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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2023098232
(43)【公開日】2023-07-10
(54)【発明の名称】洗浄液、及び基板の洗浄方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230703BHJP
C11D 3/30 20060101ALI20230703BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647A
H01L21/304 647B
C11D3/30
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2021214865
(22)【出願日】2021-12-28
(71)【出願人】
【識別番号】000220239
【氏名又は名称】東京応化工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100165179
【弁理士】
【氏名又は名称】田▲崎▼ 聡
(74)【代理人】
【識別番号】100189337
【弁理士】
【氏名又は名称】宮本 龍
(74)【代理人】
【識別番号】100178847
【弁理士】
【氏名又は名称】服部 映美
(74)【代理人】
【識別番号】100211122
【弁理士】
【氏名又は名称】白石 卓也
(72)【発明者】
【氏名】和田 幸久
(72)【発明者】
【氏名】芹澤 航平
(72)【発明者】
【氏名】呉 朝逸
(72)【発明者】
【氏名】脇屋 和正
【テーマコード（参考）】
4H003
5F157
【Ｆターム（参考）】
4H003DA09
4H003DA12
4H003DB01
4H003DC02
4H003EB08
4H003EB13
4H003EB14
4H003EB22
4H003FA04
4H003FA07
5F157AA35
5F157AA36
5F157AA96
5F157BC13
5F157BD02
5F157BD07
5F157BD09
5F157BF38
5F157BF39
5F157BF52
5F157BF59
5F157BF72
5F157BF73
5F157DB03
5F157DB57
(57)【要約】
【課題】卑金属含有物と貴金属含有物とが隣接して存在する基板において金属間の腐食電位差を低減可能な洗浄液、及び前記洗浄液を用いた基板の洗浄方法の提供。
【解決手段】ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液。下記式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。Ｒ１及びＲ２は、カルボニル基を含まない有機基又は水素原子を表す。
［化１］
【選択図】なし
【解決手段】ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液。下記式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。Ｒ１及びＲ２は、カルボニル基を含まない有機基又は水素原子を表す。
［化１］
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液であって、
下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、
前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、
を含む、洗浄液。
［式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、カルボニル基を含まない有機基又は水素原子を表す。］
下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、
前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、
を含む、洗浄液。
【化1】
【請求項2】
貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液であって、
下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、
前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、
を含む、洗浄液。
［式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、カルボニル基を含まない有機基又は水素原子を表す。］
下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、
前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、
を含む、洗浄液。
【化2】
【請求項3】
ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）をさらに含む、請求項１又は２に記載の洗浄液。
【請求項4】
前記洗浄液の全質量に対する前記ヒドラジン化合物（Ａ）の濃度が、１．０質量％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄液。
【請求項5】
前記塩基性化合物（Ｂ）は、第４級水酸化物、第３級モノアミン及び第３級アルカノールアミンからなる群より選択される少なくとも１種である、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄液。
【請求項6】
緩衝剤、防食剤、界面活性剤、及び有機溶剤からなる群より選択される少なくとも１種をさらに含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の洗浄液。
【請求項7】
前記緩衝剤は、ｐＫａが６～１１の化合物である請求項６に記載の洗浄液。
【請求項8】
前記第２の金属原子含有層が銅を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の洗浄液。
【請求項9】
配線層の化学機械研磨後の前記基板の洗浄に用いられ、前記配線層は前記第１の金属原子含有層又は第２の金属原子含有層である、請求項１～８のいずれか一項に記載の洗浄液。
【請求項10】
デュアルダマシンプロセスにより、配線層に接続するビアが形成された後の前記基板の洗浄に用いられる、請求項１～８のいずれか一項に記載の洗浄液。
【請求項11】
請求項１～１０のいずれか一項に記載の洗浄液を用いて、ルテニウム原子を含有する第１の金属含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項12】
請求項１～１０いずれか一項に記載の洗浄液を用いて、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄する工程を含む、基板の洗浄方法。
【請求項13】
前記基板が、配線層の化学機械研磨後の基板であり、前記配線層は前記第１の金属原子含有層又は前記第２の金属原子含有層である、請求項１１又は１２に記載の基板の洗浄方法。
【請求項14】
前記第１の金属原子含有層がルテニウム含有バリア層又はルテニウム含有ライナー層であり、前記第２の金属原子含有層が銅含有配線層である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板の洗浄方法。
【請求項15】
前記基板が、前記銅含有配線層の化学機械研磨後の基板である、請求項１４に記載の基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、洗浄液、及び基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置に用いられる配線基板では、配線層の形成に際し、ライナー層又はバリア層等を配線層に隣接させて設ける場合がある。これらの層の形成材料として、次世代配線では、低抵抗化、及び埋め込み改善等のために、ルテニウムの使用が検討されている。
【0003】
配線基板の製造工程では、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）による平坦化、及びビア形成等が行われる。これらの工程後には、基板に付着する削り屑等の不純物の除去のため、基板の洗浄が行われる。
例えば、特許文献１には、銅配線基板のＣＭＰ後に用いる洗浄用組成物として、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及びヒドラジド化合物を含む水性組成物が記載されている。
例えば、特許文献１には、銅配線基板のＣＭＰ後に用いる洗浄用組成物として、有機塩基、銅エッチング剤、有機リガンド、及びヒドラジド化合物を含む水性組成物が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特許第６７５１０１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
銅等の卑金属を配線材料に用い、ルテニウム等の貴金属をライナー層等に用いた配線基板では、卑金属含有物と貴金属含有物とが隣接して存在する。このような配線基板を従来の洗浄液で洗浄すると、卑金属と貴金属との腐食電位差が大きくなり、ガルバニック腐食が発生しやすい。そのため、卑金属と貴金属との腐食電位差を低減可能な洗浄液が求められる。
【0006】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、卑金属含有物と貴金属含有物とが隣接して存在する基板において金属間の腐食電位差を低減可能な洗浄液、及び前記洗浄液を用いた基板の洗浄方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
【0008】
本発明の第１の態様は、ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液であって、下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む、洗浄液である。
【0009】
【化1】
【0010】
本発明の第２の態様は、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するための洗浄液であって、下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む、洗浄液である。
【0011】
【化2】
【0012】
本発明の第３の態様は、前記第１又は第２の態様にかかる洗浄液を用いて、ルテニウム原子を含有する第１の金属含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄する工程を含む、基板の洗浄方法である。
【0013】
本発明の第４の態様は、前記第１又は第２の態様にかかる洗浄液を用いて、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄する工程を含む、基板の洗浄方法である。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、卑金属含有物と貴金属含有物とが隣接して存在する基板において金属間の腐食電位差を低減可能な洗浄液、及び前記洗浄液を用いた基板の洗浄方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】一実施形態の洗浄液が適用される基板の一例を示す。
【図1B】一実施形態の洗浄液が適用される基板の一例を示す。
【図2A】一実施形態の洗浄液が適用される基板の一例を示す。
【図2B】一実施形態の洗浄液が適用される基板の一例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0016】
（第１の態様：洗浄液）
本発明の第１の態様にかかる洗浄液は、下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。
本態様にかかる洗浄液は、ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するために用いられる。
本発明の第１の態様にかかる洗浄液は、下記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。
本態様にかかる洗浄液は、ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するために用いられる。
【0017】
【化3】
【0018】
＜ヒドラジン化合物（Ａ）＞
本実施形態にかかる洗浄液は、前記一般式（ａ１）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ１）」ともいう）、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）（以下、「（Ａ）成分」ともいう）を含有する。（Ａ）成分は、それぞれ後述する、ルテニウム等の貴金属とルテニウム以外の金属（例えば、銅等の卑金属）が隣接して存在する基板の洗浄工程において、両金属の腐食電位差を低減する作用を有する。
本実施形態にかかる洗浄液は、前記一般式（ａ１）で表される化合物（以下、「化合物（Ａ１）」ともいう）、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）（以下、「（Ａ）成分」ともいう）を含有する。（Ａ）成分は、それぞれ後述する、ルテニウム等の貴金属とルテニウム以外の金属（例えば、銅等の卑金属）が隣接して存在する基板の洗浄工程において、両金属の腐食電位差を低減する作用を有する。
【0019】
前記式（ａ１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、カルボニル基を含まない有機基又は水素原子を表す。Ｒ１及びＲ２における有機基は、カルボニル基を含まないため、化合物（Ａ）がヒドラジドとなることはない。
【0020】
Ｒ１及びＲ２における有機基としては、置換基を有してもよい炭化水素基が挙げられる。前記炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
【0021】
Ｒ１及びＲ２における脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基であってもよく、不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。前記脂肪族炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐鎖状であってもよく、環構造を含んでもよい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数１～１０の直鎖状のアルキル基が挙げられ、炭素原子数１～８が好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４又は炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１若しくは２が特に好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数３～１０の分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、炭素原子数３～８が好ましく、炭素原子数３～６がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。
環構造を含む脂肪族炭化水素基は、脂環式基を含む脂肪族炭化水素基である。前記脂環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
単環式基の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６が好ましい。モノシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２が好ましい。ポリシクロアルカンの具体例としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数１～１０の直鎖状のアルキル基が挙げられ、炭素原子数１～８が好ましく、炭素原子数１～６がより好ましく、炭素原子数１～４又は炭素原子数１～３がさらに好ましく、炭素原子数１若しくは２が特に好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、炭素原子数３～１０の分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、炭素原子数３～８が好ましく、炭素原子数３～６がより好ましく、炭素原子数３又は４がさらに好ましい。具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１－ジエチルプロピル基、２，２－ジメチルブチル基等が挙げられる。
環構造を含む脂肪族炭化水素基は、脂環式基を含む脂肪族炭化水素基である。前記脂環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
単環式基の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記モノシクロアルカンとしては、炭素原子数３～６が好ましい。モノシクロアルカンの具体例としては、シクロプロパン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が挙げられる。前記ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数７～１２が好ましい。ポリシクロアルカンの具体例としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
【0022】
Ｒ１及びＲ２における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。前記芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式であってもよく、多環式であってもよい。芳香環の炭素原子数は５～３０が好ましく、炭素原子数５～２０がより好ましく、炭素原子数６～１５がさらに好ましく、炭素原子数６～１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基の具体例としては、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基は、炭素原子数１～４が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基の具体例としては、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（例えば、ベンジル基、フェネチル基、１－ナフチルメチル基、２－ナフチルメチル基、１－ナフチルエチル基、２－ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基は、炭素原子数１～４が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１が特に好ましい。
【0023】
Ｒ１及びＲ２における炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシ基、アルキル基、又はビニル基が挙げられる。ただし、前記置換基は、カルボニル基を含まない。
【0024】
Ｒ１及びＲ２は、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基、又は水素原子が好ましく、置換基を有してもよい直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は水素原子がより好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のヒドロキシアルキル基、直鎖状若しくは分岐鎖状のヒドロキシアルキル基、又は水素原子がさらに好ましい。前記直鎖状のヒドロキシアルキル基又は直鎖状のアルキル基は、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。前記分岐鎖状のヒドロキシアルキル基又は直鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３がより好ましい。
【0025】
化合物（Ａ１）の具体例としては、例えば、ヒドラジン、２－ヒドラジノエタノール、ｔ－ブチルヒドラジン、１，１－ジエチルヒドラジン、１，２－ジエチルヒドラジン、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、１，１－ジメチルヒドラジン、１，２－ジメチルヒドラジン、１，２－ジイソプロピルヒドラジン、シクロヘキシルヒドラジン、アリルヒドラジン、イソプロピルヒドラジン、トリルヒドラジン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0026】
（Ａ）成分は、化合物（Ａ１）の水和物であってもよい。化合物（Ａ１）の水和物における水和水の数は、特に限定されない。化合物（Ａ１）の水和物としては、一水和物、二水和物、三水和物等が挙げられる。化合物（Ａ１）の水和物の具体例としては、ヒドラジン一水和物が挙げられる。
【0027】
（Ａ）成分は、化合物（Ａ１）の塩であってもよい。化合物（Ａ１）の塩は、無機物との塩でもよく、有機物との塩でもよい。塩としては、例えば、塩酸塩、硫酸塩、炭酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。化合物（Ａ１）の塩の具体例としては、ｔ－ブチルヒドラジン塩酸塩、硫酸ヒドラジン、炭酸ヒドラジン、トリルヒドラジン塩酸塩等が挙げられる。
【0028】
（Ａ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１．０質量％（１００００ｐｐｍ）以下が挙げられ、０．３質量％（３０００ｐｐｍ）以下が好ましく、０．１質量％（１０００ｐｐｍ）以下がより好ましく、０．０５質量％（５００ｐｍ）以下がさらに好ましく、０．０２質量％（２００ｐｍ）以下が特に好ましい。（Ａ）成分には、劇物も含まれるため、（Ａ）成分の効果が発現される限り、低濃度で用いることが好ましい。本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量は、例えば、０．０１質量％（１００ｐｍ）以下、又は０．００９質量％（９０ｐｍ）以下であってもよい。
（Ａ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）以上が挙げられ、０．０００５質量％（５ｐｐｍ）以上が好ましく、０．００１質量％（１０ｐｐｍ）以上がより好ましく、０．００２質量％（２０ｐｐｍ）以上がさらに好ましく、０．００３質量％（３０ｐｐｍ）以上が特に好ましい。（Ａ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、本実施形態の洗浄液を用いて基板を洗浄した際に、ルテニウム等の貴金属と他の金属（後述の卑金属又は非ルテニウム金属）との腐食電位差が低減されやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）～１．０質量％（１００００ｐｐｍ）が挙げられ、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）～０．３質量％（３０００ｐｐｍ）又は０．０００５質量％（５ｐｐｍ）～０．１質量％（１０００ｐｐｍ）が好ましく、０．００２質量％（２０ｐｐｍ）～０．０５質量％（５００ｐｐｍ）がさらに好ましく、０．００２質量％（３０ｐｐｍ）～０．０２質量％（２００ｐｐｍ）、又は０．００２質量％（３０ｐｐｍ）～０．００９質量％（９０ｐｐｍ）が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１．０質量％（１００００ｐｐｍ）以下が挙げられ、０．３質量％（３０００ｐｐｍ）以下が好ましく、０．１質量％（１０００ｐｐｍ）以下がより好ましく、０．０５質量％（５００ｐｍ）以下がさらに好ましく、０．０２質量％（２００ｐｍ）以下が特に好ましい。（Ａ）成分には、劇物も含まれるため、（Ａ）成分の効果が発現される限り、低濃度で用いることが好ましい。本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量は、例えば、０．０１質量％（１００ｐｍ）以下、又は０．００９質量％（９０ｐｍ）以下であってもよい。
（Ａ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）以上が挙げられ、０．０００５質量％（５ｐｐｍ）以上が好ましく、０．００１質量％（１０ｐｐｍ）以上がより好ましく、０．００２質量％（２０ｐｐｍ）以上がさらに好ましく、０．００３質量％（３０ｐｐｍ）以上が特に好ましい。（Ａ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、本実施形態の洗浄液を用いて基板を洗浄した際に、ルテニウム等の貴金属と他の金属（後述の卑金属又は非ルテニウム金属）との腐食電位差が低減されやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ａ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）～１．０質量％（１００００ｐｐｍ）が挙げられ、０．０００１質量％（１ｐｐｍ）～０．３質量％（３０００ｐｐｍ）又は０．０００５質量％（５ｐｐｍ）～０．１質量％（１０００ｐｐｍ）が好ましく、０．００２質量％（２０ｐｐｍ）～０．０５質量％（５００ｐｐｍ）がさらに好ましく、０．００２質量％（３０ｐｐｍ）～０．０２質量％（２００ｐｐｍ）、又は０．００２質量％（３０ｐｐｍ）～０．００９質量％（９０ｐｐｍ）が特に好ましい。
【0029】
＜塩基性化合物（Ｂ）＞
本実施形態の洗浄液は、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）（以下、「（Ｂ）成分」ともいう）を含有する。（Ｂ）成分により、洗浄液のｐＨを高くすることができ、洗浄性が向上する。
本実施形態の洗浄液は、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）（以下、「（Ｂ）成分」ともいう）を含有する。（Ｂ）成分により、洗浄液のｐＨを高くすることができ、洗浄性が向上する。
【0030】
≪第４級水酸化物：（Ｂ１）成分≫
（Ｂ）成分は、第４級水酸化物（以下、「（Ｂ１）成分」ともいう）であってもよい。（Ｂ１）成分としては、下記一般式（ｂ１）で表される化合物が挙げられる。
（Ｂ）成分は、第４級水酸化物（以下、「（Ｂ１）成分」ともいう）であってもよい。（Ｂ１）成分としては、下記一般式（ｂ１）で表される化合物が挙げられる。
【0031】
【化4】
【0032】
前記式（ｂ１）中、Ｒｂ１～Ｒｂ４は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
Ｒｂ１～Ｒｂ４における置換基を有してもよい炭化水素基は、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基であってもよく、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であってもよい。前記脂肪族炭化水素基としては、前記式（ａ１）中のＲ１及びＲ２で挙げたものと同様のものが挙げられる。前記芳香族炭化水素基としては、前記式（ａ１）中のＲ１及びＲ２で挙げたものと同様のものが挙げられる。
Ｒｂ１～Ｒｂ４における置換基を有してもよい炭化水素基は、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基であってもよく、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基であってもよい。前記脂肪族炭化水素基としては、前記式（ａ１）中のＲ１及びＲ２で挙げたものと同様のものが挙げられる。前記芳香族炭化水素基としては、前記式（ａ１）中のＲ１及びＲ２で挙げたものと同様のものが挙げられる。
【0033】
Ｒｂ１～Ｒｂ４における炭化水素基は、置換基を有してもよい。前記置換基としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシ基が挙げられる。
【0034】
Ｒｂ１～Ｒｂ４は、置換基を有してもよい脂肪族炭化水素基が好ましく、置換基を有してもよい直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基がより好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のヒドロキシアルキル基、直鎖状若しくは分岐鎖状のヒドロキシアルキル基、又は水素原子がさらに好ましい。前記直鎖状のヒドロキシアルキル基又は直鎖状のアルキル基は、炭素原子数１～６が好ましく、炭素原子数１～３がより好ましく、炭素原子数１又は２がさらに好ましい。前記分岐鎖状のヒドロキシアルキル基又は直鎖状のアルキル基は、炭素原子数３～６が好ましく、炭素原子数３がより好ましい。
【0035】
前記式（ｂ１）中、Ｚは、窒素原子又はリン原子を表す。
【0036】
（Ｂ１）成分が第４級アミンの水酸化物である場合、具体例としては、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド（ＴＰＡＨ）、ジメチルビス（２－ヒドロキエチル）アンモニウムヒドロキシド（ＤＭＥＭＡＨ）、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）、コリン、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエタノールアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリブチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。
【0037】
（Ｂ１）成分が第４級ホスホニウムの水酸化物である場合、具体例としては、テトラブチルホスホニウムヒドロキシド、テトラプロピルホスホニウムヒドロキシド、テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラメチルホスホニウムヒドロキシド、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド、メチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、エチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、プロピルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、ブチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、ベンジルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、アリルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、ドデシルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、テトラデシルトリフェニルホスホニウムヒドキシド、ヘキサデシルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリブチルホスホニウムヒドロキシド等が挙げられる。
【0038】
（Ｂ１）成分としては、ＴＥＡＨ、ＴＭＡＨ、ＤＭＥＭＡＨ,ＴＨＥＭＡＨ、コリン、及びテトラブチルホスホニウムヒドロキシドが好ましい。
【0039】
≪（Ａ）成分以外のアミン：（Ｂ２）成分≫
（Ｂ）成分は、（Ａ）成分以外のアミン（以下、「（Ｂ２）成分」ともいう）であってもよい。但し、前記（Ｂ１）成分に該当すものは、（Ｂ２）成分から除かれる。（Ｂ２）成分としては、アンモニア、第１級モノアミン、第２級モノアミン、第３級モノアミン、水酸化物以外の第４級アンモニウム塩、第２級環状アミン、第３級環状アミン、第４級環状アミン、第１級アルカノールアミン、第２級アルカノールアミン、第３級アルカノールアミン、ジアミン、ポリアミン等が挙げられる。（Ｂ２）成分のアミンとしては、塩基性を示すものであれば、特に限定されないが、水溶性アミンが好ましい。（Ｂ２）成分は、水溶液中で塩基性を示すものが好ましい。（Ｂ２）成分は、水溶性等の観点から、脂肪族アミンが好ましい。
（Ｂ）成分は、（Ａ）成分以外のアミン（以下、「（Ｂ２）成分」ともいう）であってもよい。但し、前記（Ｂ１）成分に該当すものは、（Ｂ２）成分から除かれる。（Ｂ２）成分としては、アンモニア、第１級モノアミン、第２級モノアミン、第３級モノアミン、水酸化物以外の第４級アンモニウム塩、第２級環状アミン、第３級環状アミン、第４級環状アミン、第１級アルカノールアミン、第２級アルカノールアミン、第３級アルカノールアミン、ジアミン、ポリアミン等が挙げられる。（Ｂ２）成分のアミンとしては、塩基性を示すものであれば、特に限定されないが、水溶性アミンが好ましい。（Ｂ２）成分は、水溶液中で塩基性を示すものが好ましい。（Ｂ２）成分は、水溶性等の観点から、脂肪族アミンが好ましい。
【0040】
第１級モノアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ｎ－ブチルアミン、イソプロピルアミン、ｔｅｒｔ－ブチルアミン等のアルキルアミン；シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘキサンメチルアミン等のシクロアルキルアミン；メトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミン、メトキシブチルアミン、エトキシプロピルアミン、プロポキシプロピルアミン等のアルコキシアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0041】
第２級モノアミンとしては、ジメチルアミン、ジエチルアミン、メチルエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソブチルアミン、ブチルメチルアミン等のアルキルアミン；Ｎ，Ｎ－ジシクロヘキシルアミン、Ｎ－シクロペンチルシクロヘキサンアミン等のシクロアルキルアミン；メトキシ（メチルアミン）、Ｎ－（２－メトキシエチル）エチルアミン等のアルコキシアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0042】
第３級モノアミンとしては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリイソブチルアミン、ジメチルエチルアミン、ジメチルプロピルアミン、アリルジエチルアミン、ジメチル－ｎ－ブチルアミン、ジエチルイソプロピルアミン等のアルキルアミン；トリシクロペンチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のシクロアルキルアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0043】
第４級アンモニウム塩としては、第４級アンモニウムのフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硫酸水素塩、酢酸塩等が挙げられる。第４級アンモニウムカチオンとしては、前記式（ｂ１）のカチオン部と同様のものが挙げられる。第４級アンモニウム塩の具体例としては、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムフルオリド、テトラメチルアンモニウムフルオリド、テトラプロピルアンモニウムフルオリド、テトラブチルアンモニウムフルオリド、テトラプロピルアンモニウムフルオリド、テトラエチルアンモニウムヨージド、テトラメチルアンモニウムヨージド、テトラプロピルアンモニウムヨージド、テトラブチルアンモニウムヨージド、テトラプロピルアンモニウムヨージド、テトラエチルアンモニウム硫酸水素塩、テトラメチルアンモニウム硫酸水素塩、テトラプロピルアンモニウム硫酸水素塩、テトラブチルアンモニウム硫酸水素塩、テトラプロピルアンモニウム硫酸水素塩、等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0044】
第２級環状アミンとしては、ピペリジン類（ピペリジン骨格を有する化合物）、ピロリジン類（ピロリジン骨格を有する化合物）、モルホリン類（モルホリン骨格を有する化合物）等が挙げられる。第２級環状アミンであるピペリジン類としては、ピペリジン、２－ピペコリン、３－ピペコリン、４－ピペコリン、２，６－ジメチルピペリジン、３，５－ジメチルピペリジン等が挙げられる。ピロリジン類としては、ピロリジン、２－メチルピロリジン、３－メチルピロリジン等が挙げられる。モルホリン類としては、モルホリン、２－メチルモルホリン、３－メチルモルホリン等が挙げられる。
【0045】
第３級環状アミンとしては、ピペリジン類、ピロリジン類、モルホリン類等が挙げられる。ピペリジン類としては、Ｎ－メチルピペリジン等が挙げられる。ピロリジン類としては、Ｎ－メチルピロリジン等が挙げられる。モルホリン類としては、Ｎ－メチルモルホリン等が挙げられる。
【0046】
第４級環状アミンとしては、ピペリジン類、ピロリジン類、モルホリン類等のフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硫酸塩、硫酸水素塩、酢酸塩等が挙げられる。
【0047】
第１級アルカノールアミンとしては、メタノールアミン、２－アミノエタノール、１－アミノ－２－プロパノール、２－アミノ－１－プロパノール、４－アミノ－１－ブタノールアミン、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール、２－（２－アミノエトキシ）エタノール等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0048】
第２級アルカノールとしては、Ｎ-メチルエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ－メチルプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、２－［（ヒドロキシメチル）アミノ］エタノール、４－メチルアミノブタノール、３－ピペリジンメタノール、４－ピペリジンメタノール、２－ピペリジンエタノール、４－ピペリジンエタノール等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0049】
第３級アルカノールとしては、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0050】
ジアミンは、第１級ジアミン、第２級ジアミン、及び第３級ジアミンのいずれであってもよい。第１級ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ブタン１，４－ジアミン、１，３－プロパンジアミン、１，６－ヘキサンジアミン、ペンタン－１，５－ジアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。第２級ジアミンとしては、２－メチルピペラジン、２，３－ジメチルピペラジン、２，５－ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ'－ジメチルエタンジアミン、Ｎ，Ｎ'－ジメチルプロパンジアミン、Ｎ，Ｎ'－ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ'－ジエチルプロパンジアミン、Ｎ，Ｎ'－ジイソプロピルエチレンジアミン等が挙げられるが、これらに限定されない。第３級ジアミンとしては、４－ジメチルアミノピリジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，３－ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，３－ジアミノブタン、Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，４－ジアミノブタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルフェニレンジアミン、１，２－ジピペリジノエタン等が挙げられるが、これらに限定されない。
【0051】
ポリアミンは、３個以上のアミノ基を含む化合物である。ポリアミンは、第１級アミノ基、第２級アミノ基、及び第３級アミノ基のいずれを含んでいてもよい。ポリアミンとしては、スペルミン、スペルミジン、３，３'－イミノビス（プロピルアミン）、Ｎ，Ｎ－ビス（３－アミノプロピル）メチルアミン、Ｎ，Ｎ－ビス（３－アミノプロピル）ブチルアミン、Ｎ－（３－アミノプロピル）－Ｎ－ドデシルプロパン－１，３－ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'－，Ｎ”，Ｎ”－ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”－ペンタメチルジプロピレントリアミン、トリス［２－（ジメチルアミノ）エチル］アミン、２－アミノメチルピリミジン、１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン、１－アミノ－４－シクロペンチルピペラジン、１－（２－ピリジル）ピペラジン等が挙げられる。
【0052】
（Ｂ２）成分は、第３級アミン、第２級アミン、及び第１級アミンのいずれでもよいが、第３級アミン又は第２級アミンが好ましく、第３級アミンがより好ましい。（Ｂ２）成分は、モノアミンが好ましく、第３級モノアミン又は第３級アルカノールアミンがより好ましく、第３級脂肪族モノアミン又は第３級アルカノールアミンがさらに好ましく、酸化膜の除去量の調整の点で第３級脂肪族モノアミンが特に好ましく、除去後の清浄性が良好な点で第３級アルカノールアミンが特に好ましい。
【0053】
（Ｂ）成分は、（Ｂ１）成分、又は第３級アミンが好ましく、（Ｂ１）成分、第３級モノアミン、又は第３級アルカノールアミンがより好ましく、（Ｂ１）成分、第３級脂肪族モノアミン、又は第３級アルカノールアミンがさらに好ましく、（Ｂ１）成分が特に好ましい。
【0054】
（Ｂ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液における（Ｂ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、４質量％、３質量％以下、又は２質量％以下が特に好ましい。（Ｂ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％以上が挙げられ、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がさらに好ましく、０．０３質量％以上、又は０．０５質量％以上が特に好ましい。（Ｂ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、洗浄液のｐＨを高く維持しやすい。（Ｂ）成分の含有量が前記好ましい上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ｂ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００２質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～３質量％がさらに好ましく、０．０２質量％～２．０質量％、又は０．０３質量％～１．５質量％が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液における（Ｂ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、４質量％、３質量％以下、又は２質量％以下が特に好ましい。（Ｂ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％以上が挙げられ、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がさらに好ましく、０．０３質量％以上、又は０．０５質量％以上が特に好ましい。（Ｂ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、洗浄液のｐＨを高く維持しやすい。（Ｂ）成分の含有量が前記好ましい上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ｂ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００２質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～３質量％がさらに好ましく、０．０２質量％～２．０質量％、又は０．０３質量％～１．５質量％が特に好ましい。
【0055】
本実施形態の洗浄液は、（Ｂ２）成分を含有すれば、（Ｂ１）成分を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、（Ｂ１）成分を１種含有すれば、他の（Ｂ１）成分は含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、例えば、第４級水酸化物の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
【0056】
本実施形態の洗浄液は、（Ｂ１）成分を含有すれば、（Ｂ２）成分を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、（Ｂ２）成分を１種含有すれば、他の（Ｂ２）成分を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、例えば、第１級モノアミン、第２級モノアミン、第３級モノアミン、第４級アンモニウム塩、第２級環状アミン、第３級環状アミン、第４級環状アミン、第１級アルカノールアミン、第２級アルカノールアミン、第３級アルカノールアミン、ジアミン、及びポリアミンからなる群より選択される１種以上を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、例えば、これらのアミンの具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、例えば、第１級芳香族モノアミン、第２級芳香族モノアミン、第３級芳香族モノアミン、第４級芳香族アンモニウム塩、第１級アミノフェノール、第２級アミノフェノール、第３級アミノフェノール、芳香族ジアミン、及び芳香族ポリアミンからなる群より選択される１種以上を含有しなくてもよい。
【0057】
＜任意成分＞
本実施形態の洗浄液は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、任意成分を含んでもよい。任意成分としては、ヒドロキシカルボン酸、水、水溶性有機溶剤、界面活性剤、防食剤等が挙げられる。
本実施形態の洗浄液は、上記（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に加えて、任意成分を含んでもよい。任意成分としては、ヒドロキシカルボン酸、水、水溶性有機溶剤、界面活性剤、防食剤等が挙げられる。
【0058】
≪ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）≫
本実施形態の洗浄液は、ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）（以下、「（Ｃ）成分」ともいう）を含有してもよい。（Ｃ）成分により、洗浄液の洗浄性が向上する。
本実施形態の洗浄液は、ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）（以下、「（Ｃ）成分」ともいう）を含有してもよい。（Ｃ）成分により、洗浄液の洗浄性が向上する。
【0059】
ヒドロキシカルボン酸は、ヒドロキシ基とカルボキシ基とを含む化合物である。本明細書において、ヒドロキシカルボン酸とは、ヒドロキシ基、カルボキシ基、及び炭化水素基からなる化合物を意味する。ヒドロキシカルボン酸は、ヒドロキシ基、及びカルボキシ基以外の官能基を有さず、水素原子、酸素原子、及び炭素原子以外の原子を含まない。ヒドロキシカルボン酸は、脂肪族ヒドロキシカルボン酸であってもよく、芳香族ヒドロキシカルボン酸であってもよいが、脂肪族ヒドロキシカルボン酸が好ましい。
脂肪族ヒドロキシカルボン酸としては、グルコン酸、クエン酸、乳酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、グルクロン酸、グルカル酸、ラクトビオン酸、Ｎ－アセチルノイラミン酸、Ｎ－グライコリルノイラミン酸、デアミノノイラミン酸等が挙げられる。
脂肪族ヒドロキシカルボン酸としては、グルコン酸、クエン酸、乳酸、グリコール酸、リンゴ酸、酒石酸、グルクロン酸、グルカル酸、ラクトビオン酸、Ｎ－アセチルノイラミン酸、Ｎ－グライコリルノイラミン酸、デアミノノイラミン酸等が挙げられる。
【0060】
ヒドロキシカルボン酸は、脂肪族ヒドロキシカルボン酸が好ましく、グルコン酸、酒石酸、リンゴ酸、及びクエン酸がより好ましく、クエン酸、及びグルコン酸がさらに好ましい。
【0061】
（Ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、又は０．５質量％以下が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％以上が挙げられ、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がさらに好ましく、０．０３質量％以上、又は０．１質量％以上が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、洗浄性がより向上する。（Ｃ）成分の含有量が前記好ましい上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ｃ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００５質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～１質量％がさらに好ましく、０．０２質量％～０．８質量％、又は０．０３質量％～０．５質量％が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液は、ヒドロキシカルボン酸を含有しなくてもよく、ヒドロキシカルボン酸の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
本実施形態の洗浄液が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましく、３質量％、２質量％以下、１質量％以下、０．８質量％以下、０．６質量％以下、又は０．５質量％以下が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量の下限値は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％以上が挙げられ、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がさらに好ましく、０．０３質量％以上、又は０．１質量％以上が特に好ましい。（Ｃ）成分の含有量が前記好ましい下限値以上であると、洗浄性がより向上する。（Ｃ）成分の含有量が前記好ましい上限値以下であると、他の成分とのバランスが取りやすくなる。
本実施形態の洗浄液における（Ｃ）成分の含有量の範囲としては、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００５質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～１質量％がさらに好ましく、０．０２質量％～０．８質量％、又は０．０３質量％～０．５質量％が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液は、ヒドロキシカルボン酸を含有しなくてもよく、ヒドロキシカルボン酸の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
【0062】
≪水≫
本実施形態の洗浄液は、溶媒として水を含有することが好ましい。水は、不可避的に混入する微量成分を含んでいてもよい。本実施形態の洗浄液に用いられる水は、蒸留水、イオン交換水、及び超純水などの浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に一般的に使用される超純水を用いることがより好ましい。
本実施形態の洗浄液は、溶媒として水を含有することが好ましい。水は、不可避的に混入する微量成分を含んでいてもよい。本実施形態の洗浄液に用いられる水は、蒸留水、イオン交換水、及び超純水などの浄化処理を施された水が好ましく、半導体製造に一般的に使用される超純水を用いることがより好ましい。
【0063】
本実施形態の洗浄液中の水の含有量は、特に限定されないが、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５質量％以上がさらに好ましく、９７質量％以上が特に好ましい。本実施形態の洗浄液中の水の含有量の上限値は、特に限定はされないが、９９．９５質量％未満が好ましく、９９．９質量％以下がより好ましく、９９．７質量％以下がより好ましく、９９.4質量％以下がより好ましい。
【0064】
≪防食剤：（Ｄ）≫
本実施形態の洗浄液は、防食剤を含有してもよい。
防食剤としては、例えば、トリアゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、フェナントロリン環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリミジン環、プリン環等の含窒素複素環を含む化合物が挙げられる。
本実施形態の洗浄液は、防食剤を含有してもよい。
防食剤としては、例えば、トリアゾール環、イミダゾール環、ピリジン環、フェナントロリン環、テトラゾール環、ピラゾール環、ピリミジン環、プリン環等の含窒素複素環を含む化合物が挙げられる。
【0065】
トリアゾール環を含む化合物としては、例えば、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、１－アセチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１，２，４－トリアゾロ［４，３－ａ］ピリジン－３（２Ｈ）－オン、３Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン－３－オールなどのトリアゾール類；１，２，３－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３－ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４－ヒドロキシベンゾトリアゾール、４－カルボキシル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、４－カルボキシル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールメチルエステル、４－カルボキシル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールブチルエステル、４－カルボキシル－１Ｈ－ベンゾトリアゾールオクチルエステル、５－ヘキシルベンゾトリアゾール、［１，２，３－ベンゾトリアゾリル－１－メチル］［１，２，４－トリアゾリル－１－メチル］［２－エチルヘキシル］アミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ビス［（１－ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸、３－アミノトリアゾールなどのベンゾトリアゾール類等が挙げられる。
【0066】
イミダゾール環を含む化合物としては、例えば、２－メチルイミダゾール、２－エチルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、２－プロピルイミダゾール、２－ブチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、２、４－ジメチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－ウンデシルイミダゾール、２－アミノイミダゾール、ベンゾイミダゾールなどのイミダゾール類；２，２’－ビイミダゾールなどのビイミダゾール類等が挙げられる。中でも、ビイミダゾール類が好ましく、２，２’－ビイミダゾールがより好ましい。
【0067】
ピリジン環を含む化合物としては、例えば、１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、１－アセチル－１Ｈ－１，２，３－トリアゾロ［４，５－ｂ］ピリジン、３－アミノピリジン、４－アミノピリジン、３－ヒドロキシピリジン、４－ヒドロキシピリジン、２－アセトアミドピリジン、４－ピロリジノピリジン、２－シアノピリジン、２，６－ピリジンカルボン酸、２，４，６－トリメチルピリジンなどのピリジン類；２，２’－ビピリジル、４，４’－ジメチル－２，２’－ビピリジル、４，４’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，２’－ビピリジル、４，４－ジノニル－２，２－ビピリジル、２，２”－ビピリジン－６，６’－ジカルボン酸、４，４’－ジメトキシ－２，２’－ビピリジルなどのビピリジル類等が挙げられる。中でも、ビピリジル類が好ましく、２，２’－ビピリジル、４，４’－ジメチル－２，２’－ビピリジル、４，４’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－２，２’－ビピリジル、４，４－ジノニル－２，２－ビピリジル、２，２”－ビピリジン－６，６’－ジカルボン酸、４，４’－ジメトキシ－２，２’－ビピリジルがより好ましい。
【0068】
フェナントロリン環を含む化合物としては、例えば、１，１０－フェナントロリン等が挙げられる。
【0069】
テトラゾール環を含む化合物としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール、５－アミノ－１Ｈ－テトラゾール、５－メチル－１Ｈ－テトラゾール、５－フェニル－１Ｈ－テトラゾール、１－（２－ジアミノエチル）－５－メルカプトテトラゾール等が挙げられる。
【0070】
ピラゾール環を含む化合物としては、例えば、３，５－ジメチルピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、４－メチルピラゾール、３－アミノ－５－ヒドロキシピラゾール等が挙げられる。
【0071】
ピリミジン環を含む化合物としては、例えば、ピリミジン、４－メチルピリミジン、１，２，４－トリアゾロ［１，５－ａ］ピリミジン、１，３，４，６，７，８－ヘキサハイドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン、１，３－ジフェニル－ピリミジン－２，４，６－トリオン、１，４，５，６－テトラハイドロピリミジン、２，４，５，６－テトラアミノピリミジンサルフェイト、２，４，５－トリハイドロキシピリミジン、２，４，６－トリアミノピリミジン、２，４，６－トリクロロピリミジン、２，４，６－トリメトキシピリミジン、２，４，６－トリフェニルピリミジン、２，４－ジアミノ－６－ヒドロキシピリミジン、２，４－ジアミノピリミジン、２－アセトアミドピリミジン、２－アミノピリミジン、２－メチル－５，７－ジフェニル－（１，２，４）トリアゾロ（１，５－ａ）ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－（１，２，４）トリアゾロ（１，５－ａ）ピリミジン、２－メチルサルファニル－５，７－ジフェニル－４，７－ジヒドロ－（１，２，４）トリアゾロ（１，５－ａ）ピリミジン、４－アミノピラゾロ［３，４－ｄ］ピリミジン等が挙げられる。
【0072】
プリン環を含む化合物としては、アデニン、グアニン、ヒポキサンチン、キサンチン、尿酸、テオフィリン等が挙げられる。
【0073】
防食剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液が防食剤を含有する場合、防食剤の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．０００１～０．２質量％（１～２０００ｐｐｍ）が好ましく、０．０００３～０．１質量％（３～１０００ｐｐｍ）がより好ましく、０．０００５～０．０５質量％（５～５００ｐｐｍ）がさらに好ましく、０．００１～０．０３質量％（１０～３００ｐｐｍ）が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液が防食剤を含有する場合、防食剤の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．０００１～０．２質量％（１～２０００ｐｐｍ）が好ましく、０．０００３～０．１質量％（３～１０００ｐｐｍ）がより好ましく、０．０００５～０．０５質量％（５～５００ｐｐｍ）がさらに好ましく、０．００１～０．０３質量％（１０～３００ｐｐｍ）が特に好ましい。
【0074】
本実施形態の洗浄液は、トリアゾール環を含む化合物、イミダゾール環を含む化合物、ピリジン環を含む化合物、フェナントロリン環を含む化合物、テトラゾール環を含む化合物、ピラゾール環を含む化合物、ピリミジン環を含む化合物、及びプリン環を含む化合物からなる群より選択される１種以上を含有しなくてもよく、防食剤の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、防食剤を含有しなくてもよい。
【0075】
≪緩衝剤：（Ｅ）≫
本実施形態の洗浄液は、緩衝剤を含有してもよい。緩衝剤は、溶液のｐＨの変化を抑制する作用を有する化合物である。
緩衝剤は、ｐＨ緩衝能を有する化合物であれば、特に限定されない。緩衝剤は、例えば、ｐＫａが６～１１の化合物を用いることができる。
緩衝剤としては、例えば、グッド緩衝剤が挙げられる。グッド緩衝剤としては、２－シクロヘキシルアミノエタンスルホン酸（ＣＨＥＳ）、３－シクロヘキシルアミノプロパンスルホン酸（ＣＡＰＳ）、Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチル－３－アミノプロパンスルホン酸（ＴＡＰＳ）、４－（シクロヘキシルアミノ）－１－ブタンスルホン酸（ＣＡＢＳ）、トリシン、ビシン、２－モルホリノエタンスルホン酸一水和物（ＭＥＳ）、ビス（２－ヒドロキシエチル）アミノトリス（ヒドロキシメチル）メタン（Ｂｉｓ－Ｔｒｉｓ）、Ｎ－（２－アセトアミド）イミノ二酢酸（ＡＤＡ）、ピペラジン－１，４－ビス（２－エタンスルホン酸）（ＰＩＰＥＳ）、Ｎ－（２－アセトアミド）－２－アミノエタンスルホン酸（ＡＣＥＳ）、２－ヒドロキシ－３－モルホリノプロパンスルホン酸（ＭＯＰＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－２－アミノエタンスルホン酸（ＢＥＳ）、３－モルホリノプロパンスルホン酸（ＭＯＰＳ）、Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチル－２－アミノエタンスルホン酸（ＴＥＳ）、２－［４－（２－ヒドロキシエチル）－１－ピペラジニル］エタンスルホン酸（ＨＥＰＥＳ）、３－［Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチルアミノ］－２－ヒドロキシプロパンスルホン酸（ＴＡＰＳＯ）、ピペラジン－１，４－ビス（２－ヒドロキシプロパンスルホン酸）（ＰＯＰＳＯ）、４－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン－１－（２－ヒドロキシプロパン－３－スルホン酸）（ＨＥＰＳＯ）、４－（２－ヒドロキシエチル）－１－ピペラジンプロパンスルホン酸（ＥＰＰＳ）等が挙げられる。
本実施形態の洗浄液は、緩衝剤を含有してもよい。緩衝剤は、溶液のｐＨの変化を抑制する作用を有する化合物である。
緩衝剤は、ｐＨ緩衝能を有する化合物であれば、特に限定されない。緩衝剤は、例えば、ｐＫａが６～１１の化合物を用いることができる。
緩衝剤としては、例えば、グッド緩衝剤が挙げられる。グッド緩衝剤としては、２－シクロヘキシルアミノエタンスルホン酸（ＣＨＥＳ）、３－シクロヘキシルアミノプロパンスルホン酸（ＣＡＰＳ）、Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチル－３－アミノプロパンスルホン酸（ＴＡＰＳ）、４－（シクロヘキシルアミノ）－１－ブタンスルホン酸（ＣＡＢＳ）、トリシン、ビシン、２－モルホリノエタンスルホン酸一水和物（ＭＥＳ）、ビス（２－ヒドロキシエチル）アミノトリス（ヒドロキシメチル）メタン（Ｂｉｓ－Ｔｒｉｓ）、Ｎ－（２－アセトアミド）イミノ二酢酸（ＡＤＡ）、ピペラジン－１，４－ビス（２－エタンスルホン酸）（ＰＩＰＥＳ）、Ｎ－（２－アセトアミド）－２－アミノエタンスルホン酸（ＡＣＥＳ）、２－ヒドロキシ－３－モルホリノプロパンスルホン酸（ＭＯＰＳＯ）、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－２－アミノエタンスルホン酸（ＢＥＳ）、３－モルホリノプロパンスルホン酸（ＭＯＰＳ）、Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチル－２－アミノエタンスルホン酸（ＴＥＳ）、２－［４－（２－ヒドロキシエチル）－１－ピペラジニル］エタンスルホン酸（ＨＥＰＥＳ）、３－［Ｎ－トリス（ヒドロキシメチル）メチルアミノ］－２－ヒドロキシプロパンスルホン酸（ＴＡＰＳＯ）、ピペラジン－１，４－ビス（２－ヒドロキシプロパンスルホン酸）（ＰＯＰＳＯ）、４－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン－１－（２－ヒドロキシプロパン－３－スルホン酸）（ＨＥＰＳＯ）、４－（２－ヒドロキシエチル）－１－ピペラジンプロパンスルホン酸（ＥＰＰＳ）等が挙げられる。
【0076】
緩衝剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液が緩衝剤を含有する場合、緩衝剤の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００５質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～１質量％がさらに好ましく、０．０５質量％～０．５質量％、又は０．０５質量％～０．３質量％が特に好ましい。
本実施形態の洗浄液が緩衝剤を含有する場合、緩衝剤の含有量は、特に限定されないが、洗浄液の全質量に対し、０．００１質量％～１０質量％が挙げられ、０．００５質量％～５質量％が好ましく、０．０１質量％～１質量％がさらに好ましく、０．０５質量％～０．５質量％、又は０．０５質量％～０．３質量％が特に好ましい。
【0077】
本実施形態の洗浄液は、緩衝剤を含有しなくてもよく、緩衝剤の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
【0078】
≪有機溶剤≫
本実施形態の洗浄液は、本発明の効果を損なわない範囲で、有機溶剤を含有ししてもよい。有機溶剤は、水溶性有機溶剤が好ましい。水溶性有機溶剤としては、アルコール類（例えば、イソプロパノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，３－プロパンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、フルフリルアルコール、及び２－メチルー２，４－ペンタンジオール等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル）等が挙げられる。
本実施形態の洗浄液は、本発明の効果を損なわない範囲で、有機溶剤を含有ししてもよい。有機溶剤は、水溶性有機溶剤が好ましい。水溶性有機溶剤としては、アルコール類（例えば、イソプロパノール、エタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、１，３－プロパンジオール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、フルフリルアルコール、及び２－メチルー２，４－ペンタンジオール等）、ジメチルスルホキシド、エーテル類（例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル）等が挙げられる。
【0079】
水溶性有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液が水溶性有機溶剤を含有する場合、水溶性有機溶剤の含有量は、水の量と水溶性有機溶剤の量との合計に対して５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
本実施形態の洗浄液は、有機溶剤又は水溶性有機溶剤を含有しなくてもよく、水溶性有機溶剤の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
本実施形態の洗浄液が水溶性有機溶剤を含有する場合、水溶性有機溶剤の含有量は、水の量と水溶性有機溶剤の量との合計に対して５０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
本実施形態の洗浄液は、有機溶剤又は水溶性有機溶剤を含有しなくてもよく、水溶性有機溶剤の具体例として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。
【0080】
≪界面活性剤≫
本実施形態の洗浄液は、基板に対する洗浄液の濡れ性の調整の目的等のために、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤が挙げられる。
本実施形態の洗浄液は、基板に対する洗浄液の濡れ性の調整の目的等のために、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤が挙げられる。
【0081】
ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリアルキレンオキサイドアルキルフェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル系界面活性剤、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドからなるブロックポリマー系界面活性剤、ポリオキシアルキレンジスチレン化フェニルエーテル系界面活性剤、ポリアルキレントリベンジルフェニルエーテル系界面活性剤、アセチレンポリアルキレンオキサイド系界面活性剤等が挙げられる。
【0082】
アニオン界面活性剤としては、例えば、アルキルスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸、脂肪酸アミドスルホン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルプロピオン酸、アルキルホスホン酸、脂肪酸の塩等が挙げられる。「塩」としてはアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、テトラメチルアンモニウム塩等が挙げられる。
【0083】
カチオン界面活性剤としては、例えば、アルキルピリジウム系界面活性剤等が挙げられる。第４級アンモニウム塩系界面活性剤は、上記（Ｂ２）成分として用いられてもよい。
【0084】
両性界面活性剤としては、例えば、ベタイン型界面活性剤、アミノ酸型界面活性剤、イミダゾリン型界面活性剤、アミンオキサイド型界面活性剤等が挙げられる。
【0085】
これらの界面活性剤は一般に商業的に入手可能である。界面活性剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本実施形態の洗浄液が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、例えば、洗浄液の全質量に対し、０．０００１～５質量％が好ましく、０．００１～３質量％がより好ましく、０．００２～１質量％がさらに好ましく、０．００２～０．２質量％が特に好ましい。界面活性剤の含有量が前記好ましい範囲であると、発泡剤により発生する気泡が緻密になりやすくなる。
本実施形態の洗浄液が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、例えば、洗浄液の全質量に対し、０．０００１～５質量％が好ましく、０．００１～３質量％がより好ましく、０．００２～１質量％がさらに好ましく、０．００２～０．２質量％が特に好ましい。界面活性剤の含有量が前記好ましい範囲であると、発泡剤により発生する気泡が緻密になりやすくなる。
【0086】
本実施形態の洗浄液は、ノニオン界面活性剤、アニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、及び両性界面活性剤からなる群より選択される１種以上を含有しなくてもよく、これらの界面活性剤として例示した前記化合物の１種以上を含有しなくてもよい。本実施形態の洗浄液は、界面活性剤を含有しなくてもよい。
【0087】
≪不純物等≫
本実施形態の洗浄液には、例えば、Ｆｅ原子、Ｃｒ原子、Ｎｉ原子、Ｚｎ原子、Ｃａ原子、又はＰｂ原子等の金属原子を含む金属不純物が含まれていてもよい。本実施形態の洗浄液における前記金属原子の合計含有量は、洗浄液の全質量に対し、好ましくは１００質量ｐｐｔ以下である。金属原子の合計含有量の下限値は、低いほど好ましいが、例えば、０．００１質量ｐｐｔ以上が挙げられる。金属原子の合計含有量は、例えば、０．００１質量ｐｐｔ～１００質量ｐｐｔが挙げられる。金属原子の合計含有量を前記好ましい上限値以下とすることで、洗浄液の欠陥抑制性や残渣抑制性が向上する。金属原子の合計含有量を前記好ましい下限値以上とすることで、金属原子が系中に遊離して存在しにくくなり、洗浄対象物全体の製造歩留まりに悪影響を与えにくくなると考えられる。
金属不純物の含有量は、例えば、フィルタリング等の精製処理により調整することができる。フィルタリング等の精製処理は、洗浄液を調製する前に、原料の一部又は全部に対して行ってもよく、洗浄液の調製後に行ってもよい。
本実施形態の洗浄液には、例えば、Ｆｅ原子、Ｃｒ原子、Ｎｉ原子、Ｚｎ原子、Ｃａ原子、又はＰｂ原子等の金属原子を含む金属不純物が含まれていてもよい。本実施形態の洗浄液における前記金属原子の合計含有量は、洗浄液の全質量に対し、好ましくは１００質量ｐｐｔ以下である。金属原子の合計含有量の下限値は、低いほど好ましいが、例えば、０．００１質量ｐｐｔ以上が挙げられる。金属原子の合計含有量は、例えば、０．００１質量ｐｐｔ～１００質量ｐｐｔが挙げられる。金属原子の合計含有量を前記好ましい上限値以下とすることで、洗浄液の欠陥抑制性や残渣抑制性が向上する。金属原子の合計含有量を前記好ましい下限値以上とすることで、金属原子が系中に遊離して存在しにくくなり、洗浄対象物全体の製造歩留まりに悪影響を与えにくくなると考えられる。
金属不純物の含有量は、例えば、フィルタリング等の精製処理により調整することができる。フィルタリング等の精製処理は、洗浄液を調製する前に、原料の一部又は全部に対して行ってもよく、洗浄液の調製後に行ってもよい。
【0088】
本実施形態の洗浄液には、例えば、有機物由来の不純物（有機不純物）が含まれていてもよい。本実施形態の洗浄液における前記有機不純物の合計含有量は、好ましくは、５０００質量ｐｐｍ以下である。有機不純物の含有量の下限は、低いほど好ましいが、例えば０．１質量ｐｐｍ以上が挙げられる。有機不純物の合計含有量としては、例えば、０．１質量ｐｐｍ～５０００質量ｐｐｍが挙げられる。
【0089】
本実施形態の洗浄液には、例えば、光散乱式液中粒子計数器によって計数されるようなサイズの被計数体が含まれていてもよい。被計数体のサイズは、例えば、０．０４μｍ以上である。本実施形態の洗浄液における被計数体の数は、例えば、洗浄液１ｍＬあたり１，０００個以下であり、下限値は例えば１個以上である。洗浄液中の被計数体の数が前記範囲内であることにより、洗浄液による金属腐食抑制効果が向上すると考えられる。
【0090】
前記有機不純物及び／又は被計数体は、洗浄液に添加されてもよく、洗浄液の製造工程において不可避的に洗浄液に混入されるものであってもよい。洗浄液の製造工程において不可避的に混入される場合としては、例えば、有機不純物が、洗浄液の製造に用いる原料（例えば、有機溶剤）に含まれる場合、及び、洗浄液の製造工程で外部環境から混入する（例えば、コンタミネーション）場合等が挙げられるが、上記に制限されない。
被計数体を洗浄液に添加する場合、洗浄対象物の表面粗さ等を考慮して特定のサイズごとに存在比を調整してもよい。
被計数体を洗浄液に添加する場合、洗浄対象物の表面粗さ等を考慮して特定のサイズごとに存在比を調整してもよい。
【0091】
＜ｐＨ＞
本実施形態の洗浄液のｐＨは、８以上１３以下が好ましい。洗浄液のｐＨは、ｐＨ９以上が好ましく、ｐＨ１０以上がより好ましく、ｐＨ１１以上がさらに好ましい。洗浄液のｐＨは、ｐＨ１４以下が好ましく、ｐＨ１３．５以下がさらに好ましい。洗浄液のｐＨの範囲としては、ｐＨ８～ｐＨ１３．５が好ましく、ｐＨ９～１３．０がより好ましい。
前記ｐＨの値は、常温（２３℃）、常圧（１気圧）の条件下において、ｐＨメーターにより測定される値である。
本実施形態の洗浄液のｐＨは、８以上１３以下が好ましい。洗浄液のｐＨは、ｐＨ９以上が好ましく、ｐＨ１０以上がより好ましく、ｐＨ１１以上がさらに好ましい。洗浄液のｐＨは、ｐＨ１４以下が好ましく、ｐＨ１３．５以下がさらに好ましい。洗浄液のｐＨの範囲としては、ｐＨ８～ｐＨ１３．５が好ましく、ｐＨ９～１３．０がより好ましい。
前記ｐＨの値は、常温（２３℃）、常圧（１気圧）の条件下において、ｐＨメーターにより測定される値である。
【0092】
＜保存容器＞
本実施形態の洗浄液の保存方法は、特に限定されず、保存容器も従来公知のものを使用できる。洗浄液の安定性が確保されるように、容器に保存する際の容器内の空隙率、及び／又は空隙部分を充填するガス種は適宜設定すればよい。例えば、保管容器内の空隙率としては、０．０１～３０体積％程度が挙げられる。
本実施形態の洗浄液の保存方法は、特に限定されず、保存容器も従来公知のものを使用できる。洗浄液の安定性が確保されるように、容器に保存する際の容器内の空隙率、及び／又は空隙部分を充填するガス種は適宜設定すればよい。例えば、保管容器内の空隙率としては、０．０１～３０体積％程度が挙げられる。
【0093】
本実施形態の洗浄液は、使用時に、洗浄液を２～２０００倍に希釈して希釈液を得た後、前記希釈液を用いて洗浄工程を実施してもよい。
【0094】
一実施形態において、洗浄液は、ヒドラジド化合物、エチレンオキサイド含化合物、プロピレンオキサイド含化合物、アルキレンオキサイド含化合物、フッ素化合物、糖類、糖アルコール類、カテコール類、無機アルカリ化合物、アルコール、グリセリン、グリセリン誘導体、アスコルビン酸、カルボヒドラジド、ヒドロキノン、ヒドロキノンモノメチルエーテル、ヒドロキシアミン、ジエチルヒドロキシアミン、ジメチルグリオキシム、メチルエチルケトオキシム、亜硫酸アンモニウム、カルボン酸類、ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、前記化合物のアンモニウム塩、アルカリ金属塩、飽和脂肪族１価アルコール、アルコキシアルコール、グリコール、グリコールエーテル、ケトン、ニトリル、アミノポリカルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、プリン、アゾール、ピリミジン、チアゾール、チアゾリノン、ポリフェノール、バルビツール酸誘導体、研磨剤、及びシッフ塩基からなる群より選択される１種以上を含有しなくてもよい。
【0095】
＜基板＞
本実施形態の洗浄液が適用される基板は、ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子（以下、「非ルテニウム金属」ともいう）を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
本実施形態の洗浄液が適用される基板は、ルテニウムを含有する第１の金属原子含有層とルテニウム以外の金属原子（以下、「非ルテニウム金属」ともいう）を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
【0096】
第１の金属原子含有層は、ルテニウム原子を含有する。第１の金属原子含有層が含有するルテニウム原子は、ルテニウムの単体でもよく、ルテニウムの合金でもよく、ルテニウム化合物でもよい。ルテニウム化合物としては、例えば、ルテニウムの酸化物、ルテニウムの窒化物、ルテニウムの酸窒化物等が挙げられる。第１の金属原子含有層におけるルテニウムの含有量は、第１の金属原子含有層を形成する組成物の全質量に対して、２０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、４０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。第１の金属原子含有層は、公知の方法で形成することができ、例えば、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＶＤ等を用いることができる。
【0097】
第２の金属原子含有層は、非ルテニウム金属を含有する。第２の金属原子含有層が含有する非ルテニウム金属は、非ルテニウム金属の単体でもよく、非ルテニウム金属の合金でもよく、非ルテニウム金属化合物でもよい。非ルテニウム金属化合物としては、例えば、非ルテニウム金属の酸化物、非ルテニウム金属の窒化物、非ルテニウム金属の酸窒化物等が挙げられる。第２金属含有層は、第２の金属原子含有層が含有する金属原子としては、例えば、卑金属の金属原子が挙げられる。本明細書において、卑金属とは、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、鉛、亜鉛、スズ、タングステン、モリブデン、タンタル、マグネシウム、コバルト、ビスマス、カドミウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン、マンガン、ベリリウム、クロム、ゲルマニウム、バナジウム、ガリウム、ハフニウム、インジウム、ニオブ、レニウム、及びタリウムを意味する。第２の金属原子含有層が含有する非ルテニウム金属としては、卑金属の単体、卑金属の合金、卑金属の酸化物、卑金属の窒化物、卑金属の酸窒化物が挙げられる。
第２の金属原子含有層の形成材料の具体例としては、銅、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）が挙げられる。第２の金属原子含有層は、公知の方法で形成することができ、例えば、メッキ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＶＤ等を用いることができる。
第２の金属原子含有層の形成材料の具体例としては、銅、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）が挙げられる。第２の金属原子含有層は、公知の方法で形成することができ、例えば、メッキ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＶＤ等を用いることができる。
【0098】
基板において、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方は、表面に露出している。第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層のいずれか一方のみが露出していてもよく、両方が露出してもよい。
基板において、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、接触して存在している。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、少なくとも一部が接触していればよい。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、少なくとも一方の金属原子含有層が露出している部分で接触していることが好ましい。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、隣接して存在していることが好ましい。
基板において、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、接触して存在している。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、少なくとも一部が接触していればよい。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、少なくとも一方の金属原子含有層が露出している部分で接触していることが好ましい。第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とは、隣接して存在していることが好ましい。
【0099】
図１Ａに、本実施形態の洗浄液が適用される基板の一例を示す。図１Ａに示す基板１は、例えば、配線層のＣＭＰ後の基板である。基板１では、Ｌｏｗ－ｋ層３０に、配線層２０が形成されている。配線層２０の下層には、配線層２０に隣接してライナー層１０が形成されている。図１Ｂに示すように、ライナー層１０の下層に、ライナー層１０に隣接してバリア層１１が形成されていてもよい。
【0100】
基板１において、第１の金属原子含有層は、ライナー層１０であってもよく、配線層２０であってもよい。第１の金属原子含有層がライナー層１０である場合、第２の金属原子含有層が配線層２０となる。第１の金属原子含有層が配線層２０である場合、第２の金属原子含有層がライナー層１０となる。
第１の金属原子含有層がライナー層１０である場合、第２の金属原子含有層は銅を含むことが好ましい。例えば、第１の金属原子含有層は、ルテニウム含有ライナー層１０であり、第２の金属原子含有層は、銅含有配線層２０である。バリア層１１を有する場合、バリア層１１は、ＴｉＮ又はＴａＮを含有してもよい。第１の金属含有層は、バリア層１１であってもよい。この場合、ライナー層１０は省略されてもよい。例えば、第１の金属含有層はルテニウム含有バリア層であってもよい。
第１の金属原子含有層が配線層２０である場合、第２の金属原子含有層はＴｉＮ又はＴａＮを含むことが好ましい。例えば、第１の金属原子含有層は、ルテニウムを形成材料とする配線層２０であり、第２の金属原子含有層は、ＴｉＮ又はＴａＮを形成材料とするライナー層１０である。
第１の金属原子含有層がライナー層１０である場合、第２の金属原子含有層は銅を含むことが好ましい。例えば、第１の金属原子含有層は、ルテニウム含有ライナー層１０であり、第２の金属原子含有層は、銅含有配線層２０である。バリア層１１を有する場合、バリア層１１は、ＴｉＮ又はＴａＮを含有してもよい。第１の金属含有層は、バリア層１１であってもよい。この場合、ライナー層１０は省略されてもよい。例えば、第１の金属含有層はルテニウム含有バリア層であってもよい。
第１の金属原子含有層が配線層２０である場合、第２の金属原子含有層はＴｉＮ又はＴａＮを含むことが好ましい。例えば、第１の金属原子含有層は、ルテニウムを形成材料とする配線層２０であり、第２の金属原子含有層は、ＴｉＮ又はＴａＮを形成材料とするライナー層１０である。
【0101】
基板１では、ルテニウムを含む第１の金属原子含有層と、非ルテニウム金属を含む第２の金属含有層とが、隣接して表面に露出している。基板１を洗浄液で洗浄すると、洗浄液との接触により、金属に腐食電位が生じる。第１の金属原子含有層に含まれるルテニウムは、従来の洗浄液では腐食電位が高くなり、第２の金属原子含有層に含まれる非ルテニウム金属との間の腐食電位差が大きくなる。これにより、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層との境界面においてガルバニック腐食が発生する。
ガルバニック腐食とは、電解液のような腐食環境下で異なる金属が接触し電子伝導したときに、片方の金属の腐食が促進される現象である。ガルバニック腐食は、２種の金属と環境との間で腐食電池が形成されることで生じる。
ガルバニック腐食とは、電解液のような腐食環境下で異なる金属が接触し電子伝導したときに、片方の金属の腐食が促進される現象である。ガルバニック腐食は、２種の金属と環境との間で腐食電池が形成されることで生じる。
【0102】
一方、本実施形態の洗浄液では、ルテニウムの腐食電位が高くなりすぎず、非ルテニウム金属との腐食電位差が低減される。そのため、基板１のように、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とが隣接して存在する基板を洗浄しても、ガルバニック腐食の発生が抑制される。
【0103】
図２Ａ及び図２Ｂは、本実施形態の洗浄液が適用される基板の別の例である。図２に示す基板１００は、例えば、デュアルダマシンプロセスにより、配線層１２０に接続するビア１４０及びトレンチ１５０が形成された後の基板である。ビア１４０を形成するＬｏｗ－ｋ層１３０の下層（配線層１２０と隣接するライナー層１１０の上層）にはエッチストップ層が含まれていてもよい（図示せず）。基板１００では、Ｌｏｗ－ｋ層１３０に、配線層１２０が形成されている。配線層１２０の下層には、配線層１２０に隣接してライナー層１１０が形成されている。ライナー層１１０の下層には、ライナー層１１０に隣接してバリア層が形成されていてもよい。デュアルダマシンとは、ビアと溝（トレンチ）とを形成しておき、成膜によりビアと溝とに同時に金属の埋め込みを行い、次いで研磨により余分な体積部分を除去することで、ビアと溝との埋め込みを同時に行う方法である。
【0104】
基板１００において、第１の金属原子含有層は、ライナー層１１０であってもよく、配線層１２０であってもよい。第１の金属原子含有層がライナー層１１０である場合、第２の金属原子含有層が配線層１２０となる。第１の金属原子含有層が配線層１２０である場合、第２の金属原子含有層がライナー層１１０となる。ライナー層１１０及び配線層１２０の形成材料としては、前記図１Ａの基板１と同様のものが挙げられる。基板１００がバリア層を有する場合、ライナー層１１０は省略されてもよい。バリア層の形成材料としては、図１Ｂの基板１’と同様のものが挙げられる。
【0105】
基板１００では、ビア１４０は、配線層１２０上に形成されており、配線層１２０は露出しているが、ライナー層１１０は露出していない。
しかし、ビア形成の過程においてビアのアライメントずれが生じ、図２Ｂに示す基板１００’のように、ライナー層１１０が露出する場合がある。基板１００’のようにライナー層１１０と配線層１２０とが露出している場合、従来の洗浄液で洗浄すると、第１の金属原子層に含まれるルテニウムと、第２の金属原子層に含まれる非ルテニウム金属との腐食電位差により、ライナー層１１０と配線層１２０との境界面でガルバニック腐食が発生する。一方、本実施形態の洗浄液では、ルテニウムと非ルテニウム金属との腐食電位差が低減されるため、ガルバニック腐食の発生が抑制される。
ビア形成後の洗浄では、ビアのアライメントずれにより、配線層１２０とともにライナー層１１０が露出している可能性がある。本実施形態の洗浄液を用いることにより、ビアノアライメントずれが生じていたとしても、ガルバニック腐食の発生を抑制することができる。
しかし、ビア形成の過程においてビアのアライメントずれが生じ、図２Ｂに示す基板１００’のように、ライナー層１１０が露出する場合がある。基板１００’のようにライナー層１１０と配線層１２０とが露出している場合、従来の洗浄液で洗浄すると、第１の金属原子層に含まれるルテニウムと、第２の金属原子層に含まれる非ルテニウム金属との腐食電位差により、ライナー層１１０と配線層１２０との境界面でガルバニック腐食が発生する。一方、本実施形態の洗浄液では、ルテニウムと非ルテニウム金属との腐食電位差が低減されるため、ガルバニック腐食の発生が抑制される。
ビア形成後の洗浄では、ビアのアライメントずれにより、配線層１２０とともにライナー層１１０が露出している可能性がある。本実施形態の洗浄液を用いることにより、ビアノアライメントずれが生じていたとしても、ガルバニック腐食の発生を抑制することができる。
【0106】
ＣＭＰ後又はビア形成後の基板では、これらの処理により発生した金属削り屑等の不純物が基板に付着している。そのような金属削り屑には、金属、金属酸化物が含まれている。例えば、基板が銅配線層を含む場合、不純物は、銅酸化物（ＣｕＯｘ）を含む。本実施形態の洗浄液を用いることにより、これらの不純物を基板表面から効率よく除去することができる。
【0107】
本実施形態の洗浄液によれば、ヒドラジン化合物（Ａ）と、塩基性化合物（Ｂ）とを含有することにより、ルテニウムと非ルテニウム金属が接触して存在する基板の洗浄においても、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層に由来する金属及び／又は金属酸化物等の残渣（ドライエッチングやＣＭＰ等の工程で生じる残渣）を効率よく除去することができる。本実施形態の洗浄液では、ヒドラジン化合物（Ａ）により、ルテニウムの腐食電位の上昇が抑制され、非ルテニウム金属との腐食電位差が低減される。これにより、ガルバニック腐食の発生が抑制されると考えられる。また、（Ｂ）成分を含有することで、洗浄液のｐＨが適切に維持され、上記の残渣（特に金属酸化物残渣）に対する洗浄性が良好になると考えられる。
【0108】
（第２の態様：洗浄液）
本発明の第２の態様にかかる洗浄液は、前記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。
本態様にかかる洗浄液は、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するために用いられる。
本発明の第２の態様にかかる洗浄液は、前記一般式（ａ１）で表される化合物、前記化合物の水和物、及び前記化合物の塩からなる群より選択される少なくとも１種のヒドラジン化合物（Ａ）と、前記ヒドラジン化合物（Ａ）以外のアミン、及び第４級水酸化物からなる群より選択される少なくとも１種の塩基性化合物（Ｂ）と、を含む。
本態様にかかる洗浄液は、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板であって、前記第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が表面に露出した基板を洗浄するために用いられる。
【0109】
本実施形態の洗浄液の組成は、第１の態様の洗浄液と同様である。
【0110】
＜基板＞
本実施形態の洗浄液が適用される基板は、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
本実施形態の洗浄液が適用される基板は、貴金属原子を含有する第１の金属原子含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び前記第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
【0111】
第１の金属原子含有層は、貴金属原子を含有する。本明細書において、貴金属とは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、及びレニウム（Ｒｅ）を意味する。第１の金属原子含有層が含有する貴金属原子は、貴金属の単体でもよく、貴金属の合金でもよく、貴金属化合物でもよい。貴金属化合物としては、例えば、貴金属の酸化物、貴金属の窒化物、貴金属の酸窒化物等が挙げられる。第１の金属原子含有層における貴金属の含有量は、第１の金属原子含有層を形成する組成物の全質量に対して、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％であってもよい。第１の金属原子含有層は、公知の方法で形成することができ、例えば、ＣＶＤ、ＡＬＤ，ＰＶＤ等を用いることができる。
【0112】
第２の金属原子含有層は、卑金属原子を含有する。第２の金属原子含有層が含有する卑金属原子は、卑金属の単体でもよく、卑金属の合金でもよく卑金属化合物でもよい。卑金属化合物としては、例えば、卑金属の酸化物、卑金属の窒化物、卑金属の酸窒化物等が挙げられる。
【0113】
本実施形態の洗浄液が適用される基板は、第１の金属原子含有層が貴金属原子を含有し、第２の金属原子含有層が卑金属原子を含有すること以外は、上記第１態様の洗浄液の説明で例示した基板と同様である。
【0114】
第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層とが接触して存在する場合、従来の洗浄液で基板を洗浄すると、貴金属の腐食電位が高くなり、卑金属との腐食電位差が大きくなる。これにより、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層との境界面においてガルバニック腐食が発生する。
一方、本実施形態の洗浄液では、貴金属の腐食電位が高くなりすぎず、卑金属との腐食電位差が低減される。そのため、基板１のように、金属原子含有層と第２の金属原子含有層とが隣接して存在する基板を洗浄しても、ガルバニック腐食の発生が抑制される。
一方、本実施形態の洗浄液では、貴金属の腐食電位が高くなりすぎず、卑金属との腐食電位差が低減される。そのため、基板１のように、金属原子含有層と第２の金属原子含有層とが隣接して存在する基板を洗浄しても、ガルバニック腐食の発生が抑制される。
【0115】
本実施形態の洗浄液によれば、ヒドラジン化合物（Ａ）と、塩基性化合物（Ｂ）とを含有することにより、貴金属と卑金属とが接触して存在する基板の洗浄においても、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、第１の金属原子含有層と第２の金属原子含有層に由来する金属及び／又は金属酸化物等の残渣（ドライエッチングやＣＭＰ等の工程で生じる残渣）を効率よく除去することができる。本実施形態の洗浄液では、ヒドラジン化合物（Ａ）により、貴金属の腐食電位の上昇が抑制され、卑金属との腐食電位差が低減される。これにより、ガルバニック腐食の発生が抑制されると考えられる。また、（Ｂ）成分を含有することで、洗浄液のｐＨが適切に維持され、上記の残渣（特に金属酸化物残渣）に対する洗浄性が良好になると考えられる。
【0116】
（基板の洗浄方法：第３態様）
第３の態様にかかる基板の洗浄方法は、前記第１の態様にかかる洗浄液を用いて、基板を洗浄する工程を含む。前記基板は、ルテニウム原子を含有する第１の金属含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
第３の態様にかかる基板の洗浄方法は、前記第１の態様にかかる洗浄液を用いて、基板を洗浄する工程を含む。前記基板は、ルテニウム原子を含有する第１の金属含有層とルテニウム以外の金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
【0117】
＜基板を洗浄する工程：洗浄工程＞
本工程は、第１の態様にかかる処理液を用いて基板を洗浄する工程である。本工程は、洗浄液を基板に接触させる操作を含む。洗浄方法の方法は、特に限定されず、公知の洗浄方法を用いることができる。かかる方法としては、例えば、一定速度で回転している基板上に洗浄液を吐出し続ける方法（枚葉洗浄法）、洗浄液中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に洗浄液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。
本工程は、第１の態様にかかる処理液を用いて基板を洗浄する工程である。本工程は、洗浄液を基板に接触させる操作を含む。洗浄方法の方法は、特に限定されず、公知の洗浄方法を用いることができる。かかる方法としては、例えば、一定速度で回転している基板上に洗浄液を吐出し続ける方法（枚葉洗浄法）、洗浄液中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に洗浄液を噴霧する方法（スプレー法）等が挙げられる。
【0118】
洗浄処理を行う温度は、特に限定されない。洗浄処理の温度としては、例えば、１５～６０℃が挙げられる。処理液の温度を高くすることで、洗浄性能は向上するが、洗浄液の組成変化を小さく抑えること、及び作業性、安全性、コスト等を考慮し、適宜、洗浄液の温度を選択することができる。
【0119】
洗浄時間は、基板表面の不純物、残渣等の除去に十分な時間を適宜選択することができる。洗浄時間としては、例えば、１０秒～３０分、１０秒～１５分、１０秒～１０秒、又は１０秒～５分が挙げられる。
【0120】
第１の態様にかかる洗浄液は、使用時に、２～２０００倍に希釈して希釈液を得てもよい。本工程において、前記希釈液を使用して基板を洗浄してもよい。
【0121】
＜基板＞
洗浄対象の基板は、第１の態様にかかる洗浄液の適用対象として説明したものと同様のものが挙げられる。基板は、配線層のＣＭＰ後の基板（例えば、図１）であってもよい。基板は、デュアルダマシンプロセスにより、配線層に接続するビアが形成された後の基板（例えば、図２Ａ，図２Ｂ）であってもよい。
洗浄対象の基板は、第１の態様にかかる洗浄液の適用対象として説明したものと同様のものが挙げられる。基板は、配線層のＣＭＰ後の基板（例えば、図１）であってもよい。基板は、デュアルダマシンプロセスにより、配線層に接続するビアが形成された後の基板（例えば、図２Ａ，図２Ｂ）であってもよい。
【0122】
＜任意工程＞
本実施形態の方法は、上記洗浄工程に加えて、任意工程を含んでもよい。任意工程としては、例えば、ＣＭＰ工程、ビア形成工程、コンタクト形成工程等が挙げられる。
本実施形態の方法は、上記洗浄工程に加えて、任意工程を含んでもよい。任意工程としては、例えば、ＣＭＰ工程、ビア形成工程、コンタクト形成工程等が挙げられる。
【0123】
（ＣＭＰ工程）
本実施形態の方法は、前記洗浄工程の前に、ＣＭＰ工程を含んでもよい。ＣＭＰ工程は、基板にＣＭＰ処理を施す工程である。ＣＭＰ工程を行うことにより、基板の表面が平坦化される。ＣＭＰ工程は、基板上に、ライナー層及び配線層を成膜したのち、配線層を平坦化するために行うことができる。
例えば、基板にＬｏｗ－ｋ層を成膜し、Ｌｏｗ－ｋ層にトレンチとビアを形成する。次いで、ライナー層を成膜し、次いで、配線層を成膜する。次いで、ＣＭＰにより、基板表面を平坦化する。ＣＭＰ後の基板には、第１及び／又は第２の金属原子含有層に由来する金属の酸化物等を含む削り屑が付着しているが、前記洗浄工程を行うことにより、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、削り屑を除去することができる。
本実施形態の方法は、前記洗浄工程の前に、ＣＭＰ工程を含んでもよい。ＣＭＰ工程は、基板にＣＭＰ処理を施す工程である。ＣＭＰ工程を行うことにより、基板の表面が平坦化される。ＣＭＰ工程は、基板上に、ライナー層及び配線層を成膜したのち、配線層を平坦化するために行うことができる。
例えば、基板にＬｏｗ－ｋ層を成膜し、Ｌｏｗ－ｋ層にトレンチとビアを形成する。次いで、ライナー層を成膜し、次いで、配線層を成膜する。次いで、ＣＭＰにより、基板表面を平坦化する。ＣＭＰ後の基板には、第１及び／又は第２の金属原子含有層に由来する金属の酸化物等を含む削り屑が付着しているが、前記洗浄工程を行うことにより、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、削り屑を除去することができる。
【0124】
（ビア形成工程）
本実施形態の方法は、前記洗浄工程の前に、ビア形成工程を含んでもよい。ビアは、例えば、配線層に接続するように形成することができる。ビアの形成は、デュアルダマシンプロセスにおいて行ってもよい。
例えば、ライナー層及び配線層が形成された基板に対し、Ｌｏｗ－ｋ層を成膜する。Ｌｏｗ－ｋ層の下層には、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯ又はＡｌ２Ｏ３等を含むエッチストップ層が形成されていてもよい。次いで、Ｌｏｗ－ｋ層に配線層に接続するビアを形成する。ビアは、例えば、ドライエッチング又はウェットエッチング等により形成することができる。ビア形成後の基板には、第１及び／又は第２の金属原子含有層に由来する金属の酸化物等、エッチストップ層又はＬｏｗ－ｋ層由来のエッチング残渣等が付着しているが、前記洗浄工程を行うことにより、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、削り屑（残渣）を除去することができる。
ビア形成工程では、ビアと共にトレンチを形成してもよい。前記洗浄工程は、デュアルダマシンプロセスにおいて、ビア及びトレンチが形成された後の基板に対して行ってもよい。
本実施形態の方法は、前記洗浄工程の前に、ビア形成工程を含んでもよい。ビアは、例えば、配線層に接続するように形成することができる。ビアの形成は、デュアルダマシンプロセスにおいて行ってもよい。
例えば、ライナー層及び配線層が形成された基板に対し、Ｌｏｗ－ｋ層を成膜する。Ｌｏｗ－ｋ層の下層には、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯ又はＡｌ２Ｏ３等を含むエッチストップ層が形成されていてもよい。次いで、Ｌｏｗ－ｋ層に配線層に接続するビアを形成する。ビアは、例えば、ドライエッチング又はウェットエッチング等により形成することができる。ビア形成後の基板には、第１及び／又は第２の金属原子含有層に由来する金属の酸化物等、エッチストップ層又はＬｏｗ－ｋ層由来のエッチング残渣等が付着しているが、前記洗浄工程を行うことにより、ガルバニック腐食の発生を抑制しつつ、削り屑（残渣）を除去することができる。
ビア形成工程では、ビアと共にトレンチを形成してもよい。前記洗浄工程は、デュアルダマシンプロセスにおいて、ビア及びトレンチが形成された後の基板に対して行ってもよい。
【0125】
本実施形態の方法によれば、前記第１の態様にかかる洗浄液を用いて基板を洗浄するため、ルテニウムと非ルテニウム金属が隣接して存在する場合であっても、両金属間の腐食電位差を低減し、ガルバニック腐食の発生を抑制し、良好な洗浄性を保持することができる。
【0126】
（基板の洗浄方法：第４態様）
第４の態様にかかる基板の洗浄方法は、前記第２の態様にかかる洗浄液を用いて、基板を洗浄する工程を含む。前記基板は、貴金属原子を含有する第１の金属含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
第４の態様にかかる基板の洗浄方法は、前記第２の態様にかかる洗浄液を用いて、基板を洗浄する工程を含む。前記基板は、貴金属原子を含有する第１の金属含有層と卑金属原子を含有する第２の金属原子含有層とが接触して存在する基板である。前記基板では、第１の金属原子含有層及び第２の金属原子含有層の少なくとも一方が、表面に露出している。
【0127】
＜基板を洗浄する工程＞
本工程は、第２の態様にかかる処理液を用いて基板を洗浄する工程である。本工程は、前記第３の態様にかかる基板の洗浄方法と同様に行うことができる。
本工程は、第２の態様にかかる処理液を用いて基板を洗浄する工程である。本工程は、前記第３の態様にかかる基板の洗浄方法と同様に行うことができる。
【0128】
＜任意工程＞
本実施形態の方法は、上記洗浄工程に加えて、任意工程を含んでもよい。任意工程としては、例えば、ＣＭＰ工程、ビア形成工程、コンタクト形成工程等が挙げられる。これらの方法は、前記第３態様にかかる基板の洗浄方法において説明した方法と同様に行うことができる。
本実施形態の方法は、上記洗浄工程に加えて、任意工程を含んでもよい。任意工程としては、例えば、ＣＭＰ工程、ビア形成工程、コンタクト形成工程等が挙げられる。これらの方法は、前記第３態様にかかる基板の洗浄方法において説明した方法と同様に行うことができる。
【0129】
＜基板＞
洗浄対象の基板は、第２の態様にかかる洗浄液の適用対象として説明したものと同様のものが挙げられる。基板は、配線層のＣＭＰ後の基板（例えば、図１）であってもよい。基板は、デュアルダマシンプロセスにより、配線層に接続するビアが形成された後の基板（例えば、図２Ａ，図２Ｂ）であってもよい。
洗浄対象の基板は、第２の態様にかかる洗浄液の適用対象として説明したものと同様のものが挙げられる。基板は、配線層のＣＭＰ後の基板（例えば、図１）であってもよい。基板は、デュアルダマシンプロセスにより、配線層に接続するビアが形成された後の基板（例えば、図２Ａ，図２Ｂ）であってもよい。
【0130】
本実施形態の方法によれば、前記第２の態様にかかる洗浄液を用いて基板を洗浄するため、貴金属と卑金属が隣接して存在する場合であっても、両金属間の腐食電位差を低減し、ガルバニック腐食の発生を抑制し、良好な洗浄性を保持することができる。
【実施例0131】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【0132】
＜洗浄液の調製＞
（実施例１～２４、比較例１～５）
表１～３に示す各成分を水に溶解し、各例の洗浄液を調製した。
（実施例１～２４、比較例１～５）
表１～３に示す各成分を水に溶解し、各例の洗浄液を調製した。
【0133】
【表1】
【0134】
【表2】
【0135】
【表3】
【0136】
表１～３中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［ ］内の数値は洗浄液の全質量に対する質量％を示す。
＜ヒドラジン化合物（Ａ）＞
（Ａ）－１：２－ヒドラジノエタノール。
（Ａ）－２：ヒドラジン一水和物。
（Ａ）－３：ｔ－ブチルヒドラジン塩酸塩。
＜ヒドラジン化合物（Ａ）＞
（Ａ）－１：２－ヒドラジノエタノール。
（Ａ）－２：ヒドラジン一水和物。
（Ａ）－３：ｔ－ブチルヒドラジン塩酸塩。
【0137】
【化5】
【0138】
＜第４級水酸化物（Ｂ１）＞
（Ｂ１）－１：テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）。
（Ｂ１）－２：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）。
（Ｂ１）－３：トリス(2-ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）。
（Ｂ１）－４：コリン。
（Ｂ１）－５：テトラブチルホスホニウムヒドロキシド。
（Ｂ１）－１：テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）。
（Ｂ１）－２：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）。
（Ｂ１）－３：トリス(2-ヒドロキシエチル)メチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＨＥＭＡＨ）。
（Ｂ１）－４：コリン。
（Ｂ１）－５：テトラブチルホスホニウムヒドロキシド。
【0139】
【化6】
【0140】
＜アミン（Ｂ２）＞
（Ｂ２）－１：トリエタノールアミン。
（Ｂ２）－２：ジエタノールアミン。
（Ｂ２）－３：ブチルアミン。
（Ｂ２）－４：トリエチルアミン。
（Ｂ２）－１：トリエタノールアミン。
（Ｂ２）－２：ジエタノールアミン。
（Ｂ２）－３：ブチルアミン。
（Ｂ２）－４：トリエチルアミン。
【0141】
【化7】
【0142】
＜ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）＞
（Ｃ）－１：クエン酸。
（Ｃ）－２：グルコン酸。
（Ｃ）－１：クエン酸。
（Ｃ）－２：グルコン酸。
【0143】
【化8】
【0144】
＜防食剤（Ｄ）＞
（Ｄ）－１：トリアゾール。
（Ｄ）－２：ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）。
（Ｄ）－３：アデニン。
（Ｄ）－４：３－アミノ－１，２，４－トリアゾール。
（Ｄ）－１：トリアゾール。
（Ｄ）－２：ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）。
（Ｄ）－３：アデニン。
（Ｄ）－４：３－アミノ－１，２，４－トリアゾール。
【0145】
【化9】
【0146】
＜緩衝剤（Ｅ）＞
（Ｅ）－１：ビシン。
（Ｅ）－２：２－シクロヘキシルアミノエタンスルホン酸（ＣＨＥＳ）。
（Ｅ）－３：トリシン。
（Ｅ）－１：ビシン。
（Ｅ）－２：２－シクロヘキシルアミノエタンスルホン酸（ＣＨＥＳ）。
（Ｅ）－３：トリシン。
【0147】
【化10】
【0148】
［腐食電位（ΔＥｃｏｒｒ）の評価］
基板には、１２インチシリコン基板上にＰＶＤ法によるルテニウム膜（６０ｎｍ）又は８インチシリコン基板上にＰＶＤ法により銅膜（３０ｎｍ）を成膜した基板を用いた。ポテンショスタット（ＧＡＭＲＹ社製のＲ６００＋）を用いて、各例の洗浄液中での基板のＴａｆｅｌ ｐｌｏｔを測定し、腐食電位（Ｅｃｏｒｒ）を求めた。ポテンショスタットの電極には、参照電極（Ａｇ／ＡｇＣｌ）、対電極（Ｐｔ）、作用電極（基板）を使用した。下記式により、腐食電位差（ΔＥｃｏｒｒ）を算出した。
ΔＥｃｏｒｒ＝（銅基板のＥｃｏｒｒ）－（ルテニウム基板のＥｃｏｒｒ）
基板には、１２インチシリコン基板上にＰＶＤ法によるルテニウム膜（６０ｎｍ）又は８インチシリコン基板上にＰＶＤ法により銅膜（３０ｎｍ）を成膜した基板を用いた。ポテンショスタット（ＧＡＭＲＹ社製のＲ６００＋）を用いて、各例の洗浄液中での基板のＴａｆｅｌ ｐｌｏｔを測定し、腐食電位（Ｅｃｏｒｒ）を求めた。ポテンショスタットの電極には、参照電極（Ａｇ／ＡｇＣｌ）、対電極（Ｐｔ）、作用電極（基板）を使用した。下記式により、腐食電位差（ΔＥｃｏｒｒ）を算出した。
ΔＥｃｏｒｒ＝（銅基板のＥｃｏｒｒ）－（ルテニウム基板のＥｃｏｒｒ）
【0149】
以下の評価基準で評価し、その結果を「腐食電位差（ΔＥｃｏｒｒ）」として、表４～６に示した。
評価基準：
Ａ：－１００～１００ｍＶ
Ｂ：１００ｍＶ超
Ｃ：－１００ｍＶ未満
評価基準：
Ａ：－１００～１００ｍＶ
Ｂ：１００ｍＶ超
Ｃ：－１００ｍＶ未満
【0150】
［洗浄性の評価］
洗浄性は、ＣｕＯｘのエッチングレートとして評価した。基板には、８インチシリコン基板上にＰＶＤ法により銅膜（３０ｎｍ）を成膜した基板を用いた。基板を５質量％の過酸化水素水に浸漬し、室温で、１０分間撹拌した。この処理により、銅を銅酸化物（ＣｕＯｘ）に酸化させた。次いで、基板を取り出して水洗し、窒素ブローで乾燥した。洗浄処理は、基板を１．５×２ｃｍに切断して作製したクーポンにより行った。２００ｍＬビーカーに、各例の洗浄液１００ｍＬを入れ、クーポンを浸漬した。クーポンの浸漬中、室温、３００ｒｐｍで撹拌した。３分間浸漬した後、クーポンを取出して水洗し、窒素ブローで乾燥した。
Ｘ線電子分光装置（Ｒｉｇａｋｕ社製ＰｒｉｍｕｓＩＶ）を用いて、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）により、過酸化水素処理前及び洗浄処理後の銅膜厚を測定した。洗浄処理による銅膜厚の減少量を算出し、ＣｕＯｘエッチングレート（Ａ／ｍｉｎ）として表４～６に示した。
洗浄性は、ＣｕＯｘのエッチングレートとして評価した。基板には、８インチシリコン基板上にＰＶＤ法により銅膜（３０ｎｍ）を成膜した基板を用いた。基板を５質量％の過酸化水素水に浸漬し、室温で、１０分間撹拌した。この処理により、銅を銅酸化物（ＣｕＯｘ）に酸化させた。次いで、基板を取り出して水洗し、窒素ブローで乾燥した。洗浄処理は、基板を１．５×２ｃｍに切断して作製したクーポンにより行った。２００ｍＬビーカーに、各例の洗浄液１００ｍＬを入れ、クーポンを浸漬した。クーポンの浸漬中、室温、３００ｒｐｍで撹拌した。３分間浸漬した後、クーポンを取出して水洗し、窒素ブローで乾燥した。
Ｘ線電子分光装置（Ｒｉｇａｋｕ社製ＰｒｉｍｕｓＩＶ）を用いて、Ｘ線電子分光法（ＸＰＳ）により、過酸化水素処理前及び洗浄処理後の銅膜厚を測定した。洗浄処理による銅膜厚の減少量を算出し、ＣｕＯｘエッチングレート（Ａ／ｍｉｎ）として表４～６に示した。
【0151】
【表4】
【0152】
【表5】
【0153】
【表6】
【0154】
表４～６の結果から、実施例１～２４の洗浄液では、腐食電位差が十分に低減されることが確認された。一方、比較例１～５の洗浄液では、腐食電位差が大きかった。
実施例１～２４の洗浄液は、洗浄性も維持されていることが確認された。
実施例１～２４の洗浄液は、洗浄性も維持されていることが確認された。
【符号の説明】
【0155】
１，１’，１００，１００’ 基板
１０，１１０ ライナー層
１１ バリア層
２０，１２０ 配線層
３０，１３０ Ｌｏｗ－ｋ層
１４０ ビア
１５０ トレンチ
１０，１１０ ライナー層
１１ バリア層
２０，１２０ 配線層
３０，１３０ Ｌｏｗ－ｋ層
１４０ ビア
１５０ トレンチ
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】