特開 2024-103289 プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024103289

(43)【公開日】2024-08-01

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20240725BHJP

   C23C 16/505 20060101ALI20240725BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20240725BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240725BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240725BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 M

C23C16/505

H01L21/205

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023007545

(22)【出願日】2023-01-20

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002756

【氏名又は名称】弁理士法人弥生特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山涌 純

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA03

2G084AA05

2G084AA13

2G084BB07

2G084CC04

2G084CC12

2G084CC13

2G084CC16

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084FF02

2G084FF15

4K030CA04

4K030CA12

4K030EA04

4K030FA03

4K030FA04

4K030GA02

4K030HA01

4K030KA12

4K030KA30

4K030KA46

4K030KA47

5F004AA16

5F004BA04

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB26

5F004BB29

5F004BC03

5F004BC06

5F004BC08

5F004BD04

5F004CA06

5F004DA22

5F004DA23

5F004DA25

5F045AA08

5F045AA15

5F045AC15

5F045AC16

5F045AC17

5F045AF01

5F045DP03

5F045DQ10

5F045EB03

5F045EB09

5F045EE04

5F045EE14

5F045EE19

5F045EF05

5F045EG01

5F045EH04

5F045EH05

5F045EH14

5F045EK07

5F045EM02

5F045EM09

5F045EM10

5F045EN04

(57)【要約】

【課題】有孔板に設けられた貫通孔に対して、プラズマにより活性化された処理ガスを通過させるにあたり、イオンの通過を抑制すること。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内の基板にプラズマにより活性化された処理ガスを供給してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ形成機構を構成するプラズマ形成空間と、前記プラズマ形成空間からプラズマ化された前記処理ガスが流れ出る位置に配置され、当該プラズマにより活性化された前記処理ガスが通過する複数の貫通孔が設けられた有孔板と、前記複数の貫通孔に設けられ、前記プラズマ化された処理ガスに含まれるイオンが前記貫通孔へ向けて入射する方向と交差するように配置されたイオン遮蔽面を有し、前記イオン遮蔽面によりイオンの入射が遮蔽された前記貫通孔に前記活性化された処理ガスを通過させるように構成されたイオン遮蔽部材と、を備える。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器内の基板にプラズマにより活性化された処理ガスを供給してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置するための載置台と、
前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ形成機構を構成するプラズマ形成空間と、
前記プラズマ形成空間に前記処理ガスを供給するための処理ガス供給部と、
前記プラズマ形成空間からプラズマ化された前記処理ガスが流れ出る位置に配置され、当該プラズマにより活性化された前記処理ガスが通過する複数の貫通孔が設けられた有孔板と、
前記複数の貫通孔に設けられ、前記プラズマ化された処理ガスに含まれるイオンが前記貫通孔へ向けて入射する方向と交差するように配置されたイオン遮蔽面を有し、前記イオン遮蔽面によりイオンの入射が遮蔽された前記貫通孔に前記活性化された処理ガスを通過させるように構成されたイオン遮蔽部材と、
を備えるプラズマ処理装置。

【請求項2】

前記イオン遮蔽部材は、前記イオン遮蔽面を構成し、前記プラズマ形成空間側から見て前記貫通孔を覆うように配置された天板部と、前記天板部の外周に沿って設けられた側壁部とを備えたキャップ形状に構成され、
前記側壁部には、前記イオンがトラップされた前記処理ガスを前記貫通孔に流入させるための開口が形成されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記イオン遮蔽部材は、前記有孔板の板面よりも前記プラズマ形成空間側に前記天板部を突出させた状態で配置され、前記天板部の突出高さは、前記有孔板の表面に形成されるイオンシースの厚さ以下である、請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記イオン遮蔽部材は、前記側壁部の下端よりも上方の高さ位置にて、当該側壁部の外周面よりも外方へ突出するように設けられたフランジ部を備え、前記フランジ部よりも下方側の前記側壁部を前記貫通孔内に挿入し、前記フランジ部の下面を前記有孔板の板面に当接させることにより前記貫通孔に取り付けられる、請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記イオン遮蔽部材は、前記貫通孔内に配置され、当該貫通孔の内壁面との間に螺旋状の流路を形成するための、螺旋形状部材であり、
前記イオン遮蔽面は、前記貫通孔の開口から、前記プラズマ形成空間に臨む位置に配置された前記螺旋形状部材の傾斜面によって構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記螺旋形状部材は、前記貫通孔の開口直径に対応する幅を有する細長いリボン状の部材を、中心軸周りにねじった形状に構成されている、請求項５に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記螺旋形状部材は、前記貫通孔の中心軸周りに、当該中心軸から前記貫通孔の前記内壁面までの幅を有する螺旋状のスロープを形成した形状に構成されている、請求項５に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

前記螺旋形状部材は、前記貫通孔の内壁面に形成された螺旋状の溝に嵌合している、請求項５に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記イオン遮蔽部材は、金属または誘電体によって形成されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記イオン遮蔽部材が、金属によって形成されている場合に、酸化膜または誘電体によって覆われている、請求項９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

前記プラズマ形成空間が、前記載置台の上方側に形成されている場合に、前記有孔板は、前記プラズマ形成空間と前記載置台との間に配置され、前記プラズマ形成空間で形成された前記活性化された処理ガスを前記複数の貫通孔を介して前記載置台に載置された基板に供給するためのシャワーヘッドである、請求項１ないし１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。

【請求項12】

前記プラズマ形成空間が、前記処理容器内に形成されている場合に、
前記有孔板は、前記処理容器内の排気を行う排気流路の入口側に設けられている、請求項１ないし１０のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。

【請求項13】

処理容器内に設けられ、基板を載置するための載置台と、処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ形成機構を構成するプラズマ形成空間と、前記プラズマ形成空間に前記処理ガスを供給するための処理ガス供給部と、前記プラズマ形成空間からプラズマ化された前記処理ガスが流れ出る位置に配置され、当該プラズマにより活性化された前記処理ガスが通過する複数の貫通孔が設けられた有孔板と、前記複数の貫通孔に設けられ、前記プラズマ化された処理ガスに含まれるイオンが前記貫通孔へ向けて入射する方向と交差するように配置されたイオン遮蔽面を有し、前記イオン遮蔽面によりイオンの入射が遮蔽された前記貫通孔に前記活性化された処理ガスを通過させるように構成されたイオン遮蔽部材と、を用い、
前記プラズマ形成空間に前記処理ガスを供給する工程と、
前記プラズマ形成機構により、前記プラズマ形成空間に供給された前記処理ガスをプラズマ化する工程と、
前記貫通孔に、前記活性化された処理ガスを通過させる工程と、
前記活性化された処理ガスを通過させる工程の前または後において、前記載置台上に載置された前記基板に前記活性化された処理ガスを供給する工程と、
を含む、プラズマ処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置、およびプラズマ処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

微細パターンの成膜に適する原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）においては、反応ガスなどの処理ガスの反応性を向上させ、かつプロセス温度を低下するため、プラズマを利用する場合がある。このようなプラズマＡＬＤ法（ＰＥＡＬＤ）では、放電やイオンによる基板や処理容器内等の損傷を防ぐため、処理空間から離れた位置にプラズマ形成空間を設け、プラズマ形成空間にて形成されたプラズマにより活性化された処理ガスを供給するリモートプラズマ方式を採用することがある。

【0003】

このようなリモートプラズマ方式であったとしても、プラズマに含まれるイオンや電子の一部が処理空間側に漏洩してしまい、またそれらが処理空間で放電を誘発ししてしまうことがある。処理空間内における放電の発生は、処理対象の基板や処理容器内の部材の損傷を引き起こす要因となる。特許文献１には、処理空間へのイオンの漏洩を防ぐため、リモートプラズマ源を構成するシャワープレートの直下にイオントラップを配置する技術が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１９－２０３１５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、有孔板に設けられた貫通孔に対して、プラズマにより活性化された処理ガスを通過させるにあたり、イオンの通過を抑制できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示のプラズマ処理装置は、
処理容器内の基板にプラズマにより活性化された処理ガスを供給してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置するための載置台と、
前記処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ形成機構を構成するプラズマ形成空間と、
前記プラズマ形成空間に前記処理ガスを供給するための処理ガス供給部と、
前記プラズマ形成空間からプラズマ化された前記処理ガスが流れ出る位置に配置され、当該プラズマにより活性化された前記処理ガスが通過する複数の貫通孔が設けられた有孔板と、
前記複数の貫通孔に設けられ、前記プラズマ化された処理ガスに含まれるイオンが前記貫通孔へ向けて入射する方向と交差するように配置されたイオン遮蔽面を有し、前記イオン遮蔽面によりイオンの入射が遮蔽された前記貫通孔に前記活性化された処理ガスを通過させるように構成されたイオン遮蔽部材と、
を備えている。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、有孔板に設けられた貫通孔に対して、プラズマにより活性化された処理ガスを通過させるにあたり、イオンの通過を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の第１実施形態に係る成膜装置を示す縦断側面図である。

【図2】第１実施形態におけるシャワーヘッドを示す分解断斜視図である。

【図3】第１実施形態におけるイオン遮蔽部材を示す縦断側面図である。

【図4】ラジカル供給工程におけるイオン遮蔽部材の作用を示す説明図である。

【図5】第２実施形態におけるイオン遮蔽部材を示す縦断側面図である。

【図6】第３実施形態におけるイオン遮蔽部材を示す縦断側面図及び平面図である。

【図7】ラジカル供給工程におけるイオン遮蔽部材の作用を示す説明図である。

【図8】第４実施形態におけるイオン遮蔽部材を示す縦断側面図及び平面図である。

【図9】第４実施形態の変形例におけるイオン遮蔽部材を示す縦断側面図及び平面図である。

【図10】本開示の第５実施形態に係る成膜装置を示す縦断側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（第１実施形態）
以下、本開示に係るプラズマ処理装置の第１の実施形態として、基板である半導体ウエハＷ（以後、基板Ｗという）に対し、ＰＥＡＬＤ法による成膜を行う成膜装置１について図１を参照して説明する。図１は本実施形態に係る成膜装置１を示す縦断側面図である。成膜装置１は、基板Ｗが配置される処理空間Ｓ１と、処理空間Ｓ１の上方に設けられて処理ガスをプラズマ化するプラズマ形成機構Ｐと、を備えている。そして、成膜装置１は、処理空間Ｓ１に対して、プラズマにより活性化したガスを含む各種処理ガスを順に供給することで、基板Ｗに原子層を一層ずつ形成する構成になっている。このような成膜装置１では、各種処理ガスの供給及び置換を迅速に行い、かつプラズマ形成機構Ｐによってプラズマの密度や温度を上げることで、成膜効率を向上させることができる。

【0010】

成膜装置１は、処理空間Ｓ１を含む処理容器５と、シャワーヘッド６と、環状部材５１と、上蓋６６と、を備えている。処理容器５は、上面が開口し、この開口にシャワーヘッド６が取り付けられている。環状部材５１は、その上下両面が開口し、下面側の開口を塞ぐように配置されたシャワーヘッド６を介して処理容器５に取付られている。環状部材５１の上方開口には、上蓋６６が環状の絶縁部材５２を介して取り付けられ、上蓋６６は、環状部材５１の上方開口を塞ぐように配置されている。上蓋６６及びシャワーヘッド６は、相互に対向して配置されている。

【0011】

成膜装置１は、シャワーヘッド６、環状部材５１、絶縁部材５２、及び上蓋６６によって囲まれたプラズマ形成空間Ｓ２を含んでいる。プラズマ形成空間Ｓ２は、シャワーヘッド６を介して処理容器５内の処理空間Ｓ１に接するように設けられている。シャワーヘッド６は、プラズマ形成空間Ｓ２及び処理空間Ｓ１との間に設けられ、これらの空間Ｓ１、Ｓ２の間を区画している。また、処理容器５、シャワーヘッド６、環状部材５１、及び上蓋６６は、金属製である。処理容器５は、接地されている。

【0012】

処理容器５の側壁には、基板Ｗの搬入出を行うための搬入出口５３と、この搬入出口５３を開閉するゲートバルブ５４と、が設けられている。処理容器５内には、基板Ｗを水平に載置するための載置台８が設けられている。載置台８は、シャワーヘッド６に対向するように、シャワーヘッド６の下方側配置されている。載置台８には基板用ヒータ８１が埋設され、基板用ヒータ８１は、不図示の電源から給電されることにより基板Ｗを予め設定された温度に加熱する。載置台８は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁性セラミックスで構成され、内部に円盤状の電極８２が配置されていている。当該電極８２は、接地されている。

【0013】

載置台８には、基板Ｗを支持して昇降させるための３本（２本のみ図示）の基板支持ピン８４が載置台８の表面に対して突没可能に設けられ、これら基板支持ピン８４は支持板８３に固定されている。そして、基板支持ピン８４は、エアシリンダ等の不図示の駆動機構により支持板８３を介して昇降される。

【0014】

載置台８は、円筒形状の支柱８６に支えられ、支柱８６は処理容器５の底部に取り付けられている。処理容器５は、図示しない加熱機構を有し、これらは図示しない電源から給電されることにより予め設定された温度に加熱される。処理容器５の底部の開口部５６には排気管８７が接続され、この排気管８７には、排気装置８９が接続されている。処理容器５の底部の開口部５６及び排気管８７は、処理空間Ｓ１内の処理ガスを排気するように排気流路を形成している。そしてこの排気装置８９を動作させることにより処理容器５の処理空間Ｓ１を予め設定された真空度まで減圧することが可能となっている。

【0015】

成膜装置１は、シャワーヘッド６を介して処理空間Ｓ１に処理ガスを供給する処理ガス供給部７を備えている。処理ガス供給部７は、ＰＥＡＬＤ成膜を行う際に用いる処理ガス、例えば、形成しようとする膜の構成元素を含む原料ガス、原料ガスと反応する反応ガス、及びパージガス等を供給する。原料ガスおよび反応ガスは、成膜しようとする膜に応じて種々のものを用いることができる。パージガスとしては、不活性ガス、例えばＡｒ（アルゴン）ガス、Ｈｅ（ヘリウム）ガス等の希ガスや、Ｎ２（窒素）ガスを用いることができる。

【0016】

処理ガス供給部７は、成膜の際、パージガスの供給を継続したまま、原料ガスと反応ガスとを交互にかつ間欠的に供給する。これらの処理ガスを供給する配管としては、原料ガス及びパージガスを供給するための原料ガス供給路７１と、反応ガス及びパージガスを供給するための反応ガス供給路７２と、がそれぞれ処理ガス供給部７に接続されている。これら処理ガスを供給する配管には、それぞれバルブ類およびマスフローコントローラのような流量制御器が設けられている。

【0017】

プラズマ形成機構Ｐは、既述のプラズマ形成空間Ｓ２と、高周波電源９１と、プラズマ形成空間Ｓ２に電場を形成するための平行平板電極を構成する上蓋６６及びシャワーヘッド６と、によって構成されている。シャワーヘッド６は、処理容器５を介して接地されている。上蓋６６には、整合器９２を介して高周波電源９１が接続され、この高周波電源９１から高周波電力が供給されるようになっている。高周波電源９１の周波数は、４５０ｋＨｚ～４０ＭＨｚの範囲内の１３．５６ＭＨｚに設定する場合を例示できる。

【0018】

上蓋６６には、上蓋６６を貫通するように反応ガス導入孔６７が形成され、反応ガス導入孔６７には反応ガス供給路７２の下流端が接続されている。後述するラジカル供給工程においてプラズマ形成空間Ｓ２に供給される反応ガスは、給電によって平行平板電極が形成した電場で電離されてプラズマ化する。この場合、平行平板電極の間隙においては、各平行平板電極近傍にシース領域Ｒ１が形成され、このシース領域Ｒ１の間は平衡状態の反応ガスのプラズマが形成されたプラズマ領域Ｒ２となる。

【0019】

図１、図２に示すように、シャワーヘッド６には、反応ガスを流通させるための反応ガス流通路６１（貫通孔）と、原料ガスを流通させるための原料ガス流通路６２と、が相互に離隔して形成されている。以後、「反応ガス流通路６１」を「貫通孔６１」ともいう。図２は、シャワーヘッド６の内部構造を示す分解斜視図である。図２における貫通孔６１、原料ガス流通路６２、及び後述するイオン遮蔽部材１０は、シャワーヘッド６の一部領域のもののみ図示し、その他の領域のものは図示を省略している。図２に示すように、原料ガス流通路６２は、分散路６２ａと、分散路６２ａから複数分岐するように形成された複数の下流路６２ｂと、を含む。図１及び図２中、分散路６２ａは破線及び実線で示してある。

【0020】

分散路６２ａは、シャワーヘッド６内に形成され、一端がシャワーヘッド６の側面に開口し（図１）、当該一端には既述の原料ガス供給路７１の下流端が接続されている。また、分散路６２ａは、基板Ｗの直上域に形成され、平面視したとき面状もしくは放射状に広がるように形成されている。複数の下流路６２ｂは、分散路６２ａの下面からシャワーヘッド６の下面側に向かって延びるように形成され、シャワーヘッド６の下面に開口している。これら複数の下流路６２ｂは、平面視においてシャワーヘッド６の基板Ｗの直上域に略均一に分散して設けられている。

【0021】

貫通孔６１は、シャワーヘッド６の上面から下面まで貫通し、プラズマ形成空間Ｓ２と処理空間Ｓ１との間を繋いでいる。複数の貫通孔６１は、平面視において相互に離れて配置されている。複数の貫通孔６１の上方開口６１ａ及び下方開口６１ｂは、平面視において基板Ｗの直上域でそれぞれ略均一に分散している。各貫通孔６１は、上方開口６１ａにおいて下方側の他の部分より拡径した上方孔縁部６１ｃが形成されていてもよい。各貫通孔６１の直径は、例えば３ｍｍから９ｍｍである。

【0022】

複数の貫通孔６１は、既述の原料ガス流通路６２とは離隔して形成されている。また複数の貫通孔６１についても、シャワーヘッド６の下面における基板Ｗの直上域で略均一に設けられている。シャワーヘッド６は、本開示の有孔板に相当している。

【0023】

以上に説明した構成を備えるシャワーヘッド６の各貫通孔６１内には、イオン遮蔽部材１０が設けられている。図２、図３に示すように、イオン遮蔽部材１０は、天板部１１と、天板部１１から下方側に向けて延在するように形成された筒状の側壁部１２と、を備えたキャップ形状に構成されている。また、側壁部１２の外周面には、その下端よりも上方の高さ位置に配置されて、外方側に向けて突出するように形成された環状のフランジ部１４が形成されている。

【0024】

イオン遮蔽部材１０は、天板部１１を上に向けた状態でシャワーヘッド６の上方から側壁部１２の下端を貫通孔６１に挿入し、フランジ部１４を貫通孔６１の上方孔縁部６１ｃにはめ込むことにより、シャワーヘッド６に取り付けられる。

【0025】

図３は、シャワーヘッドに取り付けられた状態のイオン遮蔽部材１０の縦断側面図を示している。この状態においてイオン遮蔽部材１０は、フランジ部１４の下面がシャワーヘッド６の上方孔縁部６１ｃの内側上面に当接して取付けられる。この取付け状態において、側壁部１２は、フランジ部１４より下方側の側壁下部１２ｂを貫通孔６１内に挿入した状態で配置されている。そして、側壁部１２においてフランジ部１４より上方側の側壁上部１２ａ及び天板部１１は、シャワーヘッド６の上面６４（板面）より上方、つまりプラズマ形成空間Ｓ２側に突出した状態で配置される。

【0026】

天板部１１は、円盤形状を有し、プラズマ形成空間Ｓ２側から見て貫通孔６１を覆うように配置されている。また、天板部１１の上面であるイオン遮蔽面１１ａは、プラズマ領域Ｒ２からシース領域Ｒ１に向けて後述の正イオンＣ１が入射する方向と交差するように配置されている。

【0027】

天板部１１のシャワーヘッド６の上面６４からの突出高さは、シャワーヘッド６の表面に形成されるシース領域Ｒ１の理論上の厚さ以下にしている。この天板部１１の突出高さは、詳細には、シャワーヘッド６の上面６４を基準としたイオン遮蔽面１１ａまでの高さであって、この高さがシース領域Ｒ１の厚さ以下に設定されている。天板部１１の高さの設定理由については後述する。また、天板部１１の突出高さは、側壁上部１２ａに後述の側壁貫通孔１２ｃを上下方向に複数配列するため、例えば１ｍｍ以上であることが好ましい。

【0028】

側壁部１２は、貫通孔６１よりひとまわり直径が小さい円筒形状に構成され、貫通孔６１の内壁に沿うように設けられている。フランジ部１４よりも上方側の側壁上部１２ａは、天板部１１の外周に沿うように形成され、プラズマ形成空間Ｓ２内に配置されている。側壁上部１２ａには、外壁面から内壁面まで貫通する複数の側壁貫通孔１２ｃが形成され、各側壁貫通孔１２ｃは、プラズマ形成空間Ｓ２に向かって開口している。

【0029】

例えば各側壁貫通孔１２ｃは、円孔であり、側壁部１２において高さ方向に列状に並べて形成されている。さらにこれら側壁貫通孔１２ｃの列は、側壁部１２の周方向に沿って複数列、配列されている。側壁貫通孔１２ｃの直径は、０．４ｍｍ以上が好ましい。これにより、側壁貫通孔１２ｃの内側面に形成されるイオンシースが側壁貫通孔１２ｃを塞いでしまうことを抑制できる。フランジ部１４よりも下方側の側壁下部１２ｂは、上下方向において貫通孔６１と概ね同じ長さに形成され、その下端は貫通孔６１の自体の開口に沿って開口している。側壁下部１２ｂの外側面は、貫通孔６１の内側面に沿って配置されている。

【0030】

天板部１１及び筒状の側壁部１２の内側の空間は各側壁貫通孔１２ｃの内側の開口とそれぞれ繋がっている。従って、イオン遮蔽部材１０を設けた状態においても、各貫通孔６１は、側壁貫通孔１２ｃ及びイオン遮蔽部材１０の内部空間を介してプラズマ形成空間Ｓ２と繋がっている。このため、プラズマ形成空間Ｓ２にてプラズマにより活性化された反応ガスを、イオン遮蔽部材１０の内側の空間を介して処理空間Ｓ１に供給することができる。

【0031】

イオン遮蔽部材１０は、金属によって形成されて、表面を酸化膜または誘電体によって覆われている。具体的には、金属としては、ニッケル（Ｎｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくともいずれかを含むことが好ましい。また酸化膜または誘電体としては酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、石英、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などが好ましい。

【0032】

図１に示すように、成膜装置１は、制御部１００を備えている。制御部１００は、プログラム、メモリ、ＣＰＵを含むデータ処理部を有する。プログラムは、制御部１００から成膜装置１の各部に制御信号を送り、成膜処理に係る各工程を進行させる命令が組み込まれている。プログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）、不揮発メモリ等の記憶部に格納されて制御部１００にインストールされる。制御部１００は、操作者による操作および予め設定されたプログラムに従って、成膜装置１内の各構成を制御して動作させている。プラズマを各工程に合わせて適宜制御する場合、制御部１００は、処理ガス供給部７、高周波電源９１、及び排気装置８９を制御する。

【0033】

以上に説明した構成を備える成膜装置１を用い、プラズマを用いてウエハＷへの成膜処理を実行する動作について説明する。処理対象のウエハＷが搬送されてきたら、ゲートバルブ５４を開き、搬入出口５３を介して、ウエハＷを保持した搬送機構（不図示）を処理容器５内に進入させる。そして、載置台８に対し、基板支持ピン８４を用いてウエハＷの受け渡しを行う。

【0034】

しかる後、処理容器５から搬送機構を退出させ、ゲートバルブ５４を閉じると共に、処理容器５内の圧力調節、ウエハＷの温度調節を行う。次いで、各種処理ガスを予め設定されたタイミングで供給していく。この中のラジカル供給工程においては、プラズマ形成空間Ｓ２へ向けて反応ガスの供給を行う（反応ガスを供給する工程）と共に、高周波電源９１から上蓋６６に高周波電力を印加する。上蓋６６への高周波電力の印加によって、上蓋６６とシャワーヘッド６との間に容量結合プラズマが生成され、プラズマ形成空間Ｓ２に供給された反応ガスがプラズマ化される（処理ガスをプラズマ化する工程）。なお、プラズマ化する反応ガスにはＡｒガスなどの補助ガスを同時に供給してもよい。

【0035】

上述の成膜処理において、プラズマ形成空間Ｓ２で形成されたプラズマにより活性化された反応ガスのラジカルは、シャワーヘッド６に設けられた貫通孔６１を介して処理空間Ｓ１に供給され（貫通孔に活性化された処理ガスを通過させる工程）、基板Ｗに供給される（活性化された処理ガスを基板に供給する工程）。このラジカル供給工程におけるイオン遮蔽部材１０の作用について以下に説明する。図４は、成膜装置１のラジカル供給工程におけるイオン遮蔽部材１０の作用を示している。

【0036】

このラジカル供給工程では、プラズマ化した反応ガスは、電子、正イオン（以下、単に「イオン」ともいう）Ｃ１、及びラジカルＣ２などの活性種を含む。活性種は、プラズマ領域Ｒ２で最も密度が高く、電気的に中性な状態で存在する。一方、シース領域Ｒ１が形成されるシャワーヘッド６の上面６４では、プラズマ化した反応ガスの密度がゼロになる。このため、シース領域Ｒ１では密度ゼロのシャワーヘッド６の上面６４に向けて活性種の密度勾配が生じる。このような密度勾配が生じるシース領域Ｒ１では、イオンＣ１よりも拡散係数が大きい電子の増加による電気的不均衡を防ぐため、電子の進入を防ぎ、かつイオンＣ１を引き寄せるような電位分布が生じる。イオンＣ１は、シャワーヘッド６の上面６４に向けて直進的に入射するように加速される。イオンＣ１の入射方向は、換言すると、プラズマ領域Ｒ２からシース領域Ｒ１へ向かう方向である。

【0037】

背景技術にて説明したように、このイオンＣ１が、貫通孔６１を介して処理空間Ｓ１に進入してしまうと、放電が発生し、ウエハＷや処理容器５内の部材の損傷を引き起こす要因ともなってしまう。そこでイオン遮蔽部材１０は、プラズマ形成空間Ｓ２側から見て貫通孔６１を覆うように貫通孔６１を配置することにより、貫通孔６１を遮蔽する。この構成により、シャワーヘッド６の上面６４にむけて入射するイオンＣ１の一部が貫通孔６１の配置領域に到達しても、当該イオンＣ１をイオン遮蔽面１１ａに衝突にさせることができる。イオン遮蔽面１１ａに衝突したイオンＣ１は、例えば失活する。

【0038】

このように、イオン遮蔽部材１０はイオンＣ１が貫通孔６１を通過して処理空間Ｓ１内に進入することを抑止している。そのためイオン遮蔽部材１０は、仮にイオンＣ１が処理空間Ｓ１内に進入したならば、処理空間Ｓ１内で放電を誘発することを抑制し、基板Ｗや処理容器５内の部材の損傷を引き起こすことを防いでいる。

【0039】

この観点において、図４にはシャワーヘッド６の上面６４よりも上方に突出した位置に１枚の天板部１１を配置した例を示しているが、キャップ形状に構成されたイオン遮蔽部材１０の配置例はこれに限定されない。例えば、上面側から平面視した際に、天板部１１が貫通孔６１を覆っていればよく、異なる高さ位置に互い違いに配置された複数の天板部１１を備えたイオン遮蔽部材１０を設けてもよい。

【0040】

上述したイオンＣ１の挙動と比較して、活性種であるラジカルＣ２は電気的に中性である。このため、ラジカルＣ２は、プラズマ形成空間Ｓ２から処理空間Ｓ１に向かう反応ガスの流れに乗って移動する傾向がある。この流れに乗って移動するラジカルＣ２は、側壁貫通孔１２ｃを介してイオン遮蔽部材１０の内側に流れ込んだ後、処理空間Ｓ１へ流入する。ラジカルＣ２は、イオン遮蔽部材１０を通じて処理空間Ｓ１に流入する際にイオン遮蔽部材１０に接触したとしても、表面が酸化膜または誘電体によって覆われているため、失活し難い。

【0041】

このように本例のイオン遮蔽部材１０は、筒状に構成された側壁部１２の直径が貫通孔６１の内壁に沿うように形成されているため、流路断面積を大きくできる。複数の側壁貫通孔１２ｃを通過した各気流は、イオン遮蔽部材１０内で合流して下方に流れる際、上流から下流に向かって直線状に流れることができる。従って、このような側壁貫通孔１２ｃ及びイオン遮蔽部材１０内の空間によれば、例えば屈曲した複雑な形状の流路を流れる場合と比較して、失活を防いで多くのラジカルＣ２を処理空間Ｓ１に流入させることができる。

【0042】

また既述のように、イオン遮蔽部材１０は、天板部１１の突出高さをシース領域Ｒ１の厚さ以下にしているため、イオン遮蔽部材１０の側壁上部１２ａがプラズマ領域Ｒ２内に進入した状態となっていない。このように天板部１１の突出高さを設定することで、側壁上部１２ａに設けられた側壁貫通孔１２ｃがプラズマ領域Ｒ２内に向けて開口することを避け、プラズマ化した反応ガス中のイオンＣ１が、イオン遮蔽部材１０内に直接進入することを抑止している。このように、処理容器５内にプラズマが漏れることを防いでいる。以上のように、本実施形態におけるイオン遮蔽部材１０によれば、加速されたイオンが貫通孔６１を通過することを抑止し、かつ処理容器５に向けてラジカルを効率よく流入させることができる。

【0043】

以上の成膜処理において、ＣＶＤ法により成膜を行う場合は、プラズマ化した反応ガスのラジカルを供給するラジカル供給工程と原料ガスを供給する原料ガス供給工程とを並行して実施してもよい。また、ＡＬＤ法により成膜を行う場合には、例えば原料ガス供給工程（ウエハＷへのプリカーサの吸着）→パージガスのみの供給工程→ラジカル供給工程（ウエハＷに吸着したプリカーサとの反応）→パージガスのみの供給工程のサイクルが、所定回数繰り返される。

【0044】

予め設定された期間、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法による成膜を行ったら、反応ガス、原料ガスの供給、及びシャワーヘッド６及び上蓋６６への高周波電力の供給を停止する。しかる後、搬入時とは反対の手順にて、成膜が行われたウエハＷを処理容器５から搬出する。

【0045】

（変形例）
上述の第１実施形態における成膜装置１のプラズマ形成機構Ｐは、平行平板電極による容量結合を用いて容量結合プラズマ（capacitively coupled plasma、ＣＣＰ）を形成しているが、これに限らず、プラズマ形成機構Ｐは、様々な手法のものを用いることができる。例えば、プラズマ形成機構Ｐは、平行平板電極に換えてコイル状のアンテナを備え、高周波電源が印可されたアンテナで誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma、ＩＣＰ）を形成してもよい。また、プラズマ形成機構Ｐは、平行平板電極に換えてプラズマ形成空間Ｓ２内に板状の誘電体を備え、誘電体にマイクロ波を供給して誘電体から発せられる表面波で表面波プラズマ（surface wave plasma、ＳＷＰ）を形成してもよい。

【0046】

第１実施形態における成膜装置１は、プラズマ形成空間Ｓ２を処理空間Ｓ１から離して配置したリモートプラズマ方式の成膜装置１であって、シャワーヘッド６が有孔板に相当しているが、これに限らない。他の例は、後述の実施形態で説明する（図１０）。

【0047】

第１実施形態におけるシャワーヘッド６には、貫通孔６１及び原料ガス流通路６２が設けられているが、これに限らず、例えば貫通孔６１のみが形成されていてもよい。この場合、原料ガス流通路６２は、例えば処理空間Ｓ１に配置されたノズルなどに形成され、ノズルを介して基板Ｗに供給されてもよい。そしてこの場合、シャワーヘッド６の上面は、貫通孔６１及び上方孔縁部６１ｃを除いて平坦な面に形成されているが、これに限らない。例えば、シャワーヘッド６の上面における上方孔縁部６１ｃとその周囲を処理空間Ｓ１側に陥没させ、上方孔縁部６１ｃを当該周囲の外側のシャワーヘッド６の上面に対して更に下方に設けてもよい。このような下方に配置された上方孔縁部６１ｃにイオン遮蔽部材１０を取り付けると、イオン遮蔽部材１０のシャワーヘッド６からの突出量を小さくできる。

【0048】

第１実施形態におけるイオン遮蔽部材１０の取り付け手法は、プラズマ形成空間Ｓ２側から貫通孔６１に挿入する場合を示したが、これに限らず、例えば、貫通孔６１に処理空間Ｓ１側から挿入してもよい。この場合、フランジ部１４は、シャワーヘッド６の下方開口６１ｂの孔縁に当接するように取り付けられる。そして側壁部１２が下方開口６１ｂから貫通孔６１内を伸びて設けられ、天板部１１及び側壁上部１２ａがプラズマ形成空間Ｓ２内に突出するように設けられる。この場合にも天板部１１は、プラズマ形成空間Ｓ２側から見て貫通孔６１を覆うように配置された状態とすることができる。この例の場合は、フランジ部１４から下方側へ向けて延びる側壁下部１２ｂの形成を省略してもよい。

【0049】

また、図３、図４に示す第１実施形態では、フランジ部１４よりも上方側に天板部１１が配置されるようにキャップ形状のイオン遮蔽部材１０の取り付けを行った例をしめした。この例に替えて、イオン遮蔽部材１０の上下を反転させてもよい。この場合には例えばシャワーヘッド６の下面における貫通孔６１の下方側の孔縁部に対してフランジ部１４が当接するように、イオン遮蔽部材１０が取り付けられる。そして天板部１１（上下を反転させた場合には底板部と見ることができる）が貫通孔６１の下面開口側を覆った状態となる。この場合にも、プラズマ形成空間Ｓ２側から天板部１１が、貫通孔６１を覆うように配置された状態を構成することができる。

【0050】

第１実施形態の側壁下部１２ｂは、貫通孔６１の上方開口６１ａから下方開口６１ｂに至る領域に設けられているが、これに限らず、側壁下部１２ｂの下端が貫通孔６１の途中位置に配置されていてもよい。またイオン遮蔽部材１０は、側壁下部１２ｂを備えることは必須の要件ではない。例えば、側壁下部１２ｂの形成を省略し、側壁上部１２ａの下端を貫通孔６１の上方開口または下方開口の周縁に直接、取り付けてもよい。

【0051】

また、第１実施形態における複数のイオン遮蔽部材１０は、相互に独立して構成されているが、これに限らず、複数のイオン遮蔽部材１０をまとめて構成してもよい。例えば１枚の平面プレートから、複数のイオン遮蔽部材１０を突出させるように形成してもよい。このような平面プレートの場合、複数のイオン遮蔽部材１０をシャワーヘッド６の上面６４または下面に一括で取り付けることができる。

【0052】

第１実施形態の貫通孔６１は、円孔であるがこれに限らず、矩形の孔など他の形状であってもよい（後述の各実施形態においても同様）。天板部１１及び側壁部１２は、円盤形状及び円筒形状であるが、これに限らず、矩形状及び四角柱形状などの他の形状でもよい。また、天板部１１及び側壁部１２は、貫通孔６１に合わせて円盤形状及び円筒形状であるが、これに限らず、貫通孔６１と異なる他の形状でもよい。

【0053】

側壁貫通孔１２ｃは、円孔により構成する場合に限らず、スリット状のものでもよい。また、側壁貫通孔１２ｃは、側壁上部１２ａの大部分を大きく切り欠いて形成してもよい。この場合、天板部１１と側壁下部１２ｂとを繋ぐような柱状の側壁上部１２ａを互いに間隔を開けて配置し、天板部１１を支える構成を例示することができる。

【0054】

第１実施形態のイオン遮蔽部材１０は、金属で形成され、表面を酸化膜または誘電体によって覆われているが、これに限らない。例えば成膜装置１が低温プラズマを用いて成膜処理する場合などにおいて、金属製のイオン遮蔽部材１０は、酸化膜または誘電体によって覆われていなくてもよい。また、イオン遮蔽部材１０は、金属では無く誘電体で形成されていてもよく、この場合、耐熱性が向上しラジカルの失活を抑制できる。さらに、イオン遮蔽部材１０は、金属で全体を構成されているが、これに限らず、次の実施形態で示すように部分的に異なる材質で形成されていてもよい。

【0055】

（第２実施形態）
図５に基づいて、本開示の第２実施形態におけるイオン遮蔽部材１０Ａについて説明する。尚、以降の各実施形態の説明では、第１実施形態との差異点を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。また、図５以降の各図においては、図１～図４を用いて説明したものと共通の構成要素には、これらの図と共通の符号を付してある。図５は、図３と同様なイオン遮蔽部材１０Ａの縦断面図を示している。

【0056】

第２実施形態のイオン遮蔽部材１０Ａにおいては、天板部１１及び側壁上部１２ａを含む上部１５が、第１実施形態と同様に金属で一体的に形成され、表面が酸化膜又は誘電体で覆われている。一方、イオン遮蔽部材１０Ａの側壁下部１２ｂ及びフランジ部１４を含む下部１６は、誘電体で一体的に形成されている。この下部１６に、上部１５の下端を取り付けることにより異素材の上部１５及び下部１６が一体化されている。このように誘電体である下部１６の上に取り付けられた金属製の上部１５は、電気的に浮遊している。また、上部１５はシャワーヘッド６の上面よりもプラズマ領域Ｒ２に近く配置されるため、上部１５の浮遊電位は、上部１５の周辺のシース領域Ｒ１の電位よりプラズマ領域Ｒ２の電位に近くなる。上部１５の電位がプラズマ電位に近いため、電界が集中し易い角部を構成する天板部１１の周端に向けて起きるプラズマ領域Ｒ２からの放電を抑制できる。

【0057】

（第３実施形態）
図６、図７に基づいて、本開示の第３実施形態におけるイオン遮蔽部材１０Ｂについて説明する。図６（ａ）は、イオン遮蔽部材１０Ｂの縦断側面図を示し、図６（ｂ）は、イオン遮蔽部材１０Ｂの平面図である。図７は、ラジカル供給工程におけるイオン遮蔽部材１０Ｂの作用を示している。図７における二点鎖線は、反応ガスの流れを示し、図に対向する位置から見て、太線がイオン遮蔽部材１０Ｂの正面側を通るものを示し、細線がイオン遮蔽部材１０Ｂの背面側を通るものを示している。

【0058】

第３実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｂは、貫通孔６１の上下方向の中心軸に沿って形成された螺旋形状の部材であり、その全体が貫通孔６１内に配置される。図６（ａ）、（ｂ）に示すように、このイオン遮蔽部材１０Ｂは、貫通孔６１の開口直径に対応する幅を有する細長いリボン状の部材２０を、長手方向沿う中心軸周りに３６０度以上ねじった形状に構成されている。

【0059】

リボン状の部材２０の相互に対向する表面２１及び裏面２２は、同一方向に３６０度以上ねじられたような形状となっている。表面２１及び裏面２２は、それぞれ貫通孔６１の上方開口６１ａから下方開口６１ｂに向かって傾斜した螺旋面になる。そして、表面２１及び裏面２２は、それぞれが向かい合う貫通孔６１の内壁面との間に連結路１３を構成する。即ち、これらの２つの連結路１３は、イオン遮蔽部材１０Ｂを介して相互に対向した状態で、貫通孔６１の上方開口６１ａから下方開口６１ｂに亘って傾斜した螺旋状の流路になっている。

【0060】

本例のイオン遮蔽部材１０Ｂにおいては、リボン状部材の表面２１及び裏面２２の上端部の面によってイオン遮蔽面１１ａが構成されている。これらのイオン遮蔽面１１ａは、プラズマ形成空間Ｓ２に臨むように上方に向けて配置されている。

【0061】

貫通孔６１には、その内壁面に沿って二重螺旋状の突条部６３が形成されている。イオン遮蔽部材１０Ｂの取り付けは、これらの突条部６３に沿って、イオン遮蔽部材１０Ｂをねじ込むように挿入する。この構成によれば、イオン遮蔽部材１０Ｂは、シャワーヘッド６の上下いずれの面からも貫通孔６１に嵌合させることができるため、取付作業などが容易である。

【0062】

図７に示すように、第３実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｂによれば、ラジカル供給工程において、プラズマ領域Ｒ２からイオンＣ１が貫通孔６１に入射しても、イオンＣ１はイオン遮蔽面１１ａに衝突して貫通孔６１の通過を阻害される。一方、反応ガスのラジカルＣ２は、反応ガスの流れに乗って２つの連結路１３を通過して、処理空間Ｓ１に供給される。

【0063】

図６、図７に示した第３実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｂは、細長いリボン状の部材２０を中心軸周りに３６０度以上ねじった構成を示した。但し、リボン状の部材２０のねじれ角度は１８０度以上であればよい。最低１８０度ねじった構成では、リボン状の部材２０の表面２１及び裏面２２は、プラズマ形成空間Ｓ２側から見て貫通孔６１をそれぞれ半分ずつ覆うイオン遮蔽面１１ａを形成するので、イオンＣ１の貫通孔６１の通過を遮蔽できる。

【0064】

（第４実施形態）
図８に基づいて、本開示の第４実施形態におけるイオン遮蔽部材１０Ｃについて説明する。第３実施形態の図６、図７と同様に、図８は、第４実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｃを示す縦断側面図及び平面図である。第４実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｃは、貫通孔６１の上下方向に沿って設定された中心軸６１Ａ周りに、スロープ状に渦を巻く部材（スロープ状部材２０ａ）を配置した構成となっている。具体的には、イオン遮蔽部材１０Ｃは、スロープ状部材２０ａの例えば表面２１を上方に向けた状態で、既述の中心軸６１Ａ周りに巻き付けて構成となっている。

【0065】

そして貫通孔６１の内壁面と、表面２１及び裏面２２との間には連結路１３が構成される。連結路１３は、貫通孔６１の上方開口６１ａ側から下方開口６１ｂ側に亘って渦を巻く螺旋状の流路として構成されている。

【0066】

本例のイオン遮蔽部材１０Ｃは、図８に示すように、スロープ状部材２０ａの上端部２３側の螺旋１巻き分の範囲が拡幅し、イオン遮蔽面１１ａを構成している。そして、貫通孔６１には、その内壁面に沿って一重螺旋状の突条部６３が形成されている。イオン遮蔽部材１０Ｃは、この突条部６３に沿ってねじ込むように貫通孔６１に挿入されて取り付けられている。そして既述の拡幅部分を成す上端部２３は貫通孔６１の上部側の拡径した上方孔縁部６１ｃの内側に収容される。

【0067】

（変形例）
図９に基づいて、本開示の第４実施形態の変形例におけるイオン遮蔽部材１０Ｄについて説明する。本変形例のイオン遮蔽部材１０Ｄは、第４実施形態のイオン遮蔽部材１０Ｃとは貫通孔６１への取り付け方法が異なる。貫通孔６１には、第４実施形態のように貫通孔６１に一重螺旋状の突条部６３は形成されていない。これに替えてプラズマ形成空間Ｓ２側から見て、それぞれ貫通孔６１の内壁から中心軸６１Ａに向かって突出するように４つのリブ６８が設けられている。リブ６８は、貫通孔６１の内周壁の周方向に互いに間隔を開けて設けられ、それぞれ中心軸６１Ａと平行に、上下方向に伸びるように形成されている。イオン遮蔽部材１０Ｄには、リブ６８と嵌合するような４つの溝１８が形成されている。なお、図８を用いて説明したイオン遮蔽部材１０Ｃとは異なり、本例のイオン遮蔽部材１０Ｄの上端部には拡幅部分は形成されていない。

【0068】

このようなイオン遮蔽部材１０Ｄは、貫通孔６１側のリブ６８に対して溝１８が嵌合するように上方側または下方側から挿入することにより貫通孔６１に取り付けられる。リブ６８と溝１８の嵌合により、イオン遮蔽部材１０Ｄが回転して動いてしまうことを抑止し位置ずれを抑制している。既述の取り付け方法の他、イオン遮蔽部材１０Ｄの貫通孔６１の取り付け法に特段の限定はなく、任意の手法を採用してよい。

【0069】

（第５実施形態）
図１０に基づいて、本開示に係る第５実施形態に係る成膜装置１Ｅについて説明する。図１０は、第５実施形態に係る成膜装置を示す縦断側面図である。第５実施形態の成膜装置は、第１実施形態とは異なり、処理容器５内に形成されて処理空間Ｓ１自体がプラズマ形成空間Ｓ２となっている。このため、処理空間Ｓ１内に配置された処理容器５の内壁面や、排気管８７の端面などにもシース領域Ｒ１が形成され、そこに向けてイオンが入射し、放電が起きることがある。特に、排気流路を構成する開口部５６の上端面においては、プラズマを含む排気流が流入するため、プラズマ領域Ｒ２が近接し、放電が起こり易い。

【0070】

例えば図１０に示した成膜装置１Ｅにおいては、処理空間Ｓ１に供給された処理ガス（反応ガスや原料ガス）が、排気管８７へ向けて直接、流れ込む偏流の発生を抑え、載置台８の周囲から均一に排気を行うための整流板を成す有孔板６Ｅが設けられている。この有孔板６Ｅは、排気管８７によって形成された排気流路の入口側に設けられている。尚、有孔板６Ｅは、この例に限らず、開口部５６の上端面である排気流路の開口を直接覆うように配置されていてもよい。

【0071】

この有孔板６Ｅに形成された貫通孔６１内に、処理空間Ｓ１内で形成された処理ガスのプラズマからイオンが入射すると、ホロカソードプラズマが発生し、部材の損傷やパーティクルの発生を引き起こすおそれがある。そこで図３～図９を用いて説明した各実施形態と同様に、有孔板６Ｅの貫通孔６１には各種のイオン遮蔽部材１０、１０Ｂを設けることができる。イオン遮蔽部材１０、１０Ｂを設けることにより、有孔板６Ｅの上面６４でイオンの入射を遮蔽しつつ排気流を流通させることができる。

【0072】

本開示に係る基板処理装置の基板に対する処理は、成膜処理の他、エッチング処理、アッシング処理等、プラズマを用いて行う他の処理を行ってもよい。また、本開示の基板処理装置の被処理体の基板Ｗは、半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などでもよい。

【0073】

なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更または組み合わせが行われてもよい。

【符号の説明】

【0074】

Ｃ１ イオン
Ｐ プラズマ形成機構
Ｓ２ プラズマ形成空間
Ｗ 基板
１ 成膜装置
５ 処理容器
６ シャワーヘッド
７ 処理ガス供給部
８ 載置台
１０ イオン遮蔽部材
１１ａ イオン遮蔽面
６１ 貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】