▶ エスケーシー ソルミックス カンパニー，リミテッドの特許一覧
特開2024-102847ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024102847
(43)【公開日】2024-07-31
(54)【発明の名称】ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/50 20120101AFI20240724BHJP
B05C 11/08 20060101ALI20240724BHJP
【ＦＩ】
G03F1/50
B05C11/08
【審査請求】有
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024006874
(22)【出願日】2024-01-19
(31)【優先権主張番号】10-2023-0007856
(32)【優先日】2023-01-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】505232852
【氏名又は名称】エスケー エンパルス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＳＫ ｅｎｐｕｌｓｅ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１０４３，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄａｅｒｏ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ １７７８４， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110001139
【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人
(74)【代理人】
【識別番号】100130328
【弁理士】
【氏名又は名称】奥野 彰彦
(74)【代理人】
【識別番号】100130672
【弁理士】
【氏名又は名称】伊藤 寛之
(72)【発明者】
【氏名】キム、テワン
(72)【発明者】
【氏名】イ、ゴンゴン
(72)【発明者】
【氏名】キム、ソンユン
【テーマコード（参考）】
2H195
4F042
【Ｆターム（参考）】
2H195BA02
2H195BA07
2H195BB03
2H195BB16
2H195BB19
2H195BB25
2H195BC05
2H195BC11
2H195BC24
2H195BC26
4F042AA02
4F042AA06
4F042AB00
4F042EB09
4F042EB12
4F042EB17
4F042EB24
(57)【要約】 （修正有）
【課題】欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを提供することができるブランクマスクを製造するための装置およびブランクマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】光学基板を収容するチャンバと、回転可能であるように、前記チャンバ内に配置されるチャックとを含み、前記チャックは、前記光学基板の下に配置されて、前記光学基板を支持する支持部と、前記光学基板の側面に配置されて、前記支持部に連結されるガイド部とを含み、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満である、ブランクマスクの製造装置を提供する。
【選択図】図１
【解決手段】光学基板を収容するチャンバと、回転可能であるように、前記チャンバ内に配置されるチャックとを含み、前記チャックは、前記光学基板の下に配置されて、前記光学基板を支持する支持部と、前記光学基板の側面に配置されて、前記支持部に連結されるガイド部とを含み、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満である、ブランクマスクの製造装置を提供する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光学基板を収容するチャンバと、
回転可能であるように、前記チャンバ内に配置されるチャックとを含み、
前記チャックは、
前記光学基板の下に配置されて、前記光学基板を支持する支持部と、
前記光学基板の側面に配置されて、前記支持部に連結されるガイド部とを含み、
前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満である、
ブランクマスクの製造装置。
回転可能であるように、前記チャンバ内に配置されるチャックとを含み、
前記チャックは、
前記光学基板の下に配置されて、前記光学基板を支持する支持部と、
前記光学基板の側面に配置されて、前記支持部に連結されるガイド部とを含み、
前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満である、
ブランクマスクの製造装置。
【請求項2】
前記光学基板の側面と前記ガイド部との間の空間に配置されて、前記光学基板の側面と前記ガイド部との間の空間に流入する工程副産物を除去する副産物除去部を含む、
請求項１に記載のブランクマスクの製造装置。
請求項１に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項3】
前記副産物除去部に真空圧を印加する真空部をさらに含み、
前記副産物除去部は、前記工程副産物を吸入する、
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
前記副産物除去部は、前記工程副産物を吸入する、
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項4】
前記副産物除去部は、前記工程副産物を吸入するための孔を含み、
前記孔は、前記真空部に連結される、
請求項３に記載のブランクマスクの製造装置。
前記孔は、前記真空部に連結される、
請求項３に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項5】
前記孔の直径は、約０．５ｍｍ～約２ｍｍであり、前記孔の間の間隔は、約１０ｍｍ～１００ｍｍである、
請求項４に記載のブランクマスクの製造装置。
請求項４に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項6】
前記ガイド部の上面と前記光学基板の上面との間の高さの差は、１ｍｍ未満である、
請求項１に記載のブランクマスクの製造装置。
請求項１に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項7】
前記副産物除去部は、前記光学基板の側面と前記光学基板の下面とが交わる隅角領域に対応して配置される、
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項8】
前記副産物除去部は、前記工程副産物を下方または側下方に排出する、
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
請求項２に記載のブランクマスクの製造装置。
【請求項9】
光学基板上に遮光膜を形成する段階；
前記遮光膜が形成された光学基板をチャックに安着させる段階；
前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階；及び
前記光学基板の側面と前記チャックとの間の空間から、前記フォトレジスト層を形成する過程で発生する工程副産物を除去する段階を含む、
ブランクマスクの製造方法。
前記遮光膜が形成された光学基板をチャックに安着させる段階；
前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階；及び
前記光学基板の側面と前記チャックとの間の空間から、前記フォトレジスト層を形成する過程で発生する工程副産物を除去する段階を含む、
ブランクマスクの製造方法。
【請求項10】
前記フォトレジスト層を形成する段階は、
前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、
前記光学基板を回転させる段階とを含み、
前記光学基板を回転させる段階は、前記工程副産物を除去する段階と同時に行われる、
請求項９に記載のブランクマスクの製造方法。
前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、
前記光学基板を回転させる段階とを含み、
前記光学基板を回転させる段階は、前記工程副産物を除去する段階と同時に行われる、
請求項９に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項11】
前記チャックは、
前記光学基板の下に配置される支持部；
前記支持部に連結されて、前記光学基板の側面に配置されるガイド部；及び
前記光学基板の下面と前記光学基板の側面とが交わる隅角領域に対応して配置される副産物除去部を含み、
前記工程副産物は、前記副産物除去部を介して真空圧によって排出される、
請求項１０に記載のブランクマスクの製造方法。
前記光学基板の下に配置される支持部；
前記支持部に連結されて、前記光学基板の側面に配置されるガイド部；及び
前記光学基板の下面と前記光学基板の側面とが交わる隅角領域に対応して配置される副産物除去部を含み、
前記工程副産物は、前記副産物除去部を介して真空圧によって排出される、
請求項１０に記載のブランクマスクの製造方法。
【請求項12】
前記工程副産物は、前記フォトレジスト樹脂組成物から由来する微細粒子である、
請求項１１に記載のブランクマスクの製造方法。
請求項１１に記載のブランクマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
実施例は、ブランクマスクの製造装置およびブランクマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハ表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術である、リソグラフィ技術の重要性がさらに強調されている。
【0003】
微細化した回路パターンを現像するためには、露光工程で使用される露光光源の短波長化が要求される。近年、使用される露光光源では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などがある。
【0004】
一方、フォトマスクには、バイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙ ｍａｓｋ）と位相シフトマスク（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋ）などがある。
【0005】
バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は、露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は、露光光を遮断することにより、ウエハ表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。但し、バイナリマスクは、パターンが微細化するほど、露光工程における透過部の縁で発生する光の回折によって微細パターンの現象に問題が発生し得る。
【0006】
位相シフトマスクでは、レベンソン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）、アウトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒ ｔｙｐｅ）、ハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅ ｔｙｐｅ）がある。そのうち、ハーフトーン型の位相シフトマスクは、光透過性基板２０上に半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型の位相シフトマスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は、露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は、減衰した露光光を透過させる。前記減衰した露光光は、透過部を通過した露光光に比べて、位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺して、位相シフトマスクは、ウエハ表面にさらに精巧な微細パターンを形成することができる。
【0007】
これに関する先行文献は、次のとおりである。
（特許文献０００１）韓国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号
（特許文献０００２）韓国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号
（特許文献０００１）韓国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号
（特許文献０００２）韓国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
実施例は、欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを提供することができる、ブランクマスクを製造するための装置およびブランクマスクの製造方法を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
実施例によるブランクマスクの製造装置は、光学基板を収容するチャンバと、回転可能であるように、前記チャンバ内に配置されるチャックとを含み、前記チャックは、前記光学基板の下に配置されて、前記光学基板を支持する支持部と、前記光学基板の側面に配置されて、前記支持部に連結されるガイド部とを含み、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満である。
【0010】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記光学基板の側面と前記ガイド部との間の空間に配置されて、前記光学基板の側面と前記ガイド部との間の空間に流入する工程副産物を除去する副産物除去部を含んでいてもよい。
【0011】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記副産物除去部に真空圧を印加する真空部をさらに含み、前記副産物除去部は、前記工程副産物を吸入することができる。
【0012】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記副産物除去部は、前記工程副産物を吸入するための孔を含み、前記孔は、前記真空部に連結されてもよい。
【0013】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記孔の直径は、約０．５ｍｍ～約２ｍｍであり、前記孔の間の間隔は、約１０ｍｍ～約１００ｍｍであってもよい。
【0014】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記ガイド部の上面と前記光学基板の上面との間の高さの差は、１ｍｍ未満であってもよい。
【0015】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記副産物除去部は、前記光学基板の側面と前記光学基板の下面とが交わる隅角領域に対応して配置されてもよい。
【0016】
一実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記副産物除去部は、前記工程副産物を下方または側下方に排出することができる。
【0017】
実施例によるブランクマスクの製造方法は、光学基板上に遮光膜を形成する段階；前記遮光膜が形成された光学基板をチャックに安着させる段階；前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階；及び前記光学基板の側面と前記チャックとの間の空間から、前記フォトレジスト層を形成する過程で発生する工程副産物を除去する段階を含んでいてもよい。
【0018】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記フォトレジスト層を形成する段階は、前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、前記光学基板を回転させる段階とを含み、前記光学基板を回転させる段階は、前記工程副産物を除去する段階と同時に行うことができる。
【0019】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記チャックは、前記光学基板の下に配置される支持部；前記支持部に連結されて、前記光学基板の側面に配置されるガイド部；及び前記光学基板の下面と前記光学基板の側面とが交わる隅角領域に対応して配置される副産物除去部を含み、前記工程副産物は、前記副産物除去部を介して真空圧によって排出することができる。
【0020】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記工程副産物は、前記フォトレジスト樹脂組成物から由来する微細粒子であってもよい。
【0021】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記微細粒子の粒径は、約１μｍ～約１０μｍであってもよい。
【0022】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光学基板は、約５００ｒｐｍ～約７０００ｒｐｍの速度で回転し、前記副産物除去部の排気速度は、約１ｍｌ／ｓ～約１００ｍｌ／ｓであってもよい。
【0023】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の間隔は、０超１ｍｍ未満であってもよい。
【0024】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記副産物除去部は、前記チャックを貫通する孔を含んでいてもよい。
【0025】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記孔の直径は、約０．５ｍｍ～約２ｍｍであり、前記孔の間の間隔は、約１０ｍｍ～１００ｍｍであってもよい。
【0026】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記真空圧は、前記孔に連結される真空部によって印加され、前記真空部は、前記孔を介して流入する工程副産物を排出することができる。
【0027】
一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光学基板の上面は、ガイド部の上面よりもさらに高く、前記ガイド部の上面と前記光学基板の上面との間の高さの差は、約０．１ｍｍ～約０．５ｍｍであってもよい。
【発明の効果】
【0028】
実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記ガイド部と前記光学基板との間の間隔を適宜調節することができる。特に、実施例によるブランクマスクの製造装置において、前記ガイド部と前記光学基板との間の間隔は、０超１ｍｍ未満であってもよい。
【0029】
これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記ガイド部と前記光学基板との間に工程副産物が流入することを抑制することができる。これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記光学基板の側面および前記光学基板の下面の汚染を防止することができる。
【0030】
また、実施例によるブランクマスクの製造装置は、ガイド部と光学基板の側面との間の空間の下に配置される副産物除去部を含んでいてもよい。前記副産物除去部は、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間の空間に流入する工程副産物を除去することができる。
【0031】
特に、前記副産物除去部は、真空圧によって前記工程副産物を吸入することができる。これによって、前記副産物除去部は、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間に流入する微細粒子状の副産物を容易に除去することができる。
【0032】
特に、前記副産物除去部は、前記光学基板の側面と下面とが交わる隅角部分に対応して配置されるため、前記工程副産物を効率良く除去することができる。
【0033】
これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記工程副産物への汚染を最小化することができる。特に、実施例によるブランクマスクは、前記工程副産物が前記光学基板の側面および下面を汚染させることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0034】
【図1】実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。
【図2】一実施例によるチャックを示した斜視図である。
【図3】一実施例によるチャックの上面を示した図である。
【図4】チャックの一断面を示した断面図である。
【図6】一実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。
【図7】一実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。
【図8】他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。
【図9】さらに他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。
【図10】一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。
【図11】一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0035】
以下では、具現例の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように、実施例について詳説する。しかしながら、具現例は、互いに異なる様々な形態に具現され得、ここで説明する実施例に限定されない。
【0036】
本明細書で使われる程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有な製造及び物質の許容誤差が提示されるとき、その数値に、またはその数値に近い意味に使われ、具現例を理解するために正確あるいは絶対的な数値が言及された開示の内容を、非良心的な侵害者にとって不当に利用されることを防止するために使われる。
【0037】
本明細書の全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」の用語は、マーカッシュ形式の表現に記載の構成要素からなる群から選択される１つ以上の混合または組み合わせを意味するものであって、上記構成要素からなる群から選択される１つ以上を含むことを意味する。
【0038】
本明細書の全体において、「Ａ及び／またはＢ」の記載は、「Ａ、Ｂ、または、Ａ及びＢ」を意味する。
【0039】
本明細書の全体において、「第１」、「第２」または「Ａ」、「Ｂ」のような用語は、特に説明がない限り、同じ用語を互いに区別するために使われる。
【0040】
本明細書において、Ａ上にＢが位置するという意味は、Ａ上にＢが位置するか、その間に他の層が位置しつつＡ上にＢが位置するか、位置してもよいことを意味し、Ａの表面に接するようにＢが位置することに限定して解釈されない。
【0041】
本明細書における単数の表現は、特に説明がなければ、文脈上に解釈される単数または複数を含む意味に解釈される。
【0042】
図１は、実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。図２は、一実施例によるチャックを示した斜視図である。図３は、一実施例によるチャックの上面を示した図である。図４は、チャックの一断面を示した断面図である。図５は、図４におけるＡ部分を拡大して示した断面図である。図６は、一実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。図７は、一実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図８は、他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図９は、さらに他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図１０は、一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。図１１は、一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。
【0043】
図１を参照すると、実施例によるブランクマスクの製造装置は、チャンバ１００、チャック２００、真空部３００、排気部４００、及びフォトレジスト樹脂組成物の供給部５００を含む。
【0044】
前記チャンバ１００は、前記チャック２００を収容する。前記チャンバ１００は、ブランクマスクを製造するための光学基板１０を収容することができる。前記チャンバ１００は、外部から内部を隔離させることができる。前記チャンバ１００の内部は、密封することができる。前記チャンバ１００の内部圧力は、大気圧よりも低く真空がかかり得る。
【0045】
また、前記チャンバ１００は、開閉できるドアまたは蓋を含んでいてもよい。前記チャンバ１００の内部温度を調節することができるヒーターなどを前記チャンバ１００に具備することができる。
【0046】
【0047】
前記支持部２１０は、前記ガイド部２２０及び前記副産物除去部２３０を支持することができる。前記支持部２１０は、前記光学基板１０を支持する。前記支持部２１０は、前記光学基板１０の下に配置されてもよい。
【0048】
前記支持部２１０は、前記光学基板１０を臨時に固定させることができる。前記支持部２１０は、真空圧または静電気力によって、前記光学基板１０を臨時に固定させることができる。
【0049】
前記ガイド部２２０は、前記支持部２１０に連結することができる。前記ガイド部２２０は、前記支持部２１０と一体に形成されてもよい。前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２に配置されてもよい。前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２を囲むことができる。
【0050】
前記支持部２１０及び前記ガイド部２２０によって、前記光学基板１０を収容する収容部２４０を形成することができる。すなわち、前記支持部２１０は、前記光学基板１０の下面１３に配置され、前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２に配置されて、前記収容部２４０を構成することができる。
【0051】
前記収容部２４０は、前記光学基板１０の平面状に対応することができる。前記収容部２４０の平面状は、前記光学基板１０の平面状とほぼ類似であってもよい。前記光学基板１０の平面状は、正方形であり、前記収容部２４０の平面状も正方形であってもよい。
【0052】
前記ガイド部２２０の外郭は、円状を有してもよい。前記ガイド部２２０及び前記支持部２１０は、円状を有してもよい。
【0053】
前記副産物除去部２３０は、前記支持部２１０に形成されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０に形成されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記支持部２１０と前記ガイド部２２０とが交わる部分に形成されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記支持部２１０及び前記ガイド部２２０にわたって形成されてもよい。
【0054】
前記副産物除去部２３０は、前記光学基板１０のエッジ部分に対応する領域に形成されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記支持部２１０のエッジ部分に沿って形成されてもよい。
【0055】
前記副産物除去部２３０は、気体を噴射するか、気体を吸入できる多数個の孔を含んでいてもよい。前記孔は、下方または側下方に延在していてもよい。前記孔の直径は、約０．５ｍｍ～約２ｍｍであってもよい。前記孔の間の間隔は、約１０ｍｍ～１００ｍｍであってもよい。
【0056】
前記孔は、前記チャック２００を貫通することができる。前記孔は、前記支持部２１０を貫通することができる。
【0057】
前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の空間２５０の下に配置されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０の内側面と前記光学基板１０の側面１２との間の領域２５０に対応して配置されてもよい。
【0058】
前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２は、一定間隔で離隔していてもよい。前記ガイド部２２０の内側面と前記光学基板１０の側面１２との間の距離（Ｄ）は、約０．０１ｍｍ～約１ｍｍであってもよい。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の間隔（Ｄ）は、約１ｍｍ未満であってもよい。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の間隔（Ｄ）は、約０．０１超約０．５ｍｍ未満であってもよい。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の間隔（Ｄ）は、約０．０１超約０．２ｍｍ未満であってもよい。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の間隔（Ｄ）は、約０．０１超約０．１５ｍｍ未満であってもよい。
【0059】
前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２は、上記のような間隔（Ｄ）を有するため、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間２５０に、前記工程副産物５１１の流入を抑制することができる。特に、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２は、上記のような間隔（Ｄ）を有するため、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間へ前記フォトレジスト組成物が染み込むか、リバウンドして汚染することを防止することができる。
【0060】
また、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２は、上記のような間隔（Ｄ）を有するため、前記光学基板１０は、前記支持部２２０に容易に安着し得る。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２は、上記のような間隔（Ｄ）を有するため、前記光学基板１０が前記支持部２２０から着脱する際のスクラッチなどを防止することができる。特に、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０は、適宜離隔するため、前記光学基板１０が前記支持部２２０に安着または着脱する際に発生し得る、スクラッチまたはクラックを防止することができる。
【0061】
また、前記孔は、上記のような直径及び間隔を有するため、前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間に流入する前記工程副産物５１１を容易に除去することができる。
【0062】
前記光学基板１０の上面１１は、前記ガイド部２２０の上面２２１よりもさらに高くてもよい。すなわち、前記ガイド部２２０の上面２２１は、前記光学基板１０の上面１１よりもさらに低くてもよい。
【0063】
前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さの差は、約１ｍｍ未満であってもよい。前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さの差は、約０．１ｍｍ～約０．５ｍｍであってもよい。前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さの差は、約０．１ｍｍ～約２５ｍｍであってもよい。前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さの差は、約０．１ｍｍ～約０．２ｍｍであってもよい。
【0064】
前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さの差が、上記のとおりである場合、前記光学基板１０にフォトレジスト樹脂組成物がスピンコートされるとき、前記工程副産物５１１を容易に排出することができる。
【0065】
前記副産物除去部２３０は、前記真空部３００に連結されてもよい。前記副産物除去部２３０は、流路２６０を介して前記真空部３００に連結されてもよい。前記副産物除去部２３０は、前記真空部３００によって発生する真空圧を、前記流路２６０を介して印加されて、前記工程副産物５１１を吸入することができる。すなわち、前記工程副産物５１１は、前記真空部３００によって、前記副産物除去部２３０及び前記流路２６０を介して除去することができる。
【0066】
前記工程副産物５１１は、微細粒子を含んでいてもよい。前記微細粒子は、前記フォトレジスト樹脂組成物の飛散によって形成されてもよい。前記微細粒子の粒径は、約１０μｍ未満であってもよい。前記微細粒子の粒径は、約１μｍ～約１０μｍであってもよい。
【0067】
前記副産物除去部２３０の排気速度は、約１ｍｌ／ｓ～約１００ｍｌ／ｓであってもよい。これによって、前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間に含まれた工程副産物５１１を容易に除去することができる。
【0068】
前記真空部３００は、前記副産物除去部２３０と連結されてもよい。前記真空部３００は、前記孔と連結されてもよい。前記真空部３００は、前記流路２６０を介して前記副産物除去部２３０と連結されてもよい。前記真空部３００は、前記副産物除去部２３０に真空圧を印加することができる。前記真空部３００は、前記工程副産物５１１を吸入して、フィルタリングすることができる。前記真空部３００は、前記工程副産物５１１を排出させることができる。
【0069】
前記排気部４００は、前記チャンバ１００の内部気体を排気させることができる。また、前記排気部４００は、前記光学基板１０上にコートして残ったフォトレジスト組成物を排出させることができる。前記排気部４００は、前記チャック２００の側方に飛散するフォトレジスト樹脂組成物を排出させることができる。
【0070】
また、実施例によるブランクマスクの製造装置は、吸入ノズル（未図示）をさらに含んでいてもよい。前記吸入ノズルは、前記排気部４００から延在して、前記チャック２００の一側に配置されてもよい。前記吸入ノズルは、前記チャック２００から側方に飛散するフォトレジスト組成物を吸入することができる。
【0071】
前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００は、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物５１０を供給することができる。前記フォトレジスト樹脂組成物５１０は、前記チャンバ１００内に配置される噴射ノズルを含んでいてもよい。前記噴射ノズルを介して前記光学基板１０に、前記フォトレジスト樹脂組成物５１０がドロップし得る。すなわち、前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００は、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物５１０を噴射することができる。
【0072】
前記スピンドルモータ６００は、前記チャック２００に連結されてもよい。前記スピンドルモータ６００は、前記チャック２００を高速回転させることができる。前記チャック２００は、前記スピンドルモータ６００によって、約５００ｒｐｍ～約７０００ｒｐｍの速度で回転することができる。
【0073】
前記チャック２００の回転によって、前記ドロップしたフォトレジスト樹脂組成物に遠心力が印加され、前記光学基板１０上に均一な厚さでフォトレジスト樹脂組成物層が形成されてもよい。
【0074】
前記副産物除去部２３０は、真空圧によって前記工程副産物５１１を吸入することができる。これによって、前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間に流入する微細粒子状の工程副産物５１１を容易に除去することができる。
【0075】
特に、前記副産物除去部２３０は、前記光学基板１０の側面１２と下面１３とが交わる隅角部分に対応して配置されるため、前記工程副産物５１１を効率良く除去することができる。
【0076】
これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記工程副産物５１１への汚染を最小化することができる。特に、実施例によるブランクマスクは、前記工程副産物５１１が前記光学基板１０の側面１２および下面１３を汚染させることを防止することができる。
【0077】
実施例によるブランクマスクは、下記の製造工程によって製造することができる。
【0078】
先ず、光学基板１０を提供することができる。前記光学基板１０は、光透過性基板２０と、前記光透過性基板２０上に位置する遮光膜３０とを含む。
【0079】
前記光透過性基板２０は、露光光に対する光透過性を有してもよい。前記光透過性基板２０は、波長約１９３ｎｍの露光光に対して、約８５％を超える透過率を有してもよい。前記光透過性基板２０の透過率は、約８７％超であってもよい。前記光透過性基板１０の透過率は、９９．９９％未満であってもよい。前記光透過性基板２０は、合成石英基板を含んでいてもよい。斯かる場合、前記光透過性基板２０は、透過する光の減衰（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）を抑制することができる。
【0080】
前記光透過性基板２０は、適宜な平坦度及び適宜な照度などの表面特性を有するため、透過する光の歪を抑制することができる。
【0081】
前記遮光膜３０は、光透過性基板２０の上面（ｔｏｐ ｓｉｄｅ）上に配置されてもよい。
【0082】
前記遮光膜３０は、光透過性基板２０の下面（ｂｏｔｔｏｍ ｓｉｄｅ）側に入射する露光光を少なくとも選択的に遮断することができる。
【0083】
また、図７に示したように、前記光透過性基板２０と前記遮光膜３０との間に位相シフト膜４０などが配置される場合、前記遮光膜３０は、前記位相シフト膜４０などをパターンの形状どおりにエッチングする工程におけるエッチングマスクとして用いることができる。
【0084】
前記遮光膜３０は、遷移金属と、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含んでいてもよい。
【0085】
前記遮光膜３０は、クロム、酸素、窒素および炭素を含んでいてもよい。全体の遮光膜３０に対する元素別含量は、厚さ方向に互いに異なり得る。全体の遮光膜３０に対する元素別含量は、複数層の遮光膜３０である場合、層別に互いに異なり得る。
【0086】
前記遮光膜３０は、クロムを約４４ａｔｏｍ％～約６０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、クロムを約４７ａｔｏｍ％～約５７ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。
【0087】
前記遮光膜３０は、炭素を約５ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、炭素を約７ａｔｏｍ％～約２５％ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。
【0088】
前記遮光膜３０は、窒素を約３ａｔｏｍ％～約２０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、窒素を約５ａｔｏｍ％～約１５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。
【0089】
前記遮光膜３０は、酸素を約２０ａｔｏｍ％～約４５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、酸素を約２５ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。
【0090】
斯かる場合、前記遮光膜３０は、消光特性を十分有することができる。
【0091】
図８に示したように、前記遮光膜３０は、それぞれ遷移金属、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む第１遮光層３０１および第２遮光層３０２を含んでいてもよい。
【0092】
前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約５０ａｔ％～約８０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約５５ａｔ％～約７５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約６０ａｔ％～約７０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２において、酸素含量と窒素含量を足した値は、約１０ａｔ％～約３０ａｔ％であってもよい。前記第２遮光層３０２において、酸素含量と窒素含量を足した値は、約１５ａｔ％～約２５ａｔ％であってもよい。前記第２遮光層３０２は、窒素を約５ａｔ％～約１５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、窒素を約７ａｔ％～約１３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。
【0093】
前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約３０ａｔ％～約６０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約３５ａｔ％～約５５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約４０ａｔ％～約５０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素含量と窒素含量を足した値は、約４０ａｔ％～約７０ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素含量と窒素含量を足した値は、約４５ａｔ％～約６５ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素含量と窒素含量を足した値は、約５０ａｔ％～約６０ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２０ａｔ％～約３７ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２３ａｔ％～約３３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２５ａｔ％～約３０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２０ａｔ％～約３５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２６ａｔ％～約３３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２６ａｔ％～約３０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。
【0094】
前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、ＴｉおよびＨｆの少なくともいずれかを含んでいてもよい。前記遷移金属は、Ｃｒであってもよい。
【0095】
斯かる場合、前記第１遮光層３１は、前記遮光膜３０が優れる消光特性を有するように助けることができる。
【0096】
前記第１遮光層３１の厚さは、約２５０Å～約６５０Åであってもよい。前記第１遮光層３１の厚さは、約３５０Å～約６００Åであってもよい。前記第１遮光層３１の厚さは、約４００Å～約５５０Åであってもよい。斯かる場合、前記第１遮光層３１は、前記遮光膜３０が露光光を効果的に遮断することを助けることができる。
【0097】
前記第２遮光層３２の厚さは、約３０Å～約２００Åであってもよい。前記第２遮光層３２の厚さは、約３０Å以上約１００Åであってもよい。前記第２遮光層３２の厚さは、約４０Å～約８０Åであってもよい。斯かる場合、前記第２遮光層３２は、前記遮光膜３０の消光特性を向上させて、前記遮光膜３０のパターニング時に形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することを助けることができる。
【0098】
前記第１遮光層３１の厚さに対する前記第２遮光層３２の厚さの比率は、約０．０５～約０．３であってもよい。前記第１遮光層３１に対する前記第２遮光層３２の厚さの比率は、約０．０７～約０．２５であってもよい。前記第１遮光層３１に対する前記第２遮光層３２の厚さの比率は、約０．１～約０．２であってもよい。
【0099】
斯かる場合、前記遮光膜３０は、消光特性を十分有し、かつ、遮光膜３０のパターニング時に形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することができる。
【0100】
前記第２遮光層３２の遷移金属の含量は、前記第１遮光層３１の遷移金属の含量よりもさらに大きい値を有してもよい。
【0101】
前記遮光膜３０をパターニングして形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御して、欠陥検査における検査光に対する遮光膜３０の表面反射率が検査に好適な値を有するようにするために、前記第２遮光層３２は、前記第１遮光層３１に対する遷移金属の含量が、さらに大きい値を有することが要求され得る。
【0102】
但し、斯かる場合、成膜した遮光膜３０を熱処理する過程で、前記第２遮光層３２に含まれた遷移金属は、回復、再結晶および結晶粒成長が発生し得る。遷移金属が高い含量で含まれた第２遮光層３２における結晶粒成長が発生する場合、過度に成長した遷移金属粒子によって、遮光膜３０の表面の照度特性が過度に変動し得る。これは、遮光膜３０の表面を高い感度で欠陥検査する場合、疑似欠陥検出数を高める原因になり得る。
【0103】
前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１％～約２％の透過率を有してもよい。前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．３％～約２％の透過率を有してもよい。前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．４％～約２％の透過率を有してもよい。
【0104】
前記遮光膜３０は、約１．８～約３の光学密度を有してもよい。前記遮光膜３０は、約１．９～約３の光学密度を有してもよい。
【0105】
斯かる場合、前記遮光膜３０を含む薄膜は、露光光の透過を効果的に抑制することができる。
【0106】
図９に示したように、前記光学基板１０は、位相シフト膜４０をさらに含んでいてもよい。
【0107】
前記位相シフト膜４０は、前記光透過性基板２０と前記遮光膜３０との間に配置されてもよい。前記位相シフト膜４０は、透過する露光光の光強度を減殺して、位相差を調節し、パターンの縁に発生する回折光を実質的に抑制する薄膜であってもよい。
【0108】
前記位相シフト膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１７０゜～約１９０゜の位相差を有してもよい。前記位相シフト膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１７５゜～約１８５゜の位相差を有してもよい。
【0109】
前記位相シフト膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約３％～約１０％の透過率を有してもよい。前記位相シフト膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約４％～約８％の透過率を有してもよい。斯かる場合、前記位相シフト膜４０の含まれたフォトマスク２００の解像度が向上し得る。
【0110】
前記位相シフト膜４０は、遷移金属及びケイ素を含んでいてもよい。前記位相シフト膜４０は、遷移金属、ケイ素、酸素および窒素を含んでいてもよい。前記遷移金属は、モリブデンであってもよい。
【0111】
前記遮光膜３０上にハードマスク（未図示）が位置してもよい。前記ハードマスクは、遮光膜３０のパターンをエッチングするとき、エッチングマスク膜の働きをすることができる。ハードマスクは、ケイ素、窒素および酸素を含んでいてもよい。
【0112】
前記光学基板１０の製造方法は、前記光透過成膜上に前記遮光膜３０が形成される段階を含む。前記遮光膜３０は、スパッタリング工程によって形成されてもよい。
【0113】
前記スパッタリング工程が行われた後、熱処理工程を行うことができる。
【0114】
前記熱処理段階は、約２００℃～約４００℃の温度で行うことができる。
【0115】
前記熱処理段階は、約５分～約３０分間行うことができる。
【0116】
また、前記光学基板１０の製造方法は、前記熱処理工程を経た遮光膜３０を冷却させる段階をさらに含んでいてもよい。
【0117】
前記スパッタリングターゲットは、形成しようとする遮光膜３０の組成を考慮して選択することができる。前記スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを適用することができる。スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを含み、２以上のターゲットを適用することができる。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９０ａｔｏｍ％以上含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９５ａｔｏｍ％以上含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９９ａｔｏｍ％含んでいてもよい。
【0118】
前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、ＴｉおよびＨｆの少なくともいずれかを含んでいてもよい。遷移金属は、Ｃｒを含んでいてもよい。
【0119】
前記雰囲気ガスは、不活性ガス、反応性ガスおよびスパッタリングガスを含んでいてもよい。前記不活性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含まないガスである。反応性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含むガスである。
【0120】
前記スパッタリングガスは、プラズマ雰囲気でイオン化して、ターゲットと衝突するガスである。前記不活性ガスは、ヘリウムを含んでいてもよい。
【0121】
前記反応性ガスは、窒素元素を含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素を含むガスは、例示としてＮ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４またはＮ２Ｏ５などであってもよい。反応性ガスは、酸素元素を含むガスを含んでいてもよい。
【0122】
前記酸素元素を含むガスは、例示としてＯ２であってもよい。反応性ガスは、窒素元素を含むガスおよび酸素元素を含むガスを含んでいてもよい。前記反応性ガスは、窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスは、例示としてＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４またはＮ２Ｏ５などであってもよい。
【0123】
また、前記炭素及び酸素を含む反応性ガスは、ＣＯ２であってもよい。
【0124】
前記スパッタリングガスは、Ａｒガスであってもよい。
【0125】
前記スパッタリングターゲットに電力を加える電源は、ＤＣ電源を使用することができ、ＲＦ電源を使用することもできる。
【0126】
その後、前記冷却した遮光膜３０は、洗浄することができる。前記洗浄工程は、紫外線照射工程及び／またはリンス工程を含んでいてもよい。
【0127】
前記紫外線照射工程は、前記遮光膜３０に紫外線を照射する段階を含んでいてもよい。
【0128】
前記リンス工程は、前記遮光膜３０に洗浄液を処理する段階を含む。前記洗浄液は、脱イオン水、水素水、オゾン水または炭酸水の少なくとも１つを含んでいてもよい。前記洗浄液は、前記炭酸水を含んでいてもよい。
【0129】
前記光学基板１０は、前記チャンバ１００内に配置されてもよい。前記光学基板１０は、前記チャック２００に臨時に固定し得る。前記光学基板１０は、前記収容部内に配置されてもよい。前記光学基板１０は、前記チャック２００に安着し得る。
【0130】
実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板１０上にフォトレジスト層５０を形成する段階を含む。
【0131】
前記フォトレジスト層５０が形成されるために、前記チャンバ１００の蓋によって、前記チャンバ１００の内部は、外部と隔離される。その後、前記チャック２００が高速回転される状態で、前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００によって、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物がドロップして、コートされる。これによって、前記光学基板１０上にフォトレジスト樹脂組成物層が形成されてもよい。
【0132】
実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板１０の側面１２と前記チャック２００との間の空間から、前記フォトレジスト層５０を形成する過程で発生する工程副産物５１１を真空圧によって排出する段階を含む。
【0133】
前記光学基板１０上に前記フォトレジスト樹脂組成物がコートされるとき、前記真空部３００は、前記副産物除去部２３０に真空圧を印加することができる。これによって、前記光学基板１０の側面１２と前記チャック２００との間の空間２５０から、前記工程副産物５１１を除去することができる。すなわち、前記光学基板１０の側面１２と前記ガイド部２２０との間の空間２５０から、前記工程副産物５１１が前記副産物除去部２３０に吸入し得る。
【0134】
前記工程副産物５１１を除去する段階と、前記チャック２００によって前記光学基板１０を高速回転させる段階は、同時に行うことができる。すなわち、前記フォトレジスト層５０を形成するための工程と、前記工程副産物５１１を排出するための工程は、同時に行うことができる。
【0135】
前記フォトレジスト樹脂組成物は、バインダー樹脂、感光剤および有機溶剤を含んでいてもよい。
【0136】
前記バインダー樹脂の例では、ノボラック樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。前記バインダー樹脂の例では、ポリビニルピロリドン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｐｙｒｏｌｉｄｏｎｅ）またはポリ（アクリルアミド－コ－ジアセトンアクリルアミド）［ｐｏｌｙ（ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ－ｃｏ－ｄｉａｃｅｔｏｎｅａｃｒｙｌａｍｉｄｅ）］などが挙げられる。
【0137】
前記感光剤の例では、４，４'－ジアジド－２，２'－スチルベンジスルホン酸ナトリウム塩、４，４'－ジアゾ－２，２'－ジベンザルアセトンジスルホン酸二ナトリウム塩、２，５－ビス（４－アジド－２－スルホベンジリデン）シクロペンタノン二ナトリウム塩、または４，４'－ジアジド－２，２'－スチルベンジスルホン酸ナトリウム塩（４，４'－ｄｉａｚｉｄｏ－２，２'－ｄｉｃｉｎｎａｍｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ ｓａｌｔ，ＤＡＣＡ）からなるグループから少なくとも１つ以上を選択することができる。
【0138】
前記溶媒は、エチルアセテート、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコールエチルアセテート、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、γ－ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグリム（Ｄｉｇｌｙｍｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノ－ル、プロパノール、イソプロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、及びオクタンからなるグループから少なくとも１つ以上を選択することができる。
【0139】
前記フォトレジスト樹脂組成物は、前記バインダー樹脂を約３ｗｔ％～約５０ ｗｔ％の含量で含み、前記感光剤を約２ｗｔ％～約４０ｗｔ％の含量で含み、前記溶媒を約１０ｗｔ％～約９４ｗｔ％の含量で含んでいてもよい。
【0140】
前記フォトレジスト樹脂組成物は、レベリング剤または接着補助剤などのような添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0141】
これによって、前記光学基板１０上に形成されたフォトレジスト樹脂組成物層が乾燥して、前記溶媒が除去される。これによって、図１０に示したように、前記光学基板１０上に前記フォトレジスト層５０が形成されてもよい。これによって、前記光学基板１０及び前記フォトレジスト層５０を含むブランクマスクを製造することができる。
【0142】
前記フォトレジスト層５０に光が選択的に照射して、前記遮光膜は、選択的にエッチングされ、遮光パターン膜３５が形成されてもよい。これによって、図１１に示したように、前記光透過性基板２０と、前記光透過性基板２０上に配置される前記遮光パターン膜３５とを含むフォトマスク２が形成されてもよい。
【0143】
前記遮光パターン膜３５は、遷移金属と、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む。
【0144】
前記遮光パターン膜３５は、前述したブランクマスク１００の遮光膜３０をパターニングして形成されてもよい。
【0145】
前記遮光パターン膜３５の物性、組成および構造などに関する説明は、ブランクマスク１の遮光膜３０に関する説明と重複するため、省略する。
【0146】
実施例による半導体素子の製造方法は、光源、フォトマスク２およびレジスト膜が塗布された半導体ウエハを配置する準備段階；前記フォトマスク２を介して前記光源から入射した光を、前記半導体ウエハ上に選択的に透過させて出射する露光段階；及び前記半導体ウエハ上にパターンを現像する現象段階；を含む。
【0147】
前記フォトマスク２は、光透過性基板２０と、前記光透過性基板２０上に配置される遮光パターン膜３５とを含む。
【0148】
前記遮光パターン膜３５は、遷移金属と、酸素、窒素および炭素の少なくともいずれかを含む。
【0149】
前記準備段階において、光源は、短波長の露光光を発生させる装置である。露光光は、波長２００ｎｍ以下の光であってもよい。露光光は、波長１９３ｎｍであるＡｒＦ光であってもよい。
【0150】
前記フォトマスク２と半導体ウエハとの間にレンズをさらに配置することができる。レンズは、フォトマスク２上の回路パターンの形状を縮小して、半導体ウエハ上に転写する働きをする。レンズは、ＡｒＦ半導体ウエハ露光工程に一般的に適用できるものであれば、限定されない。例示では、前記レンズは、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）からなるレンズを適用することができる。
【0151】
前記露光段階において、フォトマスク２を介して半導体ウエハ上に露光光を選択的に透過させることができる。斯かる場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分における化学的変性が発生し得る。
【0152】
前記現象段階において、露光段階を終えた半導体ウエハを現象溶液処理して、半導体ウエハ上にパターンを現像することができる。塗布されたレジスト膜がポジ型レジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分は、現象溶液によって溶解されてもよい。塗布されたレジスト膜がネガ型レジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射していない部分は、現象溶液によって溶解されてもよい。現象溶液処理によってレジスト膜は、レジストパターンに形成される。前記レジストパターンをマスクとして、半導体ウエハ上にパターンを形成することができる。
【0153】
前記フォトマスク２に関する説明は、上記内容と重複するため、省略する。
【0154】
実施例によるブランクマスクの製造装置は、ガイド部２２０と光学基板１０の側面１２との間の空間の下に配置される副産物除去部２３０を含む。前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の空間に流入する工程副産物５１１を除去することができる。
【0155】
特に、前記副産物除去部２３０は、真空圧によって前記工程副産物５１１を吸入することができる。これによって、前記副産物除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間に流入する微細粒子状の副産物を容易に除去することができる。
【0156】
特に、前記副産物除去部２３０は、前記光学基板１０の側面１２と下面１３とが交わる隅角部分に対応して配置されるため、前記工程副産物５１１を効率良く除去することができる。
【0157】
これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記工程副産物５１１への汚染を最小化することができる。特に、実施例によるブランクマスクは、前記工程副産物５１１が前記光学基板１０の側面１２および下面１３を汚染させることを防止することができる。
【0158】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、次の請求範囲に定義する、本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【0159】
１００ チャンバ
２００ チャック
３００ 真空部
４００ 排気部
５００ フォトレジスト樹脂組成物の供給部
２００ チャック
３００ 真空部
４００ 排気部
５００ フォトレジスト樹脂組成物の供給部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
