特開 2024-100511 検査システム及び温度制御方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024100511

(43)【公開日】2024-07-26

(54)【発明の名称】検査システム及び温度制御方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240719BHJP

   G01R 31/28 20060101ALI20240719BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20240719BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 B

G01R31/28 H

G01R31/26 G

【審査請求】未請求

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023004559

(22)【出願日】2023-01-16

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】河西 繁

(72)【発明者】

【氏名】阿川 裕晃

【テーマコード（参考）】

2G003

2G132

4M106

【Ｆターム（参考）】

2G003AA10

2G003AB16

2G003AC03

2G003AD06

2G003AH08

2G132AA00

2G132AB14

2G132AD18

2G132AF20

2G132AL21

4M106AA01

4M106BA01

4M106DD03

4M106DD10

4M106DD23

4M106DH14

4M106DH44

4M106DH45

4M106DH46

(57)【要約】

【課題】好適に温度制御を行いながら基板を検査する検査システム及び温度制御方法を提供する。
【解決手段】温度調節機構によって温度制御を行いながら、基板を検査する検査システムであって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板の電極部に検査電力を供給する検出部と、制御部と、を備え、前記検出部は、前記基板に設けられた接合部の接合部温度を推定する温度推定部を有し、前記制御部は、前記基板に前記検査電力を供給する工程と、前記検査電力の供給を停止した後、前記接合部温度に関する情報を取得する工程と、前記接合部温度に関する情報に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程と、前記オフセット温度でオフセットされた制御温度に基づいて、前記基板保持部の温度を調整する工程と、前記基板保持部の温度が調整された後、前記基板に前記検査電力を供給して、前記基板を検査する工程と、を含む、検査システム。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

温度調節機構によって温度制御を行いながら、基板を検査する検査システムであって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の電極部に検査電力を供給する検出部と、
制御部と、を備え、
前記検出部は、
前記基板に設けられた接合部の接合部温度を推定する温度推定部を有し、
前記制御部は、
前記基板に前記検査電力を供給する工程と、
前記検査電力の供給を停止した後、前記接合部温度に関する情報を取得する工程と、
前記接合部温度に関する情報に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程と、
前記オフセット温度でオフセットされた制御温度に基づいて、前記基板保持部の温度を調整する工程と、
前記基板保持部の温度が調整された後、前記基板に前記検査電力を供給して、前記基板を検査する工程と、を含む、
検査システム。

【請求項2】

前記接合部温度に関する情報を取得する工程は、
前記接合部温度と前記基板の検査温度との差である前記接合部温度のオフセット温度の推移を取得する、
請求項１に記載の検査システム。

【請求項3】

前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程は、
前記接合部温度のオフセット温度の推移に基づいて、前記検査電力の供給を停止した時の前記接合部温度のオフセット温度を推定し、
推定された前記検査電力の供給を停止した時の前記接合部温度のオフセット温度に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する、
請求項２に記載の検査システム。

【請求項4】

前記温度調節機構は、
前記基板保持部の温度を検出し、前記基板保持部の温度を調整する、
請求項１に記載の検査システム。

【請求項5】

前記検出部は、
複数の電気的特性を検出する検出手段を有する、
請求項１の検査システム。

【請求項6】

前記基板は、
前記電極部と、前記電極部と接続された電子デバイスと、を有し、
前記検出部は、
前記検査電力が供給された前記電子デバイスの電気的特性を検出する、
請求項１の検査システム。

【請求項7】

温度調節機構によって温度制御を行いながら、基板を検査する検査システムであって、
前記基板を保持する基板保持部と、前記基板に設けられた接合部の接合部温度を推定する温度推定部を有し、前記基板の電極部に検査電力を供給する検出部と、を備え、温度調節機構によって温度制御を行いながら、基板を検査する検査システムの温度制御方法であって、
前記基板に前記検査電力を供給する工程と、
前記検査電力の供給を停止した後、前記接合部温度に関する情報を取得する工程と、
前記接合部温度に関する情報に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程と、
前記オフセット温度でオフセットされた制御温度に基づいて、前記基板保持部の温度を調整する工程と、
前記基板保持部の温度が調整された後、前記基板に前記検査電力を供給して、前記基板を検査する工程と、を含む、
温度制御方法。

【請求項8】

前記接合部温度に関する情報を取得する工程は、
前記接合部温度と前記基板の検査温度との差である前記接合部温度のオフセット温度の推移を取得する、
請求項７に記載の温度制御方法。

【請求項9】

前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程は、
前記接合部温度のオフセット温度の推移に基づいて、前記検査電力の供給を停止した時の前記接合部温度のオフセット温度を推定し、
推定された前記検査電力の供給を停止した時の前記接合部温度のオフセット温度に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する、
請求項８に記載の温度制御方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、検査システム及び温度制御方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、パワートランジスタのオン期間におけるソースおよびドレイン端子の端子間電圧を検出し、パワートランジスタのジャンクション温度を高精度に推定することが可能な電力変換装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－１２２１０７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一の側面では、本開示は、好適に温度制御を行いながら基板を検査する検査システム及び温度制御方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するために、一の態様によれば、温度調節機構によって温度制御を行いながら、基板を検査する検査システムであって、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板の電極部に検査電力を供給する検出部と、制御部と、を備え、前記検出部は、前記基板に設けられた接合部の接合部温度を推定する温度推定部を有し、前記制御部は、前記基板に前記検査電力を供給する工程と、前記検査電力の供給を停止した後、前記接合部温度に関する情報を取得する工程と、前記接合部温度に関する情報に基づいて、前記基板保持部のオフセット温度を決定する工程と、前記オフセット温度でオフセットされた制御温度に基づいて、前記基板保持部の温度を調整する工程と、前記基板保持部の温度が調整された後、前記基板に前記検査電力を供給して、前記基板を検査する工程と、を含む、検査システムを提供することができる。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、好適に温度制御を行いながら基板を検査する検査システム及び温度制御方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】検査システムの斜視図の一例。

【図2】検査システムの構成図の一例。

【図3】基板の構成を概略的に示す平面図の一例。

【図4】検査システムにおける温度制御を説明するフローチャートの一例。

【図5】検査電力及び電子デバイスのオフセット温度の時間推移を示すグラフの一例。

【図6】電子デバイスの検査が終了する前後における検査電力及び電子デバイスのオフセット温度の時間推移を示すグラフの一例。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0009】

本実施形態に係る検査システムの一例である検査システム１について、図１を用いて説明する。図１は、検査システム１の斜視図の一例である。図２は、検査システム１の構成図の一例である。なお、図２において、部分的に断面図として、検査システム１に内蔵される構成要素を概略的に示す。

【0010】

半導体製造プロセスでは、半導体ウエハ等の基板Ｗ上に所定の回路パターンを持つ多数の電子デバイスＤ（後述する図３参照）が形成される。形成された電子デバイスＤは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。電子デバイスＤの検査は、例えば、各電子デバイスＤが分割される前の基板Ｗの状態で、検査システム１を用いて行われる。

【0011】

検査システム１は、温度制御を行いながら、基板Ｗに形成された複数の電子デバイスＤ（後述する図３参照）の電気的特性を検査する。即ち、検査システム１は、電子デバイスＤが所定の検査温度以上の状態で、電子デバイスＤに検査電力を供給し、その際の電気的特性等の検査が行われる。

【0012】

検査システム１は、収容室２と、ローダ３と、テスター４と、を備える。

【0013】

収容室２は、内部が空洞の筐体１１を有する。収容室２は、筐体１１の内部に、基板Ｗが載置されるステージ（「チャック」とも称する。）１０を有する。ステージ１０は、ステージ１０に対する基板Ｗの相対位置がずれないように、基板Ｗを吸着保持する吸着保持部（図示せず）を有する。また、収容室２は、筐体１１の内部に、ステージ１０を水平方向及び上下方向に移動させる移動機構（図示せず）が設けられている。この移動機構により、後述するプローブカード１２と基板Ｗの相対位置を調整して基板Ｗの表面の所望の電極部Ｅ（後述する図３参照）をプローブカード１２のプローブ１２ａと接触させることができる。

【0014】

収容室２は、筐体１１の内部に、プローブカード１２を有する。プローブカード１２は、ステージ１０の上方で、ステージ１０に対向するように配置される。プローブカード１２は、基板Ｗの各電子デバイスＤの電極部Ｅに対応して設けられた電極パッド又は半田バンプに対応して配置された複数の針状のプローブ１２ａを備える。プローブカード１２は、インターフェース１３を介してテスター４へ接続される。各プローブ１２ａは、電気特性の検査時に、基板Ｗの各電子デバイスＤの電極部Ｅに接触し、テスター４からの電力をインターフェース１３を介して電子デバイスＤへ供給し、且つ、電子デバイスＤからの信号をインターフェース１３を介してテスター４へ伝達する。

【0015】

ローダ３は、基板Ｗが収容された搬送容器であるＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｙ Ｐｏｄ）が配置されている。また、ローダ３は、基板Ｗを搬送する搬送機構（図示せず）を有する。搬送機構は、ＦＯＵＰに収容されている基板Ｗを取り出して収容室２のステージ１０へ搬送する。また、搬送機構は、電子デバイスＤの電気的特性の検査が終了した基板Ｗをステージ１０から受け取り、ＦＯＵＰへ収容する。

【0016】

テスター４は、電子デバイスＤが搭載されるマザーボードの回路構成の一部を再現するテストボード（図示しない）を有する。また、テスター４のテストボードは、電子デバイスＤからの信号に基づいて電子デバイスＤの良否を判断するテスターコンピュータ１５に接続される。テスター４ではテストボードを取り替えることにより、複数種のマザーボードの回路構成を再現することができる。また、プローブカード１２のプローブ１２ａは複数設けられており、電子デバイスＤの複数の電極部Ｅにそれぞれ接触される。また、テスター４は、電子デバイスＤの電気的特性を検出する検出手段を複数有している。これにより、テスター４は、電子デバイスＤの複数の電気的特性を検出する。

【0017】

また、検査システム１は、ユーザ向けに情報を表示したりユーザが指示を入力したりするためのユーザインターフェース部１６を備える。ユーザインターフェース部１６は、例えば、タッチパネルやキーボード等の入力部と液晶ディスプレイ等の表示部とからなる。

【0018】

このように、検査システム１は、基板Ｗを保持する基板保持部として、ステージ１０を備える。また、検査システム１は、基板Ｗに設けられた電子デバイスＤの電極部Ｅに検査電力を供給することで電子デバイスＤの電気的特性を検出する検出部として、プローブ１２ａを有するプローブカード１２、インターフェース１３及びテスター４を備える。

【0019】

さらに、ローダ３は、温度制御ユニット１４を有する。温度制御ユニット１４は、電源２５と、チラー２６と、制御部９０と、を有する。

【0020】

ステージ１０には、ステージ１０を加熱するヒータ２０が設けられている。電源２５は、ステージ１０に設けられたヒータ２０に電力を供給する。また、ステージ１０の内部には、伝熱媒体（不凍液等）が通流する冷媒流路１０ａが形成されている。チラー２６は、冷媒流路１０ａに温度調整された伝熱媒体を循環させる。このように、検査システム１は、基板保持部の温度を調整する温度調整機構として、ヒータ２０、電源２５、冷媒流路１０ａ及びチラー２６を備える。なお、温度調整機構の構成は、これに限られるものではない。

【0021】

また、温度調整機構は、基板保持部の温度を検出する温度検出部３０を備える。温度検出部３０は、ステージ１０に設けられ、ステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅを検出する。温度検出部３０で検出されたステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅは、制御部９０に入力される。

【0022】

また、テスター４は、テスター４からインターフェース１３及びプローブカード１２を介して電子デバイスＤへ供給される検査電力（電流及び電圧）を検出する電力検出部４１を有する。電力検出部４１で検出された検査電力は、制御部９０に入力される。

【0023】

また、テスター４は、電子デバイスＤに形成されるＰＮ結合（接合部、例えばトランジスタ等）に電流を流すことにより、発生した起電力と温度との相関関係から、電子デバイスＤの接合部の温度であるジャンクション温度（接合部温度）Ｔｊを検出する温度推定部４２を有する。温度推定部４２で検出されたジャンクション温度Ｔｊは、制御部９０に入力される。

【0024】

制御部９０は、保持部温度制御部９１と、オフセット温度決定部９２と、を有する。制御部９０は、電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊ（基板Ｗの温度）が検査温度となるように、温度調整機構を制御する。

【0025】

保持部温度制御部９１は、温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度またはオフセットされた制御温度となるように温度調整機構を制御する。即ち、保持部温度制御部９１は、電源２５を制御することにより、ヒータ２０の発熱量を制御して、ステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅを制御する。また、保持部温度制御部９１は、チラー２６を制御することにより、チラー２６が冷媒流路１０ａに供給する伝熱媒体の温度を制御して、ステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅを制御してもよい。

【0026】

オフセット温度決定部９２は、テストパターン及び／又は検査電力に応じた制御温度のオフセット温度を決定する。これにより、検査時において、保持部温度制御部９１は、温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅがオフセットされた制御温度となるように温度調整機構を制御する。

【0027】

また、オフセット温度決定部９２は、電子デバイスＤに供給される検査電力を取得する。例えば、オフセット温度決定部９２は、電力検出部４１で検出された検査電力が入力されることにより、電子デバイスＤに供給される検査電力を取得する。また、オフセット温度決定部９２は、テスターコンピュータ１５から電子デバイスＤのテストパターンに記録された検査電力が入力されることにより、電子デバイスＤに供給される検査電力を取得してもよい。

【0028】

次に、上述の検査システム１において検査される基板Ｗについて図３を用いて説明する。図３は、基板Ｗの構成を概略的に示す平面図である。

【0029】

基板Ｗには、略円板状のシリコン基板にエッチング処理や配線処理を施すことにより、図３に示すように、複数の電子デバイスＤが互いに所定の間隔をおいて、表面に形成されている。電子デバイスＤすなわち基板Ｗの表面には、電極部Ｅが形成されており、該電極部Ｅは当該電子デバイスＤの内部の回路素子に電気的に接続されている。電極部Ｅへ電圧を印加することにより、各電子デバイスＤの内部の回路素子へ電流を流すことができる。

【0030】

ここで、ジャンクション温度Ｔｊを検出する温度推定部４２は、例えばロジックＩＣ等の電子デバイスＤの検査が行われる際、クロックが発生している条件下では、ノイズ等の影響によって好適にジャンクション温度Ｔｊを検出することができない場合がある。

【0031】

また、電子デバイスＤの検査が行われる際、ステージ１０と基板Ｗ（電子デバイスＤ）との間の熱抵抗によって、ステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅと電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊとの間に温度差が発生する。このため、ステージ１０の温度Ｔｓｔａｇｅが検査温度となるように温度制御して電子デバイスＤの検査を行う場合、電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊは検査温度よりも高くなるおそれがある。即ち、検査温度よりも高い温度で電子デバイスＤの検査を行うこととなり、電子デバイスＤの歩留まりが低下するおそれがある。

【0032】

次に、本実施形態に係る検査システム１における温度制御について、図４から図６を用いて説明する。図４は、検査システム１における温度制御を説明するフローチャートの一例である。

【0033】

まず、オフセット温度決定工程について、ステップＳ１０１からステップＳ１０７を用いて説明する。オフセット温度決定工程では、基板保持部の制御温度のオフセット温度を決定する。

【0034】

ステップＳ１０１において、保持部温度制御部９１は、初期値の制御温度で基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅを制御する。即ち、保持部温度制御部９１は温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度に近づくように温度調整機構を制御する。なお、初期値の制御温度は、例えば検査温度としてもよい。

【0035】

ステップＳ１０２において、保持部温度制御部９１は、温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅが初期値の制御温度を含む所定の制御温度範囲内であるか否かを判定する。温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度範囲内でない場合（Ｓ１０２・ＮＯ）、ステップＳ１０２の処理を繰り返す。温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度範囲内である場合（Ｓ１０２・ＹＥＳ）、制御部９０の処理はステップＳ１０３に進む。以降の処理（ステップＳ１０３～Ｓ１０４）において、保持部温度制御部９１は、温度Ｔｓｔａｇｅが所定の制御温度範囲内を維持するように温度調整機構を制御する。

【0036】

ステップＳ１０３において、テスター４は、テストパターンに基づいて電子デバイスＤの電極部Ｅに検査電力を供給し、電子デバイスＤの電気的特性等の検査を行う。

【0037】

図５は、検査電力及び電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの時間推移を示すグラフの一例である。図５において、上段のグラフは、電子デバイスＤに供給する検査電力のテストパターンの一例を示す。縦軸は電子デバイスＤに供給する検査電力を示す。横軸は時間を示す。下段のグラフは、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの一例を示すグラフを示す。縦軸は電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔを示す。横軸は時間を示す。ここで、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔは、検査温度に対する電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊのオフセット温度である。即ち、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔは、電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊから検査温度を減算した温度である。

【0038】

テストパターンは、検査電力が異なる複数の検査を含む。図５に示す例において、テストパターンは、検査電力Ｐ１で検査する第１の検査、検査電力Ｐ２で検査する第２の検査、検査電力Ｐ３で検査する第３の検査、・・・、検査電力Ｐｉで検査する第ｉの検査（ｉは任意の整数）、を含む。

【0039】

電子デバイスＤに検査電力を供給することにより、電子デバイスＤが発熱し、電子デバイスＤの温度が上昇する。即ち、電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊが上昇し、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔも上昇する。また、検査を終了して検査電力の供給を停止することにより、電子デバイスＤの温度が下降する。即ち、電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊが下降し、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔも下降する。

【0040】

ここで、電子デバイスＤの検査において、温度推定部４２による電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊの検出ができない。このため、図５において、ジャンクション温度Ｔｊの検出ができない区間における電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔは、破線で図示する。

【0041】

このステップＳ１０３では、テスター４は、テストパターンに基づいて電子デバイスＤに検査電力Ｐ１を供給し、電子デバイスＤの電気的特性等の検査を行う。なお、オフセット温度決定部９２は、ステップＳ１０３に示す電子デバイスＤの検査において電子デバイスＤに供給された検査電力Ｐ１を取得する。電子デバイスＤの電気的特性等の検査が終了すると、テスター４は、検査電力Ｐ１の供給を停止する。

【0042】

ステップＳ１０４において、オフセット温度決定部９２は、遅れ時間ｔｄｅｌａｙ後のジャンクション温度Ｔｊに関する情報を取得する。具体的には、オフセット温度決定部９２は、遅れ時間ｔｄｅｌａｙ後における、温度推定部４２からジャンクション温度Ｔｊの推移を検出（取得）する。これにより、オフセット温度決定部９２は、遅れ時間ｔｄｅｌａｙ後における、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの推移を検出（取得）する。

【0043】

図６は、電子デバイスＤの検査が終了する前後における検査電力及び電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの時間推移を示すグラフの一例である。図６において、縦軸は、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔ及び電子デバイスＤに供給する検査電力を示す。横軸は時間を示す。また、図６において、検出された範囲（遅れ時間ｔｄｅｌａｙ後）における電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔは実線で示す。また、検出していない範囲（遅れ時間ｔｄｅｌａｙ前）における電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔは二点鎖線で示す。電子デバイスＤに供給する検査電力は、破線で示す。

【0044】

検査電力の供給を停止してから遅れ時間ｔｄｅｌａｙが経過した後に、オフセット温度決定部９２は、温度推定部４２によって電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊの推移を検出する。そして、オフセット温度決定部９２は、ジャンクション温度Ｔｊと検査温度との差から電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの推移を検出する。これにより、図６に示すように、電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔが温度減少する推移を検出する。

【0045】

ステップＳ１０５において、オフセット温度決定部９２は、検査時におけるピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋを算出する。ここで、ピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋは、検査時における電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔである。換言すれば、ピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋは、検査時における検査温度に対する電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊの上昇温度である。即ち、ピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋは、検査時における電子デバイスＤのジャンクション温度Ｔｊから検査温度を減算した温度である。

【0046】

ここでは、検査電力の供給を停止した時点でのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔをピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋとして算出する。検査電力の供給を停止してから電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔが減少するシステムは、１次遅れ系で表されるものとする。オフセット温度決定部９２は、ステップＳ１０４で検出した電子デバイスＤのオフセット温度Ｔｊｏｆｆｓｅｔの推移から、最小二乗法等によって時定数Ｔを算出する。

【0047】

そして、オフセット温度決定部９２は、遅れ時間ｔｄｅｌａｙと、算出した時定数Ｔと、観測した遅れ時間時の温度ＴＥＭＰｏｂに基づいて、以下の式によりピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋを算出する。

【0048】

ＴＥＭＰｐｅａｋ＝ＴＥＭＰｏｂ・ｅｘｐ（ｔｄｅｌａｙ／Ｔ）

【0049】

このステップＳ１０５では、検査電力Ｐ１（図５参照）で電子デバイスＤの検査した場合におけるピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ１（図５参照）を算出する。

【0050】

ステップＳ１０６において、オフセット温度決定部９２は、ピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋを記憶部（図示せず）に格納する。

【0051】

このステップＳ１０６では、オフセット温度決定部９２は、ピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ１を検査電力Ｐ１（図５参照）で電子デバイスＤの検査する場合における基板保持部のオフセット温度として決定し、検査電力Ｐ１とピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ１（基板保持部のオフセット温度）とを対応付けして記憶部に格納する。

【0052】

ステップＳ１０７において、制御部９０は、全てのテストパターンが終了したか否かを判定する。全てのテストパターンが終了していない場合Ｓ１０７・ＮＯ）、制御部９０は、ステップＳ１０２に戻り、ステップＳ１０２からステップＳ１０６の処理を繰り返す。これにより、検査電力Ｐ２で検査する第２の検査以降についても同様に、検査電力とピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ（基板保持部のオフセット温度）とを対応付けして記憶部に格納する。

【0053】

全てのテストパターンが終了した場合（Ｓ１０７・ＹＥＳ）、制御部９０は、オフセット温度決定工程（ステップＳ１０１からステップＳ１０７）を終了する。

【0054】

なお、検査電力とピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ（基板保持部のオフセット温度）とは、テーブルとして記憶部に記憶されていてもよい。また、オフセット温度決定部９２は、テーブルに記憶された情報から、検査電力とピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ（基板保持部のオフセット温度）との関係を示す関数を生成し、生成した関数が記憶部に記憶されていてもよい。

【0055】

次に、検査工程について、ステップＳ１０８からステップＳ１１１を用いて説明する。検査工程では、オフセット温度決定工程で決定されたオフセット温度で基板保持部の制御温度をオフセットして電子デバイスＤの検査を行う。

【0056】

ステップＳ１０８において、保持部温度制御部９１は、オフセットされた制御温度で基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅを制御する。即ち、保持部温度制御部９１は温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅがオフセットされた制御温度に近づくように温度調整機構を制御する。

【0057】

例えば、テスター４が制御部９０に指令する構成を例に説明する。テスター４は、テストパターンに従って次に実行される検査の検査電力に対応する基板保持部のオフセット温度（ステップＳ１０６で格納したピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ）を制御部９０に送信する。制御部９０は、初期値の制御温度から基板保持部のオフセット温度を減算した温度で温度調整機構を制御する。

【0058】

なお、テスター４は、テストパターンに従って次に実行される検査の検査電力を制御部９０に送信する構成であってもよい。この場合、制御部９０は、検査電力に対応する基板保持部のオフセット温度（ステップＳ１０６で格納したピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ）を決定し、初期値の制御温度からオフセット温度を減算した温度で温度調整機構を制御する。

【0059】

また、電力検出部４１で検出された検査電力を制御部９０に送信する構成であってもよい。この場合、制御部９０は、検査電力に対応する基板保持部のオフセット温度（ステップＳ１０６で格納したピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋ）を決定し、初期値の制御温度からオフセット温度を減算した温度で温度調整機構を制御する。

【0060】

ステップＳ１０９において、保持部温度制御部９１は、温度検出部３０で検出した基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅがオフセットされた制御温度を含む所定の制御温度範囲内であるか否かを判定する。温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度範囲内でない場合（Ｓ１０９・ＮＯ）、ステップＳ１０９の処理を繰り返す。温度Ｔｓｔａｇｅが制御温度範囲内である場合（Ｓ１０９・ＹＥＳ）、制御部９０の処理はステップＳ１１０に進む。以降の処理（ステップＳ１１０）において、保持部温度制御部９１は、温度Ｔｓｔａｇｅが所定の制御温度範囲内を維持するように温度調整機構を制御する。以降の処理（ステップＳ１０９）において、保持部温度制御部９１は、温度Ｔｓｔａｇｅが所定の制御温度範囲内を維持するように温度調整機構を制御する。

【0061】

ステップＳ１１０において、テスター４は、テストパターンに基づいて電子デバイスＤに検査電力を供給し、電子デバイスＤの電気的特性等の検査を行う。

【0062】

ここで、ステップＳ１１０に示す検査において、基板保持部の温度Ｔｓｔａｇｅがオフセットされることにより、検査時における電子デバイスＤの温度を検査温度に近づけることができる。

【0063】

ステップＳ１１１において、制御部９０は、全てのテストパターンが終了したか否かを判定する。全てのテストパターンが終了していない場合Ｓ１１１・ＮＯ）、制御部９０は、ステップＳ１０８に戻り、ステップＳ１０８からステップＳ１１０の処理を繰り返す。全てのテストパターンが終了した場合（Ｓ１１１・ＹＥＳ）、制御部９０は、検査工程（ステップＳ１０８からステップＳ１１１）を終了する。

【0064】

以上の様に、制御部９０は、検査後の電子デバイスＤの温度変化に基づいて、検査時のピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋを推定することができる。これにより、検査時のジャンクション温度Ｔｊを推定することができる。

【0065】

また、制御部９０は、オフセット温度決定工程において、検査時のピーク温度ＴＥＭＰｐｅａｋを推定し、基板保持部のオフセット温度として格納する。そして、制御部９０は、検査工程において、オフセット温度でオフセットした制御温度で基板保持部の温度を制御する。これにより、電子デバイスＤの検査を行う場合、電子デバイスＤを検査温度とすることができ、好適に検査を行うことができる。また、電子デバイスＤの歩留まりが低下することを防止することができる。

【0066】

また、電子デバイスにジャンクション温度Ｔｊを検出するためのみに用いられる電極部Ｅを設ける構成と比較して、電子デバイスＤのパッケージコストを低減することができる。また、プローブカード１２に設けるプローブ１２ａの数を削減することができる。

【0067】

以上、検査システム１について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

【符号の説明】

【0068】

Ｗ 基板
Ｄ 電子デバイス
Ｅ 電極部
１ 検査システム
２ 収容室
３ ローダ
４ テスター
１０ ステージ
１０ａ 冷媒流路
１２ プローブカード
１２ａ プローブ
１３ インターフェース
１４ 温度制御ユニット
２０ ヒータ
２５ 電源
２６ チラー
３０ 温度検出部
４１ 電力検出部
４２ 温度推定部
５０ 温度調節機構
５５ 電源
９０ 制御部
９１ 保持部温度制御部
９２ オフセット温度決定部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】