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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101460
(43)【公開日】2024-07-29
(54)【発明の名称】ニッケルめっき材及びタブリード用リード導体
(51)【国際特許分類】
C25D 7/00 20060101AFI20240722BHJP
C25D 7/06 20060101ALI20240722BHJP
C25D 5/34 20060101ALI20240722BHJP
【ＦＩ】
C25D7/00 G
C25D7/06 A
C25D5/34
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023005463
(22)【出願日】2023-01-17
(71)【出願人】
【識別番号】502362758
【氏名又は名称】ＪＸ金属株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000523
【氏名又は名称】アクシス国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼橋 知亮
(72)【発明者】
【氏名】成井 浩徳
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 康則
(72)【発明者】
【氏名】澁谷 義孝
【テーマコード（参考）】
4K024
【Ｆターム（参考）】
4K024AA03
4K024AA09
4K024AB01
4K024AB02
4K024BA09
4K024BB09
4K024BC02
4K024DA07
4K024GA07
(57)【要約】
【課題】成形加工性に優れるニッケルめっき材を提供する。
【解決手段】金属基材と、前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層とを備えるニッケルめっき材である。前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上である。
【選択図】なし
【解決手段】金属基材と、前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層とを備えるニッケルめっき材である。前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上である。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属基材と、
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材。
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材。
【請求項2】
金属基材と、
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合に、Ｂ／Ａが０．４０以上であるニッケルめっき材。
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合に、Ｂ／Ａが０．４０以上であるニッケルめっき材。
【請求項3】
前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度が５．０％以上である、請求項２に記載のニッケルめっき材。
【請求項4】
前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２００）面の配向度が６．０％以下である、請求項２又は３に記載のニッケルめっき材。
【請求項5】
前記金属基材と前記ニッケルめっき層との間に銅めっき層が形成されている、請求項１又は２に記載のニッケルめっき材。
【請求項6】
前記金属基材が銅又は銅合金である、請求項１又は２に記載のニッケルめっき材。
【請求項7】
前記金属基材がコルソン合金である、請求項１又は２に記載のニッケルめっき材。
【請求項8】
前記金属基材が条の形態である、請求項１又は２に記載のニッケルめっき材。
【請求項9】
前記ニッケルめっき層の厚みが０．１～３．０μｍである、請求項１又は２に記載のニッケルめっき材。
【請求項10】
前記銅めっき層の厚みが０．１～１０．０μｍである、請求項５に記載のニッケルめっき材。
【請求項11】
請求項１又は２に記載のニッケルめっき材を備えるタブリード用リード導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ニッケルめっき材及びタブリード用リード導体に関する。
【背景技術】
【0002】
銅、銅合金などの金属基材にニッケルめっき層が形成されたニッケルめっき材が、電子部品、自動車部品などの各種用途で用いられている。
ニッケルめっき材は、プレス加工、曲げ加工などの成形加工を施すことによって各種用途に適した形状に加工される。しかしながら、ニッケルめっき層は延性に乏しいため、ニッケルめっき材を加工する際に、ニッケルめっき層に割れが生じてしまうことがある。この場合、ニッケルめっき層の割れを起点として金属基材が腐食するなどの問題が生じ得る。
ニッケルめっき材は、プレス加工、曲げ加工などの成形加工を施すことによって各種用途に適した形状に加工される。しかしながら、ニッケルめっき層は延性に乏しいため、ニッケルめっき材を加工する際に、ニッケルめっき層に割れが生じてしまうことがある。この場合、ニッケルめっき層の割れを起点として金属基材が腐食するなどの問題が生じ得る。
【0003】
上記の問題に対し、金属基材を成形加工した後にニッケルめっきを施すことが考えられる。しかしながら、複雑な形状への成形加工が行われる場合、ニッケルめっきを施すことが難しく、そのコストも増大してしまう。そのため、金属基材に予めニッケルめっきを施したニッケルめっき材を成形加工することが望ましい。
【0004】
成形加工性に優れるニッケルめっき材として、特許文献１には、表層の加工変質層が除去された金属基材上にニッケルめっき層を設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００６－２２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
特許文献１に記載のニッケルめっき材は、成形加工性が十分であるとはいえず、加工の程度によってはニッケルめっき層の割れを抑制できない。例えば、タブリード用リード導体（特に、車載用）にニッケルめっき材を用いる場合、ニッケルめっき材には高い曲げ性が要求されることがあるが、特許文献１に記載のニッケルめっき材では、ニッケルめっき層の割れを抑制できないことがある。
【0007】
本発明の実施形態は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、成形加工性に優れるニッケルめっき材、及びこのニッケルめっき材を用いたタブリード用リード導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは、上記の問題を解決すべくニッケルめっき材について鋭意研究を行った結果、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度に対するニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度の比が、ニッケルめっき材の成形加工性と密接に関係しているという知見に基づき、当該比を１００以上に制御することにより、ニッケルめっき材の成形加工性を向上させ得ることを見出し、本発明の実施形態を完成するに至った。
【0009】
また、本発明者らは、金属基材の表面（測定面）においてＥＢＳＤによって求められる、（２２０）面の結晶粒が占める面積率（すなわち、金属基材の（２２０）面の配向度）に対するニッケルめっき層の表面（測定面）においてＥＢＳＤによって求められる、（２２０）面の結晶粒が占める面積率（すなわち、ニッケルめっき層の（２２０）面の配向度）の比が、ニッケルめっき材の成形加工性と密接に関係しているという知見に基づき、当該比を０．４０以上に制御することにより、ニッケルめっき材の成形加工性を向上させ得ることを見出し、本発明の実施形態を完成するに至った。
【0010】
すなわち、本発明の実施形態は、一つの側面において、金属基材と、前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層とを備え、前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材に関する。
【0011】
また、本発明の実施形態は、別の側面において、金属基材と、前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層とを備え、前記金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合にＢ／Ａが０．４０以上であるニッケルめっき材に関する。
【0012】
さらに、本発明の実施形態は、別の側面において、前記ニッケルめっき材を備えるタブリード用リード導体に関する。
【発明の効果】
【0013】
本発明の実施形態によれば、成形加工性に優れるニッケルめっき材、及びこのニッケルめっき材を用いたタブリード用リード導体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】試験１におけるＩ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔ又は（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値との関係を表すグラフである。
【図2】試験２におけるＩ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔ又は（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値との関係を表すグラフである。
【図3】試験３におけるＩ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔ又は（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明の好適な実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されて解釈されるべきものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づいて、種々の変更、改良などを行うことができる。以下の実施形態に開示されている複数の構成要素は、適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、以下の実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【0016】
本発明の実施形態に係るニッケルめっき材は、金属基材と、金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層とを備える。
【0017】
金属基材としては、特に限定されず、例えば、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ステンレス、ニッケル、ニッケル合金、チタン、チタン合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、亜鉛合金などから構成される金属基材を用いることができる。これらの中でも金属基材は、コスト、導電性、成形加工性の観点から銅又は銅合金が好ましく、その中でも強度が求められる場合はコルソン合金が好ましい。コルソン合金は、Ｎｉ及びＣｏのうち少なくとも１種以上と、Ｓｉとを含む銅合金であり、Ｓｉを０．２～１．５質量％、ＮｉとＣｏとを合わせて０．４～５．０質量％含むことが好ましい。
【0018】
金属基材の形状は、特に限定されず、例えば、条、板、箔などの形態とすることができる。これらの中でも金属基材は、生産性の観点から、条の形態であることが好ましい。
また、金属基材の厚みは、特に限定されないが、例えば０．０２～１．０ｍｍである。
また、金属基材の厚みは、特に限定されないが、例えば０．０２～１．０ｍｍである。
【0019】
ニッケルめっき層は、金属基材上に直接的に形成されていてもよいし、金属基材上に他の層（例えば、下記で例示する銅めっき層など）を介して間接的に形成されていてもよい。
また、ニッケルめっき層は、金属基材の少なくとも一つの面に形成されていればよい。すなわち、ニッケルめっき層は、金属基材の一方の面に形成されていてもよいし、金属基材の両面に形成されていてもよい。
また、ニッケルめっき層は、金属基材の少なくとも一つの面に形成されていればよい。すなわち、ニッケルめっき層は、金属基材の一方の面に形成されていてもよいし、金属基材の両面に形成されていてもよい。
【0020】
ニッケルめっき層は、一つの側面において、所定のＸ線回折強度の条件を満たす。すなわち、ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上である。Ｉ／Ｉ0を１００以上に制御することにより、ニッケルめっき材の成形加工性を向上させることができる。この効果を安定して確保する観点から、Ｉ／Ｉ0は１１０以上が好ましく、１２０以上がより好ましい。なお、Ｉ／Ｉ0の上限は、特に限定されないが、例えば、５００である。
【0021】
ここで、ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度は、ニッケルめっき材の表面に対してＸ線回折を実施し、（２２０）面の回折ピーク強度を測定することによって求めることができる。また、ランダム方位試料としてのニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度は、Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｆｉｌｅ（ＰＤＦ）のデータベースに収録された標準物質の回折ピーク強度を使用した。なお、Ｘ線回折の測定条件は、以下の通りとする。
Ｘ線回折測定装置：株式会社リガク製ＳｍａｒｔＬａｂ
Ｘ線出力：４５ｋＶ－２００ｍＡ
光学系：集中法
走査軸：２θ／θ
走査法：連続スキャン
走査範囲：５～１５０°
ステップ：０．０１°
スキャンスピード：２０°／分
試料回転：あり（２０ｒｐｍ）
Ｘ線回折測定装置：株式会社リガク製ＳｍａｒｔＬａｂ
Ｘ線出力：４５ｋＶ－２００ｍＡ
光学系：集中法
走査軸：２θ／θ
走査法：連続スキャン
走査範囲：５～１５０°
ステップ：０．０１°
スキャンスピード：２０°／分
試料回転：あり（２０ｒｐｍ）
【0022】
ニッケルめっき層は、別の側面において、所定の（２２０）面の配向度の条件を満たす。すなわち、金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合に、Ｂ／Ａが０．４０以上である。Ｂ／Ａを０．４０以上に制御することにより、ニッケルめっき材の成形加工性を向上させることができる。この効果を安定して確保する観点から、Ｂ／Ａは０．４２以上が好ましく、０．４５以上がより好ましい。なお、Ｂ／Ａの上限は、特に限定されないが、例えば、５．００、３．００又は２．５０である。
【0023】
ここで、金属基材及びニッケルめっき層の表面における（２２０）面の配向度は、各層の表面に対してＳＥＭ－ＥＢＳＤを用い、方位解析を行うことによって測定される。ＳＥＭ－ＥＢＳＤの測定条件は、以下の通りとする。
（装置名）
株式会社日立ハイテク製 走査電子顕微鏡 ＳＵ－７０
（測定手順）
１．試験片表面の法線方向を入射電子線に対して７０°傾けた状態で試料ホルダーに設置する。
２．試験片の傾斜面にフォーカスした電子線を照射する。
（測定条件）
加速電圧：１５ｋＶ
照射電流量：１２．５ｎＡ
ワーキングディスタンス：１５ｍｍ
ステップ幅：０．２５μｍ
観察視野：６０μｍ×６０μｍ
（測定ソフト）
株式会社ＴＳＬソリューションズ製 ＴＳＬ ＯＩＭ Ｄａｔａ ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ
（解析ソフト）
株式会社ＴＳＬソリューションズ製 ＴＳＬ ＯＩＭ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖ８
（解析手順）
（２２０）面からの方位のずれが１０°以内の箇所の面積を測定した。
なお、金属基材の露出箇所がない場合は、ニッケルめっき層及び／又は銅めっき層をエッチングで除去した後の金属基材で測定する。その際、金属基材の表面がなるべくエッチングされないように注意する。金属基材の測定結果は、表面の加工変質層の有無によって大きく変わるためである。銅めっき層は３０℃のリン酸系電解液中で電流密度５０Ａ／ｄｍ2の電解エッチングにより除去する。ニッケルめっき層は、２５℃の希硫酸（３～４７体積％）中での電解エッチングにより除去する。
後述する実施例において銅めっき層の表面に対してＥＢＳＤ測定を行っているサンプルがあるが、これも銅めっき層の露出箇所がない場合は、ニッケルめっき層を上記の条件で除去して銅めっき層を露出させることでＥＢＳＤ測定を行なうことができる。なお、銅めっき層は金属基材ほど測定深さによる測定結果への影響は大きくないため、銅めっき層の表面から深さ０．５μｍまでであれば測定結果に大きな差はないと考えられる。
（装置名）
株式会社日立ハイテク製 走査電子顕微鏡 ＳＵ－７０
（測定手順）
１．試験片表面の法線方向を入射電子線に対して７０°傾けた状態で試料ホルダーに設置する。
２．試験片の傾斜面にフォーカスした電子線を照射する。
（測定条件）
加速電圧：１５ｋＶ
照射電流量：１２．５ｎＡ
ワーキングディスタンス：１５ｍｍ
ステップ幅：０．２５μｍ
観察視野：６０μｍ×６０μｍ
（測定ソフト）
株式会社ＴＳＬソリューションズ製 ＴＳＬ ＯＩＭ Ｄａｔａ ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ
（解析ソフト）
株式会社ＴＳＬソリューションズ製 ＴＳＬ ＯＩＭ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖ８
（解析手順）
（２２０）面からの方位のずれが１０°以内の箇所の面積を測定した。
なお、金属基材の露出箇所がない場合は、ニッケルめっき層及び／又は銅めっき層をエッチングで除去した後の金属基材で測定する。その際、金属基材の表面がなるべくエッチングされないように注意する。金属基材の測定結果は、表面の加工変質層の有無によって大きく変わるためである。銅めっき層は３０℃のリン酸系電解液中で電流密度５０Ａ／ｄｍ2の電解エッチングにより除去する。ニッケルめっき層は、２５℃の希硫酸（３～４７体積％）中での電解エッチングにより除去する。
後述する実施例において銅めっき層の表面に対してＥＢＳＤ測定を行っているサンプルがあるが、これも銅めっき層の露出箇所がない場合は、ニッケルめっき層を上記の条件で除去して銅めっき層を露出させることでＥＢＳＤ測定を行なうことができる。なお、銅めっき層は金属基材ほど測定深さによる測定結果への影響は大きくないため、銅めっき層の表面から深さ０．５μｍまでであれば測定結果に大きな差はないと考えられる。
【0024】
ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度Ｂは、上記のＢ／Ａの範囲を満たせば特に限定されないが、好ましくは５．０％以上、より好ましくは５．５％以上である。配向度Ｂを上記の範囲に制御することにより、Ｂ／Ａを上記の範囲に制御し易くなる。配向度Ｂの上限は、例えば、４０．０％、３５．０％又は３０．０％である。
【0025】
ニッケルめっき層は、ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２００）面の配向度が６．０％以下であることが好ましく、４．０％以下であることがより好ましく、２．０％以下であることが更に好ましい。この（２００）面の配向度を上記の範囲に制御することにより、ニッケルめっき材の成形加工性を安定して向上させることができる。なお、この（２００）面の配向度の下限値は、特に限定されないが、例えば、０．１％、０．５％又は１．０％である。
なお、この（２００）面の配向度は、上記と同様の条件でＥＢＳＤを行い、方位解析を行うことよって算出することができる。
なお、この（２００）面の配向度は、上記と同様の条件でＥＢＳＤを行い、方位解析を行うことよって算出することができる。
【0026】
ニッケルめっき層の厚みは、特に限定されないが、０．１～３．０μｍが好ましく、０．３～２．５μｍがより好ましく、０．５～２．０μｍが更に好ましい。ニッケルめっき層の厚みを０．１μｍ以上とすることにより、ニッケルめっき層による効果（耐腐食性や、ニッケルめっき層の上に貴金属めっきを行う場合の基材成分の拡散防止効果）が安定して確保される。また、ニッケルめっき層の厚みを３．０μｍ以下とすることにより、所望の金属組織を有するニッケルめっき層が得られ易くなり、ニッケルめっき材の成形加工性が安定して向上する。
【0027】
ニッケルめっき層が金属基材上に間接的に形成される場合、金属基材とニッケルめっき層との間に形成される他の層としては、特に限定されないが、銅めっき層が好ましい。銅めっき層を設けることにより、金属基材の結晶組織とニッケルめっき層の結晶組織との整合性が向上するため、ニッケルめっき材の成形加工性が向上すると考えられる。
【0028】
金属基材とニッケルめっき層との間に銅めっき層が形成される場合、銅めっき層の厚みは、特に限定されないが、０．１～１０．０μｍが好ましく、０．１～５．０μｍがより好ましく、０．１～１．２μｍが更に好ましい。銅めっき層の厚みを０．１μｍ以上とすることにより、金属基材上に銅めっき層が形成されていない箇所の発生を抑制できるため、銅めっき層による効果が安定して確保される。また、銅めっき層の厚みを１０．０μｍ以下とすることにより、銅めっき層上に所望の金属組織を有するニッケルめっき層が得られ易くなるとともに、実際の操業の際に銅めっきを行う際の負担が少なくなる。
【0029】
本発明の実施形態に係るニッケルめっき材の製造方法は、上記のような特徴を有するニッケルめっき材を製造可能であれば特に限定されない。以下に典型的な製造方法を説明する。
本発明の実施形態に係るニッケルめっき材は、連続めっきラインにおいて、金属基材の表面をエッチングした後、ニッケルめっき層を形成することによって製造することができる。また、金属基材とニッケルめっき層との間に銅めっき層が形成される場合、金属基材の表面をエッチングした後、ニッケルめっき層を形成する前に、銅めっき層を形成すればよい。或いは、金属基材の表面をエッチングしない場合であっても、銅めっき層を形成する際の電流密度を低くするとともに、銅めっき層の厚みを大きくすることにより、本発明の実施形態に係るニッケルめっき材を製造することができる。
本発明の実施形態に係るニッケルめっき材は、連続めっきラインにおいて、金属基材の表面をエッチングした後、ニッケルめっき層を形成することによって製造することができる。また、金属基材とニッケルめっき層との間に銅めっき層が形成される場合、金属基材の表面をエッチングした後、ニッケルめっき層を形成する前に、銅めっき層を形成すればよい。或いは、金属基材の表面をエッチングしない場合であっても、銅めっき層を形成する際の電流密度を低くするとともに、銅めっき層の厚みを大きくすることにより、本発明の実施形態に係るニッケルめっき材を製造することができる。
【0030】
金属基材のエッチングは、化学エッチングや電解エッチングなどの公知の方法を用いて行うことができる。ただし、金属基材のエッチングでは、加工変質層が形成された領域よりも深く表層を除去することが必要である。表層の加工変質層は、その金属基材の加工履歴にもよるが、概ね金属基材の表面から０．５μｍの領域に存在しており、当該加工変質層が存在している領域よりも更に深く（典型的には金属基材の表面から１．０μｍ程度）除去し、金属基材の母相を表面に露出させることが必要である。このように金属基材の母相を表面に露出させた上で、銅めっき層又はニッケルめっき層を形成することにより、所望の特徴を有するニッケルめっき層が形成され易くなる。
【0031】
金属基材を化学エッチングする場合、ニッケルめっき層を形成する前に銅めっき層を形成することが望ましい。これは、化学エッチングした金属基材上にニッケルめっき層を直接的に形成すると、上記のＩ／Ｉ0やＢ／Ａが所定の範囲外となってしまい、所望の成形加工性が得られないためである。
【0032】
化学エッチングの条件としては、特に限定されず、所定のエッチング深さとなるように条件を設定すればよい。例えば、硫酸、硝酸、塩酸、過酸化水素水、フッ酸などの酸から構成されるエッチング液を用い、所定のエッチング深さとなるまで金属基材を浸漬すればよい。また、エッチング液としては、市販のエッチング液を用いてもよい。なお、化学エッチングの時間及び温度は、使用するエッチング液の種類に応じて適宜設定すればよい。
【0033】
他方、金属基材を電解エッチングする場合、ニッケルめっき層を形成する前に銅めっき層を形成しなくてもよい。これは、電解エッチングした金属基材上にニッケルめっき層を直接的に形成しても、上記のＩ／Ｉ0やＢ／Ａが所定の範囲内となり易いためである。
【0034】
電解エッチングの条件としては、特に限定されず、所定のエッチング深さとなるように条件を設定すればよい。例えば、リン酸系電解液などの電解液中に金属基材を浸漬し、所定のエッチング深さとなるまで金属基材を電解処理すればよい。電解エッチングの条件（例えば、電解液の温度、電流密度、エッチング時間）は、使用する電解液の種類に応じて適宜設定すればよい。
【0035】
ニッケルめっき層及び銅めっき層は、公知の方法に準じて形成することができる。例えば、ニッケルめっき層及び銅めっき層は、電気めっきによって形成することができる。その条件は、使用する電気めっき装置に応じて調整すればよく特に限定されないが、一般的な電気めっき装置を用いてニッケルめっき層及び銅めっき層を形成する際の条件は以下の通りである。なお、電気めっきは、１回であってもよいし、複数回行ってもよい。
【0036】
（ニッケルめっき層）
めっき液組成：３００～６５０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、０～３０ｇ／Ｌの塩化ニッケル、３０～４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５０～６０℃
電流密度：２～５０Ａ／ｄｍ2
ただし、金属基材を電解エッチングし、銅めっき層も形成しない場合、その理由は不明であるものの、ニッケルめっきの電流密度が高いほどニッケルめっき材の成形加工性が良好になる傾向がみられることから、ニッケルめっきの電流密度は４０Ａ／ｄｍ2以上とすることが好ましい。一方、金属基材を化学エッチングし、銅めっき層も形成しない場合には、ニッケルめっきの電流密度とニッケルめっき材の成形加工性との間に相関は見られない。
めっき液組成：３００～６５０ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、０～３０ｇ／Ｌの塩化ニッケル、３０～４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５０～６０℃
電流密度：２～５０Ａ／ｄｍ2
ただし、金属基材を電解エッチングし、銅めっき層も形成しない場合、その理由は不明であるものの、ニッケルめっきの電流密度が高いほどニッケルめっき材の成形加工性が良好になる傾向がみられることから、ニッケルめっきの電流密度は４０Ａ／ｄｍ2以上とすることが好ましい。一方、金属基材を化学エッチングし、銅めっき層も形成しない場合には、ニッケルめっきの電流密度とニッケルめっき材の成形加工性との間に相関は見られない。
【0037】
（銅めっき層）
めっき液組成：１５０～２７０ｇ／Ｌの硫酸銅、４０～９０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４０～５０℃
電流密度：２～５０Ａ／ｄｍ2
ただし、銅めっきの電流密度を高くする場合、その理由は不明であるものの、銅めっき層の厚さを小さくすることで成形加工性が良好になる傾向がみられる。同様に、銅めっきの電流密度を低くする場合、その理由は不明であるものの、銅めっき層の厚さを大きくすることで成形加工性が良好になる傾向がみられる。なお、銅めっき層の厚さは、めっき時間を制御することによって調整することができる。
また、金属基材をエッチングしない場合、銅めっきの電流密度を１０Ａ／ｄｍ2以下（例えば、２．５Ａ／ｄｍ2）にし、銅めっき層の厚さを６μｍ以上（例えば、１０μｍ）とすれば、成形加工性が良好になる。
めっき液組成：１５０～２７０ｇ／Ｌの硫酸銅、４０～９０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４０～５０℃
電流密度：２～５０Ａ／ｄｍ2
ただし、銅めっきの電流密度を高くする場合、その理由は不明であるものの、銅めっき層の厚さを小さくすることで成形加工性が良好になる傾向がみられる。同様に、銅めっきの電流密度を低くする場合、その理由は不明であるものの、銅めっき層の厚さを大きくすることで成形加工性が良好になる傾向がみられる。なお、銅めっき層の厚さは、めっき時間を制御することによって調整することができる。
また、金属基材をエッチングしない場合、銅めっきの電流密度を１０Ａ／ｄｍ2以下（例えば、２．５Ａ／ｄｍ2）にし、銅めっき層の厚さを６μｍ以上（例えば、１０μｍ）とすれば、成形加工性が良好になる。
【0038】
本発明の実施形態に係るニッケルめっき材は、成形加工性に優れるため、複雑な形状への成形加工が要求される様々な用途で用いるのに適している。例えば、本発明の実施形態に係るニッケルめっき材は、複雑な形状への加工や厳しい曲げ加工が施されるコネクタ、スイッチ、又は高い曲げ性が求められるタブリード用リード導体として用いるのに適している。タブリード用リード導体において、ニッケルめっき材は、帯状に加工して一般に用いられる。これらの用途に用いられるニッケルめっき材は、ニッケルめっき材のみから構成されていてもよいし、ニッケルめっき材に加えて、ニッケルめっき材以外の部材（例えばニッケルめっき層の上に貴金属めっき層）を更に備えていてもよい。
【実施例0039】
以下、本発明の実施形態を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【0040】
（試験１）
以下のニッケルめっき材のサンプルＡ～Ｆを作製した。
サンプルＡ：金属基材として黄銅を用い、金属基材上にニッケルめっき層を形成した。
サンプルＢ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を化学エッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成した。
サンプルＣ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を電解エッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成した。
サンプルＤ：金属基材として黄銅を用い、金属基材上に電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
サンプルＥ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を化学エッチングした後、電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
サンプルＦ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を電解エッチングした後、電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
以下のニッケルめっき材のサンプルＡ～Ｆを作製した。
サンプルＡ：金属基材として黄銅を用い、金属基材上にニッケルめっき層を形成した。
サンプルＢ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を化学エッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成した。
サンプルＣ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を電解エッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成した。
サンプルＤ：金属基材として黄銅を用い、金属基材上に電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
サンプルＥ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を化学エッチングした後、電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
サンプルＦ：金属基材として黄銅を用い、金属基材の表面を電解エッチングした後、電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成した。
【0041】
上記の試験における具体的な条件は以下の通りとした。
＜金属基材＞
黄銅：厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－３０Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
＜金属基材＞
黄銅：厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－３０Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
【0042】
＜化学エッチング＞
エッチング液として三菱ガス化学株式会社製のＣＰＢ－４０Ｎを水で２倍に希釈したものを用い、金属基材を２５℃のエッチング液中で１分間揺動することによって化学エッチングを行った。この化学エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
エッチング液として三菱ガス化学株式会社製のＣＰＢ－４０Ｎを水で２倍に希釈したものを用い、金属基材を２５℃のエッチング液中で１分間揺動することによって化学エッチングを行った。この化学エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
【0043】
＜電解エッチング＞
３０℃のリン酸系電解液中に金属基材を浸漬し、電流密度を５０Ａ／ｄｍ2、エッチング時間を６秒として電解エッチングを行った。この電解エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
３０℃のリン酸系電解液中に金属基材を浸漬し、電流密度を５０Ａ／ｄｍ2、エッチング時間を６秒として電解エッチングを行った。この電解エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
【0044】
＜銅めっき層の形成＞
めっき液組成：２４０ｇ／Ｌの硫酸銅、８０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４５℃
電流密度：２．５～４０Ａ／ｄｍ2
銅めっき層の厚み：０．２～１０μｍ
めっき液組成：２４０ｇ／Ｌの硫酸銅、８０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４５℃
電流密度：２．５～４０Ａ／ｄｍ2
銅めっき層の厚み：０．２～１０μｍ
【0045】
＜ニッケルめっき層の形成＞
めっき液組成：６００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５５℃
電流密度：２．５～５０Ａ／ｄｍ2
めっき液組成：６００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５５℃
電流密度：２．５～５０Ａ／ｄｍ2
【0046】
上記のようにして得られたニッケルめっき材の各サンプルについて、以下の評価を行った。
【0047】
＜Ｉ／Ｉ0＞
上記した方法にしたがい、ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度Ｉを測定し、Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｆｉｌｅ（ＰＤＦ）のデータベースに収録されたニッケル標準粉末（標準物質）の回折ピーク強度Ｉ0を用いてＩ／Ｉ0を算出した。
上記した方法にしたがい、ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度Ｉを測定し、Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｆｉｌｅ（ＰＤＦ）のデータベースに収録されたニッケル標準粉末（標準物質）の回折ピーク強度Ｉ0を用いてＩ／Ｉ0を算出した。
【0048】
＜成形加工性（ＭＢＲ／ｔ）＞
ニッケルめっき材のサンプルから１０ｍｍ×３０ｍｍの試験片を切り出した。この試験片について、曲げ角度９０°のＷ曲げ試験を行った。断面観察においてクラックの発生しなかった曲げ半径Ｒを試験片の厚みで割った値を安全曲げ半径（ＭＢＲ／ｔ）とした。ＭＢＲ／ｔの値が小さいほど、曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
ニッケルめっき材のサンプルから１０ｍｍ×３０ｍｍの試験片を切り出した。この試験片について、曲げ角度９０°のＷ曲げ試験を行った。断面観察においてクラックの発生しなかった曲げ半径Ｒを試験片の厚みで割った値を安全曲げ半径（ＭＢＲ／ｔ）とした。ＭＢＲ／ｔの値が小さいほど、曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
【0049】
上記の評価結果を図１に示す。図１の上段は、Ｉ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔとの関係を表すグラフである。また、図１の下段は、サンプルＡのＭＢＲ／ｔの最大値（ＢＭ値）で各サンプルのＭＢＲ／ｔの値を規格化したグラフである。規格化されたＭＢＲ／ｔの値を「（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値」と表す。（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値は、０．５以下であれば曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
【0050】
図１に示されるように、サンプルＡ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層なし）、サンプルＢ（金属基材への化学エッチングあり、銅めっき層なし）、サンプルＣ（金属基材への電解エッチングあり、銅めっき層なし）、及びサンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）は、概ね、Ｉ／Ｉ0が１００未満であって（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５を超えていた。一方、サンプルＥ（金属基材への化学エッチングあり、銅めっき層あり）及びサンプルＦ（金属基材への電解エッチングあり、銅めっき層あり）は、概ね、Ｉ／Ｉ0が１００以上であって（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下となっている。
しかしながら、上記の傾向に反するニッケルめっき材も存在する。
例えば、サンプルＥ（金属基材への化学エッチングあり、銅めっき層あり）であっても、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５を上回るニッケルめっき材が存在する。これは、銅めっき層を形成する際に電流密度が４０Ａ／ｄｍ2と高く、且つ銅めっき層の厚さが１０μｍと厚いことに起因して、Ｉ／Ｉ0が小さくなり、結果として（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５を超えてしまったと考えられる。
また、サンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）であっても、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下のニッケルめっき材が存在する。図１では分かりにくいが、矢印で図示しているように、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．４であって、Ｉ／Ｉ0が２００付近と２３０付近の２つのニッケルめっき材が存在する。この２つのニッケルめっき材は、銅めっき層を形成する際の電流密度を２．５Ａ／ｄｍ2と低くし、めっき時間を長くして銅めっき層の厚みを１０μｍと厚くしたことに起因して、Ｉ／Ｉ0が大きくなり、結果として（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下になったと考えられる。
また、サンプルＣ（金属基材への電解エッチングあり、銅めっき層なし）では、ニッケルめっき層を形成する際の電流密度の影響を受けてＩ／Ｉ0が変動していた。具体的には、サンプルＣのデータが３点あり、Ｉ／Ｉ0が小さい順にニッケルめっき層を形成する際の電流密度が３Ａ／ｄｍ2、７Ａ／ｄｍ2、４０Ａ／ｄｍ2であった。この電流密度４０Ａ／ｄｍ2とした場合のニッケルめっき材のみが、Ｉ／Ｉ0が１３５程度であって、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．４であった。
しかしながら、上記の傾向に反するニッケルめっき材も存在する。
例えば、サンプルＥ（金属基材への化学エッチングあり、銅めっき層あり）であっても、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５を上回るニッケルめっき材が存在する。これは、銅めっき層を形成する際に電流密度が４０Ａ／ｄｍ2と高く、且つ銅めっき層の厚さが１０μｍと厚いことに起因して、Ｉ／Ｉ0が小さくなり、結果として（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５を超えてしまったと考えられる。
また、サンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）であっても、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下のニッケルめっき材が存在する。図１では分かりにくいが、矢印で図示しているように、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．４であって、Ｉ／Ｉ0が２００付近と２３０付近の２つのニッケルめっき材が存在する。この２つのニッケルめっき材は、銅めっき層を形成する際の電流密度を２．５Ａ／ｄｍ2と低くし、めっき時間を長くして銅めっき層の厚みを１０μｍと厚くしたことに起因して、Ｉ／Ｉ0が大きくなり、結果として（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下になったと考えられる。
また、サンプルＣ（金属基材への電解エッチングあり、銅めっき層なし）では、ニッケルめっき層を形成する際の電流密度の影響を受けてＩ／Ｉ0が変動していた。具体的には、サンプルＣのデータが３点あり、Ｉ／Ｉ0が小さい順にニッケルめっき層を形成する際の電流密度が３Ａ／ｄｍ2、７Ａ／ｄｍ2、４０Ａ／ｄｍ2であった。この電流密度４０Ａ／ｄｍ2とした場合のニッケルめっき材のみが、Ｉ／Ｉ0が１３５程度であって、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．４であった。
【0051】
（試験２）
金属基材として、コルソン合金（厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－１．６Ｎｉ－０．４Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である））を用いたこと以外は、試験１と同様にしてニッケルめっき材のサンプルＡ～Ｅを作製し、試験１と同様の評価を行った。
この評価結果を図２に示す。図２の上段は、Ｉ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔとの関係を表すグラフである。また、図２の下段は、サンプルＡのＭＢＲ／ｔの値（ＢＭ値）で各サンプルのＭＢＲ／ｔの値を規格化したグラフである。規格化されたＭＢＲ／ｔの値を「（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値」と表す。（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値は、０．５以下であれば曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
なお、図２の上段において、矢印で示されるサンプルＡ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層なし）のＭＢＲ／ｔは６．０となっているが、実際には６．０よりも大きい。これは、ＭＢＲ／ｔが６．０の条件でＷ曲げ試験を行った際にクラックの発生を確認し、それよりも緩い条件（例えばＭＢＲ／ｔが７．０の条件）でＷ曲げ試験を行わなかったことを意味する。
金属基材として、コルソン合金（厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－１．６Ｎｉ－０．４Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である））を用いたこと以外は、試験１と同様にしてニッケルめっき材のサンプルＡ～Ｅを作製し、試験１と同様の評価を行った。
この評価結果を図２に示す。図２の上段は、Ｉ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔとの関係を表すグラフである。また、図２の下段は、サンプルＡのＭＢＲ／ｔの値（ＢＭ値）で各サンプルのＭＢＲ／ｔの値を規格化したグラフである。規格化されたＭＢＲ／ｔの値を「（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値」と表す。（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値は、０．５以下であれば曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
なお、図２の上段において、矢印で示されるサンプルＡ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層なし）のＭＢＲ／ｔは６．０となっているが、実際には６．０よりも大きい。これは、ＭＢＲ／ｔが６．０の条件でＷ曲げ試験を行った際にクラックの発生を確認し、それよりも緩い条件（例えばＭＢＲ／ｔが７．０の条件）でＷ曲げ試験を行わなかったことを意味する。
【0052】
図２に示されるように、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材は、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下であり、曲げ加工性（成形加工性）が良好であった。
【0053】
（試験３）
金属基材として、コルソン合金（厚みが０．２０ｍｍのＣｕ－２．８Ｎｉ－０．６Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である））を用いたこと以外は、試験１と同様にしてニッケルめっき材のサンプルＤ及びＥを作製し、試験１と同様の評価を行った。
この評価結果を図３に示す。図３の上段は、Ｉ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔとの関係を表すグラフである。また、図３の下段は、サンプルＤのＭＢＲ／ｔの最大値（ＢＭ値）で各サンプルのＭＢＲ／ｔの値を規格化したグラフである。規格化されたＭＢＲ／ｔの値を「（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値」と表す。（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値は、０．５以下であれば曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
なお、図３の上段において、矢印で示されるサンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）のＭＢＲ／ｔは７．５となっているが、実際には７．５よりも大きい。これは、ＭＢＲ／ｔが７．５の条件でＷ曲げ試験を行った際にクラックの発生を確認し、それよりも緩い条件（例えばＭＢＲ／ｔが８．０の条件）でＷ曲げ試験を行わなかったことを意味する。
また、図３では、図１及び２と異なり、最もＭＢＲ／ｔが大きくなることが期待されるサンプルＡ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層なし）の条件のニッケルめっき材でのＷ曲げ試験結果がないため、便宜的にサンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）のニッケルめっき材のＭＢＲ／ｔをＢＭ値として用いている。
金属基材として、コルソン合金（厚みが０．２０ｍｍのＣｕ－２．８Ｎｉ－０．６Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である））を用いたこと以外は、試験１と同様にしてニッケルめっき材のサンプルＤ及びＥを作製し、試験１と同様の評価を行った。
この評価結果を図３に示す。図３の上段は、Ｉ／Ｉ0とＭＢＲ／ｔとの関係を表すグラフである。また、図３の下段は、サンプルＤのＭＢＲ／ｔの最大値（ＢＭ値）で各サンプルのＭＢＲ／ｔの値を規格化したグラフである。規格化されたＭＢＲ／ｔの値を「（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値」と表す。（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値は、０．５以下であれば曲げ加工性（成形加工性）に優れるといえる。
なお、図３の上段において、矢印で示されるサンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）のＭＢＲ／ｔは７．５となっているが、実際には７．５よりも大きい。これは、ＭＢＲ／ｔが７．５の条件でＷ曲げ試験を行った際にクラックの発生を確認し、それよりも緩い条件（例えばＭＢＲ／ｔが８．０の条件）でＷ曲げ試験を行わなかったことを意味する。
また、図３では、図１及び２と異なり、最もＭＢＲ／ｔが大きくなることが期待されるサンプルＡ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層なし）の条件のニッケルめっき材でのＷ曲げ試験結果がないため、便宜的にサンプルＤ（金属基材へのエッチングなし、銅めっき層あり）のニッケルめっき材のＭＢＲ／ｔをＢＭ値として用いている。
【0054】
図３に示されるように、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材は、（ＭＢＲ／ｔ）／ＢＭ値が０．５以下であり、曲げ加工性（成形加工性）が良好であった。
【0055】
（試験４）
金属基材の表面をエッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成するか、又は電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成することにより、ニッケルめっき材を作製した。なお、比較例の一部ではエッチングを実施しなかった。使用した金属基材の種類、エッチング方法、電流密度、銅めっき層及びニッケルめっき層の厚みを表１に示す。その他の条件は以下の通りである。
金属基材の表面をエッチングした後、電気めっきによってニッケルめっき層を形成するか、又は電気めっきによって銅めっき層及びニッケルめっき層を順次形成することにより、ニッケルめっき材を作製した。なお、比較例の一部ではエッチングを実施しなかった。使用した金属基材の種類、エッチング方法、電流密度、銅めっき層及びニッケルめっき層の厚みを表１に示す。その他の条件は以下の通りである。
【0056】
＜金属基材＞
コルソン合金：厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－１．６Ｎｉ－０．４Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
黄銅：Ｃｕ－３０Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
コルソン合金：厚みが０．２５ｍｍのＣｕ－１．６Ｎｉ－０．４Ｓｉ－０．５Ｓｎ－０．４Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
黄銅：Ｃｕ－３０Ｚｎ（数値の単位は質量％である）
【0057】
＜化学エッチング＞
エッチング液として三菱ガス化学株式会社製のＣＰＢ－４０Ｎを水で２倍に希釈したものを用い、金属基材を２５℃のエッチング液中で１分間揺動することによって化学エッチングを行った。この化学エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
エッチング液として三菱ガス化学株式会社製のＣＰＢ－４０Ｎを水で２倍に希釈したものを用い、金属基材を２５℃のエッチング液中で１分間揺動することによって化学エッチングを行った。この化学エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
【0058】
＜電解エッチング＞
３０℃のリン酸系電解液中に金属基材を浸漬し、電流密度を５０Ａ／ｄｍ2、エッチング時間を６秒として電解エッチングを行った。この電解エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
３０℃のリン酸系電解液中に金属基材を浸漬し、電流密度を５０Ａ／ｄｍ2、エッチング時間を６秒として電解エッチングを行った。この電解エッチングによって、金属基材の表層を約１μｍ除去することができる。
【0059】
＜銅めっき層の形成＞
めっき液組成：２４０ｇ／Ｌの硫酸銅、８０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４５℃
めっき液組成：２４０ｇ／Ｌの硫酸銅、８０ｇ／Ｌの硫酸
めっき液温度：４５℃
【0060】
＜ニッケルめっき層の形成＞
めっき液組成：６００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５５℃
めっき液組成：６００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル、４０ｇ／Ｌのほう酸
めっき液温度：５５℃
【0061】
【表1】
【0062】
上記のようにして得られたニッケルめっき材について、以下の評価を行った。
【0063】
＜配向度＞
ニッケルめっき材から各層の表面を露出させた試験片を作製し、上記した方法にしたがい、金属基材、銅めっき層及びニッケルめっき層のＳＥＭ－ＥＢＳＤを用い、方位解析を行うことによって、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面及び（３１１）面の配向度を求めた。また、金属基材の（２２０）面の配向度Ａに対するニッケルめっき層の（２２０）面の配向度Ｂの比率（Ｂ／Ａ）を算出した。
＜成形加工性（ＭＢＲ／ｔ）＞
上記の試験と同様にしてＭＢＲ／ｔを測定した。
上記の評価結果を表２に示す。
ニッケルめっき材から各層の表面を露出させた試験片を作製し、上記した方法にしたがい、金属基材、銅めっき層及びニッケルめっき層のＳＥＭ－ＥＢＳＤを用い、方位解析を行うことによって、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面及び（３１１）面の配向度を求めた。また、金属基材の（２２０）面の配向度Ａに対するニッケルめっき層の（２２０）面の配向度Ｂの比率（Ｂ／Ａ）を算出した。
＜成形加工性（ＭＢＲ／ｔ）＞
上記の試験と同様にしてＭＢＲ／ｔを測定した。
上記の評価結果を表２に示す。
【0064】
【表2】
【0065】
表２に示されるように、実施例１～３のニッケルめっき材は、金属基材の（２２０）面の配向度Ａに対するニッケルめっき層の（２２０）面の配向度Ｂの比率（Ｂ／Ａ）が０．４０以上であった。また、実施例１～３のニッケルめっき材は、同じ金属基材の比較例１～３に比べて、ＭＢＲ／ｔが低く、曲げ加工性（成形加工性）に優れることがわかった。
また、実施例１～３のニッケルめっき材は、ニッケルめっき層の（２００）面の配向度がいずれも６．０％以下であるのに対して、比較例１～３のニッケルめっき材の（２００）面の配向度はいずれも６．０％を超えていた。
また、実施例１～３のニッケルめっき材は、ニッケルめっき層の（２００）面の配向度がいずれも６．０％以下であるのに対して、比較例１～３のニッケルめっき材の（２００）面の配向度はいずれも６．０％を超えていた。
【0066】
比較例１のニッケルめっき材は、金属基材の表面をエッチングしておらず、銅めっき層の厚さが小さいため、Ｂ／Ａが小さくなり、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例２及び５のニッケルめっき材は、金属基材の表面をエッチングしておらず、銅めっき層も形成していないため、Ｂ／Ａが小さくなり、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例３のニッケルめっき材は、金属基材の表面を化学エッチングしているものの、銅めっき層を形成しなかったため、Ｂ／Ａが小さくなり、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例４のニッケルめっき材は、金属基材の表面を化学エッチングしているものの、銅めっきの電流密度が高く、且つ銅めっき層が厚いため、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例２及び５のニッケルめっき材は、金属基材の表面をエッチングしておらず、銅めっき層も形成していないため、Ｂ／Ａが小さくなり、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例３のニッケルめっき材は、金属基材の表面を化学エッチングしているものの、銅めっき層を形成しなかったため、Ｂ／Ａが小さくなり、曲げ加工性が十分でなかった。
比較例４のニッケルめっき材は、金属基材の表面を化学エッチングしているものの、銅めっきの電流密度が高く、且つ銅めっき層が厚いため、曲げ加工性が十分でなかった。
【0067】
以上の結果からわかるように、本発明の実施形態によれば、成形加工性に優れるニッケルめっき材、及びこのニッケルめっき材を用いたタブリード用リード導体を提供することができる。
したがって、本発明の実施形態は、以下の態様とすることができる。
したがって、本発明の実施形態は、以下の態様とすることができる。
【0068】
（１） 金属基材と、
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材。
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記ニッケルめっき層の表面における（２２０）面のＸ線回折強度をＩ、ニッケル標準粉末の（２２０）面のＸ線回折強度をＩ0とした場合に、Ｉ／Ｉ0が１００以上であるニッケルめっき材。
【0069】
（２） 金属基材と、
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合に、Ｂ／Ａが０．４０以上であるニッケルめっき材。
前記金属基材上に直接的又は間接的に形成されたニッケルめっき層と
を備え、
前記金属基材の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＡ、前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度をＢとした場合に、Ｂ／Ａが０．４０以上であるニッケルめっき材。
【0070】
（３） 前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２２０）面の配向度が５．０％以上である、（２）に記載のニッケルめっき材。
【0071】
（４） 前記ニッケルめっき層の表面においてＥＢＳＤによって求められる（２００）面の配向度が６．０％以下である、（２）又は（３）に記載のニッケルめっき材。
【0072】
（５） 前記金属基材と前記ニッケルめっき層との間に銅めっき層が形成されている、（１）～（４）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0073】
（６） 前記金属基材が銅又は銅合金である、（１）～（５）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0074】
（７） 前記金属基材がコルソン合金である、（１）～（６）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0075】
（８） 前記金属基材が条の形態である、（１）～（７）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0076】
（９） 前記ニッケルめっき層の厚みが０．１～３．０μｍである、（１）～（８）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0077】
（１０） 前記銅めっき層の厚みが０．１～１０．０μｍである、（５）～（９）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材。
【0078】
（１１） （１）～（１０）のいずれか１つに記載のニッケルめっき材を備えるタブリード用リード導体。
【図1】
【図2】
【図3】
