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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024106147
(43)【公開日】2024-08-07
(54)【発明の名称】光学部材の製造方法
(51)【国際特許分類】
G02B 5/08 20060101AFI20240731BHJP
H01L 21/306 20060101ALI20240731BHJP
【ＦＩ】
G02B5/08 C
H01L21/306 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023010286
(22)【出願日】2023-01-26
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(72)【発明者】
【氏名】樫本 一樹
(72)【発明者】
【氏名】坂田 広基
(72)【発明者】
【氏名】画星 直希
【テーマコード（参考）】
2H042
5F043
【Ｆターム（参考）】
2H042DA02
2H042DA04
2H042DA08
2H042DA12
2H042DC00
2H042DE00
2H042DE01
2H042DE04
5F043AA02
5F043BB02
5F043FF04
5F043GG06
(57)【要約】
【課題】 不良品の発生の抑制や、光学部材の実装の利便性向上など、生産効率の向上に寄与する改善を図る。
【解決手段】 第１主面及び第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、シリコン基板を、マスクパターンをマスクとして用いて第１主面側からウェットエッチングし、第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、第１傾斜面から第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、レーザ光を用いて、第１傾斜面から第２傾斜面へと向かう第１方向に、金属膜の一部を線状に取り除く工程と、金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を第１方向にダイシングし、シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
【選択図】 図３Ｈ
【解決手段】 第１主面及び第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、シリコン基板を、マスクパターンをマスクとして用いて第１主面側からウェットエッチングし、第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、第１傾斜面から第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、レーザ光を用いて、第１傾斜面から第２傾斜面へと向かう第１方向に、金属膜の一部を線状に取り除く工程と、金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を第１方向にダイシングし、シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
【選択図】 図３Ｈ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、前記第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、
前記第１傾斜面から前記第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、
レーザ光を用いて、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面へと向かう第１方向に、前記金属膜の一部を線状に取り除く工程と、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングし、前記シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、前記第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、
前記第１傾斜面から前記第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、
レーザ光を用いて、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面へと向かう第１方向に、前記金属膜の一部を線状に取り除く工程と、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングし、前記シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
【請求項2】
前記シリコン基板を分割する工程は、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切る第１ダイシングを行う工程と、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達するように前記シリコン基板を切断する第２ダイシングを行う工程と、を含む、請求項１に記載の製造方法。
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切る第１ダイシングを行う工程と、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達するように前記シリコン基板を切断する第２ダイシングを行う工程と、を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項3】
前記シリコン基板は、前記第１主面から前記第１傾斜面の前記第１主面から最も遠い点までの第１主面に垂直な方向の幅は、当該点から前記第２主面までの前記第１主面に垂直な方向の幅よりも大きい、請求項２に記載の製造方法。
【請求項4】
レーザ光を用いて、対向する前記第１傾斜面と前記第２傾斜面を接続する接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程をさらに有し、
前記シリコン基板を分割する工程において、さらに、前記金属膜が取り除かれた前記接続領域をダイシングし、前記シリコン基板を分割する請求項１に記載の製造方法。
前記シリコン基板を分割する工程において、さらに、前記金属膜が取り除かれた前記接続領域をダイシングし、前記シリコン基板を分割する請求項１に記載の製造方法。
【請求項5】
前記第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程において、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面の間に前記接続領域を形成し、
前記接続領域の前記第１方向の幅は２０μｍ以下であり、前記ダイシングは、前記接続領域の前記第１方向の幅以上の幅のブレードを用いて行われる、請求項４に記載の製造方法。
前記接続領域の前記第１方向の幅は２０μｍ以下であり、前記ダイシングは、前記接続領域の前記第１方向の幅以上の幅のブレードを用いて行われる、請求項４に記載の製造方法。
【請求項6】
前記接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程において、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上に設けられた前記金属膜の一部であって、前記接続領域の近傍に設けられた前記金属膜を取り除く、請求項４に記載の製造方法。
【請求項7】
前記シリコン基板を分割する工程における前記第１方向のダイシングは、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切断する第１ダイシングと、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達する第２ダイシングと、に分けて行われ、
前記シリコン基板を分割する工程における前記接続領域のダイシングは、一度のダイシングで前記第２主面まで達する、請求項４に記載の製造方法。
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切断する第１ダイシングと、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達する第２ダイシングと、に分けて行われ、
前記シリコン基板を分割する工程における前記接続領域のダイシングは、一度のダイシングで前記第２主面まで達する、請求項４に記載の製造方法。
【請求項8】
前記金属膜が前記第１方向に線状に取り除かれた除去部分の前記第１方向に垂直な第２方向の幅は、８０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングするブレードの幅は、前記除去部分の前記第２方向の幅よりも小さい、請求項１に記載の製造方法。
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングするブレードの幅は、前記除去部分の前記第２方向の幅よりも小さい、請求項１に記載の製造方法。
【請求項9】
前記第１主面は｛１１０｝面からなり、
前記第１傾斜面は、｛１００｝面を有する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の製造方法。
前記第１傾斜面は、｛１００｝面を有する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項10】
前記第２主面は｛１１０｝面からなり、
前記第２傾斜面は、｛１００｝面を有する、請求項９に記載の製造方法。
前記第２傾斜面は、｛１００｝面を有する、請求項９に記載の製造方法。
【請求項11】
前記第２主面上に反射膜を形成する工程をさらに含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項12】
前記反射膜は、誘電体多層膜である、請求項１１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、光学部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、シリコン基板から反射部材などに利用される光学部材を製造する方法が開示されている。また、光学部材と半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－３２６２５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
シリコン基板から光学部材を製造するにあたり、不良品の発生の抑制や、光学部材の実装の利便性向上など、生産効率の向上に寄与する改善を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に開示される光学部材の製造方法は、第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、前記第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、レーザ光を用いて、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面へと向かう第１方向に、前記金属膜の一部を線状に取り除く工程と、前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングし、前記シリコン基板を分割する工程を含む。
【0006】
実施形態によって開示される１または複数の発明の少なくとも一つにより、光学部材あるいは光学部材を備える発光装置の生産効率の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
【0009】
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
【0010】
また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後（前方/後方）、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。
【0011】
また、図面においてＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向などの方向を、矢印を用いて示すことがある。この矢印の方向は、同じ実施形態に係る複数の図面間で整合が取られている。また、図面においてＸ、Ｙ、及び、Ｚが記されている矢印の方向を正方向、これと反対の方向を負方向とする。例えば、矢印の先にＸが記されている方向は、Ｘ方向であり、かつ、正方向である。なお、Ｘ方向であり、かつ、正方向である方向を、「Ｘの正方向」と呼ぶものとし、これと反対の方向を「Ｘの負方向」と呼ぶものとする。Ｙ方向、及び、Ｚ方向についても同様である。
【0012】
また、本明細書において、例えば構成要素などを説明するときに「部材」や「部」と記載することがある。「部材」は、物理的に単体で扱う対象を指すものとする。物理的に単体で扱う対象とは、製造の工程で一つの部品として扱われる対象ということもできる。一方で、「部」は、物理的に単体で扱われなくてもよい対象を指すものとする。例えば、１つの部材の一部を部分的に捉えるときや、複数の部材をまとめて一つの対象として捉えるときなどに「部」が用いられる。
【0013】
なお、上述の「部材」と「部」の書き分けは、均等論の解釈において権利範囲を意識的に限定するという意思を示すものではない。つまり、特許請求の範囲において「部材」と記載された構成要素があったとしても、そのことのみを以って、この構成要素を物理的に単体で扱うことが本発明の適用に必要不可欠であると出願人が認識しているわけではない。
【0014】
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象が異なる場合があり得る。そのため、特許請求の範囲において本明細書と同一の付記がされた構成要素が記載されていても、この構成要素によって特定される対象が、本明細書と特許請求の範囲との間で一致しないことがあり得る。
【0015】
例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される構成要素があり、本明細書において“第１”及び“第３”が付記された構成要素を特許請求の範囲に記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して構成要素を区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された構成要素はそれぞれ、本明細書において“第１”“第３”と付記された構成要素を指すことになる。なお、このルールの適用対象は構成要素に限らず、その他の対象に対しても、合理的かつ柔軟に適用される。
【0016】
以下に、本発明を実施するための形態を説明する。またさらに、図面を参照しながら、本発明を実施するための具体的な形態を説明する。なお、本発明を実施するための形態は、この具体的な形態に限定されない。つまり、図示される実施形態は、本発明が実現される唯一の形態ではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。
【0017】
＜実施形態＞
実施形態に係る光学部材１を説明する。図１乃至図３Jは、光学部材１及び光学部材１の製造方法を説明するための図である。図１は、光学部材１を第１側面１０Ｂの側からみた斜視図である。図２は、光学部材１を第２側面１０Ｃの側からみた斜視図である。図３Ａ乃至図３Ｊは、光学部材１の製造方法を説明するための模式図である。なお、図３Ｉでは、第１ダイシングと第２ダイシングとの境界を破線で示している。
実施形態に係る光学部材１を説明する。図１乃至図３Jは、光学部材１及び光学部材１の製造方法を説明するための図である。図１は、光学部材１を第１側面１０Ｂの側からみた斜視図である。図２は、光学部材１を第２側面１０Ｃの側からみた斜視図である。図３Ａ乃至図３Ｊは、光学部材１の製造方法を説明するための模式図である。なお、図３Ｉでは、第１ダイシングと第２ダイシングとの境界を破線で示している。
【0018】
光学部材１は、複数の構成要素を備えている。光学部材１が備える複数の構成要素は、シリコン部材１０、金属膜２０、及び、反射膜３０を含む。なお、光学部材１は、この他にも構成要素を備えていてよい。
【0019】
まず、各構成要素について説明する。
【0020】
（シリコン部材１０）
シリコン部材１０の主材料は、シリコンである。シリコン部材１０は、シリコンで構成される。
シリコン部材１０の主材料は、シリコンである。シリコン部材１０は、シリコンで構成される。
【0021】
ここで、主材料とは、対象となる形成物において、質量または体積が最も多くの割合を占める材料をいうものとする。なお、一つの材料から対象となる形成物が形成される場合には、その材料が主材料である。つまり、ある材料が主材料であるとは、その材料の占める割合が１００％となり得ることを含む。
【0022】
シリコン部材１０は、下面１０Ａ、第１側面１０Ｂ、及び、第２側面１０Ｃを有する。第２側面１０Ｃは、第１側面１０Ｂの反対側に位置する側面である。第１側面１０Ｂは、下面１０Ａに対して４５度の角度で傾斜している。第２側面１０Ｃは、下面１０Ａに対して垂直である。
【0023】
下面１０Ａは、第１辺と、第１辺の反対側の辺である第２辺とを有する。また、下面１０Ａは、第３辺と、第３辺の反対側の辺である第４辺とを有する。下面１０Ａの第３辺及び第４辺はいずれも、下面１０Ａの第１辺及び第２辺と接続する。下面１０Ａの外形は矩形である。なお、下面１０Ａの外形は矩形でなくてもよい。
【0024】
第１側面１０Ｂは、上辺及び下辺を有する。また、第１側面１０Ｂは、２つの側辺を有する。第１側面１０Ｂの外形は矩形である。第１側面１０Ｂの２つの側辺はいずれも、第１側面１０Ｂの上辺及び下辺と接続する。なお、第１側面１０Ｂの外形は矩形でなくてもよい。
【0025】
第２側面１０Ｃは、上辺及び下辺を有する。また、第２側面１０Ｃは、２つの側辺を有する。第２側面１０Ｃの外形は矩形である。第２側面１０Ｃの２つの側辺はいずれも、第２側面１０Ｃの上辺及び下辺と接続する。なお、第２側面１０Ｃの外形は矩形でなくてもよい。
【0026】
シリコン部材１０は、第１側面１０Ｂの下辺と、下面１０Ａの第１辺とを共有する第１接続面１０Ｄを有する。第１接続面１０Ｄの外形は矩形である。なお、第１接続面１０Ｄの外形は矩形でなくてもよい。
【0027】
シリコン部材１０は、第２側面１０Ｃの下辺と、下面１０Ａの第２辺とを共有する第２接続面１０Ｅを有する。第２接続面１０Ｅの外形は矩形である。なお、第２接続面１０Ｅの外形は矩形でなくてもよい。
【0028】
シリコン部材１０は、第１側面１０Ｂの上辺と、第２側面１０Ｃの上辺とを共有する第３接続面１０Ｆを有する。第３接続面１０Ｆの外形は矩形である。なお、第３接続面１０Ｆの外形は矩形でなくてもよい。
【0029】
また、シリコン部材１０は、下面１０Ａの第３辺と、第１側面１０Ｂの２つの側辺のうちの一方と、第２側面１０Ｃの２つの側辺のうちの一方と、を共有する第３側面１０Ｍを有する。また、シリコン部材１０は、下面１０Ａの第４辺と、第１側面１０Ｂの他方の側辺と、第２側面１０Ｃの他方の側辺と、を共有する第４側面１０Ｎを有する。
【0030】
第３側面１０Ｍ及び第４側面１０Ｎの外形は矩形ではない。第３側面１０Ｍ及び第４側面１０Ｎの外形は六角形である。この六角形は、三角形の三つの角を切り落としたような形状である。第３側面１０Ｍ及び第４側面１０Ｎの外形は、厳密な三角形ではない。
【0031】
シリコン部材１０の第１側面１０Ｂは、｛１１０｝面からなる。ここで、｛１１０｝面とは、シリコンの常温及び常圧で安定な結晶構造であるダイヤモンド構造における結晶格子面のうちのひとつ（１１０） 面とその等価結晶面との全ての面を指す。等価結晶面とは、ミラー指数によって定義される等価結晶面又はファセットのファミリを意味する。
【0032】
シリコン部材１０の第２接続面１０Ｅは、｛１１０｝面からなる。第１側面１０Ｂと第２接続面１０Ｅは平行である。なお、第１側面１０Ｂ及び第２接続面１０Ｅは、｛１１０｝面に対して±２度以内のオフ角を許容する。このオフ角は、好ましくは±１度以内、より好ましくは±０．２度以内である。
【0033】
シリコン部材１０の下面１０Ａは、｛１００｝面からなる。シリコン部材１０の第２側面１０Ｃは、｛１００｝面からなる。下面１０Ａと第２接続面１０Ｅの成す角度は１３５度である。第２側面１０Ｃと第２接続面１０Ｅの成す角度は１３５度である。なお、下面１０Ａ及び第２側面１０Ｃは、｛１００｝面に対して±２度以内のオフ角を許容する。このオフ角は、好ましくは±１度以内、より好ましくは±０．２度以内である。
【0034】
シリコン部材１０の第１側面１０Ｂの面積は、下面１０Ａの面積よりも大きい。シリコン部材１０の第１側面１０Ｂの面積は、第２側面１０Ｃの面積よりも大きい。シリコン部材１０の第１側面１０Ｂの面積は、第２接続面１０Ｅの面積よりも大きい。シリコン部材１０の下面１０Ａと、第２側面１０Ｃは、同じ形状及び面積である。なお、ここでの同じ形状とは、縦横の寸法比率の差が１７５％以内であることも含み、同じ面積とは、大きい方の面積が小さい方の面積の１７５％以内に収まっていることも含む。
【0035】
図示されるシリコン部材１０は、Ｘ方向の幅が６５０μｍ以上４８００μｍ以下である。また、Ｙ方向の幅が８００μｍ以上１１００μｍ以下である。また、Ｚ方向の幅が８００μｍ以上１１００μｍ以下である。また、下面１０Ａの第１辺及び第２辺の長さは６５０μｍ以上４８００μｍ以下である。また、下面１０Ａの第３辺及び第４辺の長さは５００μｍ以上８００μｍ以下である。また、第１側面１０Ｂの上端から下端までの距離は１０００μｍ以上１３００μｍ以下である。第１側面１０Ｂから第２接続面１０Ｅまでの距離は５０００μｍ以上７００μｍ以下である。
【0036】
（金属膜２０）
金属膜２０は、主材料に、金属材料を用いることができる。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を、金属膜２０の主材料に用いることができる。一例として、金属膜２０は、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕで構成することができる。
金属膜２０は、主材料に、金属材料を用いることができる。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を、金属膜２０の主材料に用いることができる。一例として、金属膜２０は、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕで構成することができる。
【0037】
金属膜２０は、シリコン部材１０の下面１０Ａに設けられる。また、金属膜２０は、シリコン部材１０の第２側面１０Ｃに設けられる。また、金属膜２０は、シリコン部材１０の第２接続面１０Ｅに設けられる。
【0038】
下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第１辺から離隔する。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第１辺よりも内側にある。下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺と重なる。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺上にある。
【0039】
下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第３辺及び第４辺から離隔する。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第３辺よりも内側にあり、かつ、下面１０Ａの第４辺よりも内側にある。
【0040】
第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの上辺から離隔する。つまり、第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの上辺よりも内側にある。第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの下辺と重なる。つまり、第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの下辺上にある。
【0041】
第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの２つの側辺から離隔する。つまり、第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの２つの側辺のうちの一方の側辺よりも内側にあり、かつ、他方の側辺よりも内側にある。
【0042】
第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺と共有する第２接続面１０Ｅの辺と重なる。つまり、第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第２接続面１０Ｅのこの辺上にある。第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第２側面１０Ｃの下辺と共有する第２接続面１０Ｅの辺と重なる。つまり、第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第２接続面１０Ｅのこの辺上にある。
【0043】
第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｍと共有する第２接続面１０Ｅの側辺、及び、第４側面１０Ｎと共有する第２接続面１０Ｅの側辺から離隔する。つまり、第２接続面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第２接続面１０Ｅのこれら２つの側辺うちの一方の側辺よりも内側にあり、かつ、他方の側辺よりも内側にある。
【0044】
（反射膜３０）
反射膜３０は、主材料に誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射膜３０は、例えば、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。また、反射膜３０は、主材料に金属を用いて形成してもよい。反射膜３０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属を用いて形成することができる。
反射膜３０は、主材料に誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射膜３０は、例えば、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。また、反射膜３０は、主材料に金属を用いて形成してもよい。反射膜３０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属を用いて形成することができる。
【0045】
反射膜３０は、シリコン部材１０の第１側面１０Ｂに設けられる。反射膜３０は、実質的に、第１側面１０Ｂの全面に設けられる。
【0046】
第１側面１０Ｂの下辺から第１側面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、下面１０Ａの第１辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0047】
第１側面１０Ｂの上辺から第１側面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、第２側面１０Ｃの上辺から第２側面１０Ｃに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0048】
第１側面１０Ｂの２つの側辺のうちの一方の側辺から第１側面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、下面１０Ａの第３辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さく、かつ、下面１０Ａの第４辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。また、第１側面１０Ｂの２つの側辺のうちの他方の側辺から第１側面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離も、下面１０Ａの第３辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さく、かつ、下面１０Ａの第４辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0049】
（光学部材１の製造方法）
次に、光学部材１の製造方法について説明する。光学部材１は、シリコン基板１Ａを準備する工程と、シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程と、シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程と、シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程と、シリコン基板１Ａに反射膜１Ｄを形成する工程と、シリコン基板１Ａに形成された金属膜１Ｃの一部を取り除く工程と、シリコン基板１Ａを分割する工程と、を含む製造方法によって製造することができる。
次に、光学部材１の製造方法について説明する。光学部材１は、シリコン基板１Ａを準備する工程と、シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程と、シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程と、シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程と、シリコン基板１Ａに反射膜１Ｄを形成する工程と、シリコン基板１Ａに形成された金属膜１Ｃの一部を取り除く工程と、シリコン基板１Ａを分割する工程と、を含む製造方法によって製造することができる。
【0050】
シリコン基板１Ａを準備する工程において、第１主面１Ａ１及び第２主面１Ａ２を有するシリコン基板１Ａを準備する（図３Ａ参照）。第２主面１Ａ２は、第１主面１Ａ１の反対側の面である。第１主面１Ａ１は、シリコンの｛１１０｝面からなる。第２主面１Ａ２は、シリコンの｛１１０｝面からなる。シリコン基板１Ａの主材料は、シリコンである。シリコン基板１Ａは、シリコンで構成される。シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１から第２主面１Ａ２までの厚みは、例えば、５００μｍ以上７００μｍ以下である。
【0051】
シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程において、シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１上にマスクパターン１Ｂを形成する（図３Ｂ参照）。マスクパターン１Ｂは、例えば、＜１００＞ 方向に伸びる開口を有する。＜１００＞方向に伸びる開口は、第１主面１Ａ１に平行な方向に伸びる開口とすることができる。
【0052】
ここで、＜１００＞方向とは、シリコンの常温及び常圧で安定な結晶構造であるダイヤモンド構造における結晶格子面のうちのひとつである（１００）面に対する垂直方向と、その等価結晶面に対する垂直方向の全ての方向とを指す。
【0053】
マスクパターン１Ｂの開口は、＜１００＞方向に伸びるストライプ状であってもよい。また、＜１００＞方向に対して垂直に交わる方向（つまり、＜１１０＞方向）に伸びる開口と連結した格子状であってもよい。例えば、＜１１０＞方向に伸びる開口と連結した格子状でもよい。また、＜１００＞方向に伸びる開口は、その外縁（両端）が＜１００＞方向と略平行であることが好ましく、＜１１０＞方向に伸びる開口は、その外縁（両端）が＜１１０＞方向と略平行であることが好ましい。
【0054】
マスクパターン１Ｂは、レジスト膜又は絶縁膜（Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｌａ等の酸化膜又は窒化膜あるいはそれらの複合膜等）等の公知の材料を用いて、公知の方法により形成することができる。マスクパターン１Ｂの材料は、後述するウェットエッチングのエッチャントの種類によって適宜選択することが好ましい。
【0055】
シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程において、マスクパターン１Ｂをマスクとして用いて、シリコン基板１Ａを第１主面１Ａ１側からエッチングし、傾斜面１Ａ３を形成する（図３Ｃ参照）。例えば、シリコン基板１Ａを第１主面１Ａ１側からウェットエッチングすることで、傾斜面１Ａ３を形成することができる。この工程により、第１主面１Ａ１から傾斜する傾斜面１Ａ３が形成される。
【0056】
この工程により、シリコン基板１Ａに複数の傾斜面１Ａ３が形成される。複数の傾斜面１Ａ３には、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が含まれる。シリコン基板１Ａにおいて、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が複数形成され得る。例えば、１のシリコン基板１Ａに、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が１０以上形成され得る。
【0057】
傾斜面１Ａ３が形成されたシリコン基板１Ａにおいて、第１主面１Ａ１から第１傾斜面１Ａ３１の第１主面１Ａ１から最も遠い点までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅は、この点から第２主面１Ａ２までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅よりも大きい。
【0058】
第１主面１Ａ１に垂直な方向からみた平面視で（以下、上面視と言う。）、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２はそれぞれ、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が対向する方向（以下、第１方向と言う。）とは垂直な方向（以下、第２方向と言う。）に延びる平面で構成される。
【0059】
この工程において、対向する第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２の間に、第１方向に幅を有する接続領域１Ａ４を形成する。例えば、形成される接続領域１Ａ４の幅は、２０μｍ以下である。なお、接続領域１Ａ４は、対向する第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２を接続する領域である。第１傾斜面１Ａ３１の下端と第２傾斜面１Ａ３２の下端とが接続している場合、この接続する部分が接続領域１Ａ４となる。つまり、接続領域１Ａ４は、必ずしも第１方向に幅を有していなくてもよく、第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２とが接続する境界線を接続領域１Ａ４と捉えることもできる。
【0060】
傾斜面１Ａ３は、シリコンの｛１００｝面を有する。第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２はいずれも、シリコンの｛１００｝面を有する。傾斜面１Ａ３は、＜１００＞方向に伸び、シリコン基板１Ａの第２主面１Ａ２（ つまり、｛１１０｝面）に対して４５度の傾斜角度を有する。なお、｛１００｝面に対して±２度程度のオフ角が傾斜面１Ａ３に許容される。
【0061】
シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程において、傾斜面１Ａ３上に金属膜１Ｃを形成する（図３Ｄ及び図３Ｅ参照）。金属膜１Ｃは、対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２上に形成される。この工程において、金属膜１Ｃは、第１傾斜面１Ａ３１から第２傾斜面１Ａ３２に亘って形成される。接続領域１Ａ４の上にも金属膜１Ｃが形成されることになる。例えば、シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１側において、全ての傾斜面１Ａ３を包含する領域の全てに金属膜１Ｃを形成する。この工程で形成される金属膜１Ｃの最大厚みは、５０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下となり得る。
【0062】
金属膜１Ｃには、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金のうち、１または複数を選択して用いることができる。例えば、金属膜１Ｃを、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕの金属層で形成することができる。
【0063】
シリコン基板１Ａに反射膜１Ｄを形成する工程において、第２主面１Ａ２上に反射膜１Ｄを形成する（図３Ｆ参照）。反射膜１Ｄは、例えば、０．１以上１０μｍ以下の厚みで形成することができる。反射膜１Ｄは、発光素子１２からの光を５０％以上反射し得る材料によって形成することができる。
【0064】
反射膜１Ｄは、２種以上の誘電体を複数積層させた誘電体多層膜で構成することができる。誘電体多層膜としては、ＤＢＲ（distributed Bragg reflector： 分布ブラッグ反射） 膜が好ましい。ＤＢＲ膜を構成する誘電体としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物又は窒化物が挙げられる。なお、反射膜１Ｄは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属で構成することもできる。
【0065】
シリコン基板１Ａに形成された金属膜１Ｃの一部を取り除く工程において、傾斜面１Ａ３が傾斜する方向に沿って、金属膜１Ｃを取り除く（図３Ｇ及び図３Ｈ参照））。金属膜１Ｃは、この傾斜方向に沿って、線上に取り除かれる。傾斜面１Ａ３上に、金属膜１Ｃが取り除かれた線状領域が複数設けられる。この複数の線状領域は、上面視で傾斜方向に垂直な方向に等間隔に設けられる。なお、複数の線状領域は必ずしも等間隔に設けられなくてもよい。隣り合う線状領域の間隔は、１０００μｍ以上１３００μｍ以下とすることができる。
【0066】
この工程で、第１傾斜面１Ａ３１から第２傾斜面１Ａ３２へと向かう方向（傾斜方向）に、金属膜１Ｃの一部を線状に取り除く。図示される例では、この方向は、第１方向に平行である。金属膜１Ｃの一部が取り除かれることで、対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２に亘って繋がった線状領域が設けられる。
【0067】
金属膜１Ｃが線状に取り除かれた除去部分（線状領域）の幅（上面視で傾斜方向に垂直な方向の幅）は、８０μｍ以上１６０μｍ以下とすることができる。
【0068】
また、この工程は、上述した傾斜方向に沿って金属膜１Ｃを線状に取り除く工程だけでなく、対向する第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２を接続する接続領域１Ａ４に形成された金属膜１Ｃを取り除く工程を含んでよい。上面視で、傾斜方向に垂直な方向に、接続領域１Ａ４上に形成された金属膜１Ｃを取り除く。傾斜方向に垂直な方向に、線状に金属膜１Ｃが取り除かれた領域（線状領域）が設けられる。
【0069】
接続領域１Ａ４に形成された金属膜１Ｃを取り除く工程では、接続領域１Ａ４だけでなく、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２上に設けられた金属膜１Ｃの一部であって、接続領域１Ａ４の近傍に設けられた金属膜１Ｃも取り除く。接続領域１Ａ４においてシリコン基板１Ａが露出した状態になる。
【0070】
シリコン基板１Ａに形成された金属膜１Ｃは、例えば、レーザを用いて取り除くことができる。例えば、層流水ジェットの界面での全反射現象を利用して、レーザービームを材料に照射するレーザマイクロジェット技術を採用し、金属膜１Ｃを取り除くことができる。
【0071】
シリコン基板１Ａを分割する工程では、線状領域（金属膜１Ｃが線状に取り除かれた領域）に沿ってシリコン基板１Ａをダイシングする（図３Ｉ及び図３Ｊ参照）。ダイシングによって、シリコン基板１Ａを分割し、複数の光学部材１を得る。
【0072】
この工程では、傾斜方向に設けられた線状領域に沿って、シリコン基板１Ａを傾斜方向にダイシングする。また、この工程では、傾斜方向に垂直な方向に沿って、接続領域１Ａ４を通るようにシリコン基板１Ａをダイシングする。なお、傾斜方向に垂直な方向に設けられた線状領域を通るように、シリコン基板１Ａをダイシングしてもよい。つまり、金属膜１Ｃが取り除かれた接続領域１Ａ４をダイシングして、シリコン基板１Ａを分割してもよい。
【0073】
この工程において、傾斜方向に設けられた線状領域に沿ってシリコン基板１Ａを傾斜方向にダイシングするブレードの幅は、金属膜１Ｃの除去部分（線状領域）の幅（上面視で傾斜方向に垂直な方向の幅）よりも小さいことが好ましい。このようなブレードを用いることで、ブレードが金属膜１Ｃを通らないようにダイシングすることができ、ブレードの消耗を抑えることができる。
【0074】
この工程において、接続領域１Ａ４を通るダイシングは、接続領域１Ａ４の幅（上面視で傾斜方向に平行な方向の幅）以上の幅のブレードを用いて行うとよい。このようなブレードを用いることで、光学部材１において接続領域１Ａ４が部分的に残らないようにダイシングをすることができる。後述するように、傾斜面１Ａ３を実装面にして他の部材と接合する場合に、接続領域１Ａ４が残っていると、反射面の実装精度に悪影響を及ぼすことがある。なお、傾斜方向のダイシングと接続領域１Ａ４のダイシングとで同じブレードを使用してよい。
【0075】
この工程において、傾斜方向に設けられた線状領域に沿ってシリコン基板１Ａを分割する処理は、必ずしも一回のダイシングによって行われなくてよい。複数のダイシングに分けてシリコン基板１Ａを分割することで、不良品の発生を抑え、生産効率を向上させることもできる。
【0076】
例えば、線状領域に沿ったシリコン基板１Ａの分割処理を、少なくとも第１ダイシングと第２ダイシングを含む２以上のダイシング処理によって実現してもよい。
【0077】
第１ダイシングを行う工程では、金属膜１Ｃが線状に取り除かれた領域に沿って、第１主面１Ａ１から第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の一部あるいは全部を含み、かつ、第２主面１Ａ２まで達しないように、シリコン基板１Ａを部分的に切る（図３Ｉの破線を参考）。また、第１ダイシングを行う工程では、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の傾斜方向の長さの半分以上を切ることが好ましい。第２ダイシングでシリコン基板１Ａを切断する部分が多いと、不良品の発生が増加するおそれがある。
【0078】
第２ダイシングを行う工程では、第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、第２主面１Ａ２まで達するようにシリコン基板１Ａを切断する。傾斜面１Ａ３を設けたシリコン基板１Ａでは、傾斜を構成する部分と、その下の板状部分とを有することになり、これを一度にダイシングしようとすると、意図せぬ方向に負荷がかかり不良品の発生が増加するおそれがある。そのため、２回以上にわけてダイシングを行い、シリコン基板１Ａを分割することで不良品の発生を低減させることが期待できる。
【0079】
一方で、接続領域１Ａ４を通るダイシング処理は、傾斜方向にシリコン基板１Ａを切断するためのダイシングの回数よりも少ない回数で行うことができる。接続領域１Ａ４を通るダイシングは、実質的に板状部分（接続領域１Ａ４及びその近傍）を切断するだけでよいためである。
【0080】
例えば、傾斜方向のダイシングは、少なくとも第１ダイシングと第２ダイシングとに分けて行われ、第２ダイシングによって第２主面にまで達する一方で、接続領域１Ａ４のダイシングは、一度のダイシングで第２主面にまで達するようにして、この工程を実行することができる。
【0081】
このようにしてシリコン基板１Ａを分割し、複数の光学部材１を製造することができる。 なお、分割される時点におけるシリコン基板１Ａにおいても、第１主面１Ａ１から第１傾斜面１Ａ３１の第１主面１Ａ１から最も遠い点までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅は、この点から第２主面１Ａ２までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅よりも大きい。
【0082】
ここで、シリコン基板１Ａと光学部材１との対応について述べておく。シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１は、シリコン部材１０の第２接続面１０Ｅに相当し、シリコン基板１Ａの第２主面１Ａ２は、シリコン部材１０の第１側面１０Ｂに相当し、シリコン基板１Ａの第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２は、シリコン部材１０の下面１０Ａ及び第２側面１０Ｃに相当する。また、シリコン基板１Ａにおいて隣り合う接続領域１Ａ４を切断した２つの切断面が、シリコン部材１０の第１接続面１０Ｄ及び第３接続面１０Ｆに相当する。シリコン基板１Ａに設けられる金属膜１Ｃは、シリコン部材１０に設けられる金属膜２０に相当し、シリコン基板１Ａに設けられる反射膜１Ｄは、シリコン部材１０に設けられる反射膜３０に相当する。
【0083】
次に、上述の光学部材１を備える発光装置１００の一例を説明する。図４乃至図７は、発光装置１００を説明するための図である。図４は、発光装置１００の斜視図である。図５は、発光装置１００の上面図である。図６は、発光装置１００における発光素子１２及び反射部材１４の配置を説明するための上面図である。図７は、図６のVII-VII断面線における断面図である。
【0084】
発光装置１００は、複数の構成要素を備えている。発光装置１００が備える複数の構成要素は、パッケージ１１、１または複数の発光素子１２、１または複数の反射部材１４、及び、レンズ部材１５を含む。なお、発光装置１００は、この他にも構成要素を備えていてよい。例えば、発光装置１００は、１または複数の発光素子１２とは別に、さらに発光素子を備えてもよい。また、発光装置１００は、ここで挙げた複数の構成要素の一部を備えていなくてもよい。
【0085】
（パッケージ１１）
パッケージ１１は、実装面１１Ｅを有する。パッケージ１１は、基体１１Ａと、蓋部材１１Ｎとを含む。蓋部材１１Ｎは、基体１１Ａに接合される。基体１１Ａには、パッケージ１１の実装面１１Ｅが含まれる。
パッケージ１１は、実装面１１Ｅを有する。パッケージ１１は、基体１１Ａと、蓋部材１１Ｎとを含む。蓋部材１１Ｎは、基体１１Ａに接合される。基体１１Ａには、パッケージ１１の実装面１１Ｅが含まれる。
【0086】
上面視で、パッケージ１１の外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示されるパッケージ１１において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、上面視で、パッケージ１１の外縁形状は矩形でなくてもよい。
【0087】
パッケージ１１には、他の構成要素が配置される内部空間が形成される。この内部空間は、真空あるいは気密状態で封止された閉空間とすることができる。
【0088】
基体１１Ａにおいて、凹形状が形成されている。上面側から下方に窪んだ凹形状が形成される。上面視で、凹形状の窪みの外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示される基体１１Ａにおいて、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、この窪みの外縁形状は矩形でなくてもよい。
【0089】
基体１１Ａは、枠部材と底部材とを含んで構成され得る。底部材には、実装面１１Ｅが含まれる。枠部材は上面視で、実装面１１Ｅを囲う。
【0090】
枠部材は、セラミックを主材料に用いて形成することができる。底部材は、金属あるいは金属を含む複合物を主材料に用いて形成することができる。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。金属としては、例えば、銅、アルミニウム、鉄,銅モリブデン、銅タングステンなどが挙げられる。あるいは、金属を含む複合物として、銅-ダイヤモンド複合材料などを用いることができる。
【0091】
蓋部材１１Ｎは、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、全ての波長の光に対して８０％以上の透過率を有していなくてもよい。蓋部材１１Ｎは、一部に非透光性の領域（透光性を有していない領域）を有していてもよい。
【0092】
蓋部材１１Ｎは、ガラスを主材料に用いて形成される。蓋部材１１Ｎを形成する主材料は、高い透光性を有する材料である。蓋部材１１Ｎは、ガラスに限らず、例えば、サファイアを主材料に用いて形成してもよい。
【0093】
（発光素子１２）
発光素子１２は、光を出射する光出射面を有する。発光素子１２は、上面、下面、複数の側面を有する。発光素子１２の側面が、光出射面となる。発光素子１２は、１または複数の光出射面を有する。
発光素子１２は、光を出射する光出射面を有する。発光素子１２は、上面、下面、複数の側面を有する。発光素子１２の側面が、光出射面となる。発光素子１２は、１または複数の光出射面を有する。
【0094】
発光素子１２の上面の形状は、長辺と短辺を有する矩形である。なお、発光素子１２の上面の形状は、矩形でなくてもよい。発光素子１２には、半導体レーザ素子を採用することができる。なお、発光素子１２には、半導体レーザ素子に限らず、発光ダイオードなどを採用してもよい。
【0095】
発光素子１２には、例えば、青色の光を出射する発光素子、緑色の光を出射する発光素子、または、赤色の光を出射する発光素子を採用することができる。なお、発光素子１２に、その他の色の光を出射する発光素子を採用してもよい。
【0096】
ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。
【0097】
（反射部材１４）
反射部材１４には、上述の光学部材１を用いることができる。反射膜３０が設けられる第１側面１０Ｂを、反射部材１４の光反射面とすることができる。
反射部材１４には、上述の光学部材１を用いることができる。反射膜３０が設けられる第１側面１０Ｂを、反射部材１４の光反射面とすることができる。
【0098】
反射部材１４の光反射面は、光反射面に照射される光のピーク波長に対する反射率が９０％以上である。また、この反射率は９５％以上であってもよい。また、この反射率を９９％以上とすることもできる。光反射率は、１００％以下あるいは１００％未満である。
【0099】
（レンズ部材１５）
レンズ部材１５は、上面と、下面と、側面と、を有する。レンズ部材１５は、入射する光に対して集光、拡散、コリメートといった光学作用を与え、レンズ部材１５からは、光学作用が与えられた光が出射される。
レンズ部材１５は、上面と、下面と、側面と、を有する。レンズ部材１５は、入射する光に対して集光、拡散、コリメートといった光学作用を与え、レンズ部材１５からは、光学作用が与えられた光が出射される。
【0100】
レンズ部材１５は、１または複数のレンズ面を有する。１または複数のレンズ面は、レンズ部材１５の上面側に設けられる。なお、レンズ部材１５の下面側に設けられてもよい。レンズ部材１５は、それぞれ平面である上面及び下面を有する。１または複数のレンズ面は、上面と交わる。１または複数のレンズ面は、上面視で上面に囲まれる。上面視で、レンズ部材１５は、矩形の外形を有している。レンズ部材１５の下面は矩形である。
【0101】
複数のレンズ面を有するレンズ部材１５において、複数のレンズ面は一方向に連なって形成される。つまり、複数のレンズ面は、各レンズ面が連結し、かつ、同じ方向に並んで設けられる。レンズ部材１５は、各レンズ面の頂点が仮想的な一本の直線上に位置するように形成される。この仮想直線は、Ｘ方向と同じ方向である。
【0102】
ここで、上面視で、複数のレンズ面が並ぶ方向を連結方向というものとする。複数のレンズ面は、上面視で、連結方向の長さが、この方向に垂直な方向の長さよりも大きい。図示されるレンズ部材１５において、連結方向は、Ｘ方向と同じ方向である。
【0103】
レンズ部材１５は透光性を有する。レンズ部材１５は、レンズ部及び非レンズ部のいずれも透光性を有する。レンズ部材１５は、例えば、ＢＫ７等のガラスを用いて形成することができる。
【0104】
（発光装置１００）
発光装置１００において、１または複数の発光素子１２がパッケージ１１の実装面１１Ｅに配置される。発光素子１２は、サブマウントを介して実装面１１Ｅに配置されてもよい。発光装置１００は複数の発光素子１２を備え、実装面１１Ｅには、複数の発光素子１２が配置され得る。複数の発光素子１２は、実装面１１Ｅに並べて配置される。図示される発光装置１００では、複数の発光素子１２がＸ方向に並べて配置されている。
発光装置１００において、１または複数の発光素子１２がパッケージ１１の実装面１１Ｅに配置される。発光素子１２は、サブマウントを介して実装面１１Ｅに配置されてもよい。発光装置１００は複数の発光素子１２を備え、実装面１１Ｅには、複数の発光素子１２が配置され得る。複数の発光素子１２は、実装面１１Ｅに並べて配置される。図示される発光装置１００では、複数の発光素子１２がＸ方向に並べて配置されている。
【0105】
発光素子１２は、光出射面から側方に光を出射する。各発光素子１２の光出射面から、同じ方向に光が出射される。ここでの同じ方向は、±１０度の角度差を含む。図示される発光装置１００では、複数の発光素子１２のそれぞれが、光出射面からＹ方向に光を出射する。
【0106】
発光装置１００において、発光素子１２から出射された光を反射する反射部材１４が配置される。反射部材１４は、実装面１１Ｅに配置される。１または複数の発光素子１２から出射された光は、１または複数の反射部材１４の光反射面によって反射される。１つの反射部材１４によって複数の発光素子１２から出射された光を反射してもよいし、発光素子１２と反射部材１４を一対一で配置してもよい。
【0107】
反射部材１４の下面１０Ａ（光学部材１の下面１０Ａ）と実装面１１Ｅが対向する。反射部材１４の下面１０Ａが実装面１１Ｅに接合される。反射部材１４の下面１０Ａに設けられた金属膜２０は、実装面１１Ｅとの接合に利用される。
【0108】
光学部材の製造過程において、シリコン基板１Ａの第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の両方に金属膜１Ｃを形成した。シリコン基板１Ａを分割し、複数の光学部材１に個片化された状態においても、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の両方に金属膜１Ｃが形成されている。そのため、光学部材１の下面１０Ａには、第１傾斜面１Ａ３１あるいは第２傾斜面１Ａ３２のいずれを採用してもよい。第１傾斜面１Ａ３１が下面１０Ａとなり、第２傾斜面１Ａ３２が第２側面１０Ｃとなる光学部材１もあれば、第１傾斜面１Ａ３１が第２側面１０Ｃとなり、第２傾斜面１Ａ３２が下面１０Ａとなる光学部材１もあり得る。
【0109】
このように、光学部材１の下面１０Ａ及び第２側面１０Ｃの両方に金属膜２０が形成されている光学部材１は、発光装置１００の実装に際して、第１傾斜面１Ａ３１または第２傾斜面１Ａ３２のどちらを下面１０Ａにしてもよいため、実装時に、光学部材１のどれが第１傾斜面１Ａ３１であり、また、どれが第２傾斜面１Ａ３２であるかを判別する必要がなく、製造を容易にし、生産効率を向上させることができる。
【0110】
発光装置１００において、パッケージ１１の上にレンズ部材１５が配置される。レンズ部材１５は、パッケージ１１と接合する。レンズ部材１５が有する１つのレンズ面が、１つの発光素子１２から出射された光に対応する。
【0111】
以上、本発明に係る各実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光装置は、各実施形態の発光装置に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、各実施形態により開示された発光装置の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。本発明は、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。
【0112】
本明細書でこれまで説明してきた内容を通し、以下の技術事項が開示される。
（項１）
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、前記第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、
前記第１傾斜面から前記第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、
レーザ光を用いて、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面へと向かう第１方向に、前記金属膜の一部を線状に取り除く工程と、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングし、前記シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
（項２）
前記シリコン基板を分割する工程は、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み 、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切る第１ダイシングを行う工程と、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達するように前記シリコン基板を切断する第２ダイシングを行う工程 と、を含む、項１に記載の製造方法。
（項３）
前記シリコン基板は、前記第１主面から前記第１傾斜面の前記第１主面から最も遠い点までの第１主面に垂直な方向の幅は、当該点から前記第２主面までの前記第１主面に垂直な方向の幅よりも大きい、項１または項２に記載の製造方法。
（項４）
レーザ光を用いて、対向する前記第１傾斜面と前記第２傾斜面を接続する接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程をさらに有し、
前記シリコン基板を分割する工程において、さらに、前記金属膜が取り除かれた前記接続領域をダイシングし、前記シリコン基板を分割する項１乃至項３のいずれか一項に記載の製造方法。
（項５）
前記第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程において、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面の間に前記接続領域を形成し、
前記接続領域の前記第１方向の幅は２０μｍ以下であり、前記ダイシングは、前記接続領域の前記第１方向の幅以上の幅のブレードを用いて行われる、項１乃至項４のいずれか一項に記載の製造方法。
（項６）
前記接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程において、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上に設けられた前記金属膜の一部であって、前記接続領域の近傍に設けられた前記金属膜を取り除く、項４または項５に記載の製造方法。
（項７）
前記シリコン基板を分割する工程における前記第１方向のダイシングは、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切断する第１ダイシングと、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達する第２ダイシングと、に分けて行われ、
前記シリコン基板を分割する工程における前記接続領域のダイシングは、一度のダイシングで前記第２主面まで達する、項４乃至項６のいずれか一項に記載の製造方法。
（項８）
前記金属膜が前記第１方向に線状に取り除かれた除去部分の前記第１方向に垂直な第２方向の幅は、８０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングするブレードの幅は、前記除去部分の前記第２方向の幅よりも小さい、項１乃至項７のいずれか一項に記載の製造方法。
（項９）
前記第１主面は｛１１０｝面からなり、
前記第１傾斜面は、｛１００｝面を有する、項１乃至項８のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１０）
前記第２主面は｛１１０｝面からなり、
前記第２傾斜面は、｛１００｝面を有する、項１乃至項９のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１１）
前記第２主面上に反射膜を形成する工程をさらに含む、項１乃至項１０のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１２）
前記反射膜は、誘電体多層膜である、項１１に記載の製造方法。
（項１）
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、前記第１主面から傾斜し、かつ、互いに対向する第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程と、
前記第１傾斜面から前記第２傾斜面に亘って金属膜を形成する工程と、
レーザ光を用いて、前記第１傾斜面から前記第２傾斜面へと向かう第１方向に、前記金属膜の一部を線状に取り除く工程と、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングし、前記シリコン基板を分割する工程を含む光学部材の製造方法。
（項２）
前記シリコン基板を分割する工程は、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み 、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切る第１ダイシングを行う工程と、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達するように前記シリコン基板を切断する第２ダイシングを行う工程 と、を含む、項１に記載の製造方法。
（項３）
前記シリコン基板は、前記第１主面から前記第１傾斜面の前記第１主面から最も遠い点までの第１主面に垂直な方向の幅は、当該点から前記第２主面までの前記第１主面に垂直な方向の幅よりも大きい、項１または項２に記載の製造方法。
（項４）
レーザ光を用いて、対向する前記第１傾斜面と前記第２傾斜面を接続する接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程をさらに有し、
前記シリコン基板を分割する工程において、さらに、前記金属膜が取り除かれた前記接続領域をダイシングし、前記シリコン基板を分割する項１乃至項３のいずれか一項に記載の製造方法。
（項５）
前記第１傾斜面及び第２傾斜面を形成する工程において、前記第１傾斜面と前記第２傾斜面の間に前記接続領域を形成し、
前記接続領域の前記第１方向の幅は２０μｍ以下であり、前記ダイシングは、前記接続領域の前記第１方向の幅以上の幅のブレードを用いて行われる、項１乃至項４のいずれか一項に記載の製造方法。
（項６）
前記接続領域に形成された前記金属膜を取り除く工程において、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面上に設けられた前記金属膜の一部であって、前記接続領域の近傍に設けられた前記金属膜を取り除く、項４または項５に記載の製造方法。
（項７）
前記シリコン基板を分割する工程における前記第１方向のダイシングは、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って、前記第１主面から前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面の一部あるいは全部を含み、かつ、前記第２主面まで達しないように、前記シリコン基板を部分的に切断する第１ダイシングと、
前記第１ダイシングが行われたダイシングラインに沿って、前記第２主面まで達する第２ダイシングと、に分けて行われ、
前記シリコン基板を分割する工程における前記接続領域のダイシングは、一度のダイシングで前記第２主面まで達する、項４乃至項６のいずれか一項に記載の製造方法。
（項８）
前記金属膜が前記第１方向に線状に取り除かれた除去部分の前記第１方向に垂直な第２方向の幅は、８０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記金属膜が線状に取り除かれた領域に沿って前記シリコン基板を前記第１方向にダイシングするブレードの幅は、前記除去部分の前記第２方向の幅よりも小さい、項１乃至項７のいずれか一項に記載の製造方法。
（項９）
前記第１主面は｛１１０｝面からなり、
前記第１傾斜面は、｛１００｝面を有する、項１乃至項８のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１０）
前記第２主面は｛１１０｝面からなり、
前記第２傾斜面は、｛１００｝面を有する、項１乃至項９のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１１）
前記第２主面上に反射膜を形成する工程をさらに含む、項１乃至項１０のいずれか一項に記載の製造方法。
（項１２）
前記反射膜は、誘電体多層膜である、項１１に記載の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【0113】
各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、照明、車載ヘッドライト、ディスプレイ等に使用することができる。
【符号の説明】
【0114】
１ 光学部材
１０ シリコン部材
１０Ａ 下面
１０Ｂ 第１側面
１０Ｃ 第２側面
１０Ｄ 第１接続面
１０Ｅ 第２接続面
１０Ｆ 第３接続面
１０Ｍ 第３側面
１０Ｎ 第４側面
２０ 金属膜
３０ 反射膜
１Ａ シリコン基板
１Ａ１ 第１主面
１Ａ２ 第２主面
１Ａ３ 傾斜面
１Ａ３１ 第１傾斜面
１Ａ３２ 第２傾斜面
１Ａ４ 接続領域
１Ｂ マスクパターン
１Ｃ 金属膜
１Ｄ 反射膜
１００ 発光装置
１１ パッケージ
１１Ａ 基体
１１Ｅ 実装面
１１Ｎ 蓋部材
１２ 発光素子
１４ 反射部材
１５ レンズ部材
１０ シリコン部材
１０Ａ 下面
１０Ｂ 第１側面
１０Ｃ 第２側面
１０Ｄ 第１接続面
１０Ｅ 第２接続面
１０Ｆ 第３接続面
１０Ｍ 第３側面
１０Ｎ 第４側面
２０ 金属膜
３０ 反射膜
１Ａ シリコン基板
１Ａ１ 第１主面
１Ａ２ 第２主面
１Ａ３ 傾斜面
１Ａ３１ 第１傾斜面
１Ａ３２ 第２傾斜面
１Ａ４ 接続領域
１Ｂ マスクパターン
１Ｃ 金属膜
１Ｄ 反射膜
１００ 発光装置
１１ パッケージ
１１Ａ 基体
１１Ｅ 実装面
１１Ｎ 蓋部材
１２ 発光素子
１４ 反射部材
１５ レンズ部材
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図3I】
【図3J】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】