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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024105999
(43)【公開日】2024-08-07
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板支持部
(51)【国際特許分類】
H01L 21/683 20060101AFI20240731BHJP
H01L 21/3065 20060101ALI20240731BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20240731BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 R
H01L21/302 101G
H01L21/302 101B
C23C16/44 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023010032
(22)【出願日】2023-01-26
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】加藤 誠人
(72)【発明者】
【氏名】武藤 亮磨
(72)【発明者】
【氏名】須賀 海成
【テーマコード（参考）】
4K030
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
4K030FA01
4K030GA02
4K030KA05
4K030KA30
5F004BA09
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB28
5F004BB29
5F004CA04
5F004CA06
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131BA03
5F131BA04
5F131BA19
5F131BA23
5F131CA02
5F131CA03
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】基板支持部の温度制御効率を高める。
【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、前記基板支持部は、セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、を有する、基板処理装置が提供される。
【選択図】図２
【解決手段】処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、前記基板支持部は、セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、を有する、基板処理装置が提供される。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
【請求項2】
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記基台は、体積抵抗率が１０－４Ωｍ未満の材料により形成されている、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを指示するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
請求項１２に記載の基板処理装置。
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
請求項１２に記載の基板処理装置。
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層であり、前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項１４に記載の基板処理装置。
請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項１５に記載の基板処理装置。
請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板支持部に関する。
【背景技術】
【0002】
チラーユニットから温度制御された熱交換媒体を基板支持部の流路に流すことで、静電チャック上の被処理基板が所望の温度に冷却される。例えば、特許文献１は、被処理基板を載置する基板支持部を有する基板処理装置を提案する。基板支持部は、温度制御された熱交換媒体が流れる流路を配置した基台と、プラズマ耐性が高いセラミックス内に電極を内包し、載置面に被処理基板を載置する静電チャックと有し、基台と静電チャックとの間を接着層で接着させた構造を有する。
【0003】
近年、基板支持部に印加される高周波電力が増加している。このため、被処理基板へのプラズマからの入熱が増加し、被処理基板の温度制御が不十分になる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１６－２７６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、基板支持部の温度制御効率を高めることが可能な技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、前記基板支持部は、セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、を有する、基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【0007】
一の側面によれば、基板支持部の温度制御効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。
【図2】第１及び第２実施形態に係る基板支持部の構成と参考例とを示す図。
【図4】第１実施形態に係る基板支持部の電極構造の一例を示す図。
【図5】第２実施形態に係る基板支持部の電極構造の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【0010】
［プラズマ処理装置］
以下に、プラズマ処理装置の構成例について図１を参照して説明する。図１のプラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置１であり、制御部２を含む。プラズマ処理装置１は基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０（処理容器）、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体と電気的に絶縁されている。
以下に、プラズマ処理装置の構成例について図１を参照して説明する。図１のプラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置１であり、制御部２を含む。プラズマ処理装置１は基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０（処理容器）、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。側壁１０ａは接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体と電気的に絶縁されている。
【0011】
基板支持部１１は、基台１２２と低線膨張係数部材１１４と静電チャック１１１とを含む。基板支持部１１は、更にリングアセンブリ１１２を含む。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリング１１２ａである。静電チャック１１１は、基台１２２の上部に低線膨張係数部材１１４を挟んで配置されており、被処理基板（ウェハ）（以下、基板Ｗという。）を支持するための中央領域（基板支持面１１１ａ）と、エッジリング１１２ａを支持するための環状領域（リング支持面１１１ｂ）とを有する。静電チャック１１１の環状領域（リング支持面１１１ｂ）は、平面視で静電チャック１１１の中央領域（基板支持面１１１ａ）を囲んでいる。基板Ｗは、静電チャック１１１の基板支持面１１１ａ上に配置され、エッジリング１１２ａは、静電チャック１１１の基板支持面１１１ａ上の基板Ｗを囲むように静電チャック１１１のリング支持面１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、基台１２２は、導電性部材を含む。基台１２２の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャック１１１は、低線膨張係数部材１１４を挟んで基台１２２の上に配置される。静電チャック１１１の上面は、基板支持面１１１ａを有する。また、基板支持部１１は、静電チャック１１１、エッジリング１１２ａ及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、流路１２３、ヒータ、伝熱媒体、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。実施形態では、基台１２２に流路１２３が形成されているが、これに限らない。流路１２３には、熱交換媒体が流れる。熱交換媒体は、液体である。チラーユニット（図示せず）にて温度制御された熱交換媒体は、配管を通り基板支持部１１の入口ＩＮから流路１２３を流れることで、静電チャック１１１上の基板Ｗが所望の温度に冷却される。流路１２３を流れた熱交換媒体は、基板支持部１１の出口ＯＵＴから配管を通りチラーユニットに戻り、温度制御されて再び流路１２３を流れ循環する。また、基板支持部１１は、基板Ｗの下面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0012】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、導電性部材を含む。シャワーヘッド１３の導電性部材は上部電極として機能する。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0013】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
【0014】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号（ＲＦソース電力）及びバイアスＲＦ信号（ＲＦバイアス電力）のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0015】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ＲＦソース電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材及び／又はシャワーヘッド１３の導電性部材に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（ＲＦバイアス電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0016】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号（第１のバイアスＤＣ信号）は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、第１のＤＣ信号が、静電チャック１１１内の電極のような他の電極に印加されてもよい。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、シャワーヘッド１３の導電性部材に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、シャワーヘッド１３の導電性部材に印加される。種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0017】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0018】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程を、プラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0019】
[基板支持部]
基板支持部１１の構成について、図１～図３を参照しながら更に説明する。図２は、第１及び第２実施形態に係る基板支持部１１の構成と参考例の基板支持部１１'とを示す図である。図３は、図１をＡ－Ａ面にて切断した図であり、基台１２２を上方向から見た平面図である。
基板支持部１１の構成について、図１～図３を参照しながら更に説明する。図２は、第１及び第２実施形態に係る基板支持部１１の構成と参考例の基板支持部１１'とを示す図である。図３は、図１をＡ－Ａ面にて切断した図であり、基台１２２を上方向から見た平面図である。
【0020】
【0021】
図２（ａ）に示す参考例の基板支持部１１'は、静電チャック１１１と基台１２４とを有する。静電チャック１１１は、セラミックスにより形成され、内部に吸着電極１１１ｃを有する。静電チャック１１１は、吸着電極１１１ｃに直流電圧を印加することにより、基板Ｗを静電吸着により保持する。
【0022】
基台１２４は、低線膨張係数部材の金属セラミックス複合材料（ＭＭＣ）により形成され、内部に流路１２３を有する。静電チャック１１１と基台１２４との間には金属接合層１１３が設けられている。金属接合層１１３は、静電チャック１１１と基台１２４とを金属のロウ付けにより金属接合する。
【0023】
参考例の基板支持部１１'の構成によっても、チラーユニットによって温度制御された熱交換媒体を基台１２４の流路１２３に流すことで、静電チャック１１１上の基板Ｗを冷却し所望の温度に制御する。しかしながら、近年、基板処理時間（エッチング時間等）の短縮、イオンの直進性等の観点から、基板支持部に印加される高周波電力が増加している。このため、基板Ｗへのプラズマからの入熱が増加し、基板Ｗの温度制御が不十分になる場合がある。基板Ｗの温度制御が不十分になると、基板Ｗの温度上昇によるエッチング等の処理効率の低下、基板Ｗの熱による破損等が生じ得る。
【0024】
そこで、図２（ｂ）及び（ｃ）に示す第１及び第２実施形態では、基板Ｗの温度制御効率を高めることが可能な基板支持部１１及びプラズマ処理装置１を提供する。
【0025】
＜第１実施形態＞
（構成例）
図２（ｂ）に示す第１実施形態に係る基板支持部１１は、静電チャック１１１、基台１２２、低線膨張係数部材１１４、伝熱シート１３０、固定部１４０、金属接合層１１３及び導電ガスケット１３１を有する。
（構成例）
図２（ｂ）に示す第１実施形態に係る基板支持部１１は、静電チャック１１１、基台１２２、低線膨張係数部材１１４、伝熱シート１３０、固定部１４０、金属接合層１１３及び導電ガスケット１３１を有する。
【0026】
静電チャック１１１は、誘電体により形成され、内部に吸着電極１１１ｃを有する。静電チャック１１１は、電源３０（図１のＤＣ電源３２）から吸着電極１１１ｃに直流電圧（直流バイアス電圧、第１のバイアスＤＣ信号）を印加することにより、基板支持面１１１ａ上の基板Ｗを静電吸着により保持する。
【0027】
基台１２２は、非磁性金属材料により形成され、内部に流路１２３を有する。静電チャック１１１と基台１２２との間には低線膨張係数部材１１４が設けられる。
【0028】
基台１２２に形成された流路１２３は基台１２２の上面にて開口している。その流路１２３の上面の開口部１２３ａは、低線膨張係数部材１１４で塞がれている。すなわち、流路１２３の上面は、低線膨張係数部材１１４の下面に接している。
【0029】
図３には、基台１２２の上面（図１のＡ－Ａ面）が示されている。基台１２２には流路１２３が渦巻き状に形成され、基台１２２の上面には渦巻き状の流路１２３の開口部１２３ａがある。これにより、基板支持部１１の基板支持面１１１ａ（図１参照）の全域において、基板Ｗの温度を制御することができる。なお、流路１２３の形状は渦巻き状に限らず、放射状等であってもよいし、その他の形状であってもよい。
【0030】
伝熱シート１３０は、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間に設けられている。伝熱シート１３０は円形のシートであり、流路１２３の開口部１２３ａと同一形状に開口する。伝熱シート１３０の直径は、低線膨張係数部材１１４及び基台１２２の直径よりも小さく、伝熱シート１３０の最外周は、低線膨張係数部材１１４及び基台１２２の最外周よりも内側にある。伝熱シート１３０は、グラファイトシートである。グラファイトシートは、カーボンとシリコーンを組み合わせた樹脂材料から形成され、高熱伝導材である。よって、図３に示すように、伝熱シート１３０を流路１２３の開口部１２３ａが形成されていない基台１２２の上面に敷き詰める。これにより、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間の伝熱効率を高めることができ、流路１２３による冷却性能を高めることができる。
【0031】
伝熱シート１３０は、グラファイトが含有された異方性伝熱シートであってもよい。すなわち、伝熱シート１３０は、水平方向の炭素の結晶構造又は垂直方向の炭素の結晶構造が共有結合により強固に結び付いているために高い熱伝導率を確保できるグラファイトのような異方性材料をシート状にして使用してもよい。これにより、水平方向の熱伝導又は垂直方向の熱伝導を良くして基板Ｗ上の温度の面内均一性を高めることができる。
【0032】
図２に示すように、固定部１４０は、例えば複数のネジ１４０ａを含むネジ構造を有してもよい。ネジ１４０ａは基台１２２を厚さ方向に貫通する貫通穴に挿入され、その先端部分を低線膨張係数部材１１４に形成されたネジ穴１１４ａにねじ止めすることにより、固定部１４０は、伝熱シート１３０を低線膨張係数部材１１４に固定してもよい。複数のネジ１４０ａは、伝熱シート１３０の全面を均等に加圧するようにその個数と配置が定められる。これにより、伝熱シート１３０により、基台１２２と低線膨張係数部材１１４及び静電チャック１１１との間で安定した熱伝達を実現することができる。
【0033】
固定部１４０は、ネジ構造に限られず、伝熱シート１３０の全面を均等に低線膨張係数部材１１４に加圧及び固定できれば他の方法を適用してもよい。例えば固定部１４０は、クランプ構造を有し、クランプにより低線膨張係数部材１１４と基台１２２とを挟み込むことにより、伝熱シート１３０を低線膨張係数部材１１４に固定してもよい。
【0034】
伝熱シート１３０を介さずに低線膨張係数部材１１４と基台１２２との固体同士を接触させた場合は、接触面に微少な空間が生じ、その空間により熱抵抗が高くなり、伝熱性が低下する。このため、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間に伝熱シート１３０を設け、更に固定部１４０により伝熱シート１３０の全面を加圧して低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間に生じていた隙間を無くし、熱抵抗を低くすることで熱伝導を良くする。これにより、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間の伝熱効率を高めることができ、流路１２３による冷却性能を高め、基板Ｗの温度低下を促進し、基板Ｗの温度を精度良く制御することができる。
【0035】
静電チャック１１１と低線膨張係数部材１１４との間には、金属接合層１１３が設けられている。金属接合層１１３は、静電チャック１１１と基台１２２とをロウ付け（金属ロウ）により接合（金属接合）する。これにより、静電チャック１１１と低線膨張係数部材１１４との間の熱抵抗が低くなることで熱伝導が良くなり、基板Ｗの温度制御を更に促進することができる。これにより、高熱伝導の静電チャック１１１及び基台１２２を有する基板支持部１１を提供することができる。
【0036】
図２に示すように、基台１２２と低線膨張係数部材１１４との間に固定された伝熱シート１３０の外周には伝熱シート１３０を囲むように導電ガスケット１３１が設けられている。導電ガスケット１３１の外周には導電ガスケット１３１を囲むように真空シール１３２が設けられている。真空シール１３２は、例えば、Ｏリングである。
【0037】
導電ガスケット１３１は、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間に設けられ、低線膨張係数部材１１４と基台１２２とを電気的に接続する。真空シール１３２は、真空（減圧）雰囲気のプラズマ処理空間１０ｓを流路１２３側の空間からシールする。加えて、真空シール１３２は、プラズマ耐性を有していてもよい。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に生成したプラズマによる導電ガスケット１３１，伝熱シート１３０の消耗から保護することができる。特に伝熱シート１３０がカーボンを含有するグラファイトシートであるためプラズマにより消耗しやすい。また、導電ガスケット１３１は金属で形成されている。よって、真空シール１３２によりシールすることで、導電ガスケット１３１及び伝熱シート１３０の消耗を抑制することができ、これにより、導電ガスケット１３１及び伝熱シート１３０が汚染の原因となることを防止することができる。
【0038】
（材料例）
静電チャック１１１は、プラズマ耐性が高いアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスにより形成されている。基台１２２は、体積抵抗率が１０－４Ωｍ未満の材料により形成されてもよい。この場合、ＲＦ信号の基台１２２における電力損失をより低減させることができる。例えば、基台１２２は、アルミニウム、モリブデン又はチタンであってもよい。
静電チャック１１１は、プラズマ耐性が高いアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスにより形成されている。基台１２２は、体積抵抗率が１０－４Ωｍ未満の材料により形成されてもよい。この場合、ＲＦ信号の基台１２２における電力損失をより低減させることができる。例えば、基台１２２は、アルミニウム、モリブデン又はチタンであってもよい。
【0039】
低線膨張係数部材１１４は、静電チャック１１１との線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されてもよい。例えば、低線膨張係数部材１１４は、金属セラミックス複合材料（Metal Matrix Composites：ＭＭＣ）又はモリブデンであってもよい。この場合、基台１２２と低線膨張係数部材１１４の線膨張係数の差をより低減させることができ、温度変化に伴うせん断応力を抑制することが可能となる。
【0040】
導電ガスケット１３１は、スプリング状の導電性部材、スパイラル状の金属であってもよい。導電ガスケット１３１は、低線膨張係数部材１１４と基台１２２とを電気的に接続する導電性部材の一例である。基台１２２はＲＦ電力を供給する下部電極としても機能する。そこで、例えばアルミニウムの基台１２２にＲＦ電力を供給したとき、導電ガスケット１３１は、ＲＦ電流を基台１２２上の低線膨張係数部材１１４及び静電チャック１１１に伝えるための通電をとるように構成されている。導電ガスケット１３１により、基台１２２と静電チャック１１１との導電経路を形成することができる。
【0041】
伝熱シート１３０は、密着性及び伝熱性を上げるためにカーボンとシリコーンを組み合わせた樹脂材料を含む。このため、密着性及び伝熱性の高い伝熱シート１３０は導電性が低くなる傾向がある。逆に、導電性の高い導電ガスケット１３１では、伝熱性が下がる傾向がある。以上から、伝熱シート１３０は密着性及び伝熱性が高いものを配置し、導電ガスケット１３１により基台１２２と静電チャック１１１との導電経路を形成するように構成する。
【0042】
ただし、低線膨張係数部材１１４と基台１２２とを電気的に接続する導電性部材は、導電ガスケット１３１に限らず、導電性のネジ１４０ａを使用してもよいし、導電ガスケット１３１及び導電性のネジ１４０ａの両方を使用してもよい。これにより、流路１２３による冷却性能を高め、基板Ｗの温度制御の精度を高めることができる。
【0043】
また、図２（ｂ）に示す第１実施形態に係る基板支持部１１では、流路１２３を基台１２２の上面に形成する。このため、基台１２４の内部に流路１２３を形成する図２（ａ）に示す参考例の基板支持部１１'と比較して加工コストが安い。加えて、図２（ａ）の金属セラミックス複合材料（ＭＭＣ）の基台１２４と、図２（ｂ）のアルミニウムの基台１２２とを比較すると、アルミニウムの基台１２２の方が流路１２３の加工がしやすいため、更に加工コストが安いというメリットがある。
【0044】
＜第２実施形態＞
図２（ｃ）に示す第２実施形態に係る基板支持部１１の基本的構成は、第１実施形態に係る基板支持部１１と同じである。第１実施形態に係る基板支持部１１では、流路１２３の上面が低線膨張係数部材１１４で塞がれているのに対して、第２実施形態に係る基板支持部１１では、流路１２３の上面は基台１２２の上部で塞がれている点で異なる。よって、この異なる構成について説明し、その他の構成については説明を省略する。
図２（ｃ）に示す第２実施形態に係る基板支持部１１の基本的構成は、第１実施形態に係る基板支持部１１と同じである。第１実施形態に係る基板支持部１１では、流路１２３の上面が低線膨張係数部材１１４で塞がれているのに対して、第２実施形態に係る基板支持部１１では、流路１２３の上面は基台１２２の上部で塞がれている点で異なる。よって、この異なる構成について説明し、その他の構成については説明を省略する。
【0045】
流路１２３には、例えばブライン等のフッ素系の熱交換媒体を流す。よって、第１実施形態に係る基板支持部１１の構成では、伝熱シート１３０に直接ブラインが触れることによる伝熱シート１３０の劣化が生じる可能性がある。
【0046】
これに対して、第２実施形態に係る基板支持部１１の構成では、流路１２３の上面は基台１２２の上部で塞がれているため、伝熱シート１３０に直接ブラインが触れることがなく、伝熱シート１３０の劣化を防ぐことができる。また、流路１２３上に熱伝導の高い（熱拡散のよい）アルミニウム等の非磁性金属の基台１２２が存在することで横方向に熱が拡散し易くなる。このため、温度の均一性が高くなり、流路１２３の配置や形状等による温度の特異点の発生を緩和することができる。加えて、図２（ａ）の金属セラミックス複合材料（ＭＭＣ）の基台１２４と、図２（ｃ）のアルミニウムの基台１２２とを比較すると、アルミニウムの基台１２２の方が流路１２３の加工がしやすいため、加工コストが安いというメリットがある。
【0047】
＜第１実施形態及び第２実施形態の電極構造＞
電源３０は、基台１２２にＲＦソース電力（ソースＲＦ信号）と、ＲＦバイアス電力（バイアスＲＦ信号）又は直流バイアス電圧と、を供給してもよい。これらの電力を供給するために、第１実施形態に係る基板支持部１１及び第２実施形態に係る基板支持部１１に適用可能な電極構造について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態に係る基板支持部１１の電極構造の一例を示す図である。図５は、第２実施形態に係る基板支持部１１の電極構造の一例を示す図である。
電源３０は、基台１２２にＲＦソース電力（ソースＲＦ信号）と、ＲＦバイアス電力（バイアスＲＦ信号）又は直流バイアス電圧と、を供給してもよい。これらの電力を供給するために、第１実施形態に係る基板支持部１１及び第２実施形態に係る基板支持部１１に適用可能な電極構造について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、第１実施形態に係る基板支持部１１の電極構造の一例を示す図である。図５は、第２実施形態に係る基板支持部１１の電極構造の一例を示す図である。
【0048】
図４（ａ）～（ｃ）及び図５（ａ）～（ｃ）に示すように、静電チャック１１１は、基板Ｗを支持する基板支持面１１１ａを有する第１部分１１１ｆと、エッジリング１１２ａを支持するリング支持面１１１ｂを有する第２部分１１１ｓと、を有してもよい。静電チャック１１１の第１部分１１１ｆと第２部分１１１ｓとの間は環状の隙間１１１ｇを有し、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆと第２部分１１１ｓとは分離している。
【0049】
静電チャック１１１の第１部分１１１ｆには、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｃの下方の第１バイアス電極１１１ｅが設けられている。静電チャック１１１の第２部分１１１ｓには、吸着電極１１１ｄ及び吸着電極１１１ｄの下方の第２バイアス電極１１１ｈが設けられている。
【0050】
環状の隙間１１１ｇの深さは、図４（ｂ）及び図５（ｂ）の基板支持部１１において最も浅く、図４（ａ）及び図５（ａ）の基板支持部１１において最も深く、図４（ｃ）及び図５（ｃ）の基板支持部１１においてその中間の深さである。ただし、これに限定されるものではない。環状の隙間１１１ｇは、基台１２２の下面から基板支持面１１１ａ又はリング支持面１１１ｂの間の範囲のいずれかまで延在していてもよい。
【0051】
図４（ｂ）及び図５（ｂ）の基板支持部１１では、金属接合層１１３は、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆと第２部分１１１ｓとの分離位置に対応して分離されるように構成される。これにより、隙間１１１ｇの深さが金属接合層１１３の下面と等しくなる。
【0052】
図４（ｃ）及び図５（ｃ）の基板支持部１１では、さらに低線膨張係数部材１１４が、金属接合層１１３の分離位置に対応して分離されるように構成される。これにより、隙間１１１ｇの深さが低線膨張係数部材１１４の下面と等しくなる。この場合、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆの下方の伝熱シート１３０の外周に伝熱シート１３０を囲むように導電ガスケット１３１ａ及び真空シール１３２ａが設けられる。また、静電チャック１１１の第２部分１１１ｓの下方の伝熱シート１３０の外周に伝熱シート１３０を囲むように導電ガスケット１３１ｂ及び真空シール１３２ｂが設けられる。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に生成したプラズマによる導電ガスケット１３１ａ、導電ガスケット１３１ｂ及び伝熱シート１３０の消耗から保護することができる。
【0053】
図４（ａ）及び図５（ａ）の基板支持部１１では、さらに基台１２２が、低線膨張係数部材１１４の分離位置に対応して分離されるように構成される。これにより、隙間１１１ｇの深さが基台１２２の下面と等しくなる。この場合、隙間１１１ｇを塞ぐように基台１２２の下部に導電性プレート１２５が設けられる。また、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆの下方の伝熱シート１３０の外周に伝熱シート１３０を囲むように導電ガスケット１３１ａ及び真空シール１３２ａが設けられる。静電チャック１１１の第２部分１１１ｓの下方の伝熱シート１３０の外周に伝熱シート１３０を囲むように導電ガスケット１３１ｂ及び真空シール１３２ｂが設けられる。更に静電チャック１１１の第２部分１１１ｓの下方の伝熱シート１３０の内周に伝熱シート１３０を囲むように真空シール１３２ｃが設けられる。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内に生成したプラズマによる導電ガスケット１３１ａ、導電ガスケット１３１ｂ及び伝熱シート１３０の消耗から保護することができる。
【0054】
図１に示すように、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆと第２部分１１１ｓとは一体化してもよい。静電チャック１１１が一体化している場合、分離している場合（図４及び図５参照）のいずれの場合も、電源３０は、基台１２２にＲＦ電力を供給する。基台１２２に供給するＲＦ電力は、ＲＦソース電力であってもよいし、ＲＦバイアス電力であってもよいし、ＲＦソース電力及びＲＦバイアス電力であってもよい。また、静電チャック１１１が一体化している場合、分離している場合のいずれの場合も、静電チャック１１１の第１部分１１１ｆ内及び／又は第２部分１１１ｓ内に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給することができる。
【0055】
ＲＦ電力及び／又は直流電圧の供給の第１例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力及びＲＦバイアス電力を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃに直流電圧が供給され、基板Ｗが静電チャック１１１に静電吸着されてもよい。吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0056】
第２例として、分離した静電チャック１１１において（図４及び図５参照）、基台１２２にＲＦソース電力及びＲＦバイアス電力を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0057】
第３例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力及びパルス波の直流バイアス電力を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃに直流電圧が供給され、基板Ｗが静電チャック１１１に静電吸着されてもよい。
【0058】
第４例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力を供給し、第１バイアス電極１１１ｅにパルス波の直流バイアス電力を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃに直流電圧が供給され、基板Ｗが静電チャック１１１に静電吸着されてもよい。
【0059】
第５例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力を供給し、第１バイアス電極１１１ｅにパルス波の直流バイアス電力（第１直流バイアス電力）を供給してもよい。また、第２バイアス電極１１１ｈにパルス波の直流バイアス電力（第２直流バイアス電力）を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0060】
第６例として、分離した静電チャック１１１において（図４及び図５参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力を供給し、第１バイアス電極１１１ｅにパルス波の直流バイアス電力（第１直流バイアス電力）を供給してもよい。また、第２バイアス電極１１１ｈにパルス波の直流バイアス電力（第２直流バイアス電力）を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0061】
第７例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力及びパルス波の直流バイアス電力（第１直流バイアス電力）を供給してもよい。また、第２バイアス電極１１１ｈにパルス波の直流バイアス電力（第２直流バイアス電力）を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0062】
第８例として、分離した静電チャック１１１において（図４及び図５参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力及びパルス波の直流バイアス電力（第１直流バイアス電力）を供給してもよい。また、第２バイアス電極１１１ｈにパルス波の直流バイアス電力（第２直流バイアス電力）を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0063】
第９例として、一体化した静電チャック１１１において（図１参照）、電源３０から基台１２２にＲＦソース電力及びパルス波の直流バイアス電力を供給してもよい。このとき、吸着電極１１１ｃ及び吸着電極１１１ｄにそれぞれ直流電圧が供給され、基板Ｗ及びエッジリング１１２ａが静電チャック１１１にそれぞれ静電吸着されてもよい。
【0064】
第１及び第２実施形態に係る基板支持部１１及びこれらの基板支持部１１を有する基板処理装置によれば、低線膨張係数部材１１４と基台１２２との間の伝熱効率を高めることができる。これにより、流路１２３による冷却性能を高め、基板Ｗの温度低下を促進し、基板Ｗの温度を精度良く制御することができる。また、図２（ａ）に示す参考例の基板支持部１１'と比較して加工コストを安くすることができる。
【0065】
なお、上記実施形態では、熱交換媒体による基板Ｗの冷却について主に説明したが、熱交換媒体による基板Ｗの加熱等の温度調整に対しても同様であり、基板Ｗの温度上昇（温度調整）を促進し、基板Ｗの温度を精度良く制御することができる。
【0066】
以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
（付記２）
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
付記１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
付記１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
付記１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
付記１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記基台は、体積抵抗率が１０－４未満の材料により形成されている、
付記１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
付記１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
付記１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１１）
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
付記１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１２）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを指示するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
付記１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１３）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１４）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１５）
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１４に記載の基板処理装置。
（付記１６）
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１５に記載の基板処理装置。
（付記１７）
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１６に記載の基板処理装置。
（付記１８）
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
（付記１）
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
（付記２）
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
付記１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
付記１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
付記１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
付記１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記基台は、体積抵抗率が１０－４未満の材料により形成されている、
付記１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
付記１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
付記１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１１）
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
付記１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１２）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを指示するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
付記１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１３）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１４）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１５）
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１４に記載の基板処理装置。
（付記１６）
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１５に記載の基板処理装置。
（付記１７）
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１６に記載の基板処理装置。
（付記１８）
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
【0067】
なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。また、複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【0068】
例えば、上記実施形態では、基板処理装置の一例として、容量結合型のプラズマ処理装置を例に説明したが、これに限定されるものではなく、他のプラズマ処理装置に適用されてもよい。例えば、容量結合型のプラズマ処理装置に代えて、誘導結合型のプラズマ（Inductively-coupled plasma：ＩＣＰ）処理装置が用いられてもよい。この場合、誘導結合型のプラズマ処理装置は、アンテナ及び下部電極を含む。下部電極は、基板支持部内に配置され、アンテナは、チャンバの上部又は上方に配置される。そして、ＲＦ生成器は、アンテナに結合され、ＤＣ生成器は、下部電極に結合される。従って、ＲＦ生成器は、容量結合型のプラズマ処理装置の上部電極、又は、誘導結合型のプラズマ処理装置のアンテナに結合される。即ち、ＲＦ生成器は、プラズマ処理チャンバ１０に結合される。
【符号の説明】
【0069】
１ プラズマ処理装置
２ 制御部
２ａ コンピュータ
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
２０ ガス供給部
３０ 電源
３１ ＲＦ電源
１１１ 静電チャック
１１２ リングアセンブリ
１１２ａ エッジリング
１１３ 金属接合層
１１４ 低線膨張係数部材
１２２ 基台
１２３ 流路
１３０ 伝熱シート
１３１ 導電ガスケット
１４０ 固定部
２ 制御部
２ａ コンピュータ
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
２０ ガス供給部
３０ 電源
３１ ＲＦ電源
１１１ 静電チャック
１１２ リングアセンブリ
１１２ａ エッジリング
１１３ 金属接合層
１１４ 低線膨張係数部材
１２２ 基台
１２３ 流路
１３０ 伝熱シート
１３１ 導電ガスケット
１４０ 固定部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【手続補正書】
【提出日】2024-03-26
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
【請求項2】
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記基台は、体積抵抗率が１０－４Ωｍ未満の材料により形成されている、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
請求項１２に記載の基板処理装置。
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
請求項１２に記載の基板処理装置。
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給し、
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離しており、
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項４に記載の基板処理装置。
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給し、
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離しており、
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項１５に記載の基板処理装置。
請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
請求項１６に記載の基板処理装置。
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0006】
本開示の一の態様によれば、処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、前記基板支持部は、セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、を有する、基板処理装置が提供される。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0066】
以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
（付記２）
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
付記１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
付記１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
付記１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
付記１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記基台は、体積抵抗率が１０－４ Ωｍ未満の材料により形成されている、
付記１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
付記１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
付記１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１１）
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
付記１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１２）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
付記１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１３）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１４）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１５）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給し、
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離しており、
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記４に記載の基板処理装置。
（付記１６）
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１５に記載の基板処理装置。
（付記１７）
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１６に記載の基板処理装置。
（付記１８）
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。
（付記１）
処理容器と、前記処理容器内に配置される基板支持部と、少なくとも前記基板支持部にＲＦ電力を供給する電源と、を有する基板処理装置であって、
前記基板支持部は、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板処理装置。
（付記２）
前記流路の上面は前記低線膨張係数部材で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記３）
前記流路の上面は前記基台の上部で塞がれている、
付記１に記載の基板処理装置。
（付記４）
前記静電チャックと前記低線膨張係数部材とを金属接合する金属接合層を有する、
付記１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記５）
前記固定部は、ネジ構造又はクランプ構造を有する、
付記１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記６）
前記低線膨張係数部材は、前記静電チャックとの線膨張係数の差が２ｐｐｍ／℃以下の材料により形成されている、
付記１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記７）
前記低線膨張係数部材は、金属セラミックス複合材料又はモリブデンである、
付記１～６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記８）
前記基台は、体積抵抗率が１０－４ Ωｍ未満の材料により形成されている、
付記１～７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記９）
前記基台は、アルミニウム、モリブデン又はチタンである、
付記１～８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１０）
前記伝熱シートは、グラファイトシートである、
付記１～９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１１）
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力と、ＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧と、を供給する、
付記１～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１２）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給する、
付記１～１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
（付記１３）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、一体化している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１４）
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離している、
付記１２に記載の基板処理装置。
（付記１５）
前記静電チャックは、前記被処理基板を支持する基板支持面を有する第１部分と、前記被処理基板を囲むように配置されるエッジリングを支持するリング支持面を有する第２部分と、を有し、
前記電源は、前記基台にＲＦソース電力を供給し、前記静電チャックの前記第１部分及び／又は前記第２部分に設けられた電極にＲＦバイアス電力又は直流バイアス電圧を供給し、
前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分とは、分離しており、
前記金属接合層は、前記静電チャックの前記第１部分と前記第２部分との分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記４に記載の基板処理装置。
（付記１６）
前記低線膨張係数部材は、前記金属接合層の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１５に記載の基板処理装置。
（付記１７）
前記基台は、前記低線膨張係数部材の分離位置に対応して分離するように構成されている、
付記１６に記載の基板処理装置。
（付記１８）
処理容器を有する基板処理装置において前記処理容器内に配置される基板支持部であって、
セラミックスにより形成され、被処理基板を静電吸着により保持する静電チャックと、
熱交換媒体が流れる流路を有し、前記静電チャックを支持する基台と、
前記静電チャックと前記基台との間に設けられる低線膨張係数部材と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられる伝熱シートと、
前記伝熱シートを前記低線膨張係数部材に固定する固定部と、
前記低線膨張係数部材と前記基台との間に設けられ、前記低線膨張係数部材と前記基台とを電気的に接続する導電性部材と、
を有する、基板支持部。