特開 2024-105219 リソグラフィ用途のフォトレジスト層上への炭素の選択的堆積

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024105219

(43)【公開日】2024-08-06

(54)【発明の名称】リソグラフィ用途のフォトレジスト層上への炭素の選択的堆積

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240730BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20240730BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 105A

G03F7/20 521

G03F7/20 501

【審査請求】有

【請求項の数】21

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024038571

(22)【出願日】2024-03-13

(62)【分割の表示】P 2022580823の分割

【原出願日】2021-06-09

(31)【優先権主張番号】63/047,719

(32)【優先日】2020-07-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】カオ， ラリー

(72)【発明者】

【氏名】ファン， ナンシー

(57)【要約】      （修正有）

【課題】フォトレジスト層上への炭素の選択的堆積の方法を提供する。
【解決手段】底部反射防止被覆（ＢＡＲＣ）層上のハードマスク層をエッチングするための方法であって、金属含有材料を含むハードマスク層上に有機金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、選択されたパターンを有するマスクを通して紫外線照射にフォトレジスト層を露光することと、フォトレジスト層の非照射領域を除去して、フォトレジスト層をパターニングすることと、パターニングされたフォトレジスト層の上面にパッシベーションを選択的に堆積し、パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングしてパッシベーション層を形成することと、パッシベーション層が形成されたパターニングされたフォトレジスト層によって露光されたハードマスク層をエッチングすることと、パターニングされたハードマスク層によって露出したＢＡＲＣ層をエッチングすることと、を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ハードマスク層をエッチングするための方法であって、
前記ハードマスク層上に有機金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、
選択されたパターンを有するマスクを通して紫外線照射に前記フォトレジスト層を露光することと、
前記フォトレジスト層の非照射領域を除去して、パターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたフォトレジスト層の上面に炭素含有材料を選択的に含むパッシベーション層を形成することであって、
前記上面の上にパッシベーション材料を選択的堆積すること、及び
前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすること
を含む、パッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層が形成された前記パターニングされたフォトレジスト層によって露光された前記ハードマスク層をエッチングすることと
を含む、方法。

【請求項2】

前記有機金属材料が、一又は複数の金属元素及び有機リガンドを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記一又は複数の金属元素が、スズ（Ｓｎ）を含む、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記望ましくない部分をトリミングすることが、前記パッシベーション材料をラジカルエッチングに曝露することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記パッシベーション層を形成することが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

膜積層体をエッチングするための方法であって、
ハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層上に有機金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、
選択されたパターンを有するマスクを通して紫外線照射に前記フォトレジスト層を露光することと、
前記フォトレジスト層の非照射領域を除去して、パターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたフォトレジスト層の上面に炭素含有材料を選択的に含むパッシベーション層を形成することであって、
前記上面の上にパッシベーション材料を選択的堆積すること、及び
前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすること
を含む、パッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層が形成された前記パターニングされたフォトレジスト層によって露光された前記ハードマスク層をエッチングして、パターニングされたハードマスク層を形成することと、
前記パターニングされたハードマスク層によって露光された前記膜積層体をエッチングすることと
を含む、方法。

【請求項7】

前記有機金属材料が、一又は複数の金属元素及び有機リガンドを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記一又は複数の金属元素が、スズ（Ｓｎ）を含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記有機リガンドが、アルキル、アルケニル、及びカルボン酸塩からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。

【請求項10】

前記パッシベーション層を形成することが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項11】

前記ハードマスク層がスズ（Ｓｎ）を含む、請求項６に記載の方法。

【請求項12】

前記ハードマスク層の金属含有材料が、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化ケイ素スズ（ＳｎＳｉＯ）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化スズインジウム（ＩｎＳｎＯ）、酸化亜鉛ガリウムインジウム（ＩＧＺＯ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記望ましくない部分をトリミングすることが、前記パッシベーション材料をラジカルエッチングに曝露することを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項14】

パッシベーション層を形成するための方法であって、
パターニングされたフォトレジスト層の上面の上にパッシベーション材料を選択的堆積することと、
前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすることであって、前記パッシベーション層が炭素含有材料を含む、望ましくない部分をトリミングすることと
を含む、方法。

【請求項15】

前記パッシベーション材料を選択的堆積することと、前記パッシベーション材料の前記望ましくない部分をトリミングすることとが、それぞれ一又は複数回繰り返される、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記パッシベーション材料を選択的堆積することと、前記パッシベーション材料の前記望ましくない部分をトリミングすることとが、それぞれ５回繰り返される、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

前記望ましくない部分をトリミングすることが、前記パッシベーション材料をラジカルエッチングに曝露することを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項18】

前記ラジカルエッチングが、ＣｘＦｙを含むエッチングガスを含み、ｘ及びｙが整数である、請求項１７に記載の方法。

【請求項19】

前記ラジカルエッチングが、Ｎ_２を含むエッチングガスを含む、請求項１７に記載の方法。

【請求項20】

前記パッシベーション材料を選択的堆積することが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項１４に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［０００１］本明細書の実施形態は、概して、方法に関し、より具体的には、フォトレジスト層上への炭素の選択的堆積の方法に関する。

【背景技術】

【0002】

関連技術の記載
［０００２］ミクロン単位未満のフィーチャ（特徴部）、及び更に小さなフィーチャを確実に作製することは、半導体デバイスの超大規模集積（ＶＬＳＩ）及び極超大規模集積（ＵＬＳＩ）の重大要件の１つである。しかし、回路技術の継続的な微細化に伴い、相互接続部などの回路フィーチャのサイズ及びピッチは、処理能力に対して更に多くを要求するものとなっている。この技術の核心にあるマルチレベル相互接続により、高アスペクト比のフィーチャ（ビア及びその他の相互接続部など）の精密な画像化及び配設が必要とされる。これらの相互接続部を確実に形成することは、デバイス及び相互接続部の密度を更に増大させる上で重要である。加えて、中間材料（レジスト及びハードマスク材料など）の無駄を削減しつつ、ミクロン単位未満のサイズのフィーチャ及び相互接続部を形成することが求められている。

【0003】

［０００３］フィーチャサイズが小型化するにつれて、アスペクト比（フィーチャの深さとフィーチャの幅との比率と定義される）の増大に対する要求も着実に増大しており、１：５、更にそれを超えるようになっている。膜積層体、及びかかる高アスペクト比を有するフィーチャを確実に形成することが可能なエッチングプロセスを実現させるには、重要な課題がある。しかし、リソグラフィ露光及び現像プロセスの制御が不正確なこと、又は解像度が低いことにより、膜積層体内にフィーチャを転写するために利用されるフォトレジスト層の寸法が不正確になり、結果として、許容不能な線幅粗さ（ＬＷＲ）が生じ得る。リソグラフィ露光及び現像プロセスによりもたらされるＬＷＲ、及びフォトレジスト層のプロファイルの望ましくない曲がりによって、膜積層体への不正確なフィーチャ転写が生じ、最終的に、デバイスの不具合及び歩留まり損失につながり得る。

【0004】

［０００４］更に、膜積層体のエッチングにおいては、このエッチングプロセス中に生成された副生成物又はその他の材料の再堆積又は蓄積が、エッチングされているフィーチャの上部及び／又は側壁に集積され、ひいては、材料層内に形成されるフィーチャの開口部が望ましくないほどに塞がれる可能性がある。膜積層体のために異なる材料が選択されることにより、膜積層体に再堆積される副生成物の量又はプロファイルは様々なものになり得る。更に、エッチングされたフィーチャの開口部が再堆積材料の集積によって狭められかつ／又は封止されるので、反応性エッチャントがフィーチャの下側表面に到達することが妨げられ、ひいては、獲得され得るアスペクト比が制限される。加えて、再堆積材料又は副生成物の蓄積は、エッチングされているフィーチャの上面及び／又は側壁にランダムにかつ／又は不規則に付着するので、結果として生じる再堆積材料の不規則なプロファイル及び成長が、反応性エッチャントの流路を変化させ、ひいては、材料層内に形成されるフィーチャの湾曲又はねじれプロファイルをもたらし得る。不正確なプロファイル又は構造寸法は、デバイス構造の劣化をもたらし、最終的には、デバイスの不具合及び製品歩留まりの低減につながり得る。膜積層体に含まれる材料に対するエッチングの選択性が不十分だと、不正確なプロファイル制御という望ましくない結果が生じ、ひいては最終的に、デバイス不具合につながり得る。

【0005】

［０００５］したがって、当技術分野では、適切な膜積層体、及び、かかる膜積層体に望ましいプロファイル及び小さな寸法を伴ってフィーチャをエッチングするためのエッチング方法が必要とされている。

【発明の概要】

【0006】

［０００６］膜積層体を形成し、この膜積層体をエッチングしてその内部に高アスペクト比のフィーチャを形成するための方法が提供される。本明細書に記載の方法により、適切な側壁及び底部管理方式を通じて、高アスペクト比を有するフィーチャであって、膜積層体のために選択された望ましい材料を有するフィーチャの、プロファイル及び寸法制御が容易になる。

【0007】

［０００７］一実施形態では、ハードマスク層をエッチングするための方法が提供される。本方法は、金属含有材料を含むハードマスク層上に有機金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、選択されたパターンを有するマスクを通して紫外線照射にフォトレジスト層を露光することと、フォトレジスト層の非照射領域を除去して、パターニングされたフォトレジスト層を形成することと、パターニングされたフォトレジスト層の上面に炭素含有材料を選択的に含むパッシベーション層を形成することと、パッシベーション層が形成されたパターニングされたフォトレジスト層によって露光されたハードマスク層をエッチングすることとを含む。

【0008】

［０００８］別の実施形態では、膜積層体をエッチングするための方法が提供される。本方法は、ハードマスク層を形成することと、ハードマスク層上に有機金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、選択されたパターンを有するマスクを通して紫外線照射にフォトレジスト層を露光することと、フォトレジスト層の非照射領域を除去して、パターニングされたフォトレジスト層を形成することと、パターニングされたフォトレジスト層の上面に炭素含有材料を選択的に含むパッシベーション層を形成することと、パッシベーション層が形成されたパターニングされたフォトレジスト層によって露光されたハードマスク層をエッチングして、パターニングされたハードマスク層を形成することと、パターニングされたハードマスク層によって露光された膜積層体をエッチングすることとを含む。

【0009】

［０００９］更に別の実施形態では、パッシベーション層を形成するための方法が提供される。本方法は、パターニングされたフォトレジスト層の上面の上にパッシベーション材料を選択的堆積させることと、パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすることとを含む。パッシベーション層は、炭素含有材料を含む。

【0010】

［００１０］本明細書の実施形態の上述の特徴が実現され、詳しく理解され得るように、上記で簡潔に要約した本開示のより具体的な記載が、実施例を参照することによって得られる。かかる例は添付の図面に示されている。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態に係る、処理チャンバの断面図である。

【図2】一実施形態に係る、パターニングプロセスのためのフロー図である。

【図3A-3F】一実施形態に係る、構造物の断面図である。

【図3G-3I】一実施形態に係る、構造物の断面図である。

【図4A-4B】一実施形態に係る、構造物の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

［００１５］実施形態の理解を容易にするために、複数の図に共通する同一の要素を指し示すのに、可能であれば、同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると想定される。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容し得ることから、添付の図面は、例示的な実施例を示しているにすぎず、したがって、例の範囲を限定するものと見なすべきではないことに留意されたい。

【0013】

［００１６］膜積層体を形成し、この膜積層体をエッチングしてその内部に高アスペクト比のフィーチャを形成するための方法が提供される。本明細書に記載の方法により、適切な側壁及び底部管理方式を通じて、高アスペクト比を有するフィーチャであって、膜積層体のために選択された望ましい材料を有するフィーチャの、プロファイル及び寸法制御が容易になる。特に、本明細書に記載の方法は、その上に選択的に配置された炭素含有パッシベーション層を有する金属含有フォトレジスト層を提供し、この層は、下にある金属含有ハードマスク層からの高いエッチング選択性を有し、ハードマスク層にエッチングされた開口部のプロファイルのより高い精度の制御につながる。加えて、本明細書に開示の方法は、パターニングされたフォトレジスト層の上面の上にパッシベーション材料を選択的堆積させることと、パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすることとを含む、パッシベーション層を形成する方法を含む。

【0014】

［００１７］明細書で使用される「約（ａｂｏｕｔ）」という用語は、公称値から＋／－１０％の変動のことを指す。かかる変動は、本明細書で提供されるいかなる値にも含まれ得ると理解されたい。

【0015】

［００１８］図１は、一実施形態による、処理チャンバ１００の断面図を示す。一実施例では、処理チャンバ１００は、金属含有材料から製造されたハードマスク層を有する膜積層体をエッチングするために、パターニングプロセスを実行するのに適している。本明細書に開示の教示と共に使用するために適合され得る適切な処理チャンバには、例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．）から入手可能なＥＮＡＢＬＥＲ（登録商標）、又はＳＹＭ３（登録商標）処理チャンバが含まれる。優れたエッチング性能を可能にする複数のフィーチャを含む処理チャンバ１００が示されているが、他の処理チャンバも、本明細書に開示の進歩的なフィーチャのうちの一又は複数から恩恵を受けるように適合され得ると想定される。

【0016】

［００１９］図示のように、処理チャンバ１００は、内部空間１０６を取り囲む、チャンバ本体１０２及びリッド１０４を含む。チャンバ本体１０２は、アルミニウム、ステンレス鋼、又はその他の適切な材料から製造される。チャンバ本体１０２は、側壁１０８及び底部１１０を含む。基板支持ペデスタルアクセスポート（図示せず）が、概して、側壁１０８に画定され、処理チャンバ１００からの基板１０３の出入りを容易にするよう、スリットバルブ（図示せず）によって選択的に封止される。排気口１２６は、チャンバ本体１０２の中に画定される。排気口１２６は、内部空間１０６をポンプシステム１２８に連結する。ポンプシステム１２８は、処理チャンバ１００の内部空間１０６を排気し、内部空間１０６の圧力を調節するために利用される、一又は複数のポンプ及びスロットルバルブを含む。ポンプシステム１２８は、内部空間１０６の内部の圧力を、約１０ｍＴｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒの動作圧力に維持する。

【0017】

［００２０］リッド１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上に、密閉的に支持される。リッド１０４を開けて、処理チャンバ１００の内部空間１０６より体積を大きくすることが可能なように構成される。リッド１０４は、光学プロセスモニタリングを容易にするウインドウ１４２を含む。ウインドウ１４２は、処理チャンバ１００の外部に取り付けられた光学モニタリングシステム１４０によって利用される信号を透過する、石英又はその他の適切な材料を含む。

【0018】

［００２１］光学モニタリングシステム１４０は、ウインドウ１４２を通してチャンバ本体１０２の内部空間１０６及び／又は基板支持ペデスタルアセンブリ１４８上に位置付けられた基板１０３の少なくとも一方を視認するように位置付けられる。光学モニタリングシステム１４０は、リッド１０４に連結されており、光学的計測法を使用する統合された堆積プロセスを容易にして、入ってくる基板パターンフィーチャの不整合（例えば厚さ）を補償するためのプロセス調整を可能にする情報を提供し、必要に応じて、プロセス状態のモニタリング（例えば、プラズマモニタリング、温度モニタリング）を提供する。本発明から恩恵を受けるように適合され得る１つの光学モニタリングシステムは、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．）から入手可能なＥｙｅＤ（登録商標）フルスペクトル干渉計測モジュールである。

【0019】

［００２２］プロセスガス及び／又は洗浄ガスを内部空間１０６に提供するために、ガスパネル１５８が処理チャンバ１００に連結される。ガスパネル１５８から処理チャンバ１００の内部空間１０６へのガスの供給を可能にするために、リッド１０４に注入ポート１３２’、１３２’’が設けられる。

【0020】

［００２３］シャワーヘッドアセンブリ１３０が、リッド１０４の内面１１４に連結される。シャワーヘッドアセンブリ１３０は、ガスが注入ポート１３２’、１３２’’からシャワーヘッドアセンブリ１３０を通って内部空間１０６へ流れることを可能にする複数の開孔を含む。複数の開孔は、処理チャンバ１００において処理されている基板１０３の表面にわたる既定の分布でガスが流れるのを可能にする。

【0021】

［００２４］混合ガスを、処理のために内部空間１０６に進入する前に、遠隔プラズマから分離させること（ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｎｇ）を容易にするために、遠隔プラズマ源１７７が、ガスパネル１５８に連結される。高周波（ＲＦ）電源１４３が、整合ネットワーク１４１を介してシャワーヘッドアセンブリ１３０に連結される。ＲＦ電源１４３は、約５０ｋＨｚから約２００ＭＨｚまでの範囲の調整可能な周波数で、最大約３０００Ｗの電力を生み出すように構成される。

【0022】

［００２５］シャワーヘッドアセンブリ１３０は、光透過領域（あるいは、光透過通路とも称される）１３８を更に含む。光透過領域１３８は、光計測信号を透過する。光透過領域１３８は、光学モニタリングシステム１４０が、内部空間１０６及び／又は基板支持ペデスタルアセンブリ１４８上に位置付けられた基板１０３を視認することを可能にするのに適している。光透過領域１３８は、シャワーヘッドアセンブリ１３０に形成又は配置された開孔又は複数の開孔とすることができる。光透過領域１３８は、光学モニタリングシステム１４０によって生成され、反射して戻されるエネルギーの波長を実質的に透過する。光透過領域１３８はウインドウ１４２を含み、光透過領域１３８を通るガス漏洩を防止する。ウインドウ１４２は、サファイアプレート、石英プレート、又はその他の適切な材料であり得る。一実施形態では、ウインドウ１４２は、光学モニタリングシステム１４０の直下でリッド１０４内に代替的に配置される。

【0023】

［００２６］シャワーヘッドアセンブリ１３０は、処理チャンバ１００の内部空間１０６に流入するガスの個別制御を可能にする、複数のゾーンを有するように構成される。シャワーヘッドアセンブリ１３０は、個別の注入ポート１３２’、１３２’’を通じてそれぞれガスパネル１５８に個別に連結されている、内側ゾーン１３４と外側ゾーン１３６とを有している。

【0024】

［００２７］基板支持ペデスタルアセンブリ１４８が、処理チャンバ１００の内部空間１０６内の、シャワーヘッドアセンブリ１３０の下方に配置される。基板支持ペデスタルアセンブリ１４８は、処理中に基板１０３を支持する。基板支持ペデスタルアセンブリ１４８は、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８を通るように配置された複数のリフトピン（図示せず）であって、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８から基板１０３を上昇させ、従来的な様態でのロボット（図示せず）による基板１０３の交換を容易にするように構成されている、複数のリフトピンを含み得る。内側ライナ１１８が、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８の外周を取り囲む。

【0025】

［００２８］図示のように、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８は、取付板１６２と、ベース１６４と、静電チャック１６６とを含む。取付板１６２が、チャンバ本体１０２の底部１１０に連結される。取付板１６２は、ユーティリティ（例えば、とりわけ、流体、電力ライン、及びセンサリード）をベース１６４及び静電チャック１６６に送るための通路を含む。静電チャック１６６は、シャワーヘッドアセンブリ１３０の下方で基板１０３を保持するための、少なくとも１つのクランプ電極１８０を含む。静電チャック１６６は、チャック電源１８２によって駆動されて、基板１０３をチャック面に保つ静電力を発生させる。一実施形態では、基板１０３は、静電チャック１６６によって発生した静電力と組み合わせたクランプ、真空、又は重力によって基板支持ペデスタルアセンブリ１４８に保持される。別の実施形態では、基板１０３は、クランプ、真空又は重力によって基板支持ペデスタルアセンブリ１４８に保持され、静電チャックは含まれない。

【0026】

［００２９］ベース１６４又は静電チャック１６６の少なくとも一方は、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８の横方向温度プロファイルを制御するために、少なくとも１つの埋め込み型ヒータ１７６、少なくとも１つの埋め込み型アイソレータ１７４、及び複数の導管１６８、１７０を含む。導管１６８、１７０は流体源１７２に流体連結され、流体源１７２は、導管を通して温度調節流体を循環させる。ヒータ１７６は電源１７８によって調節される。導管１６８、１７０及びヒータ１７６はベース１６４の温度を制御するために利用され、これにより、静電チャック１６６が、最終的にはその上に配置された基板１０３の温度プロファイルが、加熱及び／又は冷却される。静電チャック１６６及びベース１６４の温度は、複数の温度センサ１９０、１９２を使用してモニタリングされる。一実施形態では、静電チャック１６６は、複数のガス通路（溝などであるが図示せず）を更に含み、この複数のガス通路は、静電チャック１６６の基板支持ペデスタル支持面に形成され、ヘリウムガス（Ｈｅ）などの熱伝導ガス（又は背面ガス）源に流体連結される。動作中、背面ガスは、静電チャック１６６と基板１０３との間の熱伝導を高めるよう、制御された圧力でガス通路内に提供される。

【0027】

［００３０］基板支持ペデスタルアセンブリ１４８は、カソードとして構成されており、かつ、複数のＲＦバイアス電源１８４、１８６に連結されているクランプ電極１８０を含む。ＲＦバイアス電源１８４、１８６は、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８内に配置された電極１８０と別の電極（例えば、シャワーヘッドアセンブリ１３０又はチャンバ本体１０２のリッド１０４）との間に連結される。ＲＦバイアス電力が、チャンバ本体１０２の処理領域内に配置されたガスを励起して、当該ガスから形成されたプラズマ放電を維持する。

【0028】

［００３１］デュアルＲＦバイアス電源１８４、１８６が、整合回路１８８を通じて、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８内に配置された電極１８０に連結される。ＲＦバイアス電源１８４、１８６によって生成された信号は、処理チャンバ１００内に提供された混合ガスをイオン化するため、１回のフィードで整合回路１８８を通って基板支持ペデスタルアセンブリ１４８に送られる。したがって、ＲＦバイアス電源１８４は、堆積又はその他のプラズマ強化プロセスを実行するために必要なイオンエネルギーを提供する。ＲＦバイアス電源１８４、１８６は、約５０ｋＨｚから約２００ＭＨｚの周波数と、約１Ｗから約５０００Ｗなど、約０Ｗから約８０００Ｗの電力とを有するＲＦ信号を発生させるように構成される。追加のバイアス電源１８９は、プラズマの特性を制御するために電極１８０に連結される。

【0029】

［００３２］動作中、基板１０３は、処理チャンバ１００内の基板支持ペデスタルアセンブリ１４８上に配置される。プロセスガス及び／又は混合ガスが、ガスパネル１５８からシャワーヘッドアセンブリ１３０を通ってチャンバ本体１０２に導入される。ポンプシステム１２８により、チャンバ本体１０２内部の圧力が維持されつつ、堆積副生成物が除去される。

【0030】

［００３３］処理チャンバ１００の動作を制御するために、コントローラ１５０が処理チャンバ１００に連結される。コントローラ１５０は、プロセスシーケンスを制御し、かつガスパネル１５８からのガス流を調節するために利用される、中央処理装置（ＣＰＵ）１５２と、メモリ１５４と、サポート回路１５６とを含む。ＣＰＵ１５２は、工業環境で使用され得る任意の形態の汎用コンピュータプロセッサである。ランダムアクセスメモリ、読出専用メモリ、フロッピー若しくはハードディスクドライブ、又はその他の形態のデジタルストレージなどのメモリ１５４に、ソフトウェアルーチンが記憶され得る。サポート回路１５６は、従来方式で、ＣＰＵ１５２に連結されており、キャッシュ、クロック回路、入出力システム、電力供給装置などを含み得る。コントローラ１５０と処理チャンバ１００の様々な構成要素との間の双方向通信は、多数の信号ケーブルを介して取り扱われる。

【0031】

［０００１］図２は、本明細書に記載の一実施形態による、パターニングプロセスのための方法２００のフロー図である。図３Ａ－３Ｉは、同じ実施形態による、構造物３００の断面図である。方法２００は、所望の臨界寸法及びプロファイルを有する、トレンチ、ビア、開口部などのフィーチャを形成するために利用される。かかるフィーチャの寸法は、約１４ｎｍから約２２ｎｍ、例えば、約１８ｎｍである。構造物３００は、フロントエンドプロセス又はバックエンドプロセスでゲート構造、コンタクト構造、又は相互接続構造において利用され得る。あるいは、方法２００は、半導体製造における技術分野において使用される他の種類の構造物をエッチングするために有益に利用され得る。方法２００は、命令を含むコンピュータ可読媒体として、コントローラ１５０に記憶され得るか、アクセス可能であってよく、かかる命令は、コントローラのＣＰＵ１５２によって実行されると、処理チャンバ１００に方法２００を実行させる。

【0032】

［００３４］当業者は、半導体デバイス及び関連する構造物を形成する全プロセスが図示されているわけではなく、本明細書に記載されているわけでもないことを理解すべきである。様々な動作が図示され、本明細書に記載されているが、かかる動作の順序、動作の有無に関しては制限がないことが示唆されている。順を追って示されている、又は記載されている動作は、明示的に示していない限り、説明のためにそのようになっているに過ぎず、それぞれの動作は、全体的にではないまでも少なくとも部分的には、実際に同時に、又は重なるように実行される可能性があることを排除しない。

【0033】

［００３５］方法２００は、動作２１０において、処理チャンバ（図１に示す処理チャンバ１００など）内へ、図３Ａに示す膜積層体３０２を搬送又は提供することによって始まる。一実施形態では、膜積層体３０２は、基板（図示せず）上に垂直に積層された幾つかの層を有する。膜積層体３０２は、半導体製造プロセスで使用される材料の一又は複数の層を含む。例えば、膜積層体３０２は、金属含有誘電体層と、一又は複数のシリコン含有誘電体層とを含む。幾つかの実施形態では、金属含有誘電体層は、４を超える誘電率を有する、高誘電率材料で形成される。高誘電率材料の適切な例としては、とりわけ、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ５）、窒化タンタル（ＴａＮ）、酸窒化タンタル（ＴａＮｘＯｙ、０≦ｘ、ｙ≦１）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、二酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）、酸化ハフニウムシリコン（ＨｆＳｉＯ_４）、酸化ランタン（Ｌａ_２Ｏ_３）、酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ、ＢａＳｒＴｉＯ_３）、チタン酸ビスマスドープされたストロンチウム（Ｂｉ：ＳｒＴｉＯ_３）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ、Ｐｂ［ＺｒｘＴｉ１－ｘ］Ｏ_３、０≦ｘ≦１）が含まれる。シリコン含有誘電体層は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸炭化シリコン（ＳｉＯｘＣｙ、０≦ｘ、ｙ≦１）などから形成され得る。

【0034】

［００３６］基板は、半導体基板、シリコンウエハ、ガラス基板などのうちのいずれかである。基板は、結晶シリコン（例えば、Ｓｉ＜１００＞又はＳｉ＜１１１＞）、酸化シリコン、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコンウエハ及びパターニングされた又はパターニングされていないウエハシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化シリコン、窒化シリコン、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、又はサファイアなどの材料から形成され得る。基板は、様々な寸法（例えば約２００ｍｍ、約３００ｍｍ、約４５０ｍｍ、又はその他の直径）を有し、また、長方形又は正方形のパネルである。

【0035】

［００３７］動作２２０では、図３Ａに示されるように、底部反射防止被覆（ＢＡＲＣ）層３０４が膜積層体３０２上に形成される。幾つかの実施形態では、ＢＡＲＣ層３０４は、ホウ素がドープされたアモルファスカーボンなどの炭素含有材料から作製される。ＢＡＲＣ層３０４は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．によって生産されたＳａｐｈｉｒａ（商標）Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ Ｆｉｌｍ（ＡＰＦ）カーボンハードマスクとすることができる。幾つかの実施形態では、ＢＡＲＣ層３０４は、高密度炭素含有層であり、改善された硬度及び密度などの優れた膜品質を有する。かかる硬度及び密度により、ＢＡＲＣ層３０４が、従来型のスピンオンカーボン（ＳＯＣ）ハードマスクよりも大幅に、金属侵入に対するより強力なバリアとして作用すること、並びに極小不具合を防止及び低減することが可能になる。

【0036】

［００３８］ＢＡＲＣ層３０４は、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス、又はその他の適切な堆積プロセスによって形成され得る。一実施形態では、ＢＡＲＣ層３０４は、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_３Ｈ_６、ＣＨ_４、Ｃ_４Ｈ_８、１，３－ジメチルアダマンタン、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ－２，５－ジエン（２，５－ノルボルナジエン）、アダマンチン（Ｃ１０Ｈ１_６）、ノルボルネン（Ｃ７Ｈ１０）、又はそれらの組み合わせなどの前駆体を含む炭化水素含有混合ガスを使用する化学気相堆積（ＣＶＤ）（プラズマ強化及び／又は熱）プロセスによって形成されたダイヤモンド状カーボン層である。堆積プロセスは、約－５０℃から約６００℃の範囲の温度で実施される。堆積プロセスは、処理チャンバ１００の内部空間１０６内で約０．１ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒの範囲の圧力で実施される。炭化水素含有混合ガスは、膜品質を改善するために、Ｈｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ_２、Ｈ_２、又はそれらの組み合わせなどのキャリアガス、及びＣｌ_２、ＣＦ_４、ＮＦ_３、又はそれらの組み合わせなどのエッチャントガスを更に含み得る。プラズマ（例えば、容量結合プラズマ）は、処理チャンバ１００の頂部及び底部の電極又は側部電極のいずれかから形成され得る。電極は、単一の電力供給電極、二重の（ｄｕａｌ）電力供給電極、又は複数の周波数（例えば、限定されないが、３５０ＫＨｚ、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、４０ＭＨｚ、６０ＭＨｚ、及び１００ＭＨｚ）を有するより多くの電極から形成される可能性があり、ＣＶＤシステムにおいて代替的に又は同時に使用される。

【0037】

［００３９］動作２３０では、図３Ｂに示されるように、ハードマスク層３０６が、ＢＡＲＣ層３０４上に形成される。ハードマスク層３０６は、フォトリソグラフィの技術分野で使用される任意の従来のハードマスクである。ハードマスク層３０６は金属酸化物層であり得る。一実施例では、ハードマスク層３０６のために選択された材料は、リソグラフィ露光プロセス中に、約５ｎｍから約２０ｎｍ、例えば、約１３．５ｎｍの波長を有する極紫外線（ＥＵＶ）放射の反射及び／又は吸収効率に影響を及ぼす。したがって、ハードマスク層３０６の材料を適切に選択することにより、ＥＵＶリソグラフィ露光プロセスの性能が高められる（例えば、リソグラフィ解像度が高まり、欠陥が減少し、フォトレジスト層のプロファイルが制御され、エネルギー線量が低減され、かつ／又は線縁粗さが低減される）。例えば、より高い金属濃度を有する材料は、より高いＥＵＶ放射の吸収係数を提供し、したがって、ハードマスク層３０６は、２９～３２、３７～５１、及び５５～８３など、２８を超える原子番号を有する一又は複数の金属元素を含有する、金属誘電体層などの金属含有材料から形成される。適切な金属元素は、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はそれらの組み合わせを含む。

【0038】

［００４０］更に、金属含有材料中の低濃度のシリコンドーパント及び／又は酸素元素は、自由キャリアを更に増加させ、ＥＵＶ放射の吸収係数を高め、欠陥発生の可能性を低減し得る。ハードマスク層３０６向けの金属含有材料の適切な例としては、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化スズシリコン（ＳｎＳｉＯ）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化インジウムスズ（ＩｎＳｎＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）、一又は複数のこれらの合金、一又は複数のこれらのドーパント、又は、金属元素のケイ素元素若しくは酸素元素に対する比（金属：Ｓｉ／Ｏ）が約８０：１／１９から約９０：１／９を有するこれらの任意の組み合わせが含まれる。ハードマスク層３０６の金属含有材料は、約５ｎｍから約２０ｎｍの範囲の波長を有するＥＵＶ放射のもとでは、約１×１０^５（ｃｍ_２／ｍｏｌ）を超えるＥＵＶ吸収断面積を有し得る。ハードマスク層３０６は、約１０Åから約５００Å、例えば、約２０Åから約２００Å、例えば、約５０Åから約１００Åの厚さを有する。

【0039】

［００４１］幾つかの実施形態では、ハードマスク層３０６は、複数の層を含む。これらの実施形態では、ハードマスク層３０６は、異なる金属含有材料から形成される複数の層を有する。複数の層のための金属含有材料の選択は、金属含有材料の異なる吸収係数に基づく。例えば、高～低、低～高、又は交互の高及び低吸収係数を有する複数の層が、リソグラフィ露光プロセス中にＥＵＶ放射の反射を高めるように順次形成される。一又は複数の実施例では、複数の層のうちの１つのために選択された金属元素は、２８を超える、例えば３５を超える原子番号を有し、別のものは、２８よりも小さい原子番号を有し得る。

【0040】

［００４２］幾つかの実施形態では、ハードマスク層３０６は二重層構造物を含み、この二重層構造物は、２８を超える（例えば２９～３２、３７～５１、及び５５～８３）原子番号を有する金属元素を含有する第１部分（例えば上側部分又は上側層）と、２８よりも小さい（例えば３～８、１１～１６、及び１９～２７）原子番号を有する元素を含有する第２部分（例えば下側部分又は下側層）とを有する。

【0041】

［００４３］幾つかの実施形態では、ハードマスクは、勾配として形成され、この勾配層では、ハードマスク層３０６のバルク膜体に沿って異なる吸収係数を提供するよう、ハードマスク層３０６内の金属元素とケイ素元素及び／又は酸素元素との比率が異なっている。例えば、ハードマスク層３０６の金属元素濃度は、ハードマスク層３０６の厚さが増大すると共に、漸進的に増大するか、又は減少する。あるいは、ハードマスク層３０６の二重層構造物又は複数の層の、各層が勾配層である。例えば、ハードマスク層３０６の二重層構造物において、ハードマスク層３０６の上側部分が、相対的に高い金属元素濃度を伴って（又は、金属Ｓｎ層などの純金属層を伴うことすらある）、低抵抗を有する一方、ハードマスク層３０６の下側部分は、高濃度のケイ素及び／又は酸素を有する。

【0042】

［００４４］ハードマスク層３０６は、ハードマスクを形成するために当技術分野で使用される任意の従来のプロセスによって形成される。例えば、ハードマスク層３０６は、ＣＶＤプロセス、ＰＶＤプロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス、スピンオンコーティングプロセス、スプレーコーティングプロセス、又はその他の適切な堆積プロセスを使用して形成される。幾つかの実施形態では、ハードマスク層３０６を形成するプラズマＣＶＤ又はＰＶＤプロセス中に、キャリアガス及び／又はＸｅ若しくはＫｒなどの比較的高い原子量を有する不活性ガスが流される。ハードマスク層３０６の形成中のプロセス領域の温度は、約－５０℃から約２５０℃である。プロセス領域の比較的低い温度（例えば、約２５０℃未満）は、ハードマスク層３０６を形成しつつ、比較的遅い堆積速度でハードマスク層３０６を形成するのを支援し、比較的滑らかな表面を有する膜表面を与え得ると考えられる。

【0043】

［００４５］動作２４０では、図３Ｃに示されるように、フォトレジスト層３０８が、ハードマスク層３０６上に形成される。本明細書に記載の実施形態では、フォトレジスト層３０８は、有機リガンドを含む有機金属材料で形成される。例えば、有機金属材料は、金属がオキソリガンド（Ｏ_２ ^－）及びヒドロキソリガンド（ＯＨ^－）と、また有機リガンドと、又は有機リガンドを有する多核金属オキソ／ヒドロキソ種と結合しているポリマー金属オキソ／ヒドロキソネットワークから形成される。

【0044】

［００４６］フォトレジスト層３０８は、フォトレジストを生み出すために当技術分野で使用される任意の従来の方法によって形成される。例えば、フォトレジスト層３０８は、有機溶媒中に有機リガンドを有する金属オキソヒドロキソカチオンを含む前駆体溶液を使用して、ＣＶＤプロセス、ＰＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス、スピンオンコーティングプロセス、スプレーコーティングプロセス、又はその他の適切な堆積プロセスによって形成される。本明細書における金属（Ｍ）オキソヒドロキソカチオンは、水溶液中で水素イオン（Ｈ^－）の放出を伴って、酸素原子（Ｏ）に結合してオキソリガンド（Ｏ_２ ^－）及び／又はヒドロキソリガンド（ＯＨ^－）を形成する一又は複数のＭイオンを指す。Ｍオキソヒドロキソカチオンは、有機リガンドに更に結合して、一又は複数の金属炭素（Ｍ－Ｃ）リガンド結合及び／又は金属カルボン酸塩（Ｍ－Ｏ_２Ｃ）リガンド結合を形成する。金属オキソ／ヒドロキソカチオンの形成に適切なＭには、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、及びインジウム（Ｉｎ）などの第１３族、第１４族、及び第１５族金属が含まれる。更なる金属、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ａｓ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｌｕ、又はそれらの組み合わせを前駆体溶液中で混ぜ合わせて、より複雑な多核金属オキソ／ヒドロキソカチオン（すなわち、２つ以上の金属原子を含む）を発生させることができる。追加の金属は、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、及び／又はインジウム（Ｉｎ）の代替物又は追加物であり得る。金属イオンのブレンドが使用される場合、スズ／アンチモン／インジウム金属イオン当たりの非スズ／アンチモン／インジウムイオンのモル比は、一実施例では最大約１であり、他の実施例では約０．１から約０．７５である。幾つかの実施形態では、スズ（Ｓｎ）又はインジウム（Ｉｎ）を前駆体溶液中で使用して、約１３．５ｎｍの波長でＥＵＶの強力な吸収を有するフォトレジスト層を形成し、有機リガンドと組み合わせて、約１９３ｎｍの波長で紫外線（ＵＶ）放射の良好な吸収を形成する。幾つかの実施形態では、Ｈｆは、電子ビーム材料及びＥＵＶ放射の良好な吸収を提供するために使用される。幾つかの実施形態では、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、又はそれらの組み合わせを含む一又は複数の金属組成物を加えて、吸収端をより長い波長に移動させて、約２４８ｎｍの波長でＵＶ放射に対する感受性を提供する。

【0045】

［００４７］有機リガンドは、アルキル（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ｔ－ブチル、アリール（フェニル、ベンジル））、アルケニル（例えば、ビニル、アリル）、及びカルボン酸塩（例えば、アセテート、プロパノエート、ブタノエートベンゾエート）を含み得る。前駆体溶液中の金属オキソヒドロキソカチオンの濃度に対する有機リガンドの濃度の比は、一実施例では約０．２５から約４であり、別の実施例では約０．５から約３．５であり、別の実施例では約０．７５から約３であり、他の実施例では約１から約２．７５である。当業者は、上記の明示的な範囲内の有機リガンド濃度の更なる範囲が想定され、本開示の範囲内であることを理解するであろう。

【0046】

［００４８］有機溶媒は、アルコール、エステル、又はそれらの組み合わせを含み得る。幾つかの実施形態では、有機溶媒は、芳香族化合物（例えば、キシレン、トルエン）、エステル（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸エチル、乳酸エチル）、アルコール（例えば、４－メチル－２－ペンタノール、１－ブタノール、アニソール）、ケトン（例えば、メチルエチルケトン）などを含む。

【0047】

［００４９］幾つかの実施形態では、堆積したフォトレジスト層３０８は、約１ｎｍから約１μｍ、例えば約８ｎｍから約１３ｎｍの厚さを有する。

【0048】

［００５０］動作２５０では、図３Ｄに示されるように、膜積層体３０２内に形成されるべき所望の臨界寸法及びプロファイルを有する、トレンチ、ビア、開口部などのフィーチャを含む選択されたパターンにしたがって、フォトレジスト層３０８が放射線に露光される。選択されたパターンは、フォトレジスト層３０８内の対応するパターン又は潜像に、照射領域及び非照射領域で転写される。放射線に露光されると、フォトレジスト層３０８は放射線を吸収し、その結果、フォトレジスト層３０８の照射された領域内の金属と有機リガンドとの間の結合（すなわち、Ｍ－Ｃリガンド結合及び／又はＭ－Ｏ_２Ｃリガンド結合）を切断するエネルギーをもたらす。この結合の切断は、Ｍ－ＯＨリガンド結合の形成を介して、又はＭ－Ｏ－Ｍリガンド結合を形成する縮合を介して、フォトレジスト層３０８の照射領域における組成変化につながり得る。

【0049】

［００５１］十分な量の放射線の吸収により、有機リガンドを有さないか又は実質的に有さないフォトレジスト層３０８の照射領域と、有機リガンドが損なわれていないフォトレジスト層３０８の非照射領域との間に材料特性のコントラストが存在する。例えば、有機リガンドを有するフォトレジスト層３０８の非照射領域は比較的疎水性であり、有機リガンドを有さないフォトレジスト層３０８の照射領域は、フォトレジスト層３０８の非照射領域よりも疎水性が低い（すなわち、より親水性である）。このコントラストを使用して、フォトレジスト層３０８は、適切な現像剤によるポジ調パターニング（照射された領域が現像剤に可溶になる）及びネガ調パターニング（照射された領域が現像剤に不溶になる）を提供する。

【0050】

［００５２］放射線は、電磁放射線、電子ビーム、又はその他の適切な放射線を含む。放射線は、マスク３１０を介してフォトレジスト層３０８に向けられる。別の実施形態では、放射線ビームは、フォトレジスト層３０８にわたって制御可能に走査される。電磁放射は、下にある膜積層体３０２をパターニングする所望の空間解像度に応じて、可視放射、ＵＶ放射（約１０ｎｍから約１２１ｎｍのＥＵＶ放射を含む、約１００ｎｍから約４００ｎｍの、及び約１２２ｎｍから約２００ｎｍの遠紫外線（ＦＵＶ）放射）、又はｘ線放射（約０．１ｎｍから約１０ｎｍの軟ｘ線を含む）などの任意の所望の波長又は波長範囲を有する。より高い解像度のパターンは、ＵＶ放射、ｘ線放射、又は電子ビームなどの、より短い波長の放射によって達成される。例えば、高エネルギーレーザ又は放電パルスを使用して励起されたＸｅ又はＳｎプラズマ源から生成するＥＵＶ放射は、約１３．５ｎｍでリソグラフィに使用される。幾つかの実施形態では、コントラストは、照射後熱処理によって高められる。

【0051】

［００５３］動作２６０では、フォトレジスト層３０８は、図３Ｅに示されるように、選択されたパターンにしたがってフォトレジスト層３０８をパターニングするために現像される。パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａは、エッチングのために下にあるハードマスク層３０６の表面３１４を露出する開口部３１２を画定する。

【0052】

［００５４］照射されたフォトレジスト層３０８を現像し、フォトレジスト層３０８の非照射領域を除去して（すなわち、ネガ調パターニング）、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａを形成するための現像剤は、前駆体溶液に使用される溶媒などの有機溶媒を含み得る。幾つかの実施形態では、適切な現像剤には、芳香族化合物（例えば、ベンゼン、キシレン、トルエン）、エステル（例えば、プロピレングリコールモノメチルエステルアセテート、酢酸エチル、乳酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ブチロラクトン）、アルコール（例えば、４－メチル－２－ペンタノール、１－ブタノール、イソプロパノール、アニソール）、ケトン（例えば、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン）、エーテル（例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン）などが含まれる。現像は、一実施例では約５秒から約３０分間、例えば約８秒～約１５分間、又は約１０秒から約１０分間実行される。

【0053】

［００５５］幾つかの実施形態では、現像剤には、現像プロセスを容易にする、例えば、コントラスト、感受性及びＬＷＲを改善する、並びに金属酸化物粒子の形成及び沈殿を抑制する、追加の組成物が含まれる。適切な添加物には、例えば、アンモニウム、ｄ－ブロック金属カチオン（ハフニウム、ジルコニウム、ランタンなど）、ｆ－ブロック金属カチオン（セリウム、ルテチウムなど）、ｐ－ブロック金属カチオン（アルミニウム、スズなど）、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウムなど）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるカチオンとの溶解塩、並びにフッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩、過酸化物、ブトキシド、ギ酸塩、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、タングステン酸塩、モリブデン酸塩など、及びそれらの組み合わせからなる群から選択されるアニオンとの溶解塩が含まれる。他の潜在的に有用な添加物には、例えば、分子キレート剤、例えば、ポリアミン、アルコールアミン、アミノ酸、又はそれらの組み合わせが含まれる。任意の添加物が存在する場合、現像剤は、一実施例では約１０重量％以下の添加物を含み、別の実施例では約５重量％以下の添加物を含む。当業者は、上記の明示的な範囲内の添加物濃度の追加の範囲が想定され、本開示の範囲内であることを理解するであろう。

【0054】

［００５６］現像剤は、当技術分野で使用される任意の従来の方法を使用して、照射されたフォトレジスト層３０８に塗布される。例えば、現像剤は、スピンオンコーティングプロセス、スプレーコーティングプロセス、又はその他の適切なコーティングプロセスを使用して塗布される。幾つかの実施形態では、現像プロセスを完了するために、スピンリンス及び／又は乾燥が実行される。適切なリンス溶液には、超純水、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、及びそれらの組み合わせが含まれる。

【0055】

［００５７］幾つかの実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａは、材料を更に凝縮し、材料を更に脱水するように処理される。幾つかの実施形態では、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａは、約１００℃から約６００℃、例えば約１７５℃から約５００℃、又は例えば約２００℃から約４００℃の温度に加熱される。加熱は、少なくとも約１分間、例えば約２分間から約１時間、又は例えば約２．５分間から約２５分間実行される。加熱は、空気、真空、又は不活性ガス周囲環境中で実行され得る。不活性ガス周囲環境は、アルゴンガス（Ａｒ）及び／又は窒素ガス（Ｎ_２）を含み得る。当業者は、上記の明示的な範囲内の熱処理のための温度及び時間の追加の範囲が想定され、本開示の範囲内であることを理解するであろう。

【0056】

［００５８］幾つかの実施形態では、隣り合う構造物の隣接した線状セグメントは、約６０ｎｍ未満（例えば、約５０ｎｍ未満、又は約４０ｎｍ未満）の平均的なピッチを有し得る。

【0057】

［００５９］動作２７０では、図３Ｆに示されるように、ハードマスク層３０６のエッチング前に、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａ上にパッシベーション層３１６が選択的に形成される。パッシベーション層３１６は、炭素含有材料から形成される。パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａ上に、ＰＶＤチャンバ内に堆積混合ガスを供給することによって、又はエッチングチャンバ内にその場で、パッシベーション層３１６が形成され得る。本明細書に記載の実施形態では、パッシベーション層３１６は、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａの側壁３２０又はハードマスク層３０６の露出面３１４ではなく、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａの上面３１８上に主に形成される。したがって、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａによって画定された開口部３１２のプロファイル（例えば、寸法及び形状寸法）が不変に維持され、これにより、プロファイルの変化を伴わないハードマスク層３０６への開口部３１２の転写が容易になる。

【0058】

［００６０］理論に束縛されるものではないが、炭素原子は、金属と有機リガンドとの間の結合（すなわち、Ｍ－Ｃリガンド結合及び／又はＭ－Ｏ_２Ｃリガンド結合）の切断のため、Ｍ－ＯＨリガンド結合及びＭ－Ｏ－Ｍリガンド結合を有するフォトレジスト層３０８の上面３１８（すなわち、照射領域）に結合すると考えられる。パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａの側壁３２０は、有機リガンドを有する非照射フォトレジスト層３０８の組成物を損なわずに維持し、したがって、炭素原子が結合され得るＭ－ＯＨリガンド結合及びＭ－Ｏ－Ｍリガンド結合を含有しない。ハードマスク層３０６の露出面３１４もまた、Ｍ－ＯＨリガンド結合及びＭ－Ｏ－Ｍリガンド結合を含有せず、したがって、炭素原子は、ハードマスク層３０６の露出面３１４に結合しない。

【0059】

［００６１］幾つかの実施形態では、堆積混合ガスは、一酸化炭素（ＣＯ）又はメタン（ＣＨ_４）などの炭素含有ガスを含む。堆積混合ガスは、約４００Ｗから約６００Ｗ、例えば約５００Ｗのソース電力を印加しつつ堆積し得る。動作２７０は、約７秒など、約１秒から約２０秒の期間実行され得る。チャンバ圧力は、約１ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒ、例えば約１０ｍＴｏｒｒに維持され得る。

【0060】

［００６２］上述のように、ハードマスク層３０６は、スズ（Ｓｎ）などの金属元素を含む材料で形成され、フォトレジスト層３０８も、スズ（Ｓｎ）などの金属元素を含む材料で形成され、ハードマスク層３０６とフォトレジスト層３０８との間のエッチング選択性の乏しさにつながる。したがって、その上に配置されたフォトレジスト層３０８を有するハードマスク層３０６がエッチングされる場合、ハードマスク層３０６内でエッチングされた開口部のプロファイルの制御が不正確となり、最終的にはデバイス不具合につながり得る。パターニングされたフォトレジスト層３０８Ｂは、その上に配置されたパッシベーション層３１６を有し、ハードマスク層３０６より高いエッチング選択性を有し、ハードマスク層３０６においてエッチングされた開口部のプロファイルのより高い精度の制御につながる。

【0061】

［００６３］一実施形態では、動作２７０は、２つの副動作２７０Ａ、２７０Ｂを含む。副動作２７０Ａでは、パッシベーション材料３１７は、図４Ａに示されるように、上面３１８上に選択的堆積される。図示のように、パッシベーション材料３１７は、望ましくない部分３１６Ａと、所望の部分３１６Ｂとを含む。所望の部分３１６Ｂは、動作２７０の完了後に上面３１８の上に残ることが望ましい。望ましくない部分３１６Ａは、動作２７０の完了後に除去されることが望ましい。例えば、所望の部分３１６Ｂは、長方形などのパッシベーション層３１６の所望の形状に形成されるが、望ましくない部分３１６Ａは、パッシベーション材料３１７が円形又は他の非長方形の形状を有するように膨れ出る。しかし、本開示はそれほど自己限定的ではなく、パッシベーション材料３１７を望ましくない形状にする任意の望ましくない部分３１６Ａが、本明細書の開示によってカバーされ得る。副動作２７０Ａは、動作２７０の説明について上述したように実行され得る。

【0062】

［００６４］副動作２７０Ｂでは、図４Ｂに示されるように、望ましくない部分３１６Ａが除去される。望ましくない部分３１６Ａは、所望の部分３１６Ｂが残るように除去される。望ましくない部分３１６Ａは、エッチング手順を使用して除去される。一実施例では、望ましくない部分は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を使用して除去される。別の実施例では、望ましくない部分３１６Ａは、望ましくない部分３１６Ａの大表面部分を優先的に攻撃するラジカルエッチングを使用して除去される。例えば、望ましくない部分３１６Ａの比較的大きな表面積は、比較的小さな表面積を有する所望の部分３１６Ｂと比較して望ましくない部分のエッチング速度を増加させる。

【0063】

［００６５］幾つかの実施形態では、ラジカルエッチングはエッチングガスを含む。エッチングガスには、ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_４Ｆ_８、ＣｘＦｙＨｚ（ここで、ｘ、ｙ、及びｚは任意の整数である）、Ｈ_２、Ｎ_２、Ｏ_２、及びそれらの任意の組み合わせ、例えば、ＣＨ_４及びＮ_２、又はＨ_２及びＯ_２、又はＣＨ_４及びＨ_２が含まれる。フッ素含有ガスを含むエッチングガスは、水素含有ガスよりも、横方向（すなわち、上面３１８に平行な方向）により迅速にエッチングすることが有利に見出された。幾つかの実施形態では、ラジカルエッチングは、約１：１から約１：１０のＣＦ_４対約Ｎ_２の流量比、例えば、約１：６の比を含む。ラジカルエッチングは、約５００Ｗから約１５００Ｗ、例えば約１０００Ｗのソース電力をエッチングガスに印加することを含む。動作２７０は、約７秒など、約１秒から約２０秒の期間実行され得る。チャンバ圧力は、約１ｍＴｏｒｒから約３０ｍＴｏｒｒ、例えば約２０ｍＴｏｒｒに維持され得る。

【0064】

［００６６］副動作２７０Ａ、２７０Ｂは、パッシベーション層３１６が所望の形状及び寸法（例えば、パッシベーション層３１６の高さ）になるまで、何度でも繰り返され得る。例えば、副動作２７０Ａ、２７０Ｂは５回繰り返され得る。ＬＷＲは、約２．５ｎｍ未満、例えば約１．５ｎｍ未満に低減され得る。副動作２７０Ａ、２７０Ｂサイクル数は、パッシベーション層３１６の所望の高さ及びＬＷＲに調整され得る。

【0065】

［００６７］動作２８０では、ハードマスク層３０６は、図３Ｇに示されるように、エッチングされて、パターニングされたフォトレジスト層３０８Ａの開口部３１２をハードマスク層３０６へ転写する。パターニングされたハードマスク層３０６Ａは、エッチングのために、下にあるＢＡＲＣ層３０４の表面３２４を露出する開口部３２２を画定する。一又は複数の実施例では、動作２８０におけるエッチングプロセスは、基板支持ペデスタルアセンブリ１４８の温度を室温（例えば約２３℃）から約１５０℃に維持しつつ、エッチング混合ガスを処理チャンバ１００内に供給することによって実行される。

【0066】

［００６８］幾つかの実施例では、エッチング混合ガスは、少なくとも１つのハロゲン含有ガスを含む。ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガス、塩素含有ガス、又は臭化物含有ガスを含み得る。ハロゲン含有ガスの適切な例としては、ＳＦ_６、ＳｉＣｌ_４、Ｓｉ_２Ｃｌ_６、ＮＦ_３、ＨＢｒ、Ｂｒ_２、ＣＨＦ_３、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ、Ｃ_４Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＨＣｌ、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃｌ_２、ＨＦ、ＣＣｌ_４、ＣＨＣｌ_３、ＣＨ_２Ｃｌ_２、及びＣＨ_３Ｃｌが含まれる。幾つかの実施例では、エッチング混合ガス中にケイ素含有ガスも供給され得る。ケイ素含有ガスの適切な例には、ＳｉＣｌ_４、Ｓｉ_２Ｃｌ_６、ＳｉＨ_４、Ｓｉ_２Ｈ_６などが含まれる。塩素含有ガスの例としては、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、ＣＨＣｌ_３、ＣＨ_２Ｃｌ_２、ＣＨ_３Ｃｌ、ＳｉＣｌ_４、Ｓｉ_２Ｃｌ_６などが含まれ、臭化物含有ガスの例としては、ＨＢｒ、Ｂｒ_２などが含まれる。反応性ガス（例えば、Ｏ_２、Ｎ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏなどの酸素含有ガス又は窒素含有ガス）も、必要に応じて、エッチング混合ガス中に供給され得る。一実施例では、エッチング混合ガスは、ＨＢｒ、ＣＨ_４、及びＡｒを含む。ＨＢｒ／ＣＨ_４／Ａｒの流量は、約５：４：２０などの、約１：１：１から約２：１：１０である。

【0067】

［００６９］一又は複数の実施例では、ハードマスク層３０６をエッチングするために使用されるハロゲン含有ガスは、塩素含有ガス又は臭化物含有ガスを含む。処理チャンバ内にエッチング混合ガスを供給している間、必要に応じて、不活性ガスがエッチング混合ガス中に供給されて、プロファイル制御を支援し得る。混合ガス中に供給される不活性ガスの例としては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどが含まれる。特定の一実施例では、金属含有材料（例えば、Ｓｎ／ＳｎＯ／ＳｎＳｉＯ層）などのハードマスク層３０６をエッチングするのに利用されるエッチング混合ガスは、ＨＢｒ、Ｃｌ_２、Ａｒ、Ｈｅ、又はこれらの組み合わせを含む。

【0068】

［００７０］エッチング中、エッチング混合ガスのチャンバ圧力も調節される。プラズマ処理チャンバ内のプロセス圧力は、約２ｍＴｏｒｒから約１００ｍＴｏｒｒ（例えば約３ｍＴｏｒｒから約２０Ｔｏｒｒ、例えば約６ｍＴｏｒｒ）に調節される。エッチング混合ガスの存在下で、必要に応じて、連続モード又はパルスモードから形成されるプラズマを維持するために、ＲＦバイアス電力が印加され得る。例えば、エッチングチャンバ内部のプラズマを維持するために、約１３．５６ＭＨｚの周波数を有するＲＦ電源が、約２００Ｗから約１０００Ｗ（例えば約５００Ｗ）のエネルギーレベルで、誘導結合されたアンテナ源に印加される。加えて、ＲＦバイアス電力は、約５００Ｗ未満、例えば、約０Ｗから約４５０Ｗ、例えば、約１５０Ｗに印加される。ＲＦバイアス電力は、約２ＭＨｚから約１３．５６ＭＨｚの周波数で印加される。

【0069】

［００７１］一実施例では、ＲＦバイアス電力及びＲＦ電源は、動作２８０におけるエッチング中に、処理チャンバ１００内にパルス供給される。ＲＦバイアス電力及びＲＦ電源のパルス状は、互いに同期又は非同期され得る。例えば、ＲＦバイアス電力をパルス供給する前に、ＲＦ電源が処理チャンバにパルス供給される。例えば、ＲＦバイアス電力は、ＲＦ電源と同期した、又はＲＦ電源に対して時間遅延を有する、パルスモードである。一又は複数の実施例では、ＲＦ電源及びＲＦバイアス電力は、各デューティサイクルの約５％から約７５％でパルス供給される。各時間単位間の各デューティサイクルは、約０．１ミリ秒（ｍｓ）から約１０ｍｓである。

【0070】

［００７２］動作２８０において供給されるエッチング混合ガスの一実施例では、Ｏ_２ガスが、約０ｓｃｃｍから約５０ｓｃｃｍの速度で、チャンバ内に供給される。．ハロゲン含有ガス（例えばＨＢｒ）は、約２５ｓｃｃｍから約２５０ｓｃｃｍの（例えば約１００ｓｃｃｍの）流量で供給され得る。

【0071】

［００７３］動作２９０では、ＢＡＲＣ層３０４は、図３Ｈに示されるように、エッチングされて、パターニングされたハードマスク３０６Ａの開口部３２２をＢＡＲＣ層３０４へ転写する。パターニングされたＢＡＲＣ層３０４Ａは、下にある膜積層体３０２の表面３２８を露出する開口部３２６を画定する。動作２９０において、ＢＡＲＣ層３０４をエッチングするために利用されるエッチング混合ガスは、動作２８０においてハードマスク層３０６をエッチングするために利用されたエッチング混合ガスとは同じものであり得る。あるいは、動作２９０において、ＢＡＲＣ層３０４をエッチングするために利用されるエッチング混合ガスは、動作２８０においてハードマスク層３０６をエッチングするために利用されたエッチング混合ガスとは異なる。一又は複数の実施例では、動作２９０において、ＢＡＲＣ層３０４をエッチングするために利用されるエッチング混合ガスは、塩素含有ガス（ＨＣｌガス又はＣｌ_２ガスなど）を含む。一実施例では、エッチング混合ガスは、Ｏ_２、ＣＨ_４、及びＮ_２を含む。Ｏ_２／ＣＨ_４／Ｎ_２の流量は、約１：１：７などの、約１：１：１から約１：１：１０である。

【0072】

［００７４］ＢＡＲＣ層３０４内に開口部３２６が形成された後、図３Ｉに示されるように、パッシベーション層３１６の残部があればそれを除去するために、スカム除去又は剥離（ｓｔｒｉｐ）のプロセスが実行され得る。開口部３２６の膜積層体３０２内への転写を継続し、トレンチ、ビア、開口部などの、所望の臨海寸法及びプロファイルを有するフィーチャを含む選択されたパターンを、膜積層体３０２内に形成するために、更なるエッチングプロセス又はパターニングプロセスが実行され得ることが留意される。

【0073】

［００７５］本明細書に記載の実施形態では、その上に選択的に配置された炭素含有パッシベーション層を有する金属含有フォトレジスト層を形成するための方法が提供され、この層は、下にある金属含有ハードマスク層からの高いエッチング選択性を有し、ハードマスク層にエッチングされた開口部のプロファイルのより高い精度の制御につながる。したがって、高度の解像度、低いエネルギー線量、良好なフォトレジストプロファイル制御、及び低い線縁粗さなどの、リソグラフィ露光精度が、高められ得る。

【0074】

［００７６］特定の実施形態及び特徴は、数値の上限のセット及び数値の下限のセットを使用して記載されている。別途指示されない限り、任意の２つの値の組み合わせ（例えば、任意の下方値と任意の上方値との組み合わせ、任意の２つの下方値の組み合わせ、及び／又は任意の２つの上方値の組み合わせ）を含む範囲が想定されると、理解すべきである。以下の一又は複数の請求項には、特定の下限、上限、及び範囲が記載されている。

【図1】

【図2】

【図3A-3F】

【図3G-3I】

【図4A-4B】

【手続補正書】

【提出日】2024-05-13

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ハードマスク層をエッチングするための方法であって、
パターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
第１のチャンバ内において、繰り返し処理で、前記パターニングされたフォトレジスト層の上面の上に選択的に堆積された炭素含有材料を含むパッシベーション層を形成することであって、当該パッシベーション層を形成することが、
前記第１のチャンバ内で、前記上面の上にパッシベーション材料を選択的に堆積させること、及び
前記第１のチャンバ内で、前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすること
を含む、パッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層が上に形成された前記パターニングされたフォトレジスト層によって露出された前記ハードマスク層をエッチングすることと
を含む、方法。

【請求項2】

前記パターニングされたフォトレジスト層の側壁は、前記上面の上にパッシベーション材料を選択的に堆積させるとき、前記パッシベーション材料を含まない、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

繰り返しの数を増加させることにより、マスク高さも増大させられる、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記パッシベーション層を形成することは、
選択的堆積処理とトリミング処理の実行される回数で、マスク高さを決定すること
を更に含む、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記パターニングされたフォトレジスト層は、一又は複数の金属元素及び有機リガンドを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項6】

前記一又は複数の金属元素が、スズ（Ｓｎ）を含む、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記望ましくない部分をトリミングすることが、前記パッシベーション材料をラジカルエッチングに曝露することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

前記パッシベーション層を形成することが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

膜積層体をエッチングするための方法であって、
ハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層上に金属材料を含むフォトレジスト層を形成することと、
前記フォトレジスト層をパターニングすることと、
繰り返し処理で、パターニングされた前記フォトレジスト層の上面の上に炭素含有材料を含むパッシベーション層を選択的に形成することであって、当該パッシベーション層を形成することが、
第１のチャンバ内で、前記上面の上にパッシベーション材料を選択的に堆積させること、及び
前記第１のチャンバ内で、前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすること
を含む、パッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層が上に形成された前記パターニングされたフォトレジスト層によって露出された前記ハードマスク層をエッチングして、パターニングされたハードマスク層を形成することと、
前記パターニングされたハードマスク層によって露出された前記膜積層体をエッチングすることと
を含む、方法。

【請求項10】

前記パターニングされたフォトレジスト層の側壁は、前記上面の上にパッシベーション材料を選択的に堆積させるとき、前記パッシベーション材料を含まない、請求項９に記載の方法。

【請求項11】

繰り返しの数を増加させることにより、マスク高さも増大させられる、請求項９に記載の方法。

【請求項12】

前記金属材料は、一又は複数の金属元素及び有機リガンドを含む、請求項９に記載の方法。

【請求項13】

前記一又は複数の金属元素が、スズ（Ｓｎ）を含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記有機リガンドは、アルキル、アルケニル、及びカルボン酸塩からなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。

【請求項15】

前記パッシベーション層を形成することが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項９に記載の方法。

【請求項16】

前記ハードマスク層が、スズ（Ｓｎ）を含む、請求項９に記載の方法。

【請求項17】

前記ハードマスク層の金属含有材料は、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化ケイ素スズ（ＳｎＳｉＯ）、酸化タンタル（ＴａＯ）、酸化スズインジウム（ＩｎＳｎＯ）、酸化亜鉛ガリウムインジウム（ＩＧＺＯ）、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

繰り返し処理でパッシベーション層を形成するための方法であって、
第１のチャンバ内で、パターニングされたフォトレジスト層の上面の上にパッシベーション材料を選択的に堆積させることと、
前記第１のチャンバ内で、前記パッシベーション材料の望ましくない部分をトリミングすることであって、前記パッシベーション層が炭素含有材料を含む、望ましくない部分をトリミングすることと
を含む、方法。

【請求項19】

前記パッシベーション材料を選択的に堆積させることと、前記パッシベーション材料の前記望ましくない部分をトリミングすることとが、同じチャンバ内で、それぞれ２回以上繰り返される、請求項１８に記載の方法。

【請求項20】

前記望ましくない部分をトリミングすることが、Ｎ_２を含むエッチングガスを有するラジカルエッチングに前記パッシベーション材料を曝露することを含む、請求項１９に記載の方法。

【請求項21】

前記パッシベーション材料を選択的に堆積させることが、ＣＯガスを含む堆積ガスを前記パターニングされたフォトレジスト層上に供給することを含む、請求項１８に記載の方法。

【外国語明細書】