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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024103327
(43)【公開日】2024-08-01
(54)【発明の名称】基板処理システム及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240725BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240725BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 562
H01L21/68 A
H01L21/30 569
H01L21/30 564
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023007600
(22)【出願日】2023-01-20
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 慎介
(72)【発明者】
【氏名】中島 清次
(72)【発明者】
【氏名】寺本 聡寛
(72)【発明者】
【氏名】菖蒲 凌
【テーマコード（参考）】
5F131
5F146
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA12
5F131BA13
5F131BA14
5F131BA37
5F131BB02
5F131BB03
5F131CA39
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA36
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB52
5F131DB62
5F131DB72
5F131DB76
5F131JA08
5F131JA14
5F131JA15
5F146JA22
5F146LA11
5F146LA18
5F146LB00
5F146LB09
5F146LB10
(57)【要約】 （修正有）
【課題】露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を、比較的小さいスペースで、湿式と乾式の両方で行うことを可能にする。
【解決手段】基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後のレジスト膜の現像処理までの処理であり、湿式処理装置、または、乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、第１処理システムは、第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、第２搬送システムは、処理システムとの間、または、共通の載置台とは別に設けられた別の載置台と第２処理システムとの間で基板を搬送する。
【選択図】図１
【解決手段】基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後のレジスト膜の現像処理までの処理であり、湿式処理装置、または、乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、第１処理システムは、第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、第２搬送システムは、処理システムとの間、または、共通の載置台とは別に設けられた別の載置台と第２処理システムとの間で基板を搬送する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理を行う基板処理システムであって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、
前記第１処理システムは、前記第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、
前記共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって前記基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、
前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、
前記第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも前記第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間、または、前記共通の載置台とは別に設けられた前記容器が載置される別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送する、基板処理システム。
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、
前記第１処理システムは、前記第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、
前記共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって前記基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、
前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、
前記第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも前記第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間、または、前記共通の載置台とは別に設けられた前記容器が載置される別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送する、基板処理システム。
【請求項2】
前記共通の載置台に載置された前記容器から当該基板処理システム内に搬入された基板が搬送を待機するバッファをさらに備え、
前記バッファの内部は、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている、請求項１に記載の基板処理システム。
前記バッファの内部は、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項3】
制御部をさらに備え、
前記バッファは、内部が不活性ガスの雰囲気であるガスバッファと、内部が真空雰囲気である真空バッファと、を含み、
前記制御部は、前記湿式処理装置で処理される予定の基板が、前記ガスバッファで待機し、前記乾式処理装置で処理される予定の基板が、前記真空バッファで待機するよう、制御を行う、請求項２に記載の基板処理システム。
前記バッファは、内部が不活性ガスの雰囲気であるガスバッファと、内部が真空雰囲気である真空バッファと、を含み、
前記制御部は、前記湿式処理装置で処理される予定の基板が、前記ガスバッファで待機し、前記乾式処理装置で処理される予定の基板が、前記真空バッファで待機するよう、制御を行う、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項4】
前記制御部は、前記乾式処理装置で処理予定の基板を待機させる段階で、前記真空バッファが他の基板で埋まっている場合、前記乾式処理装置で処理予定の基板が、前記ガスバッファで待機するよう、制御を行う、請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項5】
前記湿式処理装置は、枚葉で基板を処理し、
前記乾式処理装置は、複数枚の基板をまとめて処理する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
前記乾式処理装置は、複数枚の基板をまとめて処理する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項6】
前記第１搬送システム及び第２搬送システムそれぞれは、前記第２処理システムに接続された搬送路を有し、
前記第１搬送システム及び第２搬送システムのうち前記湿式処理装置を有するシステムの内部と、前記搬送路とは、同じ圧力且つ同じ雰囲気である、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
前記第１搬送システム及び第２搬送システムのうち前記湿式処理装置を有するシステムの内部と、前記搬送路とは、同じ圧力且つ同じ雰囲気である、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項7】
前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記インターフェイスブロックに対する基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理システム。
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記インターフェイスブロックに対する基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項8】
前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理システム。
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項9】
前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記共通の載置台に前記容器を搬送する容器搬送装置がアクセス可能に構成されている、請求項１、７または８に記載の基板処理システム。
前記別の載置台は、前記共通の載置台に前記容器を搬送する容器搬送装置がアクセス可能に構成されている、請求項１、７または８に記載の基板処理システム。
【請求項10】
前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記容器が載置される部分が覆われ、前記共通の載置台と隔てられている、請求項１、７または８に記載の基板処理システム。
前記別の載置台は、前記容器が載置される部分が覆われ、前記共通の載置台と隔てられている、請求項１、７または８に記載の基板処理システム。
【請求項11】
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項７または８に記載の基板処理システム。
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項７または８に記載の基板処理システム。
【請求項12】
前記処理ブロックは、前記露光装置と当該基板処理システムが並ぶ幅方向に沿って、中継ブロックを間に挟んで複数設けられ、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記中継ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項７または８に記載の基板処理システム。
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記中継ブロックに対する基板の搬送を行う、請求項７または８に記載の基板処理システム。
【請求項13】
基板処理システムを用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理システムは、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置のいずれか一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムと、
内部が、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされたバッファと、を備え、
当該基板処理システム内に搬入された基板を前記バッファ内で待機させる工程と、
前記待機させる工程後、前記基板処理を湿式または乾式で行う工程と、を含む、基板処理方法。
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理システムは、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置のいずれか一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムと、
内部が、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされたバッファと、を備え、
当該基板処理システム内に搬入された基板を前記バッファ内で待機させる工程と、
前記待機させる工程後、前記基板処理を湿式または乾式で行う工程と、を含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理システム及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、基板を処理する複数の処理ユニットが上下方向に多段に設けられた処理ステーションと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、処理ステーションとカセット載置部との間に配置された基板搬送機構と、を備えた基板処理システムが開示されている。処理ステーションと基板搬送機構との間には、カセット載置部と処理ステーションとの間で搬送される基板、及び処理ユニットの各段の間で搬送される基板を一時的に収容する複数の受け渡しユニットが多段に設けられている。また、基板搬送機構は、カセット載置部と各受け渡しユニットとの間で基板を搬送する第１の搬送アームと、各受け渡しユニットの各段の間で基板を搬送する第２の搬送アームとを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１３－６９８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を、比較的小さいスペースで、湿式と乾式の両方で行うことを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、基板処理を行う基板処理システムであって、前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、前記第１処理システムは、前記第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、前記共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって前記基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、前記第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも前記第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間、または、前記共通の載置台とは別に設けられた前記容器が載置される別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を、比較的小さいスペースで、湿式と乾式の両方で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【図2】湿式処理システムの正面側の内部構成の概略を示す図である。
【図3】湿式処理システムの背面側の内部構成の概略を示す図である。
【図5】共通の載置台とは別の載置台の他の例を示す図である。
【図6】第１搬送システムの他の例を示す図である。
【図7】湿式処理システム及び第２搬送システムの他の例を示す図である。
【図8】第２搬送システムのさらに別の例を示す図である。
【図9】乾式処理システムの他の例を示す図である。
【図10】第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【図11】第３実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理すなわちフォトリソグラフィ用処理には、例えば、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等が含まれる。これらのフォトリソグラフィ処理のうちの露光処理以外の処理、例えば現像処理は、液体を用いて、すなわち湿式で行われる場合もあれば、ガスを用いて、すなわち乾式で行われる場合もある。
【0009】
レジストの種類によっては、湿式の現像処理でのみ、または、乾式の現像処理でのみ、所望の形状のレジストパターンが得られることがある。しかし、湿式の現像処理を行う湿式処理システムと、乾式の現像処理を行う乾式処理システムとを別々に設けると、これらのシステムにより空間が大きく占有されてしまう。レジスト膜形成処理も、湿式と乾式の両方で行われる場合があるため、同様である。
【0010】
そこで、本開示にかかる技術は、露光処理以外のフォトリソグラフィ用処理を、比較的小さいスペースで、湿式と乾式の両方で行うことを可能にする。
【0011】
以下、本実施形態にかかる基板処理システム及び基板処理方法を、図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0012】
（第１実施形態）
＜ウェハ処理システム＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、後述の湿式処理システムの正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。図４は、図１のウェハ処理システムの、後述のインターフェイスステーション部分での断面を概略的に示す図である。
＜ウェハ処理システム＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３はそれぞれ、後述の湿式処理システムの正面側と背面側の内部構成の概略を示す図である。図４は、図１のウェハ処理システムの、後述のインターフェイスステーション部分での断面を概略的に示す図である。
【0013】
図１のウェハ処理システム１は、第１処理システムとしての湿式処理システム２と、第２処理システムとしての乾式処理システム３と、第１搬送システム４と、載置台５と、第２搬送システム６と、を備える。
【0014】
湿式処理システム２は、図１～図３に示すように、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、インターフェイスブロックとしてのインターフェイスステーション１２と、を備え、露光装置Ｅと連結される。露光装置Ｅは、基板としてのウェハＷに露光処理を行い、具体的には、ウェハＷに対して例えばＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光を用いた露光処理を行う。湿式処理システム２において、カセットステーション１０と、処理ステーション１１と、インターフェイスステーション１２とは、一体に接続されている。また、湿式処理システム２は、後述のカセット搬送装置２００を備える。
【0015】
なお、以下では、湿式処理システム２と露光装置Ｅとの連結方向を幅方向といい、上面視で上記連結方向すなわち幅方向に垂直な方向を奥行き方向という。
【0016】
湿式処理システム２のカセットステーション１０は、ウェハＷを複数収容可能に構成された容器であるカセットＣが搬入出されるものである。
カセットステーション１０は、例えば、幅方向一方側（図のＹ方向負側）の端部に、カセットＣが載置される載置台２０が設けられている。載置台２０上には、複数、例えば４つの載置板２１が設けられている。載置板２１は奥行き方向（図のＸ方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板２１には、カセットＣを載置することができる。また、一実施形態において、載置台２０には、カセットＣを搬送する容器搬送装置としてのカセット搬送装置２００がアクセス可能となっている。具体的には、載置台２０上が覆われること等なく、載置板２１にカセット搬送装置２００がカセットＣを載置したり載置台２０からカセット搬送装置２００がカセットＣを取り除いたりすることが可能となっている。カセット搬送装置２００は、例えば、カセットＣを保持する保持部２０１を先端に有する多関節アーム２０２と、多関節アーム２０２を奥行き方向（図のＸ方向）に移動可能に支持するレール２０３と、を有する。多関節アーム２０２は、鉛直方向にも移動可能にレール２０３に支持される。
カセットステーション１０は、例えば、幅方向一方側（図のＹ方向負側）の端部に、カセットＣが載置される載置台２０が設けられている。載置台２０上には、複数、例えば４つの載置板２１が設けられている。載置板２１は奥行き方向（図のＸ方向）に一列に並べて設けられている。これらの載置板２１には、カセットＣを載置することができる。また、一実施形態において、載置台２０には、カセットＣを搬送する容器搬送装置としてのカセット搬送装置２００がアクセス可能となっている。具体的には、載置台２０上が覆われること等なく、載置板２１にカセット搬送装置２００がカセットＣを載置したり載置台２０からカセット搬送装置２００がカセットＣを取り除いたりすることが可能となっている。カセット搬送装置２００は、例えば、カセットＣを保持する保持部２０１を先端に有する多関節アーム２０２と、多関節アーム２０２を奥行き方向（図のＸ方向）に移動可能に支持するレール２０３と、を有する。多関節アーム２０２は、鉛直方向にも移動可能にレール２０３に支持される。
【0017】
また、カセットステーション１０は、例えば、幅方向他方側（図のＹ方向正側）に、ウェハＷを搬送する搬送装置２３が設けられている。搬送装置２３は、奥行き方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アーム２３ａを有する。また、搬送装置２３の搬送アーム２３ａは、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向にも移動自在に構成されている。この搬送装置２３は、搬送アーム２３ａにウェハＷを保持して、各載置板２１上のカセットＣと、後述の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１との間でウェハＷを搬送できる。
【0018】
なお、カセットステーション１０は、載置台２０の上方や、載置台２０より露光装置Ｅから遠い部分（図のＹ方向負側部分）に、カセットＣが載置されて貯留される貯留部（図示せず）が設けられていてもよい。
【0019】
処理ステーション１１は、レジスト膜形成等の所定の処理を施す各種処理装置を複数備えるものである。
【0020】
処理ステーション１１は、それぞれが各種装置を備えた複数（図の例では２つ）のブロックに分割されている。インターフェイスステーション１２側に処理ブロックＢＬ１を有し、カセットステーション１０側に受け渡しブロックＢＬ２を有する。
【0021】
処理ブロックＢＬ１は、例えば、手前側（図のＸ方向負側）に第１のブロックＧ１を有し、奥側（図のＸ方向正側）に第２のブロックＧ２を有する。
【0022】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷに現像処理を行う現像装置３０、ウェハＷにレジスト膜形成処理を行うレジスト塗布装置３１が下からこの順に配置されている。現像装置３０は、湿式処理装置の一例である。湿式処理装置は、ウェハＷ上へのレジスト膜の形成処理から露光後のレジスト膜の現像処理までのいずれかの基板処理としてのウェハ処理を、すなわちフォトリソグラフィ用処理のいずれかのウェハ処理を、湿式で行う装置である。
【0023】
例えば現像装置３０、レジスト塗布装置３１は、それぞれ幅方向（図のＹ方向）に４つ並べて配置されている。なお、これら現像装置３０、レジスト塗布装置３１の数や配置は、任意に選択できる。
【0024】
これら現像装置３０、レジスト塗布装置３１では、例えばスピン塗布法でウェハＷ上に所定の処理液を塗布する。スピン塗布法では、例えば吐出ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
【0025】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０が鉛直方向（図の上下方向）と幅方向（図のＹ方向）に複数並べて設けられている。熱処理装置４０の数や配置についても、任意に選択できる。
【0026】
湿式処理システム２において、現像装置３０、レジスト塗布装置３１及び熱処理装置４０は、例えば枚葉でウェハＷを処理する。
【0027】
また、処理ブロックＢＬ１は、図１に示すように、第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の部分に、幅方向に延びる搬送領域Ｒ１が設けられている。処理ブロックＢＬ１では、この幅方向に延びる搬送領域Ｒ１に沿って並ぶように、現像装置３０やレジスト塗布装置３１が複数配置されている。搬送領域Ｒ１には、ウェハＷを搬送する搬送装置Ｒ２が配置されている。
【0028】
搬送装置Ｒ２は、例えば幅方向（図のＹ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ２ａを有している。搬送装置Ｒ２は、ウェハＷを保持した搬送アームＲ２ａをウェハ搬送領域Ｄ内で移動させ、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、後述の受け渡しタワー５０及び受け渡しタワー６０内の所定の装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送装置Ｒ２は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、受け渡しタワー５０、６０それぞれの同程度の高さの所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【0029】
また、搬送領域Ｒ１には、受け渡しタワー５０と受け渡しタワー６０との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置Ｒ３が設けられている。
【0030】
シャトル搬送装置Ｒ３は、支持したウェハＷを幅方向（図のＹ方向）に直線的に移動させ、同程度の高さの受け渡しタワー５０の装置と受け渡しタワー６０の装置との間でウェハＷを搬送できる。
【0031】
受け渡しブロックＢＬ２は、図１に示すように、奥行き方向（図のＸ方向）中央部に、受け渡しタワー５０が設けられている。受け渡しタワー５０は、具体的には、受け渡しブロックＢＬ２における、処理ブロックＢＬ１の搬送領域Ｒ１と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、設けられている。受け渡しタワー５０には、図３に示すように、複数の受け渡し装置５１が鉛直方向に重なるように設けられている。
【0032】
インターフェイスステーション１２は、図１に示すように、処理ステーション１１の処理ブロックＢＬ１と露光装置Ｅとの間に設けられ、これらの間でウェハＷの受け渡しを行うものである。
インターフェイスステーション１２における、処理ブロックＢＬ１の搬送領域Ｒ１と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、受け渡しタワー６０が設けられている。受け渡しタワー６０には、図３に示すように、複数の受け渡し装置６１が鉛直方向に重なるように設けられている。
インターフェイスステーション１２における、処理ブロックＢＬ１の搬送領域Ｒ１と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、受け渡しタワー６０が設けられている。受け渡しタワー６０には、図３に示すように、複数の受け渡し装置６１が鉛直方向に重なるように設けられている。
【0033】
また、図１に示すように、インターフェイスステーション１２の奥側（図のＸ方向正側）には、受け渡し装置６２が設けられている。
【0034】
さらに、インターフェイスステーション１２には、搬送装置Ｒ４、Ｒ５が設けられている。
【0035】
搬送装置Ｒ４は、受け渡しタワー６０と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に設けられ、例えば、奥行き方向（図のＸ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ４ａを有している。搬送装置Ｒ４は、搬送アームＲ４ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１及び露光装置Ｅの間でウェハＷを搬送できる。
【0036】
搬送装置Ｒ５は、受け渡しタワー６０と受け渡し装置６２との間に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ５ａを有している。搬送装置Ｒ５は、搬送アームＲ５ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１及び受け渡し装置６２の間でウェハＷを搬送できる。
【0037】
さらに、受け渡しブロックＢＬ２には搬送装置Ｒ６が設けられている。搬送装置Ｒ６は、受け渡しタワー５０の奥側（図のＸ方向正側）に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ６ａを有している。搬送装置Ｒ６は、搬送アームＲ６ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー５０の複数の受け渡し装置５１の間でウェハＷを搬送できる。
【0038】
乾式処理システム３は、第１ロードロックステーション１００と、処理ステーション１０１と、第２ロードロックステーション１０２と、を有する。乾式処理システム３において、ロードロックステーション１００、処理ステーション１０１及び第２ロードロックステーションは、幅方向（図のＹ方向）に沿ってこの順で並び、一体に接続されている。
【0039】
第１及び第２ロードロックステーション１００、１０２にはそれぞれ、内部雰囲気を減圧雰囲気と大気圧雰囲気とで切り替え可能に構成されたロードロック装置１１０、１１１が設けられている。
【0040】
処理ステーション１０１は、真空搬送室１２０と、処理装置１２１と、後処理装置１２２と、を有する。
【0041】
真空搬送室１２０は、密閉可能に構成された筐体からなり、その内部が減圧状態（真空状態）に保たれる。真空搬送室１２０は、例えば上面視矩形状に形成されている。
【0042】
処理装置１２１及び後処理装置１２２はそれぞれ、例えば処理ステーション１０１に複数（図の例では２つ）設けられる。処理ステーション１０１に設けられた処理装置１２１は、乾式処理装置であり、湿式処理システム２の湿式処理装置と同種のウェハ処理を乾式で行い、具体的には、湿式処理システム２の現像装置３０が行う現像処理を乾式で行う。乾式とは、ガスを用いる方式であり、具体的には、減圧下でガスを用いる方式である。乾式処理はその処理目的となる作用を主にガスによって得るもので、湿式処理はその作用を主に液体によって得るものとも言える。
【0043】
後処理装置１２２は、乾式の現像処理後のウェハＷに後処理としての加熱処理を行う。これにより、ウェハＷに付着していた乾式の現像処理用のガスを除去することができ、さらに、乾式の現像処理時にウェハＷに付着した反応生成物を除去することができる。
処理装置１２１及び後処理装置１２２は、例えば枚葉でウェハＷを処理する。
処理装置１２１及び後処理装置１２２は、例えば枚葉でウェハＷを処理する。
【0044】
処理ステーション１０１において、処理装置１２１及び後処理装置１２２は、幅方向（図のＹ方向）に並ぶように、配置されている。
【0045】
また、真空搬送室１２０の内部には、ウェハＷを搬送する搬送装置１２３が設けられている。搬送装置１２３は、例えば幅方向（図のＹ方向）及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アーム１２３ａを有している。搬送装置１２３は、搬送アーム１２３ａにウェハＷを保持して、処理装置１２１、後処理装置１２２及びロードロック装置１１０、１１１の間でウェハＷを搬送できる。
【0046】
第１搬送システム４は、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間で、ウェハＷを搬送し、具体的には、ウェハ単位すなわち枚葉でウェハＷを搬送する。
【0047】
この第１搬送システム４は、インターフェイスステーション１２と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に、搬送路１３０を有する。具体的には、第１搬送システム４は、インターフェイスステーション１２の受け渡し装置６２と奥行き方向に隣接する位置に、搬送路１３０を有する。搬送路１３０における、奥行き方向に関する受け渡し装置６２と反対側は、乾式処理システム３に接続され、具体的には、第１ロードロックステーション１００に接続されている。搬送路１３０は、湿式処理システム２の内部と、同じ圧力に維持されている。ここでの「同じ圧力」とは、全く同一であることは意味せず、乾式処理システム３の内部の圧力より湿式処理システム２の内部の圧力に近ければよい。また、搬送路１３０は、湿式処理システム２と同じ雰囲気に維持されている。ここでの「同じ雰囲気」とは、全く同一であることは意味せず、乾式処理システム３の内部の雰囲気より湿式処理システム２の内部の雰囲気に近ければよい。
【0048】
搬送路１３０には、上面視で、奥行き方向（図のＸ方向）に沿ってインターフェイスステーション１２側から順に、シャトル搬送装置１３１、受け渡し装置１３２、搬送装置１３３が設けられている。
【0049】
シャトル搬送装置１３１及び受け渡し装置１３２は、図４に示すように、インターフェイスステーション１２の受け渡し装置６２と同じ高さに設けられている。
【0050】
シャトル搬送装置１３１は、受け渡し装置１３２と受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送する。
【0051】
搬送装置１３３は、図１に示すように、例えば、奥行き方向（図のＸ方向）、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アーム１３３ａを有している。搬送装置１３３は、搬送アーム１３３ａにウェハＷを保持して、受け渡し装置１３２と、乾式処理システム３のロードロック装置１１０との間でウェハＷを搬送できる。
【0052】
また、第１搬送システム４には、熱処理装置４０と同様の熱処理装置１３４が設けられていてもよい。熱処理装置１３４は複数設けられていてもよい。
【0053】
載置台５は、湿式処理システム２の載置台２０とは別に設けられ、載置台２０と同様、カセットＣが載置される。載置台５は、例えば、載置台２０と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に設けられている。載置台５上には、例えば２つの載置板１４０が設けられている。載置板１４０は奥行き方向（図のＸ方向）に並べて設けられている。これらの載置板１４０には、カセットＣを載置することができる。また、一例において、載置台５は、カセット搬送装置２００がアクセス可能となっている。具体的には、載置台５におけるカセットＣが載置される部分が覆われること等なく、載置板２１にカセット搬送装置２００がカセットＣを載置したり載置台２０からカセット搬送装置２００がカセットＣを取り除いたりすることが可能となっている。
【0054】
一実施形態において、第２搬送システム６は、乾式処理システム３と載置台５との間で、ウェハＷを搬送し、具体的には、ウェハ単位すなわち枚葉でウェハＷを搬送する。
【0055】
この第２搬送システム６は、載置台５と幅方向（図のＹ方向）に隣接する位置に、搬送路１５０を有する。搬送路１５０における、幅方向に関する載置台５と反対側は、乾式処理システム３に接続され、具体的には、第２ロードロックステーション１０２に接続されている。搬送路１５０は、第１搬送システム４の搬送路１３０と同様、湿式処理システム２の内部と、同じ圧力且つ同じ雰囲気に維持されている。
【0056】
搬送路１５０には、ウェハＷを搬送する搬送装置１５１が設けられている。搬送装置１５１は、奥行き方向（図のＸ方向）に移動自在に構成された搬送アーム１５１ａを有する。また、搬送装置１５１の搬送アーム１５１ａは、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向にも移動自在に構成されている。この搬送装置１５１は、各載置板１４０上のカセットＣと、乾式処理システム３のロードロック装置１１１との間でウェハＷを搬送できる。
【0057】
さらに、ウェハ処理システム１は、搬送装置の制御を含む当該ウェハ処理システム１の制御を行う制御装置７を有している。制御装置７は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、上述の各種処理装置や各種搬送装置等の駆動系の動作を制御して、後述のウェハ処理システム１による処理を制御する指令を含むプログラムが格納されているなお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置７にインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
【0058】
＜ウェハ処理システム１による処理の例１＞
次に、ウェハ処理システム１による処理の一例について説明する。
ウェハ処理システム１による処理では、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれかに選択的に搬送される。
本例では、１枚のウェハＷに対し行われる現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理のいずれか一方のみ行われる。すなわち、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれか１台にのみ搬送される。
次に、ウェハ処理システム１による処理の一例について説明する。
ウェハ処理システム１による処理では、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれかに選択的に搬送される。
本例では、１枚のウェハＷに対し行われる現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理のいずれか一方のみ行われる。すなわち、ウェハＷは、湿式の現像処理を行う現像装置３０と乾式の現像処理を行う処理装置１２１のいずれか１台にのみ搬送される。
【0059】
湿式の現像処理のみが行われる場合は、ウェハ処理システム１のうち、乾式処理システム３は用いられずに、湿式処理システム２のみが用いられる。一方、乾式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、フォトリソグラフィ用処理のうち現像処理より前までの処理（露光処理を除く）が湿式処理システム２で行われた後、ウェハＷが、第１搬送システム４の搬送を介して乾式処理システム３に搬送され、乾式の現像処理が行われる。
以下、より具体的に説明する。
以下、より具体的に説明する。
【0060】
湿式と乾式の現像処理のいずれが行われる場合も、ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理では、まず、湿式処理システム２の搬送装置２３によって、載置台２０上のカセットＣからウェハＷが取り出され、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。
【0061】
次にウェハＷは、搬送装置Ｒ２によって処理ブロックＢＬ１の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、レジスト塗布装置３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。具体的には、例えば、ウェハＷ上に、金属含有レジストのレジスト膜が形成される。金属含有レジストが含有する金属は例えばスズである。次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、プリベーク（ＰＡＢ：Pre-Applied Bake）処理される。なお、プリベーク処理や後段のＰＥＢ（Post Exposure Bake）処理、ポストベーク処理では、同様な熱処理が行われる。ただし、各熱処理に供される熱処理装置４０は互いに異なる。
【0062】
次にウェハＷは、インターフェイスステーション１２の受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。続いて、ウェハＷは、搬送装置Ｒ４によって、露光装置Ｅに搬送され、ＥＵＶ（Extreme Ultra
Violet）光を用いた露光処理が行われる。
Violet）光を用いた露光処理が行われる。
【0063】
露光後、ウェハＷは、搬送装置Ｒ４によって、受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に搬送される。次に、ウェハＷは、搬送装置Ｒ２によって、熱処理装置４０に搬送され、ＰＥＢ処理される。
【0064】
その後、ウェハＷに対し、湿式の現像処理または乾式の現像処理のいずれかが行われる。
【0065】
湿式の現像処理が行われる場合は、例えば、ＰＥＢ処理後のウェハＷが、搬送装置Ｒ２によって、現像装置３０に搬送される。当該現像装置３０によって湿式の現像処理が行われた後、ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。その後、ウェハＷは、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１に搬送される。そして、ウェハＷは、搬送装置２３によって、載置台２０上のカセットＣに戻される。
【0066】
一方、乾式の現像処理が行われる場合は、例えば、ＰＥＢ処理後のウェハＷが、搬送装置Ｒ２によって、インターフェイスステーション１２の受け渡しタワー５０の受け渡し装置６１に搬送される。次に、ウェハＷは、搬送装置Ｒ５によって、受け渡し装置６２に搬送される。続いて、ウェハＷは、第１搬送システム４のシャトル搬送装置１３１によって、受け渡し装置１３２に搬送される。次いで、ウェハＷは、搬送装置１３３によって、乾式処理システム３のロードロック装置１１０に搬送される。その後、ロードロック装置１１０の内部が減圧された後、ウェハＷが、搬送装置１２３によって、処理装置１２１に搬送される。当該処理装置１２１によって乾式の現像処理が行われた後、ウェハＷは、後処理装置１２２に搬送され、熱処理される。熱処理後、ウェハＷは、ロードロック装置１１１に搬送される。そして、ロードロック装置１１１の内部が大気圧雰囲気にされた後、ウェハＷが、第２搬送システム６の搬送装置１５１によって、載置台５上のカセットＣに戻される。
【0067】
＜ウェハ処理システム１による処理の例２＞
上述の処理の例１では、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理とのうち、ウェハＷに対し行われるのはいずれか一方であった。ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理において、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は複数回でもよく、その場合、湿式の現像処理と乾式の現像処理との両方がウェハＷに対し行われてもよい。
上述の処理の例１では、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は１回であり、湿式の現像処理と乾式の現像処理とのうち、ウェハＷに対し行われるのはいずれか一方であった。ウェハ処理システム１を用いたウェハ処理において、ウェハＷに対し行う現像処理の回数は複数回でもよく、その場合、湿式の現像処理と乾式の現像処理との両方がウェハＷに対し行われてもよい。
【0068】
例えば、現像処理の回数が２回の場合、１回目に湿式の現像処理が行われ、２回目に乾式の現像処理が行われてもよいし、また、その逆であってもよい。さらに、この場合、１回目の現像処理の前、１回目の現像処理と２回目の現像処理の間（すなわち湿式の現像処理と乾式の現像処理との間）または２回目の現像処理の後の少なくともいずれか１において、熱処理が行われてもよい。
【0069】
具体的には、ウェハ処理システム１において、ウェハＷが、１回目の現像に対応した装置に搬送され湿式または乾式の現像処理のいずれか一方が行われ、その後、２回目の現像に対応した装置に第１搬送システム４により搬送され湿式又は乾式の現像処理のいずれか他方が行われるようにしてもよい。この場合、１回目の現像処理の湿式の現像処理と乾式の現像処理との間または２回目の現像処理の後の少なくともいずれかにおいて、湿式処理システム２の熱処理装置４０で熱処理が行われてもよい。この熱処理が行われるか否かは目的に応じて選択され得る。
【0070】
＜ウェハ処理システム１による処理の例１及び２の変形例＞
ウェハ処理システム１による処理の例１及び２において、湿式処理システム２の熱処理装置４０で行っていた熱処理（例えば乾式の現像処理直前の熱処理すなわちＰＥＢ処理）を、第１搬送システム４の熱処理装置１３４で行ってもよい。これにより、搬送装置Ｒ２によるＰＥＢ処理後且つ乾式の現像処理前のウェハＷの搬送を省略することができるため、搬送装置Ｒ２の稼働率を低減することができる。
ウェハ処理システム１による処理の例１及び２において、湿式処理システム２の熱処理装置４０で行っていた熱処理（例えば乾式の現像処理直前の熱処理すなわちＰＥＢ処理）を、第１搬送システム４の熱処理装置１３４で行ってもよい。これにより、搬送装置Ｒ２によるＰＥＢ処理後且つ乾式の現像処理前のウェハＷの搬送を省略することができるため、搬送装置Ｒ２の稼働率を低減することができる。
【0071】
＜本実施形態の主な効果＞
本実施形態では、ウェハ処理システム１が、上述のように、湿式の現像処理を行う現像装置３０を有する湿式処理システム２と、乾式の現像処理を行う処理装置１２１を有する乾式処理システム３と、を備える。また、湿式処理システム２は、湿式処理システム２及び乾式処理システム３で共通の、カセットＣが載置される載置台２０を有する。さらに、ウェハ処理システム１が、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間でウェハＷを搬送する第１搬送システム４と、第１搬送システム４とは別に設けられた第２搬送システム６と、を備える。また、第２搬送システム６は、共通の載置台２０とは別に設けられた載置台５と、乾式処理システム３との間でウェハＷを搬送する。このような構成で、ウェハ処理システム１では、共通の載置台２０から当該ウェハ処理システム１内に搬入されたウェハＷが、湿式の現像処理を行う現像装置３０と、乾式の現像処理を行う処理装置１２１と選択的に搬送され、対応する装置で現像処理可能となっている。
本実施形態では、ウェハ処理システム１が、上述のように、湿式の現像処理を行う現像装置３０を有する湿式処理システム２と、乾式の現像処理を行う処理装置１２１を有する乾式処理システム３と、を備える。また、湿式処理システム２は、湿式処理システム２及び乾式処理システム３で共通の、カセットＣが載置される載置台２０を有する。さらに、ウェハ処理システム１が、湿式処理システム２と乾式処理システム３との間でウェハＷを搬送する第１搬送システム４と、第１搬送システム４とは別に設けられた第２搬送システム６と、を備える。また、第２搬送システム６は、共通の載置台２０とは別に設けられた載置台５と、乾式処理システム３との間でウェハＷを搬送する。このような構成で、ウェハ処理システム１では、共通の載置台２０から当該ウェハ処理システム１内に搬入されたウェハＷが、湿式の現像処理を行う現像装置３０と、乾式の現像処理を行う処理装置１２１と選択的に搬送され、対応する装置で現像処理可能となっている。
【0072】
すなわち、ウェハ処理システム１では、湿式の現像処理及び乾式の現像処理を行うことを可能にするために、湿式処理システム２と乾式処理システム３とを全く別のシステムとして別々に設けるのではない。代わりに、湿式処理システム２と乾式処理システム３とを第１搬送システム４により接続して、処理対象のウェハＷを収容したカセットＣが載置される載置台２０等を湿式処理システム２と乾式処理システム３とで共有している。したがって、本実施形態によれば、湿式処理システム２と乾式処理システム３とを全く別のシステムとして別々に設ける場合に比べて小さいスペースで、現像処理を湿式と乾式の両方を行うことができる。
また、湿式処理システム２と乾式処理システム３とが接続され、それらが外部空間と区画されたウェハ処理システム１内の空間になるため、湿式処理システム２と乾式処理システム３のいずれで処理を行う場合にも、ウェハＷの搬送及び処理を行う空間の雰囲気制御が容易になる。ここで言う雰囲気制御には、例えば、温度や湿度、対象空間に供給されるガスのフィルタ等による成分コントロールがあるが、これらに限定されるものではない。
また、湿式処理システム２と乾式処理システム３とが接続され、それらが外部空間と区画されたウェハ処理システム１内の空間になるため、湿式処理システム２と乾式処理システム３のいずれで処理を行う場合にも、ウェハＷの搬送及び処理を行う空間の雰囲気制御が容易になる。ここで言う雰囲気制御には、例えば、温度や湿度、対象空間に供給されるガスのフィルタ等による成分コントロールがあるが、これらに限定されるものではない。
【0073】
また、本実施形態では、露光処理を含む、レジストパターンを形成するための一連の処理として、湿式のフォトリソグラフィ用処理を含むものを行う場合も、乾式のフォトリソグラフィ用処理を含むものを行う場合も、ウェハＷはインラインで処理される。すなわち、ウェハＷは、ウェハ処理システム１内に搬入されたカセットＣ内から取り出され、上記一連の処理が施され、その後、ウェハ処理システム１外への搬出のためにカセットＣ内に戻されるまで、ウェハ処理システム１外に搬出されない。このようなインライン処理が可能なように、制御装置７では、上記一連の処理のためのウェハＷの搬送開始タイミング、上記一連の処理に含まれる各処理の完了タイミング、ウェハＷをカセットＣへ戻すタイミング等を管理している。そのため、制御装置７では、上記一連の処理が、湿式のフォトリソグラフィ用処理及び乾式のフォトリソグラフィ用処理のいずれを含む場合であっても、上記一連の処理に含まれる各処理の状況把握や、搬送タイミングの調整を容易に行うことができる。
【0074】
さらに、本実施形態では、第１搬送システム４の搬送路１３０は、その一端が乾式処理システム３に接続され、他端が、露光装置Ｅに直接接続されずに、湿式処理システム２を介して露光装置Ｅに接続されている。例えば図１に示すように、第１搬送システム４の搬送路１３０の一端は、湿式処理システム２の一部であって、内部空間が露光装置Ｅの搬入出用空間よりも低い圧力となっているインターフェイスステーション１２に接続されている。すなわち、乾式処理システム３と露光装置Ｅは、当該露光装置Ｅに対して陰圧である湿式処理システム２の一部を介して互いに接続されている。乾式処理システム３において乾式の現像処理等に腐食性ガスが用いられる場合があるため、乾式処理システム３と露光装置Ｅを上述のように互いに接続することで、腐食性ガスが露光装置Ｅに進入するのを抑制することができる。
【0075】
＜共通の載置台２０とは別の載置台の他の例＞
図５は、共通の載置台２０とは別の載置台の他の例を示す図である。
図１等に示した、共通の載置台２０とは別の載置台５は、カセットＣが載置される部分が覆われること等なくカセット搬送装置２００がアクセス可能となっていた。これに代えて、図５に示すように、共通の載置台２０とは別の載置台５Ａは、カセットＣが載置される部分が覆われ且つ載置台２０と隔てられ、カセット搬送装置２００がアクセスできないようになっている。ウェハ処理システム１Ａにこのような載置台５Ａを用いることにより、乾式の現像処理に腐食性ガスが用いられた場合であっても、別の載置台５Ａ上のカセットＣに収容されたウェハＷからの腐食性ガスが、ウェハ処理システム１の外部に漏れるのを抑制することができる。なお、この例の場合、カセット搬送装置２００は、多関節アーム２０２が載置台５にアクセスせず、載置台２０にのみアクセスするよう、例えばレール２０３が短く形成され、載置台５には至らないように形成されている。
図５は、共通の載置台２０とは別の載置台の他の例を示す図である。
図１等に示した、共通の載置台２０とは別の載置台５は、カセットＣが載置される部分が覆われること等なくカセット搬送装置２００がアクセス可能となっていた。これに代えて、図５に示すように、共通の載置台２０とは別の載置台５Ａは、カセットＣが載置される部分が覆われ且つ載置台２０と隔てられ、カセット搬送装置２００がアクセスできないようになっている。ウェハ処理システム１Ａにこのような載置台５Ａを用いることにより、乾式の現像処理に腐食性ガスが用いられた場合であっても、別の載置台５Ａ上のカセットＣに収容されたウェハＷからの腐食性ガスが、ウェハ処理システム１の外部に漏れるのを抑制することができる。なお、この例の場合、カセット搬送装置２００は、多関節アーム２０２が載置台５にアクセスせず、載置台２０にのみアクセスするよう、例えばレール２０３が短く形成され、載置台５には至らないように形成されている。
【0076】
＜第１搬送システムの他の例＞
図６は、第１搬送システムの他の例を示す図である。
図１等の例の第１搬送システム４は、インターフェイスステーション１２と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に、搬送路１３０を有していた。すなわち、湿式処理システム２に対する搬送路１３０の接続先が、インターフェイスステーション１２であり、第１搬送システム４が、湿式処理システム２に対するウェハＷの搬送として、インターフェイスステーション１２に対するウェハＷの搬送を行っていた。これに代えて、図６に示すように、第１搬送システム４Ｂは、処理ブロックＢＬ１Ｂと奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に搬送路１３０Ｂを有していてもよい。すなわち、湿式処理システム２Ｂに対する搬送路１３０Ｂの接続先が、処理ブロックＢＬ１Ｂであり、第１搬送システム４Ｂが、湿式処理システム２Ｂに対するウェハＷの搬送として、処理ブロックＢＬ１Ｂに対するウェハＷの搬送を行ってもよい。
図６は、第１搬送システムの他の例を示す図である。
図１等の例の第１搬送システム４は、インターフェイスステーション１２と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に、搬送路１３０を有していた。すなわち、湿式処理システム２に対する搬送路１３０の接続先が、インターフェイスステーション１２であり、第１搬送システム４が、湿式処理システム２に対するウェハＷの搬送として、インターフェイスステーション１２に対するウェハＷの搬送を行っていた。これに代えて、図６に示すように、第１搬送システム４Ｂは、処理ブロックＢＬ１Ｂと奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に搬送路１３０Ｂを有していてもよい。すなわち、湿式処理システム２Ｂに対する搬送路１３０Ｂの接続先が、処理ブロックＢＬ１Ｂであり、第１搬送システム４Ｂが、湿式処理システム２Ｂに対するウェハＷの搬送として、処理ブロックＢＬ１Ｂに対するウェハＷの搬送を行ってもよい。
【0077】
この場合、ウェハ処理システム１Ｂでは、第１搬送システム４Ｂと湿式処理システム２Ｂとの間での受け渡し用に、受け渡し装置６２Ｂが処理ブロックＢＬ１Ｂ内に設けられる。受け渡し装置６２Ｂは、具体的には、例えば、処理ブロックＢＬ１Ｂ内における搬送領域Ｒ１の奥側（図のＸ方向正側）に隣接する位置且つインターフェイスステーション１２Ｂ側（図のＹ方向正側）端の位置に設けられる。
【0078】
また、この場合、処理ブロックＢＬ１Ｂ内の少なくとも一部の搬送装置Ｒ２が、受け渡し装置６２Ｂに対するウェハＷの搬送が可能である。さらに、この場合、シャトル搬送装置１３１Ｂは、処理ブロックＢＬ１Ｂ内の受け渡し装置６２Ｂと受け渡し装置１３２との間でウェハＷを搬送する。
【0079】
図６のウェハ処理システム１Ｂは、湿式の現像処理後に熱処理装置４０で熱処理が行われたウェハＷに、乾式処理システム３Ｂの処理装置１２１で乾式の現像処理を行う場合に好適に用いられる。
また、図６のウェハ処理システム１は、湿式の現像処理用の熱処理と乾式の現像処理用の熱処理とで熱処理装置４０を共用する場合に好適に用いられる。このように共用する場合、熱処理装置１３４を省略することができる。省略することはコスト面で有利である。
さらに、図６のウェハ処理システム１では、上述のように熱処理装置４０を共用する場合において、熱処理装置４０が設けられた領域すなわち熱処理領域から乾式処理システム３ＢにウェハＷを搬送する際に、上記熱処理領域に隣接するインターフェイスステーション１２や受け渡しブロックＢＬ２を介さずに、上記熱処理領域に存在する受け渡し装置６２Ｂからすぐに搬送することができる。したがって、熱処理領域から乾式処理システム３ＢにウェハＷを搬送する際に、使用する搬送装置が少ないため、別のウェハＷの搬送を同時に行うことができ、且つ、別のウェハＷに対する工程用のウェハＷの搬送との間で、搬送装置が重複するリスクを低減することができる。
また、図６のウェハ処理システム１は、湿式の現像処理用の熱処理と乾式の現像処理用の熱処理とで熱処理装置４０を共用する場合に好適に用いられる。このように共用する場合、熱処理装置１３４を省略することができる。省略することはコスト面で有利である。
さらに、図６のウェハ処理システム１では、上述のように熱処理装置４０を共用する場合において、熱処理装置４０が設けられた領域すなわち熱処理領域から乾式処理システム３ＢにウェハＷを搬送する際に、上記熱処理領域に隣接するインターフェイスステーション１２や受け渡しブロックＢＬ２を介さずに、上記熱処理領域に存在する受け渡し装置６２Ｂからすぐに搬送することができる。したがって、熱処理領域から乾式処理システム３ＢにウェハＷを搬送する際に、使用する搬送装置が少ないため、別のウェハＷの搬送を同時に行うことができ、且つ、別のウェハＷに対する工程用のウェハＷの搬送との間で、搬送装置が重複するリスクを低減することができる。
【0080】
なお、図６の例の場合、インターフェイスステーション１２Ｂの搬送装置Ｒ５は、受け渡しタワー６０の複数の受け渡し装置６１の間でウェハＷを搬送する。また、この場合、乾式処理システム３Ｂの処理ステーション１０１Ｂは、図１等の処理ステーション１０１より、処理装置１２１及び後処理装置１２２の数が少なくてもよく、真空搬送室１２０Ｂの幅（図のＹ方向の長さ）が短くてもよい。
【0081】
＜湿式処理システムの他の例及び第２搬送システムの他の例１＞
図７は、湿式処理システム及び第２搬送システムの他の例を示す図である。
以上の例では、湿式処理システム２、２Ａ、２Ｂの処理ステーション１１、１１Ａ、１１Ｂの処理ブロックＢＬ１、ＢＬ１Ａ、ＢＬ１Ｂの数は１つであった。それに対し、図７の湿式処理システム２Ｃでは、処理ステーション１１Ｃに、幅方向（図のＹ方向）に沿って、複数（図の例では２つ）の処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４が中継ブロックＢＬ５を間に挟んで設けられている。処理ブロックＢＬ３は、カセットステーション１０側に位置し、処理ブロックＢＬ４は、インターフェイスステーション１２Ｂ側に位置する。
図７は、湿式処理システム及び第２搬送システムの他の例を示す図である。
以上の例では、湿式処理システム２、２Ａ、２Ｂの処理ステーション１１、１１Ａ、１１Ｂの処理ブロックＢＬ１、ＢＬ１Ａ、ＢＬ１Ｂの数は１つであった。それに対し、図７の湿式処理システム２Ｃでは、処理ステーション１１Ｃに、幅方向（図のＹ方向）に沿って、複数（図の例では２つ）の処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４が中継ブロックＢＬ５を間に挟んで設けられている。処理ブロックＢＬ３は、カセットステーション１０側に位置し、処理ブロックＢＬ４は、インターフェイスステーション１２Ｂ側に位置する。
【0082】
処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、図１等に示した処理ブロックＢＬ１と略同様に構成される。具体的には、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、例えば、手前側
（図のＸ方向負側）に第１のブロックＧ１を有する。第１のブロックＧ１には、現像装置３０及びレジスト塗布装置３１がそれぞれ幅方向（図のＹ方向）に沿って複数並べて配置されている。また、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、例えば奥側（図のＸ方向正側）に第２のブロックＧ２を有する。第２のブロックＧ２には、熱処理装置４０が鉛直方向と幅方向（図のＹ方向）に複数並べて設けられている。
（図のＸ方向負側）に第１のブロックＧ１を有する。第１のブロックＧ１には、現像装置３０及びレジスト塗布装置３１がそれぞれ幅方向（図のＹ方向）に沿って複数並べて配置されている。また、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４はそれぞれ、例えば奥側（図のＸ方向正側）に第２のブロックＧ２を有する。第２のブロックＧ２には、熱処理装置４０が鉛直方向と幅方向（図のＹ方向）に複数並べて設けられている。
【0083】
なお、処理ブロックＢＬ３と処理ブロックＢＬ４とで、幅方向に並ぶ現像装置３０の数は異なっていても同じであってもよい。レジスト塗布装置３１及び熱処理装置４０についても同様である。
【0084】
本例では、第１搬送システム４Ｂと湿式処理システム２Ｂとの間での受け渡し用に、受け渡し装置６２Ｂが処理ブロックＢＬ４内に設けられる。受け渡し装置６２Ｂは、具体的には、例えば、処理ブロックＢＬ４内における後述の搬送領域Ｒ８の奥側（図のＸ方向正側）に隣接する位置且つインターフェイスステーション１２Ｂ側（図のＹ方向正側）端の位置に設けられる。
【0085】
また、処理ブロックＢＬ３、ＢＬ４は、第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２との間の部分に、幅方向に延びる搬送領域Ｒ７、Ｒ８が設けられている。搬送領域Ｒ７、Ｒ８にはそれぞれ、ウェハＷを搬送する搬送装置Ｒ９、Ｒ１０が配置されている。
【0086】
搬送装置Ｒ９は、周囲の液処理装置、熱処理装置４０、後述の受け渡し装置５３、受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１及び後述の受け渡しタワー５２の受け渡し装置に、ウェハＷを搬送できる。搬送装置Ｒ１０は、周囲の液処理装置、熱処理装置４０、受け渡し装置６２Ｂ、後述の受け渡しタワー５２の受け渡し装置及び受け渡しタワー６０の受け渡し装置６１に、ウェハＷを搬送できる。
【0087】
中継ブロックＢＬ５は、奥行き方向（図のＸ方向）中央部に、受け渡しタワー５２が設けられている。受け渡しタワー５２は、具体的には、中継ブロックＢＬ５において、処理ブロックＢＬ３の搬送領域Ｒ７と処理ブロックＢＬ４の搬送領域Ｒ８との間となる部分に、設けられている。受け渡しタワー５２には、複数の受け渡し装置（図示せず）が鉛直方向に重なるように設けられている。受け渡し５２の奥側（図のＸ方向正側）には、搬送装置Ｒ１１が設けられている。搬送装置Ｒ１１は、受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置の間でウェハＷを搬送する。
【0088】
また、図１等の例の第２搬送システム６は、乾式処理システム３と載置台５との間でウェハＷを搬送していた。そして、これにより、乾式の現像処理後のウェハＷが載置台５上のカセットＣに戻されるようにしていた。これに代えて、図７に示すように、第２搬送システム６Ｃは、乾式処理システム３と湿式処理システム２Ｃとの間でウェハＷを搬送してもよい。具体的には、第２搬送システム６Ｃは、乾式処理システム３と湿式処理システム２Ｃの処理ブロックＢＬ３との間でウェハＷを搬送してもよい。これにより、乾式の現像処理後のウェハＷが載置台２０上のカセットＣに戻されるようにしてもよい。
【0089】
この場合、ウェハ処理システム１Ｃでは、載置台５が省略され、代わりに、例えば、受け渡し装置５３が、処理ブロックＢＬ３内に設けられる。受け渡し装置５３は、具体的には、例えば、処理ブロックＢＬ３内における搬送領域Ｒ７の奥側（図のＸ方向正側）に隣接する位置且つカセットステーション１０側（図のＸ方向負側）端の位置に設けられる。
【0090】
また、この場合、第２搬送システム６Ｃの搬送路１５０Ｃは、処理ブロックＢＬ３に隣接する位置に設けられる。具体的には、搬送路１５０Ｃは、処理ブロックＢＬ３の受け渡し装置５３が設けられた部分から奥行き方向（図のＸ方向）に延びるように設けられる。搬送路１５０Ｃには、上面視で奥行き方向に沿って処理ブロックＢＬ３側から順に、シャトル搬送装置１５２、受け渡し装置１５３、搬送装置１５４が設けられる。
【0091】
シャトル搬送装置１５２は、受け渡し装置５３と受け渡し装置１５３との間でウェハＷを搬送する。搬送装置１５４は、受け渡し装置１５３と乾式処理システム３のロードロック装置１１０との間でウェハＷを搬送する。
【0092】
＜湿式処理システムの他の例及び第２搬送システムの他の例２＞
図８は、第２搬送システムのさらに別の例を示す図である。
図７の第２搬送システム６Ｃは、処理ブロックＢＬ３と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に、搬送路１５０Ｃを有していた。すなわち、湿式処理システム２Ｃに対する搬送路１５０の接続先が、処理ブロックＢＬ３であり、第２搬送システム６Ｃが、湿式処理システム２に対するウェハＷの搬送として、処理ブロックＢＬ３に対するウェハＷの搬送を行っていた。これに代えて、図８に示すように、第２搬送システム６Ｄは、中継ブロックＢＬ５Ｄに隣接する位置に搬送路１５０Ｄを有していてもよい。すなわち、湿式処理システム２Ｄに対する搬送路１５０Ｄの接続先が中継ブロックＢＬ５Ｄであり、第２搬送システム６Ｄが、湿式処理システム２Ｄに対するウェハＷの搬送として、中継ブロックＢＬ５Ｄに対するウェハＷの搬送を行ってもよい。
図８は、第２搬送システムのさらに別の例を示す図である。
図７の第２搬送システム６Ｃは、処理ブロックＢＬ３と奥行き方向（図のＸ方向）に隣接する位置に、搬送路１５０Ｃを有していた。すなわち、湿式処理システム２Ｃに対する搬送路１５０の接続先が、処理ブロックＢＬ３であり、第２搬送システム６Ｃが、湿式処理システム２に対するウェハＷの搬送として、処理ブロックＢＬ３に対するウェハＷの搬送を行っていた。これに代えて、図８に示すように、第２搬送システム６Ｄは、中継ブロックＢＬ５Ｄに隣接する位置に搬送路１５０Ｄを有していてもよい。すなわち、湿式処理システム２Ｄに対する搬送路１５０Ｄの接続先が中継ブロックＢＬ５Ｄであり、第２搬送システム６Ｄが、湿式処理システム２Ｄに対するウェハＷの搬送として、中継ブロックＢＬ５Ｄに対するウェハＷの搬送を行ってもよい。
【0093】
この場合、ウェハ処理システム１Ｄでは、第２搬送システム６Ｄと湿式処理システム２Ｄとの間での受け渡し用に、受け渡し装置５３Ｄが中継ブロックＢＬ５Ｄ内に設けられる。受け渡し装置５３Ｄは、具体的には、例えば、中継ブロックＢＬ５Ｄ内における搬送装置Ｒ１１の奥側（図のＸ方向正側）に隣接する位置に設けられる。
【0094】
また、この場合、搬送装置Ｒ１１は、受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置及び受け渡し装置５３Ｄの間でウェハＷを搬送する。さらに、この場合、シャトル搬送装置１５２Ｄは、中継ブロックＢＬ５Ｂ内の受け渡し装置５３Ｄと受け渡し装置１３２との間でウェハＷを搬送する。
【0095】
なお、この場合、処理ブロックＢＬ３Ｄの搬送装置Ｒ９は、周囲の液処理装置、熱処理装置４０、受け渡しタワー５０の受け渡し装置５１及び受け渡しタワー５２の受け渡し装置の間で、ウェハＷを搬送する。また、この場合、乾式処理システム３Ｄの処理ステーション１０１Ｄは、図１等の処理ステーション１０１より、処理装置１２１及び後処理装置１２２の数が少なくてもよく、真空搬送室１２０Ｄの幅（図のＹ方向の長さ）が短くてもよい。
【0096】
＜第１搬送システムの搬送路の接続先と第２搬送システムの搬送路の接続先の組み合わせの他の例＞
湿式処理システムに対する第１搬送システムの搬送路の接続先が図１及び図５の例と同様にインターフェイスステーションである場合に、湿式処理システムに対する第２搬送システムの搬送路の接続先が図の例と同様に中継ブロックであってもよい。
また、湿式処理システムに対する第１搬送システムの搬送路の接続先が図１及び図５の例と同様にインターフェイスステーションである場合に、湿式処理システムに対する第２搬送システムの搬送路の接続先が図７の例と同様に処理ブロックであってもよい。
湿式処理システムに対する第１搬送システムの搬送路の接続先が図１及び図５の例と同様にインターフェイスステーションである場合に、湿式処理システムに対する第２搬送システムの搬送路の接続先が図の例と同様に中継ブロックであってもよい。
また、湿式処理システムに対する第１搬送システムの搬送路の接続先が図１及び図５の例と同様にインターフェイスステーションである場合に、湿式処理システムに対する第２搬送システムの搬送路の接続先が図７の例と同様に処理ブロックであってもよい。
【0097】
＜乾式処理システムの他の例＞
図９は、乾式処理システムの他の例を示す図である。
図１等の例では、湿式処理システム２において現像処理を行う現像装置３０による現像処理も、乾式処理システム３において現像処理を行う処理装置１２１も、枚葉でウェハＷを処理していた。これに代えて、図１０に示すように、乾式で現像処理を行う処理装置１２１Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて処理してもよい。すなわち、処理装置１２１Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて処理可能に構成されていてもよい。具体的には、例えば、処理装置１２１Ｅは、減圧空間内に可能に構成された１つの処理容器内にウェハＷを支持する支持台が複数設けられていてもよい。
図９は、乾式処理システムの他の例を示す図である。
図１等の例では、湿式処理システム２において現像処理を行う現像装置３０による現像処理も、乾式処理システム３において現像処理を行う処理装置１２１も、枚葉でウェハＷを処理していた。これに代えて、図１０に示すように、乾式で現像処理を行う処理装置１２１Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて処理してもよい。すなわち、処理装置１２１Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて処理可能に構成されていてもよい。具体的には、例えば、処理装置１２１Ｅは、減圧空間内に可能に構成された１つの処理容器内にウェハＷを支持する支持台が複数設けられていてもよい。
【0098】
この場合、後処理装置１２２も、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて処理可能に構成されていてもよい。
また、この場合、ウェハ処理システム１Ｅの乾式処理システム３Ｅの処理ステーション１０１Ｅでは、真空搬送室１２０Ｅ内に設けられた搬送装置１２３Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて搬送可能に構成されていてもよい。具体的には、例えば、搬送装置１２３Ｅは、ウェハＷを保持する搬送アーム１２３ａを複数本（例えば２本）有していてもよい。
また、この場合、ウェハ処理システム１Ｅの乾式処理システム３Ｅの処理ステーション１０１Ｅでは、真空搬送室１２０Ｅ内に設けられた搬送装置１２３Ｅが、複数枚（例えば２枚）のウェハＷをまとめて搬送可能に構成されていてもよい。具体的には、例えば、搬送装置１２３Ｅは、ウェハＷを保持する搬送アーム１２３ａを複数本（例えば２本）有していてもよい。
【0099】
（第２実施形態）
＜ウェハ処理システム＞
図１０は、第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
共通の載置台２０に載置されたカセットＣからウェハ処理システム内に搬入されたウェハＷには、ウェハＷ間で搬送時間がばらつくのを抑制するため、ウェハ処理システム内において搬送を待機するタイミングがある。そして、レジストとして金属含有レジストを用いる場合等において、レジスト膜形成処理後からＰＥＢ処理までにおける、処理間の時間すなわち引き置き時間が長いときに、ウェハＷが大気雰囲気下で搬送を待機させると、大気雰囲気の水分等の影響を受けて、所望のレジストパターンが得られなくなることがある。
＜ウェハ処理システム＞
図１０は、第２実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
共通の載置台２０に載置されたカセットＣからウェハ処理システム内に搬入されたウェハＷには、ウェハＷ間で搬送時間がばらつくのを抑制するため、ウェハ処理システム内において搬送を待機するタイミングがある。そして、レジストとして金属含有レジストを用いる場合等において、レジスト膜形成処理後からＰＥＢ処理までにおける、処理間の時間すなわち引き置き時間が長いときに、ウェハＷが大気雰囲気下で搬送を待機させると、大気雰囲気の水分等の影響を受けて、所望のレジストパターンが得られなくなることがある。
【0100】
そのため、図１０のウェハ処理システム１Ｆは、バッファＢＦ１～ＢＦ５が設けられている。バッファＢＦ１～ＢＦ５は、共通の載置台２０に載置されたカセットＣからウェハ処理システム１Ｆ内に搬入されたウェハＷが次の処理のために搬送を待機する部分である。具体的には、バッファＢＦ１～ＢＦ５は、同ウェハＷがレジスト膜形成処理より後段且つ現像処理より前段の処理のために搬送を待機する部分である。
そして、バッファＢＦ１～ＢＦ５は、その内部が大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている。具体的には、バッファＢＦ１～ＢＦ４は、その内部が窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気とされるガスバッファである。バッファＢＦ５は、その内部が真空雰囲気（減圧雰囲気）とされる真空バッファである。
そして、バッファＢＦ１～ＢＦ５は、その内部が大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている。具体的には、バッファＢＦ１～ＢＦ４は、その内部が窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気とされるガスバッファである。バッファＢＦ５は、その内部が真空雰囲気（減圧雰囲気）とされる真空バッファである。
【0101】
バッファＢＦ１は、湿式処理システム２Ｆのインターフェイスステーション１２Ｆの手前側（図のＸ方向負側）に設けられる。露光装置Ｅが液浸法により露光処理を行うものである場合、インターフェイスステーション１２Ｆの手前側に露光前洗浄装置（図示せず）が設けられる。この場合、バッファＢＦ１は、例えば、露光前洗浄装置と鉛直方向に積層されて設けられる。なお、露光前洗浄装置は、ウェハＷの裏面を露光装置Ｅによる露光前に洗浄するものである。バッファＢＦ１に対しては、搬送装置Ｒ１２が設けられる。搬送装置Ｒ１２は、具体的には、受け渡しタワー６０とバッファＢ１との間に設けられ、例えば、鉛直方向及び鉛直軸周りの方向に移動自在な搬送アームＲ１２ａを有している。搬送装置Ｒ１２は、搬送アームＲ１２ａにウェハＷを保持して、受け渡しタワー６０Ｆ内の装置（複数の受け渡し装置６１及びバッファＢＦ２）及びバッファＢＦ１の間でウェハＷを搬送できる。
【0102】
バッファＢＦ２は、インターフェイスステーション１２Ｆの受け渡しタワー６０Ｆ内に設けられる。例えば、バッファＢＦ２は、搬送装置Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１２のうち、搬送装置Ｒ１２の搬送アーム１２ａのみが当該バッファＢ２内に進入可能に構成されている。具体的には、バッファＢＦ２は、搬送装置Ｒ２側の面（図のＹ方向負側）、搬送装置Ｒ４側（図のＹ方向正側）の面及び搬送装置Ｒ５側（図のＸ方向正側）の面は壁（図示せず）で塞がれており、搬送装置Ｒ１２側（図のＸ方向負側）の面のみ開放されている。そして、バッファＢＦ２では、搬送装置Ｒ５側から搬送装置Ｒ１２側に向けて窒素ガス等の不活性ガスが供給される。これにより、バッファＢＦ２内に収容されたウェハＷの表面に沿って流れる不活性ガスの一方向流が形成され、バッファＢＦ２内が不活性ガスの雰囲気とされている。
【0103】
バッファＢＦ３は、インターフェイスステーション１２Ｆの奥側（図のＸ方向正側）に、例えば、受け渡し装置６２と鉛直方向に積層されて設けられる。露光装置Ｅが液浸法により露光処理を行うものである場合、インターフェイスステーション１２Ｆの奥側に露光後洗浄装置（図示せず）が設けられる。この場合、バッファＢＦ３は、例えば、露光後洗浄装置と鉛直方向に積層されて設けられる。なお、露光後洗浄装置は、露光後のウェハＷ洗浄するものである。バッファＢＦ３に対するウェハＷの搬送は、例えば搬送装置Ｒ５により行われる。
【0104】
バッファＢＦ４は、第１搬送システム４Ｆに設けられる。具体的には、バッファＢＦ４は、例えば、搬送路１３０Ｆの露光装置Ｅ側（図のＹ方向正側）に接続されて設けられる。バッファＢＦ４に対するウェハＷの搬送は、例えば搬送装置１３３により行われる。
【0105】
バッファＢＦ５は、乾式処理システム３Ｆの処理ステーション１０１Ｆに設けられる。具体的には、バッファＢＦ５は、処理装置１２１及び後処理装置１２２と幅方向（図のＹ方向）に沿って並ぶように、真空搬送室１２０Ｆに接続されて設けられる。バッファＢＦ５に対するウェハＷの搬送は、搬送装置１２３により行われる。
【0106】
なお、バッファＢＦ１～ＢＦ５の一部を省略してもよい。
【0107】
また、バッファＢＦ１～ＢＦ４の少なくともいずれか１つに代えて、または、加えて、熱処理装置４０、１３４が、熱板によりウェハＷを加熱する領域と、加熱後のウェハＷを冷却する冷却領域との両方を有する場合、熱処理装置４０、１３４のいずれかの冷却領域をガスバッファとしてもよい。具体的には、熱処理装置４０、１３４の冷却領域に、ウェハＷが載置される冷却板の他に、冷却板に載置されたウェハＷを覆う蓋体を設け、待機中のウェハＷの周囲を冷却板と蓋体で覆い、冷却板と蓋体との間の空間に不活性ガスを供給してもよい。この場合、上記空間への不活性ガスの供給は例えば蓋体を介して行われる。
【0108】
さらに、バッファＢＦ５に代えて、または、加えて、ロードロック装置１１０を真空バッファとして用いてもよい。この場合、ロードロック装置１１０は、複数設けられることが好ましく、例えば、鉛直方向または奥行き方向（図のＸ方向）の少なくともいずれか一方に複数並べて設けられていることが好ましい。
【0109】
図１０のウェハ処理システム１Ｆの場合、制御装置７は、当該ウェハ処理システム１Ｆ内に搬入されたウェハＷを待機させる工程と、上記待機させる工程後、現像処理を湿式または乾式で行う工程と、を当該ウェハ処理システム１Ｆが実行するように制御を行う。
具体的には、制御装置７は、例えば、湿式で現像処理を行う現像装置３０で処理される予定のウェハＷがバッファＢＦ１等のガスバッファで待機し、乾式で現像処理を行う処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、バッファＢＦ５等真空バッファで待機するよう、制御を行う。
また、制御装置７は、乾式で現像処理を行う処理装置１２１で処理される予定のウェハＷを待機させる段階で、真空バッファが他のウェハＷで埋まっている場合、上記処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、ガスバッファで待機するよう、制御を行う。具体的には、上述のように真空バッファが他のウェハＷで埋まっている場合、上記処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、当該真空バッファより上流のバッファとして設定されているガスバッファで待機するよう、制御を行う。
具体的には、制御装置７は、例えば、湿式で現像処理を行う現像装置３０で処理される予定のウェハＷがバッファＢＦ１等のガスバッファで待機し、乾式で現像処理を行う処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、バッファＢＦ５等真空バッファで待機するよう、制御を行う。
また、制御装置７は、乾式で現像処理を行う処理装置１２１で処理される予定のウェハＷを待機させる段階で、真空バッファが他のウェハＷで埋まっている場合、上記処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、ガスバッファで待機するよう、制御を行う。具体的には、上述のように真空バッファが他のウェハＷで埋まっている場合、上記処理装置１２１で処理される予定のウェハＷが、当該真空バッファより上流のバッファとして設定されているガスバッファで待機するよう、制御を行う。
【0110】
なお、バッファＢＦ１は、例えば、ＰＡＢ処理後且つ露光処理前のウェハＷに用いられる。バッファＢＦ２は、例えば、露光処理後且つ熱処理装置４０によるＰＥＢ処理前のウェハＷに用いられる。バッファＢＦ３は、例えば、露光後且つ熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理前のウェハＷまたは熱処理装置４０によるＰＥＢ処理後のウェハＷに用いられる。バッファＢＦ４は、例えば、露光後且つ熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理前のウェハ
Ｗまたは熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理後のウェハに用いられる。また、熱処理装置４０の冷却領域をガスバッファとして用いる場合、当該ガスバッファは、熱処理装置４０によるＰＡＢ処理後且つ露光処理前のウェハまたは熱処理装置４０によるＰＥＢ処理後のウェハＷに用いられる。また、熱処理装置１３４の冷却領域をガスバッファとして用いる場合、当該ガスバッファは、熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理後のウェハＷに用いられる。
Ｗまたは熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理後のウェハに用いられる。また、熱処理装置４０の冷却領域をガスバッファとして用いる場合、当該ガスバッファは、熱処理装置４０によるＰＡＢ処理後且つ露光処理前のウェハまたは熱処理装置４０によるＰＥＢ処理後のウェハＷに用いられる。また、熱処理装置１３４の冷却領域をガスバッファとして用いる場合、当該ガスバッファは、熱処理装置１３４によるＰＥＢ処理後のウェハＷに用いられる。
【0111】
このように、バッファＢＦ１～ＢＦ５は、同ウェハＷがレジスト膜形成処理より後段且つ現像処理より前段の処理のために搬送を待機する部分である。
【0112】
（第３実施形態）
＜ウェハ処理システム＞
図１１は、第３実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
以上の例では、ウェハ処理システムは、露光装置Ｅに接続され、レジスト膜形成処理及び現像処理の両方を行っていた。それに対し、図１１のウェハ処理システム１Ｇは、露光装置Ｅに接続されず、レジスト膜形成処理及び現像処理のうち一方のみ、具体的には現像処理のみを行う。ウェハ処理システム１Ｇは、レジスト膜形成処理及び現像処理うちのいずれか一方の他に、ＰＥＢ処理等の熱処理を行ってもよい。
＜ウェハ処理システム＞
図１１は、第３実施形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システムの内部構成の概略を示す説明図である。
以上の例では、ウェハ処理システムは、露光装置Ｅに接続され、レジスト膜形成処理及び現像処理の両方を行っていた。それに対し、図１１のウェハ処理システム１Ｇは、露光装置Ｅに接続されず、レジスト膜形成処理及び現像処理のうち一方のみ、具体的には現像処理のみを行う。ウェハ処理システム１Ｇは、レジスト膜形成処理及び現像処理うちのいずれか一方の他に、ＰＥＢ処理等の熱処理を行ってもよい。
【0113】
ウェハ処理システム１Ｇは、湿式処理システム２Ｇと、乾式処理システム３Ｇと、第１搬送システム４Ｇと、第２搬送システム６Ｇと、を備える。
【0114】
湿式処理システム２Ｇは、前述のカセットステーション１０及びカセット搬送装置２００の他に、処理ステーション１１Ｇと、中継ステーション１２Ｇと、を備える。
【0115】
処理ステーション１１Ｇは、中継ステーション１２Ｇ側に処理ブロックＢＬ１Ｇを有し、カセットステーション１０側に受け渡しブロックＢＬ２Ｇを有する。
【0116】
処理ブロックＢＬ１Ｇは、奥側（図のＸ方向正側）に前述の第２のブロックＧ２を有し、手前側（図のＸ方向負側）に第１のブロックＧ１Ｇを有する。
【0117】
前述の第１のブロックＧ１は現像装置３０とレジスト塗布装置３１の両方が設けられるのに対し、第１のブロックＧ１Ｇは、例えば現像装置３０のみが設けられる。現像装置３０は第１のブロックＧ１Ｇ内において例えば奥行き方向及び鉛直方向それぞれに複数並べて配置される。
【0118】
受け渡しブロックＢＬ２Ｇは、前述の受け渡しブロックＢＬ２と同様に、受け渡しタワー５０及び搬送装置Ｒ６が設けられている。また、受け渡しブロックＢＬ２Ｇは、第２搬送システム６Ｇと湿式処理システム２Ｇとの間での受け渡し用に、受け渡し装置５３Ｇが設けられている。受け渡し装置５３Ｇは、具体的には、例えば、受け渡しブロックＢＬ２Ｇ内における搬送装置Ｒ６の奥側（図のＸ方向正側）に隣接する位置に設けられている。
【0119】
本実施形態において、受け渡しブロックＢＬ２Ｇの搬送装置Ｒ６は、受け渡しタワー５２の複数の受け渡し装置５１及び受け渡し装置５３Ｇの間で、ウェハＷを搬送する。
【0120】
中継ステーション１２Ｇは、処理ステーション１１Ｇのカセットステーション１０側とは反対側に設けられ、処理ステーション１１Ｇの処理ブロックＢＬ１Ｇと第１搬送システム４Ｇとの間でウェハＷの受け渡しを行うものである。
【0121】
また、中継ステーション１２Ｇは、前述のインターフェイスステーション１２と同様、受け渡しタワー６０、受け渡し装置６２及び搬送装置Ｒ５が設けられている。
【0122】
乾式処理システム３Ｇは、第１及び第２ロードロックステーション１００、１０２の他に、処理ステーション１０１Ｇを有する。
【0123】
処理ステーション１０１Ｇは、前述の処理ステーション１０１と同様、真空搬送室１２０と、処理装置１２１と、後処理装置１２２と、を有する。ただし、処理ステーション１０１Ｇは、処理装置１２１及び後処理装置１２２の配列が、処理ステーション１０１と異なる。処理ステーション１０１では、カセットステーション１０側から、処理装置１２１、処理装置１２１、後処理装置１２２、後処理装置１２２の順で幅方向（図のＹ方向）に並ぶように配置されている。それに対し、処理ステーション１０１Ｇでは、カセットステーション１０側から、処理装置１２１、後処理装置１２２、後処理装置１２２、処理装置１２１の順で幅方向（図のＹ方向）に並ぶように配置されている。
【0124】
第１搬送システム４Ｇは、前述の第１搬送システム４と同様に構成される。
【0125】
第２搬送システム６Ｇは、湿式処理システム２Ｇに対する搬送路１５０Ｇの接続先が受け渡しブロックＢＬ２Ｇであり、湿式処理システム２Ｇに対するウェハＷの搬送として、受け渡しブロックＢＬ２Ｇに対するウェハＷの搬送を行う。搬送路１５０Ｇは、受け渡しブロックＢＬ２の受け渡し装置５３Ｇが設けられた部分から奥行き方向（図のＸ方向）に延びるように設けられる。搬送路１５０Ｇには、上面視で奥行き方向に沿って受け渡しブロックＢＬ２側から順に、シャトル搬送装置１５２、受け渡し装置１５３、搬送装置１５４が設けられる。
この場合、シャトル搬送装置１５２は、受け渡し装置５３Ｇと受け渡し装置１５３との間でウェハＷを搬送する。
この場合、シャトル搬送装置１５２は、受け渡し装置５３Ｇと受け渡し装置１５３との間でウェハＷを搬送する。
【0126】
また、第２搬送システム６Ｇには、熱処理装置４０と同様の熱処理装置１３４Ｇが設けられていてもよい。
【0127】
＜ウェハ処理システム１Ｇによる処理の例１＞
次に、ウェハ処理システム１Ｇによる処理の一例について説明する。
乾式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡し装置１５３→熱処理装置１３４Ｇ→ロードロック装置１１１→カセットステーション１０側の処理装置１２１→カセットステーション１０側の後処理装置１２２
次に、ウェハ処理システム１Ｇによる処理の一例について説明する。
乾式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡し装置１５３→熱処理装置１３４Ｇ→ロードロック装置１１１→カセットステーション１０側の処理装置１２１→カセットステーション１０側の後処理装置１２２
【0128】
これにより、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷに対し、ＰＥＢ処理、乾式の現像処理及び熱処理が順に行われる。
【0129】
その後、ウェハＷは、以下の順で搬送され、載置台２０上のカセットＣに戻される。
ロードロック装置１１１→受け渡し装置１５３→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡しタワー５２→載置台２０上のカセットＣ
ロードロック装置１１１→受け渡し装置１５３→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡しタワー５２→載置台２０上のカセットＣ
【0130】
＜ウェハ処理システム１Ｇによる処理の例２＞
ウェハ処理システム１Ｇを用いて湿式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→熱処理装置４０→現像装置３０
ウェハ処理システム１Ｇを用いて湿式の現像処理のみが行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→熱処理装置４０→現像装置３０
【0131】
これにより、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷに対し、ＰＥＢ処理及び湿式の現像処理が順に行われる。
その後、ウェハＷは、受け渡しタワー５２を介して載置台２０上のカセットＣに戻される。
その後、ウェハＷは、受け渡しタワー５２を介して載置台２０上のカセットＣに戻される。
【0132】
＜ウェハ処理システム１Ｇによる処理の例３＞
ウェハ処理システム１Ｇを用いて１枚のウェハＷに対し湿式の現像処理及び乾式の現像処理がこの順で行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、まず、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→熱処理装置４０→現像装置３０
ウェハ処理システム１Ｇを用いて１枚のウェハＷに対し湿式の現像処理及び乾式の現像処理がこの順で行われる場合は、例えば、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷが、まず、以下の順で搬送される。
載置台２０上のカセットＣ→受け渡しタワー５２→熱処理装置４０→現像装置３０
【0133】
これにより、露光後且つＰＥＢ処理前のウェハＷに対し、１回目のＰＥＢ処理及び湿式の現像処理が順に行われる。
【0134】
次いで、ウェハＷは、以下の順で搬送される。
受け渡しタワー６０→受け渡し装置６２→受け渡し装置１３２→熱処理装置１３４→ロードロック装置１１０→中継ステーション１２Ｇ側の処理装置１２１
受け渡しタワー６０→受け渡し装置６２→受け渡し装置１３２→熱処理装置１３４→ロードロック装置１１０→中継ステーション１２Ｇ側の処理装置１２１
【0135】
これにより、湿式の現像処理後のウェハＷに対し、２回目のＰＥＢ処理、乾式の現像処理及び熱処理が順に行われる。
【0136】
その後、ウェハＷは、以下の順で搬送され、載置台２０上のカセットＣに戻される。
ロードロック装置１１１→受け渡し装置１５３→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡しタワー５２→載置台２０上のカセットＣ
ロードロック装置１１１→受け渡し装置１５３→受け渡し装置５３Ｇ→受け渡しタワー５２→載置台２０上のカセットＣ
【0137】
＜ウェハ処理システム１Ｇの変形例＞
ウェハ処理システム１Ｇは、ウェハＷに補助処理を追加で行う補助処理装置（図示せず）を備えていてもよい。補助処理は、例えばＵＶ照射処理や検査処理（具体的には検査のための撮像処理）等である。補助処理装置は、例えば、第１搬送システム４Ｇ及び第２搬送システム６Ｇそれぞれに設けられる。また、補助処理は、例えば、後処理装置１２２による後処理の後に行われる。
ウェハ処理システム１Ｇは、ウェハＷに補助処理を追加で行う補助処理装置（図示せず）を備えていてもよい。補助処理は、例えばＵＶ照射処理や検査処理（具体的には検査のための撮像処理）等である。補助処理装置は、例えば、第１搬送システム４Ｇ及び第２搬送システム６Ｇそれぞれに設けられる。また、補助処理は、例えば、後処理装置１２２による後処理の後に行われる。
【0138】
さらに、ウェハ処理システム１Ｇは、前述のバッファＢＦ２と同様のガスバッファ（図示せず）を備えていてもよい。ガスバッファは例えば受け渡しタワー５０及び受け渡しタワー６０それぞれに設けられる。また、受け渡しタワー５０及び受け渡しタワー６０を含む搬送空間のうちの、真空雰囲気とされる部分以外の部分全体が、窒素ガス等の不活性ガスの雰囲気とされるようにしてもよい。
【0139】
＜その他の変形例＞
第１搬送システムの熱処理装置１３４は、上面視で第１搬送システムの搬送路と重なる位置に設けられていてもよい。具体的には、第１搬送システムの熱処理装置１３４は、その全体が上面視で第１搬送システムの搬送路と重なる位置に設けられていてもよい。より具体的には、第１搬送システム４の熱処理装置１３４は、上面視でシャトル搬送装置１３１及び受け渡し装置１３２と重なる位置に設けられていてもよい。
これにより、ウェハ処理システムの占有床面積を抑えることができる。
第２搬送システム６Ｇの熱処理装置１３４Ｇについても同様である。
第１搬送システムの熱処理装置１３４は、上面視で第１搬送システムの搬送路と重なる位置に設けられていてもよい。具体的には、第１搬送システムの熱処理装置１３４は、その全体が上面視で第１搬送システムの搬送路と重なる位置に設けられていてもよい。より具体的には、第１搬送システム４の熱処理装置１３４は、上面視でシャトル搬送装置１３１及び受け渡し装置１３２と重なる位置に設けられていてもよい。
これにより、ウェハ処理システムの占有床面積を抑えることができる。
第２搬送システム６Ｇの熱処理装置１３４Ｇについても同様である。
【0140】
また、以上の例では、湿式処理システムに共通の載置台２０が設けられていたが、乾式処理システムに共通の載置台２０が設けられていてもよい。
【0141】
以上の例では、湿式処理システムによって湿式で行われ乾式処理システムによって乾式で行われる処理は、現像処理であるものとしたが、フォトリソグラフィ用処理であればよく、例えば、レジスト膜等のフォトリスグラフィ用の膜の形成処理やウェハＷの洗浄処理であってもよい。なお、露光装置Ｅに接続されるウェハ処理システムでは、現像処理の場合、ウェハＷが、乾式処理システム内を露光装置Ｅ側から共通の載置台２０側に向けて移動するが、成膜処理の場合は、ウェハＷが、乾式処理システム内を共通の載置台２０側から露光装置Ｅ側に向けて移動する。
【0142】
以上の例では、後処理装置１２２が行う後処理は、加熱処理であったが、ウェハＷの表面を所定の膜で覆うコーティング処理であってもよい。コーティング処理により、レジストパターンを補強することができる。また、コーティング処理により、搬送中のウェハＷから腐食ガスが放出されるのを抑制することができる。
また、以上の例では、乾式の現像処理に対する後処理は、ウェハＷに対し真空雰囲気下で行われていたが、大気圧雰囲気下で行われてもよい。これにより、ウェハ処理システムの小型化を図ることができる。
また、以上の例では、乾式の現像処理に対する後処理は、ウェハＷに対し真空雰囲気下で行われていたが、大気圧雰囲気下で行われてもよい。これにより、ウェハ処理システムの小型化を図ることができる。
【0143】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0144】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0145】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板処理を行う基板処理システムであって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、
前記第１処理システムは、前記第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、
前記共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって前記基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、
前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、
前記第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも前記第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間、または、前記共通の載置台とは別に設けられた前記容器が載置される別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送する、基板処理システム。
（２）前記共通の載置台に載置された前記容器から当該基板処理システム内に搬入された基板が搬送を待機するバッファをさらに備え、
前記バッファの内部は、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている、前記（１）に記載の基板処理システム。
（３）制御部をさらに備え、
前記バッファは、内部が不活性ガスの雰囲気であるガスバッファと、内部が真空雰囲気である真空バッファと、を含み、
前記制御部は、前記湿式処理装置で処理される予定の基板が、前記ガスバッファで待機し、前記乾式処理装置で処理される予定の基板が、前記真空バッファで待機するよう、制御を行う、前記（２）に記載の基板処理システム。
（４）前記制御部は、前記乾式処理装置で処理予定の基板を待機させる段階で、前記真空バッファが他の基板で埋まっている場合、前記乾式処理装置で処理予定の基板が、前記ガスバッファで待機するよう、制御を行う、前記（３）に記載の基板処理システム。
（５）前記湿式処理装置は、枚葉で基板を処理し、
前記乾式処理装置は、複数枚の基板をまとめて処理する、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（６）前記第１搬送システム及び第２搬送システムそれぞれは、前記第２処理システムに接続された搬送路を有し、
前記第１搬送システム及び第２搬送システムのうち前記湿式処理装置を有するシステムの内部と、前記搬送路とは、同じ圧力且つ同じ雰囲気である、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（７）前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記インターフェイスブロックに対する基板の搬送を行う、前記（１）～（６）に記載の基板処理システム。
（８）前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（９）前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記共通の載置台に前記容器を搬送する容器搬送装置がアクセス可能に構成されている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（１０）前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記容器が載置される部分が覆われ、前記共通の載置台と隔てられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（１１）前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（７）または（８）に記載の基板処理システム。
（１２）前記処理ブロックは、前記露光装置と当該基板処理システムが並ぶ幅方向に沿って、中継ブロックを間に挟んで複数設けられ、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記中継ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（７）または（８）に記載の基板処理システム。
（１３）基板処理システムを用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理システムは、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置のいずれか一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムと、
内部が、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされたバッファと、を備え、
当該基板処理システム内に搬入された基板を前記バッファ内で待機させる工程と、
前記待機させる工程後、前記基板処理を湿式または乾式で行う工程と、を含む、基板処理方法。
（１）基板処理を行う基板処理システムであって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置の一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムを備え、
前記第１処理システムは、前記第１処理システム及び第２処理システムで共通の載置台を有し、
前記共通の載置台は、基板を複数枚収容可能に構成された容器であって前記基板処理が行われる前の基板を収容するものが載置され、
前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送する第１搬送システムと、
前記第１搬送システムとは別に設けられ、少なくとも前記第２処理システムに接続された第２搬送システムと、をさらに備え、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間、または、前記共通の載置台とは別に設けられた前記容器が載置される別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送する、基板処理システム。
（２）前記共通の載置台に載置された前記容器から当該基板処理システム内に搬入された基板が搬送を待機するバッファをさらに備え、
前記バッファの内部は、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされている、前記（１）に記載の基板処理システム。
（３）制御部をさらに備え、
前記バッファは、内部が不活性ガスの雰囲気であるガスバッファと、内部が真空雰囲気である真空バッファと、を含み、
前記制御部は、前記湿式処理装置で処理される予定の基板が、前記ガスバッファで待機し、前記乾式処理装置で処理される予定の基板が、前記真空バッファで待機するよう、制御を行う、前記（２）に記載の基板処理システム。
（４）前記制御部は、前記乾式処理装置で処理予定の基板を待機させる段階で、前記真空バッファが他の基板で埋まっている場合、前記乾式処理装置で処理予定の基板が、前記ガスバッファで待機するよう、制御を行う、前記（３）に記載の基板処理システム。
（５）前記湿式処理装置は、枚葉で基板を処理し、
前記乾式処理装置は、複数枚の基板をまとめて処理する、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（６）前記第１搬送システム及び第２搬送システムそれぞれは、前記第２処理システムに接続された搬送路を有し、
前記第１搬送システム及び第２搬送システムのうち前記湿式処理装置を有するシステムの内部と、前記搬送路とは、同じ圧力且つ同じ雰囲気である、前記（１）～（５）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（７）前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記インターフェイスブロックに対する基板の搬送を行う、前記（１）～（６）に記載の基板処理システム。
（８）前記第１処理システムは、
露光装置に接続され、
前記湿式処理装置または前記乾式処理装置の前記一方が設けられた処理ブロックと、
前記処理ブロックと前記露光装置との間での基板の受け渡しを行うインターフェイスブロックと、を有し、
前記第１搬送システムは、前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（１）～（６）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（９）前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記共通の載置台に前記容器を搬送する容器搬送装置がアクセス可能に構成されている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（１０）前記第２搬送システムは、前記別の載置台と前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記別の載置台は、前記容器が載置される部分が覆われ、前記共通の載置台と隔てられている、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理システム。
（１１）前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記処理ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（７）または（８）に記載の基板処理システム。
（１２）前記処理ブロックは、前記露光装置と当該基板処理システムが並ぶ幅方向に沿って、中継ブロックを間に挟んで複数設けられ、
前記第２搬送システムは、前記第１処理システムと前記第２処理システムとの間で基板を搬送し、
前記第１処理システムに対する基板の搬送として、前記中継ブロックに対する基板の搬送を行う、前記（７）または（８）に記載の基板処理システム。
（１３）基板処理システムを用いて基板処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理は、基板上へのレジスト膜の形成処理から露光後の前記レジスト膜の現像処理までのいずれかの処理であり、
前記基板処理システムは、
前記基板処理を湿式で行う湿式処理装置、または、前記湿式処理装置と同種の基板処理を乾式で行う乾式処理装置のいずれか一方を有する第１処理システム及びいずれか他方を有する第２処理システムと、
内部が、大気雰囲気より水分が少ない低水分雰囲気とされたバッファと、を備え、
当該基板処理システム内に搬入された基板を前記バッファ内で待機させる工程と、
前記待機させる工程後、前記基板処理を湿式または乾式で行う工程と、を含む、基板処理方法。
【符号の説明】
【0146】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ ウェハ処理システム
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｆ、２Ｇ 湿式処理システム
３、３Ｂ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ 乾式処理システム
４、４Ｂ、４Ｆ、４Ｇ 第１搬送システム
５、５Ａ 載置台
６、６Ｃ、６Ｄ、６Ｇ 第２搬送システム
２０ 載置台
３０ 現像装置
３１ レジスト塗布装置
１２１、１２１Ｅ 処理装置
Ｗ ウェハ
２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｆ、２Ｇ 湿式処理システム
３、３Ｂ、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｇ 乾式処理システム
４、４Ｂ、４Ｆ、４Ｇ 第１搬送システム
５、５Ａ 載置台
６、６Ｃ、６Ｄ、６Ｇ 第２搬送システム
２０ 載置台
３０ 現像装置
３１ レジスト塗布装置
１２１、１２１Ｅ 処理装置
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】