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特開2024-106148シリコン光学部材の製造方法、シリコン光学部材、及び、発光装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024106148
(43)【公開日】2024-08-07
(54)【発明の名称】シリコン光学部材の製造方法、シリコン光学部材、及び、発光装置
(51)【国際特許分類】
H01S 5/022 20210101AFI20240731BHJP
G02B 5/08 20060101ALI20240731BHJP
【ＦＩ】
H01S5/022
G02B5/08 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023010287
(22)【出願日】2023-01-26
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000202
【氏名又は名称】弁理士法人新樹グローバル・アイピー
(72)【発明者】
【氏名】湯藤 祐且
【テーマコード（参考）】
2H042
5F173
【Ｆターム（参考）】
2H042DA08
2H042DA12
2H042DA22
2H042DC02
2H042DC10
5F173ME22
5F173MF03
5F173MF28
(57)【要約】
【課題】 小さいサイズのシリコン光学部材を実現する。
【解決手段】 第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、前記第３主面に反射膜を設け、反射面を形成する工程と、前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記反射面を含む複数の光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
【選択図】 図２Ａ
【解決手段】 第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、前記第３主面に反射膜を設け、反射面を形成する工程と、前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記反射面を含む複数の光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
【選択図】 図２Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、
前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記第３主面を含む複数のシリコン光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、
前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記第３主面を含む複数のシリコン光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
【請求項2】
前記第３主面から、前記傾斜面までの最短距離は、１０μm以上５０μｍ以下である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項3】
前記傾斜面から前記第３主面までの最短距離を、前記傾斜面に垂直な方向成分と、前記傾斜面に平行な方向成分とに分けたときの、前記傾斜面に垂直な方向成分の距離は、１０μｍ以上５０μm以下である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項4】
前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の、前記第１主面に垂直な方向の幅は、１００μｍ以上３００μｍ以下である、請求項２に記載の製造方法。
【請求項5】
前記第３主面に反射膜を設ける工程をさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項6】
前記シリコン光学部材は、前記第１主面から前記第３主面までの距離が、１００μｍ以上４００μｍ以下である、請求項５に記載の製造方法。
【請求項7】
前記傾斜面を形成する工程において、それぞれが互いに対向する２つの前記傾斜面を含む複数の溝を形成し、溝を挟んで隣り合う前記第１主面の間隔を２００μｍ以上５００μｍ以下とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項8】
前記第１主面に垂直な方向に関し、前記第３主面を形成する工程において除去される前記シリコン基板の前記第２主面から前記第３主面までの幅は、前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の幅よりも大きい、請求項１に記載の製造方法。
【請求項9】
下面と、前記下面と交わり前記下面から上方へと延びる第１側面と、前記第１側面と交わり前記下面に対して４５度の角度で前記第１側面から斜め上方へと延びる主面と、前記第１側面の反対側で前記主面と交わり前記主面から下方へと延びる第２側面と、前記第２側面と交わり前記下面に対して９０度の角度で前記第２側面から下方へと延びる第３側面と、を有するシリコン部材
を備え、
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記下面の前記第１側面側の端点から前記第３側面側の端点までの幅よりも、前記主面の下端から上端までの幅の方が大きい、シリコン光学部材。
を備え、
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記下面の前記第１側面側の端点から前記第３側面側の端点までの幅よりも、前記主面の下端から上端までの幅の方が大きい、シリコン光学部材。
【請求項10】
前記下面から前記主面の上端までの高さは１００μｍ以上５５０μｍ以下である、請求項９に記載のシリコン光学部材。
【請求項11】
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、６０μｍ未満である、請求項９に記載のシリコン光学部材。
【請求項12】
前記主面に設けられる反射膜をさらに備える、請求項９に記載のシリコン光学部材。
【請求項13】
実装面を有する基板と、
前記実装面と接合する請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のシリコン光学部材と、
第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記実装面に接合され、前記実装面に垂直な方向の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の調整部材と、
光出射面を前記シリコン光学部材の前記主面に向けて、前記調整部材の前記第１面に接合される半導体レーザ素子と、
を備え、
前記半導体レーザ素子から前記シリコン光学部材までの、前記実装面に平行な方向の最短距離は０μｍを超え１００μｍ以下である、発光装置。
前記実装面と接合する請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のシリコン光学部材と、
第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記実装面に接合され、前記実装面に垂直な方向の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の調整部材と、
光出射面を前記シリコン光学部材の前記主面に向けて、前記調整部材の前記第１面に接合される半導体レーザ素子と、
を備え、
前記半導体レーザ素子から前記シリコン光学部材までの、前記実装面に平行な方向の最短距離は０μｍを超え１００μｍ以下である、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、シリコン光学部材の製造方法、シリコン光学部材、及び、シリコン光学部材を備える発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、シリコン基板からミラーを製造する方法であって、シリコン基板にマスクを形成し、エッチングにより反射下地面を形成し、ダミー基盤にシリコン基板を貼り合わせ、反射下地面の反対側からシリコン基板を研磨してミラーを個片化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００５－３４０４０８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
発光素子とミラーなどの光学部材を備える発光装置を作る際に、小さいサイズの光学部材が要求されることがある。光学部材が小さくなれば、発光装置のサイズを小さくすることや、同じ大きさの発光装置により多くの光学部材を配置することができるといったメリットが考えられる。
【0005】
シリコン基板から小さいサイズの光学部材を得るためには、特許文献１の開示だけでは不十分であり、なお、考慮しなければならない技術事項がある。本発明は、小さいサイズのシリコン光学部材を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
実施形態に開示されるシリコン光学部材の製造方法は、第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、前記第３主面に反射膜を設け、反射面を形成する工程と、前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記反射面を含む複数の光学部材に個片化する工程を含む。
【0007】
実施形態に開示されるシリコン光学部材は、下面と、前記下面と交わり前記下面から上方へと延びる第１側面と、前記第１側面と交わり前記下面に対して４５度の角度で前記第１側面から斜め上方へと延びる主面と、前記第１側面の反対側で前記主面と交わり前記主面から下方へと延びる第２側面と、前記第２側面と交わり前記下面に対して９０度の角度で前記第２側面から下方へと延びる第３側面と、を有するシリコン部材と、前記主面に設けられる反射膜と、を備え、前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下であり、前記下面の前記第１側面側の端点から前記第３側面側の端点までの幅よりも、前記主面の下端から上端までの幅の方が大きい。
【0008】
実施形態に開示される発光装置は、実装面を有する基板と、前記実装面と接合する上記の光学部材と、第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記実装面に接合され、前記実装面に垂直な方向の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の金属部材と、光出射面を前記光学部材の主面に向けて、前記金属部材の前記第１面に接合される半導体レーザ素子と、を備え、前記半導体レーザ素子から前記光学部材までの、前記実装面に平行な方向の最短距離は０μｍを超え１００μｍ以下である。
【0009】
実施形態によって開示される１または複数の発明の少なくとも一つにより、小さいサイズのシリコン光学部材の実現に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
本明細書または特許請求の範囲において、三角形や四角形などの多角形に関しては、多角形の隅に角丸め、面取り、角取り、丸取り等の加工が施された形状も含めて、多角形と呼ぶものとする。また、隅（辺の端）に限らず、辺の中間部分に加工が施された形状も同様に、多角形と呼ぶものとする。つまり、多角形をベースに残しつつ、部分的な加工が施された形状は、本明細書及び特許請求の範囲で記載される“多角形”の解釈に含まれるものとする。
【0012】
また、多角形に限らず、台形や円形や凹凸など、特定の形状を表す言葉についても同様である。また、その形状を形成する各辺を扱う場合も同様である。つまり、ある辺において、隅や中間部分に加工が施されていたとしても、“辺”の解釈には加工された部分も含まれる。なお、部分的な加工のない“多角形”や“辺”を、加工された形状と区別する場合は“厳密な”を付して、例えば、“厳密な四角形”などと記載するものとする。
【0013】
また、本明細書または特許請求の範囲において、上下、左右、表裏、前後（前方/後方）、手前と奥などの記載は、相対的な位置、向き、方向などの関係を述べるに過ぎず、使用時における関係と一致していなくてもよい。
【0014】
また、図面においてＸ方向、Ｙ方向、及び、Ｚ方向などの方向を、矢印を用いて示すことがある。この矢印の方向は、同じ実施形態に係る複数の図面間で整合が取られている。また、図面においてＸ、Ｙ、及び、Ｚが記されている矢印の方向を正方向、これと反対の方向を負方向とする。例えば、矢印の先にＸが記されている方向は、Ｘ方向であり、かつ、正方向である。なお、Ｘ方向であり、かつ、正方向である方向を、「Ｘの正方向」と呼ぶものとし、これと反対の方向を「Ｘの負方向」と呼ぶものとする。Ｙ方向、及び、Ｚ方向についても同様である。
【0015】
また、本明細書において、例えば構成要素などを説明するときに「部材」や「部」と記載することがある。「部材」は、物理的に単体で扱う対象を指すものとする。物理的に単体で扱う対象とは、製造の工程で一つの部品として扱われる対象ということもできる。一方で、「部」は、物理的に単体で扱われなくてもよい対象を指すものとする。例えば、１つの部材の一部を部分的に捉えるときや、複数の部材をまとめて一つの対象として捉えるときなどに「部」が用いられる。
【0016】
なお、上述の「部材」と「部」の書き分けは、均等論の解釈において権利範囲を意識的に限定するという意思を示すものではない。つまり、特許請求の範囲において「部材」と記載された構成要素があったとしても、そのことのみを以って、この構成要素を物理的に単体で扱うことが本発明の適用に必要不可欠であると出願人が認識しているわけではない。
【0017】
また、本明細書または特許請求の範囲において、ある構成要素が複数あり、それぞれを区別して表現する場合に、その構成要素の頭に“第１”、“第２”と付記して区別することがある。また、本明細書と特許請求の範囲とで区別する対象が異なる場合があり得る。そのため、特許請求の範囲において本明細書と同一の付記がされた構成要素が記載されていても、この構成要素によって特定される対象が、本明細書と特許請求の範囲との間で一致しないことがあり得る。
【0018】
例えば、本明細書において“第１”、“第２”、“第３”と付記されて区別される構成要素があり、本明細書において“第１”及び“第３”が付記された構成要素を特許請求の範囲に記載する場合に、見易さの観点から特許請求の範囲においては“第１”、“第２”と付記して構成要素を区別することがある。この場合、特許請求の範囲において“第１”、“第２”と付記された構成要素はそれぞれ、本明細書において“第１”“第３”と付記された構成要素を指すことになる。なお、このルールの適用対象は構成要素に限らず、その他の対象に対しても、合理的かつ柔軟に適用される。
【0019】
以下に、本発明を実施するための形態を説明する。またさらに、図面を参照しながら、本発明を実施するための具体的な形態を説明する。なお、本発明を実施するための形態は、この具体的な形態に限定されない。つまり、図示される実施形態は、本発明が実現される唯一の形態ではない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、理解の便宜を図るために誇張していることがある。
【0020】
＜実施形態＞
実施形態に係るシリコン光学部材１を説明する。図１乃至図４Ｃは、シリコン光学部材１の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、シリコン光学部材１の平面図である。図２Ａは、シリコン光学部材１を反射面側からみた斜視図である。図２Ｂは、シリコン光学部材１を第３側面１０Ｅ側からみた斜視図である。図３Ａ乃至図３Ｈは、シリコン光学部材１の製造方法を説明するための図である。なお、図３Ｅに記される破線は、シリコン基板１Ａにおいて第３主面が形成されるラインを示している。また、図３Ｆ乃至図３Ｈは、図３Ａ乃至図３Ｅよりも拡大して図示している。図４Ａは、シリコン光学部材１の各実施例及び比較例となるシリコン光学部材を示す画像である。図４Ｂは、シリコン光学部材１の第１実施例を示す画像である。図４Ｃは、シリコン光学部材１の第２実施例を示す画像である。
実施形態に係るシリコン光学部材１を説明する。図１乃至図４Ｃは、シリコン光学部材１の例示的な一形態を説明するための図面である。図１は、シリコン光学部材１の平面図である。図２Ａは、シリコン光学部材１を反射面側からみた斜視図である。図２Ｂは、シリコン光学部材１を第３側面１０Ｅ側からみた斜視図である。図３Ａ乃至図３Ｈは、シリコン光学部材１の製造方法を説明するための図である。なお、図３Ｅに記される破線は、シリコン基板１Ａにおいて第３主面が形成されるラインを示している。また、図３Ｆ乃至図３Ｈは、図３Ａ乃至図３Ｅよりも拡大して図示している。図４Ａは、シリコン光学部材１の各実施例及び比較例となるシリコン光学部材を示す画像である。図４Ｂは、シリコン光学部材１の第１実施例を示す画像である。図４Ｃは、シリコン光学部材１の第２実施例を示す画像である。
【0021】
シリコン光学部材１は、１または複数の構成要素を備えている。この１または複数の構成要素には、シリコン部材１０が含まれる。また、この１または複数の構成要素にはさらに、金属膜２０、及び、反射膜３０が含まれる。なお、シリコン光学部材１は、この他にも構成要素を備えていてよい。また、シリコン光学部材１は、本明細書で説明するシリコン光学部材１の構成要素の全てを備えていなくてもよい。
【0022】
まず、各構成要素について説明する。
【0023】
（シリコン部材１０）
シリコン部材１０の主材料は、シリコンである。シリコン部材１０は、シリコンで構成される。
シリコン部材１０の主材料は、シリコンである。シリコン部材１０は、シリコンで構成される。
【0024】
ここで、主材料とは、対象となる形成物において、質量または体積が最も多くの割合を占める材料をいうものとする。なお、一つの材料から対象となる形成物が形成される場合には、その材料が主材料である。つまり、ある材料が主材料であるとは、その材料の占める割合が１００％となり得ることを含む。
【0025】
シリコン部材１０は、下面１０Ａ、主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、及び、第３側面１０Ｅを有する。また、シリコン部材１０はさらに、第４側面１０Ｆを有する。主面１０Ｂは、下面１０Ａに対して４５度の角度で傾斜している。第３側面１０Ｅは、下面１０Ａに対して垂直である。第４側面１０Ｆは、主面１０Ｂに対して平行である。
【0026】
第１側面１０Ｃは、下面１０Ａと交わり、下面１０Ａから上方へと延びる。主面１０Ｂは、第１側面１０Ｃと交わり第１側面１０Ｃから上方へと延びる。主面１０Ｂは、下面１０Ａに対して４５度の角度で第１側面１０Ｃから斜め上方へと延びる。
【0027】
第２側面１０Ｄは、主面１０Ｂと交わり主面１０Ｂから下方へと延びる。第２側面１０Ｄは、第１側面１０Ｃの反対側で主面１０Ｂと交わる。第３側面１０Ｅは、第２側面１０Ｄと交わり第２側面１０Ｄから下方へと延びる。第３側面１０Ｅは、下面１０Ａに対して９０度の角度で第２側面１０Ｄから下方へと延びる。第４側面１０Ｆは、第３側面１０Ｅと交わり第３側面１０Ｅから下方へと延びる。第４側面１０Ｆは、第３側面１０Ｅの反対側で下面１０Ａと交わる。
【0028】
下面１０Ａは、第１辺と、第１辺の反対側の辺である第２辺とを有する。また、下面１０Ａは、第３辺と、第３辺の反対側の辺である第４辺とを有する。下面１０Ａの第３辺及び第４辺はいずれも、下面１０Ａの第１辺及び第２辺と接続する。下面１０Ａの外形は矩形である。なお、下面１０Ａの外形は矩形でなくてもよい。
【0029】
主面１０Ｂは、上辺及び下辺を有する。また、主面１０Ｂは、２つの側辺を有する。主面１０Ｂの外形は矩形である。主面１０Ｂの２つの側辺はいずれも、主面１０Ｂの上辺及び下辺と接続する。なお、主面１０Ｂの外形は矩形でなくてもよい。
【0030】
第３側面１０Ｅは、上辺及び下辺を有する。また、第３側面１０Ｅは、２つの側辺を有する。第３側面１０Ｅの外形は矩形である。第３側面１０Ｅの２つの側辺はいずれも、第３側面１０Ｅの上辺及び下辺と接続する。なお、第３側面１０Ｅの外形は矩形でなくてもよい。
【0031】
第１側面１０Ｃは、主面１０Ｂの下辺と、下面１０Ａの第１辺とを共有する。言い換えると、主面１０Ｂの下辺は、第１側面１０Ｃの主面１０Ｂと交わる辺と言え、下面１０Ａの第１辺は、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺と言える。第１側面１０Ｃの外形は矩形である。なお、第１側面１０Ｃの外形は矩形でなくてもよい。
【0032】
第２側面１０Ｄは、主面１０Ｂの上辺と、第３側面１０Ｅの上辺とを共有する。第２側面１０Ｄの外形は矩形である。なお、第２側面１０Ｄの外形は矩形でなくてもよい。第４側面１０Ｆは、下面１０Ａの第２辺と、第３側面１０Ｅの下辺とを共有する。第４側面１０Ｆの外形は矩形である。なお、第４側面１０Ｆの外形は矩形でなくてもよい。
【0033】
第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下である。また、この幅は、６０μｍ未満であることが好ましい。この幅が小さいほど、下面１０Ａから主面１０Ｂの下辺までの距離が短くなり、主面１０Ｂを下面１０Ａに近付けることができる。
【0034】
第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下である。また、この幅は、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅と同じであることが好ましい 。
【0035】
第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、５
μｍ以上４５μｍ以下である 。また、この幅は、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅の１／４以下である。この幅は、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅の１／６以下とすることが好ましい。この幅が小さいほど、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅を大きく確保することができ、シリコン光学部材１の接合をより安定させることができる。
μｍ以上４５μｍ以下である 。また、この幅は、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅の１／４以下である。この幅は、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅の１／６以下とすることが好ましい。この幅が小さいほど、下面１０Ａの第１辺から第２辺までの幅を大きく確保することができ、シリコン光学部材１の接合をより安定させることができる。
【0036】
下面１０Ａから主面１０Ｂまでの最短距離（下面１０Ａの第１辺から主面１０Ｂの下辺までの距離）を、下面１０Ａに垂直な方向成分と、下面１０Ａに平行な方向成分とに分けたときの、下面１０Ａに垂直な方向成分の距離（図１の距離ｄ）は、１０μｍ以上５０μｍ以下である。
【0037】
また、シリコン部材１０は、下面１０Ａの第３辺と、主面１０Ｂの２つの側辺のうちの一方と、第３側面１０Ｅの２つの側辺のうちの一方と、を共有する第５側面１０Ｍを有する。また、シリコン部材１０は、下面１０Ａの第４辺と、主面１０Ｂの他方の側辺と、第３側面１０Ｅの他方の側辺と、を共有する第６側面１０Ｎを有する。
【0038】
第５側面１０Ｍ及び第６側面１０Ｎの外形は矩形ではない。第５側面１０Ｍ及び第６側面１０Ｎの外形は六角形である。この六角形は、三角形の三つの角を切り落としたような形状である。第５側面１０Ｍ及び第６側面１０Ｎの外形は、厳密な三角形ではない。
【0039】
シリコン部材１０の主面１０Ｂは、｛１１０｝面からなる。ここで、｛１１０｝面とは、シリコンの常温及び常圧で安定な結晶構造であるダイヤモンド構造における結晶格子面のうちのひとつ（１１０） 面とその等価結晶面との全ての面を指す。等価結晶面とは、ミラー指数によって定義される等価結晶面又はファセットのファミリを意味する。
【0040】
シリコン部材１０の第４側面１０Ｆは、｛１１０｝面からなる。主面１０Ｂと第４側面１０Ｆは平行である。なお、主面１０Ｂ及び第４側面１０Ｆは、｛１１０｝面に対して±２度以内のオフ角を許容する。このオフ角は、好ましくは±１度以内、より好ましくは±０．２度以内である。
【0041】
シリコン部材１０の下面１０Ａは、｛１００｝面からなる。シリコン部材１０の第３側面１０Ｅは、｛１００｝面からなる。下面１０Ａと第４側面１０Ｆの成す角度は１３５度である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆの成す角度は１３５度である。なお、下面１０Ａ及び第３側面１０Ｅは、｛１００｝面に対して±２度以内のオフ角を許容する。このオフ角は、好ましくは±１度以内、より好ましくは±０．２度以内である。
【0042】
シリコン部材１０の主面１０Ｂの面積は、下面１０Ａの面積よりも大きい。シリコン部材１０の主面１０Ｂの面積は、第３側面１０Ｅの面積よりも大きい。シリコン部材１０の主面１０Ｂの面積は、第４側面１０Ｆの面積よりも大きい。シリコン部材１０の下面１０Ａと、第３側面１０Ｅは、同じ形状及び面積である。なお、ここでの同じ形状とは、縦横の寸法比率の差が２００％以内であることも含み、同じ面積とは、大きい方の面積が小さい方の面積の２００％以内に収まっていることも含む。
【0043】
図示されるシリコン部材１０は、Ｘ方向の幅が１００μｍ以上５５０μｍ以下である。また、Ｙ方向の幅が３００μｍ以上１０００μｍ以下である。また、Ｚ方向の幅が１００μｍ以上５５０μｍ以下である。また、下面１０Ａの第１辺及び第２辺の長さは３００μｍ以上１０００μｍ以下である。また、下面１０Ａの第３辺及び第４辺の長さは１００μｍ以上５５０μｍ以下である。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は１５０μｍ以上７５０μｍ以下である。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は１００μｍ以上４００μｍ以下である。
【0044】
シリコン部材１０は、下面１０Ａの第１側面１０Ｃ側の端点から第３側面１０Ｅ側の端点までの幅よりも、主面１０Ｂの下端から上端までの幅の方が大きい。図示されるシリコン部材１０では、下面１０Ａの第１側面１０Ｃ側の端点は、下面１０Ａの第１辺上にあり、第３側面１０Ｅ側の端点は、下面１０Ａの第２辺上にある。また、主面１０Ｂの下端は、主面１０Ｂの下辺上にあり、主面１０Ｂの上端は、主面１０Ｂの上辺上にある。
【0045】
主面１０Ｂの下端から第３側面１０ＥまでのＸ方向の最長距離が、シリコン部材１０のＸ方向の幅となり得る。第５側面１０Ｍから第６側面１０ＮまでのＹ方向の最長距離が、シリコン部材１０のＹ方向の幅となり得る。下面１０Ａから主面１０Ｂの上端までのＺ方向の最長距離（高さ）が、シリコン部材１０のＺ方向の幅となり得る。
【0046】
シリコン部材１０の主面１０Ｂは、主面１０Ｂの下端から上端までの幅よりも、Ｙ方向の幅の方が大きい。Ｙ方向の幅は、主面１０Ｂの下端から上端までの幅の１．５倍以上３倍以下である。なお、シリコン部材１０は、主面１０Ｂの下端から上端までの幅よりもＹ方向の幅の方が小さくてもよい。
【0047】
（金属膜２０）
金属膜２０は、主材料に、金属材料を用いることができる。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を、金属膜２０の主材料に用いることができる。一例として、金属膜２０は、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕで構成することができる。
金属膜２０は、主材料に、金属材料を用いることができる。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金を、金属膜２０の主材料に用いることができる。一例として、金属膜２０は、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕで構成することができる。
【0048】
金属膜２０は、シリコン部材１０の下面１０Ａに設けられる。また、金属膜２０は、シリコン部材１０の第３側面１０Ｅに設けられる。また、金属膜２０は、シリコン部材１０の第４側面１０Ｆに設けられる。
【0049】
下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第１辺から離隔する。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第１辺よりも内側にある。下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺と重なる。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺上にある。
【0050】
下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第３辺及び第４辺から離隔する。つまり、下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第３辺よりも内側にあり、かつ、下面１０Ａの第４辺よりも内側にある。
【0051】
第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの上辺から離隔する。つまり、第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの上辺よりも内側にある。第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの下辺と重なる。つまり、第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの下辺上にある。
【0052】
第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの２つの側辺から離隔する。つまり、第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの２つの側辺のうちの一方の側辺よりも内側にあり、かつ、他方の側辺よりも内側にある。
【0053】
第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、下面１０Ａの第２辺と共有する第４側面１０Ｆの辺と重なる。つまり、第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、第４側面１０Ｆのこの辺上にある。第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、第３側面１０Ｅの下辺と共有する第４側面１０Ｆの辺と重なる。つまり、第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、第４側面１０Ｆのこの辺上にある。
【0054】
第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、第５側面１０Ｍと共有する第４側面１０Ｆの側辺、及び、第６側面１０Ｎと共有する第４側面１０Ｆの側辺から離隔する。つまり、第４側面１０Ｆに設けられる金属膜２０の外縁は、第４側面１０Ｆのこれら２つの側辺うちの一方の側辺よりも内側にあり、かつ、他方の側辺よりも内側にある。
【0055】
（反射膜３０）
反射膜３０は、主材料に誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射膜３０は、例えば、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。また、反射膜３０は、主材料に金属を用いて形成してもよい。反射膜３０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属を用いて形成することができる。
反射膜３０は、主材料に誘電体多層膜を用いて形成することができる。反射膜３０は、例えば、Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２等の誘電体多層膜を用いて形成することができる。また、反射膜３０は、主材料に金属を用いて形成してもよい。反射膜３０は、例えば、Ａｇ、Ａｌ等の金属を用いて形成することができる。
【0056】
反射膜３０は、シリコン部材１０の主面１０Ｂに設けられる。反射膜３０は、実質的に、主面１０Ｂの全面に設けられる。
【0057】
主面１０Ｂの下辺から主面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、下面１０Ａの第１辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0058】
主面１０Ｂの上辺から主面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、第３側面１０Ｅの上辺から第３側面１０Ｅに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0059】
主面１０Ｂの２つの側辺のうちの一方の側辺から主面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離は、下面１０Ａの第３辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さく、かつ、下面１０Ａの第４辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。また、主面１０Ｂの２つの側辺のうちの他方の側辺から主面１０Ｂに設けられる反射膜３０の外縁までの距離も、下面１０Ａの第３辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さく、かつ、下面１０Ａの第４辺から下面１０Ａに設けられる金属膜２０の外縁までの距離よりも小さい。
【0060】
（シリコン光学部材１の製造方法）
次に、シリコン光学部材１の製造方法について説明する。シリコン光学部材１は、第１主面１Ａ１及び第２主面１Ａ２を有するシリコン基板１Ａを準備する工程と、シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程と、シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程と、シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程と、シリコン基板１Ａに第３主面１Ａ４を形成する工程と、シリコン基板１Ａの第３主面１Ａ４に反射膜１Ｄを設ける工程と、シリコン基板１Ａを複数のシリコン光学部材に個片化する工程と、を含む製造方法によって製造することができる。
次に、シリコン光学部材１の製造方法について説明する。シリコン光学部材１は、第１主面１Ａ１及び第２主面１Ａ２を有するシリコン基板１Ａを準備する工程と、シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程と、シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程と、シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程と、シリコン基板１Ａに第３主面１Ａ４を形成する工程と、シリコン基板１Ａの第３主面１Ａ４に反射膜１Ｄを設ける工程と、シリコン基板１Ａを複数のシリコン光学部材に個片化する工程と、を含む製造方法によって製造することができる。
【0061】
シリコン基板１Ａを準備する工程において、第１主面１Ａ１及び第２主面１Ａ２を有するシリコン基板１Ａを準備する。第２主面１Ａ２は、第１主面１Ａ１の反対側の面である。第１主面１Ａ１は、シリコンの｛１１０｝面からなる。第２主面１Ａ２は、シリコンの｛１１０｝面からなる。シリコン基板１Ａの主材料は、シリコンである。シリコン基板１Ａは、シリコンで構成される。
【0062】
シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１から第２主面１Ａ２までの厚みは、例えば、５００μｍ以上１０００μｍ以下である。シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１から第２主面１Ａ２までの厚みは、製造されるシリコン光学部材１の同じ方向における厚みの２００％以上６００％以下とすることが好ましい。これにより、工程の途中で、意図せずシリコン基板１Ａが割れてしまう等の不良の発生を抑制することができる。
【0063】
シリコン基板１Ａにマスクパターン１Ｂを形成する工程において、シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１上にマスクパターン１Ｂを形成する。マスクパターン１Ｂは、例えば、＜１００＞ 方向に伸びる開口を有する。＜１００＞方向に伸びる開口は、第１主面１Ａ１に平行な方向に伸びる開口とすることができる。
【0064】
ここで、＜１００＞方向とは、シリコンの常温及び常圧で安定な結晶構造であるダイヤモンド構造における結晶格子面のうちのひとつである（１００）面に対する垂直方向と、その等価結晶面に対する垂直方向の全ての方向とを指す。
【0065】
マスクパターン１Ｂの開口は、＜１００＞方向に伸びるストライプ状であってもよい。また、＜１００＞方向に対して垂直に交わる方向（つまり、＜１１０＞方向）に伸びる開口と連結した格子状であってもよい。例えば、＜１１０＞方向に伸びる開口と連結した格子状でもよい。また、＜１００＞方向に伸びる開口は、その外縁（両端）が＜１００＞方向と略平行であることが好ましく、＜１１０＞方向に伸びる開口は、その外縁（両端）が＜１１０＞方向と略平行であることが好ましい。
【0066】
マスクパターン１Ｂは、レジスト膜又は絶縁膜（Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｌａ等の酸化膜又は窒化膜あるいはそれらの複合膜等）等の公知の材料を用いて、公知の方法により形成することができる。マスクパターン１Ｂの材料は、後述するウェットエッチングのエッチャントの種類によって適宜選択することが好ましい。
【0067】
シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程において、マスクパターン１Ｂをマスクとして用いて、シリコン基板１Ａを第１主面１Ａ１側からエッチングし、１または複数の傾斜面１Ａ３を形成する。例えば、シリコン基板１Ａを第１主面１Ａ１側からウェットエッチングすることで、傾斜面１Ａ３を形成することができる。この工程により、第１主面１Ａ１から傾斜する傾斜面１Ａ３が形成される。
【0068】
この工程により、シリコン基板１Ａに複数の傾斜面１Ａ３が形成される。複数の傾斜面１Ａ３には、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が含まれる。シリコン基板１Ａにおいて、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が複数形成され得る。例えば、１のシリコン基板１Ａに、互いに対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が１０以上形成され得る。
【0069】
この工程によって形成された傾斜面１Ａ３の、第１主面１Ａ１に垂直な方向の長さは、１００μｍ以上３００μｍ以下である。また、傾斜面１Ａ３の、第１主面１Ａ１に平行な方向の長さは、１００μｍ以上３００μｍ以下である 。
【0070】
傾斜面１Ａ３が形成されたシリコン基板１Ａにおいて、第１主面１Ａ１から傾斜面１Ａ３の第１主面１Ａ１から最も遠い点までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅の１５０％以上を、この点から第２主面１Ａ２までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅に確保しておくことが好ましい。あるいは、この点から第２主面１Ａ２までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅を２５０％以上７５０％以下とすることが好ましい。２００％以上とすることで、意図せずシリコン基板１Ａが割れてしまう等の不良の発生を抑制することができ、７５０％以下とすることで、後の反射下地面を形成する工程に過度な作業負荷が掛からないようにできる。
【0071】
第１主面１Ａ１に垂直な方向からみた平面視で（以下、上面視と言う。）、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２はそれぞれ、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２が対向する方向（以下、第１方向と言う。）とは垂直な方向（以下、第２方向と言う。）に延びる平面で構成される。
【0072】
この工程において、対向する第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２の間に、第１方向に幅を有する接続領域を形成する。例えば、形成される接続領域の幅は、５００μｍ以下である。なお、接続領域は、対向する第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２を接続する領域である。第１傾斜面１Ａ３１の下端と第２傾斜面１Ａ３２の下端とが接続している場合、この接続する部分が接続領域となる。つまり、接続領域は、必ずしも第１方向に幅を有していなくてもよく、第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２とが接続する境界線を接続領域と捉えることもできる。
【0073】
この工程により、シリコン基板１Ａにおいて、対向する２つの傾斜面１Ａ３（第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２）及び接続領域を含む溝が複数形成されるといえる。また、２つの第１主面１Ａ１によって溝が挟まれた構造が形成される。なお、溝を挟む２つの第１主面１Ａ１は繋がっていてもよい。例えば、溝を囲むように第１主面１Ａ１が設けられている構造が挙げられる。溝を挟んで隣り合う第１主面１Ａ１の間隔は２００μｍ以上５００μｍ以下である。
【0074】
傾斜面１Ａ３は、シリコンの｛１００｝面を有する。第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２はいずれも、シリコンの｛１００｝面を有する。傾斜面１Ａ３は、＜１００＞方向に伸び、シリコン基板１Ａの第２主面１Ａ２（ つまり、｛１１０｝面）に対して４５度の傾斜角度を有する。なお、｛１００｝面に対して±２度程度のオフ角が傾斜面１Ａ３に許容される。
【0075】
シリコン基板１Ａに金属膜１Ｃを形成する工程において、傾斜面１Ａ３上に金属膜１Ｃを形成する。金属膜１Ｃは、対向する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２上に形成される。この工程において、金属膜１Ｃは、第１傾斜面１Ａ３１から第２傾斜面１Ａ３２に亘って形成される。接続領域の上にも金属膜１Ｃが形成されることになる。例えば、シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１側において、全ての傾斜面１Ａ３を包含する領域の全てに金属膜１Ｃを形成する。この工程で形成される金属膜１Ｃの最大厚みは、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となり得る。
【0076】
金属膜１Ｃには、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ等の単体金属又はこれらの金属を含む合金のうち、１または複数を選択して用いることができる。例えば、金属膜１Ｃを、Ｔｉ／Ｒｕ／Ａｕの金属層で形成することができる。
【0077】
シリコン基板１Ａに第３主面１Ａ４を形成する工程において、シリコン基板１Ａの第２主面１Ａ２から第１主面１Ａ１側に向かって、シリコン基板１Ａを部分的に除去し、第３主面１Ａ４を形成する。第３主面１Ａ４は、第２主面１Ａ２よりも第１主面１Ａ１側に形成される。
【0078】
この工程では、第３主面１Ａ４が１または複数の傾斜面１Ａ３にまで到達しないように、シリコン基板１Ａを部分的に除去する。従って、第３主面１Ａ４は傾斜面１Ａ３と接続しない。第３主面１Ａ４が傾斜面１Ａ３に達するということは、シリコン基板１Ａに貫通孔が形成されたということになる。第３主面１Ａ４が傾斜面１Ａ３に達しないようにシリコン基板１Ａを除去することで、シリコン光学部材１のサイズを小さくすることができる。また、後の反射膜１Ｄを設ける工程における処理が容易となる。
【0079】
第１主面１Ａ１に垂直な方向に関し、この工程によって除去されるシリコン基板１Ａの第２主面１Ａ２から第３主面１Ａ４までの幅は、シリコン基板１Ａに傾斜面１Ａ３を形成する工程によって形成された傾斜面１Ａ３の幅よりも大きい。このように、シリコン基板１Ａに除去のための十分な幅を確保しておくことで、小型のシリコン光学部材を安定して製造することができる。
【0080】
第３主面１Ａ４から傾斜面１Ａ３までの最短距離は、５μｍ以上６０μｍ以下である。また、この最短距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下とするのが好ましい。１０μｍ以上とすることで貫通孔が形成され無いという利点があり、５０μｍ以下とすることで第３主面１Ａ４を傾斜面１Ａ３に近づけるという利点がある。
【0081】
シリコン基板１Ａの部分的な除去は、例えば、研磨、研削、切削などによって実行することができる。また、化学研磨、電解研磨、機械研磨などによって実行することができる。また、機械研磨など、機械を用いて物理的に除去する方法を採用することができる。
【0082】
シリコン基板１Ａの部分的な除去は、支持基盤がシリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１側を支持した状態で行うことができる。シリコン基板１Ａを支持しておくことで、安定した状態でこの工程の作業を行うことができる。
【0083】
第３主面１Ａ４は、シリコン光学部材１において反射面として機能する。例えば、第３主面１Ａ４そのものを反射面に用いてもよいし、後述する、反射膜１Ｄを設ける工程によって、第３主面１Ａ４上に反射膜１Ｄを設け、この状態で反射面に用いてもよい。
【0084】
シリコン基板１Ａに反射膜１Ｄを設ける工程において、第３主面１Ａ４に反射膜１Ｄを設ける。反射膜１Ｄは、例えば、０．１以上１０μｍ以下の厚みで第３主面１Ａ４上に形成することができる。反射膜１Ｄは、半導体レーザ素子１２からの光を５０％以上反射し得る材料によって形成することができる。
【0085】
反射膜１Ｄは、２種以上の誘電体を複数積層させた誘電体多層膜で構成することができる。誘電体多層膜としては、ＤＢＲ（distributed Bragg reflector： 分布ブラッグ反射） 膜が好ましい。ＤＢＲ膜を構成する誘電体としては、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の元素を含む酸化物又は窒化物が挙げられる。なお、反射膜１Ｄは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ等の金属で構成することもできる。
【0086】
シリコン基板１Ａを複数のシリコン光学部材１に個片化する工程では、シリコン基板１Ａを分割して、複数のシリコン光学部材１に個片化する。各シリコン光学部材１は、傾斜面１Ａ３及び第３主面１Ａ４を含んでいる。また、各シリコン光学部材１は、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２を含む。なお、シリコン光学部材１が有する第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２は、シリコン基板１Ａにおいて対向していた第１傾斜面１Ａ３１と第２傾斜面１Ａ３２ではない。
【0087】
シリコン基板１Ａから複数のシリコン光学部材１への個片化は、例えば、ダイシングによって実現することができる。シリコン基板１Ａを、上面視で２つの第１主面１Ａ１に挟まれた溝に垂直な方向にダイシングする。また、シリコン基板１Ａを、上面視でこの溝に平行な方向に、接続領域を通るようにダイシングする（図３Ｇを参照）。
【0088】
各シリコン光学部材１は、接続領域は含まない。例えば、接続領域を通るようにダイシングをするときのブレードを、接続領域の幅（上面視で傾斜方向に平行な方向の幅）より大きい幅のブレードとすることで、接続領域を含まないシリコン光学部材１に個片化できる。傾斜面１Ａ３を実装面にして他の部材と接合する場合に、接続領域が残っていると、反射面の実装精度に悪影響を及ぼすことがある。
【0089】
このようにしてシリコン基板１Ａを分割して、複数のシリコン光学部材１を製造することができる。 なお、個片化の工程が実行される時点におけるシリコン基板１Ａにおいて、第１主面１Ａ１から第１傾斜面１Ａ３１の第１主面１Ａ１から最も遠い点までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅は、この点から第３主面１Ａ４までの第１主面１Ａ１に垂直な方向の幅よりも大きい。
【0090】
ここで、シリコン基板１Ａとシリコン光学部材１との対応について述べておく。シリコン基板１Ａの第１主面１Ａ１は、シリコン部材１０の第４側面１０Ｆに相当し、シリコン基板１Ａの第３主面１Ａ３は、シリコン部材１０の主面１０Ｂに相当し、シリコン基板１Ａの第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２は、シリコン部材１０の下面１０Ａ及び第３側面１０Ｅに相当する。また、シリコン基板１Ａにおいて隣り合う接続領域を切断した２つの切断面が、シリコン部材１０の第１側面１０Ｃ及び第２側面１０Ｄに相当する。シリコン基板１Ａに設けられる金属膜１Ｃは、シリコン部材１０に設けられる金属膜２０に相当し、シリコン基板１Ａに設けられる反射膜１Ｄは、シリコン部材１０に設けられる反射膜３０に相当する。
【0091】
（第１実施例のシリコン光学部材１）
上述の製造方法に基づき製造したシリコン光学部材１の一実施例を説明する。図４Ｂは、第１実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ１を示す画像である。シリコン光学部材１Ｎ１において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、３０μｍである。距離ｄは、４０μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、３１０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、６５０μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、３１０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、６５０μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは２５０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は３８０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は２３０μｍである。
上述の製造方法に基づき製造したシリコン光学部材１の一実施例を説明する。図４Ｂは、第１実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ１を示す画像である。シリコン光学部材１Ｎ１において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、３０μｍである。距離ｄは、４０μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、３１０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、６５０μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、３１０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、６５０μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは２５０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は３８０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は２３０μｍである。
【0092】
（第２実施例のシリコン光学部材１）
上述の製造方法に基づき製造したシリコン光学部材１の他の一実施例を説明する。図４Ｃは、第２実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ２を示す画像である。シリコン光学部材１Ｎ２において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、２０μｍである。距離ｄは、４０μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、２２０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、６５０μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、２２０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、６５０μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは１６０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は２５０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は１７０μｍである。
上述の製造方法に基づき製造したシリコン光学部材１の他の一実施例を説明する。図４Ｃは、第２実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ２を示す画像である。シリコン光学部材１Ｎ２において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、５０μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、２０μｍである。距離ｄは、４０μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、２２０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、６５０μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、２２０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、６５０μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは１６０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は２５０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は１７０μｍである。
【0093】
（比較例のシリコン光学部材９９）
比較例となる従来のシリコン光学部材９９の一例を説明する。図４Ａに、第１実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ１、及び、第２実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ２と共に、比較例のシリコン光学部材９９を示している。シリコン光学部材９９において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、１４５μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、１４５μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、２５０μｍである。距離ｄは、１００μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、９５０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、１０００μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、９５０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、１０００μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは６５０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は９５０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は６００μｍである。
比較例となる従来のシリコン光学部材９９の一例を説明する。図４Ａに、第１実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ１、及び、第２実施例に係るシリコン光学部材１Ｎ２と共に、比較例のシリコン光学部材９９を示している。シリコン光学部材９９において、第１側面１０Ｃの下面１０Ａと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、１４５μｍである。第２側面１０Ｄの第３側面１０Ｅと交わる辺から主面１０Ｂと交わる辺までの幅は、１４５μｍである。第４側面１０Ｆの下面１０Ａと交わる辺から第３側面１０Ｅと交わる辺までの幅は、２５０μｍである。距離ｄは、１００μｍである。シリコン部材１０のＸ方向の幅は、９５０μｍである。シリコン部材１０のＹ方向の幅は、１０００μｍである。シリコン部材１０のＺ方向の幅は、９５０μｍである。下面１０Ａの第１辺の長さは、１０００μｍである。下面１０Ａの第３辺の長さは６５０μｍである。また、主面１０Ｂの上端から下端までの距離は９５０μｍである。主面１０Ｂから第４側面１０Ｆまでの距離は６００μｍである。
【0094】
このように、実施形態に係るシリコン光学部材１は、従来技術によって製造された比較例のシリコン光学部材９９に比して小型化されている。なお、比較例のシリコン部材９９は、その製造工程において、少なくとも、上述のシリコン基板に第３主面を形成する工程を有しておらず、第２主面を反射面としている。
【0095】
次に、上述のシリコン光学部材１を備える発光装置１００の一例を説明する。図５乃至図８は、発光装置１００の例示的な一形態を説明するための図面である。図５は、発光装置１００の斜視図である。図６は、発光装置１００から蓋部材１１Ｎを除いた状態の斜視図である。図７は、発光装置１００から蓋部材１１Ｎを除いた状態の上面図である。図８は、図５のVIII-VIII断面線における断面図である。
【0096】
発光装置１００は、複数の構成要素を備えている。発光装置１００が備える複数の構成要素は、パッケージ１１、半導体レーザ素子１２、調整部材１３、及び、反射部材１４を含む。なお、発光装置１００は、この他にも構成要素を備えていてよい。
【0097】
（パッケージ１１）
パッケージ１１は、基板１１Ａと、蓋部材１１Ｎとを含む。蓋部材１１Ｎは、基板１１Ａに接合される。基板１１Ａは、板状の形状で形成される。基板１１Ａは、実装面１１Ｅを有する。基板１１Ａの実装面１１Ｅに垂直な方向の幅（厚み）は、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
パッケージ１１は、基板１１Ａと、蓋部材１１Ｎとを含む。蓋部材１１Ｎは、基板１１Ａに接合される。基板１１Ａは、板状の形状で形成される。基板１１Ａは、実装面１１Ｅを有する。基板１１Ａの実装面１１Ｅに垂直な方向の幅（厚み）は、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【0098】
上面視で、パッケージ１１の外縁形状は矩形である。この矩形は、長辺と短辺を有する矩形とすることができる。図示されるパッケージ１１において、この矩形の長辺方向はＸ方向と同じ方向であり、短辺方向はＹ方向と同じ方向である。なお、上面視で、パッケージ１１の外縁形状は矩形でなくてもよい。パッケージ１１の実装面１１Ｅに垂直な方向の幅は、１ｍｍ以上３．５ｍｍ以下である。
【0099】
パッケージ１１には、他の構成要素が配置される内部空間が形成される。この内部空間は、真空あるいは気密状態で封止された閉空間とすることができる。
【0100】
基板１１Ａは、セラミックを主材料に用いて形成することができる。セラミックとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素などが挙げられる。
【0101】
蓋部材１１Ｎは、枠部と、枠部による枠を覆う上部と、を有する。蓋部材１１Ｎの枠部が、基板１１Ａと接合する。
【0102】
蓋部材１１Ｎは、光を透過する透光性を有する。ここで、透光性とは、光に対する透過率が８０％以上であることとする。なお、全ての波長の光に対して８０％以上の透過率を有していなくてもよい。蓋部材１１Ｎは、一部に非透光性の領域（透光性を有していない領域）を有していてもよい。
【0103】
蓋部材１１Ｎは、ガラスを主材料に用いて形成される。蓋部材１１Ｎを形成する主材料は、高い透光性を有する材料である。蓋部材１１Ｎは、ガラスに限らず、例えば、サファイアを主材料に用いて形成してもよい。
【0104】
（半導体レーザ素子１２）
半導体レーザ素子１２は、光を出射する光出射面を有する。半導体レーザ素子１２は、上面、下面、複数の側面を有する。半導体レーザ素子１２の側面が、光出射面となる。半導体レーザ素子１２は、１または複数の光出射面を有する。
半導体レーザ素子１２は、光を出射する光出射面を有する。半導体レーザ素子１２は、上面、下面、複数の側面を有する。半導体レーザ素子１２の側面が、光出射面となる。半導体レーザ素子１２は、１または複数の光出射面を有する。
【0105】
半導体レーザ素子１２の上面の形状は、長辺と短辺を有する矩形である。なお、半導体レーザ素子１２の上面の形状は、矩形でなくてもよい。
【0106】
半導体レーザ素子１２には、例えば、青色の光を出射する半導体レーザ素子、緑色の光を出射する半導体レーザ素子、または、赤色の光を出射する半導体レーザ素子を採用することができる。なお、半導体レーザ素子１２に、その他の色の光を出射する半導体レーザ素子を採用してもよい。
【0107】
ここで、青色の光は、その発光ピーク波長が４２０ｎｍ～４９４ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。緑色の光は、その発光ピーク波長が４９５ｎｍ～５７０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。赤色の光は、その発光ピーク波長が６０５ｎｍ～７５０ｎｍの範囲内にある光をいうものとする。
【0108】
半導体レーザ素子１２から出射される光（レーザ光）は拡がりを有する。また、半導体レーザ素子１２の出射端面（光出射面）から出射される光は、発散光である。
【0109】
半導体レーザ素子１２から出射される光は、光の出射端面と平行な面において楕円形状のファーフィールドパターン（以下「ＦＦＰ」という。）を形成する。ＦＦＰとは、出射端面から離れた位置における出射光の形状や光強度分布である。
【0110】
ここで、ＦＦＰの楕円形状の中心を通る光、言い換えると、ＦＦＰの光強度分布におけるピーク強度の光を、光軸を進む光、あるいは、光軸を通る光と呼ぶものとする。また、ＦＦＰの光強度分布において、ピーク強度値に対して１／ｅ２以上の強度を有する光を、主要部分の光と呼ぶものとする。
【0111】
半導体レーザ素子１２から出射される光のＦＦＰの形状は、光の出射端面と平行な面において、積層方向の方が、積層方向に垂直な方向よりも長い楕円形状である。積層方向とは、半導体レーザ素子１２において活性層を含む複数の半導体層が積層される方向のことである。積層方向に垂直な方向は、半導体層の面方向ということもできる。また、ＦＦＰの楕円形状の長径方向を半導体レーザ素子１２の速軸方向、短径方向を半導体レーザ素子１２の遅軸方向ということもできる。
【0112】
ＦＦＰの光強度分布に基づきピーク光強度の１／ｅ２の光強度の光が拡がる角度を、半導体レーザ素子１２の光の拡がり角とする。光の拡がり角は、ピーク光強度の１／ｅ２の光強度の他に、例えば、ピーク光強度の半値の光強度から求められることもある。本明細書の説明において、単に「光の拡がり角」というときは、ピーク光強度の１／ｅ２の光強度における光の拡がり角を指すものとする。なお、速軸方向の拡がり角の方が、遅軸方向の拡がり角よりも大きいといえる。
【0113】
半導体レーザ素子１２は、ＧａＮ系材料で構成された活性層を含む半導体レーザ素子とすることができる。また、半導体レーザ素子１２は、ＧａＡｓ系材料で構成された活性層を含む半導体レーザ素子とすることができる。
【0114】
例えば、青色の光を発する半導体レーザ素子１２、または、緑色の光を発する半導体レーザ素子１２として、ＧａＮ系材料で構成された活性層を含む半導体レーザ素子が挙げられる。ＧａＮ系材料としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮなどが挙げられる。赤色の光を発する半導体レーザ素子１２として、ＧａＰ系、または、ＧａＡｓ系材料の半導体で構成された活性層を含む半導体レーザ素子が挙げられる。ＧａＡｓ系材料としては、例えば、ＧａＡｓ、及びＡｌＧａＡｓなどが挙げられる。ＧａＰ系材料としては、ＧａＰ、ＡｌＧａＰ、及びＡｌＧａＩｎＰなどが挙げられる。ＧａＡｓＰなどのＡｓとＰを含む半導体で活性層を構成してもよい。
【0115】
（調整部材１３）
調整部材１３は、第１面１３Ａ及び第２面１３Ｂを有する。第２面１３Ｂは、第１面１３Ａの反対側の面である。調整部材１３の厚さ（第１面１３Ａから第２面１３Ｂまでの幅）は、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。調整部材１３は、板状の形状で形成される。上面視で、調整部材１３の外形は長辺および短辺を有する矩形である。なお、調整部材１３の上面視の外形は矩形でなくてもよい。
調整部材１３は、第１面１３Ａ及び第２面１３Ｂを有する。第２面１３Ｂは、第１面１３Ａの反対側の面である。調整部材１３の厚さ（第１面１３Ａから第２面１３Ｂまでの幅）は、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。調整部材１３は、板状の形状で形成される。上面視で、調整部材１３の外形は長辺および短辺を有する矩形である。なお、調整部材１３の上面視の外形は矩形でなくてもよい。
【0116】
調整部材１３は、金属を主材料に用いて形成することができる。主材料となる金属には、例えば、Ｃｕを採用することができる。また、Ｃｕに限らず、Ｍｏを主材料に用いることができる。なお、調整部材１３は、金属以外の材料を主材料に用いて形成されてもよい。
【0117】
（反射部材１４）
反射部材１４には、上述のシリコン光学部材１を用いることができる。反射膜３０が設けられる主面１０Ｂを、反射部材１４の光反射面とすることができる。なお、反射部材１４は、主面１０Ｂに反射膜３０が設けられていない状態で、主面１０Ｂを光反射面として用いることもできる。
反射部材１４には、上述のシリコン光学部材１を用いることができる。反射膜３０が設けられる主面１０Ｂを、反射部材１４の光反射面とすることができる。なお、反射部材１４は、主面１０Ｂに反射膜３０が設けられていない状態で、主面１０Ｂを光反射面として用いることもできる。
【0118】
反射部材１４の光反射面は、光反射面に照射される光のピーク波長に対する反射率が９０％以上である。また、この反射率は９５％以上であってもよい。また、この反射率を９９％以上とすることもできる。光反射率は、１００％以下あるいは１００％未満である。
【0119】
（発光装置１００）
発光装置１００において、半導体レーザ素子１２がパッケージ１１の実装面１１Ｅに配置される。半導体レーザ素子１２は、光出射面から側方に進行する光を出射する。半導体レーザ素子１２から出射される光は、実装面１１Ｅに垂直な方向を速軸方向とする光である。
発光装置１００において、半導体レーザ素子１２がパッケージ１１の実装面１１Ｅに配置される。半導体レーザ素子１２は、光出射面から側方に進行する光を出射する。半導体レーザ素子１２から出射される光は、実装面１１Ｅに垂直な方向を速軸方向とする光である。
【0120】
半導体レーザ素子１２は、調整部材１３を介して実装面１１Ｅに配置される。調整部材１３の第１面１３Ａに半導体レーザ素子１２は接合される。調整部材１３の第２面１３Ｂが、実装面１１Ｅに接合される。
【0121】
発光装置１００において、反射部材１４が配置される。反射部材１４は、半導体レーザ素子１２から出射された光を反射する。半導体レーザ素子１２は、光出射面を反射部材１４の主面１０Ｂに向ける。反射部材１４は、実装面１１Ｅに配置される。反射部材１４は、実装面１１Ｅと接合する。
【0122】
主面１０Ｂは、半導体レーザ素子１２から出射された光の速軸方向における幅よりも、遅軸方向における幅の方が大きい。半導体レーザ素子１２から出射される光のＦＦＰの形状に対して、反射部材１４の主面１０Ｂの大小関係が逆になっている。このように、反射部材１４をＹ方向に長くすることで、反射部材１４を基板１１Ａに実装しやすくできる。
【0123】
主面１０Ｂは、半導体レーザ素子１２から出射された光の速軸方向における幅よりも、遅軸方向における幅の方が、１．５倍以上６倍以下の範囲で大きいことが好ましい。１．５倍以上とすることで、反射部材１４の製造過程で第５側面１０Ｍあるいは第６側面１０Ｎにクラックなどが入った場合にも、光が照射される領域にクラックの影響を及びにくくすることができる。また、６倍より大きくなると、発光装置１００が過度に大型化してしまうことがある。
【0124】
半導体レーザ素子１２の光出射面における発光点は、光出射面の上端よりも下端に近い位置にある。調整部材１３を介することで、下端に近い発光点であっても、光反射面に主要部分の光の全部を照射させることができる。
【0125】
調整部材１３の、実装面１１Ｅに垂直な方向の厚みは、５０μｍ以上１５０μｍ以下である。半導体レーザ素子１２から反射部材１４までの実装面１１Ｅに平行な方向の最短距離は、１μｍを超え１５０μｍ以下である。小さなシリコン光学部材１を実現することで、半導体レーザ素子１２と反射部材１４を近付け、小型の発光装置１００を実現することができる。
【0126】
実装面１１Ｅから半導体レーザ素子１２の光の出射点までの距離は、５０μｍを超え１５０μｍ以下である。この距離は、実装面１１Ｅから反射部材１４の主面１０Ｂの上端までの距離の半分以下である。
【0127】
反射部材１４の下面１０Ａと実装面１１Ｅが対向する。反射部材１４の下面１０Ａが実装面１１Ｅに接合される。反射部材１４の下面１０Ａに設けられた金属膜２０は、実装面１１Ｅとの接合に利用される。
【0128】
光学部材の製造過程において、シリコン基板１Ａの第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の両方に金属膜１Ｃを形成した。シリコン基板１Ａを分割し、複数のシリコン光学部材１に個片化された状態においても、第１傾斜面１Ａ３１及び第２傾斜面１Ａ３２の両方に金属膜１Ｃが形成されている。そのため、シリコン光学部材１の下面１０Ａには、第１傾斜面１Ａ３１あるいは第２傾斜面１Ａ３２のいずれを採用してもよい。第１傾斜面１Ａ３１が下面１０Ａとなり、第２傾斜面１Ａ３２が第３側面１０Ｅとなるシリコン光学部材１もあれば、第１傾斜面１Ａ３１が第３側面１０Ｅとなり、第２傾斜面１Ａ３２が下面１０Ａとなるシリコン光学部材１もあり得る。
【0129】
このように、シリコン光学部材１の下面１０Ａ及び第３側面１０Ｅの両方に金属膜２０が形成されているシリコン光学部材１は、発光装置１００の実装に際して、第１傾斜面１Ａ３１または第２傾斜面１Ａ３２のどちらを下面１０Ａにしてもよいため、実装時に、シリコン光学部材１のどれが第１傾斜面１Ａ３１であり、また、どれが第２傾斜面１Ａ３２であるかを判別する必要がなく、製造を容易にし、生産効率を向上させることができる。
【0130】
以上、本発明に係る各実施形態を説明してきたが、本発明に係る発光装置は、各実施形態の発光装置に厳密に限定されるものではない。つまり、本発明は、各実施形態により開示された発光装置の外形や構造に限定されなければ実現できないものではない。本発明は、全ての構成要素を必要十分に備えることを必須とせずに適用され得るものである。例えば、特許請求の範囲に、実施形態により開示された発光装置の構成要素の一部が記載されていなかった場合、その一部の構成要素については、代替、省略、形状の変形、材料の変更などの当業者による設計の自由度を認め、その上で特許請求の範囲に記載された発明が適用されることを特定するものである。
【0131】
本明細書でこれまで説明してきた内容を通し、以下の技術事項が開示される。
（項１）
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、
前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記第３主面を含む複数のシリコン光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
（項２）
前記第３主面から、前記傾斜面までの最短距離は、１０μm以上５０μｍ以下である、項１に記載の製造方法。
（項３）
前記傾斜面から前記第３主面までの最短距離を、前記傾斜面に垂直な方向成分と、前記傾斜面に平行な方向成分とに分けたときの、前記傾斜面に垂直な方向成分の距離は、１０μｍ以上５０μm以下である、項１または項２に記載の製造方法。
（項４）
前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の、前記第１主面に垂直な方向の幅は、１００μｍ以上３００μｍ以下である、項１乃至項３のいずれか一項に記載の製造方法。
（項５）
前記第３主面に反射膜を設ける工程をさらに含む、項１乃至項４のいずれか一項に記載の製造方法。
（項６）
前記シリコン光学部材は、前記第１主面から前記第３主面までの距離が、１００μｍ以上４００μｍ以下である、項１乃至項５のいずれか一項に記載の製造方法。
（項７）
前記傾斜面を形成する工程において、それぞれが互いに対向する２つの前記傾斜面を含む複数の溝を形成し、溝を挟んで隣り合う前記第１主面の間隔を２００μｍ以上５００μｍ以下とする、項１乃至項６のいずれか一項に記載の製造方法。
（項８）
前記第１主面に垂直な方向に関し、前記第３主面を形成する工程において除去される前記シリコン基板の前記第２主面から前記第３主面までの幅は、前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の幅よりも大きい、項１乃至項７のいずれか一項に記載の製造方法。
（項９）
下面と、前記下面と交わり前記下面から上方へと延びる第１側面と、前記第１側面と交わり前記下面に対して４５度の角度で前記第１側面から斜め上方へと延びる主面と、前記第１側面の反対側で前記主面と交わり前記主面から下方へと延びる第２側面と、前記第２側面と交わり前記下面に対して９０度の角度で前記第２側面から下方へと延びる第３側面と、を有するシリコン部材
を備え、
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記下面の前記第１側面側の端点から前記第３側面側の端点までの幅よりも、前記主面の下端から上端までの幅の方が大きい、シリコン光学部材。
（項１０）
前記下面から前記主面の上端までの高さは１００μｍ以上５５０μｍ以下である、項９に記載のシリコン光学部材。
（項１１）
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、６０μｍ未満である、項９または項１０に記載のシリコン光学部材。
（項１２）
前記主面に設けられる反射膜をさらに備える、項９乃至項１１のいずれか一項に記載のシリコン光学部材。
（項１３）
実装面を有する基板と、
前記実装面と接合する請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のシリコン光学部材と、
第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記実装面に接合され、前記実装面に垂直な方向の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の調整部材と、
光出射面を前記シリコン光学部材の前記主面に向けて、前記調整部材の前記第１面に接合される半導体レーザ素子と、
を備え、
前記半導体レーザ素子から前記シリコン光学部材までの、前記実装面に平行な方向の最短距離は０μｍを超え１００μｍ以下である、発光装置。
（項１）
第１主面及び前記第１主面の反対側の第２主面を有するシリコン基板を準備する工程と、
前記第１主面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記シリコン基板を、前記マスクパターンをマスクとして用いて前記第１主面側からウェットエッチングし、１または複数の傾斜面を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第１主面側を支持し、前記１または複数の傾斜面にまで到達しないように前記第２主面から前記第１主面側に向かって前記シリコン基板を部分的に除去し、前記第２主面よりも前記第１主面側において、第３主面を形成する工程と、
前記シリコン基板を、それぞれが前記傾斜面及び前記第３主面を含む複数のシリコン光学部材に個片化する工程を含む、シリコン光学部材の製造方法。
（項２）
前記第３主面から、前記傾斜面までの最短距離は、１０μm以上５０μｍ以下である、項１に記載の製造方法。
（項３）
前記傾斜面から前記第３主面までの最短距離を、前記傾斜面に垂直な方向成分と、前記傾斜面に平行な方向成分とに分けたときの、前記傾斜面に垂直な方向成分の距離は、１０μｍ以上５０μm以下である、項１または項２に記載の製造方法。
（項４）
前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の、前記第１主面に垂直な方向の幅は、１００μｍ以上３００μｍ以下である、項１乃至項３のいずれか一項に記載の製造方法。
（項５）
前記第３主面に反射膜を設ける工程をさらに含む、項１乃至項４のいずれか一項に記載の製造方法。
（項６）
前記シリコン光学部材は、前記第１主面から前記第３主面までの距離が、１００μｍ以上４００μｍ以下である、項１乃至項５のいずれか一項に記載の製造方法。
（項７）
前記傾斜面を形成する工程において、それぞれが互いに対向する２つの前記傾斜面を含む複数の溝を形成し、溝を挟んで隣り合う前記第１主面の間隔を２００μｍ以上５００μｍ以下とする、項１乃至項６のいずれか一項に記載の製造方法。
（項８）
前記第１主面に垂直な方向に関し、前記第３主面を形成する工程において除去される前記シリコン基板の前記第２主面から前記第３主面までの幅は、前記傾斜面を形成する工程によって形成された前記傾斜面の幅よりも大きい、項１乃至項７のいずれか一項に記載の製造方法。
（項９）
下面と、前記下面と交わり前記下面から上方へと延びる第１側面と、前記第１側面と交わり前記下面に対して４５度の角度で前記第１側面から斜め上方へと延びる主面と、前記第１側面の反対側で前記主面と交わり前記主面から下方へと延びる第２側面と、前記第２側面と交わり前記下面に対して９０度の角度で前記第２側面から下方へと延びる第３側面と、を有するシリコン部材
を備え、
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、
前記下面の前記第１側面側の端点から前記第３側面側の端点までの幅よりも、前記主面の下端から上端までの幅の方が大きい、シリコン光学部材。
（項１０）
前記下面から前記主面の上端までの高さは１００μｍ以上５５０μｍ以下である、項９に記載のシリコン光学部材。
（項１１）
前記第１側面の前記下面と交わる辺から前記主面と交わる辺までの幅は、６０μｍ未満である、項９または項１０に記載のシリコン光学部材。
（項１２）
前記主面に設けられる反射膜をさらに備える、項９乃至項１１のいずれか一項に記載のシリコン光学部材。
（項１３）
実装面を有する基板と、
前記実装面と接合する請求項９乃至１２のいずれか一項に記載のシリコン光学部材と、
第１面と、前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第２面が前記実装面に接合され、前記実装面に垂直な方向の厚みが５０μｍ以上１５０μｍ以下の調整部材と、
光出射面を前記シリコン光学部材の前記主面に向けて、前記調整部材の前記第１面に接合される半導体レーザ素子と、
を備え、
前記半導体レーザ素子から前記シリコン光学部材までの、前記実装面に平行な方向の最短距離は０μｍを超え１００μｍ以下である、発光装置。
【産業上の利用可能性】
【0132】
各実施形態に記載の発光装置は、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、照明、車載ヘッドライト、ディスプレイ等に使用することができる。
【符号の説明】
【0133】
１ シリコン光学部材
１０ シリコン部材
１０Ａ 下面
１０Ｂ 主面
１０Ｃ 第１側面
１０Ｄ 第２側面
１０Ｅ 第３側面
１０Ｆ 第４側面
１０Ｍ 第５側面
１０Ｎ 第６側面
２０ 金属膜
３０ 反射膜
１Ａ シリコン基板
１Ａ１ 第１主面
１Ａ２ 第２主面
１Ａ３ 傾斜面
１Ａ３１ 第１傾斜面
１Ａ３２ 第２傾斜面
１Ａ４ 第３主面
１Ｂ マスクパターン
１Ｃ 金属膜
１Ｄ 反射膜
１００ 発光装置
１１ パッケージ
１１Ａ 基板
１１Ｅ 実装面
１１Ｎ 蓋部材
１２ 半導体レーザ素子
１３ 調整部材
１３Ａ 第１面
１３Ｂ 第２面
１４ 反射部材
１０ シリコン部材
１０Ａ 下面
１０Ｂ 主面
１０Ｃ 第１側面
１０Ｄ 第２側面
１０Ｅ 第３側面
１０Ｆ 第４側面
１０Ｍ 第５側面
１０Ｎ 第６側面
２０ 金属膜
３０ 反射膜
１Ａ シリコン基板
１Ａ１ 第１主面
１Ａ２ 第２主面
１Ａ３ 傾斜面
１Ａ３１ 第１傾斜面
１Ａ３２ 第２傾斜面
１Ａ４ 第３主面
１Ｂ マスクパターン
１Ｃ 金属膜
１Ｄ 反射膜
１００ 発光装置
１１ パッケージ
１１Ａ 基板
１１Ｅ 実装面
１１Ｎ 蓋部材
１２ 半導体レーザ素子
１３ 調整部材
１３Ａ 第１面
１３Ｂ 第２面
１４ 反射部材
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図3G】
【図3H】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】