選択の設定単位がない場合（ステップＳ２５０１：Ｎｏ）、電子機器５００は、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）を終了して、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0185】

図２６は、図１８に示した複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。図２６の複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）は、不定ブロック２０２内の背景像ＢＩ部分および主要被写体像ＭＩ部分の画像の複雑さの度合いで第３撮像条件を設定するとともに、複雑度の差が許容範囲内であれば、画像の複雑さでは優劣がつかないため、共存領域７０３の境界長やハロ対策により第３撮像条件を設定する処理である。図２５と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。

【0186】

電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位内の背景像ＢＩ部分の複雑度ｆ１と主要被写体像ＭＩ部分の複雑度ｆ２とを算出する（ステップＳ２５０３）と、複雑度ｆ１，ｆ２の差が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ２６０１）。許容範囲内であれば（ステップＳ２６０１：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、不定カウントＣを１加算して（ステップＳ２６０２）、ステップＳ２５０４に移行する。不定カウントＣとは、複雑度の差が許容範囲となった回数である。不定カウントＣの初期値は０である。一方、複雑度の差が許容範囲内でない場合（ステップＳ２６０１：Ｎｏ）、ステップＳ２５０４に移行する。

【0187】

そして、複雑度ｆ１の方が大きい場合（ステップＳ２５０４：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、背景領域７０１の第１撮像条件に仮設定して（ステップＳ２６０３）、ステップＳ２５０１に戻る。

【0188】

また、複雑度ｆ１の方が大きくない場合（ステップＳ２５０４：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、選択設定単位の第３撮像条件を、主要被写体領域７０２の第２撮像条件に仮設定して（ステップＳ２６０４）、ステップＳ２５０１に戻る。ステップＳ２５０１において、未選択の設定単位がない場合（ステップＳ２５０１：Ｎｏ）、電子機器５００は、設定部９１３により、不定カウントＣの割合が所定割合以上であるかいなかを判断する（ステップＳ２６０５）。たとえば、設定単位数をＮ、所定割合を０．４とすると、Ｃ／Ｎが０．４以下であれば、ステップＳ２６０６に移行する。

【0189】

所定割合以上である場合（ステップＳ２６０５：Ｙｅｓ）、電子機器５００は、設定部９１３により、ステップＳ２６０３、Ｓ２６０４で仮設定された各設定単位の第３撮像条件を確定させる（ステップＳ２６０６）。すなわち、不定カウント数Ｃが小さいほど、画像全体でみたときに複雑度の差は許容範囲外となるため、仮決定された第３撮像条件が反映される。そして、複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）を終了して、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0190】

一方、ステップＳ２６０５において、不定カウントＣの割合が所定割合以下でない場合（ステップＳ２６０５：Ｎｏ）については、図２１～図２４に示した処理が適用される。図２１の処理を適用することにより、共存領域７０３への影響度（画像の複雑さ）を優先しつつ、複雑度の差の優劣がつかない場合には、共存領域７０３の境界長が短い方の撮像領域の撮像条件に設定することができる。

【0191】

また、図２２および図２３の処理を適用することにより、共存領域７０３への影響度（画像の複雑さ）を優先しつつ、複雑度の差の優劣がつかない場合には、共存領域７０３の境界長が短い方の撮像領域の撮像条件に設定し、境界長差で優劣がつかない場合には、ハロ対策処理（ステップＳ２２０２）により共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0192】

また、図２４に示した処理を適用することにより、主要被写体像の外縁に相当する共存領域７０３を背景像の内部の第１撮像条件（短秒）と合わせることで、ハロの影響の低減化を図ることができる。このように、共存領域７０３への影響度（複雑さ）を優先しつつ、複雑度の差の優劣がつかない場合には、ハロ対策処理（ステップＳ２２０２）により共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0193】

図２７は、電子機器５００における撮像条件の設定処理手順例２を示すフローチャートである。図２７は、図１８と異なり、共存領域７０３への影響度の設定がＯＦＦである場合の撮像条件の設定処理手順例である。したがって、図２７では、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）や複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）は実行されない。また、図１８と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。

【0194】

図２７では、手ブレまたは被写体ブレの検出フラグがＯＦＦの場合に、図２１に示した共存領域７０３の境界長による撮像条件の設定処理、図２２に示した共存領域７０３の境界長およびハロ対策による撮像条件の設定処理、および、ハロ対策による撮像条件の設定処理のいずれかが実行され、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0195】

なお、初期設定（ステップＳ１８０１）において、共存領域７０３の境界長の設定がＯＮでかつハロ対策の設定がＯＦＦである場合、図２７の処理に図２１が適用される。また、共存領域７０３の境界長の設定がＯＮでかつハロ対策の設定がＯＮである場合、図２７の処理に図２２が適用される。だたし、図２２内のハロ対策処理（ステップＳ２２０２）の詳細については、後述する図２８が適用される。また、共存領域７０３の境界長の設定がＯＦＦでかつハロ対策のための設定がＯＮである場合、図２７の処理に後述する図２９が適用される。

【0196】

図２８は、図２２に示したハロ対策処理（ステップＳ２２０２）の詳細な処理手順例２を示すフローチャートである。図２３と同一処理については同一ステップ番号を付し、その説明を省略する。図２７の撮像条件の設定処理では、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）や複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）は実行されないため、図２８では、図２３のステップＳ２３０２が不要となる。したがって、ハロが発生しないと予測した場合（ステップＳ２３０１：Ｎｏ）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0197】

これにより、主要被写体像の外縁に相当する共存領域７０３を背景像の内部の第１撮像条件（短秒）と合わせることで、ハロの影響の低減化を図ることができる。このように、共存領域７０３の境界長を優先しつつ、境界長差の優劣がつかない場合には、ハロ対策処理（ステップＳ２２０２）により共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0198】

図２９は、ハロ対策処理の詳細な処理手順例を示すフローチャートである。図２９も、図２８と同様、図２７の撮像条件の設定処理では、面積優先設定処理（ステップＳ１８０８）や複雑さ優先設定処理（ステップＳ１８０９）は実行されないため、図２８では、図２３のステップＳ２３０２が不要となる。したがって、ハロが発生しないと予測した場合（ステップＳ２３０１：Ｎｏ）、ゲイン調整処理（ステップＳ１８１０）に移行する。

【0199】

これにより、主要被写体像の外縁に相当する共存領域７０３を背景像の内部の第１撮像条件（短秒）と合わせることで、ハロの影響の低減化を図ることができる。このように、ハロ対策単独で共存領域７０３の第３撮像条件を設定することができる。

【0200】

このように、実施例２によれば、第１被写体像（背景像ＢＩ）と第２被写体像（主要被写体像ＭＩ）との境界となる第３撮像領域の第３撮像条件は、画像全体のバランスを考慮した撮像条件となる。したがって、違和感のない被写体画像を表示することができる。

【0201】

なお、本発明は上記の内容に限定されるものではなく、これらを任意に組み合わせたものであっても良い。また、本発明の技術的思想の範囲で考えられるその他の態様も本発明の範囲に含まれる。