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特開2024-101463極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024101463
(43)【公開日】2024-07-29
(54)【発明の名称】極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240722BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240722BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023005466
(22)【出願日】2023-01-17
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100143764
【弁理士】
【氏名又は名称】森村 靖男
(72)【発明者】
【氏名】植田 篤
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197CA16
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AB10
4C092AB19
4C092AC09
4C092BD18
(57)【要約】 （修正有）
【課題】隔壁の内周面は、隔壁内のガスの流れ方向におけるプラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易いＥＵＶ光生成用チャンバ装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを内部空間に供給するガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、排気口からガスをチャンバの外部に排気する排気装置と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備える。
【選択図】図７
【解決手段】ＥＵＶ光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを内部空間に供給するガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、排気口からガスをチャンバの外部に排気する排気装置と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備える。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い
極端紫外光生成用チャンバ装置。
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い
極端紫外光生成用チャンバ装置。
【請求項2】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備える。
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備える。
【請求項3】
請求項２に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
【請求項4】
請求項３に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より上流側の前記内周面のスズの平均堆積レートは３ｍｍ／年以下、前記所定の位置より下流側の前記内周面のスズの平均堆積レートは１０ｍｍ／年以上である。
前記所定の位置より上流側の前記内周面のスズの平均堆積レートは３ｍｍ／年以下、前記所定の位置より下流側の前記内周面のスズの平均堆積レートは１０ｍｍ／年以上である。
【請求項5】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より上流側の前記内周面を冷却する冷却機構を備える。
前記所定の位置より上流側の前記内周面を冷却する冷却機構を備える。
【請求項6】
請求項５に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
【請求項7】
請求項５に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記冷却機構は、前記所定の位置より上流側の前記内周面を２８℃以下となるよう冷却する。
前記冷却機構は、前記所定の位置より上流側の前記内周面を２８℃以下となるよう冷却する。
【請求項8】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より下流側の前記内周面を加熱する加熱機構を備える。
前記所定の位置より下流側の前記内周面を加熱する加熱機構を備える。
【請求項9】
請求項８に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
【請求項10】
請求項８に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記加熱機構は、前記所定の位置より下流側の前記内周面を４０℃以上となるよう加熱する。
前記加熱機構は、前記所定の位置より下流側の前記内周面を４０℃以上となるよう加熱する。
【請求項11】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より上流側の前記内周面を冷却する冷却機構と、前記所定の位置より下流側の前記内周面を加熱する加熱機構を備える。
前記所定の位置より上流側の前記内周面を冷却する冷却機構と、前記所定の位置より下流側の前記内周面を加熱する加熱機構を備える。
【請求項12】
請求項１１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
前記隔壁は、前記プラズマ生成領域又はその周囲の様子を監視するための監視用開口を少なくとも１つ備え、
前記所定の位置は、１つの前記監視用開口の前記流入口側の開口端と前記隔壁の長手方向で同じ位置である。
【請求項13】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より下流側の前記内周面の材質は、前記所定の位置より上流側の前記内周面の材質よりも前記スズが堆積し易い材質である。
前記所定の位置より下流側の前記内周面の材質は、前記所定の位置より上流側の前記内周面の材質よりも前記スズが堆積し易い材質である。
【請求項14】
請求項１３に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より上流側の前記内周面の材質はＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２のうち少なくとも１つであり、前記所定の位置より下流側の前記内周面の材質はステンレス、アルミニウムのうち少なくとも１つである。
前記所定の位置より上流側の前記内周面の材質はＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２のうち少なくとも１つであり、前記所定の位置より下流側の前記内周面の材質はステンレス、アルミニウムのうち少なくとも１つである。
【請求項15】
請求項１に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より下流側の前記内周面の表面粗さが前記所定の位置より上流側の前記内周面の表面粗さよりも大きい。
前記所定の位置より下流側の前記内周面の表面粗さが前記所定の位置より上流側の前記内周面の表面粗さよりも大きい。
【請求項16】
請求項１５に記載の極端紫外光生成用チャンバ装置であって、
前記所定の位置より上流側の前記内周面の表面粗さはＲａ１．６以下、前記所定の位置より下流側の前記内周面の表面粗さはＲａ２５以上である。
前記所定の位置より上流側の前記内周面の表面粗さはＲａ１．６以下、前記所定の位置より下流側の前記内周面の表面粗さはＲａ２５以上である。
【請求項17】
レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される前記極端紫外光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記極端紫外光を露光する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項18】
レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いて前記マスクを選定し、
前記選定した前記マスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
前記チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを前記内部空間に供給するガス供給口と、
前記内部空間から前記チャンバの外部に延在し、前記プラズマ生成領域を囲い、前記内部空間側の開口がガスの流入口であり、前記チャンバの外部側の開口が前記ガスの排気口である筒状の隔壁と、
前記排気口から前記ガスを前記チャンバの外部に排気する排気装置と、
前記内部空間における前記隔壁の外側に配置され、前記プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
を備え、
前記隔壁の内周面は、前記隔壁内の前記ガスの流れ方向における前記プラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、前記所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される前記極端紫外光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いて前記マスクを選定し、
前記選定した前記マスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写する
ことを含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、極端紫外光生成用チャンバ装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許公開第２０２２／０１４６９４３号明細書
【特許文献2】米国特許公開第２０２０／０２４１４２５号明細書
【概要】
【0005】
本開示の一態様による極端紫外光生成用チャンバ装置は、レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを内部空間に供給するガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、排気口からガスをチャンバの外部に排気する排気装置と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面は、隔壁内のガスの流れ方向におけるプラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易くてもよい。
【0006】
また、本開示の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを内部空間に供給するガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、排気口からガスをチャンバの外部に排気する排気装置と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面は、隔壁内のガスの流れ方向におけるプラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される極端紫外光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上に極端紫外光を露光することを含んでもよい。
【0007】
また、本開示の他の一態様による電子デバイスの製造方法は、レーザ光が照射されるスズのドロップレットターゲットからプラズマが生成されるプラズマ生成領域を内部空間に含むチャンバと、チャンバに設けられ、水素を含むエッチングガスを内部空間に供給するガス供給口と、内部空間からチャンバの外部に延在し、プラズマ生成領域を囲い、内部空間側の開口がガスの流入口であり、チャンバの外部側の開口がガスの排気口である筒状の隔壁と、排気口からガスをチャンバの外部に排気する排気装置と、内部空間における隔壁の外側に配置され、プラズマ生成領域で生成される極端紫外光を集光する集光ミラーと、を備え、隔壁の内周面は、隔壁内のガスの流れ方向におけるプラズマ生成領域より下流側の所定の位置より下流側において、所定の位置より上流側よりもスズが堆積し易い極端紫外光生成用チャンバ装置によって生成される極端紫外光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写することを含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
１．概要
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．実施形態５の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用・効果
９．まとめ
２．電子デバイスの製造装置の説明
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 課題
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．実施形態５の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
８．１ 構成
８．２ 動作
８．３ 作用・効果
９．まとめ
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．概要
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
本開示の実施形態は、極端紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる波長の光を生成する極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造装置に関するものである。なお、以下では、極端紫外光をＥＵＶ光という場合がある。
【0012】
２．電子デバイスの製造装置の説明
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
図１は、電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図１に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び露光装置２００を含む。露光装置２００は、反射光学系である複数のミラー２１１，２１２を含むマスク照射部２１０と、マスク照射部２１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー２２１，２２２を含むワークピース照射部２２０とを含む。マスク照射部２１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１によって、ミラー２１１，２１２を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２２０は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光１０１を、ミラー２２１，２２２を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピース上に結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置２００は、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光１０１をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。
【0013】
図２は、図１に示す電子デバイス製造装置とは別の電子デバイス製造装置の全体の概略構成例を示す模式図である。図２に示す電子デバイス製造装置は、ＥＵＶ光生成装置１００、及び検査装置３００を含む。検査装置３００は、反射光学系である複数のミラー３１１，３１３，３１５を含む照明光学系３１０と、照明光学系３１０の反射光学系とは別の反射光学系である複数のミラー３２１，３２３、及び検出器３２５を含む検出光学系３２０とを含む。照明光学系３１０は、ＥＵＶ光生成装置１００から入射したＥＵＶ光１０１をミラー３１１，３１３，３１５で反射して、マスクステージ３３１に配置されているマスク３３３を照射する。マスク３３３は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系３２０は、マスク３３３からのパターンを反映したＥＵＶ光１０１をミラー３２１，３２３で反射して検出器３２５の受光面に結像させる。ＥＵＶ光１０１を受光した検出器３２５は、マスク３３３の画像を取得する。検出器３２５は、例えばＴＤＩ（Time Delay Integration）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク３３３の画像により、マスク３３３の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置２００を用いて感光基板上に露光転写することで電子デバイスを製造することができる。
【0014】
３．比較例の極端紫外光生成装置の説明
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
３．１ 構成
比較例のＥＵＶ光生成装置１００について説明する。なお、本開示の比較例とは、出願人のみによって知られていると出願人が認識している形態であって、出願人が自認している公知例ではない。また、以下では、図１に示すように次工程装置としての露光装置２００に向けてＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００を用いて説明する。なお、図２に示すように次工程装置としての検査装置３００にＥＵＶ光１０１を出射するＥＵＶ光生成装置１００についても、同様の作用・効果を得ることができる。
【0015】
図３は、本例のＥＵＶ光生成装置１００の全体の概略構成例を示す模式図である。図３に示すように、ＥＵＶ光生成装置１００は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０、レーザ装置ＬＤ、及びレーザ光デリバリ光学系３０を主な構成として含む。また、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、チャンバ１０及びプロセッサ１２０を主な構成として含む。
【0016】
チャンバ１０は、密閉可能な容器である。チャンバ１０はサブチャンバ１１を含み、サブチャンバ１１には、サブチャンバ１１の壁を貫通するようにターゲット供給部４０が取り付けられている。ターゲット供給部４０は、タンク４１、ノズル４２、及び圧力調節器４３を含み、ドロップレットターゲットＤＬをチャンバ１０の内部空間に供給する。ドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレットやターゲットと省略して呼ばれる場合がある。
【0017】
タンク４１は、その内部にドロップレットターゲットＤＬとなるターゲット物質を貯蔵する。ターゲット物質は、スズを含む。タンク４１の内部は、タンク４１内の圧力を調節する圧力調節器４３と連通している。タンク４１には、ヒータ４４及び温度センサ４５が取り付けられている。ヒータ４４は、ヒータ電源４６から供給される電流により、タンク４１を加熱する。この加熱により、タンク４１内のターゲット物質は溶融する。温度センサ４５は、タンク４１を介してタンク４１内のターゲット物質の温度を測定する。圧力調節器４３、温度センサ４５、及びヒータ電源４６は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。
【0018】
ノズル４２は、タンク４１に取り付けられ、ターゲット物質を吐出する。ノズル４２には、ピエゾ素子４７が取り付けられている。ピエゾ素子４７は、ピエゾ電源４８に電気的に接続されており、ピエゾ電源４８から印加される電圧で駆動される。ピエゾ電源４８は、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。ピエゾ素子４７の動作により、ノズル４２から吐出するターゲット物質はドロップレットターゲットＤＬにされる。
【0019】
チャンバ１０は、ターゲット回収部１４を含む。ターゲット回収部１４は、チャンバ１０に取り付けられる箱体であり、チャンバ１０に設けられる開口１４ａを介してチャンバ１０の内部空間に連通している。開口１４ａはノズル４２の直下に設けられ、ターゲット回収部１４は、開口１４ａを通過してターゲット回収部１４に到達する不要なドロップレットターゲットＤＬを回収するドレインタンクである。
【0020】
チャンバ１０には、外部から光を透過させるためのウィンドウ１２が設けられ、ウィンドウ１２をレーザ装置ＬＤから出射されるパルス状のレーザ光９０が透過する。
【0021】
また、チャンバ１０の内部空間には、レーザ集光光学系１３が配置されている。レーザ集光光学系１３は、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを含む。レーザ光集光ミラー１３Ａは、ウィンドウ１２を透過するレーザ光９０を反射して集光する。高反射ミラー１３Ｂは、レーザ光集光ミラー１３Ａが集光するレーザ光９０を反射する。レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂの位置は、レーザ光マニュピレータ１３Ｃにより、チャンバ１０の内部空間でのレーザ光９０の集光位置がプロセッサ１２０から指定された位置になるように調節される。当該集光位置はノズル４２の直下に位置するように調節されており、レーザ光９０が当該集光位置においてターゲット物質を照射すると、ターゲット物質からプラズマが生成されると共に、プラズマからＥＵＶ光１０１が放射される。プラズマが生成される領域をプラズマ生成領域ＡＲと呼ぶことがある。プラズマ生成領域ＡＲは、プラズマ点を中心に半径が例えば４０ｍｍの領域であり、チャンバ１０の内部空間に位置する。
【0022】
チャンバ１０の内部空間には、例えば、回転楕円面形状の反射面１５ａを含むＥＵＶ光集光ミラー１５が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、例えばシリコン層とモリブデン層とが交互に積層された多層膜を備え、当該多層膜によりＥＵＶ光１０１を反射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、チャンバ１０の内部空間におけるレーザ光９０と重ならない位置に設けられている。反射面１５ａは、プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから放射されるＥＵＶ光１０１を反射する。反射面１５ａは、第１焦点及び第２焦点を含む。反射面１５ａは、例えば、第１焦点がプラズマ生成領域ＡＲに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されてもよい。
【0023】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間及び露光装置２００の内部空間を連通させる接続部１９を含む。接続部１９には、アパーチャが形成された壁が配置されている。この壁は、アパーチャが第２焦点に位置するように配置されることが好ましい。接続部１９はチャンバ１０におけるＥＵＶ光１０１の出射口でもあり、ＥＵＶ光１０１は接続部１９から出射されて露光装置２００に入射する。
【0024】
また、ＥＵＶ光生成装置１００は、圧力センサ２６及びターゲットセンサとしての検出部２７を含む。圧力センサ２６及び検出部２７は、チャンバ１０に取り付けられ、プロセッサ１２０に電気的に接続されている。圧力センサ２６は、チャンバ１０の内部空間の圧力を計測し、この圧力を示す信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0025】
検出部２７は、例えば撮像機能を含み、プロセッサ１２０からの指示によってノズル４２のノズル孔から吐出するドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、流速等を検出する。検出部２７は、チャンバ１０の内部に配置されてもよいし、チャンバ１０の外部に配置されてチャンバ１０の壁に設けられる不図示のウィンドウを介してドロップレットターゲットＤＬを検出してもよい。検出部２７は、不図示の受光光学系と、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）又はフォトダイオード等の不図示の撮像部とを含む。受光光学系は、ドロップレットターゲットＤＬの検出精度を向上させるために、ドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲における像を撮像部の受光面に結像する。検出部２７の視野内のコントラストを向上させるために配置される不図示の光源による光の集光領域をドロップレットターゲットＤＬが通過するときに、撮像部はドロップレットターゲットＤＬの軌跡及びその周囲を通る光の変化を検出する。撮像部は、検出した光の変化を、ドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号に変換する。撮像部は、この電気信号をプロセッサ１２０に出力する。
【0026】
レーザ装置ＬＤは、バースト動作する光源であるマスターオシレータを含む。マスターオシレータは、バーストオンでパルス状のレーザ光９０を出射する。マスターオシレータは、例えば、ニオブ（Ｎｂ）やイッテルビウム（Ｙｂ）を添加したＹＡＧ結晶を励起する固体レーザ装置や、ヘリウムや窒素等が炭酸ガス中に混合される気体を放電によって励起することで、レーザ光９０を出射するレーザ装置である。或いは、マスターオシレータは、量子カスケードレーザ装置でもよい。また、マスターオシレータは、Ｑスイッチ方式により、パルス状のレーザ光９０を出射してもよい。また、マスターオシレータは、光スイッチや偏光子等を含んでもよい。レーザ装置ＬＤは、マスターオシレータが出射したレーザ光９０を増幅する増幅器を含んでもよい。なお、バースト動作とは、バーストオン時に連続するパルス状のレーザ光９０を所定の繰り返し周波数で出射し、バーストオフ時にレーザ光９０の出射を抑制する動作である。
【0027】
レーザ装置ＬＤから出射するレーザ光９０の進行方向は、レーザ光デリバリ光学系３０によって調節される。レーザ光デリバリ光学系３０は、レーザ光９０の進行方向を調節する複数のミラー３１，３２を含む。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置は、不図示のアクチュエータで調節される。ミラー３１，３２の少なくとも１つの位置が調節されることで、レーザ光９０がウィンドウ１２から適切にチャンバ１０の内部空間に伝搬し得る。
【0028】
本開示のプロセッサ１２０は、制御プログラムが記憶された記憶装置と、当該制御プログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）とを含む処理装置である。プロセッサ１２０は、本開示に含まれる各種処理を実行するために特別に構成又はプログラムされ、ＥＵＶ光生成装置１００全体を制御する。プロセッサ１２０には、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力に係る信号や、検出部２７によって撮像されたドロップレットターゲットＤＬのイメージデータに係る信号や、露光装置２００からバースト動作を指示するバースト信号等が入力される。プロセッサ１２０は、上記各種信号を処理し、例えば、ドロップレットターゲットＤＬが吐出されるタイミング、ドロップレットターゲットＤＬの吐出方向等を制御してもよい。また、プロセッサ１２０は、レーザ装置ＬＤの出射タイミング、レーザ光９０の進行方向や集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて後述のように他の制御が追加されてもよい。
【0029】
図４は、比較例におけるドロップレットターゲットＤＬの軌道に垂直なチャンバ１０の断面を含む模式図であり、図５は、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿ったチャンバ１０の断面を含む模式図である。図４では、図示の簡略化のために、レーザ光集光ミラー１３Ａ及び高反射ミラー１３Ｂを省略し、ウィンドウ１２からプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の進行経路を簡単に図示している。
【0030】
ＥＵＶ光生成装置１００は、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子を監視する複数のセンサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃを備える。センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、例えば、ドロップレットターゲットＤＬの存在、軌跡、位置、速度の内の少なくとも１つを検出するターゲットセンサを含んでもよく、ＥＵＶ光１０１の発光点を検出するセンサを含んでもよい。センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、例えば、イメージセンサ又は光センサと、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の像をイメージセンサ又は光センサに結像する光学系と、を含む。また、特に図示しないが、プラズマ生成領域ＡＲを可視光で照明する光源が配置されてもよい。なお、図３では、センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃの図示を省略している。
【0031】
ＥＵＶ光生成装置１００は、チャンバ１０の内部空間からチャンバ１０の外部空間に延在する筒状の隔壁１８を含む。図４及び図５では、チャンバ１０の内部空間のうちの隔壁１８の外部の空間を第１空間１０ａとし、隔壁１８の内部の空間を第２空間１０ｂとして示している。なお、図３では、隔壁１８の図示を省略している。
【0032】
隔壁１８は、例えば、ステンレス、金属モリブデン等で構成される。隔壁１８の互いに向かい合う開口のうち、チャンバ１０の内部空間に位置する開口はガス流入口１８１ａであり、チャンバ１０の外部に位置する開口はガス排気口１８１ｂである。ガス排気口１８１ｂは、排気ポンプを含む排気装置１８０に接続されている。
【0033】
隔壁１８は、プラズマ生成領域ＡＲを囲っている。つまり、プラズマ生成領域ＡＲは、第２空間１０ｂに位置する。プラズマ生成領域ＡＲにおいてプラズマから生成されるＥＵＶ光１０１は、第２空間１０ｂからガス流入口１８１ａを介して第１空間１０ａに配置されるＥＵＶ光集光ミラー１５に入射する。ＥＵＶ光集光ミラー１５は、ＥＵＶ光１０１をＥＵＶ光１０１の入射方向と異なる方向に位置する中間集光点ＩＦに向かって反射する。
【0034】
また、隔壁１８は、隔壁１８の側面に形成されるレーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、第１監視用開口１８８ａ、第２監視用開口１８８ｂ、及び第３監視用開口１８８ｃを含む。レーザ光透過開口１８３は、チャンバ１０の内部空間におけるプラズマ生成領域ＡＲへのレーザ光９０の光路上に設けられ、レーザ光９０は、第１空間１０ａからレーザ光透過開口１８３を介してプラズマ生成領域ＡＲに入射する。ドロップレット供給開口１８２ａ及びドロップレット排出開口１８２ｂは、ドロップレットターゲットＤＬの軌道上に設けられ、互いに向かい合う。ドロップレットターゲットＤＬは、ターゲット供給部４０からドロップレット供給開口１８２ａを介してプラズマ生成領域ＡＲに供給される。ドロップレット排出開口１８２ｂは、ターゲット回収部１４に繋がる開口１４ａに向かい合い、プラズマ生成領域ＡＲを通過したドロップレットターゲットＤＬは、ドロップレット排出開口１８２ｂを介してターゲット回収部１４内に侵入する。なお、本例では、ドロップレット供給開口１８２ａ及びドロップレット排出開口１８２ｂのそれぞれの面積は、互いに概ね同じであり、レーザ光透過開口１８３の面積よりも大きい。第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃはプラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍とセンサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃとの間に設けられており、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍からの光は、第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃを介して、センサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃに入射する。隔壁１８は、チャンバ１０の内部空間において、上記開口以外においてプラズマ生成領域ＡＲを囲う。
【0035】
チャンバ１０には、エッチングガス供給部１６が接続されている。エッチングガス供給部１６は、ガス供給口１６０を含む。エッチングガスには水素ガスが含まれ、本例のエッチングガスは、水素濃度が１００％と見做せる水素ガスである。このため、エッチングガス供給部１６は、水素タンク１６１とガス配管１６２とを更に含む。なお、エッチングガスは、例えば水素ガス濃度が３％程度のバランスガスでもよく、この場合、バランスガスには、例えば窒素（Ｎ２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスが含まれる。ガス配管１６２には、バルブである不図示の供給ガス流量調節部が設けられてもよい。エッチングガス供給部１６は、プロセッサ１２０によって制御される。例えば、供給ガス流量調節部が設けられる場合には、プロセッサ１２０が供給ガス流量調節部を制御して、供給されるエッチングガスの流量が調整される。
【0036】
エッチングガス供給部１６は、ガス配管１６２を介して水素タンク１６１内の水素ガスをガス供給口１６０からチャンバ１０の内部空間における第１空間１０ａに供給する。エッチングガス供給部１６から第１空間１０ａに供給されるエッチングガスの流量は、例えば、１０ｌ／ｍｉｎ以上１００ｌ／ｍｉｎ以下である。なお、エッチングガスの流量は、１分あたりに流れるエッチングガスの０℃、１気圧に換算した体積であるｎｌｍで示される場合がある。ガス流入口１８１ａの面積はレーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、及び第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃのそれぞれの面積よりも大きい。このため、第１空間１０ａに供給されたエッチングガスは、図４及び図５において矢印で示すように、主にガス流入口１８１ａを通じて第２空間１０ｂに流入する。ただし、エッチングガスは、レーザ光透過開口１８３、ドロップレット供給開口１８２ａ、ドロップレット排出開口１８２ｂ、及び第１～第３監視用開口１８８ａ，１８８ｂ，１８８ｃからも第２空間１０ｂに流入してもよい。
【0037】
上記のようにターゲット物質はスズであるため、ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲにおいてレーザ光９０を照射されてプラズマ化すると、スズの微粒子及びスズの荷電粒子が生じる。また、エッチングガス供給部１６からチャンバ１０の内部空間に供給されるエッチングガスに含まれる水素は、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより水素ラジカルとなる。微粒子及び荷電粒子を構成するスズは、水素ラジカルと反応する。スズが水素ラジカルと反応すると、常温で気体のスタンナン（ＳｎＨ４）が生成される。
【0038】
ターゲット物質がプラズマ生成領域ＡＲでプラズマ化する際、排ガスとしての残留ガスが第２空間１０ｂに生成される。残留ガスは、ターゲット物質のプラズマ化により生じたスズの微粒子及び荷電粒子と、それらがエッチングガスと反応したスタンナンと、未反応のエッチングガスとを含む。なお、荷電粒子の一部は第２空間１０ｂで中性化するが、この中性化した荷電粒子も残留ガスに含まれる。ガス排気口１８１ｂは、第１空間１０ａから第２空間１０ｂに流れたエッチングガスを残留ガスと共に、チャンバ１０の外部に排気する。具体的には、ガス排気口１８１ｂは、排気装置１８０の吸引によってエッチングガス及び残留ガスを排気装置１８０に排気する。
【0039】
以下では、ドロップレットターゲットＤＬの軌道に沿う方向をＹ方向、プラズマ生成領域ＡＲから排気装置１８０に向かう方向でありＹ方向に直交する方向をＸ方向、Ｙ方向及びＸ方向に直交する方向をＺ方向として説明することがある。
【0040】
３．２ 動作
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
次に、比較例のＥＵＶ光生成装置１００の動作について説明する。
【0041】
ＥＵＶ光生成装置１００では、例えば、新規導入時やメンテナンス時等において、チャンバ１０の内部空間の大気が排気される。その際、大気成分の排気のために、チャンバ１０の内部空間のパージと排気とを繰り返してもよい。パージガスには、例えば、窒素やアルゴンなどの不活性ガスが用いられることが好ましい。その後、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力以下になると、プロセッサ１２０は、エッチングガス供給部１６のガス供給口１６０を通じて、チャンバ１０の第１空間１０ａへのエッチングガスの導入を開始させる。このときプロセッサ１２０は、チャンバ１０の内部空間の圧力が所定の圧力に維持されるように、供給ガス流量調節部や排気装置１８０を制御してもよい。その後、プロセッサ１２０は、エッチングガスの導入開始から所定時間が経過するまで待機する。
【0042】
また、プロセッサ１２０は、排気装置１８０によりチャンバ１０の内部空間の気体をガス排気口１８１ｂから排気させ、圧力センサ２６で計測されたチャンバ１０の内部空間の圧力を示す信号に基づいてチャンバ１０の内部空間の圧力を略一定に保つ。
【0043】
また、プロセッサ１２０は、タンク４１内のターゲット物質を融点以上の所定温度に加熱及び維持するために、ヒータ電源４６からヒータ４４に電流を供給させ、ヒータ４４を昇温させる。このとき、プロセッサ１２０は、温度センサ４５からの出力に基づいて、ヒータ電源４６からヒータ４４へ供給される電流の値を調節し、ターゲット物質の温度を所定温度に制御する。なお、所定温度は、ターゲット物質がスズである場合、スズの融点２３１．９３℃以上の温度であり、例えば２４０℃以上２９０℃以下である。こうしてドロップレットターゲットＤＬを吐出する準備が完了する。
【0044】
準備が完了すると、プロセッサ１２０は、ノズル４２のノズル孔から溶融したターゲット物質が所定の流速で吐出するように、圧力調節器４３によって、不図示のガス供給源から不活性ガスをタンク４１内に供給し、タンク４１内の圧力を調節する。この圧力下で、ターゲット物質は、ノズル４２のノズル孔からチャンバ１０の第１空間１０ａに吐出する。ノズル孔から吐出するターゲット物質は、ジェットの形態をとってもよい。このとき、プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬを生成するために、ピエゾ電源４８からピエゾ素子４７に所定波形の電圧を印加する。ピエゾ電源４８は、電圧値の波形が例えば正弦波状、矩形波状、或いはのこぎり波状となるように、電圧を印加する。ピエゾ素子４７の振動は、ノズル４２を経由してノズル４２のノズル孔から吐出するターゲット物質へと伝搬し得る。ターゲット物質は、この振動により所定周期で分断され、液滴のドロップレットターゲットＤＬとなる。ドロップレットターゲットＤＬの直径は、概ね１０μｍ以上３０μｍ以下である。
【0045】
ドロップレットターゲットＤＬは、吐出されると、ドロップレット供給開口１８２ａを通過してプラズマ生成領域ＡＲに進行する。検出部２７は、チャンバ１０の第２空間１０ｂの所定位置を通過するドロップレットターゲットＤＬの通過タイミングを検出する。プロセッサ１２０は、ドロップレットターゲットＤＬにレーザ光９０が照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０が出射するタイミングを制御するトリガ信号を出力する。プロセッサ１２０から出力されたトリガ信号は、レーザ装置ＬＤに入力する。レーザ装置ＬＤは、トリガ信号が入力されると、パルス状のレーザ光９０を出射する。
【0046】
出射されたレーザ光９０は、レーザ光デリバリ光学系３０とウィンドウ１２とを経由して、レーザ集光光学系１３に入射する。レーザ光９０は、レーザ集光光学系１３からレーザ光透過開口１８３を通過してプラズマ生成領域ＡＲに向かって進行する。そして、レーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。このとき、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がプラズマ生成領域ＡＲに集光するように、レーザ集光光学系１３のレーザ光マニュピレータ１３Ｃを制御する。また、プロセッサ１２０は、レーザ光９０がドロップレットターゲットＤＬに照射されるように、検出部２７からの信号に基づいて、レーザ装置ＬＤからレーザ光９０を出射するタイミングを制御する。これにより、レーザ光集光ミラー１３Ａによって集光するレーザ光９０は、プラズマ生成領域ＡＲでドロップレットターゲットＤＬに照射される。当該照射によりプラズマが生成され、当該プラズマからＥＵＶ光１０１を含む光が放射される。
【0047】
プラズマ生成領域ＡＲで発生したＥＵＶ光１０１を含む光のうち、ＥＵＶ光１０１は、ガス流入口１８１ａを通過してＥＵＶ光集光ミラー１５に進行し、ＥＵＶ光集光ミラー１５によって中間集光点ＩＦで集光された後、接続部１９から露光装置２００に入射する。
【0048】
上記のように、エッチングガス供給部１６は、ガス供給口１６０を通じてチャンバ１０の第１空間１０ａにエッチングガスを供給する。エッチングガスに含まれる水素は、ＥＵＶ光１０１のエネルギーにより、水素ラジカルとなる。従って、スズが、ＥＵＶ光集光ミラー１５の反射面１５ａ上や、隔壁１８の内周面１８４上に堆積している場合、スズは水素ラジカルと反応してスタンナンとなり、反射面１５ａ上や内周面１８４上から除去される。第１空間１０ａにおけるエッチングガスやスタンナンは、主にガス流入口１８１ａから第２空間１０ｂに流入する。排気装置１８０は、エッチングガスを第２空間１０ｂにおける残留ガスと共に、ガス排気口１８１ｂを通じて吸引する。これにより、第２空間１０ｂにおけるガスは、チャンバ１０の外部に排気される。排気装置１８０に吸引されたガスは、無害化等の所定の排気処理が施される。
【0049】
３．３ 課題
図６は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図６に示すように、隔壁１８の内周面１８４にはスズＳが堆積する場合がある。堆積するスズＳは、主に残留ガス中のスタンナンが分解されて生成されるものであり、プラズマ生成領域ＡＲの近傍で最も残留ガス中のスズの密度が高く、プラズマ生成領域ＡＲから遠ざかるほど密度が低くなる。そのため、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０では、隔壁１８の内周面１８４へのスズＳの堆積量は、プラズマ生成領域ＡＲから残留ガスの流れ方向の下流側に行くに従って減少する。しかし、隔壁１８の内周面１８４にスズＳが付着する場合、上記の下流側に行くに従って減少せずに、下流側において上流側よりも多くのスズＳが付着して欲しいとの要請がある。なお、このように隔壁１８の内周面１８４に対するスズＳの堆積のし易さを表す目安の一つとして堆積レートがある。スズＳが堆積し易い内周面１８４では、それだけ内周面１８４に堆積する速度が速く、堆積レートが大きい。またスズＳが堆積しづらい内周面１８４では、堆積レートが小さい。また、所定の領域における単位面積当たりの平均的な堆積レートを平均堆積レートという。
図６は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図６に示すように、隔壁１８の内周面１８４にはスズＳが堆積する場合がある。堆積するスズＳは、主に残留ガス中のスタンナンが分解されて生成されるものであり、プラズマ生成領域ＡＲの近傍で最も残留ガス中のスズの密度が高く、プラズマ生成領域ＡＲから遠ざかるほど密度が低くなる。そのため、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０では、隔壁１８の内周面１８４へのスズＳの堆積量は、プラズマ生成領域ＡＲから残留ガスの流れ方向の下流側に行くに従って減少する。しかし、隔壁１８の内周面１８４にスズＳが付着する場合、上記の下流側に行くに従って減少せずに、下流側において上流側よりも多くのスズＳが付着して欲しいとの要請がある。なお、このように隔壁１８の内周面１８４に対するスズＳの堆積のし易さを表す目安の一つとして堆積レートがある。スズＳが堆積し易い内周面１８４では、それだけ内周面１８４に堆積する速度が速く、堆積レートが大きい。またスズＳが堆積しづらい内周面１８４では、堆積レートが小さい。また、所定の領域における単位面積当たりの平均的な堆積レートを平均堆積レートという。
【0050】
そこで、以下の実施形態では、隔壁１８の下流側において上流側よりも多くのスズＳを付着し得るＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０が例示される。
【0051】
４．実施形態１の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
実施形態１のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0052】
４．１ 構成
図７は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図７に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、加熱機構４００を備える点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。加熱機構４００は、第２空間１０ｂでのガスの流れ方向における所定の位置Ｐより下流側において、隔壁１８の内周面１８４を加熱する。なお、以下において下流側及び上流側とは、第２空間１０ｂにおける隔壁１８の長手方向に沿ったガスの流れの方向に基づく。所定の位置Ｐは、プラズマ生成領域ＡＲよりも下流側であり、本実施形態では、所定の位置Ｐは、第１～第３監視用開口１８８ａ～１８８ｃにおける１つの第２監視用開口１８８ｂのうちガス流入口１８１ａ側の開口端と隔壁１８の長手方向で同じ位置である。なお、所定の位置Ｐは、プラズマ生成領域ＡＲよりも下流側であれば、第１監視用開口１８８ａ或いは第３監視用開口１８８ｃのうちガス流入口１８１ａ側の開口端と隔壁１８の長手方向で同じ位置であってもよく、他の位置であってもよい。以下において、隔壁１８の内周面１８４のうち、所定の位置Ｐより上流側を上流側内周面１８４ａとし、所定の位置Ｐより下流側を下流側内周面１８４ｂとする。
図７は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図７に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、加熱機構４００を備える点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。加熱機構４００は、第２空間１０ｂでのガスの流れ方向における所定の位置Ｐより下流側において、隔壁１８の内周面１８４を加熱する。なお、以下において下流側及び上流側とは、第２空間１０ｂにおける隔壁１８の長手方向に沿ったガスの流れの方向に基づく。所定の位置Ｐは、プラズマ生成領域ＡＲよりも下流側であり、本実施形態では、所定の位置Ｐは、第１～第３監視用開口１８８ａ～１８８ｃにおける１つの第２監視用開口１８８ｂのうちガス流入口１８１ａ側の開口端と隔壁１８の長手方向で同じ位置である。なお、所定の位置Ｐは、プラズマ生成領域ＡＲよりも下流側であれば、第１監視用開口１８８ａ或いは第３監視用開口１８８ｃのうちガス流入口１８１ａ側の開口端と隔壁１８の長手方向で同じ位置であってもよく、他の位置であってもよい。以下において、隔壁１８の内周面１８４のうち、所定の位置Ｐより上流側を上流側内周面１８４ａとし、所定の位置Ｐより下流側を下流側内周面１８４ｂとする。
【0053】
本実施形態の加熱機構４００は、ヒータ４０１と、ヒータ電源４０２と、温度センサ４０３とを含む。ヒータ４０１は、電力が給電されることで加熱可能なヒータである。ヒータ４０１は、所定の位置Ｐより下流側において筒状の隔壁１８の外周面の全周に接触して設けられている。ヒータ４０１は、隔壁１８の壁内部に設けられてもよい。ヒータ４０１は、チャンバ１０の外に設けられるヒータ電源４０２に電気的に接続され、ヒータ電源４０２から電力が給電される。温度センサ４０３は、プロセッサ１２０に電気的に接続され、ヒータ４０１の温度を検出し、その検出温度に係る信号をプロセッサ１２０に出力する。ヒータ電源４０２からヒータ４０１へ電力を給電する配線、及び温度センサ４０３からプロセッサ１２０へ信号を出力する配線は、それぞれ気密性の高い貫通シール４０４を介してチャンバ１０を貫通している。ヒータ電源４０２は、プロセッサ１２０に電気的に接続され、プロセッサ１２０によりヒータ４０１へ給電する電力が制御される。プロセッサ１２０は、温度センサ４０３から入力された信号に基づいて、所定の位置Ｐより下流側の隔壁１８が所定の温度を維持するようヒータ電源４０２からヒータ４０１への給電を制御する。加熱機構４００が維持する隔壁１８の温度は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働時において、例えば４０℃以上６０℃以下である。なお、図７以降の一部の図において、プラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子を監視するためのセンサ２８ａ，２８ｂ，２８ｃの図示が省略されている。
【0054】
４．２ 動作
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における残留ガスの流路のうち所定の位置Ｐより下流側において、加熱機構４００のヒータ４０１が隔壁１８の温度を上げてスタンナンの分解を促進させ、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における残留ガスの流路のうち所定の位置Ｐより下流側において、加熱機構４００のヒータ４０１が隔壁１８の温度を上げてスタンナンの分解を促進させ、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。
【0055】
４．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂを加熱する加熱機構４００を備える。このため、加熱機構４００が設けられない場合と比べて、上記のように下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。従って、排気装置１８０へのスズＳの流入量を抑制して排気装置１８０の寿命を延ばすことができ、排気装置１８０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばしてＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働効率を上げることができる。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂを加熱する加熱機構４００を備える。このため、加熱機構４００が設けられない場合と比べて、上記のように下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。従って、排気装置１８０へのスズＳの流入量を抑制して排気装置１８０の寿命を延ばすことができ、排気装置１８０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばしてＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働効率を上げることができる。
【0056】
また、本実施形態では、上記のように、所定の位置Ｐは、第２監視用開口１８８ｂのうちガス流入口１８１ａ側の開口端と隔壁１８の長手方向で同じ位置である。このため、当該位置よりも上流側に加熱機構４００が設けられる場合と比べて、この開口端より上流側でスズＳの堆積量が増加することを抑制でき、堆積したスズＳにより、第２監視用開口１８８ｂを介してのプラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子の監視が阻害されることを抑制し得る。
【0057】
５．実施形態２の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態２のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0058】
５．１ 構成
図８は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図８に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、所定の位置Ｐより上流側の内周面１８４を冷却する冷却機構５００を備える点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
図８は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図８に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、所定の位置Ｐより上流側の内周面１８４を冷却する冷却機構５００を備える点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
【0059】
本実施形態の冷却機構５００は、冷却部５０１と、冷媒供給部５０２と、温度センサ５０３とを含む。冷却部５０１は、冷媒供給部５０２から供給される冷媒により冷却が可能な熱交換器である。冷却部５０１は、所定の位置Ｐより上流側において筒状の隔壁１８の外周面の全周に接触して設けられている。冷却部５０１は、隔壁１８の壁内部に設けられてもよい。冷却部５０１は、チャンバ１０の外に設けられる冷媒供給部５０２との間で冷媒の供給と回収が可能に接続されている。温度センサ５０３は、プロセッサ１２０に電気的に接続されており、冷却部５０１の温度を検出し、その検出温度に係る信号をプロセッサ１２０に出力する。冷却部５０１と冷媒供給部５０２との間で冷媒を循環させる配管、及び温度センサ５０３からプロセッサ１２０へ信号を出力する配線は、それぞれ気密性の高い貫通シール４０４を介してチャンバ１０を貫通している。冷媒供給部５０２は、冷却部５０１から回収した冷媒を冷却し、冷却した冷媒を冷却部５０１に供給する熱交換器である。冷媒供給部５０２は、プロセッサ１２０に電気的に接続される。プロセッサ１２０は、温度センサ５０３から入力される信号に基づいて、所定の位置Ｐより上流側の隔壁１８が所定の温度を維持されるよう冷媒供給部５０２から冷却部５０１へ供給する冷媒の温度を制御する。冷却機構５００が維持する隔壁１８の温度は、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働時において、例えば２８℃以下である。
【0060】
５．２ 動作
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における所定の位置Ｐより上流側において、冷却機構５００の冷却部５０１が隔壁１８の温度を下げることで、スタンナンの分解が抑制され、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における所定の位置Ｐより上流側において、冷却機構５００の冷却部５０１が隔壁１８の温度を下げることで、スタンナンの分解が抑制され、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。
【0061】
５．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上記のように、隔壁１８のうち上流側内周面１８４ａを冷却する冷却部５０１を含めた冷却機構５００を備える。このため、冷却機構５００が設けられない場合と比べて、上流側内周面１８４ａにおいて、スズＳの堆積量を減少させ得る。従って、堆積したスズＳにより、プラズマ生成領域ＡＲで生成されたＥＵＶ光１０１のＥＵＶ光集光ミラー１５への入射が阻害されることを抑制し得る。このため、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０からＥＵＶ光１０１を出射させる効率の低下を抑制し得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上記のように、隔壁１８のうち上流側内周面１８４ａを冷却する冷却部５０１を含めた冷却機構５００を備える。このため、冷却機構５００が設けられない場合と比べて、上流側内周面１８４ａにおいて、スズＳの堆積量を減少させ得る。従って、堆積したスズＳにより、プラズマ生成領域ＡＲで生成されたＥＵＶ光１０１のＥＵＶ光集光ミラー１５への入射が阻害されることを抑制し得る。このため、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０からＥＵＶ光１０１を出射させる効率の低下を抑制し得る。
【0062】
また、本実施形態では、上記のように、所定の位置Ｐが第２監視用開口１８８ｂのうちガス流入口１８１ａ側の開口端に位置している。このため、所定の位置Ｐが第２監視用開口１８８ｂの当該開口端よりも上流側である場合と比べて、この開口端付近におけるスズＳの堆積量を減少させ得、堆積したスズＳにより、第２監視用開口１８８ｂを介してのプラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子の監視が阻害されることを抑制し得る。
【0063】
６．実施形態３の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態３のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0064】
６．１ 構成
図９は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、実施形態２と同様にして所定の位置Ｐより上流側の隔壁１８の内周面１８４を冷却する冷却機構５００が設けられ、実施形態１と同様にして所定の位置Ｐより下流側の隔壁１８の内周面１８４を加熱する加熱機構４００が設けられる点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
図９は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図９に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、実施形態２と同様にして所定の位置Ｐより上流側の隔壁１８の内周面１８４を冷却する冷却機構５００が設けられ、実施形態１と同様にして所定の位置Ｐより下流側の隔壁１８の内周面１８４を加熱する加熱機構４００が設けられる点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
【0065】
６．２ 動作
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における所定の位置Ｐより上流側においては、実施形態２と同様にして、冷却機構５００の冷却部５０１が隔壁１８の温度を下げることで、スタンナンの分解が抑制され、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。従って、比較例と比べて、所定の位置Ｐから下流側内周面１８４ｂに流れるガスにおけるスタンナンの密度が高くされ得る。所定の位置Ｐよりも下流側においては、実施形態１と同様にして、加熱機構４００のヒータ４０１が隔壁１８の温度を上げてスタンナンの分解を促進させ、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。このとき、所定の位置Ｐから下流側内周面１８４ｂに流れるガスにおけるスタンナンの密度が高い場合には、実施形態１よりも多くのスタンナンが分解され得、実施形態１よりも多くのスズＳが堆積され得る。
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。本実施形態では、隔壁１８における所定の位置Ｐより上流側においては、実施形態２と同様にして、冷却機構５００の冷却部５０１が隔壁１８の温度を下げることで、スタンナンの分解が抑制され、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。従って、比較例と比べて、所定の位置Ｐから下流側内周面１８４ｂに流れるガスにおけるスタンナンの密度が高くされ得る。所定の位置Ｐよりも下流側においては、実施形態１と同様にして、加熱機構４００のヒータ４０１が隔壁１８の温度を上げてスタンナンの分解を促進させ、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。このとき、所定の位置Ｐから下流側内周面１８４ｂに流れるガスにおけるスタンナンの密度が高い場合には、実施形態１よりも多くのスタンナンが分解され得、実施形態１よりも多くのスズＳが堆積され得る。
【0066】
６．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上記の冷却機構５００及び加熱機構４００を備える。このため、実施形態２と同様にして、冷却機構５００が設けられない場合と比べて、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。従って、第２実施形態と同様にして、堆積したスズＳにより、プラズマ生成領域ＡＲで生成されたＥＵＶ光集光ミラー１５への入射が阻害されることを抑制し得、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０からＥＵＶ光１０１を出射させる効率の低下を抑制し得る。また、実施形態１と同様にして、加熱機構４００が設けられない場合と比べて、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。このため、第２実施形態と比べて、排気装置１８０へのスズＳの流入量を抑制して排気装置１８０の寿命を延ばすことができ、排気装置１８０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばしてＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働効率を上げることができる。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上記の冷却機構５００及び加熱機構４００を備える。このため、実施形態２と同様にして、冷却機構５００が設けられない場合と比べて、上流側内周面１８４ａにおけるスズＳの堆積量を減少させ得る。従って、第２実施形態と同様にして、堆積したスズＳにより、プラズマ生成領域ＡＲで生成されたＥＵＶ光集光ミラー１５への入射が阻害されることを抑制し得、ＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０からＥＵＶ光１０１を出射させる効率の低下を抑制し得る。また、実施形態１と同様にして、加熱機構４００が設けられない場合と比べて、下流側内周面１８４ｂにおけるスズＳの堆積量を増加させ得る。このため、第２実施形態と比べて、排気装置１８０へのスズＳの流入量を抑制して排気装置１８０の寿命を延ばすことができ、排気装置１８０の交換といったメンテナンスのインターバルを延ばしてＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の稼働効率を上げることができる。
【0067】
また、本実施形態では、上記のように、所定の位置Ｐを流れるガスのスタンナンの密度が高くされ得、実施形態１と比べて、所定の位置Ｐより下流側におけるスズＳの堆積量を増加させ得る。
【0068】
また、実施形態２と同様にして、所定の位置Ｐが第２監視用開口１８８ｂのうちガス流入口１８１ａ側の開口端に位置している。このため、所定の位置Ｐが第２監視用開口１８８ｂの当該開口端よりも上流側である場合と比べて、堆積したスズＳにより、第２監視用開口１８８ｂを介してのプラズマ生成領域ＡＲ又はその近傍の様子の監視が阻害されることを抑制し得る。
【0069】
７．実施形態４の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態４のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態４のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0070】
７．１ 構成
図１０は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１０に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂの表面粗さが、上流側内周面１８４ａの表面粗さよりも大きい点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。本実施形態では、上流側内周面１８４ａの表面粗さは、例えばＲａ１．６以下であり、下流側内周面１８４ｂの表面粗さは、例えばＲａ２５以上である。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
図１０は、本実施形態における隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍の様子を示す図である。図１０に示すように、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂの表面粗さが、上流側内周面１８４ａの表面粗さよりも大きい点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。本実施形態では、上流側内周面１８４ａの表面粗さは、例えばＲａ１．６以下であり、下流側内周面１８４ｂの表面粗さは、例えばＲａ２５以上である。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
【0071】
７．２ 動作
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。スタンナンから生成されたスズＳが衝突した際の付着確率や、付着後のエッチングガスにより除去される確率は、隔壁１８の内周面１８４の表面粗さにより異なり、この結果、堆積のし易さが異なる。表面粗さの大きい面においてスズＳは堆積し易い傾向にある。従って、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳが堆積し得る。
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。スタンナンから生成されたスズＳが衝突した際の付着確率や、付着後のエッチングガスにより除去される確率は、隔壁１８の内周面１８４の表面粗さにより異なり、この結果、堆積のし易さが異なる。表面粗さの大きい面においてスズＳは堆積し易い傾向にある。従って、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳが堆積し得る。
【0072】
７．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、表面粗さが大きい。従って、上記のように上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳを堆積させ得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、表面粗さが大きい。従って、上記のように上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳを堆積させ得る。
【0073】
８．実施形態５の極端紫外光生成用チャンバ装置の説明
次に、実施形態５のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
次に、実施形態５のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の構成を説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0074】
８．１ 構成
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の見た目の構成は、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の見た目の構成と同様である。しかし、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。上流側内周面１８４ａの材質としては、例えばＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の少なくとも１つを挙げることができ、下流側内周面１８４ｂの材質としては、例えばステンレス、アルミニウムの少なくとも１つを挙げることができる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の見た目の構成は、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０の見た目の構成と同様である。しかし、本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である点において、比較例のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０と異なる。上流側内周面１８４ａの材質としては、例えばＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２の少なくとも１つを挙げることができ、下流側内周面１８４ｂの材質としては、例えばステンレス、アルミニウムの少なくとも１つを挙げることができる。なお、本実施形態における所定の位置Ｐは、実施形態１と同様の位置である。
【0075】
８．２ 動作
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。スタンナンから生成されたスズＳが衝突した際の付着確率や、付着後のエッチングガスにより除去される確率は、隔壁１８の内周面１８４の材質により異なり、この結果、堆積のし易さが異なる。本実施形態では、この堆積のし易さの違いを利用して、下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である。従って、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳが堆積し得る。
比較例と同様にして、ＥＵＶ光１０１の出射の際、生成されたスタンナンが分解されてスズＳを生成する場合がある。スタンナンから生成されたスズＳが衝突した際の付着確率や、付着後のエッチングガスにより除去される確率は、隔壁１８の内周面１８４の材質により異なり、この結果、堆積のし易さが異なる。本実施形態では、この堆積のし易さの違いを利用して、下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である。従って、上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳが堆積し得る。
【0076】
８．３ 作用・効果
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８において下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である。従って、上記のように上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳを堆積させ得る。
本実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０は、隔壁１８において下流側内周面１８４ｂの材質が、上流側内周面１８４ａの材質よりもスズＳが堆積し易い材質である。従って、上記のように上流側内周面１８４ａよりも下流側内周面１８４ｂにおいて、多くのスズＳを堆積させ得る。
【0077】
９．まとめ
図１１は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍にスズＳが堆積した結果、各実施形態において共通して形成される堆積パターンを概略的に示す図である。
図１１は、隔壁１８のプラズマ生成領域ＡＲ近傍にスズＳが堆積した結果、各実施形態において共通して形成される堆積パターンを概略的に示す図である。
【0078】
図１１に示すように、比較例と異なり各実施形態のＥＵＶ光生成用チャンバ装置１５０では、隔壁１８の下流側内周面１８４ｂにおいて上流側内周面１８４ａよりもスズＳが堆積し易い。従って、隔壁１８の下流側において上流側よりも多くのスズＳを堆積させ得る。つまり、スズＳの平均堆積レートが所定の位置Ｐより上流側よりも下流側の方が高い。上流側内周面１８４ａのスズＳの平均堆積レートが例えば３ｍｍ／年以下、下流側内周面１８４ｂのスズＳの平均堆積レートが例えば１０ｍｍ／年以上であることが好ましい。これは上記実施形態でも同様である。
【0079】
以上本発明について、実施形態を例に説明したが、上記実施形態を適宜変更することができる。例えば、上流側内周面１８４ａと下流側内周面１８４ｂとで表面粗さが異なる実施形態４の隔壁１８に対し、実施形態２と同様の冷却機構５００及び実施形態１と同様の加熱機構４００の少なくとも一方を設けてもよい。また、上流側内周面１８４ａと下流側内周面１８４ｂで材質が異なる実施形態５の隔壁１８に対し、実施形態２と同様の冷却機構５００及び実施形態１と同様の加熱機構４００の少なくとも一方を設けてもよい。また、隔壁１８には第１～第３監視用開口１８８ａ～１８８ｃが設けられなくてもよい。
【0080】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。従って、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。たとえば、「含む」、「有する」、「備える」、「具備する」などの用語は、「記載されたもの以外の構成要素の存在を除外しない」と解釈されるべきである。また、修飾語「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】