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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024103945
(43)【公開日】2024-08-02
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240726BHJP
G03F 7/20 20060101ALI20240726BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240726BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 562
G03F7/20 501
G03F7/20 521
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023007903
(22)【出願日】2023-01-23
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(74)【代理人】
【識別番号】100171099
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 茂樹
(74)【代理人】
【識別番号】100183438
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 泰史
(72)【発明者】
【氏名】酒田 洋司
(72)【発明者】
【氏名】香月 信吾
(72)【発明者】
【氏名】藤瀬 遼平
(72)【発明者】
【氏名】松山 健一郎
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 慎介
(72)【発明者】
【氏名】岩城 浩之
(72)【発明者】
【氏名】只友 浩貴
(72)【発明者】
【氏名】鬼塚 智也
【テーマコード（参考）】
2H197
5F131
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197CD23
2H197CE01
2H197CE10
2H197GA01
2H197HA03
5F131AA02
5F131BA12
5F131BA13
5F131BA14
5F131BB03
5F131BB23
5F131CA06
5F131CA70
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB54
5F131DB58
5F131DB76
5F131DD42
5F131DD82
5F131DD85
5F131GA03
5F131GA33
5F131HA09
5F131HA12
5F131HA13
5F146CD01
5F146CD05
5F146JA22
5F146LA19
(57)【要約】
【課題】ＭＯＲ膜が形成された基板において良好なパターンを得ること。
【解決手段】ウェハ処理システム１は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前のウェハＷの搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後のウェハＷの搬送経路である第２搬送経路と、を備える。ウェハ処理システム１は、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境でウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部（例えば、窒素雰囲気載置部５１，５３，５４，７０等）を備える。
【選択図】図１
【解決手段】ウェハ処理システム１は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前のウェハＷの搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後のウェハＷの搬送経路である第２搬送経路と、を備える。ウェハ処理システム１は、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境でウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部（例えば、窒素雰囲気載置部５１，５３，５４，７０等）を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板の搬送経路である第１搬送経路と、
露光処理実施後の基板の搬送経路である第２搬送経路と、
前記第１搬送経路及び前記第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部と、を備える基板処理装置。
露光処理実施後の基板の搬送経路である第２搬送経路と、
前記第１搬送経路及び前記第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部と、を備える基板処理装置。
【請求項2】
露光装置との間で基板の受け渡しを行うブロック内に設けられ、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワーと、
大気環境で基板を載置する一または複数の大気雰囲気載置部と、を更に備え、
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、前記タワーにおけるいずれかの前記収容スペースに設けられ、
少なくとも１つの前記大気雰囲気載置部は、前記タワーにおける前記収容スペースの内、前記窒素雰囲気載置部が設けられていないいずれかの前記収容スペースに設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
大気環境で基板を載置する一または複数の大気雰囲気載置部と、を更に備え、
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、前記タワーにおけるいずれかの前記収容スペースに設けられ、
少なくとも１つの前記大気雰囲気載置部は、前記タワーにおける前記収容スペースの内、前記窒素雰囲気載置部が設けられていないいずれかの前記収容スペースに設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項3】
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、
基板を支持する支持面を囲むように設けられた蓋体と、
前記蓋体に設けられ、前記支持面及び前記蓋体によって区画される空間内に窒素を供給する第１窒素供給部と、を有するチャンバ構造である、請求項１記載の基板処理装置。
基板を支持する支持面を囲むように設けられた蓋体と、
前記蓋体に設けられ、前記支持面及び前記蓋体によって区画される空間内に窒素を供給する第１窒素供給部と、を有するチャンバ構造である、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項4】
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、
基板が収まる複数のスロットを画定する複数のスロット区分部と、
前記スロットに収まった基板の周囲四方の内、基板の導入口である開口部を除いた三方に設けられた壁部と、
前記壁部における前記開口部に対向する領域に形成され、前記開口部方向に向かって窒素を供給する第２窒素供給部と、を有するスロット構造である、請求項１記載の基板処理装置。
基板が収まる複数のスロットを画定する複数のスロット区分部と、
前記スロットに収まった基板の周囲四方の内、基板の導入口である開口部を除いた三方に設けられた壁部と、
前記壁部における前記開口部に対向する領域に形成され、前記開口部方向に向かって窒素を供給する第２窒素供給部と、を有するスロット構造である、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記窒素雰囲気載置部は、前記開口部において開閉部を備え、
前記開閉部は、複数の通過領域が上下方向に並べて設けられたシャッターが複数、奥行方向に並んで設けられており、それぞれの前記シャッターが前記上下方向に相対的に移動することで、前記開口において前記複数のスロットのうち一部のスロットに対向する領域が開放される、請求項４記載の基板処理装置。
前記開閉部は、複数の通過領域が上下方向に並べて設けられたシャッターが複数、奥行方向に並んで設けられており、それぞれの前記シャッターが前記上下方向に相対的に移動することで、前記開口において前記複数のスロットのうち一部のスロットに対向する領域が開放される、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項6】
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、処理ブロック内の熱処理ユニットに設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項7】
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、処理ブロックと基板の搬入出部との間に設けられている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項8】
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、前記第１搬送経路に設けられており、
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、前記第２搬送経路に設けられており、
前記第１搬送経路に設けられている前記窒素雰囲気載置部は、前記第２搬送経路に設けられている前記窒素雰囲気載置部よりも、窒素濃度が低く設定されている、請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理装置。
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、前記第２搬送経路に設けられており、
前記第１搬送経路に設けられている前記窒素雰囲気載置部は、前記第２搬送経路に設けられている前記窒素雰囲気載置部よりも、窒素濃度が低く設定されている、請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項9】
ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板を処理または搬送する第１工程と、
露光処理実施後の基板を処理または搬送する第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程の少なくともいずれか一方と共に実施され、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を待機させる第３工程と、を含む基板処理方法。
露光処理実施後の基板を処理または搬送する第２工程と、
前記第１工程及び前記第２工程の少なくともいずれか一方と共に実施され、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を待機させる第３工程と、を含む基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、フォトリゾグラフィにおいて、ウェハにレジストを塗布してレジスト膜を形成すること、現像液を供給して露光済みのレジスト膜を現像すること等を実施する基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１０－２１９４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、ＭＯＲ（MetalOxide Resist）膜が形成された基板において、良好なパターンを得ることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板の搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後の基板の搬送経路である第２搬送経路と、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、ＭＯＲ膜が形成された基板において良好なパターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図8】図８（ａ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｂ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を示す正面図であり、図８（ｃ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。図８（ｄ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｅ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を示す正面図であり、図８（ｆ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。図８（ｇ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｈ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を示す正面図である。図８（ｉ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。
【図9】図９（ａ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図であり、図９（ｂ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図である。図９（ｃ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本実施形態に係る基板処理装置としてのウェハ処理システムについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0009】
＜ウェハ処理システム＞
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図１、２は、それぞれウェハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウェハ処理システム１がウェハＷに対してレジスト膜の形成処理及び現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図１、２は、それぞれウェハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図、正面図である。本実施形態においては、ウェハ処理システム１がウェハＷに対してレジスト膜の形成処理及び現像処理を行うフォトリソグラフィー処理システムである場合を一例として説明する。
【0010】
ウェハ処理システム１は、図１に示されるように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション３と、を有する。そしてウェハ処理システム１は、カセットステーション２と、処理ステーション３と、処理ステーション３とは反対側に隣接する露光装置（不図示）との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４とを一体に接続した構成を有する。なお、処理ステーション３は、図１に示されるようにカセットステーション２とインターフェイスステーション４との間に２基設置されているが、１基のみ設置されていてもよく、また、３基以上設置されていてもよい。
【0011】
カセットステーション２には、複数のカセット載置台２１とウェハ搬送装置２２，２３とが設けられている。カセットステーション２では、ウェハ搬送装置２２またはウェハ搬送装置２３によって、カセット載置台２１に載置されたカセットＣと処理ステーション３との間でウェハが搬送される。そのために、ウェハ搬送装置２２，２３は、各々がＸ方向、Ｙ方向、上下方向、鉛直軸回り（θ方向）といった方向の駆動機構が必要に応じて備わっており、全ての方向の駆動機構を備えていてもよい。ウェハ搬送装置２２，２３の少なくともいずれか一方は、カセットＣとの間でウェハＷの受け渡しが可能であり、また、処理ステーション３との間でウェハＷの受け渡し動作が可能である。なお、処理ステーション３との間におけるウェハＷの受け渡し動作とは、例えば、後述する処理ステーション３内のウェハ搬送装置３３がアクセス可能な受け渡し装置を備える第３のブロックＧ３との間でウェハの受け渡しを行うことである。第３のブロックＧ３内の受け渡し装置とは、例えば、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワー状の受け渡し装置１０３（図２参照）であってもよい。
【0012】
なお、ウェハ搬送装置２２，２３の少なくともいずれか一方がアクセス可能な位置に、ウェハＷに対して検査を行う検査装置（図示無し）を備えていてもよい。
【0013】
処理ステーション３には、複数のブロック、例えば第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、及び第４のブロックＧ４が設けられている。また、図２に示されるように第１のブロックＧ１及び第２のブロックＧ２を備える層３１が複数、上下方向に積層されている。例えば処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。処理ステーション３のインターフェイスステーション４側（図１のＹ方向正方向側）あるいは隣接する別の処理ステーション３との接続部分には、第４のブロックＧ４が設けられている。第４のブロックＧ４は、受け渡し装置を備えていてもよい。第４のブロックＧ４内の受け渡し装置とは、例えば、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワー状の受け渡し装置１０４（図２参照）であってもよい。また、前述の第３のブロックＧ３が処理ステーション３内に設けられていてもよい。
【0014】
第１のブロックＧ１には、複数の液処理装置、例えば共に図示されないパターニング用膜形成装置や現像処理装置が配置される。パターニング用膜形成装置としては、例えば、レジスト膜形成装置のほか、反射防止膜形成装置を含むことができる。
【0015】
例えば複数の処理装置が水平方向に並べて配置されている。なお、これら処理装置の数や配置、種類は、任意に選択できる。
【0016】
これらパターニング用膜形成装置や現像処理装置では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を供給すること、または、所定のガスを供給することが行われる。そのようにして、パターニング用膜形成装置では、下層側の膜のパターンを形成する際のマスクとして利用されるレジスト膜の形成や、露光処理を一例とする光照射処理を効率的に行うための反射防止膜等の形成が行われる。また一方、現像処理装置では、露光されたレジスト膜の一部を除去して上記マスクとしての凹凸形状が形成される。
【0017】
例えば第２のブロックＧ２には、ウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理ユニット（図示無し）が上下方向及び水平方向に並べて設けられている。また第２のブロックＧ２には、いずれも図示しないが、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるために疎水化処理を行う疎水化処理装置、及び、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置が上下方向（図２のＺ方向）及び水平方向に並べて設けられている。これら熱処理ユニット、疎水化処理装置、及び周辺露光装置の数や配置についても、任意に選択できる。
【0018】
図１に示されるように平面視において第１のブロックＧ１と第２のブロックＧ２とに挟まれた領域には、ウェハ搬送領域３２が形成されている。ウェハ搬送領域３２には、例えばウェハ搬送装置３３が配置されている。
【0019】
ウェハ搬送装置３３は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する。ウェハ搬送装置３３は、ウェハ搬送領域３２内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２や、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。図１のように処理ステーション３が複数ある場合、インターフェイスステーション４側に位置する処理ステーション３に設けられたウェハ搬送装置３３は、第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、及び第３のブロックＧ３にウェハＷを搬送できる。また、ウェハ搬送装置３３は、後述の第５のブロックＧ５内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【0020】
ウェハ搬送装置３３は、上下に複数台配置されてもよい。１つのウェハ搬送装置３３は、上下に積層された複数の層３１（図２参照）のうち、上側における複数の層３１の高さに位置する所定の装置にウェハＷを搬送できる。それらの層３１より下方に位置する複数の層３１の高さに位置する所定の装置に対しては、別のウェハ搬送装置３３がウェハＷを搬送できる。このようなウェハＷの搬送を可能とするように複数のウェハ搬送領域３２（図２参照）が設けられる。なお、ウェハ搬送装置３３を１つの層３１ごとに設けるなど、ウェハ搬送装置３３の数や、１つのウェハ搬送装置３３に対応する層３１の数は、任意に選択できる。
【0021】
また、ウェハ搬送領域３２あるいは第１のブロックＧ１や第２のブロックＧ２には、シャトル搬送装置（図示無し）があってもよい。シャトル搬送装置は、処理ステーション３の一方に隣接する空間とその反対側に隣接する別の空間との間で直線的にウェハＷを搬送する。
【0022】
インターフェイスステーション４には、複数の受け渡し装置を備える第５のブロックＧ５と、ウェハ搬送装置４１，４２が設けられている。インターフェイスステーション４は、ウェハ搬送装置３３によってウェハＷの受け渡しが行われる第５のブロックＧ５と露光機との間で、ウェハ搬送装置４１またはウェハ搬送装置４２を用いてウェハＷを搬送する。そのために、ウェハ搬送装置４１，４２は、各々がＸ方向、Ｙ方向、上下方向、鉛直軸回り（θ方向）といった方向の駆動機構が必要に応じて備わっており、全ての方向の駆動機構を備えていてもよい。ウェハ搬送装置４１，４２の少なくともいずれか一方が、ウェハＷを支持して、第５のブロックＧ５内の受け渡し装置及び露光装置の間でウェハＷを搬送できる。第５のブロックＧ５内の受け渡し装置とは、例えば、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワー状の受け渡し装置１０５（タワー）（図２参照）であってもよい。
【0023】
ウェハＷの表面を洗浄する洗浄装置や、前述した周辺露光装置が、インターフェイスステーション４内で、ウェハ搬送装置４１，４２の少なくともいずれか一方がアクセス可能な位置に設けられていても良い。
【0024】
以上のウェハ処理システム１には、制御装置１００が設けられている。制御装置１００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（不図示）を有する。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１におけるウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置１００にインストールされたものであってもよい。
【0025】
＜ウェハ処理システムの動作＞
ウェハ処理システム１は以上のように構成されている。次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。
ウェハ処理システム１は以上のように構成されている。次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。
【0026】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、ウェハ処理システム１のカセットステーション２に搬入され、カセット載置台２１に載置される。次に、ウェハ搬送装置２２またはウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、第３のブロックＧ３の受け渡し装置１０３に搬送される。
【0027】
第３のブロックＧ３の受け渡し装置１０３に搬送されたウェハＷは、ウェハ搬送装置３３で支持されて第２のブロックＧ２内に設けられた疎水化処理装置に搬送され、疎水化処理が行われる。次いで、ウェハ搬送装置３３によって、レジスト膜形成装置に搬送されてウェハＷ上にレジスト膜が形成され、その後に熱処理ユニットに搬送されてプリベーク処理された後で、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５に搬送される。なお、図１、２のように処理ステーション３が複数ある場合は、ウェハＷは第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５に搬送される前に第４のブロックＧ４の受け渡し装置１０４に一度置かれてから、複数のウェハ搬送装置３３との間での受け渡しがなされる。また、ウェハＷは必要に応じて、ウェハ搬送装置３３によって周辺露光装置に搬送され、ウェハＷの周縁部に対する露光処理が実施されても良い。
【0028】
第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５に搬送されたウェハＷは、ウェハ搬送装置４１，４２によって、露光装置に搬送され、所定のパターンで露光処理される。なお、露光処理の前に洗浄装置でウェハＷを洗浄してもよい。
【0029】
露光処理されたウェハＷは、ウェハ搬送装置４１，４２によって第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５に搬送される。その後、ウェハ搬送装置３３によって熱処理ユニットに搬送され、露光後ベーク処理される。
【0030】
露光後ベーク処理されたウェハＷは、ウェハ搬送装置３３によって現像処理装置に搬送され、現像される。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置３３によって熱処理ユニットに搬送され、ポストベーク処理される。
【0031】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置３３によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置１０３に搬送され、カセットステーション２のウェハ搬送装置２２またはウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置台２１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【0032】
＜窒素雰囲気載置部＞
次に、図３～図１３を参照して、窒素雰囲気載置部について説明する。本実施形態では、ウェハＷにパターンを形成するレジストとして、メタルオキサイドレジスト(ＭＯＲ：Metal Oxide Resist)が用いられる。ＭＯＲは、金属酸化物の反応を利用して、露光部及び非露光部の溶解性を変化させてパターンを形成するレジストである。基板に形成されるＭＯＲ膜はリガンド（配位子）を持つ金属化合物を含む。一例として、ネガ現像用の工程では、ＭＯＲ膜の露光部において金属化合物の一部のリガンドが分離し、その後に縮合反応によってその金属同士が互いに結合した状態になることでネガ現像液に不溶となる。ＭＯＲは、解像力が高いため、ＥＵＶリソグラフィで用いられる。
次に、図３～図１３を参照して、窒素雰囲気載置部について説明する。本実施形態では、ウェハＷにパターンを形成するレジストとして、メタルオキサイドレジスト(ＭＯＲ：Metal Oxide Resist)が用いられる。ＭＯＲは、金属酸化物の反応を利用して、露光部及び非露光部の溶解性を変化させてパターンを形成するレジストである。基板に形成されるＭＯＲ膜はリガンド（配位子）を持つ金属化合物を含む。一例として、ネガ現像用の工程では、ＭＯＲ膜の露光部において金属化合物の一部のリガンドが分離し、その後に縮合反応によってその金属同士が互いに結合した状態になることでネガ現像液に不溶となる。ＭＯＲは、解像力が高いため、ＥＵＶリソグラフィで用いられる。
【0033】
上記のＭＯＲ膜の一部のリガンドの分離から縮合反応までを、ＭＯＲ膜の一連の反応と呼ぶとする。ウェハＷに形成されたＭＯＲ膜は、そのウェハＷが存在する空間の雰囲気における湿度などの水分量や様々なガス種の濃度が、上記のＭＯＲ膜の一連の反応の進行に影響を与える。ここで、通常の大気環境（空気）においてＭＯＲ膜形成後のウェハＷ（露光処理前後のウェハＷ）が待機する場合、その待機時間等によってＣＤ(Critical Dimension)がばらつき、ウェハＷの良好なパターンが得られないことが考えられる。本実施形態に係るウェハ処理システム１では、ＣＤのばらつきを抑制するための構成として、窒素雰囲気載置部が設けられている。窒素雰囲気載置部は、露光処理前後のウェハＷの搬送経路上に設けられており、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く（すなわち、酸素及び二酸化炭素の濃度が空気よりも低く）設定された環境でウェハＷを載置する構成である。ここでの窒素としては、例えばドライ窒素が用いられてもよい。ウェハ処理システム１においては、複数の窒素雰囲気載置部が設けられている。以下では、各窒素雰囲気載置部の一例について、説明する。
【0034】
窒素雰囲気載置部の一例として、最初に、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５に設けられた窒素雰囲気載置部５１（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）について説明する。図３（ａ）は、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５のレイアウトの一例を模式的に示す正面図である。
【0035】
受け渡し装置１０５は、露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行う第５のブロックＧ５内に設けられ（図２参照）、図３（ａ）に示されるように、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワー状の装置である。受け渡し装置１０５は、複数の収容スペースとして、例えば、窒素雰囲気載置部５１，５１と、露光前冷却部５２と、大気雰囲気載置部５５と、を有する。図３（ａ）に示される例では、受け渡し装置１０５において、最上段及び最上段の１つ下の段にそれぞれ窒素雰囲気載置部５１，５１が設けられている。また、受け渡し装置１０５において、最下段に露光前冷却部５２が設けられており、窒素雰囲気載置部５１及び露光前冷却部５２の間に大気雰囲気載置部５５が設けられている。
【0036】
窒素雰囲気載置部５１は、上述したように、受け渡し装置１０５における２つの収容スペースに設けられている。窒素雰囲気載置部５１は、ウェハＷを載置した状態で窒素を供給することにより、雰囲気の窒素濃度が大気（空気）よりも高く設定された環境でウェハＷを載置する構成である。窒素雰囲気載置部５１は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理前のウェハＷが載置される構成である。詳細には、窒素雰囲気載置部５１は、例えば、ＭＯＲ膜が形成され、その後に熱処理ユニットに搬送されてプリベーク処理されたウェハＷであって、露光処理前であるウェハＷを載置する。このように、窒素雰囲気載置部５１は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理前のウェハＷの搬送経路である第１搬送経路に設けられた窒素雰囲気載置部である。窒素雰囲気載置部５１は、複数のウェハＷを載置可能に構成されている。
【0037】
大気雰囲気載置部５５は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理前のウェハＷが載置される構成であり、大気環境でウェハＷを載置する。大気雰囲気載置部５５は、例えば、ＭＯＲ以外のレジスト膜が形成されたウェハであって、大気環境において待機させられることが好ましいウェハを載置する構成である。このようなレジスト膜としては、例えばＣＡＲ（Chemical Amplification Resist）膜等が挙げられる。大気雰囲気載置部５５は、受け渡し装置１０５における収容スペースの内、窒素雰囲気載置部５１が設けられていない１つの収容スペースに設けられている。大気雰囲気載置部５５は、露光処理前のウェハＷが載置される点で窒素雰囲気載置部５１と共通しているが、大気環境でウェハＷを載置する点で窒素雰囲気載置部５１と異なっている。大気雰囲気載置部５５は、複数のウェハＷを載置可能に構成されている。大気雰囲気載置部５５は、窒素の供給に係る構成を有していない点を除き、概ね、後述する窒素雰囲気載置部５１と共通の構成を有する。
【0038】
露光前冷却部５２は、ＭＯＲ膜が形成され、その後に熱処理ユニットに搬送されてプリベーク処理されたウェハＷについて、露光処理前に冷却するクールプレートを有する構成である。露光前冷却部５２は、複数のウェハＷを冷却可能に構成されている。
【0039】
なお、図３（ａ）に示される受け渡し装置１０５が用いられる場合、例えば第５のブロックＧ５内において、露光処理実施後のＭＯＲ膜が形成されたウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部（不図示）が設けられていてもよい。このような露光処理後のウェハＷを載置する窒素雰囲気載置は、上述した窒素雰囲気載置部５１と同様の構成とされてもよい。
【0040】
受け渡し装置１０５のレイアウトについては、図３（ａ）に示される態様に限定されない。受け渡し装置１０５のレイアウトは、例えば図３（ｂ）に示される態様であってもよい。図３（ｂ）は、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５のレイアウトの他の例を模式的に示す正面図である。
【0041】
図３（ｂ）に示される例では、受け渡し装置１０５において、最上段に大気雰囲気載置部５５が設けられており、その下の２段にそれぞれ窒素雰囲気載置部５１，５１が設けられており、最下段に露光前冷却部５２が設けられている。また、窒素雰囲気載置部５１及び露光前冷却部５２の間に、露光処理実施後のＭＯＲ膜が形成されたウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部５４が設けられている。このように、図３（ｂ）に示される例では、図３（ａ）に示される例においては受け渡し装置１０５外に設けられていた、露光処理実施後のＭＯＲ膜が形成されたウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部５４が、受け渡し装置１０５内に設けられている。窒素雰囲気載置部５４は、上述した窒素雰囲気載置部５１と同様の構成とされてもよい。
【0042】
次に、受け渡し装置１０５に設けられた窒素雰囲気載置部５１の詳細について、図４～図９を参照して説明する。図４は、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５内に配置されたスロット構造の窒素雰囲気載置部５１を模式的に示す斜視図である。図５は、スロット構造の窒素雰囲気載置部５１を模式的に示す平面図である。なお、図５においては、窒素雰囲気載置部５１の一部の構成（後述するスロット区分部５１６等）の図示を省略している。
【0043】
図４に示されるように、窒素雰囲気載置部５１は、基部５１１と、壁部５１２，５１３，５１４と、屋根部５１５と、複数のスロット区分部５１６と、を有する。基部５１１は、壁部５１２，５１３，５１４が立設される底部である。壁部５１２，５１３は、互いに対向するように上下方向に延びる部分である。壁部５１４は、壁部５１２，５１３に交差する向きに設けられており、上下方向に延びる部分である。壁部５１４に対向する領域には、ウェハＷを導入する開口部５１７が形成されている。屋根部５１５は、基部５１１に対向するように設けられており、壁部５１２，５１３，５１４の上面に蓋をするように設けられている。基部５１１と、壁部５１２，５１３，５１４と、屋根部５１５とによって区画される空間が、ウェハＷを収容する収容空間５１８である。上述したように、収容空間５１８にウェハＷを導入する部分には、開口部５１７が形成されている。スロットに収まったウェハＷの周囲四方の内、ウェハＷの導入口である開口部５１７を除いた三方に、それぞれ壁部５１２，５１３，５１４が設けられている。
【0044】
複数のスロット区分部５１６は、ウェハＷが収まる複数のスロットを画定する部分である。複数のスロット区分部５１６は、壁部５１２と開口部５１７との境界部分、壁部５１２と壁部５１４との境界部分、壁部５１３と壁部５１４との境界部分、及び、壁部５１３と開口部５１７との境界部分に、それぞれ設けられている。複数のスロット区分部５１６は、それぞれウェハＷの中心側に向かって延びている。上述した４つの境界部分からウェハＷの中心側に向かって延びるスロット区分部５１６であって、同一高さの４つのスロット区分部５１６を１セットとして、該１セットのスロット区分部５１６に、１つのウェハＷが載置される。このようにして、上下方向の異なる高さにおいて、それぞれウェハＷを載置することができる。窒素雰囲気載置部５１は、このように各スロットにウェハＷを収容するいわゆるスロット構造の載置部である。なお、図４においては、最下段のスロット区分部５１６に載置された１つのウェハＷのみが図示されている。
【0045】
更に、窒素雰囲気載置部５１は、図５に示されるように、収容空間５１８に窒素を供給する窒素供給部５１９（第２窒素供給部）を有する。窒素供給部５１９は、開口部５１７に対向する領域である壁部５１４に形成されており、開口部５１７方向に向かって窒素を供給することにより、収容空間５１８に窒素を供給する。窒素供給部５１９は、例えば、壁部５１４に形成された孔部であり、窒素供給源（不図示）から送られた窒素を開口部５１７方向に向かってガイドする構成であってもよい。このような構成によれば、スロット構造によって複数のウェハＷを効率的に収容しながら、開口部５１７を除いた三方の壁部５１２，５１３，５１４に囲まれた空間に窒素を送り込み、窒素濃度が高い環境でウェハＷを待機させることができる。
【0046】
図６は、スロット構造の窒素雰囲気載置部５１におけるサイドフローを説明する図である。図６においては、収容空間５１８の各ウェハＷ間における窒素の流れ（矢印で示される流れ）が模式的に示されている。図６に示されるように、窒素供給部５１９から供給された窒素は、各ウェハＷ間を流れて、開口部５１７にまで到達し、開口部５１７において下方向に排気される。
【0047】
スロット構造の窒素雰囲気載置部５１は、上述した態様に限定されない。図７は、変形例に係るスロット構造の窒素雰囲気載置部５１を模式的に示す側面図である。図７に示される窒素雰囲気載置部５１では、一部（例えば上側の２枚）のウェハＷが、壁部５１２，５１３，５１４に囲まれた収容空間５１８よりも上方に配置されている。このような構成によれば、例えば搬送装置が開口部５１７方向以外からもアクセスするような態様において、上側の２枚のウェハＷに対応する領域においては、壁部５１２，５１３，５１４に邪魔されることなく、複数方向からの搬送装置のアクセスが可能になる。このような変形例に係るスロット構造の窒素雰囲気載置部５１は、例えば、第３のブロックＧ３の受け渡し装置１０３に設けられていてもよい。
【0048】
また、スロット構造の窒素雰囲気載置部５１の開口部５１７には、更に、開閉部として４枚のシャッター５２０（図８（ａ）等参照）が設けられていてもよい。図８（ａ）等に示されるように、４枚のシャッター５２０は、それぞれ、搬送装置のアクセスを許容する通過領域５２０ｘが上下方向に４つずつ並べて形成されている。４つの通過領域５２０ｘの上下には、それぞれ、搬送装置のアクセスを許容しない遮蔽部５２０ｙが設けられている。すなわち、上下方向で隣り合う通過領域５２０ｘ，５２０ｘ間には、遮蔽部５２０ｙが設けられている。４枚のシャッターは、窒素雰囲気載置部５１における開口部５１７からその内部に向かう方向（奥行方向）にずれた位置に並んで設けられている。それぞれのシャッター５２０が上下方向に相対的に移動することにより、開口部５１７において複数のスロットのうち一部のスロットに対向する領域が開放される。４枚のシャッター５２０を開閉させる構成として、シリンダＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶが設けられている。シリンダＩは、４枚のシャッター５２０の内、対応する２枚のシャッター５２０を上下動させるシリンダである。シリンダＩＩは、４枚のシャッター５２０の内、シリンダＩによって上下動させられない２枚のシャッター５２０を上下動させるシリンダである。シリンダＩＩＩは、シリンダＩによって上下動させられる２枚のシャッター５２０の内、一方のシャッター５２０のみを上下動させるシリンダである。また、シリンダＩＩＩは、その全体がシリンダＩの上下動作に伴い同じ距離だけ上下動作するように、シリンダＩに対して固定されている。シリンダＩＶは、シリンダＩＩによって上下動させられる２枚のシャッター５２０の内、一方のシャッター５２０のみを上下動させるシリンダである。また、シリンダＩＶは、その全体がシリンダＩＩの上下動作に伴い同じ距離だけ上下動作するように、シリンダＩＩに対して固定されている。各シリンダＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶによる、１度の上下動によるシャッター５２０の上下動幅は、互いに同じである。つまり、シリンダＩに対応する２枚のシャッターの双方間の相対的な位置は、シリンダＩＩＩの上下動作によって調整され、シリンダＩＩに対応する他の２枚のシャッターの双方間の相対的な位置は、シリンダＩＶの上下動作によって調整される。
【0049】
上述したシャッター５２０は、例えば、３つのモードによって、搬送装置のアクセスが許容される領域が切り替えられてもよい。ここでは、３つのモードとして、「ＯＰＥＮ－Ａ」モード、「ＯＰＥＮ－Ｂ」モード、「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードがあるとして説明する。図８（ａ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｂ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を示す正面図であり、図８（ｃ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。図８（ｄ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｅ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を示す正面図であり、図８（ｆ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。図８（ｇ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を示す斜視図であり、図８（ｈ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を示す正面図である。図８（ｉ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードの各シリンダのＵＰorＤＯＷＮを示す表である。図９（ａ）は「ＯＰＥＮ－Ａ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図であり、図９（ｂ）は「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図である。図９（ｃ）は「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードのシャッター状態を模式的に示す側面図である。
【0050】
図８（ｃ）に示されるように、「ＯＰＥＮ－Ａ」モードでは、全てのシリンダＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶがＤｏｗｎ状態とされている。この場合、図９（ａ）に示されるように、４つのシャッター５２０は、全て互いに同じ高さ位置に位置し、互いの通過領域５２０ｘ同士が重なり、互いの遮蔽部５２０ｙ同士が重なっている。図８（ｂ）に示されるように、例えば、収容空間５１８において最大１８枚のウェハＷが収容され得るとする。この場合、下から１番目、２番目、５番目、６番目、９番目、１０番目、１３番目、１４番目、１７番目、１８番目のウェハＷが各通過領域５２０ｘから収容可能とされる。そして、下から３番目、４番目、７番目、８番目、１１番目、１２番目、１５番目、１６番目のウェハＷが遮蔽部５２０ｙによって収容不可とされる。
【0051】
図８（ｆ）に示されるように、「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードでは、シリンダＩ，ＩＩがＵＰ状態とされ、シリンダＩＩＩ，ＩＶがＤｏｗｎ状態とされている。この場合、図９（ｂ）に示されるように、４つのシャッター５２０は、全て互いに同じ高さ位置に位置し、互いの通過領域５２０ｘ同士が重なり、互いの遮蔽部５２０ｙ同士が重なっている。一方で、シリンダＩ，ＩＩがＵＰ状態とされているため、図９（ａ）に示される状態と比べて、４つのシャッター５２０が１段ずつ上に動いている。この場合、図８（ｅ）に示されるように、例えば、下から３番目、４番目、７番目、８番目、１１番目、１２番目、１５番目、１６番目のウェハＷが各通過領域５２０ｘから収容可能とされる。そして、下から１番目、２番目、５番目、６番目、９番目、１０番目、１３番目、１４番目、１７番目、１８番目のウェハＷが遮蔽部５２０ｙによって収容不可とされる。
【0052】
図８（ｉ）に示されるように、「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードでは、シリンダＩのみＤｏｗｎ状態とされ、シリンダＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶがＵＰ状態とされている。この場合、図９（ｃ）に示されるように、４つのシャッター５２０は、全て互いに別の高さ位置に位置している。このため、４つのシャッター５２０の通過領域５２０ｘは、いずれも、図９（ｃ）に示されるように、他のシャッター５２０の遮蔽部５２０ｙと重なることになる。この場合、図８（ｈ）に示されるように、いずれのウェハＷも、遮蔽部５２０ｙによって収容空間５１８にアクセス不可（収容不可）とされる。
【0053】
「ＯＰＥＮ－Ａ」モードや「ＯＰＥＮ－Ｂ」モードは、それぞれ搬送装置のアクセスが許容される領域が異なる窒素雰囲気載置部５１の開放形態と言える。また「ＦＵＬＬ－ＣＬＯＳＥ」モードは窒素雰囲気載置部５１の１つの閉塞形態と言える。つまり、図８（ａ）等に示されるスロット構造の窒素雰囲気載置部５１は、搬送装置がアクセスする収容場所に応じて、複数のシャッターの通過領域が重なる高さ位置が異なる複数の開放形態のうちのいずれかが設定される。そして、複数のシャッターの通過領域の高さ位置がずれた状態で閉塞形態が設定される。
【0054】
このような構成によれば、各シャッター５２０に対応するシリンダＩ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶのＵＰ／Ｄｏｗｎの２値制御によって、簡易に、搬送装置がアクセス可能な領域を制御することができる。開閉の切り替えの際の各シリンダによる上下動作の距離は、上下に並ぶ通過領域のピッチから決まる。そこで、それぞれのシャッターに対して複数の遮蔽部により上下に並ぶ複数の通過領域が設けられていることから、１つのシリンダの上下動作の距離が抑制されて、つまりはシリンダを含むシャッターの上下動作機構がコンパクトになっている。なお、本実施例では１枚のシャッターにおいて、１つの遮蔽部の上下方向幅は、１つの通過領域のそれよりも小さくなっている。また、シャッター５２０を４枚ではなく２枚等とすることもできるが、開口部５１７をより効果的に遮蔽する観点やシャッターの剛性を担保する観点からは、４枚とすることが好ましい。このようなシャッター５２０によって搬送装置がアクセス可能な領域を限定することにより、搬送装置が動くこと等による外乱影響が収容空間５１８に収容されたウェハＷに及ぼされることを効果的に抑制することができる。
【0055】
また、上述の様に複数のシャッターは奥行方向にずれた位置に設けられているが、全ての開放形態および閉塞形態において、全てのシャッターが互いに非接触であってもよい。例えば、図９のように２つのシャッターの間に奥行方向の隙間を設けて配置されていてもよい。閉塞形態であっても、内部に継続的にガス（窒素）が供給されているときに、供給されるガスの濃度が所望の程度維持されていれば良いので、内部空間を完全に密閉する必要は無い。例えば、全てのシャッターを互いに微小な隙間を設けて非接触にしつつ、供給されるガスの濃度が所望の程度維持されるために充分な流量で、ガスが供給される。この時の所望の程度とは、そのガスの空気における濃度よりも高く、ＭＯＲのパターン不良を発生させない条件として各種プロセス条件（膜厚や目標ＣＤなど）に応じて適宜設定される値である。
【0056】
なお、上述したように、ＭＯＲ形成後且つ露光処理実施前のウェハＷの搬送経路である第１搬送経路上に窒素雰囲気載置部５１を設けることに加えて、露光処理実施後の搬送経路である第２搬送経路上に窒素雰囲気載置部５４を設けてもよい。この場合において、第１搬送経路上の窒素雰囲気載置部５１は、第２搬送経路上の窒素雰囲気載置部５４よりも、窒素濃度が低く設定されていてもよい。例えば、上述したシャッターについて、第１搬送経路上の窒素雰囲気載置部５１には設けずに、第２搬送経路上の窒素雰囲気載置部５４にのみ設けてもよい。これにより、第１搬送経路上の窒素雰囲気載置部５１よりも第２搬送経路上の窒素雰囲気載置部５４の窒素濃度を高くしてもよい。
【0057】
次に、窒素雰囲気載置部の他の例として、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５における露光前冷却部５２に設けられた窒素雰囲気載置部５３（図１０及び図１１参照）について説明する。窒素雰囲気載置部５３は、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部である（詳細は後述）。
【0058】
図１０は、第５のブロックＧ５の受け渡し装置１０５内に配置されたチャンバ構造の窒素雰囲気載置部５３を模式的に示す正面図である。図１１は、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部５３を模式的に示す断面図である。ここでは、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部５３が、露光前冷却部５２に設けられるとして説明するが、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部５３は、上述したスロット構造の窒素雰囲気載置部５１に代えて設けられていてもよい。
【0059】
図１０に示されるように、窒素雰囲気載置部５３は、受け渡し装置１０５内に複数設けられた露光前冷却部５２のそれぞれに対応するように、露光前冷却部５２の上方に設けられている。
【0060】
図１１に示されるように、露光前冷却部５２は、主たる構成として、冷却板５２１と、リフトピン５２２と、駆動部５２３と、位置決め部５２４と、を有する。冷却板５２１は、ウェハＷを載置することによりウェハＷを冷却する円板状のクールプレートである。冷却板５２１は、例えば、冷媒供給部（不図示）から供給される冷媒によって低温状態を維持し、載置されてウェハＷを冷却する。リフトピン５２２は、ウェハＷを昇降させるピンである。リフトピン５２２は、冷却板５２１を貫通するように上下方向に沿って延びている。複数の（例えば３つ）リフトピン５２２は、冷却板５２１の中心まわりの周方向に沿って等間隔に配置されていてもよい。駆動部５２３は、制御装置１００の動作指示に基づいて、リフトピン５２２を昇降させる。駆動部５２３は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでいる。位置決め部５２４は、後述する窒素雰囲気載置部５３の蓋体５３１の側壁部５３１ｂに接触することにより、蓋体５３１がそれ以上下降しないようにして蓋体５３１の位置決めを行う構成である。位置決め部５２４は、冷却板５２１の側面側から上下方向に沿って延びている。
【0061】
図１１に示されるように、窒素雰囲気載置部５３は、蓋体５３１と、窒素供給部５３２（第１窒素供給部）と、を有する。
【0062】
蓋体５３１は、ウェハＷを支持する支持面である冷却板５２１を囲むように設けられている。蓋体５３１は、天板５３１ａと、側壁部５３１ｂと、流路形成板５３１ｃと、を有する。天板５３１ａは、冷却板５２１と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板５３１ａは、冷却板５２１と上下方向において対向するように配置されている。側壁部５３１ｂは、天板５３１ａの外縁から下方に延びるように構成されている。側壁部５３１ｂは、蓋体５３１が下方に移動させられる際に、その一部が位置決め部５２４に当接することにより、それ以上蓋体５３１が下方に移動しないように構成されている。なお、側壁部５３１ｂにおける位置決め部５２４に当接する部分は削除されて、その分、蓋体５３１全体が薄くされて、蓋体５３１の昇降動作に要するスペースが減らされてもよい。
【0063】
流路形成板５３１ｃは、天板５３１ａ及び側壁部５３１ｂに囲われた空間内において、天板５３１ａに平行に延びる板状部材であって、複数の貫通孔５３１ｙが形成された部材である。図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）に示されるように、天板５３１ａには、その中央を囲む複数の位置（例えば４か所）に貫通孔５３１ｘが形成されている。また、流路形成板５３１ｃには、ウェハ表面の大部分を覆う広い領域に多数の貫通孔５３１ｙが形成されている。貫通孔５３１ｙの間隔は、貫通孔５３１ｘの間隔よりも小さく設定されている。後述する窒素供給部５３２から供給される窒素は、天板５３１ａの貫通孔５３１ｘ、及び、流路形成板５３１ｃの貫通孔５３１ｙを経て、ウェハＷの広域に満遍なく供給される。
【0064】
窒素供給部５３２は、天板５３１ａの中央付近に設けられており、冷却板５２１及び蓋体５３１（詳細には天板５３１ａ及び側壁部５３１ｂ）によって区画される空間５３３に窒素を供給する構成である。窒素供給部５３２は、例えば供給管（不図示）を介して窒素供給源（不図示）に接続されている。窒素供給部５３２は、空間５３３に窒素を送り込むことにより、窒素濃度が高い環境で、露光前冷却部５２によるウェハＷの冷却を行うことができる。なお、図１１（ａ）に示されるように、位置決め部５２４が設けられていることによって、蓋体５３１のクローズ状態においてウェハＷの側面側までは蓋体５３１によって囲われずに、隙間がある状態で窒素供給部５３２から窒素が供給されていてもよい。この場合には、昇降する蓋体５３１を薄型化することができ、搬送機構が冷却板５２１の上方にアクセスするために蓋体５３１が上昇するためのストロークを短くできるので所要スペースが小さくなり、上下多段に窒素雰囲気載置部５３を設けやすくなる。
【0065】
次に、窒素雰囲気載置部の他の例として、第２のブロックＧ２内の熱処理ユニットＵ２に設けられた窒素雰囲気載置部７０（図１２及び図１３参照）について説明する。窒素雰囲気載置部７０は、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部である。窒素雰囲気載置部７０は、露光処理実施後のウェハＷの搬送経路である第２搬送経路上に設けられている。
【0066】
図１２は、熱処理ユニットＵ２の熱板９１に連結された冷却板８１に配置されたチャンバ構造の窒素雰囲気載置部７０を模式的に示す断面図である。熱処理ユニットＵ２は、加熱処理と冷却処理とを含む熱処理をウェハＷに対して施すように構成されている。図１２に示されるように、熱処理ユニットＵ２は、窒素雰囲気載置部７０と、冷却部８０と、加熱部９０と、有する。なお、冷却部８０及び加熱部９０を含む構成は、筐体（不図示）によって囲われていてもよい。
【0067】
加熱部９０は、ウェハＷを加熱する加熱処理をウェハＷに対して施す。加熱部９０は、例えば、熱板９１と、蓋体９２と、複数のリフトピン９３と、駆動部９４と、を有する。熱板９１は、載置されたウェハＷに対する加熱を行うプレートである。熱板９１は、例えば円板状に形成されている。熱板９１におけるウェハＷを載置する面の反対側の面には、ヒータ（不図示）が設けられている。ヒータに電流が流れヒータが発熱することにより、熱板９１の温度が上昇する。これにより、熱板９１に載置されたウェハＷが加熱される。蓋体９２は、熱板９１の載置面を囲むように構成されている。リフトピン９３は、ウェハＷを昇降させるピンである。リフトピン９３は、熱板９１を貫通するように上下方向に沿って延びている。複数（例えば３つ）のリフトピン９３は、熱板９１の中心まわりの周方向に沿って等間隔に配置されている。駆動部９４は、制御装置１００の動作指示に基づいて、リフトピン９３を昇降させる。駆動部９４は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでいる。
【0068】
冷却部８０は、ウェハＷの温度を目標温度に低下させる冷却処理を処理態様のウェハＷに対して施す。冷却部８０は、熱処理ユニットＵ２の外部のウェハ搬送装置３３との間でウェハＷの受け渡しを行う。冷却部８０は、例えば、冷却板８１と、連結ブラケット８２と、駆動部８３と、を有する。冷却板８１は、ウェハＷに対する冷却を行うプレート（クールプレート）である。冷却板８１は、加熱部９０により加熱された後のウェハＷが上方に位置した状態で、そのウェハＷを目標温度まで冷却する。冷却板８１は、円板状に形成されていてもよい。冷却板８１は、アルミ、銀、または銅などの金属によって構成されていてもよい。冷却板８１の内部には、冷却用の水または冷却用の気体等の冷媒を流通させる冷媒流路（不図示）が形成されている。冷却板８１内を流れる冷媒が、ウェハＷから熱を奪うことにより、ウェハＷの温度が低下する。連結ブラケット８２は、冷却板８１に連結されている。連結ブラケット８２は、水平な一方向に沿って移動可能となるように構成されている。連結ブラケット８２は、例えば加熱部９０の間に延びるガイドレール（不図示）に沿って移動可能である。駆動部８３は、制御装置１００の動作指示に基づいて動作し、連結ブラケット８２を水平な一方向に沿って往復移動させる。駆動部８３は、例えば、電動モータ等の駆動源を含んでいる。
【0069】
窒素雰囲気載置部７０は、冷却板８１上に配置されている。窒素雰囲気載置部７０の構成は、上述した窒素雰囲気載置部５３の構成と概ね同様である。窒素雰囲気載置部７０は、蓋体７０１と、窒素供給部７０２と、を有する。
【0070】
蓋体７０１は、ウェハＷを支持する支持面である冷却板８１を囲むように設けられている。蓋体７０１は、天板７０１ａと、側壁部７０１ｂと、を有する。天板７０１ａは、冷却板８１と同程度の直径を有する円板状に構成されている。天板７０１ａは、冷却板８１と上下方向において対向するように配置されている。側壁部７０１ｂは、天板７０１ａの外縁から下方に延びるように構成されている。なお、蓋体７０１は、上述した窒素雰囲気載置部５３の流路形成板５３１ｃ，５３１ｄに相当する構成を有していてもよい。
【0071】
窒素供給部７０２は、天板７０１ａの中央付近に設けられており、冷却板８１及び蓋体７０１（詳細には天板７０１ａ及び側壁部７０１ｂ）によって区画される空間７０３に窒素を供給する構成である。窒素供給部７０２は、例えば供給管（不図示）を介して窒素供給源（不図示）に接続されている。窒素供給部７０２は、空間７０３に窒素を送り込むことにより、窒素濃度が高い環境で、冷却部８０によるウェハＷの冷却を行うことができる。
【0072】
なお、冷却板に対応して配置されるチャンバ構造の窒素雰囲気載置部は、上述した窒素雰囲気載置部７０に限定されない。上述したような熱板９１に連結された冷却板８１以外の、例えば独立して設けられた冷却板に対応して、窒素雰囲気載置部が配置されていてもよい。図１３（ａ）は、独立して設けられた冷却板１１１に配置されたチャンバ構造の窒素雰囲気載置部の一例を模式的に示す断面図である。図１３（ｂ）は独立して設けられた冷却板１３１に配置されたチャンバ構造の窒素雰囲気載置部の他の例を模式的に示す断面図である。これらの冷却板１１１，１３１は、上述した冷却板８１と比べて、ウェハＷの各領域における温度分布等まで考慮した高精度冷却に係るクールプレートであってもよい。
【0073】
図１３（ａ）に示される例では、第４のブロックＧ４の受け渡し装置１０４（図２参照）内に設けられた冷却板１１１に対応して、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部１２０が設けられている。冷却板１１１は、例えば、上述した熱板９１に連結された冷却板８１における工程よりも後の工程において、ウェハＷを載置してウェハＷを冷却する。窒素雰囲気載置部１２０の構成は、窒素雰囲気載置部７０と同様である。
【0074】
図１３（ｂ）に示される例では、第３のブロックＧ３の受け渡し装置１０３（図２参照）内に設けられた冷却板１３１に対応して、チャンバ構造の窒素雰囲気載置部１４０が設けられている。この場合、窒素雰囲気載置部１４０は、熱処理等を実施する第２のブロックＧ２（処理ブロック）と、ウェハＷの搬入出部であるカセットステーション２との間に設けられることとなる。冷却板１３１は、例えば、上述した熱板９１に連結された冷却板８１における工程よりも後の工程において、ウェハＷを載置してウェハＷを冷却する。窒素雰囲気載置部１４０の構成は、窒素雰囲気載置部７０と同様である。
【0075】
また、ウェハ処理システム１は、ガスを吐出し下方向のガス気流（ダウンフロー）を生じさせるダウンフロー発生部を備えている。ダウンフロー発生部にガス供給路（図示無し）で接続されたガス供給源（図示無し）から、ダウンフロー発生部に向けてガスが供給される。ガス供給源は例えば、ウェハ処理システム１の外部に設けられていてもよいし、ウェハ処理システム１の内部に設けられていてもよい。図１４に示されるように、ダウンフロー発生部１９９は、例えば、カセットステーション２のウェハ搬送装置２２，２３及び第３のブロックＧ３が設けられた空間に設けられていてもよい。或いは、ダウンフロー発生部１９９は、処理ステーション３の各々の層３１及びウェハ搬送領域３２、第４のブロックＧ４、並びに第５のブロックＧ５の、それぞれの天井部に設けられていてもよい。ガス供給源から供給されるガスは、例えば空気であり、その内に様々な成分のガスを含みうる。
【0076】
ダウンフロー発生部とガス供給源とを接続するガス供給路は、例えば主に配管、ダクト、チューブ等で構成されており、その途中にケミカルフィルタ（図示無し）が接続される。ケミカルフィルタは、例えば微小隙間を有する部材またはガスが通過可能な繊維部材を含む。ケミカルフィルタをガス供給源から供給されるガスが通過することで、アンモニアまたは／及びアミン等の不要ガスや微小異物のほか、酸性ガスおよび有機ガスが、ケミカルフィルタに捕集され、ガス供給源から共有されるガスから除去される。これらの不要ガスや酸性ガスおよび有機ガスが除去されたガスがダウンフローとして基板が存在する空間に供給されることで、ＭＯＲ膜の一連の反応の進行がばらつきにくく、安定して良好なＭＯＲ膜のパターンを形成し易くなる。
【0077】
＜作用効果＞
次に、本実施形態に係るウェハ処理システム１の作用効果について説明する。
次に、本実施形態に係るウェハ処理システム１の作用効果について説明する。
【0078】
ウェハ処理システム１は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前のウェハＷの搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後のウェハＷの搬送経路である第２搬送経路と、を備える。ウェハ処理システム１は、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境でウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部（例えば、窒素雰囲気載置部５１，５３，５４，７０等）を備える。
【0079】
本実施形態に係るウェハ処理システム１では、上述した第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずか一方に、窒素濃度が空気よりも高く設定された窒素雰囲気載置部が設けられている。例えば、通常の大気環境（空気）においてＭＯＲ膜形成後のウェハＷ（露光処理前後のウェハＷ）が待機する場合、その待機時間等によってＣＤがばらつき、良好なパターンが得られないことが考えられる。この点、露光処理前後のウェハＷの搬送経路に、窒素濃度が空気よりも高く設定された窒素雰囲気載置部が設けられており、該窒素雰囲気載置部に基板が載置されて待機されることにより、ＣＤがばらつくことを抑えることができる。以上のように、本実施形態に係るウェハ処理システム１によれば、ＭＯＲ膜が形成されたウェハＷにおいて良好なパターンを得ることができる。
【0080】
ウェハ処理システム１は、露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行う第５のブロックＧ５内に設けられ（図２参照）、図３（ａ）に示されるように、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワー状の受け渡し装置１０５を備える。また、ウェハ処理システム１は、大気環境でウェハＷを載置する一または複数の大気雰囲気載置部５５を備える。そして、窒素雰囲気載置部５３は、受け渡し装置１０５におけるいずれかの収容スペースに設けられ、大気雰囲気載置部５５は、受け渡し装置１０５における収容スペースの内、窒素雰囲気載置部５３が設けられていないいずれかの収容スペースに設けられている。
【0081】
このような構成によれば、露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行う第５のブロックＧ５内の受け渡し装置１０５に、窒素濃度が高い環境でウェハＷを載置する窒素雰囲気載置部５３と、大気雰囲気載置部５５とを、設けることができる。これにより、例えば、窒素濃度が高い環境で待機させたいＭＯＲ膜が形成されたウェハＷを窒素雰囲気載置部５３で待機させると共に、大気環境で待機させたい例えばＣＡＲ膜が形成されたウェハＷ等を大気雰囲気載置部５５で待機させることができる。これにより、形成されたレジスト膜の種類に応じて、適切な個所でウェハＷを待機させることが可能になっている。
【0082】
窒素雰囲気載置部５３は、ウェハＷを支持する支持面である冷却板５２１を囲むように設けられする蓋体５３１と、蓋体５３１に設けられ、冷却板５２１及び蓋体５３１によって区画される空間５３３内に窒素を供給する窒素供給部５３２と、を有する。窒素雰囲気載置部５３は、チャンバ構造である。このようなチャンバ構造によれば、冷却板５２１及び蓋体５３１によって区画される空間５３３内に窒素を充満させることができ、窒素濃度が高い環境を適切に作ることができる。
【0083】
窒素雰囲気載置部５１は、ウェハＷが収まる複数のスロットを画定する複数のスロット区分部５１６と、スロットに収まったウェハＷの周囲四方の内、ウェハＷの導入口である開口部５１７を除いた三方に設けられた壁部５１２，５１３，５１４と、を有する。また、窒素雰囲気載置部５１は、開口部５１７に対向する壁部５１４に形成され、開口部５１７方向に向かって窒素を供給する窒素供給部５１９と、を有するスロット構造である。このようなスロット構造によれば、複数のウェハＷを各スロットに効率的に収容しながら、開口部５１７を除いた三方の壁部５１２，５１３，５１４に囲まれた空間５３３に窒素を送り込み、窒素濃度が高い環境を適切に作ることができる。
【0084】
窒素雰囲気載置部７０は、第２のブロックＧ２内の熱処理ユニットＵ２に設けられている。これにより、熱処理ユニットＵ２における待機期間において、窒素濃度が高い環境でウェハＷを待機させることができる。
【0085】
窒素雰囲気載置部１４０は、第２のブロックＧ２とウェハＷの搬入出部であるカセットステーション２との間に設けられている。これにより、例えばウェハＷの搬入出前後の待機期間において、窒素濃度が高い環境でウェハＷを待機させることができる。
【0086】
第１搬送経路上の窒素雰囲気載置部５１は、第２搬送経路上の窒素雰囲気載置部５４よりも、窒素濃度が低く設定されていてもよい。これにより、大気環境においてＣＤばらつきの影響が出やすい露光後において、より窒素濃度を高くすることができ、ＭＯＲ膜が形成されたウェハＷにおいて良好なパターンを得ることができる。
【0087】
上述したように、本実施形態に係る基板処理方法は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前のウェハＷを処理または搬送する第１工程と、露光処理実施後のウェハＷを処理または搬送する第２工程と、を含む。また、基板処理方法は、第１工程及び第２工程の少なくともいずれか一方と共に実施され、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境でウェハＷを待機させる第３工程を含む。
【0088】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されない。例えば、「雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部」が窒素を供給するとして説明したが、窒素以外のガスが供給されてもよい。具体的には、ウェハＷのＭＯＲ膜のパターン形成に影響があるガスとして、アンモニア、酸素又は二酸化炭素が調整された空気、酢酸含有などの酸性ガス、低湿度エアー等が供給されてもよい。
【0089】
最後に、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ８］に記載する。
【0090】
［Ｅ１］
基板処理装置は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板の搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後の基板の搬送経路である第２搬送経路と、を備える。基板処理装置は、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部を備える。
基板処理装置は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板の搬送経路である第１搬送経路と、露光処理実施後の基板の搬送経路である第２搬送経路と、を備える。基板処理装置は、第１搬送経路及び第２搬送経路の少なくともいずれか一方に設けられ、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を載置する一または複数の窒素雰囲気載置部を備える。
【0091】
［Ｅ２］
基板処理装置は、露光装置との間で基板の受け渡しを行うブロック内に設けられ、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワーと、大気環境で基板を載置する一または複数の大気雰囲気載置部と、を更に備える。少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、タワーにおけるいずれかの収容スペースに設けられる。少なくとも１つの大気雰囲気載置部は、タワーにおける収容スペースの内、窒素雰囲気載置部が設けられていないいずれかの収容スペースに設けられている、［Ｅ１］記載の基板処理装置。
基板処理装置は、露光装置との間で基板の受け渡しを行うブロック内に設けられ、複数の収容スペースが上下多段に形成されたタワーと、大気環境で基板を載置する一または複数の大気雰囲気載置部と、を更に備える。少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、タワーにおけるいずれかの収容スペースに設けられる。少なくとも１つの大気雰囲気載置部は、タワーにおける収容スペースの内、窒素雰囲気載置部が設けられていないいずれかの収容スペースに設けられている、［Ｅ１］記載の基板処理装置。
【0092】
［Ｅ３］
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、基板を支持する支持面を囲むように設けられた蓋体と、蓋体に設けられ、支持面及び蓋体によって区画される空間内に窒素を供給する第１窒素供給部とを有するチャンバ構造である、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の基板処理装置。
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、基板を支持する支持面を囲むように設けられた蓋体と、蓋体に設けられ、支持面及び蓋体によって区画される空間内に窒素を供給する第１窒素供給部とを有するチャンバ構造である、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の基板処理装置。
【0093】
［Ｅ４］
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、基板が収まる複数のスロットを画定する複数のスロット区分部と、記スロットに収まった基板の周囲四方の内、基板の導入口である開口部を除いた三方に設けられた壁部と、を有する。窒素雰囲気載置部は、壁部における開口部に対向する領域に形成され、開口部方向に向かって窒素を供給する第２窒素供給部と、を有するスロット構造である、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の基板処理装置。
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、基板が収まる複数のスロットを画定する複数のスロット区分部と、記スロットに収まった基板の周囲四方の内、基板の導入口である開口部を除いた三方に設けられた壁部と、を有する。窒素雰囲気載置部は、壁部における開口部に対向する領域に形成され、開口部方向に向かって窒素を供給する第２窒素供給部と、を有するスロット構造である、［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の基板処理装置。
【0094】
［Ｅ５］
窒素雰囲気載置部は、開口部において開閉部を備え、開閉部は、複数の通過領域が上下方向に並べて設けられたシャッターが複数、奥行方向に並んで設けられており、それぞれのシャッターが上下方向に相対的に移動する。これにより、開口において複数のスロットのうち一部のスロットに対向する領域が開放される、［Ｅ４］記載の基板処理装置。
窒素雰囲気載置部は、開口部において開閉部を備え、開閉部は、複数の通過領域が上下方向に並べて設けられたシャッターが複数、奥行方向に並んで設けられており、それぞれのシャッターが上下方向に相対的に移動する。これにより、開口において複数のスロットのうち一部のスロットに対向する領域が開放される、［Ｅ４］記載の基板処理装置。
【0095】
［Ｅ６］
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、処理ブロック内の熱処理ユニットに設けられている、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の基板処理装置。
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、処理ブロック内の熱処理ユニットに設けられている、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の基板処理装置。
【0096】
［Ｅ７］
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、処理ブロックと基板の搬入出部との間に設けられている、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の基板処理装置。
少なくとも１つの前記窒素雰囲気載置部は、処理ブロックと基板の搬入出部との間に設けられている、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の基板処理装置。
【0097】
［Ｅ８］
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、第１搬送経路に設けられており、少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、第２搬送経路に設けられている。第１搬送経路に設けられている窒素雰囲気載置部は、第２搬送経路に設けられている窒素雰囲気載置部よりも、窒素濃度が低く設定されている、［Ｅ１］～［Ｅ７］のいずれか一項記載の基板処理装置。
少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、第１搬送経路に設けられており、少なくとも１つの窒素雰囲気載置部は、第２搬送経路に設けられている。第１搬送経路に設けられている窒素雰囲気載置部は、第２搬送経路に設けられている窒素雰囲気載置部よりも、窒素濃度が低く設定されている、［Ｅ１］～［Ｅ７］のいずれか一項記載の基板処理装置。
【0098】
［Ｅ９］
基板処理方法は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板を処理または搬送する第１工程と、露光処理実施後の基板を処理または搬送する第２工程と、を含む。また、基板処理方法は、第１工程及び第２工程の少なくともいずれか一方と共に実施され、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を待機させる第３工程と、を含む。
基板処理方法は、ＭＯＲ膜形成後且つ露光処理実施前の基板を処理または搬送する第１工程と、露光処理実施後の基板を処理または搬送する第２工程と、を含む。また、基板処理方法は、第１工程及び第２工程の少なくともいずれか一方と共に実施され、雰囲気の窒素濃度が空気よりも高く設定された環境で基板を待機させる第３工程と、を含む。
【符号の説明】
【0099】
１…ウェハ処理システム（基板処理装置）、２…カセットステーション（搬入出部）、５１，５３，５４，７０，１２０，１４０…窒素雰囲気載置部、５５…大気雰囲気載置部、１０５…受け渡し装置（タワー）、５１２，５１３，５１４…壁部、５１６…スロット区分部、５１７…開口部、５１９…窒素供給部（第２窒素供給部）、５２１…冷却板（支持部）、５３１…蓋体、５３３…空間、７０１…蓋体、７０２…窒素供給部（第１窒素供給部）、Ｇ２…第２のブロック、Ｇ５…第５のブロック、Ｕ２…熱処理ユニット、Ｗ…ウェハ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】