特開 2024-103249 光モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024103249

(43)【公開日】2024-08-01

(54)【発明の名称】光モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/0687 20060101AFI20240725BHJP

   H01S 5/02325 20210101ALI20240725BHJP

【ＦＩ】

H01S5/0687

H01S5/02325

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023007484

(22)【出願日】2023-01-20

(71)【出願人】

【識別番号】000005290

【氏名又は名称】古河電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】長島 和哉

(72)【発明者】

【氏名】伊澤 敦

(72)【発明者】

【氏名】梶 敦次

(72)【発明者】

【氏名】松原 礼高

(72)【発明者】

【氏名】石川 陽三

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173MC17

5F173MF12

5F173MF40

(57)【要約】

【課題】例えば、波長検出部に対する迷光の影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュールを得る。
【解決手段】光モジュールは、例えば、筐体と、筐体内に収容された発光素子と、筐体内に収容され発光素子から第一方向に出力された第一光の波長を検出する波長検出部と、筐体内に収容され第一光と略平行な第二光が入力される光デバイスと、を備え、波長検出部の第一光の第一入射面が、光デバイスの第二光の第二入射面に対して、第一方向の反対方向に離れて位置する。また、光モジュールでは、発光素子から第一方向の反対方向に出力された光が、第一光学部品を経由した後、第二光として光デバイスに入力されてもよい。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

筐体と、
前記筐体内に収容された発光素子と、
前記筐体内に収容され前記発光素子から第一方向に出力された第一光の波長を検出する波長検出部と、
前記筐体内に収容され前記第一光と略平行な第二光が入力される光デバイスと、
を備え、
前記波長検出部の前記第一光の第一入射面が、前記光デバイスの前記第二光の第二入射面に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置した、光モジュール。

【請求項2】

前記発光素子から前記第一方向の反対方向に出力された光が、第一光学部品を経由した後、前記第二光として前記光デバイスに入力される、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項3】

前記光デバイスは、光を前記第一方向の反対方向に折り返す折り返し部を有し、
前記第一入射面が、前記折り返し部に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置した、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項4】

前記第二入射面に対して前記第一方向の反対方向に面し前記第二光が前記第二入射面に入射する前に経由する第二光学部品を備え、
前記第一入射面が、前記第二光学部品に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置した、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項5】

前記波長検出部は、光フィルタを有し前記第一光が入力される第一部位と、前記第一部位を経由した光の強度を検出する強度検出部を有した第二部位と、を有し、
前記第二部位は、前記第一部位に対して前記第二入射面とは反対側に位置した、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項6】

前記波長検出部と前記光デバイスとの間に介在した遮光部を備えた、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項7】

前記遮光部は、光を吸収する光吸収部を有した、請求項６に記載の光モジュール。

【請求項8】

前記遮光部は、電子部品を支持した支持部材の一部である、請求項６に記載の光モジュール。

【請求項9】

前記光デバイスは、コヒーレントミキサである、請求項１に記載の光モジュール。

【請求項10】

前記光デバイスは、変調器である、請求項１に記載の光モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、発光素子、波長検出部、光デバイス等を備え、筐体内で光が伝送される光モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。発光素子は、例えば、レーザ素子であり、波長検出部は、例えば、波長ロッカであり、光デバイスは、例えば、コヒーレントミキサや、変調器等である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０２０／１３８３３７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この種の光モジュールにおいて、波長検出部に、光デバイスでの反射や散乱によって生じた迷光が入射すると、波長の検出精度が低下する虞があるため、好ましくない。

【0005】

そこで、本発明の課題の一つは、例えば、波長検出部に対する迷光の影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュールを得ること、である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の光モジュールは、例えば、筐体と、前記筐体内に収容された発光素子と、前記筐体内に収容され前記発光素子から第一方向に出力された第一光の波長を検出する波長検出部と、前記筐体内に収容され前記第一光と略平行な第二光が入力される光デバイスと、を備え、前記波長検出部の前記第一光の第一入射面が、前記光デバイスの前記第二光の第二入射面に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置する。

【0007】

前記光モジュールでは、前記発光素子から前記第一方向の反対方向に出力された光が、第一光学部品を経由した後、前記第二光として前記光デバイスに入力されてもよい。

【0008】

前記光モジュールでは、前記光デバイスは、光を前記第一方向の反対方向に折り返す折り返し部を有し、前記第一入射面が、前記折り返し部に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置してもよい。

【0009】

前記光モジュールは、前記第二入射面に対して前記第一方向の反対方向に面し前記第二光が前記第二入射面に入射する前に経由する第二光学部品を備え、前記第一入射面が、前記第二光学部品に対して、前記第一方向の反対方向に離れて位置してもよい。

【0010】

前記光モジュールでは、前記波長検出部は、光フィルタを有し前記第一光が入力される第一部位と、前記第一部位を経由した光の強度を検出する強度検出部を有した第二部位と、を有し、前記第二部位は、前記第一部位に対して前記第二入射面とは反対側に位置してもよい。

【0011】

前記光モジュールは、前記波長検出部と前記光デバイスとの間に介在した遮光部を備えてもよい。

【0012】

前記光モジュールでは、前記遮光部は、光を吸収する光吸収部を有してもよい。

【0013】

前記光モジュールでは、前記遮光部は、電子部品を支持した支持部材の一部であってもよい。

【0014】

前記光モジュールでは、前記光デバイスは、コヒーレントミキサであってもよい。

【0015】

前記光モジュールでは、前記光デバイスは、変調器であってもよい。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、例えば、改善された新規な構成を備えた光モジュールを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、第１実施形態の光モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。

【図2】図２は、第２実施形態の光モジュールの例示的かつ模式的な平面図である。

【図3】図３は、第３実施形態の光モジュールの内部構成を示す例示的かつ模式的な平面図である。

【図4】図４は、第４実施形態の光モジュールの内部構成を示す例示的かつ模式的な平面図である。

【図5】図５は、第５実施形態の光モジュールの内部構成を示す例示的かつ模式的な平面図である。

【図6】図６は、第５実施形態の光モジュールの内部構成の一部の例示的かつ模式的な正面図である。

【図7】図７は、第６実施形態の光モジュールの内部構成を示す例示的かつ模式的な平面図である。

【図8】図８は、第６実施形態の光モジュールの内部構成の一部の例示的かつ模式的な正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。

【0019】

以下に示される複数の実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。

【0020】

本明細書において、序数は、部材や、部位、光、方向等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではない。

【0021】

また、各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。

【0022】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の光モジュール１００Ａ（１００）の平面図である。図１に示されるように、光モジュール１００Ａ（１００）は、筐体１０と、チップオンサブマウント２０と、波長検出部３０Ａ（３０）と、光デバイス４０と、を備えている。

【0023】

筐体１０は、箱状に構成されており、チップオンサブマウント２０や、波長検出部３０Ａ、光デバイス４０、温調装置（不図示）等を収容している。筐体１０は、底壁や、周壁（側壁）、天壁等（不図示）を有している。収容物を支持する底壁は、例えば、銅タングステン（ＣｕＷ）、銅モリブデン（ＣｕＭｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のような、熱伝導率の高い材料で作られうる。また、周壁や天壁は、例えば、例えば、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のような、熱膨張係数の低い材料で作られうる。

【0024】

チップオンサブマウント２０は、例えば、サブマウント２１と、当該サブマウント２１上に設けられたレーザ素子２２と、を有している。レーザ素子２２は、例えば、半導体レーザ素子であり、Ｙ方向に主たる出力光を出力するとともに、Ｙ方向の反対方向に波長モニタ用の出力光としてのレーザ光Ｌ１を出力している。レーザ素子２２は、発光素子の一例であり、Ｙ方向の反対方向は、第一方向の一例である。言い換えると、Ｙ方向は、第一方向の反対方向の一例である。また、レーザ光Ｌ１は、第一光の一例である。

【0025】

波長検出部３０Ａ（３０）は、光フィルタを含む導波路構造を有した第一部位３１と、第一部位３１を透過した光の強度を検出する強度検出部を含む第二部位３２と、を有している。第一部位３１に含まれる光フィルタは、波長に応じて透過率が異なる波長フィルタであり、その波長－透過率特性は、例えば、中心波長で光の透過率が最も高くなるとともに波長が中心波長から離れるにつれて透過率が徐々に低くなるよう、設定されている。したがって、第一部位３１を透過した光の第二部位３２に含まれる強度検出部での受光強度に応じて、当該第一部位３１を透過した光、すなわちレーザ素子２２から出力された光の波長を検出することができる。この場合、第一部位３１は、中心波長が異なる複数の光フィルタを有してもよいし、光フィルタを有しないリファレンス用の導波路を有してもよい。また、第二部位３２は、複数の強度検出部を有し、各強度検出部は、対応する光フィルタを透過した光の強度や、光フィルタを有しない導波路の光の強度を検出してもよい。光フィルタは、例えば、リング共振器や、マッハツェンダ干渉計として構成することができる。強度検出部は、例えば、フォトダイオードとして構成することができる。波長検出部３０の入射面３０ａには、Ｙ方向の反対方向に向かうレーザ光Ｌ１が入力される。入射面３０ａは、第一入射面の一例である。

【0026】

光デバイス４０は、例えば、国際公開第２０２０／１３８３３７号に開示されるような公知のコヒーレントミキサや、変調器等である。コヒーレントミキサは、入力されたレーザ光Ｌ２と入力信号光（不図示）とを干渉させた処理信号光（不図示）を生成する。処理信号光から、Ｘ偏波のＩ成分およびＱ成分と、Ｙ偏波のＩ成分およびＱ成分が取得される。他方、変調器は、レーザ光Ｌ２を変調して変調光を生成するものである。変調器は、たとえばInPを構成材料に用いたマッハツェンダ型の位相変調器であり、変調器ドライバ（不図示）によって駆動されてＩＱ変調器として機能する公知のものである。このような位相変調器は、たとえば国際公開第２０１６／０２１１６３号に開示されるものと同様のものである。光デバイス４０の入射面４０ａには、Ｙ方向の反対方向に向かうレーザ光Ｌ２が入力される。レーザ光Ｌ２は、レーザ光Ｌ１と略平行である。入射面４０ａは、第二入射面の一例である。また、レーザ光Ｌ２は、第二光の一例である。

【0027】

ここで、図１に示されるように、本実施形態では、入射面３０ａは、入射面４０ａに対して、Ｙ方向に離れて位置している。この場合、仮に、レーザ光Ｌ２の入射面４０ａでの散乱によって迷光が生じたとしても、波長検出部３０の入射面３０ａは、入射面４０ａに対してＹ方向に離れるとともに、入射面４０ａに対して第一部位３１の陰に位置しているため、当該迷光は入射面３０ａに到達し難くなる。

【0028】

すなわち、本実施形態によれば、例えば、波長検出部３０に対する迷光の影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ａ（１００）を得ることができる。

【0029】

［第２実施形態］
図２は、第２実施形態の光モジュール１００Ｂ（１００）の平面図である。図２に示されるように、光モジュール１００Ｂ（１００）は、筐体１０と、チップオンサブマウント２０と、波長検出部３０Ａ（３０）と、光デバイス４０としてのコヒーレントミキサ４１および変調器４２と、複数の光学部品５０と、を備えている。光モジュール１００Ｂ（１００）は、国際公開第２０２０／１３８３３７号に開示される光モジュールと同様の構成を備えている。

【0030】

複数の光学部品５０は、例えば、ミラーやビームスプリッタ等であって、レーザ素子２２からＹ方向へ出力されたレーザ光を、レーザ光Ｌ２１，Ｌ２２（Ｌ２）に分岐するとともに折り返し、Ｙ方向の反対方向へ向かわせる。すなわち、レーザ光Ｌ２１およびレーザ光Ｌ２２は、いずれもＹ方向の反対方向へ向かい、互いに平行であり、かつレーザ光Ｌ１と平行な光となる。レーザ光Ｌ２１（Ｌ２）は、コヒーレントミキサ４１へ入力され、レーザ光Ｌ２２（Ｌ２）は、変調器４２へ入力される。このような構成により、本実施形態では、レーザ素子２２からＹ方向に出力されたレーザ光Ｌ１は、複数の光学部品５０を経由した後、レーザ光Ｌ２として光デバイス４０に入力される。複数の光学部品５０は、第一光学部品の一例である。また、レーザ光Ｌ２１，Ｌ２２（Ｌ２）は、第二光の一例である。

【0031】

そして、本実施形態でも、上記第１実施形態と同様に、波長検出部３０の入射面３０ａは、コヒーレントミキサ４１の入射面４０ａおよび変調器４２の入射面４０ａに対して、Ｙ方向に離れて位置している。

【0032】

したがって、本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様に、入射面４０ａで生じた迷光の波長検出部３０に対する影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｂ（１００）を得ることができる。

【0033】

また、変調器４２は、内部に、Ｙ方向の反対方向へ向かう光を折り返してＹ方向へ向かわせる折り返し導波路を有している。そして、波長検出部３０の入射面３０ａは、当該折り返し導波路における折り返し部４２ａ、すなわち折り返し導波路のＹ方向の反対方向の端部に対しても、Ｙ方向に離れて位置するとともに、波長検出部３０は、折り返し部４２ａに対してＸ方向に並ばず、当該折り返し部４２ａに対してＸ方向に並ぶ位置に対してＹ方向にずれている。したがって、仮に折り返し部４２ａから漏れた光が迷光となった場合にあっても、入射面３０ａは、折り返し部４２ａに対してＹ方向に離れるとともに、当該折り返し部４２ａに対して第一部位３１の陰に位置しているため、当該迷光は入射面３０ａに到達し難くなる。また、当該迷光がＸ方向またはＸ方向の反対方向に出力された場合、当該迷光は波長検出部３０には直接的には到達しない。

【0034】

したがって、本実施形態によれば、例えば、折り返し部４２ａで生じた迷光の波長検出部３０に対する影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｂ（１００）を得ることができる。

【0035】

［第３実施形態］
図３は、第３実施形態の光モジュール１００Ｃ（１００）の平面図である。なお、図３では、筐体１０の図示を省略している。

【0036】

図３に示されるように、本実施形態の光モジュール１００Ｃ（１００）は、上記第２実施形態と同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、上記第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0037】

ただし、本実施形態では、図３に示されるように、光モジュール１００Ｃ（１００）は、レーザ光Ｌ２１，Ｌ２２が入射面４０ａに入力される前に経由するレンズ６０を備えている。これらレンズ６０は、いずれも、入射面４０ａに対してＹ方向に隙間をあけて面している。レンズ６０は、第二光学部品の一例である。なお、第二光学部品は、レンズ６０には限定されない。

【0038】

そして、波長検出部３０の入射面３０ａは、これらレンズ６０に対してＹ方向に離れて位置している。したがって、仮にレンズ６０で散乱した光が迷光となった場合にあっても、入射面３０ａは、レンズ６０に対してＹ方向に離れるとともに、当該レンズ６０に対して第一部位３１の陰に位置しているため、当該迷光は入射面３０ａに到達し難くなる。

【0039】

したがって、本実施形態によれば、例えば、レンズ６０で生じた迷光の波長検出部３０に対する影響を抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｃ（１００）を得ることができる。

【0040】

［第４実施形態］
図４は、第４実施形態の光モジュール１００Ｄ（１００）の平面図である。なお、図４では、筐体１０の図示を省略している。

【0041】

図４に示されるように、本実施形態の光モジュール１００Ｄ（１００）は、上記第２実施形態と同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、上記第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0042】

ただし、本実施形態では、図４に示されるように、波長検出部３０Ｄ（３０）において、第二部位３２が、第一部位３１に対して、光デバイス４０の入射面４０ａとは反対側に位置している。よって、入射面４０ａで生じた迷光が強度検出部を含む第二部位３２へ到達し難くなる。

【0043】

したがって、本実施形態によれば、例えば、入射面４０ａで生じた迷光の波長検出部３０に対する影響をより一層抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｄ（１００）を得ることができる。

【0044】

なお、本実施形態の波長検出部３０Ｄは、他の実施形態の波長検出部３０Ａに替えて設けることができる。

【0045】

［第５実施形態］
図５は、第５実施形態の光モジュール１００Ｅ（１００）の平面図である。また、図６は、第５実施形態の光モジュール１００Ｅ（１００）の一部の正面図である。なお、図５では、筐体１０の図示を省略している。

【0046】

図５に示されるように、本実施形態の光モジュール１００Ｅ（１００）は、上記第２実施形態と同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、上記第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0047】

さらに、本実施形態では、図５，６に示されるように、波長検出部３０と光デバイス４０としてのコヒーレントミキサ４１との間、および波長検出部３０と光デバイス４０としての変調器４２との間のそれぞれに、遮光部７０としての光吸収部７１が設けられている。光吸収部７１は、Ｘ方向における略一定の幅、およびＺ方向における略一定の高さで、波長検出部３０のＹ方向の端部と光デバイス４０のＹ方向の反対方向の端部との間で、Ｙ方向に延びている。光吸収部７１は、例えば、光を吸収する特性を有した黒色樹脂材料で構成される。光吸収部７１は、光デバイス４０で生じた迷光が波長検出部３０に向かうのを遮る遮光部７０として機能する。さらに、光吸収部７１は、光を吸収する分、迷光がさらに当該遮光部７０および他の部位で反射して入射面３０ａに到達するのを、抑制することができる。なお、図６に示されるように、波長検出部３０、コヒーレントミキサ４１、および変調器４２は、それぞれ支持部材８０を介して筐体１０の底壁（不図示）に支持されている。支持部材８０は、例えば、ＴＥＣ（thermo electric cooler）のような、温調装置であってもよい。

【0048】

本実施形態によれば、例えば、光デバイス４０で生じた迷光の波長検出部３０に対する影響をより一層抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｅ（１００）を得ることができる。

【0049】

［第６実施形態］
図７は、第６実施形態の光モジュール１００Ｆ（１００）の平面図である。また、図８は、第６実施形態の光モジュール１００Ｆ（１００）の正面図である。なお、図７では、筐体１０の図示を省略している。

【0050】

図７に示されるように、本実施形態の光モジュール１００Ｆ（１００）は、上記第２実施形態と同様の構成を備えている。よって、本実施形態によっても、上記第２実施形態と同様の効果が得られる。

【0051】

また、図７，８に示されるように、本実施形態でも、上記第５実施形態と同様に、波長検出部３０と光デバイス４０としてのコヒーレントミキサ４１との間、および波長検出部３０と光デバイス４０としての変調器４２との間のそれぞれに、遮光部７０が設けられている。

【0052】

ただし、本実施形態では、遮光部７０は、セラミックフィードスルー７２の一部によって構成されている。セラミックフィードスルー７２は、筐体１０（図２参照）の側壁の一部を貫通し、筐体１０内のトランスインピーダンスアンプ１０１や、変調器ドライバ１０２を支持している。また、セラミックフィードスルー７２は、トランスインピーダンスアンプ１０１や、変調器ドライバ１０２と、筐体１０外の制御装置（不図示）との間での電気的な接続を確立する配線（不図示）を有している。セラミックフィードスルー７２は、支持部材の一例である。なお、セラミックフィードスルー７２は、筐体１０の一部を構成していると言うことができる。また、セラミックフィードスルー７２は、貫通部材や、実装基板、回路基板とも称されうる。

【0053】

トランスインピーダンスアンプ１０１は、コヒーレントミキサ４１からの電流信号を電圧信号に変換して出力する。また、変調器ドライバ１０２は、変調器４２を駆動する。トランスインピーダンスアンプ１０１および変調器ドライバ１０２は、電子部品の一例である。

【0054】

セラミックフィードスルー７２は、基板部７２ａと、壁部７２ｂと、を有する。また、セラミックフィードスルー７２には、切欠７２ｃが設けられている。

【0055】

基板部７２ａは、Ｚ方向に略一定の厚さで、Ｚ方向と交差して広がっている。基板部７２ａのＺ方向の端部に位置する面７２ａ１は、Ｚ方向を向き、Ｚ方向と交差して広がっている。トランスインピーダンスアンプ１０１および変調器ドライバ１０２は、面７２ａ１上に支持されている。面７２ａ１は、実装面とも称されうる。

【0056】

壁部７２ｂは、Ｘ方向における略一定の幅、およびＺ方向における略一定の高さで、波長検出部３０のＹ方向の端部と光デバイス４０のＹ方向の反対方向の端部との間で、Ｙ方向に延びている。壁部７２ｂは、基板部７２ａ上では、面７１ａ１からＺ方向に突出している。

【0057】

また、切欠７２ｃは、Ｚ方向の反対方向に見た場合に、Ｙ方向の端部がＹ方向の反対方向に凹むように切り欠かれて形成されている。セラミックフィードスルー７２には、三つの切欠７２ｃが設けられており、各切欠７２ｃには、波長検出部３０や、コヒーレントミキサ４１、変調器４２等が収容されている。切欠７２ｃは、開口とも称されうる。

【0058】

このような構成において、壁部７２ｂは、光デバイス４０からの光が波長検出部３０の入射面３０ａへ向かうのを遮る遮光部７０として機能する。なお、壁部７２ｂの、少なくとも光デバイス４０と面する表面には、光吸収層が設けられてもよい。当該光吸収層は、例えば、光吸収性を有した黒色塗料によって構成されうる。

【0059】

本実施形態によれば、例えば、光デバイス４０で生じた迷光の波長検出部３０に対する影響をより一層抑制することが可能となるような、改善された新規な構成の光モジュール１００Ｆ（１００）を得ることができる。

【0060】

なお、本実施形態では、Ｚ方向において、面７２ａ１の位置は、光デバイス４０のＺ方向の反対方向の端面（底面）の位置と同じであるが、これには限定されず、例えば、光デバイス４０のＺ方向の端面（頂面）の位置と同じであってもよいし、光デバイス４０の底面と頂面との間に位置してもよい。

【0061】

以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。

【0062】

例えば、本発明は、コヒーレントミキサや変調器以外の光デバイスを備えた光モジュールにも適用することができる。また、発光素子や、波長検出部、光デバイスのレイアウトも種々に変更して実施することができる。

【符号の説明】

【0063】

１０…筐体
２０…チップオンサブマウント
２１…サブマウント
２２…レーザ素子（発光素子）
３０，３０Ａ，３０Ｄ…波長検出部
３０ａ…入射面（第一入射面）
３１…第一部位
３２…第二部位
４０…光デバイス
４０ａ…入射面（第二入射面）
４１…コヒーレントミキサ（光デバイス）
４２…変調器（光デバイス）
４２ａ…折り返し部
５０…光学部品（第一光学部品）
６０…レンズ（第二光学部品）
７０…遮光部
７１…光吸収部
７２…セラミックフィードスルー
７２ａ…基板部
７２ａ１…面
７２ｂ…壁部（遮光部）
７２ｃ…切欠
８０…支持部材
１００，１００Ａ～１００Ｆ…光モジュール
１０１…トランスインピーダンスアンプ（電子部品）
１０２…変調器ドライバ（電子部品）
Ｌ１…レーザ光（第一光）
Ｌ２１，Ｌ２２，Ｌ２…レーザ光（第二光）
Ｘ…方向
Ｙ…方向（第一方向の反対方向）
Ｚ…方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】