特開 2024-107534 半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024107534

(43)【公開日】2024-08-09

(54)【発明の名称】半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/12 20060101AFI20240802BHJP

   G02B 6/42 20060101ALI20240802BHJP

【ＦＩ】

G02B6/12 301

G02B6/42

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023011501

(22)【出願日】2023-01-30

(71)【出願人】

【識別番号】000005290

【氏名又は名称】古河電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】白石 正彦

(72)【発明者】

【氏名】吉田 匡廣

(72)【発明者】

【氏名】清田 和明

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

【Ｆターム（参考）】

2H137AB12

2H137BA35

2H137BA53

2H137BB02

2H137BB25

2H137CA19B

2H137CA19F

2H137CA56

2H137CA72

2H137CB03

2H137CB24

2H137CB25

2H137CB32

2H137DB09

2H137HA00

2H147AB03

2H147AB04

2H147AB24

2H147BB02

2H147BD01

2H147BD07

2H147BD10

2H147BG09

2H147CC07

2H147CD09

2H147EA12A

2H147GA00

2H147GA26

(57)【要約】

【課題】例えば、より改善された新規なアライメントマークを有した半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法を得る。
【解決手段】半導体光デバイスは、例えば、内部に第一導波路が設けられた第一積層部と、第一頂面と、第一端面と、第一端面の複数箇所で露出した第一導波路の第一端部であって第一方向および第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、第一頂面に設けられ、第一頂面の第二方向の端部から第一端部の第一端面での延び方向と平行に延びて第一方向の反対方向に見た場合に複数の第一端部が間に位置するとともに第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、第一頂面に設けられ、第一方向の反対方向に見た場合に第一積層部における第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体光デバイスと、光機能素子と、を備えた光集積素子の、前記半導体光デバイスであって、
前記半導体光デバイスは、
内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、
前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、
前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、
前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、
前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、
前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、
を有し、
前記光機能素子は、
内部に前記第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第二導波路が設けられた第二積層部と、
前記第二積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第二頂面と、
前記第二積層部の前記第二方向の反対方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向の反対方向を向いた第二端面と、
前記第二端面の複数箇所で露出した前記第二導波路の第二端部であって前記第三方向において前記複数の第一端部と対応した間隔となるように互いに離れた複数の第二端部と、
前記第二頂面に設けられ、前記第二頂面の前記第二方向の反対方向の端部から前記第二端部の前記第二端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第二端部が間に位置するとともに前記第三方向において前記複数の第一端部および前記二つの第一位置特定マークと同じ相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第二位置特定マークと、
前記第二頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第二積層部における前記第三方向を特定可能な第二姿勢特定マークと、
を有した、
半導体光デバイス。

【請求項2】

前記第一端部および前記第一位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項3】

前記第二端部および前記第二位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項4】

前記第一端部および前記第一位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜し、
前記第二端部および前記第二位置特定マークは、前記第二方向に対して前記第一端部および前記第一位置特定マークとは異なる角度で傾斜した、請求項３に記載の半導体光デバイス。

【請求項5】

前記第一積層部には、前記第一導波路を含むメサと、前記メサに対して前記第三方向の両側に隣接し前記第一方向の反対方向に凹む第一凹部と、当該第一凹部と同じ深さで前記第一方向の反対方向に凹み前記第一位置特定マークを構成する第二凹部と、が設けられた、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項6】

前記第二凹部の底部が、メタル層で覆われた、請求項５に記載の半導体光デバイス。

【請求項7】

前記第一積層部には、前記第一凹部と同じ深さで凹み前記第一姿勢特定マークを構成する第三凹部が設けられた、請求項５または６に記載の半導体光デバイス。

【請求項8】

前記第三凹部の底部が、メタル層で覆われた、請求項７に記載の半導体光デバイス。

【請求項9】

前記第一姿勢特定マークとして、前記第二方向に離れた複数の第一姿勢特定マークを有した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項10】

前記第一姿勢特定マークは、前記第三方向に延びた第一延部を有した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項11】

前記第一姿勢特定マークは、前記第二方向に延び前記第三方向に離れた複数の第二延部を有した、請求項１０に記載の半導体光デバイス。

【請求項12】

前記第一姿勢特定マークは、前記第三方向に離れた複数の部位を有した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項13】

前記第一導波路として、アクティブ導波路を有した、請求項１に記載の半導体光デバイス。

【請求項14】

前記第一導波路として、折り返し導波路を介して光学的に接続された二つの第一導波路を有した、請求項１３に記載の半導体光デバイス。

【請求項15】

前記折り返し導波路は、パッシブ導波路である、請求項１４に記載の半導体光デバイス。

【請求項16】

それぞれが、前記折り返し導波路と、当該折り返し導波路を介して光学的に接続された二つの第一導波路と、を含む複数の導波路構造アセンブリを有した、請求項１５に記載の半導体光デバイス。

【請求項17】

前記アクティブ導波路を含む半導体光増幅器または半導体発光素子を有した、請求項１３に記載の半導体光デバイス。

【請求項18】

内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、
前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、
前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、
前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、
前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、
前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、
を備えた、半導体光デバイス。

【請求項19】

半導体光デバイスと、光機能素子と、を備えた光集積素子の、前記半導体光デバイスの製造方法であって、
前記半導体光デバイスは、
内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、
前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、
前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、
前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、
前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、
前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、
を有し、
前記光機能素子は、
内部に前記第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第二導波路が設けられた第二積層部と、
前記第二積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第二頂面と、
前記第二積層部の前記第二方向の反対方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向の反対方向を向いた第二端面と、
前記第二端面の複数箇所で露出した前記第二導波路の第二端部であって前記第三方向において前記複数の第一端部と対応した間隔となるように互いに離れた複数の第二端部と、
前記第二頂面に設けられ、前記第二頂面の前記第二方向の反対方向の端部から前記第二端部の前記第二端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第二端部が間に位置するとともに前記第三方向において前記複数の第一端部および前記二つの第一位置特定マークと同じ相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第二位置特定マークと、
前記第二頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第二積層部における前記第三方向を特定可能な第二姿勢特定マークと、
を有し、
前記半導体光デバイスの製造方法は、基板上に前記第一積層部を積層する工程と、
前記第一積層部に、前記第一導波路を含むメサに対して前記第三方向の両側に隣接し前記第一方向の反対方向に凹む第一凹部、および当該第一凹部と同じ深さで前記第一方向の反対方向に凹み前記第一位置特定マークを構成する第二凹部を、形成する工程と、
を備えた、半導体光デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体レーザ素子や半導体光増幅器のような半導体光デバイスと、導波路を有した部位（以下、当該部位を光機能素子と称する）と、を一体に備えた半導体光集積素子が、知られている（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－９２２６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

この種の半導体光集積素子において、半導体光デバイスの導波路と光機能素子の導波路との間で所要の光の結合効率を得るには、半導体光デバイスと光機能素子との位置合わせが重要である。

【0005】

当該位置合わせ用のアライメントマークとして、例えば、製造ばらつきによらずより精度良く位置合わせすることを可能とするアライメントマークが得られれば、有益である。

【0006】

そこで、本発明の課題の一つは、例えば、より改善された新規なアライメントマークを有した半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法を得ること、である。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の半導体光デバイスは、例えば、半導体光デバイスと、光機能素子と、を備えた光集積素子の、前記半導体光デバイスであって、前記半導体光デバイスは、内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、を有し、前記光機能素子は、内部に前記第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第二導波路が設けられた第二積層部と、前記第二積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第二頂面と、前記第二積層部の前記第二方向の反対方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向の反対方向を向いた第二端面と、前記第二端面の複数箇所で露出した前記第二導波路の第二端部であって前記第三方向において前記複数の第一端部と対応した間隔となるように互いに離れた複数の第二端部と、前記第二頂面に設けられ、前記第二頂面の前記第二方向の反対方向の端部から前記第二端部の前記第二端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第二端部が間に位置するとともに前記第三方向において前記複数の第一端部および前記二つの第一位置特定マークと同じ相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第二位置特定マークと、前記第二頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第二積層部における前記第三方向を特定可能な第二姿勢特定マークと、を有する。

【0008】

前記半導体光デバイスでは、前記第一端部および前記第一位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜してもよい。

【0009】

前記半導体光デバイスでは、前記第二端部および前記第二位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜してもよい。

【0010】

前記半導体光デバイスでは、前記第一端部および前記第一位置特定マークは、前記第二方向に対して同じ角度で傾斜し、前記第二端部および前記第二位置特定マークは、前記第二方向に対して前記第一端部および前記第一位置特定マークとは異なる角度で傾斜してもよい。

【0011】

前記半導体光デバイスでは、前記第一積層部には、前記第一導波路を含むメサと、前記メサに対して前記第三方向の両側に隣接し前記第一方向の反対方向に凹む第一凹部と、当該第一凹部と同じ深さで前記第一方向の反対方向に凹み前記第一位置特定マークを構成する第二凹部と、が設けられてもよい。

【0012】

前記半導体光デバイスでは、前記第二凹部の底部が、メタル層で覆われてもよい。

【0013】

前記半導体光デバイスでは、前記第一積層部には、前記第一凹部と同じ深さで凹み前記第一姿勢特定マークを構成する第三凹部が設けられてもよい。

【0014】

前記半導体光デバイスでは、前記第三凹部の底部が、メタル層で覆われてもよい。

【0015】

前記半導体光デバイスは、前記第一姿勢特定マークとして、前記第二方向に離れた複数の第一姿勢特定マークを有してもよい。

【0016】

前記半導体光デバイスでは、前記第一姿勢特定マークは、前記第三方向に延びた第一延部を有してもよい。

【0017】

前記半導体光デバイスでは、前記第一姿勢特定マークは、前記第二方向に延び前記第三方向に離れた複数の第二延部を有してもよい。

【0018】

前記半導体光デバイスでは、前記第一姿勢特定マークは、前記第三方向に離れた複数の部位を有してもよい。

【0019】

前記半導体光デバイスは、前記第一導波路として、アクティブ導波路を有してもよい。

【0020】

前記半導体光デバイスは、前記第一導波路として、折り返し導波路を介して光学的に接続された二つの第一導波路を有してもよい。

【0021】

前記半導体光デバイスでは、前記折り返し導波路は、パッシブ導波路であってもよい。

【0022】

前記半導体光デバイスは、それぞれが、前記折り返し導波路と、当該折り返し導波路を介して光学的に接続された二つの第一導波路と、を含む複数の導波路構造アセンブリを有してもよい。

【0023】

前記半導体光デバイスは、前記アクティブ導波路を含む半導体光増幅器または半導体発光素子を有してもよい。

【0024】

また、本発明の半導体光デバイスは、例えば、内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、を備える。

【0025】

本発明の半導体光デバイスの製造方法は、例えば、半導体光デバイスと、光機能素子と、を備えた光集積素子の、前記半導体光デバイスの製造方法であって、前記半導体光デバイスは、内部に第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第一導波路が設けられた第一積層部と、前記第一積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第一頂面と、前記第一積層部の前記第一方向と交差した第二方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向を向いた第一端面と、前記第一端面の複数箇所で露出した前記第一導波路の第一端部であって前記第一方向および前記第二方向と交差した第三方向に互いに離れた複数の第一端部と、前記第一頂面に設けられ、前記第一頂面の前記第二方向の端部から前記第一端部の前記第一端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第一端部が間に位置するとともに前記第三方向において当該複数の第一端部と所定の相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第一位置特定マークと、前記第一頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第一積層部における前記第三方向を特定可能な第一姿勢特定マークと、を有し、前記光機能素子は、内部に前記第一方向と交差して延びた少なくとも一つの第二導波路が設けられた第二積層部と、前記第二積層部の前記第一方向の端部に位置し前記第一方向と交差するとともに前記第一方向を向いた第二頂面と、前記第二積層部の前記第二方向の反対方向の端部に位置し前記第二方向と交差するとともに前記第二方向の反対方向を向いた第二端面と、前記第二端面の複数箇所で露出した前記第二導波路の第二端部であって前記第三方向において前記複数の第一端部と対応した間隔となるように互いに離れた複数の第二端部と、前記第二頂面に設けられ、前記第二頂面の前記第二方向の反対方向の端部から前記第二端部の前記第二端面での延び方向と平行に延びて前記第一方向の反対方向に見た場合に前記複数の第二端部が間に位置するとともに前記第三方向において前記複数の第一端部および前記二つの第一位置特定マークと同じ相対位置関係となるように前記第三方向に互いに離れて設けられた二つの第二位置特定マークと、前記第二頂面に設けられ、前記第一方向の反対方向に見た場合に前記第二積層部における前記第三方向を特定可能な第二姿勢特定マークと、を有し、前記半導体光デバイスの製造方法は、基板上に前記第一積層部を積層する工程と、前記第一積層部に、前記第一導波路を含むメサに対して前記第三方向の両側に隣接し前記第一方向の反対方向に凹む第一凹部、および当該第一凹部と同じ深さで前記第一方向の反対方向に凹み前記第一位置特定マークを構成する第二凹部を、形成する工程と、を備える。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、より改善された新規なアライメントマークを有した半導体光デバイスおよび半導体光デバイスの製造方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】図１は、第１実施形態の光集積素子の例示的かつ模式的な平面図である。

【図2】図２は、第１実施形態の光集積素子の一部の例示的かつ模式的な平面図である。

【図3】図３は、第１実施形態の光集積素子の図２とは別の部位の例示的かつ模式的な平面図であって、半導体光デバイスの端部の位置のばらつきに応じた当該半導体光デバイスの位置の光機能素子に対する相対位置の違いを示す図である。

【図4】図４は、図１のIV－IV断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態の半導体光デバイスの製造手順の一部を示す例示的なフローチャートである。

【図6】図６は、第２実施形態の半導体光デバイスの図３と同等位置における例示的かつ模式的な断面図である。

【図7】図７は、第３実施形態の光集積素子の一部の例示的かつ模式的な平面図である。

【図8】図８は、第４実施形態の光集積素子の一部の例示的かつ模式的な平面図である。

【図9】図９は、第５実施形態の光集積素子の一部の例示的かつ模式的な平面図である。

【図10】図１０は、第６実施形態の光集積素子の例示的かつ模式的な平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。

【0029】

以下に示される複数の実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。

【0030】

本明細書において、序数は、方向や、部位等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではないし、個数を限定するものでもない。

【0031】

各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。なお、Ｚ方向は、積層方向や高さ方向と称されうる。

【0032】

また、各図は説明を目的とした模式図であって、各図と実物とでスケールや比率は、必ずしも一致しない。

【0033】

［第１実施形態］
［基本構成］
図１は、光集積素子１００Ａ（１００）の平面図であり、図２は、図１の一部の拡大図である。図１に示されるように、光集積素子１００Ａ（１００）は、半導体光デバイス１０Ａ（１０）と、光機能素子２０Ａ（２０）と、を備えている。半導体光デバイス１０と、光機能素子２０とは、半導体光デバイス１０のＸ方向の端面１１ｂと、光機能素子２０のＸ方向の反対方向の端面２１ｂと、が互いに微小な隙間をあけて面するかあるいは接した状態で、一体化されている。端面１１ｂには、導波路１２の複数の端面１２ｄ（図２参照）が露出するとともに、端面２１ｂには、導波路２２の複数の端面２２ｄ（図２参照）が露出している。半導体光デバイス１０と光機能素子２０とは、複数の端面１２ｄと複数の端面２２ｄとがＹ方向に極力ずれることなくＸ方向に面するよう、半導体光デバイス１０に設けられたアライメントマーク１４，１５と光機能素子２０に設けられたアライメントマーク２４，２５とが位置合わせされた状態で、一体化される。

【0034】

図１に示されるように、半導体光デバイス１０は、頂面１１ａと、端面１１ｂと、を有している。頂面１１ａは、積層部１１のＺ方向の端部に位置しＺ方向と交差するとともにＺ方向を向いている。端面１１ｂは、積層部１１のＸ方向の端部に位置しＸ方向と交差するとともにＸ方向を向いている。積層部１１は、第一積層部の一例であり、頂面１１ａは、第一頂面の一例であり、端面１１ｂは、第一端面の一例である。また、Ｚ方向は、第一方向の一例であり、Ｘ方向は第二方向の一例である。

【0035】

積層部１１の内部には、複数の導波路１２が形成されている。複数の導波路１２は、Ｙ方向における間隔Ｉ１，Ｉ２が一定の状態で、Ｘ方向に延びている。導波路１２は、第一導波路の一例であり、Ｙ方向は、第三方向の一例である。なお、導波路１２は、Ｚ方向と交差した方向に延びればよく、Ｘ方向に延びた導波路１２には限定されない。

【0036】

導波路１２は、クラッド層や電流阻止層の内部に形成されたコア層である。クラッド層や電流阻止層は、例えば、n-InPおよびp-InPで作られる。また、コア層は、例えば、GaInAsPで作られる。積層部１１において、クラッド層や電流阻止層がコア層の周囲を取り囲んでいる。

【0037】

本実施形態では、二つの導波路１２は、Ｚ方向の反対方向に見た場合にＵ字状に形成された導波路１３を介して、光学的に結合されている。互いに光学的に結合された二つの導波路１２と導波路１３とは、導波路構造アセンブリ３０Ａを構成している。本実施形態では、積層部１１は、二つの導波路構造アセンブリ３０Ａを備えている。なお、積層部１１の、二つの導波路構造アセンブリ３０Ａの間には、頂面１１ａからＺ方向の反対方向に凹みＸ方向に延びたトレンチ１１ｅが形成されている。導波路１３は、折り返し導波路の一例である。

【0038】

導波路構造アセンブリ３０Ａは、例えば、半導体光増幅器として構成されうる。この場合、導波路１２は、アクティブ導波路として構成され、導波路１３は、パッシブ導波路として構成される。導波路構造アセンブリ３０Ａは、二つの導波路１２のうち一方の導波路１２の端面１２ｄから入力された光を光増幅し、二つの導波路１２のうち他方の導波路１２の端面１２ｄから出力する。この場合、半導体光デバイス１０Ａは、半導体光増幅器アレイとなる。

【0039】

図２に示されるように、導波路１２は、直線部１２ａと、斜行部１２ｂと、湾曲部１２ｃと、を有している。直線部１２ａは、Ｘ方向に延びている。斜行部１２ｂは、端面１１ｂからＸ方向に対して角度θ１だけ傾斜した方向に延びている。斜行部１２ｂの端面１２ｄは、端面１１ｂにおいて積層部１１から露出している。複数の端面１２ｄは、Ｙ方向において互いに離れている。湾曲部１２ｃは、直線部１２ａと斜行部１２ｂとを円滑に接続している。斜行部１２ｂは、第一端部の一例である。

【0040】

また、図１に示されるように、光機能素子２０は、頂面２１ａと、端面２１ｂと、を有している。頂面２１ａは、積層部２１のＺ方向の端部に位置しＺ方向と交差するとともにＺ方向を向いている。端面２１ｂは、積層部２１のＸ方向の反対方向の端部に位置しＸ方向と交差するとともにＸ方向の反対方向を向いている。積層部２１は、第二積層部の一例であり、頂面２１ａは、第二頂面の一例であり、端面２１ｂは、第二端面の一例である。

【0041】

積層部２１の内部には、複数の導波路２２が形成されている。複数の導波路２２は、Ｙ方向における間隔Ｉ１，Ｉ２が一定の状態で、Ｘ方向に対して角度θ２だけ傾斜した方向に延びている。導波路２２のＸ方向の反対側の端面２２ｄは、端面２１ｂにおいて積層部２１から露出している。複数の端面２２ｄは、Ｙ方向において互いに離れている。導波路２２は、第二導波路の一例であり、端部２２ｂは、第二端部の一例である。

【0042】

図１から明らかとなるように、複数の端部２２ｂおよび端面２２ｄのＹ方向における間隔Ｉ１，Ｉ２は、半導体光デバイス１０の複数の導波路１２の斜行部１２ｂおよび端面１２ｄ（図２参照）のＹ方向における間隔Ｉ１，Ｉ２と同じである。すなわち、複数の端部２２ｂは、対応した複数の斜行部１２ｂと同じ間隔で、Ｙ方向に互いに離れて設けられている。したがって、半導体光デバイス１０と光機能素子２０とが正しく位置合わせされた状態では、複数の導波路１２の端面１２ｄと、複数の導波路２２の端面２２ｄとが、互いに面することになる。

【0043】

なお、導波路１２の斜行部１２ｂの延び方向がＸ方向に対して角度θ１だけ傾斜し、かつ導波路２２の端部２２ｂの延び方向がＸ方向に対して角度θ２だけ傾斜しているのは、端面１１ｂ，２１ｂで反射した光が導波路１２，２２に結合するのを抑制するためである。角度θ１，θ２は、半導体光デバイス１０および光機能素子２０のそれぞれの構成材料の屈折率等によって適宜に設定される。

【0044】

また、図１，２に示されるように、斜行部１２ｂの両側には、頂面１１ａからＺ方向の反対方向に凹む凹部１１ｃが形成されている。すなわち、斜行部１２ｂは、少なくとも部分的に、メサ１１ｄを有している。なお、斜行部１２ｂのメサ１１ｄは、例えば、延び方向に沿って幅が徐々に変化するスポットサイズコンバータとして構成されてもよい。

【0045】

［アライメントマーク］
図１に示されるように、半導体光デバイス１０の頂面１１ａには、アライメントマーク１４，１５Ａ（１５）が設けられ、光機能素子２０の頂面２１ａには、アライメントマーク２４，２５が設けられている。

【0046】

半導体光デバイス１０には、アライメントマーク１４として、Ｙ方向に互いに離れた二つのアライメントマーク１４が設けられている。アライメントマーク１４は、頂面１１ａのＸ方向の端部から、導波路１２の斜行部１２ｂ（図２参照）の延び方向と平行に延びている。二つのアライメントマーク１４は、Ｚ方向の反対方向に見た場合に、複数の導波路１２の斜行部１２ｂが、これら二つのアライメントマーク１４の間に位置するよう、設けられる。また、当該二つのアライメントマーク１４は、複数の斜行部１２ｂと、Ｙ方向において所定の相対位置関係となるように、設けられる。具体的に、本実施形態では、最も近い斜行部１２ｂとの間のＹ方向における間隔がＩ３となり、アライメントマーク１４、四つの斜行部１２ｂ、およびもう一つのアライメントマーク１４が、Ｙ方向において、間隔Ｉ３，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ１，Ｉ３で並ぶよう、設けられる。

【0047】

他方、光機能素子２０には、アライメントマーク２４として、Ｙ方向に互いに離れた二つのアライメントマーク２４が設けられている。アライメントマーク２４は、頂面２１ａのＸ方向の端部から、導波路２２の端部２２ｂ（図２参照）の延び方向と平行に延びている。二つのアライメントマーク２４は、Ｚ方向の反対方向に見た場合に、複数の導波路１２の端部２２ｂが、これら二つのアライメントマーク２４の間に位置するよう、設けられる。また、当該二つのアライメントマーク２４は、複数の端部２２ｂと、Ｙ方向において所定の相対位置関係、となるように、設けられる。具体的に、本実施形態では、最も近い端部２２ｂとの間のＹ方向における間隔がＩ３となり、アライメントマーク２４、四つの端部２２ｂ、およびもう一つのアライメントマーク２４が、Ｙ方向において、間隔Ｉ３，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ１，Ｉ３で並ぶよう、設けられる。すなわち、図１に示されるように、アライメントマーク２４、四つの端部２２ｂ、およびもう一つのアライメントマーク２４は、Ｙ方向において、アライメントマーク１４、四つの斜行部１２ｂ、およびもう一つのアライメントマーク１４と同じ間隔Ｉ３，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ１，Ｉ３、すなわち同じ相対位置関係で並んでいる。

【0048】

したがって、アライメントマーク１４のＸ方向の端部１４ａと、アライメントマーク２４のＸ方向の反対方向の端部２４ａとがＸ方向に並んだ状態、言い換えるとＸ方向に面した状態となるように、半導体光デバイス１０と光機能素子２０とをＹ方向に位置合わせすることにより、互いに対応した導波路１２の端面１２ｄ（図２参照）と導波路２２の端面２２ｄ（図２参照）とがＹ方向にずれるのを抑制し、導波路１２と導波路２２との間で、所要の光の結合効率を得ることができる。アライメントマーク１４は、第一位置特定マークの一例であり、アライメントマーク２４は、第二位置特定マークの一例である。

【0049】

また、図１に示されるように、半導体光デバイス１０の頂面１１ａ上には、端面１１ｂから離れた位置で、Ｘ方向における略一定の幅でＹ方向に延びたアライメントマーク１５Ａ（１５）が設けられている。他方、光機能素子２０の頂面２１ａ上には、端面２１ｂから離れた位置で、Ｘ方向における略一定の幅でＹ方向に延びたアライメントマーク２５が設けられている。アライメントマーク１５の撮影画像に対する画像処理あるいは作業者の視認により、アライメントマーク１５の延方向、すなわちＹ方向、言い換えると半導体光デバイス１０の姿勢を、把握することができる。また、アライメントマーク２５の撮影画像に対する画像処理あるいは作業者の視認により、アライメントマーク２５の延方向、すなわちＹ方向、言い換えると光機能素子２０の姿勢を、把握することができる。アライメントマーク１５は、第一姿勢特定マークの一例であり、アライメントマーク２５は、第二姿勢特定マークの一例である。また、アライメントマーク１５は、全体的にＹ方向に延びており、アライメントマーク２５は、全体的にＹ方向に延びている。アライメントマーク１５は、第一延部の一例である。

【0050】

上述した構成によれば、作業者あるいはロボットは、アライメントマーク１５およびアライメントマーク２５をＹ方向と平行に維持しながら、端面１１ｂと端面２１ｂとを近付けるとともに半導体光デバイス１０と光機能素子２０とを相対的にＹ方向に動かすことにより、二つのアライメントマーク１４と対応する二つのアライメントマーク２４とをＸ方向に面した状態となるように位置合わせすることができる。すなわち、本実施形態によれば、複数の導波路１２と複数の導波路２２とがＸ方向に面してより精度良く位置合わせされた状態を、より容易にあるいはより迅速に得ることができる。

【0051】

図３は、図１の、図２とは別の部位の平面図である。図３には、製造ばらつきによって端面１１ｂの位置が異なった二つの積層部１１－１，１１－２（１１）が示されている。図３では、積層部１１－１の形状を二点鎖線で示し、積層部１１－２の形状を実線で示している。図３は、半導体光デバイス１０（積層部１１－１，１１－２（１１））が光機能素子２０と位置合わせされた状態を示している。端面１１ｂが、例えば、劈開によって形成される場合、当該劈開の工程において、劈開位置にばらつきが生じると、光機能素子２０を基準としてＺ方向の反対方向に見た場合に、複数の半導体光デバイス１０においてアライメントマーク１５のＸ方向における位置の差δｘ（ばらつき、個体差）が生じる。これに伴い、位置合わせされた状態では、アライメントマーク１５のＹ方向における位置の差δｙ（ばらつき、個体差）が生じる。しかしながら、図１に示されるように、アライメントマーク１４および導波路１２の斜行部１２ｂは、いずれもＸ方向に対して同じ角度θ１で傾斜しており、互いに平行であるため、端面１１ｂのＸ方向の位置によらず、二つのアライメントマーク１４の端部１４ａおよび複数の導波路２２のＸ方向の端面１２ｄの間隔Ｉ３，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ１，Ｉ３は同じになる。したがって、本実施形態によれば、端面１１ｂのＸ方向の位置にばらつき（個体差）が生じた場合にあっても、アライメントマーク１４の端部１４ａとアライメントマーク２４の端部２４ａとがＸ方向に面するように、言い換えると正対するように、半導体光デバイス１０と光機能素子２０とを位置合わせすることで、複数の導波路１２と複数の導波路２２とが位置合わせされた状態を得ることができる。

【0052】

光機能素子２０についてもこれと同様の効果が得られる。すなわち、アライメントマーク２４および導波路２２の端部２２ｂは、いずれもＸ方向に対して同じ角度θ２で傾斜しており、互いに平行であるため、端面２１ｂのＸ方向に位置によらず、二つのアライメントマーク２４の端部２４ａおよび複数の導波路２２の端面２２ｄの間隔Ｉ３，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ１，Ｉ３は同じになる。したがって、本実施形態によれば、端面２１ｂのＸ方向の位置に個体差ばらつきが生じた場合にあっても、アライメントマーク１４の端部１４ａとアライメントマーク２４の端部２４ａとがＸ方向に面するように、言い換えると正対するように、半導体光デバイス１０と光機能素子２０とを位置合わせすることで、複数の導波路１２と複数の導波路２２とが位置合わせされた状態を得ることができる。

【0053】

また、アライメントマーク１５のＸ方向における位置の差δｘと、アライメントマーク１５のＹ方向における位置の差δｙと、角度θ１と、の間には、次の式（１）が成り立つ。
ｔａｎθ１＝δｙ／δｘ ・・・（１）
式（１）の関係を利用すれば、Ｘ方向におけるアライメントマーク１５の基準位置（例えば、端面２１ｂとのＸ方向の距離がｄ１となる位置）に対する位置の差δｘから、Ｙ方向におけるアライメントマーク１５の基準位置（例えば、アライメントマーク２５のＹ方向の端部２５ａのＹ方向における位置）に対する端部１５ａの位置の差δｙを、推定することができる。位置の差δｙは、Ｙ方向におけるアライメントマーク１４の基準位置に対する位置の差でもある。したがって、例えば、撮影画像の画像処理から得られたアライメントマーク１５の位置情報から、Ｙ方向におけるアライメントマーク１４の位置を推定することができるため、当該位置の推定により、アライメントマーク１４とアライメントマーク２４とのＸ方向の位置合わせを補い、当該Ｘ方向における位置合わせの迅速化や精度向上に役立てることができる。

【0054】

図４は、図１のIV－IV断面図である。図４に示されるように、半導体光デバイス１０は、Ｚ方向と交差して広がる基板１６と、基板１６上に積層された積層部１１と、を有している。図４に示されるように、積層部１１には、メサ１１ｄに対してＹ方向の両側で凹み相対的に当該メサ１１ｄを形成する二つの凹部１１ｃと、当該メサ１１ｄとＹ方向にずれてアライメントマーク１４を構成する凹部１１ｆと、アライメントマーク１５を構成する凹部１１ｇと、が設けられている。メサ１１ｄのＺ方向の中間位置には、導波路１２を構成するコア１２ｅが形成されている。凹部１１ｃは、第一凹部の一例であり、凹部１１ｆは、第二凹部の一例であり、凹部１１ｇは、第三凹部の一例である。

【0055】

図５は、半導体光デバイス１０の積層部１１の形成に関する手順の一部を示すフローチャートである。図５に示されるように、まずは、基板１６上に積層部１１を形成し（Ｓ１）、その後、凹部１１ｃ、凹部１１ｆ、および凹部１１ｇを形成する（Ｓ２）。Ｓ２において、凹部１１ｃ、凹部１１ｆ、および凹部１１ｇの、Ｚ方向における頂面１１ａからの深さは、同じになる。このように、凹部１１ｃ、凹部１１ｆ、および凹部１１ｇを同一工程（Ｓ２）において形成することにより、導波路１２とアライメントマーク１４とを、Ｚ方向と交差する方向において、精度良く位置合わせすることができるという利点が得られる。また、凹部１１ｃ、凹部１１ｆ、および凹部１１ｇをそれぞれ別の工程で形成した場合に比べて、製造に要する手間や時間を減らすことができるという利点も得られる。

【0056】

また、図１，３に示されるように、アライメントマーク１４とアライメントマーク１５とは互いに接続されている。これにより、アライメントマーク１４とアライメントマーク１５とが互いに近くに配置されることになるため、これらが離れて配置される場合に比べて、例えば、アライメントマーク１４，１５の占有領域をより狭くして、ひいては半導体光デバイス１０をより小さく構成できたり、アライメントマーク１４，１５の撮影範囲をより狭くできる分、より拡大したアライメントマーク１４，１５の撮影画像からより精度良くアライメントマーク１４の位置や、アライメントマーク１５の延び方向ひいては半導体光デバイス１０の姿勢を特定できたり、といった利点が得られる。また、アライメントマーク２４，２５も、アライメントマーク１４，１５と同様に、互いに接続されている。よって、アライメントマーク２４，２５についても、例えば、アライメントマーク２４，２５の占有領域をより狭くして、ひいては光機能素子２０をより小さく構成できたり、アライメントマーク２４，２５の撮影範囲をより狭くできる分、より拡大したアライメントマーク２４，２５の撮影画像からより精度良くアライメントマーク２４の位置や、アライメントマーク２５の延び方向ひいては光機能素子２０の姿勢を特定できたり、といった利点が得られる。

【0057】

以上、説明したように、本実施形態によれば、アライメントマーク１４，１５とアライメントマーク２４，２５とを用いた位置合わせにより、例えば、製造ばらつきによらず導波路１２と導波路２２とをより精度良く位置合わせすることができるなどの効果が得られる。

【0058】

［第２実施形態］
図６は、第２実施形態の半導体光デバイス１０Ｂ（１０）の図４と同等位置における断面図である。半導体光デバイス１０Ｂは、第１実施形態の半導体光デバイス１０Ａに替えて、光集積素子１００に組み込むことができる。半導体光デバイス１０Ｂは、半導体光デバイス１０Ａと同様の構成を備えており、当該半導体光デバイス１０Ａと同様の効果が得られる。

【0059】

ただし、本実施形態では、図６に示されるように、アライメントマーク１４，１５を構成する凹部１１ｆ，１１ｇの底部が、メタル層１７で覆われている。このような構成によれば、例えば、アライメントマーク１４，１５がより視認しやすくなったり、撮影画像においてアライメントマーク１４，１５がより明確になる分、より精度良くアライメントマーク１４の位置や、アライメントマーク１５の延び方向ひいては半導体光デバイス１０の姿勢を特定できたり、といった利点が得られる。

【0060】

［第３実施形態］
図７は、第３実施形態の光集積素子１００Ｃ（１００）の一部の平面図である。光集積素子１００Ｃは、光集積素子１００Ａと同様の構成を備えており、当該光集積素子１００Ａと同様の効果が得られる。

【0061】

ただし、本実施形態では、図７に示されるように、半導体光デバイス１０Ｃ（１０）は、互いに平行な複数のアライメントマーク１５Ｃ（１５）を有している。これら複数のアライメントマーク１５Ｃは、Ｘ方向に所定間隔で設けられている。このような構成によれば、Ｘ方向において端面１１ｂの劈開位置がばらついた場合にあっても、複数のアライメントマーク１５Ｃのうちいずれかが残存するため、当該残存したアライメントマーク１５Ｃを用いて、半導体光デバイス１０Ｃと光機能素子２０Ｃとの位置合わせを行うことができる。また、光機能素子２０Ｃ（２０）も、半導体光デバイス１０Ｃと同様に、互いに平行な複数のアライメントマーク２５Ｃ（２５）を有している。これら複数のアライメントマーク２５Ｃは、Ｘ方向に所定間隔で設けられている。よって、光機能素子２０Ｃにおいても、半導体光デバイス１０Ｃと同様の効果が得られる。

【0062】

［第４実施形態］
図８は、第４実施形態の光集積素子１００Ｄ（１００）の一部の平面図である。光集積素子１００Ｄは、光集積素子１００Ａと同様の構成を備えており、当該光集積素子１００Ａと同様の効果が得られる。

【0063】

ただし、本実施形態では、図８に示されるように、半導体光デバイス１０Ｄ（１０）のアライメントマーク１５Ｄ（１５）は、Ｙ方向に延びた部位１５ｂと、Ｙ方向に所定間隔（例えば、一定間隔）で設けられそれぞれＸ方向に延びた複数の部位１５ｃと、を有している。部位１５ｂと、複数の部位１５ｃとは互いに交差している。この場合、部位１５ｂによって、半導体光デバイス１０ＤのＹ方向、ひいては半導体光デバイス１０Ｄの姿勢を特定することができる。また、複数の部位１５ｃにより、アライメントマーク１５ＤのＹ方向における位置を特定しやすくなり、これに基づいて、幾何学的に、アライメントマーク１４の端部１４ａの位置を演算して、当該アライメントマーク１４とアライメントマーク２４とのＸ方向の位置合わせを補い、当該Ｘ方向における位置合わせの迅速化や精度向上に役立てることができる。部位１５ｂは、第一延部の一例であり、部位１５ｃは、第二延部の一例である。また、光機能素子２０Ｄ（２０）のアライメントマーク２５Ｄ（２５）も、アライメントマーク１５Ｄと同様に、Ｙ方向に延びた部位２５ｂと、Ｙ方向に所定間隔（例えば、一定間隔）で設けられそれぞれＸ方向に延びた複数の部位２５ｃと、を有している。よって、光機能素子２０Ｄにおいても、半導体光デバイス１０Ｄのアライメントマーク１５Ｄによる効果と同様の効果が得られる。

【0064】

［第５実施形態］
図９は、第５実施形態の光集積素子１００Ｅ（１００）の一部の平面図である。光集積素子１００Ｅは、光集積素子１００Ａと同様の構成を備えており、当該光集積素子１００Ａと同様の効果が得られる。

【0065】

ただし、本実施形態では、図９に示されるように、半導体光デバイス１０Ｅ（１０）のアライメントマーク１５Ｅ（１５）は、Ｙ方向に離れた複数の部位１５ｄを有している。この場合、複数の部位１５ｄから、Ｙ方向を特定することができる。この場合、アライメントマーク１５Ｄをより小型に構成することができる分、例えば、当該アライメントマーク１５Ｅの製造に要する手間や時間を低減できるという利点が得られる。また、光機能素子２０Ｅ（２０）のアライメントマーク２５Ｅ（２５）も、アライメントマーク１５Ｅと同様に、Ｙ方向に離れた複数の部位２５ｄを有している。よって、光機能素子２０Ｅにおいても、半導体光デバイス１０Ｅのアライメントマーク１５Ｅによる効果と同様の効果が得られる。

【0066】

［第６実施形態］
図１０は、第６実施形態の光集積素子１００Ｆ（１００）の平面図である。光集積素子１００Ｆは、半導体光デバイス１０Ｆ（１０）と、第１実施形態と同様の光機能素子２０Ａと、を備える。光集積素子１００Ｆは、光集積素子１００Ａと同様の構成を備えており、当該光集積素子１００Ａと同様の効果が得られる。

【0067】

ただし、半導体光デバイス１０Ｆが備える導波路構造アセンブリ３０Ｆは、それぞれ、例えば半導体レーザのような半導体発光素子として作動する。これらの半導体発光素子は、導波路１２の端面１２ｄから光を出力する。すなわち、本実施形態の半導体光デバイス１０Ｆは、半導体発光素子アレイとして構成されている。導波路１２は、アクティブ導波路である。半導体発光素子が半導体レーザである場合、導波路構造アセンブリ３０Ｆはレーザ共振器を構成する反射膜を備えている。また、半導体発光素子がＤＦＢ型の半導体レーザである場合、各導波路構造アセンブリ３０Ｆは、レーザ発振波長を定めるための回折格子層をさらに備えている。また、各導波路構造アセンブリ３０Ｆは、Ｐ側電極としての電極３０ｐと、Ｎ側電極としての電極３０ｎと、を有している。なお、電極３０ｎは、凹部１１ｈの底面から側面を経て頂面１１ａに至る範囲で設けられている。

【0068】

以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。

【符号の説明】

【0069】

１０，１０Ａ～１０Ｆ…半導体光デバイス
１１，１１－１，１１－２…積層部（第一積層部）
１１ａ…頂面（第一頂面）
１１ｂ…端面（第一端面）
１１ｃ…凹部（第一凹部）
１１ｄ…メサ
１１ｅ…トレンチ
１１ｆ…凹部（第二凹部）
１１ｇ…凹部（第三凹部）
１１ｈ…凹部
１２…導波路（第一導波路）
１２ａ…直線部
１２ｂ…斜行部（第一端部）
１２ｃ…湾曲部
１２ｄ…端面
１２ｅ…コア
１３…導波路（折り返し導波路）
１４…アライメントマーク（第一位置特定マーク）
１４ａ…端部
１５，１５Ａ～１５Ｅ…アライメントマーク（第一姿勢特定マーク）
１５ａ…端部
１５ｂ…部位
１５ｃ…部位
１５ｄ…部位
１６…基板
１７…メタル層
２０，２０Ａ，２０Ｃ～２０Ｅ…光機能素子
２１…積層部（第二積層部）
２１ａ…頂面（第二頂面）
２１ｂ…端面（第二端面）
２２…導波路（第二導波路）
２２ｂ…端部（第二端部）
２２ｄ…端面
２４…アライメントマーク（第二位置特定マーク）
２４ａ…端部
２５，２５Ｃ～２５Ｅ…アライメントマーク（第二姿勢特定マーク）
２５ａ…端部
２５ｂ…部位
２５ｃ…部位
２５ｄ…部位
３０Ａ，３０Ｆ…導波路構造アセンブリ
３０ｎ…電極
３０ｐ…電極
１００，１００Ａ，１００Ｃ～１００Ｆ…光集積素子
Ｉ１～Ｉ３…間隔
Ｘ…方向（第二方向）
Ｙ…方向（第三方向）
Ｚ…方向（第一方向）
δｘ…差
δｙ…差
θ１…角度
θ２…角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】