特開 2024-105501 基板処理装置、及び基板処理方法。

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024105501

(43)【公開日】2024-08-06

(54)【発明の名称】基板処理装置、及び基板処理方法。

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240730BHJP

   B05C 11/00 20060101ALI20240730BHJP

   B05C 11/10 20060101ALI20240730BHJP

   B05D 3/00 20060101ALI20240730BHJP

   B05D 3/06 20060101ALI20240730BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 564C

H01L21/30 562

B05C11/00

B05C11/10

B05D3/00 B

B05D3/00 D

B05D3/06 Z

【審査請求】有

【請求項の数】22

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024077444

(22)【出願日】2024-05-10

(62)【分割の表示】P 2020128629の分割

【原出願日】2020-07-29

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002756

【氏名又は名称】弁理士法人弥生特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】東 広大

(72)【発明者】

【氏名】林 聖人

(72)【発明者】

【氏名】野口 耕平

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板に供給される液体が通流する供給路における異物を光学的に検出する基板処理装置について、より多く種類の液体に適用可能とする。
【解決手段】基板に供給される液体が通流する供給路と、投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向けて近赤外線である光が照射された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板に供給される液体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向けて近赤外線である光が照射された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
光源と、
前記光源から前記流路形成部へ向かう光路を形成する前段側光路形成部と、
前記前段側光路形成部が備えると共に前記投光部をなし、前記光源からの光を反射させる反射部と、
を備える基板処理装置。

【請求項2】

前記反射部は、反射防止膜を備え、
前記反射防止膜に向けて前記光源からの光が照射される請求項１記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記流路形成部には、前記反射部から当該流路形成部に向かう光が通過する反射防止膜が設けられる請求項１または２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記流路形成部には、前記反射部で反射して当該流路形成部を通過した光が通過する反射防止膜が設けられる請求項１ないし３のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記反射部で反射して前記流路形成部を通過した光を撮像するカメラが設けられる請求項１ないし４のいずれか一つに記載の記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記カメラによる撮像で取得された画像データに基づいて異常の判定を行う制御部が設けられる請求項５記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部による前記判定に従って異常を報知する報知器が設けられる請求項６記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記受光部が前記流路形成部から発せられる光として散乱光を受光するように、前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられる請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記流路形成部において前記投光部から照射される光が集光されて前記散乱光を発生させるための反応領域を透過した透過光の光路をなす後段側光路形成部が設けられ、
当該後段側光路形成部は反射防止膜を備える請求項８記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記後段側光路形成部は、前記透過光を検出するための透過光検出部または当該透過光を吸光するための吸光部へ、当該透過光を導光する請求項９記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記流路形成部から発せられた光を前記受光部に導光する受光側光路形成部が設けられ、
当該受光側光路形成部はバンドパスフィルタを含み、当該バンドパスフィルタの通過帯域は、前記投光部から照射される光のピーク波長を含む請求項８ないし１０のいずれか一つに記載の基板処理装置。

【請求項12】

基板に供給される液体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向けて近赤外線である光が形成された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
光源と、
前記光源から前記流路形成部へ向かう光路を形成する前段側光路形成部と、
を備える基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
前記投光部をなし、前記前段側光路形成部が備える反射部により前記光源からの光を反射させて、前記流路形成部に向かう光を形成する工程と、
前記流路形成部に向かう光が形成された結果として当該流路形成部から発せられた光を受光部に受光させる工程と、
前記受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出する工程と、
を備える基板処理方法。

【請求項13】

前記反射部に設けられる反射防止膜に向けて前記光源から光を照射する工程を含む請求項１２記載の基板処理方法。

【請求項14】

前記反射部から前記流路形成部に向かう光を、当該流路形成部に設けられる反射防止膜を通過させる工程を備える請求項１２または１３記載の基板処理方法。

【請求項15】

前記反射部で反射して前記流路形成部を通過した光を、当該流路形成部に設けられる反射防止膜を通過させる工程を備える請求項１２ないし１４のいずれか一つに記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記反射部で反射して前記流路形成部を通過した光をカメラにより撮像する工程を備える請求項１２ないし１５のいずれか一つに記載の記載の基板処理方法。

【請求項17】

制御部により、前記カメラによる撮像で取得された画像データに基づいて異常の判定を行う工程を備える請求項１６記載の基板処理方法。

【請求項18】

前記制御部による前記判定に従って、報知器による異常の報知を行う工程を備える請求項１７記載の基板処理方法。

【請求項19】

前記異物検出ユニットにおける前記投光部及び前記受光部は、前記流路形成部を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられ、
前記受光部に前記流路形成部から発せられる光として散乱光を受光させる工程を含む請求項１２ないし１８のいずれか一つに記載の基板処理方法。

【請求項20】

前記流路形成部において前記投光部から照射される光が集光されて前記散乱光を発生させるための反応領域を透過した透過光を、当該透過光の光路をなす後段側光路形成部を通過させる工程を備え、
前記後段側光路形成部を通過させる工程は、前記透過光について、当該後段側光路形成部に設けられる反射防止膜を通過させる工程を含む請求項１９記載の基板処理方法。

【請求項21】

前記後段側光路形成部により、前記透過光を検出するための透過光検出部または当該透過光を吸光するための吸光部へ、当該透過光を導光する工程を備える請求項２０記載の基板処理方法。

【請求項22】

前記流路形成部から発せられた光を、受光側光路形成部を介して前記受光部に導光する工程を備え、
前記受光部に導光する工程は、前記流路形成部から発せられた光を、前記受光側光路形成部に含まれ且つ通過帯域として前記投光部から照射される光のピーク波長を含むバンドパスフィルタを通過させる工程を備える請求項１９ないし２１のいずれか一つに記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造工程においては円形の基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対して様々な処理液が供給されて、処理が行われる。この処理液中の異物を検出することで、ウエハにおける欠陥の発生を抑制することが検討されている。特許文献１には、ウエハにレジストを供給するための配管と、この配管に介在する液中パーティクルカウンタであるセンサ部と、を備えた液処理装置について記載されている。
また特許文献２には、流体が流れる流路部にレーザー光を照射し、流路部を透過した光路上に光検出部を設け、受光した光の強度に基づいて異物を検出する異物検出部を備えた装置が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平５－２５１３２８号公報

【特許文献2】特開２０１９－２２０７１２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板に供給される液体が通流する供給路における異物を光学的に検出する基板処理装置について、より多くの種類の液体に適用可能とする技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の基板処理装置は、基板に供給される液体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向けて近赤外線である光が照射された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板に供給される液体が通流する供給路における異物を光学的に検出する基板処理装置について、より多くの種類の液体に適用可能とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本開示の一実施形態であるＳＯＣ塗布装置の概略構成図である。

【図2】前記ＳＯＣ塗布装置の平面図である。

【図3】前記ＳＯＣ塗布装置に組み込まれた異物検出ユニットの縦断側面図である。

【図4】前記異物検出ユニットの縦断背面図である。

【図5】前記異物検出ユニットの斜視図である。

【図6】前記異物検出ユニットの概略側面図である。

【図7】前記異物検出ユニットの概略正面図である。

【図8】前記ＳＯＣ塗布装置の動作を示すチャート図である。

【図9】前記異物検出ユニットの各部の位置関係を示す説明図である。

【図10】前記異物検出ユニットに設けられる流路形成部の変形例を示す縦断側面図である。

【図11】前記変形例の流路形成部の背面図である。

【図12】前記異物検出ユニットに設けられるレーザー光を検出する機構を示す概略側面図である。

【図13】前記異物検出ユニットに設けられる検出光学系の変形例を示す概略側面図である。

【図14】前記異物検出ユニットに設けられる検出光学系のさらに他の変形例を示す概略側面図である。

【図15】前記異物検出ユニットの変形例を示す上面図である。

【図16】前記異物検出ユニットの他の変形例に設けられる受光部を示す斜視図である。

【図17】前記異物検出ユニットの他の変形例の作用を説明する説明図である。

【図18】前記異物検出ユニットの他の変形例の作用を説明する説明図である。

【図19】前記異物検出ユニットのさらに他の変形例に設けられる受光部を示す斜視図である。

【図20】前記異物検出ユニットの他の変形例の作用を説明する説明図である。

【図21】前記異物検出ユニットの他の変形例の作用を説明する説明図である。

【図22】前記異物検出ユニットの他の変形例の作用を説明する説明図である。

【図23】ＳＯＣ塗布装置が組み込まれる塗布、現像装置の平面図である。

【図24】前記塗布、現像装置の概略側面図である。

【図25】前記塗布、現像装置における異物検出ユニットの配置を示す説明図である。

【図26】検証試験の結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本開示の基板処理装置の一実施形態であるＳＯＣ（Spin On Carbon）塗布装置１について、図１の概略図を参照しながら説明する。ＳＯＣ塗布装置１は、基板であるウエハＷに処理液として塗布膜形成用の塗布液を供給し、当該塗布膜として炭素を主成分とするＳＯＣ膜を形成する。ＳＯＣ塗布装置１は、例えば１２本のノズル１１（１１Ａ～１１Ｌ）を備えており、そのうちの１１本のノズル１１Ａ～１１ＫはウエハＷにＳＯＣ膜を形成するために塗布液を吐出する。ノズル１１ＬはウエハＷにシンナーを吐出する。シンナーは、ＳＯＣ膜形成用の塗布液が供給される前のウエハＷに供給されて、当該塗布液に対する濡れ性を高めるプリウエット用の処理液である。ＳＯＣ塗布装置１は、これらＳＯＣ膜形成用の塗布液及びシンナー中の異物を光学的に検出するための異物検出ユニット２を備えている。以下、特段の記載が無い場合、塗布液という記載はＳＯＣ膜形成用の塗布液を意味する。

【0009】

ノズル１１Ａ～１１Ｌには、処理液が通流する供給路を形成する処理液供給管１２（１２Ａ～１２Ｌ）の下流端が接続されている。処理液供給管１２Ａ～１２Ｋの上流端は、バルブＶ１を介して処理液供給部１３Ａ～１３Ｋに夫々接続されている。処理液供給部１３（１３Ａ～１３Ｋ）は、各々塗布液が貯留されるボトルと、当該ボトルから塗布液をノズル１１Ａ～１１Ｋに各々圧送するポンプと、を備えている。処理液供給部１３Ａ～１３Ｋに貯留される塗布液の種類は互いに異なり、ウエハＷには１１種類の塗布液から選択された１種類の塗布液が供給される。

【0010】

ノズル１１Ｌには処理液供給管１２Ｌの下流端が接続され、処理液供給管１２Ｌの上流端はバルブＶ１を介して、処理液供給部１３Ｌに接続されている。処理液供給部１３Ｌは、塗布液の代わりに上記のシンナーが貯留されることを除いて、処理液供給部１３Ａ～１３Ｋと同様に構成されている。処理液供給管１２Ａ～１２Ｌにおけるノズル１１Ａ～１１ＬとバルブＶ１との間には流路形成部１４（１４Ａ～１４Ｌ）が介設されている。従って、流路形成部１４は、ウエハＷに供給される液体が通流する供給路の一部をなす。

【0011】

図２の平面図はＳＯＣ塗布装置１について、より詳しい構成の一例を示している。図中２１はスピンチャックであり、各々ウエハＷの裏面中央部を水平に吸着保持する基板載置部をなす。スピンチャック２１は回転機構２２（図２では不図示）に接続されており、塗布液のスピンコートを行うことができるように、ウエハＷを保持した状態で回転する。図中２３は処理液の飛散を抑えるためにウエハＷの側方を囲むカップである。この例では、スピンチャック２１、回転機構２２及びカップ２３の組が横方向に配列されている。

【0012】

図中２４は、その先端部においてノズル１１Ａ～１１Ｌを支持するアームである。図中２５はアーム２４の基端部が接続される移動機構であり、カップ２３の配列方向に沿って延伸されるガイドレール２６に係止されている。移動機構２５が移動することで、各ノズル１１Ａ～１１Ｌがスピンチャック２１に保持されたウエハＷの中心部へ処理液を吐出できる位置に移動する。ガイドレール２６は各カップ２３の奥側に設けられ、このガイドレール２６のさらに奥側には、方形で横長の筐体３１が設けられている。

【0013】

筐体３１の内部を示す縦断側面図である図３、縦断背面図である図４、斜視図である図５を参照して説明を続ける。説明にあたり、筐体３１の長さ方向を左右方向とする。筐体３１は、本体部３２と上蓋３３と横蓋３４とからなる。上蓋３３及び横蓋３４は例えばネジなどの固定具により本体部３２に取り付けられることで、本体部３２に対して着脱自在である。後に詳しく述べるように、筐体３１内には左右方向に列をなすように上記の流路形成部１４が設けられる。上蓋３３はこの流路形成部１４の列に対して上方、即ち縦方向に位置する壁部をなし、横蓋３４は流路形成部１４の列に対して後方に位置する壁部をなす。

【0014】

異物検出ユニット２は、筐体３１内に設けられる流路形成部１４、光路形成部４、光源５１、照明光学系５２及び計数部５３と、当該筐体３１とにより構成される。この異物検出ユニット２の概要を述べておくと、流路形成部１４Ａ～１４Ｌのうちの選択された一つに向けて光を照射し、その結果、選択された流路形成部１４から発せられた光を受光素子により受光できるように構成されている。そして、この受光によって光を発した流路形成部１４を流れる液体である処理液中の異物の検出が行われる。

【0015】

以降の筐体３１内の説明で用いる左側、右側とは夫々、前方から後方に向かって見たときの左側、右側であるものとする。従って、背面図である図４中で右側に配置されるものは左側に配置されていることになる。筐体３１内の前方寄り且つ右側寄りの位置には、既述したように流路形成部１４Ａ～１４Ｌが左右に、直線状に列をなして設けられている。流路形成部１４Ａ～１４Ｌは互いに若干の間隔を空けて配置され、筐体３１の本体部３２に対して各々固定されている。流路形成部１４Ａ～１４Ｌは各々同様に構成されており、代表して図３に示す流路形成部１４Ａについて説明する。流路形成部１４Ａは角型で六面体のブロック状に形成されており、異物の光学的な検出を行うために後述のレーザー光が透過できるように石英又はサファイアによって構成されている。

【0016】

流路形成部１４Ａ内には流路１５が形成されている。流路１５は下流側に向かって順に連接されると共に、各々流路形成部１４Ａの辺に沿って各々形成された第１流路１６、第２流路１７、第３流路１８により構成されている。第１流路１６は下流側が後方へ向かって水平に伸び、第２流路１７は下流側が上方へ向かって垂直に伸び、第３流路１８は下流側が前方へ向かうように水平に伸びている。また、第１流路１６の上流端は流路形成部１４Ａへの処理液の入口１６Ａ、第３流路１８の下流端は流路形成部１４Ａからの処理液の出口１８Ａを夫々形成している。従って、第１流路１６と第２流路１７とは互いに直交し、第３流路１８は第２流路１７と出口１８Ａとをつなぐ構成とされている。

【0017】

そして、入口１６Ａ及び出口１８Ａは、共に流路形成部１４Ａの前端面に開口しているため、同一面に設けられている。また、流路形成部１４Ａに含まれる第１の流路１６、第２の流路１７、第３の流路１８を各々部分流路とすると、複数の部分流路が互いに交差している。また流路形成部１４Ａの下面、上面には、後述するように縦方向に照射されるレーザー光の光路上に、反射防止膜９が設けられている。

【0018】

上記の第１流路１６の入口１６Ａには配管５５の下流端が、第３流路１８の出口１８Ａには配管５４の上流端が夫々接続されており、流路形成部１４Ａの流路１５を介して配管５５から配管５４へ処理液が通流する。これらの配管５４、５５は、図１で説明した処理液供給管１２Ａを構成しており、可撓性を有し、レーザー光を透過しないという点が流路形成部１４Ａとは異なる。配管５５の上流側及び配管５４の下流側は、筐体３１の前方壁を貫通して、筐体３１の外部へ引き出されている。

【0019】

ところで流路形成部１４Ａ～１４Ｌの流路１５については、１５Ａ～１５Ｌとして示す場合が有る。上記のように流路形成部１４Ａ～１４Ｌは左右に列をなすため、この流路１５Ａ～１５Ｌも左右に列をなしている。図５では表示を省略しているが、流路形成部１４Ｂ～１４Ｌにも流路形成部１４Ａと同様に配管５４、５５が接続されている。そのように流路形成部１４Ｂ～１４Ｌに接続される各配管５４、５５によって、図１で示した処理液供給管１２Ｂ～１２Ｌが構成される。

【0020】

流路形成部１４Ａ～１４Ｌの列の左側（図４の表示では右側）に向かって、照明光学系５２、光源５１が、この順に設けられている。光源５１は照明光学系５２に向かい、流路形成部１４Ａ～１４Ｌの列方向に沿って異物を検出するための近赤外線であるレーザー光を照射する。本明細書において近赤外線とは、波長が７５０ｎｍ～１.４μｍの光であり、近赤外線を照射することは、ピーク波長がこの波長の範囲に含まれる光を照射することである。後に検証試験としても述べるが、光源５１から、ピーク波長が８３０ｎｍ以上である近赤外線を照射することが好ましく、９４０ｎｍ以上であるとより好ましい。本実施形態では当該ピーク波長が９４０ｎｍであるものとする。以下、照射した光の波長についての記載は、特段の記載がない場合にはピーク波長のことを指すものとする。

【0021】

照明光学系５２は例えば複数のコリメータを含む。図４及び後述の図７では、照明光学系５２内の構成を簡略化して示しており、コリメータを構成する一部のレンズ５２１、５２２のみを示している。光源５１から照射されたレーザー光は、そのビームの断面が照明光学系５２により整形されてさらに右側へと照射され、後述の反射部４４に照射される。例えば上記のレンズ５２１、５２２における光の入射面、照射面の各々に反射防止膜９が設けられている。

【0022】

また、例えば照明光学系５２は、反射部４４へ向かう光路を開閉するシャッタを含む。シャッタにより、異物の検出を行わないときにはレーザー光が遮蔽され、流路形成部１４Ａ～１４Ｌへの光照射が行われない。なお、異物の検出を行わないときは、光源５１のレーザーを発生させるための出力を落としてもよい。このように必要最小限の出力制御を行うことで、光源５１からの発熱量を低減させて周囲への熱影響を抑えながら、光源５１の性能劣化も抑えて長期間の使用が可能となる。

【0023】

続いて光路形成部４について説明する。光路形成部４は、スライド台４１、ガイドレール４２、移動機構４３、反射部４４、集光レンズ４５、支持部４６、検出光学系４７、受光部４８及び吸光部５６を備えており、これらが一体のユニットとして構成されている。スライド台４１は、流路形成部１４Ａ～１４Ｌの列よりも後方側にその後端部が位置しており、その前端部は当該流路形成部１４Ａ～１４Ｌの列の下方に位置している。そして、スライド台４１は当該スライド台４１の下方に設けられるガイドレール４２に係止されており、ガイドレール４２は左右に延伸されている。ガイドレール４２の後方に移動機構４３が設けられ、スライド台４１は当該移動機構４３に接続されている。移動機構４３により、ガイドレール４２の長さ方向、即ち左右方向に沿ってスライド台４１が移動する。スライド台４１上の前端部には第１の投光部をなす反射部４４と、集光レンズ４５とが設けられ、集光レンズ４５は反射部４４の上方に位置している。なお、図５では集光レンズ４５の図示を省略している。反射部４４、集光レンズ４５及び既述の照明光学系５２は、前段側光路形成部をなす。

【0024】

スライド台４１上の後端部から、立て板状の支持部４６が上方に伸びるように形成される。支持部４６には受光側光路形成部をなす検出光学系４７と、受光素子である受光部４８とが後方に向かって、この順に設けられる。検出光学系４７はレンズ及びＢＰＦ（バンドパスフィルタ）４９を含み、後述のように検出光学系４７に入射した光は集光され、ＢＰＦ４９を通過して受光部４８に照射される。ＢＰＦ４９については後に詳しく述べる。また、支持部４６の上端部は前方に向かって伸び出してアーム５７を形成しており、当該アーム５７の先端部にビームダンパである吸光部５６が設けられている。

【0025】

移動機構４３により、スライド台４１、反射部４４、集光レンズ４５、検出光学系４７、受光部４８及び吸光部５６は、一体で流路形成部１４Ａ～１４Ｌの配列方向（左右方向）に沿って移動する。検出光学系４７及び受光部４８は、このように移動する際に、各流路形成部１４Ａ～１４Ｌの各流路１６に対向する高さに配置されている。また、吸光部５６は、流路形成部１４Ａ～１４Ｌのうち光が照射される流路形成部１４を挟んで反射部４４に対向するように配置されている。

【0026】

また図示してはいないが、移動機構４３は流路形成部１４と受光部４８との距離を変えて、流路形成部１４から受光部４８で光を受光するまでの受光距離を調整するように構成されていてもよい。より具体的には、流路形成部１４に対して少なくとも検出光学系４７と受光部４８とを、流路形成部１４の配列方向とは別方向に相対移動可能とする機構を備えていてもよい。即ち、流路形成部１４Ａ～１４Ｌの各々について受光距離が設定され、一の流路形成部１４に投光する際にその流路形成部１４について設定された受光距離になるように検出光学系４７及び受光部４８の位置が調整される。これにより、複数の流路形成部１４にて製作や組付けによる形状や位置のばらつきが有ることで、各流路形成部１４から受光部４８に向かう光の焦点が前記配列方向に揃っていない場合も、各流路形成部１４の焦点に合わせるように受光距離を調整することができる。それにより、より精度の高い異物の検出が可能となる。

【0027】

図示した異物検出ユニット２の説明に戻る。上記のように、流路形成部１４Ａ～１４Ｌのうち選択された一つにおいて異物の検出が行われる。この異物の検出を行う際には、反射部４４及び集光レンズ４５は選択された流路形成部１４に対応する位置である当該流路形成部１４の垂直下方に位置する。そして、検出光学系４７及び受光部４８は、選択された流路形成部１４に対応する位置である当該流路形成部１４の後方に位置する。また、吸光部５６は当該流路形成部１４の垂直上方に位置する。なお、図３、図４は、流路形成部１４Ａが選択された流路形成部１４であるときの各部の配置を示している。

【0028】

図３中の一点鎖線の矢印は光路を示している。同様に一点鎖線の矢印で光路を示す図６、図７の模式図も参照しながら説明する。照明光学系５２を介して光源５１から照射されるレーザー光が反射部４４により反射されて上方、即ち縦方向へと向かい、集光レンズ４５を通過する。そして、当該レーザー光は、流路形成部１４Ａの下面に形成された反射防止膜９を通過し、第１流路１６に、当該第１流路１６における処理液の流れ方向に対して垂直に入射し、この第１流路１６において、比較的エネルギーの高い集光スポットである反応領域４０が形成される。このように反射部４４にて反射されて反応領域４０を通過するレーザー光の光軸は、前後方向から見ると斜めに上方に向かい、第１流路１６以外の流路、即ち第２流路１７及び第３流路１８を通らないように形成される。そして、このように流路形成部１４Ａを透過したレーザー光は、流路形成部１４Ａの上面の反射防止膜９を通過し、吸光部５６に照射されて吸収される（図３、図７参照）。この流路形成部１４Ａに塗布液が通流する間に、このように光路が形成されて反応領域４０が形成される。そして、塗布液の流れに乗って異物Ｐが当該反応領域４０に進入すると散乱光が発生する。

【0029】

そして、この散乱光のうち検出光学系４７に入射したものは、ＢＰＦ４９を通過して受光部４８に照射される。つまり、受光部４８には、流路形成部１４の第１流路１６から第２流路１７側（後方側）に向かう側方散乱光が照射され、図６ではこの側方散乱光を二点鎖線で示している。このように受光部４８に照射される散乱光の強度は異物Ｐの大きさ（粒子径）に対応しており、受光部４８は光電変換を行い、受光した側方散乱光の強度に応じた強度の電気信号を出力する。なお、選択されている流路形成部１４が１４Ａである場合について示したが、他の流路形成部１４Ｂ～１４Ｌが選択されている場合にも同様に光路が形成され、散乱光が受光部４８に照射される。

【0030】

光源５１から流路形成部１４の反応領域４０に至るレーザー光の光路に設けられた各反射防止膜９により、レーザー光が当たった部位での迷光の発生が低減されるため当該レーザー光の減衰が抑制される。つまり各レンズの透過方向、反射部（ミラー）の正反射方向における光の強度を高くすることができる。後述する理由により、レーザー光としては近赤外線を用いるため、当該レーザー光のエネルギーは比較的低い。従って、このように反射防止膜９によりエネルギーのロスを抑えることは、反応領域４０にて発生する散乱光の強度を十分に確保して測定精度を高くするにあたって、有効である。

【0031】

また、後段側光路形成部をなす流路形成部１４の上面、即ち、反応領域４０から吸光部５６に至るまでのレーザー光の光路にも反射防止膜９を設けている。この反射防止膜９及び上記の反応領域４０に至るまでの光路における各反射防止膜９により、レーザー光の光路を形成するための各部材で乱反射した光が迷光として受光部４８に導光されて受光部４８から出力される検出信号中にノイズを発生させることが防止される。従って、測定精度が高まるように各反射防止膜９が設けられている。なお、各部材における反射防止膜９の形成方法は任意であるが、例えば蒸着などの表面処理によって形成されている。

【0032】

ＢＰＦ４９としては、通過帯域として光源５１から照射されるレーザー光の波長と同一波長（この場合は９４０ｎｍ）を含む。従って、上記した受光部４８に照射される散乱光はレイリー散乱光である。このＢＰＦ４９は、例えば反応領域４０で発生した蛍光などのレーザー光の波長よりもエネルギーが低い長波長成分をカットすることで、検出信号におけるノイズの発生を防ぐ。つまりＳＮ比（信号ノイズ比）を上昇させ、異物の検出を示す信号のピークとバックグラウンド信号との差を大きくし、信頼性の高い異物の検出が可能となるようにしている。例えば当該ＢＰＦ４９については半値全幅が１０ｎｍ以下の狭帯域フィルタであり、その中心波長は上記のレーザー光の波長と同一、即ち９４０ｎｍである。

【0033】

図３～図５を用いた筐体３１内の説明に戻る。照明光学系５２及び光源５１の前方に、計数部５３が設けられている。計数部５３は例えばＣＰＵなどが搭載された基板を備えている。例えば計数部５３は、図示しないケーブルにより受光部４８に接続されており、受光部４８から上記の電気信号を受信し、当該電気信号に基づいて異物の検出を行う。この異物の検出としては、例えば異物の計数や分級が含まれ、計数部５３はその検出結果に相当する検出信号を、ＳＯＣ塗布装置１を構成する制御部１００に出力する。なお、上記の分級は、所定の大きさの範囲毎に異物の計数を行うことである。

【0034】

続いて、図１、図３に示すＳＯＣ塗布装置１を構成する制御部１００について説明する。制御部１００はコンピュータにより構成され、例えば上記の計数部５３は、この制御部１００に接続されている。制御部１００は、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、ウエハＷに対するレジスト膜の成膜と、異物の検出とが行われるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。当該プログラムによって、制御部１００からＳＯＣ塗布装置１の各部に制御信号が出力されることで、後述の各動作が行われる。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードまたはＤＶＤなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。

【0035】

続いて図８のタイミングチャートを参照しながら、上記のＳＯＣ塗布装置１において行われるウエハＷの処理及び異物の検出について説明する。このタイミングチャートでは、１３Ａ～１３Ｌのうちの一の処理液供給部１３におけるポンプの圧力が整定されるタイミング、及び１２Ａ～１２Ｌのうちの一の処理液供給部１３に対応する処理液供給管１２のバルブＶ１が開閉するタイミングを示している。また、このタイミングチャートは、照明光学系５２のシャッタが開いて光路形成部４にレーザー光が照射されるタイミング、光路形成部４を構成する各部が移動するタイミング、計数部５３が受光部４８から取得される信号を受信して異物の検出を行うタイミングについても示している。

【0036】

先ず、図示しない基板搬送機構によりウエハＷがスピンチャック２１上に搬送されて、当該スピンチャック２１に保持された状態で、ノズル１１ＬがウエハＷ上に搬送されると共に、処理液供給部１３Ｌのポンプがシンナーの吸引を行い、当該ポンプ内が所定の圧力となるように整定が開始される（時刻ｔ１）。例えばこのノズル１１Ｌの移動及びポンプの動作に並行して、光路形成部４のスライド台４１が移動する。そして反射部４４、集光レンズ４５は流路形成部１４Ｌの下方に、検出光学系４７及び受光部４８は流路形成部１４Ｌの後方に、吸光部５６は流路形成部１４Ｌの上方に夫々位置する。

【0037】

続いて、ノズル１１ＬがウエハＷ上で静止する（時刻ｔ２）。続いて処理液供給管１２ＬのバルブＶ１が開かれ、ポンプからシンナーがノズル１１Ｌへ向けて圧送される。このシンナーの圧送と共に、光源５１から反射部４４へ向けてレーザー光が照射され、このレーザー光は、図３、図４などで説明したように反射部４４により反射して上方へ向かい、流路形成部１４Ｌに反応領域４０が形成される（時刻ｔ３）。そして、上記の流路形成部１４Ｌに形成された反応領域４０に異物が進入すると散乱光が生じ、この散乱光が検出光学系４７を介して受光部４８に照射される。

【0038】

その一方で圧送されたシンナーは流路形成部１４Ｌの流路１５を通過し、ノズル１１ＬからウエハＷの中心部へ吐出される。そして、所定の開度になるとバルブＶ１の開度の上昇が停止する（時刻ｔ４）。その後、流路１５の液流が安定すると、計数部５３による受光部４８からの信号取得が開始され、異物の検出が行われる。続いて計数部５３による受光部４８からの信号取得が停止し（時刻ｔ６）、光源５１からの光照射が停止すると共に処理液供給管１２ＬのバルブＶ１が閉じられ（時刻ｔ７）、ウエハＷへのシンナーの吐出が停止する。ウエハＷが回転し、吐出されたシンナーは、遠心力によりウエハＷの周縁部に展伸されてプリウエットが行われる。

【0039】

続いて、処理液供給部１３Ａ～１３Ｋのうちのいずれかに貯留された塗布液がウエハＷに供給される。ここでは処理液供給部１３Ａの塗布液がウエハＷに供給されるものとする。そのように処理液供給部１３Ａの塗布液をウエハＷに供給する際には、ノズル１１Ｌの代わりにノズル１１ＡがウエハＷ上に位置し、処理液供給部１３Ｌからシンナーがノズルへ供給される代りに処理液供給部１３Ａから塗布液がノズルへ供給される。また、処理液供給管１２ＬのバルブＶ１の代わりに処理液供給管１２ＡのバルブＶ１が開閉する。さらに、光路形成部４を構成する各部は、流路形成部１４Ｌに対応する位置に移動する代わりに、流路形成部１４Ａに対応する位置に移動し、流路形成部１４Ａに光路が形成される。

【0040】

このような差違を除いて、シンナーのウエハＷへの供給時と同様、図８のタイミングチャートに沿って各部が動作する。それにより、塗布液のウエハＷへの供給に並行して、当該塗布液中の異物の検出が行われる。そして、ウエハＷの回転によりウエハＷに供給された塗布液は、当該ウエハＷの表面にスピンコートされて、ＳＯＣ膜が形成される。その後、ウエハＷは基板搬送機構によりスピンチャック２１から搬送される。

【0041】

ところで、既述のＳＯＣ塗布装置１で光源５１が近赤外線を照射する理由について説明するにあたり、従来技術の問題を説明する。既述した特許文献２に記載されているように流体の流路に光を照射することで流体中の異物を光学的に検出する装置が公知となっている。そのように流体に対して照射する光としては、目視可能で扱いやすいことから可視光を用いることが考えられる。

【0042】

しかしそのように可視光を照射して検出を行うにあたり、例えば上記の塗布液のような有色の液体に対しては、十分な精度をもって異物を検出できないおそれがあることが、本出願人により確認された。これは有色、即ち吸光性が比較的高い液体に対して可視光が吸収されてしまうことによる。さらに詳しく説明すると、仮にＳＯＣ塗布装置１において流路形成部１４に可視光を照射して検出を行う場合、ＳＯＣ膜形成用の塗布液に可視光が吸収される。その結果、流路形成部１４にて発生する散乱光の強度も弱まってしまうおそれが有ることで、検出精度が低下してしまう。

【0043】

そこでＳＯＣ塗布装置１では、既述したように近赤外線を照射する。後に実験結果を示すが、近赤外線については液体が有色であっても、その吸収性が比較的低い。従って、ＳＯＣ塗布装置１では、上記の塗布液について異物の検出を行う際に、流路形成部１４にて生じる散乱光についての強度が確保され、精度高く異物を検出することができる。なお、ＳＯＣ塗布装置１で用いられるシンナーは無色であるが、そのような無色の液体に対しても塗布液のような有色の液体と同様に、近赤外線の照射により異物を検出することができる。従って、このＳＯＣ塗布装置１としては、より多くの種類の液体に対して異物の検出が行えるように構成されている。なお、流路形成部１４に照射するレーザー光として波長が長いものほど、液体による吸収が抑制されるが、散乱光の強度は励起光の波長の４乗に反比例するため、当該レーザー光の波長が長すぎると散乱光の強度が弱まることで、検出精度が低下する。従って、レーザー光としては近赤外線よりも波長が長い中赤外線等は用いず、当該近赤外線を用いることが好ましい。

【0044】

また、液体へのレーザー光の吸収量が多いほど高い熱が発生し、流路形成部１４の内面がその熱によって損傷する懸念がある。上記のようにレーザー光として近赤外線を照射することで塗布液による吸収を抑制することは、その発熱を抑え、流路形成部１４の損傷を防止することができる。また、その発熱が抑制されることで、塗布液の変質も防止することができる。

【0045】

また、流路形成部１４を挟んで反射部４４と対向する位置には、吸光部５６が設けられている。従って、流路形成部１４を透過したレーザー光が筐体３１の壁面に照射され、その反射光が受光部４８に入射することを防ぐことができるため、受光部４８の出力信号におけるノイズをより低減して異物の検出精度を高くすることができる。吸光部５６は筐体３１内に流路形成部１４毎に設けてもよいが、既述のように流路形成部１４の列に沿って吸光部５６が移動し、当該吸光部５６が各流路形成部１４に共用される構成とすることで製造コストを低減することができるため好ましい。なお吸光部５６を設ける代りに、例えば筐体３１の天井面（上蓋３３の下面）について、レーザー光を吸収できるように構成してもよい。具体的には、当該天井面にレーザー光を吸収する塗料が塗布された構成としてもよい。また、その場合は光を吸収した上蓋３３の温度上昇を防ぐために、当該上蓋３３に冷却部材として、例えば筐体３１の外側へ突出する放熱用のフィンを設けてもよい。

【0046】

ところで筐体３１については、横倒しにしたり、逆さにしたりしてもよい。即ち、流路形成部１４を基準とした各部の位置については、上記の位置となることに限られない。具体的には、流路形成部１４に対して、受光部４８が縦方向に、反射部４４が横方向に夫々位置するような配置であってもよいし、各流路形成部１４が縦方向に配列されてもよい。

【0047】

さらに散乱光を受光して異物の検出を行うにあたり、流路形成部１４、投光部、受光部４８の位置関係については各図で示した具体例に限られるものでは無い。三次元座標を示す図９を参照して、この位置関係について補足して説明しておく。図９中の座標軸の原点は、流路形成部１４の流路１５に形成される上記の反応領域４０であるものとする。従って座標のＸ軸の軸方向は反応領域４０から見た左方及び右方、Ｙ軸の軸方向は反応領域４０から見た前方及び後方、Ｚ軸の軸方向は反応領域４０から見た上方及び下方を示している。上記したように投光部及び受光部４８は、流路形成部１４を基準とした上下左右前後の領域のうち対向しない領域に設けられる。即ち投光部である反射部４４からこの反応領域４０に向けて光が照射されて光軸Ｌが形成されたとき、原点を通過したこの光軸Ｌの延長方向には、受光部４８が設けられていないということである。

【0048】

そのように受光部４８が設けられていないことで、既述したように投光部及び受光部が流路形成部を挟む構成となることに起因する異物検出ユニット２の大型化を防ぐことができる。図９に示す例ではＺ軸に沿って反射部４４により光軸Ｌ（鎖線の矢印で表示している）を形成している。従って、このＺ軸上に受光部４８が設けられていなければよい。同様に、例えばＸ軸に沿って反射部４４により光軸Ｌが形成される場合には、このＸ軸上には受光部４８が設けられないことになる。なお、この図１０の説明で投光部を反射部４４として説明したが、ここでいう投光部は最終的に反応領域に向かう光路の方向を決定付けるように投光する部材である。従って、例えば、光源５１をスライド台４１に搭載して、当該光源５１から反射部４４を介さずに直接、流路形成部１４にレーザー光を照射して投光してもよく、その場合、投光部は光源５１である。

【0049】

また、流路形成部１４に対するレーザー光の照射位置としては既述した例には限られない。ただし、レーザー光の照射によって形成される反応領域４０における処理液の流路方向とこの照射方向とが並行すると、流路を流れる異物に光が照射され続けて正確な検出が行えないため、これらの方向が並行にならず、互いに交差するように光照射を行う。なお、ここでいう交差は直交、筋交いを各々含む。また、既述した構成例では流路形成部１４において、処理液が下方から上方に向かうように供給しているが、そのような方向に供給することには限られない。

【0050】

また他の流路形成部１４の構成例を図１０、図１１に示しており、図１０、図１１は夫々当該流路形成部１４の縦断側面図、背面図である。この例では、図３で説明した例のように、流路形成部１４の流路１５は、第１流路１６、第２流路１７及び第３流路１８により構成されている。この流路１５の下端部は後方へ向けて突出し、第２流路１７から見て凸レンズ形状をなすように膨らんだ球面レンズ部１９を形成している。また、流路１５を構成する部分流路が互いに交差する交差部２０１、２０２について、曲率を有する構成とされている。より具体的に説明すると、図１１に示す例では、前方に向かって見た第２流路１７の上端部及び下端部についての左右の隅が丸みを帯びることで、当該上端部及び下端部は概ね半円状とされ、既述の曲率を有する交差部２０１、２０２として形成されている。

【0051】

このように曲率を有する交差部２０１、２０２を設けるのは、流路１５の屈曲部において処理液の流れが淀むことを防ぐためである。その淀みによって反応領域４０において異物が滞留してしまうと、滞留によりパーティクルが発生するおそれが有るが、交差部２０１、２０２を設けることで、そのような不具合が生じることを、より確実に防ぐことができる。また、流路形成部１４の後端面の下端部は後方へ向けて突出し、凸レンズ部２７を形成している。前後に見て交差部１９の中心と凸レンズ部２７の中心とは互いに揃っている。この凸レンズ部２７や球面レンズ部１９は、反応領域４０から照射された側方散乱光を、より確実に検出光学系４７に導光して、検出精度を高めるために設けられている。

【0052】

ところで流路形成部１４に照射されるレーザー光は、例えば波長９４０ｎｍの近赤外線であるため、目視ができない。そこで、このレーザー光の照射が正常に行われているか否かを検出するための機構を備えるようにし、流路形成部１４におけるレーザー光の照射位置やレーザー光の傾きなどの調整が容易に行えるようにしてもよい。図１２は、そのような機構を備えた異物検出ユニット２の構成例を示しており、図３等で述べた構成との差異点を中心に説明する。図１２の構成例においては、流路形成部１４の列の上方に後段側光路形成部としてハーフミラー５８が設けられ、図示しない支持部を介してアーム５７に固定されている。また、アーム５７に対して近赤外線を撮像可能なカメラ５９が固定されている。従って、ハーフミラー５８及びカメラ５９は、移動機構４によって受光部４８等と共に、流路形成部１４の列に沿って移動可能である。

【0053】

そして、流路形成部１４の反応領域４０を透過したレーザー光は、ハーフミラー５８により吸光部５６及びカメラ５９の各々に導光される。このレーザー光の照射時にカメラ５９による撮像が行われ、画像データが取得される。装置のユーザーは、その画像におけるレーザー光の位置（つまりカメラの視野におけるレーザー光の位置）に基づき、異常の有無の判定を行い、異常である場合には光路形成部４を構成する各部の調整を行うものとする。なお、カメラ５９で取得された画像データは制御部１００に送信され、制御部１００がその画像データに基づいて上記の異常の判定を行い、制御部１００に接続されるアラームなどの報知器によりユーザーに異常を報知するようにしてもよい。

【0054】

なおカメラ５９は、当該カメラ５９への導光が異物の測定へ影響され難い任意の位置に配置することができ、その位置に合わせて光路を形成する部材を設けるものとする。つまり、カメラ５９の位置は既述した位置に限られるものではないし、カメラ５９へ導光する部材としてもハーフミラー５８を用いることには限られない。また、透過光検出部としてはカメラ５９により構成されることに限られず、例えばカメラ５９の代わりに受光素子を多数並べて配置し、流路形成部１４への照射時にいずれの受光素子から検出信号が出力されるかの検出を行うことで、レーザー光の位置についての情報が得られるようにしてもよい。なお、吸光部５６が設けられず、流路形成部１４の透過光のすべてがカメラ５９に向かう構成であってもよい。

【0055】

ところで反応領域４０にレーザー光を照射したときに、異物Ｐ及び反応領域４０を流れる液体の各々から散乱光が生じる。より具体的には、上記の塗布液を各々構成する溶媒及び溶媒に溶けたポリマーからも散乱光が生じる。それらの塗布液の構成成分から生じる散乱光の強度が高いと、異物Ｐの信号レベルと液体の信号レベルとの差が小さくなる。即ちＳＮ比が小さくなるため、異物Ｐに対する感度が低下するおそれが有る。図１３に示す構成例は、そのような塗布液の構成成分による散乱光の影響を抑制する。

【0056】

図１３の構成例について、図３等で説明した構成との差異点を中心に説明すると、図１３の構成によれば、検出光学系４７による光の照射領域に受光部４８が複数並べて設けられている。そして検出光学系４７については当該検出光学系４７を構成するレンズ４７０によって、反応領域４０の異物Ｐから生じた散乱光が、受光部４８のうち１つ（図中４８１として表示）に選択的に集光されると共に、流路１５における液体の散乱光が各受光素子に各々照射されるように構成されている。受光部４８１以外の受光部を４８２として示している。

【0057】

制御部１００は、受光部４８１により取得される信号レベルの時系列データに基づいて異物Ｐの検出を行う。異物検出部である制御部１００は、受光部４８１から取得した信号レベルの時系列データと、例えば任意の一の受光部４８２から取得した信号レベルの時系列データとの差分について算出し、得られた差分の時系列データに基づいて異物Ｐの検出を行う。差分の時系列データは、塗布液の構成成分による散乱光の影響が除かれたものとなるのでＳＮ比が高く、精度高く異物Ｐの検出を行うことができる。なお、各受光部４８からの時系列データについては上記のような比較演算を行うことで異物Ｐを検出することに限られず、例えば受光部４８２の時系列データに対してＦＦＴ（高速フーリエ変換）を行い、ポリマーに起因する周波数成分の波形を特定した上で、その周波数成分の波形と一の受光部４８１についての信号レベルの波形との比較を行うことで、異物Ｐの検出を行ってもよい。そのように受光部４８から取得される信号レベルの時系列データは、任意に加工（データ処理）して用いることができる。

【0058】

さらに他の異物検出ユニット２の構成例について、図１４を参照して図３等の構成との差異点を説明する。この図１４の構成例では、分光器４０３が設けられ、流路形成部１４から発せられた散乱光の光路が、受光部２８と分光器４０３に分岐した構成となっている。検出光学系４７においてハーフミラー４０１が設けられており、散乱光の一部はハーフミラー４０１を透過して受光部４８に照射され、散乱光の他の一部はハーフミラー４０１で反射して光ファイバー４０２に入射して分光器４０３に導光され、スペクトルが取得される。ハーフミラー４０１及び光ファイバー４０２は、分岐光路形成部をなす。

【0059】

例えば流路形成部１４を通流する塗布液の濃度が基準範囲から外れると、取得されるスペクトルについても変化する。従って、スペクトルを監視することで、当該濃度の異常の有無を監視することができる。また、例えば流路形成部１４の上流側の流路が分岐し、ＳＯＣ膜形成用の塗布液と他の処理液との間で流路形成部１４に供給される液体が切替え自在に構成されたとする。そのような構成とした場合に、スペクトルを監視することで当該液体の切替えが正常に行われているか否かを監視するようにしてもよい。これらのスペクトルの監視はユーザーが行ってもよいし、例えば制御部１００に分光器４０３からスペクトルデータが送信されることで、制御部１００が基準のスペクトルデータと照合し、異常の有無の判定を行うことで監視を行ってもよい。

【0060】

ところで異物検出ユニット２については、波長が互いに異なると共に少なくとも一方が近赤外線である第１の光と第２の光とを選択して流路形成部１４に照射するように構成されてもよい。図１５にそのような構成例を示している。この構成例では、流路形成部１４Ａ～１４Ｌに対してレーザーの光源５１、照明光学系５２及び光路形成部４の組（第１の測定セット）４００Ａと、レーザーの光源５１、照明光学系５２及び光路形成部４の組（第２の測定セット）４００Ｂと、が設けられている。以下、第１の測定セット４００Ａに属する各構成要素については数字の符号の後に「Ａ」、第２の測定セット４００Ｂに属する各構成要素については数字の符号の後に「Ｂ」を夫々付して示す。

【0061】

光源５１Ａについては、図３等で述べた光源５１と同様に構成され、波長が９４０ｎｍであるレーザー光を照射する。光源５１Ｂについては、例えば波長が５３２ｎｍの可視光をレーザー光として照射する。光源５１Ａ及び照明光学系５２Ａはガイドレール４２の一端側に、光源５１Ｂ及び照明光学系５２Ｂはガイドレール４２の他端側に夫々設けられ、光源５１Ａ、５１Ｂとでレーザー光の照射方向は互いに逆向きである。そして移動機構４３は、第１の測定セット４００Ａの光路形成部４Ａ、第２の測定セット４００Ｂの光路形成部４Ｂを夫々独立して、流路形成部１４の列方向に移動させる。なお、光路形成部４Ａに設けられる反射防止膜９及びＢＰＦ４９、光路形成部４Ｂに設けられる反射防止膜９及びＢＰＦ４９については、光源５１Ａのレーザー光の波長に対応したもの、光源５１Ｂのレーザー光の波長に対応したものを夫々用いるものとする。

【0062】

この図１５の各流路形成部１４には上流側から、液体として例えば透明なレジスト及びＳＯＣ膜形成用の塗布液の一方が供給され、供給される液体が切替え自在に構成されている。第１の測定セット４００Ａは塗布液中の異物検出用のセット、第２の測定セット４００Ｂはレジスト中の異物検出用のセットである。そして、異物を検出しようとする流路形成部１４に供給される液体の種類に応じて、光路形成部４Ａ、光路形成部４Ｂが、既述した異物の測定を行う位置に移動し、測定を行う。なお、例えば光路形成部４Ａ及び光路形成部４Ｂのうちの一方が、流路形成部１４の列に沿って移動する間、他方はその移動に干渉しないように、流路形成部１４の並びから左右に外れた位置にて待機する。図中点線で光路形成部４Ｂの待機位置を示しており、光路形成部４Ａについては待機位置にて待機する状態を示している。

【0063】

上記のように本実施形態で使用するレジストは透明であることから、照射するレーザー光の波長が低くても当該レーザー光に対する吸収性が低い。そして波長が低ければ散乱光の強度を高くすることができるので、異物の検出精度を高くすることができる。つまり、本実施形態によれば、液体の種類に応じて照射するレーザー光の波長を変更することで、塗布液、レジストの各々について異物の検出精度が高くなるように構成されている。

【0064】

また後述するように、薬液の異なる複数の基板処理装置に共通の異物検出ユニット２を設ける構成とされる場合が有る。その場合に夫々の基板処理装置にて基板の処理を夫々並行して実施する場合がある。しかし、そのような場合であっても、この図１５に示すように複数の測定セットを設けることで、一の流路形成部１４、他の流路形成部１４について互いに独立して検出を行うことができる。従って、この異物検出ユニット２においては、２つの流路形成部１４に対して同時に光を照射して異物を検出することができる。また、２つの流路形成部１４間で間断無く光を照射する、つまり一の流路形成部１４への光照射を停止すると同時に他の流路形成部１４への光照射を開始して、各流路形成部１４において異物を検出することもできる。なお、上記の測定セットについては、３つ以上設けられていてもよい。

【0065】

さらに他の構成の異物検出ユニット２について説明する。この異物検出ユニット２は、図１５で説明した構成と同じく、塗布液及びレジストの夫々における異物を検出可能に構成されている。この異物検出ユニット２における光源５１は、レーザー光の波長を変更できる波長可変型の光源として構成されており、塗布液中の異物検出時、レジスト中の異物検出時に夫々既述した波長のレーザー光を照射する。そして、図３等と同様に光路形成部４及び照明光学系５２は一つずつのみ設けられる。光路形成部４、照明光学系５２、流路形成部１５に設けられる各反射防止膜９については、比較的広い波長帯域に対応したものを使用するものとする。

【0066】

そして本実施形態では、ＢＰＦ４９としては塗布液中の異物検出時のレーザー光に対応するもの（第１のＢＰＦ４９Ａ）、レジスト中の異物検出時のレーザー光に夫々対応するもの（第２のＢＰＦ４９Ｂ）が夫々設けられ、互いに切り替えて用いられる構成とされる。第１のＢＰＦ４９Ａ、第２のＢＰＦ４９Ｂは、図１６に示すように受光部４８の受光領域に重なり、左右方向（流路形成部１４Ａ～１４Ｌの列に沿った方向）に並んで配置されている。既述の各例と同様、受光部４８と検出光学系４７との相対的位置は固定されている。即ち、第１のＢＰＦ４９Ａ、第２のＢＰＦ４９Ｂは、受光部４８と共に移動機構４３によって一体で移動する。

【0067】

第１のＢＰＦ４９Ａは、図３等で述べた異物検出ユニット２に設けられるＢＰＦ４９と同様の構成である。第２のＢＰＦ４９Ｂについて、その通過帯域は、第１のＢＰＦ４９Ａの通過帯域とは異なっており、レジストに対する異物検出を行う際のレーザー光の波長である５３２ｎｍが含まれる。つまり、レイリー散乱光が通過するように構成されている。例えば、第２のＢＰＦ４９Ｂは半値全幅が１０ｎｍ以下の狭帯域フィルタであり、その中心波長はそのレジストに対する異物検出時のレーザー光の波長と同一の波長、即ち５３２ｎｍである。

【0068】

上記のように第１のＢＰＦ４９Ａ、第２のＢＰＦ４９Ｂが設けられることで、受光部４８は左右の一方または他方で散乱光を受光する。図１７、図１８を参照して具体的に説明する。塗布液中の異物を検出するために９４０ｎｍの波長のレーザー光を用いるときには、図１７に示すように第１のＢＰＦ４９Ａが、検出を行う流路形成部１４の後方に位置するように検出光学系４７及び受光部４８を位置させる。それにより、流路形成部１４で生じた散乱光が第１のＢＰＦ４９Ａを通過して、受光部４８の右側に照射されて検出が行われる。レジスト中の異物を検出するために５３２ｎｍの波長のレーザー光を用いるときには、図１８に示すように第２のＢＰＦ４９Ｂが、検出を行う流路形成部１４の後方に位置するように検出光学系４７及び受光部４８を位置させる。それにより、流路形成部１４で生じた散乱光が第２のＢＰＦ４９Ｂを通過して、受光部４８の左側に照射されて検出が行われる。

【0069】

なお、異物検出ユニット２では、検出光学系４７及び受光部４８の移動に伴って流路形成部１４におけるレーザー光の照射位置、即ち反応領域４０の位置も移動する構成となっている。つまり反応領域４０、検出光学系４７及び受光部４８の位置関係は変化しない。そのため流路形成部１４を反応領域４０で生じた散乱光を集光して照射するレンズとして構成する。そして、例えば流路形成部１４における反応領域４０の位置の移動に応じて、第１のＢＰＦ４９Ａ側に散乱光が集光されて照射されるか、第２のＢＰＦ４９Ｂ側に散乱光が集光されて照射されるかが変化するように、当該流路形成部１４を設計するものとする。

【0070】

このように図１６～図１８で示した実施形態においては、異なる種類の液体中の異物を検出するために第１のＢＰＦ４９Ａ、第２のＢＰＦ４９Ｂを切り替えて用いるにあたり、フィルタの切り替え機構として光路形成部４の各構成要素を移動させる移動機構４３を利用している。つまりフィルタの切り替え専用の機構を設けなくても、移動機構４３（第１の相対位置移動機構）により、流路形成部１４と、第１のＢＰＦ４９Ａ及び第２のＢＰＦ４９Ｂとの相対位置を移動させることで、この切り替えを行っている。そのように切り替え専用の機構を不要とすることで、装置の製造コストの抑制やメンテナンスの手間の削減を図ることができる。ただし、その相対位置を移動させる専用の移動機構を設けてもよい。

【0071】

ところで液体にレーザー光を照射したときに、粒子から生じる散乱光の強度は、理論的には粒子径の６乗に比例する。従って、液体中に含まれる粒子の大きさの差が大きい場合、受光部４８から出力される検出信号のレベルの変移が大きくなる。しかしながら受光部４８からの信号を受信する計数部５３においては、計測可能な信号レベルの範囲が一定であり、この計測可能な範囲から外れる場合には、アンプや減衰器を設けて計数部５３に入力される信号レベルを、当該計測可能範囲に合わせこむ必要がある。そして、上記の散乱光の強度の差が大きすぎる場合には、検出信号を計数部５３の計測可能範囲に合わせこむための上記のアンプや減衰器を、散乱光の強度の範囲ごとに複数設けることになり、異物検出ユニット２に組み込まれる回路規模が大型化してしまう懸念がある。

【0072】

そのような回路規模の増大を防ぐために、図１９に示す例では受光部４８に重なるように、減光率が互いに異なる第１～第３の減光フィルタ４９１～４９３を設けた構成としており、検出する粒子の大きさに合わせて、受光部４８に向かう散乱光が通過する減光フィルタ４９１～４９３を切り替える。より具体的に述べると、図１６～図１８で示した第１及び第２のＢＰＦ４９Ａ、４９Ｂの代わりに、第１～第３の減光フィルタ４９１～４９３が設けられており、左右に順に並べられている。減光率については、第１の減光フィルタ４９１＜第２の減光フィルタ４９２＜第３の減光フィルタ４９３である。

【0073】

そして大粒子の異物Ｐを検出する場合には、強度の高い散乱光が発せられることから、当該散乱光が第３の減光フィルタ４９３を通過するように、当該第３の減光フィルタ４９３を、測定を行う流路形成部１４の後方に位置させる（図２０）。中程度の大きさの粒子の異物Ｐを検出する場合には、中程度の強度の散乱光が発せられることから当該散乱光が第２の減光フィルタ４９２を通過するように、当該第３の減光フィルタ４９２を、測定を行う流路形成部１４の後方に位置させる（図２１）。小粒子の異物Ｐを検出する場合には、強度の低い散乱光が発せられることから当該散乱光が第１の減光フィルタ４９１を通過するように当該第１の減光フィルタ４９１を、測定を行う流路形成部１４の後方に位置させる（図２２）。

【0074】

このように検出目標とする異物Ｐの大きさに合わせて、異物Ｐから発生する散乱光が通過する減光フィルタ４９１～４９３を切り替える。つまり散乱光の減光率を切り替える。それにより、検出目標となる異物の信号レベルは、上記した計数部５３の計測可能範囲に収まる。従って既述したように回路規模の増大を抑制することができる。

【0075】

この図１９～図２１で述べた実施形態の装置により各減光フィルタ４９１～４９３を通過する散乱光を夫々測定し、小さい異物Ｐから大きい異物Ｐまで検出するようにしてもよいし、あるいは、目標とする異物Ｐの大きさを決めて、異物Ｐの大きさに応じた減光フィルタ４９１～４９３のみに散乱光を通過させて測定を行うようにしてもよい。

【0076】

そして、この実施形態においては、使用する減光フィルタを切り替えるにあたり、フィルタの切り替え機構として光路形成部４の各構成要素を移動させる移動機構４３を利用している。従ってフィルタの切り替え専用の機構を設けなくても、移動機構４３（第２の相対位置移動機構）により、流路形成部１４と、減光フィルタ４９１～４９３との相対位置を移動させることで、この切り替えを行っている。そのように切り替え専用の機構を不要とすることで、装置の製造コストの抑制やメンテナンスの手間の削減を図ることができる。ただし、切り替え専用の機構を設けてもよい。

【0077】

受光部４８全体を覆うように減光フィルタを設けた例を示したが、一部のみを覆うようにし、減光フィルタを通過させた光を受光して検出する場合と、減光フィルタを通過させずに光を検出する場合とを切り替えるように構成してもよい。また、図１６～図１８で示した実施形態と組み合わせて、バンドパスフィルタと減光フィルタとが受光部４８に重なって設けられていてもよい。

【0078】

この図１９～図２２にて説明した散乱光を透過させる減光フィルタ４９１～４９３を切り替える構成は、近赤外線以外の波長のレーザー光を用いる異物検出ユニット２に適用してもよい。そのような装置においても、受光部４８にて検出される検出信号の範囲を狭くすることができる。従って検出信号を計数部５３の計測範囲に合わせこむアンプ、減衰器の数の削減を図ることができ、既述した回路規模の大型化を抑制することができる。
なお、このように減光フィルタを設ける場合においても例えばＢＰＦ４９Ａ、４９Ｂを設ける場合と同様に流路形成部１４が構成される。つまり反応領域４０の位置に応じて集光された光の照射方向が変化するように構成される。

【0079】

なお、図１５～図２２の各例で流路形成部１４に供給される液体が塗布液とレジスト液との間で切り替えられるように述べてきたが、そのように切り替わることには限られない。例えば、複数の流路形成部１４のうちの一部の流路形成部１４に塗布液が供給され、他の一部の流路形成部１４にレジスト液が供給される。そして流路形成部１４に応じて使用するレーザー光の波長、ＢＰＦ等が選択されるようにしてもよい。

【0080】

なお、散乱光を利用して異物を検出する構成例について述べてきたが、そのような構成とすることには限られず、透過光を用いて異物の検出を行ってもよい。その場合には、投光部と受光部とを流路形成部１４を挟んで対向させ、流路形成部１４を透過したレーザー光（即ち、流路形成部１４に光照射して流路形成部１４から発せられた光である）を受光し、その透過光に基づいて異物の検出を行うようにする。

【0081】

続いて、上記のＳＯＣ塗布装置１が含まれる基板処理システムの一例である塗布、現像装置７について、図２３の平面図及び図２４の縦断側面図を参照しながら説明する。塗布、現像装置７は、ウエハＷの表面への塗布液の塗布によるＳＯＣ膜の形成と、レジスト塗布によるレジスト膜の形成と、露光後のレジスト膜の現像によるレジストパターンの形成と、を行う。キャリアブロックＢ１と、検査ブロックＢ２、多目的ブロックＢ３、処理ブロックＢ４と、インターフェイスブロックＢ５と、を横方向に直線状に接続して構成されている。これらの各ブロックＢ１～Ｂ５は各々筐体を備えており、互いに区画されている。図中Ｂ６は露光装置であり、インターフェイスブロックＢ５に接続されている。

【0082】

キャリアブロックＢ１の載置台７１に載置されたキャリアＣ内のウエハＷは、搬送機構７３により、キャリアＣと検査ブロックＢ２との間で受け渡される。図中７２は、キャリアブロックＢ１の隔壁及びキャリアＣの蓋を開閉する開閉部である。検査ブロックＢ２は、レジストパターン形成後のウエハＷを検査する検査モジュール７４と、多目的ブロックＢ３と、処理ブロックＢ４との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳと、を備える。

【0083】

多目的ブロックＢ３は、処理ブロックＢ４を構成する各単位ブロックＥ１～Ｅ６と、検査ブロックＢ２との間でウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールＴＲＳを多数備える。この多数の受け渡しモジュールＴＲＳは互いに積層され、タワーＴ１を構成している。また、タワーＴ１を構成する各モジュールに対して、ウエハＷを受け渡すために昇降自在な搬送機構７０が設けられている。

【0084】

処理ブロックＢ４は、ウエハＷに液処理を行う単位ブロックＥ１～Ｅ６を下方から順番に積層して構成されており、単位ブロックＥ１～Ｅ６では互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。単位ブロックＥ１とＥ２、Ｅ３とＥ４、Ｅ５とＥ６が夫々互いに同様に構成されている。図２３では単位ブロックＥ１を示しており、代表してこの単位ブロックＥ１について説明する。当該単位ブロックＥ１には、多目的ブロックＢ３側からインターフェイスブロックＢ５側へ向かって伸びる搬送領域７６が設けられている。この搬送領域７６に、上記のタワーＴ１を構成する各モジュール及び処理ブロックＢ４を構成する各モジュールに対してウエハＷを搬送する搬送機構Ｆ１が設けられる。この搬送領域７６の長さ方向に向かって見て、左右の一方側には加熱モジュール７９が設けられ、左右の他方側にはＳＯＣ塗布装置１の設置領域７７、７８が設けられる。なお、ここでいう左右は、異物検出ユニット２の説明で用いた左右と必ずしも一致しない。

【0085】

設置領域７７、７８は、搬送領域７６の長さ方向に沿って配置されている。そして、設置領域７７、７８には、上記した２つのカップ２３、２つのスピンチャック２１、ノズル１１Ａ～１１Ｌを支持するアーム２４、移動機構２５及び異物検出ユニット２を構成する筐体３１が各々設けられている。つまり、単位ブロックＥ１には、基板載置部とノズルとの組が、複数設けられる。上記のカップ２３は搬送領域７６の長さ方向に沿って列をなして配置されている。また、筐体３１はカップ２３の列から見て、搬送領域７６の反対側に設けられている。なお、ノズル１１Ａ～１１Ｌに接続される処理液供給管１２Ａ～１２Ｌ及び処理液供給部１３Ａ～１３Ｌについては、設置領域７７、７８から多目的ブロックＢ３へと引き回されており、当該多目的ブロックＢ３に設けられる処理液供給部１３を構成するポンプに接続されている。

【0086】

単位ブロックＥ３、Ｅ４は、設置領域７７、７８にレジストを供給してレジスト膜の形成を行うレジストモジュールが設置されることを除いて、単位ブロックＥ１、Ｅ２と同様に構成されている。レジストモジュール（レジスト塗布装置）はウエハＷにレジスト液を供給すること、既述したように検査用のレーザー光の波長等がレジスト液に対応したものであることを除いて、ＳＯＣ塗布装置１と同様の構成である。単位ブロックＥ５、Ｅ６は、設置領域７７、７８に現像液を供給して現像を行う現像液モジュールが設置されることを除いて、単位ブロックＥ１、Ｅ２と同様に構成されている。また、図２４において、単位ブロックＥ２～Ｅ６における単位ブロックＥ１の搬送機構Ｆ１に相当する搬送機構を、Ｆ２～Ｆ６として示している。

【0087】

インターフェイスブロックＢ５は、単位ブロックＥ１～Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。タワーＴ２は各単位ブロックＥ１～Ｅ６に対応する高さに設けられた受け渡しモジュールＴＲＳを備え、上記の搬送機構Ｆ１～Ｆ６が対応する各高さの受け渡しモジュールＴＲＳにウエハＷを搬送する。また、インターフェイスブロックＢ５には、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構８１と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構８２と、タワーＴ２と露光装置Ｂ６の間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送機構８３と、が設けられている。タワーＴ３、Ｔ４に設けられるモジュールについては記載を省略する。

【0088】

この塗布、現像装置７におけるウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリアＣから搬送機構７３により、検査ブロックＢ２の受け渡しモジュールＴＲＳに搬送され、然る後、搬送機構７５を介して多目的ブロックＢ３のタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。ここからウエハＷは、搬送機構７０により単位ブロックＥ１、Ｅ２に振り分けられて搬送される。

【0089】

振り分けられたウエハＷは、受け渡しモジュールＴＲＳ１～ＴＲＳ２を介して各単位ブロックＥ１～Ｅ２のＳＯＣ塗布装置１のカップ２３に搬送され、プリウエット及びＳＯＣ塗布処理を受ける。これらの処理に並行して、図８を用いて説明した異物の検出が行われる。続いてウエハＷは、加熱モジュール７９に搬送されて加熱処理された後、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ３、ＴＲＳ４に搬送され、単位ブロックＥ３、Ｅ４に振り分けられて搬送される。そして、レジストモジュールにて、プリウエット及びレジスト塗布処理を受ける。これらの処理に並行して、図８を用いて説明した異物の検出が行われる。続いてウエハＷは、加熱モジュール７９に搬送されて加熱処理された後、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ１３、ＴＲＳ４１に搬送され搬送機構８２、８３により、タワーＴ２を介して露光装置Ｂ６へ搬入されて、レジスト膜が露光される。

【0090】

露光後のウエハＷは、搬送機構８３、８２によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５～Ｅ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１、ＴＲＳ６１に夫々搬送される。然る後、ウエハＷは、加熱モジュール７９に搬送されて露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーべーク）が行われる。続いて、ウエハＷは、現像モジュールに搬送されて現像液が供給され、レジストパターンが形成される。その後、ウエハＷはタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４～ＴＲＳ６、搬送機構７５を介して検査ブロックＢ２の検査モジュール７４に搬送されて検査を受けた後、搬送機構７３を介してキャリアＣに戻される。

【0091】

上記の塗布、現像装置７では、筐体３１がカップ２３の近傍に設けられる。より具体的には、カップ２３が設けられる単位ブロックＥと同じ単位ブロックＥに異物検出ユニット２が設けられる。このような配置により、流路形成部１４Ａ～１４Ｌからノズル１１Ａ～１１Ｌまでの流路の長さを比較的短くすることができる。異物は処理液供給管１２Ａ～１２Ｌから発生する可能性が有ることを考えると、当該流路の長さが短いことによって、流路形成部１４Ａ～１４Ｌとノズル１１Ａ～１１Ｌとの間の異物の量についての差が抑えられる。従って、ウエハＷに供給される処理液の清浄度について精度高く監視することができる。

【0092】

ただし、各筐体３１については単位ブロックＥ１～Ｅ３のカップ２３の近傍に設置することに限られず、カップ２３から比較的大きく離れた検査ブロックＢ２や多目的ブロックＢ３に設けてもよい。図２３中の８５、８６は、検査ブロックＢ２、多目的ブロックＢ３における筐体設置領域の一例を示しており、例えばこれらの筐体設置領域８５または８６に複数の筐体３１を設置することができる。つまり、異物検出ユニット２は、キャリアブロックＢ１及び処理ブロックＢ４とは区画されたブロックに設けることができ、そのように配置された異物検出ユニット２の流路形成部１４から、各単位ブロックＥ１～Ｅ４のノズル１１Ａ～１１Ｌへ処理液を供給することができる。占有スペースを抑えるために、筐体設置領域８５、８６に設けられる各筐体３１については、例えば互いに積層される。

【0093】

ところで、既述の例ではノズル１１Ａ～１１Ｌから吐出される全ての処理液について異物の検出が行われるものとして説明したが、そのように全ての処理液について異物の検出を行うことに限られず、高い清浄度が求められる処理液についてのみ検出を行ってもよい。図２５は、単位ブロックＥ１～Ｅ２の設置領域７７、７８に設けられるＳＯＣ塗布装置１、及び単位ブロックＥ３～Ｅ４の設置領域７７、７８に設けられるレジスト塗布装置のノズル１１Ａに接続される流路形成部１４Ａについてのみ、異物の検出を行う構成例を示している。

【0094】

この図２５に示す筐体３１は、例えば上記の筐体設置領域８５または８６に設けられている。そして、この筐体３１には流路形成部１４Ａ～１４Ｌが格納される代わりに、各設置領域７７、７８に設けられるノズル１１Ａに対応する流路形成部１４Ａが格納される。つまり、この図２５に示す例では、４つのＳＯＣ塗布装置１、及び４つのレジスト塗布装置が１つの異物検出ユニット２を共用している構成となっている。本開示に係る異物検出ユニット２は、多くの処理液中の異物を検出することができ、ＳＯＣ塗布装置１、及びレジスト塗布装置に対して共通化することができる。このような構成とすることで、塗布、現像装置７の製造コスト及び運用コストの低減を図ることができる。

【0095】

このように異物検出ユニット２が処理液の異なる装置１、例えばＳＯＣ塗布装置１と、レジスト塗布装置と、の間で共有される場合、ＳＯＣ塗布装置１と、レジスト塗布装置と、の処理が並行して行われる場合が有る。そのため、図１５で述べた測定セットを複数設ける構成とすることが有効である。

【0096】

なお、異物の検査対象となる処理液は、例えば現像液、ウエハＷを洗浄処理するための洗浄液、反射防止膜形成用の薬液、絶縁膜形成用の薬液、ウエハＷを貼り合わせるための接着剤などであってもよい。従って、基板処理装置としては、現像装置や洗浄装置などであってもよい。

【0097】

また、上記の処理液供給管１２Ａ～１２Ｋについて、例えば上流側から塗布液と、洗浄液とが切り替えて供給される構成とされ、シンナーはノズル１１からウエハＷ以外の箇所に吐出されるようにする。当該シンナーは処理液供給管１２Ａ～１２Ｋの洗浄液であり、この洗浄液についても塗布液と同様に、処理液供給管１２Ａ～１２Ｋを流通中における異物の検出が行われるようにしてもよい。そのように洗浄液について異物の検出を行う場合には、検出結果に基づいて適切なタイミングで洗浄を終了し、洗浄に用いる処理液を無駄にすることを防ぐことができる。この処理液供給管１２Ａ～１２Ｋの洗浄については、塗布液中の異物の検出結果に基づいて自動で行われるようにしてもよい。このように本開示は、当該処理液が流通する流路を流れる液体中の異物を検出する場合に適用することができ、ウエハＷに供給される処理液中に含まれる異物を検出することに限られない。

【0098】

また、例えば現像装置において、現像後にウエハＷを乾燥させるためにウエハＷに不活性ガスを供給するガスノズルを設けてもよい。そして、このガスノズルの上流側に接続される流路について、上記の異物の検出を行ってもよい。つまり本技術によって行う異物の検出は、液体に限られず、気体を対象とする異物の検出であってもよい。

【0099】

なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0100】

［検証試験］
本開示に係る基板処理装置の効果を検出するため、成分の異なる２種のＳＯＣ膜形成用の塗布液のサンプル１、サンプル２に、波長が６７０ｎｍ、８３０ｎｍ、及び９４０ｎｍのレーザー光を夫々照射し、透過率（透過率＝（入射光量－吸収損失－散乱損失）／入射光量）を測定した。なお、各サンプルは有色である。

【0101】

図２６はこの結果を示しており、縦軸の値は、各サンプル１、２において測定された透過率の値を、同じ波長のレーザー光にて測定されるシンナーの透過率の値に対してのパーセントで示している。グラフに示すように、サンプル１，２において、波長が８３０ｎｍ、９４０ｎｍであるときに透過率が９０％を越えていた。そして、液体中の異物を検出するにあたって、薬液の透過率は、シンナーの透過率に対して９０％以上であることが好ましいが、波長７５０ｎｍ以上でサンプル１，２共に透過率が９０％以上となることが、グラフより確認される。そして、８３０ｎｍで透過率が９０％以上であることが明確に示されていることから、波長を７５０ｎｍ以上とすることが好ましく、８３０ｎｍ以上であるとより好ましい。従って、既述したように測定を行うにあたり、近赤外線を液体に照射することが好ましいことが示された。

【0102】

またサンプル１、２に各波長のレーザー光を照射したときの、サンプル１、２を流した流路の損傷及びサンプル１、２にレーザー光を照射したときの蛍光の有無の結果を調べた。これら流路の損傷や蛍光の確認は、サンプルにおけるレーザー光の吸収の傾向の一指標となる。

【0103】

サンプル１、２の双方において、いずれの波長のレーザー光を照射したときに流路の損傷は観察されなかった。またサンプル１、２の双方において、波長６７０ｎｍのレーザー光を照射したときに蛍光が観察された。つまりレーザー光の吸収が起きている。さらに波長８３０ｎｍのレーザー光でもサンプル１、２の双方において、蛍光が観察されたが、サンプル１では、ごくわずかな蛍光であり、波長９４０ｎｍのレーザー光では、いずれのサンプル１、２にて蛍光は観察されなかった。従って蛍光、流路の損傷の傾向から見ても７５０ｎｍ程度以上の波長のレーザー光を用いることで塗布液による吸収を抑えることができると推定される。また、波長が８３０ｎｍ以上であるとすると、より好ましいことが確認された。

【符号の説明】

【0104】

Ｗ ウエハ
１ ＳＯＣ塗布装置
１２ 処理液供給管
２ 異物検出ユニット
１４ 流路形成部
４４ 投光部
４８ 受光部
５３ 計数部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【手続補正書】

【提出日】2024-05-16

【手続補正1】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0005】

本発明の基板処理装置は、基板に供給される液体が通流する供給路と、
投光部により前記供給路の一部を成す流路形成部に向けて近赤外線である光が照射された結果として前記流路形成部から光が発せられて、前記流路形成部から発せられた光を受光部が受光して得られる信号に基づいて、前記液体の中の異物を検出可能な異物検出ユニットと、
光源と、
前記光源から前記流路形成部へ向かう光路を形成する前段側光路形成部と、
前記前段側光路形成部が備えると共に前記投光部をなし、前記光源からの光を反射させる反射部と、
を備える。