ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024108621
(43)【公開日】2024-08-13
(54)【発明の名称】基板処理システム、および基板搬送方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20240805BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023013073
(22)【出願日】2023-01-31
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】パク ギョンミン
(72)【発明者】
【氏名】佐々木 信峰
(72)【発明者】
【氏名】赤間 俊紀
(72)【発明者】
【氏名】加藤 秀征
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131BA03
5F131BA04
5F131BA19
5F131BA23
5F131CA32
5F131CA42
5F131DA02
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB52
5F131DD03
5F131EA03
5F131EB11
(57)【要約】
【課題】基板およびリングの搬送において処理を効率化できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理システムは、処理モジュールと、搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、制御部と、を備える。処理モジュールは、処理容器と、載置台と、基板を昇降させる第１リフタと、リングを昇降させる第２リフタと、を含む。制御部は、搬送ロボットにより基板およびリングを同時に搬送し、かつ少なくとも第２リフタを昇降させることで、載置台への基板およびリングの載置、または載置台からの基板およびリングの取り出しを行う同時搬送モードと、搬送ロボットにより基板を単独で搬送し、かつ第１リフタを昇降させることで、載置台への基板の載置、または載置台から基板の取り出しを行う単独搬送モードと、選択的に実施するように制御する。
【選択図】図７
【解決手段】基板処理システムは、処理モジュールと、搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、制御部と、を備える。処理モジュールは、処理容器と、載置台と、基板を昇降させる第１リフタと、リングを昇降させる第２リフタと、を含む。制御部は、搬送ロボットにより基板およびリングを同時に搬送し、かつ少なくとも第２リフタを昇降させることで、載置台への基板およびリングの載置、または載置台からの基板およびリングの取り出しを行う同時搬送モードと、搬送ロボットにより基板を単独で搬送し、かつ第１リフタを昇降させることで、載置台への基板の載置、または載置台から基板の取り出しを行う単独搬送モードと、選択的に実施するように制御する。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、
制御部と、を備える基板処理システムであって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記制御部は、
前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う同時搬送モードと、前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う単独搬送モードと、を選択的に実施するように制御する、
基板処理システム。
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、
制御部と、を備える基板処理システムであって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記制御部は、
前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う同時搬送モードと、前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う単独搬送モードと、を選択的に実施するように制御する、
基板処理システム。
【請求項2】
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板および前記リングを支持して搬送する、
請求項１に記載の基板処理システム。
請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項3】
前記真空搬送モジュールに接続され、前記リングの内側に前記基板を配置することで、前記基板および前記リングを組み合わせるための作業部を有する、
請求項２に記載の基板処理システム。
請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項4】
前記作業部は、前記リングを複数収納するリング収納モジュールの内部または前記リング収納モジュールの隣接位置に設けられる、
請求項３に記載の基板処理システム。
請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項5】
前記作業部は、前記真空搬送モジュールに接続され、大気圧雰囲気と真空雰囲気に切り替え可能なロードロックモジュールの内部に設けられる、
請求項３に記載の基板処理システム。
請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項6】
前記制御部は、
前記基板および前記リングを支持した前記一のフォークを前記処理容器の内部に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
前記基板および前記リングを支持した前記一のフォークを前記処理容器の内部に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項7】
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に、前記基板を前記載置台に載置する、
請求項６に記載の基板処理システム。
請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項8】
前記基板は、ダミー基板である、
請求項６に記載の基板処理システム。
請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項9】
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記搬送ロボットは、前記テーパ面により前記基板を支持して、前記基板および前記リングを搬送する、
請求項２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
前記搬送ロボットは、前記テーパ面により前記基板を支持して、前記基板および前記リングを搬送する、
請求項２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
【請求項10】
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、
前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項９に記載の基板処理システム。
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、
前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項11】
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
請求項９に記載の基板処理システム。
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項12】
前記基板は、ダミー基板である、
請求項１に記載の基板処理システム。
請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項13】
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板を支持して搬送すると共に、他のフォークにより前記リングを支持して搬送する、
請求項１に記載の基板処理システム。
請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項14】
前記制御部は、
前記基板を支持した前記一のフォーク、前記リングを支持した前記他のフォークを前記処理容器の内部に同時に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項１３に記載の基板処理システム。
前記基板を支持した前記一のフォーク、前記リングを支持した前記他のフォークを前記処理容器の内部に同時に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項15】
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に前記基板を前記載置台に載置する、
請求項１４に記載の基板処理システム。
請求項１４に記載の基板処理システム。
【請求項16】
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
請求項１４に記載の基板処理システム。
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
請求項１４に記載の基板処理システム。
【請求項17】
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項１６に記載の基板処理システム。
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
請求項１６に記載の基板処理システム。
【請求項18】
前記基板は、ダミー基板である、
請求項１４に記載の基板処理システム。
請求項１４に記載の基板処理システム。
【請求項19】
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、を備える基板処理システムの基板搬送方法であって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記基板搬送方法では、
（Ａ）前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う工程と、
（Ｂ）前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う工程と、を選択的に実施する、
基板搬送方法。
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、を備える基板処理システムの基板搬送方法であって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記基板搬送方法では、
（Ａ）前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う工程と、
（Ｂ）前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う工程と、を選択的に実施する、
基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理システム、および基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板処理システムにおいて、基板を載置する載置台の周囲にリング（例えば、エッジリングやフォーカスリング）を配置して、プラズマ処理等の基板処理を行う技術が知られている。
【0003】
特許文献１には、エッジリングにウエハ（基板）を載置した状態で、エッジリングを支持する複数の支持ピンを下降することにより、ウエハおよびエッジリングを静電チャック（載置台）に載置する技術が開示されている。また、特許文献２には、搬送装置の一のピックによりウエハを搬送し、さらにフォーカスリングの交換時に当該一のピックを利用してフォーカスリングを搬送する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２０－２０５３８２号公報
【特許文献2】特開２０１８－１０９９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、基板およびリングの搬送において処理を効率化できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様によれば、基板を処理する処理モジュールと、前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、制御部と、を備える基板処理システムであって、前記処理モジュールは、前記基板を収容可能な処理容器と、前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、前記基板を昇降させる第１リフタと、前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、前記制御部は、前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う同時搬送モードと、前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う単独搬送モードと、を選択的に実施するように制御する、基板処理システムが提供される。
【発明の効果】
【0007】
一態様によれば、基板およびリングの搬送において処理を効率化できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施形態に係る基板処理システムの一例を示す図である。
【図2】プラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図4】図４（Ａ）は、搬送ロボットによる基板およびリングの保持状態を示す平面図である。図４（Ｂ）は、搬送ロボットによる基板およびリングの保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｃ）は、第１変形例に係る搬送ロボットによる基板およびリングの保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｄ）は、第２変形例に係る搬送ロボットによる基板およびリングの保持状態を示す側面断面図である。
【図8】リング収納モジュールを概略的に示す側面断面図である。
【図13】基板処理システムが実施する基板搬送方法の一例を示すフローチャートである。
【図14】第１応用例に係る基板搬送方法を示すフローチャートである。
【図15】第２応用例に係る基板搬送方法を示すフローチャートである。
【図17】他の実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【0010】
［基板処理システム］
図１を参照し、実施形態に係る基板処理システムＰＳについて説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムＰＳの一例を示す図である。図１に示すように、基板処理システムＰＳは、プラズマ処理等の各種処理を基板Ｗに施すことが可能なシステムである。基板Ｗは、例えば、シリコンウエハ、もしくは化合物半導体ウエハ等の半導体基板、またはガラス基板があげられる。
図１を参照し、実施形態に係る基板処理システムＰＳについて説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムＰＳの一例を示す図である。図１に示すように、基板処理システムＰＳは、プラズマ処理等の各種処理を基板Ｗに施すことが可能なシステムである。基板Ｗは、例えば、シリコンウエハ、もしくは化合物半導体ウエハ等の半導体基板、またはガラス基板があげられる。
【0011】
基板処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭと、複数の処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７と、リング収納モジュールＲＳＭと、複数のロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と、大気搬送モジュールＬＭと、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と、アライナＡＮと、制御部ＣＵとを有する。真空搬送モジュールＴＭは、トランスファモジュールとも称される。処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７は、プロセスモジュールとも称される。リング収納モジュールＲＳＭは、リングストッカモジュールとも称される。大気搬送モジュールＬＭは、ローダモジュールとも称される。
【0012】
真空搬送モジュールＴＭは、平面視において四角形状を有する。真空搬送モジュールＴＭには、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７と、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と、リング収納モジュールＲＳＭとが接続される。真空搬送モジュールＴＭは、真空搬送室を有する。真空搬送室の内部は、真空雰囲気に維持される。真空搬送室（真空搬送モジュールＴＭの内部）には、搬送ロボットＴＲ１が設けられる。
【0013】
搬送ロボットＴＲ１は、旋回、伸縮、昇降自在に構成される。搬送ロボットＴＲ１は、複数の搬送アームのうち末端の搬送アームに、エンドエフェクタである第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２を有する。例えば、第１フォークＦＫ１は、末端の搬送アームの上側に連結され、第２フォークＦＫ２は、末端の搬送アームの下側に連結される。第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７と、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と、リング収納モジュールＲＳＭとの間で、基板Ｗおよびリング１１３を搬送する。
【0014】
第１フォークＦＫ１には、位置検出センサＳ１が設けられる。第２フォークＦＫ２には、位置検出センサＳ２が設けられる。位置検出センサＳ１、Ｓ２は、搬送ロボットＴＲ１に保持する前の基板Ｗの位置またはリング１１３の位置を検出する。あるいは、位置検出センサＳ１、Ｓ２は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に載置された基板Ｗの位置を検出する。位置検出センサＳ１、Ｓ２としては、例えば、光学式の変位センサ、カメラ等を適用し得る。
【0015】
真空搬送モジュールＴＭは、位置検出センサＳ１１、Ｓ１２を備えてもよい。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、真空搬送モジュールＴＭから処理モジュールＰＭ１に搬送する基板Ｗおよびリング１１３の搬送経路上に設けられる。例えば、位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、真空搬送モジュールＴＭにおいて、処理モジュールＰＭ１を仕切るゲートバルブ（不図示）の近傍に設けられる。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、互いの距離が基板Ｗの外径、およびリング１１３の内径よりも小さくなるように配置される。位置検出センサＳ１１、Ｓ１２は、真空搬送モジュールＴＭと処理モジュールＰＭ１との間で、基板Ｗまたはリング１１３を搬入出する際に、基板Ｗの外縁またはリング１１３のエッジ（外縁、内縁）を検出する。真空搬送モジュールＴＭは、位置検出センサＳ１１、Ｓ１２と同様に、処理モジュールＰＭ２～ＰＭ７の近傍に位置検出センサＳ２１、Ｓ２２、Ｓ３１、Ｓ３２、Ｓ４１、Ｓ４２、Ｓ５１、Ｓ５２、Ｓ６１、Ｓ６２、Ｓ７１、Ｓ７２を備えてもよい。また、真空搬送モジュールＴＭは、リング収納モジュールＲＳＭの近傍に位置検出センサＳＲ１、ＳＲ２を備えてもよい。
【0016】
処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７は、真空搬送モジュールＴＭに接続される。処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７は、真空処理室を有する。真空処理室の内部には、基板Ｗおよびリング１１３を載置可能な載置台１１（図２参照）が設けられる。処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７は、載置台１１の上に基板Ｗが載置された後、内部を減圧して処理ガスを導入し、ＲＦ電力を印加してプラズマを生成し、プラズマによって基板Ｗにプラズマ処理を施す。真空搬送モジュールＴＭと処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７とは、開閉自在なゲートバルブ（不図示）で仕切られる。なお、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７は、プラズマ処理以外の基板処理（熱処理等）を基板Ｗに施す装置でもよい。
【0017】
リング収納モジュールＲＳＭは、リング１１３を複数収納する装置の一例であり、真空搬送モジュールＴＭに接続される。リング１１３は、搬送ロボットＴＲ１によって、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７とリング収納モジュールＲＳＭとの間で搬送される。なお、基板処理システムＰＳは、複数のリング１１３（例えば、内側リング、外側リング等）を組み付けたリングアッセンブリとして、基板Ｗの周囲に配置されてもよい。真空搬送モジュールＴＭとリング収納モジュールＲＳＭとは、開閉自在なゲートバルブ（不図示）で仕切られる。
【0018】
ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭと大気搬送モジュールＬＭとの間に設けられる。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭおよび大気搬送モジュールＬＭに接続される。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、真空と大気圧との間で切り換え可能な内圧可変室を内部に有する。内圧可変室には、基板Ｗを載置可能なステージ（不図示）が設けられる。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、大気搬送モジュールＬＭから真空搬送モジュールＴＭへ基板Ｗを搬送する場合、内圧可変室を大気圧に維持して大気搬送モジュールＬＭから基板Ｗを受け取り、その後に内圧可変室を減圧して真空搬送モジュールＴＭへ基板Ｗを渡す。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２は、真空搬送モジュールＴＭから大気搬送モジュールＬＭへ基板Ｗを搬送する場合、内圧可変室を真空に維持して真空搬送モジュールＴＭから基板Ｗを受け取り、その後に内圧可変室を大気圧まで昇圧して大気搬送モジュールＬＭへ基板Ｗを渡す。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と真空搬送モジュールＴＭとは、開閉自在なゲートバルブ（不図示）で仕切られる。ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２と大気搬送モジュールＬＭとは、開閉自在なゲートバルブ（不図示）で仕切られる。
【0019】
大気搬送モジュールＬＭは、真空搬送モジュールＴＭに対向して設けられる。大気搬送モジュールＬＭは、例えば、ＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）であってよい。大気搬送モジュールＬＭは、平面視において四角形状を有する。大気搬送モジュールＬＭは、大気搬送室を有する。大気搬送室の内部は、大気圧雰囲気に維持される。大気搬送室の内部には、搬送ロボットＴＲ２が設けられる。搬送ロボットＴＲ２は、旋回、伸縮、昇降自在に構成される。搬送ロボットＴＲ２も、搬送ロボットＴＲ１と同様に、基板Ｗを保持して搬送可能な２つのフォーク（第１フォーク、第２フォーク）を有する。搬送ロボットＴＲ２は、ロードポートＬＰ１～ＬＰ４と、アライナＡＮと、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２との間で、基板Ｗを保持して搬送する。大気搬送モジュールＬＭは、清浄化したエアを大気搬送室に流通させるＦＦＵ（Fan Filter Unit）を有してもよい。
【0020】
ロードポートＬＰ１～ＬＰ４は、大気搬送モジュールＬＭに接続される。ロードポートＬＰ１～ＬＰ４には、複数の基板収納容器ＣＳが載置される。基板収納容器ＣＳは、複数（例えば、２５枚）の基板Ｗを収納するＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod)であってよい。
【0021】
アライナＡＮは、大気搬送モジュールＬＭに接続される。アライナＡＮは、搬送ロボットＴＲ２と協働して基板Ｗの位置の調整を行うように構成される。アライナＡＮは、大気搬送室の内部に設けられてもよい。
【0022】
［プラズマ処理装置］
次に、図２および図３を参照して、図１の処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に適用されるプラズマ処理装置１（基板処理装置）の一例について説明する。図２は、プラズマ処理装置１の一例を示す概略断面図である。図３は、図２の一部を拡大して示す図である。
次に、図２および図３を参照して、図１の処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に適用されるプラズマ処理装置１（基板処理装置）の一例について説明する。図２は、プラズマ処理装置１の一例を示す概略断面図である。図３は、図２の一部を拡大して示す図である。
【0023】
プラズマ処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部２０と、ＲＦ電力供給部３０と、排気システム４０と、リフタ５０と、処理装置制御部９０とを含む。
【0024】
処理容器１０は、基板Ｗを収容可能に構成され、載置台１１と、上部電極１２とを有する。載置台１１は、処理容器１０内のプラズマ処理空間１０ｓの下部領域に配置される。上部電極１２は、載置台１１の上方に配置され、処理容器１０の天板の一部として機能する。
【0025】
載置台１１は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板Ｗを支持する。載置台１１は、下部電極１１１と、静電チャック１１２と、リング１１３と、絶縁部材１１５とを含む。また、載置台１１は、支持した基板Ｗおよびリング１１３を温度調整する支持部温度調整機構１１６を備える。
【0026】
静電チャック１１２は、下部電極１１１上に配置される。静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａおよびリング支持面１１２ｂを含む上面を有する。静電チャック１１２は、基板支持面１１２ａで基板Ｗを支持する。静電チャック１１２は、リング支持面１１２ｂでリング１１３を支持する。静電チャック１１２は、絶縁部材１１２ｃと、第１の吸着電極１１２ｄと、第２の吸着電極１１２ｅとを有する。第１の吸着電極１１２ｄおよび第２の吸着電極１１２ｅは、絶縁部材１１２ｃに埋め込まれる。第１の吸着電極１１２ｄは、基板支持面１１２ａの下方に位置する。静電チャック１１２は、第１の吸着電極１１２ｄに電圧を印加することにより、基板支持面１１２ａの上に基板Ｗを吸着保持する。第２の吸着電極１１２ｅは、リング支持面１１２ｂの下方に位置する。静電チャック１１２は、第２の吸着電極１１２ｅに電圧を印加することにより、リング支持面１１２ｂの上にリング１１３を吸着保持する。図２および図３の例では、静電チャック１１２は、基板Ｗを吸着保持する単極型の静電チャックと、リング１１３を吸着保持する双極型の静電チャックとを含む。ただし、単極型の静電チャックに代えて双極型の静電チャックを用いてもよく、双極型の静電チャックに代えて単極型の静電チャックを用いてもよい。
【0027】
リング１１３は、円環形状を有し、下部電極１１１の周縁部上面において、基板Ｗの周囲に配置される。リング１１３は、プラズマから絶縁部材１１５の上面を保護すると共に、基板Ｗに対するプラズマ処理の均一性を向上させる。リング１１３は、例えば珪素（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）等の導電性材料により形成される。なお、リング１１３は、石英等の絶縁材料により形成されてもよい。絶縁部材１１５は、下部電極１１１を囲むように配置される。絶縁部材１１５は、処理容器１０の底部に固定され、下部電極１１１を支持する。
【0028】
支持部温度調整機構１１６は、基板Ｗおよびリング１１３を一体に温度調整する。支持部温度調整機構１１６は、静電チャック１１２内（または下部電極１１１内や絶縁部材１１５内）に設けられる。支持部温度調整機構１１６は、例えば、ヒータ、図示しない熱交換媒体循環部から熱交換媒体を循環させる構造、図示しないガス給排気部から伝熱ガスを供給する構造等を適用できる。
【0029】
上部電極１２は、絶縁部材１３と共に処理容器１０を構成する。上部電極１２は、ガス供給部２０からの１種類以上の処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給する。上部電極１２は、天板１２１と、支持体１２２とを含む。天板１２１の下面は、プラズマ処理空間１０ｓを画成する。天板１２１には、複数のガス導入口１２１ａが設けられる。複数のガス導入口１２１ａの各々は、天板１２１の板厚方向（鉛直方向）に貫通する。支持体１２２は、天板１２１を着脱自在に支持する。支持体１２２の内部には、ガス拡散室１２２ａが設けられる。ガス拡散室１２２ａからは、複数のガス導入口１２２ｂが下方に延びる。複数のガス導入口１２２ｂは、複数のガス導入口１２１ａにそれぞれ連通する。支持体１２２には、ガス供給口１２２ｃが設けられる。上部電極１２は、１または２以上の処理ガスをガス供給口１２２ｃからガス拡散室１２２ａ、複数のガス導入口１２２ｂおよび複数のガス導入口１２１ａを介してプラズマ処理空間１０ｓに供給する。
【0030】
処理容器１０の側壁には、搬入出口１０ｐが設けられる。基板Ｗは、搬入出口１０ｐを介して、プラズマ処理空間１０ｓと処理容器１０の外部との間で搬送される。搬入出口１０ｐは、ゲートバルブＧにより開閉される。
【0031】
ガス供給部２０は、１以上のガスソース２１と、１以上の流量制御器２２とを含む。ガス供給部２０は、１種類以上の処理ガスを、各々のガスソース２１から各々の流量制御器２２を介してガス供給口１２２ｃに供給する。流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラまたは圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。ガス供給部２０は、１以上の処理ガスの流量を変調またはパルス化する１以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
【0032】
ＲＦ電力供給部３０は、２つのＲＦ電源（第１のＲＦ電源３１ａ、第２のＲＦ電源３１ｂ）と、２つの整合器（第１の整合器３２ａ、第２の整合器３２ｂ）とを含む。第１のＲＦ電源３１ａは、第１のＲＦ電力を第１の整合器３２ａを介して下部電極１１１に供給する。第１のＲＦ電力の周波数は、例えば１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂは、第２のＲＦ電力を第２の整合器３２ｂを介して下部電極１１１に供給する。第２のＲＦ電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚであってよい。第２のＲＦ電源３１ｂに代えて、ＤＣ電源を用いてもよい。
【0033】
排気システム４０は、例えば処理容器１０の底部に設けられるガス排気口１０ｅに接続される。排気システム４０は、圧力調整弁と、真空ポンプとを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプまたはこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0034】
リフタ５０は、基板Ｗを昇降させる第１リフタ５１と、リング１１３を昇降させる第２リフタ５２と、を含む。
【0035】
第１リフタ５１は、複数の支持ピン５１１と、アクチュエータ５１２とを含む。複数の支持ピン５１１は、下部電極１１１および静電チャック１１２に形成された貫通孔Ｈ１に挿通されて静電チャック１１２の上面に対して突没可能となっている。複数の支持ピン５１１は、静電チャック１１２の上面から突出することにより、上端を基板Ｗの下面に当接させて基板Ｗを支持する。アクチュエータ５１２は、複数の支持ピン５１１を昇降させる。アクチュエータ５１２としては、例えばＤＣモータ、ステッピングモータ、リニアモータ等のモータ、エアシリンダ等のエア駆動機構、ピエゾアクチュエータ等を利用できる。第１リフタ５１は、例えば、搬送ロボットＴＲ１と載置台１１との間で基板Ｗの受け取りおよび受け渡しを行う際に、複数の支持ピン５１１を昇降させる。
【0036】
第２リフタ５２は、複数の支持ピン５２１と、アクチュエータ５２２とを含む。図３に示すように、各支持ピン５２１は、円柱形状（中実状）に形成されている。各支持ピン５２１は、下部電極１１１に形成された貫通孔Ｈ１１、絶縁部材１１５に形成された貫通孔Ｈ１２に挿通されて、絶縁部材１１５の上面に対して突没可能となっている。なお、絶縁部材１１５の上面は、静電チャック１１２のリング支持面１１２ｂと水平方向に面一に連続している。
【0037】
各支持ピン５２１の上端５２１ａは、半球状に形成されており、リング１１３の裏面に形成された凹部１１３ｄに進入可能となっている。上端５２１ａは、凹部１１３ｄよりも小さく形成されている。各支持ピン５２１は、上端５２１ａを凹部１１３ｄに進入させてリング１１３を支持した際に、凹部１１３ｄの曲面および上端５２１ａの曲面に応じて、各支持ピン５２１に対するリング１１３の位置ずれを修正できる。
【0038】
図２に示すように、アクチュエータ５２２は、複数の支持ピン５２１を昇降させる。アクチュエータ５２２は、アクチュエータ５１２と同様に構成されてよい。第２リフタ５２は、搬送ロボットＴＲ１と載置台１１との間でリング１１３の受け取りおよび受け渡しを行う際に、複数の支持ピン５２１を昇降させる。
【0039】
処理装置制御部９０は、プラズマ処理装置１の各部を制御する。処理装置制御部９０は、例えばコンピュータ９１を含む。コンピュータ９１は、例えばプロセッサ９１１であるＣＰＵ（Central Processing Unit）と、記憶部９１２と、通信インターフェース９１３とを含む。プロセッサ９１１は、記憶部９１２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御を行う。記憶部９１２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の補助記憶装置からなるグループから選択される少なくとも１つのメモリタイプを含む。通信インターフェース９１３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。処理装置制御部９０は、制御部ＣＵと別に設けられてもよく、制御部ＣＵに含まれてもよい。
【0040】
制御部ＣＵは、基板処理システムＰＳの各部を制御する。制御部ＣＵは、例えば真空搬送モジュールＴＭに設けられる搬送ロボットＴＲ１の動作、大気搬送モジュールＬＭに設けられる搬送ロボットＴＲ２の動作、ゲートバルブの開閉を制御する。制御部ＣＵは、例えばコンピュータであってよい。
【0041】
制御部ＣＵは、プロセッサ９９１と、記憶部９９２と、通信インターフェース９９３とを含む。プロセッサ９９１は、ＣＰＵ、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものである。記憶部９９２は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤ等の補助記憶装置等を適宜組み合わせたものである。通信インターフェース９９３は、処理装置制御部９０の通信インターフェース９１３等と通信可能に構成される。プロセッサ９９１は、ＲＯＭまたは補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、基板処理システムＰＳの各部を制御する。
【0042】
［基板Ｗおよびリング１１３の搬送］
以上の基板処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭ内において搬送ロボットＴＲ１により、基板Ｗおよびリング１１３を一体的に搬送する同時搬送を行う。次に、この基板Ｗおよびリング１１３の同時搬送について説明する。図４（Ａ）は、搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す平面図である。図４（Ｂ）は、搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｃ）は、第１変形例に係る搬送ロボットＴＲ１ａによる基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｄ）は、第２変形例に係る搬送ロボットＴＲ１ｂによる基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。
以上の基板処理システムＰＳは、真空搬送モジュールＴＭ内において搬送ロボットＴＲ１により、基板Ｗおよびリング１１３を一体的に搬送する同時搬送を行う。次に、この基板Ｗおよびリング１１３の同時搬送について説明する。図４（Ａ）は、搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す平面図である。図４（Ｂ）は、搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｃ）は、第１変形例に係る搬送ロボットＴＲ１ａによる基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。図４（Ｄ）は、第２変形例に係る搬送ロボットＴＲ１ｂによる基板Ｗおよびリング１１３の保持状態を示す側面断面図である。
【0043】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１の第１フォークＦＫ１は、末端の搬送アームに連結される基部６０と、基部６０の先端側から延出する複数（２股）の延出板部６１と、を有する。複数の延出板部６１は、略Ｖ字状の空間６２を挟んで相互に平行に延びている。各延出板部６１は、基板Ｗを支持する複数の接触パッド６３と、リング１１３を支持する複数の接触パッド６４とを備える。例えば、各接触パッド６３、６４は、一の延出板部６１の延出端側と基部６０側、および他の延出板部６１の延出端側と基部６０側の各々に設けられる。
【0044】
搬送ロボットＴＲ１は、図示しない吸着機構を備え、接触パッド６３、６４を介して基板Ｗまたはリング１１３に吸着機構の吸着圧力を伝達し、第１フォークＦＫ１に対して基板Ｗまたはリング１１３を吸着してもよい。この場合、吸着機構は、基板Ｗおよびリング１１３の各々を独立して吸着可能な構成であるとよい。
【0045】
また、リング１１３は、基板Ｗの外縁よりも外側を周回する円環形状に形成されており、正円形状の内側空間１１３ｓを有する。そして、本実施形態に係るリング１１３は、内側空間１１３ｓに配置した基板Ｗを物理的に支持可能な構成となっている。具体的には、リング１１３は、内側空間１１３ｓを形成している内縁に、鉛直方向下側（上面から下面）に向かって小径となるテーパ面１１４を有する。リング１１３の上面に連なるテーパ面１１４の上端は、基板Ｗの外径よりも大きな内径に設定されている。その一方で、リング１１３の下面に連なるテーパ面１１４の下端は、基板Ｗの外径よりも小さな内径に設定されている。
【0046】
したがって、リング１１３の上方から基板Ｗを載せた場合、リング１１３のテーパ面１１４に基板Ｗの外縁が接触し、リング１１３により基板Ｗを支持することができる。特に、円環形状のリング１１３の内縁を周回するテーパ面１１４は、基板Ｗとの接触時に、テーパ面１１４に沿って基板Ｗを摺動させる。これにより、基板Ｗは、テーパ面１１４の上端に対して均等に離間するようになる。すなわち、テーパ面１１４は、基板Ｗの中心をリング１１３の中心と一致させるように位置を調整した（センタリングした）状態として、基板Ｗを保持できる。第１フォークＦＫ１は、以上の基板Ｗを載せたリング１１３を支持することで、基板Ｗおよびリング１１３を一体的に搬送することが可能となる。
【0047】
また、第２フォークＦＫ２も、第１フォークＦＫ１と同様に、基板Ｗおよびリング１１３を同時に支持することができる。なお、搬送ロボットＴＲ１の第１フォークＦＫ１または第２フォークＦＫ２が基板Ｗおよびリング１１３を同時に保持する構成は、上記に限定されず、種々の変形例をとり得る。
【0048】
図４（Ｃ）に示す第１変形例のように、リング１１３は、テーパ面１１４を内縁に備えずに、基板Ｗが内側空間１１３ｓを通過可能な構成であってもよい。この場合、搬送ロボットＴＲ１ａの第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２は、複数の接触パッド６３により基板Ｗを支持しつつ、複数の接触パッド６４によりリング１１３を支持して、同時搬送を行えばよい。また、基板Ｗとリング１１３のセンタリングは、搬送ロボットＴＲ１の位置検出センサＳ１、Ｓ２（またはリング１１３に基板Ｗを組み付ける際のモジュールの位置検出センサ）による検出結果を用いて、相互の位置を補正することがあげられる。
【0049】
図４（Ｄ）に示す第２変形例のように、搬送ロボットＴＲ１ｂの第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２は、基板Ｗとリング１１３の境界に複数のテーパ凸部６６を備えてもよい。複数のテーパ凸部６６は、内側において基板Ｗの外縁をセンタリングしつつ保持し、また外側においてリング１１３の内縁をセンタリングしつつ保持することができる。
【0050】
次に、上記の搬送ロボットＴＲ１（第１フォークＦＫ１、第２フォークＦＫ２）により基板Ｗおよびリング１１３を同時搬送した場合における、処理モジュールＰＭ１の基板Ｗおよびリング１１３の交換時の動作について説明する。なお、以下では、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すリング１１３により基板Ｗを支持する構成について、代表的に説明する。
【0051】
図５（Ａ）～図５（Ｄ）は、基板Ｗおよびリング１１３の交換時の動作を示す第１～第４動作図である。図６（Ａ）～図６（Ｄ）は、基板Ｗおよびリング１１３の交換時の動作を示す第５～第８動作図である。なお、図５および図６では、説明の便宜のために、処理モジュールＰＭ１の載置台１１のみを概略的に図示すると共に、第１リフタ５１の支持ピン５１１を１本で示す一方で、第２リフタ５２の支持ピン５２１を２本で示す。以降の図１１および図１２も同様である。
【0052】
図５（Ａ）に示すように、基板Ｗおよびリング１１３の交換では、第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２のうち一方に基板Ｗおよびリング１１３を保持し、他方は何も保持していない空の状態としている。図示例では、第２フォークＦＫ２において基板およびリング１１３を保持し、第１フォークＦＫ１を空の状態としているが、この関係は逆であってもよい。
【0053】
基板Ｗおよびリング１１３の交換では、最初に、載置台１１に載置されている処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３の搬出（取り出し）を行う。図５（Ｂ）に示すように、まず処理モジュールＰＭ１側において第１リフタ５１および第２リフタ５２を上昇させ、第１フォークＦＫ１の支持面（各接触パッド６３）よりも高い位置に、基板Ｗおよびリング１１３を配置させる。なお、リング１１３により基板Ｗを支持可能な構造では、第２リフタ５２のみを上昇させてもよい。
【0054】
次に図５（Ｃ）に示すように、処理モジュールＰＭ１内に第１フォークＦＫ１を進入させて、基板Ｗおよびリング１１３の下方に第１フォークＦＫ１を配置する。そして図５（Ｄ）に示すように、第１リフタ５１および第２リフタ５２を下降させることで、処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を第１フォークＦＫ１に受け渡す。
【0055】
その後、図６（Ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１から第１フォークＦＫ１を後退させると共に、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を保持した第２フォークＦＫ２を処理モジュールＰＭ１内に進入させる。交換用のリング１１３は、新品のリング１１３を適用してもよく、既に使用済であって消耗が少ないリング１１３を適用してもよい。
【0056】
この状態で図６（Ｂ）に示すように、第１リフタ５１および第２リフタ５２を上昇させて、各支持ピン５１１の上端および各支持ピン５２１の上端を第２フォークＦＫ２の支持面（各接触パッド６３）よりも高い位置に配置する。これにより、各支持ピン５１１において基板Ｗを受け取ると共に、各支持ピン５２１においてリング１１３を受け取ることができる。なお、リング１１３により基板Ｗを支持する構造では、基板Ｗおよびリング１１３を受け取る際に、上記と同様に第２リフタ５２のみを上昇させてもよい。
【0057】
この後、図６（Ｃ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１から第２フォークＦＫ２を後退させる。最後に、図６（Ｄ）に示すように、第１リフタ５１および第２リフタ５２を下降させることで、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を載置台１１に載置する。なお、基板Ｗおよびリング１１３を載置する際に、載置台１１（リング１１３）に対する基板Ｗの位置を調整する動作を行ってもよい。この動作については、後の図１１および図１２において詳述する。
【0058】
以上のように、基板処理システムＰＳは、搬送ロボットＴＲ１により基板Ｗおよびリング１１３を同時搬送して交換することで、例えば、基板Ｗを先に交換した後にリング１１３を交換する動作を行うよりも迅速に交換作業を行うことができる。
【0059】
図７（Ａ）～図７（Ｃ）は、基板Ｗおよびリング１１３を同時搬送する場合の経路の例を示す第１～第３平面図である。基板処理システムＰＳは、上記したように大気搬送モジュールＬＭのロードポートＬＰ１～ＬＰ４に、複数の基板Ｗを有する基板収納容器ＣＳをセットする一方で、リング収納モジュールＲＳＭに複数のリング１１３を収納している。基板Ｗおよびリング１１３の同時搬送を行う場合は、基板処理システムＰＳのいずれかのモジュールにおいて、基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせる必要がある。「基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせる」とは、図４（Ｂ）に示すように、リング１１３の内側空間１１３ｓに基板Ｗを配置した状態をいう。テーパ面１１４を備えないリング１１３は、基板Ｗを支持していなくても、内側空間１１３ｓにあれば組み合わせた状態となる。
【0060】
本実施形態に係る基板処理システムＰＳは、リング収納モジュールＲＳＭにおいて基板Ｗとリング１１３を組み合わせる構成としている。このため、基板処理システムＰＳは、図７（Ａ）に示すように、基板収納容器ＣＳの基板Ｗを処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に搬入する前に、リング収納モジュールＲＳＭに搬送する。詳細には、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２が、例えば、ロードポートＬＰ１の基板収納容器ＣＳから基板Ｗを取り出して、大気圧雰囲気のロードロックモジュールＬＬ２内に当該基板Ｗを搬入する（図７Ａ（１））。なお、大気搬送モジュールＬＭでは、ロードロックモジュールＬＬ２に基板Ｗを搬入する前に、アライナＡＮで基板Ｗの位置を調整する。
【0061】
ロードロックモジュールＬＬ２を真空雰囲気にした後、真空搬送モジュールＴＭの搬送ロボットＴＲ１がロードロックモジュールＬＬ２から基板Ｗを搬出して、リング収納モジュールＲＳＭに当該基板Ｗを搬送する（図７Ａ（２））。そして、搬送ロボットＴＲ１がリング収納モジュールＲＳＭに基板Ｗを搬入する際に、リング収納モジュールＲＳＭ内で基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせる。リング収納モジュールＲＳＭでの基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせる動作については、後述する。
【0062】
図７（Ｂ）に示すように、リング収納モジュールＲＳＭで基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせた後、搬送ロボットＴＲ１がリング収納モジュールＲＳＭから基板Ｗおよびリング１１３を搬出する。そして、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７のうち目標の処理モジュール（図７（Ｂ）では第１処理モジュールＰＭ１）に基板Ｗおよびリング１１３を搬送する。処理モジュールＰＭ１において、搬送ロボットＴＲ１は、上記したように処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を先に搬出する（図７Ｂ（３）：図５（Ａ）～図６（Ａ）も参照）。そして、搬送ロボットＴＲ１は、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を処理モジュールＰＭ１に搬入する（図７Ｂ（４）：図６（Ａ）～図６（Ｄ）も参照）。
【0063】
図７（Ｃ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１から処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を搬出すると、例えば、リング収納モジュールＲＳＭに使用済のリング１１３を搬送して、当該リング１１３を収納する（図７Ｃ（５））。その後、搬送ロボットＴＲ１は、真空雰囲気のロードロックモジュールＬＬ１に処理後の基板Ｗを搬入する（図７Ｃ（６））。ロードロックモジュールＬＬ１を大気圧雰囲気にした後、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２がロードロックモジュールＬＬ１から基板Ｗを搬出する。そして、搬送ロボットＴＲ２は、処理後の基板Ｗを収納する（例えば、ロードポートＬＰ２の）基板収納容器ＣＳに基板Ｗを収納する（図７Ｃ（７））。
【0064】
［リング収納モジュールＲＳＭの構成および動作］
次に、リング１１３を収納すると共に、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせを行うリング収納モジュールＲＳＭの一例について、図８を参照しながら説明する。図８は、リング収納モジュールＲＳＭを概略的に示す側面断面図である。
次に、リング１１３を収納すると共に、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせを行うリング収納モジュールＲＳＭの一例について、図８を参照しながら説明する。図８は、リング収納モジュールＲＳＭを概略的に示す側面断面図である。
【0065】
リング収納モジュールＲＳＭは、コンテナ７０と、機械収納部７１と、を有する。コンテナ７０は、排気部７２に接続された排気口７０ａを備え、排気部７２によりコンテナ７０の内部を減圧できる。また、コンテナ７０は、ガス供給部（不図示）を備え、ガス供給部により不活性ガス（例えば、Ｎ２ガス）を供給することで、内部の圧力を調整できる。
【0066】
コンテナ７０は、複数のリング１１３を保管可能なストレージ７５を備える。ストレージ７５は、ステージ７３と、ステージ７３の下部に設けられたカゴ７４と、を有する。ストレージ７５は、ボールねじ７６の回転下により昇降可能となっている。機械収納部７１は、このボールねじ７６を駆動するモータ７７を収容している。
【0067】
ステージ７３は、リング１１３を載置して、θ方向に回転させる機能を有する。ステージ７３のリング１１３を挟んだ上下には、リング１１３の外形を検出する透過型のセンサ７９（発光部７９ａ、受光部７９ｂ）が設けられている。センサ７９は、発光部７９ａから照射された光の光量を受光部７９ｂにおいて検出し、その検出結果を制御部ＣＵへ出力する。受光部７９ｂは、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）、フォトダイオード等を適用し得る。また例えば、リング収納モジュールＲＳＭは、透過型のセンサに代えて、他の光学的センサ、またはカメラを用いてもよい。
【0068】
制御部ＣＵは、検出された光量がオリエンテーションフラットの有無によって変化することを利用して、リングのオリエンテーションフラットまたはノッチを検出する。すなわち、ステージ７３およびセンサ７９は、リング１１３のアライメント（位置合わせ）を行う位置合わせ装置を構成している。位置合わせでは、リング１１３のオリエンテーションフラットを所定の向きに合わせる。また、位置合わせでは、搬送ロボットＴＲ１によりリング１１３を支持する際に、リング１１３の中心位置を合わせるようにしてもよい。なお、基板処理システムＰＳは、ストレージ７５からリング１１３を取り出した際に、位置検出センサＳＲ１、ＳＲ２（図１参照）を用いて、リング１１３の外縁および内縁の位置を検出し、位置合わせを行う構成でもよい。
【0069】
カゴ７４は、ステージ７３の下部に設けられ、リング収納モジュールＲＳＭの正面側（真空搬送モジュールＴＭ側）が開放されている。カゴ７４の内部には、１以上のカセット７８が載置される。カセット７８は、リング１１３を収容し、かつカゴ７４から取り出し可能な収納容器である。カゴ７４は、上下方向に間隔をあけて複数のカセット７８を保持している。
【0070】
また、コンテナ７０は、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせを行う作業部８０を、ストレージ７５の鉛直方向上側に備える。真空搬送モジュールＴＭに対してステージ７３と、カゴ７４と、作業部８０とが鉛直方向に並んでいることで、真空搬送モジュールＴＭの搬送ロボットＴＲ１は、リング収納モジュールＲＳＭの各高さ位置に容易にアクセスすることができる。なお、作業部８０は、ストレージ７５の鉛直方向下側や側方等に設けられてもよい。また、作業部８０は、リング収納モジュールＲＳＭの隣接位置に設けられてもよい。
【0071】
作業部８０は、リング１１３を支持するリングスロット８１と、リングスロット８１の上方において基板Ｗを保持する治具８３を有する治具スロット８２と、を含む。
【0072】
リングスロット８１は、リング１１３を水平に支持する一対の可動棚板８１ａにより構成される。一対の可動棚板８１ａの間には、搬送ロボットＴＲ１の第１フォークＦＫ１（または第２フォークＦＫ２）を通過させる間隙８１ｓが形成されている。また、一対の可動棚板８１ａは、図示しない第１上下動駆動部に接続され、第１上下動駆動部の駆動に基づいて相互に一体に昇降する。これにより、リングスロット８１は、リング１１３の水平姿勢を維持しながら、適宜の高さ位置にリング１１３を配置できる。
【0073】
治具スロット８２は、可動バー８４を介して治具８３を保持している。治具８３は、リングスロット８１の間隙８１ｓの幅方向中央位置に対向する位置に配置されている。治具８３は、基板Ｗを保持可能な保持手段を有するものである。例えば、治具８３は、基板Ｗを真空吸着するシリコンピッカを適用することができる。この場合、治具８３は、図示しない吸着経路を介して吸着機構（不図示）に接続され、吸着機構による吸着圧力の付与に基づき基板Ｗを保持し、大気開放に基づき基板Ｗの保持を解除する。なお、基板Ｗの保持手段は、特に限定されず、静電吸着、機械式等を採用してもよい。
【0074】
可動バー８４は、図示しない第２上下動駆動部に接続され、第２上下動駆動部の駆動に基づいて治具８３を昇降させる。第２上下動駆動部は、第１上下動駆動部と独立して駆動することが可能である。これにより、治具スロット８２は、リングスロット８１に対して治具８３の相対位置を変えることができる。
【0075】
次に、以上の作業部８０において、基板Ｗおよびリング１１３を同時搬送する際の組み合わせ作業の一例について説明する。図９（Ａ）～図９（Ｄ）は、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を示す第１～第４動作図である。図１０（Ａ）～図１０（Ｄ）は、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を示す第５～第８動作図である。
【0076】
組み合わせ作業において、基板処理システムＰＳは、搬送ロボットＴＲ１（例えば、第２フォークＦＫ２）を用いて、ストレージ７５にあるリング１１３を先に作業部８０に搬送する。この際、搬送ロボットＴＲ１は、目標のカセット７８から交換用のリング１１３を取り出すと、ステージ７３にリング１１３を搬送して、位置合わせ装置によりリング１１３の位置合わせを行う。そして図９（Ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、位置合わせ後のリング１１３をステージ７３から取り出して、作業部８０に搬入する。搬送ロボットＴＲ１の第２フォークＦＫ２は、作業部８０内の作業空間においてリングスロット８１よりも上方にリング１１３を搬入する。
【0077】
そして図９（Ｂ）に示すように、作業部８０は、まず一対の可動棚板８１ａを第２フォークＦＫ２よりも上昇させて、当該一対の可動棚板８１ａによりリング１１３を受け取る。リング１１３が事前に位置合わせを行っていることで、一対の可動棚板８１ａは、位置合わせされたリング１１３を精度よく受け取ることができる。なお、一対の可動棚板８１ａは、リング１１３との接触部分に図示しないテーパ部等を有し、受け取り時にリング１１３の位置ずれを解消する構成でもよい。
【0078】
リングスロット８１によりリング１１３を保持すると、図９（Ｃ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１を作業部８０から退出させ、また治具スロット８２を下降させて適宜の高さ位置に配置する。その後、搬送ロボットＴＲ１の第２フォークＦＫ２は、ロードロックモジュールＬＬ２（図７（Ａ）参照）の基板Ｗを作業部８０に搬入する。図９（Ｄ）に示すように、基板Ｗを保持した第２フォークＦＫ２は、高さ位置が適宜調整されることで、リングスロット８１と治具８３との間に搬入される。これにより、基板Ｗの中心が治具８３に対向する位置に配置されるようになる。第２フォークＦＫ２により搬送される基板Ｗは、大気搬送モジュールＬＭのアライナＡＮにおいて位置合わせが行われることで、第２フォークＦＫ２に位置ずれすることなく載置されている。そのため、作業部８０では、基板Ｗの中心と、治具８３とを精度よく位置合わせすることができる。
【0079】
その後、作業部８０は、図１０（Ａ）に示すように、治具スロット８２を下降して治具８３と基板Ｗを接触させ、真空吸着させることで、基板Ｗを保持する。治具８３により基板Ｗを保持すると、図１０（Ｂ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、第２フォークＦＫ２を作業部８０から退出させる。また、作業部８０は、リング１１３を支持しているリングスロット８１、および基板Ｗを保持している治具スロット８２をそれぞれ上昇させる。
【0080】
そして図１０（Ｃ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、リングスロット８１よりも鉛直方向下側に第２フォークＦＫ２を再び進入させる。この状態で、図１０（Ｄ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、第２フォークＦＫ２を上昇させてリングスロット８１の間隙８１ｓを通過させると、第２フォークＦＫ２の上面にリング１１３が先に支持された状態となる。さらに、搬送ロボットＴＲ１は、第２フォークＦＫ２の上昇を継続すると、治具８３に保持された基板Ｗをリング１１３の内側空間１１３ｓに配置することができる。治具８３は、リング１１３内に基板Ｗが収容された状態で、基板Ｗの吸着を解除する。その結果、第２フォークＦＫ２は、基板Ｗを保持した状態のリング１１３を支持することができる（図４（Ｂ）も参照）。なお、治具８３は、リング１１３が基板Ｗを内側空間１１３ｓに収容する前に基板Ｗの吸着を解除してもよい。これにより、リング１１３のテーパ面１１４に基板Ｗがガイドされることで、基板Ｗとリング１１３との位置ずれを解消することができる。
【0081】
以上の組み合わせ作業によって、基板Ｗおよびリング１１３は、真空搬送モジュールＴＭ内において同時搬送されることが可能な形態となる。なお、作業部８０では、第２フォークＦＫ２が基板Ｗおよびリング１１３を支持した後、リングスロット８１を下降させると共に、治具スロット８２を上昇させることで、各スロットを初期の待機位置に配置する。
【0082】
また、基板Ｗとリング１１３の位置合わせ（センタリング）は、リング収納モジュールＲＳＭにおいて実施することに限らず、他のモジュールにおいて実施してもよい。以下、処理モジュールＰＭ１において基板Ｗおよびリング１１３を搬入する際に位置合わせを行う例について説明する。図１１（Ａ）～図１１（Ｄ）は、基板Ｗおよびリング１１３の搬入時における位置合わせの動作を示す第１～第４動作図である。図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）は、基板Ｗおよびリング１１３の搬入時における位置合わせの動作を示す第５および第６動作図である。
【0083】
図１１（Ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を有する第２フォークＦＫ２を、処理モジュールＰＭ１の載置台１１の上方に搬送する。基板Ｗとリング１１３の位置合わせでは、図１１（Ｂ）に示すように、まず第１リフタ５１の各支持ピン５１１を上昇させ、各支持ピン５１１より基板Ｗをリング１１３よりも高い位置に上昇させる。これにより、リング１１３による基板Ｗの保持状態が一旦解消される。
【0084】
次に図１１（Ｃ）に示すように、処理モジュールＰＭ１は、第２リフタ５２の各支持ピン５２１を上昇させて、各支持ピン５２１によりリング１１３を第２フォークＦＫ２から浮上させる。これにより、第２フォークＦＫ２から基板Ｗとリング１１３が離間した状態となる。またこの際、各支持ピン５２１の上端５２１ａは、リング１１３の凹部１１３ｄに挿入され、載置台１１に対するリング１１３の位置ずれを修正することができる。
【0085】
その後、図１１（Ｄ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１から第２フォークＦＫ２を退出させる。さらに、処理モジュールＰＭ１では、第１リフタ５１の各支持ピン５２１を下降させることで、リング１１３のテーパ面１１４に基板Ｗの外縁を接触させながら基板を下降させる。これにより、リング１１３に対する基板Ｗの位置ずれが調整され、基板Ｗの中心とリング１１３の中心とを一致させた（センタリングさせた）状態となる。
【0086】
そして、図１２（Ａ）に示すように、処理モジュールＰＭ１は、先に第２リフタ５２の各支持ピン５２１を下降させることで、載置台１１のリング支持面１１２ｂにリング１１３を載置する。処理モジュールＰＭ１は、このリング支持面１１２ｂへの載置し、第２の吸着電極１１２ｅに電圧を印加することで、リング１１３を吸着保持する。
【0087】
最後に、図１２（Ｂ）に示すように、処理モジュールＰＭ１は、第１リフタ５１の各支持ピン５１１を下降させることで、載置台１１の基板支持面１１２ａに基板Ｗを載置する。処理モジュールＰＭ１は、この基板支持面１１２ａへの載置し、第１の吸着電極１１２ｄに電圧を印加することで、基板Ｗを吸着保持する。なお、処理モジュールＰＭ１は、リング１１３をリング支持面１１２ｂへ載置すると共に、基板Ｗを基板支持面１１２ａへ載置した後、第１の吸着電極１１２ｄおよび第２の吸着電極１１２ｅの各々に同時に（または時間をずらして）電圧を印加することにより、リング１１３と基板Ｗを同時に（または時間をずらして）吸着保持してもよい。
【0088】
以上のように、基板処理システムＰＳは、搬送ロボットＴＲ１（第１フォークＦＫ１、第２フォークＦＫ２）に基板Ｗおよびリング１１３を良好に支持して同時搬送できる。さらに、基板処理システムＰＳは、基板Ｗおよびリング１１３の位置合わせを精度よく行うことができる。特に、基板Ｗおよびリング１１３を処理モジュールＰＭ１に搬入する際に、両者の位置合わせを行うことで、基板Ｗおよびリング１１３を載置台１１に精度よく配置でき、基板処理を安定的に実施させることができる。
【0089】
なお、基板Ｗおよびリング１１３の位置合わせは、上記の方法に限定されず、種々の変形例をとり得る。例えば、リング１１３がテーパ面１１４を有する場合に、制御部ＣＵは、第１リフタ５１を動作させずに第２リフタ５２を上昇させることにより、基板Ｗおよびリング１１３を支持してもよい。その後、制御部ＣＵは、第２リフタ５２を下降させることにより、基板Ｗおよびリング１１３を載置台１１に載置することで、より迅速に基板Ｗおよびリング１１３を載置台１１に載置できる。
【0090】
例えば、搬送ロボットＴＲ１は、第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２を用いて、複数の基板Ｗおよび複数のリング１１３を同時搬送する動作を実施してもよい。この場合の交換作業の一例として、まず、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１に対して空の第１フォークＦＫ１を進入させ、処理モジュールＰＭ１から処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を搬出する。次に、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ２に対して空の第２フォークＦＫ２を進入させ、処理モジュールＰＭ２から処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を搬出する。
【0091】
搬送ロボットＴＲ１は、第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２の各々が保持する処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３について、例えば、先にリング収納モジュールＲＳＭに搬送して２つのリング１１３を個別に収納する。その後、搬送ロボットＴＲ１は、ロードロックモジュールＬＬ１に第１フォークＦＫ１を搬送して処理後の基板Ｗを受け渡し、ロードロックモジュールＬＬ２に第２フォークＦＫ２を搬送して処理後の基板Ｗを受け渡す。そして、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２は、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２の各々の基板Ｗを順次取り出して、基板収納容器ＣＳにそれぞれ収納する。
【0092】
また、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を処理モジュールＰＭ１、ＰＭ２の各々に搬入する場合、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２は、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２の各々に処理前の基板Ｗを搬入する。真空搬送モジュールＴＭの搬送ロボットＴＲ１は、第１フォークＦＫ１によりロードロックモジュールＬＬ１から基板Ｗを取り出して、リング収納モジュールＲＳＭにおいて基板Ｗとリング１１３を同時に保持する。さらに、搬送ロボットＴＲ１は、第２フォークＦＫ２によりロードロックモジュールＬＬ２から基板Ｗを取り出して、リング収納モジュールＲＳＭにおいて基板Ｗとリング１１３を同時に保持する。
【0093】
そして、搬送ロボットＴＲ１は、処理モジュールＰＭ１に対して第１フォークＦＫ１により基板Ｗおよびリング１１３を搬入する。その後に、搬送ロボットＴＲ２は、処理モジュールＰＭ２に対して第２フォークＦＫ２により基板Ｗおよびリング１１３を搬入する。このように、搬送ロボットＴＲ１が複数の基板Ｗおよび複数のリング１１３を同時搬送する構成でも、他の処理モジュールＰＭ３～ＰＭ７の基板処理中に動作を行うことで、基板処理システムＰＳ全体としての処理の効率化を図ることができる。
【0094】
［基板搬送方法］
基板処理システムＰＳは、基本的には以上のように構成され、以下その動作（基板搬送方法）について、具体的に説明していく。
基板処理システムＰＳは、基本的には以上のように構成され、以下その動作（基板搬送方法）について、具体的に説明していく。
【0095】
【0096】
制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７の基板処理において、リング１１３を交換するか否かを判定する（ステップＳ１０１）。例えば、リング１１３の交換条件として、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７毎にリング１１３をセットしたタイミングを記憶すると共に、セット後の基板処理の回数をカウントし、所定回数に達したか否かを監視することがあげられる。あるいはリング１１３の交換条件として、制御部ＣＵは、セット後の処理容器１０内でのＲＦ積算時間を計測し、所定期間に達したか否かを監視してもよい。
【0097】
制御部ＣＵは、リング１１３の交換が不要と判定した場合（ステップＳ１０１：ＮＯ）、搬送ロボットＴＲ１により基板Ｗのみを搬送する単独搬送モードを選択する（ステップＳ１０２）。なお、以下では、処理モジュールＰＭ１において基板Ｗ（または基板Ｗおよびリング１１３）を交換する場合を例にして説明する。単独搬送モードは、搬送ロボットＴＲ１により基板Ｗを単独で搬送し、第１リフタ５１を昇降させることで、載置台１１への基板Ｗの載置、または載置台１１から基板Ｗの取り出しを行うモードである。
【0098】
単独搬送モードを選択すると、制御部ＣＵは、例えば、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２により基板収納容器ＣＳから処理前の基板Ｗを取り出して、ロードロックモジュールＬＬ２に処理前の基板Ｗを搬入する。なお、ロードロックモジュールＬＬ２に搬入する前に、制御部ＣＵは、大気搬送モジュールＬＭのアライナＡＮにおいて処理前の基板Ｗの位置合わせを行う。そして、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ２（例えば、第２フォークＦＫ２）によりロードロックモジュールＬＬ２の処理前の基板Ｗを取り出し、処理モジュールＰＭ１に搬送する。
【0099】
そして、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１において、第１フォークＦＫ１により処理後の基板Ｗを搬出した後、第２フォークＦＫ２により処理前の基板Ｗを搬入する。なお、制御部ＣＵは、処理後の基板Ｗを搬出した後に、処理モジュールＰＭ１内をクリーニングし、その後に処理前の基板Ｗを搬入してもよい。
【0100】
処理モジュールＰＭ１では、処理後の基板Ｗを第１リフタ５１により上昇させ、その後に第１フォークＦＫ１を進出させて、第１リフタ５１を下降させることで処理後の基板Ｗを第１フォークＦＫ１に受け渡す。また、第２フォークＦＫ２により処理前の基板Ｗが搬入されると、処理モジュールＰＭ１は、第１リフタ５１を再び上昇させて処理前の基板Ｗを受け取り、第２フォークＦＫ２の後退後に第１リフタ５１を下降させることで、載置台１１に処理前の基板Ｗを載置する。
【0101】
制御部ＣＵは、第１フォークＦＫ１に保持した処理後の基板ＷについてロードロックモジュールＬＬ１に搬入する。さらに、制御部ＣＵは、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２により、ロードロックモジュールＬＬ１の処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳに搬送する。
【0102】
一方、制御部ＣＵは、リング１１３の交換が必要と判定した場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）、搬送ロボットＴＲ１により基板Ｗおよびリング１１３を搬送する同時搬送モードを選択する（ステップＳ１０３）。同時搬送モードは、搬送ロボットＴＲ１により基板Ｗおよびリング１１３を同時に搬送し、かつ第１リフタ５１および第２リフタ５２を昇降させることで、載置台１１への基板Ｗおよびリング１１３の載置、または載置台１１からの基板Ｗおよびリング１１３の取り出しを行うモードである。
【0103】
この同時搬送モードにおいて、制御部ＣＵは、図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示すように、リング収納モジュールＲＳＭにおいて処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３の組み合わせ作業を行い、これらを処理モジュールＰＭ１へ同時搬送する。この組み合わせ作業は、処理モジュールＰＭ１の基板処理中に実施してもよい。
【0104】
処理モジュールＰＭ１において基板処理が終了すると、制御部ＣＵは、図５（Ａ）～図６（Ｄ）に示すように、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を処理モジュールＰＭ１に向けて同時搬送する。制御部ＣＵは、処理後の基板Ｗおよび使用済のリング１１３を搬出する一方で、処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を搬入する。その後、制御部ＣＵは、図７（Ｃ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１により、リング収納モジュールＲＳＭに使用済のリング１１３を搬送する。さらに、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１により、ロードロックモジュールＬＬ１に処理後の基板Ｗを搬送し、搬送ロボットＴＲ２により処理後の基板Ｗを基板収納容器ＣＳに搬送する。
【0105】
以上のように、基板処理システムＰＳおよび基板搬送方法は、基板Ｗのみを搬送する単独搬送モードと、リング１１３の交換において基板Ｗおよびリング１１３を同時搬送する同時搬送モードとを選択的に行う。特に、リング１１３を交換する場合、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７の基板処理中に、リング収納モジュールＲＳＭにおいて基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を行い、基板Ｗおよびリング１１３の同時搬送を直ちに実施可能にする。これにより、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７の基板処理後に、当該処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７の内部において基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を行わなくても済むようになる。その結果、基板処理システムＰＳは、基板Ｗおよびリング１１３の搬送において処理を効率化でき、システム全体の処理の迅速に行うことが可能となる。
【0106】
【0107】
図１４は、第１応用例に係る基板搬送方法を示すフローチャートである。図１４に示すように、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７の処理容器１０内においてクリーニング処理を行う構成としている点で、上記した基板搬送方法と異なる。
【0108】
具体的には、制御部ＣＵは、同時搬送モードにおいて、ステップＳ２０１～ステップＳ２０６を実施する。なお、制御部ＣＵによる単独搬送モードおよび同時搬送モードの選択は、上記した基板搬送方法の判定（図１３のステップＳ１０１）と同じであってよい。以降の第２応用例の場合も同様である。
【0109】
制御部ＣＵは、まず搬送ロボットＴＲ１（例えば、第１フォークＦＫ１）により処理後の基板Ｗのみを受け取って、処理モジュールＰＭ１から搬出する（ステップＳ２０１）。そして、搬送ロボットＴＲ１は、処理後の基板ＷをロードロックモジュールＬＬ１に搬送する。
【0110】
次に、制御部ＣＵは、リング１１３が残った状態の処理モジュールＰＭ１において、第１クリーニング処理を行う（ステップＳ２０２）。すなわち、第１クリーニング処理は、基板支持面１１２ａに基板Ｗが載置されておらず、かつリング支持面１１２ｂにリング１１３が載置された状態で実施される。第１クリーニング処理は、処理モジュールＰＭ１での基板処理の内容に応じて適切な方法を採用すればよく、例えば、処理容器１０内のデポを除去可能な処理ガスを供給しながら、ＲＦ電力を供給してプラズマ処理を行うことがあげられる。なお、制御部ＣＵは、第２リフタ５２によりリング１１３を上昇させてリング支持面１１２ｂから離間した状態で、第１クリーニング処理を行ってもよい。
【0111】
第１クリーニング処理の後、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１（例えば、第１フォークＦＫ１）により使用済のリング１１３を受け取って、処理モジュールＰＭ１から搬出する（ステップＳ２０３）。使用済のリング１１３は、第１クリーニング処理を経ることでデポが低減された状態となっている。このため、基板処理システムＰＳは、使用済のリング１１３の搬送時に、真空搬送モジュールＴＭ内へのデポの落下（拡散）を抑制できる。
【0112】
制御部ＣＵは、使用済のリング１１３を搬出した処理モジュールＰＭ１において、再びクリーニング処理（第２クリーニング処理）を行う（ステップＳ２０４）。すなわち、第２クリーニング処理は、基板支持面１１２ａに基板Ｗが載置されておらず、かつリング支持面１１２ｂにリング１１３が載置されていない状態で実施される。これにより、リング１１３があったリング支持面１１２ｂのデポを良好に除去することができる。なお、第２クリーニング処理は、第１クリーニング処理と同じレシピでもよく、異なるレシピでもよい。また、第２クリーニング処理は実施しなくてもよい。
【0113】
その後、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１により処理前の基板Ｗおよび交換用のリング１１３を同時搬送して、処理モジュールＰＭ１内に搬入する（ステップＳ２０５）。この基板Ｗおよびリング１１３の搬入動作は、上記の実施形態と同様であってよい（例えば、図１１（Ａ）～図１２（Ｂ）参照）。
【0114】
処理モジュールＰＭ１に基板Ｗを搬入すると、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１において基板Ｗに対して基板処理を行う（ステップＳ２０６）。
【0115】
以上のように、第１応用例に係る基板搬送方法は、使用済のリング１１３の搬出前にクリーニング処理を行うことで、使用済のリング１１３に付着するデポを低減することが可能となる。これにより、基板処理システムＰＳは、使用済のリング１１３の搬送時に真空搬送モジュールＴＭ内が汚染されることを可及的に抑制できる。なお、第１応用例に係る基板搬送方法では、同時搬送モードの処理フローを説明したが、基板Ｗのみを搬送する単独搬送モードにおいても適宜のタイミングでクリーニング処理を実施してよいことは勿論である。
【0116】
図１５は、第２応用例に係る基板搬送方法を示すフローチャートである。図１５に示すように、第２応用例に係る基板搬送方法は、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７内のクリーニング処理に加えて、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７内の基板処理の環境を整えるシーズニング処理を行う点で、上記した基板搬送方法と異なる。
【0117】
具体的には、制御部ＣＵは、同時搬送モードにおいて、ステップＳ３０１～ステップＳ３０８を実施する。ただし、ステップＳ３０１～ステップＳ３０４までは、第１応用例に係る基板搬送方法のステップＳ２０１～ステップＳ２０４と同様の処理を行ってよい。なお、第２応用例に係る基板搬送方法でも、第２クリーニング処理については実施してもよく、実施しなくてもよい。
【0118】
ステップＳ３０４の後（第２クリーニング処理の後）、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１によりダミー基板（不図示）および交換用のリング１１３を同時搬送して、処理モジュールＰＭ１内に搬入する（ステップＳ３０５）。ダミー基板および交換用のリング１１３の搬入動作は、上記の実施形態と同様であってよい（例えば、図１１（Ａ）～図１２（Ｂ）参照）。なお、ダミー基板は、リング収納モジュールＲＳＭに保管しておいてもよいし、大気搬送モジュールＬＭのロードポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかに保管しておいてもよい。リング収納モジュールＲＳＭにダミー基板を保管する場合、ダミー基板のみで保管してもよいし、アライメントした状態のダミー基板を交換用のリング１１３に組み合わせて保管してもよい。
【0119】
そして、制御部ＣＵは、ダミー基板を載置した処理モジュールＰＭ１において、シーズニング処理を行う（ステップＳ３０６）。シーズニング処理において、制御部ＣＵは、例えば、基板処理のレシピに基づいてダミー基板に対して基板処理を行うことで、処理容器１０内の環境を基板処理に応じた環境に近づける。なお、制御部ＣＵは、第２クリーニング処理後にシーズニング処理を行う構成に限らず、第３クリーニング処理を行ってもよく、（同一のダミー基板で）第３クリーニング処理後にシーズニング処理を行ってもよい。
【0120】
シーズニング処理の後、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１により処理モジュールＰＭ１からダミー基板を搬出する（ステップＳ３０７）。なお、制御部ＣＵは、ダミー基板を用いたシーズニング処理を複数回実施してもよい。複数回のシーズニング処理を行う場合、同じダミー基板を継続的に使用してもよく、適宜のタイミングでダミー基板を入れ替えてもよい。
【0121】
ダミー基板の搬出後、制御部ＣＵは、搬送ロボットＴＲ１により、基板処理を行う処理前の基板Ｗを処理モジュールＰＭ１に搬入する（ステップＳ３０８）。そして、制御部ＣＵは、処理モジュールＰＭ１において、搬入された基板Ｗに基板処理を行う（ステップＳ３０９）。
【0122】
以上のように、第２応用例に係る基板搬送方法は、ダミー基板およびリング１１３を同時搬送し、その後にシーズニング処理を行うことで、処理モジュールＰＭ１内を基板処理に応じた環境に良好に調整できる。これにより、基板処理システムＰＳは、リング１１３の交換直後でも、基板Ｗを安定的に基板処理することができる。なお、第２応用例に係る基板搬送方法では、同時搬送モードの処理フローを説明したが、基板Ｗのみを搬送する単独搬送モードでも、クリーニング処理およびシーズニング処理を実施してよいことは勿論である。
【0123】
また、基板処理システムＰＳおよび基板搬送方法は、上記の構成に限定されず、種々の実施形態をとり得る。例えば、基板処理システムＰＳの搬送ロボットＴＲ１は、２つのフォーク（第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２）を備えていたが、１つのフォークにより基板Ｗおよびリング１１３を搬送する構成でもよい。
【0124】
図１６（Ａ）～図１６（Ｄ）は、他の実施形態に係る基板搬送方法を示す第１～第４動作図である。図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示すように、基板処理システムＰＳは、第１フォークＦＫ１および第２フォークＦＫ２のうち、一方において基板Ｗを支持すると共に、他方においてリング１１３を支持して、処理モジュールＰＭ１内に搬送してもよい。例えば、第１フォークＦＫ１により基板Ｗを支持する一方で、第２フォークＦＫ２によりリング１１３を支持する。処理モジュールＰＭ１に対する基板Ｗおよびリング１１３の搬入タイミングは、同時でもよく、異なるタイミングでもよい。
【0125】
図１６（Ｃ）に示すように、処理モジュールＰＭ１内では、第２フォークＦＫ２に支持されたリング１１３に対して、第２リフタ５２を上昇させることによりリング１１３を支持する。さらに、処理モジュールＰＭ１内では、第１フォークＦＫ１に支持された基板Ｗに対して、第１リフタ５１を上昇させることにより基板Ｗを支持する。なお、図１６（Ｃ）では、第１リフタ５１および第２リフタ５２を同時に上昇させて、基板Ｗおよびリング１１３を支持した状態を図示している。ただし、処理モジュールＰＭ１は、第１リフタ５１および第２リフタ５２のうち一方を先に上昇させて基板Ｗおよびリング１１３の一方を受け取り、その後に他方を上昇させて他方を受け取ってもよい。
【0126】
そして図１６（Ｄ）に示すように、処理モジュールＰＭ１は、第１リフタ５１および第２リフタ５２を下降させることにより、基板Ｗおよびリング１１３を載置台１１に載置する。基板Ｗおよびリング１１３の載置では、先にリング１１３を下降してリング支持面１１２ｂに載置した後、基板Ｗを下降して基板支持面１１２ａに載置する。
【0127】
また、基板Ｗおよびリング１１３を載置する前に、制御部ＣＵは、図１１（Ｃ）～図１１（Ｄ）の処理を行って、リング１１３に対する基板Ｗの位置を調整（センタリング）することが好ましい。なお、リング１１３がテーパ面１１４を有する場合に、制御部ＣＵは、第１リフタ５１を下降して基板Ｗをリング１１３に載せた後に、第２リフタ５２を下降して基板Ｗおよびリングを載置台１１に載置してもよい。また、リング１１３がテーパ面１１４を有する場合に、制御部ＣＵは、第１リフタ５１を動作させずに第２リフタ５２を上昇させることにより、基板Ｗおよびリング１１３を支持してもよい。そして、制御部ＣＵは、第２リフタ５２を下降させることにより、基板Ｗおよびリングを載置台１１に載置する。これにより、基板処理システムＰＳは、基板Ｗおよびリング１１３をより迅速に搬送することができる。
【0128】
あるいは、基板処理システムＰＳは、リング１１３を支持した第２フォークＦＫ２を処理モジュールＰＭ１内に先に搬入して、第２リフタ５２によりリング１１３を支持して載置してもよい。そしてリング１１３の載置直後に、基板処理システムＰＳは、基板Ｗを支持した第１フォークＦＫ１を処理モジュールＰＭ１内に搬入して、第１リフタ５１により基板Ｗを支持して載置する。この場合でも、処理モジュールＰＭ１に対して搬送ロボットＴＲ１を対向させる動作の後に、搬送ロボットＴＲ１の姿勢を変えずに、基板Ｗおよびリング１１３を処理モジュールＰＭ１に連続的に搬入しており、搬送効率の低下が抑制される。すなわち、本明細書における同時搬送モードとは、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に対して基板Ｗとリング１１３とを別のタイミングで搬入する動作も含む概念である。
【0129】
図１７は、他の実施形態に係る基板処理システムＰＳａを示す平面図である。図１７に示すように、基板処理システムＰＳａは、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２において基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を行う点で、上記の基板処理システムＰＳとは異なる。
【0130】
詳細には、基板処理システムＰＳａは、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２において効率的に基板Ｗおよびリング１１３を組み合わせるために、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２の隣接位置にリング収納モジュールＲＳＭを備える。例えば、基板処理システムＰＳａは、適宜のロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２にリング１１３を配置した後に基板Ｗを搬入することで、基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせを行う。リング収納モジュールＲＳＭからロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２へのリング１１３の搬送は、真空搬送モジュールＴＭの搬送ロボットＴＲ１を用いてもよく、大気搬送モジュールＬＭの搬送ロボットＴＲ２を用いてもよい。あるいは、リング収納モジュールＲＳＭ内に、ロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２にリング１１３を搬送する図示しない搬送装置を備えてもよい。これにより、真空搬送モジュールＴＭの搬送ロボットＴＲ１は、適宜のロードロックモジュールＬＬ１、ＬＬ２から、基板Ｗおよびリング１１３を同時に保持して搬出し、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７に搬送することができる。
【0131】
なお、リング収納モジュールＲＳＭの位置、または基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を行う作業部８０の位置は、上記の実施形態に限定されない。例えば、基板処理システムＰＳは、リング収納モジュールＲＳＭから離れた位置に（一例として、処理モジュールＰＭ１～ＰＭ７のいずれかに代えて）作業部８０を設置した構成でもよい。
【0132】
また例えば、大気搬送モジュールＬＭのロードポートＬＰ１～ＬＰ４のいずれかにリング収納モジュールＲＳＭを設置すると共に、大気搬送モジュールＬＭに作業部８０を接続してもよい。すなわち、基板処理システムＰＳは、大気搬送モジュールＬＭにおいて基板Ｗおよびリング１１３の組み合わせ作業を行った後に、これらの基板Ｗおよびリング１１３を真空搬送モジュールＴＭに搬送できる。
【0133】
以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、
制御部と、を備える基板処理システムであって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記制御部は、
前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う同時搬送モードと、前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う単独搬送モードと、を選択的に実施するように制御する、
基板処理システム。
（付記２）
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板および前記リングを支持して搬送する、
付記１に記載の基板処理システム。
（付記３）
前記真空搬送モジュールに接続され、前記リングの内側に前記基板を配置することで、前記基板および前記リングを組み合わせるための作業部を有する、
付記２に記載の基板処理システム。
（付記４）
前記作業部は、前記リングを複数収納するリング収納モジュールの内部または前記リング収納モジュールの隣接位置に設けられる、
付記３に記載の基板処理システム。
（付記５）
前記作業部は、前記真空搬送モジュールに接続され、大気圧雰囲気と真空雰囲気に切り替え可能なロードロックモジュールの内部に設けられる、
付記３に記載の基板処理システム。
（付記６）
前記制御部は、
前記基板および前記リングを支持した前記一のフォークを前記処理容器の内部に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記７）
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に、前記基板を前記載置台に載置する、
付記６に記載の基板処理システム。
（付記８）
前記基板は、ダミー基板である、
付記６または７に記載の基板処理システム。
（付記９）
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記搬送ロボットは、前記テーパ面により前記基板を支持して、前記基板および前記リングを搬送する、
付記２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１０）
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、
前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記９に記載の基板処理システム。
（付記１１）
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
付記９または付記１０に記載の基板処理システム。
（付記１２）
前記基板は、ダミー基板である、
付記１乃至７、付記９乃至１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１３）
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板を支持して搬送すると共に、他のフォークにより前記リングを支持して搬送する、
付記１に記載の基板処理システム。
（付記１４）
前記制御部は、
前記基板を支持した前記一のフォーク、前記リングを支持した前記他のフォークを前記処理容器の内部に同時に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記１３に記載の基板処理システム。
（付記１５）
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に前記基板を前記載置台に載置する、
付記１４に記載の基板処理システム。
（付記１６）
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
付記１４または１５に記載の基板処理システム。
（付記１７）
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記１６に記載の基板処理システム。
（付記１８）
前記基板は、ダミー基板である、
付記１４乃至１７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１９）
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、を備える基板処理システムの基板搬送方法であって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記基板搬送方法では、
（Ａ）前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う工程と、
（Ｂ）前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う工程と、を選択的に実施する、
基板搬送方法。
（付記１）
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、
制御部と、を備える基板処理システムであって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記制御部は、
前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う同時搬送モードと、前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う単独搬送モードと、を選択的に実施するように制御する、
基板処理システム。
（付記２）
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板および前記リングを支持して搬送する、
付記１に記載の基板処理システム。
（付記３）
前記真空搬送モジュールに接続され、前記リングの内側に前記基板を配置することで、前記基板および前記リングを組み合わせるための作業部を有する、
付記２に記載の基板処理システム。
（付記４）
前記作業部は、前記リングを複数収納するリング収納モジュールの内部または前記リング収納モジュールの隣接位置に設けられる、
付記３に記載の基板処理システム。
（付記５）
前記作業部は、前記真空搬送モジュールに接続され、大気圧雰囲気と真空雰囲気に切り替え可能なロードロックモジュールの内部に設けられる、
付記３に記載の基板処理システム。
（付記６）
前記制御部は、
前記基板および前記リングを支持した前記一のフォークを前記処理容器の内部に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記７）
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に、前記基板を前記載置台に載置する、
付記６に記載の基板処理システム。
（付記８）
前記基板は、ダミー基板である、
付記６または７に記載の基板処理システム。
（付記９）
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記搬送ロボットは、前記テーパ面により前記基板を支持して、前記基板および前記リングを搬送する、
付記２乃至５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１０）
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、
前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記９に記載の基板処理システム。
（付記１１）
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
付記９または付記１０に記載の基板処理システム。
（付記１２）
前記基板は、ダミー基板である、
付記１乃至７、付記９乃至１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１３）
前記同時搬送モードにおいて、前記搬送ロボットは、一のフォークにより前記基板を支持して搬送すると共に、他のフォークにより前記リングを支持して搬送する、
付記１に記載の基板処理システム。
（付記１４）
前記制御部は、
前記基板を支持した前記一のフォーク、前記リングを支持した前記他のフォークを前記処理容器の内部に同時に搬入し、
前記第１リフタを上昇させることにより前記基板を支持し、
前記第２リフタを上昇させることにより前記リングを支持し、
前記第１リフタおよび前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記１３に記載の基板処理システム。
（付記１５）
前記制御部は、前記処理容器の内部において、前記リングを前記載置台に載置した後に前記基板を前記載置台に載置する、
付記１４に記載の基板処理システム。
（付記１６）
前記リングは、鉛直方向下側に向かって小径となるテーパ面を内側に有し、
前記制御部は、
前記載置台に前記基板を載置する前に、前記第２リフタに支持された前記リングに前記基板を載せることで、前記テーパ面に沿って前記基板の位置を調整する、
付記１４または１５に記載の基板処理システム。
（付記１７）
前記制御部は、
前記第２リフタを上昇させることにより、前記基板および前記リングを支持し、前記第２リフタを下降させることにより、前記基板および前記リングを前記載置台に載置する、
付記１６に記載の基板処理システム。
（付記１８）
前記基板は、ダミー基板である、
付記１４乃至１７のいずれか１項に記載の基板処理システム。
（付記１９）
基板を処理する処理モジュールと、
前記処理モジュールに接続され、前記基板、および前記基板の周囲に配置されるリングを搬送可能な搬送ロボットを有する真空搬送モジュールと、を備える基板処理システムの基板搬送方法であって、
前記処理モジュールは、
前記基板を収容可能な処理容器と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記基板および前記リングを支持する載置台と、
前記基板を昇降させる第１リフタと、
前記リングを昇降させる第２リフタと、を含み、
前記基板搬送方法では、
（Ａ）前記搬送ロボットにより前記基板および前記リングを同時に搬送し、かつ少なくとも前記第２リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板および前記リングの載置、または前記載置台からの前記基板および前記リングの取り出しを行う工程と、
（Ｂ）前記搬送ロボットにより前記基板を単独で搬送し、かつ前記第１リフタを昇降させることで、前記載置台への前記基板の載置、または前記載置台から前記基板の取り出しを行う工程と、を選択的に実施する、
基板搬送方法。
【0134】
今回開示された実施形態に係る基板処理システムＰＳおよび基板搬送方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【符号の説明】
【0135】
１０ 処理容器
１１ 載置台
５１ 第１リフタ
５２ 第２リフタ
１１３ リング
ＣＵ 制御部
ＰＭ１～ＰＭ７ 処理モジュール
ＰＳ、ＰＳａ 基板処理システム
ＴＭ 真空搬送モジュール
ＴＲ１ 搬送ロボット
Ｗ 基板
１１ 載置台
５１ 第１リフタ
５２ 第２リフタ
１１３ リング
ＣＵ 制御部
ＰＭ１～ＰＭ７ 処理モジュール
ＰＳ、ＰＳａ 基板処理システム
ＴＭ 真空搬送モジュール
ＴＲ１ 搬送ロボット
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】