特開 2024-101158 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024101158

(43)【公開日】2024-07-29

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240722BHJP

   H01L 21/677 20060101ALI20240722BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651Z

H01L21/304 651A

H01L21/304 648A

H01L21/304 643A

H01L21/68 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023004940

(22)【出願日】2023-01-17

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】梅▲崎▼ 翔太

(72)【発明者】

【氏名】林田 貴大

(72)【発明者】

【氏名】中島 幹雄

(72)【発明者】

【氏名】安永 尚史

【テーマコード（参考）】

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA14

5F131BA37

5F131BB02

5F131BB03

5F131CA06

5F131DA22

5F131DB02

5F157AA09

5F157AB02

5F157AB33

5F157AB45

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB64

5F157AC04

5F157AC56

5F157BB23

5F157CB14

5F157CF34

5F157CF42

5F157CF44

5F157DA21

5F157DB37

(57)【要約】

【課題】基板間の処理のばらつきを低減できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、基板の上面に液膜を形成する複数の液膜形成ユニットと、前記液膜を超臨界流体に置換して前記基板を乾燥する乾燥ユニットとを含む単位ブロックと、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間に設けられる搬送ブロックと、を備え、前記搬送ブロックは、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送装置を有し、複数の前記液膜形成ユニットの各々と前記乾燥ユニットとの間で前記基板の搬送経路の長さが等しい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の上面に液膜を形成する複数の液膜形成ユニットと、前記液膜を超臨界流体に置換して前記基板を乾燥する乾燥ユニットとを含む単位ブロックと、
複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間に設けられる搬送ブロックと、
を備え、
前記搬送ブロックは、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送装置を有し、
複数の前記液膜形成ユニットの各々と前記乾燥ユニットとの間で前記基板の搬送経路の長さが等しい、
基板処理装置。

【請求項2】

基板の上面に液膜を形成する複数の液膜形成ユニットと、前記液膜を超臨界流体に置換して前記基板を乾燥する乾燥ユニットとを含む単位ブロックと、
複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間に設けられる搬送ブロックと、
を備え、
前記搬送ブロックは、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送装置を有し、
前記搬送装置は、複数の前記液膜形成ユニットの各々と前記乾燥ユニットとの間での前記基板の搬送時間が等しくなるように前記基板を搬送する、
基板処理装置。

【請求項3】

複数の前記液膜形成ユニットは、第１液膜形成ユニットと第２液膜形成ユニットとを有し、
平面視にて、前記第１液膜形成ユニットと前記第２液膜形成ユニットとが、前記乾燥ユニットの中心を通る仮想線を中心に線対称に設けられる、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記単位ブロックは、矩形の前記搬送ブロックの長手方向に沿って複数設けられる、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

複数の前記単位ブロックは、第１乾燥ユニットを含む第１単位ブロックと、第２乾燥ユニットを含む第２単位ブロックとを有し、
平面視にて、前記第１乾燥ユニットと前記第２乾燥ユニットは前記搬送ブロックの片側に設けられ、前記第１乾燥ユニットと前記第２乾燥ユニットとの間に、前記第１乾燥ユニット及び前記第２乾燥ユニットのメンテナンスを行うためのメンテナンス領域が設けられる、
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記メンテナンス領域に設けられ、前記メンテナンスの際に用いられる作業台をさらに備える、
請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

複数の前記単位ブロックは、第１乾燥ユニットを含む第１単位ブロックと、第２乾燥ユニットを含む第２単位ブロックとを有し、
平面視にて、前記第１乾燥ユニットと前記第２乾燥ユニットは前記搬送ブロックの片側に設けられ、前記第１乾燥ユニットと前記第２乾燥ユニットとの間に、中間領域が設けられ、
前記中間領域に設けられ、前記第１乾燥ユニット及び前記第２乾燥ユニットを制御する機器を含む電装ブロックをさらに備える、
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記第１乾燥ユニット及び前記第２乾燥ユニットは、前記搬送ブロックから離隔する方向に移動可能である、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第１乾燥ユニット及び前記第２乾燥ユニットは、水平回転可能である、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記電装ブロックは、前記搬送ブロックから離隔する方向に移動可能である、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記第１単位ブロック及び前記第２単位ブロックは、それぞれ複数設けられ、
複数の前記第１単位ブロック及び複数の前記第２単位ブロックは、それぞれ鉛直方向に段積みされる、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記搬送ブロックは、複数設けられ、
複数の前記搬送ブロックは、鉛直方向に段積みされる、
請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記電装ブロックは、鉛直方向に段積みされた複数の電装ボックスを有し、
複数の前記電装ボックスの各々は、互いに独立して移動可能である、
請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

基板の上面に液膜を形成する複数の液膜形成ユニットと、前記液膜を超臨界流体に置換して前記基板を乾燥する乾燥ユニットとを含む単位ブロックと、
複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間に設けられる搬送ブロックと、
を備える基板処理装置を用いた、基板処理方法であって、
前記搬送ブロックは、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送装置を有し、
複数の前記液膜形成ユニットの各々と前記乾燥ユニットとの間で前記基板の搬送経路の長さが等しく、
当該基板処理方法は、
前記液膜形成ユニットが、前記基板の上面に前記液膜を形成することと、
前記搬送装置が、前記液膜が形成された前記基板を、前記液膜形成ユニットから前記乾燥ユニットに搬送することと、
前記乾燥ユニットが、前記液膜を超臨界流体に置換し、前記基板を乾燥することと、
を有する、
基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

超臨界流体を利用して基板を乾燥させる技術が知られている。特許文献１には、液膜形成ユニットと乾燥ユニットとの組を複数組有する装置が開示されている。乾燥ユニットは、液膜形成ユニットにおいて基板の上面に形成された液膜を超臨界流体に置換し、基板を乾燥する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－０３０８５１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板間の処理のばらつきを低減できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、基板の上面に液膜を形成する複数の液膜形成ユニットと、前記液膜を超臨界流体に置換して前記基板を乾燥する乾燥ユニットとを含む単位ブロックと、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間に設けられる搬送ブロックと、を備え、前記搬送ブロックは、複数の前記液膜形成ユニットと前記乾燥ユニットとの間で前記基板を搬送する搬送装置を有し、複数の前記液膜形成ユニットの各々と前記乾燥ユニットとの間で前記基板の搬送経路の長さが等しい。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板間の処理のばらつきを低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理装置の平面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る基板処理装置の正面図である。

【図3】図３は、実施形態に係る基板処理装置の側面図である。

【図4】図４は、実施形態に係る基板処理方法を示すタイミングチャートである。

【図5】図５は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図6】図６は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図7】図７は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図8】図８は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図9】図９は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図10】図１０は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図11】図１１は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図12】図１２は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図13】図１３は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図14】図１４は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図15】図１５は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図16】図１６は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図17】図１７は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図18】図１８は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図19】図１９は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図20】図２０は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図21】図２１は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図22】図２２は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。

【図23】図２３は、装置稼働時の中間領域を示す図である。

【図24】図２４は、下段メンテナンス時の中間領域を示す図である。

【図25】図２５は、中上段メンテナンス時の中間領域を示す図である。

【図26】図２６は、実施形態の第１変形例に係る基板処理装置の平面図である。

【図27】図２７は、実施形態の第２変形例に係る基板処理装置の平面図である。

【図28】図２８は、実施形態の第３変形例に係る基板処理装置の平面図である。

【図29】図２９は、実施形態の第４変形例に係る基板処理装置の平面図である。

【図30】図３０は、電装ブロックを示す斜視図である。

【図31】図３１は、電装ブロックを示す側面図である。

【図32】図３２は、下段メンテナンス時の電装ボックスの動作を示す側面図である。

【図33】図３３は、中段メンテナンス時の電装ボックスの動作を示す側面図である。

【図34】図３４は、上段メンテナンス時の電装ボックスの動作を示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

【0009】

〔基板処理装置〕
図１から図３を参照し、実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の平面図である。図２は、実施形態に係る基板処理装置１の正面図である。図３は、実施形態に係る基板処理装置１の側面図である。

【0010】

基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは、Ｘ軸方向に隣接して設けられる。

【0011】

搬入出ステーション２は、載置台２１と、搬送部２２と、受渡部２３とを備える。載置台２１は、複数のキャリアＣが載置されるものである。複数のキャリアＣは、それぞれ、水平な基板Ｗを鉛直方向に間隔をおいて複数枚収容する。

【0012】

基板Ｗは、シリコンウエハ若しくは化合物半導体ウエハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Ｗは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成される電子回路などのデバイスを更に含んでもよい。基板Ｗは、その表面に凹凸パターンを有してもよい。

【0013】

搬送部２２は、載置台２１に隣接して設けられる。搬送部２２の内部には、第１搬送装置２２ａが配置される。第１搬送装置２２ａは、搬送部２２の内部にて基板Ｗを搬送し、搬送部２２の隣に配置される複数の装置間で基板Ｗを搬送する。

【0014】

第１搬送装置２２ａは、基板Ｗを保持する第１搬送アームを含む。第１搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向への移動、並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。第１搬送アームの数は、１つでもよいし、複数でもよい。

【0015】

受渡部２３は、搬送部２２に隣接して設けられる。受渡部２３は、基板Ｗを一時的に収容するトランジション装置２３ａを有する。図２に示されるように複数のトランジション装置２３ａが鉛直方向に段積みされてもよい。但し、トランジション装置２３ａの配置及び数は、特に限定されない。

【0016】

処理ステーション３は、搬送ブロック３１と、複数の処理ブロック３２と、電装ブロック３３とを備える。

【0017】

搬送ブロック３１は、受渡部２３に隣接して設けられる。搬送ブロック３１は、直方体状である。搬送ブロック３１の内部には、第２搬送装置３１ａが配置される。

【0018】

第２搬送装置３１ａは、搬送ブロック３１の隣に配置される複数の装置間で基板Ｗを搬送する。第２搬送装置３１ａは、基板Ｗを保持する第２搬送アームを含む。第２搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向への移動、並びに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。第２搬送アームの数は、１つでもよいし、複数でもよい。

【0019】

複数の処理ブロック３２は、図１に示されるように、搬送ブロック３１のＹ軸方向両側に設けられる。各処理ブロック３２は、搬送ブロック３１に隣接して設けられる。複数の処理ブロック３２は、図２に示されるように、鉛直方向に段積みされる。この場合、処理ブロック３２の設置面積を低減できる。ただし、処理ブロック３２の配置及び数は特に限定されない。複数の処理ブロック３２が鉛直方向に段積みされる場合、図３に示されるように複数の搬送ブロック３１が鉛直方向に段積みされてもよい。搬送ブロック３１の段数と、処理ブロック３２の段数とは、同一である。複数の基板Ｗを異なる高さで同時に搬送でき、単位時間当たりの基板Ｗの処理枚数を増加できる。ただし、搬送ブロック３１の配置及び数は特に限定されない。

【0020】

複数の処理ブロック３２は、液膜形成ユニット３２ａと、乾燥ユニット３２ｂと、供給ユニット３２ｃ、３２ｄと、検査ユニット３２ｅと、中間領域３２ｍとを含む。

【0021】

液膜形成ユニット３２ａは、平面視にて、Ｙ軸方向負側に位置する処理ブロック３２に４つ設けられる。４つの液膜形成ユニット３２ａは、Ｘ軸方向に沿って設けられる。４つの液膜形成ユニット３２ａは、互いに隣接して配置される。各液膜形成ユニット３２ａは、矩形の搬送ブロック３１の長辺に接する。Ｘ軸方向負側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａと、Ｘ軸方向正側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａとは、仮想線Ｌ１を中心に線対称に設けられる。

【0022】

液膜形成ユニット３２ａは、例えば、基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、基板Ｗの上面に液体を吐出するノズルとを含む。ノズルは、回転する基板Ｗの上面の中心に液体を供給する。液体は、遠心力によって基板Ｗの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。液体として、例えば薬液と、リンス液と、乾燥液とが、この順番で供給される。複数種類の薬液が供給されてもよく、一の薬液の供給と別の薬液の供給との間にもリンス液が供給されてもよい。

【0023】

液膜形成ユニット３２ａは、例えば、水平な基板Ｗの上面に薬液の液膜を形成し、続いて薬液の液膜をリンス液の液膜に置換し、次いでリンス液の液膜を乾燥液の液膜に置換する。薬液は、例えばＳＣ１（アンモニアと過酸化水素の水溶液）、又はＤＨＦ（希フッ酸）等である。リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）等である。乾燥液は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤である。

【0024】

乾燥ユニット３２ｂは、平面視にて、Ｙ軸方向正側に位置する処理ブロック３２に２つ設けられる。２つの乾燥ユニット３２ｂは、Ｘ軸方向に沿って設けられる。各乾燥ユニット３２ｂは、矩形の搬送ブロック３１の長辺に接する。２つの乾燥ユニット３２ｂは、仮想線Ｌ１を中心に線対称に設けられる。２つの乾燥ユニット３２ｂは、中間領域３２ｍを挟んで設けられる。

【0025】

乾燥ユニット３２ｂは、水平な基板Ｗの上面に形成された液膜を超臨界流体に置換し、基板Ｗを乾燥する。超臨界流体は、臨界温度以上の温度と、臨界圧力以上の圧力下におかれた流体であり、液体と気体の区別がつかない状態の流体である。乾燥液等の液膜を超臨界流体に置換することにより、表面張力による基板Ｗの凹凸パターンの倒壊を抑制できる。

【0026】

供給ユニット３２ｃは、搬送ブロック３１のＹ軸方向負側に設けられる。供給ユニット３２ｃは、４つの液膜形成ユニット３２ａのＸ軸方向両側に設けられる。Ｘ軸方向負側に位置する供給ユニット３２ｃは、例えばＸ軸方向負側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａに流体を供給する。Ｘ軸方向正側に位置する供給ユニット３２ｃは、例えばＸ軸方向正側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａに流体を供給する。各供給ユニット３２ｃは、搬送ブロック３１に隣接していてもよいし、隣接していなくてもよい。供給ユニット３２ｃには、基板Ｗが搬入出されないからである。

【0027】

供給ユニット３２ｃは、流量計、流量制御器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。供給ユニット３２ｃは、流体として例えば薬液、リンス液、乾燥液を、液膜形成ユニット３２ａに供給する。

【0028】

供給ユニット３２ｄは、搬送ブロック３１のＹ軸方向正側に設けられる。供給ユニット３２ｄは、２つの乾燥ユニット３２ｂのＸ軸方向両側に設けられる。各供給ユニット３２ｄは、隣り合う乾燥ユニット３２ｂに流体を供給する。各供給ユニット３２ｄは、搬送ブロック３１に隣接していてもよいし、隣接していなくてもよい。供給ユニット３２ｄには、基板Ｗが搬入出されないからである。

【0029】

供給ユニット３２ｄは、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。供給ユニット３２ｄは、流体として例えばＣＯ_２を、乾燥ユニット３２ｂに供給する。

【0030】

検査ユニット３２ｅは、乾燥ユニット３２ｂの上に配置される。検査ユニット３２ｅは、乾燥ユニット３２ｂの下に配置されもよい。検査ユニット３２ｅと乾燥ユニット３２ｂとは、鉛直方向に段積みされる。この場合、処理ブロック３２の接地面積を低減できる。

【0031】

検査ユニット３２ｅは、液膜による基板Ｗの被覆状態を検査する。検査ユニット３２ｅは、例えば重量計を含み、基板Ｗの重量を測定することで、基板Ｗの凹凸パターンが液膜によって被覆されていることを確認する。検査ユニット３２ｅは、膜厚計を含んでもよい。

【0032】

中間領域３２ｍは、２つの乾燥ユニット３２ｂの間に設けられる。中間領域３２ｍは、仮想線Ｌ１上に位置する。中間領域３２ｍは、作業者が２つの乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスするためのメンテナンス領域である。

【0033】

電装ブロック３３は、段積みされた処理ブロック３２の上に設けられる。電装ブロック３３は、図３に示されるように、Ｙ軸方向正側に設けられてよい。電装ブロック３３は、図２に示されるように、Ｘ軸方向に沿って設けられてよい。電装ブロック３３は、乾燥ユニット３２ｂの動作を制御する電子制御機器群と、電子制御機器群を収容する筐体とを備える。

【0034】

処理ステーション３は、第１単位ブロックＢ１と、第２単位ブロックＢ２とを有する。第１単位ブロックＢ１と第２単位ブロックＢ２とは、Ｘ軸方向に沿って隣接して設けられる。第１単位ブロックＢ１と第２単位ブロックＢ２とは、仮想線Ｌ１を中心に線対称に設けられる。第１単位ブロックＢ１及び第２単位ブロックＢ２は、段積みされてよい。処理ステーション３は、第１単位ブロックＢ１を有し、第２単位ブロックＢ２を有していなくてもよい。処理ステーション３は、Ｘ軸方向に沿って３つ以上の単位ブロックを有してもよい。

【0035】

第１単位ブロックＢ１は、平面視にて、仮想線Ｌ１よりもＸ軸方向負側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとを含む。１つの乾燥ユニット３２ｂと複数の液膜形成ユニット３２ａとを組み合わせるのは、液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗを処理する時間が乾燥ユニット３２ｂで基板Ｗを処理する時間よりも長いからである（図４参照）。２つの液膜形成ユニット３２ａは、仮想線Ｌ２を中心に線対称に設けられる。乾燥ユニット３２ｂは、仮想線Ｌ２上に中心を有する。この場合、２つの液膜形成ユニット３２ａの各々と乾燥ユニット３２ｂとの間で、基板Ｗの搬送経路の長さが等しくなる。これにより、２つの液膜形成ユニット３２ａの各々で基板Ｗの上面に形成された液膜が乾燥ユニット３２ｂで超臨界流体と置換されるまでの時間を等しくできる。その結果、各液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗの処理品質のばらつきを低減できる。

【0036】

第２単位ブロックＢ２は、平面視にて、仮想線Ｌ１よりもＸ軸方向正側に位置する２つの液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとを含む。２つの液膜形成ユニット３２ａは、仮想線Ｌ３を中心に線対称に設けられる。乾燥ユニット３２ｂは、仮想線Ｌ３上に中心を有する。この場合、２つの液膜形成ユニット３２ａの各々と乾燥ユニット３２ｂとの間で、基板Ｗの搬送経路の長さが等しくなる。これにより、２つの液膜形成ユニット３２ａの各々で基板Ｗの上面に形成された液膜が乾燥ユニット３２ｂで超臨界流体と置換されるまでの時間を等しくできる。その結果、各液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗの処理品質のばらつきを低減できる。

【0037】

平面視にて、第１単位ブロックＢ１に含まれる乾燥ユニット３２ｂと、第２単位ブロックＢ２に含まれる乾燥ユニット３２ｂとの間には、両方の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスするための中間領域３２ｍが設けられる。

【0038】

基板処理装置１は、制御装置４を備える。制御装置４は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４１と、メモリ等の記憶媒体４２とを備える。記憶媒体４２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置４は、記憶媒体４２に記憶されたプログラムをＣＰＵ４１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。

【0039】

〔基板処理方法〕
図４から図２２を参照し、実施形態に係る基板処理方法について説明する。図４は、実施形態に係る基板処理方法を示すタイミングチャートである。図４では、複数の基板Ｗ１～Ｗ９に対して連続して基板処理が行われる場合の各基板Ｗ１～Ｗ９の搬送タイミングを示す。図５から図２２は、実施形態に係る基板処理方法を示す平面図である。図５から図２２中の基板Ｗ１～Ｗ９は、図４中の基板Ｗ１～Ｗ９と対応する。図４から図２２に示される基板処理方法は、制御装置４による制御下で実施される。

【0040】

以下、第２搬送装置３１ａで行われる基板搬送処理を「ＰＲＡ」と記載する。また、第１単位ブロックＢ１に含まれるＸ軸方向負側及びＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで行われる液膜形成処理をそれぞれ「ＳＰＩＮ１」及び「ＳＰＩＮ２」と記載する。また、第１単位ブロックＢ１に含まれる乾燥ユニット３２ｂで行われる超臨界乾燥処理を「ＳＣＣ１」と記載する。また、第２単位ブロックＢ２に含まれるＸ軸方向負側及びＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで行われる液膜形成処理をそれぞれ「ＳＰＩＮ３」及び「ＳＰＩＮ４」と記載する。また、第２単位ブロックＢ２に含まれる乾燥ユニット３２ｂで行われる超臨界乾燥処理を「ＳＣＣ２」と記載する。

【0041】

まず、図５に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ１を取り出し、取り出した基板Ｗ１を第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ１に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）が行われる。具体的には、まず、液膜形成ユニット３２ａが、水平な基板Ｗ１の上面に薬液を供給する。薬液は、回転する基板Ｗ１の上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。次に、液膜形成ユニット３２ａが、水平な基板Ｗ１の上面にリンス液を供給する。リンス液は、回転する基板Ｗ１の上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。薬液の液膜がリンス液の液膜に置換される。次に、液膜形成ユニット３２ａが、水平な基板Ｗ１の上面に乾燥液を供給する。乾燥液は、回転する基板Ｗ１の上面の中心に供給され、遠心力によって上面の径方向全体に広がり、液膜を形成する。リンス液の液膜が乾燥液の液膜に置換される。

【0042】

次に、図６に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ２を取り出し、取り出した基板Ｗ２を第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ２に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ３）が行われる。液膜形成処理（ＳＰＩＮ３）は、液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）と同じ処理であってよい。

【0043】

次に、図７に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ３を取り出し、取り出した基板Ｗ３を第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ３に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）が行われる。液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）は、液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）と同じ処理であってよい。

【0044】

次に、図８に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ４を取り出し、取り出した基板Ｗ４を第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ４に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）が行われる。液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）は、液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）と同じ処理であってよい。

【0045】

次に、図９に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａから基板Ｗ１を取り出し、取り出した基板Ｗ１を第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂに搬送する。乾燥ユニット３２ｂでは、図４に示されるように、基板Ｗ１に対して超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）が行われる。具体的には、乾燥ユニット３２ｂが、水平な基板Ｗ１の上面に形成された液膜を超臨界流体に置換し、基板Ｗ１を乾燥する。乾燥液等の液膜を超臨界流体に置換すれば、基板Ｗ１の凹凸パターンに液体と気体の界面が現れるのを抑制できる。その結果、表面張力の発生を抑制でき、凹凸パターンの倒壊を抑制できる。

【0046】

次に、図１０に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ５を取り出し、取り出した基板Ｗ５を第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ５に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）が行われる。

【0047】

次に、図１１に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａから基板Ｗ２を取り出し、取り出した基板Ｗ２を第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂに搬送する。乾燥ユニット３２ｂでは、図４に示されるように、基板Ｗ２に対して超臨界乾燥処理（ＳＣＣ２）が行われる。

【0048】

次に、図１２に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ６を取り出し、取り出した基板Ｗ６を第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ６に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ３）が行われる。

【0049】

次に、図１３に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂから基板Ｗ１を取り出し、取り出した基板Ｗ１をトランジション装置２３ａに搬送する。

【0050】

次に、図１４に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａから基板Ｗ３を取り出し、取り出した基板Ｗ３を第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂに搬送する。乾燥ユニット３２ｂでは、図４に示されるように、基板Ｗ３に対して超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）が行われる。このとき、第１単位ブロックＢ１の２つの液膜形成ユニット３２ａが仮想線Ｌ２を中心に線対称に設けられ、第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂが仮想線Ｌ２上に中心を有する。この場合、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとの間の基板Ｗ１の搬送経路の長さと、Ｘ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとの間の基板Ｗ３の搬送経路の長さが等しくなる。これにより、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗ１の上面に形成された液膜及びＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗ３の上面に形成された液膜が乾燥ユニット３２ｂで超臨界流体と置換されるまでの時間を等しくできる。その結果、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗ１と、Ｘ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗ３との処理品質のばらつきを低減できる。図４に示されるように、基板Ｗ３に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）の終了時間は、基板Ｗ１に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）の終了時間と同じに調整されてよい。この場合、液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）が終了した後、基板Ｗ３を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。これにより、液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）によって基板Ｗ３の上面に形成された乾燥液の液膜の乾燥を抑制できる。このため、基板Ｗ３の凹凸パターンの倒壊を抑制できる。基板Ｗ３に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）の終了時間は、基板Ｗ１に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）の終了時間よりも後になるように調整されてもよい。この場合も、基板Ｗ３を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。

【0051】

次に、図１５に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ７を取り出し、取り出した基板Ｗ７を第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ７に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ２）が行われる。

【0052】

次に、図１６に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂから基板Ｗ２を取り出し、取り出した基板Ｗ２をトランジション装置２３ａに搬送する。

【0053】

次に、図１７に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａから基板Ｗ４を取り出し、取り出した基板Ｗ４を第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂに搬送する。乾燥ユニット３２ｂでは、図４に示されるように、基板Ｗ４に対して超臨界乾燥処理（ＳＣＣ２）が行われる。このとき、第２単位ブロックＢ２の２つの液膜形成ユニット３２ａが仮想線Ｌ３を中心に線対称に設けられ、第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂが仮想線Ｌ３上に中心を有する。この場合、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとの間の基板Ｗ２の搬送経路の長さと、Ｘ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａと乾燥ユニット３２ｂとの間の基板Ｗ４の搬送経路の長さが等しくなる。これにより、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗ２の上面に形成された液膜及びＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで基板Ｗ４の上面に形成された液膜が乾燥ユニット３２ｂで超臨界流体と置換されるまでの時間を等しくできる。その結果、Ｘ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗ２と、Ｘ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗ４との処理品質のばらつきを低減できる。図４に示されるように、基板Ｗ４に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）の終了時間は、基板Ｗ２に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ２）の終了時間と同じに調整されてよい。この場合、液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）が終了した後、基板Ｗ４を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。これにより、液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）によって基板Ｗ４の上面に形成された乾燥液の液膜の乾燥を抑制できる。このため、基板Ｗ４の凹凸パターンの倒壊を抑制できる。基板Ｗ４に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）の終了時間は、基板Ｗ２に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ２）の終了時間よりも後になるように調整されてもよい。この場合も、基板Ｗ４を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。

【0054】

次に、図１８に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ８を取り出し、取り出した基板Ｗ８を第２単位ブロックＢ２のＸ軸方向正側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ８に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ４）が行われる。

【0055】

次に、図１９に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂから基板Ｗ３を取り出し、取り出した基板Ｗ３をトランジション装置２３ａに搬送する。

【0056】

次に、図２０に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａから基板Ｗ５を取り出し、取り出した基板Ｗ５を第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂに搬送する。乾燥ユニット３２ｂでは、図４に示されるように、基板Ｗ５に対して超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）が行われる。図４に示されるように、基板Ｗ５に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）の終了時間は、基板Ｗ３に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）の終了時間と同じに調整されてよい。この場合、液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）が終了した後、基板Ｗ５を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。これにより、液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）によって基板Ｗ５の上面に形成された乾燥液の液膜の乾燥を抑制できる。このため、基板Ｗ５の凹凸パターンの倒壊を抑制できる。基板Ｗ５に対して行われる液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）の終了時間は、基板Ｗ３に対して行われる超臨界乾燥処理（ＳＣＣ１）の終了時間よりも後になるように調整されてもよい。この場合も、基板Ｗ５を液膜形成ユニット３２ａに待機させることなく、乾燥ユニット３２ｂに搬送できる。

【0057】

次に、図２１に示されるように、第２搬送装置３１ａが、トランジション装置２３ａから基板Ｗ９を取り出し、取り出した基板Ｗ９を第１単位ブロックＢ１のＸ軸方向負側の液膜形成ユニット３２ａに搬送する。液膜形成ユニット３２ａでは、図４に示されるように、基板Ｗ９に対して液膜形成処理（ＳＰＩＮ１）が行われる。

【0058】

次に、図２２に示されるように、第２搬送装置３１ａが、第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂから基板Ｗ４を取り出し、取り出した基板Ｗ４をトランジション装置２３ａに搬送する。

【0059】

以降、図１１から図２２に示される動作を繰り返すことにより、連続して複数の基板Ｗに処理を行うことができる。

【0060】

〔中間領域〕
図２３を参照し、基板処理装置１の稼働時の中間領域３２ｍの状態について説明する。図２３は、装置稼働時の中間領域３２ｍを示す図である。図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、それぞれ中間領域３２ｍを含む処理ブロック３２の一部を示す平面図及び側面図である。

【0061】

図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示されるように、装置稼働時には、扉１０１が閉められることにより中間領域３２ｍが外部空間と隔離される。扉１０１は、例えば観音開き式であってよい。扉１０１の内面には、乾燥ユニット３２ｂの動作を制御する電子制御機器群が取り付けられてよい。中間領域３２ｍには、作業台１０３が設けられる。作業台１０３は、踏台１０４と梯子１０５とを含む。踏台１０４は、中段の乾燥ユニット３２ｂと略同じ高さ位置に固定される。梯子１０５は、踏台１０４に固定される。梯子１０５は、折り畳み可能に構成される。装置稼働時には、梯子１０５は折り畳まれて踏台１０４上に載置される。

【0062】

図２４を参照し、下段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする方法について説明する。図２４は、下段メンテナンス時の中間領域３２ｍを示す図である。図２４（ａ）及び図２４（ｂ）は、それぞれ中間領域３２ｍを含む処理ブロック３２の一部を示す平面図及び側面図である。

【0063】

図２４（ａ）及び図２４（ｂ）に示されるように、下段メンテナンス時には、作業者Ｐが、扉１０１を開け、中間領域３２ｍと外部空間とを連通させる。これにより、作業者Ｐは中間領域３２ｍに入ることができる。作業者Ｐは、中間領域３２ｍにおいて、作業台１０３を用いずに、下段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。

【0064】

図２５を参照し、中段及び上段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする方法について説明する。図２５は、中上段メンテナンス時の中間領域３２ｍを示す図である。図２５（ａ）及び図２５（ｂ）は、それぞれ中間領域３２ｍを含む処理ブロック３２の一部を示す平面図及び側面図である。

【0065】

図２５（ａ）及び図２５（ｂ）に示されるように、中上段メンテナンス時には、まず、作業者Ｐが、扉１０１を開け、中間領域３２ｍと外部空間とを連通させる。次に、作業者Ｐが、折り畳まれた梯子１０５を設置する。これにより、作業者Ｐは、梯子１０５上又は踏台１０４上において中段及び上段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。

【0066】

〔基板処理装置の変形例〕
（第１変形例）
図２６を参照、実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ａについて説明する。図２６は、実施形態の第１変形例に係る基板処理装置１Ａの平面図である。

【0067】

第１変形例では、図２６に示されるように、２つの乾燥ユニット３２ｂは搬送ブロック３１の片側（Ｙ軸方向正側）に設けられ、その２つの乾燥ユニット３２ｂの間に中間領域３２ｍが設けられる。中間領域３２ｍはメンテンナンス時に作業者が進入する領域ではなく、中間領域３２ｍの全体に電装ブロック３３を設置できる。この場合、基板処理装置１Ａの全高を低くできる。第１変形例では、乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅは搬送ブロック３１から離隔する方向（Ｙ軸正方向）に移動可能である。この場合、作業者Ｐは、中間領域３２ｍに入らなくても乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅにおける基板Ｗの搬入出口付近の部材を修理又は交換できる。なお、乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅは、搬送ブロック３１に接近する方向（Ｙ軸負方向）にも移動可能である。

【0068】

なお、第１変形例では、乾燥ユニット３２ｂのみがＹ軸正方向及びＹ軸負方向に移動可能であってもよい。

【0069】

（第２変形例）
図２７を参照し、実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１Ｂについて説明する。図２７は、実施形態の第２変形例に係る基板処理装置１Ｂの平面図である。

【0070】

第２変形例では、図２７に示されるように、２つの乾燥ユニット３２ｂは搬送ブロック３１の片側（Ｙ軸方向正側）に設けられ、その２つの乾燥ユニット３２ｂの間に中間領域３２ｍが設けられる。中間領域３２ｍはメンテンナンス時に作業者が進入する領域ではなく、中間領域３２ｍの全体に電装ブロック３３を設置できる。この場合、基板処理装置１Ｂの全高を低くできる。第２変形例では、乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅが水平回転可能である。例えば、第１単位ブロックＢ１の乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅは、反時計回りに９０°回転可能であってよい。例えば、第２単位ブロックＢ２の乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅは、時計回りに９０°回転可能であってよい。この場合、乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅの中間領域３２ｍと対向する面がＹ軸方向正側に向く。これにより、作業者Ｐは、中間領域３２ｍに入らなくても乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅにおける基板Ｗの搬入出口付近の部材を修理又は交換できる。なお、乾燥ユニット３２ｂ及び検査ユニット３２ｅは、時計回り方向と反時計回り方向の両方向に９０°回転可能である。

【0071】

なお、第２変形例では、乾燥ユニット３２ｂのみが水平回転可能であってもよい。

【0072】

（第３変形例）
図２８を参照し、実施形態の第３変形例に係る基板処理装置１Ｃについて説明する。図２８は、実施形態の第３変形例に係る基板処理装置１Ｃの平面図である。

【0073】

第３変形例では、図２８に示されるように、電装ブロック３３が中間領域３２ｍに設けられる。この場合、基板処理装置１Ｃの全高を低くできる。第３変形例では、電装ブロック３３が、搬送ブロック３１から離隔する方向（Ｙ軸正方向）に移動可能である。この場合、乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする際、作業者Ｐが、中間領域３２ｍの外部まで電装ブロック３３をＹ軸方向正側に移動させる。これにより、作業者Ｐは、中間領域３２ｍに入って乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。なお、作業者Ｐは、電装ブロック３３を中間領域３２ｍの外部に完全に移動させなくてもよい。電装ブロック３３を移動させる位置は、作業者Ｐが中間領域３２ｍに入ることができる位置であればよく、電装ブロック３３の一部が中間領域３２ｍに残る位置であってもよい。

【0074】

（第４変形例）
図２９から図３１を参照し、実施形態の第４変形例に係る基板処理装置１Ｄについて説明する。図２９は、実施形態の第４変形例に係る基板処理装置１Ｄの平面図である。図３０は、電装ブロック３３を示す斜視図である。図３１は、電装ブロック３３を示す側面図である。

【0075】

第４変形例では、図２９に示されるように、電装ブロック３３が中間領域３２ｍに設けられる。この場合、基板処理装置１Ｄの全高を低くできる。

【0076】

第４変形例では、図３０及び図３１に示されるように、電装ブロック３３が、鉛直方向に段積みされた３つの電装ボックス３３ａ、３３ｂ、３３ｃを有する。各電装ボックス３３ａ、３３ｂ、３３ｃは、互いに独立して移動可能である。この場合、段ごとにメンテナンス空間を確保できる。

【0077】

電装ブロック３３は、３つの電装ボックス３３ａ、３３ｂ、３３ｃと、保持部１２０と、を有する。

【0078】

電装ボックス３３ａ、３３ｂ、３３ｃは、それぞれ下段、中段、上段に設けられる。電装ボックス３３ａ、３３ｂ、３３ｃは、それぞれ下段、中段、上段の乾燥ユニット３２ｂの動作を制御する電子制御機器群と、電子制御機器群を収容する筐体とを備える。

【0079】

保持部１２０は、第１ベース１２１と、鉛直ガイドレール１２２と、鉛直可動部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃと、第２ベース１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃと、鉛直可動ロック１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃと、水平ガイドレール１２６ａ、１２６ｃと、水平可動部１２７ａ、１２７ｃと、水平可動ロック１２８ａ、１２８ｃとを有する。

【0080】

第１ベース１２１は、中間領域３２ｍのＹ軸方向負側の端部に設けられる。第１ベース１２１は、鉛直方向に沿って処理ステーション３の上端から下端まで延びる。

【0081】

鉛直ガイドレール１２２は、第１ベース１２１に固定される。鉛直ガイドレール１２２は、鉛直方向に沿って第１ベース１２１の上端から下端まで延びる。鉛直ガイドレール１２２は、例えばＬＭ（Linear Motion）レールであってよい。

【0082】

鉛直可動部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは、それぞれ鉛直ガイドレール１２２に沿って鉛直方向に移動可能に設けられる。鉛直可動部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは、下方からこの順に設けられる。鉛直可動部１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃは、例えばＬＭブロックであってよい。

【0083】

第２ベース１２４ａは、鉛直可動部１２３ａに固定される鉛直部分と、鉛直部分の下端にてＬ字状に屈曲してＹ軸方向正側に延びる水平部分とを有する。第２ベース１２４ｂは、鉛直可動部１２３ｂに固定される鉛直部分を有する。第２ベース１２４ｂには、電装ボックス３３ｂが固定される。第２ベース１２４ｃは、鉛直可動部１２３ｃに固定される鉛直部分と、鉛直部分の上端にてＬ字状に屈曲してＹ軸方向正側に延びる水平部分とを有する。

【0084】

鉛直可動ロック１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃは、それぞれ第１ベース１２１に対する第２ベース１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃの鉛直方向に沿った移動をロックする。

【0085】

水平ガイドレール１２６ａ、１２６ｃは、それぞれ第２ベース１２４ａ、１２４ｃの水平部分に固定される。水平ガイドレール１２６ａ、１２６ｃは、Ｙ軸方向に沿って延びる。水平ガイドレール１２６ａ、１２６ｃは、例えばＬＭレールであってよい。

【0086】

水平可動部１２７ａ、１２７ｃは、それぞれ水平ガイドレール１２６ａ、１２６ｃに沿ってＹ軸方向に移動可能に設けられる。水平可動部１２７ａ、１２７ｃには、それぞれ電装ボックス３３ａ、３３ｃが固定される。水平可動部１２７ａ、１２７ｃは、例えばＬＭブロックであってよい。

【0087】

水平可動ロック１２８ａ、１２８ｃは、それぞれ第２ベース１２４ａ、１２４ｃに対する電装ボックス３３ａ、３３ｃのＹ軸方向に沿った移動をロックする。

【0088】

係る保持部１２０によれば、電装ボックス３３ａは、鉛直可動部１２３ａを鉛直ガイドレール１２２に沿って移動させることにより昇降し、水平可動部１２７ａを水平ガイドレール１２６ａに沿って移動させることによりＹ軸方向に沿って水平移動する。電装ボックス３３ｂは、鉛直可動部１２３ｂを鉛直ガイドレール１２２に沿って移動させることにより昇降する。電装ボックス３３ｃは、鉛直可動部１２３ｃを鉛直ガイドレール１２２に沿って移動させることにより昇降し、水平可動部１２７ｃを水平ガイドレール１２６ｃに沿って移動させることによりＹ軸方向に沿って水平移動する。

【0089】

図３２を参照し、下段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする方法について説明する。図３２は、下段メンテナンス時の電装ブロック３３の動作を示す側面図である。

【0090】

まず、図３２（ａ）に示されるように、作業者Ｐは、中間領域３２ｍから電装ボックス３３ｃを引き出す。具体的には、作業者Ｐは、水平可動ロック１２８ｃによる電装ボックス３３ｃの固定を解除し、水平可動部１２７ｃを水平ガイドレール１２６ｃに沿ってＹ軸方向正側に移動させる。

【0091】

次に、図３２（ｂ）に示されるように、作業者Ｐは、上段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置まで電装ボックス３３ｂを上昇させる。具体的には、作業者Ｐは、鉛直可動ロック１２５ｂによる電装ボックス３３ｂの固定を解除し、鉛直可動部１２３ｂを鉛直ガイドレール１２２に沿ってＺ軸方向正側に移動させる。

【0092】

次に、図３３（ｃ）に示されるように、作業者Ｐは、中段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置まで電装ボックス３３ａを上昇させる。具体的には、作業者Ｐは、鉛直可動ロック１２５ａによる電装ボックス３３ａの固定を解除し、鉛直可動部１２３ａを鉛直ガイドレール１２２に沿ってＺ軸方向正側に移動させる。

【0093】

以上により、中間領域３２ｍにおいて、下段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置に下段メンテナンス空間Ｍａが形成される。その結果、作業者Ｐは下段メンテナンス空間Ｍａに入って、下段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。

【0094】

図３３を参照し、中段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする方法について説明する。図３３は、中段メンテナンス時の電装ブロック３３の動作を示す側面図である。

【0095】

まず、図３３（ａ）に示されるように、作業者Ｐは、中間領域３２ｍから電装ボックス３３ｃを引き出す。具体的には、作業者Ｐは、水平可動ロック１２８ｃによる電装ボックス３３ｃの固定を解除し、水平可動部１２７ｃを水平ガイドレール１２６ｃに沿ってＹ軸方向正側に移動させる。

【0096】

次に、図３３（ｂ）に示されるように、作業者Ｐは、上段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置まで電装ボックス３３ｂを上昇させる。具体的には、作業者Ｐは、鉛直可動ロック１２５ｂによる電装ボックス３３ｂの固定を解除し、鉛直可動部１２３ｂを鉛直ガイドレール１２２に沿ってＺ軸方向正側に移動させる。

【0097】

以上により、中間領域３２ｍにおいて、中段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置に中段メンテナンス空間Ｍｂが形成される。その結果、作業者Ｐは中段メンテナンス空間Ｍｂに入って、中段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。

【0098】

図３４を参照し、上段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスする方法について説明する。図３４は、上段メンテナンス時の電装ブロック３３の動作を示す側面図である。

【0099】

まず、図３４（ａ）に示されるように、作業者Ｐは、中間領域３２ｍから電装ボックス３３ａを引き出す。具体的には、作業者Ｐは、水平可動ロック１２８ａによる電装ボックス３３ａの固定を解除し、水平可動部１２７ａを水平ガイドレール１２６ａに沿ってＹ軸方向正側に移動させる。

【0100】

次に、図３４（ｂ）に示されるように、作業者Ｐは、下段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置まで電装ボックス３３ｂを下降させる。具体的には、作業者Ｐは、鉛直可動ロック１２５ｂによる電装ボックス３３ｂの固定を解除し、鉛直可動部１２３ｂを鉛直ガイドレール１２２に沿ってＺ軸方向負側に移動させる。

【0101】

次に、図３４（ｃ）に示されるように、作業者Ｐは、中段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置まで電装ボックス３３ｃを下降させる。具体的には、作業者Ｐは、鉛直可動ロック１２５ｃによる電装ボックス３３ｃの固定を解除し、鉛直可動部１２３ｃを鉛直ガイドレール１２２に沿ってＺ軸方向負側に移動させる。

【0102】

以上により、中間領域３２ｍにおいて、上段の乾燥ユニット３２ｂと同じ高さ位置に上段メンテナンス空間Ｍｃが形成される。その結果、作業者Ｐは上段メンテナンス空間Ｍｃに入って、上段の乾燥ユニット３２ｂをメンテナンスできる。

【0103】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0104】

上記の実施形態では、同じ単位ブロックに含まれる複数の液膜形成ユニット３２ａの各々と乾燥ユニット３２ｂとの間で基板Ｗの搬送経路の長さが等しい場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、同じ単位ブロックに含まれる複数の液膜形成ユニット３２ａの各々と乾燥ユニット３２ｂとの間で基板Ｗの搬送時間が等しくなるように第２搬送装置３１ａが基板Ｗを搬送するようにしてもよい。この場合にも、２つの液膜形成ユニット３２ａの各々で基板Ｗの上面に形成された液膜が乾燥ユニット３２ｂで超臨界流体と置換されるまでの時間を等しくできる。その結果、各液膜形成ユニット３２ａで処理される基板Ｗの処理品質のばらつきを低減できる。基板Ｗの搬送時間は、例えば第２搬送装置３１ａの移動速度を制御することにより調整されてよい。基板Ｗの搬送時間は、例えば基板Ｗの上面に液膜が形成された後に、液膜形成ユニット３２ａ内に待機する時間や第２搬送装置３１ａに保持された状態で第２搬送装置３１ａが停止する時間を制御することにより調整されてもよい。

【符号の説明】

【0105】

３１ 搬送ブロック
３１ａ 第２搬送装置
３２ａ 液膜形成ユニット
３２ｂ 乾燥ユニット
Ｂ１ 第１単位ブロック
Ｂ２ 第２単位ブロック
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】