(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024105980
(43)【公開日】2024-08-07
(54)【発明の名称】チップの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20240731BHJP
H01L 21/461 20060101ALI20240731BHJP
B23K 26/36 20140101ALI20240731BHJP
B23K 26/53 20140101ALN20240731BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 B
H01L21/78 F
H01L21/78 S
H01L21/461
B23K26/36
B23K26/53
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023010010
(22)【出願日】2023-01-26
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】橋本 一輝
(72)【発明者】
【氏名】小林 正和
【テーマコード（参考）】
4E168
5F004
5F063
【Ｆターム（参考）】
4E168AD01
4E168AD18
4E168AE01
4E168CB07
4E168DA04
4E168DA24
4E168EA06
4E168HA01
4E168JA12
5F004AA16
5F004DB01
5F004EB04
5F004FA05
5F063AA02
5F063BA07
5F063CB02
5F063CB06
5F063CB12
5F063CB16
5F063CB17
5F063CB22
5F063CB25
5F063CB26
5F063CB27
5F063CB28
5F063CC29
5F063CC38
5F063CC39
5F063CC53
5F063DD25
5F063DD37
5F063DD46
(57)【要約】
【課題】チップとなる領域にバリが発生し難いチップの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、膜と、を含む被加工物からチップを製造するチップの製造方法であって、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物にレーザービームを照射することで、分割予定ラインの幅の方向において互いに離れた２本の溝を形成し、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物の２本の溝の間の領域にレーザービームを照射することで、２本の溝のそれぞれの脇に膜が残存する残存領域を形成するように２本の溝の間で基板を露出させ、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物の２本の溝の間の残存領域にレーザービームを照射することで、２本の溝の間の該残存領域を除去し、分割予定ラインに沿って基板を切断することで、チップを製造する。
【選択図】図７
【解決手段】基板と、膜と、を含む被加工物からチップを製造するチップの製造方法であって、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物にレーザービームを照射することで、分割予定ラインの幅の方向において互いに離れた２本の溝を形成し、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物の２本の溝の間の領域にレーザービームを照射することで、２本の溝のそれぞれの脇に膜が残存する残存領域を形成するように２本の溝の間で基板を露出させ、分割予定ラインに沿って膜側から被加工物の２本の溝の間の残存領域にレーザービームを照射することで、２本の溝の間の該残存領域を除去し、分割予定ラインに沿って基板を切断することで、チップを製造する。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び該第１面とは反対側の第２面を有する基板と、該基板の該第１面に重ねられた膜と、を含む被加工物からチップを製造するチップの製造方法であって、
該被加工物に設定され幅を持つ直線状の分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物にレーザービームを照射することで、該分割予定ラインの該幅の方向において互いに離れた２本の溝を形成し、
該２本の溝を形成した後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝のそれぞれの脇に該膜が残存する残存領域を形成するように該２本の溝の間で該基板を露出させ、
該２本の溝の間で該基板を露出させた後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の該残存領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝の間の該残存領域を除去し、
該２本の溝の間で該基板を露出させると同時に、該２本の溝の間で該基板を露出させた後且つ該２本の溝の間の該残存領域を除去する前に、又は該２本の溝の間の該残存領域を除去した後に、該分割予定ラインに沿って該基板を切断することでチップを製造するチップの製造方法。
該被加工物に設定され幅を持つ直線状の分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物にレーザービームを照射することで、該分割予定ラインの該幅の方向において互いに離れた２本の溝を形成し、
該２本の溝を形成した後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝のそれぞれの脇に該膜が残存する残存領域を形成するように該２本の溝の間で該基板を露出させ、
該２本の溝の間で該基板を露出させた後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の該残存領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝の間の該残存領域を除去し、
該２本の溝の間で該基板を露出させると同時に、該２本の溝の間で該基板を露出させた後且つ該２本の溝の間の該残存領域を除去する前に、又は該２本の溝の間の該残存領域を除去した後に、該分割予定ラインに沿って該基板を切断することでチップを製造するチップの製造方法。
【請求項2】
該分割予定ラインに沿って切削ブレードで該基板を切削することで、該基板を切断してチップを製造する請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項3】
該基板に吸収される波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該基板に照射して該基板をアブレーション加工することで、該基板を切断してチップを製造する請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項4】
該基板を透過する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該基板に照射して該基板の内部に分割の起点となる起点領域を形成することで、該基板を切断してチップを製造する請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項5】
該基板に対してプラズマ状態のエッチングガスを供給することで、該基板を切断してチップを製造する請求項１に記載のチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるチップ（デバイスチップ）が必須の構成要素になっている。このチップは、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体でなるウェーハの表面側をストリートと呼ばれる分割予定ラインで複数の領域に区画し、各領域に電子回路等のデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することにより得られる。
【0003】
近年では、上述したデバイスの処理能力を高めるために、通常の絶縁膜に比べて誘電率が低いＬｏｗ－ｋ膜（低誘電率絶縁膜）を用いてデバイスの配線間を絶縁する技術が実用化されている。配線間の絶縁にＬｏｗ－ｋ膜を用いることで、回路パターンの微細化に伴い配線の間隔が狭くなったとしても、配線間に生じる静電容量の増大が抑制される。つまり、配線間の静電容量の増大に起因する信号の遅延も抑制される。
【0004】
ところが、Ｌｏｗ－ｋ膜の機械的な強度は、一般的に、通常の絶縁膜に比べて低い。よって、例えば、環状のブレードを回転させて切り込ませる切削加工のような方法でウェーハを分割しようとすると、ウェーハからＬｏｗ－ｋ膜が剥がれてしまう。そこで、ウェーハにレーザービームを照射してＬｏｗ－ｋ膜が除去された２本の溝を分割予定ラインに形成し、この２本の溝の間の領域を加工することで、Ｌｏｗ－ｋ膜の剥がれを抑制しながらウェーハを分割する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００５－６４２３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、上述した２本の溝の間の領域には、Ｌｏｗ－ｋ膜をはじめとしたバリ（突起物）の原因となる種々の膜が残っているので、この２本の溝の間でウェーハを加工すると、チップとなる領域にバリが発生し易かった。
【0007】
よって、本発明の目的は、チップとなる領域にバリが発生し難いチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一側面によれば、第１面及び該第１面とは反対側の第２面を有する基板と、該基板の該第１面に重ねられた膜と、を含む被加工物からチップを製造するチップの製造方法であって、該被加工物に設定され幅を持つ直線状の分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物にレーザービームを照射することで、該分割予定ラインの該幅の方向において互いに離れた２本の溝を形成し、該２本の溝を形成した後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝のそれぞれの脇に該膜が残存する残存領域を形成するように該２本の溝の間で該基板を露出させ、該２本の溝の間で該基板を露出させた後に、該分割予定ラインに沿って該膜側から該被加工物の該２本の溝の間の該残存領域にレーザービームを照射することで、該２本の溝の間の該残存領域を除去し、該２本の溝の間で該基板を露出させると同時に、該２本の溝の間で該基板を露出させた後且つ該２本の溝の間の該残存領域を除去する前に、又は該２本の溝の間の該残存領域を除去した後に、該分割予定ラインに沿って該基板を切断することでチップを製造するチップの製造方法が提供される。
【0009】
本発明の一側面において、該分割予定ラインに沿って切削ブレードで該基板を切削することで、該基板を切断してチップを製造することが好ましい。又は、該基板に吸収される波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該基板に照射して該基板をアブレーション加工することで、該基板を切断してチップを製造することが好ましい。
【0010】
又は、該基板を透過する波長のレーザービームを該分割予定ラインに沿って該基板に照射して該基板の内部に分割の起点となる起点領域を形成することで、該基板を切断してチップを製造することが好ましい。又は、該基板に対してプラズマ状態のエッチングガスを供給することで、該基板を切断してチップを製造することが好ましい。
【発明の効果】
【0011】
本発明の一側面にかかるチップの製造方法では、２本の溝が形成された後に、この２本の溝の間の領域にレーザービームが照射されることで、２本の溝のそれぞれの脇に膜が残存する残存領域を形成するように２本の溝の間で基板が露出し、その後、２本の溝の間の残存領域にレーザービームが照射されることで、２本の溝の間の残存領域が除去される。
【0012】
つまり、２本の溝の間の膜は、残存領域が形成される第１段階と、残存領域が除去される第２段階と、の２段階を経て除去される。そのため、第１段階において形成される残存領域にバリが発生したとしても、このバリは、第２段階で残存領域とともに除去される。よって、本発明の一側面にかかるチップの製造方法によれば、２本の溝の間の膜を１段階で除去する従来の方法に比べて、チップとなる領域にバリが発生し難くなる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態にかかるチップの製造方法に使用される被加工物１１の外観を示す斜視図であり、図２は、被加工物１１の一部を示す断面図である。図１及び図２に示されるように、被加工物１１は、例えば、円形状の表面（第１面）１３ａと、表面１３ａとは反対側の円形状の裏面（第２面）１３ｂと、を有する円盤状の基板１３を含む。この基板１３は、代表的には、シリコン（Ｓｉ）等の半導体で構成されるウェーハである。
【0015】
基板１３の表面１３ａ側には、１又は複数の膜によって構成される機能層（膜）１５が重ねられている。具体的には、この機能層１５は、配線等となる金属膜、配線間を絶縁する絶縁膜（Ｌｏｗ－ｋ膜を含む）、半導体膜等により構成される。なお、機能層１５に用いられるＬｏｗ－ｋ膜としては、代表的には、ＳｉＯＦ、ＳｉＯＢ等の無機材料でなる無機絶縁膜や、ポリイミド系、パレリン系のポリマー等でなる有機絶縁膜等が挙げられる。
【0016】
上述した基板１３の裏面１３ｂが被加工物１１の裏面１１ｂとなり、機能層１５の表面１５ａが被加工物１１の表面１１ａとなる。この被加工物１１の表面１１ａ側は、例えば、所定の幅を持つ直線状の複数の分割予定ライン（ストリート）１７で複数の小領域に区画されており、各小領域には、機能層１５を構成要素として含むＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１９が設けられている。機能層１５は、分割予定ライン１７にも形成されている。
【0017】
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体で構成されるウェーハを基板１３として含む被加工物１１が用いられるが、被加工物１１に含まれる基板１３の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料で構成される基板１３を含む被加工物１１が用いられてもよい。同様に、デバイス１９の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。被加工物１１には、デバイス１９が形成されていなくてもよい。
【0018】
本実施形態にかかるチップの製造方法では、このように構成された被加工物１１を分割予定ライン１７で分割することにより、それぞれがデバイス１９を含む複数のチップが製造される。具体的には、まず、被加工物１１に設定された分割予定ライン１７に沿って機能層１５側から被加工物１１にレーザービームを照射することで、分割予定ライン１７の幅の方向において互いに離れた２本の溝が形成される（溝形成ステップ）。
【0019】
図３は、被加工物１１の分割予定ライン１７にレーザービーム２１が照射される様子を示す側面図である。図４は、対象の分割予定ライン１７に２本の溝１１ｃが形成された状態の被加工物１１の一部を示す平面図であり、図５は、対象の分割予定ライン１７に２本の溝１１ｃが形成された状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。
【0020】
分割予定ライン１７にレーザービーム２１を照射して溝１１ｃを形成する際には、例えば、図３に示されるレーザー加工装置２が使用される。なお、以下の説明で用いられるＸ軸（加工送り軸）、Ｙ軸（割り出し送り軸）、及びＺ軸（鉛直軸）は、互いに垂直である。また、図３に示されるように、本実施形態では、裏面１１ｂ側にテープ２３が貼付された状態で被加工物１１にレーザービーム２１が照射されるが、被加工物１１には、テープ２３が貼付されていない状態でレーザービーム２１が照射されてもよい。
【0021】
図３に示されるように、レーザー加工装置２は、被加工物１１を保持できるように構成されたチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４の上面（保持面）４ａは、Ｘ軸及びＹ軸に対して概ね平行に、且つ概ね平坦に構成され、例えば、被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼付されているテープ２３に接触する。この上面４ａは、チャックテーブル４の内部に設けられている流路（不図示）や、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
【0022】
チャックテーブル４の下部には、上面４ａの中央を通りＺ軸に対して概ね平行な回転軸の周りにチャックテーブル４を回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。チャックテーブル４及び回転駆動源は、ボールねじ式の移動機構（不図示）に支持されており、この移動機構により、Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに沿って移動する。
【0023】
チャックテーブル４の上方には、レーザー発振器（不図示）により生成されたレーザービーム２１を、チャックテーブル４により保持された被加工物１１へと導くレーザー加工ヘッド６が配置されている。レーザー発振器は、例えば、レーザー発振に適したＮｄ：ＹＡＧ等のレーザー媒質を含み、被加工物１１（機能層１５）に吸収される波長を持つパルス状のレーザービーム２１を所定の繰り返し周波数で生成する。
【0024】
レーザー加工ヘッド６は、レーザー発振器から放射されたパルス状のレーザービーム２１を被加工物１１へと導くミラーやレンズ等の光学系を備えており、例えば、チャックテーブル４の上方の所定の高さの位置（Ｚ軸に沿う方向での位置）にレーザービーム２１を集光させる。レーザー加工ヘッド６から照射されるレーザービーム２１により、被加工物１１の機能層１５がアブレーション加工される。
【0025】
被加工物１１をレーザービーム２１で加工する際には、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼付されているテープ２３が上面４ａに接触するように、つまり、被加工物１１の表面１１ａ側が上方を向くように、被加工物１１がチャックテーブル４に載せられる。この状態で、吸引源により発生させた負圧（吸引力）をチャックテーブル４の上面４ａに作用させると、テープ２３が上面４ａに吸引され、被加工物１１は、テープ２３を介してチャックテーブル４に保持される。
【0026】
次に、加工の対象となる分割予定ライン１７の長さの方向がＸ軸に対して概ね平行になるように、チャックテーブル４の回転軸の周りの向きが回転駆動源により調整される。そして、分割予定ライン１７の長さの方向での延長線の上方にレーザー加工ヘッド６が配置されるように、Ｙ軸に沿う方向でのチャックテーブル４の位置が移動機構により調整される。また、被加工物１１の加工に適した高さの位置にレーザービーム２１を集光させるように、レーザー加工ヘッド６の光学系等が調整される。
【0027】
その後、図３に示されるように、レーザー加工ヘッド６にレーザービーム２１を照射させながら、移動機構が所定の速さ（加工送り速度）でチャックテーブル４をＸ軸に沿って移動させる。つまり、チャックテーブル４に保持された被加工物１１と、レーザービーム２１の集光点と、がＸ軸に沿って相対的に移動する。
【0028】
その結果、レーザービーム２１が表面１１ａ側から分割予定ライン１７に沿って被加工物１１に照射され、機能層１５のレーザービーム２１が照射された部分は、アブレーション加工により除去される。そして、図４及び図５に示されるように、分割予定ライン１７に沿った溝１１ｃが得られる。
【0029】
レーザービーム２１を照射する際の条件は、対象の分割予定ライン１７の幅の方向において互いに離れた２本の溝１１ｃが適切に形成される範囲で調整される。例えば、レーザービーム２１の波長は、２６６ｎｍ～１０６４ｎｍ、代表的には、３５５ｎｍに設定され、繰り返し周波数は、５０ｋＨｚ～５０００ｋＨｚ、代表的には、１０００ｋＨｚに設定され、平均出力は、０．１Ｗ～１０Ｗ、代表的には、１．０Ｗに設定され、加工送り速度は、１０ｍｍ／ｓ～１０００ｍｍ／ｓ、代表的には、５０ｍｍ／ｓに設定される。
【0030】
また、レーザービーム２１は、分割予定ライン１７の幅の方向において互いに離れた２点（つまり、Ｙ軸に沿って離れた２点）に集光されるように、分岐されていてもよい。この場合には、１度のチャックテーブル４の移動（レーザービーム２１の走査）により、２本の溝１１ｃが同時に形成される。ただし、レーザービーム２１を照射する際の具体的な条件や照射の態様等は、これらに限定されない。
【0031】
なお、このようにして形成される溝１１ｃの底には、基板１３が露出している可能性が高い。ただし、溝１１ｃの底には、必ずしも基板１３が露出しなくてもよい。つまり、溝１１ｃは、機能層１５の裏面１５ｂに達していてもよいし、機能層１５の裏面１５ｂに達していなくともよい。
【0032】
対象の分割予定ライン１７に２本の溝１１ｃが形成された後には、２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出するように、この分割予定ライン１７に沿って機能層１５側から２本の溝１１ｃの間の領域にレーザービームが照射される。より具体的には、２本の溝１１ｃのそれぞれの脇に機能層１５が残存する残存領域が形成されるように、２本の溝１１ｃの間の領域にレーザービームが照射される（残存領域形成ステップ）。
【0033】
図６は、２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出した状態の被加工物１１の一部を示す平面図であり、図７は、２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出した状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。２本の溝１１ｃの間で基板１３を露出させる際にも、例えば、上述したレーザー加工装置２と同様のレーザー加工装置が使用される。具体的な加工の手順は、溝１１ｃが形成される場合と同様である。
【0034】
例えば、所定のレーザービームが表面１１ａ側から分割予定ライン１７に沿って被加工物１１の２本の溝１１ｃの間の領域に照射されると、機能層１５のレーザービームが照射された部分は、アブレーション加工により除去される。これにより、図６及び図７に示されるように、分割予定ライン１７に沿って２本の溝１１ｃの間で機能層１５が除去され基板１３が露出した露出領域１１ｄが形成される。
【0035】
レーザービームを照射する際の条件は、機能層１５が残存する残存領域１１ｅを２本の溝１１ｃのそれぞれの脇に形成することができる範囲で調整される。例えば、レーザービームの波長は、２６６ｎｍ～１０６４ｎｍ、代表的には、３５５ｎｍに設定され、繰り返し周波数は、５０ｋＨｚ～５０００ｋＨｚ、代表的には、５００ｋＨｚに設定され、平均出力は、０．１Ｗ～１０Ｗ、代表的には、３．０Ｗに設定され、加工送り速度は、１０ｍｍ／ｓ～１０００ｍｍ／ｓ、代表的には、８００ｍｍ／ｓに設定される。
【0036】
また、このレーザービームは、分割予定ライン１７の幅の方向で露出領域１１ｄとなる所定の範囲に同時に照射されるように、分岐又は成形されていてもよい。この場合には、１度のチャックテーブル４の移動（レーザービームの走査）により、対象の分割予定ライン１７に露出領域１１ｄ及び残存領域１１ｅが形成される。ただし、レーザービームを照射する際の具体的な条件や照射の態様等は、これらに限定されない。
【0037】
２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出し、露出領域１１ｄ及び残存領域１１ｅが形成された後には、この分割予定ライン１７に沿って機能層１５側から２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅにレーザービームが照射され、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅが除去される（残存領域除去ステップ）。
【0038】
図８は、２本の溝１１ｃの脇に残存していた残存領域１１ｅが除去された状態の被加工物１１の一部を示す平面図であり、図９は、２本の溝１１ｃの脇に残存していた残存領域１１ｅが除去された状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅを除去する際にも、例えば、上述したレーザー加工装置２と同様のレーザー加工装置が使用される。具体的な加工の手順は、溝１１ｃが形成される場合等と同様である。
【0039】
例えば、所定のレーザービームが表面１１ａ側から分割予定ライン１７に沿って残存領域１１ｅに照射されると、対象の残存領域１１ｅは、アブレーション加工により除去される。これにより、図８及び図９に示されるように、２本の溝１１ｃと露出領域１１ｄとが連結された幅の広い露出領域１１ｆが形成される。
【0040】
２本の溝１１ｃの間で残存領域１１ｅが除去され、幅の広い露出領域１１ｆが形成された後には、対象の分割予定ライン１７に沿って任意の方法で基板１３が切断される（基板切断ステップ）。これにより、対象の分割予定ライン１７で被加工物１１が分割され、複数のチップが得られる。図１０は、２本の溝１１ｃの間の領域で切断された状態の被加工物１１の一部を示す平面図であり、図１１は、２本の溝１１ｃの間の領域で切断された状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。
【0041】
基板１３を切断する際の具体的な方法としては、例えば、砥粒が結合剤に分散されてなる切削ブレードを分割予定ライン１７の露出領域１１ｆに沿って切り込ませる切削加工、基板１３に吸収される波長のレーザービームを分割予定ライン１７の露出領域１１ｆに沿って基板１３に照射するアブレーション加工、基板１３に反応するプラズマ状態のエッチングガスを基板１３に対して供給するエッチング加工等の方法が用いられる。
【0042】
これらの方法により、基板１３は対象の分割予定ライン１７において除去され、図１０及び図１１に示されるように、基板１３を表面１３ａから裏面１３ｂまで貫通するカーフ（スリット）１１ｇが対象の分割予定ライン１７に形成される。すなわち、被加工物１１は、対象の分割予定ライン１７において複数のチップへと分割される。
【0043】
なお、本実施形態では、被加工物１１の１本の分割予定ライン１７に対する加工のみに着目してチップの製造方法が説明されているが、本発明にかかるチップの製造方法では、全ての分割予定ライン１７が同様の方法で加工され得る。加工の順序に対する大きな制限もない。
【0044】
例えば、全ての分割予定ライン１７に同じ加工（例えば、２本の溝１１ｃを形成する加工）が施された後に、全ての分割予定ライン１７に次の同じ加工（例えば、露出領域１１ｄ及び残存領域１１ｅを形成する加工）が施されてもよい。また、１本の分割予定ライン１７に全ての加工が施された後に、次の１本の分割予定ライン１７に全ての加工が施されてもよい。
【0045】
以上のように、本実施形態にかかるチップの製造方法では、２本の溝１１ｃが形成された後に、この２本の溝１１ｃの間の領域にレーザービームが照射されることで、２本の溝１１ｃのそれぞれの脇に機能層（膜）１５が残存する残存領域１１ｅを形成するように２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出し、その後、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅにレーザービームが照射されることで、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅが除去される。
【0046】
つまり、２本の溝１１ｃの間の機能層１５は、残存領域１１ｅが形成される第１段階と、残存領域１１ｅが除去される第２段階と、の２段階を経て除去される。そのため、第１段階において形成される残存領域１１ｅにバリが発生したとしても、このバリは、第２段階で残存領域１１ｅとともに除去される。よって、本実施形態にかかるチップの製造方法によれば、２本の溝１１ｃの間の膜を１段階で除去する従来の方法に比べて、チップとなる領域にバリが発生し難くなる。
【0047】
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず様々に変更して実施され得る。例えば、上述した実施形態では、基板１３を切断する際に、切削加工、アブレーション加工、又はエッチング加工といった、基板１３を分割予定ライン１７に沿って除去する方法が採用されているが、基板１３を切断する方法は、これらに限定されない。
【0048】
例えば、基板１３を切断する際には、基板１３を分割予定ライン１７に沿って割断する方法等が採用されてもよい。図１２は、第１変形例にかかるチップの製造方法において２本の溝１１ｃの間の領域に割断の起点となる起点領域１１ｈが形成された状態の被加工物１１の一部を示す断面図であり、図１３は、第１変形例にかかるチップの製造方法において２本の溝１１ｃの間で割断された状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。
【0049】
この第１変形例では、基板１３を透過する波長のレーザービームが、例えば、基板１３の内部で集光するように、分割予定ライン１７に沿って照射される。これにより、基板１３は、レーザービームが集光された領域で改質され、図１２に示されるように、基板１３の内部には、他の領域に比べて脆い起点領域１１ｈが分割予定ライン１７に沿って形成される。
【0050】
その後、例えば、基板１３に対して力を加えると、図１３に示されるように、基板１３は、分割予定ライン１７に形成された起点領域１１ｈを起点に割断される。これにより、被加工物１１が分割予定ライン１７で分割され、複数のチップが得られる。なお、基板１３は、起点領域１１ｈが形成されるタイミングで同時に割断されることがある。この場合には、その後、基板１３を割断するために、基板１３に対して力を加える必要はない。
【0051】
また、上述した実施形態及び第１変形例では、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅが除去された後に、対象の分割予定ライン１７に沿って基板１３が切断されているが、基板１３が切断されるタイミングは、これに限定されない。例えば、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅが除去される前に基板１３が切断されてもよい。
【0052】
図１４は、第２変形例にかかるチップの製造方法において２本の溝１１ｃの間の領域で切断された状態の被加工物１１の一部を示す断面図であり、図１５は、第２変形例にかかるチップの製造方法において２本の溝１１ｃの脇に残存していた残存領域１１ｅが除去された状態の被加工物１１の一部を示す断面図である。
【0053】
図１４に示されるように、第２変形例にかかるチップの製造方法では、例えば、２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出し、露出領域１１ｄ及び残存領域１１ｅが形成された後に、対象の分割予定ライン１７に沿って任意の方法で基板１３が切断される（基板切断ステップ）。これにより、対象の分割予定ライン１７で被加工物１１が分割され、複数のチップが得られる。基板１３を切断する際の具体的な方法は、上述した実施形態や第１変形例と同様である。
【0054】
なお、この第２変形例では、２本の溝１１ｃの間で基板１３が露出し、露出領域１１ｄ及び残存領域１１ｅが形成されるのと同時に、基板１３が切断されてもよい。すなわち、２本の溝１１ｃの間で基板１３を露出させる際のレーザービームによるアブレーション加工で基板１３が切断されてもよい。
【0055】
対象の分割予定ライン１７に沿って基板１３が切断された後には、この分割予定ライン１７に沿って機能層１５側から２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅにレーザービームが照射され、図１５に示されるように、２本の溝１１ｃの間の残存領域１１ｅが除去される（残存領域除去ステップ）。レーザービームを照射する際の具体的な条件や照射の態様等は、上述した実施形態と同様である。
【0056】
その他、上述の実施形態及び変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【0057】
１１ ：被加工物
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１１ｃ ：溝
１１ｄ ：露出領域
１１ｅ ：残存領域
１１ｆ ：露出領域
１１ｈ ：起点領域
１３ ：基板
１３ａ ：表面（第１面）
１３ｂ ：裏面（第２面）
１５ ：機能層（膜）
１５ａ ：表面
１５ｂ ：裏面
１７ ：分割予定ライン（ストリート）
１９ ：デバイス
２１ ：レーザービーム
２３ ：テープ
２ ：レーザー加工装置
４ ：チャックテーブル
４ａ ：上面（保持面）
６ ：レーザー加工ヘッド
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１１ｃ ：溝
１１ｄ ：露出領域
１１ｅ ：残存領域
１１ｆ ：露出領域
１１ｈ ：起点領域
１３ ：基板
１３ａ ：表面（第１面）
１３ｂ ：裏面（第２面）
１５ ：機能層（膜）
１５ａ ：表面
１５ｂ ：裏面
１７ ：分割予定ライン（ストリート）
１９ ：デバイス
２１ ：レーザービーム
２３ ：テープ
２ ：レーザー加工装置
４ ：チャックテーブル
４ａ ：上面（保持面）
６ ：レーザー加工ヘッド
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】